JP5296297B2 - 縮合多環式炭化水素基を有するシリコーン共重合体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
で示される繰り返し単位を有するものである。
で示す各ケイ素原子に3個の酸素原子と結合し、各酸素原子が2個のケイ素原子に結合している。
に示す構造式で示すこともできる。
で示されるラダー型シリコーン共重合体でも良い。
下記一般式
すなわち、下記構造式
で示されるトリクロロシランモノマーあるいはトリアルコキシシランモノマーと下記構造式
を加水分解後、重合することにより高分子化し、下記構造式
のシリコーン共重合体を合成することができる。ここで、Mはフェノール性水酸基を保護した保護基を示し、好ましい例として炭素数1〜5の炭化水素基であるメチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、iso−プロピル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基等の炭化水素基が挙げられ、アセチル基、エチルカルボニル基、n−プロピルカルボニル基などのカルボニル基を有する場合でも良い。また、原料入手の容易さからメチル基、エチル基、tert−ブチル基が特に好ましく、カルボニル基を有する場合では原料入手の容易さからアセチル基が特に好ましい。
次に加水分解で回収した油層を200℃まで加熱することにより、フェノール性水酸基が保護基Mで保護された下記化合物
を得ることができる。この上記シリコーン共重合体の重量平均分子量(ポリスチレン換算)が1000〜100000の範囲であり、2000〜30000の範囲にあるものが最も好ましい。分散度は1.0〜10.0の範囲にあるものが好ましく、1.5〜5.0の範囲にあるものが最も好ましい。
のシリコーン共重合体を得ることができる。この脱保護条件例として、酸性条件下が好ましく、トリメチルシリルヨードのような脱保護試薬を使用することで容易に脱保護反応することができる。次いで水で加水分解することによりシリコーン共重合体を得ることができる。このトリメチルシリルヨードの代わりにトリメチルシリルクロライドとヨウ化ナトリウムを使用してもかまわない。アルカリ条件ではSi−Oの結合が切断される可能性があるため避けるべきである。この脱保護反応の溶媒はアセトニトリルやクロロホルム等が使われるが、フェノール部位を保護されたシリコーン共重合体の溶解性により使い分ける。
NMR測定・・・日本電子製400MHz NMR測定器
IR測定・・・島津製IR Prestige-21
GPC測定・・・東ソー製HLC-8220
UV測定・・・島津製UV-2400PC(2×10 -4 mol/lのエタノール溶液を調整し、光路長10mmの角形石英セルに入れ25℃で50Wハロゲンランプを使用して測定した)。
p−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン・9−フェナントレニルシルセスキオキサン共重合体(n=1、a=70mol%、b=30mol%、c=0mol%、A=9−フェナントレニル)の合成
撹拌機、環流冷却器、滴下ろう斗及び温度計を備えた500mL4つ口フラスコに、水117g仕込み、p−メトキシベンジルトリクロロシラン45.2g(0.187モル)と9−フェナントレニルトリメトキシシラン23.9g(0.080モル)のトルエン117g溶液を反応温度10〜20℃で滴下した。滴下終了後、同温度で2時間熟成後に静置後分液を行い、油層を回収した。次いで5%炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、トルエン油層を回収した。
1H-NMR(CDCl3):δ(ppm)=0.82-2.40(bs、-CH2-)、3.30-3.70(bs、-OCH3)、6.10-7.70(m、ベンゼン環)
IR(KBr):ν(cm-1)=1018-1196(Si-O)
次に、撹拌機、環流冷却器、滴下ろう斗及び温度計を備えた500mL4つ口フラスコに、アセトニトリル215gを仕込み、p−メトキシベンジルシルセスキオキサン・9−フェナントレニルシルセスキオキサン共重合体40.2gとヨウ化ナトリウム66.8g(0.445モル)とトリメチルクロロシラン48.4g(0.445モル)を順次加え、65〜70℃で24時間還流した。還流後、水71.7gを滴下し、65〜70℃で6時間還流後に冷却し、亜硫酸水素ナトリウム水溶液で遊離ヨウ素を還元した後、15%食塩水で2回洗浄し、油層を回収した。さらに、油層を水に落として結晶を回収し、その結晶を乾燥し、GPC分析により、重量平均分子量(Mw:ポリスチレン換算)2500、分散度(Mw/Mn:ポリスチレン換算)1.3のp−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン・9−フェナントレニルシルセスキオキサン共重合体を43.2g合成した。
1H-NMR(CDCl3):δ(ppm)=0.82-2.40(bs、-CH2-)、6.10-7.70(m、ベンゼン環)、8.80-9.10(bs、-OH)
IR(KBr):ν(cm-1)=3340(-OH)、993-1251(Si-O)
比較例1
p−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン・1−ナフチルシルセスキオキサン共重合体(n=1、a=70mol%、b=30mol%、c=0mol%、A=ナフチル)の合成
実施例1の9−フェナントレニルトリメトキシシランを1−ナフチルトリメトキシシラン20.9gに変えた以外は、実施例1と同条件で合成し、GPC分析により、重量平均分子量(Mw:ポリスチレン換算)2500、分散度(Mw/Mn:ポリスチレン換算)1.3のp−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン・1−ナフチルシルセスキオキサン共重合体を合成した。
1H-NMR(CDCl3):δ(ppm)=0.85-2.40(bs、-CH2-)、6.20-8.20(m、ベンゼン環)、8.80-9.10(bs、-OH)
IR(KBr):ν(cm-1)=3335(-OH)、993-1251(Si-O)
