CN101515502A - 陶瓷电子部件及其制造方法和捆包方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种陶瓷电子部件，其具备在内部配置有导体的芯片素体、外部电极、以及识别层。芯片素体，具有相互相对的第1和第2端面、垂直于第1和第2端面且相互相对的第1和第2侧面、垂直于第1和第2端面以及第1和第2侧面且相互相对的第3和第4侧面。外部电极分别形成在芯片素体的第1和第2端面上。识别层设在芯片素体的第1侧面和第2侧面中的至少一个侧面上。芯片素体由第1陶瓷形成。识别层由与第1陶瓷不同的第2陶瓷形成，并且，呈现与第3和第4侧面不同的颜色。

Description

陶瓷电子部件及其制造方法和捆包方法
技术领域
本发明涉及陶瓷电子部件及其制造方法和捆包方法。
背景技术
已知有一种陶瓷电子部件，其具备形成为长方体状的芯片素体、以与芯片素体的内部相对的方式配置的多个导体层、以及分别形成于芯片素体的端面的外部电极。该陶瓷电子部件在制造时，被分别容纳于在捆包材形成的多个凹部中(参照日本特开昭61-217317号公报)。
发明内容
在安装捆包后的陶瓷电子部件时，用吸附搬送装置吸附从捆包材的凹部露出的陶瓷电子部件的上侧的侧面，从捆包材取出陶瓷电子部件，并安置在安装基板上。然后，陶瓷电子部件在吸附的侧面朝上的状态下，被安装在安装基板上。在陶瓷电子部件安装在安装基板上的状态中，在导体层的相对方向相对于安装基板平行的情况和垂直的情况下，产生于导体层和外部的导体部件之间的寄生电容或者产生于导体层的磁场等发生差别。
所以，由于导体层相对于安装基板的相对方向，从而产生了陶瓷电子部件的电特性不同，电特性发生偏差的问题。不仅是多个导体层在芯片素体的内部相对地配置的情况，只要是在芯片素体的内部形成有导体的电子部件，就产生因该导体的配置方向而导致电特性发生偏差的问题。因此，为了以导体的配置方向一致的方式将陶瓷电子部件安装在基板上，要求使导体的配置方向一致并进行捆包。
然而，在所完成的陶瓷电子部件中，配置于芯片素体的内部的导体通常覆盖陶瓷及外部电极，因而，不能目视辨认其方向。特别是在形成有外部电极的端面为正方形的情况下，由于芯片素体的任意侧面均为相同形状，因而，不能通过形状来判别导体的配置方向。
因此，本发明的目的在于，提供一种能够判别配置在芯片素体的内部的导体的配置方向的陶瓷电子部件及其制造方法，以及能够使导体的配置方向一致并进行捆包的陶瓷电子部件的捆包方法。
本发明为陶瓷电子部件，具备：芯片素体，具有相互相对的第1和第2端面、垂直于第1和第2端面且相互相对的第1和第2侧面、垂直于第1和第2端面以及第1和第2侧面且相互相对的第3和第4侧面，并且，在内部配置有导体；外部电极，分别形成在芯片素体的第1和第2端面上；以及识别层，设在芯片素体的第1侧面和第2侧面中的至少一个侧面上。芯片素体由第1陶瓷形成，识别层由与第1陶瓷不同的第2陶瓷形成，并且，呈现与第3和第4侧面不同的颜色。
本发明中，识别层由与第1陶瓷不同的第2陶瓷形成，并且，呈现与第3和第4侧面不同的颜色。通过事先将芯片素体的设有识别层的侧面设定为与导体的配置方向平行或垂直的侧面，从而能够基于识别层来容易地判别芯片素体中的导体的配置方向。
优选，识别层以覆盖至少一个侧面的整个面的方式设置。在此情况下，能够可靠且容易地确认识别层的颜色。
优选，第1陶瓷和第2陶瓷通过烧结的程度不同而呈现不同的颜色。在此情况下，能够容易地将识别层设在芯片素体的侧面上。
优选，第1陶瓷和第2陶瓷各自所含的粒子的粒径不同。在此情况下，能够容易地将识别层设在芯片素体的侧面上。
优选，第1陶瓷和第2陶瓷各自所含的添加物不同。在此情况下，能够容易地将识别层设在芯片素体的侧面上。
优选，第1陶瓷和第2陶瓷各自所含的材料的组成比不同。在此情况下，能够容易地将识别层设在芯片素体的侧面上。
优选，导体沿第1侧面和第2侧面的层叠方向配置多个。在此情况下，能够能够将导体的层叠方向判别为导体的配置方向。
本发明是陶瓷电子部件的制造方法，具备：得到将多个第1陶瓷坯料层层叠并在内部设有导体图形的层叠体的工序；在层叠体的沿层叠方向相互相对的面的至少任一个面上，用烧成后的颜色与第1陶瓷坯料层的烧成后的颜色不同的材料来形成第2陶瓷坯料层的工序；将形成有第2陶瓷坯料层的层叠体切断，得到多个层叠体芯片的工序；将多个层叠体芯片烧成，得到设有识别层的芯片素体的工序。
