JPH0770496B2 - 半導体装置の製造法 - Google Patents
半導体装置の製造法Info
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- JPH0770496B2 JPH0770496B2 JP4337587A JP4337587A JPH0770496B2 JP H0770496 B2 JPH0770496 B2 JP H0770496B2 JP 4337587 A JP4337587 A JP 4337587A JP 4337587 A JP4337587 A JP 4337587A JP H0770496 B2 JPH0770496 B2 JP H0770496B2
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- JP
- Japan
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- wafer
- boron
- semiconductor device
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- device manufacturing
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置にボロンをデポッションする方法に
関するものである。
関するものである。
従来の所謂BNウェハは粉末の六方晶窒化ホウ素をホット
プレス形成したものを用いているので、不純物の含有量
が、たとえば、Feが40ppmと大きく、又気孔も多い。し
たがって、水分を吸着しやすいので、デポジッション後
のボロン層の層抵抗がバラツキやすい。
プレス形成したものを用いているので、不純物の含有量
が、たとえば、Feが40ppmと大きく、又気孔も多い。し
たがって、水分を吸着しやすいので、デポジッション後
のボロン層の層抵抗がバラツキやすい。
又、不活性雰囲気中で加熱して保管しなければならない
などの問題がある。
などの問題がある。
本発明は、従来のBNウェハを用いる代わりに、ウェハ状
の熱分解窒化ホウ素（以下Ｐ−BN）を用いることによ
り、上記の問題を解決しようとするものである。
の熱分解窒化ホウ素（以下Ｐ−BN）を用いることによ
り、上記の問題を解決しようとするものである。
Ｐ−BNの特徴として、金属不純物量10ppm以下の高純度
であること、ほぼ100％の緻密性、化学的にきわめて安
定であること、さらに面方向に熱伝導率が高いというこ
となどが上げられる。このような特徴の為に一般にＰ−
BNは化合物半導体用のるつぼ材料に用いられていた。本
発明はこのＰ−BNをSiウェハのボロンデポジッションの
不純物源として用いると同時にSiウェハの支持台として
利用しようとするものである。Ｐ−BNは熱的・化学的安
定性にすぐれているので、このままでは、シリコン基体
にボロンを拡散することはできない。
であること、ほぼ100％の緻密性、化学的にきわめて安
定であること、さらに面方向に熱伝導率が高いというこ
となどが上げられる。このような特徴の為に一般にＰ−
BNは化合物半導体用のるつぼ材料に用いられていた。本
発明はこのＰ−BNをSiウェハのボロンデポジッションの
不純物源として用いると同時にSiウェハの支持台として
利用しようとするものである。Ｐ−BNは熱的・化学的安
定性にすぐれているので、このままでは、シリコン基体
にボロンを拡散することはできない。
本発明によれば、Ｐ−BNを炉内で酸素ガス、不活性ガ
ス、塩素化剤（HCl,Cl2,CCl4,C2HCl3等）の混合ガス中
で加熱してＰ−BNを分解して三塩化ボロンを発生させ
る。
ス、塩素化剤（HCl,Cl2,CCl4,C2HCl3等）の混合ガス中
で加熱してＰ−BNを分解して三塩化ボロンを発生させ
る。
（2BN＋3Cl2→2BCl3＋N2）しかし、ここで発生する三塩
化ボロン（BCl3と称す）は多量ではないのでSiウェハと
Ｐ−BNウェハの距離が離れていると、Siウェハ上にBCl3
が均一に、必要な量が付着しないのでボロンのデポジッ
ションができない。しかし、Siウェハのボロンデポジッ
ションしたい面とＰ−BNウェハ面同士を接触させること
により有効にSiウェハ上にボロンがデポジッションされ
るようになる。
化ボロン（BCl3と称す）は多量ではないのでSiウェハと
Ｐ−BNウェハの距離が離れていると、Siウェハ上にBCl3
が均一に、必要な量が付着しないのでボロンのデポジッ
ションができない。しかし、Siウェハのボロンデポジッ
ションしたい面とＰ−BNウェハ面同士を接触させること
により有効にSiウェハ上にボロンがデポジッションされ
るようになる。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明実施例の説明図
で（ａ）、（ｂ）図はSiウェハ１とＰ−BNウェハ２同志
を交互に接触させる場合の一例であり、Ｐ−BNウェハ２
は凹状のサグリ２′を入れ、ウェハが固定されるように
してある。
で（ａ）、（ｂ）図はSiウェハ１とＰ−BNウェハ２同志
