TW200804522A - High silicon-content thin film thermosets - Google Patents

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TW200804522A
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quaternary ammonium
hydrazine
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David J Abdallah
Ru-Zhi Zhang
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Az Electronic Materials Usa
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Description

200804522 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 一般而言，本發明係關於高矽含量樹脂組合物，其可用 於形成薄膜熱固物、用於形成低七介電常數材料及具有抗 反射特性用於光餞刻工業中之硬遮罩材料。 【先前技術】 隨著微電子器件之尺寸愈來愈小，充分探究其製造中所 用材料之物理特性的重要性越來越有成為關鍵。由於此等 材料對電容之貢獻，固此對於用於使金屬線、通孔及電子 元件彼此間絕緣之介電材料而言尤其如此。二氧化石夕在工 業中作為一種介電材料用於製造器件已有近3〇年，但由於 其相對高之介電常數（k~4.1)，將來可能變得不太適用。然 而最近，在具有低介電常數絕緣層及展示抗反射特性之 圖案轉移硬遮罩之情況下，矽氧烷已用於微影蝕刻製造 中。 雨且，在目前傳統的半導體製造中，為防止光反射透射 牙過光阻劑、反射出基板上並返回至該光阻劑’於此其可 干涉入射光且因此導致光阻劑之不均勻曝光，通常可在光 阻劑沈積或旋塗於其上之前沈積一或多層抗反射層。在缺 少抗反射塗層之情況下，經反射曝光輻射與入射曝光輻射 之干涉可導致駐波效應，其使穿過光阻劑層厚度之輻射的 均勻度失真。整個影像區域反射率之變化可導致經設計具 有相似尺寸之部件不希望的線寬變化。 【發明内容】 120884.doc 200804522 本發明係關於-種組合物’其包括：(a)一種聚合物，其 包含至少一個式（(AXjRJiOwD/2)之重複單元及至少一個式 ((AKRJiOp-kv2)之重複單元，其中各心單獨係在任一光化 波長下吸收之相同或不同發色團；各厌2係單獨選自氫、烷 基、烯基、環烷基及芳烷基；各人係形成任一上述重複單 元之單體的未反應官能團；』及让各自係在範圍〇幻幻及 OSkSl内之整數，心與尺2之比率自約1:99至約6〇4〇 ; (b) — 種鹵化物來源；及（c) 一種溶劑。該聚合物亦可包含式 (Rf)w(Rg)zSiO(“-z)/2之額外單元，其中心及&各自單獨選 自心及尺2·，且wAz各自係在k &或2) U範圍内之整數， 限制條件為(4_w_z)不m亦提供—種在基板上形成影 像之方法及製造基板之物件、本發明組合物及一種光阻 劑。 