TWI665811B - 發光二極體封裝結構及晶片級發光單元 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種發光二極體封裝結構及晶片級發光單元。發光二極體封裝結構包含基板、設置於基板且呈共平面的電極層與絕緣層、安裝於電極層的發光二極體晶片、完整包覆於發光二極體晶片頂面的螢光粉片、位於螢光粉片的出光面的至少一導光群組、及設置於電極層與絕緣層上且包覆發光二極體晶片與螢光粉片側緣的反射殼體。所述出光面包含有中心區及圍繞於中心區的環形區，導光群組包含多個導光微結構，其覆蓋環形區的至少60%面積。

Description

發光二極體封裝結構及晶片級發光單元
本發明涉及一種封裝結構，尤其涉及一種發光二極體封裝結構及晶片級發光單元。
現有的發光二極體封裝結構包含發光二極體晶片及設置於上述發光二極體晶片上的螢光粉片。其中，所述發光二極體晶片經由螢光粉片中心區域射出的光線顏色會不同，而造成黃暈現象。進一步地說，上述黃暈現象產生的主要原因在於，發光二極體晶片經由螢光粉片外側區域所射出的藍色光線，是與螢光粉片的出光面形成有角度較大的入射角，並且加上螢光粉片與空氣之間的折射率差異較大，所以使得所述藍色光線易產生全反射。
於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。
本發明實施例在於提供一種發光二極體封裝結構及晶片級發光單元，其能有效地改善現有發光二極體封裝結構所可能產生的缺陷。
本發明實施例公開一種發光二極體封裝結構，包括：一基板，具有位於相反側的一第一板面與一第二板面；一電極層，設置於所述基板的所述第一板面；一絕緣層，設置於所述基板的所述第 一板面，所述絕緣層和所述電極層為形狀互補，並且所述絕緣層和所述電極層共平面；至少一發光單元，包含有：一發光二極體晶片，安裝於所述電極層與所述絕緣層上；一螢光粉片，完整地覆蓋於所述發光二極體晶片的一頂面，所述螢光粉片包含遠離所述發光二極體晶片的一出光面，並且所述出光面包含有一中心區及圍繞於所述中心區的一環形區；及至少一導光群組，設置於所述螢光粉片的所述環形區上、並分佈於所述環形區的至少60%面積部位上，至少一所述導光群組包含多個導光微結構；一反射殼體，設置於所述電極層與所述絕緣層上並且包覆於至少一所述發光單元的所述發光二極體晶片的側緣及所述螢光粉片的側緣；以及一焊墊層，設置於所述基板的所述第二板面並且電性連接於所述電極層及至少一所述發光單元的所述發光二極體晶片。
本發明實施例也公開一種晶片級發光單元，包括：一發光二極體晶片；一螢光粉片，完整地覆蓋於所述發光二極體晶片的一頂面，所述螢光粉片包含遠離所述發光二極體晶片的一出光面，並且所述出光面包含有一中心區及圍繞於所述中心區的一環形區；以及至少一導光群組，設置於所述螢光粉片的所述環形區上、並分佈於所述環形區的至少60%面積部位上，至少一所述導光群組包含多個導光微結構。
綜上所述，本發明實施例所公開的發光二極體封裝結構及晶片級發光單元，其通過將導光群組設置在螢光粉片的環形區上，以減少所述發光二極體晶片的藍色光線在螢光粉片環形區所易產生的全反射，進而有效地改善發光二極體封裝結構的黃暈現象。
為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發明，而非對本發明的保護範圍作任何的限制。
100‧‧‧發光二極體封裝結構
1‧‧‧基板
11‧‧‧第一板面
12‧‧‧第二板面
13‧‧‧導電柱
2‧‧‧電極層
21‧‧‧第一金屬墊
211‧‧‧打線部(功能部)
211-1‧‧‧第一打線部
212‧‧‧第一延伸部
2121‧‧‧L型槽孔
213‧‧‧第一焊接部
22‧‧‧第二金屬墊
221‧‧‧固晶部(功能部)
221-5‧‧‧第五固晶部
222‧‧‧第二延伸部
2221‧‧‧L型槽孔
223‧‧‧第二焊接部
