CN108269898A - 发光二极管封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板且呈共平面的电极层与绝缘层、安装于电极层的发光二极管芯片、完整包覆于发光二极管芯片顶面的荧光粉片、位于荧光粉片的出光面的第一透光层、及设置于电极层与绝缘层上且包覆发光二极管芯片与荧光粉片侧缘的反射壳体。所述出光面包含有中心区及围绕于中心区的环形区，第一透光层覆盖环形区的至少60％面积，第一透光层的折射率大于1并小于荧光粉片的折射率。反射壳体的顶面大致切齐于荧光粉片的出光面。借此，所述发光二极管封装结构能减少所述发光二极管芯片的蓝色光线在荧光粉片环形区所易产生的全反射，进而有效地改善发光二极管封装结构的黄晕现象。

Description

发光二极管封装结构
技术领域
本发明是涉及一种发光二极管，且还涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
现有的发光二极管封装结构包含发光二极管芯片及设置于上述发光二极管芯片上的荧光粉片。其中，所述发光二极管芯片经由荧光粉片中心区域射出的光线颜色会不同，而造成黄晕现象。进一步地说，上述黄晕现象产生的主要原因在于，发光二极管芯片经由荧光粉片外侧区域所射出的蓝色光线，是与荧光粉片的出光面形成有角度较大的入射角，并且加上荧光粉片与空气之间的折射率差异较大，所以使得所述蓝色光线易产生全反射。
于是，本发明人认为上述缺陷可改善，潜心研究并配合学理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。
发明内容
本发明实施例在于提供一种发光二极管封装结构，用来有效地解决现有发光二极管封装结构所易产生的问题。
本发明实施例公开一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：一基板，具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面；一电极层，设置于所述基板的所述第一板面；一绝缘层，设置于所述基板的所述第一板面，所述绝缘层和所述电极层为形状互补，并且所述绝缘层和所述电极层共平面；至少一发光二极管芯片，安装于所述电极层与所述绝缘层上；至少一荧光粉片，完整地覆盖于至少一所述发光二极管芯片的发光面，至少一所述荧光粉片包含远离至少一所述发光二极管芯片的一出光面，并且所述出光面包含有一中心区及围绕于所述中心区的一环形区；至少一第一透光层，设置于至少一所述荧光粉片的所述环形区上、并覆盖所述环形区的至少60％面积；其中，至少一所述第一透光层的折射率大于1并小于至少一所述荧光粉片的折射率；一反射壳体，设置于所述电极层与所述绝缘层上并且包覆于至少一所述发光二极管芯片的侧缘及至少一所述荧光粉片的侧缘；其中，所述反射壳体的顶面切齐于至少一所述荧光粉片的所述出光面；以及一焊垫层，设置于所述基板的所述第二板面并且电性连接于所述电极层及至少一所述发光二极管芯片。
优选地，至少一所述第一透光层包含有多个透光区段，并且多个所述透光区段彼此分离地设置于至少一所述荧光粉片的所述环形区上。
优选地，至少一所述第一透光层呈环形并且完整地覆盖于至少一所述荧光粉片的所述环形区上。
优选地，所述发光二极管封装结构进一步包括有围绕于至少一所述第一透光层外周缘的一第二透光层，并且所述第二透光层设置于所述反射壳体的至少部分所述顶面上。
优选地，所述发光二极管封装结构进一步包括有设置于至少一所述荧光粉片的所述中心区上的至少一辅助荧光粉片，并且至少一所述辅助荧光粉片位于至少一所述第一透光层所包围的空间内，至少一所述辅助荧光粉片的顶面切齐于至少一所述第一透光层。
优选地，所述发光二极管封装结构进一步包括有围绕于至少一所述第一透光层外周缘的一第二透光层，并且所述第二透光层设置于所述反射壳体的至少部分所述顶面上。
优选地，至少一所述发光二极管芯片的数量、至少一所述荧光粉片的数量、及至少一所述第一透光层的数量皆相等且各为多个。
优选地，每个所述第一透光层包含有多个透光区段，并且每个所述第一透光层的多个所述透光区段彼此分离地设置于相对应的所述荧光粉片的所述环形区上。
