WO2023112882A1 - セラミック電子部品 - Google Patents

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WO2023112882A1
WO2023112882A1 PCT/JP2022/045629 JP2022045629W WO2023112882A1 WO 2023112882 A1 WO2023112882 A1 WO 2023112882A1 JP 2022045629 W JP2022045629 W JP 2022045629W WO 2023112882 A1 WO2023112882 A1 WO 2023112882A1
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WO
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identification mark
layer
electronic component
ceramic electronic
celsian
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PCT/JP2022/045629
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English (en)
French (fr)
Inventor
卓也 後飯塚
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/24—Distinguishing marks, e.g. colour coding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/04—Arrangements of distinguishing marks, e.g. colour coding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H—ELECTRICITY
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    • H01G4/018—Dielectrics
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors

Definitions

  • the present invention relates to a ceramic electronic component comprising an element whose main material is ceramic and an identification mark formed on the element.
  • Patent document 1 discloses a multilayer ceramic substrate as an example of a ceramic electronic component whose main material is ceramic.
  • the multilayer ceramic substrate is formed by alternately laminating first ceramic layers and second ceramic layers thinner than the first ceramic layers.
  • Each of the first ceramic layer and the second ceramic layer contains celsian (BaAl 2 Si 2 O 8 ).
  • Celsian improves the mechanical properties and electrical insulation properties of ceramic electronic components. Normally, celsian crystals are randomly scattered inside a ceramic electronic component.
  • Patent Document 2 discloses an example of a ceramic electronic component in which an identification mark is formed on the surface of an element whose main material is ceramic.
  • the identification mark is for identifying the orientation of the ceramic electronic component.
  • the identification mark of the ceramic electronic component disclosed in Patent Document 2 is made of a porcelain material.
  • a ceramic electronic component in which an identification mark is formed on a body containing celsian has the following problems.
  • ceramic electronic components are manufactured by singulating a wafer on which multiple elements are arranged. As described above, the celsian crystals are randomly scattered inside the ceramic electronic component. If the celsians are unevenly distributed on the wafer, the density of the celsians contained in each of the plurality of elements varies.
  • the identification mark formed on the element is sintered into the element by firing together with the element. At this time, the sinterability of the identification mark with respect to the element decreases as the density of celsian contained in the element increases. If the sinterability of the identification mark with respect to the base body deteriorates, the visibility of the identification mark with respect to the base body may deteriorate.
  • the celsian density varies as described above, the sinterability of the identification marks with respect to the element bodies will vary among the plurality of element bodies arranged on the wafer. In other words, the sinterability and visibility of the identification mark formed on the element with a low density of celsian are high, while the sinterability of the identification mark formed on the element with a high density of celsian with respect to the element. and visibility is reduced.
  • an object of the present invention is to solve the above problems, and to provide a ceramic electronic component capable of maintaining high sinterability of the identification mark with respect to the element body.
  • a ceramic electronic component comprises an element whose main material is ceramic; and an identification mark formed on the surface of the base body,
  • the element is a first layer containing a specific compound containing barium and silicon; a second layer containing the specific compound, interposed between the identification mark and the first layer, and having a lower proportion of the specific compound than the first layer.
  • FIG. 1 is a plan view of a ceramic electronic component according to an embodiment of the invention
  • FIG. FIG. 2 is a sectional view showing the AA section of FIG. 1
  • FIG. 2 is an enlarged view of a dashed-dotted line portion in FIG. 2
  • FIG. 4 is a cross-sectional view when an interlayer connection conductor is formed on a substrate in the manufacturing process of the ceramic electronic component according to the embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a cross-sectional view when internal electrodes are printed on a substrate in the manufacturing process of the ceramic electronic component according to the embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a cross-sectional view when an identification mark is printed on a substrate in the manufacturing process of the ceramic electronic component according to the embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a base body formed by laminating a plurality of base materials in the manufacturing process of the ceramic electronic component according to the embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a cross-sectional view when the element body is pressure-bonded in the manufacturing process of the ceramic electronic component according to the embodiment of the present invention
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a plurality of laminated substrates and a film printed with an identification mark in a modification of the manufacturing process of the ceramic electronic component according to the embodiment of the present invention
  • a ceramic electronic component comprises an element whose main material is ceramic; and an identification mark formed on the surface of the base body,
  • the element is a first layer containing a specific compound containing barium and silicon; a second layer containing the specific compound, interposed between the identification mark and the first layer, and having a lower proportion of the specific compound than the first layer.
  • the ratio of the specific compound contained in the second layer closer to the identification mark is lower than the ratio of the specific compound contained in the first layer away from the identification mark.
  • Specific compounds contain barium and silicon, such as celsian (containing alumina (aluminum oxide) in addition to barium and silicon) and fresnoite (containing titanium oxide in addition to barium and silicon).
  • celsian containing alumina (aluminum oxide) in addition to barium and silicon
  • fresnoite containing titanium oxide in addition to barium and silicon
  • the element may contain celsian,
  • the identification mark may be made mainly of alumina.
  • the main material of the identification mark is alumina.
  • celsian is less likely to crystallize at the interface with alumina in the element body and its peripheral portion. Therefore, when an identification mark made mainly of alumina is formed on the surface of the element containing celsian, and the element is fired together with the identification mark, the density of celsian around the identification mark in the element increases. It becomes lower than the density of celsian in other parts than the peripheral part.
  • the peripheral portion corresponds to the second layer, and the other portion corresponds to the first layer. In other words, according to this configuration, it is possible to easily manufacture a body having the first layer and the second layer.
  • the thickness of the second layer may be the same as or substantially the same as the maximum thickness of the identification mark.
  • the thickness of the second layer is less than the maximum thickness of the identification mark, that is, if the portion of the identification mark that contributes to improving the sinterability of the second layer is thin, the sinterability of the identification mark to the second layer may decrease. be. If the thickness of the second layer is greater than the maximum thickness of the identification mark, that is, if the volume of the portion with a low proportion of the specific compound is large, the proportion of the specific compound in the entire element body will decrease, and the mechanical properties and electrical properties of the ceramic electronic component will decrease. Insulation, etc. may deteriorate. According to this configuration, the thickness of the first layer is the same as or substantially the same as the maximum thickness of the identification mark. As a result, it is possible to suppress a decrease in the proportion of the specific compound in the entire element while suppressing a decrease in the sinterability of the identification mark with respect to the second layer.
  • the element body may have an electrode interposed between the first layer and the second layer.
  • the electrode when the second layer is formed in the manufacturing process of the base body, the electrode can prevent excessive expansion of the formation range of the second layer.
  • FIG. 1 is a plan view of a ceramic electronic component according to an embodiment of the invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the AA cross section of FIG. 3 is an enlarged view of a dashed-dotted line portion in FIG. 2.
  • FIG. A ceramic electronic component has an identification mark provided on a base body.
  • the ceramic electronic component according to the present embodiment in addition to the identification mark, for example, interlayer connection conductors, internal electrodes, external electrodes, and plating layers are provided on the base body. Ceramic electronic components can be mounted on a mother board or the like via external electrodes.
  • the ceramic electronic component 10 includes a base body 20, an interlayer connection conductor 30, an internal electrode 40, an external electrode 50, an identification mark 70, and a plating layer 80.
  • the element body 20 has a rectangular parallelepiped shape as a whole.
  • the shape of the element body 20 is not limited to a rectangular parallelepiped shape.
  • the element body 20 is formed by integrating the base materials 21 to 29 laminated in the thickness direction 100 . That is, in the present embodiment, the element body 20 is formed by integrating nine base materials. The number of base materials forming the base body 20 is not limited to nine.
  • Each of the substrates 21-29 is insulative and plate-shaped.
  • the main material of the element body 20 is ceramic.
  • the main material of the base body 20 is the material with the highest ratio among the multiple types of materials contained in the base body 20 .
  • the base body 20 contains one type of material
  • the one type of material forming the base body 20 is the main material of the base body 20 .
  • the definition of the main material is the same for other than the base body 20 as well.
  • the main material of the identification mark 70 is the material with the highest ratio among the multiple types of materials included in the identification mark 70 .
  • the element body 20 (substrates 21 to 29) is a main material and contains a filler for determining dielectric properties, a glass material, and an additive for adjusting physical properties such as shrinkage. .
  • the ratio of each material contained in the body 20 is, for example, approximately 60% filler, approximately 10% glass material, and approximately 30% additive.
  • Fillers and additives are composed of aluminum (Al) (eg, alumina), magnesium (Mg), silicon (Si), barium (Ba), titanium (Ti), zirconium (Zr) (eg, zirconia), and the like.
  • the element body 20 contains celsian (BaAl 2 Si 2 O 8 ).
  • Celsian contains barium and silicon.
  • Celsian is an example of a specific compound.
  • the materials contained in the element body 20 are not limited to those described above, and the proportions of the respective materials contained in the element body 20 are not limited to the aforementioned proportions.
  • the filler and additive may be composed of substances other than the above substances.
  • the element body 20 contains celsian crystals, but may contain other crystals.
  • the body 20 may contain fresnoite (eg, Ba 2 TiSi 2 O 8 or Ba 2 TiGe 2 O 8 ) instead of celsian. Fresnoite in this case corresponds to a specific compound containing barium and silicon.
