JP2012033616A - チップバリスタ - Google Patents

Abstract

【課題】素体の反りを抑制し、寸法精度のよいチップバリスタを提供すること。
【解決手段】チップバリスタ１は、互いに対向する主面１１ａ，１１ｂを有するバリスタ素体１１と、バリスタ素体１１内に配置され、一部が互いに対向する内部電極１３，１５と、主面１１ａの両端側に配置された外装電極１７，１９と、外装電極１７，１９を連結するように配置された抵抗体２１と、抵抗体２１が配置された主面１１ａを覆うように配置されたガラス層２３と、主面１１ｂを覆うように配置されたガラス層２５と、ガラス層２３，２５よりも薄い層であって、素体３全体を覆うように配置された絶縁層５と、素体３の一端を覆うように配置され、内部電極１３と外装電極１７とに接続される外部電極７と、素体３の他端を覆うように配置され、内部電極１５と外装電極１９とに接続される外部電極９とを備える。
【選択図】図２

Description

本発明は、チップバリスタに関するものであり、特に抵抗体が一体化されたチップバリスタに関する。

電圧非直線特性（バリスタ特性）を発現するバリスタに抵抗体を一体化させたチップバリスタが知られている（例えば、特許文献１参照）。このような抵抗付きのチップバリスタでは、抵抗体が外部電極間を連結するようにバリスタ部上面に抵抗体が形成される構成となっている。

特許第３０９７３３２号公報

このような抵抗付きのチップバリスタにおいて小型化の要求が強まってきており、例えば、１００５タイプ（長さ１．０ｍｍ×高さ０．５ｍｍ×幅０．５ｍｍ）といったような極小サイズのチップバリスタが望まれるようになってきている。ところが、チップバリスタが小型化されるにつれて、その素体の厚みも薄くなり、製造時の熱処理（焼成等）により素体が反ってしまう場合があった。このため、所定の寸法のチップバリスタを製造することが難しいといった問題があった。

本発明は、素体の反りを抑制し、寸法精度のよいチップバリスタを提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明に係るチップバリスタは、互いに対向する第一及び第二の主面を有するバリスタ素体と、バリスタ素体内に配置され、第一及び第二の主面の対向方向において一部が互いに対向する第一及び第二の内部電極と、バリスタ素体の第一の主面の両端側それぞれに配置された第一及び第二の外装電極と、第一及び第二の外装電極を連結するように第一の主面に配置された抵抗体と、抵抗体が配置された第一の主面を覆うように第一の主面に配置された第一のガラス層と、第二の主面を覆うように第二の主面に配置された第二のガラス層と、第一及び第二のガラス層よりも薄い層であって、バリスタ素体と第一及び第二の外装電極と抵抗体と第一及び第二のガラス層とを含んで構成される素体全体を覆うように素体の外表面に配置された絶縁層と、素体の一端を覆うように配置され、且つ、第一の内部電極と第一の外装電極とに接続される第一の外部電極と、素体の他端を覆うように配置され、且つ、第二の内部電極と第二の外装電極とに接続される第二の外部電極と、を備えている。

本発明に係るチップバリスタでは、バリスタ素体の第一及び第二の主面それぞれに第一又は第二のガラス層が配置され、これら一対のガラス層によってバリスタ素体が挟み込まれる構成となっている。このため、所定の強度を有するガラス層によってバリスタ素体の反りが抑止され、寸法精度のよいチップバリスタを得ることができる。また、一対のガラス層によって挟み込まれる構成であるため、チップバリスタが小型化・薄型化した場合であっても、その強度を高めに保つことができる。

また、バリスタ素体は、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を主成分として構成されるため相対的に脆い構造となっているが、本発明に係るチップバリスタでは、一対のガラス層によってバリスタ素体が挟み込まれる構成となっているため、バリスタ素体が両面から支えられるようになっている。このため、製造時等において多数のバリスタ素体に対応するシート積層体から切断によって個々のバリスタ素体又は素体を得ようとした際、バリスタ素体に欠けが発生してしまうといったことを防止できる。これにより、バリスタ素体における欠落を抑制したチップバリスタを得ることができる。

