TWI710146B - 發光元件封裝結構 - Google Patents

Abstract

一種發光元件封裝結構，包括至少一發光元件、一波長 轉換膠層以及一保護件。發光元件具有彼此相對的一上表面與一下表面以及一連接上表面與下表面的側表面。波長轉換膠層配置於發光元件的上表面上，且波長轉換膠層具有彼此相對的一第一邊緣與一第二邊緣。保護件包覆發光元件的側表面與波長轉換膠層的第二邊緣，且暴露出發光元件的下表面。保護件的一第三邊緣切齊於波長轉換膠層的第一邊緣。

Description

發光元件封裝結構

本發明是有關於一種發光元件封裝結構及其製作方法，且特別是有關於一種採用發光二極體的發光元件封裝結構及其製作方法。

由於發光二極體具有體積小及使用壽命長的優點，因此以發光二極體作為光源的應用已經越來越常見。由於發光二極體是一種具有指向性的光源，所以位於發光二極體前方的光直射區通常具有較高的亮度，而非光直射區域的亮度便較低於光直射區域的亮度。基於發光二極體的指向性特性，因此使得發光二極體多是應用於局部需要高亮度的光源裝置中，進而使發光二極體的應用受限。

本發明提供一種發光元件封裝結構，其具有較佳的側向 出光效果。

本發明還提供一種發光元件封裝結構的製作方法，用以製作上述的發光元件封裝結構。

本發明的發光元件封裝結構，其包括至少一發光元件、一波長轉換膠層以及一保護件。發光元件具有彼此相對的一上表面與一下表面以及一連接上表面與下表面的側表面。波長轉換膠層配置於發光元件的上表面上。波長轉換膠層具有彼此相對的一第一邊緣與一第二邊緣。保護件包覆發光元件的側表面與波長轉換膠層的第二邊緣，且暴露出發光元件的下表面。保護件的一第三邊緣切齊於波長轉換膠層的第一邊緣。

在本發明的一實施例中，上述的波長轉換膠層包括一低濃度膠層以及一高濃度膠層。發光元件的上表面接觸高濃度膠層。低濃度膠層具有第一邊緣與第二邊緣。高濃度膠層具有彼此相對的一第四邊緣與一第五邊緣。低濃度膠層的第一邊緣延伸至高濃度膠層的第四邊緣外，而高濃度膠層的第五邊緣切齊於低濃度膠層的第二邊緣。

在本發明的一實施例中，上述的保護件包括一第一保護件與一第二保護件。低濃度膠層具有彼此相對的一第一表面與一第二表面。高濃度膠層配置於低濃度膠層的第一表面上。第二保護件包覆發光元件的側表面、低濃度膠層的第二邊緣以及高濃度膠層的第四邊緣與第五邊緣。第二保護件的一頂面切齊於低濃度膠層的第二表面。第一保護件覆蓋低濃度膠層的第二表面與第二 保護件的頂面。

在本發明的一實施例中，上述的波長轉換膠層的第一邊緣的長度大於第二邊緣的長度。

在本發明的一實施例中，上述的波長轉換膠層具有彼此相對的一固晶平台以及一傾斜底部。發光元件位於固晶平台上，且傾斜底部與第一邊緣的一延伸方向之間具有一銳角。

在本發明的一實施例中，上述的保護件包括一第一保護件與一第二保護件。第一保護件包覆波長轉換膠層。第二保護件包覆發光元件的側表面且覆蓋第一保護件。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件封裝結構更包括一分佈式布拉格反射層，配置於第一保護件相對遠離波長轉換膠層的一側表面上。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件封裝結構更包括一反射保護層，配置於分佈式布拉格反射層上，其中分佈式布拉格反射層位於第一保護件與反射保護層之間。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件封裝結構更包括一分佈式布拉格反射層，配置於波長轉換膠層的傾斜底部上且覆蓋傾斜底部。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件封裝結構更包括一分佈式布拉格反射層，配置於發光元件的上表面，其中分佈式布拉格反射層完全覆蓋或部分覆蓋發光元件的上表面。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件封裝結構更包 括一固晶膠層，配置於發光元件的側表面與保護件之間。

在本發明的一實施例中，上述的至少一發光元件為多個發光元件。發光元件間隔排列，且相鄰的兩發光元件暴露出於部分波長轉換膠層。

本發明的發光元件封裝結構，其包括至少一發光元件、一波長轉換膠層以及一保護件。發光元件具有一上表面與一下表面以及一連接上表面與下表面的側表面。波長轉換膠層配置於發光元件的上表面上，其中波長轉換膠層具有彼此相對的一第一側面與一第二側面以及一連接第一側面與第二側面的頂表面。保護件包覆發光元件的側表面、波長轉換膠層的第二側面以及波長轉換膠層的頂表面，其中保護件的一第三側面切齊於波長轉換膠層的第一側面。

