JPS58217495A - 気相成長炉用加熱基台 - Google Patents
気相成長炉用加熱基台Info
- Publication number
- JPS58217495A JPS58217495A JP9914682A JP9914682A JPS58217495A JP S58217495 A JPS58217495 A JP S58217495A JP 9914682 A JP9914682 A JP 9914682A JP 9914682 A JP9914682 A JP 9914682A JP S58217495 A JPS58217495 A JP S58217495A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- wafer
- supporter
- heating base
- stages
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は気相成長炉用加熱基台に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来よシ半導体集積回路の製造工程において用いられる
ＣＶＤ（Ｃｈａｎｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ化学的気相成長）法は％８”Ｔ金属、窒化物
、酸化物等のエピタキシャル成長や５ｉＯ１、８ｉＮ４
等による絶縁保護膜等を作成するのに、例えば、揮発性
の金属ハロゲン化物や金属の有機化合物等の気相化学反
応（熱分解、水素還元、酸化、置換反応等）によ２て、
ウェハの表面に窒化物、酸化物、炭化物、ケイ化物ヤホ
ウ化物、高融点金属、金属、半導体等の薄膜を生成させ
る方法である。
ＣＶＤ（Ｃｈａｎｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ化学的気相成長）法は％８”Ｔ金属、窒化物
、酸化物等のエピタキシャル成長や５ｉＯ１、８ｉＮ４
等による絶縁保護膜等を作成するのに、例えば、揮発性
の金属ハロゲン化物や金属の有機化合物等の気相化学反
応（熱分解、水素還元、酸化、置換反応等）によ２て、
ウェハの表面に窒化物、酸化物、炭化物、ケイ化物ヤホ
ウ化物、高融点金属、金属、半導体等の薄膜を生成させ
る方法である。
この方法において、ＳｉＨ４等の揮発性化合物は気化さ
れ、一般にＨｌ、Ａｒ、Ｎ２等の気体（キャリヤガス）
と混合して反応ガスとして気相成長炉内に ゛送り込
まれる。そして所定の温度に加熱された加熱基台上のウ
ェハの表面（拡散、吸着し、気相化学反応により薄膜が
生成される。加熱基台はその内部に埋設したヒーターや
グラファイト製の基台にして通電したシ、高周波誘導等
の力ρ熱手段によって加熱し、そして基台上に載置した
ウェハを熱伝導により加熱して所定の温度に保温する方
法がとられている。またライブ放射によりウェハを加熱
する場合は、ウェハのみが加熱されると、ウェハに加わ
る熱応力によシ結晶欠陥、スリップ転移等が発生するの
で、保温を主目的にした一定熱容量の加熱基台、を用い
て防止することが行なわれている。従って、第１図に示
すように、このような加熱基台１のウェハ２を載置する
載置部３は、ウェハ２の移動や重なりを防止しかつ一定
容量のつ；・・２を所定面内に載置して保温するために
、ウェハ２の外形と実質的に等しい深さの凹面状のポケ
ット（座ぐシ）４が形成されている。そして加熱基台１
を水千奔るいは載置したウェハ２が落下しない程度に傾
斜させていた。さらに近年、ロット当りの生産効率を上
けるために直径１００〜１２５ｍ＋ｇの大型のウェハに
なり、しかも、このウェハを水平な加熱基台上に載置す
るので、気相成長炉内のスペースの利用効率が悪く、そ
の利用効率を高めるため加熱基台を傾斜させると、ウェ
ハ２が載置部３から落下することになる。マタ、ウェハ
載置部３に形成するポケットの形状によっては、供給さ
れる反応ガスの流れが撹乱され、均一な薄厚の薄膜を生
成することが困Ｉであった。
れ、一般にＨｌ、Ａｒ、Ｎ２等の気体（キャリヤガス）
と混合して反応ガスとして気相成長炉内に ゛送り込
まれる。そして所定の温度に加熱された加熱基台上のウ
ェハの表面（拡散、吸着し、気相化学反応により薄膜が
生成される。加熱基台はその内部に埋設したヒーターや
グラファイト製の基台にして通電したシ、高周波誘導等
の力ρ熱手段によって加熱し、そして基台上に載置した
ウェハを熱伝導により加熱して所定の温度に保温する方
法がとられている。またライブ放射によりウェハを加熱
する場合は、ウェハのみが加熱されると、ウェハに加わ
る熱応力によシ結晶欠陥、スリップ転移等が発生するの
で、保温を主目的にした一定熱容量の加熱基台、を用い
て防止することが行なわれている。従って、第１図に示
すように、このような加熱基台１のウェハ２を載置する
載置部３は、ウェハ２の移動や重なりを防止しかつ一定
容量のつ；・・２を所定面内に載置して保温するために
、ウェハ２の外形と実質的に等しい深さの凹面状のポケ
ット（座ぐシ）４が形成されている。そして加熱基台１