  • the base body 20 has a pair of main surfaces 20A, 20B and a side surface 20C.
  • the main surface 20A is the main surface of the base material 21 and faces the outside of the element body 20 .
  • the main surface 20B is the main surface of the base material 29 and faces the outside of the element body 20 .
  • the principal surface 20B faces away from the principal surface 20A.
  • the main surface 20B is an example of the surface of the base body 20.
  • the side surface 20C is composed of the side surfaces of the substrates 21-29. The side surface 20C connects the main surfaces 20A and 20B.
  • the pair of main surfaces 20A and 20B are orthogonal to the thickness direction 100.
  • the plan view of FIG. 1 is a view of the ceramic electronic component 10 viewed from the thickness direction 100 (see FIG. 2).
  • the length in the longitudinal direction of the main surfaces 20A and 20B is 2 to 4 mm
  • the length in the width direction of the main surfaces 20A and 20B is 1 to 2 mm
  • the thickness direction of the base body 20 is 1 to 2 mm.
  • the length of 100 is 45-1000 ⁇ m.
  • each length is not restricted to the length mentioned above.
  • the base body 20 includes a first portion 61 and a second portion 62. As shown in FIGS. In addition, as shown in FIG. 3, a diffusion layer 90 is formed in the element body 20 . Moreover, as shown in FIG. 2, the base material 29 of the base body 20 includes a first layer 291 and a second layer 292 . The first portion 61, the second portion 62, the diffusion layer 90, the first layer 291, and the second layer 292 will be described later.
  • the interlayer connection conductor 30 is formed inside the element body 20. As shown in FIG. 2, the interlayer connection conductor 30 can be formed on at least one of the substrates 21-29. In this embodiment, the interlayer connection conductors 30 are formed on the substrates 21-27.
  • a conductive paste is filled in a through hole 20D penetrating through at least one of the plurality of base materials 21 to 29 in the thickness direction 100, and is co-fired with the element body 20 mainly made of ceramic. It is a thing.
  • the conductive paste contains conductive powder such as copper.
  • the conductive powder contained in the conductive paste is not limited to copper, and may be silver, for example.
  • the interlayer connection conductor 30 since the through hole 20D has a columnar shape, the interlayer connection conductor 30 has a columnar shape.
  • the shape of the through-hole 20 ⁇ /b>D is not limited to a cylindrical shape, and may be, for example, a quadrangular prism shape.
  • the interlayer connection conductor 30 includes four interlayer connection conductors 31-34.
  • the interlayer connection conductor 31 is filled in the through hole 20D penetrating through the substrates 23-27.
  • the interlayer connection conductors 32 to 34 are filled in the through holes 20D penetrating through the substrates 21 and 22.
  • the length in the thickness direction 100 of each of the interlayer connection conductors 31 to 34 is not limited to the length described above.
  • the internal electrodes 40 are formed inside the element body 20 and are not exposed to the outside of the element body 20 .
  • the internal electrode 40 can be formed on at least one of the substrates 21-29. In this embodiment, the internal electrodes 40 are formed on the substrates 22 , 24 , 25 , 27 and 28 .
  • the internal electrodes 40 are formed by applying a conductive paste to the main surface of the substrate (the substrates 22, 24, 25, 27, and 28 in this embodiment). is printed and co-fired with the substrate.
  • the conductive paste is composed of copper or silver, for example.
  • the internal electrode 40 includes nine internal electrodes 41-49.
  • the internal electrodes 41 are formed on the base material 27 .
  • the internal electrodes 42-44 are formed on the substrate 22 (see FIG. 3).
  • the internal electrodes 45 and 47 are formed on the base material 25 .
  • Internal electrodes 46 and 48 are formed on base material 24 .
  • the internal electrodes 49 are formed on the base material 28 .
  • the internal electrode 49 is an example of an electrode.
  • Each internal electrode 40 is electrically connected to another internal electrode 40 or external electrode 50 .
  • the internal electrodes 41 are electrically connected to the internal electrodes 44 via the interlayer connection conductors 31 .
  • the internal electrode 42 is electrically connected to the external electrode 51 via the interlayer connection conductor 32 .
  • the internal electrodes 43 are electrically connected to the external electrodes 52 via interlayer connection conductors 33 .
  • the internal electrode 44 is connected to the internal electrode 41 via the interlayer connection conductor 31 and electrically connected to the external electrode 53 via the interlayer connection conductor 34 .
  • the external electrode 50 is formed outside the element body 20 . That is, the external electrodes 50 are exposed outside the element body 20 .
  • the external electrodes 50 are formed on the main surface of the base material 21 (the main surface 20A of the element body 20).
  • the external electrode 50 is formed on at least one of the main surface 20B of the element body 20 and the side surface 20C of the element body 20 instead of or in addition to the main surface 20A of the element body 20.
  • the external electrode 50 is configured in the same manner as the internal electrode 40. That is, in this embodiment, the external electrodes 50 are formed by printing a conductive paste on the main surface 20A of the element body 20 and co-firing it with the substrates 21-29. In this embodiment, the external electrode 50 comprises three external electrodes 51-53.
  • the external electrode 51 is electrically connected to the internal electrode 42 via the interlayer connection conductor 32
  • the external electrode 52 is electrically connected to the internal electrode 43 via the interlayer connection conductor 33
  • the external electrode 53 is electrically connected to the internal electrode 44 via the interlayer connection conductor 34 .
  • the identification mark 70 is formed on the main surface 20B of the base body 20.
  • the identification mark 70 is for indicating the posture and direction of the ceramic electronic component 10 .
  • the ceramic electronic component 10 has one identification mark 70 in this embodiment, it may have a plurality of identification marks 70 .
  • the identification mark 70 has a circular shape when viewed from the thickness direction 100, but is not limited to a circular shape. Further, in the present embodiment, the diameter of the identification mark 70 as viewed in the thickness direction 100 is 100-150 ⁇ m, but the diameter is not limited to 100-150 ⁇ m.
  • part of the identification mark 70 is embedded in the base material 29 of the element body 20. As shown in FIG. On the other hand, the remaining portion of the identification mark 70 (in other words, the portion excluding this portion) protrudes from the main surface 20B of the base body 20 .
  • the identification mark 70 does not have to be embedded in the base body 20 . In this case, all of the identification marks 70 protrude from the main surface 20B of the base body 20. As shown in FIG. In other words, at least part of the identification mark 70 needs only to protrude from the main surface 20B of the base body 20 .
  • the color of the identification mark 70 is indicated by white or hatching, but the color of the identification mark 70 is not limited to white, and may be black, gray, red, or other colors.
  • the color of the identification mark 70 is preferably different from that of the surroundings of the identification mark 70 (the substrate 29 in this embodiment).
  • the identification mark 70 is mainly made of ceramic and includes alumina as the main material and glass material.
  • the ratio of each material contained in the identification mark 70 is about 75% alumina and about 25% glass material.
  • the proportion of the glass material contained in the identification mark 70 is greater than the proportion of the glass material contained in the base body 20 .
  • the thermal shrinkage rate of the identification mark 70 is lower than the thermal shrinkage rate of the element body 20 .
  • the base body 20 is adjusted to have a lower heat shrinkage rate than the identification mark 70 by the additives described above.
  • the base body 20 is mainly made of a material (for example, zirconia (ZrO 2 )) having a lower thermal contraction rate than alumina, which is the main material of the identification mark 70 .
  • the identification mark 70 may be non-shrinkable at least at the temperature at which it is fired.
  • the material of the identification mark 70 is arbitrary on the condition that it is highly identifiable (highly visible) from the surroundings of the identification mark 70 (the base material 29 in this embodiment).
  • the identification mark 70 may be made mainly of resin, metal, or the like.
  • the identification mark 70 may be made of a main material other than ceramic.
  • the proportion of the glass material contained in the identification mark 70 may be less than or equal to the proportion of the glass material contained in the base body 20 .
  • the identification mark 70 may not contain a glass material.
  • the identification mark 70 may contain a coloring material for making the identification mark 70 a different color from the base material 29 .
  • the base body 20 includes a first portion 61 and a second portion 62. As shown in FIGS. 1 and 3, the base body 20 includes a first portion 61 and a second portion 62. As shown in FIG.
  • the first portion 61 is a portion of the base body 20 that surrounds the identification mark 70 and contacts the outer edge portion 70A of the identification mark 70 when viewed from the thickness direction 100 .
  • the outer edge portion 70A of the identification mark 70 is a portion formed by the outer edge of the identification mark 70 and the vicinity of the outer edge when viewed in the thickness direction 100 .
  • the first portion 61 is an annular portion formed in the vicinity of the identification mark 70 when viewed from the thickness direction 100 (see FIG. 1).
  • the second portion 62 is a portion of the base body 20 that surrounds the first portion 61 when viewed from the thickness direction 100 . That is, the second portion 62 is a portion outside the first portion 61 when viewed in the thickness direction 100 . In this embodiment, the second portion 62 is in contact with the outer edge of the first portion 61 .
