CN105098027A - 发光元件封装结构及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光元件封装结构及其制作方法，包括一发光元件以及一保护件。发光元件具有彼此相对的一上表面与一下表面、一连接上表面与下表面的侧表面以及位于下表面上且彼此分离的一第一电极垫与一第二电极垫。保护件包覆发光元件的侧表面且暴露出发光元件的至少部分上表面及暴露出第一电极垫的至少部分一第一底面以及第二电极垫的至少部分一第二底面，其无需采用现有的承载支架，可具有较薄的封装厚度且符合薄型化的需求。

Description

发光元件封装结构及其制作方法
技术领域
本发明是有关于一种发光元件封装结构及其制作方法。
背景技术
一般来说，发光二极管封装结构通常是将发光二极管芯片配置于由陶瓷材料或金属材料所形成的凹杯型态的承载基座上，以固定及支撑发光二极管芯片。之后，再使用封装胶体来包覆发光二极管芯片，而完成发光二极管封装结构的制作。此时，发光二极管芯片的电极是位于承载基座的上方并位于凹杯内。然而，凹杯型态的承载基座具有一定的厚度，而使得发光二极管封装结构的厚度无法有效降低，因而使发光二极管封装结构无法满足现今薄型化的需求。
发明内容
本发明提供一种发光元件封装结构及其制作方法，其无需采用现有的承载支架，可具有较薄的封装厚度且符合薄型化的需求。
本发明的发光元件封装结构，其包括一发光元件以及一保护件。发光元件具有彼此相对的一上表面与一下表面、一连接上表面与下表面的侧表面以及位于下表面上且彼此分离的一第一电极垫与一第二电极垫。保护件包覆发光元件的侧表面且暴露出发光元件的至少部分上表面及暴露出第一电极垫的至少部分一第一底面以及第二电极垫的至少部分一第二底面。
本发明的发光元件封装结构的制作方法，其包括以下步骤。将多个间隔排列的发光元件配置于一基板上，其中各发光元件具有位于下表面上且彼此分离的一第一电极垫与一第二电极垫，而第一电极垫与第二电极垫设置在基板上。形成一保护件以包覆各发光元件。移除部分保护件，以暴露出各发光元件的一上表面。进行一切割程序，以切割保护件，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构，其中各发光元件封装结构分别具有至少一个发光元件以及包覆发光元件的一侧表面且暴露出上表面的保护件。移除基板，以暴露各发光元件封装结构的保护件的一底面，以及暴露第一电极垫的一第一底面以及第二电极垫的一第二底面。
本发明的发光元件封装结构的制作方法，其包括以下步骤。将多个间隔排列的发光元件配置于一基板上，其中各发光元件具有位于一下表面上且彼此分离的一第一电极垫与一第二电极垫，而各发光元件的一上表面设置在基板上。形成一保护件以包覆各发光元件。移除部分保护件，以暴露出各发光元件的第一电极垫的一第一底面以及第二电极垫的一第二底面。形成一延伸电极层，与各发光元件的第一电极垫以及第二电极垫电性连接。进行一切割程序，以切割保护件与延伸电极层，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构，其中各发光元件封装结构分别具有至少一个发光元件、至少包覆发光元件的侧表面的保护件、一第一延伸电极以及一第二延伸电极，而第一延伸电极与第二延伸电极彼此分离且覆盖保护件的至少部分一底面。
基于上述，由于本发明的保护件包覆发光元件的侧表面，且保护件的底面切齐于发光元件的第一电极垫的第一底面以及第二电极垫的第二底面。因此，本发明的发光元件封装结构不但不需要使用现有的承载支架来支撑及固定发光元件，而可有效较少封装厚度以及制作成本，同时，也可有效提高发光元件的正向出光效率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明的一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
图2为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
图3为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
图4为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
图5为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
图6为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
图7为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
图8为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
图9为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图；
图10A至图10D为本发明的一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的剖面示意图；
图11A至图11C为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图；
