CN101472996A - 高硅含量的薄膜热固性材料 - Google Patents

高硅含量的薄膜热固性材料 Download PDF

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Abstract

本发明公开了可以用来形成薄膜热固性材料的高硅含量的树脂组合物，该薄膜热固性材料可用于形成低k介电常数材料和以及用于光刻工业的具有抗反射性能的硬掩模材料。

Description

高硅含量的薄膜热固性材料
技术领域
本发明一般性涉及可以用来形成薄膜热固性材料的高硅含量的树脂组合物，该薄膜热固性材料可用于形成低k介电常数材料以及用于光刻工业的具有抗反射性能的硬掩模材料。
背景技术
随着微电子器件的尺寸变得越来越小，完全开拓用于制造它们的材料的物理性能的重要性变得越来越重要。对用来使金属线、通路和电子组件彼此绝缘的介电材料来说情况尤其如此，因为这些材料对电容作出贡献。二氧化硅已经在工业内作为介电材料用于制造器件将近三十年了，但是可能在将来变得较不适合，因为其较高的介电常数(k～4.1)。然而，最近，硅氧烷已经进入采用显示抗反射性能的低介电常数绝缘层和图案转移硬掩模的缩微光刻法制造。
此外，在当前的常规半导体制造中，为了防止光反射透过光致抗蚀剂，从基材反射并回到光致抗蚀剂中，在那里它可能与入射光发生干涉并因此导致光致抗蚀剂的不均匀曝光，常规上可以在沉积或旋涂光致抗蚀剂之前沉积一个或多个抗反射层。在没有抗反射涂层的情况下，反射和入射的曝光辐射的干涉可能引起驻波效应，该效应使穿过该光致抗蚀剂层厚度的辐射的均匀性畸变。在整个成像区域中的反射率的改变可能引起经设计具有类似尺寸的特征的不合需要的线宽度改变。
发明内容
本发明涉及组合物，其包含：(a)包含至少一种通式((A)jR1SiO(3-j)/2)的重复单元和至少一种通式((A)kR2SiO(3-k)/2)的重复单元的聚合物，其中每个R1单独地是在任何光化波长下吸收的相同或不同的发色团；每个R2单独地选自氢、烷基、烯基、环烷基和芳烷基；每个A是形成上述重复单元中任一的单体的未反应官能团；j和k各自是落入0≤j≤1和0≤k≤1的范围内的整数，R1与R2的比为约1:99至约60:40；(b)卤化物源；和(c)溶剂。该聚合物还可以包含通式(Rf)w(Rg)zSiO(4-w-z)/2的附加单元，其中Rf和Rg各自单独地选自R1和R2；w和z各自是在限度0≤(w或z)≤2内的整数，条件是(4-w-z)不等于0。还提供了在基材上形成图像的方法以及由基材、本发明组合物和光致抗蚀剂形成的制品。进一步提供了本发明组合物用于在基材上形成图像和在基材上形成抗反射层的方法中的用途。
发明详述
本发明涉及组合物，其包含：(a)包含至少一种通式((A)jR1SiO(3-j)/2)的重复单元和至少一种通式((A)kR2SiO(3-k)/2)的重复单元的聚合物，其中每个R1单独地是在任何光化波长下吸收的相同或不同的发色团；每个R2单独地选自氢、烷基、烯基、环烷基和芳烷基；每个A是形成上述重复单元中任一的单体的未反应官能团；j和k各自是落入0≤j≤1和0≤k≤1的范围内的整数，R1与R2的比例为约1:99至约60:40；(b)卤化物源；和(c)溶剂。该聚合物还可以包含通式(Rf)w(Rg)zSiO(4-w-z)/2的附加单元，其中Rf和Rg各自单独地选自R1和R2；w和z各自是在限度0≤(w或z)≤2内的整数，条件是(4-w-z)不等于0。还提供了在基材上形成图像的方法以及由基材、本发明组合物和光致抗蚀剂形成的制品。
