TWI786500B - 發光裝置及其製作方法 - Google Patents

Abstract

一種發光裝置，包括一波長轉換層、至少一發光單元及一反射保護件。波長轉換層具有彼此相對的一上表面與一下表面。發光單元具有二電極墊，且二電極墊位於發光單元的同一側。發光單元配置於波長轉換層的上表面上並露出二電極墊。反射保護件包覆至少部分發光單元及部分波長轉換層，且暴露出發光單元的二電極墊。

Description

發光裝置及其製作方法

本發明是有關於一種發光裝置及其製作方法，且特別是有關於一種以發光二極體作為光源的發光裝置及其製作方法。

一般來說，發光二極體封裝結構通常是將發光二極體晶片配置於由陶瓷材料或金屬材料所形成之凹杯型態的承載基座上，以固定及支撐發光二極體晶片。之後，再使用封裝膠體來包覆發光二極體晶片，而完成發光二極體封裝結構的製作。此時，發光二極體晶片的電極是位於承載基座的上方並位於凹杯內。然而，凹杯型態的承載基座具有一定的厚度，而使得發光二極體封裝結構的厚度無法有效降低，因而使發光二極體封裝結構無法滿足現今薄型化的需求。

本發明提供一種發光裝置，其無需採用習知的承載支架，可具有較薄的封裝厚度且符合薄型化的需求。

本發明提供一種發光裝置的製作方法，用以製作上述的發光裝置。

本發明的發光裝置，其包括一波長轉換層、至少一發光單元及一反射保護件。波長轉換層具有彼此相對的一上表面與一下表面。發光單元具有二電極墊，且二電極墊位於發光單元的同一側。發光單元配置於波長轉換層的上表面上並露出二電極墊。反射保護件包覆至少部分發光單元及部分波長轉換層，且暴露出發光單元的二電極墊。

在本發明的一實施例中，上述的發光裝置更包括：一透光層，配置於波長轉換層上且位於發光單元與反射保護件之間。

在本發明的一實施例中，上述的透光層更配置於波長轉換層與發光單元之間。

在本發明的一實施例中，上述的反射保護件更包含一與發光單元接觸的反射面。

在本發明的一實施例中，上述的反射保護件的反射面為一平面或一曲面。

在本發明的一實施例中，上述的反射保護件更完全包覆波長轉換層的一側面。

在本發明的一實施例中，上述的反射保護件的一底面與波長轉換層的下表面形成一平面。

在本發明的一實施例中，上述的反射保護件更至少包覆部分波長轉換層的一側面。

在本發明的一實施例中，上述的未被反射保護件包覆的部分波長轉換層的側面與反射保護件的一側面形成發光裝置的一側平面。

在本發明的一實施例中，上述的波長轉換層更包括未被反射保護件包覆的一第一暴露側部與一第二暴露側部。第一暴露側部與第二暴露側部不平行，且波長轉換層於第一暴露側部處的厚度不同於波長轉換層於第二暴露側部處的厚度。

在本發明的一實施例中，上述的波長轉換層更包括一低濃度螢光層以及一高濃度螢光層，高濃度螢光層位於低濃度螢光層與發光單元之間。

在本發明的一實施例中，上述的反射保護件填充於二電極墊之間的一間隙。

在本發明的一實施例中，上述的反射保護件完全填滿二電極墊之間的間隙且反射保護件的一表面切齊於二電極墊的一表面。

在本發明的一實施例中，上述的至少一發光單元為多個發光單元，波長轉換層具有至少一溝槽，位於二發光單元之間。

本發明的發光裝置的製作方法，其包括以下步驟。提供一波長轉換層；將多個間隔排列的發光單元配置於波長轉換層上，並暴露出每一發光單元的二電極墊；在波長轉換層上形成多個溝槽，其中溝槽位於發光單元之間；形成一反射保護件於波長轉換層上以及發光單元間並填滿溝槽，其中反射保護件暴露出發光單元的電極墊；以及沿著溝槽進行一切割程序，以形成多個發光裝置。

在本發明的一實施例中，上述的每一溝槽的深度至少為波長轉換層的厚度的一半。

在本發明的一實施例中，上述的發光裝置的製作方法，更包括：將間隔排列的發光單元配置於波長轉換層上之後，形成一透光層於波長轉換層上。

在本發明的一實施例中，上述的發光裝置的製作方法，更包括：將間隔排列的發光單元配置於波長轉換層上之前，形成一透光層於波長轉換層上。

在本發明的一實施例中，上述的反射保護件更包含一與發光單元接觸的反射面。

在本發明的一實施例中，上述的反射保護件的反射面為一平面或一曲面。

在本發明的一實施例中，上述的波長轉換層更包括一低濃度螢光層以及一高濃度螢光層，發光單元配置於高濃度螢光層上。

基於上述，由於本發明的反射保護件包覆發光單元的側表面，且反射保護件的底面切齊於發光單元的第一電極墊的第一底面以及第二電極墊的第二底面。因此，本發明的發光裝置不但不需要使用習知的承載支架來支撐及固定發光單元，而可有效較少封裝厚度以及製作成本，同時，亦可有效提高發光單元的正向出光效率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1繪示為本發明的一實施例的一種發光裝置的示意圖。請先參考圖1，在本實施例中，發光裝置100a包括一發光單元110a以及一反射保護件120。發光單元110a具有彼此相對的一上表面112a與一下表面114a、一連接上表面112a與下表面114a的側表面116a以及位於下表面114a上且彼此分離的一第一電極墊113與一第二電極墊115。反射保護件120包覆發光單元110a的側表面116a且暴露出至少部分上表面112a及暴露出第一電極墊113的至少部分一第一底面113a以及第二電極墊115的至少部分一第二底面115a。

更具體來說，如圖1所示，本實施例的發光單元110a的上表面112a與反射保護件120的一頂面122切齊，反射保護件120的一底面124與第一電極墊113的一第一底面113a以及第二電極墊115的一第二底面115a切齊，且反射保護件120可覆蓋或曝露出發光單元110a位於第一電極墊113與一第二電極墊115之間的下表面114a。在本實施例中，發光單元110a的側表面116a垂直於上表面112a與下表面114a，但並不以此為限，而發光單元110a例如是發光二極體，發光二極體的發光波長(包括但不限於)介於315奈米至780奈米之間，發光二極體包括但不限於紫外光、藍光、綠光、黃光、橘光或紅光發光二極體。

反射保護件120的反射率至少大於90%，也就是說，本實施例的反射保護件120具有高反射率的特性，其中反射保護件120的材質為包括一摻有高反射粒子的高分子材料，高反射粒子例如但不限於是二氧化鈦(TiO₂ )粉末，而高分子材料例如不限於是環氧樹脂或矽樹脂。此外，本實施例的發光單元110a的第一電極墊113與第二電極墊115的材質為一金屬材料或金屬合金，例如是金、鋁、錫、銀、鉍、銦或其組合，但不以此為限。

在本實施例中，反射保護件120包覆發光單元110a的側表面116a，且曝露出發光單元110a的第一電極墊113的第一底面113a以及第二電極墊115的第二底面115a，發光裝置100a不需要使用習知的承載支架來支撐及固定發光單元110a，而可有效減少封裝厚度以及製作成本，同時，亦可透過具有高反射率的反射保護件120來有效提高發光單元110a的正向出光效率。

在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，相同技術內容的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖2繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。請同時參考圖1與圖2，本實施例的發光裝置100b與圖1中的發光裝置100a的主要差異之處在於：本實施例的發光單元110b的側表面116b並非垂直於上表面112b與下表面114b，本實施例中發光單元100b的上表面112b的表面積大於下表面114b的表面積，側表面116b與下表面114b的夾角例如是介於95度到150度之間。本實施例的發光單元110b的上表面112b、側表面116b及下表面114b所界定的外型輪廓呈現倒梯形，因此可減少發光單元110b側向出光，且高反射率的反射保護件120可更進一步地有效提高發光單元110b的正向出光效率。

圖3繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。請同時參考圖1與圖3，本實施例的發光裝置100c與圖1中的發光裝置100a的主要差異之處在於：本實施例的發光裝置100c更包括一第一延伸電極130c以及一第二延伸電極140c。第一延伸電極130c配置於反射保護件120的底面124上，且與第一電極墊113電性連接。第二延伸電極140c配置於反射保護件120的底面124上，且與第二電極墊115電性連接。第一延伸電極130c與第二延伸電極140c彼此分離且覆蓋反射保護件120的至少部分底面124。

如圖3所示，本實施例的第一延伸電極130c與第二延伸電極140c的設置完全重疊於第一電極墊113與第二電極墊115，且朝著反射保護件120的邊緣延伸。當然，於其他未繪示的實施例中，第一延伸電極與第二延伸電極的設置亦可部分重疊於第一電極墊與第二電極墊，只要第一延伸電極與第二延伸電極電性連接至第一電極墊與第二電極墊的設置即為本實施例所欲保護之範圍。此外，本實施例的第一延伸電極130c與第二延伸電極140c暴露出反射保護件120的部分底面124。

在本實施例中，第一延伸電極130c與第二延伸電極140c的材質可分別相同或不同於發光單元110a的第一電極墊113與第二電極墊115。當第一延伸電極130c與第二延伸電極140c的材質分別相同於發光單元110a的第一電極墊113與第二電極墊115時，第一延伸電極130c與第一電極墊113之間可為無接縫連接，即為一體成型的結構，第二延伸電極140c與第二電極墊115之間可為無接縫連接，即為一體成型的結構。當第一延伸電極130c與第二延伸電極140c的材質分別不同於發光單元110a的第一電極墊113與第二電極墊115時，第一延伸電極130c與第二延伸電極140c的材質可例如是銀、金、鉍、錫、銦或上述材料組合的合金。

由於本實施例的發光裝置100c具有與發光單元110a的第一電極墊113與第二電極墊115分別電性連接的第一延伸電極130c與第二延伸電極140c，因此可有效增加發光裝置100c的電極接觸面積，以利於後續將此發光裝置100c與其他外部電路進行組裝，可有效提高對位精準度及組裝效率。舉例來說，第一延伸電極130c的面積大於第一電極墊113的面積，第二延伸電極140c的面積大於第二電極墊115的面積。

圖4繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。請同時參考圖3與圖4，本實施例的發光裝置100d與圖3中的發光裝置100c的主要差異之處在於：本實施例的第一延伸電極130d的邊緣與第二延伸電極140d的邊緣切齊於反射保護件120的邊緣。

圖5繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。請同時參考圖1與圖5，本實施例的發光裝置100e與圖1中的發光裝置100a的主要差異之處在於：本實施例的發光裝置100e更包括一封裝膠層150，其中封裝膠層150配置於發光單元110a的上表面112a上，以增加光取出率及改善光型。封裝膠層150也可以延伸至反射保護件120的至少部分上表面122上，封裝膠層150的邊緣也可以切齊於反射保護件120的邊緣。另外，封裝膠層150內也可以摻雜有至少一種波長轉換材料，波長轉換材料係用以將發光單元110a所發出的至少部分光線的波長轉換成其他波長，且波長轉換材料的材質包括螢光材料、磷光材料、染料、量子點材料及其組合，其中波長轉換材料的粒徑例如是介於3微米到50微米之間。另外，封裝膠層150內也可以摻雜具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化鈦(TiO₂ )或二氧化矽(SiO₂ )，以增加出光效率。

在本發明一實施例中，發光單元包括但不限於紫外光、藍光、綠光、黃光、橘光或紅光發光單元，而波長轉換材料包括但不限於紅色、橘色、橘黃色、黃色、黃綠色或綠色的波長轉換材料或其組合，用以將發光單元所發出的光的部分或全部進行波長轉換。波長轉換的光與波長未轉換的光進行混光後，使得發光裝置發出主波長(dominant wavelenghth)在一特定範圍的光，其光色例如包括但不限於紅色、橘色、橘黃色、琥珀色、黃色、黃綠色或綠色，或是發出具有特定相對色溫的白光，相對色溫的範圍例如是介於2500K至7000K之間，但不以此為限。

圖6繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。請同時參考圖6與圖4，本實施例的發光裝置100f與圖4中的發光裝置100d的主要差異之處在於：本實施例的發光裝置100f更包括一封裝膠層150，其中封裝膠層150配置於發光單元110a的上表面112a上，以增加光取出率及改善光型。封裝膠層150也可以延伸至反射保護件120的至少部分上表面122上，封裝膠層150的邊緣也可以切齊於反射保護件120的邊緣，另外，封裝膠層150內也可以摻雜有至少一種波長轉換材料，波長轉換材料係用以將發光單元110a所發出的至少部分光線的波長轉換成其他波長，且波長轉換材料的材質包括螢光材料、磷光材料、染料、量子點材料及其組合，其中波長轉換材料的粒徑例如是介於3微米到50微米之間。另外，封裝膠層150內也可以摻雜具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化鈦(TiO₂ )或二氧化矽(SiO₂ )，以增加出光效率。

須說明的是，在圖4及圖6的實施例中，第一延伸電極130d的邊緣與第二延伸電極140d的邊緣切齊於反射保護件120的邊緣，這樣的設計不但可以擴大電極的接觸面積，且在製程中，反射保護件120可以同時封裝多個相間隔的發光單元110a，之後形成圖案化金屬層以分別形成第一延伸電極130d與第二延伸電極140d，之後再進行切割，使每一發光裝置100f的第一延伸電極130d的邊緣與第二延伸電極140d的邊緣切齊於反射保護件120的邊緣，如此可有效節省製程時間。

圖7繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。請同時參考圖7與圖5，本實施例的發光裝置100g與圖5中的發光裝置100e的主要差異之處在於：本實施例的發光裝置100g更包括一透光層160，配置於封裝膠層150上，其中透光層160的透光率，例如是大於50%。在本實施例中，透光層160的材質例如是玻璃、陶瓷、樹脂、壓克力或矽膠等，其目的在於可發光單元110a所產生的光導引至外界，可有效增加發光裝置100g的光通量及光取出率，且亦可有效保護發光單元110a以避免受到外界水氣與氧氣的侵襲。

圖8繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。請同時參考圖8與圖7，本實施例的發光裝置100h與圖7中的發光裝置100g的主要差異之處在於：本實施例的發光裝置100h的透光層160’是配置於發光單元110a的上表面110a與封裝膠層150之間。

圖9繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。請同時參考圖9與圖6，本實施例的發光裝置100i與圖6中的發光裝置100f的主要差異之處在於：本實施例的發光裝置100i更包括一透光層160，配置於封裝膠層150上，其中透光層160的透光率，例如是大於50%。在本實施例中，透光層160的材質例如是玻璃、陶瓷、樹脂、壓克力或矽膠等，其目的在於可發光單元110a所產生的光導引至外界，可有效增加發光裝置100i的光通量及光取出率，且亦可有效保護發光單元110a以避免受到外界水氣與氧氣的侵襲。

以下將以圖1、圖7、圖4及圖9中的發光裝置100a、100g、100d、100i為例，並分別配合10A至圖10D、圖11A至圖11C、圖12A至圖12E以及圖13A至圖13D對本發明的發光裝置的製作方法進行詳細的說明。

圖10A至圖10D繪示為本發明的一實施例的一種發光裝置的製作方法的剖面示意圖。首先，請參考圖10A，將多個發光單元110a配置於一基板10上，其中每一發光單元110a具有彼此相對的上表面112a與下表面114a、連接上表面112a與下表面114a的側表面116a以及位於下表面114a上且彼此分離的第一電極墊113與第二電極墊115。每一發光單元110a的第一電極墊113與第二電極墊115設置在基板10上。也就是說，發光單元110a的發光面，即上表面112a是相對遠離基板10。在本實施例中，基板10的材質例如是不銹鋼、陶瓷或其他不導電的材質。發光單元110a例如是發光二極體，發光二極體的發光波長(包括但不限於)介於315奈米至780奈米之間，發光二極體包括但不限於紫外光、藍光、綠光、黃光、橘光或紅光發光二極體。

接著，請參考圖10B，形成一反射保護件120’於基板10上，其中反射保護件120’包覆每一發光單元110a。也就是說，反射保護件120’完全且直接覆蓋發光單元110a的上表面112a、下表面114a以及側表面116a，且填滿第一電極墊113與第二電極墊115之間的空隙。此處，反射保護件120’的反射率至少大於90%，也就是說，本實施例的反射保護件120’可具有高反射率的特性，其中反射保護件120’的材質包括一摻雜高反射粒子的高分子材料，高反射粒子例如但不限於是二氧化鈦(TiO₂ )粉末，而高分子材料例如不限於是環氧樹脂或矽樹脂。

接著，請參考圖10C，移除部分反射保護件120’，而形成反射保護件120，其中反射保護件120暴露出每一發光單元110a的至少部分上表面112a。此時，每一發光單元110a的上表面112a可能切齊於反射保護件120的頂面122。此處，移除部分反射保護件120’的方法包括例如是研磨法或拋光法。

之後，請參考圖10D，進行一切割程序，以沿著切割線L切割反射保護件120，而形成多個彼此分離的發光裝置100a，其中每一發光裝置100a分別具有至少一個發光單元110a以及反射保護件120，反射保護件120包覆發光單元110a的側表面116a且暴露出其至少部分上表面112a。

最後，請再參考圖10D，移除基板10，以暴露每一發光裝置100a的反射保護件120的底面124，並曝露出每一發光裝置100a的第一電極墊113的至少部分第一底面113a以及第二電極墊115的至少部分第二底面115a。

圖11A至圖11C繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。本實施例的發光裝置的製作方法與上述圖10A至圖10D中的發光裝置的製作方法的主要差異之處在於：於圖10C與圖10D的步驟之間，意即於移除部分反射保護件120’之後，且於進行切割程序之前，請參考圖11A，形成封裝膠層150於發光單元110a與反射保護件120上，以增加光取出率及改善光型。此處，封裝膠層150覆蓋發光單元110a的上表面112a與反射保護件120的頂面122，且封裝膠層150內也可以摻雜有至少一種波長轉換材料。波長轉換材料的說明請參考前述實施例。另外，封裝膠層150內也可以摻雜具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化鈦(TiO₂ )或二氧化矽(SiO₂ )，以增加出光效率。

接著，請參考圖11B，形成一透光層160於發光單元110a與反射保護件120上，其中透光層160位於封裝膠層150上，且覆蓋封裝膠層150。舉例來說，透光層160的透光率大於50%。在此實施例中，透光層160的材質例如是玻璃、陶瓷、樹脂、壓克力或矽膠等，其目的在於可發光單元110a所產生的光導引至外界，可有效增加後續所形成之發光單元封光結構100g的光通量及光取出率，且亦可有效保護發光單元110a以避免受到外界水氣與氧氣的侵襲。

之後，請參考圖11C，進行一切割程序，以沿著切割線L切割透光層160、封裝膠層150以及反射保護件120，而形成多個彼此分離的發光裝置100g。最後，請再參考圖11C，移除基板10，以暴露每一發光裝置100g的反射保護件120的底面124，其中每一發光裝置100g的反射保護件120的底面124曝露出第一電極墊113的至少部分第一底面113a以及第二電極墊115的至少部分第二底面115a。在本發明另一實施例中，亦可先移除基板10再進行一切割程序。

圖12A至圖12E繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的製作方法的剖面示意圖。請先參考圖12A，本實施例的發光裝置的製作方法與上述圖10A至圖10D中的發光裝置的製作方法的主要差異之處在於：請參考圖12A，本實施例的發光單元110a並不是由第一電極墊113與第二電極墊115接觸基板10，而是由其上表面112a接觸基板10。

接著，請參考圖12B，形成一反射保護件120’於基板上，其中反射保護件包覆每一發光單元110a。

接著，請參考圖12C，移除部分反射保護件120’，以形成反射保護件120，其中反射保護件120暴露出每一發光單元110a的第一電極墊113的至少部分第一底面113a以及第二電極墊115的至少部分第二底面115a。

接著，請參考圖12D，形成一圖案化金屬層作為延伸電極層E，位於每一發光單元110a的第一電極墊113的第一底面113a上以及第二電極墊115的第二底面115a上。此處，形成圖案化金屬層的方法例如是蒸鍍法、濺鍍法、電鍍法或化學鍍法以及光罩蝕刻法。

接著，請參考圖12E，進行一切割程序，以沿著切割線切割延伸電極層E與反射保護件120，而形成多個彼此分離的發光裝置100d。每一發光裝置100d分別具有至少一個發光單元110a、至少包覆發光單元110a的側表面116a的反射保護件120、直接接觸第一電極墊113的第一延伸電極130d以及直接接觸第二電極墊115的第二延伸電極140d。第一延伸電極130d與第二延伸電極140d彼此分離且暴露出反射保護件120的至少部分底面124。此時，第一延伸電極130d的面積可大於第一電極墊113的面積，而第二延伸電極140d的面積可大於第二電極墊115的面積。第一延伸電極130d的邊緣與第二延伸電極140d的邊緣切齊於反射保護件120的邊緣。

最後，請再參考圖12E，移除基板10，以暴露每一發光裝置100d的反射保護件120的頂面122與發光單元110a的上表面112a，其中每一發光裝置100g的反射保護件120的頂面122切齊於發光單元110a的上表面112a。在本發明另一實施例中，亦可先移除基板10再進行一切割程序。

圖13A至圖13D繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。本實施例的發光裝置的製作方法與上述圖12A至圖12E中的發光裝置的製作方法的主要差異之處在於：於圖12D與圖12E的步驟之間，意即於形成延伸電極層E之後，且於進行切割製程之前，請參考圖13A，提供一另一基板20，並設置在延伸電極層E上。此處，另一基板20的材質例如是不銹鋼、陶瓷或其他不導電的材質。接著，請再參考圖13A，於提供另一基板20之後，移除基板10，以暴露反射保護件120的頂面122以及發光單元110a的上表面112a，其中每一發光單元110a的上表面112a切齊於反射保護件120的頂面122。

接著，請參考圖13B，形成封裝膠層150於發光單元110a與反射保護件120上，以增加光取出率及改善光型。此處，封裝膠層150覆蓋發光單元110a的上表面112a與反射保護件120的頂面122，且封裝膠層150內也可以摻雜有至少一種波長轉換材料。波長轉換材料的說明請參考前述實施例。另外，封裝膠層150內也可以摻雜具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化鈦(TiO₂ )或二氧化矽(SiO₂ )，以增加出光效率。

接著，請參考圖13C，形成一透光層160於發光單元110a與反射保護件120上，其中透光層160位於封裝膠層150上，且覆蓋封裝膠層150。舉例來說，透光層160的透光率大於50%。此處，透光層160的材質例如是玻璃、陶瓷、樹脂、壓克力或矽膠等，其目的在於可發光單元110a所產生的光導引至外界，可有效增加後續所形成之發光單元封光結構100i的光通量及光取出率，且亦可有效保護發光單元110a以避免受到外界水氣與氧氣的侵襲。

之後，請參考圖13D，進行一切割程序，以沿著切割線L切割透光層160、封裝膠層150、反射保護件120及延伸電極層E，而形成多個彼此分離的發光裝置100i。最後，請再參考圖13D，移除另一基板20，以暴露每一發光裝置100i的第一延伸電極130d與第二延伸電極140d。在本發明另一實施例中，亦可先移除基板20再進行一切割程序。

圖14A至圖14E繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的製作方法的剖面示意圖。請先參考圖14A，提供一波長轉換膠層170，其中波長轉換膠層170包括一低濃度螢光膠層174以及一位於低濃度螢光膠層174上的高濃度螢光膠層172。此處，形成波長轉換膠層170的步驟例如是先透過摻質與膠體混合的方式(即是將液態或熔融態膠體與波長轉換材料均勻混合，波長轉換材料例如是螢光粉但不以此為限)，以形成波長轉換膠層170，之後靜置波長轉換膠層170一段時間，如24小時的沉降之後，即形成上下層分離的高濃度螢光膠層172與低濃度螢光膠層174。也就是說，本實施例的波長轉換層170是以兩層膠層作為舉例說明。當然，於其他實施例中，請參考圖14A’， 提供一波長轉換膠層170’，其中波長轉換膠層170’為單一膠層，此仍屬於本發明所欲保護之範圍。

接著，請參考圖14B，將多個間隔排列的發光單元110c配置於波長轉換膠層170上，其中每一發光單元110c具有彼此相對的一上表面112c與一下表面114c、一連接上表面112c與下表面114c的側表面116c以及位於下表面114c上且彼此分離的一第一電極墊113與一第二電極墊115，而發光單元110c的上表面112c位於波長轉換膠層170的高濃度螢光膠層172上。接著，再分別形成多個材料包含透光膠體的透光膠層150c於波長轉換膠層170上且延伸至發光單元110c的側表面116c上，其中透光膠層150c並沒有完全覆蓋發光單元110c的側表面116c，而是如圖14B所示，透光膠層150c是具有曲率斜面，且越靠近發光單元110c的上表面112c，即靠近波長轉換膠層170，透光膠層150c的厚度越厚。此處，透光膠層150c的目的在於固定發光單元110c的位置。

須說明的是，於其他實施例中，請參考圖14B’，亦可在將間隔排列的發光單元110c配置於波長轉換膠層170上之前，形成一未固化且材料包含透光膠體的透光膠層150c’於波長轉換膠層170上。而將發光單元110c間隔排列地配置於波長轉換膠層170上之後，透光膠層150c’可延伸配置於發光單元110c與高濃度螢光膠層172之間。

接著，請同時參考圖14B與圖14C，在透光層150c’固化後，進行一第一切割程序，以切割波長轉換膠層170，而形成多個彼此分離的單元101，其中每一單元101分別具有至少一個發光單元110c以及配置於發光單元110c的上表面112c的波長轉換膠層170，且每一單元101的波長轉換膠層170的兩側邊緣171延伸至發光單元110c的側表面116c之外。緊接著，請再參考圖14C，將間隔排列的單元101配置於一基板10上。在本實施例中，基板10的材質例如是不銹鋼、陶瓷或其他不導電的材質，於此並不加以限制。

之後，請參考圖14D，形成一反射保護件120c於基板10上且包覆每一單元101的發光單元110c的側表面116c以及波長轉換膠層170的邊緣171。此處，反射保護件120c的形成方式例如是透過點膠的方式所形成，其中反射保護件120c直接覆蓋透光膠層150c且沿著透光膠層150c延伸覆蓋於波長轉換膠層170的邊緣171。發光單元110c的第一電極墊113與第二電極墊115於基板10上的正投影不重疊於反射保護件120c於基板10上的正投影。此處，反射保護件120c例如是一白膠層。

最後，請同時參考圖14D與圖14E，進行一第二切割程序，以切割反射保護件120c，並且移除基板10，而形成多個彼此分離的發光裝置100j。每一發光裝置100j分別具有至少一個發光單元101以及包覆發光單元110c的側表面116c與波長轉換膠層170的邊緣171的反射保護件120c。於移除基板10之後，暴露每一發光裝置100j的反射保護件120c的一頂面122c與波長轉換膠層170的一頂面173。在本發明另一實施例中，亦可先移除基板10再進行一切割程序。至此，已完成發光裝置100j的製作。

在結構上，請再參考圖14E，本實施例的發光裝置100j包括發光單元110c、反射保護件120c、透光膠層150c以及波長轉換膠層170。波長轉換膠層170配置於發光單元110c的上表面112c上，其中波長轉換膠層170包括低濃度螢光膠層174以及高濃度螢光膠層172，而高濃度螢光膠層172位於低濃度螢光膠層174與發光單元110c之間，且波長轉換膠層170的邊緣171延伸至發光單元110c的側表面116c之外。此處，低濃度螢光膠層174可用來做為透光保護層，以增加水氣傳遞路徑，有效防止水氣滲入。透光膠層150c配置於發光單元110c的側表面116c與反射保護件120c之間，用以固定發光單元110c的位置。本實施例的反射保護件120c是沿著覆蓋發光單元110c的側表面116c的透光膠層150c而更包覆於波長轉換膠層170的邊緣171，因此本實施例的發光裝置100j不需要使用習知的承載支架來支撐及固定發光單元110c，而可有效減少封裝厚度以及製作成本。同時，亦可透過具有高反射率的反射保護件120c來有效提高發光單元110c的正向出光效率。此處，反射保護件120c的頂面122c具體化是切齊於波長轉換膠層170的頂面173。

圖15A至圖15E繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的製作方法的剖面示意圖。請先參考圖15A，提供一第一離型膜30，接著，提供一波長轉換膠層170a於第一離型膜30上，波長轉換膠層170a可以是單一層膠層，或是多層膠層，在本實施例中，波長轉換膠層170a是包括一低濃度螢光膠層174a以及一位於低濃度螢光膠層174a上的高濃度螢光膠層172a。此處，形成波長轉換膠層170a的步驟例如是先透過摻質與膠體混合的方式形成波長轉換膠層170a，之後靜置波長轉換膠層170a一段時間，如24小時後，即形成分離的低濃度螢光膠層172a與高濃度螢光膠層174a。此處，第一離型膜30例如是雙面膠膜。

接著，請再參考圖15A，將多個間隔排列的發光單元110c配置於波長轉換膠層170A上，其中每一發光單元110c具有彼此相對的一上表面112c與一下表面114c、一連接上表面112c與下表面114c的側表面116c以及位於下表面114c上且彼此分離的一第一電極墊113與一第二電極墊115，而發光單元110c的上表面112c位於波長轉換膠層170a的高濃度螢光膠層172a上。此處，相鄰兩發光單元110c具有一間距G，且此間距G例如是700微米。接著，再分別形成多個透光膠層150c於發光單元110c的側表面116c上，其中透光膠層150c並沒有完全覆蓋發光單元110c的側表面116c，而是如圖15B所示，透光膠層150c是具有曲率斜面，且越靠近發光單元110c的上表面112c，透光膠層150c的厚度越厚。此處，透光膠層150c的目的在於固定發光單元110c的位置。

接著，請參考圖15B，進行一第一切割程序，以切割高濃度螢光膠層172a以及部分低濃度螢光膠層174a，而形成多個溝槽C。如圖15B所示，第一次切割程序並沒有完全切斷波長轉換膠層170a，而是只有切斷高濃度螢光膠層172a以及切割部分低濃度螢光膠層174a。此處，溝槽C的寬度W例如是400微米，且溝槽C的深度D例如是波長轉換膠層170a的厚度T的一半。波長轉換膠層170a的厚度T例如是140微米，而溝槽C的深度D例如是70微米。此時，溝槽C的位置與的封裝膠層150c的位置並沒有相互干涉。

之後，請參考圖15C，形成一反射保護件120d於低濃度螢光膠層174a上且包覆發光單元110c的側表面116c，其中反射保護件120d填滿溝槽C且暴露出發光單元110c的第一電極墊113以及第二電極墊115。此處，反射保護件120d例如是一白膠層。

最後，請同時參考圖15D與圖15E，移除第一離型層30，並提供一第二離型層40，使發光單元110c的第一電極墊113與第二電極墊115接觸第二離型膜40。此處，第二離型層40例如是UV膠或雙面膠。接著，進行一第二切割程序，以沿著溝槽C的延伸方向(即圖式15D中切割線L的延伸方向)而切割反射保護件120d與低濃度螢光膠層174a，而形成多個彼此分離的發光裝置100k。每一發光裝置100k分別具有至少一個發光單元110c、配置於發光單元110c的上表面112c的波長轉換膠層170a以及包覆發光單元110c的側表面116c的反射保護件120d。本實施例中，波長轉換膠層170a是包含高濃度螢光膠層172a與低濃度螢光膠層174a，此處，波長轉換膠層170a的低濃度螢光膠層174a的邊緣171a切齊於反射保護件120d的邊緣121，且反射保護件120d更包覆高濃度螢光膠層172a的邊緣173a。移除第二離形層40，而完成發光裝置100k的製作。

在結構上，請再參考圖15E，本實施例的發光裝置100k包括發光單元110c、反射保護件120d、透光膠層150c以及波長轉換膠層170a。波長轉換膠層170a配置於發光單元110c的上表面112c上，其中波長轉換膠層170a包括低濃度螢光膠層174a以及高濃度螢光膠層172a，而高濃度螢光膠層172a位於低濃度螢光膠層174a與發光單元110c之間，且波長轉換膠層170a的邊緣171a延伸至發光單元110c的側表面116c之外。此處，低濃度螢光膠層174可用來做為透光保護層，以增加水氣傳遞路徑，有效防止水氣滲入。透光膠層150c配置於發光單元110c的側表面116c與反射保護件120d之間，用以固定發光單元110c的位置。本實施例的反射保護件120d是沿著覆蓋發光單元110c的側表面116c的透光膠層150c而更包覆於波長轉換膠層170a的高濃度螢光膠層172a的兩側邊緣173a，因此本實施例的發光裝置100k不需要使用習知的承載支架來支撐及固定發光單元110c，而可有效減少封裝厚度以及製作成本。同時，亦可透過具有高反射率的反射保護件120d來有效提高發光單元110c的正向出光效率。此外，本實施例的波長轉換膠層170a的低濃度螢光膠層174a覆蓋反射保護件120d的一頂面122d。也就是說，本實施例的波長轉換膠層170a的高濃度螢光膠層172a的邊緣173a與低濃度螢光膠層174a的邊緣171a的並沒有切齊。

於其他實施例中，請參考圖16A，本實施例的發光裝置100m與圖14E中的發光裝置100j相似，差異之處在於：本實施例的反射保護件120m完全填滿第一電極墊113與第二電極墊114之間的間隙S且完全覆蓋第一電極墊113的一第一側表面113b與第二電極墊115的一第二側表面115b，而反射保護件120m的一底面124m切齊於第一電極墊113的第一底面113a與第二電極墊115的第二底面115a。如此一來，可以避免發光裝置100m的底部產生漏光的情況。此外，反射保護件120m則完全包覆於波長轉換膠層170a的兩側邊緣。再者，由於反射保護件120m的包覆性佳且具有較佳的結構性強度，因此本實施例的發光裝置100m不需要使用習知的承載支架來支撐及固定發光單元110c，而可有效減少封裝厚度以及製作成本。

或者是，請參考圖16B，本實施例的發光裝置100n與圖16A中的發光裝置100k相似，差異之處在於：本實施例的反射保護件120n填充於第一電極墊113與第二電極墊114之間的間隙S但並未完全填滿，且反射保護件120n僅覆蓋第一電極墊113的部分第一側表面113b與第二電極墊115的部分第二側表面115b。換言之，反射保護件120n的一底面124n與第一電極墊113的第一底面113a及第二電極墊115的第二底面115a之間具有一高度差H。或者是，請參考圖16C，本實施例的發光裝置100p與圖16B中的發光裝置100n相似，差異之處在於：本實施例中第一電極墊113’與第二電極墊115’具體化為多層金屬層，如有第一金屬層M1及第二金屬層M2所組成，但並不以此為限。反射保護件120p完全覆蓋第一電極墊113’與第二電極墊115的第一金屬層M1的側表面，但並未完全覆蓋第一電極墊113’與第二電極墊115’ 的第二金屬層M2的側表面。簡言之，發光裝置100m、100n、100p的發光單元110c、110c’的第一電極墊113、113’與第二電極墊115、115’可為單一金屬層或多層金屬層，與此並不加以限制。