【實施方式】 本發明係關於-種組合物，其包括··⑷一種聚合物，其 包含至少一個式（(AXjRjiC^A/2)之重複單元及至少一個式 (⑷似叫3·)之重複單元，其巾各心單獨係在任一光化 波長下吸收之相同或不同發色團；各^係單獨選自氫、烧 基、晞基、環絲及芳絲；各絲成任―上述重複單元 之單體的未反應官能團；j及k各自係在範圍〇勾U及MB! 内之整數，R4R2之比率自約1:99至約6〇:4〇 ;⑻一種鹵 化物來源；及（C) 一種溶劑。該聚合物亦可包含式 (Rf)w(Rg)zSiO(4_w_z)/2之額外單元，其中〜及1各自單獨選 自Ri及R2，且w及z各自係在〇$ >或2) 範圍之整數，限 120884.doc 200804522 制條件為（4.w_z)不等於〇。亦提供_種在基板上形成影像 之方法及製造基板之物件、本發明組合物及一種光阻劑。 本發明之聚合物包含重複單元（(A)jRiSi〇(3_j)d及 ((A^SiOp，2)，其係由㈣熟f此項技術者習知之方法 H備’例如’藉由二官能團有機⑦單體之水解縮聚反應製 備，例如RSiA3、RSiCl3、石夕烷酯卿(〇^)3(其中^可為 烧基基團）、RSi(醯氧基）3或Rsi(烧基嗣蔣^或上述之水
解形式，其巾R可為R4R2。關於製備本發明聚合物之其 他資訊可在美國專利第5,29〇,354號、第5,32〇,868號及第 6,770,726#b中找到。該等反應可形成小寡聚物、複合樹月旨 及網狀物。 I發色團之實例包括但不限於未經取代及經取代的第、 伸乙稀基伸苯基、蒽、茈、苯基、苄基、查耳酮 (chalcone)、鄰苯二甲醯亞胺、雙羥萘甲酸、吖啶、偶 ^合物、二笨并咬喃、其任一衍生物…塞吩、蒽、蔡、 本、查耳酮、鄰苯二甲醯亞胺、雙經蔡甲酸"丫咬、偶氮 化合物、;i、芘、螢蒽、蒽酮、二苯甲酮、噻噸網、含有 選自氧、氮、硫、及其組合之雜原子的雜環芳族環、以及 上述各物之衍生物。 、該等燒基、烯基、環烧基及芳烧基（即，R2)可係未經取 代或經取代。合適之取代基包括彼等在本發明上下文中不 改變基團性質之取代基，例如函素原子（例如貌、氯、 漠、蛾）、經基、燒氧基、録、烧基魏基、确基、亞硝 基氰基、亞磺醯基及諸如此類。烷基之實例包括甲基、 120884.doc 200804522 丁基、異戊基及諸如此類；烯基包括例如乙稀基、烯丙基 及諸如此類；我基—環己基、環戊基、金鋼燒基 及诸如此類；烧氧基包括例如甲氧基、乙氧基、經基乙氧 基、丙氧基、減丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁 乳基及第三丁氧基；芳燒基包括例如节基、苯乙基及異丙 苯基/氧基包括壯苯氧基；且芳氧絲基包括例如苯 甲&&氣基。
聚合物之實_包括聚（苯基_甲基倍半石夕氧烧），9〇:1〇苯 基甲基，聚（苯基-丙基倍半矽氧燒），7〇:3〇苯基：丙基；聚 (苯基-乙烯基倍半錢燒），9G:1G苯基：乙烯基；共聚苯基 倍半石夕氧基倍切氧燒、聚（苯基_異丁基倍半石夕氧 烧）聚（苯基_異戊基倍半⑦氧烧）、聚（苯基_正已基倍半石夕 乳烷）、聚（苯基-苯甲醯基倍半矽氧烷）、聚（苯基-對-苯氧 基倍半矽氧烷）、聚（萘基·甲基倍半矽氧烷）、聚（蒽基_甲基 倍半矽氧烷）、（40%苯基_45%甲基倍半矽氧烷）_(5%苯基甲 基矽氧烷）（10%二苯基矽氧烷）三元聚合物及諸如此類。該 等，合物亦可包含一個或多個式(Rf)w(Rg)zsi0(—之重 稷單元，其中1及1各自單獨選自上述心及厌2，且评及2各 自為在範圍内之整數，限制條件為（4-W-Z)不等 於〇或3 〇 該，、且&物之另一組份係鹵化物來源。