优选地，每个所述第一透光层呈环形并且完整地覆盖于相对应的所述荧光粉片的所述环形区上。
优选地，至少一所述荧光粉片的宽度与厚度的比值介于5至15。
优选地，至少一所述荧光粉片的折射率介于1.5至1.85。
优选地，至少一所述第一透光层的厚度介于50微米至100微米，所述中心区的宽度不大于10倍的至少一所述第一透光层厚度。
优选地，所述出光面的宽度为2倍至6倍的所述中心区的宽度。
本发明实施例也公开一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：一基板，具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面；一电极层，设置于所述基板的所述第一板面；一绝缘层，设置于所述基板的所述第一板面，所述绝缘层和所述电极层为形状互补，并且所述绝缘层和所述电极层共平面；至少一发光二极管芯片，安装于所述电极层与所述绝缘层上；至少一荧光粉片，完整地覆盖于至少一所述发光二极管芯片的发光面，至少一所述荧光粉片包含远离至少一所述发光二极管芯片的一出光面，并且所述出光面包含有一中心区及围绕于所述中心区的一环形区；至少一辅助荧光粉片，设置于至少一所述荧光粉片的所述中心区上；至少一第一透光层，设置于至少一所述荧光粉片的所述环形区上、并覆盖所述环形区的至少60％面积，并且至少一所述辅助荧光粉片位于至少一所述第一透光层所包围的空间内；其中，至少一所述第一透光层的折射率大于1并小于至少一所述荧光粉片的折射率；一反射壳体，设置于所述电极层与所述绝缘层上并且包覆于至少一所述发光二极管芯片的侧缘、至少一所述荧光粉片的侧缘、及至少一所述第一透光层的侧缘；其中，所述反射壳体的顶面切齐于至少一所述辅助荧光粉片的顶面以及至少一所述第一透光层的顶面；以及一焊垫层，设置于所述基板的所述第二板面并且电性连接于所述电极层及至少一所述发光二极管芯片。
优选地，至少一所述发光二极管芯片的数量、至少一所述荧光粉片的数量、至少一所述辅助荧光粉片的数量、及至少一所述第一透光层的数量皆相等且各为多个。
优选地，至少一所述第一透光层呈环形并且围绕至少一所述辅助荧光粉片。
综上所述，本发明实施例所公开的发光二极管封装结构，通过将折射率大于1并小于荧光粉片的第一透光层设置在荧光粉片的环形区上，以减少所述发光二极管芯片的蓝色光线在荧光粉片环形区所易产生的全反射，进而有效地改善发光二极管封装结构的黄晕现象。另外，荧光粉片搭配辅助荧光粉片时，更能提升色彩均匀度。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。
附图说明
图1为本发明发光二极管封装结构实施例一的立体示意图。
图2为图1的分解示意图。
图3为图1另一视角的分解示意图。
图4为图2中的电极层的俯视示意图。
图5为图1沿剖线V-V的剖视示意图。
图6为图5中的VI部位的放大示意图。
图7为本发明实施例一电极层的变化类型的俯视示意图。
图8为本发明发光二极管封装结构实施例二的示意图。
图9为图8的分解示意图。
图10为图8沿剖线X-X的剖视示意图。
图11为本发明发光二极管封装结构实施例三的示意图(一)。
图12为本发明发光二极管封装结构实施例三的示意图(二)。
图13为本发明发光二极管封装结构实施例四的的示意图。
图14为本发明发光二极管封装结构实施例五的示意图。
图15为图14沿剖线XV-XV的剖视示意图。
图16为本发明发光二极管封装结构实施例六的立体示意图。
图17为图16的分解示意图。
图18为图16沿剖线XVⅢ-XVⅢ的剖视示意图。
图19为图18中的XIX部位的放大示意图。
图20为本发明发光二极管封装结构实施例七的示意图。
图21为图20的分解示意图。
图22为图20沿剖线XXⅡ-XXⅡ的剖视示意图。
图23为本发明发光二极管封装结构实施例八的示意图(一)。
图24为本发明发光二极管封装结构实施例八的示意图(二)。
具体实施方式
[实施例一]
请参阅图1至图7，其为本发明的实施例一，需先说明的是，本实施例对应附图所提及的相关数量与外型，仅用来具体地说明本发明的实施方式，以便于了解本发明的内容，而非用来局限本发明的保护范围。