图12A至图12E为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的剖面示意图；
图13A至图13D为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图。
附图标记说明：
10：基板；
20：另一基板；
100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i：发光元件封装结构；
110a、110b：发光元件；
112a、112b：上表面；
113：第一电极垫；
113a：第一底面；
114a、114b：下表面；
115：第二电极垫；
115a：第二底面；
116a、116b：侧表面；
120、120’：保护件；
122：顶面；
124：底面；
130d、130e：第一延伸电极；
140d、140e：第二延伸电极；
150：封装胶层；
160、160’：透光层；；
L：切割线；；
E：延伸电极层。
具体实施方式
图1为本发明的一实施例的一种发光元件封装结构的示意图。请先参考图1，在本实施例中，发光元件封装结构100a包括一发光元件110a以及一保护件120。发光元件110a具有彼此相对的一上表面112a与一下表面114a、一连接上表面112a与下表面114a的侧表面116a以及位于下表面114a上且彼此分离的一第一电极垫113与一第二电极垫115。保护件120包覆发光元件110a的侧表面116a且暴露出至少部分上表面112a及暴露出第一电极垫113的至少部分一第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分一第二底面115a。
更具体来说，如图1所示，本实施例的发光元件110a的上表面112a与保护件120的一顶面122切齐，保护件120的一底面124与第一电极垫113的一第一底面113a以及第二电极垫115的一第二底面115a切齐，且保护件120可覆盖或曝露出发光元件110a位于第一电极垫113与一第二电极垫115之间的下表面114a。在本实施例中，发光元件110a的侧表面116a垂直于上表面112a与下表面114a，但并不以此为限，而发光元件110a例如是发光二极管，该发光二极管的发光波长(包括但不限于)介于315纳米至780纳米之间，该发光二极管包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光二极管。
保护件120的反射率至少大于90％，也就是说，本实施例的保护件120具有高反射率的特性，其中保护件120的材质为包括一掺有高反射粒子的高分子材料，该高反射粒子例如但不限于是二氧化钛(TiO2)粉末，而该高分子材料例如不限于是环氧树脂或硅树脂。此外，本实施例的发光元件110a的第一电极垫113与第二电极垫115的材质为一金属材料或金属合金，例如是金、铝、锡、银、铋、铟或其组合，但不以此为限。
在本实施例中，保护件120包覆发光元件110a的侧表面116a，且曝露出发光元件110a的第一电极垫113的第一底面113a以及第二电极垫115的第二底面115a，发光元件封装结构100a不需要使用现有的承载支架来支撑及固定发光元件110a，而可有效减少封装厚度以及制作成本，同时，也可通过具有高反射率的保护件120来有效提高发光元件110a的正向出光效率。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，相同技术内容的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图。请同时参考图1与图2，本实施例的发光元件封装结构100b与图1中的发光元件封装结构100a的主要差异之处在于：本实施例的发光元件110b的侧表面116b并非垂直于上表面112b与下表面114b，本实施例中发光元件100b的上表面112b的表面积大于下表面114b的表面积，侧表面116b与下表面114b的夹角例如是介于95度到150度之间。本实施例的发光元件110b的上表面112b、侧表面116b及下表面114b所界定的外型轮廓呈现倒梯形，因此可减少发光元件110b侧向出光，且高反射率的保护件120可更进一步地有效提高发光元件110b的正向出光效率。
图3为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图。请同时参考图1与图3，本实施例的发光元件封装结构100c与图1中的发光元件封装结构100a的主要差异之处在于：本实施例的发光元件封装结构100c还包括一第一延伸电极130c以及一第二延伸电极140c。第一延伸电极130c配置于保护件120的底面124上，且与第一电极垫113电性连接。第二延伸电极140c配置于保护件120的底面124上，且与第二电极垫115电性连接。第一延伸电极130c与第二延伸电极140c彼此分离且覆盖保护件120的至少部分底面124。
如图3所示，本实施例的第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的设置完全重叠于第一电极垫113与第二电极垫115，且朝着保护件120的边缘延伸。当然，在其他未示出的实施例中，第一延伸电极与第二延伸电极的设置也可部分重叠于第一电极垫与第二电极垫，只要第一延伸电极与第二延伸电极电性连接至第一电极垫与第二电极垫的设置即为本实施例所欲保护的范围。此外，本实施例的第一延伸电极130c与第二延伸电极140c暴露出保护件120的部分底面124。
