본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 출원은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 출원의 개시가 완전하도록 하며, 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 출원은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 2를 참조하여, 본 출원의 실시예들에 따른 고분자 전해질 조성물, 고분자 전해질막, 막-전극 접합체 및 연료전지를 설명한다.
본 출원의 일 실시예에 따른 고분자 전해질 조성물은 제1 용매, 제2 용매 및 고분자를 포함할 수 있다.
고분자는 친수성 블록과 소수성 블록을 포함하는 블록형 공중합체 일 수 있다.
상기 친수성 블록은 작용기로 이온 교환기를 갖는 블록을 의미한다. 여기서, 상기 작용기는 ―SO3H, ―SO3
-M+, ―COOH, ―COO-M+, ―PO3H2, ―PO3H-M+ 및 ―PO3
2-2M+로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 여기서, M은 금속성 원소일 수 있다. 즉, 작용기는 친수성일 수 있다.
또한, 친수성 블록의 중량평균분자량은 1,000 내지 500,000 (g/mol)이고, 소수성 블록의 중량평균분자량은 1,000 내지 500,000 (g/mol)일 수 있다.
여기서, “이온 교환기를 갖는 블록”이란, 해당 블록을 구성하는 구조 단위 1개당 있는 이온 교환기수로 나타내어 평균 0.5개 이상 포함되어 있는 블록인 것을 의미하고, 구조 단위 1개당 평균 1.0개 이상의 이온 교환기를 갖고 있으면 더 바람직하다.
상기 소수성 블록은 이온 교환기를 실질적으로 갖지 않는 상기 고분자 블록을 의미한다.
여기서, “이온 교환기를 실질적으로 갖지 않는 블록”이란, 해당 블록을 구성하는 구조 단위 1개당 있는 이온 교환기수로 나타내어 평균 0.1개 미만인 블록인 것을 의미하고, 평균 0.05개 이하이면 보다 바람직하며, 이온 교환기를 전혀 갖지 않는 블록이면 더 바람직하다.
한편, 본 출원에 있어서의 “블록형 공중합체”란, 친수성 블록과 소수성 블록이 주쇄 구조를 형성하고 있는 공중합 양식의 것에 더하여, 한쪽의 블록이 주쇄 구조를 형성하고 다른 쪽의 블록이 측쇄 구조를 형성하고 있는 그래프트 중합의 공중합 양식의 공중합체도 포함하는 개념이다. 한편, 본 출원에서 사용되는 고분자는 상술한 블록형 공중합체에 한정되는 것은 아니고, 불소계 원소를 포함하는 고분자도 사용될 수 있다. 이때, 불소계 원소를 포함하는 고분자도 작용기를 포함할 수 있는데, 상기 작용기는 친수성일 수 있다. 예를 들어, 상기 작용기는 ―SO3H, ―SO3
-M+, ―COOH, ―COO-M+, ―PO3H2, ―PO3H-M+ 및 ―PO3
2-2M+로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 여기서, M은 금속성 원소일 수 있다.
본 출원에서 화학식에서 표시되는 O는 산소, N은 질소, S는 황, Si는 규소, H는 수소를 의미한다.
본 출원에서 사용되는 블록형 공중합체 고분자는 예를 들어, 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 블록형 공중합체일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 2에 있어서, A, C 및 V는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
[화학식 1-3]
상기 화학식 1-1 내지 1-3에 있어서,
X1은 직접연결이거나, -C(Z1)(Z2)-, -CO-, -O-, -S-, -SO2- 및 -Si(Z1)(Z2)- 중 어느 하나이고,
Z1 및 Z2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 알킬기, 트리플루오로메틸기(-CF3) 및 페닐기 중 어느 하나이며,
S1 및 S2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기이며,
b 및 c는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 이상이고 4 이하인 정수이다.
S3 내지 S6은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기이고,
d, e, f 및 g는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 이상이고 4 이하인 정수이다.
S7 내지 S10은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기이고,
h, i, j 및 k는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 이상이고 4 이하인 정수이다.
상기 화학식 1-1은 하기 화학식 1-1-1로 표시될 수 있다.
[화학식 1-1-1]
상기 화학식 1-1-1에 있어서, X1, S1, S2, b 및 c는 상기 화학식 1-1과 동일하다.
상기 화학식 1-2는 하기 화학식 1-2-1로 표시될 수 있다.