圖17A至圖17E繪示為本發明的一實施例的一種發光裝置的製作方法的剖面示意圖。關於本實施例的發光裝置的製作方法，首先，請參考圖17A，提供一波長轉換膠層210，波長轉換膠層210可為單一層膠層或是多層膠層，本實施例中的波長轉換膠層210包括一低濃度螢光膠層212以及一位於低濃度螢光膠層212上的高濃度螢光膠層214。此處，形成波長轉換膠層210的步驟例如是先透過摻質與膠體混合的方式將由螢光粉（未繪示）與矽膠（未繪示）加以均勻混合後所形成的波長轉換膠材料層（未繪示）鋪設於一離型膜（未繪示）上，之後靜置波長轉換膠材料層一段時間，如24小時後， 因為螢光粉跟矽膠的密度差異而形成具有分離的一低濃度螢光膠層212與一高濃度螢光膠層214的波長轉換膠層210，其中高濃度螢光膠層214會沉澱於低濃度螢光膠層212的下方，而高濃度螢光膠層214例如是黃色，低濃度螢光膠層212例如是透明的，低濃度螢光膠層212的厚度較佳是大於高濃度螢光膠層214的厚度，在一實施例中，厚度的比值可介於1至200間，但並不以此為限。

接著，請再參考圖17A，提供一雙面膠膜10a，波長轉換膠層210的低濃度螢光膠層212配置於雙面膠膜10a上，以透過雙面膠膜10a來固定波長轉換膠層210的位置。接著，進行一第一切割程序，以從高濃度螢光膠層214切割至部分低濃度螢光膠層212，而形成多個溝槽C1。此處，每一溝槽C1的深度至少為波長轉換膠層210的厚度的一半。舉例來說，如波長轉換膠層210的厚度為240微米，而溝槽C1的深度則例如為200微米。此時，溝槽C1可將波長轉換膠層210的低濃度螢光膠層212區分為一平板部212a以及一位於平板部212a上的突出部212b，而高濃度螢光膠層214則位於突出部212b上。

接著，請參考圖17B，將多個間隔排列的發光單元220配置於波長轉換膠層210上，其中每一發光單元220具有彼此相對的一上表面222與一下表面224、一連接上表面222與下表面224的側表面226以及位於下表面224上且彼此分離的一第一電極墊223與一第二電極墊225。發光單元220的上表面222位於波長轉換膠層210的高濃度螢光膠層214上，以增加光取出率及改善光型。溝槽C1將發光單元220區分為多個單元A，在本實施例中每一單元A中至少包括二個發光單元220（圖17B中示意地繪示兩個發光單元220）。每一發光單元220例如是為發光波長介於315奈米至780奈米之間的發光二極體晶片，而發光二極體晶片包括但不限於紫外光、藍光、綠光、黃光、橘光或紅光發光二極體晶片。

接著，請再參考圖17B，形成一透光膠層230a於波長轉換膠層210上且延伸配置於發光單元220的側表面226上。如圖17B所示，透光膠層230a由每一發光單元220的下表面224往上表面222逐漸增厚，且透光膠層230a相對於發光單元220的側表面226具有一內凹表面232，但並不以此為限。此處，透光膠層230a的目的除了在於固定發光單元220的位置之外，因透光膠層230a為一透光材質且折射率大於1，因此亦可增加晶片側面的光取出效果。

接著，請參考圖17C，形成一反射保護件240於發光單元220之間並填滿溝槽C1，其中反射保護件240形成於波長轉換膠層210上且包覆每一單元A並填滿溝槽C1。反射保護件240暴露出每一發光單元220的下表面224、第一電極墊223以及第二電極墊225。此處，反射保護件240的反射率至少大於90%，而反射保護件240例如是一白膠層。反射保護件240的形成方式例如是透過點膠的方式，其中反射保護件240直接覆蓋透光膠層230a且沿著透光膠層230a延伸覆蓋於高濃度螢光膠層214的邊緣上且填滿溝槽C1。此時，發光單元220的第一電極墊223與第二電極墊225於雙面膠膜10a上的正投影不重疊於反射保護件240於雙面膠膜10a上的正投影。

接著，請再參考圖17C，進行一第二切割程序，以從反射保護件240沿著溝槽C1而貫穿低濃度螢光膠層212，而形成多個彼此分離的發光裝置200a。此時，如圖17C所示，每一單元A中的二個發光單元220所接觸的波長轉換膠層210是連續的，意即這些發光單元220具有同一發光面，因此發光單元220所發出的光可透過透明的低濃度螢光膠層212來進行導光，可使得本實施例的發光裝置200a具有較佳的發光均勻性。

之後，請同時參考圖17C與圖17D，進行第二切割程序之後，需進行一翻膜程序。首先，先提供一UV膠膜20a於發光單元220的第一電極墊223與第二電極墊225上，以先固定這些發光裝置200a的相對位置。接著，移除雙面膠膜10a而暴露出波長轉換膠層210的低濃度螢光膠層212。最後，請參考圖17E，移除UV膠膜20a而暴露出發光單元220的第一電極墊223與第二電極墊225。至此，已完成發光裝置200a的製作。需說明的是，為了方便說明起見，圖17E僅示意地繪示一個發光裝置200a。

在結構上，請再參考圖17E，發光裝置200a包括多個發光單元220（圖17E中示意地繪示二個發光單元220）、一波長轉換膠層210以及一反射保護件240。每一發光單元220具有彼此相對的一上表面222與一下表面224、一連接上表面222與下表面224的側表面226以及位於下表面224上且彼此分離的一第一電極墊223與一第二電極墊225。波長轉換膠層210配置於發光單元220的上表面222上，且波長轉換膠層210包括一低濃度螢光膠層212以及一高濃度螢光膠層214。低濃度螢光膠層212具有一平板部212a以及一位於平板部212a上的突出部212b。高濃度螢光膠層214配置於上表面222與突出部212b之間，其中高濃度螢光膠層214覆蓋突出部212b且接觸發光單元220的上表面222。發光單元220間隔排列且暴露出部分波長轉換膠層210。反射保護件240包覆每一發光單元220的側表面226且覆蓋發光單元220所暴露出的波長轉換膠層210。反射保護件240暴露出每一發光單元220的下表面224、第一電極墊223以及第二電極墊225。反射保護件240的邊緣切齊於低濃度螢光膠層212的平板部212a的邊緣。

由於本實施例的發光裝置200a中的這些發光單元220僅與一個波長轉換膠層210相接觸，意即這些發光單元220具有同一發光面，且低濃度螢光膠層212的邊緣與反射保護件240的邊緣切齊。因此，發光單元220所發出的光透過低濃度螢光膠層212的導引，可使得本實施例的發光裝置200a可具有較大的發光面積與較佳的發光均勻性。此外，反射保護件240包覆發光單元220的側表面226，且反射保護件240曝露出發光單元220的第一電極墊223以及第二電極墊225。因此，本實施例的發光裝置200a不需要使用習知的承載支架來支撐及固定發光單元220，可有效較少封裝厚度以及製作成本，同時，亦可有效提高發光單元220的正向出光效率。

值得一提的是，本實施例並不限定透光膠層230a的結構型態，雖然圖17E所繪示的透光膠層230a具體化為相對於發光單元220的側表面226具有內凹表面232。換言之，反射保護件240更包含一與發光單元220接觸的反射面242，而此反射面242具體化為曲面。但，於其他實施例中，請參考圖18A，本實施例的發光裝置200b與圖17E中的發光裝置200a相似，差異之處在於：透光膠層230b相對於每一發光單元220的側表面226具有一外凸表面234，可有效增加發光單元220的側向出光，且透過配合波長轉換膠層210的配置，亦可增加發光裝置200b的出光面積。換言之，反射保護件240a的反射面242a具體化為曲面。或者是，請參考圖18B，本實施例的發光裝置200c與圖17E中的發光裝置200a相似，差異之處在於：透光膠層230c相對於每一發光單元220的側表面226具有一傾斜表面236。換言之，反射保護件240b的反射面242b具體化為平面。

在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，相同技術內容的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖19A至圖19E繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的製作方法的剖面示意圖。本實施例的發光裝置200d的製作方法與上述圖17A至圖17E中的發光裝置200a的製作方法的主要差異之處在於：請參考圖19A，於進行第一切割程序時，更形成多個從高濃度螢光膠層214’切割至部分低濃度螢光膠層212’的第二溝槽C2’。如圖19A所示，溝槽C1’與第二溝槽C2’的位置呈交錯排列，其中每一溝槽C1’的深度至少為波長轉換膠層210’的厚度的一半，且每一第二溝槽C2’的深度與每一溝槽C1’的深度相同。舉例來說，如波長轉換膠層210’的厚度為240微米，而溝槽C1’的深度以及第二溝槽C2’的深度則例如為200微米，但並不以此為限。此時，低濃度螢光膠層212’的平板部212a’具有一厚度T，較佳地，厚度T例如是介於 20微米至 50微米之間。第二溝槽C2’將波長轉換膠層210’中的低濃度螢光膠層212’的突出部區分為二突出子部212b’，而高濃度螢光膠層214’位於這些突出子部212b’上。

接著，請參考圖19B，將間隔排列的發光單元220配置於波長轉換膠層210’上，其中第二溝槽C2’位於每一發光單元單元A中的二個發光單元220之間，而發光單元220分別配置於突出子部212b’上，且發光單元220的上表面222直接接觸高濃度螢光膠層214’。較佳地，每一突出子部212b’的長度與對應的發光單元220的長度的比值為大於1且小於1.35，也就是說，低濃度螢光膠層212’的突出子部212b’的邊緣在發光單元220的邊緣外，且高濃度螢光膠層214’的邊緣亦延伸至發光單元220的邊緣外，可有效增加發光單元220的發光面積。接著，分別形成一透光膠層230a於發光單元220的側表面226上，其中透光膠層226僅配置於發光單元220的側表面226上且延伸至波長轉換膠層210’的高濃度螢光膠層214’上，其並未延伸配置於低濃度螢光膠層212’上。

接著，同上述圖17C、圖17D與圖17E的步驟，請先考圖19C，即形成反射保護件240於波長轉換膠層210’上且包覆每一單元A並填滿溝槽C1’與第二溝槽C2’，接著，進行一第二切割程序，以從反射保護件240沿著溝槽C1’而貫穿低濃度螢光膠層212’，而形成多個彼此分離的發光裝置200d。接著，請同時參考圖19C與圖19D，進行第二切割程序之後，需進行一翻膜程序。首先，先提供UV膠膜20a於發光單元220的第一電極墊223與第二電極墊225上，以先固定這些發光裝置200a的相對位置。接著，移除雙面膠膜10a而暴露出波長轉換膠層210’的低濃度螢光膠層212’。最後，請參考圖19E，移除UV膠膜20a而暴露出發光單元220的第一電極墊223與第二電極墊225上。至此，已完成發光裝置200d的製作。需說明的是，為了方便說明起見，圖19E僅示意地繪示一個發光裝置200d。

請同時參考圖19E、圖20A與圖20B，其中需說明的是，圖19E所繪示的是沿著圖20A中的線Y-Y所繪示的剖面示意圖。本實施例的發光裝置200d與圖17E中的發光裝置200a相似，差異之處在於：二個發光單元220之間所暴露出的波長轉換膠層210’更具有第二溝槽C2’，其中第二溝槽C2’從高濃度螢光膠層214’延伸至部分低濃度螢光膠層212’。也就是說，二個發光單元220是配置於一個連續的波長轉換膠層210’上，因此發光單元220具有同一個發光面，且低濃度螢光膠層212’的邊緣與反射保護件240的邊緣切齊。因此，發光單元220所發出的光透過低濃度螢光膠層212’的導引，可使得本實施例的發光裝置200d可具有較大的發光面積與較佳的發光均勻性。

特別是，進行第一次切割程序時，於圖20A中線X-X的方向以及線Y-Y的方向所切割的深度實質上相同。也就是說，請參考圖20B，在線X-X方向的剖面圖上，低濃度螢光膠層212’的平板部212a’具有一厚度T，請參考圖19E，而在線Y-Y方向的剖面圖上，低濃度螢光膠層212’的平板部212a’同樣具有厚度T。較佳地，厚度T例如是介於 20微米至 50微米之間。

當然，於其他實施例中，於進行第一次切割程序時，於不同方向的切割時，低濃度螢光膠層212’的平板部212a’亦可有不同的厚度。圖21A繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的立體示意圖。圖21B與圖21C分別繪示為沿圖21A的線X’-X’以及線Y’-Y’的剖面示意圖。請同時參考圖21A、圖21B與圖21C，進行第一次切割程序時，於圖21A中線X’-X’的方向與線Y’-Y’的方向所切割的深度不同，而導致波長轉換膠層210’更包括未被該反射保護件240包覆的一第一暴露側部與一第二暴露側部，第一暴露側部與第二暴露側部不平行，且波長轉換膠層210’於第一暴露側部處的厚度不同於波長轉換膠層210’於第二暴露側部處的厚度。詳細來說，低濃度螢光膠層212’’的平板部212a’’於線X’-X’的方向上具有一第一厚度T1，而低濃度螢光膠層212’’的平板部212a’’於Y’-Y’的方向D2上具有一第二厚度T2，而第一厚度T1不同於第二厚度T2。較佳地，第一厚度T1例如是介於50微米至200微米之間，而第二厚度T2例如是介於20微米至50微米之間。

由於本實施例的低濃度螢光膠層212’’的平板部212a’’於X’-X’的方向上與Y’-Y’的方向上分別具有不同的第一厚度T1與第二厚度T2，因此可有效降低相鄰兩發光單元220之間因暗帶而產生亮度降低的情況，進而可提高發光裝置200e 的發光均勻性。此外，值得一提的是，以線Y’-Y’的方向來舉例說明，當低濃度螢光膠層212’’ ’的平板部212a’’的厚度T2例如由0.04公釐(mm)提高至0.2公釐(mm)時，發光單元220的出光角度亦可由原來的120度增加至130度，意即發光單元220的出光角度可增加10度。簡言之，低濃度螢光膠層212’’ ’的平板部212a’’的厚度大小與發光單元220的出光角度成正相關。