本发明中，在作为芯片素体的母体的层叠体的相互相对的面中的至少任一个面上，形成第2陶瓷坯料层，然后，进行切断，制成芯片状，进行烧成。于是，通过烧成第2陶瓷坯料层而构成的识别层设在芯片素体的相互相对的侧面中的至少一个侧面上。由于第2陶瓷坯料层使用烧成后的颜色与第1陶瓷坯料层的烧成后的颜色不同的材料，因而，识别层呈现与芯片素体的侧面不同的颜色。通过事先将芯片素体的设有识别层的侧面设定为与导体的配置方向平行或垂直的侧面，从而能够基于识别层来容易地判别芯片素体中的导体的配置方向。
优选，第1陶瓷坯料层和第2陶瓷坯料层中各自所含的粒子的粒径不同。在此情况下，能够容易地将识别层设在芯片素体的侧面上。
优选，第1陶瓷坯料层和第2陶瓷坯料层中各自所含的添加物不同。在此情况下，能够容易地将识别层设在芯片素体的侧面上。
优选，第1陶瓷坯料层和第2陶瓷坯料层中各自所含的材料的组成比不同。在此情况下，能够容易地将识别层设在芯片素体的侧面上。
优选，在得到多个层叠体芯片的工序中，以导体图形在切断面上露出的方式切断层叠体，还具备在芯片素体的导体图形所露出的面上形成外部电极的工序。
优选，在得到层叠体的工序中，沿多个第1陶瓷坯料层的层叠方向设置多个导体图形。在此情况下，能够将通过烧成导体图形而构成的导体的层叠方向判别为导体的配置方向。
本发明是陶瓷电子部件的捆包方法，具备：准备多个上述陶瓷电子部件的准备工序；基于第3和第4侧面中的至少任一个侧面和识别层所呈现的颜色的不同，判别陶瓷电子部件中的导体的配置方向的判别工序；基于在判别工序中判别的配置方向，使配置方向一致并将多个陶瓷电子部件捆包的捆包工序。
本发明中，通过事先将芯片素体的设有识别层的侧面设定为与导体的配置方向平行或垂直的侧面，从而能够基于识别层来容易地判别芯片素体中的导体的配置方向。而且，能够使导体的配置方向一致并将多个陶瓷电子部件捆包。
优选，在判别工序中，根据第3和第4侧面中的至少任一个侧面和识别层的亮度的差，识别第3和第4侧面中的至少任一个侧面和识别层所呈现的颜色的不同。在此情况下，由于颜色的不同的判别精度提高，因而，能够精度良好地判别导体的配置方向。
依照本发明，可以提供一种能够判别导体的配置方向的陶瓷电子部件及其制造方法，以及能够使导体的配置方向一致并进行捆包的陶瓷电子部件的捆包方法。
本发明通过以下给出的详细说明和参照附图将会变得更加清楚，但是，这些说明和附图仅仅是为了说明本发明而举出的例子，不能被认为是对本发明的限定。
以下给出的详细说明将会更加清楚地表述本发明的应用范围。但是，这些详细说明和特殊实例、以及优选实施方案，只是为了举例说明而举出的，本领域的技术人员显然能够理解本发明的各种变化和修改都在本发明的宗旨和范围内。
附图说明
图1是本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的立体图。
图2是本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的截面图。
图3是本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的制造方法和捆包方法的顺序的流程示意图。
图4是在本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的制造方法中形成的层叠体的截面图。
图5是在本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的制造方法中形成的层叠体芯片的立体图。
图6是本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的捆包状态的截面示意图。
图7是本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的实施例的截面示意图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的最佳实施方式进行详细的说明。在此，在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标记相同符号，省略重复的说明。
图1是本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的立体图。本实施方式所涉及的陶瓷电子部件C1为层叠型的芯片电容器。陶瓷电子部件C1为大致长方体形状，高2.5mm左右，宽2.5mm左右，长3.2mm左右，高度方向的尺寸和宽度方向的尺寸实质上相同，形成有外部电极的端面为正方形状。