23‧‧‧第三金屬墊
231‧‧‧固晶部(功能部)
231-1‧‧‧第一固晶部
231-2‧‧‧第二固晶部
231-3‧‧‧第三固晶部
231-4‧‧‧第四固晶部
2311‧‧‧T型槽孔
232‧‧‧打線部(功能部)
232-2‧‧‧第二打線部
232-3‧‧‧第三打線部
232-4‧‧‧第四打線部
232-5‧‧‧第五打線部
24‧‧‧間隙
3‧‧‧焊墊層
31‧‧‧焊墊
311‧‧‧負極焊墊
312‧‧‧正極焊墊
4‧‧‧發光二極體晶片
5‧‧‧齊納二極體晶片
6‧‧‧螢光粉片
61‧‧‧出光面
611‧‧‧中心區
612‧‧‧環形區
7‧‧‧導光群組
71‧‧‧導光微結構
8‧‧‧絕緣層
9‧‧‧反射殼體
91‧‧‧頂面
92‧‧‧間隔部
U‧‧‧發光單元(如：晶片級發光單元)
G‧‧‧透明黏著層
D、PMS‧‧‧距離
W、WG、WMS‧‧‧寬度
HMS‧‧‧高度
T‧‧‧厚度
L1‧‧‧第一方向
L2‧‧‧第二方向
圖1為本發明發光二極體封裝結構實施例一的立體示意圖。
圖2為圖1的分解示意圖。
圖3為圖1另一視角的分解示意圖。
圖4為圖2中的電極層的俯視示意圖。
圖5為圖1沿剖線V-V的剖視示意圖。
圖6A為圖5中的VIA部位的放大示意圖。
圖6B為圖5中的VIB部位的放大示意圖。
圖6C為圖6B的變化態樣示意圖。
圖7為本發明實施例一電極層的變化類型的俯視示意圖。
圖8為本發明發光二極體封裝結構實施例二的示意圖。
圖9為圖8的分解示意圖。
圖10為圖8沿剖線X-X的剖視示意圖。
圖11為本發明發光二極體封裝結構實施例三的示意圖(一)。
圖12為本發明發光二極體封裝結構實施例三的示意圖(二)。
[實施例一]
請參閱圖1至圖7，其為本發明的實施例一，需先說明的是，本實施例對應附圖所提及的相關數量與外型，僅用來具體地說明本發明的實施方式，以便於了解本發明的內容，而非用來侷限本發明的保護範圍。
如圖1至圖3所示，本實施例公開一種發光二極體封裝結構100，其包含一基板1、設置於上述基板1一側的一電極層2與一絕緣層8、設置於上述基板1另一側的一焊墊層3、設置於上述電極層2與絕緣層8的多個發光二極體晶片4與多個齊納二極體晶片5、分別覆蓋上述多個發光二極體晶片4的多個螢光粉片6、分別設置於上述多個螢光粉片6的多個導光群組7、及設置於上述電 極層2與絕緣層8上並且包覆於發光二極體晶片4側緣及螢光粉片6側緣的一反射殼體9。
需說明的是，每個發光二極體晶片4及其對應的螢光粉片6與導光群組7於本實施例中合併定義為一發光單元U，也就是說，本實施例的發光二極體封裝結構100包含有多個所述發光單元U。其中，上述每個發光單元U於本實施例中是以晶片級發光單元U來作說明，但本發明不受限於此。
如圖2和圖3，所述基板1具有位於相反側的一第一板面11與一第二板面12，並且上述基板1內埋設有多個導電柱13，而每個導電柱13的相反兩端分別自所述基板1的第一板面11與第二板面12而裸露於外。
如圖2和圖4，所述電極層2設置於基板1的第一板面11，並且所述電極層2包含有一第一金屬墊21、一第二金屬墊22、及位於上述第一金屬墊21與第二金屬墊22之間且呈間隔排列的四個第三金屬墊23。
所述第一金屬墊21包含有呈L形的一第一打線部211-1(也可稱為打線部211)、長條狀的一第一延伸部212、及呈矩形的一第一焊接部213，並且上述第一延伸部212連接第一打線部211-1與第一焊接部213。所述第二金屬墊22包含有呈L形的一第五固晶部221-5(也可稱為固晶部221)、長條狀的一第二延伸部222、及呈矩形的一第二焊接部223，並且上述第二延伸部222連接第五固晶部221-5與第二焊接部223。所述每個第三金屬墊23包含有呈L形的一固晶部231(如第一、第二、第三、第四固晶部231-1~231-4)及一體連接於上述固晶部231且呈L形的一打線部232(如第二、第三、第四、第五打線部232-2~232-5)。其中，上述每個固晶部221-5、231-1~231-4(即第一、第二、第三、第四、第五固晶部)是用以供一個發光二極體晶片4與一個齊納二極體晶片5進行安裝設置，上述每個打線部211-1、232-2~232-5(即第 一、第二、第三、第四、第五打線部)則是用以供一個發光二極體晶片4與一個齊納二極體晶片5進行打線。