を交互に接触させる場合の一例であり、Ｐ−BNウェハ２
は凹状のサグリ２′を入れ、ウェハが固定されるように
してある。
Ｐ−BNを使用したボロンのデポジッション工程の実施例
（ｃ）図により説明する。
（ｃ）図により説明する。
先ずSiウェハは酸化膜形成３とフォトエッチング工程
を経て、ボロンデポジッションすべき箇所を窓開けして
おく。
を経て、ボロンデポジッションすべき箇所を窓開けして
おく。
Siウェハ１のボロンデポジッションしたい面とＰ−BN
ウェハ面同士を接触させて700℃〜1000℃炉内に投入す
る。ガスは不活性ガスのみか、不活性ガスと酸素ガスの
混合ガスとする。次に不活性ガス：酸素ガス：塩化水
素ガス＝5:5:1（流量比）の混合ガスを10分間流す。
不活性ガスのみにて30分間以上同一炉にてSiウェハを加
熱する。
ウェハ面同士を接触させて700℃〜1000℃炉内に投入す
る。ガスは不活性ガスのみか、不活性ガスと酸素ガスの
混合ガスとする。次に不活性ガス：酸素ガス：塩化水
素ガス＝5:5:1（流量比）の混合ガスを10分間流す。
不活性ガスのみにて30分間以上同一炉にてSiウェハを加
熱する。
ガスの組み合わせや温度スケジュールは上記に限定され
るものではないことは明らかである。以上の説明から明
らかなように本発明により高純度不純物源でボロンデポ
ジッションができるので拡散での欠陥が大幅に低下する
ことができ、又、Ｐ−BNの保管が特に注意する必要がな
く、Ｐ−BNの前処理もウェット洗浄が可能になり常にク
リーンな状態にできるようになる等実用上の効果は大き
い。
るものではないことは明らかである。以上の説明から明
らかなように本発明により高純度不純物源でボロンデポ
ジッションができるので拡散での欠陥が大幅に低下する
ことができ、又、Ｐ−BNの保管が特に注意する必要がな
く、Ｐ−BNの前処理もウェット洗浄が可能になり常にク
リーンな状態にできるようになる等実用上の効果は大き
い。
第１図は本発明の実施例の説明図である。 図において、１はシリコン基体（ウェハ）、２は熱分解
窒化ホウ素（Ｐ−BN）である。
窒化ホウ素（Ｐ−BN）である。
Claims (1)
- 【請求項１】ウェハ状の熱分解窒化ホウ素（以下Ｐ−BN
と称す）を不純物源とし、炉内に前記Ｐ−BNウェハとシ
リコンウェハを接触させて配置すると共に、前記炉内
を、酸素ガス、不活性ガス及び塩素化剤（HCl,Cl2,Cc
l4,C2HCl3等）の混合ガス雰囲気で、加熱処理すること
によりシリコンウェハ上にボロンをデポジッションする
ことを特徴とする半導体装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337587A JPH0770496B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | 半導体装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337587A JPH0770496B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | 半導体装置の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63211618A JPS63211618A (ja) | 1988-09-02 |
| JPH0770496B2 true JPH0770496B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=12662086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4337587A Expired - Fee Related JPH0770496B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | 半導体装置の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770496B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2583681B2 (ja) * | 1991-03-20 | 1997-02-19 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハへの硼素拡散方法 |
| JPH0945670A (ja) * | 1995-07-29 | 1997-02-14 | Hewlett Packard Co <Hp> | Ｉｉｉ族−ｎ系結晶の気相エッチング方法および再成長方法 |
-
1987
- 1987-02-26 JP JP4337587A patent/JPH0770496B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63211618A (ja) | 1988-09-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |