TW201605073A - 發光元件封裝結構及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

一種發光元件封裝結構，包括一發光元件以及一保護件。發光元件具有彼此相對的一上表面與一下表面、一連接上表面與下表面的側表面以及位於下表面上且彼此分離的一第一電極墊與一第二電極墊。保護件包覆發光元件的側表面且暴露出發光元件的至少部分上表面及暴露出第一電極墊的至少部分一第一底面以及第二電極墊的至少部分一第二底面。

Description

發光元件封裝結構及其製作方法
本發明是有關於一種發光元件的封裝結構及其製作方法，且特別是有關於一種發光二極體的封裝結構及其製作方法。
一般來說，發光二極體封裝結構通常是將發光二極體晶片配置於由陶瓷材料或金屬材料所形成之凹杯型態的承載基座上，以固定及支撐發光二極體晶片。之後，再使用封裝膠體來包覆發光二極體晶片，而完成發光二極體封裝結構的製作。此時，發光二極體晶片的電極是位於承載基座的上方並位於凹杯內。然而，凹杯型態的承載基座具有一定的厚度，而使得發光二極體封裝結構的厚度無法有效降低，因而使發光二極體封裝結構無法滿足現今薄型化的需求。
本發明提供一種發光元件封裝結構，其無需採用習知的承載支架，可具有較薄的封裝厚度且符合薄型化的需求。
本發明提供一種發光元件封裝結構的製作方法，用以製作上述的發光元件封裝結構。
本發明的發光元件封裝結構，其包括一發光元件以及一保護件。發光元件具有彼此相對的一上表面與一下表面、一連接上表面與下表面的側表面以及位於下表面上且彼此分離的一第一電極墊與一第二電極墊。保護件包覆發光元件的側表面且暴露出發光元件的至少部分上表面及暴露出第一電極墊的至少部分一第一底面以及第二電極墊的至少部分一第二底面。
本發明的發光元件封裝結構的製作方法，其包括以下步驟。將多個間隔排列的發光元件配置於一基板上，其中各發光元件具有位於下表面上且彼此分離的一第一電極墊與一第二電極墊，而第一電極墊與第二電極墊設置在基板上。形成一保護件以包覆各發光元件。移除部分保護件，以暴露出各發光元件的一上表面。進行一切割程序，以切割保護件，而形成多個彼此分離的發光元件封裝結構，其中各發光元件封裝結構分別具有至少一個發光元件以及包覆發光元件的一側表面且暴露出上表面的保護件。移除基板，以暴露各發光元件封裝結構的保護件的一底面，以及暴露第一電極墊的一第一底面以及第二電極墊的一第二底面。
本發明的發光元件封裝結構的製作方法，其包括以下步驟。將多個間隔排列的發光元件配置於一基板上，其中各發光元件具有位於一下表面上且彼此分離的一第一電極墊與一第二電極墊，而各發光元件的一上表面設置在基板上。形成一保護件以包覆各發光元件。移除部分保護件，以暴露出各發光元件的第一電極墊的一第一底面以及第二電極墊的一第二底 面。形成一延伸電極層，與各發光元件的第一電極墊以及第二電極墊電性連接。進行一切割程序，以切割保護件與延伸電極層，而形成多個彼此分離的發光元件封裝結構，其中各發光元件封裝結構分別具有至少一個發光元件、至少包覆發光元件的側表面的保護件、一第一延伸電極以及一第二延伸電極，而第一延伸電極與第二延伸電極彼此分離且覆蓋保護件的至少部分一底面。
基於上述，由於本發明的保護件包覆發光元件的側表面，且保護件的底面切齊於發光元件的第一電極墊的第一底面以及第二電極墊的第二底面。因此，本發明的發光元件封裝結構不但不需要使用習知的承載支架來支撐及固定發光元件，而可有效較少封裝厚度以及製作成本，同時，亦可有效提高發光元件的正向出光效率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10‧‧‧基板
20‧‧‧另一基板
100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i‧‧‧發光元件封裝結構
110a、110b‧‧‧發光元件
112a、112b‧‧‧上表面
113‧‧‧第一電極墊
113a‧‧‧第一底面
114a、114b‧‧‧下表面
115‧‧‧第二電極墊
115a‧‧‧第二底面
116a、116b‧‧‧側表面
120、120’‧‧‧保護件
122‧‧‧頂面
124‧‧‧底面
130d、130c‧‧‧第一延伸電極
140d、140c‧‧‧第二延伸電極
150‧‧‧封裝膠層
160、160’‧‧‧透光層
L‧‧‧切割線
E‧‧‧延伸電極層
圖1繪示為本發明的一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。
圖2繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。
圖3繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的 示意圖。
圖4繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。
圖5繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。
圖6繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。
圖7繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。
圖8繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。
圖9繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。
圖10A至圖10D繪示為本發明的一實施例的一種發光元件封裝結構的製作方法的剖面示意圖。
圖11A至圖11C繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。
圖12A至圖12E繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的製作方法的剖面示意圖。
圖13A至圖13D繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。
圖1繪示為本發明的一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。請先參考圖1，在本實施例中，發光元件封裝結構100a包括一發光元件110a以及一保護件120。發光元件110a具有彼此相對的一上表面112a與一下表面114a、一連接上表面112a與下表面114a的側表面116a以及位於下表面114a上且彼此分離的一第一電極墊113與一第二電極墊115。保護件120包覆發光元件110a的側表面116a且暴露出至少部分上表面112a及暴露出第一電極墊113的至少部分一第一底面113a以及第二電極墊115的至少部分一第二底面115a。
更具體來說，如圖1所示，本實施例的發光元件110a的上表面112a與保護件120的一頂面122切齊，保護件120的一底面124與第一電極墊113的一第一底面113a以及第二電極墊115的一第二底面115a切齊，且保護件120可覆蓋或曝露出發光元件110a位於第一電極墊113與一第二電極墊115之間的下表面114a。在本實施例中，發光元件110a的側表面116a垂直於上表面112a與下表面114a，但並不以此為限，而發光元件110a例如是發光二極體，該發光二極體的發光波長(包括但不限於)介於315奈米至780奈米之間，該發光二極體包括但不限於紫外光、藍光、綠光、黃光、橘光或紅光發光二極體。
保護件120的反射率至少大於90%，也就是說，本實施例的保護件120具有高反射率的特性，其中保護件120的材質為 包括一摻有高反射粒子的高分子材料，該高反射粒子例如但不限於是二氧化鈦(TiO2)粉末，而該高分子材料例如不限於是環氧樹脂或矽樹脂。此外，本實施例的發光元件110a的第一電極墊113與第二電極墊115的材質為一金屬材料或金屬合金，例如是金、鋁、錫、銀、鉍、銦或其組合，但不以此為限。
在本實施例中，保護件120包覆發光元件110a的側表面116a，且曝露出發光元件110a的第一電極墊113的第一底面113a以及第二電極墊115的第二底面115a，發光元件封裝結構100a不需要使用習知的承載支架來支撐及固定發光元件110a，而可有效減少封裝厚度以及製作成本，同時，亦可透過具有高反射率的保護件120來有效提高發光元件110a的正向出光效率。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，相同技術內容的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。請同時參考圖1與圖2，本實施例的發光元件封裝結構100b與圖1中的發光元件封裝結構100a的主要差異之處在於：本實施例的發光元件110b的側表面116b並非垂直於上表面112b與下表面114b，本實施例中發光元件100b的上表面112b的表面積大於下表面114b的表面積，側表面116b與下表面114b的夾角例如是介於95度到150度之間。本實施例的發光元件110b的上 表面112b、側表面116b及下表面114b所界定的外型輪廓呈現倒梯形，因此可減少發光元件110b側向出光，且高反射率的保護件120可更進一步地有效提高發光元件110b的正向出光效率。
圖3繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。請同時參考圖1與圖3，本實施例的發光元件封裝結構100c與圖1中的發光元件封裝結構100a的主要差異之處在於：本實施例的發光元件封裝結構100c更包括一第一延伸電極130c以及一第二延伸電極140c。第一延伸電極130c配置於保護件120的底面124上，且與第一電極墊113電性連接。第二延伸電極140c配置於保護件120的底面124上，且與第二電極墊115電性連接。第一延伸電極130c與第二延伸電極140c彼此分離且覆蓋保護件120的至少部分底面124。
如圖3所示，本實施例的第一延伸電極130c與第二延伸電極140c的設置完全重疊於第一電極墊113與第二電極墊115，且朝著保護件120的邊緣延伸。當然，於其他未繪示的實施例中，第一延伸電極與第二延伸電極的設置亦可部分重疊於第一電極墊與第二電極墊，只要第一延伸電極與第二延伸電極電性連接至第一電極墊與第二電極墊的設置即為本實施例所欲保護之範圍。此外，本實施例的第一延伸電極130c與第二延伸電極140c暴露出保護件120的部分底面124。
在本實施例中，第一延伸電極130c與第二延伸電極140c的材質可分別相同或不同於發光元件110a的第一電極墊113與第 二電極墊115。當第一延伸電極130c與第二延伸電極140c的材質分別相同於發光元件110a的第一電極墊113與第二電極墊115時，第一延伸電極130c與第一電極墊113之間可為無接縫連接，即為一體成型的結構，第二延伸電極140c與第二電極墊115之間可為無接縫連接，即為一體成型的結構。當第一延伸電極130c與第二延伸電極140c的材質分別不同於發光元件110a的第一電極墊113與第二電極墊115時，第一延伸電極130c與第二延伸電極140c的材質可例如是銀、金、鉍、錫、銦或上述材料組合的合金。
由於本實施例的發光元件封裝結構100c具有與發光元件110a的第一電極墊113與第二電極墊115分別電性連接的第一延伸電極130c與第二延伸電極140c，因此可有效增加發光元件封裝結構100c的電極接觸面積，以利於後續將此發光元件封裝結構100c與其他外部電路進行組裝，可有效提高對位精準度及組裝效率。舉例來說，第一延伸電極130c的面積大於第一電極墊113的面積，第二延伸電極140c的面積大於第二電極墊115的面積。
圖4繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。請同時參考圖3與圖4，本實施例的發光元件封裝結構100d與圖3中的發光元件封裝結構100c的主要差異之處在於：本實施例的第一延伸電極130d的邊緣與第二延伸電極140d的邊緣切齊於保護件120的邊緣。
圖5繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。請同時參考圖1與圖5，本實施例的發光元件封裝結 構100e與圖1中的發光元件封裝結構100a的主要差異之處在於：本實施例的發光元件封裝結構100e更包括一封裝膠層150，其中封裝膠層150配置於發光元件110a的上表面112a上，以增加光取出率及改善光型。封裝膠層150也可以延伸至保護件120的至少部分上表面122上，封裝膠層150的邊緣也可以切齊於保護件120的邊緣。另外，封裝膠層150內也可以摻雜有至少一種波長轉換材料，波長轉換材料係用以將發光元件110a所發出的至少部分光線的波長轉換成其他波長，且波長轉換材料的材質包括螢光材料、磷光材料、染料、量子點材料及其組合，其中波長轉換材料的粒徑例如是介於3微米到50微米之間。另外，封裝膠層150內也可以摻雜具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化鈦(TiO2)或二氧化矽(SiO2)，以增加出光效率。
在本發明一實施例中，發光元件包括但不限於紫外光、藍光、綠光、黃光、橘光或紅光發光元件，而波長轉換材料包括但不限於紅色、橘色、橘黃色、黃色、黃綠色或綠色的波長轉換材料或其組合，用以將發光元件所發出的光的部分或全部進行波長轉換。波長轉換的光與波長未轉換的光進行混光後，使得發光元件封裝結構發出主波長(dominant wavelenghth)在一特定範圍的光，其光色例如包括但不限於紅色、橘色、橘黃色、琥珀色、黃色、黃綠色或綠色，或是發出具有特定相對色溫的白光，相對色溫的範圍例如是介於2500K至7000K之間，但不以此為限。
圖6繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結 構的示意圖。請同時參考圖6與圖4，本實施例的發光元件封裝結構100f與圖4中的發光元件封裝結構100d的主要差異之處在於：本實施例的發光元件封裝結構100f更包括一封裝膠層150，其中封裝膠層150配置於發光元件110a的上表面112a上，以增加光取出率及改善光型。封裝膠層150也可以延伸至保護件120的至少部分上表面122上，封裝膠層150的邊緣也可以切齊於保護件120的邊緣，另外，封裝膠層150內也可以摻雜有至少一種波長轉換材料，波長轉換材料係用以將發光元件110a所發出的至少部分光線的波長轉換成其他波長，且波長轉換材料的材質包括螢光材料、磷光材料、染料、量子點材料及其組合，其中波長轉換材料的粒徑例如是介於3微米到50微米之間。另外，封裝膠層150內也可以摻雜具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化鈦(TiO2)或二氧化矽(SiO2)，以增加出光效率。
須說明的是，在圖4及圖6的實施例中，第一延伸電極130d的邊緣與第二延伸電極140d的邊緣切齊於保護件120的邊緣，這樣的設計不但可以擴大電極的接觸面積，且在製程中，保護件120可以同時封裝多個相間隔的發光元件110a，之後形成圖案化金屬層以分別形成第一延伸電極130d與第二延伸電極140d，之後再進行切割，使每一發光元件封裝結構100f的第一延伸電極130d的邊緣與第二延伸電極140d的邊緣切齊於保護件120的邊緣，如此可有效節省製程時間。
圖7繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的示意 圖。請同時參考圖7與圖5，本實施例的發光元件封裝結構100g與圖5中的發光元件封裝結構100e的主要差異之處在於：本實施例的發光元件封裝結構100g更包括一透光層160，配置於封裝膠層150上，其中透光層160的透光率，例如是大於50%。在本實施例中，透光層160的材質例如是玻璃、陶瓷、樹脂、壓克力或矽膠等，其目的在於可發光元件110a所產生的光導引至外界，可有效增加發光元件封裝結構100g的光通量及光取出率，且亦可有效保護發光元件110a以避免受到外界水氣與氧氣的侵襲。
圖8繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。請同時參考圖8與圖7，本實施例的發光元件封裝結構100h與圖7中的發光元件封裝結構100g的主要差異之處在於：本實施例的發光元件封裝結構100h的透光層160’是配置於發光元件110a的上表面110a與封裝膠層150之間。
圖9繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的示意圖。請同時參考圖9與圖6，本實施例的發光元件封裝結構100i與圖6中的發光元件封裝結構100f的主要差異之處在於：本實施例的發光元件封裝結構100i更包括一透光層160，配置於封裝膠層150上，其中透光層160的透光率，例如是大於50%。在本實施例中，透光層160的材質例如是玻璃、陶瓷、樹脂、壓克力或矽膠等，其目的在於可發光元件110a所產生的光導引至外界，可有效增加發光元件封裝結構100i的光通量及光取出率，且亦可有效保護發光元件110a以避免受到外界水氣與氧氣的侵襲。
以下將以圖1、圖7、圖4及圖9中的發光元件封裝結構100a、100g、100d、100i為例，並分別配合10A至圖10D、圖11A至圖11C、圖 12A至圖12E以及圖13A至圖13D對本發明的發光元件封裝結構的製作方法進行詳細的說明。