また、本発明に係るチップバリスタでは、絶縁層によって素体全体を覆うようになっている。この場合、バリスタ素体や抵抗体等へ外部電極を構成するメッキ等が入り込むといったことが防止できる。これにより、例えばバリスタ素体等へメッキが入り込むことによるバリスタ特性の低下等を防止できる。

また、本発明に係るチップバリスタでは、本来的なバリスタ部に加え、抵抗体も備えているため、静電気等のサージによりバリスタ部で一時的に発熱が生じるだけでなく、抵抗体において、発熱（ジュール熱）が継続的に生じることになる。ところが、本発明に係るチップバリスタでは、上述したように、一対のガラス層によってバリスタ素体が挟み込まれる構成にすぎず、バリスタ素体の側面にはガラス層がなく極薄の絶縁膜が配置される構成となっている。このように、薄い絶縁層でバリスタ素体の側面を覆う構成であるため、素体側面から、上述した熱の放出を図ることもできる。これにより、良好な放熱性を有するチップバリスタを得ることができる。

本発明に係るチップバリスタにおいて、第一及び第二のガラス層それぞれの厚みがバリスタ全体の厚みの１％以上であることが好ましい。この場合、バリスタ素体の反りを一層抑制することができる。また、第一及び第二のガラス層それぞれの厚みが５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。このように、ガラス層の厚みが５μｍ以上であることから、バリスタ素体の反りを一層抑制することができ、その一方、ガラス層の厚みが３０μｍ以下であることから、バリスタ全体の厚みを薄くして、小型・薄型のチップバリスタを得ることができる。

本発明に係るチップバリスタにおいて、第一及び第二のガラス層それぞれの厚みが略同一であることが好ましい。この場合、バリスタ素体を挟持する各ガラス層からバリスタ素体にかかる応力が略同程度となるため、バリスタ素体の反りを均一に抑制できる。

本発明に係るチップバリスタにおいて、第一及び第二の外装電極は、バリスタ素体の第一の主面に導電性ペーストを印刷又は転写した後、バリスタ素体と同時焼成することによって形成されていることが好ましい。この場合、両外装電極が印刷又は転写により形成されるため、外装電極間の距離を精度よいものとすることができ、これにより、外装電極間を連結する抵抗体による抵抗値を所定の値にすることが可能となる。つまり、抵抗体による抵抗値のばらつきを抑えることができる。

本発明に係るチップバリスタにおいて、バリスタ素体は焼成によって形成されており、抵抗体は、バリスタ素体の第一の主面に抵抗体ペーストを印刷又は転写した後、焼き付けることによって形成されていることが好ましい。また、抵抗体がＲｕＯ_２とＡｇとを含んでおり、バリスタ素体はＡｇを含んでいないことが好ましい。この場合、バリスタ素体内にＡｇ等が拡散しないことになるため、拡散したＡｇ等によってバリスタ特性が低下してしまうといったことを予防できる。

本発明に係るチップバリスタにおいて、第一及び第二の外装電極が第一のガラス層によって覆われていることが好ましい。この場合、外部電極を構成するメッキ等が外装電極へ入り込むといったことが一層抑制され、抵抗体による抵抗値の経時変化を少なくすることができる。

本発明に係るチップバリスタにおいて、第一及び第二の外装電極はＰｄを含み、第一及び第二の外部電極がＡｇを含むことが好ましい。この場合、カーケンドール効果により、外装電極と外部電極との間での接触を確実なものとすることができる。

本発明に係るチップバリスタにおいて、第一及び第二の外装電極と第一及び第二の内部電極とが同じ材料から構成されていることが好ましい。この場合、外装電極と内部電極とをバリスタ素体と一体で焼成することが容易に行える。

本発明によれば、素体の反りを抑制し、寸法精度のよいチップバリスタを提供することができる。

本実施形態に係るチップバリスタを示す斜視図である。 図１におけるＩＩ−ＩＩ線断面図である。 図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。 素体における抵抗体や内部電極を模式的に示すための斜視図である。 図１に示したチップバリスタの等価回路図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、図示の便宜上、図面の寸法比率は図示の値に限定されず、また説明のものと必ずしも一致しない。

