JP2009252930A - 静電気対策部品およびこの静電気対策部品を備えた発光ダイオードモジュール - Google Patents

Abstract

【課題】焼成の際のセラミック基板とバリスタ層の熱収縮挙動の違いなどから発生する反りを低減し、実装信頼性が向上した薄型構成の静電気対策部品を提供することが課題であった。
【解決手段】この課題を解決するために、セラミック基板１とバリスタ層３とガラスセラミック層２を有する静電気対策部品において、製造時の反り解消用として、セラミック基板のバリスタ層を設けた面と反対側の面にガラスセラミック層４を設けた構成とするものである。
【選択図】図１

Description

本発明は電子機器を静電気から保護する静電気対策部品およびこの静電気対策部品と発光ダイオード素子とを備えた発光ダイオードモジュールに関するものである。

従来から、小型の携帯機器などの電子機器に搭載される薄型の静電気対策部品として、セラミック基板とバリスタ層からなる静電気対策部品が知られている。

図５に従来の静電気対策部品の断面図を示す。

図５に示すように、従来の静電気対策部品は、セラミック基板１１と、バリスタ層１２と、導体層１３と、端子電極１４から構成されている。

その製造方法としては、まずセラミック基板１１の上に銀などの導電材料により導体層１３を形成し、その上にバリスタ材料からなるバリスタ層１２を焼成することにより形成する。

そして、このバリスタ層１２の上に導体層１３を設けてバリスタ層１２を導体層１３で上下に挟み込むことでバリスタ素子が形成されている。

さらに、バリスタ素子の両端に導体層１３と接続するように端子電極１４が設けられ、バリスタ特性を有する静電気対策部品となっている。

この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば特許文献１が知られている。
特開２００５−１９１２０５号公報

ここで、上述したように、静電気対策部品はセラミック基板１１上にバリスタ層１２を形成する際に、セラミック基板１１及びバリスタ層１２を接着させて焼成する工程を含み、この焼成の際のセラミック基板１１とバリスタ層１２の熱収縮挙動の違いなどから、焼成後の静電気対策部品に反りが発生し、この反りにより静電気対策部品に対する保護対象部品の実装信頼性や静電気対策部品の基板に対する実装信頼性が低下するという問題があった。

この問題を解決する方法としては、セラミック基板１１のバリスタ層１２とは反対側の面に、バリスタ層１２と同じ材質であり、同じ厚さのダミー層を設ける方法が考えられる。

しかしながら、上記の方法は、バリスタ層と同じ厚さ分のダミー層を設ける必要があるので、静電気対策部品の薄型化の妨げになってしまうという課題があった。

本発明は、上記課題を解決するものであり、焼成工程による反りを解消した薄型構成が可能な静電気対策部品、及びこの静電気対策部品を備えた発光ダイオードモジュールの提供を目的とするものである。

上記の目的を達成するために、本発明の静電気対策部品及びこの静電気対策部品を備えた発光ダイオードモジュールは、以下の構成を有するものとなっている。

請求項１記載のものは、セラミック基板と、このセラミック基板の一方の面に設けられたバリスタ層と、このバリスタ層の前記セラミック基板が設けられた面と反対側の面に設けられた第１ガラスセラミック層と、前記バリスタ層の内部に形成された内部導体層と、この内部導体層と電気的に接続された端子電極とを有した静電気対策部品において、前記セラミック基板の前記バリスタ層が設けられた面と反対側の面に第２ガラスセラミック層を設けて構成した静電気対策部品である。

請求項２記載のものは、請求項１記載の静電気対策部品において、端子電極を、前記第１ガラスセラミック層から前記第２ガラスセラミック層にかけて貫通するビア電極と、前記第１ガラスセラミック層の前記バリスタ層が設けられた面と反対側の面及び前記第２ガラスセラミック層の前記セラミック基板が設けられた面と反対側の面に位置する主面電極とから構成したものである。

請求項３記載のものは、請求項１記載の静電気対策部品において、端子電極を、各層を貫通する複数のビア電極と、層の界面に位置し、異なる位置に配置された前記ビア電極間を接続するビア接続電極と、前記第１ガラスセラミック層の前記バリスタ層が設けられた面と反対側の面及び前記第２ガラスセラミック層の前記セラミック基板が設けられた面と反対側の面に位置する主面電極とから構成したものである。

