WO2020182621A1 - Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil - Google Patents

Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil Download PDF

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semiconductor
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Martin Rudolf Behringer
Christoph Klemp
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • a method for producing optoelectronic semiconductor components is specified.
  • an optoelectronic semiconductor component is specified.
  • One problem to be solved is to provide a method with which optoelectronic semiconductor chips are efficient
  • This task is achieved, among other things, by a method and by an optoelectronic semiconductor component with the
  • the method is used to produce optoelectronic semiconductor components.
  • the finished semiconductor components are
  • the finished semiconductor component is a display or a
  • the finished semiconductor component can be a pixelated headlight, for example for the targeted illumination of individual areas, for example in a living room or on a stage, or also in an adaptive headlight in a motor vehicle.
  • the method comprises the step of providing one or more
  • the semiconductor chip is preferably a light-emitting diode chip.
  • Laser diode chips can also be used, for example vertically emitting lasers, or VCSELs for short. If several semiconductor chips are provided, the semiconductor chips can be structurally identical to one another. Alternatively, different types of semiconductor chips can be installed.
  • the at least one semiconductor chip is preferably used for
  • Set up generation of visible light for example to generate blue light. It is also possible for semiconductor chips to be present for generating green or yellow or orange or red light. Furthermore, semiconductor chips can be provided for generating near-ultraviolet radiation or near-infrared radiation. The radiation emitted by the semiconductor chip during operation can
  • Semiconductor chips are produced.
  • at least one luminescent material to be assigned to the semiconductor chip, by means of which radiation generated in a semiconductor layer sequence can be partially or completely converted into radiation of a different wavelength.
  • sensors such as photo sensors or temperature sensors can be present.
  • Semiconductor chip one or more contact sides.
  • At least one contact side is set up for energizing the semiconductor chip.
  • the method comprises the step of generating at least one
  • the at least one coating area and the at least one protection area differ in particular with regard to their areas
  • the coating area is hydrophobic
  • the method comprises the step of applying at least one liquid
  • Coating material on the at least one contact side is preferably applied flat, that is to say in particular without the aid of a
  • the coating material can only be local
  • conductive paths may be attached, for example along areas where conductive paths are to be formed.
  • the at least one coating material has wetting properties with respect to the coating area. That is, that
  • Coating material wets the at least one
  • the protected area does not have a wetting effect, so that
  • Coating material ultimately leaves the protected area free.
  • the coating material is also applied to the protected area at least in places. This also applies preferably when the coating material is applied in a roughly structured manner, for example in the manner of a conductor track. This means that the coating material preferably leaves the protected area again automatically. The withdrawal of the Coating material from the protected area can still be used during the step of applying the
  • Coating material for example due to a
  • the method comprises the step of solidifying the at least one
  • the solidification is for example a cooling and thus solidification, a hardening, for example thermally or photochemically, a drying, for example by evaporation of a solvent, and / or a
  • Coating area in particular associated with a change in melting point. Before solidifying, the coating material pulls due to the different
  • the contact structure is preferably located directly on the coating area. It is thus possible for the semiconductor chip to be energized through the at least one contact structure when used as intended. This means that the contact structure forms in the finished product
  • optoelectronic semiconductor component a current-carrying component.
  • the method is used to produce optoelectronic semiconductor components and includes the following steps, especially in the
  • the coating material preferably both on the at least one
  • multiplicity means, for example, at least ten and / or at most IO ⁇ semiconductor chips.
  • LED chips can initially be coated with a printable or printable or sprayable or inkjetable or submersible or dewable or spin-on coating material from above, for example
  • the electrical conductors can be transparent or else non-transparent or they can also be reflective.
  • Transparent means, for example, permeability for that emitted by the semiconductor chip
  • Reflective means in particular a reflectivity for the radiation emitted by the semiconductor chip of at least 50% or 80% or 90%.
  • an area can be provided on an LED chip and prepared by structuring, to which the electrical conductors are to connect. This area can be used for this
  • Example be metallized with a contact pad so that the electrical connection to the LED chip is low-loss
  • This area can be on a main side and / or on side surfaces of the LED chip. Furthermore, the surface of the LED chip can be coated where no conductor is to be applied in such a way that the liquid of the coating material is repelled.
  • the surface in question can be any shape.
  • the surface in question can be any shape.
  • Using a water-based coating material can be made hydrophobic. This can be achieved, for example, by the fact that the relevant bodies will later
  • hydrofluoric acid for example, or with a hydrophobic material such as a perforated hydrocarbon
  • Light-emitting diode chips are structured and coated on the contact side before being placed on a later carrier, that is to say still in the wafer assembly, in such a way that a good electrical connection to the semiconductor material is made at suitable points on the semiconductor chip.
  • Semiconductor chip forms a connection to the conductor and thus to a carrier or to a power source on an outside, is set up for connection to this conductor with a low electrical resistance.
  • the corresponding points can be connected to one another in an electrically conductive manner.
  • Semiconductor chip are treated so that these areas repel the coating material, as in the case of a
  • additional substances with additional functions can be added to a transparent conductor.
  • light-scattering diffusers and / or phosphors can be added.
  • Diffusers can For example, if LED emitters are connected together for the colors red, green and blue, an RGB image point with particularly good color mixing
  • a geometric shape, in particular a transparent conductor, in connection with the refractive index can be used at the same time as a coupling-out structure, also referred to as a lens-on-chip. This allows efficiency and / or directionality, that is, a
  • Topography For the coating material to be applied initially in liquid form, further parameters such as surface tension, viscosity or glass transition point can be important.
  • the semiconductor chips can be mounted on a carrier or on a base and can be efficiently mounted from a side facing away from the carrier or base provided with the coating material for the electrical contact.
  • the at least one coating area and / or the at least one are
  • Protection area is an integral part of the finished semiconductor component. That is, with that
  • Coating area and / or the protection area are not just temporary components such as
  • the coating area and the protection area can be seen in the finished semiconductor component, preferably just like the
  • Coating area and the protection area are achieved.
  • the at least one semiconductor chip has an average edge length of at most 0.2 mm or 0.1 mm or 50 ⁇ m when viewed from above on the at least one contact side.
  • the mean edge length of the semiconductor chip is preferably at most 30 ⁇ m or 15 ⁇ m or 10 ⁇ m.
  • the mean edge length of the semiconductor chip is at least 1 pm or 2 pm or 5 pm. That is, the semiconductor chip is comparatively small.
  • the mean edge length is
  • Coating area or is at least one of the
  • smooth means one Roughness of at most 3 nm or 2 nm or 1 nm.
  • the roughness is in particular fourth order deviations in shape, that is to say roughness in the form of grooves, scales and
  • the protection area or at least one of the protection areas is or are all
  • Semiconductor surface area can also be a
  • Passivation layer such as an oxide layer can be used in the protection area.
  • a roughness of the corresponding surface area for the protected area is preferably at least 5 nm or 10 nm or 20 nm. Alternatively or additionally, this is
  • Coating material Significantly smaller means, for example, at least a factor of 5 or 10 or 30.
  • Protection area or at least some of the coating areas and / or at least some of the protection areas are still produced in a wafer assembly. That is, creating the
  • Coating areas and / or the protective areas can take place before the semiconductor chips are detached from the wafer assembly. There are a large number of the
  • the semiconductor chips before, preferably at a distance from one another, as originally grown.
  • the semiconductor chips can still be located on a growth substrate or on a replacement carrier, wherein in the last-mentioned case a relative position of the semiconductor chips to one another is not or not significantly changed in comparison to the growth.
  • Coating areas or are all coating areas formed by a metallization are formed by a metallization.
  • the metallization preferably touches a semiconductor surface area for the coating area directly. A thickness of this
  • Metallization is, for example, at least 5 nm or 10 nm or 20 nm and / or at most 2 gm or 1 gm or 0.3 ⁇ m.
  • the protection area is or is one of the protection areas or are all
  • the protective coating can have a smooth surface or with the
  • Protective coating includes, for example, a fluorinated or a perfluorinated plastic such as
  • the at least one protective coating comprises an oxide such as silicon dioxide or such Alumina.
  • the protective coating can consist of one or more of these materials.
  • Coating material in step C) applied mask-free, over a large area and / or unstructured.
  • Coating material is preferably applied simultaneously and continuously over a large number of semiconductor chips.
  • the number of semiconductor chips over which the coating material is applied is preferably at least 10 ⁇ or 10 ⁇ or 10 ⁇ or 10 ⁇ . Alternatively or additionally, this number is at most 10 ⁇ ⁇ or 10 ⁇ or 10 ⁇ .
  • Printing includes, for example, screen printing or
  • the semiconductor chips are at one
  • Evaporation temperature of the coating material or a solvent of the coating material This means that the coating material can condense on the semiconductor chips from a gas phase and is thus effectively deposited as a liquid.
  • the application of the coating material or at least one of the coating materials takes place in step C) by means of dipping.
  • the that is, the semiconductor chips that are applied, for example, on a carrier, still on the growth wafer or on a temporary substrate, can predominantly or
  • the coating material is preferably drawn onto the
  • the finished product is a liquid crystal according to at least one embodiment.
  • the contact structures consist of one or more metals or of one or more metal alloys and / or metal layers, for example the contact structure or the contact structures are made of one or more of the following metals: Al, Cu, Zn, Ni,
  • Ge and Si are regarded as metals. It can also be used as metal for the
  • Coating material can be metallic and applied in liquid form. It is possible that the solder does not change its chemical composition or does not change it significantly during solidification.
  • the coating material can be metallic and change its chemical composition during solidification.
  • mercury or Hg for short, or Galinstan is used as the coating material.
  • mercury can be applied as a liquid at room temperature or vaporized to form a liquid.
  • amalgams can be targeted at the at least one
  • Galinstan is a particularly eutectic alloy composed of Ga, indium and preferably also of Sn.
  • the alloy of 68% to 69% Ga, 21% to 22% In and 9.5% to 10.5% Sn at around -19.5 ° C has a particularly low melting point.
  • Hg at room temperature has a very high surface tension of around 470 mN / m and Galinstan of around 720 mN / m.
  • the surface tension of solvents such as n-hexane or acetone is around 20 mN / m at room temperature.
  • the contact structure is designed as a cathode and the further contact structure as an anode, or vice versa.
  • the contact structure and the further contact structure are preferably not electrically short-circuited. It is possible that the only electrical connection between the
  • Contact structure and the further contact structure is given within the semiconductor component via the semiconductor chip.
  • the semiconductor chip can be thicker in the area of the contact structure than in the area of the further contact structure or vice versa.
  • Semiconductor chip between the contact structure and the further contact structure on one or more stages can run across an active zone of the semiconductor chip.
  • Contact structure and the further contact structure can be produced from a liquid phase. Both anode-side and cathode-side contacting of the at least one semiconductor chip from one or more liquid phases is thus possible.
  • liquid phase is also understood to mean the deposition from a gas phase, with a liquid forming out of the gas phase, for example via
  • Contact structures or at least one of the contact structures or all contact structures and / or the at least one further contact structure each have electrical contact areas for external electrical contacting of the finished semiconductor component. It is possible that the
  • the finished semiconductor component comprises a carrier.
  • the carrier is, for example, a circuit board such as a printed circuit board, or PCB for short.
  • one or more semiconductor chips are attached to the carrier in step A).
  • the carrier can have electrical contact surfaces
  • the carrier can be a silicon substrate which comprises electronic components such as transistors and / or switches for the targeted control and addressing of individual semiconductor chips.
  • the contact structure or is at least one of the contact structures or all electrical contact structures are electrical conductor tracks. That is to say, via the at least one contact structure, from the relevant semiconductor chip to an electrical one
  • Contact structure or at least one of the contact structures is an electrically conductive network. This can be a single Contact structure several of the semiconductor chips with one
  • the contact structure preferably runs around the contact side around one edge. In this way, a light exit window can be formed in the center of the contact side, which window encircles and / or is framed by the contact structure.
  • Contact structure or at least one of the contact structures has one or more optically effective admixtures.
  • At least one admixture is selected in particular from the following group: phosphor, diffuser, dye,
  • the contact structure or at least one of the contact structures is through a
  • the contact structure is then made of a transparent conductive oxide, TCO for short, such as ITO or ZnO.
  • TCO transparent conductive oxide
  • a thickness of the at least one relevant contact structure is preferably at most 20 nm or 10 nm or 5 nm.
  • the contact structure is designed as an optical element.
  • the contact structure can be shaped as a lens, for example as a converging lens or as a diverging lens.
