JP2000133187A - 電子顕微鏡の試料ステージ - Google Patents

電子顕微鏡の試料ステージ

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JP2000133187A
JP2000133187A JP10300649A JP30064998A JP2000133187A JP 2000133187 A JP2000133187 A JP 2000133187A JP 10300649 A JP10300649 A JP 10300649A JP 30064998 A JP30064998 A JP 30064998A JP 2000133187 A JP2000133187 A JP 2000133187A
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JP
Japan
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wafer
stage
wafer holder
holder
electron microscope
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JP10300649A
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English (en)
Inventor
Nobuyoshi Hashimoto
信義 橋本
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】一種類のウェーハホールダで、ウェーハサイズ
が数種類のウェーハのパターン計測、及び観察を可能に
し、ウェーハの処理能力であるパターンの計測等の向上
を図ることにある。 【解決手段】一種類のウェーハホールダ6に、ウェーハ
17の各サイズに対応した同心円状のザグリ穴24,2
5,26と、ウェーハを支える支持台27,28,29
を設置し、その材質を導伝体、または導電性樹脂とし
た。さらに、その支持台27,28,29はZステージ
3cの制御と連動するように構成したので、一種類のウ
ェーハホールダで、多種類のサイズのウェーハをウェー
ハホールダの交換を行わないで載置することが可能とな
った。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子顕微鏡の試料
ステージに係り、特に半導体デバイスのウェーハパター
ンの計測、及び観察においての処理効率に好適な電子顕
微鏡等の試料ステージに関する。
【0002】特に 本発明は、ウェーハホールダのウェ
ーハ載置部に数種類の同心円状のザグリ穴を設けること
により、一種類のウェーハホールダで数種類のサイズの
ウェーハを載置することができ、かつウェーハとウェー
ハホールダの支持台の導電性樹脂を介してコントローラ
によりZ軸を移動させてウェーハ物面の調整ができるた
め、ウェーハのサイズ間の誤差を最少に抑えてウェーハ
パターンの計測、及び観察を効率良く行えるようにした
電子顕微鏡等の試料ステージに関する。
【0003】
【従来の技術】一般に半導体デバイスのウェーハパター
ンの計測、及び観察は、ウェーハをウェーハカセットか
ら抜き出し、搬送系を用いてウェーハホールダに一枚毎
搭載され、試料室に搬入される。その後オペレータの希
望とするウェーハのパターンの計測、及び観察位置に、
試料ステージのXステージ,Yステージ駆動により移動
し、測長及び観察される。その移動時におけるウェーハ
の固定は、ウェーハの外周をピン等で押えて行ってい
る。
【0004】量産工場において、サイズが一種類のウェ
ーハ処理においては上記構造においても問題ないが、研
究所及び評価を専門とする顧客,設備投資を抑えるため
に複数台装置の準備ができない顧客等から、サイズが数
種類のウェーハ処理、すなわちウェーハパターンの計
測、及び観察の希望が高まっている。
【0005】従来のウェーハホールダにおいては、一種
類のウェーハホールダに、各サイズのウェーハに対する
外周の押えのピンを設けることができないため、ウェー
ハホールダをウェーハのサイズ毎に準備して、必要に応
じてローダ室等の真空を大気圧に戻して交換していた。
その作業を行うため、ウェーハの処理効率が下がり、あ
まり望ましくない。
【0006】また、一種類のウェーハホールダでサイズ
が数種類のウェーハ処理を可能にしようとすると、ウェ
ーハ固定用の押えのピンを設けることができないため、
ウェーハの裏面接触による摩擦力だけの保持になり、X
ステージ,Yステージ移動時の位置ずれや落下等の危険
があり、ウェーハ破損等のトラブルにより、処理能力の
低下を招くだけでなく、装置を安全に使用することがで
きなかった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、各サ
イズのウェーハに対応し、ウェーハホールダの交換によ
るウェーハの処理中断、及びウェーハが完全に固定され
ていないため、ウェーハ落下による破損等のトラブルに
より、ウェーハの処理能力低下という問題があった。
【0008】本発明の目的は、一種類のウェーハホール
ダでウェーハサイズが数種類であっても容易にウェーハ
処理を行うことを可能にしたものである。従って、ウェ
ーハのパターンの計測、及び観察の処理能力を向上させ