[화학식 1-2-1]
상기 화학식 1-2-1에 있어서, S3 내지 S6, d, e, f 및 g는 상기 화학식 1-2와 동일하다.
상기 화학식 1-3은 하기 화학식 1-3-1로 표시될 수 있다.
[화학식 1-3-1]
상기 화학식 1-3-1에 있어서, S7 내지 S10, h, i, j 및 k는 상기 화학식 1-3과 동일하다.
상기 화학식 1 및 2에 있어서, A, C 및 V는 서로 동일하거나 상이하고,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
및
로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있으며, 상기 R
1 및 R
2은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 니트로기(―NO
2) 또는 트리플루오로메틸기 (―CF
3)이다.
상기 화학식 1 및 2에 있어서, A, C 및 V는 서로 동일하거나 상이하고,
또는
일 수 있으며, 상기 R
1 및 R
2은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 니트로기(―NO
2) 또는 트리플루오로메틸기 (―CF
3)이다.
상기 화학식 1에 있어서, U는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-4 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
[화학식 2-3]
[화학식 2-4]
상기 화학식 2-1 내지 2-4에 있어서,
X2는 직접연결이거나, -CO- 또는 -SO2-이고,
q 및 r은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 이상이고 4 이하인 정수이며,
s, t, u 및 v는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 이상이고 4 이하인 정수이며,
w 및 x는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 이상이고 3 이하인 정수이고,
y는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 이상이고 4 이하인 정수이며,
T1 내지 T9는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 적어도 하나는 ―SO3H, ―SO3
-M+, ―COOH, ―COO-M+, ―PO3H2, ―PO3H-M+ 또는 ―PO3
2-2M+ 이며, 상기 M은 금속성 원소이고, 나머지는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.
상기 화학식 2-1은 하기 화학식 2-1-1로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1-1]
상기 화학식 2-1-1에 있어서, X2, T1, T2, q 및 r은 상기 화학식 2-1과 동일하다.
상기 화학식 2-2는 하기 화학식 2-2-1로 표시될 수 있다.
[화학식 2-2-1]
상기 화학식 2-2-1에 있어서, T3 내지 T6, s, t, u 및 v는 상기 화학식 2-2와 동일하다.
상기 화학식 2-3는 하기 화학식 2-3-1 내지 2-3-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 2-3-1]
[화학식 2-3-2]
[화학식 2-3-3]
상기 화학식 2-3-1 내지 화학식 2-3-3에 있어서, T7, T8, w 및 x는 상기 화학식 2-3과 동일하다.
[화학식 2-4-1]
상기 화학식 2-4-1에 있어서, T9 및 y는 상기 화학식 2-4와 동일하다.
상기 화학식 1에 있어서, U는
,
,
,
,
,
및
로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있으며, 상기 Q
1 및 Q
2는 서로 동일하거나 상이하고, 수소, ―SO
3H, ―SO
3
-M
+, ―COOH, ―COO
-M
+, ―PO
3H
2, ―PO
3H
-M
+ 및 ―PO
3
2-2M
+ 로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나이고, 상기 M은 금속성 원소이다.
상기 화학식 1에 있어서, U는
,
,
,
,
,
및
로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있으며, 상기 Q
1 및 Q
2는 서로 동일하거나 상이하고, 수소, ―SO
3H, ―SO
3
-M
+, ―COOH, ―COO
-M
+, ―PO
3H
2, ―PO
3H
-M
+ 및 ―PO
3
2-2M
+ 로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나이고, 상기 M은 금속성 원소이다.