在本实施例中，第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的材质可分别相同或不同于发光元件110a的第一电极垫113与第二电极垫115。当第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的材质分别相同于发光元件110a的第一电极垫113与第二电极垫115时，第一延伸电极130c与第一电极垫113之间可为无接缝连接，即为一体成型的结构，第二延伸电极140c与第二电极垫115之间可为无接缝连接，即为一体成型的结构。当第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的材质分别不同于发光元件110a的第一电极垫113与第二电极垫115时，第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的材质可例如是银、金、铋、锡、铟或上述材料组合的合金。
由于本实施例的发光元件封装结构100c具有与发光元件110a的第一电极垫113与第二电极垫115分别电性连接的第一延伸电极130c与第二延伸电极140c，因此可有效增加发光元件封装结构100c的电极接触面积，以利于后续将此发光元件封装结构100c与其他外部电路进行组装，可有效提高对位精准度及组装效率。举例来说，第一延伸电极130c的面积大于第一电极垫113的面积，第二延伸电极140c的面积大于第二电极垫115的面积。
图4为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图。请同时参考图3与图4，本实施例的发光元件封装结构100d与图3中的发光元件封装结构100c的主要差异之处在于：本实施例的第一延伸电极130d的边缘与第二延伸电极140d的边缘切齐于保护件120的边缘。
图5为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图。请同时参考图1与图5，本实施例的发光元件封装结构100e与图1中的发光元件封装结构100a的主要差异之处在于：本实施例的发光元件封装结构100e还包括一封装胶层150，其中封装胶层150配置于发光元件110a的上表面112a上，以增加光取出率及改善光型。封装胶层150也可以延伸至保护件120的至少部分上表面122上，封装胶层150的边缘也可以切齐于保护件120的边缘。另外，封装胶层150内也可以掺杂有至少一种波长转换材料，波长转换材料系用以将发光元件110a所发出的至少部分光线的波长转换成其他波长，且波长转换材料的材质包括荧光材料、磷光材料、染料、量子点材料及其组合，其中波长转换材料的粒径例如是介于3微米到50微米之间。另外，封装胶层150内也可以掺杂具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化钛(TiO2)或二氧化硅(SiO2)，以增加出光效率。
在本发明一实施例中，发光元件包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光元件，而波长转换材料包括但不限于红色、橘色、橘黄色、黄色、黄绿色或绿色的波长转换材料或其组合，用以将发光元件所发出的光的部分或全部进行波长转换。波长转换的光与波长未转换的光进行混光后，使得发光元件封装结构发出主波长(dominantwavelenghth)在一特定范围的光，其光色例如包括但不限于红色、橘色、橘黄色、琥珀色、黄色、黄绿色或绿色，或是发出具有特定相对色温的白光，相对色温的范围例如是介于2500K至7000K之间，但不以此为限。
图6为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图。请同时参考图6与图4，本实施例的发光元件封装结构100f与图4中的发光元件封装结构100d的主要差异之处在于：本实施例的发光元件封装结构100f还包括一封装胶层150，其中封装胶层150配置于发光元件110a的上表面112a上，以增加光取出率及改善光型。封装胶层150也可以延伸至保护件120的至少部分上表面122上，封装胶层150的边缘也可以切齐于保护件120的边缘，另外，封装胶层150内也可以掺杂有至少一种波长转换材料，波长转换材料系用以将发光元件110a所发出的至少部分光线的波长转换成其他波长，且波长转换材料的材质包括荧光材料、磷光材料、染料、量子点材料及其组合，其中波长转换材料的粒径例如是介于3微米到50微米之间。另外，封装胶层150内也可以掺杂具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化钛(TiO2)或二氧化硅(SiO2)，以增加出光效率。
须说明的是，在图4及图6的实施例中，第一延伸电极130d的边缘与第二延伸电极140d的边缘切齐于保护件120的边缘，这样的设计不但可以扩大电极的接触面积，且在制程中，保护件120可以同时封装多个相间隔的发光元件110a，之后形成图案化金属层以分别形成第一延伸电极130d与第二延伸电极140d，之后再进行切割，使每一发光元件封装结构100f的第一延伸电极130d的边缘与第二延伸电极140d的边缘切齐于保护件120的边缘，如此可有效节省制程时间。