るだけでなく、装置を安全に使用することができる電子
顕微鏡の試料ステージを提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、一種類のウェーハホールダに、ウェーハパターンの
計測、及び観察が必要なウェーハの各サイズに対応した
同心円状のザグリ穴を設けた。従って、ウェーハホール
ダの交換を行うことなく必要に応じてサイズの異なるウ
ェーハパターンの計測,観察が効率良く行うことができ
る。また、ウェーハの載置される受け台である同心円状
のザグリ穴の深さは、ウェーハの厚みに対応しており、
ウェーハの外周の押えとなるため、試料ステージ(Xス
テージ,Yステージ)の移動時における際のウェーハの
落下等の危険がない。従って、装置を安全に使用するこ
とができる。
【0010】さらに、ウェーハホールダ上の同心円状の
ザグリ穴には、導伝体または導電性樹脂製のウェーハを
支える支持台を各サイズ毎に設け、Zステージのコント
ローラと接続させている。従って、ウェーハがウェーハ
ホールダに載置されるとウェーハは裏面によって導通し
てそのウェーハサイズの厚さに対応した量だけZステー
ジを上下方向に移動することができる。
【0011】そのため、ウェーハサイズの違いによる物
面の違いをコントロールすることができるので、ザグリ
穴の位置の違い、及びウェーハの各サイズ間の厚みに違
いによる物面の差がないため、ウェーハ間の倍率誤差等
も最小限に抑えることができる。また、支持台を導伝体
または導電性樹脂にしたことにより、ウェーハのパター
ンの計測、及び観察時の帯電防止にもなり、像質への影
響も全くない。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図1、及
び図2により説明する。
【0013】図1は電子顕微鏡等の試料ステージと周辺
機構部の縦断面図であり、図2は前記試料ステージのウ
ェーハホールダと、周辺機構部の詳細図を表わしたもの
である。
【0014】パターン計測を使用しているウェーハ17
は、ウェーハカセット16に収納されカセット台18に
載置されている。
【0015】ウェーハ移載機13は、ウェーハ17を搬
送するためのアーム14をウェーハ移載機13のリンク
機構部12に取り付けられ、ローダ室10の下部に真空
シールされて取り付けられている。また、ローダ室10
のカセット台18側の横穴と、試料室4側の横穴にはそ
れぞれゲートバルブ15とゲートバルブ8がOリング1
9,11を介して取り付けられている。ローダ室10は
ネジ(図示せず)を介して試料室4に接続されている。
【0016】試料室4には試料室上蓋5がOリング7を
介して取り付けられており、その中心部には鏡体1と対
物レンズ2が取り付けられている。試料室4の内部に
は、ウェーハホールダ6が試料ステージ3の上部に取り
付けられている。なお、試料ステージ3は、X軸駆動の
Xステージ3a,Y軸駆動のYステージ3b、及びZ軸
駆動のZステージ3cとで構成されている。
【0017】ウェーハホールダ6には、同心円状のザグ
リ穴でウェーハを載置するためのウェーハ受け台24,
25,26と各々のウェーハ受け台24,25,26に
対応して導伝体または導伝性樹脂製の支持台27,2
8,29が取り付けられている。前記支持台27,2
8,29は各々コントローラ22と、Zステージ3cの
駆動用ドライバ21に接続されている。
【0018】次に一連の動作を説明する。
【0019】制御系(図示せず)からウェーハのロード
命令を出すと、ローダ室10は真空リークして大気圧に
なる。その後ゲートバルブ15が下降して、ウェーハ移
載機13のリンク機構部12が回転し、アーム14にて
ウェーハ17をウェーハカセット16から取り出しロー
ダ室10に搬送する。
【0020】次にゲートバルブ15が閉じて真空が引か
れ、所定の圧力になると試料室4側のゲートバルブ15
が開き、ウェーハ移載機13のリンク機構部12が回転
し、アーム14に搭載したウェーハ17を試料室4に搬
送してウェーハホールダ6のウェーハ受け台24(また
は25,26のいずれか)にセットされる。その後前記
受け台に対応する支持台27(または28,29のいず
れか)がウェーハ裏面からの導通信号をコントローラ2
2に伝え、ドライバ21を介してZステージ3cを上下
方向の適正位置に駆動させる。
【0021】それと併行動作で試料ステージ3のX,Y
ステージ3a,3bを測定点に移動させ、ウェーハ17
のパターンを計測または観察を行う。観察後のウェーハ
17のウェーハカセット16への収納は、制御系(図示
せず)からウェーハのアンロード命令にて上記の逆工程
を搬送する。
【0022】本発明のポイントは、ウェーハサイズを変
更したときに、それに対応するウェーハ受け台25(ま
たは26)にセットされる。その後前記受け台に対応す
る支持台28(または29)が、ウェーハ裏面からの導
通信号をコントローラ22に伝え、ドライバ21を介し
て、Zステージ3cを上下方向の適正位置に駆動させる
ため、物面の変化が生じないのでサイズ変更前と同じ条
件でパターンの計測、及び観察が可能である。従って、
ウェーハホールダ6の交換を行うことなく必要に応じて
サイズの異なるウェーハ17のパターンの計測,観察が
効率良く行うことができる。
【0023】また、支持台27,28,29を導伝体、