상기 화학식 1 및 2에 있어서, B는 전불소계 화합물 또는 부분불소계 화합물이거나, 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 3-1]
[화학식 3-2]
[화학식 3-3]
상기 화학식 3-1 내지 3-3에 있어서,
X3 내지 X5는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접연결이거나, -CO- 또는 -SO2-이고,
Y1은 직접연결 또는 C1~C60의 알킬렌기이고,
E1 내지 E4는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기이며,
α, β 및 ψ는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 0 이상이고 4 이하인 정수이고,
ε 는 0 이상이고 3 이하인 정수이며,
X6은 직접연결이거나, -CO- 또는 -SO2-이고,
Y2는 직접연결 또는 C1~C60의 알킬렌기이고,
E5 및 E6은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기이며,
ζ는 0 이상이고 3 이하인 정수이고,
θ는 0 이상이고 4 이하인 정수이며,
X7은 직접연결이거나, -CO- 또는 -SO2-이고,
Y3은 직접연결 또는 C1~C60의 알킬렌기이고,
E7 및 E8은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아랄킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기이며,
λ는 0 이상이고 3 이하인 정수이고,
π는 0 이상이고 4 이하인 정수이며,
W는 화학식 1에서는 하기 [화학식 4]로 표시되는 반복단위이고, 화학식 2에서는 하기 [화학식 5]로 표시되는 반복단위이며,
[화학식 4]
[화학식 5]
상기 화학식 4에 있어서, m'는 1 이상이고, 10,000 이하인 정수이며, A 및 U의 정의는 상기 화학식 1의 A 및 U의 정의와 동일하고,
상기 화학식 5에 있어서, n'는 1 이상이고, 100,000 이하인 정수이며, C및 V의 정의는 상기 화학식 2의 C 및 V의 정의와 동일하다.
상기 화학식 3-1은 하기 화학식 3-1-1로 표시될 수 있다.
[화학식 3-1-1]
상기 화학식 3-1-1에 있어서,
X3 내지 X5, Y1, E1 내지 E4, W, α, β, ψ 및 ε 는 상기 화학식 3-1과 동일하다.
상기 화학식 3-2는 하기 화학식 3-2-1로 표시될 수 있다.
[화학식 3-2-1]
상기 화학식 3-2-1에 있어서,
X6, Y2, E5, E6, W, ζ 및 θ 는 상기 화학식 3-2와 동일하다.
상기 화학식 3-3은 하기 화학식 3-3-1로 표시될 수 있다.
[화학식 3-3-1]
상기 화학식 3-3-1에 있어서,
X7, Y3, E7, E8, W, λ 및 π는 상기 화학식 3-3과 동일하다.
상기 화학식 1 및 2에 있어서, B는
,
,
,
,
및
로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 일 수 있으며,
Y1 내지 Y3은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 직접결합 또는 C1~C60의 알킬렌기이고,
W는 화학식 1에서는 하기 [화학식 4]로 표시되는 반복단위이고, 화학식 2에서는 하기 [화학식 5]로 표시되는 반복단위이며,
[화학식 4]
[화학식 5]
상기 화학식 4에 있어서, m'는 1 이상이고, 10,000 이하인 정수이며, A 및 U의 정의는 상기 화학식 1의 A 및 U의 정의와 동일하고,
상기 화학식 5에 있어서, n'는 1 이상이고, 100,000 이하인 정수이며, C및 V의 정의는 상기 화학식 2의 C 및 V의 정의와 동일하다.
상기 화학식 1에 있어서, a 및 a'는 0보다 큰 정수이고, a : a'는 1000 : 1 내지 5 : 1이고,
상기 화학식 2에 있어서, z 및 z'는 0보다 큰 정수이고, z : z'는 1000 :1 내지 5 : 1이다.
상기 화학식 1에 있어서, m은 1이상이고, 10,000 이하인 정수일 수 있고, 상기 화학식 2에 있어서, n은 1 이상이고, 100,000 이하인 정수일 수 있다.
상기 블록형 공중합체 고분자에서 화학식 1의 블록과 화학식 2의 블록은 교대로(alternating), 그라프트(graft) 형태로 또는 임의로(randomly) 배열될 수 있다. 상기 m은 블록형 공중합체 고분자에서 임의로 배열된 화학식 1의 반복단위 개수의 총합일 수 있다. 상기 n은 블록형 공중합체 고분자에서 임의로 배열된 화학식 2의 반복단위 개수의 총합일 수 있다.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 6 내지 60인 것이 바람직하다. 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기, 비페닐기, 트라이페닐기, 터페닐기, 스틸벤기 등의 단환식 방향족 및 나프틸기, 비나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 테트라세닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 아세나프타센닐기, 트리페닐렌기, 플루오란텐(fluoranthene)기 등의 다환식 방향족등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기 및 헵틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 스틸베닐기(stylbenyl), 스티레닐기(styrenyl)기 등의 아릴기가 치환된 알케닐기가 바람직하나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 특히 시클로펜틸기, 시클로헥실기가 바람직하다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 2개의 고리 유기화합물이 1개의 원자를 통하여 연결된 구조로서, 예로는
,
등이 있다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 열린 플루오레닐기의 구조를 포함하며, 여기서 열린 플루오레닐기는 2개의 고리 화합물이 1개의 원자를 통하여 연결된 구조에서 한쪽 고리 화합물이 연결이 끊어진 상태의 구조로서, 예로는
,
등이 있다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 50인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 6 내지 50인 것이 바람직하다. 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 단환식의 디아릴아민기, 치환 또는 비치환된 다환식의 디아릴아민기 또는 치환 또는 비치환된 단환식 및 다환식의 디아릴아민기를 의미한다.