在本發明的一實施例中，上述的波長轉換膠層的第一側面的長度大於第二側面的長度。

在本發明的一實施例中，上述的波長轉換膠層具有與頂表面彼此相對的一固晶平台，而發光元件位於固晶平台上。

在本發明的一實施例中，上述的保護件包括一第一保護件與一第二保護件。第一保護件包覆發光元件的側表面，而第二保護件包覆波長轉換膠層並暴露出波長轉換膠層的第一側面。

本發明的發光元件封裝結構，其包括至少一發光元件、一第一保護件、一波長轉換膠層以及一第二保護件。發光元件具有一上表面與一下表面以及一連接上表面與下表面的側表面。第 一保護件包覆發光元件的側表面。波長轉換膠層配置於發光元件的上表面及部分第一保護件上，其中波長轉換膠層具有彼此相對的一第一側面與一第二側面以及一連接第一側面與第二側面的頂表面。第二保護件配置於部分第一保護件上並至少包覆波長轉換膠層的第二側面及波長轉換膠層的頂表面。發光元件具有一出光平面，出光平面包含第一保護件的部分一第三側面、波長轉換膠層的第一側面以及第二保護件的部分一第四側面。

在本發明的一實施例中，上述的波長轉換膠層的第一側面的長度大於第二側面的長度。

在本發明的一實施例中，上述的波長轉換膠層具有與頂表面彼此相對的一固晶平台，而發光元件位於固晶平台上。

在本發明的一實施例中，上述的第一保護件更包括一反射曲面，反射曲面圍繞發光元件的側表面並與側表面接觸。

本發明的發光元件封裝結構的製作方法，其包括以下步驟。提供一波長轉換膠層，波長轉換膠層包括一低濃度膠層與一高濃度膠層。形成一第一保護件於波長轉換膠層的低濃度膠層上。進行一切割程序，而形成多個第一凹口與多個第二凹口，其中第一凹口暴露出低濃度膠層，而第二凹口分別連通第一凹口且暴露出部分第一保護件，每一第二凹口的孔徑小於對應的第一凹口的孔徑。將多個發光元件配置於波長轉換膠層上，其中每一發光元件具有彼此相對的一上表面與一下表面以及一連接上表面與下表面的側表面，而發光元件的上表面接觸高濃度膠層上。形成 一第二保護件於第一保護件上，第二保護件包覆發光元件的側表面與波長轉換膠層，且填滿第一凹口與第二凹口。進行一切割程序，以沿著第二凹口的位置切割第二保護件與第一保護件，而形成多個彼此分離的發光元件封裝結構，其中每一發光元件封裝結構的第一保護件的一第一邊緣、第二保護件的一第二邊緣以及波長轉換膠層的低濃度膠層的一第三邊緣切齊。

在本發明的一實施例中，上述的進行切割程序的步驟包括：進行一第一切割程序，以從高濃度膠層切割至低濃度膠層，而形成第一凹口；以及進行一第二切割程序，以沿著第一凹口切穿低濃度膠層，而形成第二凹口。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件封裝結構的製作方法，更包括：將發光元件配置於波長轉換膠層上之後，且於形成第二保護件之前，形成一固晶膠層於發光元件的側表面上。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件封裝結構的製作方法，更包括：於形成第一保護件之後，且於進行切割程序之前，提供一雙面膠膜，第一保護件位於雙面膠膜與低濃度膠層之間。

在本發明的一實施例中，上述的第一保護件的反射率與第二保護件的反射率至少大於90%。

本發明的發光元件封裝結構的製作方法，其包括以下步驟。提供一第一保護件，第一保護件具有多個第一凹口，每一第一凹口具有一傾斜底面。提供一波長轉換材料以填滿第一凹口， 而定義出多個波長轉換膠層。每一波長轉換膠層具有一固晶平台，且每一波長轉換膠層具有彼此相對的一第一邊緣與一第二邊緣，第一邊緣的長度大於第二邊緣的長度。將多個發光元件分別配置於波長轉換膠層上，其中每一發光元件具有彼此相對的一上表面與一下表面以及一連接上表面與下表面的側表面，而發光元件的上表面分別接觸固晶平台。形成一第二保護件，以包覆發光元件的側表面，且覆蓋第一保護件與波長轉換膠層。進行一切割程序，以切割第二保護件與第一保護件，使每一波長轉換膠層的第一邊緣、第一保護件的一第三邊緣以及第二保護件的一第四邊緣切齊，而形成多個發光元件封裝結構。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件封裝結構的製作方法，更包括：於形成第二保護件之後且於進行切割程序之前，形成多個從第二保護件延伸至第一保護件的第二凹口，其中第二凹口分別暴露波長轉換膠層的第一邊緣，每一第二凹口具有一收光斜面與一垂直平面，而收光斜面面對波長轉換膠層的第一邊緣，第一邊緣分別切齊於垂直平面。