圖10A至圖10D繪示為本發明的一實施例的一種發光元件封裝結構的製作方法的剖面示意圖。首先，請參考圖10A，將多個發光元件110a配置於一基板10上，其中每一發光元件110a具有彼此相對的上表面112a與下表面114a、連接上表面112a與下表面114a的側表面116a以及位於下表面114a上且彼此分離的第一電極墊113與第二電極墊115。每一發光元件110a的第一電極墊113與第二電極墊115設置在基板10上。也就是說，發光元件110a的發光面，即上表面112a是相對遠離基板10。在本實施例中，基板10的材質例如是不銹鋼、陶瓷或其他不導電的材質。發光元件110a例如是發光二極體，該發光二極體的發光波長(包括但不限於)介於315奈米至780奈米之間，該發光二極體包括但不限於紫外光、藍光、綠光、黃光、橘光或紅光發光二極體。
接著，請參考圖10B，形成一保護件120’於基板10上，其中保護件120’包覆每一發光元件110a。也就是說，保護件120’完全且直接覆蓋發光元件110a的上表面112a、下表面114a以及側表面116a，且填滿第一電極墊113與第二電極墊115之間的空隙。此處，保護件120’的反射率至少大於90%，也就是說，本實施例的保護件120’可具有高反射率的特性，其中保護件120’的材質包括一摻雜高反射粒子的高分子材料，該高反射粒子例如但不限於是二氧化鈦(TiO2)粉末，而該高分子材料例如不限於是環氧樹脂或矽樹脂。
接著，請參考圖10C，移除部分保護件120’，而形成保護件120， 其中保護件120暴露出每一發光元件110a的至少部分上表面112a。此時，每一發光元件110a的上表面112a可能切齊於保護件120的頂面122。此處，移除部分保護件120’的方法包括例如是研磨法或拋光法。
之後，請參考圖10D，進行一切割程序，以沿著切割線L切割保護件120，而形成多個彼此分離的發光元件封裝結構100a，其中每一發光元件封裝結構100a分別具有至少一個發光元件110a以及保護件120，保護件120包覆發光元件110a的側表面116a且暴露出其至少部分上表面112a。
最後，請再參考圖10D，移除基板10，以暴露每一發光元件封裝結構100a的保護件120的底面124，並曝露出每一發光元件封裝結構100a的第一電極墊113的至少部分第一底面113a以及第二電極墊115的至少部分第二底面115a。
圖11A至圖11C繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。本實施例的發光元件封裝結構的製作方法與上述圖10A至圖10D中的發光元件封裝結構的製作方法的主要差異之處在於：於圖10C與圖10D的步驟之間，意即於移除部分保護件120’之後，且於進行切割程序之前，請參考圖11A，形成封裝膠層150於發光元件110a與保護件120上，以增加光取出率及改善光型。此處，封裝膠層150覆蓋發光元件110a的上表面112a與保護件120的頂面122，且封裝膠層150內也可以摻雜有至少一種波長轉換材料。波長轉換材料的說明請參考前述實施例。另外，封裝膠層150內也可以摻雜具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化鈦(TiO2)或二氧化矽(SiO2)，以增加出光效率。
接著，請參考圖11B，形成一透光層160於發光元件110a與保護 件120上，其中透光層160位於封裝膠層150上，且覆蓋封裝膠層150。舉例來說，透光層160的透光率大於50%。在此實施例中，透光層160的材質例如是玻璃、陶瓷、樹脂、壓克力或矽膠等，其目的在於可發光元件110a所產生的光導引至外界，可有效增加後續所形成之發光元件封光結構100g的光通量及光取出率，且亦可有效保護發光元件110a以避免受到外界水氣與氧氣的侵襲。
之後，請參考圖11C，進行一切割程序，以沿著切割線L切割透光層160、封裝膠層150以及保護件120，而形成多個彼此分離的發光元件封裝結構100g。最後，請再參考圖11C，移除基板10，以暴露每一發光元件封裝結構100g的保護件120的底面124，其中每一發光元件封裝結構100g的保護件120的底面124曝露出第一電極墊113的至少部分第一底面113a以及第二電極墊115的至少部分第二底面115a。在本發明另一實施例中，亦可先移除基板10再進行一切割程序。
圖12A至圖12E繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的製作方法的剖面示意圖。請先參考圖12A，本實施例的發光元件封裝結構的製作方法與上述圖10A至圖10D中的發光元件封裝結構的製作方法的主要差異之處在於：請參考圖12A，本實施例的發光元件110a並不是由第一電極墊113與第二電極墊115接觸基板10，而是由其上表面112a接觸基板10。