本发明的聚合物包含重复单元((A)jR1SiO(3-j)/2)和((A)kR2SiO(3-k)/2)，它们可以通过本领域技术人员已知的方法制备，例如，通过使三官能有机硅单体例如RSiA3、RSiCl3、硅烷酯(RSi(ORx)3，其中Rx可以是烷基，RSi(酰氧基)3或RSi(烷基酮肟)，或上述化合物的水解形式，其中R可以是R1或R2)的水解缩合反应制备。关于本发明的聚合物制备的进一步信息可以参见美国专利号5,290,354；5,320,868和6,770,726。这些反应可以形成小低聚物、复合树脂和网络。
R1(发色团)的实例包括但不限于，未取代和取代的芴，亚乙烯基亚苯基，蒽，苝，苯基，苄基、查耳酮，邻苯二甲酰亚胺，双羟萘酸，吖啶，偶氮化合物，二苯并呋喃，和它们的任何衍生物，噻吩，萘，苯，
Figure A200780023234D0006144425QIETU
，芘，氟代蒽烯，蒽酮，二苯甲酮，噻吨酮，含选自氧、氮、硫和其组合的杂原子的杂环芳族环，以及上述物质的衍生物。
R2的烷基、烯基、环烷基和芳烷基可以是未取代或取代的。在本发明上下文中，适合的取代基包括不改变所述基团性能的那些，例如卤素原子(例如氟、氯、溴、碘)、羟基、烷氧基、巯基、烷基巯基、硝基、亚硝基、氰基、硫氧基(sulfoxy)等。烷基的实例包括甲基、丁基、异戊基等，烯基例如乙烯基、烯丙基等，环烷基例如环己基、环戊基、金刚烷基等，烷氧基例如甲氧基、乙氧基、羟基乙氧基、丙氧基、羟基丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基和叔丁氧基，芳烷基例如苄基、苯乙基和枯基，芳氧基例如苯氧基，和芳氧基羰基例如苯甲酰氧基。
聚合物的实例包括聚(苯基-甲基倍半硅氧烷)，90:10苯基：甲基；聚(苯基-丙基倍半硅氧烷)，70:30苯基：丙基；聚(苯基-乙烯基倍半硅氧烷)，90:10苯基：乙烯基；共聚的苯基倍半硅氧烷-苄基倍半硅氧烷，聚(苯基-异丁基倍半硅氧烷)，聚(苯基-异戊基倍半硅氧烷)，聚(苯基-正己基倍半硅氧烷)，聚(苯基-苯甲酰基倍半硅氧烷)，聚(苯基-对苯氧基倍半硅氧烷)，聚(萘基-甲基倍半硅氧烷)，聚(蒽基-甲基倍半硅氧烷)，(40％苯基-45％甲基倍半硅氧烷)-(5％苯基甲基硅氧烷)(10％二苯基硅氧烷)三元共聚物等。该聚合物还可以包含一种或多种通式(Rf)w(Rg)zSiO(4-w-z)/2的重复单元，其中Rf和Rg各自单独地选自上述R1和R2；w和z各自是在限度0≤(w或z)≤2内的整数，条件是(4-w-z)不等于0或3。
组合物的另一种组分是卤化物源。该卤化物源可以几乎是提供与所述聚合物反应的卤阴离子的任何材料。取决于本发明组合物的应用，使用优于其它卤化物源的某些卤化物源可能是更有利的。卤化物源的实例包括脂族季铵盐(例如，四C1-6烷基卤化铵例如四甲基氯化铵、四乙基氯化铵、四甲基溴化铵和四乙基溴化铵，三C1-6烷基C8-20烷基卤化铵例如三甲基月桂基氯化铵和三甲基月桂基溴化铵，二C1-6烷基二C8-20烷基卤化铵例如二甲基二月桂基氯化铵和二甲基二月桂基溴化铵)，尤其是四C1-4烷基卤化铵(例如，四C1-2烷基卤化铵)，三C1-4烷基C10-16烷基卤化铵(例如，三C1-2烷基C10-14烷基卤化铵)，二C1-4烷基二C10-16烷基卤化铵(例如，二C1-2烷基二C10-14烷基卤化铵)，脂族/芳基季铵盐(例如，苄基三C1-16烷基卤化铵)。这些盐的实例包括四丁基氯化铵、苄基三甲基氯化铵、四乙基氯化铵、苄基三丁基氯化铵、十六烷基三甲基氯化铵、甲基三辛基氯化铵、四丁基氯化铵、苄基三甲基氯化铵以及相应的氟化物、溴化物和碘化物。