  • the optic body can be a phosphor. Furthermore, it is possible that the optic body is covered by a translucent
  • an optoelectronic semiconductor component is specified.
  • the semiconductor component is produced in particular using a method as described in connection with one or more of the above-mentioned embodiments. Features of the semiconductor component are therefore also applicable to the
  • this includes
  • optoelectronic semiconductor component an optoelectronic semiconductor chip with a contact side. There is a coating area and a protection area on the contact side. An electrical contact structure is on the
  • the contact structure can run out meniscus-shaped at an edge of the coating area towards the protection area. That is to say, the contact structure can be designed like a drop, at least towards the protection area, which lies on a base.
  • the contact structure preferably does not touch the protection area, but due to the meniscus-shaped design it can enter the protection area Top view of the contact side seen in places
  • FIG. 1 to 12 are schematic representations of
  • Figures 13 to 15 are schematic plan views
  • Figures 16 to 19 are schematic top views
  • FIGS. 20 and 21 are schematic sectional views of
  • Figure 22 is a schematic sectional view of a
  • Figures 23 and 24 are schematic sectional views of
  • FIGS. 1 to 12 show an exemplary embodiment of a method for producing optoelectronic
  • FIG. 1 shows an optoelectronic semiconductor chip 2 for the method.
  • the semiconductor chip 2 is preferably a light-emitting diode chip, or LED chip for short.
  • An edge length L of the semiconductor chip 2, viewed in plan view of a contact side 20, is in the range around 10 ⁇ m.
  • Semiconductor chip 2 is therefore comparatively small and can be a pLED.
  • the contact side 20 comprises a centrally located one
  • the coating area 21 thus forms a contact frame 29.
  • the protection zone 22 is set
  • the semiconductor chip 2 preferably emits a predominant portion of its radiation, for example
  • Figures 2 to 4 show schematic sectional views for possible implementations of the semiconductor chip 2, as in FIG Top view shown in Figure 1.
  • FIG Top view shown in Figure 1. In the following exemplary embodiments, all variants of the semiconductor chip 2, as in FIG Top view shown in Figure 1.
  • the contact side 20 is provided with a protective coating 42 in the protected area 22.
  • the protective coating 42 covers the entire protective region 22. Side surfaces of the semiconductor chip 2 can optionally also be covered by a passivation layer 24. As an alternative to such a passivation layer 24, the
  • Protective coating 42 may be extended to the side surfaces.
  • the protective coating 42 or the passivation layer 24 can reach up to a further electrical contact structure 32 on an underside of the semiconductor chip 2, in contrast to the illustration in FIG.
  • the protective coating 42 is preferably comparatively thin.
  • a thickness of the protective coating 42 is in particular at most 200 nm or 100 nm or 50 nm or 20 nm
  • Protective coating 42 can be smooth.
  • the protective coating 42 is preferably made of a perfluorinated plastic or of an oxide such as silicon dioxide.
  • Passivation layer 24 for FIG. 2 apply accordingly to all other exemplary embodiments.
  • a metallization 39 is optionally present in the coating area 21.
  • the metallization 39 can be applied directly to a semiconductor material of the semiconductor chip 2.
  • the optional metallization 39 is also preferably comparatively thin.
  • the metallization 39 can the
  • the protection area 22, which is symbolized by hatching, is formed by a roughening 41.
  • a kind of lotus effect can be achieved by the roughening 41, so that a
  • Coating area 21 collects.
  • the roughness 41 preferably has a small mean roughness of in particular a few 10 nm.
  • FIG. 3 shows that the roughening 41 can be produced directly from a semiconductor material of the semiconductor chip 2. Deviating from this, the roughening 41 can also be produced in a protective coating, not shown in FIG. This means that the protective coating is then located directly on the semiconductor material in which the
  • Roughening 41 is generated.
  • Such a roughening 41 is produced, for example, in that a silicon dioxide layer is deposited, which is etched with hydrofluoric acid, or HF for short, in order to achieve a lotus effect on a surface.
  • the proof of such a structuring is for example by means of
  • FIGS. 2 and 3 the coating area 21 and the protection area 22 are approximately in a common plane.
  • FIG. 4 shows that a predominant part of the protected area 22 can rise above a plane defined by the coating area 21.
  • Passivation layer to be provided to non-wetting
  • An optic body 6 can be attached to the semiconductor layer sequence 26.
  • the optic body 6 is transparent to radiation generated during operation of the semiconductor chip 2. In a departure from the illustration in FIG. 4, the optic body
  • the optic body 6 can be a separately manufactured one on which
  • the optic body 6 is formed by a growth substrate for the semiconductor layer sequence.
  • the elevation with the protective area 22 can be part of the
  • the contact frame 29 is formed.
  • Semiconductor layer sequence 26 is provided with metallization 39 around the elevation with protective region 22.
  • the carrier 5 is
  • the carrier 5 has further electrical contact points 52 which are later individually assigned to the semiconductor chips 2. Also an electrical contact point 51 is present, for example as a common anode or as a common
  • the contact points 51, 52 can be located in a common plane on the carrier 5.
  • the semiconductor chips 2 can be applied from a wafer assembly in which the semiconductor chips 2 are grown.
  • a surface density of the semiconductor chips 2 can decrease from a wafer, not shown, towards the carrier 5, for example by at least a factor of 10 and / or at most by a factor of 1000, for example by approximately a factor of 100. That is, the semiconductor chips 2 face the carrier 5 are at a significant distance from one another, but are still arranged comparatively densely, for example with an area fraction of at least 0.5% or 1% or 5% and / or of at most 60% or 30% or 10%.
  • a coating material 30 is applied flat and initially unstructured.
  • the coating material 30 is, for example, a liquid solder or an electrically conductive ink with silver particles.
  • an aqueous solution with a zinc salt can be used, so that a reduction to zinc is possible.
  • Coating materials 30 which contain aluminum hydroxide are also possible. In the case of non-metallic
  • Coating materials 30 can, for example, be a
  • Flocculation of zinc oxide can be carried out from an aqueous phase.
  • the coating material has withdrawn onto the coating areas 21.
  • the light exit windows 25 are thereby removed from the coating material 30
  • the coating material 30 on the semiconductor chips 2 thus preferably only wets the coating regions 21.
  • the carrier 5 also has an anti-wetting effect for the coating material 30.
  • FIGS. 13 to 15 A further exemplary method is illustrated in FIGS. 13 to 15. According to FIG. 13, the semiconductor chip 2 is attached to the carrier 5. To simplify the
  • the coating material 30 is applied in a manner similar to a conductor track and is roughly pre-structured.
  • the coating material 30 can first of all over the semiconductor chip 2 and in particular over the protection area 22, for example with a
  • FIG. 15 it can be seen that the coating material has withdrawn from the light exit window 25 of the protective area 22 and on the semiconductor chip 2 on the
  • Coating area 21 is limited. This allows an efficient electrical connection between the
  • Coating material 30 the final shape of the
  • Contact structure 21 must be generated. As in all other exemplary embodiments, the coating area 21 can optionally be provided with the metallization 39.
  • FIGS. 16 to 19 several exemplary embodiments for the design of the contact side 20 for semiconductor chips 2 that can be used here are illustrated.
  • the coating area 21 in FIG. 2 is not attached in the form of a frame, but rather extends over the E-shape
  • the coating area 21 has a comparatively large, round area in the middle of the contact side 20, which is formed as an extension of a strip that extends to an edge of the contact side 20.
  • a large-area electrical contact can thus be implemented in a center of the contact side 20.
  • FIG. 18 there are several separate coating areas 21 which are each designed in the form of strips and are separated from one another by protective areas 22.
  • FIG. 19 is the embodiment of Figure 19
  • Coating area 21 limited to a corner area of the contact side 20. Starting from the coating area 21
  • the contact extensions 38 can be designed in such a way that there is no wetting with the coating material 30. That is, the protection area 22 can be on the
  • FIG. 20 illustrates that the
  • Semiconductor layer sequence 26 of the semiconductor chip 2 has an active zone 27 for generating light.
  • a step 23 is formed over the active zone 27 so that the
  • Coating areas 21 for the contact structures 31, 32 are located at different heights. It can each
  • Metallizations 39 may be present.
  • the contact structures 31, 32 proceed from the coating regions 21, each of which comes from a liquid phase
  • the contact structures 31, 32 can be deposited.
  • the contact structures 31, 32 can be produced in separate steps, so that
  • the optic body 6, for example a growth substrate, is still on the semiconductor layer sequence 26.
  • the semiconductor layer sequence is preferably based on a III-V compound semiconductor material.
  • the semiconductor material is it, for example, a nitride
  • Compound semiconductor material such as Al n In ] __ nm Ga m N or a phosphide compound semiconductor material such as
  • the contact structure 31 is produced, as explained in connection with FIGS. 1 to 12.
  • the same method or a different method can be used for the further contact structure 32.
  • the semiconductor chip 2 has the metallization 39 on one or both coating areas 21, which is made of a metal which forms an amalgam with Hg and / or which can react with Galinstan.
  • the corresponding metallization 39 is made of Al, Cu, Zn, Ni, Ag, Au, Pt, Ti and / or In.
  • the other metallization 39 here for example for the contact point 31, is made of a different metal that does not form an amalgam with Hg.
  • This further metallization 39 is made, for example, of Cr, Mo, W, Fe, Mn, Co, Ge and / or Si. If the semiconductor chip 2 is now placed on a carrier and vaporized over a large area with Hg or immersed in Hg, the Hg with the metallizations 39 forms an amalgam for a type of contact points 32 and drains without any reaction from the
  • an aqueous HgClg solution can also be used to apply Hg, in which case noble metals such as Au or Pt should not be used.
  • a corresponding manufacturing method based on Hg can also be used in all exemplary embodiments.
  • FIG. 21 left side, it is illustrated that several contact structures 31a, 31b are stacked on top of one another
  • a coating material for a second contact structure 31b produced preferably only wets one material of a previously produced one
  • the contact structures 31a, 31b can widen in the direction away from the contact side 20.
  • the protection area 22 can therefore in plan view of the
  • Contact structure 31 made of a translucent material, for example from a TCO, can be. In this case, it is possible for the contact structure 31 to be lens-shaped
  • Coating areas 21 can each be meniscus-shaped.
  • a shape of the contact structures 31, 31a, 31b is thus, seen in cross section at the edge, similar to a drop that rests on a liquid-repellent material.
  • Light decoupling structures 7 is provided. The
  • Light outcoupling structures 7 have, for example, an average structure size in the range from 0.5 gm to 5 gm. The light decoupling structures 7 are thus considerably larger than
  • FIG. 23 illustrates that the coating areas 21 and the protection areas 22, symbolized by a
  • the semiconductor layer sequence 26 is also located here
  • the active zone 27 becomes continuous and parallel to a main side of the growth substrate 6
  • Coating material 30 electrical contact areas are formed directly on the semiconductor layer sequence 26. In a departure from FIGS. 23 and 24, it is possible for the coating areas 21 and the protection areas 22 to be formed only after the mesa trenches 8 have been produced. Furthermore, although less preferred, the coating material 30 can be applied before the mesa trenches 8 are produced.
  • the invention includes any new feature and any combination of features, which in particular includes any combination of features in the claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly specified in the claims or exemplary embodiments.

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Abstract

In einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips (2) mit einer Kontaktseite (20), B) Erzeugen eines Beschichtungsbereichs (21) und eines Schutzbereichs (22) an der Kontaktseite (20), C) Aufbringen eines flüssigen Beschichtungsmaterials (30) auf die Kontaktseite (20), wobei das Beschichtungsmaterial (30) den Beschichtungsbereich (21) benetzt und den Schutzbereich (22) nicht benetzt, und D) Verfestigen des Beschichtungsmaterials (30) zu mindestens einer elektrischen KontaktStruktur (31) auf dem Beschichtungsbereich (21), sodass der Halbleiterchip (2) im bestimmungsgemäßen Gebrauch durch die mindestens eine Kontaktstruktur (31) hindurch bestromt wird.

Description

Beschreibung
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN
HALBLEITERBAUTEILEN UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen angegeben. Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben.