請求項４記載のものは、請求項１記載の静電気対策部品において、第２ガラスセラミック層の焼結完了温度を、前記第１ガラスセラミック層の焼結完了温度より低くし、この温度差が５０℃以上１５０℃以下として構成したものである。

請求項５記載のものは、請求項１記載の静電気対策部品において、第２ガラスセラミック層の熱膨張係数と前記セラミック基板の熱膨張係数との差が、第２ガラスセラミック層の熱膨張係数の１０％以内として構成したものである。

請求項６記載のものは、請求項１記載の静電気対策部品において、セラミック基板を、少なくとも酸化アルミニウムもしくは窒化アルミニウムを含んで構成したものである。

請求項７記載のものは、請求項１記載の静電気対策部品と、前記第２ガラスセラミック側の面に設けられ、前記端子電極と電気的に接続された発光ダイオード素子とから構成した発光ダイオードモジュールである。

以上のように本発明は、セラミック基板のバリスタ層と反対側の面にガラスセラミック層を設けた構成としているので、薄型で、製造工程時の焼結による反りが小さく、実装信頼性の高い静電気対策部品とすることができる。

以下、本発明の実施の形態について図を用いて説明する。尚、同様の内容についてはその説明を省略して説明する。

（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて、本発明の特に請求項１、及び４−６に記載の発明について説明する。

図１は本発明の一実施の形態における静電気対策部品の断面図である。

図１において、１はセラミック基板、２は第１ガラスセラミック層、３はバリスタ層、４は第２ガラスセラミック層、５は内部導体層、６は端子電極を示す。

その構成は、セラミック基板１の上面に第２ガラスセラミック層４が設けられ、セラミック基板１の下面にバリスタ層３が設けられ、バリスタ層３の下面に第１ガラスセラミック層２が設けられ、バリスタ層３の内部に上下に対向する１対の内部導体層５が設けられ、静電気対策部品の主面に位置する主面電極６ａと端面に位置する端面電極６ｂとからなる端子電極６が内部導体層５とそれぞれ接続されており、バリスタ特性を有する構成となっている。

次に、この図１に示した構成を有する静電気対策部品の作製方法の一例について説明する。

まずセラミック基板１を準備する。

次に、バリスタ層３となるバリスタグリーンシートを以下のように作製する。

まずバリスタ粉末、例えば酸化亜鉛、酸化ビスマス、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化アンチモンを混合した粉末を準備する。次に上記のバリスタ粉末を、樹脂バインダ、可塑剤とともに溶剤中で混合し、バリスタスラリーを得る。次に、バリスタスラリーをドクターブレード法などの方法によりＰＥＴフィルム上にシート成形し、バリスタグリーンシートを得る。

次に、第１ガラスセラミック層２となる第１ガラスセラミックグリーンシートを以下のように作製する。

まず、原料となる第１ガラスセラミック粉末を樹脂バインダ、可塑剤とともに溶剤中で混合し、第１ガラスセラミックスラリーを得る。次に、第１ガラスセラミックスラリーをドクターブレード法などの方法によりＰＥＴフィルム上にシート成形し、第１ガラスセラミックグリーンシートを得る。

そして、第２ガラスセラミック層４となる第２ガラスセラミックグリーンシートも同様に以下のように作製する。

まず、原料となる第２ガラスセラミック粉末、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｂａ等の元素を含む粉末を樹脂バインダ、可塑剤とともに溶剤中で混合し、第２ガラスセラミックスラリーを得る。次に、第２ガラスセラミックスラリーをドクターブレード法などの方法によりＰＥＴフィルム上にシート成形し、第２ガラスセラミックグリーンシートを得る。

この得られたバリスタグリーンシートに、例えば導体ペーストをスクリーン印刷することにより、内部導体層５を形成する。

内部導体層５を形成したバリスタグリーンシートを少なくとも２枚、また内部導体層５を形成していないバリスタグリーンシートを数枚用い、内部導体層５が面上に露出しないように、熱プレスなどの方法により積層して、バリスタ層３を形成する。