陶瓷电子部件C1具备大致长方体形状的芯片素体2，第1和第2外部电极3、4，以及识别层5、6。第1和第2外部电极3、4分别形成在芯片素体2的两个端面2a、2b上。识别层5、6分别设在芯片素体2的相互相对的第1侧面2c和第2侧面2d上。
在芯片素体2中，两个端面2a、2b相互相对，第1侧面2c和第2侧面2d相互相对并与两个端面2a、2b垂直。芯片素体2，具备与两个端面2a、2b以及第1和第2侧面2c、2d垂直且相互相对的第3侧面2e和第4侧面2f。识别层5、6分别覆盖芯片素体2的第1侧面2c和第2侧面2d的整个面。
第1外部电极3形成在芯片素体2的端面2a上，覆盖端面2a的整个面，并且覆盖识别层5、6以及第3和第4侧面2e、2f的一部分。第2外部电极4形成在芯片素体2的端面2b上，覆盖端面2b的整个面，并且覆盖识别层5、6以及第3和第4侧面2e、2f的一部分。
参照图2，对芯片素体2以及识别层5、6进行说明。图2是本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的截面图。图2所示的截面图为与陶瓷电子部件C1的两个端面2a、2b平行的截面。本实施方式中，陶瓷电子部件C1(芯片素体2)的截面为正方形状。
芯片素体2由陶瓷(第1陶瓷)形成，在内部配置有多个内部电极层7。形成芯片素体2的第1陶瓷，例如通过以BaTiO3为主要成分，并添加MgO、Y2O3、MnO、V2O5以及BaSiO3或CaSiO3等的添加物而构成。
多个内部电极层7将由第1陶瓷形成的第1陶瓷层夹在中间，并层叠多个。多个内部电极层7包括：向端面2a侧偏移且以内部电极层7的端面从端面2a露出的方式配置的内部电极层7、以及向端面2b侧偏移且以内部电极层7的端面从端面2b露出的方式配置的内部电极层7。向端面2a偏移而配置的内部电极层7和向端面2b偏移而配置的内部电极层7交替层叠。向端面2a偏移的内部电极层7的端面与第1外部电极3电连接且物理连接。向端面2b偏移的内部电极层7的端面与第2外部电极4电连接且物理连接。多个内部电极层7在第1侧面2c和第2侧面2d的相对方向、即第1陶瓷层的层叠方向上并列配置。
芯片素体2中，第1～第4侧面2c～2f由第1陶瓷构成。最接近第1侧面2c的内部电极层7和第1侧面2c的间隔为300μm左右。最接近第2侧面2d的内部电极层7和第2侧面2d的间隔为300μm左右。各内部电极层7和第3侧面2e的间隔为200μm左右。各内部电极层7和第4侧面2f的间隔为200μm左右。从第1侧面2c和第2侧面2d的相对方向看时，各内部电极层7的第3侧面2e侧的端部以及第4侧面2f侧的端部一致。
识别层5、6的厚度为30μm左右。识别层5、6由与第1陶瓷不同的第2陶瓷形成。识别层5、6呈现与芯片素体2的第1～第4侧面2c～2f不同的颜色。
例如，第1陶瓷和第2陶瓷各自所含的粒子的粒径不同。如果作为第2陶瓷的材料的陶瓷粒子的平均粒径或BET径小于作为第1陶瓷的材料的陶瓷粒子的平均粒径或BET径，则第2陶瓷的烧结程度高于第1陶瓷的烧结程度。在此情况下，第2陶瓷的颜色比第1陶瓷的颜色暗。第2陶瓷中烧结的陶瓷粒子的平均粒径小于第1陶瓷中烧结的陶瓷粒子的平均粒径，第2陶瓷的密度高于第1陶瓷的密度。作为第2陶瓷的材料的陶瓷粒子的平均粒径或BET径也可以大于作为第1陶瓷的材料的陶瓷粒子的平均粒径或BET径。在此情况下，第2陶瓷的颜色比第1陶瓷的颜色亮。
第1陶瓷和第2陶瓷各自所含的添加物可以不同。例如，可以在第1和第2陶瓷中的任意一方，添加另一方所不含有的、使带隙中的能级变化并使颜色不同的添加物。也可以在第1和第2陶瓷中的任意一方，添加因烧结程度不同而颜色不同的添加物。
第1陶瓷和第2陶瓷各自所含的材料的组成比可以不同。例如，可以在第1和第2陶瓷中的任意一方，添加比另一方更多的使颜色不同的添加物或者烧结程度不同的添加物。
在陶瓷电子部件C1中，多个内部电极层7为配置在芯片素体2的内部的导体。多个内部电极层7，相对于通过芯片素体2的中心且与端面2a平行的面对称地配置。多个内部电极层7，相对于通过芯片素体2的中心且与第1侧面2c平行的面对称地配置。多个内部电极层7，相对于通过芯片素体2的中心且与第3侧面2e平行的面对称地配置。导体的配置方向由内部电极层7的层叠方向表示。即，本实施方式中，内部电极层7的配置方向为垂直于识别层5、6的方向。