如图1至图3所示，本实施例公开一种发光二极管封装结构100，其包含一基板1、设置于上述基板1一侧的一电极层2与一绝缘层8、设置于上述基板1另一侧的一焊垫层3、设置于上述电极层2与绝缘层8的多个发光二极管芯片4与多个齐纳二极管芯片5、分别覆盖上述多个发光二极管芯片4的多个荧光粉片6a、分别设置于上述多个荧光粉片6a的多个环状第一透光层7a、及设置于上述电极层2与绝缘层8上并且包覆于发光二极管芯片4侧缘及荧光粉片6a侧缘的一反射壳体9。
如图2和图3，所述基板1具有位于相反侧的一第一板面11与一第二板面12，并且上述基板1内埋设有多个导电柱13，而每个导电柱13的相反两端分别自所述基板1的第一板面11与第二板面12而裸露于外。
如图2和图4，所述电极层2设置于基板1的第一板面11，并且所述电极层2包含有一第一金属垫21、一第二金属垫22、及位于上述第一金属垫21与第二金属垫22之间且呈间隔排行的四个第三金属垫23。
所述第一金属垫21包含有呈L形的一第一打线部211-1(也可称为打线部211)、长条状的一第一延伸部212、及呈矩形的一第一焊接部213，并且上述第一延伸部212连接第一打线部211-1与第一焊接部213。所述第二金属垫22包含有呈L形的一第五固晶部221-5(也可称为固晶部221)、长条状的一第二延伸部222、及呈矩形的一第二焊接部223，并且上述第二延伸部222连接第五固晶部221-5与第二焊接部223。所述每个第三金属垫23包含有呈L形的一固晶部231(如第一、第二、第三、第四固晶部231-1～231-4)及一体连接于上述固晶部231且呈L形的一打线部232(如第二、第三、第四、第五打线部232-2～232-5)。其中，上述每个固晶部221-5、231-1～231-4(也就是第一、第二、第三、第四、第五固晶部)是用以供一个发光二极管芯片4与一个齐纳二极管芯片5进行安装设置，上述每个打线部211-1、232-2～232-5(也就是第一、第二、第三、第四、第五打线部)则是用以供一个发光二极管芯片4与一个齐纳二极管芯片5进行打线。
再者，所述第一金属垫21的第一打线部211-1以及上述多个第三金属垫23的第二至第五打线部232-2～232-5是沿着一第一方向L1间隔地排成一行，所述第二金属垫22的第五固晶部221-5以及上述多个第三金属垫23的第一至第四固晶部231-1～231-4是沿着第一方向L1间隔地排成另一行。并且上述多个固晶部231-1～231-4、221-5和多个打线部211-1、232-2～232-5呈交错设置。
换个角度说，本实施例第一金属垫21的打线部211可定义为第一打线部211-1，而其余打线部232则自上述第一打线部211-1沿第一方向L1依序定义为第二打线部232-2、第三打线部232-3、第四打线部232-4、及第五打线部232-5。再者，最远离第二金属垫22固晶部221的第三金属垫23固晶部231定义为第一固晶部231-1，而其余固晶部231、221则自上述第一固晶部231沿第一方向L1依序定义为第二固晶部231-2、第三固晶部231-3、第四固晶部231-4、及第五固晶部221-5。
所述第一打线部211-1是沿垂直第一方向L1的一第二方向L2而与第一固晶部231-1间隔设置并形成具有至少一次转折的间隙24；所述第二打线部232-2是沿第二方向L2而与第二固晶部231-2间隔设置并形成具有至少一次转折的间隙24；所述第三打线部232-3是沿第二方向L2而与第三固晶部231-3间隔设置并形成具有至少一次转折的间隙24；所述第四打线部232-2是沿第二方向L2而与第四固晶部231-4间隔设置并形成具有至少一次转折的间隙24；所述第五打线部232-5是沿第二方向L2而与第五固晶部221-5间隔设置并形成具有至少一次转折的间隙24。其中，上述每个间隙24于本实施例中大致呈W形，但本发明不以此为限。
所述五个发光二极管芯片4分别固定于第一固晶部231-1、第二固晶部231-2、第三固晶部231-3、第四固晶部231-4、及第五固晶部221-5，并分别打线至第一打线部211-1、第二打线部232-2、第三打线部232-3、第四打线部232-4、及第五打线部232-5。所述五个齐纳二极管芯片5也分别固定于第一固晶部231-1、第二固晶部231-2、第三固晶部231-3、第四固晶部231-4、及第五固晶部221-5，并分别打线至第一打线部211-1、第二打线部232-2、第三打线部232-3、第四打线部232-4、及第五打线部232-5。
