WO2010024087A1 - 感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置 - Google Patents

感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置 Download PDF

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崇司 川守
増子 崇
加藤木 茂樹
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日立化成工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a photosensitive adhesive composition, and a film adhesive, an adhesive sheet, an adhesive pattern, a semiconductor wafer with an adhesive layer, and a semiconductor device using the same.
  • an adhesive used for manufacturing a semiconductor package is required to have a photosensitive function.
  • a photosensitive adhesive composition having a photosensitive function those based on a polyimide resin precursor (polyamic acid) are conventionally known (Patent Documents 1 to 3).
  • the conventional photosensitive adhesive composition is not always sufficient in terms of connection reliability. According to the study by the present inventors, it has been found that in the conventional photosensitive adhesive composition, if the pattern formability is prioritized, a sufficient adhesion area cannot be obtained at the time of thermocompression bonding after the pattern formation.
  • the present invention relates to a photosensitive adhesive composition having thermocompression bonding capability that can improve connection reliability, and a film adhesive, an adhesive sheet, an adhesive pattern, and a semiconductor wafer with an adhesive layer using the same. Another object is to provide a semiconductor device.
  • the present inventors have designed a photosensitive adhesive composition at a low temperature by using the minimum melt viscosity in a specific temperature range after pattern formation as an index.
  • the present inventors have found that a photosensitive adhesive composition that is excellent in thermocompression bonding property and can be satisfactorily connected to a semiconductor wafer or the like, and has completed the present invention.
  • the first photosensitive adhesive composition of the present invention is characterized in that the minimum melt viscosity at 20 ° C. to 200 ° C. after pattern formation is 30000 Pa ⁇ s or less.
  • the first photosensitive adhesive composition is excellent in thermocompression bonding at a low temperature after pattern formation (hereinafter also referred to as “low temperature thermocompression bonding”) by having the specific minimum melt viscosity. As a result, the connection reliability of the semiconductor package can be improved. This also makes it easy to achieve both low temperature thermocompression bonding and other desirable characteristics.
  • the first photosensitive adhesive composition preferably contains (A) an alkali-soluble resin, (B) a thermosetting resin, (C) a radiation polymerizable compound, and (D) a photoinitiator.
  • the photosensitive adhesive composition has not only low temperature thermocompression bonding property but also low temperature sticking property when formed into a film (hereinafter referred to as “low temperature sticking property”), and a cured product.
  • low temperature sticking property low temperature sticking property
  • the average functional group equivalent of the (C) radiation polymerizable compound is 230 g / eq or more.
  • the crosslinking density at the time of photocuring can be reduced while maintaining the pattern forming property, and the warpage of the adherend after curing can be reduced (hereinafter referred to as “low warpage” or “low stress”).
  • “average functional group equivalent” means the average value (g / eq) of the radiation polymerizable group equivalents of all the components (C) (radiation polymerizable compound) contained in the photosensitive adhesive composition. Means.
  • the component (C) whose radiation polymerizable group equivalent is Y (g / eq) is y (g), and the radiation polymerizable equivalent is Z (g / eq) (C )
  • the “average functional group equivalent” is determined by the following formula.
  • Formula average functional group equivalent (g / eq) (Y ⁇ y + Z ⁇ z) / (y + z)
  • the (C) radiation polymerizable compound preferably contains a (meth) acrylate having a urethane bond and / or an isocyanuric ring. Thereby, pattern formation property and high temperature adhesiveness can be improved.
  • the (C) radiation polymerizable compound preferably contains a monofunctional (meth) acrylate.
  • the 5% weight reduction temperature of the monofunctional (meth) acrylate is preferably 150 ° C. or higher.
  • 5% mass reduction temperature means a differential thermothermal gravimetric simultaneous measurement device (manufactured by SII NanoTechnology: TG / DTA6300), a heating rate of 10 ° C./min, and a nitrogen flow. The temperature when the mass is reduced by 5% when measured under (400 ml / min) is shown.
  • the monofunctional (meth) acrylate is preferably a monofunctional (meth) acrylate having an epoxy group. Thereby, high temperature adhesiveness and heat-resistant reliability can be improved more.
  • the second photosensitive adhesive composition of the present invention contains (A) an alkali-soluble resin, (B) a thermosetting resin, (C) a radiation polymerizable compound, and (D) a photoinitiator, and (C)
  • the radiation functional compound has an average functional group equivalent of 230 g / eq or more.
  • the low-temperature thermocompression bonding property and the high-temperature adhesion property are not sufficient, and it is difficult to achieve both the low-temperature sticking property and the pattern forming property. Moreover, thermal stress is likely to occur, and improvement has been desired from the viewpoint of low stress.
  • the second photosensitive adhesive composition is excellent in all the points of low-temperature thermocompression bonding, low-temperature adhesiveness, high-temperature adhesion, and pattern formation by containing the above components. Moreover, it becomes what was excellent also in the point of low stress by making the average functional group equivalent of (C) component into the said range.
  • the (C) radiation polymerizable compound preferably contains a (meth) acrylate having a urethane bond and / or an isocyanuric ring.
  • the third photosensitive adhesive composition of the present invention contains (A) a thermoplastic resin, (B) a thermosetting resin, (C) a radiation polymerizable compound, and (D) a photoinitiator, and (C)
  • the radiation polymerizable compound includes a compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group.
  • the low-temperature thermocompression bonding property and the high-temperature adhesion property are not sufficient, and it is difficult to achieve both the low-temperature sticking property and the pattern forming property.
  • the third photosensitive adhesive composition is excellent in all the points of low-temperature thermocompression bonding, low-temperature adhesiveness, high-temperature adhesiveness, and pattern formability by containing the above components. Moreover, when (C) component contains the compound which has an ethylenically unsaturated group and an epoxy group, it becomes what was excellent in low temperature thermocompression bonding property and high temperature adhesiveness, maintaining pattern formation property.
  • the photosensitive adhesive composition of the present invention has these characteristics for the following reasons, for example.
  • a compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group is introduced into the network between radiation-polymerizable compounds after light irradiation, the apparent crosslink density is reduced and thermocompression bonding is improved.
  • this epoxy group reacts with a thermosetting group or a curing agent, particularly a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group in the polymer side chain, the entanglement of molecular chains increases, and a radiation-polymerizable compound and a thermosetting resin are simply added.
  • a network stronger than the system in which each crosslinking reaction proceeds independently is formed.
  • the photosensitive adhesive composition of the present invention is sufficiently excellent in terms of all the above characteristics.
  • thermoplastic resin is preferably an alkali-soluble resin.
  • the 5% weight reduction temperature of the ethylenically unsaturated group and the epoxy group is preferably 150 ° C. or higher.
  • the compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group is preferably a monofunctional (meth) acrylate having an epoxy group.
  • thermosetting resin preferably contains an epoxy resin.
  • the Tg (glass transition temperature) of the alkali-soluble resin is preferably 150 ° C. or lower. Thereby, low temperature sticking property, low temperature thermocompression bonding property, pattern formability, and low stress property are improved.
  • the alkali-soluble resin is preferably a thermoplastic resin having a carboxyl group and / or a hydroxyl group from the viewpoint of pattern formation.
  • the alkali-soluble resin is preferably a polyimide resin. Thereby, film formation property, pattern formation property, heat resistance, and adhesiveness improve.
  • the first and third photosensitive adhesive compositions of the present invention preferably further contain (E) a thermal radical generator.
  • E a thermal radical generator.
  • unreacted radiation-polymerizable compounds can be reduced by heat treatment after bonding, so generation of outgas in the package during assembly heating and after assembly can be sufficiently reduced, and the cured product can be uniformly made highly elastic. can do.
  • a cured product having high heat resistance, low moisture permeability, and low moisture absorption can be obtained, and high-temperature adhesiveness and moisture resistance reliability are improved.
  • the above composition is such that the reaction is difficult to proceed by coating drying when forming a pattern or a film, low temperature thermocompression after pattern formation or low temperature application when formed into a film Sex will be sufficient.
  • the thermal radical generator is preferably an organic peroxide.
  • an organic peroxide that has a high half-life temperature, high radical generation efficiency, and high solubility in a solvent as a thermal radical generator, the amount of unreacted radiation-polymerizable compounds in the photosensitive adhesive composition is further reduced. Can be made. Moreover, since it melt
  • the present invention provides a film adhesive, an adhesive sheet, an adhesive pattern, a semiconductor wafer with an adhesive layer, or a semiconductor device using the first to third photosensitive adhesive compositions.
  • the film adhesive of the present invention can be obtained by forming the above photosensitive adhesive composition into a film.
  • the adhesive sheet of this invention is equipped with a base material and the adhesive bond layer which consists of the said film adhesive formed on this base material.
  • the adhesive layer composed of the film adhesive laminated on the adherend is exposed through a photomask, and the exposed adhesive layer is developed with an alkaline developer. Can be obtained. Further, the adhesive pattern of the present invention is obtained by directly drawing and exposing an adhesive layer made of the above film adhesive laminated on an adherend using a direct drawing exposure technique, and then exposing the adhesive layer. May be obtained by developing with an aqueous alkali solution. Since the pattern forming property of the photosensitive adhesive composition is good, the adhesive pattern of the present invention has a high definition. Moreover, the adhesive pattern of this invention is excellent also in low-temperature thermocompression bonding property and low stress property.
  • the semiconductor wafer with an adhesive layer of the present invention includes a semiconductor wafer and an adhesive layer made of the film adhesive laminated on the semiconductor wafer.
  • the semiconductor device of the present invention has a structure in which the semiconductor elements are bonded to each other and / or the semiconductor element and the semiconductor element mounting support member using the photosensitive adhesive composition.
  • the semiconductor element mounting support member may be a transparent substrate.
  • the photosensitive adhesive composition which has the thermocompression bonding property which can improve connection reliability, and the film adhesive using the same, an adhesive sheet, an adhesive pattern, and a semiconductor wafer with an adhesive layer
  • a semiconductor device can be provided.
  • FIG. 6 is an end view taken along line IV-IV in FIG. 5. It is a top view which shows one Embodiment of the adhesive agent pattern of this invention.
  • FIG. 8 is an end view taken along line VV in FIG. 7. It is a top view which shows one Embodiment of the adhesive agent pattern of this invention.
  • FIG. 10 is an end view taken along line VI-VI in FIG. 9. It is an end elevation showing one embodiment of a semiconductor device of the present invention. It is an end elevation showing one embodiment of a semiconductor device of the present invention. It is an end view which shows one Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention. It is an end view which shows one Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention. It is a top view which shows one Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention. It is an end view which shows one Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention. It is an end view which shows one Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention. It is an end view which shows one Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention. It is an end view which shows one Embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device of this invention.
  • FIG. 27 is an end view showing an example of a CMOS sensor using the semiconductor device shown in FIG. 26 as a solid-state image sensor.
  • the photosensitive adhesive composition according to the first embodiment of the present invention (hereinafter referred to as “first photosensitive adhesive composition”) has a minimum melt viscosity of 30000 Pa at 20 ° C. to 200 ° C. after pattern formation.
  • -It is the photosensitive adhesive composition which is s or less.
  • the “minimum melt viscosity” was measured using a viscoelasticity measuring device ARES (manufactured by Rheometrics Scientific F.E.) with a sample irradiated with a light amount of 1000 mJ / cm 2 .
  • the minimum value of the melt viscosity at 20 ° C. to 200 ° C. is shown.
  • the measurement plate is a parallel plate having a diameter of 8 mm, the measurement conditions are a temperature increase of 5 ° C./min, the measurement temperature is ⁇ 50 ° C. to 300 ° C., and the frequency is 1 Hz.
  • the minimum melt viscosity is preferably 20000 Pa ⁇ s or less, more preferably 18000 Pa ⁇ s or less, and particularly preferably 15000 Pa ⁇ s or less.
  • the first photosensitive adhesive composition can ensure sufficient low-temperature thermocompression bonding while controlling pattern deformation, and can be used for uneven substrates. Even good adhesion can be imparted.
  • the lower limit of the minimum melt viscosity is not particularly provided, it is preferably 100 Pa ⁇ s or more from the viewpoint of handleability.
  • the first photosensitive adhesive composition preferably contains (A) an alkali-soluble resin, (B) a thermosetting resin, (C) a radiation polymerizable compound, and (D) a photoinitiator.
  • the average functional group equivalent of the (C) radiation polymerizable compound is preferably 230 g / eq or more, more preferably 245 g / eq or more, and 270 g / eq or more. Even more preferably.
  • a radiation-polymerizable compound having a high functional group equivalent and making the average functional group equivalent of component (C) within the above range low stress, low warpage and low temperature thermocompression bonding can be improved.
  • the minimum melt viscosity after pattern formation can be made 30000 Pa ⁇ s or less.
  • the upper limit of the average functional group equivalent is not particularly provided, but the average functional group equivalent is preferably 1000 g / eq or less from the viewpoint of heat resistance reliability after development, adhesiveness, and moisture resistance reliability.
  • Examples of the (C) radiation polymerizable compound contained in the first photosensitive adhesive composition include compounds having an unsaturated hydrocarbon group, and examples of the unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, an allyl group, and propargyl.
  • Examples, butenyl group, ethynyl group, phenylethynyl group, maleimide group, nadiimide group, (meth) acryl group and the like, and (meth) acryl group is preferable from the viewpoint of reactivity.
  • the (meth) acrylate having a (meth) acryl group is not limited, but diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate.
  • polyimide resins polyamide polyurethane resins, polyamide imide resins, polyether imide resins, polyurethane resins, polyurethane imide resins, phenoxy resins, phenol resins, etc. are modified with unsaturated hydrocarbon groups on the side chains and / or terminals. Can be mentioned.
  • R 19 and R 20 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and g and h each independently represent an integer of 1 to 20.
  • a vinyl copolymer containing a functional group to an addition reaction with a compound having at least one ethylenically unsaturated group and a functional group such as an oxirane ring, an isocyanate group, a hydroxyl group, or a carboxyl group.
  • a radiation-polymerizable copolymer having an ethylenically unsaturated group in the chain can be used. These radiation polymerizable compounds can be used singly or in combination of two or more.
  • the radiation-polymerizable compound having an ether skeleton represented by the general formula (18) is preferable in that it is alkali-soluble and can sufficiently impart solvent resistance after curing, (meth) acrylate having a urethane bond, Di (meth) acrylate and tri (meth) acrylate having an isocyanuric ring are preferable in that they can sufficiently impart high-temperature adhesiveness after curing.
  • the component (C) preferably contains a (meth) acrylate having a urethane bond and / or an isocyanuric ring from the viewpoint of pattern formation and high temperature adhesiveness.
  • the component (C) preferably contains a monofunctional (meth) acrylate.
  • the 5% weight reduction temperature of the monofunctional (meth) acrylate is preferably 150 ° C. or higher.
  • Such monofunctional (meth) acrylate is not particularly limited, but includes glycidyl group-containing (meth) acrylate, phenol EO-modified (meth) acrylate, phenol PO-modified (meth) acrylate, nonylphenol EO-modified (meth) acrylate, Nonylphenol PO modified (meth) acrylate, phenolic hydroxyl group-containing (meth) acrylate, hydroxyl group-containing (meth) acrylate, imide group-containing (meth) acrylate, carboxyl group-containing (meth) acrylate, 2-phenylphenoxyethyl (meth) acrylate, 5% weight loss temperature is 150 ° C.
  • the 5% weight loss temperature is preferably 150 ° C. or higher, more preferably 180 ° C. or higher, even more preferably 200 ° C. or higher, and most preferably 260 ° C. or higher.
  • the monofunctional (meth) acrylate is preferably a monofunctional (meth) acrylate having an epoxy group from the viewpoints of adhesiveness, low outgassing property, heat resistance and moisture resistance reliability.
  • the monofunctional (meth) acrylate having an epoxy group is not particularly limited, but in addition to glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate glycidyl ether, 4-hydroxybutyl methacrylate glycidyl ether, polyfunctional epoxy resin and epoxy group And a compound obtained by reacting a monofunctional (meth) acrylate having a functional group that reacts with.
  • the monofunctional (meth) acrylate having an epoxy group is, for example, in the presence of triphenylphosphine or tetrabutylammonium bromide, a polyfunctional epoxy resin having at least two epoxy groups in one molecule, and 1 equivalent of an epoxy group. It is obtained by reacting with 0.1 to 0.9 equivalent of (meth) acrylic acid. Also, by reacting a polyfunctional isocyanate compound with a hydroxy group-containing (meth) acrylate and a hydroxy group-containing epoxy compound in the presence of dibutyltin dilaurate, or reacting a polyfunctional epoxy resin with an isocyanate group-containing (meth) acrylate. And glycidyl group-containing urethane (meth) acrylate and the like.
  • the above monofunctional (meth) acrylate having an epoxy group has a 5% weight reduction temperature from the viewpoint of storage stability, adhesiveness, low outgassing of the package during assembly heating and after assembly, heat resistance and moisture resistance, and film formation. It is preferably 150 ° C. or higher in terms of suppressing volatilization or segregation on the surface due to heat drying at the time, and it is 180 ° C. or higher in terms of suppressing voids due to outgassing at the time of thermosetting, peeling, and adhesion deterioration. More preferably, it is still more preferable that it is 200 degreeC or more.
  • a monofunctional (meth) acrylate having an epoxy group a compound having an aromatic ring in the molecule is preferable.
  • the monofunctional (meth) acrylate having an epoxy group has a high purity in which alkali metal ions, alkaline earth metal ions, halogen ions, particularly chlorine ions and hydrolyzable chlorine, which are impurity ions, are reduced to 1000 ppm or less. It is preferable to use a product from the viewpoint of preventing electromigration and preventing corrosion of a metal conductor circuit.
  • the impurities described above are used.
  • the ion concentration can be satisfied.
  • the total chlorine content can be measured according to JIS K7243-3.
  • the glycidyl ether of bisphenol A type (or AD type, S type, F type), water addition bisphenol A type Glycidyl ether, ethylene oxide adduct bisphenol A and / or F type glycidyl ether, propylene oxide adduct bisphenol A and / or F type glycidyl ether, phenol novolac resin glycidyl ether, cresol novolac resin glycidyl ether, bisphenol A novolak resin Glycidyl ether, naphthalene resin glycidyl ether, trifunctional (or tetrafunctional) glycidyl ether, dicyclopentadienephenol resin glycidyl ether, dimer acid glycidyl ether Ether, 3 glycidylamine functional type (or tetrafunctional) g
  • the monofunctional (meth) acrylate having such an epoxy group is not particularly limited, but compounds represented by the following general formulas (13) to (17) are preferably used.
  • R 12 and R 16 represent a hydrogen atom or a methyl group
  • R 10 , R 11 , R 13 and R 14 represent a divalent organic group
  • R 15 to R 18 represent an epoxy group or an ethylenic group.
  • An organic group having a saturated group is shown.
  • the content of the component (C) is preferably 20 to 300 parts by mass, more preferably 30 to 250 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A).
  • this content exceeds 300 parts by mass, the fluidity at the time of heat melting decreases due to polymerization, and the adhesiveness at the time of thermocompression bonding tends to decrease.
  • it is less than 20 parts by mass, the solvent resistance after photocuring by exposure becomes low and it becomes difficult to form a pattern, that is, the change in film thickness before and after development increases and / or the residue increases. There is a tendency. Moreover, it melts at the time of thermocompression bonding and the pattern tends to be deformed.
  • the content of the monofunctional (meth) acrylate having an epoxy group is not particularly limited as long as the minimum melt viscosity after pattern formation is 30000 Pa ⁇ s or less, but is 1 to 100 with respect to 100 parts by mass of the component (A). It is preferably part by mass, more preferably 2 to 70 parts by mass, and even more preferably 5 to 40 parts by mass. If this content exceeds 100 parts by mass, the thixotropy tends to decrease during film formation, and the film tends to be difficult to form, and the tack tends to increase and the handleability tends to be insufficient. Further, developability is reduced during pattern formation, and the pattern tends to be deformed during thermocompression bonding because the melt viscosity after photocuring is too low. On the other hand, when it is less than 1 part by mass, the effect of addition tends not to be sufficiently observed.
  • the photosensitive adhesive composition according to the second embodiment of the present invention includes (A) an alkali-soluble resin, (B) a thermosetting resin, (C) A photosensitive adhesive composition containing a radiation polymerizable compound and (D) a photoinitiator, and the average functional group equivalent of the (C) radiation polymerizable compound is 230 g / eq or more.
  • 2nd photosensitive adhesive composition becomes the thing excellent in all the points of low-temperature thermocompression-bonding property, low-temperature sticking property, high-temperature adhesiveness, and pattern formation property by containing the said component.
  • the average functional group equivalent of the (C) radiation polymerizable compound is 230 g / eq or more, more preferably 245 g / eq or more, and more preferably 270 g / eq or more. Even more preferred.
  • a radiation-polymerizable compound having a high functional group equivalent and making the average functional group equivalent of component (C) within the above range low stress, low warpage and low temperature thermocompression bonding can be improved.
  • the minimum melt viscosity after heating at 150 ° C. for 10 minutes after pattern formation can be made 30000 Pa ⁇ s or less.
  • the upper limit of the average functional group equivalent is not particularly provided, but the average functional group equivalent is preferably 1000 g / eq or less from the viewpoint of heat resistance reliability after development, adhesiveness, and moisture resistance reliability.
  • the component (C) contained in the second photosensitive adhesive composition examples include compounds having an unsaturated hydrocarbon group exemplified in the first photosensitive resin composition.
  • the component (C) preferably contains a (meth) acrylate having a urethane bond and / or an isocyanuric ring from the viewpoint of pattern formation and high-temperature adhesiveness. .
  • the content of the component (C) in the second photosensitive adhesive composition is the same as that in the first photosensitive adhesive composition.
  • the photosensitive adhesive composition according to the third embodiment of the present invention includes (A) a thermoplastic resin, (B) a thermosetting resin, (C) It is a photosensitive adhesive composition containing a radiation polymerizable compound and (D) a photoinitiator, and the (C) radiation polymerizable compound contains a compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group.
  • 3rd photosensitive adhesive composition becomes the thing excellent in all the points of low-temperature thermocompression-bonding property, low-temperature sticking property, high-temperature adhesiveness, and pattern formation property by containing the said component.
  • the third photosensitive adhesive composition contains a thermoplastic resin having film-forming ability.
  • Thermoplastic resin with film-forming ability has strong molecular entanglement and cohesion, so when the third photosensitive adhesive composition is used in paste form, it gives stability and thixotropy of the applied resin.
  • a tough resin excellent in low stress property and adhesiveness after curing can be obtained.
  • the film formability during coating can be improved, and defects such as resin seepage and pinholes can be improved.
  • a tough resin excellent in low stress and adhesiveness can be obtained.
  • component (A) when producing a film-like adhesive using a photosensitive adhesive composition containing a thermoplastic resin having film-forming ability, for example, as component (A), the following method may be used. It is preferable to use a resin that can form the film. 60 parts by mass of component (A) in a solvent selected from dimethylformamide, toluene, benzene, xylene, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, ethyl cellosolve, ethyl cellosolve acetate, dioxane, cyclohexanone, ethyl acetate, and N-methyl-pyrrolidinone %, And coated on a PET film so that the film thickness after drying is 50 ⁇ m, heated in an oven at 80 ° C. for 20 minutes, and then heated at 120 ° C. for 20 minutes to form a film.
  • a resin that can be formed is preferably used.
  • thermoplastic resin is preferably an alkali-soluble resin from the viewpoint of pattern formation.
  • the component (C) contains a compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group, so that the crosslinking density can be reduced during photocuring, and low-temperature thermocompression bonding, low stress, and adhesiveness after photocuring. Further, after heat curing, the alkali resistance, solvent resistance and plating resistance are excellent.
  • examples of the ethylenically unsaturated group include vinyl group, allyl group, propargyl group, butenyl group, ethynyl group, phenylethynyl group, maleimide group, nadiimide group, (meth) An acrylic group etc. are mentioned, From a reactive viewpoint, a (meth) acryl group is preferable.
  • the compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group is not particularly limited, but glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate glycidyl ether, 4-hydroxybutyl methacrylate glycidyl ether, and other functional groups that react with epoxy groups. And a compound obtained by reacting a compound having a group and an ethylenically unsaturated group with a polyfunctional epoxy resin.
  • An isocyanate group a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, a hydroxyl group, an acid anhydride, an amino group, a thiol group, an amide group etc. are mentioned. These compounds can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group is, for example, a polyfunctional epoxy resin having at least two epoxy groups in one molecule in the presence of triphenylphosphine or tetrabutylammonium bromide, and 1 equivalent of an epoxy group.
  • a polyfunctional isocyanate compound with a hydroxy group-containing (meth) acrylate and a hydroxy group-containing epoxy compound in the presence of dibutyltin dilaurate or reacting a polyfunctional epoxy resin with an isocyanate group-containing (meth) acrylate.
  • a compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group has a 5% weight reduction temperature from the viewpoint of storage stability, adhesiveness, low outgassing of the package during and after assembly heating, and heat and humidity resistance, and film formation. It is preferably 150 ° C. or higher in terms of suppressing volatilization or segregation on the surface due to heat drying at the time, and it is 180 ° C. or higher in terms of suppressing voids due to outgassing at the time of thermosetting, peeling, and adhesion deterioration. More preferably, it is still more preferable that it is 200 degreeC or more.
  • a compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group a compound having an aromatic ring in the molecule is preferable.
  • the compounds having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group include high impurity ions, alkaline earth metal ions, halogen ions, particularly chlorine ions and hydrolyzable chlorine, which are reduced to 1000 ppm or less. It is preferable to use a pure product from the viewpoint of preventing electromigration and preventing corrosion of metal conductor circuits.
  • the impurity ion concentration can be satisfied by using a polyfunctional epoxy resin with reduced alkali metal ions, alkaline earth metal ions, halogen ions, and the like as a raw material.
  • the total chlorine content can be measured according to JIS K7243-3.
  • Bisphenol A type (or AD type, S type, F type) glycidyl ether, water addition bisphenol A type Glycidyl ether, bisphenol A and / or F type glycidyl ether, propylene oxide adduct bisphenol A and / or F type glycidyl ether, glycidyl ether of phenol novolac resin, glycidyl ether of cresol novolac resin, bisphenol A novolak Glycidyl ether of resin, glycidyl ether of naphthalene resin, trifunctional (or tetrafunctional) glycidyl ether, glycidyl ether of dicyclopentadienephenol resin, glycidyl of dimer acid Ester, 3 glycidylamine functional type (or tetrafunctional) include
  • the number of epoxy groups and ethylenically unsaturated groups of a compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group is improved in order to improve the thermocompression bonding property, low stress property and adhesiveness, and maintain developability during pattern formation.
  • Examples of the monofunctional (meth) acrylate having such an epoxy group include those exemplified in the first photosensitive adhesive composition.
  • the content of the component (C) in the third photosensitive adhesive composition is the same as that in the first photosensitive adhesive composition.
  • the content of the compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group in the third photosensitive adhesive composition is preferably 1 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of component (A).
  • the amount is more preferably part by mass, and further preferably 5 to 50 parts by mass. If this content exceeds 100 parts by mass, the thixotropy tends to be reduced during film formation, and film formation tends to be difficult, and tackiness tends to increase, resulting in insufficient handling properties. In addition, developability tends to be reduced during pattern formation, and the pattern tends to be deformed during thermocompression bonding because the melt viscosity after photocuring becomes too low. On the other hand, when the content of the compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group is less than 1 part by mass, the effect of addition tends to be insufficient.
  • the first and third photosensitive adhesive compositions further contain (E) a thermal radical generator.
  • E a thermal radical generator.
  • unreacted radiation-polymerizable compounds can be reduced by heat treatment after bonding, so generation of outgas in the package during assembly heating and after assembly can be sufficiently reduced, and the cured product can be uniformly made highly elastic. can do.
  • a cured product having high heat resistance, low moisture permeability, and low moisture absorption can be obtained, and high-temperature adhesiveness and moisture resistance reliability are improved.