  • the outer edge portion of the first portion 61 is a portion formed by the outer edge of the first portion 61 and the vicinity of the outer edge when viewed in the thickness direction 100 . As described above, when viewed from the thickness direction 100 , the second portion 62 sandwiches the first portion 61 with the identification mark 70 .
  • the first portion 61 is raised with respect to the second portion 62.
  • the height of the protrusion of the first portion 61 with respect to the second portion 62 in other words, the protrusion length of the first portion 61 from the second portion 62 in the thickness direction 100 is 4 ⁇ m.
  • the height of the protrusion of the first portion 61 with respect to the second portion 62 is not limited to 4 ⁇ m.
  • the height of the protuberance of the first portion 61 is the same or substantially the same as the height of the projecting tip of the identification mark 70 .
  • the protruding tip of the first portion 61 and the protruding tip of the identification mark 70 are at the same position or substantially at the same position.
  • the height of the protuberance of the first portion 61 may be lower than the height of the protruding tip of the identification mark 70 or higher than the height of the protruding tip of the identification mark 70 .
  • the element body 20 has a diffusion layer 90. As shown in FIG. Note that the illustration of the diffusion layer 90 is omitted in FIG.
  • the diffusion layer 90 is formed at the interface between the base material 29 of the element body 20 and the identification mark 70 .
  • the interface between the substrate 29 of the base material 20 and the identification mark 70 is a portion of the interface between the substrate 29 and the identification mark 70 and the vicinity of the interface on the substrate 29 .
  • the diffusion layer 90 is a layer in which the composition of the base body 20 is changed by the substance diffused from the identification mark 70 (the substance forming the identification mark 70).
  • alumina which constitutes the identification mark 70 , diffuses into the base material 29 of the element body 20 .
  • the diffused alumina changes the composition of the material that makes up substrate 29 .
  • the proportion of alumina in the interface between the base material 29 and the identification mark 70 is higher than the proportion of alumina in the area of the base material 29 other than the interface.
  • a diffusion layer 90 is a portion (the interface between the substrate 29 and the identification mark 70 ) where the proportion of alumina is high.
  • the diffusion layer 90 is shown to have a constant thickness in FIG. 3, the thickness of the diffusion layer 90 may vary.
  • the base material 29 of the base body 20 includes a first layer 291 and a second layer 292 .
  • the second layer 292 is formed on the side opposite to the identification mark 70 with respect to the diffusion layer 90 and is in contact with the diffusion layer 90 . That is, the second layer 292 sandwiches the diffusion layer 90 with the identification mark 70 .
  • the first layer 291 is formed on the side opposite to the diffusion layer 90 and the identification mark 70 with respect to the second layer 292 and is in contact with the second layer 292 . That is, the second layer 292 is interposed between the identification mark 70 and the first layer 291 .
  • the element 20 contains celsian. That is, each of the first layer 291 and the second layer 292 provided on the base material 29 of the body 20 contains celsian. The percentage of celsian contained in the second layer 292 is lower than the percentage of celsian contained in the first layer 291 .
  • the proportion of celsian contained in the base materials 21 to 28 other than the base material 29 is lower than the proportion of celsian contained in the first layer 291 .
  • the substrates 21 to 28 correspond to the first layer, like the first layer 291 .
  • the internal electrodes 49 described above are interposed between the substrates 28 and 29 .
  • the internal electrode 49 restricts the second layer 292 of the base material 29 (that is, the region having a lower celsian ratio than the first layer 291) from reaching the base material 28 corresponding to the first layer.
  • the internal electrode 49 functions as a barrier that restricts the second layer 292 from spreading more than necessary.
  • the thickness T1 of the second layer 292 is the same as the maximum thickness T2 of the identification mark 70.
  • the thickness T1 of the second layer 292 is, for example, the maximum thickness of the second layer 292 or the average thickness of the second layer 292 .
  • the thickness T1 of the second layer 292 is the same regardless of location, as shown in FIG.
  • the identification mark 70 becomes deeper in the thickness direction 100 as viewed in the thickness direction 100 from the outer edge portion 70A toward the central portion. That is, in this embodiment, the maximum thickness T2 of the identification mark 70 is the thickness of the central portion of the identification mark 70 .
  • the position corresponding to the maximum thickness T2 of the identification mark 70 differs depending on the shape and configuration of the identification mark 70 .
  • the thickness T1 of the second layer 292 and the maximum thickness T2 of the identification mark 70 may not be completely the same.
  • the thickness T1 is substantially the same as the maximum thickness T2.
  • the plating layer 80 covers the external electrodes 50 .
  • the plating layer 80 suppresses the influence of the atmosphere, moisture, etc. on the external electrodes 50 .
  • the plating layer 80 is a film made of, for example, Ni (nickel)--Sn (tin) or Ni (nickel)--electroless Au (gold).
  • the plating layer 80 includes an inner layer 81 made of nickel and an outer layer 82 made of gold.
  • the inner layer 81 is formed on the surface of the external electrode 50 .
  • the outer layer 82 is formed on the opposite side of the inner layer 81 to the external electrode 50 .
  • the plating layer 80 is composed of two layers (the inner layer 81 and the outer layer 82), but the plating layer 80 may be composed of one layer or three or more layers.
  • the proportion of celsian contained in the second layer 292 near the identification mark 70 is lower than the proportion of celsian contained in the first layer 291 far from the identification mark 70 . Accordingly, in this embodiment, compared to the embodiment in which the element body 20 does not have the second layer 292, the sinterability of the identification mark 70 with respect to the element body 20 can be maintained at a high level. Further, since the sinterability of the identification mark 70 with respect to the element body 20 is maintained at a high level, the visibility of the identification mark 70 with respect to the element body 20 is improved.
  • the identification mark 70 is mainly made of alumina.
  • celsian is less likely to crystallize at the interface with alumina in the element body 20 and its peripheral portion. Therefore, when the identification mark 70 mainly made of alumina is formed on the surface of the element 20 containing celsian, and the element 20 is fired together with the identification mark 70, the density of the celsian around the identification mark 70 in the element 20 is is lower than the density of celsian in other parts of the body 20 other than the peripheral part.
  • the peripheral portion corresponds to the second layer 292 and the other portion corresponds to the first layer 291 . That is, according to this embodiment, the base body 20 including the first layer 291 and the second layer 292 can be easily manufactured.
  • the second layer 292 of the identification mark 70 is sintered. There is a risk that the cohesiveness will be reduced. If the thickness of the second layer 292 is greater than the maximum thickness T2 of the identification mark 70 , that is, if the volume of the portion with a low celsian ratio is large, the ratio of celsian in the entire element body 20 will decrease, and the ceramic electronic component 10 will be mechanically stable. There is a risk that the properties and electrical insulation will be degraded.
  • the thickness of the first layer 291 is the same as or substantially the same as the maximum thickness T2 of the identification mark 70 .
  • the thickness of the first layer 291 is the same as or substantially the same as the maximum thickness T2 of the identification mark 70 .
  • the internal electrode 49 can prevent the formation range of the second layer 292 from being excessively expanded.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of an interlayer connection conductor formed on a substrate in the manufacturing process of the ceramic electronic component according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view when internal electrodes are printed on the substrate in the manufacturing process of the ceramic electronic component according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view when the identification mark is printed on the substrate in the manufacturing process of the ceramic electronic component according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a base body formed by laminating a plurality of base materials in the manufacturing process of the ceramic electronic component according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view when the element body is crimped in the manufacturing process of the ceramic electronic component according to the embodiment of the present invention.
  • the ceramic electronic component 10 is manufactured by singulating a laminate into a plurality of element bodies 20 .
  • the laminate is formed by integrating a plurality of element bodies 20 in an arrayed state. 4 to 8, only the portion corresponding to one element body 20 of the laminated body is shown for convenience of explanation.
  • the method for manufacturing the ceramic electronic component 10 according to the present embodiment comprises a sheet forming step, an interlayer connection conductor forming step, an electrode forming step, an identification mark forming step, an element forming step, a crimping step, a singulation step, a firing step, and a Including plating layer lamination process.
  • a sheet forming process is performed.
  • the base materials 21 to 29 shown in FIG. 2 are individually formed.
  • the base materials 21 to 29 formed in the sheet forming process are prepared by mixing raw materials including a main agent, a plasticizer, a binder, etc. corresponding to each base material 21 to 29, thereby forming a slurry constituting each base material 21 to 29. produced.
  • Each of the substrates 21 to 29 at this stage is a green sheet made of slurry.
  • sinterable ceramic powder or the like is used as a main agent.
  • a plasticizer for example, a phthalate ester, di-n-butyl phthalate, or the like is used.
  • the binder for example, acrylic resin, polyvinyl butyral, or the like is used.
  • each of the base materials 21 to 29 is formed into a sheet on the carrier film 101 shown in FIG. 4 using, for example, a lip coater or doctor blade. That is, each of the nine substrates 21 to 29 is molded on each of the nine carrier films 101 .
  • the carrier film 101 for example, a PET (polyethylene terephthalate) film or the like is used.
  • the thickness of each base material 21-29 is, for example, 5-100 ( ⁇ m).
  • FIG. 4 shows the carrier film 101 and the substrate 26 molded on the carrier film 101.
  • through-holes 20D are formed through the substrates 21 to 29 and the carrier film 101 in the thickness direction.