在本發明的一實施例中，上述的每一第一凹口更具有一連接傾斜底面的垂直側壁，且垂直側壁的一延伸方向與傾斜底面之間具有一銳角。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件封裝結構的製作方法更包括：將發光元件配置於波長轉換膠層上之後，且於形成第二保護件之前，形成一固晶膠層於發光元件的側表面上。

在本發明的一實施例中，上述的每一固晶平台與第一保護件的一表面具有一高度差，且高度差與第一保護件的厚度的比值至少為0.2。

在本發明的一實施例中，上述的第一保護件的反射率與第二保護件的反射率至少大於90%。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件封裝結構的製作方法更包括：於形成第二保護件之後且於進行切割程序之前，形成一分佈式布拉格反射層於第一保護件相對遠離波長轉換膠層的一側表面上。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件封裝結構的製作方法更包括：於形成分佈式布拉格反射層之後，形成一反射保護層於分佈式布拉格反射層上，其中分佈式布拉格反射層位於第一保護件與反射保護層之間。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件封裝結構的製作方法更包括：於提供第一保護件之後且於提供波長轉換材料以填滿第一凹口之前，形成多個分佈式布拉格反射層於第一凹口內。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件封裝結構的製作方法更包括：於提供波長轉換材料以填滿第一凹口之後且於發光元件分別配置於波長轉換膠層上之前，形成一分佈式布拉格反射層波長轉換膠層的固晶平台上。

基於上述，由於本發明的發光元件封裝結構的保護件會包覆發光元件的側表面與波長轉換膠層的一邊緣，而波長轉換膠 層的另一邊緣會與保護件的一邊緣切齊，因此發光元件所發出的光可透過保護件的設計而產生反射效果，而透過波長轉換膠層的設計而將發光元件所發出的光由正向出光導引至側向出光。如此一來，本發明的發光元件封裝結構除了可具有較佳的側向出光效果之外，亦具有較大的發光面積與較佳的發光均勻性。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

10:雙面膠膜

100a、100a’、200、200a、200b、200c、200d、200e:發光元件封裝結構

110:波長轉換膠層

112:低濃度膠層

112a、112b、114a、114b、120a、150a、210a、221、223、250a:邊緣

112c、112d:表面

114:高濃度膠層

120、210:第一保護件

130:發光元件

132:上表面

133:電極

134:下表面

136:側表面

140:固晶膠層

150:第二保護件

151:頂面

153:底面

212:傾斜底面

214:垂直側壁

216:表面

220:波長轉換膠層

220a:波長轉換材料

222:固晶平台

224:傾斜底部

230:發光元件

232:上表面

234:下表面

236:側表面

240:固晶膠層

250:第二保護件

260a、260c、260d、260e:分佈式布拉格反射層

270:反射保護層

A:銳角

C1、C1’:第一凹口

C2、C2’:第二凹口

C21:收光斜面

C22:垂直平面

D:長度

d:距離

H:高度差

H1:總高度

L1:總長度

L2:長度

T1、T2:厚度

W、W1、W2:寬度

圖1A至圖1F繪示為本發明的一實施例的一種發光元件封裝結構的製作方法的剖面示意圖。

圖2繪示為本發明的一實施例的一種發光元件封裝結構的剖面示意圖。

圖3A至圖3G繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的製作方法的剖面示意圖。

圖4A繪示為圖3G的發光元件封裝結構的立體示意圖。

圖4B繪示為沿圖4A的線Y-Y的剖面示意圖。

圖5A至圖5E繪示為本發明的多個實施例的發光元件封裝結構的剖面示意圖。

圖1A至圖1F繪示為本發明的一實施例的一種發光元件封裝結構的製作方法的剖面示意圖。需說明的是，圖1A至圖1F是沿著一方向(如X-X方向)所繪示的剖面示意圖，因此所形成的每一發光元件封裝結構中僅有一個發光元件；但於另一方向(如Y-Y)上，每一發光元件封裝結構亦可有多個發光元件。