再者，所述第一金屬墊21的第一打線部211-1以及上述多個第三金屬墊23的第二至第五打線部232-2~232-5是沿著一第一方向L1間隔地排成一列，所述第二金屬墊22的第五固晶部221-5以及上述多個第三金屬墊23的第一至第四固晶部231-1~231-4是沿著第一方向L1間隔地排成另一列。並且上述多個固晶部231-1~231-4、221-5和多個打線部211-1、232-2~232-5呈交錯設置。
換個角度說，本實施例第一金屬墊21的打線部211可定義為第一打線部211-1，而其餘打線部232則自上述第一打線部211-1沿第一方向L1依序定義為第二打線部232-2、第三打線部232-3、第四打線部232-4、及第五打線部232-5。再者，最遠離第二金屬墊22固晶部221的第三金屬墊23固晶部231定義為第一固晶部231-1，而其餘固晶部231、221則自上述第一固晶部231沿第一方向L1依序定義為第二固晶部231-2、第三固晶部231-3、第四固晶部231-4、及第五固晶部221-5。
所述第一打線部211-1是沿垂直第一方向L1的一第二方向L2而與第一固晶部231-1間隔設置並形成具有至少一次轉折的間隙24；所述第二打線部232-2是沿第二方向L2而與第二固晶部231-2間隔設置並形成具有至少一次轉折的間隙24；所述第三打線部232-3是沿第二方向L2而與第三固晶部231-3間隔設置並形成具有至少一次轉折的間隙24；所述第四打線部232-2是沿第二方向L2而與第四固晶部231-4間隔設置並形成具有至少一次轉折的間隙24；所述第五打線部232-5是沿第二方向L2而與第五固晶部221-5間隔設置並形成具有至少一次轉折的間隙24。其中，上述每個間隙24於本實施例中大致呈W形，但本發明不以此為限。
所述五個發光二極體晶片4分別固定於第一固晶部231-1、第二固晶部231-2、第三固晶部231-3、第四固晶部231-4、及第五固晶部221-5，並分別打線至第一打線部211-1、第二打線部232-2、第三打線部232-3、第四打線部232-4、及第五打線部232-5。所述五個齊納二極體晶片5也分別固定於第一固晶部231-1、第二固晶部231-2、第三固晶部231-3、第四固晶部231-4、及第五固晶部221-5，並分別打線至第一打線部211-1、第二打線部232-2、第三打線部232-3、第四打線部232-4、及第五打線部232-5。
補充說明一點，上述呈L形的每個固晶部221、231或打線部211、232於本實施例中也可以被稱為功能部221、231、211、232。也就是說，本實施例的多個功能部221、231、211、232分別為承載多個所述發光單元U的多個固晶部221、231以及供多個所述發光單元U打線連接的多個打線部211、232。此外，所述電極層2的第三金屬墊23可以依據發光二極體晶片4的數量而作相對應的調整，又或者，當所述發光二極體封裝結構100的發光二極體晶片4數量是只有一個時，所述電極層2可省略第三金屬墊23，也就是說，所述電極層2僅包含相鄰設置的第一金屬墊21與第二金屬墊22。
如圖2，所述絕緣層8設置於基板1的第一板面11，並且所述絕緣層8和電極層2為形狀互補且共平面。也就是說，所述絕緣層8是設置在基板1未設置有電極層2的第一板面11部位上，並且絕緣層8的側緣切齊於基板1的側緣。
所述焊墊層3設置於基板1的第二板面12並且電性連接於上述電極層2和發光二極體晶片4。其中，所述焊墊層3包含有多組焊墊31，並且上述多組焊墊31通過埋置於所述基板1內的多個導電柱13而分別電性連接於上述電極層2的固晶部231、221與打線部211、232。