まず、図１〜図４を参照して、チップバリスタ１について説明する。チップバリスタ１は、略直方体形状の素体３と、素体３の外表面の略全体を覆う絶縁層５と、絶縁層５によって覆われた素体３の両端部それぞれを覆うように配置される第一及び第二の外部電極７，９と、を備えている。チップバリスタ１は、抵抗体２１とバリスタ部３７とが並列に接続される抵抗付きの積層型チップバリスタ（図５参照）である。このようなチップバリスタ１は、例えば、図１のＹ方向における長さが１．０ｍｍ、Ｚ方向における高さが０．５ｍｍ、Ｘ方向における幅が０．５ｍｍといった極小サイズ（いわゆる１００５タイプ）である。

素体３は、図２〜図４に示されるように、略直方体形状のバリスタ素体１１と、バリスタ素体１１内に配置される第一及び第二の内部電極１３，１５と、バリスタ素体１１の図示上面１１ａに配置される第一及び第二の外装電極１７，１９と、第一及び第二の外装電極１７，１９を連結する抵抗体２１と、バリスタ素体１１を挟むように配置される第一及び第二のガラス層２３，２５と、を備えている。なお、素体３は、互いに対向し且つ略長方形状の主面３ａ，３ｂと、互いに対向し且つ略正方形状の端面３ｃ，３ｄと、互いに対向し且つ略長方形状の側面３ｅ，３ｆと、を有している。端面３ｃ，３ｄ及び側面３ｅ，３ｆは、主面３ａ，３ｂ間を連結するように伸びている。

バリスタ素体１１は、略直方体形状であり、互いに対向し且つ略長方形状の主面１１ａ，１１ｂと、互いに対向し且つ略長方形状の端面１１ｃ，１１ｄと、互いに対向し且つ略長方形状の側面１１ｅ，１１ｆと、を有している。端面１１ｃ，１１ｄ及び側面１１ｅ，１１ｆは、主面１１ａ，１１ｂ間を連結するように伸びている。なお、端面１１ｃ，１１ｄは、素体３の端面３ｃ，３ｄの中央部を構成し、側面１１ｅ，１１ｆは、素体３の側面３ｅ，３ｆの中央部を構成する。

バリスタ素体１１は、バリスタ層３１，３３，３５から構成される。各バリスタ層３１，３３，３５は、例えば主成分として酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含み、副成分としてビスマス（Ｂｉ）及びプラセオジム（Ｐｒ）を含む半導体セラミック層を、両主面１１ａ，１１ｂの対向方向に所定数（少なくとも一層）、積層することによってそれぞれ形成される。各バリスタ層３１，３３，３５を構成する半導体セラミック層は、Ａｌ等の微量添加物を含んでいてもよい。なお、以下、主面１１ａ，１１ｂの対向方向を積層方向として説明する場合もある。

第一及び第二の内部電極１３，１５は、それぞれ略長方形状をなしており、例えば厚さが０．５μｍ〜５μｍに設定されている。第一及び第二の内部電極１３，１５は、積層方向において、バリスタ素体１１を構成するバリスタ層３３を間に挟むように、互いの先端側の部分１３ａ，１５ａが互いに対向するように配置される。第一及び第二の内部電極１３，１５が対向する部分によりバリスタ特性を発現するバリスタ部３７が形成される。

第一及び第二の内部電極１３，１５は、基端側の部分１３ｂ，１５ｂが素体３（バリスタ素体１１）の端面３ｃ，３ｄ（１１ｃ，１１ｄ）にそれぞれ露出するように形成されている。第一及び第二の内部電極１３，１５は、例えばパラジウム（Ｐｄ）を含む導電性ペーストの焼結体から構成される。