關於本實施例的發光元件封裝結構的製作方法，首先，請參考圖1A，提供一波長轉換膠層110，其中波長轉換膠層110包括一低濃度膠層112與一高濃度膠層114。此處，形成波長轉換膠層110的步驟例如是先透過點膠的方式將由螢光粉(未繪示)及矽膠(未繪示)所組成的波長轉換膠材料層(未繪示)形成於一離型膜(未繪示)上，之後淨置波長轉換膠材料層一段時間，如24小時後，因為螢光粉跟矽膠的密度差異而形成具有分離的一低濃度膠層112與一高濃度膠層114的波長轉換膠層110，其中高濃度膠層114會沉澱於低濃度膠層112的下方，而高濃度膠層114例如是黃色，低濃度膠層112例如是透明的，但並不以此為限。在本實施例中，低濃度膠層112的厚度大於高濃度膠層114的厚度，因此可增加混光機率。在一實施例中，低濃度膠層112的厚度與高濃度膠層114的厚度的比值可介於1至100間。

接著，請再參考圖1A，形成一第一保護件120於波長轉換膠層110的低濃度膠層112上，其中低濃度膠層112位於高濃度膠層114與第一保護件120之間。此處，第一保護件120完全覆蓋低濃度膠層112的一表面112c，其中第一保護件120的反射 率至少大於90%，而第一保護件120例如是一白膠層或一金屬鍍層。接著，移除離型膜並翻轉波長轉換膠層110與第一保護件120，並提供一雙面膠膜10，以第一保護件120固定於雙面膠膜10上且位於雙面膠膜10與低濃度膠層112之間。

接著，請參考圖1A與圖1B，進行一切割程序，而形成多個第一凹口C1與多個第二凹口C2，其中第一凹口C1暴露出高濃度膠層114，而第二凹口C2分別連通第一凹口C1且暴露出部分第一保護件120。此處，每一第二凹口C2的孔徑小於對應的第一凹口C1的孔徑。

詳細來說，進行切割程序的步驟包括：請再參考圖1A，進行一第一切割程序，以從高濃度膠層114切割至低濃度膠層112，而形成第一凹口C1。此時，第一凹口C1僅貫穿高濃度膠層114。接著，請參考圖1B，進行一第二切割程序，以沿著第一凹口C1切穿低濃度膠層112，而形成第二凹口C2。換言之，第二凹口C2貫穿低濃度膠層112。由於第一凹口C1與第二凹口C2的形成，因而導致低濃度膠層112的表面積大於高濃度膠層114的表面積，可有效增加出光面積。如圖1B所示，第一凹口C1的孔徑大於第二凹口C2的孔徑，且高濃度膠層114的邊緣114a切齊於低濃度膠層112的邊緣112a。

接著，請參考圖1C，將多個發光元件130配置於波長轉換膠層110上，其中每一發光元件130具有彼此相對的一上表面132與一下表面134以及一連接上表面132與下表面134的側表面 136，而發光元件130的上表面132接觸高濃度膠層114上，以增加光取出率及改善光型。每一發光元件130例如是為發光波長介於315奈米至780奈米之間的發光二極體晶片，而發光二極體晶片包括但不限於紫外光、藍光、綠光、黃光、橘光或紅光發光二極體晶片。

接著，請再參考圖1C，形成一固晶膠層140於發光元件130的側表面136上。如圖1C所示，固晶膠層140由每一發光元件130的下表面134往上表面132逐漸增厚，且固晶膠層140相對於發光元件130的側表面136具有一內凹表面，但並不以此為限。於其他未繪示的實施例中，亦可透過控制形成固晶膠層的量，而使固晶膠層相對於發光元件的側表面具有一外凸表面或一傾斜表面，上述仍屬於本發明所欲保護的範圍。此處，固晶膠層140的目的除了在於固定發光元件130的位置之外，亦可有效增加發光元件130的側向出光。

最後，請參考圖1D，形成一第二保護件150於第一保護件120上，其中第二保護件150包覆發光元件130的側表面136與波長轉換膠層110，且填滿第一凹口C1與第二凹口C2。此處，第二保護件150完全包覆發光元件130與波長轉換膠層110，僅暴露出發光元件130的下表面134以及位於下表面134上的電極133。第二保護件150的反射率與第一保護件120的反射率可相同，即至少大於90%，而第二保護件150例如是一白膠層。

之後，請參考圖1E與圖1F，進行一切割程序，以沿著 第二凹口C2的位置切割第二保護件150與第一保護件120，而形成多個彼此分離的發光元件封裝結構100a，其中每一發光元件封裝結構100a的第一保護件120的邊緣120a、第二保護件150的邊緣150a以及波長轉換膠層110的低濃度膠層112的邊緣112b切齊。最後，移除雙面膠膜10，而完成發光元件封裝結構100a的製作。需說明的是，為了方便說明起見，圖1F僅示意地繪示一個發光元件封裝結構100a。