接著，請參考圖12B，形成一保護件120’於基板上，其中保護件包覆每一發光元件110a。
接著，請參考圖12C，移除部分保護件120’，以形成保護件120， 其中保護件120暴露出每一發光元件110a的第一電極墊113的至少部分第一底面113a以及第二電極墊115的至少部分第二底面115a。
接著，請參考圖12D，形成一圖案化金屬層作為延伸電極層E，位於每一發光元件110a的第一電極墊113的第一底面113a上以及第二電極墊115的第二底面115a上。此處，形成圖案化金屬層的方法例如是蒸鍍法、濺鍍法、電鍍法或化學鍍法以及光罩蝕刻法。
接著，請參考圖12E，進行一切割程序，以沿著切割線切割延伸電極層E與保護件120，而形成多個彼此分離的發光元件封裝結構100d。每一發光元件封裝結構100d分別具有至少一個發光元件110a、至少包覆發光元件110a的側表面116a的保護件120、直接接觸第一電極墊113的第一延伸電極130d以及直接接觸第二電極墊115的第二延伸電極140d。第一延伸電極130d與第二延伸電極140d彼此分離且暴露出保護件120的至少部分底面124。此時，第一延伸電極130d的面積可大於第一電極墊113的面積，而第二延伸電極140d的面積可大於第二電極墊115的面積。第一延伸電極130d的邊緣與第二延伸電極140d的邊緣切齊於保護件120的邊緣。
最後，請再參考圖12E，移除基板10，以暴露每一發光元件封裝結構100d的保護件120的頂面122與發光元件110a的上表面112a，其中每一發光元件封裝結構100g的保護件120的頂面122切齊於發光元件110a的上表面112a。在本發明另一實施例中，亦可先移除基板10再進行一切割程序。
圖13A至圖13D繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。本實施例的發光元件封裝結 構的製作方法與上述圖12A至圖12E中的發光元件封裝結構的製作方法的主要差異之處在於：於圖12D與圖12E的步驟之間，意即於形成延伸電極層E之後，且於進行切割製程之前，請參考圖13A，提供一另一基板20，並設置在延伸電極層E上。此處，另一基板20的材質例如是不銹鋼、陶瓷或其他不導電的材質。接著，請再參考圖13A，於提供另一基板20之後，移除基板10，以暴露保護件120的頂面122以及發光元件110a的上表面112a，其中每一發光元件110a的上表面112a切齊於保護件120的頂面122。
接著，請參考圖13B，形成封裝膠層150於發光元件110a與保護件120上，以增加光取出率及改善光型。此處，封裝膠層150覆蓋發光元件110a的上表面112a與保護件120的頂面122，且封裝膠層150內也可以摻雜有至少一種波長轉換材料。波長轉換材料的說明請參考前述實施例。另外，封裝膠層150內也可以摻雜具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化鈦(TiO2)或二氧化矽(SiO2)，以增加出光效率。
接著，請參考圖13C，形成一透光層160於發光元件110a與保護件120上，其中透光層160位於封裝膠層150上，且覆蓋封裝膠層150。舉例來說，透光層160的透光率大於50%。此處，透光層160的材質例如是玻璃、陶瓷、樹脂、壓克力或矽膠等，其目的在於可發光元件110a所產生的光導引至外界，可有效增加後續所形成之發光元件封光結構100i的光通量及光取出率，且亦可有效保護發光元件110a以避免受到外界水氣與氧氣的侵襲。
之後，請參考圖13D，進行一切割程序，以沿著切割線L切割透光層160、封裝膠層150、保護件120及延伸電極層E，而形成多個彼此分 離的發光元件封裝結構100i。最後，請再參考圖13D，移除另一基板20，以暴露每一發光元件封裝結構100i的第一延伸電極130d與第二延伸電極140d。在本發明另一實施例中，亦可先移除基板20再進行一切割程序。
綜上所述，由於本發明的保護件包覆發光元件的側表面，且保護件的底面曝露出發光元件的第一電極墊的第一底面以及第二電極墊的第二底面。因此，本發明的發光元件封裝結構不但不需要使用習知的承載支架來支撐及固定發光元件，而可有效較少封裝厚度以及製作成本，同時，亦可有效提高發光元件的正向出光效率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100a‧‧‧發光元件封裝結構
110a‧‧‧發光元件
112a‧‧‧上表面
113‧‧‧第一電極墊