  • the above composition is such that the reaction is difficult to proceed by coating drying when forming a pattern or a film, low temperature thermocompression after pattern formation or low temperature application when formed into a film Sex will be sufficient.
  • the thermal radical generator is preferably an organic peroxide.
  • an organic peroxide that has a high half-life temperature, high radical generation efficiency, and high solubility in a solvent as a thermal radical generator, the amount of unreacted radiation-polymerizable compounds in the photosensitive adhesive composition is further reduced. Can be made. Moreover, since it melt
  • the minimum melt viscosity at 20 ° C. to 200 ° C. after pattern formation is preferably 30000 Pa ⁇ s or less, more preferably 20000 Pa ⁇ s or less, and 18000 Pa. -It is still more preferable that it is s or less, and it is still more preferable that it is 15000 Pa-s or less.
  • the lower limit of the minimum melt viscosity is not particularly provided, it is preferably 100 Pa ⁇ s or more from the viewpoint of handleability.
  • the first to third photosensitive adhesive compositions have good developability by containing an alkali-soluble resin as the component (A).
  • the Tg of the component (A) is preferably 150 ° C. or less, more preferably ⁇ 20 ° C. to 150 ° C.
  • the temperature for applying the film adhesive to the back surface of the wafer is preferably 20 to 150 ° C., more preferably 25 to 100 ° C., from the viewpoint of suppressing warpage of the semiconductor wafer.
  • the Tg of the film adhesive is preferably set to 150 ° C. or lower. On the other hand, if Tg is less than ⁇ 20 ° C., the tackiness of the film surface in the B-stage state becomes too strong, and the handleability tends to be poor.
  • Tg means the main dispersion peak temperature when the component (A) is formed into a film.
  • RSA-2 viscoelasticity analyzer manufactured by Rheometrics Co., Ltd., measured under conditions of a heating rate of 5 ° C./min, a frequency of 1 Hz, and a measurement temperature of ⁇ 150 to 300 ° C.
  • a tan ⁇ peak temperature near Tg was the main dispersion peak temperature.
  • the weight average molecular weight of the component (A) is preferably controlled within the range of 5000 to 500,000, and is 10,000 to 300,000 from the viewpoint that the low temperature sticking property and the thermocompression bonding property and the high temperature adhesiveness can be highly compatible. Is more preferable, and is more preferably from 10,000 to 100,000 from the viewpoint of further improving the pattern formability. If the weight average molecular weight is within the above range, the strength, flexibility and tackiness of the photosensitive adhesive composition in the form of a sheet or film will be good, and the thermal fluidity will be good. It is possible to ensure good embedding property with respect to the wiring step (unevenness) on the substrate surface. When the weight average molecular weight is less than 5,000, the film formability tends to be insufficient.
  • the weight average molecular weight means a weight average molecular weight when measured in terms of polystyrene using high performance liquid chromatography “C-R4A” (trade name) manufactured by Shimadzu Corporation.
  • the temperature for attaching to the backside of the wafer can be kept low, and heating when the semiconductor element is bonded and fixed to the semiconductor element mounting support member
  • the temperature (thermocompression bonding temperature) can also be lowered, and an increase in warpage of the semiconductor element can be suppressed.
  • sticking property, thermocompression bonding property and developability can be effectively imparted.
  • the “sticking property” means the sticking property when a film adhesive obtained by forming the photosensitive adhesive composition into a film is used.
  • the component (A) (alkali-soluble resin)
  • a polymer having an alkali-soluble group is preferable, and one having an alkali-soluble group at a terminal or a side chain is more preferable.
  • the alkali-soluble group include an ethylene glycol group, a carboxyl group, a hydroxyl group, a sulfonyl group, and a phenolic hydroxyl group. These functional groups can be used alone or in combination of two or more.
  • the component (A) is, for example, a thermoplastic resin having a carboxyl group and / or a hydroxyl group.
  • polyester resin polyether resin, polyimide resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polyurethane resin, polyurethaneimide resin, polyurethaneamideimide resin, siloxane polyimide resin, polyester
  • imide resins copolymers thereof, precursors thereof (polyamide acid, etc.)
  • polybenzoxazole resins phenoxy resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, polyphenylene sulfide resins, polyester resins, polyether resins, polycarbonate resins And polyether ketone resins, (meth) acrylic copolymers having a weight average molecular weight of 10,000 to 1,000,000, novolak resins, phenol resins and the like.
  • acrylic copolymers having a weight average molecular weight of 10,000 to 1,000,000, novolak resins, phenol resins and the like.
  • an ether group, a carboxyl group, and / or a hydroxyl group may be added to
  • the component (A) is preferably a polyimide resin and / or a polyamide-imide resin from the viewpoints of high-temperature adhesiveness, heat resistance, and film formability.
  • the polyimide resin and / or the polyamideimide resin can be obtained, for example, by subjecting tetracarboxylic dianhydride and diamine to a condensation reaction by a known method. That is, in the organic solvent, tetracarboxylic dianhydride and diamine are equimolar, or if necessary, the total amount of diamine is preferably 0.00 with respect to the total 1.0 mol of tetracarboxylic dianhydride.
  • the composition ratio is adjusted in the range of 5 to 2.0 mol, more preferably 0.8 to 1.0 mol (the order of addition of each component is arbitrary), and the addition reaction is performed at a reaction temperature of 80 ° C. or lower, preferably 0 to 60 ° C. .
  • the viscosity of the reaction solution gradually increases, and polyamic acid, which is a polyimide resin precursor, is generated.
  • said tetracarboxylic dianhydride is what recrystallized and refined with acetic anhydride.
  • the amount of acid-terminated polyimide resin and / or polyamideimide resin oligomer tends to increase.
  • the weight average molecular weight of the resin and / or the polyamide-imide resin tends to be low, and various properties including the heat resistance of the resin composition tend to be insufficient.
  • the polyimide resin and / or the polyamideimide resin can be obtained by dehydrating and ring-closing the reaction product (polyamide acid).
  • the dehydration ring closure can be performed by a thermal ring closure method in which heat treatment is performed, a chemical ring closure method using a dehydrating agent, or the like.
  • the tetracarboxylic dianhydride used as a raw material for the polyimide resin and / or polyamideimide resin is not particularly limited.
  • the tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (1) can be synthesized from, for example, trimellitic anhydride monochloride and the corresponding diol, specifically 1,2- (ethylene) bis ( Trimellitate anhydride), 1,3- (trimethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,4- (tetramethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,5- (pentamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1 , 6- (Hexamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,7- (heptamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,8- (octamethylene) bis (trimellitic anhydride), 1,9- (nonamethylene) ) Bis (trimellitic anhydride), 1,10- (decamethylene) bis (trimellitate anhydrous), 1,12- (dodecamechi) Emissions) bis (trimellitate anhydride), 1,16 (hexamethylene decamethylene) bis (
  • the tetracarboxylic dianhydride is a tetracarboxylic acid represented by the following general formula (2) or (3) from the viewpoint of imparting good solubility in solvents and moisture resistance, and transparency to 365 nm light.
  • a dianhydride is preferred.
  • tetracarboxylic dianhydrides can be used singly or in combination of two or more.
  • the component (A) is preferably a carboxyl group and / or hydroxyl group-containing polyimide resin and / or a polyamideimide resin.
  • the diamine used as a raw material for the carboxyl group and / or hydroxyl group-containing polyimide resin and / or polyamideimide resin is an aromatic diamine represented by the following general formula (4), (5), (6) or (7). It is preferable to include.
  • the diamines represented by the following general formulas (4) to (7) are preferably 1 to 100 mol%, more preferably 3 to 80 mol%, and more preferably 5 to 50 mol% of the total diamine. Most preferably.
  • diamines used as raw materials for the polyimide resin and / or polyamideimide resin are not particularly limited, and examples thereof include o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 3,3′-diaminodiphenyl ether, 3 , 4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-diaminodiphenylmethane, 3,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylethermethane, bis (4-amino-3,5- Dimethylphenyl) methane, bis (4-amino-3,5-diisopropylphenyl) methane, 3,3′-diaminodiphenyldifluoromethane, 3,4′-diaminodiphenyldifluoromethane, 4,4′-
  • Aromatic diamines 1,3-bis (aminomethyl) cyclohexane, 2,2-bis (4-aminophenoxyphenyl) propane, aliphatic ether diamines represented by the following general formula (8), -1), and siloxane diamines represented by the following general formula (9).
  • R 1 , R 2 and R 3 each independently represents an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and b represents an integer of 1 to 80.
  • c represents an integer of 5 to 20.
  • the aliphatic ether diamines represented by the above general formula (8) are preferable in terms of imparting compatibility with other components, organic solvent solubility, and alkali solubility, and ethylene glycol and / or propylene glycol diamines. Is more preferable.
  • aliphatic ether diamines include Jeffamine D-230, D-400, D-2000, D-4000, ED-600, ED-900, ED-2000, and EDR manufactured by Sun Techno Chemical Co., Ltd. 148, aliphatic diamines such as polyoxyalkylene diamines such as polyetheramine D-230, D-400, D-2000 and the like. These diamines are preferably 1 to 80 mol% of the total diamine, and are 5 to 60 mol in terms of compatibility with other compounding components and high compatibility between low temperature sticking property, thermocompression bonding property and high temperature adhesiveness. % Is more preferable.
  • this amount is less than 1 mol%, it tends to be difficult to impart high-temperature adhesiveness and hot fluidity. On the other hand, if it exceeds 80 mol%, the Tg of the polyimide resin becomes too low, Self-supporting tends to be impaired.
  • the siloxane diamine represented by following General formula (9) is preferable at the point which provides the adhesiveness and adhesiveness in room temperature.
  • R 4 and R 9 each independently represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or a phenylene group which may have a substituent
  • Each of 8 independently represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group or a phenoxy group
  • d represents an integer of 1 to 5.
  • These diamines are preferably used in an amount of 0.5 to 80 mol% of the total diamine, and more preferably 1 to 50 mol% in terms of achieving a high degree of compatibility between low temperature sticking property, thermocompression bonding property and high temperature adhesiveness. .
  • the amount is less than 0.5 mol%, the effect of adding siloxane diamine is reduced.
  • the amount exceeds 80 mol%, the compatibility with other components, high-temperature adhesiveness, and developability tend to be lowered.
  • d in the formula (9) is 1, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (4- Aminophenyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy-1,3-bis (4-aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetraphenyl-1,3-bis (2- Aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetraphenyl-1,3-bis (3-aminopropyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (2- Aminoethyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (3-aminopropyl) disiloxane, 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (3- Aminobutyl) disiloxane, 1,3-dimethyl-1,3 Examples include dime
  • diamines can be used singly or in combination of two or more.
  • the said polyimide resin and / or a polyamide-imide resin can be used individually by 1 type or in mixture (blend) of 2 or more types as needed.
  • the Tg when determining the composition of the polyimide resin and / or the polyamideimide resin, it is preferable to design the Tg to be 150 ° C. or less. It is particularly preferable to use an aliphatic ether diamine represented by the general formula (8).
  • a monofunctional acid anhydride and / or a monofunctional amine such as a compound represented by the following general formula (10), (11) or (12) is condensed into a reaction solution. It is possible to introduce a functional group other than an acid anhydride or a diamine at the polymer terminal. Thereby, the molecular weight of the polymer can be lowered, and the developability and thermocompression property at the time of pattern formation can be improved.
  • Alkali-soluble groups such as a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, and an ether group, are preferable at the point which improves the alkali solubility at the time of pattern formation.
  • the compound which has radiation-polymerizable groups and / or thermosetting groups such as the compound represented by following General formula (12), and the (meth) acrylate which has an amino group, is preferably used at the point which provides adhesiveness.
  • a compound having a siloxane skeleton or the like is also preferably used in terms of imparting low hygroscopicity.
  • the polyimide resin and / or the polyamideimide resin has a transmittance of 365 nm when formed into a film of 30 ⁇ m, and is 10% or more in that the side wall of the pattern is perpendicular to the adherend. It is preferable that it is 20% or more because a pattern can be formed with a lower exposure amount.
  • a polyimide resin is represented by, for example, an acid anhydride represented by the general formula (2), an aliphatic ether diamine represented by the general formula (8), and / or the general formula (9). It can be synthesized by reacting with siloxane diamine.
  • the content of the component (A) is preferably 5 to 90% by mass, and 20 to 80% by mass based on the total solid content of the photosensitive adhesive composition. It is more preferable that If the content is less than 20% by mass, the developability during pattern formation tends to be insufficient, and if it exceeds 80% by mass, the developability and adhesiveness during pattern formation tend to be insufficient.
  • a resin having a carboxyl group and / or a hydroxyl group and / or a resin having a hydrophilic group is added as a dissolution aid. May be.
  • the resin having a hydrophilic group is not particularly limited as long as it is an alkali-soluble resin, and examples thereof include resins having glycol groups such as ethylene glycol and propylene glycol groups.
  • the thermosetting resin preferably contains at least two epoxy groups in the molecule, and phenol and phenol are preferable from the viewpoint of curability and cured product characteristics.
  • the glycidyl ether type epoxy resin is more preferable.
  • examples of such resins include bisphenol A type (or AD type, S type, and F type) glycidyl ether, water-added bisphenol A type glycidyl ether, ethylene oxide adduct bisphenol A type glycidyl ether, and propylene oxide adduct.
  • thermosetting resin is a high-purity product in which impurity ions such as alkali metal ions, alkaline earth metal ions, halogen ions, particularly chlorine ions and hydrolyzable chlorine are reduced to 300 ppm or less. It is preferable to use it from the viewpoint of preventing electromigration and preventing corrosion of a metal conductor circuit.
  • the content of the component (B) is preferably 0.1 to 100 parts by mass and more preferably 2 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A).
  • this content exceeds 100 parts by mass, the solubility in an alkaline aqueous solution is lowered, and the pattern formability tends to be insufficient.
  • the content is less than 0.1 parts by mass, the high-temperature adhesiveness tends to be insufficient.
  • a curing agent In addition to the component (B), a curing agent, a curing accelerator, a radiation polymerizable compound, and the like may be included.
  • the curing agent examples include phenolic compounds, aliphatic amines, alicyclic amines, aromatic polyamines, polyamides, aliphatic acid anhydrides, alicyclic acid anhydrides, aromatic acid anhydrides, dicyandiamide, and organic acid dihydrazides. , Boron trifluoride amine complexes, imidazoles, tertiary amines and the like. Among these, phenol compounds are preferable, and phenol compounds having at least two phenolic hydroxyl groups in the molecule are more preferable.
  • Examples of such compounds include phenol novolak, cresol novolak, t-butylphenol novolak, dicyclopentadiene cresol novolak, dicyclopentadienephenol novolak, xylylene-modified phenol novolak, naphthol compound, trisphenol compound, tetrakisphenol novolak, bisphenol.
  • a novolak, poly-p-vinylphenol, phenol aralkyl resin and the like those having a number average molecular weight in the range of 400 to 4000 are preferable. Thereby, the outgas at the time of heating which causes the contamination of the semiconductor element or the device at the time of assembling the semiconductor device can be suppressed.
  • the content of the phenolic compound is preferably 1 to 100 parts by weight, more preferably 2 to 50 parts by weight, and more preferably 2 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of component (A). Most preferred.
  • this content exceeds 100 parts by mass, the reactivity of the compound having an ethylenically unsaturated group and epoxy group and the radiation polymerizable compound at the time of exposure becomes poor, or the acid value and phenolic hydroxyl value of the resin increase.
  • the film thickness tends to decrease or swell after development.
  • the penetration of the developer into the resin pattern increases, outgassing during subsequent heat curing and assembly heat history tends to increase, and heat resistance reliability and moisture resistance reliability tend to be greatly reduced.
  • the content is less than 1 part by mass, there is a tendency that sufficient high-temperature adhesiveness cannot be obtained.
  • the curing accelerator is not particularly limited as long as it contains a curing accelerator that accelerates curing / polymerization of epoxy by heating.
  • a curing accelerator that accelerates curing / polymerization of epoxy by heating.
  • examples include tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole-tetraphenylborate, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7-tetraphenylborate.
  • the content of the curing accelerator in the photosensitive adhesive composition is preferably 0.01 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin.
  • the component (D) (photoinitiator) has a molecular extinction coefficient of 1000 ml / g ⁇ cm or more for light having a wavelength of 365 nm from the viewpoint of improving sensitivity. And more preferably 2000 ml / g ⁇ cm or more.
  • a 0.001 mass% acetonitrile solution of the sample is prepared, and the absorbance of this solution is measured using a spectrophotometer (manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation, “U-3310” (trade name)). Is required.
  • the component (D) is more preferably bleached by light irradiation.
  • Examples of such component (D) include 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one.
  • Benzyl derivatives such as aromatic ketones, benzyldimethyl ketal, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (m-methoxyphenyl) imidazole Dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-phenylimidazole dimer, 2- (o Methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2,4-di (p-methoxyphenyl) -5-phenylimidazole dimer 2,4,5-triarylimidazole dimers such as 2- (2,4-dimethoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 9-phenylacridine, 1,7-bis (9 , 9'-acridinyl) h
  • the component may contain the photoinitiator which expresses the function which accelerates
  • a photoinitiator include a photobase generator that generates a base by irradiation, a photoacid generator that generates an acid by irradiation, and the photobase generator is particularly preferable.
  • the photobase generator By using the photobase generator, the high-temperature adhesion and moisture resistance of the photosensitive adhesive composition to the adherend can be further improved. This is because the base generated from the photobase generator acts as a curing catalyst for the epoxy resin efficiently, so that the crosslinking density can be further increased, and the generated curing catalyst corrodes the substrate and the like. This is thought to be because there are few. Moreover, by including a photobase generator in the photosensitive adhesive composition, the crosslink density can be improved, and the outgas during standing at high temperature can be further reduced. Furthermore, it is considered that the curing process temperature can be lowered and shortened.
  • the photosensitive adhesive composition containing a photobase generator a base is generated by irradiation of the radiation, whereby the carboxyl remaining after the reaction of the above carboxyl group and / or hydroxyl group with the epoxy resin.
  • the group and / or hydroxyl group can be reduced, and it becomes possible to achieve a higher level of moisture resistance, adhesion and pattern formation.
  • the photobase generator can be used without particular limitation as long as it is a compound that generates a base upon irradiation with radiation.
  • a strongly basic compound is preferable in terms of reactivity and curing speed.
  • a pKa value that is a logarithm of an acid dissociation constant is used as a basic index, and a base having a pKa value in an aqueous solution of 7 or more is preferable, and a base of 9 or more is more preferable.
  • Examples of the base generated upon irradiation with radiation include imidazole derivatives such as imidazole, 2,4-dimethylimidazole, and 1-methylimidazole, piperazine derivatives such as piperazine and 2,5-dimethylpiperazine, piperidine, 1,2, and the like.
  • -A piperidine derivative such as dimethylpiperidine, a proline derivative, a trialkylamine derivative such as trimethylamine, triethylamine or triethanolamine, an amino group or an alkylamino group substituted at the 4-position of 4-methylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, etc.
  • Pyridine derivatives such as pyrrolidine, n-methylpyrrolidine, dihydropyridine derivatives, triethylenediamine, alicyclic amine derivatives such as 1,8-diazabiscyclo (5,4,0) undecene-1 (DBU) Body, benzyl methyl amine, benzyl dimethyl amine, and the like benzylamine derivatives such as benzyl diethylamine.
  • pyrrolidine derivatives such as pyrrolidine, n-methylpyrrolidine, dihydropyridine derivatives, triethylenediamine, alicyclic amine derivatives such as 1,8-diazabiscyclo (5,4,0) undecene-1 (DBU) Body, benzyl methyl amine, benzyl dimethyl amine, and the like benzylamine derivatives such as benzyl diethylamine.
  • the photobase generator a compound in which a group capable of generating a base is introduced into the main chain and / or side chain of the polymer may be used.
  • the molecular weight in this case is preferably a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000, more preferably 5,000 to 30,000, from the viewpoints of adhesiveness, fluidity and heat resistance as an adhesive.
  • the above-mentioned photobase generator does not show reactivity with the epoxy resin in a state where it is not irradiated with radiation at room temperature, and therefore has excellent storage stability at room temperature.
  • a thermal radical generator can be used as necessary.
  • the thermal radical generator is preferably an organic peroxide.
  • the organic peroxide preferably has a one minute half-life temperature of 120 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher.
  • the organic peroxide is selected in consideration of preparation conditions of the photosensitive adhesive composition, film forming temperature, curing (bonding) conditions, other process conditions, storage stability, and the like.
  • the peroxide that can be used is not particularly limited.
  • thermal radical generators include, for example, perhexa 25B (manufactured by NOF Corporation), 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxyhexane) (1 minute) Half-life temperature: 180 ° C., Park mill D (manufactured by NOF Corporation), dicumyl peroxide (1 minute half-life temperature: 175 ° C.), and the like.
  • the addition amount of the thermal radical generator is preferably 0.01 to 20% by weight, more preferably 0.1 to 10% by weight, more preferably 0.5 to 4% by weight based on the total amount of the compound having an ethylenically unsaturated group. 5% by weight is most preferred. If it is 0.01% by weight or less, the curability is lowered and the effect of addition is reduced, and if it exceeds 5% by weight, the outgas amount is increased and the storage stability is lowered.
  • a sensitizer can be used in combination as necessary.
  • the sensitizer include camphorquinone, benzyl, diacetyl, benzyldimethyl ketal, benzyldiethyl ketal, benzyldi (2-methoxyethyl) ketal, 4,4′-dimethylbenzyl-dimethyl ketal, anthraquinone, 1-chloroanthraquinone.
  • quinones In order to impart storage stability, process adaptability or antioxidant properties to the first to third photosensitive adhesive compositions, quinones, polyhydric phenols, phenols, phosphites, sulfurs, etc.
  • a polymerization inhibitor or an antioxidant may be further added as long as the curability is not impaired.
  • the above-mentioned photosensitive adhesive composition can contain a filler as appropriate.
  • the filler include metal fillers such as silver powder, gold powder, copper powder, and nickel powder, alumina, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, Inorganic fillers such as aluminum oxide, aluminum nitride, crystalline silica, amorphous silica, boron nitride, titania, glass, iron oxide, and ceramics, and organic fillers such as carbon and rubber fillers are included. Regardless, it can be used without any particular restrictions.
  • the filler can be used properly according to the desired function.
  • a metal filler is added for the purpose of imparting conductivity, thermal conductivity, thixotropy, etc. to the resin composition
  • a nonmetallic inorganic filler is added to the adhesive layer for thermal conductivity, low thermal expansion, low hygroscopicity, etc.
  • the organic filler is added for the purpose of imparting toughness to the adhesive layer.
  • metal fillers, inorganic fillers or organic fillers can be used singly or in combination of two or more.
  • metal fillers, inorganic fillers, or insulating fillers are preferable in terms of being able to impart conductivity, thermal conductivity, low moisture absorption characteristics, insulating properties, and the like required for adhesive materials for semiconductor devices, and inorganic fillers or insulating fillers.
  • a silica filler is more preferable in that it has good dispersibility with respect to the resin varnish and can impart a high adhesive force when heated.
  • the filler preferably has an average particle size of 10 ⁇ m or less and a maximum particle size of 30 ⁇ m or less, more preferably an average particle size of 5 ⁇ m or less and a maximum particle size of 20 ⁇ m or less.
  • the average particle diameter exceeds 10 ⁇ m and the maximum particle diameter exceeds 30 ⁇ m, the effect of improving fracture toughness tends to be insufficient.
  • the lower limits of the average particle size and the maximum particle size are not particularly limited, but usually both are 0.001 ⁇ m.
  • the content of the filler is determined according to the properties or functions to be imparted, but is preferably 0 to 50% by mass, more preferably 1 to 40% by mass, and more preferably 3 to 30% by mass with respect to the total of the resin component and the filler. Is more preferable.
  • a high elastic modulus can be achieved, and dicing properties (cutability by a dicer blade), wire bonding properties (ultrasonic efficiency), and adhesive strength during heating can be effectively improved.
  • the filler content is preferably within the above range.
  • the optimum filler content is determined in order to balance the required properties. Mixing and kneading in the case of using a filler can be carried out by appropriately combining dispersers such as ordinary stirrers, raking machines, three rolls, and ball mills.
  • Various coupling agents can be added to the photosensitive adhesive composition in order to improve interfacial bonding between different materials.
  • the coupling agent include silane-based, titanium-based, and aluminum-based.
  • a silane-based coupling agent is preferable because of its high effect, and a thermosetting group such as an epoxy group, methacrylate, and / or acrylate.
  • a compound having a radiation polymerizable group such as is more preferred.
  • the boiling point and / or decomposition temperature of the silane coupling agent is preferably 150 ° C. or higher, more preferably 180 ° C. or higher, and even more preferably 200 ° C. or higher. That is, a silane coupling agent having a boiling point of 200 ° C.
  • the amount of the coupling agent used is preferably 0.01 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A) to be used, from the viewpoints of the effect, heat resistance and cost.
  • an ion scavenger can be further added in order to adsorb ionic impurities and improve insulation reliability during moisture absorption.
  • an ion scavenger is not particularly limited.
  • triazine thiol compound a compound known as a copper damage preventer for preventing copper from being ionized and dissolved, such as a phenol-based reducing agent, Inorganic compounds such as bismuth-based, antimony-based, magnesium-based, aluminum-based, zirconium-based, calcium-based, titanium-based, zuzu-based, and mixed systems thereof.
  • IXE-300 antimony type
  • IXE-500 bismuth type
  • IXE-600 antimony, bismuth mixed type
  • IXE-700 magnesium and aluminum mixed system
  • IXE-800 zirconium system
  • IXE-1100 calcium system
  • the amount of the ion scavenger used is preferably 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of component (A) from the viewpoints of the effect of addition, heat resistance, cost, and the like.
  • a film adhesive can be obtained by forming the first to third photosensitive adhesive compositions into a film.
  • FIG. 1 is an end view showing an embodiment of the film adhesive of the present invention.
  • a film adhesive 1 shown in FIG. 1 is obtained by forming the photosensitive adhesive composition into a film.
  • the film-like adhesive 1 is formed into a film shape by, for example, applying the photosensitive adhesive composition on the substrate 3 shown in FIG. 2 and drying it.
  • the adhesive sheet 100 provided with the base material 3 and the adhesive layer 1 made of the film-like adhesive formed on the base material 3 is obtained.
  • FIG. 2 is an end view showing an embodiment of the adhesive sheet 100 of the present invention.
  • the adhesive sheet 100 shown in FIG. 2 is comprised from the base material 3 and the adhesive bond layer 1 which consists of a film adhesive provided on the one side.
  • FIG. 3 is an end view showing another embodiment of the adhesive sheet of the present invention.
  • the adhesive sheet 100 shown in FIG. 3 is comprised from the base material 3, the adhesive bond layer 1 and cover film 2 which consist of a film adhesive provided on the one side of this.
  • the component (A), the component (B), the component (C), the component (D) and other components added as necessary are mixed in an organic solvent, and the mixed solution is kneaded.
  • the varnish can be prepared by applying the varnish on the base material 3 to form a varnish layer, drying the varnish layer by heating, and then removing the base material 3. At this time, the substrate 3 can be stored or used in the state of the adhesive sheet 100 without removing the substrate 3.
  • the organic solvent used for preparing the varnish is not particularly limited as long as the material can be uniformly dissolved or dispersed.
  • examples include dimethylformamide, toluene, benzene, xylene, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, ethyl cellosolve, ethyl cellosolve acetate, dioxane, cyclohexanone, ethyl acetate, and N-methyl-pyrrolidinone.
  • the above mixing and kneading can be performed by appropriately combining dispersers such as a normal stirrer, a raking machine, a three-roller, and a ball mill.
  • the drying by heating is performed at a temperature at which the component (B) does not sufficiently react and the solvent is sufficiently volatilized.
  • the “temperature at which the component (B) does not sufficiently react” refers to DSC (for example, “DSC-7 type” (trade name) manufactured by PerkinElmer, Inc.), sample amount: 10 mg
  • the temperature is equal to or lower than the peak temperature of the heat of reaction when measured under the conditions of temperature rising rate: 5 ° C./min and measurement atmosphere: air.