补充说明一点，上述呈L形的每个固晶部221、231或打线部211、232于本实施例中也可以被称为功能部221、231、211、232。也就是说，本实施例的多个功能部221、231、211、232分别为承载多个所述发光单元U的多个固晶部221、231以及供多个所述发光单元U打线连接的多个打线部211、232。此外，所述电极层2的第三金属垫23可以依据发光二极管芯片4的数量而作相对应的调整，又或者，当所述发光二极管封装结构100的发光二极管芯片4数量是只有一个时，所述电极层2可省略第三金属垫23，也就是说，所述电极层2仅包含相邻设置的第一金属垫21与第二金属垫22。
如图2，所述绝缘层8设置于基板1的第一板面11，并且所述绝缘层8和电极层2为形状互补且共平面。也就是说，所述绝缘层8是设置在基板1未设置有电极层2的第一板面11部位上，并且绝缘层8的侧缘切齐于基板1的侧缘。
所述焊垫层3设置于基板1的第二板面12并且电性连接于上述电极层2和发光二极管芯片4。其中，所述焊垫层3包含有多组焊垫31，并且上述多组焊垫31通过埋置于所述基板1内的多个导电柱13而分别电性连接于上述电极层2的固晶部231、221与打线部211、232。
更详细地说，每组焊垫31包含有一负极焊垫311与一正极焊垫312；而所述多组焊垫31的负极焊垫311分别位于固晶部231、221下方，并且负极焊垫311与相对应的固晶部231、221经由导电柱13而电性连接，所述多组焊垫31的正极焊垫312分别位于打线部211、232下方，并且正极焊垫312与相对应的打线部211、232经由导电柱13而电性连接。
借此，所述电极层2的设计搭配打线方式，可使所有发光二极管芯片4属于相连通的电性串接。而焊垫层3的多组焊垫31则是分别电性独立，借以使每组焊垫31能够独立对其所对应的发光二极管芯片4进行通电。也就是说，任一发光二极管芯片4能够被其所对应的该组焊垫31进行独立控制，进而能被应用于适路性车灯系统(Adaptive Front LightingSystem，AFS)。
如图2，所述发光二极管芯片4于本实施例中是采用垂直式芯片(vertical chip)，所述多个发光二极管芯片4是分别安装于电极层2的多个固晶部221、231上，并且所述多个发光二极管芯片4分别经打线而连接至电极层2的多个打线部211、232上。其中，上述每个发光二极管芯片4的至少三个边缘切齐于相对应固晶部221、231的外缘。
所述多个齐纳二极管芯片5分别安装于电极层2的多个固晶部221、231并分别打线连接于电极层2的多个打线部211、232。其中，每个固晶部211、231上的所述齐纳二极管芯片5与发光二极管芯片4是分别设置在不同区域，借以避免固晶胶溢胶产生的工艺干扰。
需先说明的是，在本实施例的发光二极管封装结构100中，上述发光二极管芯片4的数量、荧光粉片6a的数量、及第一透光层7a的数量皆相等，并且每个发光二极管芯片4及其搭配的荧光粉片6a及第一透光层7a的构造是大致相同于另一个发光二极管芯片4及其搭配的荧光粉片6a及第一透光层7a的构造。
如图2、图5、和图6，所述荧光粉片6a于本实施例中是指PIG(phosphor in glass)或PIC(phosphor in ceramic)，并且荧光粉片6a的折射率介于1.5至1.85，而荧光粉片6a的宽度W1与厚度T的比值较佳是介于5至15。其中，所述发光二极管芯片4的发光面大致上被所述荧光粉片6a完整覆盖，并且所述荧光粉片6a的至少一个侧边缘凸伸出所述发光二极管芯片4的距离D1大致是5微米至10微米。
于本实施例中，所述荧光粉片6a的至少三个侧边缘是凸伸出切齐固晶部221、231外缘的发光二极管芯片4至少三个边缘。另外，所述发光二极管封装结构100较佳是将上述荧光粉片6a通过一透明黏着层G而固定于相对应的发光二极管芯片4上，但不受限于此。