在結構上，請再參考圖1F，發光元件封裝結構100a包括發光元件130、波長轉換膠層110以及保護件。發光元件130具有彼此相對的上表面132與下表面134、連接上表面132與下表面134的側表面136以及位於下表面134上的電極133。波長轉換膠層110配置於發光元件130的上表面132上，其中波長轉換膠層110包括低濃度膠層112以及高濃度膠層114，而高濃度膠層114配置於低濃度膠層112的表面112d上。發光元件130的上表面132接觸高濃度膠層114，以增加光取出率及改善光型。如圖1F所示，低濃度膠層112的邊緣112b延伸至高濃度膠層114的邊緣114b外，而高濃度膠層114的邊緣114a切齊於低濃度膠層112的邊緣112a。

請再參考圖1F，保護件的反射率至少大於90%，其中保護件包括第一保護件120與第二保護件150。詳細來說，第二保護件150包覆發光元件130的側表面136、低濃度膠層112的邊緣112a以及高濃度膠層114的邊緣114a與邊緣114b。第二保護件 150的一頂面151切齊於低濃度膠層112的表面112c，而第二保護件150的一底面153切齊於發光元件130的下表面134且暴露出電極133。第一保護件120覆蓋低濃度膠層112的表面112c與第二保護件150的頂面151。特別是，第一保護件120的邊緣120a、第二保護件150的邊緣150a以及波長轉換膠層110的低濃度膠層112的邊緣112b實質上切齊。此外，發光元件封裝結構100a更包括固晶膠層140，配置於發光元件130的側表面136與第二保護件150之間，以固定發光元件130的位置之外，並增加發光元件130的側向出光效果。

由於本實施例的發光元件封裝結構100a的第二保護件150會包覆發光元件130的側表面136與波長轉換膠層110的低濃度膠層112的邊緣112a與高濃度膠層114的邊緣114a及邊緣114b，且波長轉換膠層110的低濃度膠層112的邊緣112b會與第一保護件120的邊緣120a及第二保護件150的邊緣150a切齊。因此，發光元件130所發出的光可透過第一保護件120與第二保護件150的設計而產生反射效果，而透過波長轉換膠層110的設計而將發光元件130所發出的光由正向出光導引至側向出光。如此一來，本實施例的發光元件封裝結構100a除了可具有較佳的側向出光效果之外，亦具有較大的發光面積與較佳的出光均勻性。

在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，相同技術內容的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重 複贅述。

圖2繪示為本發明的一實施例的一種發光元件封裝結構的剖面示意圖。需說明的是，圖2是沿著一方向(如Y-Y)所繪示的剖面示意圖，其中此方向是垂直於圖1A至圖1F所繪示的方向。請參考圖2，本實施例的發光元件封裝結構100a’與圖1F中的發光元件封裝結構100a相似，差異之處在於：本實施例的發光元件封裝結構100a’具體化為多晶結構，意即具有多個發光元件130，其中發光元件130間隔排列，且相鄰的兩發光元件130暴露出於部分波長轉換膠層110。由於發光元件封裝結構100a’中的這些發光元件130僅與一個波長轉換膠層110相接觸，意即這些發光元件130具有同一發光面，因此本實施例的發光元件封裝結構100a’可具有較大的發光面積與較佳的發光均勻性。

圖3A至圖3G繪示為本發明的另一實施例的一種發光元件封裝結構的製作方法的剖面示意圖。關於本實施例的發光元件封裝結構的製作方法，首先，請參考圖3A，提供一第一保護件210，其中第一保護件210具有多個第一凹口C1’，且每一第一凹口C1’具有一傾斜底面212。此處，第一保護件210的反射率至少大於90%，而第一保護件210例如是一白膠層或一金屬鍍層。第一凹口C1’是透過單斜面切割的方式所形成，其中每一第一凹口C1’更具有一連接傾斜底面212的垂直側壁214，且垂直側壁214的一延伸方向L與傾斜底面212之間具有一銳角A。較佳地，銳角A例如是80度，但並不以此為限。第一凹口C1’的寬度W1例 如是600微米，但並不以此為限。

接著，請參考圖3B，提供一波長轉換材料220a以填滿第一凹口C1’，而定義出多個波長轉換膠層220。此處，是透過點膠的方式將波長轉換材料220a填入第一凹口C1’內，之後透過加熱固化的方式而形成波長轉換膠層220。

接著，請參考圖3C，透過刮刀刮拭的方式於每一波長轉換膠層220上定義出一固晶平台222，其中第一凹口C1’的寬度W1為固晶平台222的寬度W2的1.5倍，即固晶平台222的寬度W2例如是400微米，但並不此為限。每一固晶平台222與第一保護件210的一表面216具有一高度差H，且高度差H與第一保護件210的厚度T1的比值至少為0.2。舉例來說，若第一保護件210的厚度T1為250微米，則高度差H為50微米，但並不以此為限。此時，如圖3C所示，每一波長轉換膠層220具有彼此相對的邊緣221與邊緣223，邊緣221的長度大於邊緣223的長度。意即，波長轉換膠層220的剖面形狀為類似梯形。