또한, 본 명세서에서 "치환 또는 비치환" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 실릴기; 아릴알케닐기; 아릴기; 붕소기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 아릴아민기; 카바졸기; 아릴아민기; 아릴기; 플루오레닐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, "
"는 인접한 치환기와 결합함을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 금속성 원소는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 란탄족 금속, 악티늄족 금속, 전이 금속 또는 전이후 금속일 수 있다.
상기 알칼리 금속은 Li, Na, K, Rb, Cs 또는 Fr일 수 있다.
상기 알칼리 토금속은 Be, Mg, Ca, Sr 또는 Ba일 수 있다.
상기 란탄족 금속은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu일 수 있다.
상기 악티늄족 금속은 Ac, Th, Pa, U, Np, Pu, Am, Cm, Bk, Cf, Es, Fm, Md, No 또는 Lr일 수 있다.
상기 전이 금속은 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Lu, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Lr, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg 또는 Cn일 수 있다.
상기 전이후 금속은 Al, Si, P, S, Ga, Ge, As, Se, In, Sn, Sb, Te, Tl, Pb, Bi 또는 Po일 수 있다.
본 명세서에서, 부분불소계란 고분자의 주쇄에 붙어있는 곁가지(side chain)의 일부분에만 불소 원자가 도입된 것을 의미한다.
본 명세서에서, 전불소계란 주쇄의 곁가지 전부에 불소원자가 도입된 것을 의미한다.
예를 들면, PTFE와 같이 -(-CF2-CF2-)n- 의 구조를 가지는 것은 전불소계라 할 수 있고, PVDF와 같이 -(-CH2-CF2-)n-의 구조를 가지는 것은 부분불소계라 할 수 있다. 또는 두가지 혹은 그 이상의 고분자의 공중합체의 경우, 공중합체에 이용된 고분자 중 하나 혹은 그 이상의 고분자가 불소 원자를 포함하고, 불소 원자를 포함하지 않는 고분자와 동시에 공중합체에 이용된 경우, 부분 불소계로 볼 수 있다.
이외에, 상기 블록형 공중합체는 폴리스티렌(polystyrene(PS)); 폴리이소프렌(polyisoprene(PI)); 폴리알킬렌(polyalkylene); 폴리알킬렌옥사이드(polyalkyleneoxide); 폴리알킬(메타)아크릴레이트(polyalkyl(meth)acrylate); 폴리 2-비닐피리딘(poly(2-vinylpyridine)(P2VP)); 폴리 4-비닐피리딘(poly(4-vinylpyridine)(P4VP)); 폴리(메타)아크릴산(polyacrylic acid(PAA)); 폴리알킬(메타)아크릴산 (polyalkylacrylic acid); 폴리디알킬실록산(polydialkylsiloxane); 폴리아크릴아미드(polyacrylamide(PAM)); 폴리카프로락톤(poly(ε-caprolactone)(PCL)); 폴리락틱산(polylactic acid(PLA)) 및 폴리락틱글리콜산(poly(lactic-co-glycolic acid)(PLGA))으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다(탄소수 1내지 20의 알킬렌 또는 알킬을 의미하는 것임).
제1 용매는 고분자와 반응하여 고분자를 용해시킬 수 있는 물질이면 크게 제한되지 않는다. 제1 용매는 본 출원의 일 실시예 따른 고분자 전해질 조성물에서 주용매로서 기능한다.