Eine zu lösende Aufgabe liegt darin, ein Verfahren anzugeben, mit dem optoelektronische Halbleiterchips effizient
elektrisch kontaktierbar sind.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Verfahren und durch ein optoelektronisches Halbleiterbauteil mit den
Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der übrigen Ansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen. Bei den fertigen Halbleiterbauteilen handelt es sich
beispielsweise um Leuchtdioden, kurz LEDs, bevorzugt mit mehreren lichtemittierenden Einheiten. Beispielsweise ist das fertige Halbleiterbauteil ein Display oder eine
Anzeigevorrichtung. Weiterhin kann es sich bei dem fertigen Halbleiterbauteil um einen pixelierten Scheinwerfer handeln, zum Beispiel zur gezielten Ausleuchtung einzelner Bereiche, etwa in einem Wohnraum oder auf einer Bühne, oder auch in einem adaptiven Frontscheinwerfer in einem Kraftfahrzeug.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Bereitstellens eines oder mehrerer
optoelektronischer Halbleiterchips. Bei dem mindestens einen Halbleiterchip handelt es sich bevorzugt um einen Leuchtdiodenchip. Ebenso können Laserdiodenchips herangezogen werden, zum Beispiel vertikalemittierende Laser, kurz VCSELs . Werden mehrere Halbleiterchips bereitgestellt, so können die Halbleiterchips untereinander baugleich sein. Alternativ können verschiedene Arten von Halbleiterchips verbaut werden.
Bevorzugt ist der mindestens eine Halbleiterchip zur
Erzeugung von sichtbarem Licht eingerichtet, beispielsweise zur Erzeugung von blauem Licht. Ebenso ist es möglich, dass Halbleiterchips zur Erzeugung von grünem oder gelbem oder orangem oder rotem Licht vorhanden sind. Weiterhin können Halbleiterchips zur Erzeugung von nahultravioletter Strahlung oder nahinfraroter Strahlung bereitgestellt werden. Die im Betrieb vom Halbleiterchip emittierte Strahlung kann
unmittelbar in einer Halbleiterschichtenfolge des
Halbleiterchips erzeugt werden. Außerdem ist es möglich, dass dem Halbleiterchip zumindest ein Leuchtstoff zugeordnet ist, über den eine in einer Halbleiterschichtenfolge erzeugte Strahlung teilweise oder vollständig in eine Strahlung einer anderen Wellenlänge umgewandelt werden kann. Des weiteren können Sensoren wie Fotosensoren oder Temperatursensoren vorhanden sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Halbleiterchip eine oder mehrere Kontaktseiten . Die
mindestens eine Kontaktseite ist für eine Bestromung des Halbleiterchips eingerichtet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Erzeugens mindestens eines
Beschichtungsbereichs und mindestens eines Schutzbereichs an der Kontaktseite oder an mindestens einer der Kontaktseiten oder an mehreren oder allen Kontaktseiten . Der zumindest eine Beschichtungsbereich und der zumindest eine Schutzbereich unterscheiden sich insbesondere hinsichtlich ihrer
Benetzungseigenschaften für Materialien voneinander.
Beispielsweise ist der Beschichtungsbereich hydrophob
gestaltet und der Schutzbereich ist hydrophil oder umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Aufbringens wenigstens eines flüssigen
Beschichtungsmaterials auf die mindestens eine Kontaktseite . Bevorzugt erfolgt das Aufbringen des Beschichtungsmaterials flächig, also insbesondere ohne Zuhilfenahme eines
Maskenmaterials. Durch das Aufbringen des
Beschichtungsmaterials an sich wird in diesem Fall keine Strukturierung des Beschichtungsmaterials erreicht.
Alternativ kann das Beschichtungsmaterial nur lokal
angebracht werden, zum Beispiel entlang von Bereichen, in denen Leiterbahnen gebildet werden sollen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das wenigstens eine Beschichtungsmaterial gegenüber dem Beschichtungsbereich benetzende Eigenschaften auf. Das heißt, das
Beschichtungsmaterial benetzt den zumindest einen
Beschichtungsbereich und bedeckt diesen. Demgemäß wirkt der Schutzbereich nichtbenetzend, sodass das
Beschichtungsmaterial den Schutzbereich letztlich freilässt.
Dabei wird das Beschichtungsmaterial zumindest stellenweise auch auf dem Schutzbereich aufgebracht. Dies gilt bevorzugt auch dann, wenn das Beschichtungsmaterial grob strukturiert, zum Beispiel leiterbahnartig, aufgebracht wird. Das heißt, das Beschichtungsmaterial verlässt bevorzugt selbsttätig wieder den Schutzbereich. Das Zurückziehen des Beschichtungsmaterials aus dem Schutzbereich kann noch während des Schritts des Aufbringens des
Beschichtungsmaterials erfolgen. Alternativ erfolgt das Zurückziehen erst bei einem Verfestigen des
Beschichtungsmaterials, beispielsweise aufgrund einer
Temperaturänderung .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Verfestigens des wenigstens einen
Beschichtungsmaterials. Das Verfestigen ist beispielsweise ein Abkühlen und damit Erstarren, ein Härten, beispielsweise thermisch oder fotochemisch, ein Trocknen, zum Beispiel durch Verdampfen eines Lösungsmittels, und/oder eine
Legierungsbildung, zum Beispiel durch eine Reaktion des Beschichtungsmaterials mit einem Bestandteil des
Beschichtungsbereichs, insbesondere einhergehend mit einer Schmelzpunktänderung. Vor dem Verfestigen zieht sich das Beschichtungsmaterial aufgrund der unterschiedlichen
Benetzungseigenschaften von dem Schutzbereich zurück.
Somit entsteht durch das Verfestigen des
Beschichtungsmaterials auf dem mindestens einen
Beschichtungsbereich die elektrische Kontaktstruktur .
Bevorzugt befindet sich die Kontaktstruktur unmittelbar auf dem Beschichtungsbereich. Somit ist es möglich, dass der Halbleiterchip im bestimmungsgemäßen Gebrauch durch die mindestens eine Kontaktstruktur hindurch bestromt wird. Das heißt, die Kontaktstruktur bildet im fertigen
optoelektronischen Halbleiterbauteil eine stromführende Komponente .
In mindestens einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und umfasst die folgenden Schritte, insbesondere in der
angegebenen Reihenfolge:
A) Bereitstellen mindestens eines optoelektronischen
Halbleiterchips mit mindestens einer Kontaktseite,
B) Erzeugen mindestens eines Beschichtungsbereichs und mindestens eines Schutzbereichs an der Kontaktseite oder an zumindest einer der Kontaktseiten,
C) flächiges oder grob vorstrukturiertes Anbringen wenigstens eines flüssigen Beschichtungsmaterials auf die mindestens eine Kontaktseite, wobei das wenigstens eine
Beschichtungsmaterial den mindestens einen
Beschichtungsbereich benetzt und den mindestens einen
Schutzbereich nicht benetzt, wobei das Beschichtungsmaterial bevorzugt sowohl auf dem mindestens einen
Beschichtungsbereich als auch auf dem mindestens einen
Schutzbereich aufgebracht wird und sich aufgrund von
Benetzungseigenschaften von dem mindestens einen
Schutzbereich zurückzieht, und
D) Verfestigen des wenigstens einen Beschichtungsmaterials zu mindestens einer elektrischen Kontaktstruktur auf dem
mindestens einen Beschichtungsbereich, sodass der
Halbleiterchip im bestimmungsgemäßen Gebrauch durch die mindestens eine Kontaktstruktur hindurch bestromt wird.
Mit dem hier beschriebenen Verfahren ist eine schnelle und kostengünstige elektrische Kontaktierung einer Vielzahl von Halbleiterchips wie LED-Chips möglich. Der Begriff Vielzahl bedeutet beispielsweise mindestens zehn und/oder höchstens IO^ Halbleiterchips.
Bei gängigen Kontaktierungsverfahren wie Drahtbonden,
Erzeugen planarer Leiterbahnverbindungen oder Flip-Chip-Löten ist das Bilden strukturierter elektrischer Kontaktbahnen oder Kontaktflächen nötig. Außerdem ist eine exakte Platzierung von Halbleiterchips erforderlich. Solche
Kontaktierungsverfahren stellen einen erheblichen Aufwand dar, insbesondere wenn eine große Zahl von Halbleiterchips mit kleinen geometrischen Abmessungen zu kontaktieren ist.
Bei dem hier beschriebenen Verfahren können LED-Chips von oben zum Beispiel mit einem druckbaren oder printbaren oder sprühbaren oder Inkjet-baren oder tauchbaren oder betaubaren oder Spin-On-baren Beschichtungsmaterial zunächst in
flüssiger und später in fester Form mit elektrischen Leitern kontaktiert werden. Dazu können die elektrischen Leiter transparent sein oder aber nichttransparent sein oder auch reflektierend sein. Transparent bedeutet beispielsweise eine Durchlässigkeit für die vom Halbleiterchip emittierte
Strahlung von mindestens 50 % oder mindestens 80 % oder mindestens 90 %. Reflektierend bedeutet insbesondere eine Reflektivität für die vom Halbleiterchip emittierte Strahlung von mindestens 50 % oder 80 % oder 90 %.
Im Falle von nichttransparenten elektrischen Leitern ist insbesondere darauf zu achten, dass das Material für die Leitungen nicht zu viel Fläche des Halbleiterchips überdeckt und damit eine Emission nicht zu sehr abschattet. Dazu kann auf einem LED-Chip ein Bereich vorgesehen und durch eine Strukturierung vorbereitet sein, auf dem die elektrischen Leiter anschließen sollen. Dazu kann dieser Bereich zum
Beispiel mit einem Kontaktpad so metallisiert werden, dass der elektrische Anschluss an den LED-Chip verlustarm
geschieht und zum anderen genug Fläche vorhanden ist, um den Leiter auf oder an diese Stelle anzubringen. Dieser Bereich kann an einer Hauptseite und/oder an Seitenflächen des LED- Chips liegen. Weiterhin kann die Oberfläche des LED-Chips dort, wo kein Leiter aufgebracht werden soll, so beschichtet werden, dass die Flüssigkeit des Beschichtungsmaterials abgestoßen wird.
So kann die betreffende Oberfläche beispielsweise bei
Verwendung eines wasserbasierten Beschichtungsmaterials hydrophob gestaltet werden. Dies ist beispielsweise dadurch erreichbar, dass die betreffenden Stellen, die später
leiterfrei sein sollen, mit einem Oxid wie Siliziumdioxid beschichtet und nachfolgend beispielsweise mit Flusssäure geätzt werden oder aber mit einem hydrophoben Material wie beispielsweise einen perforierten Kohlenwasserstoff,
beispielsweise Polytetrafluorethylen, beschichtet werden.
Im Falle von transparenten Leitungen kann der
Leuchtdiodenchip vor dem Setzen auf einem späteren Träger, also noch im Waferverbund, an der Kontaktseite strukturiert und beschichtet werden in der Art, dass an geeigneten Stellen des Halbleiterchips eine gute elektrische Verbindung zum Halbleitermaterial erfolgt. Das Material, das auf dem
Halbleiterchip an einer Außenseite einen Anschluss zum Leiter und damit zu einem Träger oder zu einer Stromquelle bildet, ist für einen Anschluss an diesen Leiter mit einem geringen elektrischen Widerstand eingerichtet. Die entsprechenden Stellen können elektrisch leitend miteinander verbunden sein.
Auch bei transparenten Leitern können Bereiche auf dem
Halbleiterchip so behandelt werden, sodass diese Bereiche das Beschichtungsmaterial abstoßen, wie im Falle eines
nichttransparenten, insbesondere metallischen Leiters
beschrieben. Außerdem können bei Bedarf einem transparenten Leiter zusätzliche Stoffe mit weiteren Funktionen beigemischt werden. Beispielsweise können lichtstreuende Diffusoren und/oder Leuchtstoffe beigemengt werden. Diffusoren können zum Beispiel bei einer gemeinsamen Kontaktierung von LED- Emittern für die Farben Rot, Grün und Blau einen RGB- Bildpunkt mit einer besonders guten Farbdurchmischung
hervorbringen. Somit lassen sich kostengünstig zwei
Funktionen in einem Arbeitsgang erzielen, nämlich die
Verbesserung der optischen Eigenschaften und die elektrische Ankopplung .
Ferner kann eine geometrische Form insbesondere eines transparenten Leiters im Zusammenhang mit der Brechzahl zugleich als Auskoppelstruktur genutzt werden, auch als Lens- On-Chip bezeichnet. Hierdurch lässt sich eine Effizienz und/oder eine Direktionalität, also eine
Abstrahlcharakteristik, beeinflussen. Mit dem Aufbringen der Kontaktstruktur kann also gleichzeitig eine optische
Vergütung erfolgen.