第一及び第二の外装電極１７，１９は、それぞれ略長方形状をなしており、例えば厚さが０．５μｍ〜５μｍに設定されている。第一及び第二の外装電極１７，１９は、図４の点線で示されるように、バリスタ素体１１の主面１１ａの両端面１１ｃ，１１ｄ側にそれぞれ配置されている。第一及び第二の外装電極１７，１９は、基端側の部分１７ｂ，１９ｂが素体３の端面３ｃ，３ｄにそれぞれ露出するように形成されている。

第一及び第二の外装電極１７，１９は、例えばパラジウム（Ｐｄ）を含む導電性ペーストを、焼成前のバリスタ素体１１の主面１１ａに印刷又は転写により塗布し、その後、バリスタ素体１１と同時焼成することによって形成される。印刷又は転写により導電性ペーストが塗布されるため、第一及び第二の外装電極１７，１９間の距離Ｌ（図４参照）の精度を高くすることができる。

抵抗体２１は、第一及び第二の外装電極１７，１９を連結するようにバリスタ素体１１の主面１１ａ上に配置される。抵抗体２１は、焼成後のバリスタ素体１１の主面１１ａに抵抗体ペーストを印刷又は転写により塗布し、その後、焼き付けることによって形成される。抵抗体２１を形成するための抵抗体ペーストは、例えば主成分として酸化ルテニウム（ＲｕＯ_２）を含み、副成分として銀（Ａｇ）を含んでいる。焼成後のバリスタ素体１１に抵抗体ペーストを印刷等して焼き付けるため、抵抗体ペーストに含まれるＡｇがバリスタ素体１１に拡散しないようになっている。

第一及び第二のガラス層２３，２５は、バリスタ素体１１の主面１１ａ，１１ｂそれぞれを覆うように配置される。第一のガラス層２３は、第一及び第二の外装電極１７，１９及び抵抗体２１とこれらが形成された主面１１ａの略全面を覆うように主面１１ａに配置される。第二のガラス層２５は、主面１１ｂの略全面を覆うように主面１１ｂに配置される。このような配置により、バリスタ素体１１が一対のガラス層２３，２５により挟持される。第一及び第二のガラス層２３，２５それぞれは、例えばその厚さが５〜３０μｍになるように設定されており、好ましくは１０μｍに設定されている。なお、両ガラス層２３，２５それぞれの厚みは略同一であることが好ましい。

第一及び第二のガラス層２３，２５の材料としては、例えば、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３又はＺｎＯ系のガラスが用いられる。

絶縁層５は、素体３の外表面の略全体を覆うように配置されている。素体３の側面３ｅ，３ｆにはガラス層２３，２５のようなガラス層が形成されていないため、バリスタ素体１１の側面１１ｅ，１１ｆ等が絶縁層５によって直接覆われる。絶縁層５は、例えば厚さが５０〜１５０ｎｍ程度の極薄膜であり、第一及び第二のガラス層２３，２５よりも薄く形成されている。絶縁層５は、例えばシリカ（ＳｉＯ_２）からなり、スパッタリングにより形成される。

第一及び第二の外部電極７，９は、素体３の各端面３ｃ，３ｄを覆うように多層状に形成されている。各外部電極７，９は、Ａｇ等を主成分とした導電性粉末及びガラスフリットを含む第一電極層７ａ，９ａと、第一電極層７ａ，９ａを覆うように形成され且つニッケル（Ｎｉ）を主成分とする第二電極層７ｂ，９ｂと、第二電極層７ｂ，９ｂを覆うように形成され且つすず（Ｓｎ）を主成分とする第三電極層７ｃ，９ｃとを含む。

第一の外部電極７の第一電極層７ａは、素体３の端面３ｃに基端１３ｂ，１７ｂが露出している第一の内部電極１３と第一の外装電極１７とに接続される。第二の外部電極９の第一電極層９ａは、素体３の端面３ｄに基端１５ｂ，１９ｂが露出している第二の内部電極１５と第二の外装電極１９とに接続される。内部電極１３，１５及び外装電極１７，１９と外部電極７，９の第一電極層７ａ，９ａとは、面心立方の結晶構造を有する異種の金属（例えばＰｄとＡｇ）によって構成されているため、カーケンドール効果により、これら金属が接触界面を通って互いに拡散し、確実に接続される。なお、素体３と外部電極７，９との間には絶縁層５が介在するものの、絶縁層５が１００ｎｍ程度の極薄膜であるため、上述した接続が阻害されることはほとんどないようになっている。