該鹵化物來源幾乎 了為任何k供_素陰離子以與聚合物反應之材料。端視本 發明組合物之應用而定，使用某些鹵化物來源可比其他鹵 化物來源更為有利。鹵化物來源之實例包括脂肪族四級銨 120884.doc 200804522 鹽（例如四Cw烷基鹵化銨，例如四甲基氯化銨、四乙基氯 化銨、四甲基溴化銨及四乙基溴化銨，三Ci_6烷基Q，烷 基鹵化銨，例如三甲基月桂基氯化銨及三甲基月桂基溴化 叙 一 Cl-6烧基二(Ι：8·2〇烧基鹵化鈹，例如二甲基二月桂基 氯化銨及二甲基二月桂基溴化銨），特別係四C14烷基鹵化 銨（例如四（^.2烷基鹵化銨）、三01-4烷基烷基鹵化銨 (例如三Cb2烷基c1g_14烷基齒化銨）、二Cw烷基二Cwb烷 • 基龜化銨（例如二^_2烷基二c1(M4烷基自化銨）及脂肪族/芳 基四、、及叙鹽（例如苄基二焼基鹵化銨）。該等鹽之實例 匕括四丁基氯化銨、苄基三甲基氯化銨、目乙基氯化銨、 苄基三丁基氯化銨、十六烷基三甲基氣化銨、甲基三辛基 氯化鉍四丁基氯化銨、苄基三甲基氯化銨及相應的氟化 物、溴化物及碘化物。 合適i化物來源之其他實例為二_四級銨二鹵化物鹽， 例如具有以下通式之化合物 Φ [(R’)3N+(Z)mN+(R，)3](X-)2， /、中各R單獨為U2G個碳原子之烧基、個碳原子之 雜烧基、方基、雜芳基、3至6個礙原子之環烧基、3至6個 碳原子之雜環烧基、或其組合；N為四配位元素氮、或環 脂族、雜環脂族或雜芳族結構中之雜原子氮；X為-負離 子2為i自下列組成之群之橋接成員：1至20個碳原子 之烷基、2至20個碳历工> w # 原子之稀基、芳基、1至2〇個碳原子之 雜烷基、2至20個碳原子之雜烯基及雜芳且_至 1 〇 ° 該等化合物之實例包括[(CH3)3N+(CH2)6N+(CH3)3](Cr)2 120884.doc 200804522 ^ [(C3H7)3N+(CH2)6N+(C3H7)3](Cr)2 ^ [(CH3)3N+(C2H4)6N+(CH3)3](Br )2 > [(C6H5)3N+(CH2)6N+(CH3)3](Cr)2 ^ [(C6H5)3N+(C2H4)2N+(CH3)3](Cr)2 及諸如此類。二-四級銨鹵化物鹽之另一實例係N，N’_二 氟-2,2、二吡啶钂（雙四氟硼酸鹽）（稱為MEC-31)。另一實例 係四（二甲胺基）乙烯（TDAE)/CF3錯合物。 鹵化物來源之其他實例包括四烷基銨二齒代三芳基(或 三烷基或芳基與烷基之混合物）二矽酸鹽，其具有以下通 式：
[芳基]q[烷基]rSi[F]s 其中q為1或2, r為1或2, s為2或3。 一個實例係具有以下式之化合物
其中1^為0至3個取代基，每一取代基獨立為烷基、烯基、 芳香烷醯基、烷氧基或硝基；R2為烷基，一實例係四丁基 銨二氟三苯基矽酸鹽。 其他實例為具有以下式之化合物
ch3 )2-‘iF2- +N(R2)4 及 120884.doc -11 - 200804522
其中1^及112如上文所定義。 /等類型之鹽更完整地闡釋於美國專利第Mi4，m號及 第6,203,721號中，二者以引用的方式倂入本文中。 其他二·四級銨鹵化物鹽亦包括DABc〇(1，‘二氮雜二環 [2·2·2]辛烷）之二-四級銨鹽，其由下式展示·