またさらに、バリスタ層３の一方の面に、第１ガラスセラミックグリーンシートを熱プレスなどの方法により積層し、バリスタ複合積層体を形成する。

次に、セラミック基板１の一方の面に、必要に応じて樹脂接着層などを用い、バリスタ複合積層体のバリスタ層３側の面を接着させる。

また、セラミック基板１の他方の面に、同様に必要に応じて樹脂接着層などを用い、第２ガラスセラミックグリーンシートを接着させる。ここで、上記の樹脂接着層は、焼成前にセラミック基板１と他の層を接着固定させておくものであって、後述の焼成過程でその成分が全て消失してしまうものでもかまわない。

そうして製造されたものを、４００〜５００℃程度の温度で脱バインダを行い、８００〜１０００℃の温度で焼成する。

焼成して出来上がったものを、必要に応じて切断や研磨等により、対向する内部導体層５の端部がそれぞれ端面に露出するようにする。その後、それぞれの内部導体層５に端面電極６ｂが接続するように、端子電極６を形成する。

尚、ここでは主面電極６ａと端面電極６ｂが一体成形されて端子電極６が形成されている。

以上のような工程を経て製造された図１に示す静電気対策部品は、焼成工程による反りの解消用にガラスセラミック層（第２ガラスセラミック層４）を用いているので、ダミー層を用いる場合に比べて薄型の静電気対策部品とすることが可能となる。

つまり、反り解消用にダミー層を用いた場合には、内部導体層５は必要ないものの、バリスタ層３と第１ガラスセラミック層２と同じものを同じ厚さ分だけ設けなければいけないのに対し、ガラスセラミック層（第２ガラスセラミック層４）を用いた場合は、ガラスセラミック層の性質を適宜選択することによって、同じ効果をダミー層よりも薄い層で発揮することが可能となる。

ここで、上記の第２ガラスセラミック粉末を、上記の第１ガラスセラミック粉末よりも、焼成時の焼結完了温度が低いものとすることで、さらなる反りの解消効果を発揮することが可能となる。

つまり、第２ガラスセラミック層４のほうが第１ガラスセラミック層２より焼成時に早く焼結が完了し、焼成工程の早い段階でセラミック基板１の形状を支配できるので、バリスタ層３および第１ガラスセラミック層２が焼結する際に発生する反りを効率よく抑制することができる。

特に、第１ガラスセラミック粉末の焼結完了温度と第２ガラスセラミック粉末の焼結完了温度の差は、５０℃以上であることがより望ましい。

そうすることで、第１ガラスセラミック層２の焼成がほとんど開始されないうちに第２ガラスセラミック層４の焼結が完了するため、第２ガラスセラミック層４による形状支配が強くなるので、第２ガラスセラミック層４をより薄くすることが可能となる。

また、上記の第１ガラスセラミック粉末の焼結完了温度と第２ガラスセラミック粉末の焼結完了温度の差は、１５０℃以下であることが望ましい。

１５０℃以上の差があると、第１ガラスセラミック層２の焼結が完了したときには、第２ガラスセラミック層４は過焼結状態となっており、第２ガラスセラミック層４がセラミック基板１から剥離してしまうという現象が起こる。

また、第２ガラスセラミック層４の熱膨張係数は、セラミック基板１の熱膨張係数と近いことが望ましく、その差は望ましくは１０％以内、より望ましくは５％以内である。

両者の熱膨張係数差が大きいと、焼成後室温まで降温する過程において、第２ガラスセラミック層４とセラミック基板１の界面において応力が発生し、第２ガラスセラミック層４にクラックが入ったり、第２ガラスセラミック層４がセラミック基板１から剥離してしまったりする問題を生じやすい。

また、セラミック基板１はバリスタ層３よりも強度の強いものが望ましい。通常バリスタは、強度が弱く脆いことから薄型化が困難であるが、強度の強いセラミック基板１でバリスタ層３を保護することにより、バリスタ層３をより薄くすることが可能となる。

また、セラミック基板１の材質としては、特に限定されるものではないが、主成分として酸化アルミニウムや窒化アルミニウムを含むことが望ましい。

酸化アルミニウムもしくは窒化アルミニウムを含むことで、強度が高い上に熱伝導率の高い静電気対策部品とすることができる。

セラミック基板１の熱伝導率を高くすることによる利点としては、例えば後述する発光ダイオード素子などの静電気保護対象となる電子部品が発熱し、その熱を効率的に逃がすことが必要な場合、この静電気対策部品が、熱対策も備えた部品として機能するという効果がある。