  • the number of through-holes 20D formed in each of the base materials 21 to 29 is not limited to one. Further, the number of through holes 20D formed in the substrates 21 to 29 and the carrier film 101 corresponding to each substrate 21 to 29 may be the same or different. Further, the positions of the through holes 20D formed in the substrates 21 to 29 and the carrier film 101 corresponding to each of the substrates 21 to 29 may be the same or different.
  • the ceramic electronic component 10 In the method for manufacturing the ceramic electronic component 10 according to the present embodiment, nine substrates 21 to 29 and the carrier film 101 are formed so that the element body 20 as shown in FIG. 2 is finally formed. The number and positions of through holes 20D are determined.
  • interlayer connection conductor formation process Next, an interlayer connection conductor forming step is performed.
  • the conductive paste 102 is filled in the through holes 20D formed in the base materials 21 to 29 and the carrier film 101 in the sheet forming process (see FIG. 4).
  • the paste 102 filled in the through holes 20 ⁇ /b>D corresponds to the interlayer connection conductors 30 .
  • the paste 102 is produced, for example, by mixing raw materials including conductive powder, a plasticizer, and a binder.
  • Electrode forming step Next, an electrode forming process is performed. In the electrode forming process, the internal electrodes 40 and the external electrodes 50 are formed.
  • the paste is formed by screen printing, inkjet printing, gravure printing, or the like, for example.
  • Other internal electrodes 40 internal electrodes 42 to 48
  • external electrodes 50 are also formed on the substrates 21 to 29 in the same manner as the internal electrode 41.
  • the pastes corresponding to the internal electrodes 40 and the external electrodes 50 are prepared by mainly mixing raw materials including conductive powder, plasticizer, and binder, similarly to the paste 102 described above.
  • the paste corresponding to the internal electrodes 40 and the external electrodes 50 may be made of the same material as the paste 102 or may be made of a material different from that of the paste 102 .
  • an identification mark forming step is performed.
  • an identification mark 70 is formed.
  • paste corresponding to the identification mark 70 is formed on the main surface of the base material 29 as shown in FIG.
  • the paste corresponding to the identification mark 70 is formed by, for example, screen printing, inkjet printing, gravure printing, a transfer method described later, or the like.
  • the paste corresponding to the identification mark 70 is made of the materials (alumina and glass materials in this manufacturing method) constituting the identification mark 70 described above.
  • the material of the identification mark 70 is arbitrary.
  • the heat shrinkage rate of the material forming the identification mark 70 is lower than the heat shrinkage rate of at least the material forming the base material 29 among the base materials 21 to 29 .
  • a body forming step is performed.
  • the element forming step as shown in FIG. 7, each of the substrates 21 to 29 excluding the carrier film 101 is laminated. Thus, the base body 20 is obtained.
  • the nine base materials 21 to 29 are arranged in order from the base material with the smaller number to the base material with the larger number, specifically the base materials 21, 22, 23, 24, 25, 26, and 27. , 28 and 29 are stacked.
  • the main surface of the base material 21 becomes the main surface 20A of the element body 20
  • the main surface of the base material 29 becomes the main surface 20B of the element body 20 .
  • the side surfaces of the base materials 21 to 29 are the side surfaces 20C of the element body 20. As shown in FIG.
  • some of the nine base materials 21 to 29 are reversely laminated with respect to the base materials other than the part of the nine base materials 21 to 29. be.
  • the substrates 22 to 29 are laminated with the carrier film 101 side facing downward, while the substrate 21 is laminated with the carrier film 101 side facing upward.
  • the internal electrodes 40 and identification marks 70 formed on the substrates 22, 24, 25, 27, 28, 29 are aligned with the respective substrates 22, 24, 25, 27, 28, 29 , and an external electrode 50 formed on the base material 21 is positioned below the base material 21 .
  • Identification marks 70 are recessed into substrate 29 . Thereby, the identification mark 70 is embedded in the base body 20 .
  • the identification mark 70 is not embedded in the base body 20 .
  • a singulation process is performed.
  • a laminate in which a plurality of element bodies 20 are arranged is cut into a plurality of element bodies 20 .
  • a dicing saw, a guillotine cutter, a laser, or the like, for example, is used for cutting the laminate.
  • the corners and edges of the blank 20 may be polished, such as by barreling (see FIG. 2). Said polishing may be performed after the firing step.
  • each of the base materials 21 to 29 forming the element body 20 is cured. That is, each of the base materials 21 to 29, which are flexible green sheets, are cured and transformed into substrates (see FIG. 2).
  • the heat shrinkage rate of the material forming the identification mark 70 is lower than the heat shrinkage rate of the material forming the base material 29 . Therefore, the shrinkage amount of the identification mark 70 is smaller than the shrinkage amount of the base material 29 in the baking process. Therefore, the contraction of the base material 29 toward the identification mark 70 is inhibited by the outer edge portion 70A (see FIG. 8) of the identification mark 70. As shown in FIG. As a result, the base material 29 rises in the vicinity of the outer edge portion 70A. The raised portion of the base material 29 is the first portion 61 (see FIGS. 1 and 3).
  • the diffusion layer 90 is formed by diffusing the alumina contained in the identification mark 70 into the base material 29 .
  • the celsian in the peripheral portion of the identification mark 70 in the element body 20 (more specifically, in the element body 20 , the side opposite to the identification mark 70 with respect to the diffusion layer 90 ), the celsian is higher than that in the element body 20 other than the peripheral portion. is difficult to crystallize.
  • the ratio of celsian contained in the peripheral portion is lower than the ratio of celsian contained in areas other than the peripheral portion.
  • the peripheral portion of the base body 20 corresponds to the second layer 292 .
  • the first layer 291 corresponds to the portion other than the peripheral portion of the base body 20 .
  • plating layer lamination process Next, a plating layer lamination process is performed.
  • the external electrodes 50 are subjected to a known plating process. Thereby, as shown in FIG. 2, the plating layer 80 is laminated so as to cover the external electrodes 50 .
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a plurality of laminated base materials and a film printed with identification marks in a modification of the manufacturing process of the ceramic electronic component according to the embodiment of the present invention.
  • the identification mark 70 may be formed on the base material 29 by a transfer method.
  • an identification mark 70 is printed on the main surface 103A of the transfer sheet 103, as shown in FIG. Thereafter, in the element forming step, the transfer sheet 103 is laminated on the base material 29 so that the main surface 103A of the transfer sheet 103 faces the base material 29 side. Thereby, the identification mark 70 is transferred from the transfer sheet 103 to the base material 29 (see FIG. 7).
  • the first portion 61 is formed in the element body 20 by firing the element body 20 and the identification mark 70 having different thermal contraction rates.
  • the manufacturing method for forming the first portion 61 is not limited to this.
  • a paste made of a material that can be burned off by heat is formed on a region of the main surface of the base material 29 excluding the identification mark 70 and the vicinity of the periphery thereof (in other words, a region corresponding to the second portion 62). be.
  • the paste is embedded in the base material 29 in the subsequent pressure bonding process.
  • the paste is burned out.
  • a second portion 62 is formed in the region where the paste was formed and is recessed with respect to the region where the paste was not formed.
  • the first portion 61 is formed in the region where the paste was not formed, the first portion 61 protruding with respect to the region where the paste was formed.