再者，所述荧光粉片6a包含有一出光面61a，而所述出光面61a远离相对应的发光二极管芯片4并包含有一中心区611a及围绕于上述中心区611a的一环形区612a。其中，本实施例的环形区612a是位于所述出光面61a的边缘与中心区611a之间，并且中心区611a的形状可以视设计者需求而加以调整(如：圆形、正方形、矩形、或其他形状)，本发明在此不加以限制。
所述第一透光层7a的折射率大于1并小于所述荧光粉片6a的折射率，而所述第一透光层7a的材质于本实施例中可以是硅胶(Silicone resin)、环氧树脂(Epoxy resin)、聚氨酯(Polyurethanes)、或是光学镀膜材质(如：二氧化硅、氟化镁)。
进一步地说，所述第一透光层7a于本实施例中是完整地覆盖上述荧光粉片6a的出光面61a环形区612a，也就是第一透光层7a呈封闭的环状结构。其中，所述第一透光层7a的厚度D2介于50微米至100微米，而所述出光面61a的中心区611a宽度W2不大于10倍的所述第一透光层7a厚度D2，上述中心区611a宽度W2较佳是大于200微米并小于500微米。
换个角度来说，所述出光面61a的宽度W1为2倍至6倍的所述中心区611a的宽度W2。其中，依据实验模拟结果，当上述出光面61a的宽度W1为5倍的所述中心区611a的宽度W2时，所述发光二极管封装结构100的光通量约提升16.67％；而当出光面61a的宽度W1为3倍的所述中心区611a的宽度W2时，所述发光二极管封装结构100的光通量也能大致提升9.67％。
借此，本实施例的发光二极管封装结构100通过将折射率大于1并小于荧光粉片6a的第一透光层7a设置在荧光粉片6a的环形区612a上，以减少所述发光二极管芯片4的蓝色光线在荧光粉片6a环形区612a所易产生的全反射，进而有效地改善发光二极管封装结构100的黄晕现象。
所述反射壳体9设置于电极层2与绝缘层8上，并且反射壳体9与绝缘层8较佳为一体成形的构造，但不受限于此。所述反射壳体9包覆于上述多个发光二极管芯片4的侧缘及上述多个荧光粉片6a的侧缘，而多个齐纳二极管芯片5则埋置于反射壳体9内。其中，所述反射壳体9的一顶面91大致切齐于上述多个荧光粉片6a的出光面61a。也就是说，所述反射壳体9的顶面91相对于基板1的距离等于任一荧光粉片6a的出光面61a相对于基板1的距离。
再者，所述反射壳体9具有截面呈倒T字形的一间隔部92，并且所述间隔部92使一个发光二极管芯片4及其上的荧光粉片6a能与相邻发光二极管芯片4及其上的荧光粉片6a相互隔离。其中，邻近于所述绝缘层8的间隔部92宽度W3大于远离所述绝缘层8的间隔部92宽度W4。
此外，本实施例的发光二极管封装结构100虽是以图1至图6的构造作说明，但设计者也可依据需求而加以调整变化，以下行举本实施例的其中一种变化类型作一说明。
如图7所示，其为本实施例的变化类型。所述发光二极管封装结构100所采用的发光二极管芯片4类型可以是覆晶式芯片(flip chip)，因而对应调整电极层2的构造。其中，所述电极层2包含一第一金属垫21、一第二金属垫22和位于第一金属垫21与第二金属垫22之间的四个第三金属垫23。第一金属垫21与第二金属垫22各包含呈L状的一功能部211、221(如打线和固晶使用)、呈矩形的第一、第二延伸部212、222和呈矩形的第一、第二焊接部213、223。第一、第二延伸部212、222更包含两个L型槽孔2121、2221设置其上。第三金属垫23大致呈S状，且每个第三金属垫23间隔排行。第三金属垫23的上半部作为打线部232，供齐纳二极管芯片5打线设置，第三金属垫23的下半部做为固晶部231，供齐纳二极管芯片5和发光二极管芯片4设置，第三金属垫23的下半部更包含T型槽孔2311。值得注意的是，此实施例采用的是覆晶式的发光二极管芯片4，发光二极管芯片4分别跨接在两相邻的金属垫21、22、23上。进一步地说，第一个发光二极管芯片4跨接在第一金属垫21与其相邻的第三金属垫23。第二个、第三个和第四个发光二极管芯片4跨接两个相邻的第三金属垫23。第五个发光二极管芯片4跨接在第二金属垫22与其相邻的第三金属垫23。该L型槽孔2121、2221和T型槽孔2311提供发光二极管芯片4对位用。
[实施例二]