（実施の形態２）
以下、実施の形態２を用いて、本発明の特に請求項２に記載の発明について説明する。

図２は本発明の一実施の形態における静電気対策部品の断面図である。

図２の静電気対策部品は、実施の形態１で記述した静電気対策部品において、端子電極６を、第１ガラスセラミック層２の外表面から第２ガラスセラミック層４の外表面にかけて、つまり静電気対策部品を主面からもう一方の主面へ貫通するビア電極６ｃと、それぞれの主面に位置する主面電極６ａから構成したもので、内部導体層５がビア電極６ｃに接続し、ビア電極６ｃがそれぞれの主面電極６ａと主面において接続することで、内部導体層５と端子電極６が電気的に接続された状態となっている。

以下、図２に示す静電気対策部品の製造方法の一例を示す。

まずセラミック基板１を準備する。ここでのセラミック基板１は、ビア電極６ｃを形成するための孔が設けられている必要がある。孔を有するセラミック基板１を作製する方法としては、例えばセラミック基板１にレーザーを用いて孔あけ加工する方法がある。

次に、バリスタグリーンシート、第１ガラスセラミックグリーンシート、第２ガラスセラミックグリーンシートを作製するが、この方法については、実施の形態１に記述した方法と同じである。

次に、各グリーンシートに、ビア電極６ｃを形成するための孔を形成する。この方法としては、例えば円筒状の金属製の刃をグリーンシートに刺し、ＰＥＴフィルムごと孔を開ける方法がある（パンチャー法）。

このパンチャー法による孔あけ加工は、グリーンシートを用いた製法に適用できる孔あけ方法であって、レーザーによる孔あけ加工に比べて安価に実施することができ、また１つの孔を短時間に形成できるので、量産性向上及び低コスト化を促進することができる。

また、それぞれの層で任意にビア電極６ｃを形成することができ、各層での配線パターンの自由度が高く、内部に様々な配線パターンを形成しても、プレスにより最終的に凹凸の無い平坦なデバイスとできることも特徴である。

そして孔あけ加工後、セラミック基板１や各グリーンシートにビア電極６ｃを形成する。一例としては、導体ペーストを、それぞれの孔に埋め込む方法がある。ただし、セラミック基板１の孔に導体ペーストを埋め込む場合、セラミック基板１の表面に導体ペーストが付着しないように、セラミック基板１と同じ孔を配したスクリーン版などを用い、スクリーン印刷と同様の方法にて、ペーストを孔に流入させるようにする。また、グリーンシートの孔にペーストを埋め込む際には、ＰＥＴフィルム側からペーストを孔に流入させるようにすれば、グリーンシート表面にほとんど導体ペーストが付着することなくビア電極６ｃを形成できる。

次に、ビア電極６ｃつきのバリスタグリーンシートに、例えば導体ペーストをスクリーン印刷することにより、内部導体層５を形成する。

この内部導体層５を形成したビア電極付きバリスタグリーンシートを少なくとも２枚、また内部導体層５を形成していないビア電極付きバリスタグリーンシートを数枚用い、内部導体層５が面上に露出しないように、熱プレスなどの方法により積層して、バリスタ層３を形成する。またさらに、バリスタ層３の一方の面に、ビア電極付き第１ガラスセラミックグリーンシートを熱プレスなどの方法により積層し、バリスタ複合積層体を形成する。

次に、セラミック基板１の一方の面に、必要に応じて樹脂接着層などを用い、バリスタ複合積層体のバリスタ層３側の面を接着させる。また、セラミック基板１の他方の主面に、同様に必要に応じて樹脂接着層などを用い、ビア電極つき第２ガラスセラミックグリーンシートを接着させる。ここで、上記の樹脂接着層は、焼成前にセラミック基板１と他の層を接着固定させておくものであって、後述の焼成過程でその成分が全て消失してしまうものでもかまわない。

また、ビア電極６ｃの端部と接続するように、それぞれの主面に主面電極６ａを形成する。この主面電極６ａは、上記製造工程において、積層前のグリーンシートの段階でスクリーン印刷等の方法により形成しておいてもよいし、セラミック基板１に各層を接着させた後に形成してもよく、また後述する焼成の後に形成する方法でもかまわない。