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Abstract

識別マークの素体に対する焼結性を高く維持することができるセラミック電子部品を提供する。セラミック電子部品は、セラミックを主材料とする素体と、素体の主面に形成された識別マークとを備える。素体は、バリウム及びケイ素を含んだセルシアンを含む第１層と、セルシアンを含み、識別マーク及び第１層の間に介在され、セルシアンの割合が第１層より低い第２層とを備える。

Description

セラミック電子部品
　本発明は、セラミックを主材料とする素体と素体に形成された識別マークとを備えるセラミック電子部品に関する。
　セラミックを主材料とするセラミック電子部品の一例としての多層セラミック基板が、特許文献１に開示されている。多層セラミック基板は、第１のセラミック層と、第１のセラミック層より厚みの薄い第２のセラミック層とが交互に積層されている。第１のセラミック層及び第２のセラミック層の各々は、セルシアン（ＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８）を含んでいる。セルシアンは、セラミック電子部品の機械特性及び電気絶縁性等を向上させる。通常、セルシアンの結晶体は、セラミック電子部品の内部にランダムに点在する。
　セラミックを主材料とする素体の表面に識別マークが形成されたセラミック電子部品の一例が、特許文献２に開示されている。識別マークは、セラミック電子部品の方向を識別するためのものである。特許文献２に開示されたセラミック電子部品の識別マークは、磁器材料で構成されている。
特許第５２６３２２６号公報 特開昭６０－１７０９２２号公報
　セルシアンを含む素体に識別マークが形成されたセラミック電子部品は、以下の問題点を有する。
　通常、セラミック電子部品は、複数の素体が配列されたウエハが個片化されることによって製造される。前述したように、セルシアンの結晶体は、セラミック電子部品の内部にランダムに点在する。ウエハにおいて、セルシアンが不均一に点在していると、複数の素体の各々に含まれるセルシアンの密度にばらつきが生じる。
　素体上に形成された識別マークは、素体と共に焼成されることによって、素体に焼結される。このとき、識別マークの素体に対する焼結性は、素体に含まれるセルシアンの密度が高くなる程に低下する。識別マークの素体に対する焼結性が低下すると、識別マークの素体に対する視認性が低下するおそれがある。ここで、前述したようなセルシアンの密度のばらつきが生じている場合、ウエハに配列された複数の素体において、識別マークの素体に対する焼結性がばらついてしまう。つまり、セルシアンの密度が低い素体に形成された識別マークの素体に対する焼結性及び視認性が高い一方で、セルシアンの密度が高い素体に形成された識別マークの素体に対する焼結性及び視認性は低くなる。
　従って、本発明の目的は、前記課題を解決することにあって、識別マークの素体に対する焼結性を高く維持することができるセラミック電子部品を提供することにある。
　前記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
　本発明の一態様に係るセラミック電子部品は、
　セラミックを主材料とする素体と、
　前記素体の表面に形成された識別マークと、を備え、
　前記素体は、
　バリウム及びケイ素を含んだ特定化合物を含む第１層と、
　前記特定化合物を含み、前記識別マーク及び前記第１層の間に介在され、前記特定化合物の割合が前記第１層より低い第２層と、を備える。
　本発明によれば、識別マークの素体に対する焼結性を高く維持することができる。
本発明の実施形態に係るセラミック電子部品の平面図。 図１のＡ－Ａ断面を示す断面図。 図２の一点鎖線部の拡大図。 本発明の実施形態に係るセラミック電子部品の製造過程において基材に層間接続導体が形成されたときの断面図。 本発明の実施形態に係るセラミック電子部品の製造過程において基材に内部電極が印刷されたときの断面図。 本発明の実施形態に係るセラミック電子部品の製造過程において基材に識別マークが印刷されたときの断面図。 本発明の実施形態に係るセラミック電子部品の製造過程において複数の基材が積層されて素体が形成されたときの断面図。 本発明の実施形態に係るセラミック電子部品の製造過程において素体が圧着されたときの断面図。 本発明の実施形態に係るセラミック電子部品の製造過程の変形例において積層された複数の基材と識別マークが印刷されたフィルムとを示す断面図。
　本発明の一態様に係るセラミック電子部品は、
　セラミックを主材料とする素体と、
　前記素体の表面に形成された識別マークと、を備え、
　前記素体は、
　バリウム及びケイ素を含んだ特定化合物を含む第１層と、
　前記特定化合物を含み、前記識別マーク及び前記第１層の間に介在され、前記特定化合物の割合が前記第１層より低い第２層と、を備える。
　この構成によれば、識別マークに近い第２層に含まれる特定化合物の割合は、識別マークから離れた第１層に含まれる特定化合物の割合より低い。特定化合物は、バリウム及びケイ素を含むものであり、例えばセルシアン（バリウム及びケイ素に加えてアルミナ（酸化アルミニウム）を含む。）やフレスノイト（バリウム及びケイ素に加えて酸化チタンを含む。）である。これにより、本構成は、素体が第２層を有していない構成に比べて、識別マークの素体に対する焼結性を高く維持することができる。また、識別マークの素体に対する焼結性が高く維持されることによって、識別マークの素体に対する視認性が向上される。
　前記セラミック電子部品において、
　前記素体は、セルシアンを含んでいてもよく、
　前記識別マークは、アルミナを主材料としていてもよい。
　この構成によれば、識別マークはアルミナを主材料とする。ここで、素体におけるアルミナとの界面及びその周辺部では、セルシアンが結晶化しにくくなる。そのため、セルシアンを含む素体の表面にアルミナを主材料とする識別マークを形成して、素体を識別マークと共に焼成すると、素体における識別マークの周辺部のセルシアンの密度が、素体における当該周辺部以外の他部分のセルシアンの密度より低くなる。周辺部が第２層に相当し、他部分が第１層に相当する。つまり、この構成によれば、第１層及び第２層を備える素体を容易に製造することができる。
　前記セラミック電子部品において、
　前記第２層の厚みは、前記識別マークの最大厚みと同じまたは略同じであってもよい。
　第２層の厚みが識別マークの最大厚みより薄い場合、つまり識別マークの第２層に対する焼結性向上に寄与する部分が薄い場合、識別マークの第２層に対する焼結性が低下するおそれがある。第２層の厚みが識別マークの最大厚みより厚み場合、つまり特定化合物の割合が低い部分の体積が大きい場合、素体全体における特定化合物の割合が低下して、セラミック電子部品の機械特性及び電気絶縁性等が低下するおそれがある。この構成によれば、第１層の厚みは識別マークの最大厚みと同じまたは略同じである。これにより、識別マークの第２層に対する焼結性の低下を抑制しつつ、素体全体における特定化合物の割合の低下を抑制することができる。
　前記セラミック電子部品において、
　前記素体は、前記第１層及び前記第２層の間に介在された電極を備えていてもよい。
　この構成によれば、素体の製造過程において第２層が形成される場合に、第２層の形成範囲の過大な拡張を、電極によって防止することができる。
＜実施形態＞
　図１は、本発明の実施形態に係るセラミック電子部品の平面図である。図２は、図１のＡ－Ａ断面を示す断面図である。図３は、図２の一点鎖線部の拡大図である。セラミック電子部品は、素体に識別マークが設けられたものである。本実施形態に係るセラミック電子部品は、識別マークの他に、例えば層間接続導体と内部電極と外部電極とめっき層とが素体に設けられている。セラミック電子部品は、外部電極を介してマザー基板等に実装され得る。
　図１及び図２に示すように、本実施形態に係るセラミック電子部品１０は、素体２０と、層間接続導体３０と、内部電極４０と、外部電極５０と、識別マーク７０と、めっき層８０とを備える。
　素体２０は、全体として直方体形状である。素体２０の形状は、直方体形状に限らない。本実施形態において、素体２０は、厚み方向１００に積層された基材２１～２９が一体化されたものである。つまり、本実施形態において、素体２０は、９つの基材が一体化されたものである。素体２０を構成する基材の数は９つに限らない。基材２１～２９の各々は、絶縁性であり、板状である。
　素体２０は、セラミックを主材料とする。素体２０の主材料は、素体２０に含まれる複数種類の材料のうち最も高い割合の材料である。素体２０に含まれる材料が１種類である場合、素体２０を構成する１種類の材料が、素体２０の主材料である。主材料の定義は、素体２０以外においても同様である。例えば、識別マーク７０の主材料は、識別マーク７０に含まれる複数種類の材料のうち最も高い割合の材料である。
　本実施形態において、素体２０（各基材２１～２９）は、主材料であって誘電体特性を決めるためのフィラー、ガラス材、及び収縮率等の物性を調整するための添加剤を含む。素体２０に含まれる各材料の割合は、例えば、フィラーが約６０％、ガラス材が約１０％、添加剤が約３０％である。フィラー及び添加剤は、アルミニウム（Ａｌ）（例えばアルミナ），マグネシウム（Ｍｇ），ケイ素（Ｓｉ），バリウム（Ｂａ），チタン（Ｔｉ），ジルコニウム（Ｚｒ）（例えばジルコニア）等で構成されている。本実施形態では、素体２０は、セルシアン（ＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８）を含んでいる。セルシアンはバリウム及びケイ素を含んでいる。セルシアンは、特定化合物の一例である。