接著，請參考圖3D，將多個發光元件230分別配置於波長轉換膠層220上，其中每一發光元件230具有彼此相對的一上表面232與一下表面234以及一連接上表面232與下表面234的側表面236，而發光元件230的上表面232分別接觸固晶平台222，以增加光取出率及改善光型。每一發光元件230例如是為發光波長介於315奈米至780奈米之間的發光二極體晶片，而發光二極體晶片包括但不限於紫外光、藍光、綠光、黃光、橘光或紅光發 光二極體晶片。

接著，請再參考圖3D，形成一固晶膠層240於發光元件230的側表面236上，其中固晶膠層240僅與發光元件230的側表面236以及固晶平台222相接觸。如圖3D所示，固晶膠層240由每一發光元件230的下表面234往上表面232逐漸增厚，且固晶膠層240相對於發光元件230的側表面236具有一外凸表面，但並不以此為限。於其他未繪示的實施例中，亦可透過控制形成固晶膠層的量，而使固晶膠層相對於發光元件的側表面具有一內凹表面或一傾斜表面，上述仍屬於本發明所欲保護的範圍。此處，固晶膠層240的目的除了在於固定發光元件230的位置之外，亦可有效增加發光元件230的側向出光。

接著，請參考圖3E，形成一第二保護件250，以包覆發光元件230的側表面236，且覆蓋第一保護件210與波長轉換膠層220。此時，第二保護件250僅暴露出發光元件230的下表面234，而第一保護件210與第二保護件250的設置可將發光元件230、固晶膠層240以及波長轉換膠層220完全密封。此處，第二保護件250的反射率與第一保護件210的反射率可相同，即至少大於90%，而第二保護件250例如是一白膠層。第二保護件250的厚度T2例如是第一保護件210的厚度T1的0.2倍，舉例來說，第一保護件210的厚度T1例如是250微米，而第二保護件250的厚度T2例如是50微米。

之後，請參考圖3F，形成多個從第二保護件250延伸至 第一保護件210的第二凹口C2’，其中第二凹口C2’分別暴露波長轉換膠層220的邊緣221。詳細來說，每一第二凹口C2’具有一收光斜面C21與一垂直平面C22，而收光斜面C21對波長轉換膠層220的邊緣221，且邊緣221分別切齊於垂直平面C22。此處，例如是透過切割的方式而形成具有收光斜面C21與垂直平面C22的第二凹口C2’，其中收光斜面C21適於反射發光元件230經由波長轉換膠層220的引導所產生側向光，以方便使用者檢測發光元件230的出光亮度。

最後，請參考圖3G，進行一切割程序，以切割第一保護件210，使第一保護件210的邊緣210a切齊於第二保護件250的邊緣250a以及波長轉換膠層220的邊緣221，而形成多個發光元件封裝結構200。至此，已完成發光元件封裝結構200的製作。

在結構上，請參考圖3G，每一發光元件封裝結構200包括發光元件230、波長轉換膠層220以及保護件。發光元件230具有彼此相對的上表面232與下表面234以及連接上表面232與下表面234的側表面236。波長轉換膠層220配置於發光元件230的上表面232上，其中波長轉換膠層220的邊緣221的長度大於第二邊緣223的長度。波長轉換膠層220具有彼此相對的固晶平台222以及傾斜底部224。發光元件230位於固晶平台222上，且傾斜底部224與邊緣221的延伸方向L之間具有銳角A。保護件包括第一保護件210與第二保護件250，其中第一保護件210包覆波長轉換膠層220的傾斜底部224與邊緣223，而第二保護件250 包覆發光元件230的側表面236且覆蓋第一保護件210並暴露出發光元件230的下表面234。第一保護件210的邊緣210a、第二保護件250的邊緣250a以及波長轉換膠層220的邊緣221實質上切齊。

由於本實施例的發光元件封裝結構200具有保護件(即第一保護件210與第二保護件250)的設計，其中波長轉換膠層220的邊緣221與第一保護件210的邊緣210a與第二保護件250的邊緣250a切齊，且波長轉換膠層220的邊緣221的長度大於第二邊緣223的長度。因此，本實施例的發光元件230所產生的光可先經由波長轉換膠層230的引導而產生側向光。故，本實施例的發光元件封裝結構200除了可具有較佳的側向出光效果之外，亦具有較大的發光面積。