綜上所述，由於本發明的反射保護件包覆發光單元的側表面，且反射保護件的底面曝露出發光單元的第一電極墊的第一底面以及第二電極墊的第二底面。因此，本發明的發光裝置不但不需要使用習知的承載支架來支撐及固定發光單元，而可有效減少封裝厚度以及製作成本，同時，亦可有效提高發光單元的正向出光效率。

此外，由於本發明的發光裝置中的這些發光單元僅與一個波長轉換膠層相接觸，意即這些發光單元具有同一個發光面，且低濃度螢光膠層的邊緣與反射保護件的邊緣切齊。因此，發光單元所發出的光透過低濃度螢光膠層的導引，可使得本發明的發光裝置可具有較大的發光角度與較佳的發光均勻性。此外，反射保護件包覆發光單元的側表面且曝露出發光單元的第一電極墊以及第二電極墊。因此，本發明的發光裝置不需要使用習知的承載支架來支撐及固定發光單元，可有效較少封裝厚度以及製作成本，同時，亦可有效提高發光單元的正向出光效率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10:基板 10a:雙面膠膜 20:另一基板 20a:UV膠膜 30:第一離型膜 40:第二離型膜 100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100m、100n、100p、200a、200b、200c、200d:發光裝置 101:單元110a、110b、110c、110c’、220:發光單元 112a、112b、112c、222:上表面 113、113’、223:第一電極墊 113a:第一底面 113b:第一側表面 114a、114b、114c、224:下表面 115、115’、225:第二電極墊 115a:第二底面 115b:第二側表面 116a、116b、116c:側表面 120、120’、120c、120d、120m、120n、120p、240、240a、240b:反射保護件 121:邊緣 122、122c、122d:頂面 124、124m、124n:底面 130d、130c:第一延伸電極 140d、140c:第二延伸電極 150:封裝膠層 150c、150c’、230a、230b、230c:透光膠層 160、160’:透光層 170、170’、170a、210、210’:波長轉換膠層 171、171a:側邊緣 172、172a、214、214’:高濃度螢光膠層 173:頂面 173a:邊緣 174、174a、212、212’、212’’:低濃度螢光膠層 212a、212a’、212a’’:平板部 212b:突出部 212b’:突出子部 226:側表面 232:內凹表面 234:外凸表面 236:傾斜表面 242、242a、242b:反射面 A:單元 C:溝槽 C1、C1’:溝槽 C2’:第二溝槽 D:深度 E:延伸電極層 G:間距 H:高度差 L:切割線 M1:第一金屬層 M2:第二金屬層 S:間隙 T:厚度 T1:第一厚度 T2:第二厚度 W:寬度 X-X、X’-X’、Y-Y、Y’-Y’:線

圖1繪示為本發明的一實施例的一種發光裝置的示意圖。 圖2繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。 圖3繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。 圖4繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。 圖5繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。 圖6繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。 圖7繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。 圖8繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。 圖9繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的示意圖。 圖10A至圖10D繪示為本發明的一實施例的一種發光裝置的製作方法的剖面示意圖。 圖11A至圖11C繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。 圖12A至圖12E繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的製作方法的剖面示意圖。 圖13A至圖13D繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的製作方法的局部步驟的剖面示意圖。 圖14A至圖14E繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的製作方法的剖面示意圖。 圖15A至圖15E繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的製作方法的剖面示意圖。 圖16A至圖16C繪示為本發明的多個實施例的發光裝置的剖面示意圖。 圖17A至圖17E繪示為本發明的一實施例的一種發光裝置的製作方法的剖面示意圖。 圖18A與圖18B繪示為本發明的二實施例的二種發光裝置的剖面示意圖。 圖19A至圖19E繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的製作方法的剖面示意圖。 圖20A繪示為圖19E的發光裝置的立體示意圖。 圖20B繪示為沿圖20A的線X-X的剖面示意圖。 圖21A繪示為本發明的另一實施例的一種發光裝置的立體示意圖。 圖21B與圖21C分別繪示為沿圖21A的線X’-X’以及線Y’-Y’的剖面示意圖。

100a:發光裝置

110a:發光單元

112a:上表面

113:第一電極墊

113a:第一底面

114a:下表面

115:第二電極墊

115a:第二底面

116a:側表面

120:反射保護件

122:頂面

124:底面

Claims (8)

1. 一種發光裝置，包括：至少一個發光單元，具有設置於其上的多個電極；一波長轉換層，包括一高濃度螢光層和一低濃度螢光層；一透光膠層，將該波長轉換層黏附到與該些電極相對的該發光單元的一上表面上，並封裝該發光單元的一側表面的一部分，其中該高濃度螢光層面向該發光單元的該上表面；以及一反射層，覆蓋該發光單元、該透光膠層和該波長轉換層，而暴露該波長轉換層的一上表面和該些電極，其中，該反射層的一反射面傾斜於該發光單元的該側表面，並將從該發光單元所發射的光反射回去進入該高濃度螢光層，其中該反射層的一下表面高於該些電極的下表面；其中，該發光裝置具有一平坦的側表面，該平坦的側表面包括該反射層，並且該透光膠層還包括直接位於該高濃度螢光層和該發光裝置之間的一部分，其中該反射層的該反射面包括一外凸表面或一內凹表面。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該發光單元具有一發光本體，且該些電極設置在該發光本體上，而該反射層的該下表面不低於該發光本體的一底面。
3. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該發光裝置的該側表面更包括該低濃度螢光層的一部分，該低濃度螢光層的該部分設置在該反射層上。
4. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該發光裝置具有一上表面，該發光裝置的該上表面包括該低濃度螢光層。
5. 如申請專利範圍第4項所述的發光裝置，其中該發光裝置的該上表面更包括該反射層的一部分，該反射層的該部分環繞該低濃度螢光層。
6. 一種發光裝置，包括：至少一個發光單元，具有設置於其上的多個電極；一波長轉換層；一透光膠層，將波長轉換層黏附到與該些電極相對的該發光單元的一上表面上，並封裝該發光單元的一側表面的一部分；以及一反射層，覆蓋該發光單元、該透光膠層和該波長轉換層，而暴露該波長轉換層的一上表面和該些電極，其中該反射層的一反射面傾斜於該發光單元的該側表面，並將從該發光單元所發射的光反射回去進入該波長轉換層，其中該反射層的一下表面高於該些電極的下表面；其中，該發光裝置具有一平坦的側表面和一上表面，該平坦的側表面包括該反射層，該上表面包括該波長轉換層和圍繞該波長轉換層的該反射層，其中該反射層的該反射面包括一外凸表面或一內凹表面。
7. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置，其中該波長轉換層包括一高濃度螢光層和一低濃度螢光層，其中該高濃度螢光層面向該發光單元。
8. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置，其中該發光單元具有一發光本體，且該些電極設置在該發光本體上，而該反射層的該下表面不低於該發光本體的一底面。

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