更詳細地說，每組焊墊31包含有一負極焊墊311與一正極焊墊312；而所述多組焊墊31的負極焊墊311分別位於固晶部231、 221下方，並且負極焊墊311與相對應的固晶部231、221經由導電柱13而電性連接，所述多組焊墊31的正極焊墊312分別位於打線部211、232下方，並且正極焊墊312與相對應的打線部211、232經由導電柱13而電性連接。
藉此，所述電極層2的設計搭配打線方式，可使所有發光二極體晶片4屬於相連通的電性串接。而焊墊層3的多組焊墊31則是分別電性獨立，藉以使每組焊墊31能夠獨立對其所對應的發光二極體晶片4進行通電。也就是說，任一發光二極體晶片4能夠被其所對應的該組焊墊31進行獨立控制，進而能被應用於適路性車燈系統(Adaptive Front Lighting System，AFS)。
如圖2，所述發光二極體晶片4於本實施例中是採用垂直式晶片(vertical chip)，所述多個發光二極體晶片4是分別安裝於電極層2的多個固晶部221、231上，並且所述多個發光二極體晶片4分別經打線而連接至電極層2的多個打線部211、232上。其中，上述每個發光二極體晶片4的至少三個邊緣切齊於相對應固晶部221、231的外緣。
所述多個齊納二極體晶片5分別安裝於電極層2的多個固晶部221、231並分別打線連接於電極層2的多個打線部211、232。其中，每個固晶部221、231上的所述齊納二極體晶片5與發光二極體晶片4是分別設置在不同區域，藉以避免固晶膠溢膠產生的製程干擾。
需先說明的是，在本實施例的發光二極體封裝結構100中，上述發光二極體晶片4的數量、螢光粉片6的數量、及導光群組7的數量皆相等，並且每個發光二極體晶片4及其搭配的螢光粉片6及導光群組7的構造是大致相同於另一個發光二極體晶片4及其搭配的螢光粉片6及導光群組7的構造。
如圖2、圖5、圖6A、和圖6B，所述螢光粉片6於本實施例中是指PIG(phosphor in glass)或PIC(phosphor in ceramic)，並且螢光粉片6的折射率介於1.5至1.85，而螢光粉片6的寬度W與厚度T的比值較佳是介於5至15。其中，所述發光二極體晶片4的頂面大致上被所述螢光粉片6完整覆蓋，並且所述螢光粉片6的至少一個側邊緣凸伸出所述發光二極體晶片4的距離D大致是5微米至10微米。
於本實施例中，所述螢光粉片6的至少三個側邊緣是凸伸出切齊固晶部221、231外緣的發光二極體晶片4至少三個邊緣。另外，所述發光二極體封裝結構100較佳是將上述螢光粉片6通過一透明黏著層G而固定於相對應的發光二極體晶片4上，但不受限於此。
再者，所述螢光粉片6包含有一出光面61，而所述出光面61遠離相對應的發光二極體晶片4並包含有一中心區611及圍繞於上述中心區611的一環形區612。其中，本實施例的環形區612是位於所述出光面61的邊緣與中心區611之間，並且中心區611的形狀可以視設計者需求而加以調整(如：圓形、正方形、矩形、或其他形狀)，本發明在此不加以限制。
所述導光群組7的折射率大致等於所述螢光粉片6的折射率，換句話說，所述導光群組7的材質可以為螢光粉材料，並且所述導光群組7的折射率大致介於1.5至1.85。其中，當導光群組7的材料與螢光粉片6的材料一樣時，可以透過模仁的方式一體成型為一具有導光群組7的螢光粉片6。當然，也可以是在以模仁形成導光群組7之後，再將導光群組7貼附於螢光粉片6上，本發明在此不加以限制。