113a‧‧‧第一底面
114a‧‧‧下表面
115‧‧‧第二電極墊
115a‧‧‧第二底面
116a‧‧‧側表面
120‧‧‧保護件
122‧‧‧頂面
124‧‧‧底面

Claims (34)

  1. 一種發光元件封裝結構，包括：一發光元件，具有彼此相對的一上表面與一下表面、一連接該上表面與該下表面的側表面以及位於該下表面上且彼此分離的一第一電極墊與一第二電極墊；以及一保護件，包覆該發光元件的該側表面，且暴露出該發光元件的至少部分該上表面及暴露出該第一電極墊的至少部分一第一底面以及該第二電極墊的至少部分一第二底面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構，其中該發光元件的該上表面切齊於該保護件的一頂面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構，更包括：一第一延伸電極，配置於該保護件的該底面上，且與該第一電極墊電性連接；以及一第二延伸電極，配置於該保護件的該底面上，與該第二電極墊電性連接，其中該第一延伸電極與該第二延伸電極彼此分離且暴露出該保護件的至少部分該底面。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的發光元件封裝結構，其中該第一延伸電極的面積大於該第一電極墊的面積，而該第二延伸電極的面積大於該第二電極墊的面積。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的發光元件封裝結構，其中該第一延伸電極的邊緣與該第二延伸電極的邊緣切齊於該保護件的邊緣。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構，其中該發光元件為發光波長介於315奈米至780奈米間的發光二極體晶片。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構，其中該保護件的反射率至少大於90%。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構，更包括：一封裝膠層，配置於該發光元件的該上表面上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的發光元件封裝結構，其中該封裝膠層覆蓋至少部分該保護件的一頂面上。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的發光元件封裝結構，其中該封裝膠層內摻有至少一波長轉換材料。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的發光元件封裝結構，更包括：一透光層，配置於該發光元件的該上表面。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的發光元件封裝結構，其中該透光層的透光率大於50%。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構，其中該發光元件的該側表面與該下表面的夾角介於95度到150度之間。
  14. 一種發光元件封裝結構的製作方法，包括：將多個間隔排列的發光元件配置於一基板上，其中各該發光元件具有位於一下表面上且彼此分離的一第一電極墊與一第二電極墊，而該第一電極墊與該第二電極墊設置在該基板上； 形成一保護件以包覆各該發光元件；移除部分該保護件，以暴露出各該發光元件的一上表面；進行一切割程序，以切割該保護件，而形成多個彼此分離的發光元件封裝結構，其中各該發光元件封裝結構分別具有至少一個該發光元件以及包覆該發光元件的一側表面且暴露出該上表面的該保護件；以及移除該基板，以暴露各該發光元件封裝結構的該保護件的一底面，以及暴露該第一電極墊的一第一底面以及該第二電極墊的一第二底面。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中該保護件的反射率至少大於90%。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中移除部分該保護件後，各該發光元件的該上表面切齊於該保護件的一頂面。
  17. 如申請專利範圍第14項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中移除部分該保護件的方法包括研磨法或拋光法。