続いて、上記構成を有するチップバリスタ１の製造方法について説明する。

まず、バリスタ層３１，３３，３５の主成分であるＺｎＯと、副成分であるＢｉ及びＰｒと、微量添加物であるＡｌ等とを混合し、バリスタ材料を調製する。調製後、このバリスタ材料に、有機バインダ、有機溶剤、及び有機可塑剤等を加え、ボールミルを用いて混合、粉砕を行い、スラリーを得る。

続いて、例えばドクターブレード法を用いることにより、ポリエチレンテレフタレートからなるフィルム上にスラリーを塗布し、これを乾燥させた後、フィルムから剥離する。これにより、所定の厚みのグリーンシートを得る。

続いて、一部のグリーンシートに内部電極１３，１５に対応する電極部分をそれぞれ形成する。この内部電極１３，１５に対応する電極部分は、Ｐｄを主成分とする金属粉末、有機バインダ、及び有機溶剤等を混合した導電性ペーストを、例えばスクリーン印刷によってグリーンシート上に印刷し、これを乾燥させることによって、形成する。

続いて、下から順に、バリスタ層３５、第二の内部電極１５、バリスタ層３３、第一の内部電極１３、バリスタ層３１と積層されるように、電極部分が形成されたグリーンシートと、電極部分が形成されていないグリーンシートとを所定の順序で重ねてプレスし、複数のバリスタ素体１１に対応するシート積層体を形成する。

続いて、このシート積層体の上面の所定箇所に外装電極１７，１９に対応する電極部分をそれぞれ形成する。この外装電極１７，１９に対応する電極部分は、内部電極１３，１５と同様、Ｐｄを主成分とする金属粉末、有機バインダ、及び有機溶剤等を混合した導電性ペーストを、例えばスクリーン印刷によってシート積層体の上面に印刷し、これを乾燥させることによって、形成する。なお、外装電極１７，１９を予めグリーンシート上に形成しておいて、そのグリーンシートが最上層となるように、上述した電極部分が形成されたグリーンシート等と共に積層してシート積層体を得るようにしてもよい。

続いて、外装電極１７，１９が形成されたシート積層体を、例えば、大気雰囲気中において、５〜３００℃／時間の条件で昇温した後、１８０〜４００℃の温度で０．５時間〜２４時間加熱し、脱バインダ処理を行う。

続いて、脱バインダ処理が行われたシート積層体を、例えば、大気雰囲気中において、５０〜５００℃／時間の条件で昇温した後、９００〜１３００℃の温度で０．５〜８時間加熱し、更に、５０〜５００℃／時間の条件で冷却することにより、シート積層体の焼成を行う。これにより、外装電極１７，１９に対応する電極部分が、バリスタ素体１１に対応する積層体と同時に焼成される。この同時焼成により、外装電極１７，１９に対応する電極部分とバリスタ素体１１に対応する積層体との結合強度が向上する。

続いて、外装電極１７，１９に対応する電極部分が形成されたシート積層体の上面に、外装電極１７，１９に対応する電極間を連結するように抵抗体２１を形成する。この抵抗体２１は、ＲｕＯ_２とＡｇとを含んだ抵抗体ペーストを、例えばスクリーン印刷によってシート積層体の上面に印刷し、これを８５０℃〜９００℃の温度で焼き付けることによって形成する。

続いて、外装電極１７，１９と抵抗体２１とが形成されたシート積層体の上面及び下面の略全面に、ガラス層２３，２５をそれぞれ形成する。このガラス層２３，２５は、所定のガラス材料（例えば、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３又はＺｎＯ系のガラスなど）を、例えばスクリーン印刷によってシート積層体の上面及び下面それぞれに印刷し、これを所定の温度（例えば８００℃〜８５０℃）で焼き付けることによって形成する。なお、ガラス層２３，２５は、例えばその厚みが１０μｍ程度になるように調整されている。