　なお、主材料がセラミックであるとの条件を満たす限り、素体２０に含まれる材料は前述したものに限らず、素体２０に含まれる各材料の割合は前記の割合に限らない。また、フィラー及び添加剤は、前記の物質以外で構成されていてもよい。また、本実施形態では、素体２０はセルシアンの結晶を含んでいるが、他の結晶を含んでいてもよい。例えば、素体２０は、セルシアンの代わりに、フレスノイト（例えばＢａ２ＴｉＳｉ２Ｏ８またはＢａ２ＴｉＧｅ２Ｏ８）を含んでいてもよい。この場合、フレスノイトは、バリウム及びケイ素を含んだ特定化合物に相当する。
　図２に示すように、素体２０は、一対の主面２０Ａ，２０Ｂと側面２０Ｃとを備える。主面２０Ａは、基材２１の主面であって素体２０の外部に面している。主面２０Ｂは、基材２９の主面であって素体２０の外部に面している。主面２０Ｂは、主面２０Ａと反対を向いている。主面２０Ｂは、素体２０の表面の一例である。側面２０Ｃは、基材２１～２９の側面で構成されている。側面２０Ｃは、主面２０Ａ，２０Ｂを繋いでいる。
　本実施形態において、一対の主面２０Ａ，２０Ｂは、厚み方向１００に直交している。図１の平面図は、セラミック電子部品１０を厚み方向１００（図２参照）から見たときの図である。また、本実施形態において、主面２０Ａ，２０Ｂの長手方向の長さは２～４ｍｍであり、主面２０Ａ，２０Ｂの短手方向の長さは１～２ｍｍであり、素体２０の厚み方向１００の長さは４５～１０００μｍである。なお、各長さは、前述した長さに限らない。
　図１及び図２に示すように、素体２０は、第１部分６１と、第２部分６２とを備える。また、図３に示すように、素体２０には、拡散層９０が形成されている。また、図２に示すように、素体２０の基材２９は、第１層２９１と第２層２９２とを備える。第１部分６１、第２部分６２、拡散層９０、第１層２９１、及び第２層２９２については、後述される。
　図２に示すように、層間接続導体３０は、素体２０の内部に形成されている。層間接続導体３０は、基材２１～２９の少なくとも１つに形成され得る。本実施形態では、層間接続導体３０は、基材２１～２７に形成されている。
　層間接続導体３０は、複数の基材２１～２９の少なくとも１つを厚み方向１００に貫通する貫通孔２０Ｄに、導電性のペーストが充填され、セラミックを主材料とする素体２０と共焼成されたものである。導電性のペーストは、例えば銅等の導電性粉末を含んでいる。導電性のペーストが含む導電性粉末は、銅に限らず、例えば銀でもよい。本実施形態では、貫通孔２０Ｄは円柱形状であるため、層間接続導体３０は円柱形状である。貫通孔２０Ｄの形状は、円柱形状に限らず、例えば四角柱等の形状であってもよい。
　図２では、層間接続導体３０は、４つの層間接続導体３１～３４を備えている。層間接続導体３１は、基材２３～２７を貫通する貫通孔２０Ｄに充填されている。層間接続導体３２～３４は、基材２１，２２を貫通する貫通孔２０Ｄに充填されている。各層間接続導体３１～３４の厚み方向１００の長さ（貫通する基材の数）は、前述した長さに限らない。
　内部電極４０は、素体２０の内部に形成されており、素体２０の外部に露出していない。内部電極４０は、基材２１～２９の少なくとも１つに形成され得る。本実施形態では、内部電極４０は、基材２２，２４，２５，２７，２８に形成されている。
　本実施形態のように素体２０の主材料がセラミックである場合、内部電極４０は、基材（本実施形態では基材２２，２４，２５，２７，２８）の主面に導電性のペーストを印刷し、基材と共焼成されたものである。導電性のペーストは、例えば銅や銀で構成されている。
　本実施形態では、内部電極４０は、９つの内部電極４１～４９を備えている。内部電極４１は、基材２７に形成されている。内部電極４２～４４は、基材２２に形成されている（図３参照）。内部電極４５，４７は、基材２５に形成されている。内部電極４６，４８は、基材２４に形成されている。内部電極４９は、基材２８に形成されている。内部電極４９は、電極の一例である。
　内部電極４０の各々は、他の内部電極４０または外部電極５０と電気的に接続されている。本実施形態では、図２に示すように、内部電極４１は、層間接続導体３１を介して内部電極４４と電気的に接続されている。内部電極４２は、層間接続導体３２を介して外部電極５１と電気的に接続されている。内部電極４３は、層間接続導体３３を介して外部電極５２と電気的に接続されている。内部電極４４は、層間接続導体３１を介して内部電極４１と接続されており、層間接続導体３４を介して外部電極５３と電気的に接続されている。
　外部電極５０は、素体２０の外部に形成されている。つまり、外部電極５０は、素体２０の外部に露出している。本実施形態では、外部電極５０は、基材２１の主面（素体２０の主面２０Ａ）に形成されている。なお、外部電極５０は、素体２０の主面２０Ａの代わりにまたは素体２０の主面２０Ａに加えて、素体２０の主面２０Ｂ及び素体２０の側面２０Ｃの少なくとも一方に形成されていてもよい。
　外部電極５０は、内部電極４０と同様にして構成されている。つまり、本実施形態では、外部電極５０は、素体２０の主面２０Ａに導電性のペーストを印刷し、基材２１～２９と共焼成されたものである。本実施形態において、外部電極５０は、３つの外部電極５１～５３を備えている。
　前述したように、外部電極５１は層間接続導体３２を介して内部電極４２と電気的に接続されており、外部電極５２は層間接続導体３３を介して内部電極４３と電気的に接続されており、外部電極５３は層間接続導体３４を介して内部電極４４と電気的に接続されている。
　識別マーク７０は、素体２０の主面２０Ｂに形成されている。識別マーク７０は、セラミック電子部品１０の姿勢や方向を示すためのものである。
　本実施形態では、セラミック電子部品１０は、１つの識別マーク７０を備えているが、複数の識別マーク７０を備えていてもよい。
　本実施形態では、図１に示すように、厚み方向１００から見て、識別マーク７０は、円形であるが、円形に限らない。また、本実施形態では、厚み方向１００から見た識別マーク７０の直径は１００～１５０μｍであるが、当該直径は１００～１５０μｍに限らない。
　図２及び図３に示すように、識別マーク７０の一部は、素体２０の基材２９に埋設されている。一方、識別マーク７０の残りの部分（言い換えると当該一部を除く部分）は、素体２０の主面２０Ｂから突出している。
　なお、識別マーク７０は、素体２０に埋設されていなくてもよい。この場合、識別マーク７０の全部が、素体２０の主面２０Ｂから突出している。つまり、識別マーク７０の少なくとも一部が、素体２０の主面２０Ｂから突出していればよい。
　各図において、識別マーク７０の色は白またはハッチングで示されているが、識別マーク７０の色は白に限らず、黒、グレー、赤等の他の色であってもよい。識別マーク７０の色は、識別マーク７０の周囲のもの（本実施形態では基材２９）と異なる色であることが好ましい。
　本実施形態において、識別マーク７０は、セラミックを主材料としており、主材料のアルミナと、ガラス材とを含む。識別マーク７０に含まれる各材料の割合は、アルミナが約７５％、ガラス材が約２５％である。本実施形態において、識別マーク７０に含まれるガラス材の割合は、素体２０に含まれるガラス材の割合より多い。また、本実施形態において、識別マーク７０の熱収縮率は、素体２０の熱収縮率より低い。例えば、素体２０は、前述した添加剤によって識別マーク７０より熱収縮率が低くるように調整される。また、例えば、素体２０は、識別マーク７０の主材料あるアルミナより熱収縮率の低い材料（例えば、ジルコニア（ＺｒＯ２））を主材料とする。識別マーク７０は、少なくとも焼成されるときの温度において無収縮であってもよい。
　なお、識別マーク７０の材料は、識別マーク７０の周囲のもの（本実施形態では基材２９）と識別性が高い（視認性が高い）ことを条件として任意である。例えば、識別マーク７０は、樹脂や金属等を主材料としていてもよい。つまり、識別マーク７０は、セラミック以外を主材料としてもよい。また、識別マーク７０に含まれるガラス材の割合は、素体２０に含まれるガラス材の割合以下であってもよい。また、識別マーク７０は、ガラス材を含んでいなくてもよい。また、識別マーク７０は、識別マーク７０を基材２９と異なる色とするための着色材を含んでいてもよい。
　図１及び図３に示すように、素体２０は、第１部分６１と、第２部分６２とを備える。
　第１部分６１は、素体２０のうち、厚み方向１００から見て、識別マーク７０を囲み且つ識別マーク７０の外縁部７０Ａと接触する部分である。識別マーク７０の外縁部７０Ａは、厚み方向１００から見て、識別マーク７０の外縁と、当該外縁の近傍とよりなる部分である。本実施形態において、厚み方向１００から見て、第１部分６１は、識別マーク７０の近傍に形成された円環状の部分である（図１参照）。
　第２部分６２は、素体２０のうち、厚み方向１００から見て、第１部分６１を囲む部分である。つまり、厚み方向１００から見て、第２部分６２は、第１部分６１より外側の部分である。本実施形態において、第２部分６２は、第１部分６１の外縁部と接触している。第１部分６１の外縁部は、厚み方向１００から見て、第１部分６１の外縁と、当該外縁の近傍とよりなる部分である。以上より、厚み方向１００から見て、第２部分６２は、識別マーク７０との間に第１部分６１を挟んでいる。
　図３に示すように、第１部分６１は、第２部分６２に対して隆起している。本実施形態において、第１部分６１の第２部分６２に対する隆起の高さ、言い換えると第１部分６１の第２部分６２からの厚み方向１００の突出長は、４μｍである。なお、第１部分６１の第２部分６２に対する隆起の高さは、４μｍに限らない。
　本実施形態において、第１部分６１の隆起の高さは、識別マーク７０の突出先端部の高さと同一または略同一である。言い換えると、識別マーク７０の素体２０に対する突出方向において、第１部分６１の隆起先端部と、識別マーク７０の突出先端部とは、同位置または略同位置である。
　なお、第１部分６１の隆起の高さは、識別マーク７０の突出先端部の高さより低くてもよいし、識別マーク７０の突出先端部の高さより高くてもよい。
　図３に示すように、素体２０は、拡散層９０を有している。なお、図２では、拡散層９０の図示が省略されている。拡散層９０は、素体２０の基材２９における識別マーク７０との界面部に形成されている。素体２０の基材２９における識別マーク７０との界面部は、基材２９の識別マーク７０との界面と、基材２９における当該界面の近傍とよりなる部分である。