2Χ 其中η為1至10, X為鹵化物。該等鹽更完整地闡釋於美國 專利第4,559,213號中，其以引用的方式倂入本文中。 其他鹵化物來源包括鹼金屬鹽（例如Licl、NaCh KCh KBr等）、鹼土金屬鹽（例如CaC12、MgC12等）、吡啶鏽鹽（例 如苄基-3-羥基氯化吡啶鑌）、咪唑啶鹽（例如丨，3_二癸基 甲基氯化咪唑鏽）、四唑鑌鹽（例如2,3,5_三苯基-氯化四唑 鑌）及諸如此類。仍其他鹵化物來源包括加熱時可藉由消 去反應釋放鹵化物之鹵代有機化合物。 在多種情況下’上述鹽中之氮原子可由VA族元素如 磷、銻及砷代替’例如四丁基氣化鱗、四甲基氯化鎮、四 苯基氣化鱗及諸如此類。 其他鹵化物來源包括諸如以下之物質·氟氯甲 120884.doc -12- 200804522 基-1，4-二氮陽離子二環[2·2·2]辛烷雙（四氟硼酸鹽）（商品名 Selectfluor)、l氟·‘羥基_〗，4_二氮陽離子二環[2·2·2]辛烷 雙（四氟硼酸鹽）（商品名Aceuflu〇r)、Ν，Ν，-二氟聯吡啶 鑌雙（四氟硼酸鹽）、，N-F，試劑（例如R2N_F)、，[N_Fr試劑 (例如R3N F)、2,2-二氟二甲基咪嗤唆、三氟化二乙 胺基硫、RaRbN-CF2-Rc(其中Ra為氫或燒基，&及&各自選 自烧基或芳基）(商品名Flu〇rin〇x)，*氧丁基石黃讀氣及諸如 此類。
該幽化物來源通常基於組合物之全部樹脂固體以約以 至約20%存於該組合物中。中請者已發現當本發明組合物 用於塗佈基板等之前使其靜置約24小時可達成本發 佳結果。 本發明組合物中之另—組份係溶劑。對此等光阻劑之 適溶劑可包括（例如)_類，例如丙酮、甲基乙基^甲 異丙基酮、環己酮、異佛爾_、甲基異戊基_、4十兴 庚酮及4-甲基2_戊嗣；CjCi〇脂肪族醇，例如甲醇“ 醇:正丙醇、異丙醇、正丁醇、第二丁醇、紛及諸如 類，含芳族基團之醇，例如苄醇；環狀碳酸酯，例如# 乙二酯及碳酸丙二酯；脂肪族或芳族烴（舉例而士石厌 烷、曱苯、二甲苯等及諸如此類）；環醚，例如一 己燒及四氫吱喃；乙二醇；丙二醇；己二醇:氣雜 而言，1-丁氧基乙氧基-2_丙醇、3·甲基_3_ ，舉 -鮮T 分 T乳基丁醇、 —%正丁基醚、乙二醇苯基醚、乙二醇單甲 % ou Τ基喊、一 早乙基醚、乙二醇丙醚、二乙二醇己基醚、_ 一 —乙二赌 120884.doc • 13 - 200804522 基醚、二乙二醇單甲基醚、- —乙二醇早丁基ϋ、二乙二醇 單丙基醚、丙二醇乙基_、而_ " 丙一醇異丁基趟、丙二醇單甲 基醚、丙二醇單丁基醚、丙—0 内一知早乙基醚、丙二醇正丙基 醚、丙二醇苯基i|、丙二醇隹_ 吁弟二丁基醚、二丙二醇乙基 醚、二丙二醇單丁基醚、二而一口 丙一醇早甲基S|、二丙二醇單 丙基醚、三乙二醇乙基醚、= 一乙一醇甲基醚、三乙二醇正 丁基醚、三丙二醇甲基醚、二 1 一丙一醇正丁基醚；乙二醇燒 基醚乙酸酉旨’例如甲基賽路鞋 * 胥略穌乙酸ί曰及乙基賽路蘇乙酸 酯；丙二醇烷基醚乙酸酯，如1^ ^ ^ 9例如丙二酵甲基醚乙酸酯、丙 二醇乙基醚乙酸自旨、丙二醇丙基醚乙酸酯及丙二醇丁基醚 乙酸酯；丙二醇烷基醚丙酸酯，例如丙二醇甲基醚丙酸 酿、丙二醇乙基醚丙酸酯、丙二醇丙基醚丙酸酯及丙二醇 丁基醚丙酸2-甲氧基乙基鱗（二乙二醇二甲醚）；具有 醚及羥基部分之溶劑，例如甲氧基丁醇、乙氧基丁醇、甲 氧基丙醇及乙氧基丙醇；酯，例如乙酸甲酯、乙酸乙_、 乙酸丙酯及乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、2_羥基 