を水千奔るいは載置したウェハ２が落下しない程度に傾
斜させていた。さらに近年、ロット当りの生産効率を上
けるために直径１００〜１２５ｍ＋ｇの大型のウェハに
なり、しかも、このウェハを水平な加熱基台上に載置す
るので、気相成長炉内のスペースの利用効率が悪く、そ
の利用効率を高めるため加熱基台を傾斜させると、ウェ
ハ２が載置部３から落下することになる。マタ、ウェハ
載置部３に形成するポケットの形状によっては、供給さ
れる反応ガスの流れが撹乱され、均一な薄厚の薄膜を生
成することが困Ｉであった。
［発明の目的］
本発明は、かかる従来の難点を解消するためになされた
もので、凹面からなる載置部に載置されたウェハの表面
に供給されたＳｉＨ４等の反応ガスによｐｓｉ 、 ８
ｉ０１等の薄膜を生成させる気相成長炉用加熱基台にお
いて、ウェハ載置部はｔｌぼ直立もしくは内側に傾斜し
た加熱基台の内外側面に設けられ、かつウェハの落下を
防止する複数の爪状のストッパをその下端に備え−〔気
相成長炉内のスペース利用効率のよいしかも生成される
薄膜の薄厚が均一に形成される加熱基台を提供すること
を目的とする。
もので、凹面からなる載置部に載置されたウェハの表面
に供給されたＳｉＨ４等の反応ガスによｐｓｉ 、 ８
ｉ０１等の薄膜を生成させる気相成長炉用加熱基台にお
いて、ウェハ載置部はｔｌぼ直立もしくは内側に傾斜し
た加熱基台の内外側面に設けられ、かつウェハの落下を
防止する複数の爪状のストッパをその下端に備え−〔気
相成長炉内のスペース利用効率のよいしかも生成される
薄膜の薄厚が均一に形成される加熱基台を提供すること
を目的とする。
［発明の概要］
本発明は凹面からなる載置部に載置されたウェハの表面
に供給され九３ｉＨ４等の反応ガスによｐｓｉ 、 ８
ｉ０１等の薄膜を生成させる気相成長炉用加熱基台にお
いて、前記ウェハ載置部はほぼ直立もしくは内側に傾斜
した前記加熱基台の両外′側面に設けられ、かつ前記ウ
ェハの落下を防止する複数の爪状のストッパをその下端
に備えていることを特徴とする。
に供給され九３ｉＨ４等の反応ガスによｐｓｉ 、 ８
ｉ０１等の薄膜を生成させる気相成長炉用加熱基台にお
いて、前記ウェハ載置部はほぼ直立もしくは内側に傾斜
した前記加熱基台の両外′側面に設けられ、かつ前記ウ
ェハの落下を防止する複数の爪状のストッパをその下端
に備えていることを特徴とする。
［発明の実施例］
以下本発明の実施例を図面にもとすき詳細に説明する。
第２図（ａ） 、 （ｂ）、第３図（ａ） 、 （ｂ）
は本発明の加熱基台を示したものである。第２図（ａ）
の実施例は、垂直に直立した加熱基台５のその内外側面
６゜６’にウェハ７、Ｔ′を載置する載置部８，８′が
設けてあり、との載置部８，８′はウニノＳ７．７’の
外形（直径１００〜１２５門φ）とその厚み（約０．５
ｔｔａｎ ）に実質的に等しい凹面状のポケット（座
ぐ！ｌ） ） ９ 、９’が形成しである。そして載置
部８，８′の下端に２つの爪状のストッパ１０゜１１．
１０’、１１’が設けである。なお第２図（ｂ）は本発
明の加熱基台の斜視図である。
は本発明の加熱基台を示したものである。第２図（ａ）
の実施例は、垂直に直立した加熱基台５のその内外側面
６゜６’にウェハ７、Ｔ′を載置する載置部８，８′が
設けてあり、との載置部８，８′はウニノＳ７．７’の
外形（直径１００〜１２５門φ）とその厚み（約０．５
ｔｔａｎ ）に実質的に等しい凹面状のポケット（座
ぐ！ｌ） ） ９ 、９’が形成しである。そして載置
部８，８′の下端に２つの爪状のストッパ１０゜１１．
１０’、１１’が設けである。なお第２図（ｂ）は本発
明の加熱基台の斜視図である。
とのように構成された加熱基台５のウニノ１載置ｍ８．
８’に、そのオリエンテーション・フラット１゛２ 、
１２’を上にしてウニノ・７．７′を載置する。ストッ
パ１０，１１．１０’、１１’によシウエハ７．Ｔ′の
落下が防止される。そして反応ガスをウェハＴ、７′の
表面に供給してその表面に気相化学反応によシ薄膜を生
成させる。ポケット９．９’の深さはウェハ７、Ｔ′の
厚さにしであるので、外側面６．６′とウェハ７．７′
の表面とは同一平面を１．形成する。従って供給される
反応ガスは均一にウェハ７、Ｔ′の表面に流れ均質な薄
膜が生成された。
８’に、そのオリエンテーション・フラット１゛２ 、
１２’を上にしてウニノ・７．７′を載置する。ストッ
パ１０，１１．１０’、１１’によシウエハ７．Ｔ′の
落下が防止される。そして反応ガスをウェハＴ、７′の
表面に供給してその表面に気相化学反応によシ薄膜を生
成させる。ポケット９．９’の深さはウェハ７、Ｔ′の
厚さにしであるので、外側面６．６′とウェハ７．７′
の表面とは同一平面を１．形成する。従って供給される
反応ガスは均一にウェハ７、Ｔ′の表面に流れ均質な薄
膜が生成された。
第３図（ａ）は他の実施例を示しだもので、内側に傾斜
する加熱基台１３の内外側面１４ 、１４’に、ウェハ
１５ 、１５’を載置する載置部１６゜１６′が設けて
あシ、この載置部１６ 、１６’は、ウェハｉ ｓ 、
１５’の外形とその厚みと実質的に等しい凹面状のポ
ケット（座ぐｌ） ） １７ 、１７’が形成しである