進一步地說，所述導光群組7於本實施例中呈環形且包含有多個導光微結構71，上述多個導光微結構71分佈於上述螢光粉片6出光面61的整個環形區612上，並且上述多個導光微結構71較佳是直接成形於環形區612，但本發明不受限於此。再者，每一個導光微結構71於本實施例中為大致相同的構造，並且每個導光 微結構71可以是半球狀(如：圖6B)或角錐狀(如：圖6C)。其中，上述導光微結構71的橫截面面積是由所述環形區612朝遠離環形區612的方向逐漸地縮小，也就是說，在圖6B和圖6C中，每個導光微結構71是呈現下寬上窄的構造。藉此，本實施例的發光二極體封裝結構100通過將折射率等於螢光粉片6的導光群組7設置在螢光粉片6的環形區612上，以減少所述發光二極體晶片4的藍色光線在螢光粉片6環形區612所易產生的全反射，進而有效地改善發光二極體封裝結構100的黃暈現象。
需說明的是，所述導光群組7的多個導光微結構71與所述出光面61之間能以特定的配合關係，來使得上述發光二極體封裝結構100達到較佳的發光均勻性與發光效率。進一步地說，螢光粉片6的所述出光面61的一寬度定義為WG，所述環形區612的一寬度定義為WMS，任兩個相鄰所述導光微結構71的距離定義為PMS，任一個導光微結構71的高度定義為HMS；並且上述參數較佳是符合下列關係式：WG=XWMS=ZPMS，1<X<10，0<Z1000；PMS=YHMS，1.5Y2.5。
所述反射殼體9設置於電極層2與絕緣層8上，並且反射殼體9與絕緣層8較佳為一體成形的構造，但不受限於此。所述反射殼體9包覆於上述每個發光單元U的發光二極體晶片4側緣及螢光粉片6側緣，而多個齊納二極體晶片5則埋置於反射殼體9內。其中，所述反射殼體9的一頂面91大致切齊於上述多個螢光粉片6的出光面61。也就是說，所述反射殼體9的頂面91相對於基板1的距離等於任一螢光粉片6的出光面61相對於基板1的距離。
再者，所述反射殼體9具有截面呈倒T字形的一間隔部92，並且所述間隔部92使一個發光二極體晶片4及其上的螢光粉片6能與相鄰發光二極體晶片4及其上的螢光粉片6相互隔離。其中，鄰近於所述絕緣層8的間隔部92寬度大於遠離所述絕緣層8的間 隔部92寬度。
此外，本實施例的發光二極體封裝結構100雖是以圖1至圖6C的構造作說明，但設計者也可依據需求而加以調整變化，以下列舉本實施例的其中一種變化類型作一說明。
如圖7所示，其為本實施例的變化類型。所述發光二極體封裝結構100所採用的發光二極體晶片4類型可以是覆晶式晶片(flip chip)，因而對應調整電極層2的構造。其中，所述電極層2包含一第一金屬墊21、一第二金屬墊22和位於第一金屬墊21與第二金屬墊22之間的四個第三金屬墊23。第一金屬墊21與第二金屬墊22各包含呈L狀的一功能部211、221(如打線和固晶使用)、呈矩形的第一、第二延伸部212、222和呈矩形的第一、第二焊接部213、223。第一、第二延伸部212、222更包含兩個L型槽孔2121、2221設置其上。第三金屬墊23大致呈S狀，且每個第三金屬墊23間隔排列。第三金屬墊23的上半部作為打線部232，供齊納二極體晶片5打線設置，第三金屬墊23的下半部做為固晶部231，供齊納二極體晶片5和發光二極體晶片4設置，第三金屬墊23的下半部更包含T型槽孔2311。值得注意的是，此實施例採用的是覆晶式的發光二極體晶片4，發光二極體晶片4分別跨接在兩相鄰的金屬墊21、22、23上。進一步地說，第一個發光二極體晶片4跨接在第一金屬墊21與其相鄰的第三金屬墊23。第二個、第三個和第四個發光二極體晶片4跨接兩個相鄰的第三金屬墊23。第五個發光二極體晶片4跨接在第二金屬墊22與其相鄰的第三金屬墊23。該L型槽孔2121、2221和T型槽孔2311提供發光二極體晶片4對位用。
[實施例二]
如圖8至圖10所示，其為本發明的實施例二，本實施例與上述實施例一的差異在於：本實施例的發光二極體封裝結構100所 採用的發光二極體晶片4數量為單個晶片，而其他相對應的元件與構造則依據發光二極體晶片4數量作適應性的調整。