丙酸乙酯、2-羥基2-甲基丙酸甲酯、2_羥基2_甲基丙酸乙 画曰、經基乙酸甲i旨、每基乙酸乙酯、經基乙酸丁酷、乳酸 甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸丁酯、3_羥基丙酸甲 酯、3-羥基丙酸乙酯、3-羥基丙酸丙酯、3-羥基丙酸丁 酯、2-羥基3-甲基丁酸甲酯、曱氧基乙酸甲酯、甲氧基乙 酸乙醋、甲氧基乙酸丙酯、甲氧基乙酸丁酯、乙氧基乙酸 曱酯、乙氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸丙酯、乙氧基乙酸丁 酯、丙氣基乙酸甲酯、丙氧基乙酸乙g旨、丙氧基乙酸丙 120884.doc -14- 200804522 酉曰、丙氣基乙酸丁醋、丁氧基乙酸甲g旨、丁氧基乙酸乙 酉曰、丁氣基乙酸丙S旨、丁乳基乙酸丁醋、2-甲氧基丙酸甲 酉曰、2-甲氣基丙酸乙_、2-甲氣基丙酸丙酯、甲氧基丙 酸丁 S曰、2-乙氧基丙酸甲S旨、2-乙氧基丙酸乙酯、乙氧 基丙酸丙酯、2-乙氧基丙酸丁酯、2- 丁氧基丙酸甲酯、2-丁氧基丙酸乙酯、2- 丁氧基丙酸丙酯、2_ 丁氧基丙酸丁
酯、3-曱氧基丙酸甲酯、3-曱氧基丙酸乙酯、3_甲氧基丙 酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、3_乙氧基丙酸甲酯、3•乙氧 基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸丙酯、3…乙氧基丙酸丁酯、3· 丙氧基丙酸甲酯、3-丙氧基丙酸乙酯、3_丙氧基丙酸丙 酯、3-丙氧基丙酸丁酯、3_丁氧基丙酸甲酯、3_丁氧基丙 酸乙酯、3-丁氧基丙酸丙酯及3_丁氧基丙酸丁酯；氧基異 丁酸酯，例如2-羥基異丁酸甲酯、α_甲氧基異丁酸甲酯、 曱氧基異丁酸乙酯、α_乙氧基異丁酸甲酯、α_乙氧基異丁 酸乙酯、β-甲氧基異丁酸甲酯、卜曱氧基異丁酸乙酯、卜 乙氧基異丁酸甲酯、β_乙氧基異丁酸乙酯' β_異丙氧基異 丁酸甲酯、卜異丙氧基異丁酸乙酯、卜異丙氧基異丁酸異 丙酉旨、β-異丙氧基異丁酸丁酿、β·丁氧基異丁酸甲酉旨、卜 丁氧基異丁酸乙自旨、β·τ氧基異丁酸Tg|、α々基異丁酸 甲Ϊ旨、α-經基異丁酸乙酉旨、α•經基異丁酸異丙醋及^經基 異丁 I 丁 S曰，及其他溶劑，例如二元酸酯及γ _ 丁内酯； 酮_何生物，例如二丙_醇甲醚·，酮醇衍生物，例如丙嗣 醇或一丙酮醇’内酉旨，例如丁内酯；醯胺衍生物，例如二 曱基乙醯胺或二甲基甲醯胺、苯甲醚及其混合物。已發現 120884.doc -15- 200804522 為增強穩定性及/或溶解性，溶劑較佳選自醇及醚醇。 一種可添加於該組合物中之可選組份係成孔分子，其可 用以降低由本發明組合物所形成膜之介電常數。本文所用 之"成孔分子"意指任何產生孔之化合物，舉例而言，可分 解成小分子並隨後揮發以藉此形成奈米孔之熱不穩定及/ 或輻射不穩定有機聚合物。形成該等多孔低k介電層之條 件已為業内熟習此項技術者所熟知。 本發明之組合物可使用業内熟習此項技術者所熟知之技 術例如浸塗、旋塗或噴塗塗伟於基板上。抗反射㈣之膜 厚度介於約〇.〇1微米至約谓米之間。該塗層可於埶板上 或對流爐上或以其他熟知加熱方法加熱以去除任何殘餘溶 劑並在需要㈣發交聯、並使得料抗反射塗層不溶解以 防止抗反射塗層與光阻劑間混合。 目前有負性及正性兩種類型之光阻組合物。