圖4A繪示為圖3G的發光元件封裝結構的立體示意圖。圖4B繪示為沿圖4A的線Y-Y的剖面示意圖。請同時參考圖3G、圖4A與圖4B，其中需說明的是，圖3G所繪示的是沿著圖4A中的線X-X所繪示的剖面示意圖。請參考圖3G，本實施例的發光元件封裝結構200的波長轉換膠層220的邊緣221的長度D例如是0.22公釐(mm)，而第一保護件210與第二保護件250的總高度H1例如是0.30公釐(mm)，且該第一保護件210與第二保護件250的寬度W例如是0.80公釐(mm)。請參考圖4B，發光元件封裝結構200的總長度L1例如是2.17公釐(mm)，發光元件230的長度L2例如是1.27公釐(mm)，而波長轉換膠層230的長度L3例如是1.87 公釐(mm)。發光元件230的一邊緣與波長轉換膠層230的一邊緣相隔一距離d，且此距離d例如是0.30公釐(mm)。

圖5A至圖5E繪示為本發明的多個實施例的發光元件封裝結構的剖面示意圖。本實施例的發光元件封裝結構200a與圖3G中的發光元件封裝結構200相似，差異之處在於：本實施例的發光元件封裝結構200a更包括一分佈式布拉格反射層260a，配置於第一保護件210相對遠離波長轉換膠層220的一側表面上。在製程上，可於形成第二保護件250之後且於進行切割程序之前，形成分佈式布拉格反射層260a於第一保護件210相對遠離波長轉換膠層220的一側表面上。此處，分佈式布拉格反射層260a的材質例如是二氧化矽(SiO₂)與二氧化鈦(TiO₂)的疊層或者是二氧化矽(SiO₂)與五氧化二鉭(Ta₂O₅)的疊層，其目的在於遮擋發光元件230的正向光，以減少正向光穿透第一保護件210與第二保護件250，進而可增加光利用率；另外也可採用其他具有可反射功能的材料來取代分佈式布拉格反射層。

請參考圖5B，本實施例的發光元件封裝結構200b與圖5A中的發光元件封裝結構200a相似，差異之處在於：本實施例的發光元件封裝結構200b更包括一反射保護層270，配置於分佈式布拉格反射層260a上，其中分佈式布拉格反射層260a位於第一保護件210與反射保護層270之間。在製程上，可於形成分佈式布拉格反射層260a之後，形成反射保護層270於分佈式布拉格反射層260a上，而使分佈式布拉格反射層260a位於第一保護件 210與反射保護層270之間。此處，反射保護層270的材質例如是鋁、矽或二氧化矽，其設置的目的在於保護分佈式布拉格反射層260a。

值得一提的是，本發明並不限制分佈式布拉格反射層260a的位置。於其他實施例中，請參考圖5C，發光元件封裝結構200c的分佈式布拉格反射層260c亦可配置於波長轉換膠層220的傾斜底部224上且覆蓋傾斜底部224。在製程上，可於提供第一保護件210之後且於提供波長轉換材料220a以填滿第一凹口C1’(請參考圖3A)之前，形成分佈式布拉格反射層260c於第一凹口C1’內。或者是，請參考圖5D，發光元件封裝結構200d的分佈式布拉格反射層260d亦可配置於發光元件230的上表面232，其中分佈式布拉格反射層230完全覆蓋上表面232；或者是，請參考圖5E，發光元件封裝結構200e的分佈式布拉格反射層260e亦可配置於發光元件230的上表面232，其中分佈式布拉格反射層230部分覆蓋上表面232。在製程上，於提供波長轉換材料220a以填滿第一凹口C1’(請參考圖3A)之後且於發光元件230分別配置於波長轉換膠層220上之前，形成分佈式布拉格反射層260d、260e於波長轉換膠層230的固晶平台222上。

綜上所述，本發明的發光元件封裝結構的保護件會包覆發光元件的側表面與波長轉換膠層的一邊緣，而波長轉換膠層的另一邊緣會與保護件的一邊緣切齊，因此發光元件所發出的光可透過保護件的設計而產生反射效果，而透過波長轉換膠層的設計 而將發光元件所發出的光由正向出光導引至側向出光。如此一來，本發明的發光元件封裝結構除了可具有較佳的側向出光效果之外，亦具有較大的發光面積與較佳的發光均勻性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100a:發光元件封裝結構

110:波長轉換膠層

112:低濃度膠層

112a、112b、114a、114b、120a、150a:邊緣

112c、112d:表面

114:高濃度膠層

120:第一保護件

130:發光元件

132:上表面

133:電極

134:下表面

136:側表面

140:固晶膠層

150:第二保護件

151:頂面

153:底面

Claims (13)