  • the varnish layer is dried usually by heating at 60 to 180 ° C. for 0.1 to 90 minutes.
  • the preferred thickness of the varnish layer before drying is 1 to 200 ⁇ m. If this thickness is less than 1 ⁇ m, the adhesive fixing function tends to be insufficient, and if it exceeds 200 ⁇ m, the residual volatile matter described later tends to increase.
  • the preferred residual volatile content of the obtained varnish layer is 10% by mass or less. If this residual volatile content exceeds 10% by mass, voids tend to remain inside the adhesive layer due to foaming due to solvent volatilization during assembly heating, and the moisture resistance tends to be insufficient. Moreover, there is a tendency that peripheral materials or members are contaminated by volatile components generated during heating.
  • the measurement conditions of said residual volatile component are as follows. That is, for the film-like adhesive 1 cut to a size of 50 mm ⁇ 50 mm, the initial mass is M1, and the mass after heating the film-like adhesive 1 in an oven at 160 ° C. for 3 hours is M2, and the following formula To obtain the remaining volatile content (%).
  • Formula Residual volatile content (%) [(M2-M1) / M1] ⁇ 100
  • the substrate 3 is not particularly limited as long as it can withstand the above drying conditions.
  • a polyester film, a polypropylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyimide film, a polyetherimide film, a polyether naphthalate film, or a methylpentene film can be used as the substrate 3.
  • the film as the substrate 3 may be a multilayer film in which two or more kinds are combined, or the surface may be treated with a release agent such as a silicone or silica.
  • the film adhesive 1 and the dicing sheet can be laminated to form an adhesive sheet.
  • the dicing sheet is a sheet provided with a pressure-sensitive adhesive layer on a substrate, and the pressure-sensitive adhesive layer may be either a pressure-sensitive type or a radiation curable type.
  • the base material is preferably a base material that can be expanded.
  • FIG. 5 is a top view showing an embodiment of a semiconductor wafer with an adhesive layer of the present invention
  • FIG. 6 is an end view taken along the line IV-IV in FIG.
  • a semiconductor wafer 20 with an adhesive layer shown in FIGS. 5 and 6 includes a semiconductor wafer 8 and a film adhesive (adhesive layer) 1 provided on one surface thereof.
  • the semiconductor wafer 20 with an adhesive layer is obtained by laminating the film adhesive 1 on the semiconductor wafer 8 while heating.
  • the film adhesive 1 can be attached to the semiconductor wafer 8 at a low temperature of about room temperature (25 ° C.) to 150 ° C., for example.
  • FIGS. 7, 8, 9 and 10 are respectively a top view showing an embodiment of the adhesive pattern of the present invention
  • FIG. 8 is an end view taken along the line VV of FIG. 7
  • FIG. FIG. 6 is an end view taken along the line VI.
  • the adhesive pattern 1a shown in FIGS. 7, 8, 9 and 10 is formed on the semiconductor wafer 8 as the adherend so as to have a pattern along a substantially square side or a square pattern.
  • the adhesive pattern 1a is obtained by laminating the adhesive layer 1 on a semiconductor wafer 8 as an adherend to obtain a semiconductor wafer 20 with an adhesive layer, exposing the adhesive layer 1 through a photomask, and after exposure.
  • the adhesive layer 1 is developed by an alkaline developer. Thereby, the semiconductor wafer 20 with an adhesive layer in which the adhesive pattern 1a is formed is obtained.
  • FIG. 11 is an end view showing an embodiment of the semiconductor device of the present invention.
  • the semiconductor element 12 is bonded to the semiconductor element mounting support member 13 via the film adhesive 1, and the connection terminal (not shown) of the semiconductor element 12 is externally connected via the wire 14. It is electrically connected to a connection terminal (not shown) and sealed with a sealing material 15.
  • FIG. 12 is an end view showing another embodiment of the semiconductor device of the present invention.
  • the first-stage semiconductor element 12a is bonded to the semiconductor-element mounting support member 13 on which the terminals 16 are formed via the film adhesive 1
  • the first-stage semiconductor element 12a is bonded to the first-stage semiconductor element 12a.
  • a second-stage semiconductor element 12b is bonded via a film adhesive 1.
  • the connection terminals (not shown) of the first-stage semiconductor element 12a and the second-stage semiconductor element 12b are electrically connected to the external connection terminals via the wires 14, and are sealed with a sealing material.
  • the film adhesive of the present invention can be suitably used for a semiconductor device having a structure in which a plurality of semiconductor elements are stacked.
  • the semiconductor wafer 20 with the adhesive layer shown in FIG. 9 is diced along the broken line D, and the semiconductor element with the adhesive layer after dicing is mounted on the semiconductor element. It can be obtained by thermocompression bonding to the supporting member 13 and bonding them together, followed by steps such as a wire bonding step and, if necessary, a sealing step with a sealing material.
  • the heating temperature in the thermocompression bonding is usually 20 to 250 ° C.
  • the load is usually 0.01 to 20 kgf
  • the heating time is usually 0.1 to 300 seconds.
  • FIG. 18 there is a semiconductor device according to an embodiment of the present invention as shown in FIG.
  • a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 18 will be described in detail with reference to the drawings.
  • 13, 14 and 16 to 19 are end views showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention
  • FIG. 15 is a top view showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention. .
  • the manufacturing method of the semiconductor device of the present embodiment includes the following (Step 1) to (Step 7).
  • Step 1) Step of laminating a film adhesive (adhesive layer) 1 on the circuit surface 18 of the semiconductor chip (semiconductor element) 12 formed in the semiconductor wafer 8 (FIGS. 13A and 13B) .
  • Step 2) A step of patterning the adhesive layer 1 provided on the circuit surface 18 of the semiconductor chip 12 by exposure and development (FIGS. 13C and 14A).
  • Step 3) A step of thinning the semiconductor wafer 8 by polishing the semiconductor wafer 8 from the surface opposite to the circuit surface 18 (FIG. 14B).
  • Step 4 A step of dicing the semiconductor wafer 8 into a plurality of semiconductor chips 12 by dicing (FIGS. 14C and 16A).
  • Step 5 A step of picking up the semiconductor chip 12 and mounting it on a plate-like support member (semiconductor element mounting support member) 13 for a semiconductor device (FIGS. 16B and 17A).
  • Step 6) A step of laminating the second semiconductor chip 12b on the adhesive layer 1 patterned on the circuit surface 18 of the semiconductor chip 12a mounted on the support member 13 (FIG. 17B).
  • Step 7) A step of connecting the semiconductor chips 12a and 12b to the external connection terminals, respectively (FIG. 18).
  • Step 1 In the semiconductor wafer 8 shown in FIG. 13A, a plurality of semiconductor chips 12 divided by dicing lines D are formed. A film adhesive (adhesive layer) 1 is laminated on the surface of the semiconductor chip 12 on the circuit surface 18 side (FIG. 13B).
  • a method of laminating the adhesive layer 1 a method of preparing a film-like adhesive previously formed into a film shape and affixing it to the semiconductor wafer 8 is simple, but it is liquid using a spin coat method or the like. A method of applying a varnish of a photosensitive adhesive composition to the semiconductor wafer 8 and drying by heating may be used.
  • the adhesive layer 1 is a negative photosensitive adhesive that has adhesiveness to an adherend after being patterned by exposure and development and is capable of alkali development. More specifically, a resist pattern (adhesive pattern) formed by patterning the adhesive layer 1 by exposure and development has adhesion to an adherend such as a semiconductor chip or a support member. For example, the adhesive pattern and the adherend can be bonded to each other by pressing the adherend to the adhesive pattern while heating if necessary.
  • Actinic rays (typically ultraviolet rays) are irradiated to the adhesive layer 1 laminated on the semiconductor wafer 8 through the mask 4 having openings at predetermined positions (FIG. 13C). Thereby, the adhesive layer 1 is exposed in a predetermined pattern.
  • the adhesive layer 1 is patterned so that the opening 11 is formed by removing the unexposed portion of the adhesive layer 1 by development using an alkaline developer (FIG. 14A).
  • an alkaline developer FIG. 14A
  • FIG. 15 is a top view showing a state where the adhesive layer 1 is patterned.
  • the bonding pad of the semiconductor chip 12 is exposed. That is, the patterned adhesive layer 1 is a buffer coat film of the semiconductor chip 12.
  • a plurality of rectangular openings 11 are formed side by side on each semiconductor chip 12. The shape, arrangement, and number of the openings 11 are not limited to those in the present embodiment, and can be appropriately modified so that a predetermined portion such as a bonding pad is exposed.
  • 14 is an end view taken along the line II-II in FIG.
  • polishing is performed, for example, by attaching an adhesive film on the adhesive layer 1 and fixing the semiconductor wafer 8 to a polishing jig with the adhesive film.
  • the semiconductor wafer 8 is cut along with the adhesive layer 1 and the composite film 5 along the dicing line D. Thereby, a plurality of semiconductor chips 12 each having the adhesive layer 1 and the composite film are obtained (FIG. 16A).
  • This dicing is performed using a dicing blade in a state where the whole is fixed to the frame by the dicing tape 40, for example.
  • Step 6 A second semiconductor chip 12b is stacked on the adhesive layer 1 on the semiconductor chip 12a mounted on the support member 13 (FIG. 17B). That is, the semiconductor chip 12a and the semiconductor chip 12b located in an upper layer thereof are bonded by the patterned adhesive layer 1 (buffer coat film) interposed therebetween. The semiconductor chip 12b is bonded to a position where the opening 11 is not blocked in the patterned adhesive layer 1. A patterned adhesive layer 1 (buffer coat film) is also formed on the circuit surface 18 of the semiconductor chip 12b.
  • the bonding of the semiconductor chip 12b is performed, for example, by a method of thermocompression bonding while heating to a temperature at which the adhesive layer 1 exhibits fluidity. After the thermocompression bonding, the adhesive layer 1 is heated as necessary to further cure.
  • Step 7 Thereafter, the semiconductor chip 12a is connected to an external connection terminal on the support member 13 via a wire 14a connected to the bonding pad, and the semiconductor chip 12b is connected to the support member 13 via a wire 14b connected to the bonding pad. Connected to the external connection terminal.
  • the stacked body including the semiconductor chips 12a and 12b is sealed with the sealing material 15 to obtain the semiconductor device 200 (FIG. 18).
  • the manufacturing method of the semiconductor device of the present invention is not limited to the above embodiment, and can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention.
  • the order of (Step 1) to (Step 7) can be changed as appropriate.
  • dicing may be performed after the semiconductor wafer 8 on which the adhesive layer 1 is formed is thinned by polishing.
  • the adhesive layer 1 is patterned by exposure and development to obtain a laminate similar to that shown in FIG.
  • the semiconductor wafer may be thinned by polishing and diced, and then the film adhesive 1 may be attached, exposed and developed.
  • three or more layers of semiconductor chips 12 may be stacked. In that case, at least one pair of adjacent semiconductor chips are directly bonded by the patterned adhesive layer 1 (lower layer buffer coat film).
  • FIG. 20 is an end view showing another embodiment of the semiconductor device of the present invention.
  • a semiconductor device 200 shown in FIG. 20 includes a support member (first adherend) 13 having a connection terminal (first connection portion: not shown) and a connection electrode portion (second connection portion: not shown).
  • a semiconductor chip (second adherend) 12 an adhesive layer 1 made of an insulating material, and a conductive layer 9 made of a conductive material.
  • the support member 13 has a circuit surface 18 that faces the semiconductor chip 12, and is disposed at a predetermined interval from the semiconductor chip 12.
  • the adhesive layer 1 is formed in contact with each other between the support member 13 and the semiconductor chip 12 and has a predetermined pattern.
  • the conductive layer 9 is formed in a portion between the support member 13 and the semiconductor chip 12 where the adhesive layer 1 is not disposed.
  • the connection electrode portion of the semiconductor chip 12 is electrically connected to the connection terminal of the support member 13 through the conductive layer 9.
  • FIGS. 21 to 25 are end views showing one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
  • the method for manufacturing a semiconductor device of this embodiment includes the following (first step) to (fourth step).
  • (1st process) The process of providing the adhesive bond layer 1 on the supporting member 13 which has a connection terminal (FIG.21 and FIG.22).
  • (Second Step) A step of patterning the adhesive layer 1 by exposure and development so as to form the opening 11 through which the connection terminal is exposed (FIGS. 23 and 24).
  • (Third Step) A step of filling the opening 11 with a conductive material to form the conductive layer 9 (FIG. 25).
  • the adhesive layer 1 is laminated on the circuit surface 18 of the support member 13 shown in FIG. 21 (FIG. 22).
  • a laminating method a method of preparing a film-like adhesive previously formed into a film shape and sticking it to the support member 13 is simple, but using a spin coating method or the like, a photosensitive adhesive composition is used. You may laminate
  • the photosensitive adhesive composition is a negative photosensitive adhesive that has an adhesive property to an adherend after being patterned by exposure and development and is capable of alkali development. More specifically, a resist pattern formed by patterning a photosensitive adhesive by exposure and development has adhesion to adherends such as semiconductor chips and substrates. For example, it is possible to bond the resist pattern and the adherend by applying pressure to the adherend while heating the resist pattern as necessary.
  • the adhesive layer 1 provided on the support member 13 is irradiated with actinic rays (typically ultraviolet rays) through the mask 4 having openings formed at predetermined positions (FIG. 23). Thereby, the adhesive layer 1 is exposed in a predetermined pattern.
  • actinic rays typically ultraviolet rays
  • the portion of the adhesive layer 1 that has not been exposed is removed by development using an alkaline developer so that the opening 11 through which the connection terminal of the support member 13 is exposed is formed. Is patterned (FIG. 24).
  • a positive photosensitive adhesive instead of the negative type, and in this case, the exposed portion of the adhesive layer 1 is removed by development.
  • the conductive layer 9 is formed by filling the opening 11 of the obtained resist pattern with a conductive material (FIG. 25).
  • a conductive material As a method for filling the conductive material, various methods such as gravure printing, indentation with a roll, and filling under reduced pressure can be adopted.
  • the conductive material used here is a metal such as solder, gold, silver, nickel, copper, platinum, palladium or ruthenium oxide, or an electrode material made of a metal oxide, etc.
  • conductive Examples include those containing at least particles and a resin component.
  • conductive particles for example, conductive particles such as metals or metal oxides such as gold, silver, nickel, copper, platinum, palladium, or ruthenium oxide, or organic metal compounds are used.
  • a resin component curable resin compositions mentioned above, such as an epoxy resin and its hardening
  • the semiconductor chip 12 is directly bonded to the adhesive layer 1 on the support member 13.
  • the connection electrode portion of the semiconductor chip 12 is electrically connected to the connection terminal of the support member 13 through the conductive layer 9.
  • a patterned adhesive layer (buffer coat film) may be formed on the circuit surface of the semiconductor chip 12 opposite to the adhesive layer 1.
  • the semiconductor chip 12 is bonded by, for example, a method of thermocompression bonding while heating to a temperature at which the adhesive layer 1 (photosensitive adhesive composition) exhibits fluidity. After the thermocompression bonding, the adhesive layer 1 is heated as necessary to further cure.
  • the semiconductor device 200 shown in FIG. 20 is obtained by the above method.
  • the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention.
  • the adhesive layer 1 is not limited to being provided on the support member 13 first, but may be provided on the semiconductor chip 12 first.
  • the manufacturing method of the semiconductor device includes, for example, a first step of providing the adhesive layer 1 on the semiconductor chip 12 having the connection electrode portion, and exposing and developing the adhesive layer 1 so that the connection electrode portion is formed.
  • a second step of patterning so as to form the exposed opening 11, a third step of filling the opening 11 with a conductive material to form the conductive layer 9, and a support member 13 having a connection terminal are formed on the semiconductor chip.
  • the adhesive layer 1 is bonded directly to the adhesive layer 1 of the laminate of the adhesive layer 1 and the adhesive layer 1, and the connection terminal of the support member 13 and the connection electrode portion of the semiconductor chip 12 are electrically connected via the conductive layer 9. 4 steps.
  • connection is made between the support member 13 and the semiconductor chip 12 that are separated into pieces, it is easy to connect the connection terminal on the support member 13 and the connection electrode portion on the semiconductor chip 12. Is preferable.
  • the adhesive layer 1 can be first provided on a semiconductor wafer composed of a plurality of semiconductor chips 12.
  • the semiconductor device manufacturing method includes, for example, a first step of providing the adhesive layer 1 on a semiconductor wafer including a plurality of semiconductor chips 12 having connection electrode portions, and exposing the adhesive layer 1 and A second step of patterning so as to form an opening 11 through which the connection electrode portion is exposed by development, a third step of filling the opening 11 with a conductive material to form the conductive layer 9, and connecting terminals
  • a wafer-sized support member 13 (a support member having the same size as a semiconductor wafer) is directly bonded to the adhesive layer 1 side of the laminate of the semiconductor wafer and the adhesive layer 1, and the support member 13
  • the semiconductor chip Isolate every two (diced) includes a fifth step.
  • the adhesive layer 1 is provided on the wafer-sized support member 13 in the first step, and the semiconductor wafer is laminated with the support member 13 and the adhesive layer 1 in the fourth step. And directly connecting the connection terminal of the support member 13 to the connection electrode portion of the semiconductor chip 12 constituting the semiconductor wafer via the conductive layer 9, in the fifth step 2, the laminated body of the semiconductor wafer, the adhesive layer 1 and the support member 13 may be cut for each semiconductor chip 12.
  • the process up to the connection between the semiconductor wafer and the support member 13 can be performed in the wafer size, which is preferable in terms of work efficiency.
  • Another method for manufacturing a semiconductor device includes a first step of providing an adhesive layer 1 on a semiconductor wafer composed of a plurality of semiconductor chips 12 having connection electrode portions, and exposing and developing the adhesive layer 1.
  • the fourth step of dicing the laminated body with the agent layer 1 for each semiconductor chip 12 and the supporting member 13 having the connection terminals are separated from the laminated body of the semiconductor chip 12 and the adhesive layer 1 that are separated into pieces.
  • the adhesive layer 1 is provided on the wafer-size support member 13 in the first step, and in the fourth step, the laminate of the wafer-size support member 13 and the adhesive layer 1 is a semiconductor chip.
  • the semiconductor chip 12 is directly bonded to the adhesive layer 1 side of the laminated support member 13 and the adhesive layer 1, and the support member 13 is connected.
  • the terminal and the connection electrode portion of the semiconductor chip 12 may be electrically connected via the conductive layer 9.
  • the above manufacturing method is preferable in that the process from the formation of the adhesive layer 1 to the conductive material filling step (third step) can be performed in a wafer size and the dicing step (fourth step) can be performed smoothly.
  • a semiconductor device semiconductor laminate
  • semiconductor laminate can be configured by bonding semiconductor wafers or semiconductor chips using a film adhesive. It is also possible to form a through electrode in this laminate.
  • the semiconductor device manufacturing method includes, for example, a first step of providing the adhesive layer 1 made of a photosensitive adhesive on the first semiconductor chip 12 having the connection electrode portion of the through electrode, and an adhesive layer.
  • a semiconductor wafer may be used instead of the semiconductor chip.
  • the semiconductor device of the present invention may be a solid-state image sensor as shown in FIG.
  • FIG. 26 is an end view showing an embodiment of a semiconductor device of the invention.
  • a semiconductor device (solid-state imaging device) 200 shown in FIG. 26 includes a glass substrate 7, a semiconductor chip 12, an adhesive layer 1, and an effective pixel region 17. The glass substrate 7 and the semiconductor chip 12 are bonded via the patterned adhesive layer 1, and an effective pixel region 17 is formed on the surface of the semiconductor chip 12 on the support member 13 side.
  • FIGS. 27 to 33 are end views or plan views showing one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.
  • the method for manufacturing a semiconductor device of this embodiment includes the following (first step) to (fourth step).
  • (Step 1) Adhesive layer made of the photosensitive adhesive composition of the present invention on the surface 7a of the glass substrate 7 having the front surface (first main surface) 7a and the back surface (second main surface) 7b facing each other. 1 is provided (FIGS. 27 and 28).
  • Step 2 A step of exposing the adhesive layer 1 by irradiating light from the back surface 7b side and patterning the adhesive layer 1 by development (FIGS. 29 to 31).
  • Step 3 A step of directly bonding the semiconductor element 12 to the patterned adhesive layer 1 so that the circuit surface thereof faces the glass substrate 7 (FIG. 32).
  • Step 4 A step of dicing the glass substrate 7 and the semiconductor element 12 bonded to each other to cut them into a plurality of semiconductor devices 200 (FIG. 33).
  • Step 1 An adhesive layer 1 made of the photosensitive adhesive composition of the present invention is provided on the surface 7a of the glass substrate 7 shown in FIG. 27 (FIG. 28).
  • molding the photosensitive adhesive composition of this invention in a film form, and affixing this on the glass substrate 7 is simple.
  • the adhesive layer 1 made of the photosensitive adhesive composition of the present invention can function as a negative photosensitive adhesive capable of alkali development, and after being patterned by exposure and development, a semiconductor element and a glass substrate It can have sufficient low-temperature thermocompression bonding properties to adherends such as. For example, it is possible to bond the resist pattern and the adherend by applying pressure to the adherend while heating the resist pattern as necessary. Details of the photosensitive adhesive composition of the present invention having such a function are as described above.
  • a mask 4 having an opening formed at a predetermined position is disposed on the back surface 7 b of the glass substrate 7, and the back surface 7 b is interposed through the mask 4.
  • Actinic rays typically ultraviolet rays
  • the actinic ray passes through the glass substrate 7 and is applied to the adhesive layer 1, and the adhesive layer 1 is exposed to light in a predetermined pattern as photocuring proceeds.
  • the adhesive layer 1 is patterned by removing an unexposed portion of the adhesive layer 1 by development using an alkaline developer (FIG. 30).
  • the adhesive layer 1 is formed so as to have a pattern along a substantially square side (FIG. 31).
  • a positive photosensitive adhesive instead of the negative type, and in this case, the exposed portion of the adhesive layer 1 is removed by development.
  • a plurality of effective pixel regions 17 provided on the circuit surface of the semiconductor element 12 are each surrounded by an adhesive layer 1 formed in a pattern along a substantially square side, and the circuit surface of the semiconductor element 12 is on the glass substrate 7 side.
  • the semiconductor element 12 is directly bonded to the adhesive layer 1 so as to face (FIG. 32).
  • the adhesive layer 1 functions as a spacer for adhering the semiconductor element 12 and securing a space surrounding the effective pixel region 17.
  • the semiconductor element 12 is bonded by, for example, a method of thermocompression bonding while heating to a temperature at which the adhesive layer 1 exhibits fluidity. After the thermocompression bonding, the adhesive layer 1 is heated as necessary to further cure.
  • dicing along the broken line D yields a plurality of semiconductor devices 200 shown in FIG.
  • a plurality of semiconductor devices 200 are obtained by sticking a dicing film on the surface opposite to the circuit surface of the semiconductor element 200 and cutting the glass substrate 7 and the semiconductor element 12 together with the dicing film.
  • the dicing is performed using a dicing blade in a state where the whole is fixed to the frame by a dicing film.
  • the manufacturing method of the semiconductor device is not limited to the embodiment described above, and can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention.
  • the semiconductor device (solid-state imaging device) 200 is used for manufacturing a CMOS sensor as shown in FIG.
  • FIG. 34 is an end view showing an example of a CMOS sensor using the semiconductor device shown in FIG. 26 as a solid-state imaging device.
  • the semiconductor device 200 is electrically connected to a connection terminal (not shown) on the semiconductor element mounting support member 13 via a plurality of conductive bumps 32.
  • the semiconductor device 200 is connected to the connection terminals on the semiconductor element mounting support member 13 through conductive wires. It may be.
  • the CMOS sensor 300 includes a lens 38 provided so as to be located immediately above the effective pixel region 17 (opposite side of the semiconductor chip 12), and a side wall 50 provided so as to enclose the semiconductor device 200 together with the lens 38.
  • a fitting member 42 interposed between the lens 38 and the side wall 50 in a state in which the lens 38 is fitted is mounted on the semiconductor element mounting support member 13.
  • the semiconductor device 200 manufactured by the method as described above is connected to the connection terminals on the semiconductor element mounting support member 13 and the semiconductor chip 12 via the conductive bumps 32, and the semiconductor device 200 is included.
  • the lens 38, the side wall 50, and the fitting member 42 are formed on the semiconductor element mounting support member 13.
  • DABA 3,5-diaminobenzoic acid
  • D-400 aliphatic ether diamine
  • LP-7100 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (4-aminophenyl) Disiloxane
  • solvent NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • ODPA 4,4′-oxydiphthalic dianhydride
  • PI-2 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane (molecular weight 410.5) (hereinafter referred to as “a diamine”) in a flask equipped with a stirrer, a thermometer, and a nitrogen displacement device (nitrogen inflow pipe).
  • BAPP nitrogen inflow pipe
  • EBTA 1,2- (ethylene) bis (trimellitic anhydride)
  • Photosensitive adhesive composition Using the polyimide resins (PI-1) and (PI-2) obtained above, each component was blended in the composition ratios (unit: parts by mass) shown in Tables 1 and 2 below. No. 7 and Comparative Examples 1 to 3 photosensitive adhesive compositions (varnish for forming an adhesive layer) were obtained.
  • each symbol means the following.
  • EA-5222 Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., polymerized functional group equivalent 380 g / eq, ethoxylated bisphenol A diepoxy acrylate BPE-100: Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., polymerized functional group equivalent 240 g / eq, ethoxylated bisphenol A di Methacrylate BPE-500: Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., polymerization functional group equivalent 565 g / eq, ethoxylated bisphenol A dimethacrylate A-9300: Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., polymerization functional group equivalent 140 g / eq, isocyanuric acid EO-modified tri Acrylate UA-3110: Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., polymerization functional group equivalent 350 g / eq, isocyanuric acid-modified triacrylate UA-3330: Shin-Nakamur
  • ⁇ Adhesive sheet> The obtained photosensitive adhesive compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 were each applied onto a substrate (peeling agent-treated PET film) so that the film thickness after drying was 50 ⁇ m. The mixture was heated in an oven at 80 ° C. for 20 minutes, and then heated at 120 ° C. for 20 minutes to form an adhesive layer made of the photosensitive adhesive composition on the substrate. Thus, the adhesive sheet which has a base material and the adhesive bond layer formed on the base material was obtained. The adhesive sheets obtained from the photosensitive adhesive compositions of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3 were used as the adhesive sheets of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 to 3, respectively.
  • the obtained laminate was exposed at 1000 mJ / cm 2 with a high-precision parallel exposure machine (“EXM-1172-B- ⁇ ” (trade name) manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.), and about 30 seconds on a hot plate at 80 ° C. I left it alone.
  • EXM-1172-B- ⁇ trade name
  • TMAH tetramethylammonium hydride
  • the adhesive bond layer which consists of a photosensitive adhesive composition was formed on the Teflon sheet.
  • the base material PET film
  • the laminate composed of the Teflon sheet and the adhesive layer was laminated so that the thickness was about 200 ⁇ m, cut into a size of 10 mm ⁇ 10 mm, and used as a sample.
  • the temperature conditions of the laminate were 80 ° C. for Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2, and 200 ° C. for Comparative Example 3.
  • the Teflon sheet on one side of the obtained sample is peeled off, dried by heating at 150 ° C. for 10 minutes, and the minimum melt viscosity is measured using a viscoelasticity measuring device ARES (manufactured by Rheometrics Scientific F.E.). went.
  • the measurement plate was a parallel plate having a diameter of 8 mm, and the measurement conditions were set to a temperature increase of 5 ° C./min and a frequency of 1 Hz.
  • the lowest melt viscosity at ⁇ 50 ° C. to 300 ° C. was defined as the minimum melt viscosity.
  • the measurement results are shown in Tables 1 and 2.
  • a silicon wafer (6 inch diameter, 400 ⁇ m thickness) is placed on a support base, and the adhesive sheet is rolled on the silicon wafer so that the adhesive layer is in contact with the back surface (the surface opposite to the support base) of the silicon wafer.