その後、ガラス層２３，２５でバリスタ素体１１が挟持された状態となったシート積層体をチップ単位に切断することにより、分割された複数の素体３を得る。なお、この切断の際に内部電極１３，１５及び外装電極１７，１９の基端１３ｂ，１５ｂ，１７ｂ，１９ｂが各端面３ｃ，３ｄに露出するように、導電性ペーストが塗布されている。

続いて、こうして得られた素体３の端面３ｃ，３ｄに、バレル研磨やサンドブラストによる研磨を施す。そして、端面３ｃ，３ｄや角部等が研磨されて略直方体形状となった素体３の外表面の略全面を覆うように、絶縁層５を形成する。絶縁層５の形成は、例えば、スパッタリングによってＳｉＯ_２膜を形成することによって為される。なお、絶縁層５は、例えばその厚みが１００ｎｍ程度の極薄膜になるよう調整されているが、例えばその厚みが５０〜１５０ｎｍの間であればよい。

続いて、絶縁層５が被覆された素体３の端面３ｃ，３ｄそれぞれを覆うように、外部電極７，９を形成する。この外部電極７，９の形成にあたっては、まず、Ａｇを含む金属粉末に、ガラスフリット、有機バインダ、及び有機溶剤等を混合した導電性ペーストを用意する。次に、用意した導電性ペーストを、例えばディップ法によって素体３の長手方向における両端部に塗布し、これを乾燥させることによって、外部電極７，９の第一電極層７ａ，９ａに対応する電極部分を形成する。そして、形成した電極部分を例えば９００℃で焼き付けることにより、各電極部分が第一電極層７ａ，９ａとなる。

続いて、第一電極層７ａ，９ａを形成した後、第一電極層７ａ，９ａそれぞれの上に、Ｎｉメッキからなる第二電極層７ｂ，９ｂを形成し、さらに、第二電極層７ｂ、９ｂの上にＳｎメッキからなる第三電極層７ｃ，９ｃを形成する。この場合のメッキ方法としては、例えば、電解メッキが用いられる。

以上により、図１に示したチップバリスタ１が完成する。このように形成されたチップバリスタ１では、図５の等価回路図で示されるように、抵抗体２１とバリスタ部３７とが並列に接続される構成となっており、抵抗付きのチップバリスタとして機能する。

以上のように、本実施形態に係るチップバリスタ１では、バリスタ素体１１の主面１１ａ，１１ｂそれぞれにガラス層２３，２５が配置され、これら一対のガラス層２３，２５によってバリスタ素体１１が挟み込まれる構成となっている。このため、所定の強度を有するガラス層２３，２５によってバリスタ素体１１の反りが抑止され、寸法精度のよいチップバリスタ１を得ることができる。また、一対のガラス層２３，２５によって挟み込まれる構成であるため、チップバリスタ１が小型化・薄型化した場合であっても、その強度を高めに保つことができる。

また、バリスタ素体１１は、例えばＺｎＯ等を主成分として構成されるため相対的に脆い構造となっているが、チップバリスタ１では、一対のガラス層２３，２５によってバリスタ素体１１が挟み込まれる構成となっているため、バリスタ素体１１が上下両面から支えられるようになっている。このため、製造時等において多数の素体３に対応するシート積層体から切断によって個々の素体３を得ようとした際、バリスタ素体１１に欠けが発生してしまうといったことを防止できる。これにより、バリスタ素体１１における欠落を抑制したチップバリスタ１を得ることができる。

また、チップバリスタ１では、絶縁層５によって素体３全体が覆われるようになっている。このため、バリスタ素体１１や抵抗体２１等へ外部電極７，９の第二電極層７ｂ，９ｂや第三電極層７ｃ，９ｃを構成するメッキ等が入り込むといったことが防止できる。これにより、例えばバリスタ素体１１等へメッキが入り込むことによるバリスタ特性の低下等を防止できる。