1. 一種發光元件封裝結構，包括：至少一發光元件，具有彼此相對的一上表面與一下表面以及一連接該上表面與該下表面的側表面；一波長轉換膠層，配置於該發光元件的該上表面上，其中該波長轉換膠層具有彼此相對的一第一邊緣與一第二邊緣；一保護件，包覆該發光元件的該側表面與該波長轉換膠層的該第二邊緣，且暴露出該發光元件的該下表面，其中該保護件的一第三邊緣切齊於該波長轉換膠層的該第一邊緣；以及一固晶膠層，配置於該發光元件的該側表面與該保護件之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構，其中該波長轉換膠層包括一低濃度膠層以及一高濃度膠層，該發光元件的該上表面接觸該高濃度膠層，該低濃度膠層具有該第一邊緣與該第二邊緣，該高濃度膠層具有彼此相對的一第四邊緣與一第五邊緣，該低濃度膠層的該第一邊緣延伸至該高濃度膠層的該第四邊緣外，而該高濃度膠層的該第五邊緣切齊於該低濃度膠層的該第二邊緣。
3. 如申請專利範圍第2項所述的發光元件封裝結構，其中該保護件包括一第一保護件與一第二保護件，該低濃度膠層具有彼此相對的一第一表面與一第二表面，該高濃度膠層配置於該低濃度膠層的該第一表面上，該第二保護件包覆該發光元件的該側表面、該低濃度膠層的該第二邊緣以及該高濃度膠層的該第四邊 緣與該第五邊緣，該第二保護件的一頂面切齊於該低濃度膠層的該第二表面，而該第一保護件覆蓋該低濃度膠層的該第二表面與該第二保護件的該頂面。
4. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構，其中該波長轉換膠層具有彼此相對的一固晶平台以及一傾斜底部，而該發光元件位於該固晶平台上，且該傾斜底部與一第一邊緣的一延伸方向之間具有一銳角。
5. 如申請專利範圍第4項所述的發光元件封裝結構，其中該保護件包括一第一保護件與一第二保護件，該第一保護件包覆該波長轉換膠層，而該第二保護件包覆該發光元件的該側表面且覆蓋該第一保護件。
6. 如申請專利範圍第1項所述的發光元件封裝結構，其中該至少一發光元件為多個發光元件，該些發光元件間隔排列，且相鄰的兩該些發光元件暴露出於部分該波長轉換膠層。
7. 一種發光元件封裝結構，包括：至少一發光元件，具有一上表面與一下表面以及一連接該上表面與該下表面的側表面；一波長轉換膠層，配置於該發光元件的該上表面上，其中該波長轉換膠層具有彼此相對的一第一側面與一第二側面以及一連接該第一側面與該第二側面的頂表面；以及 一保護件，包覆該發光元件的該側表面、該波長轉換膠層的該第二側面以及該波長轉換膠層的該頂表面，其中該保護件的一第三側面切齊於該波長轉換膠層的該第一側面。
8. 如申請專利範圍第7項所述的發光元件封裝結構，其中該波長轉換膠層具有與該上表面彼此相對的一固晶平台，而該發光元件位於該固晶平台上。
9. 如申請專利範圍第7項所述的發光元件封裝結構，其中該保護件包括一第一保護件與一第二保護件，該第一保護件包覆該發光元件的該側表面，而該第二保護件包覆該波長轉換膠層並暴露出該波長轉換膠層的該第一側面。
10. 一種發光元件封裝結構，包括：至少一發光元件，具有一上表面與一下表面以及一連接該上表面與該下表面的側表面；一第一保護件，包覆該發光元件的該側表面；一波長轉換膠層，配置於該發光元件的該上表面及部分該第一保護件上，其中該波長轉換膠層具有彼此相對的一第一側面與一第二側面以及一連接該第一側面與該第二側面的頂表面；以及一第二保護件，配置於部分該第一保護件上並至少包覆該波長轉換膠層的該第二側面及該波長轉換膠層的該頂表面，其中該發光元件具有一出光平面，該出光平面包含該第一保護件的部分一第三側面、該波長轉換膠層的該第一側面以及該第二保護件的部分一第四側面。
11. 如申請專利範圍第10項所述的發光元件封裝結構，其中該波長轉換膠層具有與該頂表面彼此相對的一固晶平台，而該發光元件位於該固晶平台上。
12. 如申請專利範圍第10項所述的發光元件封裝結構，其中該第一保護件更包括一反射曲面，該反射曲面圍繞該發光元件的該側表面並與該側表面接觸。
13. 如申請專利範圍第1、7或10項所述的發光元件封裝結構，其中該波長轉換膠層包括一低濃度膠層以及一高濃度膠層，該高濃度膠層位於該發光元件與該低濃度膠層之間。

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