當將負性光 阻劑組合物成影像暴露於輻射時，暴露於輻射下之抗钱组 合物區域變得不易溶於顯影液（例如’發生交聯反應）而未 經暴露之光阻塗層區域在此_溶液中仍相對易@。因此， 用-顯影㈣理經暴露之負性抗㈣可去除未經曝光之光 阻劑塗層區域並在該塗層中產生一負影像，由此露出其上 沈積有光阻劑組合物的下伏基板表面之期望部分。 ★相當將正性光阻劑組合物成影像暴露於輻射時，彼 等暴露於輻射之光阻劑組合物區域變得更易溶於顯影液 (例如，發生重排反應）而彼等未經暴露之區域仍相對^溶 於該顯影液。因此’用顯影劑處理經暴露之正性光阻劑可 120884.doc -16 - 200804522 去除經暴露之塗層區域並在該光阻塗層上形成一正影像。 同樣’可露出下伏基板表面之期望部分。 負性光阻劑及正性光阻劑組合物及其用途為業内熟習此 項技術者所熟知。 本發明之方法包括：用本發明組合物塗佈基板並於一熱 板或對抓爐_L或以其他已熟知之加熱方法於一足夠溫度下 將基板加熱足夠長時間时除塗層溶#卜錢該聚合物交 聯至足夠程度以使該㈣不溶於光阻敎㈣溶液或驗性
顯影劑水溶液巾。可使用㈣熟知之方法施加邊膠清洗負 以清潔基板之邊緣。加熱温度在自約7代至約25代範環 内二如果溫度低於贼，則可發生溶劑去除不充分或交靖 數量不足，且在高於25〇t：2溫度下，聚合物可變得化學 不穩定：然後，將光阻劑組合物之膜塗佈於該抗反射塗層 之頂4並;t、烤以基本上去除光阻劑溶劑。光阻劑係成影偉 暴露^在顯影劑水溶液中顯影以去除經處理抗㈣卜可在 顯影前及暴露後將可選加熱步驟納人該製程中。光阻劑之 塗佈及成衫像方法為業内熟習此項技術者所熟知並針對所 用抗韻劑之特t類型而優化。圖案化基板可隨後在合適敍 刻室内絲刻以去除抗反射膜之暴露部分，其中剩餘光阻 劑作為蝕刻遮罩。 下述具體實例將詳細闡述製傷及使用本發明組合物之方 法。然而’該等實例並非意欲以任何方式限制或约束本 明之範4 ’且殘將其卿為其剌於提供實踐本發心 須且僅能使用之條件、參數或數值。 120884.doc •17- 200804522 實例1 聚（苯基-甲基倍半矽氧烷）90αο苯基1基係購自 ㈤如。於丙二醇單甲基鍵中製備25重量％聚(苯基-甲基 倍半矽氧烷）9〇:10苯基：甲基之溶液。基於聚（苯基_甲基倍 半矽氧烷）之固體含量，將自2重量％至1〇重量％不同量之 四丁基氯化銨加至該溶液之等份試樣中並混合。將該等等 份試樣靜置24小時。，然後各溶液之等份試樣放置於不同的 矽晶f上並以2000 rpm旋轉澆注以形成6〇奈米厚之膜（加 熱後量測）。然後將經塗佈晶圓於25〇。〇下加熱。膜厚度係 由VASEH然後將經塗佈晶圓於丙二料甲基醚乙酸 酯中浸泡30秒鐘並在VASE上量測膜厚度。隨著四丁基氯 化，之量自0重量％增加至1〇重量％，在四丁基氯化錄為〇 重量％時具有完全的膜損失，且然後四丁基氯化銨自2 5重 量％至10重量％時’膜厚度損失在2至3.5奈米範圍内。 實例2 將10克聚（苯基-丙基倍半矽氧烷）[7(h3〇苯基：丙基；購自
Gelest公司，Morrisville，PA]及13〇克乳酸乙酉旨在瓶中攪拌 組合。將該調配物靜置i天後，將該調配物之等份試樣旋 轉塗佈於石夕晶圓上並將晶圓加熱至2G(rc。藉由將該晶圓 之一部分浸於PGMEA中來測試膜之溶解性。浸泡區中之 所有膜皆被切。使用25(rc及3〇〇。〇烘烤重複此測試且結 果相同。 實例3 將5克聚（苯基-丙倍半矽氧烷儿7〇··3〇苯基··丙基，購自 120884.doc -18- 200804522