예를 들어, 제1 용매는 N,N'-디메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide, DMAc), N-메틸피롤리돈(N-methyl pyrrolidone, NMP), 디메틸술폭시드(dimethyl sulfoxide, DMSO) 및 N,N-디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide, DMF)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 용매는 제1 용매와 다른 화학식을 갖는 것으로, 특히, 상기 고분자의 친수성 작용기와 반응하여 고분자를 용해시킬 수 있다. 제2 용매는 제1 용매를 보조하여 고분자를 용해시킬 수 있다. 예를 들어, 제2 용매는 물 또는 글리세롤(glycerol)일 수 있는데, 히드록시기를 갖는 물질이라면 이에 한정되지 않는다.
본 출원의 고분자 전해질 조성물 내에서, 제1 용매와 제2 용매의 함유 중량비를 제2 용매/제1 용매로 나타낼 경우, 그 범위는 1/99 내지 10/90인 것이 바람직하고, 3/97 내지 8/92인 것이 더 바람직하다.
제2 용매/제1 용매의 값이 1/99 미만이면, 제2 용매를 첨가하더라도, 제2 용매에 의한 고분자의 용해성 증가를 기대하기 어려울 수 있다. 한편, 제2 용매/제1 용매의 값이 10/90를 초과할 경우, 주요한 용매인 제1 용매의 양이 적어, 고분자의 용해가 완전히 일어나지 않을 수 있어, 고분자 전해질 조성물의 용액화가 어려울 수 있다. 이에 의해 캐스트법으로 전해질 막을 형성하는데 어려움이 발생할 수 있다. 즉, 캐스트법에 의해 전해질 막을 형성하기 위해서는 기재 상에 상기 조성물을 균일하게 도포하여야 하는데, 용액화가 이루어지지 않을 경우, 균일하게 도포되지 않을 수 있어, 불균일한 전해질막이 형성될 수 있다.
한편, 고분자의 친수성 작용기는 제1 용매와 제1 반응 에너지로 반응할 수 있고, 제2 용매와 제2 반응 에너지로 반응할 수 있다. 본원에서의 반응 에너지는 기준 단량체와 용매 간의 안정화 에너지를 의미한다. 보다 자세하게는 기준 단량체와 용매가 각각 존재할 때의 에너지 값에서 단량체와 용매가 반응하여 안정화 되었을 때의 에너지 값의 차이를 의미한다.
예를 들어, 고분자가 친수성 블록과 소수성 블록을 갖는 블록형 공중합체라 하고, 제1 용매를 디메틸술폭시드(dimethyl sulfoxide, DMSO)라 하고, 제2 용매를 물이라고 가정한다. 이때, 고분자의 친수성 블록은 예를 들어, ―SO3K의 술폰산기를 포함한다고 가정한다.
-SO3K의 술폰산기를 포함하는 단량체와 용매와의 반응 에너지를 나타낸 하기 표 1을 참조하면, 제1 용매인 디메틸술폭시드는 고분자의 친수성 블록에 포함된 ―SO3K의 술폰산기를 포함한 단량체와 -5.6kcal/mol의 제1 반응 에너지로 반응하여 안정화된다. 한편, 제2 용매인 물은 -6.3kcal/mol의 제2 반응 에너지로 반응하여 안정화된다. 즉, 제2 용매와 고분자의 작용기(―SO3K의 술폰산기)간의 반응 에너지(제2 반응 에너지)가 제1 용매와 고분자의 작용기(―SO3K의 술폰산기)간의 반응 에너지(제1 반응 에너지)보다 작다는 것을 알 수 있다. 이에 따라, 제1 용매보다 제2 용매가 고분자의 작용기와 보다 용이하게 반응할 수 있고, 제2 용매와 상기 작용기가 반응하여 복합체가 형성될 수 있다. 이에 따라, 본 출원의 고분자 전해질 조성물은 친수성 블록과 제2 용매가 반응한 복합체를 포함할 수 있다.
표 1
용매 | 반응 에너지(kcal/mol) | 구조 |
디메틸술폭시드 | -5.6 | |
물 | -6.3 | |
메탄올 | -6.4 | |
에틸렌 글리콜 | -9.3 | |
글리세롤 | -6.7 | |
표 1의 반응 에너지 값은 Gaussian 사에서 제작된 Gaussian09 프로그램의 화학 계산 기능을 이용하여 계산하였다.
즉, ―SO3K의 술폰산기와 물이 반응하여 술폰산-물 복합체가 형성될 수 있다. 제2 용매가 글리세롤(glycerol)이라면, 술폰산-글리세롤 복합체가 형성될 수 있다.