　拡散層９０は、識別マーク７０から拡散された物質（識別マーク７０を構成する物質）によって素体２０の組成が変化した層である。例えば、セラミック電子部品１０の製造過程の焼成工程において、識別マーク７０を構成する物質であるアルミナが素体２０の基材２９へ拡散する。拡散したアルミナによって、基材２９を構成する材料の組成が変化する。具体的には、基材２９の識別マーク７０との界面部におけるアルミナの割合が、基材２９の当該界面部以外の部分におけるアルミナの割合より高くなる。このアルミナの割合が高くなった部分（基材２９の識別マーク７０との界面部）が、拡散層９０である。なお、図３では、拡散層９０は一定の厚みに示されているが、拡散層９０の厚みにはばらつきが生じ得る。
　図３に示すように、素体２０の基材２９は、第１層２９１と第２層２９２とを備える。
　第２層２９２は、拡散層９０に対して識別マーク７０の反対側に形成されており、拡散層９０に接している。つまり、第２層２９２は、識別マーク７０との間に拡散層９０を挟んでいる。
　第１層２９１は、第２層２９２に対して拡散層９０及び識別マーク７０の反対側に形成されており、第２層２９２に接している。つまり、第２層２９２は、識別マーク７０及び第１層２９１の間に介在されている。
　前述したように、素体２０はセルシアンを含んでいる。つまり、素体２０の基材２９に設けられた第１層２９１及び第２層２９２の各々は、セルシアンを含んでいる。第２層２９２に含まれるセルシアンの割合は、第１層２９１に含まれるセルシアンの割合より低い。
　本実施形態では、基材２９以外の基材２１～２８に含まれるセルシアンの割合は、第１層２９１に含まれるセルシアンの割合より低い。本実施形態において、基材２１～２８は、第１層２９１と同様に、第１層に相当する。ここで、前述した内部電極４９は、基材２８，２９の間に介在されている。内部電極４９によって、基材２９の第２層２９２（つまり第１層２９１よりセルシアンの割合が低い領域）が、第１層に相当する基材２８にまで及ぶことが規制されている。言い換えると、内部電極４９は、第２層２９２の必要以上の拡がりを規制する防壁として機能している。
　第２層２９２の厚みＴ１は、識別マーク７０の最大厚みＴ２と同じである。ここで、第２層２９２の厚みＴ１は、例えば第２層２９２のうちの最大厚みまたは第２層２９２の平均厚みである。本実施形態では、第２層２９２の厚みＴ１は、図３に示すように、位置にかかわらず同一である。本実施形態では、識別マーク７０は、厚み方向１００から見て外縁部７０Ａから中央部へ向かうにしたがって、厚み方向１００に深くなっている。つまり、本実施形態では、識別マーク７０の最大厚みＴ２は、識別マーク７０の中央部の厚みである。識別マーク７０の最大厚みＴ２に対応する位置は、識別マーク７０の形状、構成によって異なる位置となる。
　第２層２９２の厚みＴ１と識別マーク７０の最大厚みＴ２とは完全に同じでなくてもよい。例えば、セラミック電子部品１０の製造過程において、第２層２９２の厚みが位置毎に僅かなばらつきがある場合、厚みＴ１と最大厚みＴ２との間には当該ばらつき分の差が生じる。この場合、厚みＴ１は、最大厚みＴ２と略同じである。
　図２に示すように、めっき層８０は、外部電極５０を覆っている。めっき層８０は、外部電極５０に対する雰囲気や水分等の影響を抑制する。めっき層８０は、例えば、Ｎｉ（ニッケル）－Ｓｎ（スズ）やＮｉ（ニッケル）－無電解Ａｕ（金）等で構成された膜である。本実施形態において、めっき層８０は、ニッケルで構成された内層８１と、金で構成された外層８２とを備える。内層８１は、外部電極５０の表面に形成されている。外層８２は、内層８１における外部電極５０の反対側に形成されている。
　本実施形態において、めっき層８０は、２層（内層８１及び外層８２）で構成されているが、めっき層８０は、１層または３層以上で構成されていてもよい。
　本実施形態によれば、識別マーク７０に近い第２層２９２に含まれるセルシアンの割合は、識別マーク７０から離れた第１層２９１に含まれるセルシアンの割合より低い。これにより、本実施形態は、素体２０が第２層２９２を有していない実施形態に比べて、識別マーク７０の素体２０に対する焼結性を高く維持することができる。また、識別マーク７０の素体２０に対する焼結性が高く維持されることによって、識別マーク７０の素体２０に対する視認性が向上される。
　本実施形態によれば、識別マーク７０はアルミナを主材料とする。ここで、素体２０におけるアルミナとの界面及びその周辺部では、セルシアンが結晶化しにくくなる。そのため、セルシアンを含む素体２０の表面にアルミナを主材料とする識別マーク７０を形成して、素体２０を識別マーク７０と共に焼成すると、素体２０における識別マーク７０の周辺部のセルシアンの密度が、素体２０における当該周辺部以外の他部分のセルシアンの密度より低くなる。周辺部が第２層２９２に相当し、他部分が第１層２９１に相当する。つまり、本実施形態によれば、第１層２９１及び第２層２９２を備える素体２０を容易に製造することができる。
　第２層２９２の厚みが識別マーク７０の最大厚みＴ２より薄い場合、つまり識別マーク７０の第２層２９２に対する焼結性向上に寄与する部分が薄い場合、識別マーク７０の第２層２９２に対する焼結性が低下するおそれがある。第２層２９２の厚みが識別マーク７０の最大厚みＴ２より厚み場合、つまりセルシアンの割合が低い部分の体積が大きい場合、素体２０全体におけるセルシアンの割合が低下して、セラミック電子部品１０の機械特性及び電気絶縁性等が低下するおそれがある。本実施形態によれば、第１層２９１の厚みは識別マーク７０の最大厚みＴ２と同じまたは略同じである。これにより、識別マーク７０の第２層２９２に対する焼結性の低下を抑制しつつ、素体２０全体におけるセルシアンの割合の低下を抑制することができる。
　本実施形態によれば、素体２０の製造過程において第２層２９２が形成される場合に、第２層２９２の形成範囲の過大な拡張を、内部電極４９によって防止することができる。
　＜本実施形態に係るセラミック電子部品の製造方法＞
　以下に、本実施形態に係るセラミック電子部品１０の製造方法の一例が、図４～図８が参照されつつ説明される。図４は、本発明の実施形態に係るセラミック電子部品の製造過程において基材に層間接続導体が形成されたときの断面図である。図５は、本発明の実施形態に係るセラミック電子部品の製造過程において基材に内部電極が印刷されたときの断面図である。図６は、本発明の実施形態に係るセラミック電子部品の製造過程において基材に識別マークが印刷されたときの断面図である。図７は、本発明の実施形態に係るセラミック電子部品の製造過程において複数の基材が積層されて素体が形成されたときの断面図である。図８は、本発明の実施形態に係るセラミック電子部品の製造過程において素体が圧着されたときの断面図である。
　セラミック電子部品１０は、積層体を複数の素体２０に個片化することにより製造される。積層体は、複数の素体２０が配列された状態で一体化されたものである。図４～図８では、説明の便宜上、積層体のうち１つの素体２０に対応する部分のみが示される。本実施形態に係るセラミック電子部品１０の製造方法は、シート成形工程、層間接続導体形成工程、電極形成工程、識別マーク形成工程、素体形成工程、圧着工程、個片化工程、焼成工程、及びめっき層積層工程を含む。
　（シート成形工程）
　最初に、シート成形工程が実行される。シート成形工程では、図２に示す基材２１～２９が個別に成形される。シート成形工程において成形される基材２１～２９は、各基材２１～２９に応じた主剤、可塑剤、バインダ等を含む原料を混合することにより、各基材２１～２９を構成するスラリが作製される。この段階での各基材２１～２９は、スラリで構成されたグリーンシートである。
　各基材２１～２９には、主剤として、例えば焼結性セラミック粉末等が使用される。可塑剤としては、例えば、フタル酸エステルやジ－ｎ－ブチルフタレート等が使用される。バインダとしては、例えば、アクリル樹脂やポリビニルブチラール等が使用される。
　各基材２１～２９を構成するスラリは、例えばリップコータやドクターブレード等を用いて、図４に示すキャリアフィルム１０１上にシート状に成形される。つまり、９枚の基材２１～２９の各々が、９枚のキャリアフィルム１０１の各々の上に成形される。キャリアフィルム１０１としては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等が使用される。各基材２１～２９の厚さは、例えば５～１００（μｍ）である。
　図４には、キャリアフィルム１０１と、キャリアフィルム１０１上に成形された基材２６とが示されている。
　次に、各基材２１～２９及びキャリアフィルム１０１を厚み方向に貫通する貫通孔２０Ｄが形成される。
　なお、図４では、１つの貫通孔２０Ｄが基材２７及びキャリアフィルム１０１に形成されているが、各基材２１～２９に形成される貫通孔２０Ｄの数は１つに限らない。また、基材２１～２９と各基材２１～２９に対応するキャリアフィルム１０１とに形成される貫通孔２０Ｄの数は、同数であってもよいし、異なる数であってもよい。また、基材２１～２９と各基材２１～２９に対応するキャリアフィルム１０１とに形成される貫通孔２０Ｄの位置は、同じ位置であってもよいし、異なる位置であってもよい。
　本実施形態に係るセラミック電子部品１０の製造方法では、最終的に、図２に示すような素体２０が形成されるように、９枚の基材２１～２９及びキャリアフィルム１０１に形成される貫通孔２０Ｄの数及び位置が決定される。
　（層間接続導体形成工程）
　次に、層間接続導体形成工程が実行される。層間接続導体形成工程では、シート成形工程において各基材２１～２９及びキャリアフィルム１０１に形成された貫通孔２０Ｄに、導電性のペースト１０２が充填される（図４参照）。貫通孔２０Ｄに充填されたペースト１０２が、層間接続導体３０に対応する。