适合的卤化物源的其它实例是二季铵二卤化物盐例如具有以下通式的化合物
[(R′)3N+(Z)mN+(R′)3](X-)2
其中每个R′单独地是含1-20个碳原子的烷基，含1-20个碳原子的杂烷基，芳基，杂芳基，含3-6个碳原子的环烷基，含3-6个碳原子的环杂烷基或它们的组合；N是四配价元素氮，或在脂环族、杂脂环族或杂芳族结构中的杂原子氮；X是阴离子；Z是选自含1-20个碳原子的烷基、含2-20个碳原子的烯基、芳基、含1-20个碳原子的杂烷基、含2-20个碳原子的杂烯基、和杂芳基的桥联单元；m是1-10。这些化合物的实例包括[(CH3)，N+(CH2)6N+(CH3)3](Cl-)2、[(C3H7)3N+(CH2)6N+(C3H7)3](Cl-)2、[(CH3)3N+(C2H4)6N+(CH3)3](Br-)2、[(C6H5)3N+(CH2)6N+(CH3)3](Cl-)2、[(C6H5)3N+(C2H4)2N+(CH3)3](Cl-)2)等。二季铵卤化物盐的另一个实例是(双四氟硼酸)N，N′-二氟-2，2′-联吡啶(称为MEC-31)。又一个实例是四(二甲基氨基)乙烯(TDAE)/CF3配合物。
卤化物源的其它实例包括具有以下通式的四烷基铵二卤代三芳基(或三烷基，或芳基和烷基的混合物)二硅酸盐
[芳基]q[烷基]rSi[F]s
其中q是1或2，r是1或2，s是2或3。
一个实例是具有以下通式的化合物
Figure A200780023234D00081
其中R1是0-3个取代基，其中每一个独立地是烷基、烯基、芳基烷酰基、烷氧基或硝基；R2是烷基，实例是二氟三苯基硅酸四丁基铵。
其它实例是具有以下通式的化合物
Figure A200780023234D00082
和
Figure A200780023234D00083
其中R1和R2如上面所限定。
这些类型的盐在美国专利号6,414,173和6,203,721中进行了更完全描述，这两篇文献在此引入作为参考。
另外的二季铵卤化物盐还有DABCO(1，4-二氮杂双环[2.2.2]辛烷)的二季铵盐，由以下通式显示
Figure A200780023234D00084
其中n是1-10，X是卤离子。这些盐在美国专利号4,559,213中进行了更完全描述，该文献在此引入作为参考。
其它卤化物源包括碱金属盐(例如，LiCl、NaCl、KCl、KBr等)，碱土金属盐(例如，CaCl2、MgCl2等)，吡啶鎓盐例如氯化苄基-3-羟基吡啶，咪唑烷盐例如氯化1，3-二癸基-2-甲基咪唑，四唑鎓盐例如氯化2，3，5-三苯基-四唑等。还有的其它卤化物源包括卤化有机化合物，它们可通过在加热下的消除反应释放卤化物。
在许多情况下，上述盐中的氮原子可以用VA族元素例如磷、锑和砷替换，例如四丁基氯化鏻、四甲基氯化鏻、四苯基氯化鏻等。
其它卤化物源包括材料例如1-氟-4-氯代甲基-1，4-二氮鎓双环[2.2.2]辛烷双(四氟硼酸盐)(商品名称Selectfluor)、1-氟-4-羟基-1，4-二氮鎓双环[2.2.2]辛烷双(四氟硼酸盐)(商品名称Accufluor)、N，N′-二氟-2，2′-联吡啶双(四氟硼酸盐)、′N-F′反应试剂(例如，R2N-F)、′[N-F]+′反应试剂(例如，R3N+-F)、2，2-二氟-1，3-二甲基咪唑烷、二乙基氨基三氟化硫、RaRbN-CF2-Rc，其中Ra是氢或烷基，Rb和Rc各自选自烷基或芳基(商品名称Fluorinox)、全氟丁烷磺酰氟等。