比較例2
p−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン・1−アントラセニルシルセスキオキサン共重合体(n=1、a=70mol%、b=30mol%、c=0mol%、A=アントアセニル)の合成
実施例1の9−フェナントレニルトリメトキシシランを1−アントラセニルトリメトキシシラン20.9gに変えた以外は、実施例1と同条件で合成し、GPC分析により、重量平均分子量(Mw:ポリスチレン換算)2300、分散度(Mw/Mn:ポリスチレン換算)1.4のp−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン・1−アントラセニルシルセスキオキサン共重合体を合成した。
1H-NMR(CDCl3):δ(ppm)=0.85-2.40(bs、-CH2-)、6.20-8.20(m、ベンゼン環)、8.65-9.25(bs、-OH)
IR(KBr):ν(cm-1)=3338(-OH)、995-1250(Si-O)
実施例2
p−ヒドロキシフェネチルシルセスキオキサン・9−フェナントレニルシルセスキオキサン共重合体(n=2、a=70mol%、b=30mol%、c=0mol%、A=9−フェナントレニル)の合成
実施例1のp−メトキシベンジルトリクロロシランをp−アセトキシフェネチルトリクロロシラン22.8gに変えた以外は、実施例1と同条件で合成し、GPC分析により、重量平均分子量(Mw:ポリスチレン換算)2000、分散度(Mw/Mn:ポリスチレン換算)1.2のp−ヒドロキシフェネチルシルセスキオキサン・9−フェナントレニルシルセスキオキサン共重合体を合成した。
1H-NMR(CDCl3):δ(ppm)=0.82-2.45(bs、-CH2-)、6.20-8.20(m、ベンゼン環)、8.80-9.10(bs、-OH)
IR(KBr):ν(cm-1)=3335(-OH)、990-1250(Si-O)
参考例1
p−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン重合体(n=1、a=100mol%、b=0mol%、c=0mol%)の合成
実施例1の9−フェナントレニルトリメトキシシランを使用しない以外は実施例1と同条件で合成し、GPC分析により、重量平均分子量(Mw:ポリスチレン換算)4500、分散度(Mw/Mn:ポリスチレン換算)1.5のp−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン重合体を合成した。
1H-NMR(CDCl3):δ(ppm)=0.82-2.40(bs、-CH2-)、6.10-7.70(m、ベンゼン環)、8.80-9.10(bs、-OH)
IR(KBr):ν(cm-1)=3340(-OH)、993-1251(Si-O)
参考例2
p−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン・フェニルシルセスキオキサン共重合体(n=1、a=70mol%、b=30mol%、c=0mol%、A=フェニル)の合成
実施例1の9−フェナントレニルトリメトキシシランをフェニルトリクロロシラン16.9gに変更した以外は実施例1と同条件で合成し、GPC分析により、重量平均分子量(Mw:ポリスチレン換算)8000、分散度(Mw/Mn:ポリスチレン換算)1.8のp−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン・フェニルシルセスキオキサン共重合体を合成した。
1H-NMR(CDCl3):δ(ppm)=0.82-2.40(bs、-CH2-)、6.10-7.70(m、ベンゼン環)、8.80-9.10(bs、-OH)
IR(KBr):ν(cm-1)=3340(-OH)、993-1251(Si-O)
それぞれ合成したシリコーン共重合体をエタノールに溶解したときのUV測定結果(透過率)を次表に示す。248nmは遠紫外線の代表的な波長である。
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CN101622296B (zh) * | 2007-02-27 | 2013-10-16 | Az电子材料美国公司 | 硅基抗反射涂料组合物 |
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JP5376210B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2013-12-25 | 東レ・ファインケミカル株式会社 | 縮合多環式炭化水素基を有するシリコーン共重合体及びその製造方法 |
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KR101041145B1 (ko) * | 2008-07-09 | 2011-06-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 폴리실세스퀴옥산 공중합체, 그의 제조방법, 이를 이용하는폴리실세스퀴옥산 공중합체 박막, 및 이를 이용하는유기전계발광표시장치 |
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US6730454B2 (en) * | 2002-04-16 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | Antireflective SiO-containing compositions for hardmask layer |
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KR100666023B1 (ko) * | 2005-01-04 | 2007-01-10 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 하드마스크 층으로서 반사방지 규소 함유 조성물 |
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