そうして製造されたものを、４００〜５００℃程度の温度で脱バインダを行い、８００〜１０００℃の温度で焼成する。

以上のような工程を経て静電気対策部品が製造される。

このようにして得られた静電気対策部品は、実施の形態１で述べた効果以外に、さらに以下のような効果を発揮するものである。

まず、端子電極６が部品の端面に形成されず、静電気対策部品の内部に形成されたビア電極６ｃと、主面に形成された主面電極６ａから構成されているので、端子電極６の端面電極６ｂの分だけ静電気対策部品の実装面積を小さくすることが可能となる。

また、第１ガラスセラミック層２上にＬＥＤ等の部品を実装した場合等において、そのＬＥＤ等が発生する熱をより早く放熱させることが可能となる。

つまり、ビア電極６ｃはその径を大きくしたとしても、静電気対策部品の実装面積の増減に影響を与えることがないので、静電気対策部品の実装面積を小さくすることが要求されている場合に、端面電極６ｂに比べてビア電極６ｃは径を大きくすることができ、またＬＥＤ等の部品のより近傍、望ましくは直下に配置することができるので、より放熱性に優れた静電気対策部品とすることができる。

そしてこの放熱性は、ビア電極６ｃの径が大きいほど高く、また発熱体とビア電極６ｃとの間の距離が短いほど高くなる。

尚、ビア電極６ｃの形状は円柱、直方体等様々な形状とすることが可能である。

（実施の形態３）
以下、実施の形態３を用いて、本発明の特に請求項３に記載の発明について説明する。

図３は本発明の一実施の形態における静電気対策部品の断面図である。

図３の静電気対策部品は、実施の形態２で記述した図２の静電気対策部品において、ビア電極６ｃが主面からもう一方の主面まで直線状に配置されておらず、各層を貫通するビア電極が、上下に隣接する層におけるビア電極６ｃと水平方向に異なる位置に配置されて形成されている。

そして、それぞれの層を貫通するビア電極６ｃのうち、上下に隣り合うビア電極６ｃ同士を、層の界面に形成されたビア接続導体層６ｄによって層間で電気的に接続させ、端子電極６と内部導体層５が電気的に接続されているものである。

この図３に示す静電気対策部品の製造方法は、実施の形態２で示した製造過程において、バリスタ複合積層体を作製する際や、セラミック基板１に各層を接着させる際に、ビア電極６ｃが上下の層で位置が一致しない箇所に、積層前にその界面にあらかじめ導体ペーストをスクリーン印刷法などにより印刷し、上下のビア電極６ｃが電気的に接続されるようにビア接続導体層６ｄを形成しておくことで製造可能である。

この本実施の形態の静電気対策部品は、実施の形態２で示した静電気対策部品と同様の効果に加えて、一方の主面側と他方の主面側とで任意に主面電極６ａの位置を変えることができるので、電子機器に搭載した際に、第１ガラスセラミック層側に接続する電極と第２ガラスセラミック層側に接続する電極の位置がずれていたとしても、そのずれに対応可能な静電気対策部品とすることができる。

（実施の形態４）
以下、実施の形態４を用いて、本発明の特に請求項７に記載の発明について説明する。

図４は本発明の一実施の形態における発光ダイオードモジュールの断面図である。

図４の発光ダイオードモジュールは、発光ダイオード素子７に実施の形態１で示した図１の静電気対策部品を適用したもので、発光ダイオード素子７は、第２ガラスセラミック層４のセラミック層１が設けられた面と反対側の面に主面電極６ａを介して設けられている。

発光ダイオード素子７の静電気対策部品上への実装方法については、特に限定されるものではないが、例えば以下の方法がある。

１つは、静電気対策部品の一主面に設けられた主面電極６ａと、発光ダイオード素子７の下部に設けられた端子電極との間に導体ボールを挟んで熱などを加えることによってバンプ電極を形成し、この電極により静電気対策部品と発光ダイオード素子７を電気的機械的に接続する方法である。

またもう１つは、静電気対策部品の主面と発光ダイオード素子７の下部を接着剤等で固定させ、静電気対策部品の端子電極６と発光ダイオード素子７の端子電極をワイヤーボンディングにより電気的に接続させる方法である。

このようにして製造された発光ダイオードモジュールは、実施の形態１で述べた静電気対策部品を用いていることから、静電気に強い薄型で実装信頼性の高い発光ダイオードモジュールとすることができる。