具體來說，本實施例的發光二極體封裝結構100包含一基板1、設置於上述基板1一側的一電極層2與一絕緣層8、設置於上述基板1另一側的一焊墊層3、設置於上述電極層2與絕緣層8的一發光二極體晶片4與一齊納二極體晶片5、分別覆蓋上述發光二極體晶片4的一螢光粉片6、設置於上述螢光粉片6的一環狀導光群組7、及設置於上述電極層2與絕緣層8上並且包覆於發光二極體晶片4側緣及螢光粉片6側緣的一反射殼體9。
需說明的是，上述發光二極體晶片4及其對應的螢光粉片6與導光群組7於本實施例中合併定義為一發光單元U，也就是說，本實施例的發光二極體封裝結構100包含有一個所述發光單元U。其中，上述發光單元U於本實施例中是以晶片級發光單元U來作說明，但本發明不受限於此。
所述基板1具有位於相反側的一第一板面11與一第二板面12，並且上述基板1內埋設有多個導電柱(圖中未示出)，而每個導電柱的相反兩端分別自所述基板1的第一板面11與第二板面12而裸露於外。
所述電極層2設置於基板1的第一板面11，並且所述電極層2包含有分隔設置的一第一金屬墊21與一第二金屬墊22。所述絕緣層8設置於基板1的第一板面11，並且所述絕緣層8和電極層2為形狀互補且共平面。也就是說，所述絕緣層8是設置在基板1未設置有電極層2的第一板面11部位上，並且絕緣層8的側緣切齊於基板1的側緣。所述焊墊層3設置於基板1的第二板面12並且通過上述導電柱而電性連接於上述電極層2和發光二極體晶片4。
所述發光二極體晶片4與齊納二極體晶片5皆安裝於電極層2。所述螢光粉片6與導光群組7的構造大致如同上述實施例一，在此不加以贅述。其中，發光二極體晶片4的頂面大致上被所述螢光粉片6完整覆蓋。所述導光群組7呈環形且包含有多個導光微結構71，上述多個導光微結構71分佈於螢光粉片6出光面61的整個環形區612上。其中，導光群組7覆蓋於螢光粉片6出光面61的區域至少35%至45%。換句話說，至少有55%至65%的螢光粉片6出光面61並未被導光群組7所覆蓋。
所述反射殼體9設置於電極層2與絕緣層8上，並且反射殼體9與絕緣層8較佳為一體成形的構造，但不受限於此。所述反射殼體9包覆於上述發光二極體晶片4的側緣及上述螢光粉片6的側緣，而齊納二極體晶片5則埋置於反射殼體9內。其中，所述反射殼體9的一頂面91大致切齊於上述螢光粉片6的出光面61。也就是說，所述反射殼體9的頂面91相對於基板1的距離等於螢光粉片6的出光面61相對於基板1的距離。
[實施例三]
如圖11和圖12所示，其為本發明的實施例三，本實施例與上述實施例一和二類似，相同處不在加以贅述，而兩個實施例的主要差異如下所述。本實施例的發光單元U包含有多個導光群組7，並且上述多個導光群組7彼此分離地設置於相對應螢光粉片6的環形區612上。其中，多個導光群組7是覆蓋相對應螢光粉片6之環形區612至少60%面積。其中，導光群組7覆蓋於螢光粉片6出光面61的區域至少21%至27%。換句話說，至少有73%至79%的螢光粉片6出光面61並未被導光群組7所覆蓋。
再者，本實施例發光二極體封裝結構100所採用的發光二極體晶片4數量可以是多個晶片(如：圖11)或是單個晶片(如：圖12)，而其他相對應的元件與構造則依據發光二極體晶片4數量作適應性的調整。
以上所述僅為本發明的優選可行實施例，並非用來侷限本發明的保護範圍，凡依本發明申請專利範圍所做的均等變化與修飾，皆應屬本發明的權利要求書的保護範圍。

Claims (14)

  1. 一種發光二極體封裝結構，包括：一基板，具有位於相反側的一第一板面與一第二板面；一電極層，設置於所述基板的所述第一板面；一絕緣層，設置於所述基板的所述第一板面，所述絕緣層和所述電極層為形狀互補，並且所述絕緣層和所述電極層共平面；至少一發光單元，包含有：一發光二極體晶片，安裝於所述電極層與所述絕緣層上；一螢光粉片，完整地覆蓋於所述發光二極體晶片的一頂面，所述螢光粉片包含遠離所述發光二極體晶片的一出光面，並且所述出光面包含有一中心區及圍繞於所述中心區的一環形區；及至少一導光群組，設置於所述螢光粉片的所述環形區上、並分佈於所述環形區的至少60%面積部位上，至少一所述導光群組包含多個導光微結構；一反射殼體，設置於所述電極層與所述絕緣層上並且包覆於至少一所述發光單元的所述發光二極體晶片的側緣及所述螢光粉片的側緣；以及一焊墊層，設置於所述基板的所述第二板面並且電性連接於所述電極層及至少一所述發光單元的所述發光二極體晶片。