图7为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图。请同时参考图7与图5，本实施例的发光元件封装结构100g与图5中的发光元件封装结构100e的主要差异之处在于：本实施例的发光元件封装结构100g还包括一透光层160，配置于封装胶层150上，其中透光层160的透光率，例如是大于50％。在本实施例中，透光层160的材质例如是玻璃、陶瓷、树脂、压克力或硅胶等，其目的在于可发光元件110a所产生的光导引至外界，可有效增加发光元件封装结构100g的光通量及光取出率，且也可有效保护发光元件110a以避免受到外界水气与氧气的侵袭。
图8为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图。请同时参考图8与图7，本实施例的发光元件封装结构100h与图7中的发光元件封装结构100g的主要差异之处在于：本实施例的发光元件封装结构100h的透光层160’是配置于发光元件110a的上表面110a与封装胶层150之间。
图9为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的示意图。请同时参考图9与图6，本实施例的发光元件封装结构100i与图6中的发光元件封装结构100f的主要差异之处在于：本实施例的发光元件封装结构100i还包括一透光层160，配置于封装胶层150上，其中透光层160的透光率，例如是大于50％。在本实施例中，透光层160的材质例如是玻璃、陶瓷、树脂、压克力或硅胶等，其目的在于可发光元件110a所产生的光导引至外界，可有效增加发光元件封装结构100i的光通量及光取出率，且也可有效保护发光元件110a以避免受到外界水气与氧气的侵袭。
以下将以图1、图7、图4及图9中的发光元件封装结构100a、100g、100d、100i为例，并分别配合10A至图10D、图11A至图11C、图12A至图12E以及图13A至图13D对本发明的发光元件封装结构的制作方法进行详细的说明。
图10A至图10D为本发明的一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的剖面示意图。首先，请参考图10A，将多个发光元件110a配置于一基板10上，其中每一发光元件110a具有彼此相对的上表面112a与下表面114a、连接上表面112a与下表面114a的侧表面116a以及位于下表面114a上且彼此分离的第一电极垫113与第二电极垫115。每一发光元件110a的第一电极垫113与第二电极垫115设置在基板10上。也就是说，发光元件110a的发光面，即上表面112a是相对远离基板10。在本实施例中，基板10的材质例如是不锈钢、陶瓷或其他不导电的材质。发光元件110a例如是发光二极管，该发光二极管的发光波长(包括但不限于)介于315纳米至780纳米之间，该发光二极管包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光二极管。
接着，请参考图10B，形成一保护件120’于基板10上，其中保护件120’包覆每一发光元件110a。也就是说，保护件120’完全且直接覆盖发光元件110a的上表面112a、下表面114a以及侧表面116a，且填满第一电极垫113与第二电极垫115之间的空隙。此处，保护件120’的反射率至少大于90％，也就是说，本实施例的保护件120’可具有高反射率的特性，其中保护件120’的材质包括一掺杂高反射粒子的高分子材料，该高反射粒子例如但不限于是二氧化钛(TiO2)粉末，而该高分子材料例如不限于是环氧树脂或硅树脂。
接着，请参考图10C，移除部分保护件120’，而形成保护件120，其中保护件120暴露出每一发光元件110a的至少部分上表面112a。此时，每一发光元件110a的上表面112a可能切齐于保护件120的顶面122。此处，移除部分保护件120’的方法包括例如是研磨法或抛光法。
之后，请参考图10D，进行一切割程序，以沿着切割线L切割保护件120，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构100a，其中每一发光元件封装结构100a分别具有至少一个发光元件110a以及保护件120，保护件120包覆发光元件110a的侧表面116a且暴露出其至少部分上表面112a。
最后，请再参考图10D，移除基板10，以暴露每一发光元件封装结构100a的保护件120的底面124，并曝露出每一发光元件封装结构100a的第一电极垫113的至少部分第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分第二底面115a。