如上所述，本实施方式中，芯片素体2由第1陶瓷构成，在第1侧面2c和第2侧面2d上分别设有识别层5、6。识别层5、6由与第1陶瓷不同的第2陶瓷形成，并且，呈现与第1～第4侧面2c～2f不同的颜色。由于芯片素体2的设有识别层5、6的侧面2c、2d与多个内部电极层7的层叠方向垂直，因而，能够根据识别层5、6来判别内部电极层7的层叠方向。即，依照本实施方式，能够基于识别层5、6来容易地判别芯片素体2中的导体(内部电极层7)的配置方向。
识别层5、6以覆盖第1和第2侧面2c、2d的整个面的方式形成。于是，能够容易地确认识别层5、6与第3和第4侧面2e、2f的颜色的不同，并能够可靠而容易地确认识别层5、6的颜色。
第1陶瓷和第2陶瓷各自所含的主要成分的粒子的粒径不同。于是，能够容易地将识别层5、6设在芯片素体2的侧面2c、2d上。由于第1陶瓷和第2陶瓷的成分及其组成比相同，因而能够抑制芯片素体2的第1和第2侧面2c、2d与识别层5、6之间的剥离。
第1陶瓷和第2陶瓷各自所含的添加物可以不同。并且，第1陶瓷和第2陶瓷各自所含的材料的组成比也可以不同。在这些情况下，也能够容易地将识别层5、6设在芯片素体2的侧面2c、2d上。由于第1陶瓷和第2陶瓷的主要成分相同，因而能够抑制芯片素体2的第1和第2侧面2c、2d与识别层5、6之间的剥离。通过使第1陶瓷和第2陶瓷的材料的一部分不同或者一部分的添加量不同，从而使得颜色不同。所以，能够容易地形成识别层5、6。
接着，对本实施方式所涉及的陶瓷电子部件C1的制造方法及捆包方法进行说明。图3是表示本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的制造方法和捆包方法的顺序的流程示意图。本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的制造方法具备层叠体形成工序S1、识别层形成工序S2、切断工序S3、烧成工序S4、以及外部电极形成工序S5。通过这些工序S1～S5，从而得到多个上述的陶瓷电子部件C1。以下，对各工序S1～S5进行详细的说明。
如图4所示，在层叠体形成工序S1中，将多个第1陶瓷坯料层21层叠，形成在内部设有多个电极图形17的层叠体。首先，在PET薄膜上形成第1陶瓷坯料层21。第1陶瓷坯料层21，通过烧成而成为第1陶瓷。第1陶瓷坯料层21，通过在PET薄膜上涂布陶瓷浆体后进行干燥而形成。陶瓷浆体，通过添加含有主要成分和添加物的第1陶瓷材料、粘合树脂(例如有机粘合树脂等)、溶剂、以及增塑剂等并使其混合分散而得到。例如，第1陶瓷坯料层21的主要成分为BaTiO3，添加物为MgO、Y2O3、MnO、V2O5、BaSiO3、以及CaSiO3等。
接着，在第1陶瓷坯料层21的上面形成多个电极图形17。电极图形17，通过在第1陶瓷坯料层21的上面印刷电极膏后进行干燥而形成。电极膏例如为在Ni、Ag、Pd等的金属粉末中混合有粘合树脂或溶剂等的膏状的组合物。电极膏的印刷例如通过丝网印刷等而进行。
然后，将形成有电极图形17的多个第1陶瓷坯料层21层叠。夹着形成有电极图形17的多个第1陶瓷坯料层21，分别在上下层叠未形成有电极图形17的多个第1陶瓷坯料层21。于是，得到层叠体。
接着，在识别层形成工序S2中，形成作为识别层5、6的第2陶瓷坯料层15、16。第2陶瓷坯料层15、16分别形成于在层叠体的层叠方向上相互相对的面12c、12d。
第2陶瓷坯料层15、16，通过烧成而成为第2陶瓷。第2陶瓷坯料层15、16，通过在面12c、12d上涂布陶瓷浆体后进行干燥而形成。陶瓷浆体，通过添加含有主要成分和添加物的第2陶瓷材料、粘合树脂(例如有机粘合树脂等)、溶剂、以及增塑剂等并使其混合分散而得到。第2陶瓷坯料层的主要成分为BaTiO3，添加物为MgO、Y2O3、MnO、V2O5、以及BaSiO3或者CaSiO3等。可以在层叠体上层叠将上述陶瓷浆体涂布在PET薄膜上，然后进行干燥而得到的陶瓷坯料薄片。
第2陶瓷坯料层15、16是与第1陶瓷坯料层21不同的陶瓷坯料层。第2陶瓷坯料层15、16的烧成后的颜色与第1陶瓷坯料层21的烧成后的颜色不同。为了使颜色不同，例如，使第1陶瓷坯料层21和第2陶瓷坯料层15、16中各自所含的粒子的粒径不同。也可以使第1陶瓷坯料层21和第2陶瓷坯料层15、16中各自所含的添加物不同。也可以使第1陶瓷坯料层21和第2陶瓷坯料层15、16中各自所含的材料的组成比不同。