Außerdem ist es möglich, Stufen im Halbleiterchip zu
überformen. Weiterhin können Seitenflanken des
Halbleiterchips überformt werden, abhängig von deren
Topografie. Dabei können für das zunächst in flüssiger Form aufzubringende Beschichtungsmaterial weitere Parameter wie Oberflächenspannung, Viskosität oder Glaspunkt von Bedeutung sein .
Somit lässt sich mit dem hier beschriebenen Verfahren eine kostengünstige, parallelisierte Kontaktierung und
Verdrahtung, Montage sowie Vergütung von Halbleiterchips wie LED-Chips mit geringen Justageanforderungen an die
Halbleiterchips und an die Leiter zur elektrischen
Kontaktierung erreichen. Die Halbleiterchips lassen sich auf einem Träger oder auf einer Unterlage montieren und von einer dem Träger oder der Unterlage abgewandten Seite her effizient mit dem Beschichtungsmaterial für die elektrische Kontaktierung versehen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind der mindestens eine Beschichtungsbereich und/oder der mindestens eine
Schutzbereich jeweils ein integraler Bestandteil des fertig hergestellten Halbleiterbauteils. Das heißt, bei dem
Beschichtungsbereich und/oder dem Schutzbereich handelt es sich nicht nur um lediglich temporäre Komponenten wie
Fotolacke oder Maskenschichten. Das heißt, der
Beschichtungsbereich und der Schutzbereich sind im fertigen Halbleiterbauteil erkennbar, bevorzugt ebenso wie die
Maßnahmen, wodurch die Unterschiede zwischen dem
Beschichtungsbereich und dem Schutzbereich erzielt sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der mindestens eine Halbleiterchip in Draufsicht auf die mindestens eine Kontaktseite gesehen eine mittlere Kantenlänge von höchstens 0,2 mm oder 0,1 mm oder 50 gm auf. Bevorzugt liegt die mittlere Kantenlänge des Halbleiterchips bei höchstens 30 gm oder 15 pm oder 10 pm. Alternativ oder zusätzlich liegt die mittlere Kantenlänge des Halbleiterchips bei mindestens 1 pm oder 2 pm oder 5 pm. Das heißt, der Halbleiterchip ist vergleichsweise klein. Die mittlere Kantenlänge ist
insbesondere die Summe aller Kantenlängen zusammengenommen, dividiert durch die Anzahl der Kanten, in Draufsicht auf die Kontaktseite gesehen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der
Beschichtungsbereich oder ist mindestens einer der
Beschichtungsbereiche oder sind alle Beschichtungsbereiche durch ein glattes Halbeiteroberflächengebiet des
Halbleiterchips gebildet. Glatt bedeutet insbesondere eine Rauheit von höchstens 3 nm oder 2 nm oder 1 nm. Als Rauheit werden vorliegend insbesondere Gestaltabweichungen vierter Ordnung, also Rauheit in Form von Riefen, Schuppen und
Kuppen, verstanden, siehe DIN 4760.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Schutzbereich oder mindestens einer der Schutzbereiche oder sind alle
Schutzbereiche durch ein raues Halbleiteroberflächengebiet des Halbleiterchips gebildet. Anstelle eines
Halbleiteroberflächengebiets kann auch eine
Passivierungsschicht wie eine Oxidschicht im Schutzbereich verwendet werden.
Eine Rauheit des entsprechenden Oberflächengebiets für den Schutzbereich liegt bevorzugt bei mindestens 5 nm oder 10 nm oder 20 nm. Alternativ oder zusätzlich liegt diese
Oberflächenrauigkeit bei höchstens 150 nm oder 100 nm oder 50 nm oder 30 nm. Insbesondere ist diese Rauheit für das Gebiet des Schutzbereichs signifikant kleiner als eine übliche Aufrauung zur Verbesserung einer
Lichtauskoppeleffizienz .
Durch diese Oberflächenrauigkeit wird der sogenannte
Lotuseffekt erzielt. Das heißt, in Richtung parallel zu einer Hauptausdehnungsrichtung der Oberfläche weisen
Oberflächenstrukturen eine Periodizität auf, die deutlich kleiner ist als ein Tropfendurchmesser des
Beschichtungsmaterials. Deutlich kleiner meint zum Beispiel mindestens einen Faktor 5 oder 10 oder 30.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden der mindestens eine Beschichtungsbereich und/oder der mindestens eine
Schutzbereich oder zumindest einige der Beschichtungsbereiche und/oder zumindest einige der Schutzbereiche noch in einem Waferverbund erzeugt. Das heißt, das Erstellen der
Beschichtungsbereiche und/oder der Schutzbereiche kann vor einem Herauslösen der Halbleiterchips aus dem Waferverbund erfolgen. Im Waferverbund liegt eine Vielzahl der
Halbleiterchips vor, und zwar bevorzugt in einem Abstand zueinander, wie ursprünglich gewachsen. Dabei können sich die Halbleiterchips noch an einem Aufwachssubstrat oder an einem Ersatzträger befinden, wobei im letztgenannten Fall eine relative Position der Halbleiterchips zueinander im Vergleich zum Wachsen nicht oder nicht signifikant verändert ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der
Beschichtungsbereich oder mindestens einer der
Beschichtungsbereiche oder sind alle Beschichtungsbereiche durch eine Metallisierung gebildet. Die Metallisierung berührt bevorzugt ein Halbleiteroberflächengebiet für den Beschichtungsbereich unmittelbar. Eine Dicke dieser
Metallisierung liegt beispielsweise bei mindestens 5 nm oder 10 nm oder 20 nm und/oder bei höchstens 2 gm oder 1 gm oder 0 , 3 pm .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Schutzbereich oder ist einer der Schutzbereiche oder sind alle
Schutzbereiche durch eine oder durch mehrere
Schutzbeschichtungen gebildet. Die Schutzbeschichtung kann eine glatte Oberfläche aufweisen oder auch mit der
Oberflächenrauigkeit versehen sein. Die mindestens eine
Schutzbeschichtung umfasst beispielsweise einen fluorierten oder einen perfluorierten Kunststoff wie
Polytetrafluorethylen. Alternativ umfasst die mindestens eine Schutzbeschichtung ein Oxid wie Siliziumdioxid oder wie Aluminiumoxid . Die Schutzbeschichtung kann aus einem oder mehrerer dieser Materialien bestehen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird das
Beschichtungsmaterial im Schritt C) maskenfrei, großflächig und/oder unstrukturiert aufgebracht. Dabei wird das
Beschichtungsmaterial bevorzugt über eine große Anzahl von Halbleiterchips hinweg gleichzeitig und zusammenhängend aufgebracht. Die Anzahl der Halbleiterchips, über die hinweg das Beschichtungsmaterial aufgebracht wird, liegt bevorzugt bei mindestens 10^ oder 10^ oder 10^ oder 10^. Alternativ oder zusätzlich liegt diese Anzahl bei höchstens 10^ ^ oder 10^ oder 10^.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird das
Beschichtungsmaterial oder zumindest eines der
Beschichtungsmaterialien im Schritt C) mittels Sprühen, Drucken, Aufschleudern oder Betauen aufgebracht. Drucken beinhaltet beispielsweise Siebdruckverfahren oder
Tintenstrahldruckverfahren, mit denen optional eine grobe Strukturierung möglich ist.
Beim Betauen sind die Halbleiterchips bei einer
vergleichsweise niedrigen Temperatur, relativ zu einer
Verdampfungstemperatur des Beschichtungsmaterials oder eines Lösungsmittels des Beschichtungsmaterials. Das heißt, das Beschichtungsmaterial kann aus einer Gasphase heraus an den Halbleiterchips kondensieren und wird effektiv somit als Flüssigkeit abgeschieden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt im Schritt C) das Aufbringen des Beschichtungsmaterials oder zumindest eines der Beschichtungsmaterialien mittels Tauchen. Das heißt, die Halbleiterchips, die beispielsweise auf einem Träger, noch am Wachstumswafer oder auf einem temporären Substrat aufgebracht sind, können überwiegend oder
vollständig in das flüssige Beschichtungsmaterial eingebracht werden. Nach einem Auftauchen oder beim Auftauchen zieht sich das Beschichtungsmaterial bevorzugt auf die
Beschichtungsbereiche zurück.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die fertige
Kontaktstruktur oder mindestens eine der fertigen
Kontaktstrukturen oder alle fertigen Kontaktstrukturen metallisch. Beispielsweise bestehen die Kontaktstrukturen aus einem oder mehreren Metallen oder aus einer oder mehreren Metalllegierungen und/oder Metallschichten, beispielsweise ist die Kontaktstruktur oder sind die Kontaktstrukturen aus einem oder mehreren der folgenden Metalle: Al, Cu, Zn, Ni,
Ag, Au, Pt, Ti, In, Cr, Mo, W, Fe, Mn, Cu, Ge, Si. In diesem Zusammenhang werden die Halbleitermaterialien Ge und Si als Metalle aufgefasst. Weiterhin kann als Metall für die
Kontaktstrukturen Hg verwendet werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das
Beschichtungsmaterial oder zumindest eines der
Beschichtungsmaterialien ein Lot. Das heißt, das
Beschichtungsmaterial kann metallisch sein und flüssig aufgebracht werden. Es ist möglich, dass das Lot während des Verfestigens seine chemische Zusammensetzung nicht oder nicht signifikant ändert.
Außerdem kann als Beschichtungsmaterial metallisch sein und während des Verfestigens seine chemische Zusammensetzung ändern. Zum Beispiel wird als Beschichtungsmaterial dann Quecksilber, kurz Hg, oder Galinstan verwendet. Quecksilber lässt sich bei Raumtemperatur flüssig aufbringen oder bildet aufgedampft eine Flüssigkeit. Durch die Verwendung von Hg lassen sich Amalgame gezielt an dem mindestens einen
Beschichtungsbereich erzeugen, alleinstehend oder in
Kombination mit einem weiteren Beschichtungsmaterial zusätzlich zu Hg oder zu einer Hg-haltigen Verbindung. Bei Galinstan handelt es sich um eine insbesondere eutektische Legierung aus Ga, Indium und bevorzugt auch aus Sn. Einen besonders niedrigen Schmelzpunkt weist dabei die Legierung aus 68 % bis 69 % Ga, 21 % bis 22 % In und 9,5 % bis 10,5 % Sn mit zirka -19,5 °C auf.
Im Vergleich zu Wasser mit einer Oberflächenspannung von zirka 70 mN/m bei Raumtemperatur hat Hg bei Raumtemperatur eine sehr große Oberflächenspannung von zirka 470 mN/m und Galinstan von zirka 720 mN/m. Die Oberflächenspannung von Lösungsmitteln wie n-Hexan oder Aceton liegt dagegen bei Raumtemperatur um 20 mN/m.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird an der
Kontaktseite eine weitere Kontaktstruktur hergestellt.
Beispielsweise ist die Kontaktstruktur als Kathode und die weitere Kontaktstruktur als Anode gestaltet oder umgekehrt. Die Kontaktstruktur und die weitere Kontaktstruktur sind bevorzugt elektrisch nicht kurzgeschlossen. Es ist möglich, dass die einzige elektrische Verbindung zwischen der
Kontaktstruktur und der weiteren Kontaktstruktur innerhalb des Halbleiterbauteils über den Halbleiterchip gegeben ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die
Kontaktstruktur und die weitere Kontaktstruktur an der
Kontaktseite verschiedene Höhen auf. Das heißt, der
Halbleiterchip kann im Bereich der Kontaktstruktur dicker sein als im Bereich der weiteren Kontaktstruktur oder umgekehrt .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der
Halbleiterchip zwischen der Kontaktstruktur und der weiteren Kontaktstruktur eine oder mehrere Stufen auf. Eine solche Stufe kann über eine aktive Zone des Halbleiterchips hinweg verlaufen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die weitere
Kontaktstruktur in einem weiteren Schritt C) und in einem weiteren Schritt D) erzeugt. Das heißt, sowohl die
Kontaktstruktur als auch die weitere Kontaktstruktur können aus einer Flüssigphase heraus erzeugt werden. Damit ist sowohl eine anodenseitige als auch eine kathodenseitige Kontaktierung des mindestens einen Halbleiterchips aus einer oder aus mehreren Flüssigphasen heraus möglich. Als
Flüssigphase wird vorliegend auch das Abscheiden aus einer Gasphase heraus verstanden, wobei sich aus der Gasphase heraus eine Flüssigkeit bildet, zum Beispiel über
Kondensation .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bilden die
Kontaktstrukturen oder mindestens eine der Kontaktstrukturen oder alle Kontaktstrukturen und/oder die mindestens eine weitere Kontaktstruktur jeweils elektrische Kontaktflächen für eine externe elektrische Kontaktierung des fertigen Halbleiterbauteils. Dabei ist es möglich, dass die
Kontaktstruktur und/oder die weitere Kontaktstruktur in unmittelbarem Kontakt zu einer Halbleiterschichtenfolge des betreffenden Halbleiterchips steht. Beispielsweise ist die Kontaktstruktur dann aus Galinstan. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das fertige Halbleiterbauteil einen Träger. Bei dem Träger handelt es sich beispielsweise um eine Leiterplatte wie eine gedruckte Leiterplatte, kurz PCB.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden im Schritt A) ein oder mehrere Halbleiterchip auf dem Träger angebracht.