如图8至图10所示，其为本发明的实施例二，本实施例与上述实施例一的差异在于：本实施例的发光二极管封装结构100所采用的发光二极管芯片4数量为单个芯片，而其他相对应的组件与构造则依据发光二极管芯片4数量作适应性的调整。
具体来说，本实施例的发光二极管封装结构100包含一基板1、设置于上述基板1一侧的一电极层2与一绝缘层8、设置于上述基板1另一侧的一焊垫层3、设置于上述电极层2与绝缘层8的一发光二极管芯片4与一齐纳二极管芯片5、分别覆盖上述发光二极管芯片4的一荧光粉片6a、设置于上述荧光粉片6a的一环状第一透光层7a、及设置于上述电极层2与绝缘层8上并且包覆于发光二极管芯片4侧缘及荧光粉片6a侧缘的一反射壳体9。
所述基板1具有位于相反侧的一第一板面11与一第二板面12，并且上述基板1内埋设有多个导电柱(图中未示出)，而每个导电柱的相反两端分别自所述基板1的第一板面11与第二板面12而裸露于外。
所述电极层2设置于基板1的第一板面11，并且所述电极层2包含有分隔设置的一第一金属垫21与一第二金属垫22。所述绝缘层8设置于基板1的第一板面11，并且所述绝缘层8和电极层2为形状互补且共平面。也就是说，所述绝缘层8是设置在基板1未设置有电极层2的第一板面11部位上，并且绝缘层8的侧缘切齐于基板1的侧缘。所述焊垫层3设置于基板1的第二板面12并且通过上述导电柱而电性连接于上述电极层2和发光二极管芯片4。
所述发光二极管芯片4与齐纳二极管芯片5皆安装于电极层2。所述荧光粉片6a与第一透光层7a的构造大致如同上述实施例一，在此不加以赘述。其中，发光二极管芯片4的发光面大致上被所述荧光粉片6a完整覆盖。所述第一透光层7a完整地覆盖上述荧光粉片6a的出光面61a环形区612a，也就是第一透光层7a呈封闭的环状结构。
所述反射壳体9设置于电极层2与绝缘层8上，并且反射壳体9与绝缘层8较佳为一体成形的构造，但不受限于此。所述反射壳体9包覆于上述发光二极管芯片4的侧缘及上述荧光粉片6a的侧缘，而齐纳二极管芯片5则埋置于反射壳体9内。其中，所述反射壳体9的一顶面91大致切齐于上述荧光粉片6a的出光面61a。也就是说，所述反射壳体9的顶面91相对于基板1的距离等于荧光粉片6a的出光面61a相对于基板1的距离。
[实施例三]
如图11和图12所示，其为本发明的实施例三，本实施例与上述实施例一和二类似，相同处不在加以赘述，而两个实施例的主要差异如下所述。本实施例的第一透光层7a包含有多个透光区段71a，并且上述多个透光区段71a彼此分离地设置于相对应荧光粉片6a的环形区612a上。其中，每个第一透光层7a(的多个透光区段71a)是覆盖相对应荧光粉片6a之环形区612a的至少60％面积。
再者，本实施例发光二极管封装结构100所采用的发光二极管芯片4数量可以是多个芯片(如图11)或是单个芯片(如图12)，而其他相对应的组件与构造则依据发光二极管芯片4数量作适应性的调整。
[实施例四]
如图13所示，其为本发明的实施例四，本实施例与上述实施例二类似，相同处不再加以赘述，而两个实施例的主要差异如下所述。所述发光二极管封装结构100进一步包括有围绕于每个第一透光层7a外周缘的一第二透光层7b，并且所述第二透光层7b设置于反射壳体9的至少部分顶面91上。也就是说，所述第二透光层7b可以设置于反射壳体9的整个顶面91上(如图13)或是部分顶面91上(图中未示出)，本实施例不加以限制。
[实施例五]
如图14和图15所示，其为本发明的实施例五，本实施例与上述实施例四类似，相同处不在加以赘述，而两个实施例的主要差异如下所述。所述发光二极管封装结构100进一步包括有设置于上述多个荧光粉片6a中心区611a上的多个辅助荧光粉片6b，并且所述每个辅助荧光粉片6b是位于相对应第一透光层7a所包围的空间内，而所述辅助荧光粉片6b的顶面较佳是大致切齐于相对应的第一透光层7a和第二透光层7b。
[实施例六]
请参阅图16至图19，其为本发明的实施例六，本实施例与上述实施例一类似，相同处则不再加以赘述，而本实施例的差异主要如下所述。