接着，在切断工序S3中，将形成有第2陶瓷坯料层15、16的层叠体10切断，如图5所示，得到层叠体芯片11。层叠体芯片11具有相互相对的两个端面12a、12b，垂直于各端面12a、12b垂直且相互相对的第1侧面12c和第2侧面12d、以及与各端面1 2a、12b及第1和第2侧面12c、12d垂直且相互相对的第3侧面12e和第4侧面12f。
电极图形的端部从两个端面12a、12b露出。第1侧面12c和第2侧面12d，由通过识别层形成工序S2而形成的第2陶瓷坯料层15、16构成。
接着，在烧成工序S4中，除去第1陶瓷坯料层21和第2陶瓷坯料层15、16中所含的粘合剂，进行烧成。通过烧成，层叠体芯片11的第1陶瓷坯料层21成为第1陶瓷，第2陶瓷坯料层15、16成为由第2陶瓷形成的识别层5、6，内部电极图形17成为内部电极层7。即，通过烧成，得到设有识别层5、6的芯片素体2。
芯片素体2的第1～第4侧面2c～2d呈现与识别层5、6不同的颜色。例如，使第1陶瓷材料所含的陶瓷粒子的BET径小于或小于第2陶瓷所含的陶瓷粒子的BET径。一般而言，与BET径大的陶瓷粒子相比，BET径小的陶瓷粒子的烧结通常在较低的温度下进行，因而，通过烧成而得到的陶瓷的颜色变暗，即，亮度L降低。
例如，可以仅在第1陶瓷材料和第2陶瓷材料中的任意一方添加SiO2化合物或TiO2。由添加了SiO2化合物或TiO2的陶瓷材料而得到的陶瓷的颜色，比由未添加SiO2化合物或TiO2的陶瓷材料而得到的陶瓷暗，即，亮度L降低。第1陶瓷材料中所添加的SiO2化合物或TiO2的量可以多于或少于第2陶瓷材料中所添加的SiO2化合物或TiO2的量。由SiO2化合物或TiO2的添加量多的陶瓷材料而得到的陶瓷的颜色，比由SiO2化合物或TiO2的添加量少的陶瓷材料而得到的陶瓷暗，即，亮度L降低。如果在陶瓷材料中添加SiO2化合物或TiO2等，则陶瓷材料易于烧结，烧成易于进行，因而，亮度L降低。
例如，可以仅在第1陶瓷材料和第2陶瓷材料中的任意一方添加BaO、MgO或RE2O3(在此，RE为稀土类元素)。由未添加BaO、MgO或RE2O3的陶瓷材料而得到的陶瓷的颜色，比由添加了BaO、MgO或者RE2O3的陶瓷材料而得到的陶瓷暗，即，亮度L降低。如果在陶瓷材料中添加BaO、MgO或RE2O3等，则陶瓷材料难以烧结，烧成难以进行，因而，亮度L上升。
例如，可以仅在第1陶瓷材料和第2陶瓷材料中的任意一方添加V2O5。由添加了V2O5的陶瓷材料而得到的陶瓷的颜色，比由未添加V2O5的陶瓷材料而得到的陶瓷暗，即，亮度L降低。第1陶瓷材料中所添加的V2O5的量可以多于或少于第2陶瓷材料中所添加的V2O5的量。由V2O5的添加量多的陶瓷材料而得到的陶瓷的颜色，比由V2O5的添加量少的陶瓷材料而得到的陶瓷暗，即，亮度L降低。通过V的添加，使BaTiO3的能带构造改变。
接着，在外部电极形成工序S5中，在芯片素体2的两个端面2a、2b上分别形成第1外部电极3和第2外部电极4。于是，内部电极层7电连接于第1外部电极3或第2外部电极4。通过以上说明的各工序，完成了多个陶瓷电子部件C1。
接着，对本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的捆包方法进行说明。本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的捆包方法具备准备工序、判别工序S6、以及捆包工序S7。首先，作为准备工序，实施上述的工序S1～S5，准备多个陶瓷电子部件C1。
接着，在判别工序S6中，基于第3或第4侧面2e、2f和识别层5、6的颜色的不同，判别陶瓷电子部件C1中的内部电极层7的层叠方向。使用测色机器，测量陶瓷电子部件C1的除去形成有外部电极3、4的端面的侧面中的相邻的两个侧面的颜色。基于亮度L的差，识别所测量的侧面是识别层5、6还是第3或第4侧面2e、2f。
测色机器能够使用分光色差计。用该分光色差计来测量CIE(Commission International d′Eclairage)1976L*a*b*(CIELAB)(L*a*b*色系：JIS Z8729)的亮度L。基于亮度L的差，识别所测量的侧面是识别层5、6还是第3或第4侧面2e、2f。如果所测量的侧面为识别层5、6，那么所测量的面为与内部电极层的层叠方向垂直的面。如果所测量的侧面为第3或第4侧面2e、2f，那么所测量的面为与内部电极层的层叠方向平行的面。
接着，在捆包工序S7中，如图6所示，使内部电极层的层叠方向一致，配置多个陶瓷电子部件C1，并进行捆包。捆包材由捆包材31和捆包材32构成。在捆包材31上，二维排列并形成有多个截面为四边形状的凹部31a。在凹部31a中，分别容纳有陶瓷电子部件C1。