卤化物源一般按约1-约20％存在于组合物中，基于该组合物的总树脂固体计。申请人已经发现，当本发明组合物在用来涂覆基材等之前被允许静置约二十四小时时，达到本发明最佳结果。
本发明组合物中的另一种组分是溶剂。对此类光致抗蚀剂适合的溶剂可以包括，例如，酮如丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮、异佛尔酮、甲基异戊酮、2-庚酮4-羟基和4-甲基-2-戊酮；C1-C10脂族醇如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、仲丁醇，酚等；含芳族基团的醇如苯甲醇；环状碳酸酯如碳酸亚乙酯和碳酸亚丙酯；脂族或芳族烃(例如，己烷、甲苯、二甲苯等)；环状醚如二噁烷和四氢呋喃；乙二醇；丙二醇；己二醇；醚醇，例如，1-丁氧基乙氧基-2-丙醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、乙二醇正丁醚、乙二醇苯基醚、乙二醇一甲基醚、乙二醇一乙基醚、乙二醇丙基醚、二乙二醇己基醚、二乙二醇一乙基醚、二乙二醇单甲基醚、二乙二醇一丁基醚、二乙二醇一丙基醚、丙二醇乙基醚、丙二醇异丁基醚、丙二醇一甲基醚、丙二醇一丁基醚、丙二醇一乙基醚、丙二醇正丙基醚、丙二醇苯基醚、丙二醇叔丁基醚、二丙二醇乙基醚、二丙二醇一丁基醚、二丙二醇一甲基醚、二丙二醇一丙基醚、三乙二醇乙基醚、三乙二醇甲基醚、三乙二醇正丁基醚、三丙二醇甲基醚、三丙二醇正丁基醚；乙二醇烷基醚乙酸酯如甲基溶纤剂乙酸酯和乙基溶纤剂乙酸酯；丙二醇烷基醚乙酸酯如丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯和丙二醇丁基醚乙酸酯；丙二醇烷基醚丙酸酯如丙二醇甲基醚丙酸酯、丙二醇乙基醚丙酸酯、丙二醇丙基醚丙酸酯和丙二醇丁基醚丙酸酯；2-甲氧基乙基醚(二甘醇二甲醚)；同时具有醚和羟基结构部分的溶剂如甲氧基丁醇、乙氧基丁醇、甲氧基丙醇和乙氧基丙醇；酯如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯和乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯；2-羟基丙酸乙酯、2-羟基2-甲基丙酸甲酯、2-羟基2-甲基丙酸乙酯、羟基乙酸甲酯、羟基乙酸乙酯、羟基乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸丁酯、3-羟基丙酸甲酯、3-羟基丙酸乙酯、3-羟基丙酸丙酯、3-羟基丙酸丁酯、甲基2-羟基3-甲基丁酸、甲氧基乙酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、甲氧基乙酸丙酯、甲氧基乙酸丁酯、乙氧基乙酸甲酯、乙氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸丙酯、乙氧基乙酸丁酯、丙氧基乙酸甲酯、丙氧基乙酸乙酯、丙氧基乙酸丙酯、丙氧基乙酸丁酯、丁氧基乙酸甲酯、丁氧基乙酸乙酯、丁氧基乙酸丙