한편, 고분자가 친수성 블록과 소수성 블록을 포함하는 블록형 공중합체인 경우, 제1 용매 내에서 소수성 블록은 제1 변수(variable δ1)를 가질 수 있다. 친수성 블록의 작용기와 제2 용매가 반응하여 형성된 복합체도 제1 용매 내에서 제2 변수(variable δ2)를 가질 수 있다.
변수 δ는 물질의 구성 요소 간의 응집 정도와 관련하여 그 척도를 나타내며 하기와 같은 수학식 1로 나타낼 수 있다.
[수학식 1]
δ = (용질의 자가혼합 에너지) - (용매의 혼합 에너지) -ΔGfus
상기 수학식 1에 있어서, ΔGfus 는 용질의 표준 용해 깁스 에너지이고, 상기 단량체의 자가혼합 에너지 및 상기 용매의 혼합 에너지 및 상기 ΔGfus의 단위는 kcal/mol이다.
상기 용질의 자가혼합 에너지 (self-mixing energy)는 상기 용질이 상기 용매 (상기 용질과 동일) 내에서 액상으로 혼합되어 존재할 때의 화학포텐셜 (chemical potential) 값이다.
상기 용질의 자가혼합 에너지는 값이 작을수록 안정하다. 상기 용매의 혼합 에너지 (salvation energy)는 상기 용질이 상기 용매 (상기 용질과는 상이한 물질 또는 상기 용질의 물질을 포함한 2종 이상의 혼합물) 내에 액상으로 혼합되어 존재할 때의 화학포텐셜 값이다.
상기 용매의 혼합 에너지는 값이 작을수록 안정하다.
상기 용질의 ΔGfus (표준 용해 깁스에너지, Gibbs free energy of fusion)는 고체 상태의 상기 용질이 25 ℃ 온도에서 녹을 때 필요한 에너지 값이다.
상기 용질의 ΔGfus는 양의 값이면 용매와 용질의 혼합은 흡열 반응이고, 음의 값이면 용매와 용질의 혼합은 발열 반응이다.
상기 변수 δ는 용질의 용해 표준 깁스 에너지를 고려한 자가혼합 에너지와 용매와의 혼합 에너지 값 차이에 의하여 나타낸 값이며, 상기 변수 δ 값이 클수록 용질은 선택된 용매에 더 잘 녹게 된다.
상기 용질의 자가혼합 에너지, 용매의 혼합 에너지 및ΔGfus은 혼합 전 후의 에너지 차이를 실험적으로 측정하거나, 열역학적 모델을 예측할 수 있는 전산 프로그램을 이용하여 계산할 수 있다.
한편, 상기 변수 δ의 관점에서 본 출원의 실시예에 따른 고분자 전해질 조성물은 하기 수학식 2의 조건을 가질 수 있다.
[수학식 2]
δ2- δ1 〉0
상기 변수 δ1는 상기 수학식 1에 있어서, 상기 용질은 상기 소수성 블록을 구성하는 단량체이고, 성기 용매는 제1 용매인 계산값이고, 상기 변수 δ2는 상기 수학식 1에 있어서, 상기 용질은 상기 친수성 블록의 작용기와 상기 제2 용매가 반응한 친수성 블록 복합체이고, 용매는 제1 용매인 계산값이다.
상기 소수성 블록, 상기 친수성 블록, 상기 제1 용매 및 상기 제 2 용매가 상기 수학식 1로 계산된 상기 수학식 2의 조건을 만족할 경우, 제2 용매와 반응한 친수성 블록 복합체는 제1 용매 내에서 소수성 블록보다 더 효율적으로 용해될 수 있다. 즉, 고분자의 소수성 블록의 제1 변수(δ1)보다 친수성 블록 복합체의 제2 변수(δ2)가 더 큰 경우, 제1 용매 및 제2 용매에 용해되는 고분자는 보다 완전히 용해될 수 있다. 즉, 상기 제2 용매는 제1 용매보다 친수성 블록과 더 잘 반응하고, 상기 제1 용매는 소수성 블록보다 친수성 블록을 더 잘 용해한다.