陶瓷电子部件C1，以识别层5、6相对于凹部31a的深度方向垂直的方式被容纳在凹部31a中。即，陶瓷电子部件C1，以内部电极层7的层叠方向与凹部31a的深度方向平行的方式被容纳在凹部31a中。然后，用捆包材32来覆盖凹部31a的开口部，完成捆包。
如上所述，在本实施方式所涉及的制造方法的识别层形成工序S2中，在作为芯片素体2的母体的层叠体的相互相对的面12c、12d上分别形成作为识别层5、6的第2陶瓷坯料层15、16，然后，进行切断，制成芯片状，进行烧成。于是，简便地得到了在第1侧面2c和第2侧面2d上设有由第2陶瓷形成的识别层5、6的芯片素体2。由该第2陶瓷形成的识别层5、6呈现与由第1陶瓷形成的芯片素体2的第3和第4侧面2e、2f不同的颜色。识别层5、6垂直于内部电极层7的层叠方向。所以，根据识别层5、6，能够简易地判别内部电极层7的层叠方向。
在本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的捆包方法中，首先，准备陶瓷电子部件C1。由于在与内部电极层7的层叠方向垂直的侧面上设有识别层5、6，因而，在判别工序S6中，根据识别层5、6，能够容易地判别内部电极层7的层叠方向。而且，在捆包工序S7中，能够使内部电极层7的层叠方向一致并将多个陶瓷电子部件C1捆包。
安装时，能够使内部电极层7的层叠方向一致并将各个陶瓷电子部件C1安装在基板上。结果，能够抑制陶瓷电子部件C1和基板上的电子部件的电特性的偏差。
在本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的捆包方法的判别工序S6中，通过测量CIE 1976L*a*b*(CIELAB)的亮度L的差来判别第3或第4侧面2e、2f和识别层5、6的颜色的不同。于是，由于能够精度良好地判别颜色的不同，因而，能够精度良好地判别内部电极层的层叠方向。
烧成后，作为第1陶瓷的第1陶瓷坯料层和同样地作为第2陶瓷的第2陶瓷坯料层的各自所含的主要成分的粒子的BET径不同。于是，能够容易地将颜色与第1陶瓷不同的第2陶瓷的识别层5、6设在芯片素体2的侧面上。由于第1和第2陶瓷的成分及其组成比相同，因而能够抑制在芯片素体2的第1和第2侧面2c、2d与识别层5、6之间产生剥离。
作为第1陶瓷和第2陶瓷的第1陶瓷坯料层和第2陶瓷坯料层的各自所含的添加物也可以不同。作为第1陶瓷和第2陶瓷的第1陶瓷坯料层和第2陶瓷坯料层的各自所含的材料的组成比也可以不同。均能够容易地将颜色与第1陶瓷不同的第2陶瓷的识别层5、6设在芯片素体2的侧面上。由于第1和第2陶瓷的主要成分相同，因而能够抑制在芯片素体2的第1和第2侧面2c、2d与识别层5、6之间产生剥离。
一般而言，陶瓷电子部件的芯片素体的与内部电极层的层叠方向垂直的第1和第2侧面为凸状，与层叠方向平行的第3和第4侧面为凹状。所以，在以第1侧面或第2侧面作为安装面，安装陶瓷电子部件的情况下，和在以第3或第4侧面作为安装面，安装陶瓷电子部件的情况下，该陶瓷电子部件的设置状态不同。如果安装面为第1或第2侧面的情况和安装面为第3或第4侧面的情况混合存在，则设置精度会发生偏差。
对此，依照本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的捆包方法，使内部电极层7的层叠方向一致并进行捆包。于是，关于从捆包材取出的陶瓷电子部件C1，能够不改变内部电极层7的层叠方向，进行安装，能够抑制陶瓷电子部件C1的设置精度的偏差。
一般而言，从捆包材取出陶瓷电子部件C1时，利用负压，将陶瓷电子部件C1吸附在贴片机吸嘴(mounter nozzle)上。此时，由于吸附捆包材的开口部侧的侧面并进行取出，因而侧面为凸状的情况比凹状的情况更易于吸附陶瓷电子部件C1。本实施方式的陶瓷电子部件的捆包方法中，由于第1或第2侧面2c、2d位于捆包材的开口部侧，因而凸状的第1或第2侧面2c、2d被吸附。所以，能够容易地进行吸附搬送。
以上，对本发明的最佳实施方式进行了说明，但是，本发明并不限于这些实施方式。例如，本实施方式所涉及的陶瓷电子部件C1为层叠型的芯片电容器，但不限于此。陶瓷电子部件也可以为层叠型的压电体、压敏电阻、电感器等。本实施方式所涉及的陶瓷电子部件C1具备多个导体(内部电极层7)，但不限于此。导体数也可以为1个。