酯、丁氧基乙酸丁酯、2-甲氧基丙酸甲酯、2-甲氧基丙酸乙酯、2-甲氧基丙酸丙酯、2-甲氧基丙酸丁酯、2-乙氧基丙酸甲酯、2-乙氧基丙酸乙酯、2-乙氧基丙酸丙酯、2-乙氧基丙酸丁酯、2-丁氧基丙酸甲酯、2-丁氧基丙酸乙酯、2-丁氧基丙酸丙酯、2-丁氧基丙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸丙酯、3-乙氧基丙酸丁酯、3-丙氧基丙酸甲酯、3-丙氧基丙酸乙酯、3-丙氧基丙酸丙酯、3-丙氧基丙酸丁酯、3-丁氧基丙酸甲酯、3-丁氧基丙酸乙酯、3-丁氧基丙酸丙酯和3-丁氧基丙酸丁酯；羟异丁酸酯，例如，2-羟基异丁酸甲酯、α-甲氧基异丁酸甲酯、甲氧基异丁酸乙酯、α-乙氧基异丁酸甲酯、α-乙氧基异丁酸乙酯、β-甲氧基异丁酸甲酯、β-甲氧基异丁酸乙酯、β-乙氧基异丁酸甲酯、β-乙氧基异丁酸乙酯、β-异丙氧基异丁酸甲酯、β-异丙氧基异丁酸乙酯、β-异丙氧基异丁酸异丙酯、β-异丙氧基异丁酸丁酯、β-丁氧基异丁酸甲酯、β-丁氧基异丁酸乙酯、β-丁氧基异丁酸丁酯、α-羟基异丁酸甲酯、α-羟基异丁酸乙酯、α-羟基异丁酸异丙酯和α-羟基异丁酸丁酯；和其它溶剂如二元酯和γ-丁内酯；酮醚衍生物如双丙酮醇甲基醚；酮醇衍生物如丙酮醇或双丙酮醇；内酯如丁内酯；酰胺衍生物如二甲基乙酰胺或二甲基甲酰胺，茴香醚，和它们的混合物。已经发现，为了提高的稳定性和/或溶解性，选自醇和醚醇的溶剂是优选的。
可以添加到组合物中的任选组分是致孔剂，它可以用来降低通过本发明组合物形成的薄膜的介电常数。本文所使用的＂致孔剂＂是指任何孔隙生成性化合物，例如，热和/或辐射不稳定的有机聚合物，该有机聚合物能够分解成小分子并随后挥发从而形成纳米孔。形成此类多孔低k介电层的条件是为本领域技术人员熟知的。
可以使用本领域技术人员熟知的技术如浸涂、旋涂或喷涂将本发明组合物涂覆在基材上。该抗反射涂层的膜厚度为约0.01μm-约1μm。可以在热板或对流烘箱上或以其它熟知的加热方法加热该涂层以除去任何剩余溶剂和，如果需要的话，引起交联，和使该抗反射涂层不溶解化以防止抗反射涂层和光致抗蚀剂之间的混合。
存在两类光致抗蚀剂组合物，负作用和正作用型。当负作用光致抗蚀剂组合物在辐射下成像式曝光时，该抗蚀剂组合物的暴露在辐射下的区域变得较不溶于显影剂溶液(例如发生交联反应)，而该光致抗蚀剂涂层的未曝光区域保持相对可溶于此种溶液。因此，用显影剂对曝光过的负作用抗蚀剂的处理引起光致抗蚀剂涂层的非曝光区域被除去并在该涂层中产生负像，从而露出其上沉积了光致抗蚀剂组合物的位于下方的基材表面的所需部分。
另一方面，当正作用光致抗蚀剂组合物在辐射下成像式曝光时，该光致抗蚀剂组合物受辐射曝光的那些区域变得更加可溶于显影剂溶液(例如发生重排反应)，而没有曝光的那些区域保持相对不溶于该显影剂溶液。因此，用显影剂对经曝光的正作用光致抗蚀剂的处理使得涂层的曝光区域被除去和在光致抗蚀涂层中产生正像。再次暴露出位于下方的表面的所需部分。