　ペースト１０２は、例えば、導電性粉末と可塑剤とバインダとを含む原料を混合することにより作製される。
　（電極形成工程）
　次に、電極形成工程が実行される。電極形成工程では、内部電極４０及び外部電極５０が形成される。
　本実施形態に係るセラミック電子部品１０の製造方法では、例えば、図５に示すように、基材２８の主面に、内部電極４９に対応するペーストが形成される。ペーストは、例えば、スクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷等により形成される。なお、他の内部電極４０（内部電極４２～４８）及び外部電極５０も、内部電極４１と同様にして、各基材２１～２９に形成される。
　内部電極４０及び外部電極５０に対応するペーストは、前述したペースト１０２と同様に、導電性粉末と可塑剤とバインダとを含む原料を主として混合することにより作製される。なお、内部電極４０及び外部電極５０に対応するペーストは、ペースト１０２と同じ原料で構成されていてもよいし、ペースト１０２と異なる原料で構成されていてもよい。
　（識別マーク形成工程）
　次に、識別マーク形成工程が実行される。識別マーク形成工程では、識別マーク７０が形成される。
　本実施形態に係るセラミック電子部品１０の製造方法では、図６に示すように、基材２９の主面に、識別マーク７０に対応するペーストが形成される。識別マーク７０に対応するペーストは、例えば、スクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷、及び後述する転写工法等により形成される。識別マーク７０に対応するペーストは、前述した識別マーク７０を構成する材料（本製造方法ではアルミナ及びガラス材）よりなる。前述したように、識別マーク７０の材料は、任意である。例えば、識別マーク７０が導電性の材料を含む場合、識別マーク７０に対応するペーストは導電性ペーストであり、識別マーク７０が導電性の材料を含まない場合、識別マーク７０に対応するペーストは非導電性ペーストである。本製造工程では、識別マーク７０を構成する材料の熱収縮率は、基材２１～２９のうち少なくとも基材２９を構成する材料の熱収縮率より低い。
　（素体形成工程）
　次に、素体形成工程が実行される。素体形成工程では、図７に示すように、キャリアフィルム１０１を除いた各基材２１～２９が積層される。これにより、素体２０が得られる。
　素体形成工程では、９つの基材２１～２９が、数値の小さい基材から数値の大きい基材への順序で、具体的には基材２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７，２８，２９の順序で積層される。これにより、基材２１の主面が素体２０の主面２０Ａとなり、基材２９の主面が素体２０の主面２０Ｂとなる。また、基材２１～２９の側面が素体２０の側面２０Ｃとなる。
　本実施形態では、９つの基材２１～２９のうちの一部の基材は、９つの基材２１～２９のうちの当該一部の基材以外の基材に対して反転して積層される。図７に示す例では、基材２２～２９がキャリアフィルム１０１側の面を紙面下向きとして積層される一方で、基材２１がキャリアフィルム１０１側の面を紙面上向きとして積層される。これにより、図７に示すように、基材２２，２４，２５，２７，２８，２９に形成された内部電極４０及び識別マーク７０の各々が各基材２２，２４，２５，２７，２８，２９の上方に位置し、基材２１に形成された外部電極５０が基材２１の下方に位置する。
　（圧着工程）
　次に、圧着工程が実行される。圧着工程では、積層された各基材２１～２９が金型内で圧着される。
　各基材２１～２９が圧着されることによって、図８に示すように、内部電極４０が基材２２，２４，２５，２７，２８内へ入り込み、外部電極５０が基材２１内へ入り込み、識別マーク７０が基材２９内へ入り込む。これにより、識別マーク７０は、素体２０に埋設される。
　なお、圧着工程は実行されなくてもよい。この場合、識別マーク７０は、素体２０に埋設されない。
　（個片化工程）
　次に、個片化工程が実行される。個片化工程では、複数の素体２０が配列された積層体が、複数の素体２０に切断される。積層体の切断には、例えば、ダイシングソー、ギロチンカッタ、レーザ等が使用される。積層体の切断後、素体２０の角部および縁部は、例えばバレル加工等により研磨されてもよい（図２参照）。前記の研磨は、焼成工程後に実行されてもよい。
　（焼成工程）
　次に、焼成工程が実行される。焼成工程では、素体２０が焼成される。これにより、素体２０を構成する各基材２１～２９が硬化される。つまり、柔軟性のあるグリーンシートである各基材２１～２９が、硬化されて基板へ変質する（図２参照）。
　前述したように、識別マーク７０を構成する材料の熱収縮率は、基材２９を構成する材料の熱収縮率より低い。そのため、焼成工程において、識別マーク７０の収縮量は、基材２９の収縮量よりも小さい。よって、基材２９の識別マーク７０側への収縮は、識別マーク７０の外縁部７０Ａ（図８参照）によって阻害される。これにより、基材２９は、外縁部７０Ａ近傍において隆起する。この基材２９が隆起した部分が、第１部分６１（図１及び図３参照）である。
　また、焼成工程において、識別マーク７０に含まれるアルミナが基材２９へ拡散することによって、拡散層９０が形成される。
　また、焼成工程において、素体２０における識別マーク７０の周辺部（詳細には、素体２０において拡散層９０に対して識別マーク７０の反対側）では、素体２０における当該周辺部以外よりセルシアンが結晶化しにくい。これにより、素体２０において、当該周辺部に含まれるセルシアンの割合は、当該周辺部以外に含まれるセルシアンの割合より低くなる。素体２０における当該周辺部が第２層２９２に相当する。素体２０における当該周辺部以外が第１層２９１に相当する。
　（めっき層積層工程）
　次に、めっき層積層工程が実行される。めっき層積層工程では、外部電極５０に、公知のめっき処理が施される。これにより、図２に示すように、めっき層８０が、外部電極５０を覆うように積層される。
　図９は、本発明の実施形態に係るセラミック電子部品の製造過程の変形例において積層された複数の基材と識別マークが印刷されたフィルムとを示す断面図である。識別マーク７０は、転写工法によって基材２９に形成されてもよい。
　転写工法の場合、図９に示すように、転写シート１０３の主面１０３Ａに識別マーク７０が印刷される。その後、素体形成工程において、転写シート１０３の主面１０３Ａが基材２９側となるように、転写シート１０３が基材２９に積層される。これにより、識別マーク７０が、転写シート１０３から基材２９に転写される（図７参照）。
　前述したセラミック電子部品１０の製造方法では、熱収縮率の異なる素体２０及び識別マーク７０が焼成されることによって、素体２０に第１部分６１が形成される。しかし、第１部分６１が形成される製造方法は、これに限らない。
　例えば、圧着工程の前に、基材２９の主面の識別マーク７０及びその外周近傍を除く領域（言い換えると第２部分６２に対応する領域）に、熱によって焼失する材料からなるペーストが形成される。その後の圧着工程において、当該ペーストが基材２９に埋設される。その後の焼成工程において、当該ペーストが焼失する。これにより、当該ペーストが形成されていた領域に、当該ペーストが形成されていなかった領域に対して凹んだ第２部分６２が形成される。つまり、当該ペーストが形成されていなかった領域に、当該ペーストが形成されていた領域に対して隆起した第１部分６１が形成される。
　なお、前記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
　本発明は、適宜図面を参照しながら好ましい実施の形態に関連して充分に記載されているが、この技術に熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。
　　１０　セラミック電子部品
　　２０　素体
　２０Ｂ　主面（表面）
　　４９　内部電極（電極）
　　７０　識別マーク
　２９１　第１層
　２９２　第２層
　　Ｔ１　厚み
　　Ｔ２　最大厚み

Claims (4)

  1. 　セラミックを主材料とする素体と、
    　前記素体の表面に形成された識別マークと、を備え、
    　前記素体は、
    　バリウム及びケイ素を含んだ特定化合物を含む第１層と、
    　前記特定化合物を含み、前記識別マーク及び前記第１層の間に介在され、前記特定化合物の割合が前記第１層より低い第２層と、を備えるセラミック電子部品。
  2. 　前記素体は、セルシアンを含み、
    　前記識別マークは、アルミナを主材料とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
  3. 　前記第２層の厚みは、前記識別マークの最大厚みと同じまたは略同じである請求項１または２に記載のセラミック電子部品。
  4. 　前記素体は、前記第１層及び前記第２層の間に介在された電極を備える請求項１から３のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
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JPH11121887A (ja) * 1997-10-21 1999-04-30 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック配線基板とその製造方法
JP2009200168A (ja) * 2008-02-20 2009-09-03 Tdk Corp セラミック電子部品、セラミック電子部品の製造方法、及びセラミック電子部品の梱包方法
JP2012015433A (ja) * 2010-07-05 2012-01-19 Murata Mfg Co Ltd 多層セラミック基板

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