本实施例的发光二极管封装结构100包含一基板1、设置于上述基板1一侧的一电极层2与一绝缘层8、设置于上述基板1另一侧的一焊垫层3、设置于上述电极层2与绝缘层8的多个发光二极管芯片4与多个齐纳二极管芯片5、分别覆盖上述多个发光二极管芯片4的多个荧光粉片6a、分别覆盖上述多个荧光粉片6a的多个辅助荧光粉片6b、分别覆盖上述多个荧光粉片6a的多个第一透光层7a、及设置于上述电极层2与绝缘层8上并且包覆于发光二极管芯片4侧缘及荧光粉片6a侧缘的一反射壳体9。
其中，本实施例发光二极管封装结构100的发光二极管芯片4数量、荧光粉片6a数量、辅助荧光粉片6b数量、及第一透光层7a数量皆相等。所述辅助荧光粉片6b的材质如同上述荧光粉片6a，每个辅助荧光粉片6b是设置于相对应荧光粉片6a的中心区611a上，并且每个辅助荧光粉片6b是位于相对应第一透光层7a所包围的空间内。再者，所述反射壳体9的顶面91大致切齐于每个辅助荧光粉片6b的顶面以及每个第一透光层7a的顶面。
此外，本实施例的发光二极管封装结构100能够参考上述实施例二至五的发光二极管封装结构100而加以变化。
[实施例七]
如图20至图22所示，其为本发明的实施例七，本实施例与上述实施例六和二类似，相同处不在加以赘述。本实施例与上述实施例六的差异在于：发光二极管封装结构100所采用的发光二极管芯片4数量可以是单个芯片，辅助荧光粉片6b是位于相对应第一透光层7a所包围的空间内，所述反射壳体9的顶面91大致切齐于每个辅助荧光粉片6b的顶面以及每个第一透光层7a的顶面。而其他相对应的组件与构造则依据发光二极管芯片4数量作适应性的调整(具体的调整方式类似于实施例二)。
[实施例八]
如图23和图24所示，其为本发明的实施例八，本实施例与上述实施例七类似，相同处不在加以赘述，而两个实施例的主要差异如下所述。本实施例的第一透光层7a包含有多个透光区段71a，并且上述多个透光区段71a彼此分离地设置于相对应荧光粉片6a的环形区612a上。其中，每个第一透光层7a(的多个透光区段71a)是覆盖相对应荧光粉片6a之环形区612a的至少60％面积。
再者，本实施例发光二极管封装结构100所采用的发光二极管芯片4数量可以是多个芯片(如图24)或是单个芯片(如图23)，而其他相对应的组件与构造则依据发光二极管芯片4数量作适应性的调整。
以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，并非用来局限本发明的保护范围，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：
一基板，具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面；
一电极层，设置于所述基板的所述第一板面；
一绝缘层，设置于所述基板的所述第一板面，所述绝缘层和所述电极层为形状互补，并且所述绝缘层和所述电极层共平面；
至少一发光二极管芯片，安装于所述电极层与所述绝缘层上；
至少一荧光粉片，完整地覆盖于至少一所述发光二极管芯片的发光面，至少一所述荧光粉片包含远离至少一所述发光二极管芯片的一出光面，并且所述出光面包含有一中心区及围绕于所述中心区的一环形区；
至少一第一透光层，设置于至少一所述荧光粉片的所述环形区上、并覆盖所述环形区的至少60％面积；其中，至少一所述第一透光层的折射率大于1并小于至少一所述荧光粉片的折射率；
一反射壳体，设置于所述电极层与所述绝缘层上并且包覆于至少一所述发光二极管芯片的侧缘及至少一所述荧光粉片的侧缘；其中，所述反射壳体的顶面切齐于至少一所述荧光粉片的所述出光面；以及
一焊垫层，设置于所述基板的所述第二板面并且电性连接于所述电极层及至少一所述发光二极管芯片。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，至少一所述第一透光层包含有多个透光区段，并且多个所述透光区段彼此分离地设置于至少一所述荧光粉片的所述环形区上。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，至少一所述第一透光层呈环形并且完整地覆盖于至少一所述荧光粉片的所述环形区上。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构进一步包括有围绕于至少一所述第一透光层外周缘的一第二透光层，并且所述第二透光层设置于所述反射壳体的至少部分所述顶面上。