负作用光致抗蚀剂和正作用光致抗蚀剂组合物和它们的用途是为本领域技术人员熟知的。本发明的方法包括用本发明组合物涂覆基材并且在热板或对流烘箱上或用其它熟知的加热方法在足够的温度下加热该基材足够长的时间以除去该涂料溶剂，并交联所述聚合物，至足够的程度以致该涂层不溶于光致抗蚀剂的涂料溶液或含水碱性显影剂。可以使用本领域中熟知的方法施涂边缘胶条清除剂以清洁该基材的边缘。加热的温度范围为约70℃到约250℃。如果该温度低于70℃，则可能发生不足够的溶剂损失或不足够的交联量，并且在大于250℃的温度下，该聚合物可能变得化学不稳定。然后在该抗反射涂层之上涂覆光致抗蚀剂组合物的膜并烘烤以基本上除去光致抗蚀剂溶剂。将该光致抗蚀剂成像式曝光并在含水显影剂中显影以除去经处理的抗蚀剂。在显影之前和曝光之后，可以将任选的加热步骤引入该工艺。光致抗蚀剂的涂覆和成像工艺是为本领域技术人员所熟知的并且对于所使用的特定类型的抗蚀剂而进行优化。然后可以在适合的蚀刻室中将图案化基材干蚀刻以除去抗反射膜的曝光部分，而留下的光致抗蚀剂充当蚀刻掩模。
本发明进一步提供本发明组合物在上述方法中使用和用于在基材上形成抗反射涂层的用途。
以下特定实施例将详细说明本发明组合物的制备和使用方法。然而，这些实施例不意于以任何方式限制或约束本发明的范围并且不应该看作是在提供为了实践本发明所必须唯一使用的条件、参数或数值。
具体实施方式
实施例1
从Gelest获得聚(苯基-甲基倍半硅氧烷)90:10苯基：甲基。制备2.5wt％聚(苯基-甲基倍半硅氧烷)90:10苯基：甲基在丙二醇一甲基醚中的溶液。将不同量的四丁基氯化铵(基于聚(苯基-甲基倍半硅氧烷)的固体含量，2wt％-10wt％)添加到该溶液的等分试样中并混合。让该等分试样静置24小时。然后将每种溶液的等分试样置于不同硅晶片上并在2000rpm下旋转流延以形成60nm的膜厚度(当在加热之后测量时)。然后在250℃下加热该涂覆的晶片。通过VASE(可变角光谱椭率测量术)测量膜厚度。然后在丙二醇一甲基醚乙酸酯中浸泡该涂覆的晶片30秒并在VASE上测量膜厚度。当将四丁基氯化铵的量从0wt％增加到10wt％时，在0wt％四丁基氯化铵下，存在完全的膜损失，然后从2.5wt％到10wt％四丁基氯化铵，膜厚度损失为2-3.5nm。
实施例2
通过在瓶子中搅拌而合并10克聚(苯基-丙基倍半硅氧烷)[70:30苯基：丙基；可以从Gelest，Inc.，Morrisville，PA获得]和130g乳酸乙酯。在让该配制剂静置一天之后，将该配制剂的等分试样旋涂到硅晶片上并将该晶片加热到200℃。通过将该晶片的一部分浸入PGMEA中测试膜的溶解性。在该浸泡区域中除去所有膜。使用250和300℃烘烤重复这一试验并且结果相同。
实施例3
在适合的瓶子中在混合下将5克聚(苯基-丙基倍半硅氧烷)[70:30苯基：丙基；可以从Gelest，Inc.，Morrisville，PA获得]、95g乳酸乙酯和0.25g二氟三苯基硅酸四丁基铵合并。在让该配制剂静置一天之后，将该配制剂的等分试样旋涂到硅晶片上并将该晶片加热到150℃。通过该晶片的一部分浸入PGMEA中测试膜的溶解性。浸泡区域中的所有膜保留。当使用更高的温度烘烤该膜时，浸泡区域中的膜未受影响。当不烘烤该晶片时，膜被完全地除去。
实施例4
在适合的瓶子中在混合下将5克聚(苯基-丙基倍半硅氧烷)[70:30苯基：丙基；可以从Gelest，Inc.，Morrisville，PA获得]、100gArF稀释剂(可以从AZ Electronic Materials获得)和0.25g四丁基氟化铵合并。在让该配制剂静置一天之后，将该配制剂的等分试样旋涂到硅晶片上并将该晶片加热到250℃。通过该晶片的一部分浸入PGMEA中测试膜的溶解性。浸泡区域中的所有膜保留。当使用更高的温度烘烤该膜时，浸泡区域中的膜未受影响。当不烘烤该晶片时，膜被完全地除去。
实施例5