Gelest公司，Morrisville，PA]、95克乳酸乙酉旨及0.25克四 丁基銨二氟三苯基矽酸鹽組合同時於一合適瓶中混合。將 該調配物靜置1天後，將該調配物之等份試樣旋轉塗佈於 矽晶圓上並將晶圓加熱至150°C。藉由將該晶圓之一部分 浸於PGMEA中來測試膜的溶解性。浸泡區域中之所有膜 皆保留。當以更高溫度烘烤膜時，浸泡區域中之膜不受影 響。若不烘烤該晶圓，則該膜完全被去除。 實例4 將5克聚（苯基-丙基倍半矽氧烷）[70:30苯基：丙基，購自 Gelest 公司，Mordsville，PA]、100 克 ArF thinner(購自 AZ Electronic Materials)及0.25克四丁基氟化銨組合同時於合 適瓶中混合。將該調配物靜置1天後，將該調配物之等份 試樣旋轉塗佈於矽晶圓上並將晶圓加熱至250°C。藉由將 該晶圓之一部分浸於PGMEA中來測試膜的溶解性。浸泡 區域中之所有膜皆保留。當以更高溫度烘烤膜時，浸泡區 域中之膜不受影響。若不烘烤該晶圓，則該膜完全被去 除。 實例5 將2毫升實例1之等份試樣放置於合適瓶中，並藉由在攪 拌的同時加入不同量之5%四丁基氯化銨（TBAC)存於PGME 中之溶液來製備四種不同調配物：（a)0滴5%TBAC溶液[對 照];(b)l滴 5%TBAC溶液；(c)5 滴 5%TBAC溶液；及（d)15 滴5%TBAC溶液。將該調配物靜置1天後，將各調配物之 等份試樣旋轉塗佈於矽晶圓上並將晶圓加熱至250°C。藉 120884.doc -19- 200804522 由將該晶圓之一部分浸於PGMEA中以測試調配物之各等 份試樣所形成之膜的溶解性。除了無TB AC之調配物（（a)， 對照）外，所有其他膜保持完好並得以固化。
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Claims (1)

  1. 200804522 十、申請專利範圍： 1 · 一種組合物，其包含： (a) —種聚合物，其包含至少一個式之 重複單元及至少一個式（(A)kR2Si〇(3 k)/2)之重複單 元其中各單獨係在任何光化波長下吸收之相同 或不同务色團，各I單獨選自氫、烧基、烯基、環 烷基、及芳烷基；各A係形成上述重複單元中任一者 之單體的未反應官能團；j&k各自為在範圍〇勾U及 内之整數，Ri與化之比率係自約1:99至約 60:40 ； (b) —種鹵化物來源；及 (c) 一種溶劑。 2 · 如5青求項1之組合物，盆φ u> I + ，、之比率為自約10:90至 約30:70。 一 V ο 4. 如請求項1之組合物，其中R，禋ό 土 ^ t T汉1選自未經取代或經取代 第、伸乙烯基伸苯基、蒽、花、苯基、查耳明、鄰苯二 甲醯亞胺、雙經萘甲酸、偶氮化合物、二苯并咬 喃及其任一衍生物、噻吩、萘曱酸、茛、关、^ 酉同、鄰苯二甲酸亞胺、雙經蔡甲酸'二二;:合 物、荔、芘、螢蒽、蒽酮、_ 1甲_ ^ 一 一本甲嗣、噻噸_、含有選 自氧、氮、硫及其組合之雜原子的雜 作衣方無裱以及上述 之衍生物。 如請求項1之組合物，其進一步包含_成孔分子。 I20884.doc 200804522 6·如請求項1之組合物，其中該聚合物進一步包含式 (R〇w(Rg)zSiO(4_w_z)/2之單元，其中RfARg各單獨選自1及 R2 ;且％及2各為在範圍〇S(w或z)S2内之整數，其中限制 條件為（4-w-z)不等於0。 