  • the layers were laminated by pressurization (temperature 100 ° C., linear pressure 4 kgf / cm, feed rate 0.5 m / min).
  • PET film base material
  • the sample of the laminated body which consists of a silicon wafer, an adhesive bond layer, and a polyimide film, and these are laminated
  • the obtained sample was subjected to a 90 ° peel test at room temperature using a rheometer (manufactured by Toyo Seisakusho Co., Ltd., “Strograph ES” (trade name)) to peel the adhesive layer and the polyimide film. The strength was measured. Based on the measurement result, the sample having a peel strength of 2 N / cm or more was designated as A, and the sample having a peel strength of less than 2 N / cm was designated as B, and the low temperature sticking property was evaluated. The evaluation results are shown in Tables 1 and 2.
  • TMAH tetramethylammonium hydride
  • the obtained laminate consisting of the silicon wafer and the adhesive layer was separated into pieces of 3 mm ⁇ 3 mm. After drying the separated laminate at 150 ° C. for 10 minutes, the laminate was laminated on a glass substrate (10 mm ⁇ 10 mm ⁇ 0.55 mm) so that the adhesive layer was in contact with the glass substrate, and pressurized with 2 kgf. Crimped for 10 seconds.
  • the crimping temperature was 150 ° C. for Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2, and 200 ° C. for Comparative Example 3.
  • the sample of the laminated body which consists of a silicon wafer, an adhesive bond layer, and a glass substrate and these are laminated
  • the obtained sample was heated in an oven at 180 ° C. for 3 hours, and further heated on a heating plate at 260 ° C. for 10 seconds, and then a shear adhesion tester “Dage-4000” (trade name) was used. Used to measure the adhesion. The measurement results are shown in Tables 1 and 2.
  • the temperature of the roll pressurization was 50 ° C. for the adhesive sheets of Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2, and 150 ° C. for the adhesive sheet of Comparative Example 3.
  • the frame shape 6 was used instead of the negative pattern mask.
  • a glass substrate (15 mm ⁇ 40 mm ⁇ 0.55 mm) was laminated on the surface opposite to the silicon wafer of the formed adhesive pattern. While pressing at 5 MPa, pressure was applied at 150 ° C. for 10 minutes to obtain a sample of a laminate comprising a silicon wafer, an adhesive pattern, and a glass substrate, which were laminated in this order.
  • the obtained sample was observed with a microscope (magnification: 50 times), and the unbonded portion (gap) was 20% or less with respect to the bonding area between the glass substrate and the adhesive pattern. Some were evaluated as B and evaluated for low-temperature thermocompression bonding. The evaluation results are shown in Tables 1 and 2.
  • the surface roughness of the obtained laminate was measured using a surface roughness meter (“SE-2300”, manufactured by Kosaka Laboratory). After measuring the diagonal line, IR reflow at 250 ° C. for 10 seconds was performed three times, and the average value of both diagonal lines was taken as the amount of warpage. The results are shown in Tables 1 and 2.
  • the photosensitive adhesives or adhesive sheets of Examples 1 to 7 have a low temperature thermocompression bonding property as compared with the photosensitive adhesives or adhesive sheets of Comparative Examples 1 to 3. It was remarkably excellent.
  • DABA 3,5-diaminobenzoic acid
  • D-400 aliphatic ether diamine
  • LP-7100 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-bis (4-aminophenyl) Disiloxane
  • solvent NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • ODPA 4,4′-oxydiphthalic dianhydride
  • PI-2 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane (molecular weight 410.5) (hereinafter referred to as “a diamine”) in a flask equipped with a stirrer, a thermometer, and a nitrogen displacement device (nitrogen inflow pipe).
  • BAPP nitrogen inflow pipe
  • EBTA 1,2- (ethylene) bis (trimellitic anhydride)
  • ⁇ (C) component radiation polymerizable compound> (C-1)
  • C-1 In a 500 mL flask equipped with a stirrer, a thermometer, and a nitrogen displacement device (nitrogen inflow pipe), 178 g (1.0 equivalent) of liquid high-purity bisphenol A bisglycidyl ether epoxy resin (epoxy equivalent 178 g / eq), acrylic acid 36 g (0.5 equivalent), 0.5 g of triphenylphosphine, and 0.15 g of hydroquinone were charged and reacted at 100 ° C. for 7 hours, whereby a radiation polymerizable compound (monofunctional (meth) acrylate having an epoxy group) ( C-1) was obtained.
  • (C-1) is a reactive compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group.
  • the acid value of (C-1) was 0.3 KOHmg / g or less, and the 5% weight loss temperature was 300 ° C.
  • the acid value is determined by titration with an ethanol solution of potassium hydroxide, and the 5% weight loss temperature is determined by a differential thermothermal gravimetric simultaneous measurement apparatus (“TG / DTA 6300” (trade name, manufactured by SII Nanotechnology). )) was measured under the condition of nitrogen flow: 400 ml / min.
  • the number of epoxy groups in (C-1) was about 1, the number of ethylenically unsaturated groups was about 1, the radiation polymerizable functional group equivalent was 410 g / eq, and the total chlorine content was 400 ppm or less.
  • (C-2) (C-2) In the same manner as (C-1), except that 168 g (1.0 equivalent) of liquid high-purity bisphenol F bisglycidyl ether epoxy resin (epoxy equivalent 160 g / eq) was used as the epoxy resin. Got.
  • the acid value of (C-2) was 0.3 KOHmg / g or less, and the 5% weight loss temperature was 300 ° C.
  • the number of epoxy groups in (C-2) was about 1, the number of ethylenically unsaturated groups was about 1, the radiation polymerizable functional group equivalent was 395 g / eq, and the total chlorine content was 400 ppm or less.
  • Photosensitive adhesive composition Using the polyimide resins (PI-1) and (PI-2) and the radiation polymerizable compounds (C-1) and (C-2) obtained above, the composition ratios (units) shown in Table 3 and Table 4 below are used. : Parts by mass), and the photosensitive adhesive compositions (varnish for forming an adhesive layer) of Examples I to V and Comparative Examples I to II were obtained.
  • YDF-870GS manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., bisphenol F bisglycidyl ether (5% weight loss temperature: 270 ° C.)
  • TrisP-PA manufactured by Honshu Chemical Co., Ltd., trisphenol compound ( ⁇ , ⁇ , ⁇ '-tris (4-hydroxyphenol) -1-ethyl-4-isopropylbenzene) (5% weight loss temperature: 350 ° C.)
  • R-972 manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., hydrophobic fumed silica (average particle size: about 16 nm)
  • I-819 Ciba Specialty Chemicals, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide Parkmill D: NOF Corporation, Dicumyl peroxide (1 minute half-life temperature: 175 ° C)
  • NMP manufactured by Kanto Chemical Co., Inc., N-methyl-2-pyrrolidone
  • ⁇ Adhesive sheet> The obtained photosensitive adhesive compositions of Examples I to V and Comparative Examples I to II were each applied onto a substrate (peeling agent-treated PET film) so that the film thickness after drying was 50 ⁇ m. The mixture was heated in an oven at 80 ° C. for 20 minutes, and then heated at 120 ° C. for 20 minutes to form an adhesive layer made of the photosensitive adhesive composition on the substrate. Thus, the adhesive sheet which has a base material and the adhesive bond layer formed on the base material was obtained. The adhesive sheets obtained from the photosensitive adhesive compositions of Examples I to V and Comparative Examples I to II were used as the adhesive sheets of Examples I to V and Comparative Examples I to II, respectively.
  • the obtained laminate was exposed at 1000 mJ / cm 2 with a high-precision parallel exposure machine (“EXM-1172-B- ⁇ ” (trade name) manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.), and about 30 seconds on a hot plate at 80 ° C. I left it alone.
  • EXM-1172-B- ⁇ trade name
  • TMAH tetramethylammonium hydride
  • the adhesive bond layer which consists of a photosensitive adhesive composition was formed on the Teflon sheet.
  • the base material PET film
  • the laminate composed of the Teflon sheet and the adhesive layer was laminated at 80 ° C. so that the thickness was about 200 ⁇ m, and cut into a size of 10 mm ⁇ 10 mm to obtain a sample.
  • the Teflon sheet on one side of the obtained sample is peeled off, dried by heating at 150 ° C. for 10 minutes, and the minimum melt viscosity is measured using a viscoelasticity measuring device ARES (manufactured by Rheometrics Scientific F.E.). went.
  • the measurement plate was a parallel plate having a diameter of 8 mm, and the measurement conditions were set to a temperature increase of 5 ° C./min and a frequency of 1 Hz.
  • the lowest melt viscosity at ⁇ 50 ° C. to 300 ° C. was defined as the minimum melt viscosity.
  • the measurement results are shown in Tables 3 and 4.
  • a silicon wafer (6 inch diameter, 400 ⁇ m thickness) is placed on a support base, and the adhesive sheet is rolled on the silicon wafer so that the adhesive layer is in contact with the back surface (the surface opposite to the support base) of the silicon wafer.
  • the layers were laminated by pressurization (temperature 100 ° C., linear pressure 4 kgf / cm, feed rate 0.5 m / min).
  • PET film base material
  • the sample of the laminated body which consists of a silicon wafer, an adhesive bond layer, and a polyimide film, and these are laminated
  • the obtained sample was subjected to a 90 ° peel test at room temperature using a rheometer (manufactured by Toyo Seisakusho Co., Ltd., “Strograph ES” (trade name)) to peel the adhesive layer and the polyimide film. The strength was measured. Based on the measurement result, the sample having a peel strength of 2 N / cm or more was designated as A, and the sample having a peel strength of less than 2 N / cm was designated as B, and the low temperature sticking property was evaluated. The evaluation results are shown in Tables 3 and 4.
  • the temperature of the roll pressurization was the same as the low temperature sticking evaluation test except that the adhesive sheets of Examples I to V and Comparative Example I were 50 ° C. and the adhesive sheet of Comparative Example II was 150 ° C. Then, an adhesive sheet was laminated on the silicon wafer. The obtained laminate was exposed from the adhesive sheet side at 1000 mJ / cm 2 with a high-precision parallel exposure machine (“EXM-1172-B- ⁇ ” (trade name), manufactured by Oak Seisakusho), and a hot plate at 80 ° C. Left for about 30 seconds above.
  • EXM-1172-B- ⁇ (trade name), manufactured by Oak Seisakusho
  • TMAH tetramethylammonium hydride
  • the obtained laminate consisting of the silicon wafer and the adhesive layer was separated into pieces of 3 mm ⁇ 3 mm. After drying the separated laminate at 150 ° C. for 10 minutes, the laminate was laminated on a glass substrate (10 mm ⁇ 10 mm ⁇ 0.55 mm) so that the adhesive layer was in contact with the glass substrate, and pressurized with 2 kgf. Crimped for 10 seconds.
  • the crimping temperature was 150 ° C. for Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2, and 200 ° C. for Comparative Example 3.
  • the sample of the laminated body which consists of a silicon wafer, an adhesive bond layer, and a glass substrate and these are laminated
  • the obtained sample was heated in an oven at 180 ° C. for 3 hours, and further heated on a heating plate at 260 ° C. for 10 seconds, and then a shear adhesion tester “Dage-4000” (trade name) was used. Used to measure the adhesion. The measurement results are shown in Tables 3 and 4.
  • the temperature of the roll pressurization was the same as the evaluation test for high temperature adhesiveness except that the temperature was 60 ° C. for the adhesive sheets of Examples I to V and Comparative Example I and 150 ° C. for the adhesive sheet of Comparative Example II. Then, an adhesive sheet was laminated on the silicon wafer. The obtained laminate was exposed from the adhesive sheet side through a negative pattern mask (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., “No. G-2” (trade name)) in the same manner as in the above test. Next, in the same manner as in the above test, after leaving on a hot plate, the substrate was removed, and development and washing were performed. Thus, the adhesive pattern which consists of a photosensitive adhesive composition was formed on the silicon wafer.
  • the roll pressing temperature was 50 ° C. for the adhesive sheets of Examples I to V and Comparative Example I, and 150 ° C. for the adhesive sheet of Comparative Example II. Except for using a mask pattern (hollow part 2 mm, line width 0.5 mm), an adhesive pattern made of a photosensitive adhesive composition was formed on a silicon wafer in the same manner as the pattern formation evaluation test described above. did.
  • a glass substrate (15 mm ⁇ 40 mm ⁇ 0.55 mm) was laminated on the surface opposite to the silicon wafer of the formed adhesive pattern. While pressing at 5 MPa, pressure was applied at 150 ° C. for 10 minutes to obtain a sample of a laminate comprising a silicon wafer, an adhesive pattern, and a glass substrate, which were laminated in this order.
  • the obtained sample was observed with a microscope (magnification: 50 times), and the unbonded portion (gap) was 20% or less with respect to the bonding area between the glass substrate and the adhesive pattern. Some were evaluated as B and evaluated for low-temperature thermocompression bonding. The evaluation results are shown in Tables 3 and 4.
  • the photosensitive adhesives or adhesive sheets of Examples I to V have a low temperature thermocompression bonding property as compared with the photosensitive adhesives or adhesive sheets of Comparative Examples I and II. It was remarkably excellent.
  • thermoplastic resin Polyimide resin (PI-3)
  • PI-3 Polyimide resin
  • PI-3 polyimide resin
  • MBAA 5,5′-methylenebis (anthranilic acid) (molecular weight 286.3)
  • PI-4 In a flask equipped with a stirrer, a thermometer, and a nitrogen displacement device, MBA (5.72 g, 0.02 mol), “D-400”, 13.57 g (0.03 mol), and “BY16-871EG”, 2.48 g, are diamines. (0.01 mol), 8.17 g (0.04 mol) of 1,4-butanediol bis (3-aminopropyl) ether (trade name “B-12”, manufactured by Tokyo Chemical Industry, molecular weight 204.31), a solvent 110 g of NMP was charged and stirred to dissolve the diamine in the solvent.
  • (Meth) acrylic copolymer (Polymer-1) 240 g of propylene glycol monomethyl ether acetate, 60 g of methyl lactate, methacryloyloxytricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., “FANCYL FA-513M”), 86.4 g, N -36.5 g of cyclohexylmaleimide, 106.7 g of 2-hydroxyethyl methacrylate, and 40.5 g of methacrylic acid were mixed and dissolved with nitrogen bubbling. After confirming the dissolution of N-cyclohexylmaleimide, 3 g of 2,2′-azobisisobutyronitrile was dissolved to prepare a mixed solution (a).
  • a solution (b) was prepared by dissolving 0.6 g of 2,2'-azobisisobutyronitrile in 40 g of diethylene glycol dimethyl ether.
  • 2-methacryloyloxyethyl isocyanate and a tin-based catalyst were added to the obtained polymer solution.
  • 2-Methacryloyloxyethyl isocyanate was added to the polymer in an amount of 1.5 mmol / g. Thereafter, it was kept at 80 ° C. for 2 to 3 hours and then naturally cooled to obtain a solution of a (meth) acrylic copolymer (Polymer-1) having an ethylenically unsaturated bond at the side chain and / or terminal.
  • Mw was 30000 in terms of polystyrene.
  • the Tg of (Polymer-1) was 60 ° C.
  • ⁇ (C) component radiation polymerizable compound> (C-1)
  • C-1 In a 500 mL flask equipped with a stirrer, a thermometer, and a nitrogen displacement device (nitrogen inflow pipe), 178 g (1.0 equivalent) of liquid high-purity bisphenol A bisglycidyl ether epoxy resin (epoxy equivalent 178 g / eq), acrylic acid 36 g (0.5 equivalent), 0.5 g of triphenylphosphine, and 0.15 g of hydroquinone were charged and reacted at 100 ° C. for 7 hours, whereby a radiation polymerizable compound (monofunctional (meth) acrylate having an epoxy group) ( C-1) was obtained.
  • (C-1) is a reactive compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group.
  • the acid value of (C-1) was 0.3 KOHmg / g or less, and the 5% weight loss temperature was 300 ° C.
  • the acid value is determined by titration with an ethanol solution of potassium hydroxide, and the 5% weight loss temperature is determined by a differential thermothermal gravimetric simultaneous measurement apparatus (“TG / DTA 6300” (trade name, manufactured by SII Nanotechnology). )) was measured under the condition of nitrogen flow: 400 ml / min.
  • the number of epoxy groups in (C-1) was about 1, the number of ethylenically unsaturated groups was about 1, the radiation polymerizable functional group equivalent was 410 g / eq, and the total chlorine content was 400 ppm or less.
  • (C-2) (C-2) In the same manner as (C-1), except that 168 g (1.0 equivalent) of liquid high-purity bisphenol F bisglycidyl ether epoxy resin (epoxy equivalent 160 g / eq) was used as the epoxy resin. Got.
  • the acid value of (C-2) was 0.3 KOHmg / g or less, and the 5% weight loss temperature was 300 ° C.
  • the number of epoxy groups in (C-2) was about 1, the number of ethylenically unsaturated groups was about 1, the radiation polymerizable functional group equivalent was 395 g / eq, and the total chlorine content was 400 ppm or less.
  • (C-3) is a reactive compound having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group.
  • the acid value of (C-3) was 0.3 KOHmg / g or less, and the 5% weight loss temperature was 310 ° C.
  • the acid value is determined by titration with an ethanol solution of potassium hydroxide, and the 5% weight loss temperature is determined by a differential thermothermal gravimetric simultaneous measurement apparatus (“TG / DTA 6300” (trade name, manufactured by SII Nanotechnology). )) was measured under the condition of nitrogen flow: 400 ml / min.
  • the number of epoxy groups in (C-3) was about 1.7, the number of ethylenically unsaturated groups was about 1.7, the radiation polymerizable functional group equivalent was 440 g / eq, and the total chlorine content was 400 ppm or less.
  • Photosensitive adhesive composition Using the polyimide resins (PI-3) to (PI-5) and the radiation polymerizable compounds (C-1) to (C-3) obtained above, the composition ratios (units) shown in Table 5 and Table 6 below are used. : Parts by mass) to prepare photosensitive adhesive compositions (varnishes for forming an adhesive layer) of Examples i to viii and Comparative Examples i to vii.
  • each symbol means the following.
  • BPE-100 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., ethoxylated bisphenol A dimethacrylate (radiation polymerizable functional group equivalent 240 g / eq, 5% weight reduction temperature: 330 ° C.)
  • A-9300 Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., isocyanuric acid EO-modified triacrylate (radiation polymerizable functional group equivalent 140 g / eq, 5% weight loss temperature:> 400 ° C.)
  • EA-1020 Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., bisphenol A bisglycidyl ether type diacrylate (radiation polymerizable functional group equivalent 228 g / eq, 5% weight reduction temperature: 300 ° C.)
  • M-140 manufactured by Toagosei Co., Ltd., 2- (1,2-cyclohexacarboximide) ethyl acrylate (radiation polymerizable functional
  • YDF-870GS manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., bisphenol F bisglycidyl ether (5% weight loss temperature: 270 ° C.)
  • TrisP-PA manufactured by Honshu Chemical Co., Ltd., trisphenol compound ( ⁇ , ⁇ , ⁇ '-tris (4-hydroxyphenol) -1-ethyl-4-isopropylbenzene) (5% weight loss temperature: 350 ° C.)
  • HRM-2019 Showa Polymer Co., Ltd., phenolic hydroxyl group-containing acrylate (5% weight loss temperature: 210 ° C., phenolic hydroxyl group number: about 4, acrylic group number: about 4)
  • R-972 manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., hydrophobic fumed silica (average particle size: about 16 nm)
  • I-819 Ciba Specialty Chemicals, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide Parkmill D: NOF Corporation
  • Total chlorine content was measured according to JIS K7243-3.
  • ⁇ Adhesive sheet> The obtained photosensitive adhesive compositions of Examples i to viii and Comparative Examples i to vii were respectively applied on a substrate (peeling agent-treated PET film) so that the film thickness after drying was 50 ⁇ m. The mixture was heated in an oven at 80 ° C. for 20 minutes, and then heated at 120 ° C. for 20 minutes to form an adhesive layer made of the photosensitive adhesive composition on the substrate. Thus, the adhesive sheet which has a base material and the adhesive bond layer formed on the base material was obtained. The adhesive sheets obtained from the photosensitive adhesive compositions of Examples i to viii and Comparative Examples i to vii were used as the adhesive sheets of Examples i to viii and Comparative examples i to vii, respectively.
  • TMAH tetramethylammonium hydride
  • the obtained laminate consisting of the silicon wafer and the adhesive layer was separated into pieces of 3 mm ⁇ 3 mm. Separated laminates were placed on a hot plate for 10 minutes at 150 ° C. for Examples i to vi and viii, Comparative Examples i to v and vii, and at 120 ° C. for 10 minutes for Example vii and Comparative Example vi. After drying, the film was laminated on a glass substrate (10 mm ⁇ 10 mm ⁇ 0.55 mm) so that the adhesive layer was in contact with the glass substrate, and pressure-bonded at 150 ° C. for 10 seconds while being pressurized with 2 kgf. Thus, the sample of the laminated body which consists of a silicon wafer, an adhesive bond layer, and a glass substrate and these are laminated
  • the obtained sample was heated in an oven at 180 ° C. for 3 hours, and further heated on a heating plate at 260 ° C. for 10 seconds, and then a shear adhesion tester “Dage-4000” (trade name) was used. Used to measure the adhesion. The measurement results are shown in Tables 5 and 6.
  • the obtained sample was observed with a microscope (magnification: 50 times), and the unbonded portion (gap) was 20% or less with respect to the bonding area between the glass substrate and the adhesive pattern. Some were evaluated as B and evaluated for low-temperature thermocompression bonding. The evaluation results are shown in Tables 5 and 6.
  • the photosensitive adhesives or adhesive sheets of Examples i to viii are lower in thermocompression bonding property than the photosensitive adhesives or adhesive sheets of Comparative Examples i to vii.
  • the pattern forming property, heat resistance and moisture resistance were remarkably excellent.
  • Examples a to e and comparative examples a to e ⁇ (A) component polyimide resin> (PI-3)
  • PI-3 polyimide resin>
  • PI-3 polyimide resin>
  • PI-3 polyimide resin>
  • BAPP 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane (molecular weight 410.5)
  • BAPP 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane
  • EBTA 1,2- (ethylene) bis (trimellitic anhydride) (molecular weight 410.3)
  • each symbol means the following.
  • BPE-100 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., ethoxylated bisphenol A dimethacrylate (radiation polymerizable functional group equivalent 240 g / eq, 5% weight reduction temperature: 330 ° C.)
  • BPE-500 Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., ethoxylated bisphenol A dimethacrylate (radiation polymerizable functional group equivalent 565 g / eq, 5% weight reduction temperature: 330 ° C.)
  • A-9300 Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., isocyanuric acid EO-modified triacrylate (radiation polymerizable functional group equivalent 140 g / eq, 5% weight loss temperature:> 400 ° C.)
  • U-2PPA manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., bifunctional urethane acrylate (radiation polymerizable functional group equivalent 230 g / eq
  • YDF-870GS manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., bisphenol F bisglycidyl ether (5% weight loss temperature: 270 ° C.)
  • TrisP-PA manufactured by Honshu Chemical Co., Ltd., trisphenol compound ( ⁇ , ⁇ , ⁇ '-tris (4-hydroxyphenol) -1-ethyl-4-isopropylbenzene) (5% weight loss temperature: 350 ° C.)
  • R-972 manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., hydrophobic fumed silica (average particle size: about 16 nm)
  • I-819 Ciba Specialty Chemicals, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide Perhexa 25B: NOF Corporation, 2,5-dimethyl-2,5-di (t- Butylperoxyhexane) (1 minute half-life temperature: 180 ° C) Park Mill D: NOF's dicumyl peroxide (1 minute half
  • ⁇ Adhesive sheet> The obtained photosensitive adhesive compositions of Examples a to e and Comparative examples a to e were applied on a substrate (peeling agent-treated PET film) so that the film thickness after drying was 50 ⁇ m, The mixture was heated in an oven at 80 ° C. for 20 minutes, and then heated at 120 ° C. for 20 minutes to form an adhesive layer made of the photosensitive adhesive composition on the substrate. Thus, the adhesive sheet which has a base material and the adhesive bond layer formed on the base material was obtained.
  • the adhesive sheets obtained from the photosensitive adhesive compositions of Examples a to e and Comparative examples a to e were used as the adhesive sheets of Examples a to e and Comparative examples a to e, respectively.
  • a silicon wafer was formed in the same manner as in the low-temperature sticking evaluation test except that the roll pressing temperature was 50 ° C. for Examples a to e and Comparative Examples a to d and 200 ° C. for Comparative Example e.
  • An adhesive sheet was laminated on top. The obtained laminate was exposed from the adhesive sheet side at 1000 mJ / cm 2 with a high-precision parallel exposure machine (“EXM-1172-B- ⁇ ” (trade name), manufactured by Oak Seisakusho), and a hot plate at 80 ° C. Left for about 30 seconds above.
  • TMAH tetramethylammonium hydride
  • the resulting laminate composed of the silicon wafer and the adhesive layer was singulated into a size of 5 mm ⁇ 5 mm.
  • the laminate was laminated on a glass substrate (10 mm ⁇ 10 mm ⁇ 0.55 mm) so that the adhesive layer was in contact with the glass substrate, and pressurized with 2 kgf.
  • Examples a to e and Comparative examples a to d were subjected to pressure bonding at 150 ° C., and Comparative example e was pressure bonded at 300 ° C. for 10 seconds.
  • the sample of the laminated body which consists of a silicon wafer, an adhesive bond layer, and a glass substrate and these are laminated
  • the obtained sample was heated in an oven at 150 ° C. for 3 hours, and further heated on a heating plate at 260 ° C. for 10 seconds, and then a shear adhesion tester “Dage-4000” (trade name) was used. Used to measure the adhesion. Tables 7 and 8 show the measurement results.
  • the adhesive sheet was laminated on the silicon wafer in the same manner as the high temperature adhesiveness evaluation test.
  • the obtained laminate is exposed from the adhesive sheet side through a frame-like 6-inch size mask pattern (hollow part 2 mm, line width 0.5 mm) with a high-precision parallel exposure machine at 500 mJ / cm 2 , and 80 ° C. For about 30 seconds.
  • a 2.38 mass% aqueous solution of TMAH is used as a developer, and spray development is performed at a temperature of 26 ° C. and a spray pressure of 0.18 MPa, and then a temperature of 25 ° C.
  • a humidification reliability test was performed using the obtained sample for evaluation. After processing for 48 hours under the conditions of a temperature of 85 ° C. and a humidity of 85%, the sample was put in an environment of a temperature of 25 ° C. and a humidity of 50%, and the inside of the glass of the sample for evaluation was observed with a microscope (magnification: 50 ⁇ ) . The case where condensation was not observed was evaluated as A, and the case where condensation was observed was evaluated as B. The results are shown in Table 7 and Table 8.
  • the photosensitive adhesives or adhesive sheets of Examples a to e are lower in temperature sticking property and lower temperature than the photosensitive adhesives or adhesive sheets of Comparative Examples a to e.
  • the thermocompression bonding property, pattern forming property, high temperature adhesion property and moisture resistance were remarkably excellent.
  • the photosensitive adhesive composition of the present invention is excellent in low temperature thermocompression bonding, it is used for protection of semiconductor elements, optical elements, solid-state imaging elements, etc., or adhesives and / or buffer coats that require a fine adhesive region, etc. It can be suitably used for a wafer circuit surface protective film application, and the reliability of an apparatus having these can be improved.
  • SYMBOLS 1 Film adhesive (adhesive layer), 1a ... Adhesive pattern, 2 ... Cover film, 3 ... Base material, 4 ... Mask, 5 ... Composite film, 6 ... Adhesive layer, 7 ... Glass substrate, 8 ... Semiconductor wafer, 9 ... conductive layer, 11 ... opening, 12, 12a, 12b ... semiconductor element (semiconductor chip), 13 ... semiconductor element mounting support member (support member), 14, 14a, 14b ... wire, 15 ... sealing Material: 16 ... Terminal, 17 ... Effective pixel area, 18 ... Circuit surface, 20 ... Semiconductor wafer with adhesive layer, 30 ... Die bonding material, 32 ... Conductive bump, 38 ... Lens, 40 ... Dicing tape, 42 ... Insertion 50, side wall, 100 ... adhesive sheet, 200 ... semiconductor device, 300 ... CMOS sensor, D ... dicing line.