  18. 如申請專利範圍第14項所述的發光元件封裝結構的製作方法，更包括：於移除部分該保護件之後，且於進行該切割程序之前，形成一封裝膠層於該些發光元件與該保護件上，其中該封裝膠層覆蓋該些發光元件的該些上表面與該保護件的一頂面。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的發光元件封裝結構的製作 方法，其中該封裝膠層內摻有至少一波長轉換材料。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的發光元件封裝結構的製作方法，更包括：形成一透光層於該些發光元件與該保護件上，其中該封裝膠層位於該透光層與該些發光元件之間，或該透光層位於該些發光元件與該封裝膠層之間。
  21. 如申請專利範圍第20項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中該透光層的透光率大於50%。
  22. 如申請專利範圍第14項所述的發光元件封裝結構的製作方法，各該發光元件為發光波長介於315奈米至780奈米之間的發光二極體晶片。
  23. 一種發光元件封裝結構的製作方法，包括：將多個間隔排列的發光元件配置於一基板上，其中各該發光元件具有位於一下表面上且彼此分離的一第一電極墊與一第二電極墊，而各該發光元件的一上表面設置在該基板上；形成一保護件以包覆各該發光元件；移除部分該保護件，以暴露出各該發光元件的該第一電極墊的一第一底面以及該第二電極墊的一第二底面；形成一延伸電極層，與各該發光元件的該第一電極墊以及該第二電極墊電性連接；以及進行一切割程序，以切割該保護件與該延伸電極層，而形成多個彼此分離的發光元件封裝結構，其中各該發光元件封裝結構 分別具有至少一個該發光元件、至少包覆該發光元件的該側表面的該保護件、一第一延伸電極以及一第二延伸電極，而該第一延伸電極與該第二延伸電極彼此分離且覆蓋該保護件的至少部分一底面。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中該第一延伸電極的面積大於該第一電極墊的面積，而該第二延伸電極的面積大於該第二電極墊的面積。
  25. 如申請專利範圍第23項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中該第一延伸電極的邊緣與該第二延伸電極的邊緣切齊於該保護件的邊緣。
  26. 如申請專利範圍第23項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中該保護件的反射率至少大於90%。
  27. 如申請專利範圍第23項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中移除部分該保護件的方法包括研磨法或拋光法。
  28. 如申請專利範圍第23項所述的發光元件封裝結構的製作方法，更包括：於進行該切割程序之後，移除該基板，以暴露該保護件的一頂面以及該些發光元件的該些上表面。
  29. 如申請專利範圍第23項所述的發光元件封裝結構的製作方法，更包括：於形成該延伸電極層之後，且於進行該切割製程之前，提供另一基板，該延伸電極層設置在該另一基板；以及 移除該基板，以暴露該保護件的一頂面以及各該些發光元件的該上表面。
  30. 如申請專利範圍第29項所述的發光元件封裝結構的製作方法，更包括：於移除該基板之後，且於進行該切割程序之前，形成一封裝膠層於該些發光元件與該保護件上，其中該封裝膠層覆蓋各該發光元件的該上表面與該保護件的該頂面。
  31. 如申請專利範圍第30項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中該封裝膠層內摻有至少一波長轉換材料。
  32. 如申請專利範圍第30項所述的發光元件封裝結構的製作方法，更包括：於進行該切割程序之前，形成一透光層於該些發光元件與該保護件上。
  33. 如申請專利範圍第32項所述的發光元件封裝結構的製作方法，其中該透光層的透光率大於50%。
  34. 如申請專利範圍第32項所述的發光元件封裝結構的製作方法，更包括：形成該封裝膠層及該透光層於該些發光元件與該保護件上之後，移除該另一基板，以暴露各該發光元件封裝結構的該第一延伸電極與該第二延伸電極。
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