Der Träger kann hierzu elektrische Kontaktflächen,
beispielsweise eine gemeinsame Anode oder eine gemeinsame Kathode, oder für jeden Halbleiterchip eine separat
elektrisch ansteuerbare elektrische Kontaktfläche aufweisen. Weist der Träger eine Vielzahl separat ansteuerbarer
Kontaktflächen auf, so kann es sich bei dem Träger um ein Siliziumsubstrat handeln, das elektronische Komponenten wie Transistoren und/oder Schalter zur gezielten Ansteuerung und Adressierung einzelner Halbleiterchips umfasst.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Kontaktstruktur oder ist mindestens eine der Kontaktstrukturen oder sind alle elektrischen Kontaktstrukturen elektrische Leiterbahnen. Das heißt, über die mindestens eine Kontaktstruktur kann vom betreffenden Halbleiterchip bis zu einer elektrischen
Kontaktstelle des Trägers eine Leiterstruktur wie eine
Leiterbahn gebildet sein. Die zugehörige elektrische
Kontaktstelle des Trägers, zu der die leiterbahnförmige
Kontaktstruktur reicht, liegt in Draufsicht auf die
Kontaktseite gesehen bevorzugt neben dem betreffenden
Halbleiterchip, insbesondere außerhalb eines Feldes von mehreren der Halbleiterchips.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bildet die
Kontaktstruktur oder mindestens eine der Kontaktstrukturen ein elektrisch leitfähiges Netz. Damit kann eine einzige Kontaktstruktur mehrere der Halbleiterchips mit einer
gemeinsamen Kontaktstelle, insbesondere am Träger, elektrisch verbinden .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bildet die
Kontaktstruktur oder mindestens eine der Kontaktstrukturen einen Kontaktrahmen aus. Der Kontaktrahmen umläuft bevorzugt die Kontaktseite ringsum an einem Rand. Somit kann mittig in der Kontaktseite ein Lichtaustrittsfenster gebildet werden, das ringsum von der Kontaktstruktur umlaufen und/oder umrahmt wird .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die
Kontaktstruktur oder mindestens eine der Kontaktstrukturen eine oder mehrere optisch wirksame Beimengungen. Die
zumindest eine Beimengung ist insbesondere ausgewählt aus der folgenden Gruppe: Leuchtstoff, Diffusor, Farbstoff,
Filterstoff, Wärmeleitstoff, Stoff zur
Brechungsindexanpassung, Stoff zur Anpassung eines
Wärmeausdehnungskoeffizienten .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Kontaktstruktur oder mindestens eine der Kontaktstrukturen durch ein
lichtdurchlässiges Material gebildet. Beispielsweise ist die Kontaktstruktur dann aus einem transparenten leitfähigen Oxid, kurz TCO, wie ITO oder ZnO.
Auch metallische lichtdurchlässige Kontaktstrukturen sind möglich. In diesem Fall liegt eine Dicke der zumindest einen betreffenden Kontaktstruktur bevorzugt bei höchstens 20 nm oder 10 nm oder 5 nm. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Kontaktstruktur als optisches Element gestaltet. Beispielsweise kann die Kontaktstruktur als Linse geformt sein, etwa als Sammellinse oder als Zerstreulinse.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Halbleiterchip einen Optikkörper. Bei dem Optikkörper kann es sich um einen Leuchtstoff handeln. Weiterhin ist es möglich, dass der Optikkörper durch ein lichtdurchlässiges
Aufwachssubstrat für eine Halbleiterschichtenfolge des
Halbleiterchips gebildet ist.
Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Das Halbleiterbauteil ist insbesondere mit einem Verfahren hergestellt, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben. Merkmale des Halbleiterbauteils sind daher auch für das
Verfahren offenbart und umgekehrt.
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das
optoelektronische Halbleiterbauteil einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einer Kontaktseite . An der Kontaktseite befinden sich ein Beschichtungsbereich und ein Schutzbereich. Eine elektrische Kontaktstruktur ist auf dem
Beschichtungsbereich angebracht, sodass der Schutzbereich frei von der Kontaktstruktur ist. Die Kontaktstruktur kann an einem Rand des Beschichtungsbereichs hin zum Schutzbereich meniskusförmig auslaufen. Das heißt, die Kontaktstruktur kann zumindest hin zum Schutzbereich wie ein Tropfen gestaltet sein, der auf einer Unterlage aufliegt. Die Kontaktstruktur berührt den Schutzbereich bevorzugt nicht, kann aufgrund der meniskusförmigen Gestaltung jedoch den Schutzbereich in Draufsicht auf die Kontaktseite gesehen stellenweise
überdecken .
Nachfolgend werden ein hier beschriebenes Verfahren und ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Es zeigen:
Figuren 1 bis 12 schematische Darstellungen von
Verfahrensschritten eines hier beschriebenen
Verfahrens, wobei die Figuren 1, 5, 7, 9 und 11 schematische Draufsichten und die Figuren 2, 3, 4, 6, 8, 10 und 12 schematische Schnittdarstellungen zeigen,
Figuren 13 bis 15 schematische Draufsichten auf
Verfahrensschritte eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Verfahrens,
Figuren 16 bis 19 schematische Draufsichten auf
Halbleiterchips für Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen Verfahren,
Figuren 20 und 21 schematische Schnittdarstellungen von
Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Figur 22 eine schematische Schnittdarstellung einer
Halbleiterschichtenfolge für Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen, und
Figuren 23 und 24 schematische Schnittdarstellungen von
Verfahrensschritten eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Verfahrens.
In den Figuren 1 bis 12 ist ein Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung von optoelektronischen
Halbleiterbauteilen 1 illustriert. In der Draufsicht der Figur 1 ist ein optoelektronischer Halbleiterchip 2 für das Verfahren gezeigt. Bei dem Halbleiterchip 2 handelt es sich bevorzugt um einen Leuchtdiodenchip, kurz LED-Chip. Eine Kantenlänge L des Halbleiterchips 2 liegt in Draufsicht auf eine Kontaktseite 20 gesehen im Bereich um 10 pm. Der
Halbleiterchip 2 ist somit vergleichsweise klein und kann eine pLED sein.
Die Kontaktseite 20 umfasst einen zentralliegenden
Schutzbereich 22 und einen rahmenförmigen, die Kontaktseite 20 an einem Rand umlaufenden Beschichtungsbereich 21. Durch den Beschichtungsbereich 21 ist somit ein Kontaktrahmen 29 gebildet. Der Schutzbereich 22 stellt ein
Lichtaustrittsfenster 25 des Halbleiterchips 2 dar. Im
Betrieb emittiert der Halbleiterchip 2 bevorzugt einen überwiegenden Anteil seiner Strahlung, beispielsweise
mindestens 70 % oder mindestens 90 %, an dem
Lichtaustrittsfenster 25.
Die Figuren 2 bis 4 zeigen schematische Schnittdarstellungen für mögliche Realisierungen des Halbleiterchips 2, wie in der Draufsicht in Figur 1 dargestellt. In den folgenden Ausführungsbeispielen können alle Varianten des
Halbleiterchips 2, wie in Verbindung mit den Figuren 2 bis 4 illustriert, herangezogen werden, selbst wenn die
Ausführungsbeispiele je nur für eine dieser Bauformen
explizit illustriert sind.
Beim Halbleiterchip 2 aus Figur 2 ist die Kontaktseite 20 im Schutzbereich 22 mit einer Schutzbeschichtung 42 versehen.
Die Schutzbeschichtung 42 bedeckt den gesamten Schutzbereich 22. Auch Seitenflächen des Halbleiterchips 2 können optional von einer Passivierungsschicht 24 bedeckt sein. Alternativ zu einer solchen Passivierungsschicht 24 kann die
Schutzbeschichtung 42 auf die Seitenflächen ausgedehnt sein. Die Schutzbeschichtung 42 oder die Passivierungsschicht 24 können bis an eine weitere elektrische Kontaktstruktur 32 an einer Unterseite des Halbleiterchips 2 heranreichen, anders als in Figur 2 illustriert.
Die Schutzbeschichtung 42 ist bevorzugt vergleichsweise dünn. Eine Dicke der Schutzbeschichtung 42 liegt insbesondere bei höchstens 200 nm oder 100 nm oder 50 nm oder 20 nm. Die
Schutzbeschichtung 42 kann glatt sein. Bevorzugt ist die Schutzbeschichtung 42 aus einem perfluorierten Kunststoff oder aus einem Oxid wie Siliziumdioxid.
Diese Ausführungen zur Schutzbeschichtung 42 sowie zur
Passivierungsschicht 24 zu Figur 2 gelten für alle übrigen Ausführungsbeispiele entsprechend .
Im Beschichtungsbereich 21 ist optional eine Metallisierung 39 vorhanden. Die Metallisierung 39 kann unmittelbar auf ein Halbleitermaterial des Halbleiterchips 2 aufgebracht sein. Bevorzugt ist auch die optionale Metallisierung 39 vergleichsweise dünn. Die Metallisierung 39 kann den
Beschichtungsbereich 21 vollständig bedecken.
Gemäß Figur 3 ist der schraffiert symbolisierte Schutzbereich 22 durch eine Aufrauung 41 gebildet. Durch die Aufrauung 41 kann eine Art Lotuseffekt erreicht werden, sodass eine
Flüssigkeit von der Aufrauung 41 abperlt und sich im
Beschichtungsbereich 21 sammelt. Die Aufrauung 41 weist dazu bevorzugt eine kleine mittlere Rauheit von insbesondere wenigen 10 nm auf.
In Figur 3 ist gezeigt, dass die Aufrauung 41 unmittelbar aus einem Halbleitermaterial des Halbleiterchips 2 erzeugt sein kann. Abweichend hiervon kann die Aufrauung 41 auch in einer Schutzbeschichtung, in Figur 3 nicht gezeichnet, erzeugt sein. Das heißt, unmittelbar an dem Halbleitermaterial befindet sich dann die Schutzbeschichtung, in der die
Aufrauung 41 erzeugt ist.
Eine solche Aufrauung 41 wird beispielsweise dadurch erzeugt, dass eine Siliziumdioxidschicht abgeschieden wird, die mit Flusssäure, kurz HF, angeätzt wird, um an einer Oberfläche einen Lotuseffekt zu erreichen. Der Nachweis einer solchen Strukturierung ist beispielsweise mittels
Atomkraftmikroskopie oder Elektronenmikroskopie möglich.
In den Figuren 2 und 3 liegen der Beschichtungsbereich 21 und der Schutzbereich 22 näherungsweise in einer gemeinsamen Ebene. Demgegenüber ist in Figur 4 gezeigt, dass sich ein überwiegender Teil des Schutzbereichs 22 über eine durch den Beschichtungsbereich 21 definierte Ebenen erheben kann.
Seitenflächen einer Halbleiterschichtenfolge 26 des Halbleiterchips 2 sowie der Erhebung können mit einer
Aufrauung, einer Schutzbeschichtung und/oder einer
Passivierungsschicht versehen sein, um nichtbenetzende
Eigenschaften hinsichtlich eines nicht gezeichneten
Beschichtungsmaterials sicherzustellen .
An der Halbleiterschichtenfolge 26 kann ein Optikkörper 6 angebracht sein. Der Optikkörper 6 ist für im Betrieb des Halbleiterchips 2 erzeugte Strahlung durchlässig. Abweichend von der Darstellung in Figur 4 kann der Optikkörper
linsenförmig gestaltet sein. Bei dem Optikkörper 6 kann es sich um einen separat hergestellten, auf die
Halbleiterschichtenfolge 26 aufgebrachten Körper handeln, wobei eine Verbindungsmittelschicht vorhanden sein kann.
Weiterhin ist es möglich, dass der Optikkörper 6 durch ein Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge gebildet ist .