また、チップバリスタ１では、本来的なバリスタ部３７に加え、抵抗体２１も備えているため、静電気等のサージによりバリスタ部３７で一時的に発熱が生じるだけでなく、抵抗体２１において、発熱（ジュール熱）が継続的に生じることになる。ところが、チップバリスタ１では、上述したように、一対のガラス層２３，２５によってバリスタ素体１１が挟み込まれる構成となっており、バリスタ素体１１の側面１１ｅ，１１ｆにはガラス層がなく極薄の絶縁層５が配置されている。このように、薄い絶縁層５でバリスタ素体１１の側面１１ｅ，１１ｆを覆っているため、素体３の側面３ｅ，３ｆから、上述した熱放出を図ることもできる。これにより、良好な放熱性を有するチップバリスタ１を得ることができる。

また、チップバリスタ１では、上述したように、一対のガラス層２３，２５によってバリスタ素体１１が挟み込まれる構成となっている一方、バリスタ素体１１の側面１１ｅ，１１ｆには厚めのガラス層がなく極薄の絶縁層５のみが配置されるようになっている。このため、チップバリスタ１を基板等に実装した後、基板等に何らかの歪み等が発生して、チップバリスタ１に対して何らかの応力が働いたとしても、チップバリスタ１であれば、チップバリスタ１に対する応力を側面３ｅ，３ｆ等から逃がして分散できるので、チップバリスタ１の素子３やガラス層２３，２５に生じるクラック等を防止することもできる。

また、チップバリスタ１において、例えばガラス層２３，２５それぞれの厚みが１０μｍであり、チップバリスタ１全体の厚みである５００μｍの１％（５μｍ）以上の厚みとなっている。このようにガラス層２３，２５が所定比率以上の厚みを有しているため、バリスタ素体１１の反りを一層抑制することができる。

また、チップバリスタ１において、ガラス層２３，２５それぞれの厚みは略同一である。このため、バリスタ素体１１を挟持する各ガラス層２３，２５からバリスタ素体１１にかかる応力が同程度となるため、バリスタ素体１１の反りを均一に抑制できる。

また、チップバリスタ１において、外装電極１７，１９は、バリスタ素体１１の主面１１ａに導電性ペーストを印刷した後、バリスタ素体１１と同時に焼成することによって形成されている。このように、両外装電極１７，１９がバリスタ素体１１に印刷により形成され、しかも、変形や凹凸が発生し易い焼成後ではなくて、焼成前のバリスタ素体１１に印刷されるため、両外装電極１７，１９間の距離Ｌを予め定めた値に容易に調整することができる。これにより、外装電極１７，１９間を連結する抵抗体２１による抵抗値を所定の値にすることが可能となる。つまり、抵抗体２１による抵抗値のばらつきを抑えることができる。

また、チップバリスタ１において、バリスタ素体１１は焼成によって形成されており、抵抗体２１は、バリスタ素体１１の主面１１ａに抵抗体ペーストを印刷した後、焼き付けることによって形成されている。また、抵抗体２１がＲｕＯ_２とＡｇとを含んでおり、バリスタ素体１１はＡｇを含まないようになっている。このように、バリスタ素体１１内にＡｇが拡散していないため、拡散したＡｇによるバリスタ特性の低下といった事態を避けることができる。

また、チップバリスタ１において、外装電極１７，１９や抵抗体２１がガラス層２３によって覆われている。このため、各外装電極１７，１９や抵抗体２１へ上述したメッキ等が入り込むといったことが一層抑制され、抵抗体２１による抵抗値の経時変化を少なくすることができる。つまり、抵抗体２１等の外部環境による特性変化が抑制される。

また、チップバリスタ１において、内部電極１３，１５及び外装電極１７，１９はＰｄを含み、外部電極７，９がＡｇを含むようになっている。このため、カーケンドール効果により、内部電極１３，１５及び外装電極１７，１９と外部電極７，９との間での接触を確実なものとすることができる。

また、チップバリスタ１において、外装電極１７，１９と内部電極１３，１５とが同じ材料から構成されている。このため、外装電極１７，１９と内部電極１３，１５とをバリスタ素体１１と一体で仮焼成することが容易に行える。