작용기가 있는 친수성 블록은 소수성 블록에 비하여 제1 용매에 대한 용해도가 작아, 친수성 블록은 제1 용매에 덜 용해될 수 있다. 이에 의해, 조성물의 용액화가 어려워질 수 있다. 본 출원은 친수성 블록의 작용기와 반응하는 제2 용매를 추가로 사용하여, 제1 용매에 대한 용해도가 소수성 블록에 비해 비교적 높은 복합체를 형성함으로써, 제1 용매에 용해되는 고분자의 용해도를 전반적으로 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 용매 및 제2 용매의 복합 이종 용매를 사용하여 용매에 용해되는 고분자의 용해도를 향상시킬 수 있다.
한편, 본 출원의 고분자 전해질 조성물을 이용하여 전해질 막을 형성할 수 있다. 전해질 막은 캐스팅법으로 형성될 수 있다.
용액 캐스팅법이란, 본 출원의 고분자 전해질 조성물을 유리 기판, PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트) 필름 등의 지지 기재 상에 유연(流延) 도포(캐스팅 제막)하여 도막을 형성시키고, 상기 도막으로부터 용매 등의 휘발 성분을 제거함으로써 지지 기재 상에 고분자 전해질막을 제막하는 방법이다. 그리고, 상기 지지 기재를 박리 등에 의해 제거함으로써 고분자 전해질막을 얻을 수 있다.
한편, 본 출원의 고분자 전해질 조성물을 이용하여 전해질 막을 제조하고, 상기 전해질 막을 이용하여 막전극 접합체(MEA)를 형성할 수 있다.
막전극 접합체는 캐소드; 애노드; 및 상기 캐소드와 애노드 사이에 위치하는 전해질 막을 포함하고, 상기 전해질 막은 전술한 본 출원에 따른 전해질 막이다.
막전극 접합체(MEA)는 연료와 공기의 전기화학 촉매 반응이 일어나는 전극(캐소드와 애노드)과 수소 이온의 전달이 일어나는 고분자 막의 접합체를 의미하는 것으로서, 전극(캐소드와 애노드)과 전해질막이 접착된 단일의 일체형 유니트(unit)이다.
본 출원의 막전극 접합체는 애노드의 촉매층과 캐소드의 촉매층이 전해질막에 접촉하도록 하는 형태로서, 당 분야에 알려진 통상적인 방법에 따라 제조될 수 있다. 일례로, 상기 캐소드; 애노드; 및 상기 캐소드와 애노드 사이에 위치하는 전해질막을 밀착시킨 상태에서 100 내지 400℃로 열압착하여 제조될 수 있다.
또한, 본 출원은 상기 막전극 접합체(MEA)를 포함하는 연료전지를 제공한다. 연료전지는 본 출원의 막전극 접합체(MEA)를 사용하여 당 분야에 알려진 통상적인 방법에 따라 제조될 수 있다. 예를 들면, 상기에서 제조된 막전극 접합체(MEA)와 바이폴라 플레이트(bipolar plate)로 구성하여 제조될 수 있다.
본 발명의 연료전지는 스택, 연료공급부 및 산화제공급부를 포함하여 이루어진다.
상기 스택은 본 발명의 막전극 접합체를 하나 또는 둘 이상 포함하며, 막전극 접합체가 둘 이상 포함되는 경우에는 이들 사이에 개재되는 바이폴라 플레이트를 포함한다 상기 바이폴라 플레이트는 외부에서 공급된 연료 및 산화제를 막 전극 접합체로 전달하는 역할과 애노드 전극과 캐소드 전극을 직렬로 연결시켜주는 전도체의 역할을 한다.
상기 연료 공급부는 연료를 상기 스택으로 공급하는 역할을 하며, 연료를 저장하는 연료탱크 및 연료탱크에 저장된 연료를 스택으로 공급하는 펌프로 구성될 수 있다. 상기 연료로는 기체 또는 액체 상태의 수소 또는 탄화수소 연료가 사용될 수 있으며, 탄화수소 연료의 예로는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 또는 천연가스를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 산화제 공급부는 산화제를 상기 스택으로 공급하는 역할을 한다.
상기 산화제로는 공기가 대표적으로 사용되며, 산소 또는 공기를 펌프로 주입하여 사용할 수 있다.
상기 연료전지는 고분자 전해질 연료전지, 직접 액체 연료전지, 직접 메탄올 연료전지, 직접 개미산 연료전지, 직접 에탄올 연료전지, 또는 직접 디메틸에테르 연료전지 등이 가능하다.