Alternativ zu einem separaten Optikkörper kann die Erhebung mit dem Schutzbereich 22 einen Teil der
Halbleiterschichtenfolge 26 des Halbleiterchips 2 darstellen. Beispielsweise ist eine n-leitende Halbleiterteilschicht der Halbleiterschichtenfolge 26 ringsum zurückgeätzt, sodass sich der Kontaktrahmen 29 formt. Optional ist die
Halbleiterschichtenfolge 26 rund um die Erhebung mit dem Schutzbereich 22 herum mit der Metallisierung 39 versehen.
Im Verfahrensschritt der Figur 5 wird ein Träger 5
bereitgestellt. Bei dem Träger 5 handelt es sich
beispielsweise um eine gedruckte Leiterplatte oder um einen Siliziumträger mit einer integrierten Elektronik. Der Träger 5 weist weitere elektrische Kontaktstellen 52 auf, die später den Halbleiterchips 2 individuell zugeordnet werden. Außerdem ist eine elektrische Kontaktstelle 51 vorhanden, beispielsweise als gemeinsame Anode oder als gemeinsame
Kathode. Die Kontaktstellen 51, 52 können sich in einer gemeinsamen Ebene am Träger 5 befinden. Eine zugehörige
Seitenansicht ist in Figur 6 gezeigt.
Im Verfahrensschritt der Figuren 7 und 8 werden die
Halbleiterchips 2 auf den weiteren Kontaktstellen 52
aufgebracht. Das Aufbringen der Halbleiterchips 2 kann aus einem Waferverbund, in dem die Halbleiterchips 2 gewachsen werden, erfolgen. Eine Flächendichte der Halbleiterchips 2 kann von einem Wafer, nicht gezeichnet, hin zum Träger 5 beispielsweise um mindestens einen Faktor 10 und/oder um höchstens einen Faktor 1000 abnehmen, beispielsweise um ungefähr einen Faktor 100. Das heißt, die Halbleiterchips 2 weisen an dem Träger 5 einen signifikanten Abstand zueinander auf, sind jedoch immer noch vergleichsweise dicht angeordnet, beispielsweise mit einem Flächenanteil von mindestens 0,5 % oder 1 % oder 5 % und/oder von höchstens 60 % oder 30 % oder 10 %.
Im Verfahrensschritt der Figuren 9 und 10 ist gezeigt, dass flächig und zuerst unstrukturiert ein Beschichtungsmaterial 30 aufgebracht wird. Bei dem Beschichtungsmaterial 30 handelt es sich beispielsweise um ein flüssiges Lot oder um eine elektrisch leitfähige Tinte mit Silberpartikeln. Außerdem kann eine wässrige Lösung mit einem Zinksalz herangezogen werden, sodass eine Reduzierung zu Zink möglich ist. Ebenso sind Beschichtungsmaterialien 30, die Aluminiumhydroxid enthalten, möglich. Im Falle nichtmetallischer
Beschichtungsmaterialien 30 kann beispielsweise ein
Ausflocken von Zinkoxid aus einer wässrigen Phase heraus erfolgen . In den Verfahrensschritten der Figuren 11 und 12 ist
illustriert, dass aufgrund der antibenetzend wirkenden
Schutzbereiche 22 sich das Beschichtungsmaterial auf die Beschichtungsbereiche 21 zurückgezogen hat. Damit werden die Lichtaustrittsfenster 25 vom Beschichtungsmaterial 30
befreit. Somit benetzt das Beschichtungsmaterial 30 an den Halbleiterchips 2 bevorzugt nur die Beschichtungsbereiche 21.
Abweichend von der Darstellung in den Figuren 11 und 12 ist es möglich, dass das Beschichtungsmaterial 30 flächig in direktem Kontakt zu dem Träger 5 steht. Dabei sind
elektrische Kurzschlüsse zu den weiteren Kontaktstellen 52 jedoch zu vermeiden. Bevorzugt aber wirkt auch der Träger 5 antibenetzend für das Beschichtungsmaterial 30.
Somit entsteht aus dem Beschichtungsmaterial 30 heraus eine elektrische Kontaktstruktur 31, die gitternetzförmig
ausgebildet ist und die Beschichtungsbereiche 21 elektrisch leitfähig mit der Kontaktstelle 51 am Träger 5 verbindet.
In den Figuren 13 bis 15 ist ein weiteres beispielhaftes Verfahren illustriert. Gemäß Figur 13 wird der Halbleiterchip 2 an dem Träger 5 angebracht. Zur Vereinfachung der
Darstellung ist nur einer der Halbleiterchips 2 gezeigt, es können aber auch viele Halbleiterchips 2 angebracht werden.
Im Schritt der Figur 14 wird das Beschichtungsmaterial 30 leiterbahnähnlich und grob vorstrukturiert angebracht. Dabei kann das Beschichtungsmaterial 30 ähnlich einer Leiterbahn zunächst über den Halbleiterchip 2 und insbesondere über den Schutzbereich 22 hinweg, beispielsweise mit einem
Druckverfahren, aufgebracht werden. In Figur 15 ist zu sehen, dass sich das Beschichtungsmaterial von dem Lichtaustrittsfenster 25 des Schutzbereichs 22 zurückgezogen hat und am Halbleiterchip 2 auf den
Beschichtungsbereich 21 beschränkt ist. Damit lässt sich effizient eine elektrische Verbindung zwischen der
Kontaktstelle 51 und dem Beschichtungsbereich 21 hersteilen, ohne dass unmittelbar beim Aufbringen des
Beschichtungsmaterials 30 die endgültige Form der
Kontaktstruktur 21 erzeugt werden muss. Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen kann der Beschichtungsbereich 21 optional mit der Metallisierung 39 versehen sein.
In den Figuren 16 bis 19 sind mehrere Ausführungsbeispiele für die Gestaltung der Kontaktseite 20 für hier verwendbare Halbleiterchips 2 illustriert.
Abweichend von den Ausführungsbeispielen der Figuren 1 bis 15 ist der Beschichtungsbereich 21 in Figur 2 nicht rahmenförmig angebracht, sondern erstreckt sich E-förmig über die
Kontaktseite 20. Damit können zwei voneinander getrennte Schutzbereiche 22 auf der Kontaktseite 20 gebildet sein.
Gemäß Figur 17 weist der Beschichtungsbereich 21 in einer Mitte der Kontaktseite 20 einen vergleichsweise großen, runden Bereich auf, der als Erweiterung eines Streifens gebildet ist, der bis zu einem Rand der Kontaktseite 20 reicht. Damit lässt sich in einer Mitte der Kontaktseite 20 ein großflächiger elektrischer Kontakt realisieren.
In Figur 18 sind mehrere separate Beschichtungsbereiche 21 vorhanden, die jeweils streifenförmig gestaltet sind und durch Schutzbereiche 22 voneinander separiert sind. Im Ausführungsbeispiel der Figur 19 ist der
Beschichtungsbereich 21 auf einen Eckbereich der Kontaktseite 20 beschränkt. Ausgehend vom Beschichtungsbereich 21
erstrecken sich optionale Kontaktfortsätze 38, die
beispielsweise durch weitere Metallisierungen gebildet sind. Die Kontaktfortsätze 38 können so gestaltet sein, dass keine Benetzung mit dem Beschichtungsmaterial 30 erfolgt. Das heißt, der Schutzbereich 22 kann sich auf die
Kontaktfortsätze 38 erstrecken.
Die Gestaltungen der Kontaktseite 20 der Figuren 16 bis 19 sind lediglich beispielhaft zu verstehen. Auch andere
Geometrien der Beschichtungsbereiche 21 und der
Schutzbereiche 22 sind möglich.
In Figur 20 ist illustriert, dass die
Halbleiterschichtenfolge 26 des Halbleiterchips 2 eine aktive Zone 27 zur Lichterzeugung aufweist. Über die aktive Zone 27 hinweg ist eine Stufe 23 geformt, sodass sich die
Beschichtungsbereiche 21 für die Kontaktstrukturen 31, 32 auf unterschiedlichen Höhen befinden. Es können jeweils
Metallisierungen 39 vorhanden sein.
Von den Beschichtungsbereichen 21 gehen die Kontaktstrukturen 31, 32 aus, die jeweils aus einer Flüssigphase heraus
abgeschieden werden können. Die Kontaktstrukturen 31, 32 können in separaten Schritten erzeugt werden, sodass
elektrische Kurzschlüsse vermeidbar sind. Optional befindet sich der Optikkörper 6, beispielsweise ein Aufwachssubstrat, noch an der Halbleiterschichtenfolge 26.
Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III- V-Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid-
Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n-mGamN oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie
AlnIn]__n-mGamP oder auch um ein Arsenid-
Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n-mGamAs oder wie AlnGamIn]__n-mAspP]__p, wobei jeweils 0 < n < 1, 0 < m < 1 und n + m < 1 sowie 0 < k < 1 ist. Bevorzugt gilt dabei für zumindest eine Schicht oder für alle Schichten der
Halbleiterschichtenfolge 0 < n < 0,8, 0,4 < m < 1 und n + m < 0,95 sowie 0 < k < 0,5. Dabei kann die
Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche
Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.
Beispielsweise wird die Kontaktstruktur 31 erzeugt, wie in Verbindung mit den Figuren 1 bis 12 erläutert. Für die weitere Kontaktstruktur 32 kann das gleiche Verfahren oder auch ein anderes Verfahren herangezogen werden.
In einer Variante des Herstellungsverfahrens für eine der Kontaktstrukturen weist der Halbleiterchip 2 an einem oder an beiden Beschichtungsbereichen 21 die Metallisierung 39 auf, die aus einem Metall ist, das mit Hg ein Amalgam bildet und/oder das mit Galinstan reagieren kann. Beispielsweise ist die entsprechende Metallisierung 39 aus Al, Cu, Zn, Ni, Ag, Au, Pt, Ti und/oder In. Die andere Metallisierung 39, vorliegend beispielsweise für die Kontaktstelle 31, ist aus einem anderen Metall, das mit Hg kein Amalgam bildet. Diese weitere Metallisierung 39 ist beispielsweise aus Cr, Mo, W, Fe, Mn, Co, Ge und/oder Si. Wird nun der Halbleiterchip 2 auf einen Träger gesetzt und flächig mit Hg bedampft oder im Hg getaucht, bildet das Hg mit den Metallisierungen 39 für eine Art von Kontaktstellen 32 ein Amalgam und entnetzt ohne Reaktion von der
andersgestalteten Metallisierung. Damit kann ohne
Justageaufwand gezielt eine elektrische Verschaltung mit einer bestimmten Polarität problemlos auch bei vielen und kleinen Kontaktstrukturen 31, 32 erzeugt werden.
Alternativ kann zum Aufbringen von Hg auch eine wässrige HgClg-Lösung verwendet werden, wobei dann keine Edelmetalle wie Au oder Pt verwendet werden sollten.
Ein entsprechendes Herstellungsverfahren, basierend auf Hg, kann auch in allen Ausführungsbeispielen herangezogen werden.
In Figur 21, linke Seite, ist veranschaulicht, dass mehrere Kontaktstrukturen 31a, 31b übereinander gestapelt
abgeschieden werden können. Ein Beschichtungsmaterial für eine als zweites erzeugte Kontaktstruktur 31b benetzt dabei bevorzugt nur ein Material einer vorangehend erzeugten
Kontaktstruktur 31a. In Richtung weg von der Kontaktseite 20 können sich die Kontaktstrukturen 31a, 31b verbreitern. Der Schutzbereich 22 kann daher in Draufsicht auf die
Kontaktseite 20 gesehen teilweise von den Kontaktstrukturen 31a, 31b bedeckt sein.
In Figur 21, rechte Seite, ist illustriert, dass die
Kontaktstruktur 31 aus einem lichtdurchlässigen Material, beispielsweise aus einem TCO, sein kann. In diesem Fall ist es möglich, dass die Kontaktstruktur 31 linsenförmig
gestaltet ist und als optisches Element dient. Ferner ist in Figur 21 illustriert, dass die
Kontaktstrukturen 31, 31a, 31b an einem Rand der
Beschichtungsbereiche 21 jeweils meniskusförmig sein können. Eine Form der Kontaktstrukturen 31, 31a, 31b ist somit am Rand im Querschnitt gesehen ähnlich einem Tropfen, der auf einem flüssigkeitsabweisenden Material aufliegt.