图11A至图11C为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例的发光元件封装结构的制作方法与上述图10A至图10D中的发光元件封装结构的制作方法的主要差异之处在于：于图10C与图10D的步骤之间，意即在移除部分保护件120’之后，且在进行切割程序之前，请参考图11A，形成封装胶层150于发光元件110a与保护件120上，以增加光取出率及改善光型。此处，封装胶层150覆盖发光元件110a的上表面112a与保护件120的顶面122，且封装胶层150内也可以掺杂有至少一种波长转换材料。波长转换材料的说明请参考前述实施例。另外，封装胶层150内也可以掺杂具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化钛(TiO2)或二氧化硅(SiO2)，以增加出光效率。
接着，请参考图11B，形成一透光层160于发光元件110a与保护件120上，其中透光层160位于封装胶层150上，且覆盖封装胶层150。举例来说，透光层160的透光率大于50％。在此实施例中，透光层160的材质例如是玻璃、陶瓷、树脂、压克力或硅胶等，其目的在于可发光元件110a所产生的光导引至外界，可有效增加后续所形成的发光元件封光结构100g的光通量及光取出率，且也可有效保护发光元件110a以避免受到外界水气与氧气的侵袭。
之后，请参考图11C，进行一切割程序，以沿着切割线L切割透光层160、封装胶层150以及保护件120，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构100g。最后，请再参考图11C，移除基板10，以暴露每一发光元件封装结构100g的保护件120的底面124，其中每一发光元件封装结构100g的保护件120的底面124曝露出第一电极垫113的至少部分第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分第二底面115a。在本发明另一实施例中，也可先移除基板10再进行一切割程序。
图12A至图12E为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的剖面示意图。请先参考图12A，本实施例的发光元件封装结构的制作方法与上述图10A至图10D中的发光元件封装结构的制作方法的主要差异之处在于：请参考图12A，本实施例的发光元件110a并不是由第一电极垫113与第二电极垫115接触基板10，而是由其上表面112a接触基板10。
接着，请参考图12B，形成一保护件120’于基板上，其中保护件包覆每一发光元件110a。
接着，请参考图12C，移除部分保护件120’，以形成保护件120，其中保护件120暴露出每一发光元件110a的第一电极垫113的至少部分第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分第二底面115a。
接着，请参考图12D，形成一图案化金属层作为延伸电极层E，位于每一发光元件110a的第一电极垫113的第一底面113a上以及第二电极垫115的第二底面115a上。此处，形成图案化金属层的方法例如是蒸镀法、溅镀法、电镀法或化学镀法以及光罩蚀刻法。
接着，请参考图12E，进行一切割程序，以沿着切割线切割延伸电极层E与保护件120，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构100d。每一发光元件封装结构100d分别具有至少一个发光元件110a、至少包覆发光元件110a的侧表面116a的保护件120、直接接触第一电极垫113的第一延伸电极130d以及直接接触第二电极垫115的第二延伸电极140d。第一延伸电极130d与第二延伸电极140d彼此分离且暴露出保护件120的至少部分底面124。此时，第一延伸电极130d的面积可大于第一电极垫113的面积，而第二延伸电极140d的面积可大于第二电极垫115的面积。第一延伸电极130d的边缘与第二延伸电极140d的边缘切齐于保护件120的边缘。
最后，请再参考图12E，移除基板10，以暴露每一发光元件封装结构100d的保护件120的顶面122与发光元件110a的上表面112a，其中每一发光元件封装结构100g的保护件120的顶面122切齐于发光元件110a的上表面112a。在本发明另一实施例中，也可先移除基板10再进行一切割程序。
图13A至图13D为本发明的另一实施例的一种发光元件封装结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例的发光元件封装结构的制作方法与上述图12A至图12E中的发光元件封装结构的制作方法的主要差异之处在于：在图12D与图12E的步骤之间，意即在形成延伸电极层E之后，且在进行切割制程之前，请参考图13A，提供一另一基板20，并设置在延伸电极层E上。此处，另一基板20的材质例如是不锈钢、陶瓷或其他不导电的材质。接着，请再参考图13A，在提供另一基板20之后，移除基板10，以暴露保护件120的顶面122以及发光元件110a的上表面112a，其中每一发光元件110a的上表面112a切齐于保护件120的顶面122。
接着，请参考图13B，形成封装胶层150于发光元件110a与保护件120上，以增加光取出率及改善光型。此处，封装胶层150覆盖发光元件110a的上表面112a与保护件120的顶面122，且封装胶层150内也可以掺杂有至少一种波长转换材料。波长转换材料的说明请参考前述实施例。另外，封装胶层150内也可以掺杂具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化钛(TiO2)或二氧化硅(SiO2)，以增加出光效率。