。そして載置部１６ 、１６’の下部に２つの爪状のス
トッパ１８ 、１８’が設けである。なお第３図（ｂ）
は本発明の加熱基台の斜視図である。
する加熱基台１３の内外側面１４ 、１４’に、ウェハ
１５ 、１５’を載置する載置部１６゜１６′が設けて
あシ、この載置部１６ 、１６’は、ウェハｉ ｓ 、
１５’の外形とその厚みと実質的に等しい凹面状のポ
ケット（座ぐｌ） ） １７ 、１７’が形成しである
。そして載置部１６ 、１６’の下部に２つの爪状のス
トッパ１８ 、１８’が設けである。なお第３図（ｂ）
は本発明の加熱基台の斜視図である。
このように構成された加熱基台１３のウェハａｔ部１６
、１６’にそのオリエンテーション・フラット２０．
２０’を上にしてウニノー１５．１５’を載１６する。
、１６’にそのオリエンテーション・フラット２０．
２０’を上にしてウニノー１５．１５’を載１６する。
ストッパ１８．１９，１．８’、１９’ニヨリウエハイ
５，１５′の落下が防止される。
５，１５′の落下が防止される。
そして反応ガスをウェハ１５ 、１５’の表面に供給し
てその表面に気相化学反応によシ薄膜を生成させる。ポ
ケット１７ 、１７’の深さをウェハ１５の厚さにしで
あるので、外側面１４ 、１４’とウェハ１５ 、１５
’の表面とは同一平面を形成する。従って供給される反
応ガスは均一にウェハ１５ 、１５’の表面に流れ均質
な薄膜が生成された。
てその表面に気相化学反応によシ薄膜を生成させる。ポ
ケット１７ 、１７’の深さをウェハ１５の厚さにしで
あるので、外側面１４ 、１４’とウェハ１５ 、１５
’の表面とは同一平面を形成する。従って供給される反
応ガスは均一にウェハ１５ 、１５’の表面に流れ均質
な薄膜が生成された。
［発明の効果〕
以上の実施例からも明らかなように本発明の加熱基台で
は凹面からなる載置部に載置されたウェハの表面に供給
された８ ｉＨ４等の反応ガスにより、８ｉ 、 ５ｉ
Ｏ１等の薄膜を生成させる気相成長炉用加熱基台におい
て、ウェハ載置部はほぼ直立もしくは内側に傾斜した加
熱基台の内外側面に設けられ、かつウェハの落下を防止
する複数の爪状のストッパをその下端に備えたの、で気
相成長炉内のスペースの利用効率が向上し、かっ生成さ
れる薄膜の薄厚分布が均一となった。
は凹面からなる載置部に載置されたウェハの表面に供給
された８ ｉＨ４等の反応ガスにより、８ｉ 、 ５ｉ
Ｏ１等の薄膜を生成させる気相成長炉用加熱基台におい
て、ウェハ載置部はほぼ直立もしくは内側に傾斜した加
熱基台の内外側面に設けられ、かつウェハの落下を防止
する複数の爪状のストッパをその下端に備えたの、で気
相成長炉内のスペースの利用効率が向上し、かっ生成さ
れる薄膜の薄厚分布が均一となった。
第１図は従来の加熱基台を示す説明図、第２図（ａ）、
第３図（ａ）は本発明の気相成長炉用加熱基台を示す説
明図、第２図（ｂ）、第３図（ｂ）は本発明の気相成長
炉用加熱基台の斜視図である。 ５．１３・・・加熱基台 ６．６’、１４．１４’・・・外側面 ７．７’、１５．Ｉｓ’・・・ウェハ １５．８’、１６．１６’・・・ウェハ載置部１０．１
０’、１１．１１’、１８．１８’、１９゜１９′・・
・ストッパ
第３図（ａ）は本発明の気相成長炉用加熱基台を示す説
明図、第２図（ｂ）、第３図（ｂ）は本発明の気相成長
炉用加熱基台の斜視図である。 ５．１３・・・加熱基台 ６．６’、１４．１４’・・・外側面 ７．７’、１５．Ｉｓ’・・・ウェハ １５．８’、１６．１６’・・・ウェハ載置部１０．１
０’、１１．１１’、１８．１８’、１９゜１９′・・
・ストッパ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 凹面からなる載置部に載置されたウェハの表面に供給さ
れた８ｉＨ４等の反応ガスによ、ｊｔ、８ｉ。 Ｓ ｉ０２等の薄膜を生成させる気相成長炉用加熱基台
において、前記ウェハ載置部はほぼ直立もしくは内側に
傾斜した前記加熱基台の両性側面に設けられ、かつ前記
ウェハの落下を防止する複数の爪状のストッパをその下
端に備えていることを特徴とする気相成長炉用加熱基台
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9914682A JPS58217495A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 気相成長炉用加熱基台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9914682A JPS58217495A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 気相成長炉用加熱基台 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58217495A true JPS58217495A (ja) | 1983-12-17 |
Family