また、静電気対策が発光ダイオードモジュール内で実現できるので、新たに外部に静電気対策部品を設ける必要が無く、実装面積を小さくすることができるという効果も有する。

さらに、静電気対策が発光ダイオード素子の下部で実現できていることから、発光ダイオード素子の横に静電気対策部品を設ける場合に比べ、実装面積が小さく、また発生する光が部分的に静電気対策部品に妨げられることもなく、等方的に光を供給できるという効果も有する。

ここで、本発明における静電気対策部品は、発光素子等に適用した場合にその発光効率を向上させることができるという効果も有している。

つまり、ダミー層はバリスタの色の影響でその表面が黒色であるのに対して、ガラスセラミック層はその表面をほぼ白色とすることができるので、反り解消用にガラスセラミック層を用い、このガラスセラミック層の上に発光素子を設けた場合、発光素子の下部へ放出された光も、反射によって利用することができ、発光効率を上昇させることが可能となる。

光の反射率としては、６０％以上とすることが可能となる。

以上本実施の形態では、図１に示す静電気対策部品を用いた発光ダイオードモジュールについて説明したが、図２及び図３に示す静電気対策部品を用いた場合には、上記の効果に加えて、さらに実装面積を小さくすることが可能であり、また発光ダイオード素子が発する熱を効率よく放熱することのできる発光ダイオードモジュールとすることができる。

以上のように本発明は、携帯機器に代表される電子機器内部の、発光ダイオード素子などの電子部品の静電気対策部品として、薄型で反りが少なく実装信頼性が高いものを提供することが可能となる。

本発明の一実施の形態における静電気対策部品の断面図 本発明の一実施の形態における静電気対策部品の断面図 本発明の一実施の形態における静電気対策部品の断面図 本発明の一実施の形態における発光ダイオードモジュールの断面図 従来の静電気対策部品の断面図

符号の説明

１ セラミック基板
２ 第１ガラスセラミック層
３ バリスタ層
４ 第２ガラスセラミック層
５ 内部導体層
６ 端子電極
６ａ 主面電極
６ｂ 端面電極
６ｃ ビア電極
６ｄ ビア接続導体層
７ 発光ダイオード素子

Claims (7)

1. セラミック基板と、このセラミック基板の一方の面に設けられたバリスタ層と、このバリスタ層の前記セラミック基板が設けられた面と反対側の面に設けられた第１ガラスセラミック層と、前記バリスタ層の内部に形成された内部導体層と、この内部導体層と電気的に接続された端子電極とを有する静電気対策部品であって、前記セラミック基板の前記バリスタ層が設けられた面と反対側の面に第２ガラスセラミック層を設けた静電気対策部品。
2. 端子電極は、前記第１ガラスセラミック層から前記第２ガラスセラミック層にかけて貫通するビア電極と、前記第１ガラスセラミック層の前記バリスタ層が設けられた面と反対側の面、及び前記第２ガラスセラミック層の前記セラミック基板が設けられた面と反対側の面に位置する主面電極とから構成される請求項１記載の静電気対策部品。
3. 端子電極は、各層を貫通する複数のビア電極と、層の界面に位置し、異なる位置に配置された前記ビア電極間を接続するビア接続電極と、前記第１ガラスセラミック層の前記バリスタ層が設けられた面と反対側の面及び前記第２ガラスセラミック層の前記セラミック基板が設けられた面と反対側の面に位置する主面電極とから構成される請求項１記載の静電気対策部品。
4. 第２ガラスセラミック層の焼結完了温度は、前記第１ガラスセラミック層の焼結完了温度より低く、この温度差が５０℃以上１５０℃以下である請求項１記載の静電気対策部品。
5. 第２ガラスセラミック層の熱膨張係数と前記セラミック基板の熱膨張係数との差が前記第２ガラスセラミック層の熱膨張係数の１０％以内である請求項１記載の静電気対策部品。
6. セラミック基板は、少なくとも酸化アルミニウムもしくは窒化アルミニウムを含んで構成されている請求項１記載の静電気対策部品。
7. 請求項１記載の静電気対策部品と、前記第２ガラスセラミック側の面に設けられ、前記端子電極と電気的に接続された発光ダイオード素子とを有する発光ダイオードモジュール。

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