例如，上述的本实施方式所涉及的陶瓷电子部件C1中，识别层5、6分别设在芯片素体2的第1侧面2c和第2侧面2d上，但不限于此。识别层也可以仅设在第1侧面2c和第2侧面2d中的任一方的侧面上。也可以在芯片素体2中的与层叠方向平行且相互相对的侧面上设置识别层。识别层也可以设在第1～第4侧面中的任一部分上。
(实施例)
以下，通过实施例，对本发明进行更加详细的说明，但本发明不限于这些实施例。
将通过上述的本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的制造方法来制造的陶瓷电子部件作为实施例1～12，将在上述的本实施方式所涉及的陶瓷电子部件的制造方法中省略识别层形成工序且不具有识别层的陶瓷电子部件作为比较例1。
图7显示了比较例1和实施例1～12的构成陶瓷坯料层的材料以及分光色差计的测量结果。分光色差计的测量结果用CIE 1976L*a*b*(CIELAB)表示。分光色差计使用日本电色工业株式会社制的微小面分光色差计VSS 400。
在图7的比较例1中，显示了第1陶瓷坯料层的材料。同样地，实施例1～12中显示了第2陶瓷坯料层的材料，即识别层的材料。构成实施例1～12的第3和第4侧面的第1陶瓷坯料层的材料与比较例1的第1陶瓷坯料层的材料相同。
比较例1中，识别层的亮度L和第3或第4侧面的亮度L的差为0.7(＝80.9-80.2)。该亮度差是测量误差范围内的值，因而，基于亮度，不能判别识别层。
与比较例1相比，实施例1的BaTiO3的BET径大，并且，与比较例1相比，实施例2的BaTiO3的BET径小。实施例1中，识别层的亮度L和第3或第4侧面的亮度L的差为-5.6(＝75.3-80.9)。在此情况下，能够基于亮度来判别识别层。实施例2中，识别层的亮度L和第3或第4侧面的亮度L的差为8.2(＝88.9-80.7)。在此情况下，也能够基于亮度来判别识别层。
与比较例1相比，实施例3的BaTiO3的A位置原子相对于B位置原子的摩尔比率小，并且，与比较例1相比，实施例4的BaTiO3的A位置原子相对于B位置原子的摩尔比率大。实施例3中，识别层的亮度L和第3或第4侧面的亮度L的差为-6.9(＝73.7-80.6)。在此情况下，能够基于亮度来判别识别层。实施例4中，识别层的亮度L和第3或第4侧面的亮度L差为8.7(＝89.0-80.4)。在此情况下，也能够基于亮度来判别识别层。
与比较例1相比，实施例5的MgO的添加量多，并且，与比较例1相比，实施例6的MgO的添加量少。实施例5中，识别层的亮度L和第3或第4侧面的亮度L的差为-8.0(＝73.2-81.2)。在此情况下，能够基于亮度来判别识别层。实施例6中，识别层的亮度L和第3或第4侧面的亮度L的差为8.8(＝89.0-80.2)。在此情况下，也能够基于亮度来判别识别层。
与比较例1相比，实施例7的Y2O3的添加量多，并且，与比较例1相比，实施例8的Y2O3的添加量少。实施例7中，识别层的亮度L和第3或第4侧面的亮度L的差为-8.3(＝71.9-80.3)。在此情况下，能够基于亮度来判别识别层。实施例8中，识别层的亮度L和第3或第4侧面的亮度L的差为7.2(＝87.9-80.7)。在此情况下，也能够基于亮度来判别识别层。
与比较例1相比，实施例9的V2O5的添加量多，并且，与比较例1相比，实施例10的V2O5的添加量少。实施例9中，识别层的亮度L和第3或第4侧面的亮度L的差为-15.3(＝65.3-80.6)。在此情况下，能够基于亮度来判别识别层。实施例10中，识别层的亮度L和第3或第4侧面的亮度L的差为9.7(＝90.3-80.6)。在此情况下，也能够基于亮度来判别识别层。
与比较例1相比，实施例11的(Ba，Ca)SiO3的添加量多，并且，与比较例1相比，实施例12的(Ba，Ca)SiO3的添加量少。实施例11中，识别层的亮度L和第3或第4侧面的亮度L的差为-6.6(＝73.7-80.2)。在此情况下，能够基于亮度来判别识别层。实施例12中，识别层的亮度L和第3或第4侧面的亮度L的差为8.8(＝89.0-80.2)。在此情况下，也能够基于亮度来判别识别层。
如上所述，如果识别层的亮度和第3或第4侧面的亮度的差为1以上，那么能够比较正确地进行识别层的判别。
从本发明的详细说明可知，本发明可作多种方式的变化。这些变化不能被视为超出了本发明的宗旨和范围，并且，这些对于本技术领域的技术人员来说是很显然的修改都被包含在本发明的权利要求的范围内。

Claims (15)

1.一种陶瓷电子部件，其特征在于，