接着，请参考图13C，形成一透光层160于发光元件110a与保护件120上，其中透光层160位于封装胶层150上，且覆盖封装胶层150。举例来说，透光层160的透光率大于50％。此处，透光层160的材质例如是玻璃、陶瓷、树脂、压克力或硅胶等，其目的在于可发光元件110a所产生的光导引至外界，可有效增加后续所形成之发光元件封光结构100i的光通量及光取出率，且也可有效保护发光元件110a以避免受到外界水气与氧气的侵袭。
之后，请参考图13D，进行一切割程序，以沿着切割线L切割透光层160、封装胶层150、保护件120及延伸电极层E，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构100i。最后，请再参考图13D，移除另一基板20，以暴露每一发光元件封装结构100i的第一延伸电极130d与第二延伸电极140d。在本发明另一实施例中，也可先移除基板20再进行一切割程序。
综上所述，由于本发明的保护件包覆发光元件的侧表面，且保护件的底面曝露出发光元件的第一电极垫的第一底面以及第二电极垫的第二底面。因此，本发明的发光元件封装结构不但不需要使用现有的承载支架来支撑及固定发光元件，而可有效较少封装厚度以及制作成本，同时，也可有效提高发光元件的正向出光效率。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (34)

1.一种发光元件封装结构，其特征在于，包括：
一发光元件，具有彼此相对的一上表面与一下表面、一连接所述上表面与所述下表面的侧表面以及位于所述下表面上且彼此分离的一第一电极垫与一第二电极垫；以及
一保护件，包覆所述发光元件的所述侧表面，且暴露出所述发光元件的至少部分所述上表面及暴露出所述第一电极垫的至少部分一第一底面以及所述第二电极垫的至少部分一第二底面。
2.根据权利要求1所述的发光元件封装结构，其特征在于，所述发光元件的所述上表面切齐于所述保护件的一顶面。
3.根据权利要求1所述的发光元件封装结构，其特征在于，还包括：
一第一延伸电极，配置于所述保护件的所述底面上，且与所述第一电极垫电性连接；以及
一第二延伸电极，配置于所述保护件的所述底面上，与所述第二电极垫电性连接，其中所述第一延伸电极与所述第二延伸电极彼此分离且暴露出所述保护件的至少部分所述底面。
4.根据权利要求3所述的发光元件封装结构，其特征在于，所述第一延伸电极的面积大于所述第一电极垫的面积，而所述第二延伸电极的面积大于所述第二电极垫的面积。
5.根据权利要求3所述的发光元件封装结构，其特征在于，所述第一延伸电极的边缘与所述第二延伸电极的边缘切齐于所述保护件的边缘。
6.根据权利要求1所述的发光元件封装结构，其特征在于，所述发光元件为发光波长介于315纳米至780纳米间的发光二极管芯片。
7.根据权利要求1所述的发光元件封装结构，其特征在于，所述保护件的反射率至少大于90％。
8.根据权利要求1所述的发光元件封装结构，其特征在于，还包括：
一封装胶层，配置于所述发光元件的所述上表面上。
9.根据权利要求8所述的发光元件封装结构，其特征在于，所述封装胶层覆盖至少部分所述保护件的一顶面上。
10.根据权利要求8所述的发光元件封装结构，其特征在于，所述封装胶层内掺有至少一波长转换材料。
11.根据权利要求10所述的发光元件封装结构，其特征在于，还包括：
一透光层，配置于所述发光元件的所述上表面。
12.根据权利要求11所述的发光元件封装结构，其特征在于，所述透光层的透光率大于50％。
13.根据权利要求1所述的发光元件封装结构，其特征在于，所述发光元件的所述侧表面与所述下表面的夹角介于95度到150度之间。
14.一种发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
将多个间隔排列的发光元件配置于一基板上，其中各所述发光元件具有位于一下表面上且彼此分离的一第一电极垫与一第二电极垫，而所述第一电极垫与所述第二电极垫设置在所述基板上；
形成一保护件以包覆各所述发光元件；
移除部分所述保护件，以暴露出各所述发光元件的一上表面；
进行一切割程序，以切割所述保护件，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构，其中各所述发光元件封装结构分别具有至少一个所述发光元件以及包覆所述发光元件的一侧表面且暴露出所述上表面的所述保护件；以及
移除所述基板，以暴露各所述发光元件封装结构的所述保护件的一底面，以及暴露所述第一电极垫的一第一底面以及所述第二电极垫的一第二底面。
15.根据权利要求14所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，所述保护件的反射率至少大于90％。
16.根据权利要求14所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，移除部分所述保护件后，各所述发光元件的所述上表面切齐于所述保护件的一顶面。
17.根据权利要求14所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，移除部分所述保护件的方法包括研磨法或抛光法。