  2. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中，至少一所述發光單元包含多個所述導光群組，並且多個所述導光群組彼此分離地設置於所述螢光粉片的所述環形區上。
  3. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中，至少一所述導光群組呈環形，並且多個所述導光微結構分佈於所述螢光粉片的整個所述環形區上。
  4. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中，所述反射殼體的頂面大致切齊於所述螢光粉片的所述出光面。
  5. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中，至少一所述發光單元的數量為多個，並且每個所述發光單元包含多個所述導光群組；在每個所述發光單元中，多個所述導光群組彼此分離地設置於所述螢光粉片的所述環形區上。
  6. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中，所述發光單元的數量為多個；在每個所述發光單元中，多個所述導光微結構排列成環形並且分佈於所述螢光粉片的整個所述環形區上。
  7. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中，所述螢光粉片的寬度與厚度的比值大致介於5至15。
  8. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中，所述螢光粉片的折射率大致介於1.5至1.85。
  9. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中，所述出光面的一寬度定義為WG，所述環形區的一寬度定義為WMS，並且WG=XWMS，1<X10。
  10. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中，任兩個相鄰所述導光微結構的距離定義為PMS，任一個所述導光微結構的高度定義為HMS，並且PMS=YHMS，1.5Y2.5。
  11. 如請求項1所述的發光二極體封裝結構，其中，所述出光面的一寬度定義為WG，所述環形區的一寬度定義為WMS，任兩個相鄰所述導光微結構的距離定義為PMS，WG=XWMS=ZPMS，1<X10，0<Z1000。
  12. 如請求項1至11中任一項所述的發光二極體封裝結構，其中，至少一所述導光群組的折射率大致等於所述螢光粉片的折射率，至少一所述導光群組的折射率大致介於1.5至1.85。
  13. 一種晶片級發光單元，包括：一發光二極體晶片；一螢光粉片，完整地覆蓋於所述發光二極體晶片的一頂面，所述螢光粉片包含遠離所述發光二極體晶片的一出光面，並且所述出光面包含有一中心區及圍繞於所述中心區的一環形區；以及至少一環狀導光群組，設置於所述螢光粉片的所述環形區上、並分佈於所述環形區的至少60%面積部位上，至少一所述環狀導光群組包含多個導光微結構。
  14. 如請求項13所述的晶片級發光單元，其中，至少一所述環狀導光群組的折射率大致等於所述螢光粉片的折射率，至少一所述環狀導光群組的折射率大致介於1.5至1.85，多個所述導光微結構為大致相同的構造，並且每個所述導光微結構為半球狀或角錐狀。
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