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构进一步包括有设置于至少一所述荧光粉片的所述中心区上的至少一辅助荧光粉片，并且至少一所述辅助荧光粉片位于至少一所述第一透光层所包围的空间内，至少一所述辅助荧光粉片的顶面切齐于至少一所述第一透光层。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构进一步包括有围绕于至少一所述第一透光层外周缘的一第二透光层，并且所述第二透光层设置于所述反射壳体的至少部分所述顶面上。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，至少一所述发光二极管芯片的数量、至少一所述荧光粉片的数量、及至少一所述第一透光层的数量皆相等且各为多个。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，每个所述第一透光层包含有多个透光区段，并且每个所述第一透光层的多个所述透光区段彼此分离地设置于相对应的所述荧光粉片的所述环形区上。
9.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，每个所述第一透光层呈环形并且完整地覆盖于相对应的所述荧光粉片的所述环形区上。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，至少一所述荧光粉片的宽度与厚度的比值介于5至15。
11.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，至少一所述荧光粉片的折射率介于1.5至1.85。
12.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，至少一所述第一透光层的厚度介于50微米至100微米，所述中心区的宽度不大于10倍的至少一所述第一透光层厚度。
13.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述出光面的宽度为2倍至6倍的所述中心区的宽度。
14.一种发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管封装结构包括：
一基板，具有位于相反侧的一第一板面与一第二板面；
一电极层，设置于所述基板的所述第一板面；
一绝缘层，设置于所述基板的所述第一板面，所述绝缘层和所述电极层为形状互补，并且所述绝缘层和所述电极层共平面；
至少一发光二极管芯片，安装于所述电极层与所述绝缘层上；
至少一荧光粉片，完整地覆盖于至少一所述发光二极管芯片的发光面，至少一所述荧光粉片包含远离至少一所述发光二极管芯片的一出光面，并且所述出光面包含有一中心区及围绕于所述中心区的一环形区；
至少一辅助荧光粉片，设置于至少一所述荧光粉片的所述中心区上；
至少一第一透光层，设置于至少一所述荧光粉片的所述环形区上、并覆盖所述环形区的至少60％面积，并且至少一所述辅助荧光粉片位于至少一所述第一透光层所包围的空间内；其中，至少一所述第一透光层的折射率大于1并小于至少一所述荧光粉片的折射率；
一反射壳体，设置于所述电极层与所述绝缘层上并且包覆于至少一所述发光二极管芯片的侧缘、至少一所述荧光粉片的侧缘、及至少一所述第一透光层的侧缘；其中，所述反射壳体的顶面切齐于至少一所述辅助荧光粉片的顶面以及至少一所述第一透光层的顶面；以及
一焊垫层，设置于所述基板的所述第二板面并且电性连接于所述电极层及至少一所述发光二极管芯片。
15.如权利要求14所述的发光二极管封装结构，其特征在于，至少一所述发光二极管芯片的数量、至少一所述荧光粉片的数量、至少一所述辅助荧光粉片的数量、及至少一所述第一透光层的数量皆相等且各为多个。
16.如权利要求14所述的发光二极管封装结构，其特征在于，至少一所述第一透光层呈环形并且围绕至少一所述辅助荧光粉片。
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