18.根据权利要求14所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：
在移除部分所述保护件之后，且在进行所述切割程序之前，形成一封装胶层于所述些发光元件与所述保护件上，其中所述封装胶层覆盖所述些发光元件的所述些上表面与所述保护件的一顶面。
19.根据权利要求18所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，所述封装胶层内掺有至少一波长转换材料。
20.根据权利要求19所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：
形成一透光层于所述些发光元件与所述保护件上，其中所述封装胶层位于所述透光层与所述些发光元件之间，或所述透光层位于所述些发光元件与所述封装胶层之间。
21.根据权利要求20所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，所述透光层的透光率大于50％。
22.根据权利要求14所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，各所述发光元件为发光波长介于315纳米至780纳米之间的发光二极管芯片。
23.一种发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
将多个间隔排列的发光元件配置于一基板上，其中各所述发光元件具有位于一下表面上且彼此分离的一第一电极垫与一第二电极垫，而各所述发光元件的一上表面设置在所述基板上；
形成一保护件以包覆各所述发光元件；
移除部分所述保护件，以暴露出各所述发光元件的所述第一电极垫的一第一底面以及所述第二电极垫的一第二底面；
形成一延伸电极层，与各所述发光元件的所述第一电极垫以及所述第二电极垫电性连接；以及
进行一切割程序，以切割所述保护件与所述延伸电极层，而形成多个彼此分离的发光元件封装结构，其中各所述发光元件封装结构分别具有至少一个所述发光元件、至少包覆所述发光元件的所述侧表面的所述保护件、一第一延伸电极以及一第二延伸电极，而所述第一延伸电极与所述第二延伸电极彼此分离且覆盖所述保护件的至少部分一底面。
24.根据权利要求23所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一延伸电极的面积大于所述第一电极垫的面积，而所述第二延伸电极的面积大于所述第二电极垫的面积。
25.根据权利要求23所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一延伸电极的边缘与所述第二延伸电极的边缘切齐于所述保护件的边缘。
26.根据权利要求23所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，所述保护件的反射率至少大于90％。
27.根据权利要求23所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，移除部分所述保护件的方法包括研磨法或抛光法。
28.根据权利要求23所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：
在进行所述切割程序之后，移除所述基板，以暴露所述保护件的一顶面以及所述些发光元件的所述些上表面。
29.根据权利要求23所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：
在形成所述延伸电极层之后，且在进行所述切割制程之前，提供另一基板，所述延伸电极层设置在所述另一基板；以及
移除所述基板，以暴露所述保护件的一顶面以及各所述些发光元件的所述上表面。
30.根据权利要求29所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：
在移除所述基板之后，且在进行所述切割程序之前，形成一封装胶层于所述些发光元件与所述保护件上，其中所述封装胶层覆盖各所述发光元件的所述上表面与所述保护件的所述顶面。
31.根据权利要求30所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，所述封装胶层内掺有至少一波长转换材料。
32.根据权利要求30所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：
在进行所述切割程序之前，形成一透光层于所述些发光元件与所述保护件上。
33.根据权利要求32所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，所述透光层的透光率大于50％。
34.根据权利要求32所述的发光元件封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：
形成所述封装胶层及所述透光层于所述些发光元件与所述保护件上之后，移除所述另一基板，以暴露各所述发光元件封装结构的所述第一延伸电极与所述第二延伸电极。
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