具备：
芯片素体，具有相互相对的第1和第2端面、垂直于所述第1和第2端面且相互相对的第1和第2侧面、垂直于所述第1和第2端面以及所述第1和第2侧面且相互相对的第3和第4侧面，并且，在内部配置有导体；
外部电极，分别形成在所述芯片素体的所述第1和第2端面上；以及
识别层，设在所述芯片素体的所述第1侧面和所述第2侧面中的至少一个侧面上，
所述芯片素体由第1陶瓷形成，
所述识别层由与所述第1陶瓷不同的第2陶瓷形成，并且，呈现与所述第3和第4侧面不同的颜色。
2.如权利要求1所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述识别层以覆盖所述至少一个侧面的整个面的方式设置。
3.如权利要求1或者2所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述第1陶瓷和所述第2陶瓷通过烧结的程度不同而呈现不同的颜色。
4.如权利要求1～3中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述第1陶瓷和所述第2陶瓷各自所含的粒子的粒径不同。
5.如权利要求1～4中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述第1陶瓷和所述第2陶瓷各自所含的添加物不同。
6.如权利要求1～4中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述第1陶瓷和所述第2陶瓷各自所含的材料的组成比不同。
7.如权利要求1～6中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述导体沿所述第1侧面和所述第2侧面的层叠方向配置多个。
8.一种陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
具备：
得到将多个第1陶瓷坯料层层叠并在内部设有导体图形的层叠体的工序；
在所述层叠体的沿层叠方向相互相对的面的至少任一个面上，用烧成后的颜色与所述第1陶瓷坯料层的烧成后的颜色不同的材料来形成第2陶瓷坯料层的工序；
将形成有所述第2陶瓷坯料层的所述层叠体切断，得到多个层叠体芯片的工序；和，
将所述多个层叠体芯片烧成，得到设有识别层的芯片素体的工序。
9.如权利要求8所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述第1陶瓷坯料层和所述第2陶瓷坯料层中各自所含的粒子的粒径不同。
10.如权利要求8或者9所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述第1陶瓷坯料层和所述第2陶瓷坯料层中各自所含的添加物不同。
11.如权利要求8或者9所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
所述第1陶瓷坯料层和所述第2陶瓷坯料层中各自所含的材料的组成比不同。
12.如权利要求8～11中的任一项所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
在得到所述多个层叠体芯片的工序中，以所述导体图形在切断面上露出的方式切断所述层叠体，
还具备在所述芯片素体的所述导体图形所露出的面上形成外部电极的工序。
13.如权利要求8～12中的任一项所述的陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，
在得到所述层叠体的所述工序中，沿所述多个第1陶瓷坯料层的层叠方向设置多个所述导体图形。
14.一种陶瓷电子部件的捆包方法，其特征在于，
具备：
准备多个如权利要求1～7中任一项所述的陶瓷电子部件的准备工序；
基于所述第3和第4侧面中的至少任一个侧面和所述识别层所呈现的颜色的不同，判别所述陶瓷电子部件的所述导体的配置方向的判别工序；以及
基于在所述判别工序中判别的所述配置方向，使所述配置方向一致并将多个所述陶瓷电子部件捆包的捆包工序。
15.如权利要求14所述的陶瓷电子部件的捆包方法，其特征在于，
所述判别工序中，根据所述第3和第4侧面中至少任一个所述侧面和所述识别层的亮度的差，识别所述第3和第4侧面中的至少任一个所述侧面和所述识别层所呈现的颜色的不同。
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