In Figur 22 ist ein Ausführungsbeispiel einer
Halbleiterschichtenfolge 26 gezeigt, die mit
Lichtauskoppelstrukturen 7 versehen ist. Die
Lichtauskoppelstrukturen 7 weisen zum Beispiel eine mittlere Strukturgröße im Bereich von 0,5 gm bis 5 gm auf. Somit sind die Lichtauskoppelstrukturen 7 erheblich größer als
Strukturen der Aufrauung 41, die für den Lotuseffekt des Schutzbereichs 22 herangezogen wird.
In Figur 23 ist illustriert, dass die Beschichtungsbereiche 21 und die Schutzbereiche 22, symbolisiert durch eine
Schraffur, noch in einem Waferverbund erzeugt werden können. Dabei befindet sich die Halbleiterschichtenfolge 26 mit
Bereichen 2 ' für die Halbleiterchips 2 noch am
Aufwachssubstrat 6. Die aktive Zone 27 wird durchgehend und parallel zu einer Hauptseite des Aufwachssubstrats 6
gewachsen .
Gemäß Figur 24 wird das Beschichtungsmaterial 30 zur
Erzeugung der nicht gezeichneten Kontaktstrukturen ebenfalls noch im Waferverbund aufgebracht, in Figur 24 nur vereinfacht gezeichnet. Dabei sind bevorzugt bereits Mesagräben 8 geformt, sodass die Halbleiterchips 2 vereinzelt vorliegen, sich aber immer noch am Aufwachssubstrat 6 befinden.
Seitenflächen der Halbleiterchips 2 können insbesondere im Bereich der Mesagräben 8 mit der Passivierungsschicht 24 versehen sein. Es ist möglich, dass mittels des
Beschichtungsmaterials 30 elektrische Kontaktflächen direkt an der Halbleiterschichtenfolge 26 gebildet werden. Abweichend von den Figuren 23 und 24 ist es möglich, dass die Beschichtungsbereiche 21 und die Schutzbereiche 22 erst nach dem Erzeugen der Mesagräben 8 gebildet werden. Weiterhin, wenngleich weniger bevorzugt, kann das Beschichtungsmaterial 30 noch vor dem Erzeugen der Mesagräben 8 appliziert werden.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2019 106 546.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die
Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist .
Bezugszeichenliste
1 optoelektronisches Halbleiterbauteil
2 optoelektronischer Halbleiterchip
2 ' Bereich der Halbleiterschichtenfolge für einen
Halbleiterchip
20 Kontaktseite
21 Beschichtungsbereich
22 Schutzbereich
23 Stufe
24 Passivierungsschicht
25 Lichtaustrittsfenster
26 Halbleiterschichtenfolge
27 aktive Zone
29 Kontaktrahmen
30 Beschichtungsmaterial
31 elektrische Kontaktstruktur
32 weitere elektrische Kontaktstruktur
33 Beimengung
38 Kontaktfortsatz
39 Metallisierung
40 glatter Bereich einer Halbleiteroberfläche
41 Aufrauung
42 Schutzbeschichtung
5 Träger
51 elektrische Kontaktstelle
52 weitere elektrische Kontaktstelle
6 Optikkörper
7 Lichtauskoppelstruktur
8 Mesagraben
L Kantenlänge

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen
Halbleiterbauteilen (1) mit den Schritten:
A) Bereitstellen mindestens eines optoelektronischen
Halbleiterchips (2) mit mindestens einer Kontaktseite (20),
B) Erzeugen mindestens eines Beschichtungsbereichs (21) und mindestens eines Schutzbereichs (22) an der Kontaktseite (20) oder an zumindest einer der Kontaktseiten (20),
C) Aufbringen wenigstens eines flüssigen
Beschichtungsmaterials (30) auf die mindestens eine
Kontaktseite (20), wobei das wenigstens eine
Beschichtungsmaterial (30) den mindestens einen
Beschichtungsbereich (21) benetzt und den mindestens einen Schutzbereich (22) nicht benetzt, und
D) Verfestigen des wenigstens einen Beschichtungsmaterials (30) zu mindestens einer elektrischen Kontaktstruktur (31) auf dem mindestens einen Beschichtungsbereich (21), sodass der Halbleiterchip (2) im bestimmungsgemäßen Gebrauch durch die mindestens eine Kontaktstruktur (31) hindurch bestromt wird .
2. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,
bei dem der mindestens eine Beschichtungsbereich (21) und der mindestens eine Schutzbereich (22) jeweils ein integraler Bestandteil des fertig hergestellten Halbleiterbauteils (1) sind und das Beschichtungsmaterial (30) sowohl auf dem mindestens einen Beschichtungsbereich (21) als auch auf dem mindestens einen Schutzbereich (22) aufgebracht wird und sich aufgrund von Benetzungseigenschaften von dem mindestens einen Schutzbereich (22) zurückzieht,
wobei der mindestens eine Halbleiterchip (2) durch einen Leuchtdiodenchip oder durch einen Laserdiodenchip gebildet ist, und
wobei der mindestens eine Halbleiterchip (2) in Draufsicht auf die mindestens einer Kontaktseite (20) gesehen eine mittlere Kantenlänge von höchstens 0,1 mm aufweist.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der mindestens eine Beschichtungsbereich (21) durch ein glattes Halbeiteroberflächengebiet oder durch eine
Metallisierung (39) des Halbleiterchips (2) und der
mindestens eine Schutzbereich (22) durch ein raues
Halbeiteroberflächengebiet oder durch eine raue
Schutzbeschichtung (42) des Halbleiterchips (2) gebildet werden,
wobei eine Rauheit des rauen Schutzbereichs (22) zwischen einschließlich 5 nm und 100 nm liegt.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
bei dem der mindestens eine Beschichtungsbereich (21) durch ein Halbeiteroberflächengebiet oder durch eine Metallisierung (39) des Halbleiterchips (2) und der mindestens eine
Schutzbereich (22) durch zumindest eine Schutzbeschichtung (42) gebildet werden,
wobei die Schutzbeschichtung (42) glatt ist und einen
perfluorierten Kunststoff oder ein Oxid umfasst oder aus einem perfluorierten Kunststoff oder aus einem Oxid besteht.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der mindestens eine Beschichtungsbereich (21) und der mindestens eine Schutzbereich (22) noch in einem Waferverbund erzeugt werden,
wobei im Waferverbund eine Vielzahl der Halbleiterchips (2) in einem Abstand zueinander vorliegt, wie ursprünglich gewachsen .
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem im Schritt C) das wenigstens eine
Beschichtungsmaterial (30) maskenfrei auf mindestens 10^ der Halbleiterchips (2) gleichzeitig aufgebracht wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem im Schritt C) das Beschichtungsmaterial (30) oder zumindest eines der Beschichtungsmaterialien (30) mittels Sprühen, Drucken, Aufschleudern oder Betauen aufgebracht wird .
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem im Schritt C) das Beschichtungsmaterial (30) oder zumindest eines der Beschichtungsmaterialien (30) mittels Tauchen aufgebracht wird.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die fertige Kontaktstruktur (31) oder mindestens eine der fertigen Kontaktstrukturen (31) metallisch und
lichtundurchlässig ist.
10. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,
bei dem das Beschichtungsmaterial (30) oder zumindest eines der Beschichtungsmaterialien (30) ein Lot ist.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem an der Kontaktseite (20) zusätzlich zur
Kontaktstruktur (31) eine weitere Kontaktstruktur (32) hergestellt wird, wobei die Kontaktseite (20) im Bereich der Kontaktstruktur (31) und im Bereich der weiteren
Kontaktstruktur (32) verschiedene Höhen aufweist, sodass zwischen diesen Bereichen zumindest eine Stufe (23) vorhanden ist .
12. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die weitere Kontaktstruktur (32) in einem weiteren Schritt C) und in einem weiteren Schritt D) aus einer
Flüssigphase heraus erzeugt wird.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Kontaktstruktur (31) oder mindestens eine der Kontaktstrukturen (31) eine elektrische Kontaktfläche zur externen elektrischen Kontaktierung des fertigen
Halbleiterbauteils (1) direkt an einer
Halbleiterschichtenfolge (26) des Halbleiterchips (2) ist.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das fertige Halbleiterbauteil (1) ferner einen Träger (5) umfasst und im Schritt A) der mindestens eine
Halbleiterchip (2) auf dem Träger (5) angebracht wird, wobei die Kontaktstruktur (31) oder mindestens eine der
Kontaktstrukturen (31) eine elektrische Leiterbahn ist, die vom betreffenden Halbleiterchip (2) bis zu einer elektrischen Kontaktstelle (51) des Trägers (5) reicht und die
Kontaktstelle (51) in Draufsicht auf die Kontaktseite (20) gesehen neben dem betreffenden Halbleiterchip (2) liegt.
15. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,
bei dem die Kontaktstruktur (31) oder mindestens eine der Kontaktstrukturen (31) ein elektrisch leitfähiges Netz bildet, sodass die Kontaktstruktur (31) mehrere der
Halbleiterchips (2) mit der gemeinsamen Kontaktstelle (51) elektrisch verbindet,
wobei das Beschichtungsmaterial (30) im Schritt C) flächig aufgebracht wird.
16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Kontaktstruktur (31) oder mindestens eine der Kontaktstrukturen (31) einen Kontaktrahmen (29) bilden, sodass mittig in der Kontaktseite (20) eine
Lichtaustrittsfenster (25) gebildet wird, das ringsum von der Kontaktstruktur (31) umrahmt ist.
17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Kontaktstruktur (31) oder mindestens eine der Kontaktstrukturen (31) wenigstens eine optisch wirksame
Beimengung (33) umfasst,
wobei die Beimengung (33) ein Leuchtstoff, ein Diffusor, ein Farbstoff, ein Filterstoff, ein Wärmeleitstoff, ein
Brechungsindexanpasser und/oder ein Wärmeausdehnungsanpasser ist .
18. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Kontaktstruktur (31) oder mindestens eine der Kontaktstrukturen (31) lichtdurchlässig und als Linse geformt ist .
19. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1), das mit einem Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche hergestellt ist, mit:
- einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) mit einer
Kontaktseite (20),
- einem Beschichtungsbereich (21) und einem Schutzbereich (22) an der Kontaktseite (20), und
- einer elektrischen Kontaktstruktur (31) auf dem
Beschichtungsbereich (21), sodass der Schutzbereich (22) frei von der Kontaktstruktur (31) ist,
wobei die Kontaktstruktur (31) an einem Rand des
Beschichtungsbereichs (21) hin zum Schutzbereich (22) meniskusförmig ausläuft.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021013332A1 (de) * 2019-07-22 2021-01-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Haftstempel und verfahren zum transfer eines halbleiterchips mit einem haftstempel

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120083663A (ko) * 2011-01-18 2012-07-26 삼성전자주식회사 발광소자용 범프 및 그 제조 방법
US20150349200A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light-emitting diode
EP3093834A1 (de) * 2015-04-24 2016-11-16 LG Electronics Inc. Anzeigevorrichtung mit lichtemittierendem halbleiterbauelement und ihr herstellungsverfahren

Family Cites Families (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3870562B2 (ja) * 1998-07-16 2007-01-17 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法、およびパターン形成基板の製造方法
JP3469484B2 (ja) * 1998-12-24 2003-11-25 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
US6303500B1 (en) * 1999-02-24 2001-10-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for electroless plating a contact pad
JP3679943B2 (ja) * 1999-03-02 2005-08-03 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法
US6492251B1 (en) * 1999-03-10 2002-12-10 Tessera, Inc. Microelectronic joining processes with bonding material application
US6287947B1 (en) * 1999-06-08 2001-09-11 Lumileds Lighting, U.S. Llc Method of forming transparent contacts to a p-type GaN layer
US6501663B1 (en) * 2000-02-28 2002-12-31 Hewlett Packard Company Three-dimensional interconnect system
JP4035968B2 (ja) * 2000-06-30 2008-01-23 セイコーエプソン株式会社 導電膜パターンの形成方法
JP2002094131A (ja) * 2000-09-13 2002-03-29 Sumitomo Special Metals Co Ltd 熱電変換素子
TW554405B (en) * 2000-12-22 2003-09-21 Seiko Epson Corp Pattern generation method and apparatus
US6417019B1 (en) * 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode
JP2003078162A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd ＧａＰ系半導体発光素子
JPWO2003028072A1 (ja) * 2001-09-20 2005-01-13 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP2003133691A (ja) * 2001-10-22 2003-05-09 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
JP2003273111A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Seiko Epson Corp 成膜方法及びその方法を用いて製造したデバイス、並びにデバイスの製造方法
EP2290715B1 (de) * 2002-08-01 2019-01-23 Nichia Corporation Lichtemittierendes Halbleiterbauelement, Verfahren zu seiner Herstellung und Lichtemissionsvorrichtung damit
JP4170049B2 (ja) * 2002-08-30 2008-10-22 シャープ株式会社 パターン形成基材およびパターン形成方法
JP4098039B2 (ja) * 2002-08-30 2008-06-11 シャープ株式会社 パターン形成基材およびパターン形成方法
JP3584933B2 (ja) * 2002-10-08 2004-11-04 セイコーエプソン株式会社 微細構造物の製造方法、光学素子、集積回路および電子機器
JP2004221334A (ja) * 2003-01-15 2004-08-05 Seiko Epson Corp 金属素子形成方法、半導体装置の製造方法及び電子デバイスの製造方法、半導体装置及び電子デバイス、並びに電子機器
JP4123172B2 (ja) * 2003-04-01 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP2004363560A (ja) * 2003-05-09 2004-12-24 Seiko Epson Corp 基板、デバイス、デバイス製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP2004351272A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Seiko Epson Corp 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP2005012173A (ja) * 2003-05-28 2005-01-13 Seiko Epson Corp 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP2005019955A (ja) * 2003-05-30 2005-01-20 Seiko Epson Corp 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP4400327B2 (ja) * 2003-09-11 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 タイル状素子用配線形成方法
US20050082562A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-21 Epistar Corporation High efficiency nitride based light emitting device
DE102004047682A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH LED-Array
EP1643565B1 (de) * 2004-09-30 2020-03-04 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungsdetektor
JP3874003B2 (ja) * 2004-10-27 2007-01-31 セイコーエプソン株式会社 配線パターン形成方法、及び膜パターン形成方法
JP2006147827A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Seiko Epson Corp 配線パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、及び電気光学装置、並びに電子機器
JP2006156837A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置
US9985207B2 (en) * 2004-12-06 2018-05-29 Flexenable Limited Electronic devices
JP2006253298A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
US7732330B2 (en) * 2005-06-30 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method using an ink-jet method of the same
US7655566B2 (en) * 2005-07-27 2010-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
CN100550446C (zh) * 2005-08-19 2009-10-14 浦项工科大学 以传导纳米棒作为透明电极的发光装置
DE102007004303A1 (de) * 2006-08-04 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Halbleiterbauelement und Bauelement-Verbund
EP1887634A3 (de) * 2006-08-11 2011-09-07 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
WO2008040323A2 (de) * 2006-09-29 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches leuchtmittel und beleuchtungseinrichtung
JP2008109066A (ja) * 2006-09-29 2008-05-08 Rohm Co Ltd 発光素子
CN101606246B (zh) * 2006-10-05 2012-07-04 三菱化学株式会社 使用GaN LED芯片的发光器件
WO2008121978A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-09 The Regents Of The University Of California Dual surface-roughened n-face high-brightness led
JP5158472B2 (ja) * 2007-05-24 2013-03-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
TWI387128B (zh) * 2007-08-23 2013-02-21 Epistar Corp 發光元件及其製造方法
JP5251038B2 (ja) * 2007-08-23 2013-07-31 豊田合成株式会社 発光装置
CN101821839A (zh) * 2007-10-01 2010-09-01 蔻维尔公司 轮廓经设计的薄膜器件和结构
DE102007061261A1 (de) * 2007-12-19 2009-07-02 Bayer Materialscience Ag Leuchtkörper mit LED-DIEs und deren Herstellung
US8426960B2 (en) * 2007-12-21 2013-04-23 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Wafer level chip scale packaging
JP5343860B2 (ja) * 2007-12-28 2013-11-13 三菱化学株式会社 ＧａＮ系ＬＥＤ素子用電極およびＧａＮ系ＬＥＤ素子ならびにそれらの製造方法。
RU2436195C1 (ru) * 2007-12-28 2011-12-10 Нития Корпорейшн Полупроводниковый светоизлучающий прибор и способ его изготовления
TWI412159B (zh) * 2008-06-16 2013-10-11 Toyoda Gosei Kk 半導體發光元件、其電極以及製造方法、及燈
US20100060553A1 (en) * 2008-08-21 2010-03-11 Zimmerman Scott M LED display utilizing freestanding epitaxial LEDs
TW201034241A (en) * 2009-03-11 2010-09-16 Chi Mei Lighting Tech Corp Light-emitting diode and method for manufacturing the same
KR101278202B1 (ko) * 2009-06-09 2013-06-28 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 인크. 높은 광추출 효율을 가진 고체 광원
JP5307669B2 (ja) * 2009-09-09 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及び電気的接続を得る方法
DE102009048401A1 (de) * 2009-10-06 2011-04-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP5494005B2 (ja) * 2010-02-26 2014-05-14 豊田合成株式会社 半導体発光素子
FR2958075B1 (fr) * 2010-03-24 2012-03-23 Univ Paris Curie Procede de realisation d'une electrode metallique a la surface d'un materiau hydrophobe
US20110284158A1 (en) * 2010-05-20 2011-11-24 Fujifilm Corporation Method and apparatus of manufacturing functionally gradient material
TW201201354A (en) * 2010-06-25 2012-01-01 Taiwan Solutions Systems Corp LED chip package structure
KR101762791B1 (ko) * 2010-09-01 2017-07-28 엘지이노텍 주식회사 발광소자 어레이
DE102010054279A1 (de) * 2010-12-13 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskonversionselements, Strahlungskonversionselement und optoelektronisches Bauelement enthaltend ein Strahlungskonversionselement
US9166126B2 (en) * 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US8962358B2 (en) * 2011-03-17 2015-02-24 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Double substrate multi-junction light emitting diode array structure
KR20120134456A (ko) * 2011-06-02 2012-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US20130052366A1 (en) * 2011-08-24 2013-02-28 Giin-Shan Chen Nano-seeding via dual surface modification of alkyl monolayer for site-controlled electroless metallization
WO2013112435A1 (en) * 2012-01-24 2013-08-01 Cooledge Lighting Inc. Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods
EP2626901A1 (de) * 2012-02-10 2013-08-14 Oki Data Corporation Lichtemittierende Halbleitervorrichtung, Bildanzeigevorrichtung, mobiles Endgerät, Blickfeldanzeigevorrichtung, Bildprojektor, Datenhelm und Bilderzeugungsvorrichtung
KR101286211B1 (ko) * 2012-02-16 2013-07-15 고려대학교 산학협력단 발광 소자 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 발광 소자
WO2013137356A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP2013197197A (ja) * 2012-03-16 2013-09-30 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US8759128B2 (en) * 2012-03-22 2014-06-24 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) die having recessed electrode and light extraction structures and method of fabrication
JP6050975B2 (ja) * 2012-03-27 2016-12-21 新光電気工業株式会社 リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法
US9419174B2 (en) * 2012-09-26 2016-08-16 University Of Florida Research Foundation, Inc. Transparent quantum dot light-emitting diodes with dielectric/metal/dielectric electrode
CN104854716B (zh) * 2012-12-10 2017-06-20 西铁城时计株式会社 Led装置及其制造方法
KR102027301B1 (ko) * 2012-12-14 2019-10-01 서울바이오시스 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광다이오드
US10390399B2 (en) * 2013-01-10 2019-08-20 Molex, Llc LED assembly having base insert molded about terminals and substrate with a plurality of LED chips positioned on said substrate
US9012933B2 (en) * 2013-04-08 2015-04-21 Epistar Corporation Light-emitting diode having a roughened surface
DE102013105056A1 (de) * 2013-05-16 2014-11-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs, Leuchtstoff und optoelektronisches Bauelement
JP6209949B2 (ja) * 2013-11-13 2017-10-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6237181B2 (ja) * 2013-12-06 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102014100772B4 (de) * 2014-01-23 2022-11-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
TW201605073A (zh) * 2014-05-14 2016-02-01 新世紀光電股份有限公司 發光元件封裝結構及其製作方法
US9831387B2 (en) * 2014-06-14 2017-11-28 Hiphoton Co., Ltd. Light engine array
DE102014112750A1 (de) * 2014-09-04 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
KR20160054712A (ko) * 2014-11-06 2016-05-17 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 패키지
DE112015005124T5 (de) * 2014-11-12 2017-08-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Lichtemittierende Diode
DE102015107577A1 (de) * 2015-05-13 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102015109786A1 (de) * 2015-06-18 2016-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE102015214219A1 (de) * 2015-07-28 2017-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement
DE102015115722A1 (de) * 2015-09-17 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Träger für ein Bauelement, Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Trägers oder eines Bauelements
CN106558597B (zh) * 2015-09-30 2020-03-06 三星电子株式会社 发光器件封装件
DE102015116970A1 (de) * 2015-10-06 2017-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers
DE102015117662B4 (de) * 2015-10-16 2021-07-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102015119353B4 (de) * 2015-11-10 2024-01-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
JP6668757B2 (ja) * 2016-01-07 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
DE102016100320A1 (de) * 2016-01-11 2017-07-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Modul und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102016103324A1 (de) * 2016-02-25 2017-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Videowand-Modul und Verfahren zum Herstellen eines Videowand-Moduls
DE102016103862A1 (de) * 2016-03-03 2017-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Leuchtvorrichtung, Träger für einen optoelektronischen Halbleiterchip und optoelektronisches Leuchtsystem
CN108305918B (zh) * 2017-01-12 2019-07-16 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 氮化物半导体发光器件及其制作方法
DE102017107234A1 (de) * 2017-04-04 2018-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterbauelemente und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
US10157740B1 (en) * 2017-06-15 2018-12-18 Applied Materials, Inc. Selective deposition process utilizing polymer structure deactivation process
DE102018115976A1 (de) * 2017-07-10 2019-01-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Bestücken eines Trägers mit Bauelementen, Pigment für das Bestücken eines Trägers mit einem Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Pigments
DE112017007283T5 (de) * 2017-08-11 2019-12-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
US10340308B1 (en) * 2017-12-22 2019-07-02 X Development Llc Device with multiple vertically separated terminals and methods for making the same
US20190309422A1 (en) * 2018-04-06 2019-10-10 Versum Materials Us, Llc Spin-On Metallization
KR102115188B1 (ko) * 2018-06-22 2020-05-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
US10984702B2 (en) * 2018-06-22 2021-04-20 Epistar Corporation Display apparatus with array of light emitting diodes and method of manufacturing the same
CN108933153B (zh) * 2018-07-27 2021-02-02 上海天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
DE102019100799A1 (de) * 2019-01-14 2020-07-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einem schichtstapel mit anisotroper leitfähigkeit und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
EP3963355A1 (de) * 2019-03-08 2022-03-09 OSRAM GmbH Komponente für ein lidar-sensorsystem, lidar-sensorsystem, lidar-sensorvorrichtung, verfahren für ein lidar-sensorsystem und verfahren für eine lidar-sensorvorrichtung
DE102019114169A1 (de) * 2019-05-27 2020-12-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement mit verbindungsbereichen und verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
JP7368965B2 (ja) * 2019-07-10 2023-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ Ｌｅｄモジュール及びｌｅｄモジュールを含む表示装置
US11177420B2 (en) * 2019-10-09 2021-11-16 Lumileds Llc Optical coupling layer to improve output flux in LEDs
JP6903210B2 (ja) * 2019-10-15 2021-07-14 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
DE102019218501A1 (de) * 2019-11-28 2021-06-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauteil für ein display und verfahren zur herstellung eines bauteils
EP3876021B1 (de) * 2020-03-05 2023-12-06 Lumileds LLC Mikrooptik für mikro-led-projektionseinheit
US11631715B2 (en) * 2021-03-11 2023-04-18 Lumileds Llc Monolithic multi-color matrix emitter with patterned phosphor layer
KR20230099535A (ko) * 2021-12-27 2023-07-04 삼성전자주식회사 마이크로 발광소자 어레이 및 마이크로 발광소자 어레이 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120083663A (ko) * 2011-01-18 2012-07-26 삼성전자주식회사 발광소자용 범프 및 그 제조 방법
US20150349200A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light-emitting diode
EP3093834A1 (de) * 2015-04-24 2016-11-16 LG Electronics Inc. Anzeigevorrichtung mit lichtemittierendem halbleiterbauelement und ihr herstellungsverfahren

Also Published As

Publication number Publication date
CN113544864A (zh) 2021-10-22
DE102019106546A1 (de) 2020-09-17
US20220140216A1 (en) 2022-05-05

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DE102007046337A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
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