Abstract

 パターン形成後の20℃~200℃における最低溶融粘度が30000Pa・s以下である感光性接着剤組成物。

Description

感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置
 本発明は、感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置に関する。
 半導体パッケージの作製に用いられる接着剤には、接着性に加えて感光性の機能が求められている。感光性の機能を有する感光性接着剤組成物としては、従来、ポリイミド樹脂前駆体(ポリアミド酸)をベースとしたものが知られている(特許文献1~3)。

特開2000-290501号公報 特開2001-329233号公報 特開平11-24257号公報
 しかしながら、従来の感光性接着剤組成物は、接続信頼性の点で必ずしも十分ではなかった。本発明者らの検討によると、従来の感光性接着剤組成物では、パターン形成性を優先させると、パターン形成後の熱圧着時に十分な接着面積が得られないことが判明している。
 そこで、本発明は、接続信頼性の向上を可能とする熱圧着性を有する感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置を提供することを目的とする。
 本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、感光性接着剤組成物を設計する際に、パターン形成後の特定の温度範囲における最低溶融粘度を指標とすることによって、低温での熱圧着性に優れ、半導体ウェハなどの良好な接続が可能となる感光性接着剤組成物が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
 すなわち、本発明の第1の感光性接着剤組成物は、パターン形成後の20℃~200℃における最低溶融粘度が30000Pa・s以下であることを特徴とする。上記第1の感光性接着剤組成物は、上記特定の最低溶融粘度を有することにより、パターン形成後の低温での熱圧着性(以下、「低温熱圧着性」ともいう。)に優れ、その結果、半導体パッケージの接続信頼性を向上させることが可能となる。また、これにより、低温熱圧着性と他の好ましい特性との両立を図ることが容易となる。
 第1の感光性接着剤組成物は、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)熱硬化性樹脂、(C)放射線重合性化合物及び(D)光開始剤を含有することが好ましい。これにより、上記感光性接着剤組成物は、低温熱圧着性のみならず、フィルム状に成形した場合の低温での貼付性(以下、「低温貼付性」という。)、硬化物にした場合の加熱下での接着性(以下、「高温接着性」という。)、及び、露光・アルカリ現像により接着剤パターンを形成した場合のパターンの精度(以下、「パターン形成性」という。)のいずれの点でも優れたものとなる。
 第1の感光性接着剤組成物においては、(C)放射線重合性化合物の平均官能基当量が230g/eq以上であることが好ましい。これにより、パターン形成性を維持しつつ、光硬化時の架橋密度を低減することができ、硬化後の被着体の反りを小さくすることができる(以下、「低反り性」又は「低応力性」という。)。なお、本明細書において、「平均官能基当量」とは、感光性接着剤組成物が含有する(C)成分(放射線重合性化合物)すべての放射線重合性基当量の平均値(g/eq)を意味する。例えば、感光性接着剤組成物が、放射線重合性基当量がY(g/eq)である(C)成分をy(g)と、放射線重合性当量がZ(g/eq)である(C)成分をz(g)含有していた場合、「平均官能基当量」は、以下の式により求められる。

平均官能基当量(g/eq)=(Y×y+Z×z)/(y+z)
 第1の感光性樹脂組成物において、(C)放射線重合性化合物は、ウレタン結合及び/又はイソシアヌル環を有する(メタ)アクリレートを含むことが好ましい。これにより、パターン形成性及び高温接着性の向上が可能となる。
 第1の感光性樹脂組成物において、(C)放射線重合性化合物は、単官能(メタ)アクリレートを含むことが好ましい。これにより、パターン形成性を維持しつつ、光硬化時の架橋密度を低減することができ、光硬化後の低温熱圧着性、低応力性及び接着性を向上させることができる。
 上記単官能(メタ)アクリレートの5%重量減少温度は150℃以上であることが好ましい。これにより、熱硬化時及び硬化後の熱履歴時のアウトガス量を低減することができ、耐熱信頼性を向上させることができる。なお、本明細書において、「5%質量減少温度」とは、示差熱熱重量同時測定装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー製:TG/DTA6300)を用いて、昇温速度10℃/min、窒素フロー(400ml/min)下で測定した際に質量が5%減少したときの温度を示す。
 上記単官能(メタ)アクリレートは、エポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートであることが好ましい。これにより、高温接着性及び耐熱信頼性をより向上させることができる。
 本発明の第2の感光性接着剤組成物は、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)熱硬化性樹脂、(C)放射線重合性化合物及び(D)光開始剤を含有し、(C)放射線重合性化合物の平均官能基当量が230g/eq以上であるものである。
 従来の感光性接着剤組成物においては、低温熱圧着性及び高温接着性が十分ではなく、低温貼付性とパターン形成性との両立も困難であった。また、熱応力が発生しやすく、低応力性の点でも改善が望まれていた。
 一方、第2の感光性接着剤組成物は、上記成分を含有することにより、低温熱圧着性、低温貼付性、高温接着性及びパターン形成性の全ての点において優れたものとなる。また、(C)成分の平均官能基当量を上記範囲とすることにより、低応力性の点でも優れたものとなる。
 第2の感光性樹脂組成物において、(C)放射線重合性化合物は、ウレタン結合及び/又はイソシアヌル環を有する(メタ)アクリレートを含むことが好ましい。これにより、パターン形成性及び高温接着性がより向上する。
 本発明の第3の感光性接着剤組成物は、(A)熱可塑性樹脂、(B)熱硬化性樹脂、(C)放射線重合性化合物及び(D)光開始剤を含有し、(C)放射線重合性化合物がエチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物を含むものである。
 従来の感光性接着剤組成物においては、低温熱圧着性及び高温接着性が十分ではなく、低温貼付性とパターン形成性との両立も困難であった。
 一方、上記第3の感光性接着剤組成物は、上記成分を含有することにより、低温熱圧着性、低温貼付性、高温接着性及びパターン形成性の全ての点において優れたものとなる。また、(C)成分がエチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物を含むことにより、パターン形成性を維持しつつ、低温熱圧着性及び高温接着性において優れたものとなる。
 本発明の感光性接着剤組成物がこれらの特性を有するのは、例えば、以下の理由によると考えられる。光照射後の放射線重合性化合物同士のネットワークに、エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物が導入されると、見かけの架橋密度が低減し、熱圧着性が向上する。さらに、このエポキシ基が熱硬化性基や硬化剤、特にポリマ側鎖のカルボキシル基やフェノール性水酸基と反応すると、分子鎖同士の絡み合いが多くなり、単に放射線重合性化合物及び熱硬化性樹脂が配合されるような各々の架橋反応が独立に進行する系よりも強靭なネットワークが形成される。その結果、本発明の感光性接着剤組成物は、上記全ての特性の点で十分に優れたものとなる。
 第3の感光性接着剤組成物において、(A)熱可塑性樹脂はアルカリ可溶性樹脂であることが好ましい。これにより、パターン形成性がより向上する。
 第3の感光性接着剤組成物において、上記エチレン性不飽和基及びエポキシ基の5%重量減少温度は150℃以上であることが好ましい。これにより、熱硬化時及び硬化後の熱履歴時のアウトガス量を低減することができ、耐熱信頼性を向上させることができる。
 第3の感光性接着剤組成物において、上記エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物がエポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートであることが好ましい。これにより、光硬化時の架橋密度を低減することができ、低温熱圧着性をより向上させることが可能となる。
 本発明の第1~第3の感光性接着剤組成物において、(B)熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。これにより、高温接着性及び耐熱信頼性が向上する。
 (A)アルカリ可溶性樹脂のTg(ガラス転移温度)は150℃以下であることが好ましい。これにより、低温貼付性、低温熱圧着性、パターン形成性及び低応力性が向上する。
 (A)アルカリ可溶性樹脂は、パターン形成性の観点から、カルボキシル基及び/又は水酸基を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。
 (A)アルカリ可溶性樹脂はポリイミド樹脂であることが好ましい。これにより、フィルム形成性、パターン形成性、耐熱性及び接着性が向上する。
 本発明の第1及び第3の感光性接着剤組成物は、(E)熱ラジカル発生剤を更に含有することが好ましい。これにより、接着後の熱処理によって未反応の放射線重合性化合物を低減することができることから、組立て加熱時や組立て後のパッケージにおけるアウトガスの発生を十分少なくでき、さらには硬化物を均一に高弾性化することができる。これにより、高耐熱、低透湿率及び低吸湿率の硬化物を得ることができ、高温接着性及び耐湿信頼性が向上する。また、上記組成物は、パターン形成やフィルム状に形成する際の塗工乾燥によって反応が進行しにくいものであることから、パターン形成後の低温熱圧着性やフィルム状に形成した場合の低温貼付性が十分なものとなる。
 (E)熱ラジカル発生剤は、有機過酸化物であることが好ましい。熱ラジカル発生剤として、高い半減期温度を有し、ラジカル生成効率及び溶媒に対する溶解性が高い有機過酸化物を用いることで、感光性接着剤組成物中の未反応放射線重合性化合物を更に低減させることができる。また、均一に溶解するために現像後に良好なパターンを得ることができる。
 また、本発明は、上記第1~第3の感光性接着剤組成物を用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ又は半導体装置を提供する。
 本発明のフィルム状接着剤は、上記感光性接着剤組成物をフィルム状に成形することにより得られる。本発明の接着シートは、基材と、該基材上に形成された上記フィルム状接着剤からなる接着剤層と、を備える。
 本発明の接着剤パターンは、被着体上に積層された上記フィルム状接着剤からなる接着剤層を、フォトマスクを介して露光し、露光後の接着剤層をアルカリ現像液により現像処理することにより得られる。また、本発明の接着剤パターンは、被着体上に積層された上記フィルム状接着剤からなる接着剤層を、直接描画露光技術を用いて直接パターンを描画露光し、露光後の接着剤層をアルカリ水溶液により現像処理することにより得られるものでもよい。上記感光性接着剤組成物のパターン形成性が良好であるため、本発明の接着剤パターンは高精細なものとなる。また、本発明の接着剤パターンは、低温熱圧着性及び低応力性にも優れる。
 本発明の接着剤層付半導体ウェハは、半導体ウェハと、該半導体ウェハ上に積層された上記フィルム状接着剤からなる接着剤層と、を備える。
 本発明の半導体装置は、上記感光性接着剤組成物を用いて、半導体素子同士、及び/又は、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とが接着された構造を有する。上記半導体素子搭載用支持部材は、透明基板とすることができる。本発明の半導体装置は、本発明の感光性接着剤組成物を用いることにより、信頼性に優れ、製造プロセスの簡略化にも十分対応可能なものとなる。
 本発明によれば、接続信頼性の向上を可能とする熱圧着性を有する感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置を提供することができる。
本発明のフィルム状接着剤の一実施形態を示す端面図である。 本発明の接着シートの一実施形態を示す端面図である。 本発明の接着シートの一実施形態を示す端面図である。 本発明の接着シートの一実施形態を示す端面図である。 本発明の接着剤層付半導体ウェハの一実施形態を示す上面図である。 図5のIV-IV線に沿った端面図である。 本発明の接着剤パターンの一実施形態を示す上面図である。 図7のV-V線に沿った端面図である。 本発明の接着剤パターンの一実施形態を示す上面図である。 図9のVI-VI線に沿った端面図である。 本発明の半導体装置の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す平面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す平面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。 本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す平面図である。 図26に示す半導体装置を固体撮像素子として用いたCMOSセンサの例を示す端面図である。
 以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとし、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。本明細書における「(メタ)アクリル酸」とは「アクリル酸」及びそれに対応する「メタクリル酸」を意味し、「(メタ)アクリレート」は「アクリレート」及びそれに対応する「メタクリレート」を意味する。
 本発明の第1の実施形態に係る感光性接着剤組成物(以下、「第1の感光性接着剤組成物」という。)は、パターン形成後の20℃~200℃における最低溶融粘度が30000Pa・s以下である感光性接着剤組成物である。
 本明細書において、「最低溶融粘度」とは、光量1000mJ/cmを照射したサンプルを、粘弾性測定装置ARES(レオメトリックス・サイエンティフィック・エフ・イー(株)製)を用いて測定したときの20℃~200℃における溶融粘度の最低値を示す。なお、測定プレートは直径8mmの平行プレート、測定条件は昇温5℃/min、測定温度は-50℃~300℃、周波数は1Hzとする。
 上記最低溶融粘度は、20000Pa・s以下であることが好ましく、18000Pa・s以下であることが更に好ましく、15000Pa・s以下であることが特に好ましい。上記範囲内の最低溶融粘度を有することにより、第1の感光性接着剤組成物は、パターン変形を制御しつつ、十分な低温熱圧着性を確保することができ、凹凸がある基板などに対しても良好な密着性を付与することができる。上記最低溶融粘度の下限値は特に設けないが、取り扱い性等の点で100Pa・s以上であることが望ましい。
 第1の感光性接着剤組成物は、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)熱硬化性樹脂、(C)放射線重合性化合物及び(D)光開始剤を含有することが好ましい。これにより、低温熱圧着性のみならず、低温貼付性、高温接着性及びパターン形成性の点でも優れたものとなる。
 第1の感光性接着剤組成物において、(C)放射線重合性化合物の平均官能基当量は230g/eq以上であることが好ましく、245g/eq以上であることがより好ましく、270g/eq以上であることが更により好ましい。このように官能基当量の高い放射線重合性化合物を選定し、(C)成分の平均官能基当量を上記範囲内とすることで、低応力化、低反り化及び低温熱圧着性の向上が可能となり、パターン形成後の最低溶融粘度を30000Pa・s以下とすることができる。上記平均官能基当量の上限は特に設けないが、現像後の耐熱信頼性、接着性及び耐湿信頼性の観点から、上記平均官能基当量は1000g/eq以下であることが好ましい。
 第1の感光性接着剤組成物に含有される(C)放射線重合性化合物としては、不飽和炭化水素基を有する化合物が挙げられ、不飽和炭化水素基としては、ビニル基、アリル基、プロパギル基、ブテニル基、エチニル基、フェニルエチニル基、マレイミド基、ナジイミド基、(メタ)アクリル基などが挙げられ、反応性の観点から、(メタ)アクリル基が好ましい。(メタ)アクリル基を有する(メタ)アクリレートとしては、制限はしないが、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、1,4-ブタンジオールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、1,4-ブタンジオールジメタクリレート、1,6-ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、4-ビニルトルエン、4-ビニルピリジン、N-ビニルピロリドン、2-ヒドロキシエチルアクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、1,3-アクリロイルオキシ-2-ヒドロキシプロパン、1,2-メタクリロイルオキシ-2-ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、N,N-ジメチルアクリルアミド、N-メチロールアクリルアミド、トリス(β-ヒドロキシエチル)イソシアヌレートのトリアクリレート、下記一般式(18)で表される化合物、ウレタンアクリレート、ウレタンメタクリレート、尿素アクリレート、ハイパーブランチアクリレート等の多分岐アクリレート等が挙げられる。また、ポリイミド樹脂、ポリアミドポリウレタン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂等の側鎖及び/又は末端を不飽和炭化水素基で修飾した樹脂等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 上記一般式(18)中、R19及びR20は各々独立に、水素原子又はメチル基を示し、g及びhは各々独立に、1~20の整数を示す。
 その他、官能基を含むビニル共重合体に、少なくとも1個のエチレン性不飽和基と、オキシラン環、イソシアネート基、水酸基、カルボキシル基等の官能基とを有する化合物を付加反応させて得られる、側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体等を使用することができる。これらの放射線重合性化合物は、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
 これらの中でも、上記一般式(18)で示されるエーテル骨格を有する放射線重合性化合物は、アルカリ可溶性、硬化後の耐溶剤性を十分に付与できる点で好ましく、ウレタン結合を有する(メタ)アクリレート、イソシアヌル環を有するジ(メタ)アクリレート及びトリ(メタ)アクリレートは、硬化後の高温接着性を十分に付与できる点で好ましい。
 特に、第1の感光性接着剤組成物において、(C)成分は、パターン形成性及び高温接着性の観点から、ウレタン結合及び/又はイソシアヌル環を有する(メタ)アクリレートを含むことが好ましい。
 また、第1の感光性接着剤組成物において、(C)成分は、単官能(メタ)アクリレートを含むことが好ましい。これにより、光硬化時に架橋密度を低減することができ、光硬化後の低温熱圧着性、低応力性及び接着性を改善することができる。
 上記単官能(メタ)アクリレートの5%重量減少温度は150℃以上であることが好ましい。このような単官能(メタ)アクリレートとしては、特に限定はしないが、グリシジル基含有(メタ)アクリレート、フェノールEO変性(メタ)アクリレート、フェノールPO変性(メタ)アクリレート、ノニルフェノールEO変性(メタ)アクリレート、ノニルフェノールPO変性(メタ)アクリレート、フェノール性水酸基含有(メタ)アクリレート、水酸基含有(メタ)アクリレート、イミド基含有(メタ)アクリレート、カルボキシル基含有(メタ)アクリレート、2-フェニルフェノキシエチル(メタ)アクリレート、イソボロニル含有(メタ)アクリレート、フェニルフェノールグリシジルエーテル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタジエニル基含有(メタ)アクリレートなどの中から、5%重量減少温度が150℃以上の化合物が挙げられる。
 上記5%重量減少温度は150℃以上であることが好ましく、180℃以上であることがより好ましく、200℃以上であることが更により好ましく、260℃以上であることが最も好ましい。
 上記単官能(メタ)アクリレートは、接着性、低アウトガス性、耐熱・耐湿信頼性の観点から、エポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートであることが好ましい。エポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートとしては、特に限定はしないが、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート、4-ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、4-ヒドロキシブチルメタクリレートグリシジルエーテルの他、多官能エポキシ樹脂とエポキシ基と反応する官能基を有する単官能(メタ)アクリレートを反応させて得られる化合物等が挙げられる。上記エポキシ基と反応する官能基としては、特に限定はしないが、イソシアネート基、カルボキシル基、フェノール性水酸基、水酸基、酸無水物、アミン、チオール、アミド基などが挙げられる。また、ポリイミド樹脂、ポリアミドポリウレタン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂等の側鎖及び/又は末端を(メタ)アクリレート基で修飾した樹脂等が挙げられる。これらの化合物は、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
 エポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートは、例えば、トリフェニルホスフィンやテトラブチルアンモニウムブロミドの存在下、1分子中に少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ樹脂と、エポキシ基1当量に対し0.1~0.9当量の(メタ)アクリル酸とを反応させることによって得られる。また、ジブチルスズジラウレートの存在下、多官能イソシアネート化合物とヒドロキシ基含有(メタ)アクリレート及びヒドロキシ基含有エポキシ化合物とを反応させ、又は多官能エポキシ樹脂とイソシアネート基含有(メタ)アクリレートとを反応させることにより、グリシジル基含有ウレタン(メタ)アクリレート等が得られる。
 上記エポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートは、保存安定性、接着性、組立て加熱時及び組立て後のパッケージの低アウトガス性、耐熱・耐湿性の観点から、5%重量減少温度が、フィルム形成時の加熱乾燥による揮発もしくは表面への偏析を抑制できる点で150℃以上であることが好ましく、熱硬化時のアウトガスによるボイド及びはく離や接着性低下を抑制できる点で180℃以上であることが更に好ましく、200℃以上であることが更により好ましい。さらに、リフロー時に未反応成分が揮発することによるボイド及びはく離を抑制できる点で260℃以上であることが最も好ましい。このようなエポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートとしては分子内に芳香環を有する化合物が好ましい。
 さらに、エポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートとしては、不純物イオンであるアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特には塩素イオンや加水分解性塩素等を1000ppm以下に低減した高純度品を用いることが、エレクトロマイグレーション防止や金属導体回路の腐食防止の観点から好ましい。このようなエポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートを得るためには、例えば、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン等を低減した多官能エポキシ樹脂を原料として用いることで、上記不純物イオン濃度を満足することができる。全塩素含量はJIS K7243-3に準じて測定できる。
 上記耐熱性と純度を満たすエポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートとしては、特に限定はしないが、ビスフェノールA型(又はAD型、S型、F型)のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールA及び/又はF型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールA及び/又はF型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、3官能型(又は4官能型)のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、3官能型(又は4官能型)のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等を原料とした、エポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートが挙げられる。このようなエポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートとしては特に限定はしないが、下記一般式(13)~(17)で表される化合物が好ましく用いられる。下記式中、R12及びR16は水素原子又はメチル基を示し、R10、R11、R13及びR14は2価の有機基を示し、R15~R18はエポキシ基又はエチレン性不飽和基を有する有機基を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 (C)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して20~300質量部であることが好ましく、30~250質量部であることがより好ましい。この含有量が300質量部を超えると、重合により熱溶融時の流動性が低下し、熱圧着時の接着性が低下する傾向にある。一方、20質量部未満であると、露光による光硬化後の耐溶剤性が低くなり、パターンを形成するのが困難となる、つまり現像前後の膜厚変化が大きくなる及び/又は残渣が多くなる傾向にある。また、熱圧着時に溶融し、パターンが変形する傾向にある。
 上記エポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートの含有量は、パターン形成後の最低溶融粘度が30000Pa・s以下となれば特に限定はしないが、(A)成分100質量部に対して1~100質量部であることが好ましく、2~70質量部であることがより好ましく、5~40質量部であることが更により好ましい。この含有量が100質量部を超えると、フィルム形成時にはチキソ性が低下しフィルム形成しにくくなる傾向や、タックが上昇し取り扱い性が十分でなくなる傾向がある。また、パターン形成時には現像性が低下し、また光硬化後の溶融粘度が低くなりすぎることにより熱圧着時にパターンが変形する傾向がある。一方、1質量部未満であると、添加の効果が十分に見られなくなる傾向がある。
 本発明の第2の実施形態に係る感光性接着剤組成物(以下、「第2の感光性接着剤組成物」という。)は、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)熱硬化性樹脂、(C)放射線重合性化合物及び(D)光開始剤を含有する感光性接着剤組成物であり、上記(C)放射線重合性化合物の平均官能基当量は230g/eq以上である。
 第2の感光性接着剤組成物は、上記成分を含有することにより、低温熱圧着性、低温貼付性、高温接着性及びパターン形成性の全ての点において優れたものとなる。
 第2の感光性接着剤組成物において、(C)放射線重合性化合物の平均官能基当量は230g/eq以上であり、245g/eq以上であることがより好ましく、270g/eq以上であることが更により好ましい。このように官能基当量の高い放射線重合性化合物を選定し、(C)成分の平均官能基当量を上記範囲内とすることで、低応力化、低反り化及び低温熱圧着性の向上が可能となり、パターン形成後、150℃で10分間加熱した後の最低溶融粘度を30000Pa・s以下とすることができる。上記平均官能基当量の上限は特に設けないが、現像後の耐熱信頼性、接着性及び耐湿信頼性の観点から、上記平均官能基当量は1000g/eq以下であることが好ましい。
 第2の感光性接着剤組成物に含有される(C)成分としては、第1の感光性樹脂組成物において例示した不飽和炭化水素基を有する化合物が挙げられる。それらの中でも、第2の感光性接着剤組成物において、(C)成分は、パターン形成性及び高温接着性の観点から、ウレタン結合及び/又はイソシアヌル環を有する(メタ)アクリレートを含むことが好ましい。
 第2の感光性接着剤組成物における(C)成分の含有量は、第1の感光性接着剤組成物と同様である。
 本発明の第3の実施形態に係る感光性接着剤組成物(以下、「第3の感光性接着剤組成物」という。)は、(A)熱可塑性樹脂、(B)熱硬化性樹脂、(C)放射線重合性化合物及び(D)光開始剤を含有する感光性接着剤組成物であり、上記(C)放射線重合性化合物はエチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物を含む。
 第3の感光性接着剤組成物は、上記成分を含有することにより、低温熱圧着性、低温貼付性、高温接着性及びパターン形成性の全ての点において優れたものとなる。
 第3の感光性接着剤組成物は、フィルム形成能を有する熱可塑性樹脂を含有する。フィルム形成能を有する熱可塑性樹脂は、分子の絡み合いや凝集力が強いため、第3の感光性接着剤組成物をペースト状で用いた場合には、塗布した樹脂の安定性やチキソ性を付与でき、さらに硬化後に低応力性や接着性などに優れた強靭な樹脂を得ることができる。また、フィルム状で用いた場合には、塗工時のフィルム形成性を向上させることができ、樹脂の染み出しやピンホールなどの不良を改善することができる。また、得られたフィルム状感光性接着剤を硬化した際には低応力性や接着性などに優れた強靭な樹脂を得ることができる。
 このようにフィルム形成能を有する熱可塑性樹脂を含有する感光性接着剤組成物を用いてフィルム状接着剤を作製する場合、特に限定はしないが、例えば、(A)成分として、下記の方法でフィルムが形成させるを形成できる樹脂を用いることが好ましい。ジメチルホルムアミド、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、及びN-メチル-ピロリジノンのいずれかから選択される溶媒に、(A)成分を60質量%となるように溶解させ、乾燥後の膜厚が50μmとなるようにPETフィルム上に塗布し、オーブン中にて80℃で20分間加熱し、続いて120℃で20分間加熱して、フィルム形成が可能である樹脂が好ましく用いられる。
 これらの中でも、(A)熱可塑性樹脂は、パターン形成性の観点からアルカリ可溶性樹脂であることが好ましい。
 また、(C)成分がエチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物を含むことにより、光硬化時に架橋密度を低減することができ、光硬化後の低温熱圧着性、低応力性、接着性を改善することができ、さらに加熱硬化後において耐アルカリ性、耐溶剤性及び耐メッキ性に優れたものとなる。
 上記エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物において、エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル基、プロパギル基、ブテニル基、エチニル基、フェニルエチニル基、マレイミド基、ナジイミド基、(メタ)アクリル基などが挙げられ、反応性の観点から、(メタ)アクリル基が好ましい。
 エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物としては、特に限定はしないが、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート、4-ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、4-ヒドロキシブチルメタクリレートグリシジルエーテルの他、エポキシ基と反応する官能基及びエチレン性不飽和基を有する化合物と多官能エポキシ樹脂とを反応させて得られる化合物等が挙げられる。上記エポキシ基と反応する官能基としては、特に限定はしないが、イソシアネート基、カルボキシル基、フェノール性水酸基、水酸基、酸無水物、アミノ基、チオール基、アミド基などが挙げられる。これらの化合物は、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
 エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物は、例えば、トリフェニルホスフィンやテトラブチルアンモニウムブロミドの存在下、1分子中に少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ樹脂と、エポキシ基1当量に対し0.1~0.9当量の(メタ)アクリル酸とを反応させることによって得られる。また、ジブチルスズジラウレートの存在下、多官能イソシアネート化合物とヒドロキシ基含有(メタ)アクリレート及びヒドロキシ基含有エポキシ化合物とを反応させ、又は多官能エポキシ樹脂とイソシアネート基含有(メタ)アクリレートとを反応させることにより、グリシジル基含有ウレタン(メタ)アクリレート等が得られる。
 エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物は、保存安定性、接着性、組立て加熱時及び組立て後のパッケージの低アウトガス性、耐熱・耐湿性の観点から、5%重量減少温度が、フィルム形成時の加熱乾燥による揮発もしくは表面への偏析を抑制できる点で150℃以上であることが好ましく、熱硬化時のアウトガスによるボイド及びはく離や接着性低下を抑制できる点で180℃以上であることが更に好ましく、200℃以上であることが更により好ましい。さらに、リフロー時に未反応成分が揮発することによるボイド及びはく離を抑制できる点で260℃以上であることが最も好ましい。このようなエチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物としては分子内に芳香環を有する化合物が好ましい。
 さらに、エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物としては、不純物イオンであるアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特には塩素イオンや加水分解性塩素等を1000ppm以下に低減した高純度品を用いることが、エレクトロマイグレーション防止や金属導体回路の腐食防止の観点から好ましい。例えば、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン等を低減した多官能エポキシ樹脂を原料として用いることで上記不純物イオン濃度を満足することができる。全塩素含量はJIS K7243-3に準じて測定できる。