将2毫升实施例1的等分试样放入适合的瓶子并通过在搅拌下添加不同量的四丁基氯化铵(TBAC)在PGME中的5％溶液制备四种不同配制剂：(a)0滴TBAC的5％溶液[对照]；(b)1滴TBAC的5％溶液；(c)5滴TBAC的5％溶液和(d)15滴TBAC的5％溶液。在让这些配制剂静置一天之后，将每种配制剂的等分试样旋涂到硅晶片上并将该晶片加热到250℃。通过将该晶片的一部分浸在PGMEA中测试配制剂的每个等分试样形成的膜的溶解性。除了没有TBAC的配制剂((a)；对照)，所有其它膜保持完整并且是固化的。

Claims (16)

1.一种组合物，包含：
(a)包含至少一种通式((A)jR1SiO(3-j)/2)的重复单元和至少一种通式((A)kR2SiO(3-k)/2)的重复单元的聚合物，其中每个R1单独地是在任何光化波长下吸收的相同或不同的发色团；每个R2单独地选自氢、烷基、烯基、环烷基和芳烷基；每个A是形成上述重复单元中任一的单体的未反应官能团；j和k各自是落入0≤j≤1和0≤k≤1的范围内的整数，R1与R2的比为约1:99至约60:40；
(b)卤化物源；和
(c)溶剂。
2.权利要求1的组合物，其中R1与R2的比为约10:90至约30:70。
3.权利要求1或2的组合物，其中R2是烷基或烯基。
4.权利要求1-3中任一项的组合物，其中R1选自未取代和取代的芴，亚乙烯基亚苯基，蒽，苝，苯基，查耳酮，邻苯二甲酰亚胺，双羟萘酸，吖啶，偶氮化合物，二苯并呋喃，和它们的任何衍生物，噻吩，萘甲酸，萘，苯，
Figure A200780023234C0002132716QIETU
，芘，氟代蒽烯，蒽酮，二苯甲酮，噻吨酮，含选自氧、氮、硫和其组合的杂原子的杂环芳族环，以及上述物质的衍生物。
5.权利要求1-4中任一项的组合物，其中该组合物还包含致孔剂。
6.权利要求1-5中任一项的组合物，其中该聚合物还包含通式(Rf)w(Rg)zSiO(4-w-z)/2的单元，其中Rf和Rg各自单独地选自R1和R2；w和z各自是在限度0≤(w或z)≤2内的整数，条件是(4-w-z)不等于0。
7.权利要求1-6中任一项的组合物，其中该卤化物源是季铵卤化物盐或二季铵卤化物盐。
8.权利要求7的组合物，其中该卤化物源是季铵卤化物盐。
9.权利要求8的组合物，其中该季铵卤化物盐是四C1-10卤化铵。
10.权利要求8的组合物，其中该季铵卤化物盐是四丁基氯化铵。
11.权利要求7的组合物，其中该卤化物源是二季铵卤化物盐。
12.权利要求1-11中任一项的组合物，其中该卤化物源按约1-约20％的量存在，基于该组合物的总树脂固体计。
13.在基材上形成图像的方法，包括a)用权利要求1-12中任一项的组合物涂覆该基材；b)加热步骤a)的涂层；c)在步骤b)的涂层上由光致抗蚀剂溶液形成涂层；d)加热该光致抗蚀剂涂层以从该涂层中基本上除去溶剂；e)将该光致抗蚀剂涂层成像式曝光；f)使用含水碱性显影剂将图像显影；g)任选地，在显影之前和之后加热该基材；和h)干蚀刻步骤b)的组合物。
14.一种制品，包含：基材；在该基材上的抗反射组合物，该抗反射组合物是权利要求1-12中任一项的抗反射组合物；和在该抗反射组合物上方的光致抗蚀剂组合物层。
15.权利要求1-12中任一项的组合物用于权利要求13的方法中的用途。
16.权利要求1-12中任一项的组合物用于在基材上形成抗反射涂层的用途。
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