または導電性樹脂にしたことにより、ウェーハパターン
の計測、及び観察におけるウェーハ表面の帯電を緩和さ
せるため、像質への影響も全くない。
【0024】なお、ウェーハホールダ6が、ローダ室1
0側から試料室4にボールネジ等の機構系にて搬送され
る方法においても、ウェーハホールダ6は同じ構造で良
いため、同等の結果が得られる。
【0025】応用例について図3により説明する。
【0026】近年、ウェーハのほかに磁気ヘッド,マス
ク等のパターン形状の計測、及び観察の希望がある。こ
の場合、ウェーハ受け台24,25,26に対応して取
り付けられている導伝体または導伝性樹脂製の支持台2
7,28,29とコントローラ22との間に切換えSW
20を接続し、コントローラ22に切換えSW23を取
り付ける。このことにより、ウェーハと磁気ヘッド,マ
スク等の切り分けは切換えSW20で行い、かつ基板の
厚みの違いは切換えSW23にて指定することで対応が
できる。従って、ウェーハと同等の効果が得られる。ま
た、ウェーハと磁気ヘッド,マスク等が混在(混流)し
て評価する場合においても、上記切換えSW20,SW
23の操作で簡単に行うことができる。
【0027】
【発明の効果】1.ウェーハサイズが異なる数種類のウ
ェーハ処理においても、ウェーハホールダの交換を行わ
ないで容易に処理できるため、ウェーハのパターンの計
測、及び観察の処理能力を向上させた。
【0028】2.ウェーハホールダの同心円状のザグリ
穴の深さが、ウェーハの押えとなるため、試料ステージ
の移動時におけるウェーハの落下等の危険がなく、装置
を安全に使用することができる。
【0029】3.支持台を導伝体、または導電性樹脂に
したことにより、測長、及び観察時における表面の帯電
を緩和させるため、像質への影響も全くない。
【0030】4.ウェーハホールダが一種類ですみ、経
済的である。
【0031】5.同上理由から、ウェーハホールダを交
換するためのサービス費が削減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すもので電子顕微鏡等の
試料ステージと周辺機構部の縦断面図を表わす。
【図2】本発明の一実施例を示すもので電子顕微鏡等の
試料ステージのウェーハホールダと周辺機構部の詳細断
面図を表わす。
【図3】本発明の一実施例を示すもので電子顕微鏡等の
試料ステージのウェーハホールダと周辺機構部の応用詳
細図を表わす。
【符号の説明】
1…鏡体、2…対物レンズ、3…試料ステージ、3a…
Xステージ、3b…Yステージ、3c…Zステージ、4
…試料室、5…試料室上蓋、6…ウェーハホールダ、
7,9,11,19…Oリング、8,15…ゲートバル
ブ、10…ローダ室、12…リンク機構部、13…ウェ
ーハ移載機、14…アーム、16…ウェーハカセット、
17…ウェーハ、18…カセット台、20,23…切換
えSW、21…ドライバ、22…コントローラ、24,
25,26…ウェーハ受け台、27,28,29…支持
台。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ウェーハを載置するためのウェーハホール
    ダと、ウェーハを少なくてもX軸,Y軸,Z軸へ移動さ
    せるためのXステージ,Yステージ,Zステージとを有
    する電子顕微鏡の試料ステージにおいて、ウェーハホー
    ルダにウェーハサイズに合わせた同心円状の数種類の凹
    部を設けて、ウェーハを保持することを特徴とする電子
    顕微鏡の試料ステージ。
  2. 【請求項2】前記ウェーハホールダのウェーハ裏面接触
    部は、導伝体であること、又は導電性樹脂であることを
    特徴とする請求項1記載の電子顕微鏡の試料ステージ。
  3. 【請求項3】前記ウェーハホールダのウェーハ裏面接触
    部は、数種類の同心円状の凹部に対応して各々設けられ
    ていることを特徴とする請求項1記載の電子顕微鏡の試
    料ステージ。
JP10300649A 1998-10-22 1998-10-22 電子顕微鏡の試料ステージ Pending JP2000133187A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008157605A1 (en) 2007-06-19 2008-12-24 Memc Electronic Materials, Inc. Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage
US8404049B2 (en) 2007-12-27 2013-03-26 Memc Electronic Materials, Inc. Epitaxial barrel susceptor having improved thickness uniformity

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2008157605A1 (en) 2007-06-19 2008-12-24 Memc Electronic Materials, Inc. Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage
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