 上記耐熱性と純度を満たすエチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物としては、特に限定はしないが、ビスフェノールA型(又はAD型、S型、F型)のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールA及び/又はF型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールA及び/又はF型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、3官能型(又は4官能型)のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、3官能型(又は4官能型)のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等を原料としたものが挙げられる。
 特に、熱圧着性、低応力性及び接着性を改善し、パターン形成時には現像性を維持するためには、エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物のエポキシ基及びエチレン性不飽和基の数がそれぞれ3つ以下であることが好ましく、特にエチレン性不飽和基の数は2つ以下であることが好ましい。さらに、光硬化後の低温熱圧着性、低応力性、接着性の観点から、エポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートであることが好ましい。このようなエポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートとしては、第1の感光性接着剤組成物において例示したものが挙げられる。
 第3の感光性接着剤組成物における(C)成分の含有量は、第1の感光性接着剤組成物と同様である。
 第3の感光性接着剤組成物におけるエチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物の含有量は、(A)成分100質量部に対して1~100質量部であることが好ましく、2~70質量部であることがより好ましく、5~50質量部であることが更に好ましい。この含有量が100質量部を超えると、フィルム形成時にはチキソ性が低下しフィルム形成しにくくなる傾向や、タック性が上昇し取り扱い性が十分でなくなる傾向がある。また、パターン形成時には現像性が低下する傾向があり、光硬化後の溶融粘度が低くなりすぎることにより熱圧着時にパターンが変形する傾向もある。一方、上記エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物の含有量が1質量部未満であると、添加の効果が十分に得られなくなる傾向がある。
 第1及び第3の感光性接着剤組成物は、(E)熱ラジカル発生剤を更に含有することが好ましい。これにより、接着後の熱処理によって未反応の放射線重合性化合物を低減することができることから、組立て加熱時や組立て後のパッケージにおけるアウトガスの発生を十分少なくでき、さらには硬化物を均一に高弾性化することができる。これにより、高耐熱、低透湿率及び低吸湿率の硬化物を得ることができ、高温接着性及び耐湿信頼性が向上する。また、上記組成物は、パターン形成やフィルム状に形成する際の塗工乾燥によって反応が進行しにくいものであることから、パターン形成後の低温熱圧着性やフィルム状に形成した場合の低温貼付性が十分なものとなる。
 (E)熱ラジカル発生剤は、有機過酸化物であることが好ましい。熱ラジカル発生剤として、高い半減期温度を有し、ラジカル生成効率及び溶媒に対する溶解性が高い有機過酸化物を用いることで、感光性接着剤組成物中の未反応放射線重合性化合物を更に低減させることができる。また、均一に溶解するために現像後に良好なパターンを得ることができる。
 第2及び第3の感光性接着剤組成物は、パターン形成後の20℃~200℃における最低溶融粘度が30000Pa・s以下であることが好ましく、20000Pa・s以下であることがより好ましく、18000Pa・s以下であることが更に好ましく、15000Pa・s以下であることが更により好ましい。上記範囲内の最低溶融粘度を有することにより、パターン変形を制御しつつ、十分な低温熱圧着性を確保することができ、凹凸がある基板などに対しても良好な密着性を付与することができる。上記最低溶融粘度の下限値は特に設けないが、取り扱い性等の点で100Pa・s以上であることが望ましい。
 第1~第3の感光性接着剤組成物は、(A)成分としてアルカリ可溶性樹脂を含有することにより、現像性が良好なものとなる。
 (A)成分のTgは150℃以下であることが好ましく、-20℃~150℃であることがより好ましい。このTgが150℃を超える場合、フィルム状接着剤(接着剤層)を被着体(半導体ウェハ)に貼り合わせる際に200℃以上の高温を要し、半導体ウェハに反りが発生しやすくなる傾向がある。フィルム状接着剤のウェハ裏面への貼り付け温度は、半導体ウェハの反りを抑えるという観点から、20~150℃であることが好ましく、25~100℃であることがより好ましい。上記温度での貼り付けを可能にするためには、フィルム状接着剤のTgを150℃以下にすることが好ましい。一方、Tgが-20℃未満であると、Bステージ状態でのフィルム表面のタック性が強くなり過ぎて、取り扱い性が良好でなくなる傾向がある。
 ここで、「Tg」とは、(A)成分をフィルム化したときの主分散ピーク温度を意味する。レオメトリックス社製粘弾性アナライザー「RSA-2」(商品名)を用いて、昇温速度5℃/min、周波数1Hz、測定温度-150~300℃の条件で測定し、Tg付近のtanδピーク温度を主分散ピーク温度とした。
 (A)成分の重量平均分子量は、5000~500000の範囲内で制御されていることが好ましく、低温貼付性及び熱圧着性と高温接着性とを高度に両立できる点で10000~300000であることがより好ましく、パターン形成性をより向上できる点で10000~100000であることが更に好ましい。重量平均分子量が上記範囲内にあると、感光性接着剤組成物をシート状又はフィルム状としたときの強度、可とう性及びタック性が良好となり、また、熱時流動性が良好となるため、基板表面の配線段差(凹凸)に対する良好な埋込性を確保することが可能となる。上記重量平均分子量が5000未満であると、フィルム形成性が十分でなくなる傾向がある。一方、上記重量平均分子量が500000を超えると、熱時流動性及び上記埋め込み性が十分でなくなる傾向や、パターン形成する際に樹脂組成物のアルカリ現像液に対する溶解性が十分でなくなる傾向がある。ここで、「重量平均分子量」とは、島津製作所社製高速液体クロマトグラフィー「C-R4A」(商品名)を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。
 (A)成分のTg及び重量平均分子量を上記範囲内とすることにより、ウェハ裏面への貼り付け温度を低く抑えることができるとともに、半導体素子を半導体素子搭載用支持部材に接着固定する際の加熱温度(熱圧着温度)も低くすることができ、半導体素子の反りの増大を抑制することができる。また、貼付性、熱圧着性や現像性を有効に付与することができる。ここで、「貼付性」とは、感光性接着剤組成物をフィルム状に成形することにより得られるフィルム状接着剤とした場合の貼付性を意味する。
 (A)成分(アルカリ可溶性樹脂)としては、アルカリ可溶性基を有するポリマーが好ましく、アルカリ可溶性基を末端又は側鎖に有するものがより好ましい。アルカリ可溶性基としては、エチレングリコール基、カルボキシル基、水酸基、スルホニル基、フェノール性水酸基などが挙げられる。これらの官能基は1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。(A)成分は、例えば、カルボキシル基及び/又は水酸基を有する熱可塑性樹脂である。
 具体的に、(A)成分としては、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、ポリウレタンアミドイミド樹脂、シロキサンポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、これらの共重合体、これらの前駆体(ポリアミド酸等)の他、ポリベンゾオキサゾール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、重量平均分子量が1万~100万の(メタ)アクリル共重合体、ノボラック樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらの樹脂の主鎖及び/又は側鎖に、エーテル基、カルボキシル基及び/又は水酸基が付与されたものであってもよい。
 これらの中でも、高温接着性、耐熱性及びフィルム形成性の観点から、(A)成分はポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂であることが好ましい。ポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを公知の方法で縮合反応させて得ることができる。すなわち、有機溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを等モルで、又は、必要に応じてテトラカルボン酸二無水物の合計1.0molに対して、ジアミンの合計を好ましくは0.5~2.0mol、より好ましくは0.8~1.0molの範囲で組成比を調整(各成分の添加順序は任意)し、反応温度80℃以下、好ましくは0~60℃で付加反応させる。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸が生成する。なお、樹脂組成物の諸特性の低下を抑えるため、上記のテトラカルボン酸二無水物は無水酢酸で再結晶精製処理したものであることが好ましい。
 上記縮合反応におけるテトラカルボン酸二無水物とジアミンとの組成比については、テトラカルボン酸二無水物の合計1.0molに対して、ジアミンの合計が2.0molを超えると、得られるポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂に、アミン末端のポリイミドオリゴマーの量が多くなる傾向があり、ポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂の重量平均分子量が低くなり、樹脂組成物の耐熱性を含む種々の特性が十分でなくなる傾向がある。一方、テトラカルボン酸二無水物の合計1.0molに対してジアミンの合計が0.5mol未満であると、酸末端のポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂オリゴマーの量が多くなる傾向があり、ポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂の重量平均分子量が低くなり、樹脂組成物の耐熱性を含む種々の特性が十分でなくなる傾向がある。
 ポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂は、上記反応物(ポリアミド酸)を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は、加熱処理する熱閉環法、脱水剤を使用する化学閉環法等で行うことができる。
 ポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂の原料として用いられるテトラカルボン酸二無水物としては特に制限は無く、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3´,4,4´-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2´,3,3´-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ベンゼン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、3,4,3´,4´-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,2´,3´-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3,3´,4´-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,8,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,3,3´,4´-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,4,3´,4´-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,2´,3´-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メチルフェニルシラン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ジフェニルシラン二無水物、1,4-ビス(3,4-ジカルボキシフェニルジメチルシリル)ベンゼン二無水物、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-1,1,3,3-テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、p-フェニレンビス(トリメリテート無水物)、エチレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス(エキソ-ビシクロ[2,2,1]ヘプタン-2,3-ジカルボン酸二無水物、ビシクロ-[2,2,2]-オクト-7-エン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2-ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェニル)フェニル]プロパン二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2-ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン二無水物、4,4´-ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフィド二無水物、1,4-ビス(2-ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル)ベンゼンビス(トリメリット酸無水物)、1,3-ビス(2-ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル)ベンゼンビス(トリメリット酸無水物)、5-(2,5-ジオキソテトラヒドロフリル)-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、下記一般式(1)で表されるテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。下記一般式(1)中、aは2~20の整数を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 上記一般式(1)で表されるテトラカルボン酸二無水物は、例えば、無水トリメリット酸モノクロライド及び対応するジオールから合成することができ、具体的には1,2-(エチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,3-(トリメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,4-(テトラメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,5-(ペンタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,6-(ヘキサメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,7-(ヘプタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,8-(オクタメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,9-(ノナメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,10-(デカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,12-(ドデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,16-(ヘキサデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)、1,18-(オクタデカメチレン)ビス(トリメリテート無水物)等が挙げられる。
 また、テトラカルボン酸二無水物としては、溶剤への良好な溶解性及び耐湿性、365nm光に対する透明性を付与する観点から、下記一般式(2)又は(3)で表されるテトラカルボン酸二無水物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 以上のようなテトラカルボン酸二無水物は、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
 (A)成分は、さらに、カルボキシル基及び/又は水酸基含有ポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂であることが好ましい。上記カルボキシル基及び/又は水酸基含有ポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂の原料として用いられるジアミンは、下記一般式(4)、(5)、(6)又は(7)で表される芳香族ジアミンを含むことが好ましい。これら下記一般式(4)~(7)で表されるジアミンは、全ジアミンの1~100モル%とすることが好ましく、3~80モル%とすることが更に好ましく、5~50モル%とすることが最も好ましい。
 上記ポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂の原料として用いられるその他のジアミンとしては特に制限はなく、例えば、o-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、3,3´-ジアミノジフェニルエーテル、3,4´-ジアミノジフェニルエーテル、4,4´-ジアミノジフェニルエーテル、3,3´-ジアミノジフェニルメタン、3,4´-ジアミノジフェニルメタン、4,4´-ジアミノジフェニルエーテメタン、ビス(4-アミノ-3,5-ジメチルフェニル)メタン、ビス(4-アミノ-3,5-ジイソプロピルフェニル)メタン、3,3´-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,4´-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、4,4´-ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,3´-ジアミノジフェニルスルフォン、3,4´-ジアミノジフェニルスルフォン、4,4´-ジアミノジフェニルスルフォン、3,3´-ジアミノジフェニルスルフィド、3,4´-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4´-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3´-ジアミノジフェニルケトン、3,4´-ジアミノジフェニルケトン、4,4´-ジアミノジフェニルケトン、2,2-ビス(3-アミノフェニル)プロパン、2,2´-(3,4´-ジアミノジフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)プロパン、2,2-ビス(3-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-(3,4´-ジアミノジフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、3,3´-(1,4-フェニレンビス(1-メチルエチリデン))ビスアニリン、3,4´-(1,4-フェニレンビス(1-メチルエチリデン))ビスアニリン、4,4´-(1,4-フェニレンビス(1-メチルエチリデン))ビスアニリン、2,2-ビス(4-(3-アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2-ビス(4-(3-アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4-(3-アミノエノキシ)フェニル)スルフィド、ビス(4-(4-アミノエノキシ)フェニル)スルフィド、ビス(4-(3-アミノエノキシ)フェニル)スルフォン、ビス(4-(4-アミノエノキシ)フェニル)スルフォン、3,3´-ジヒドロキシ-4,4´-ジアミノビフェニル、3,5-ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、1,3-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、2,2-ビス(4-アミノフェノキシフェニル)プロパン、下記一般式(8)で表される脂肪族エーテルジアミン、下記一般式(8-1)で表される脂肪族ジアミン、及び下記一般式(9)で表されるシロキサンジアミン等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 上記一般式(8)中、R、R及びRは各々独立に、炭素数1~10のアルキレン基を示し、bは1~80の整数を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 上記一般式(8-1)中、cは5~20の整数を示す。
 上記ジアミンの中でも、他成分との相溶性、有機溶剤可溶性、アルカリ可溶性を付与する点で、上記一般式(8)で表される脂肪族エーテルジアミンが好ましく、エチレングリコール及び/又はプロピレングリコール系ジアミンがより好ましい。
 このような脂肪族エーテルジアミンとして具体的には、サンテクノケミカル(株)製ジェファーミンD-230,D-400,D-2000,D-4000,ED-600,ED-900,ED-2000,EDR-148、BASF(製)ポリエーテルアミンD-230,D-400,D-2000等のポリオキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミンが挙げられる。これらのジアミンは、全ジアミンの1~80モル%であることが好ましく、他配合成分との相溶性、また低温貼付性、熱圧着性及び高温接着性を高度に両立できる点で5~60モル%であることがより好ましい。この量が1モル%未満であると、高温接着性、熱時流動性の付与が困難になる傾向にあり、一方、80モル%を超えると、ポリイミド樹脂のTgが低くなり過ぎて、フィルムの自己支持性が損なわれる傾向にある。
 また、上記ジアミンとしては、室温での密着性、接着性を付与する点で、下記一般式(9)で表されるシロキサンジアミンが好ましい。下記一般式(9)中、R及びRは各々独立に、炭素数1~5のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、R、R、R及びRは各々独立に、炭素数1~5のアルキル基、フェニル基又はフェノキシ基を示し、dは1~5の整数を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 これらのジアミンは、全ジアミンの0.5~80モル%とすることが好ましく、低温貼付性、熱圧着性及び高温接着性を高度に両立できる点で1~50モル%とすることが更に好ましい。0.5モル%を下回るとシロキサンジアミンを添加した効果が小さくなり、80モル%を上回ると他成分との相溶性、高温接着性及び現像性が低下する傾向がある。
 上記一般式(9)で表されるシロキサンジアミンとして具体的には、式(9)中のdが1のものとして、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス(4-アミノフェニル)ジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェノキシ-1,3-ビス(4-アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニル-1,3-ビス(2-アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニル-1,3-ビス(3-アミノプロピル)ジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス(2-アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス(3-アミノプロピル)ジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス(3-アミノブチル)ジシロキサン、1,3-ジメチル-1,3-ジメトキシ-1,3-ビス(4-アミノブチル)ジシロキサン等が挙げられ、dが2のものとして、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,5-ビス(4-アミノフェニル)トリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメチル-1,5-ビス(3-アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス(4-アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス(5-アミノペンチル)トリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス(2-アミノエチル)トリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス(4-アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5-テトラメチル-3,3-ジメトキシ-1,5-ビス(5-アミノペンチル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,5-ビス(3-アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサエチル-1,5-ビス(3-アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサプロピル-1,5-ビス(3-アミノプロピル)トリシロキサン等が挙げられる。
 上述したジアミンは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
 また、上記ポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂は、1種を単独で又は必要に応じて2種以上を混合(ブレンド)して用いることができる。
 また、上述のように、ポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂の組成を決定する際には、そのTgが150℃以下となるように設計することが好ましく、ポリイミド樹脂の原料であるジアミンとして、上記一般式(8)で表される脂肪族エーテルジアミンを用いることが特に好ましい。
 上記ポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂の合成時に、下記一般式(10)、(11)又は(12)で表される化合物のような単官能酸無水物及び/又は単官能アミンを縮合反応液に投入することにより、ポリマー末端に酸無水物又はジアミン以外の官能基を導入することができる。また、これにより、ポリマーの分子量を低くし、パターン形成時の現像性及び熱圧着性を向上させることができる。酸無水物又はジアミン以外の官能基としては、特に限定はしないが、パターン形成時のアルカリ可溶性を向上させる点で、カルボキシル基やフェノール性水酸基、エーテル基などのアルカリ可溶性基が好ましい。また、接着性を付与する点で、下記一般式(12)で表される化合物やアミノ基を有する(メタ)アクリレートなどの放射線重合性基及び/又は熱硬化性基を有する化合物が好ましく用いられる。また、低吸湿性を付与する点で、シロキサン骨格等を有する化合物も好ましく用いられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 上記ポリイミド樹脂及び/又はポリアミドイミド樹脂は、光硬化性の観点から、30μmのフィルム状に成形した時の365nmに対する透過率がパターンの側壁が被着体に対して垂直となる点で10%以上であることが好ましく、より低露光量でパターン形成できる点で20%以上であることがより好ましい。このようなポリイミド樹脂は、例えば、上記一般式(2)で表される酸無水物と、上記一般式(8)で表される脂肪族エーテルジアミン及び/又は上記一般式(9)で表されるシロキサンジアミンとを反応させることで合成することができる。
 本実施形態の感光性接着剤組成物において、(A)成分の含有量は、感光性接着剤組成物の固形分全量を基準として5~90質量%であることが好ましく、20~80質量%であることがより好ましい。この含有量が20質量%未満であると、パターン形成時の現像性が十分でなくなる傾向があり、80質量%を超えると、パターン形成時の現像性及び接着性が十分でなくなる傾向がある。
 (A)成分のアルカリ溶解性が乏しい又は(A)成分がアルカリ溶媒に溶解しない場合、溶解助剤として、カルボキシル基及び/又は水酸基を有する樹脂、及び/又は親水性基を有する樹脂を添加してもよい。親水性基を有する樹脂とは、アルカリ可溶性の樹脂であれば特に限定はしないが、エチレングリコール、プロピレングリコール基のようなグリコール基を有する樹脂が挙げられる。
 第1~第3の感光性樹脂組成物において、(B)熱硬化性樹脂としては、分子内に少なくとも2個以上のエポキシ基を含むものが好ましく、硬化性や硬化物特性の点から、フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂がより好ましい。このような樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型(又はAD型、S型、F型)のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールA型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、3官能型(又は4官能型)のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、3官能型(又は4官能型)のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
 また、(B)熱硬化性樹脂としては、不純物イオンである、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特には塩素イオンや加水分解性塩素等を300ppm以下に低減した高純度品を用いることが、エレクトロマイグレーション防止や金属導体回路の腐食防止の観点から好ましい。
 (B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して0.1~100質量部であることが好ましく、2~50質量部であることがより好ましい。この含有量が100質量部を超えると、アルカリ水溶液への溶解性が低下し、パターン形成性が十分でなくなる傾向がある。一方、上記含有量が0.1質量部未満であると、高温接着性が十分でなくなる傾向がある。
 (B)成分以外に、硬化剤、硬化促進剤、放射線重合性化合物等を含んでもよい。
 硬化剤としては、例えば、フェノール系化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第3級アミン等が挙げられる。これらの中でもフェノール系化合物が好ましく、分子中に少なくとも2個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物がより好ましい。このような化合物としては、例えばフェノールノボラック、クレゾールノボラック、t-ブチルフェノールノボラック、ジシクロペンタジエンクレゾールノボラック、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック、キシリレン変性フェノールノボラック、ナフトール系化合物、トリスフェノール系化合物、テトラキスフェノールノボラック、ビスフェノールAノボラック、ポリ-p-ビニルフェノール、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。これらの中でも、数平均分子量が400~4000の範囲内のものが好ましい。これにより、半導体装置組立加熱時に、半導体素子又は装置等の汚染の原因となる加熱時のアウトガスを抑制できる。フェノール系化合物の含有量は、(A)成分100質量部に対して1~100質量部であることが好ましく、2~50質量部であることがより好ましく、2~30質量部であることが最も好ましい。この含有量が100質量部を超えると、露光時のエチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物及び放射線重合性化合物の反応性が乏しくなる、もしくは樹脂の酸価及びフェノール性水酸基価が上昇することで現像後に膜厚が減少したり、膨潤したりする傾向がある。また、現像液の樹脂パターンへの浸透が大きくなることでその後の加熱硬化時や組立熱履歴でのアウトガスが多くなり、耐熱信頼性や耐湿信頼性が大きく低下する傾向がある。一方、上記含有量が1質量部未満であると、十分な高温接着性が得られなくなる傾向がある。
 硬化促進剤としては、加熱によってエポキシの硬化/重合を促進する硬化促進剤を含有させるものであれば特に制限はなく、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、2-エチル-4-メチルイミダゾール-テトラフェニルボレート、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7-テトラフェニルボレート等が挙げられる。感光性接着剤組成物における硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂100質量部に対して0.01~50質量部が好ましい。
 第1~第3の感光性接着剤組成物において、(D)成分(光開始剤)としては、感度向上の点から、波長365nmの光に対する分子吸光係数が1000ml/g・cm以上であるものが好ましく、2000ml/g・cm以上であるものがより好ましい。なお、分子吸光係数は、サンプルの0.001質量%アセトニトリル溶液を調製し、この溶液について分光光度計(日立ハイテクノロジーズ社製、「U-3310」(商品名))を用いて吸光度を測定することにより求められる。