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、ガラス層２３，２５の厚みを１０μｍとしたが、ガラス層２３，２５の厚みはこれに限定されるわけではなく、素体３の反りを抑制することができる程度の厚みであればよい。例えば、ガラス層２３，２５それぞれの厚みが５μｍ以上３０μｍ以下の何れかの厚みであってもよい。このように、ガラス層２３，２５の厚みが５μｍ以上であると、素体３の反りを抑制することができ、その一方、ガラス層２３，２５の厚みが３０μｍ以下であることから、チップバリスタ１全体の厚みを薄くして、小型・薄型のチップバリスタを得ることができる。

また、上記実施形態では、内部電極１３，１５、外装電極１７，１９、及び抵抗体２１等をスクリーン印刷によって形成するようにしていたが、形成方法はスクリーン印刷に限定されるわけではなく、転写等、他の方法によって形成するようにしてももちろんよい。

また、上記実施形態では、ガラス層２３，２５の厚みを略同一としたが、ガラス層２３，２５の厚みが異なっていてもよい。また、上記実施形態では、内部電極１３，１５と外装電極１７，１９とを同じ材料から形成するようにしたが、異なる材料で形成するようにしてももちろんよい。

１…チップバリスタ、３…素体、５…絶縁層、７，９…外部電極、１１…バリスタ素体、１３，１５…内部電極、１７，１９…外装電極、２１…抵抗体、２３，２５…ガラス層。

Claims (10)

1. 互いに対向する第一及び第二の主面を有するバリスタ素体と、
   前記バリスタ素体内に配置され、前記第一及び第二の主面の対向方向において一部が互いに対向する第一及び第二の内部電極と、
   前記バリスタ素体の前記第一の主面の両端側それぞれに配置された第一及び第二の外装電極と、
   前記第一及び第二の外装電極を連結するように前記第一の主面に配置された抵抗体と、
   前記抵抗体が配置された前記第一の主面を覆うように前記第一の主面に配置された第一のガラス層と、
   前記第二の主面を覆うように前記第二の主面に配置された第二のガラス層と、
   前記第一及び第二のガラス層よりも薄い層であって、前記バリスタ素体と前記第一及び第二の外装電極と前記抵抗体と前記第一及び第二のガラス層とを含んで構成される素体全体を覆うように前記素体の外表面に配置された絶縁層と、
   前記素体の一端を覆うように配置され、且つ、前記第一の内部電極と前記第一の外装電極とに接続される第一の外部電極と、
   前記素体の他端を覆うように配置され、且つ、前記第二の内部電極と前記第二の外装電極とに接続される第二の外部電極と、
   を備えたチップバリスタ。
2. 前記第一及び第二のガラス層それぞれの厚みがチップバリスタ全体の厚みの１％以上であることを特徴とする請求項１に記載のチップバリスタ。
3. 前記第一及び第二のガラス層それぞれの厚みが５μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のチップバリスタ。
4. 前記第一及び第二のガラス層それぞれの厚みが略同一であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のチップバリスタ。
5. 前記第一及び第二の外装電極は、前記バリスタ素体の前記第一の主面に導電性ペーストを印刷又は転写した後、前記バリスタ素体と同時焼成することによって形成されることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のチップバリスタ。
6. 前記バリスタ素体は焼成によって形成されており、前記抵抗体は、前記バリスタ素体の前記第一の主面に抵抗体ペーストを印刷又は転写した後、焼付けることによって形成されることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のチップバリスタ。
7. 前記抵抗体は、ＲｕＯ_２とＡｇとを含んでおり、
   前記バリスタ素体は、Ａｇを含んでいないことを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載のチップバリスタ。
8. 前記第一及び第二の外装電極が前記第一のガラス層によって覆われていることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載のチップバリスタ。
9. 前記第一及び第二の外装電極はＰｄを含み、前記第一及び第二の外部電極がＡｇを含むことを特徴する請求項１〜８の何れか一項に記載のチップバリスタ。
10. 前記第一及び第二の外装電極と前記第一及び第二の内部電極とが同じ材料から構成されていることを特徴とする請求項１〜９の何れか一項に記載のチップバリスタ。

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