ID=14239552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9914682A Pending JPS58217495A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 気相成長炉用加熱基台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58217495A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009086259A1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial barrel susceptor having improved thickness uniformity |
-
1982
- 1982-06-11 JP JP9914682A patent/JPS58217495A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009086259A1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial barrel susceptor having improved thickness uniformity |
| US8404049B2 (en) | 2007-12-27 | 2013-03-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial barrel susceptor having improved thickness uniformity |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5242501A (en) | Susceptor in chemical vapor deposition reactors | |
| JP3336897B2 (ja) | 気相成長装置用サセプター | |
| JPH01162326A (ja) | β−炭化シリコン層の製造方法 | |
| CA2312790A1 (en) | Growth of very uniform silicon carbide epitaxial layers | |
| GB1346938A (en) | Reactors and method of manufacture of semiconductor devices using such a reactor | |
| JPS6119101B2 (ja) | ||
| CN100555572C (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
| US4661199A (en) | Method to inhibit autodoping in epitaxial layers from heavily doped substrates in CVD processing | |
| JPS58217495A (ja) | 気相成長炉用加熱基台 | |
| EP1533834B1 (en) | Vapor phase epitaxial apparatus and vapor phase epitaxial method | |
| JPH01246822A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| US5881090A (en) | Quartz used in semiconductor manufacturing device, apparatus for manufacturing the quartz, and method for manufacturing the same | |
| JP2021046336A (ja) | 黒鉛製支持基板の表面処理方法、炭化珪素多結晶膜の成膜方法および炭化珪素多結晶基板の製造方法 | |
| JPH06163439A (ja) | 半導体拡散炉用ボート及びその製造方法 | |
| JPH0426576A (ja) | 炭化けい素被覆炭素製品及びその製造方法 | |
| JPS6191920A (ja) | エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH01129974A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JP2504489B2 (ja) | 化学気相成長法 | |
| JP3022190U (ja) | 常圧化学蒸着用トレー | |
| JPS60165714A (ja) | 気相成長方法および装置 | |
| JPH0770496B2 (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPS62214613A (ja) | ＳｉＯバツフア層の形成方法 | |
| JPS587817A (ja) | 半導体気相成長方法 | |
| JPS58212125A (ja) | 熱処理用治具 | |
| GB1054360A (ja) |