 感光性接着剤組成物を膜厚30μm以上の接着剤層とする場合には、感度向上、内部硬化性向上の観点から、(D)成分としては、光照射によってブリーチングするものがより好ましい。このような(D)成分としては、例えば、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルホリノフェニル)-ブタノン-1、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、1-ヒドロキシ-シクロヘキシル-フェニル-ケトン、2-メチル-1-(4-(メチルチオ)フェニル)-2-モルフォリノプロパノン-1、2,4-ジエチルチオキサントン、2-エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2-(o-クロロフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-(o-クロロフェニル)-4,5-ジ(m-メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2-(o-フルオロフェニル)-4,5-フェニルイミダゾール二量体、2-(o-メトキシフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-(p-メトキシフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2,4-ジ(p-メトキシフェニル)-5-フェニルイミダゾール二量体、2-(2,4-ジメトキシフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体、9-フェニルアクリジン、1,7-ビス(9,9’-アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン誘導体、ビス(2,6-ジメトキシベンゾイル)-2,4,4-トリメチル-ペンチルフォスフィンオキサイド、ビス(2,4,6,-トリメチルベンゾイル)-フェニルフォスフィンオキサイド等のビスアシルフォスフィンオキサイドなどの中からUV照射によって光退色する化合物が挙げられる。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
 (D)成分は、放射線の照射によりエポキシ樹脂の重合及び/又は反応を促進する機能を発現する光開始剤を含有していてもよい。このような光開始剤としては、例えば、放射線照射によって塩基を発生する光塩基発生剤、放射線照射によって酸を発生する光酸発生剤などが挙げられ、光塩基発生剤が特に好ましい。
 光塩基発生剤を用いることにより、感光性接着剤組成物の被着体への高温接着性及び耐湿性を更に向上させることができる。この理由としては、光塩基発生剤から生成した塩基がエポキシ樹脂の硬化触媒として効率よく作用することにより、架橋密度をより一層高めることができるため、また生成した硬化触媒が基板などを腐食することが少ないためと考えられる。また、感光性接着剤組成物に光塩基発生剤を含有させることにより、架橋密度を向上させることができ、高温放置時のアウトガスをより低減させることができる。さらに、硬化プロセス温度を低温化、短時間化させることができると考えられる。
 また、(A)成分のカルボキシル基及び/又は水酸基の含有割合が高くなると、硬化後の吸湿率の上昇及び吸湿後の接着力の低下が懸念される。これに対して、光塩基発生剤を含む感光性接着剤組成物によれば、放射線の照射により塩基が発生することにより、上記のカルボキシル基及び/又は水酸基とエポキシ樹脂との反応後に残存するカルボキシル基及び/又は水酸基を低減させることができ、耐湿性及び接着性とパターン形成性とをより高水準で両立することが可能となる。
 光塩基発生剤は、放射線照射時に塩基を発生する化合物であれば特に制限は受けず用いることができる。発生する塩基としては、反応性、硬化速度の点から強塩基性化合物が好ましい。一般的には、塩基性の指標として酸解離定数の対数であるpKa値が使用され、水溶液中でのpKa値が7以上の塩基が好ましく、さらに9以上の塩基がより好ましい。
 このような放射線照射時に発生する塩基としては、例えば、イミダゾール、2,4-ジメチルイミダゾール、1-メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ピペラジン、2,5-ジメチルピペラジン等のピペラジン誘導体、ピペリジン、1,2-ジメチルピペリジン等のピペリジン誘導体、プロリン誘導体、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等のトリアルキルアミン誘導体、4-メチルアミノピリジン、4-ジメチルアミノピリジン等の4位にアミノ基またはアルキルアミノ基が置換したピリジン誘導体、ピロリジン、n-メチルピロリジン等のピロリジン誘導体、ジヒドロピリジン誘導体、トリエチレンジアミン、1,8-ジアザビスシクロ(5,4,0)ウンデセン-1(DBU)等の脂環式アミン誘導体、ベンジルメチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ベンジルジエチルアミン等のベンジルアミン誘導体等が挙げられる。
 上記のような塩基を放射線照射によって発生する光塩基発生剤としては、例えば、Journal of Photopolymer Science and Technology 12巻、313~314項(1999年)やChemistry of Materials 11巻、170~176項(1999年)等に記載されている4級アンモニウム塩誘導体を用いることができる。これらは、活性光線の照射により高塩基性のトリアルキルアミンを生成するため、エポキシ樹脂の硬化には最適である。
 光塩基発生剤としては、Journal of American ChemicalSociety 118巻 12925頁(1996年)やPolymer Journal 28巻 795頁(1996年)等に記載されているカルバミン酸誘導体も用いることができる。
 活性光線の照射により塩基を発生する光塩基発生剤としては、2,4―ジメトキシー1,2-ジフェニルエタンー1-オン、1,2-オクタンジオン,1-[4-(フェニルチオ)―,2-(O-ベンゾイルオキシム)]やエタノン,1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾールー3-イル]-,1-(O-アセチルオキシム)などのオキシム誘導体や光ラジカル発生剤として市販されている2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルホリノフェニル)-ブタノン-1、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、2-メチル-1-(4-(メチルチオ)フェニル)-2-モルフォリノプロパン-1-オン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフォリノフェニル)-ブタノン-1、ヘキサアリールビスイミダゾール誘導体(ハロゲン、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等の置換基がフェニル基に置換されていてもよい)、ベンゾイソオキサゾロン誘導体等を用いることができる。
 光塩基発生剤としては、高分子の主鎖及び/又は側鎖に塩基を発生する基を導入した化合物を用いても良い。この場合の分子量としては、接着剤としての接着性、流動性及び耐熱性の観点から重量平均分子量1,000~100,000が好ましく、5,000~30,000であることがより好ましい。
 上記の光塩基発生剤は、室温で放射線を照射しない状態ではエポキシ樹脂と反応性を示さないため、室温での貯蔵安定性が非常に優れる。
 第1~第3の感光性接着剤組成物においては、必要に応じて(E)熱ラジカル発生剤を用いることができる。(E)熱ラジカル発生剤としては、有機過酸化物であることが好ましい。有機過酸化物としては、1分間半減期温度が120℃以上であるものが好ましく、150℃以上であるものがより好ましい。有機過酸化物は、感光性接着剤組成物の調製条件、製膜温度、硬化(貼り合せ)条件、その他プロセス条件、貯蔵安定性等を考慮して選択される。使用可能な過酸化物としては、特に限定はしないが、例えば、2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルパーオキシへキサン)、ジクミルパーオキサイド、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサネート、t-ヘキシルパーオキシ-2-エチルヘキサネート、1,1-ビス(t-ブチルパーオキシ)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ビス(t-ヘキシルパーオキシ)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、ビス(4-t-ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネートなどが挙げられ、これらのうちの1種を単独で、又は2種以上を混合して用いることができる。
 商業的に入手可能な(E)熱ラジカル発生剤としては、例えば、パーヘキサ25B(日油社製)、2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルパーオキシへキサン)(1分間半減期温度:180℃)、パークミルD(日油社製)、ジクミルパーオキサイド(1分間半減期温度:175℃)などが挙げられる。
 (E)熱ラジカル発生剤の添加量は、エチレン性不飽和基を有する化合物の全量に対し、0.01~20重量%が好ましく、0.1~10重量%が更に好ましく、0.5~5重量%が最も好ましい。0.01重量%以下であると硬化性が低下し、添加効果が小さくなり、5重量%を超えるとアウトガス量増加、保存安定性低下が見られる。
 第1~第3の感光性接着剤組成物においては、必要に応じて増感剤を併用することができる。この増感剤としては、例えば、カンファーキノン、ベンジル、ジアセチル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ベンジルジ(2-メトキシエチル)ケタール、4,4´-ジメチルベンジル-ジメチルケタール、アントラキノン、1-クロロアントラキノン、2-クロロアントラキノン、1,2-ベンズアントラキノン、1-ヒドロキシアントラキノン、1-メチルアントラキノン、2-エチルアントラキノン、1-ブロモアントラキノン、チオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン、2-ニトロチオキサントン、2-メチルチオキサントン、2,4-ジメチルチオキサントン、2,4-ジエチルチオキサントン、2,4-ジイソプロピルチオキサントン、2-クロロ-7-トリフルオロメチルチオキサントン、チオキサントン-10,10-ジオキシド、チオキサントン-10-オキサイド、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、イソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾフェノン、ビス(4-ジメチルアミノフェニル)ケトン、4,4´-ビスジエチルアミノベンゾフェノン、アジド基を含む化合物などが挙げられる。これらは単独で又は2種類以上併用して使用することができる。
 第1~第3の感光性接着剤組成物には、保存安定性、プロセス適応性又は酸化防止性を付与するために、キノン類、多価フェノール類、フェノール類、ホスファイト類、イオウ類等の重合禁止剤又は酸化防止剤を、硬化性を損なわない範囲で更に添加してもよい。
 さらに、上記感光性接着剤組成物には、適宜フィラーを含有させることもできる。フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉、ニッケル粉等の金属フィラー、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機フィラー、カーボン、ゴム系フィラー等の有機フィラー等が挙げられ、種類・形状等にかかわらず特に制限なく使用することができる。
 上記フィラーは、所望する機能に応じて使い分けることができる。例えば、金属フィラーは、樹脂組成物に導電性、熱伝導性、チキソ性等を付与する目的で添加され、非金属無機フィラーは、接着剤層に熱伝導性、低熱膨張性、低吸湿性等を付与する目的で添加され、有機フィラーは接着剤層に靭性等を付与する目的で添加される。
 これら金属フィラー、無機フィラー又は有機フィラーは、1種を単独で又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。中でも、半導体装置用接着材料に求められる、導電性、熱伝導性、低吸湿特性、絶縁性等を付与できる点で、金属フィラー、無機フィラー、又は絶縁性のフィラーが好ましく、無機フィラー又は絶縁性フィラーの中では、樹脂ワニスに対する分散性が良好でかつ、熱時の高い接着力を付与できる点でシリカフィラーがより好ましい。
 上記フィラーは、平均粒子径が10μm以下、且つ、最大粒子径が30μm以下であることが好ましく、平均粒子径が5μm以下、且つ、最大粒子径が20μm以下であることがより好ましい。平均粒子径が10μmを超え、且つ、最大粒子径が30μmを超えると、破壊靭性向上の効果が十分に得られない傾向がある。また、平均粒子径及び最大粒子径の下限は特に制限はないが、通常、どちらも0.001μmである。
 上記フィラーの含有量は、付与する特性又は機能に応じて決められるが、樹脂成分とフィラーの合計に対して0~50質量%が好ましく、1~40質量%がより好ましく、3~30質量%がさらに好ましい。フィラーを増量させることにより、高弾性率化が図れ、ダイシング性(ダイサー刃による切断性)、ワイヤボンディング性(超音波効率)、熱時の接着強度を有効に向上させることができる。
 フィラーを必要以上に増量させると、熱圧着性、パターン形成性が損なわれる傾向にあるため、フィラーの含有量は上記の範囲内に収めることが好ましい。求められる特性のバランスをとるべく、最適フィラー含有量を決定する。フィラーを用いた場合の混合・混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。
 上記感光性接着剤組成物には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点で、シラン系カップリング剤が好ましく、エポキシ基などの熱硬化性基やメタクリレート及び/又はアクリレートなどの放射線重合性基を有する化合物がより好ましい。また、上記シラン系カップリング剤の沸点及び/又は分解温度は150℃以上であることが好ましく、180℃以上であることより好ましく、200℃以上であることがさらにより好ましい。つまり、200℃以上の沸点及び/又は分解温度で、かつエポキシ基などの熱硬化性基やメタクリレート及び/又はアクリレートなどの放射線重合性基を有するシラン系カップリング剤が最も好ましく用いられる。上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、使用する(A)成分100質量部に対して、0.01~20質量部とすることが好ましい。
 上記感光性接着剤組成物には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を良くするために、さらにイオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、フェノール系還元剤等の銅がイオン化して溶け出すのを防止するための銅害防止剤として知られる化合物、粉末状のビスマス系、アンチモン系、マグネシウム系、アルミニウム系、ジルコニウム系、カルシウム系、チタン系、ズズ系及びこれらの混合系等の無機化合物が挙げられる。具体例としては、特に限定はしないが東亜合成(株)製の無機イオン捕捉剤、商品名、IXE-300(アンチモン系)、IXE-500(ビスマス系)、IXE-600(アンチモン、ビスマス混合系)、IXE-700(マグネシウム、アルミニウム混合系)、IXE-800(ジルコニウム系)、IXE-1100(カルシウム系)等がある。これらは単独あるいは2種以上混合して用いることができる。上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、(A)成分100質量部に対して、0.01~10質量部が好ましい。
 第1~第3の感光性接着剤組成物をフィルム状に成形することにより、フィルム状接着剤を得ることができる。図1は、本発明のフィルム状接着剤の一実施形態を示す端面図である。図1に示すフィルム状接着剤1は、上記感光性接着剤組成物をフィルム状に成形したものである。
 フィルム状接着剤1は、例えば、図2に示す基材3上に上記感光性接着剤組成物を塗布し、乾燥させることによりフィルム状に成形される。このようにして、基材3と、基材3上に形成された上記フィルム状接着剤からなる接着剤層1とを備える接着シート100が得られる。図2は、本発明の接着シート100の一実施形態を示す端面図である。図2に示す接着シート100は、基材3と、これの一方面上に設けられたフィルム状接着剤からなる接着剤層1とから構成される。
 図3は、本発明の接着シートの他の一実施形態を示す端面図である。図3に示す接着シート100は、基材3と、これの一方面上に設けられたフィルム状接着剤からなる接着剤層1とカバーフィルム2とから構成される。
 フィルム状接着剤1は、(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分及び必要に応じて添加される他の成分を、有機溶媒中で混合し、混合液を混練してワニスを調製し、基材3上にこのワニスを塗布してワニスの層を形成し、加熱によりワニス層を乾燥した後に基材3を除去する方法で得ることができる。このとき、基材3を除去せずに、接着シート100の状態で保存又は使用することもできる。
 ワニスの調製に用いる有機溶媒、すなわちワニス溶剤は、材料を均一に溶解又は分散できるものであれば、特に制限はない。例えば、ジメチルホルムアミド、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、及びN-メチル-ピロリジノンが挙げられる。
 上記混合及び混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜組み合わせて行うことができる。上記加熱による乾燥は、(B)成分が十分には反応しない温度で、かつ、溶媒が十分に揮散する条件で行う。上記「(B)成分が十分には反応しない温度」とは、具体的には、DSC(例えば、パーキンエルマー社製「DSC-7型」(商品名))を用いて、サンプル量:10mg、昇温速度:5℃/min、測定雰囲気:空気、の条件で測定したときの反応熱のピーク温度以下の温度である。具体的には、通常60~180℃で、0.1~90分間加熱することによりワニス層を乾燥する。乾燥前のワニス層の好ましい厚みは1~200μmである。この厚みが1μm未満であると、接着固定機能が十分でなくなる傾向があり、200μmを超えると、後述する残存揮発分が多くなる傾向がある。
 得られたワニス層の好ましい残存揮発分は10質量%以下である。この残存揮発分が10質量%を超えると、組立加熱時の溶媒揮発による発泡が原因で、接着剤層内部にボイドが残存しやすくなり、耐湿性が十分でなくなる傾向がある。また、加熱時に発生する揮発成分により、周辺材料又は部材が汚染される可能性も高くなる傾向がある。なお、上記の残存揮発成分の測定条件は次の通りである。すなわち、50mm×50mmサイズに切断したフィルム状接着剤1について、初期の質量をM1とし、このフィルム状接着剤1を160℃のオーブン中で3時間加熱した後の質量をM2とし、以下の式により残存揮発分(%)を求める。
 式 残存揮発分(%)=[(M2-M1)/M1]×100
 基材3は、上記の乾燥条件に耐えるものであれば特に限定されるものではない。例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルムを基材3として用いることができる。基材3としてのフィルムは2種以上組み合わせた多層フィルムであってもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理されたものであってもよい。
 また、フィルム状接着剤1とダイシングシートとを積層し、接着シートとすることもできる。上記ダイシングシートは、基材上に粘着剤層を設けたシートであり、上記の粘着剤層は、感圧型又は放射線硬化型のどちらでも良い。また、上記の基材はエキスパンド可能な基材が好ましい。このような接着シートとすることにより、ダイボンドフィルムとしての機能とダイシングシートとしての機能を併せ持つダイシング・ダイボンド一体型接着シートが得られる。
 上記のダイシング・ダイボンド一体型接着シートとして具体的には、図4に示すような、基材3、粘着剤層6及びフィルム状接着剤(接着剤層)1がこの順に積層されてなる接着シート100が挙げられる。
 図5は、本発明の接着剤層付半導体ウェハの一実施形態を示す上面図であり、図6は図5のIV-IV線に沿った端面図である。図5及び6に示す接着剤層付半導体ウェハ20は、半導体ウェハ8と、これの一方面上に設けられたフィルム状接着剤(接着剤層)1と、を備える。
 接着剤層付半導体ウェハ20は、半導体ウェハ8上に、フィルム状接着剤1を加熱しながらラミネートすることにより得られる。フィルム状接着剤1は、例えば、室温(25℃)~150℃程度の低温で半導体ウェハ8に貼付けることが可能である。
 図7及び図9は、それぞれ本発明の接着剤パターンの一実施形態を示す上面図であり、図8は図7のV-V線に沿った端面図であり、図10は図9のVI-VI線に沿った端面図である。図7、8、9及び10に示す接着剤パターン1aは、被着体としての半導体ウェハ8上において、略正方形の辺に沿ったパターン又は正方形のパターンを有するように形成されている。
 接着剤パターン1aは、接着剤層1を被着体としての半導体ウェハ8上に積層して接着剤層付半導体ウェハ20を得て、接着剤層1をフォトマスクを介して露光し、露光後の接着剤層1をアルカリ現像液により現像処理することにより形成される。これにより、接着剤パターン1aが形成された接着剤層付半導体ウェハ20が得られる。
 以下、本発明のフィルム状接着剤を用いて製造される半導体装置について、図面を用いて具体的に説明する。近年は様々な構造の半導体装置が提案されており、本発明のフィルム状接着剤の用途は、以下に説明する構造の半導体装置に限定されるものではない。
 図11は、本発明の半導体装置の一実施形態を示す端面図である。図11に示す半導体装置200において、半導体素子12はフィルム状接着剤1を介して半導体素子搭載用支持部材13に接着され、半導体素子12の接続端子(図示せず)はワイヤ14を介して外部接続端子(図示せず)と電気的に接続され、封止材15によって封止されている。
 図12は、本発明の半導体装置の他の一実施形態を示す端面図である。図12に示す半導体装置200において、一段目の半導体素子12aはフィルム状接着剤1を介して、端子16が形成された半導体素子搭載用支持部材13に接着され、一段目の半導体素子12aの上に更にフィルム状接着剤1を介して二段目の半導体素子12bが接着されている。一段目の半導体素子12a及び二段目の半導体素子12bの接続端子(図示せず)は、ワイヤ14を介して外部接続端子と電気的に接続され、封止材によって封止されている。このように、本発明のフィルム状接着剤は、半導体素子を複数重ねる構造の半導体装置にも好適に使用できる。
 図11及び図12に示す半導体装置(半導体パッケージ)は、例えば、図9に示す接着剤層付半導体ウェハ20を破線Dに沿ってダイシングし、ダイシング後の接着剤層付き半導体素子を半導体素子搭載用支持部材13に加熱圧着して両者を接着させ、その後、ワイヤボンディング工程、必要に応じて封止材による封止工程等の工程を経ることにより得ることができる。上記加熱圧着における加熱温度は、通常、20~250℃であり、荷重は、通常、0.01~20kgfであり、加熱時間は、通常、0.1~300秒間である。
 その他、本発明の半導体装置の実施形態としては、図18に示すようなものがある。以下、図18に示す半導体装置の製造方法について、図面を用いて詳しく説明する。図13、14及び16~19は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図であり、図15は本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す上面図である。
 本実施形態の半導体装置の製造方法は、以下の(工程1)~(工程7)を備える。
 (工程1)半導体ウェハ8内に形成された半導体チップ(半導体素子)12の回路面18上にフィルム状接着剤(接着剤層)1を積層する工程(図13(a)及び(b))。
 (工程2)半導体チップ12の回路面18上に設けられた接着剤層1を露光及び現像によってパターニングする工程(図13(c)及び図14(a))。
 (工程3)半導体ウェハ8を回路面18とは反対側の面から研磨して半導体ウェハ8を薄くする工程(図14(b))。
 (工程4)半導体ウェハ8をダイシングにより複数の半導体チップ12に切り分ける工程(図14(c)及び図16(a))。
 (工程5)半導体チップ12をピックアップして半導体装置用の板状の支持部材(半導体素子搭載用支持部材)13にマウントする工程(図16(b)及び図17(a))。
 (工程6)支持部材13にマウントされた半導体チップ12aの回路面18上でパターニングされた接着剤層1に2層目の半導体チップ12bを積層する工程(図17(b))。
 (工程7)半導体チップ12a及び12bをそれぞれ外部接続端子と接続する工程(図18)。
 以下、(工程1)~(工程7)について詳述する。
(工程1)
 図13(a)に示す半導体ウェハ8内には、ダイシングラインDによって区分された複数の半導体チップ12が形成されている。この半導体チップ12の回路面18側の面にフィルム状接着剤(接着剤層)1を積層する(図13(b))。接着剤層1を積層する方法としては、予めフィルム状に成形されたフィルム状接着剤を準備し、これを半導体ウェハ8に貼り付ける方法が簡便であるが、スピンコート法などを用いて液状の感光性接着剤組成物のワニスを半導体ウェハ8に塗布し、加熱乾燥する方法によってもよい。
(工程2)
 接着剤層1は、露光及び現像によってパターニングされた後に被着体に対する接着性を有し、アルカリ現像が可能なネガ型の感光性接着剤である。より詳細には、接着剤層1を露光及び現像によってパターニングして形成されるレジストパターン(接着剤パターン)が、半導体チップや支持部材等の被着体に対する接着性を有している。例えば接着剤パターンに被着体を必要により加熱しながら圧着することにより、接着剤パターンと被着体とを接着することが可能である。
 半導体ウェハ8に積層された接着剤層1に対して、所定の位置に開口を形成しているマスク4を介して活性光線(典型的には紫外線)を照射する(図13(c))。これにより接着剤層1が所定のパターンで露光される。
 露光後、接着剤層1のうち露光されなかった部分をアルカリ現像液を用いた現像によって除去することにより、開口11が形成されるように接着剤層1をパターニングする(図14(a))。なお、ネガ型に代えてポジ型の感光性接着剤組成物を用いることも可能であり、その場合は接着剤層1のうち露光された部分が現像により除去される。
 図15は、接着剤層1がパターニングされた状態を示す上面図である。開口11において半導体チップ12のボンディングパッドが露出する。すなわち、パターニングされた接着剤層1は、半導体チップ12のバッファーコート膜である。矩形状の開口11は、各半導体チップ12上に複数並んで形成されている。開口11の形状、配置及び数は本実施形態のような形態に限られるものではなく、ボンディングパッド等の所定の部分が露出するように適宜変形が可能である。なお、図15のII-II線に沿った端面図が図14である。
(工程3)
 パターニングの後、半導体ウェハ8の接着剤層1とは反対側の面を研磨して、半導体ウェハ8を所定の厚さまで薄くする(図14(b))。研磨は、例えば、接着剤層1上に粘着フィルムを貼り付け、粘着フィルムによって半導体ウェハ8を研磨用の治具に固定して行う。
(工程4)
 研磨後、半導体ウェハ8の接着剤層1とは反対側の面に、ダイボンディング材30及びダイシングテープ40を有しこれらが積層している複合フィルム5を、ダイボンディング材30が半導体ウェハ8に接する向きで貼り付ける。貼り付けは必要により加熱しながら行う。
 次いで、ダイシングラインDに沿って半導体ウェハ8を接着剤層1及び複合フィルム5とともに切断する。これにより、接着剤層1及び複合フィルムをそれぞれ備えた複数の半導体チップ12が得られる(図16(a))。このダイシングは、例えば、ダイシングテープ40によって全体をフレームに固定した状態でダイシングブレードを用いて行われる。
(工程5)
 ダイシングの後、切り分けられた半導体チップ12を、接着剤層1及びダイボンディング材30とともにピックアップし(図16(b))、支持部材13にダイボンディング材30を介してマウントする(図17(a))。
(工程6)
 支持部材13にマウントされた半導体チップ12a上の接着剤層1上に、2層目の半導体チップ12bを積層する(図17(b))。すなわち、半導体チップ12aと、その上層に位置する半導体チップ12bとが、それらの間に介在するパターニングされた接着剤層1(バッファーコート膜)によって接着される。半導体チップ12bは、パターニングされた接着剤層1のうち開口11は塞がないような位置に接着される。なお、半導体チップ12bの回路面18上にもパターニングされた接着剤層1(バッファーコート膜)が形成されている。
 半導体チップ12bの接着は、例えば、接着剤層1が流動性を発現するような温度にまで加熱しながら熱圧着する方法により行われる。熱圧着後、必要により接着剤層1を加熱して更に硬化を進行させる。
(工程7)
 その後、半導体チップ12aはそのボンディングパッドに接続されたワイヤ14aを介して支持部材13上の外部接続端子と接続され、半導体チップ12bはそのボンディングパッドに接続されたワイヤ14bを介して支持部材13上の外部接続端子と接続される。次いで、半導体チップ12a及び12bを含む積層体を封止材15によって封止することにより、半導体装置200が得られる(図18)。
 本発明の半導体装置の製造方法は、以上の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。例えば、(工程1)~(工程7)の順序を適宜入れ替えることが可能である。図19に示すように、接着剤層1が形成された半導体ウェハ8を研磨により薄くした後、ダイシングを行ってもよい。この場合、ダイシング後、露光及び現像によって接着剤層1をパターニングすることにより、図16(a)と同様の積層体が得られる。また、半導体ウェハを研磨により薄くし、ダイシングしてから、フィルム状接着剤1の貼り付けとその露光及び現像を行ってもよい。また、3層以上の半導体チップ12が積層されていてもよい。その場合、少なくとも1組の隣り合う半導体チップ同士が、パターニングされた接着剤層1(下層側のバッファーコート膜)によって直接接着される。
 図20は、本発明の半導体装置の他の一実施形態を示す端面図である。図20に示す半導体装置200は、接続端子(第1の接続部:図示せず)を有する支持部材(第1の被着体)13と、接続用電極部(第2の接続部:図示せず)を有する半導体チップ(第2の被着体)12と、絶縁材からなる接着剤層1と、導電材からなる導電層9とを備えている。支持部材13は、半導体チップ12と対向する回路面18を有しており、半導体チップ12と所定の間隔をおいて配置されている。接着剤層1は、支持部材13及び半導体チップ12の間において、それぞれと接して形成されており、所定のパターンを有している。導電層9は、支持部材13及び半導体チップ12の間における、接着剤層1が配置されていない部分に形成されている。半導体チップ12の接続用電極部は、導電層9を介して支持部材13の接続端子と電気的に接続されている。
 以下、図21~25を用いて、図20に示す半導体装置の製造方法について詳述する。図21~25は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、以下の(第1工程)~(第4工程)を備える。
 (第1工程)接続端子を有する支持部材13上に接着剤層1を設ける工程(図21及び図22)。
 (第2工程)接着剤層1を露光及び現像により、接続端子が露出する開口11が形成されるようにパターニングする工程(図23及び図24)。
 (第3工程)開口11に導電材を充填して導電層9を形成する工程(図25)。
 (第4工程)接続用電極部を有する半導体チップ12を、支持部材13と接着剤層1との積層体の接着剤層1側に接着すると共に、支持部材13の接続端子と半導体チップ12の接続用電極部とを導電層9を介して電気的に接続する工程(図20)。
 以下、(第1工程)~(第4工程)について詳しく説明する。
(第1工程)
 図21に示す支持部材13の回路面18上に、接着剤層1を積層する(図22)。積層方法としては、予めフィルム状に成形されたフィルム状接着剤を準備し、これを支持部材13に貼り付ける方法が簡便であるが、スピンコート法などを用いて、感光性接着剤組成物を含有する液状のワニスを支持部材13上に塗布し、加熱乾燥する方法によって積層してもよい。
 感光性接着剤組成物は、露光及び現像によってパターニングされた後に被着体に対する接着性を有し、アルカリ現像が可能なネガ型の感光性接着剤である。より詳細には、感光性接着剤を露光及び現像によってパターニングして形成されるレジストパターンが、半導体チップ及び基板等の被着体に対する接着性を有している。例えばレジストパターンに被着体を必要により加熱しながら圧着することにより、レジストパターンと被着体とを接着することが可能である。
(第2工程)
 支持部材13上に設けられた接着剤層1に対して、所定の位置に開口が形成されているマスク4を介して活性光線(典型的には紫外線)を照射する(図23)。これにより接着剤層1が所定のパターンで露光される。
 露光後、接着剤層1のうち露光されなかった部分を、アルカリ現像液を用いた現像によって除去することにより、支持部材13の接続端子が露出する開口11が形成されるように接着剤層1がパターニングされる(図24)。なお、ネガ型に代えてポジ型の感光性接着剤を用いることも可能であり、その場合は接着剤層1のうち露光された部分が現像により除去される。
(第3工程)
 得られたレジストパターンの開口11に導電材を充填して導電層9を形成する(図25)。導電材の充填方法は、グラビア印刷、ロールによる押し込み、減圧充填等各種の方法が採用できる。ここで使用する導電材は、半田、金、銀、ニッケル、銅、白金、パラジウム若しくは酸化ルテニウム等の金属、又は、金属酸化物等からなる電極材料、上記金属のバンプの他、例えば、導電性粒子と樹脂成分とを少なくとも含有してなるものが挙げられる。導電性粒子としては、例えば、金、銀、ニッケル、銅、白金、パラジウム若しくは酸化ルテニウム等の金属若しくは金属酸化物、又は有機金属化合物等の導電性粒子が用いられる。また、樹脂成分としては、例えば、エポキシ樹脂及びその硬化剤等の上述した硬化性樹脂組成物が用いられる
(第4工程)
 支持部材13上の接着剤層1に対して、半導体チップ12が直接接着される。半導体チップ12の接続用電極部は、導電層9を介して支持部材13の接続端子と電気的に接続される。なお、半導体チップ12における接着剤層1と反対側の回路面上に、パターン化された接着剤層(バッファーコート膜)が形成されていてもよい。
 半導体チップ12の接着は、例えば、接着剤層1(感光性接着剤組成物)が流動性を発現するような温度にまで加熱しながら熱圧着する方法により行われる。熱圧着後、必要により接着剤層1を加熱して更に硬化を進行させる。
 半導体チップ12における接着剤層1と反対側の回路面(裏面)には、裏面保護フィルムを貼り付けることが好ましい。
 以上の方法により、図20に示す半導体装置200が得られる。本発明の半導体装置の製造方法は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。