7·如请求項1之組合物，其中該鹵化物來源係四級銨鹵化 物鹽或二-四級銨鹵化物鹽。 8 ·如明求項7之組合物，其中該齒化物來源係四級銨鹵化 物鹽。 9·如請求項8之組合物，其中該四級銨鹵化物鹽係四Cll0 鹵化銨。 1 〇·如明求項1之組合物，其中該四級銨鹵化物鹽係四丁基 孰1化錄。 11.如。月求項7之組合物，其中該鹵化物來源係二·四級铵鹵 化物鹽。 12·如請求項1之組合物，其中該函化物來源係基於該組合 物之所有樹脂固體以約1%至約20%之量存在。 13 —種在基板上形成影像之方法，其包括：幻以請求項丨之 組合物塗佈基板；b)加熱步驟a)之塗層；c)在步驟b)之塗 層上自光阻劑溶液形成塗層；幻加熱該光阻劑塗層以基 本上自該塗層去除溶劑；e)成影像暴露該光阻劑塗層； f)用驗性顯影劑水溶液顯影；g)視情況，在顯影之前及 之後加熱該基板；及h)乾蝕刻步驟b)之組合物。 14. 士明求項13之方法，其中對於&)中之組合物而言，反$與 R2之比率為自約至約30:70。 120884.doc 200804522 15·如請求項13之方法，苴 烧基或稀基。 "中對於a)中之組合物而言’ W 16.ΓΓ項13之方法，其中對於-之組合物而言鳴選 =經取代及經取代的g、伸乙職伸苯基、蒽、花、 本基、查耳酮、鄰笼_ 一甲酉监亞胺、雙羥萘曱酸、吖啶、 二合物、二苯并呋喃及其任_衍生物、噻吩、萘甲 S:、恩、萘、苯、查耳酮、鄰苯二甲醯亞胺、雙經萘甲 H咬、偶氣化合物、篇1、營葱、葱闕、二苯甲 西Π塞頓职、合有選自氧、氮、碗及其組合之雜原子的 雜環芳族環以及上述之衍生物。 17·如請求項13之方法，甘 中a中之組合物進一步包括一成 孔分子。 18. 如請求項！3之方法，其中對於a)中之組合物而言，該聚 。物進7包3式（Rf)Wd)zSi〇(4-W-z)/2之單元’其中Rf 及~各單獨選自R丨及R2 ;且胃及2各為在範圍G<(W或Z)S2 内之整數，其中限制條件為（（Μ)不等於〇。 該鹵 19. 如請求項13之方法’其中對於&)中之組合物而言 化物來源係四級銨_化物鹽或二-四級銨画化物鹽 該鹵 20. 如請求項η之方法’其中對於a)中之組合物而言 化物來源係四級銨鹵化物鹽。 21. 如請求項20之方法’其中該四級銨鹵化物鹽係四画 化銨。 22·如請求項21之方法，其中該四級銨鹵化物鹽係四丁基氯 化鍈。 120884.doc 200804522 如吻求項1 3之方法’其中該鹵化物來源係二_四級銨鹵化 物鹽。 24.如請求項U之方法，其中對於a)中之組合物而言，該函 化物來源係基於§亥組合物之所有樹脂固體以約^重量％至 約2〇重量％之量存在。 25·—種製造物件，.甘_1 具包括·基板；該基板上之抗反射組合 物其為凊求項1之抗反射組合物；及一該抗反射組合 物上之光阻劑組合物層。
    120884.doc 200804522 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： Φ 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式: (無）
    120884.doc
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