 例えば、接着剤層1は、最初に支持部材13上に設けられることに限られるものではなく、半導体チップ12上に最初に設けることもできる。この場合、半導体装置の製造方法は、例えば、接続用電極部を有する半導体チップ12上に接着剤層1を設ける第1の工程と、接着剤層1を露光及び現像により、接続用電極部が露出する開口11が形成されるようにパターニングする第2の工程と、開口11に導電材を充填して導電層9を形成する第3の工程と、接続端子を有する支持部材13を、半導体チップ12と接着剤層1との積層体の接着剤層1に直接接着すると共に、支持部材13の接続端子と半導体チップ12の接続用電極部とを導電層9を介して電気的に接続する第4の工程と、を備える。
 上記製造方法では、それぞれ個片化された支持部材13及び半導体チップ12間の接続であるため、支持部材13上の接続端子と半導体チップ12上の接続用電極部との接続が容易である点において好ましい。
 また、接着剤層1は、複数の半導体チップ12から構成される半導体ウェハ上に最初に設けることもできる。この場合、半導体装置の製造方法は、例えば、接続用電極部を有する複数の半導体チップ12から構成される半導体ウェハ上に接着剤層1を設ける第1の工程と、接着剤層1を露光及び現像により、接続用電極部が露出する開口11が形成されるようにパターニングする第2の工程と、開口11に導電材を充填して導電層9を形成する第3の工程と、接続端子を有するウェハサイズの支持部材13(半導体ウェハと同程度の大きさを有する支持部材)を、半導体ウェハと接着剤層1との積層体の接着剤層1側に直接接着すると共に、支持部材13の接続端子と半導体ウェハを構成する半導体チップ12の接続用電極部とを導電層9を介して電気的に接続する第4の工程と、半導体ウェハと接着剤層1と支持部材13との積層体を半導体チップ12ごとに切り分ける(ダイシング)第5の工程と、を備える。
 また、上記製造方法は、第1の工程において、ウェハサイズの支持部材13上に接着剤層1を設け、第4の工程において、半導体ウェハを、支持部材13と接着剤層1との積層体の接着剤層1側に直接接着すると共に、支持部材13の接続端子と半導体ウェハを構成する半導体チップ12の接続用電極部とを導電層9を介して電気的に接続し、第5の工程において、半導体ウェハと接着剤層1と支持部材13との積層体を半導体チップ12ごとに切り分けてもよい。
 上記製造方法では、半導体ウェハと支持部材13との接続までの工程(第4の工程)をウェハサイズでできるので作業効率の点において好ましい。なお、半導体ウェハにおける接着剤層1と反対側の回路面(裏面)には、裏面保護フィルムを貼り付けることが好ましい。
 また、他の半導体装置の製造方法は、接続用電極部を有する複数の半導体チップ12から構成される半導体ウェハ上に接着剤層1を設ける第1の工程と、接着剤層1を露光及び現像により、接続用電極部が露出する開口11が形成されるようにパターニングする第2の工程と、開口11に導電材を充填して導電層9を形成する第3の工程と、半導体ウェハと接着剤層1との積層体を半導体チップ12ごとに切り分ける(ダイシング)第4の工程と、接続端子を有する支持部材13を、個片化された半導体チップ12と接着剤層1との積層体の接着剤層1側に直接接着すると共に、支持部材13の接続端子と半導体チップ12の接続用電極部とを導電層9を介して電気的に接続する第5の工程と、を備える。
 上記製造方法は、第1の工程において、ウェハサイズの支持部材13上に接着剤層1を設け、第4の工程において、ウェハサイズの支持部材13と接着剤層1との積層体を半導体チップ12ごとに切り分け、第5の工程において、半導体チップ12を、個片化された支持部材13と接着剤層1との積層体の接着剤層1側に直接接着すると共に、支持部材13の接続端子と半導体チップ12の接続用電極部とを導電層9を介して電気的に接続してもよい。
 上記製造方法では、接着剤層1の形成から導電材の充填工程(第3の工程)までをウェハサイズで行え、またダイシング工程(第4の工程)をスムーズにできる点において好ましい。
 また、フィルム状接着剤を用いて、半導体ウェハ同士又は半導体チップ同士を接着することにより半導体装置(半導体積層体)を構成することができる。この積層体には、貫通電極を形成することも可能である。
 この場合、半導体装置の製造方法は、例えば、貫通電極の接続用電極部を有する第1の半導体チップ12上に感光性接着剤からなる接着剤層1を設ける第1の工程と、接着剤層1を露光及び現像により、上記接続用電極部が露出する開口11が形成されるようにパターニングする第2の工程と、開口11に導電材を充填して貫通電極接続を形成する第3の工程と、接続用電極部を有する第2の半導体チップ12を、第1の半導体チップ12と接着剤層1との積層体の接着剤層1に直接接着すると共に、第1及び第2の半導体チップ12の接続用電極部同士を導電層9を介して電気的に接続する第4の工程と、を備える。上記製造方法において、半導体チップに替えて、半導体ウェハを用いてもよい。
 本発明の半導体装置は、図26に示すような固体撮像素子であってもよい。図26は、本発明の半導体装置の一実施形態を示す端面図である。図26に示す半導体装置(固体撮像素子)200は、ガラス基板7、半導体チップ12、接着剤層1及び有効画素領域17を備える。ガラス基板7と半導体チップ12とは、パターニングされた接着剤層1を介して接着されており、半導体チップ12の支持部材13側の面には有効画素領域17が形成されている。
 以下、図27~33を用いて、図26に示す半導体装置の製造方法について詳述する。図27~33は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を示す端面図又は平面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、以下の(第1工程)~(第4工程)を備える。
 (工程1)互いに対向する表面(第1の主面)7a及び裏面(第2の主面)7bを有するガラス基板7の表面7a上に本発明の感光性接着剤組成物からなる接着剤層1を設ける工程(図27及び図28)。
 (工程2)裏面7b側から光を照射して接着剤層1を露光し、現像により接着層1をパターニングする工程(図29~図31)。
 (工程3)パターニングされた接着剤層1に半導体素子12をその回路面がガラス基板7側に向くように直接接着する工程(図32)。
 (工程4)互いに接着されたガラス基板7と半導体素子12とをダイシングして複数の半導体装置200に切り分ける工程(図33)。
 以下、(工程1)~(工程4)について詳述する。
(工程1)
 図27に示されるガラス基板7の表面7a上に、本発明の感光性接着剤組成物からなる接着剤層1が設けられる(図28)。本実施形態においては、予め本発明の感光性接着剤組成物をフィルム状に成形してなるフィルム状接着剤を準備し、これをガラス基板7に貼り付ける方法が簡便である。
 本発明の感光性接着剤組成物からなる上記接着剤層1は、アルカリ現像が可能なネガ型の感光性接着剤として機能することができ、露光及び現像によってパターニングされた後に半導体素子及びガラス基板等の被着体に対する低温熱圧着性を十分有することができる。例えば、レジストパターンに被着体を必要により加熱しながら圧着することにより、レジストパターンと被着体とを接着することが可能である。係る機能を有する本発明の感光性接着剤組成物の詳細については前述のとおりである。
(工程2)
 ガラス基板7の表面7a上に設けられた接着剤層1に対して、所定の位置に開口が形成されているマスク4をガラス基板7の裏面7b上に配置し、マスク4を介して裏面7b側から活性光線(典型的には紫外線)を照射する(図29)。これにより、活性光線はガラス基板7を透過して接着剤層1に照射され、接着剤層1は光硬化が進行して所定のパターンで露光される。
 露光後、接着剤層1は、アルカリ現像液を用いた現像によって、接着剤層1の露光されなかった部分を除去することによりパターニングされる(図30)。接着剤層1は略正方形の辺に沿ったパターンを有するように形成されている(図31)。なお、ネガ型に代えてポジ型の感光性接着剤を用いることも可能であり、その場合は接着剤層1のうち露光された部分が現像により除去される。
(工程3)
 半導体素子12の回路面上に設けられた複数の有効画素領域17が、略正方形の辺に沿ったパターンに形成された接着層1にそれぞれ囲まれ、半導体素子12の回路面がガラス基板7側に向くように、半導体素子12が接着剤層1に直接接着される(図32)。接着剤層1は、半導体素子12を接着すると共に、有効画素領域17を囲む空間を確保するためのスペーサとしても機能している。半導体素子12の接着は、例えば、接着剤層1が流動性を発現するような温度にまで加熱しながら熱圧着する方法により行われる。熱圧着後、必要により接着剤層1を加熱して更に硬化を進行させる。
 半導体素子12を接着した後、破線Dに沿ったダイシングにより(図33)、図26に示される半導体装置200が複数得られる。この場合、半導体素子200の回路面とは反対側の面にダイシングフィルムを貼り付け、ガラス基板7及び半導体素子12をダイシングフィルムと共に切断することにより複数の半導体装置200が得られる。このダイシングは、例えば、ダイシングフィルムによって全体をフレームに固定した状態でダイシングブレードを用いて行われる。
 上記半導体装置(固体撮像素子)の製造方法は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。
 上記半導体装置(固体撮像素子)200は、例えば、図34に示すようなCMOSセンサの製造に用いられる。図34は、図26に示す半導体装置を固体撮像素子として用いたCMOSセンサの例を示す端面図である。図34に示すCMOSセンサ300において、半導体装置200は、複数の導電性バンプ32を介して半導体素子搭載用支持部材13上の接続端子(図示せず)と電気的に接続されている。なお、導電性バンプ32を用いて半導体装置200が接着された構成に代えて、導電性ワイヤを介して半導体装置200が半導体素子搭載用支持部材13上の接続端子に接続された構成を有していてもよい。
 CMOSセンサ300は、有効画素領域17の真上(半導体チップ12の反対側)に位置するように設けられたレンズ38と、レンズ38と共に半導体装置200を内包するように設けられた側壁50と、レンズ38が嵌め込まれた状態でレンズ38及び側壁50の間に介在する嵌め込み用部材42とが半導体素子搭載用支持部材13上に搭載された構成を有する。
 CMOSセンサ300は、上述のような方法により製造された半導体装置200を、半導体素子搭載用支持部材13上の接続端子と半導体チップ12を導電性バンプ32を介して接続し、半導体装置200を内包するようにレンズ38、側壁50及び嵌め込み用部材42を半導体素子搭載用支持部材13上に形成することにより製造される。
 以下、実施例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
実施例1~7及び比較例1~3
<(A)成分:ポリイミド樹脂>
(PI-1)
 撹拌機、温度計及び窒素置換装置(窒素流入管)を備えたフラスコ内に、ジアミンである3,5-ジアミノ安息香酸(分子量152.2)(以下「DABA」と略す。)1.89g、脂肪族エーテルジアミン(BASF社製「D-400」(商品名)、分子量452.4)15.21g、及び1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス(4-アミノフェニル)ジシロキサン(信越化学社製「LP-7100」(商品名)、分子量248.5)0.39gと、溶媒であるNMP(N-メチル-2-ピロリドン)116gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
 上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、4,4´-オキシジフタル酸二無水物(分子量326.3)(以下「ODPA」と略す。)16.88gを、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、室温(25℃)で5時間撹拌した。
 その後、フラスコに水分受容器付きの還流冷却器を取り付け、キシレン70gを加え、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて5時間保温し、水と共にキシレンを共沸除去した。得られた溶液を室温まで冷却した後、蒸留水中に投じて再沈殿させ、沈殿物を真空乾燥機で乾燥することにより、ポリイミド樹脂(PI-1)を得た。(PI-1)のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算で重量平均分子量(Mw)=33000であった。また、(PI-1)のTgは55℃であった。
(PI-2)
 撹拌機、温度計及び窒素置換装置(窒素流入管)を備えたフラスコ内に、ジアミンである2,2-ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)プロパン(分子量410.5)(以下「BAPP」と略す。)20.5gと、溶媒であるNMP101gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
 上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、1,2-(エチレン)ビス(トリメリテート無水物)(分子量410.3)(以下「EBTA」と略す。)20.5gを、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、室温で5時間撹拌した。
 その後、フラスコに水分受容器付きの還流冷却器を取り付け、キシレン67gを加え、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて5時間保温し、水と共にキシレンを共沸除去した。得られた溶液を室温まで冷却した後、蒸留水中に投じて再沈殿させ、沈殿物を真空乾燥機で乾燥することにより、ポリイミド樹脂(PI-2)を得た。(PI-2)のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算で重量平均分子量(Mw)=98000であった。また、(PI-2)のTgは180℃であった。
<感光性接着剤組成物>
 上記で得られたポリイミド樹脂(PI-1)及び(PI-2)を用いて、下記表1及び表2に示す組成比(単位:質量部)にて各成分を配合し、実施例1~7及び比較例1~3の感光性接着剤組成物(接着剤層形成用ワニス)を得た。
 表1において、各記号は下記のものを意味する。
 EA-5222:新中村化学工業社製、重合官能基当量380g/eq、エトキシ化ビスフェノールAジエポキシアクリレート
 BPE-100:新中村化学工業社製、重合官能基当量240g/eq、エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート
 BPE-500:新中村化学工業社製、重合官能基当量565g/eq、エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート
 A―9300:新中村化学工業社製、重合官能基当量140g/eq、イソシアヌル酸EO変性トリアクリレート
 UA-3110:新中村化学工業社製、重合官能基当量350g/eq、イソシアヌル酸変性トリアクリレート
 UA-3330:新中村化学工業社製、重合官能基当量310g/eq、イソシアヌル酸変性トリアクリレート UF-8001G:共栄社化学社製、重合官能基当量2250g/eq、2官能ウレタンアクリレート
 A―DPH:新中村化学工業社製、プロポキシ化ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、重合官能基当量95g/eq、6官能脂肪族系アクリレート
 VG-3101:プリンテック、3官能エポキシ樹脂
 YDF-8170C:東都化成社製、ビスフェノールFビスグリシジルエーテル
 TrisP-PA:本州化学社製、トリスフェノール化合物(α,α,α´-トリス(4-ヒドロキシフェノル)-1-エチル-4-イソプロピルベンゼン)
 R972:日本アエロジル社製、疎水性フュームドシリカ(平均粒径:約16nm)
 I-819:チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニルフォスフィンオキサイド
 NMP:関東化学社製、N-メチル-2-ピロリドン
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
<接着シート>
 得られた実施例1~7及び比較例1~3の感光性接着剤組成物を、乾燥後の膜厚が50μmとなるように、それぞれ基材(剥離剤処理PETフィルム)上に塗布し、オーブン中にて80℃で20分間加熱し、続いて120℃で20分間加熱して、基材上に感光性接着剤組成物からなる接着剤層を形成した。このようにして、基材及び基材上に形成された接着剤層を有する接着シートを得た。実施例1~7及び比較例1~3の感光性接着剤組成物から得られた接着シートを、それぞれ、実施例1~7及び比較例1~3の接着シートとした。
<評価試験>
(最低溶融粘度)
 得られた実施例1~7及び比較例1~3の接着シートを、テフロンシート上に、ロール加圧(線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分)によって、接着剤層がテフロンシートと接するように積層(ラミネート)した。ロール加圧の温度条件は、実施例1~7及び比較例1~2の接着シートについては50℃とし、比較例3の接着シートについては150℃とした。このようにして、テフロンシート、接着剤層及び基材からなり、これらがこの順に積層する積層体を得た。
 得られた積層体を、高精度平行露光機(オーク製作所製、「EXM-1172-B-∞」(商品名))により1000mJ/cmで露光し、80℃のホットプレート上で約30秒間放置した。次いで、コンベア現像機(ヤコー社製)を用いて、テトラメチルアンモニウムハイドライド(TMAH)2.38質量%溶液を現像液とし、温度26℃、スプレー圧0.18MPaの条件でスプレー現像した後、温度25℃の純水にてスプレー圧0.02MPaの条件で3分間水洗した。このようにして、テフロンシート上に、感光性接着剤組成物からなる接着剤層を形成した。基材(PETフィルム)を取り除き、テフロンシート及び上記接着剤層からなる積層体を、厚みが約200μmとなるようにラミネートし、10mm×10mmの大きさに切り出し、サンプルとした。ラミネートの温度条件は、実施例1~7及び比較例1~2については80℃とし、比較例3については200℃とした。
 得られたサンプルの片側のテフロンシートを剥がし、150℃で10分間加熱乾燥し、粘弾性測定装置ARES(レオメトリックス・サイエンティフィック・エフ・イー株式会社製)を用いて最低溶融粘度の測定を行った。測定プレートは直径8mmの平行プレート、測定条件は昇温5℃/min、周波数1Hzに設定した。-50℃~300℃での溶融粘度の最低値を最低溶融粘度とした。測定結果を表1及び表2に示す。
(低温貼付性)
 支持台上にシリコンウェハ(6インチ径、厚さ400μm)を載せ、その上に、上記接着シートを、接着剤層がシリコンウェハの裏面(支持台と反対側の面)と接するように、ロール加圧(温度100℃、線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分)により積層した。基材(PETフィルム)を剥離除去した後、露出した接着剤層上に、厚み80μm、幅10mm、長さ40mmのポリイミドフィルム(宇部興産社製、「ユーピレックス」(商品名))を、上記と同様の条件でロール加圧して積層した。このようにして、シリコンウェハ、接着剤層及びポリイミドフィルムからなり、これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。
 得られたサンプルについて、レオメータ(東洋製機製作所社製、「ストログラフE-S」(商品名))を用いて、室温で90°ピール試験を行って、接着剤層とポリイミドフィルムとのピール強度を測定した。その測定結果に基づいて、ピール強度が2N/cm以上のサンプルをA、2N/cm未満のサンプルをBとして、低温貼付性の評価を行った。評価結果を表1及び表2に示す。
(高温(260℃)接着性)
 ロール加圧の温度を、実施例1~7及び比較例1~2の接着シートについては50℃、比較例3の接着シートについては150℃としたこと以外は、上記低温貼付性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に接着シートを積層した。得られた積層体を、接着シート側から、高精度平行露光機(オーク製作所製、「EXM-1172-B-∞」(商品名))により1000mJ/cmで露光し、80℃のホットプレート上で約30秒間放置した。基材(PETフィルム)を剥離除去した後、コンベア現像機(ヤコー社製)を用いて、テトラメチルアンモニウムハイドライド(TMAH)2.38質量%溶液を現像液とし、温度26℃、スプレー圧0.18MPaの条件でスプレー現像した後、温度25℃の純水にてスプレー圧0.02MPaの条件で6分間水洗し、150℃で1分間乾燥させた。このようにして、シリコンウェハ上に、感光性接着剤組成物からなる接着剤層を形成した。
 得られたシリコンウェハ及び接着剤層からなる積層体を、3mm×3mmの大きさに個片化した。個片化した積層体を150℃で10分間乾燥させた後、ガラス基板(10mm×10mm×0.55mm)上に、接着剤層がガラス基板と接するようにして積層し、2kgfで加圧しながら10秒間圧着した。圧着温度は、実施例1~7及び比較例1~2については150℃、比較例3については200℃とした。このようにして、シリコンウェハ、接着剤層及びガラス基板からなり、これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。
 得られたサンプルを、オーブン中で180℃、3時間の条件で加熱し、さらに、260℃の熱盤上で10秒間加熱した後、せん断接着力試験機「Dage-4000」(商品名)を用いて接着力を測定した。測定結果を表1及び表2に示す。
(パターン形成性)
 ロール加圧の温度を、実施例1~7及び比較例1~2の接着シートについては60℃、比較例3の接着シートについては150℃としたこと以外は、上記高温接着性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に接着シートを積層した。得られた積層体を、接着シート側から、ネガ型パターン用マスク(日立化成社製、「No.G-2」(商品名))を介して、上記試験と同様に露光した。次いで、上記試験と同様に、ホットプレート上で放置後、基材を除去し、現像・水洗を行った。このようにして、シリコンウェハ上に、感光性接着剤組成物からなる接着剤パターンを形成した。
 形成された接着剤パターンを顕微鏡(倍率:50倍)にて観察し、ライン幅/スペース幅=400μm/400μmのパターンが形成されていた場合をA、形成されていなかった場合をBとして、パターン形成性の評価を行った。評価結果を表1及び表2に示す。
(低温熱圧着性)
 ロール加圧の温度を、実施例1~7及び比較例1~2の接着シートについては50℃、比較例3の接着シートについては150℃とし、上記ネガ型パターン用マスクに代えて額縁状6インチサイズマスクパターン(中空部2mm、線幅0.5mm)を用いたこと以外は、上記パターン形成性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に、感光性接着剤組成物からなる接着剤パターンを形成した。
 接着剤層付きシリコンウェハを150℃で10分間乾燥させた後、形成された接着剤パターンのシリコンウェハと反対側の面上に、ガラス基板(15mm×40mm×0.55mm)を積層し、0.5MPaで加圧しながら、150℃で10分間圧着し、シリコンウェハ、接着剤パターン及びガラス基板からなり、これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。
 得られたサンプルを顕微鏡(倍率:50倍)にて観察し、未接着部分(空隙)がガラス基板と接着剤パターンとの接着面積に対して20%以下であるものをA、20%以上であるものをBとして、低温熱圧着性の評価を行った。評価結果を表1及び表2に示す。
(反り量)
 シリコンウェハの厚さを280μmとし、ロール加圧の温度を50℃としたこと以外は、上記低温貼付性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に接着シートを積層した。得られた積層体を、接着シート側から、高精度平行露光機(オーク製作所製、「EXM-1172-B-∞」(商品名))により1000mJ/cmで露光し、80℃のホットプレート上で約30秒間放置後、15mm×40mmの大きさに個片化した。基材(PETフィルム)を剥がし、オーブン中で180℃、3時間の条件で加熱硬化することにより、シリコンウェハと、感光性接着剤組成物の硬化物からなる硬化物層からなる積層体が得られる。
 得られた積層体のシリコンウェハ側について、表面粗さ計(小坂研究所製、「SE-2300」)を用いて表面粗さの測定を行った。対角線上を測定した後、250℃、10秒のIRリフローを3回行い、両対角線の平均値を反り量とした。結果を表1及び表2に示す。
 表1及び表2の結果から明らかなように、実施例1~7の感光性接着剤又は接着シートは、比較例1~3の感光性接着剤又は接着シートと比べて、低温熱圧着性が顕著に優れたものであった。
実施例I~V及び比較例I~II
<(A)成分:ポリイミド樹脂>
(PI-1)
 撹拌機、温度計及び窒素置換装置(窒素流入管)を備えたフラスコ内に、ジアミンである3,5-ジアミノ安息香酸(分子量152.2)(以下「DABA」と略す。)1.89g、脂肪族エーテルジアミン(BASF社製「D-400」(商品名)、分子量452.4)15.21g、及び1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス(4-アミノフェニル)ジシロキサン(信越化学社製「LP-7100」(商品名)、分子量248.5)0.39gと、溶媒であるNMP(N-メチル-2-ピロリドン)116gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
 上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、4,4´-オキシジフタル酸二無水物(分子量326.3)(以下「ODPA」と略す。)16.88gを、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、室温(25℃)で5時間撹拌した。
 その後、フラスコに水分受容器付きの還流冷却器を取り付け、キシレン70gを加え、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて5時間保温し、水と共にキシレンを共沸除去した。得られた溶液を室温まで冷却した後、蒸留水中に投じて再沈殿させ、沈殿物を真空乾燥機で乾燥することにより、ポリイミド樹脂(PI-1)を得た。(PI-1)のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算で重量平均分子量(Mw)=33000であった。また、(PI-1)のTgは55℃であった。
(PI-2)
 撹拌機、温度計及び窒素置換装置(窒素流入管)を備えたフラスコ内に、ジアミンである2,2-ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)プロパン(分子量410.5)(以下「BAPP」と略す。)20.5gと、溶媒であるNMP101gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
 上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、1,2-(エチレン)ビス(トリメリテート無水物)(分子量410.3)(以下「EBTA」と略す。)20.5gを、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、室温で5時間撹拌した。
 その後、フラスコに水分受容器付きの還流冷却器を取り付け、キシレン67gを加え、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて5時間保温し、水と共にキシレンを共沸除去した。得られた溶液を室温まで冷却した後、蒸留水中に投じて再沈殿させ、沈殿物を真空乾燥機で乾燥することにより、ポリイミド樹脂(PI-2)を得た。(PI-2)のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算で重量平均分子量(Mw)=98000であった。また、(PI-2)のTgは180℃であった。
<(C)成分:放射線重合性化合物>
(C-1)
 撹拌機、温度計及び窒素置換装置(窒素流入管)を備えた500mLフラスコ内に、液状の高純度ビスフェノールAビスグリシジルエーテルエポキシ樹脂(エポキシ当量178g/eq)178g(1.0当量)、アクリル酸36g(0.5当量)、トリフェニルホスフィン0.5g、及びヒドロキノン0.15gを仕込み、100℃で7時間反応させることにより、エポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートである放射線重合性化合物(C-1)を得た。(C-1)は、エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する反応性化合物である。(C-1)の酸価は0.3KOHmg/g以下であり、5%重量減少温度は300℃であった。なお、酸価は水酸化カリウムのエタノール溶液で滴定することにより求め、5%重量減少温度は、示差熱熱重量同時測定装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、「TG/DTA 6300」(商品名))を用いて、窒素フロー:400ml/minの条件下で測定した。(C-1)のエポキシ基数は約1、エチレン性不飽和基数は約1、放射線重合性官能基当量は410g/eqであり、全塩素含量は400ppm以下であった。
(C-2)
 エポキシ樹脂として、液状の高純度ビスフェノールFビスグリシジルエーテルエポキシ樹脂(エポキシ当量160g/eq)168g(1.0当量)を用いたこと以外は(C-1)と同様にして、(C-2)を得た。(C-2)の酸価は0.3KOHmg/g以下であり、5%重量減少温度は300℃であった。(C-2)のエポキシ基数は約1、エチレン性不飽和基数は約1、放射線重合性官能基当量は395g/eqであり、全塩素含量は400ppm以下であった。
<感光性接着剤組成物>
 上記で得られたポリイミド樹脂(PI-1)及び(PI-2)並びに放射線重合性化合物(C-1)及び(C-2)を用いて、下記表3及び表4に示す組成比(単位:質量部)にて各成分を配合し、実施例I~V及び比較例I~IIの感光性接着剤組成物(接着剤層形成用ワニス)を得た。
 表3及び表4において、各記号は下記のものを意味する。
 BPE-100:新中村化学工業社製、エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート(放射線重合性官能基当量240g/eq、5%重量減少温度:330℃)
 A-9300:新中村化学工業社製、イソシアヌル酸EO変性トリアクリレート(放射線重合性官能基当量140g/eq、5%重量減少温度:>400℃)
 M-140:東亜合成社製、2-(1,2-シクロヘキサカルボキシイミド)エチルアクリレート(放射線重合性官能基当量251g/eq、5%重量減少温度:200℃、グリシジル基数:0、アクリル基数:1)
 4-HBAGE:日本化成社製、4-ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル(放射線重合性官能基当量200g/eq、5%重量減少温度:135℃)
 VG-3101:プリンテック(株)製、3官能エポキシ樹脂(5%重量減少温度:350℃)
 YDF-870GS:東都化成社製、ビスフェノールFビスグリシジルエーテル(5%重量減少温度:270℃)
 TrisP-PA:本州化学社製、トリスフェノール化合物(α,α,α’-トリス(4-ヒドロキシフェノル)-1-エチル-4-イソプロピルベンゼン)(5%重量減少温度:350℃)
 R-972:日本アエロジル社製、疎水性フュームドシリカ(平均粒径:約16nm)
 I-819:チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニルフォスフィンオキサイド
 パークミルD:日油社製、ジクミルパーオキサイド(1分間半減期温度:175℃)
 NMP:関東化学社製、N-メチル-2-ピロリドン
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
<接着シート>
 得られた実施例I~V及び比較例I~IIの感光性接着剤組成物を、乾燥後の膜厚が50μmとなるように、それぞれ基材(剥離剤処理PETフィルム)上に塗布し、オーブン中にて80℃で20分間加熱し、続いて120℃で20分間加熱して、基材上に感光性接着剤組成物からなる接着剤層を形成した。このようにして、基材及び基材上に形成された接着剤層を有する接着シートを得た。実施例I~V及び比較例I~IIの感光性接着剤組成物から得られた接着シートを、それぞれ、実施例I~V及び比較例I~IIの接着シートとした。
<評価試験>
(最低溶融粘度)
 得られた実施例I~V及び比較例I~IIの接着シートを、テフロンシート上に、ロール加圧(温度50℃、線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分)によって、接着剤層がテフロンシートと接するように積層(ラミネート)した。このようにして、テフロンシート、接着剤層及び基材からなり、これらがこの順に積層する積層体を得た。
 得られた積層体を、高精度平行露光機(オーク製作所製、「EXM-1172-B-∞」(商品名))により1000mJ/cmで露光し、80℃のホットプレート上で約30秒間放置した。次いで、コンベア現像機(ヤコー社製)を用いて、テトラメチルアンモニウムハイドライド(TMAH)2.38質量%溶液を現像液とし、温度26℃、スプレー圧0.18MPaの条件でスプレー現像した後、温度25℃の純水にてスプレー圧0.02MPaの条件で3分間水洗した。このようにして、テフロンシート上に、感光性接着剤組成物からなる接着剤層を形成した。基材(PETフィルム)を取り除き、テフロンシート及び上記接着剤層からなる積層体を、厚みが約200μmとなるように80℃でラミネートし、10mm×10mmの大きさに切り出し、サンプルとした。
 得られたサンプルの片側のテフロンシートを剥がし、150℃で10分間加熱乾燥し、粘弾性測定装置ARES(レオメトリックス・サイエンティフィック・エフ・イー株式会社製)を用いて最低溶融粘度の測定を行った。測定プレートは直径8mmの平行プレート、測定条件は昇温5℃/min、周波数1Hzに設定した。-50℃~300℃での溶融粘度の最低値を最低溶融粘度とした。測定結果を表3及び表4に示す。
(低温貼付性)
 支持台上にシリコンウェハ(6インチ径、厚さ400μm)を載せ、その上に、上記接着シートを、接着剤層がシリコンウェハの裏面(支持台と反対側の面)と接するように、ロール加圧(温度100℃、線圧4kgf/cm、送り速度0.5m/分)により積層した。基材(PETフィルム)を剥離除去した後、露出した接着剤層上に、厚み80μm、幅10mm、長さ40mmのポリイミドフィルム(宇部興産社製、「ユーピレックス」(商品名))を、上記と同様の条件でロール加圧して積層した。このようにして、シリコンウェハ、接着剤層及びポリイミドフィルムからなり、これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。
 得られたサンプルについて、レオメータ(東洋製機製作所社製、「ストログラフE-S」(商品名))を用いて、室温で90°ピール試験を行って、接着剤層とポリイミドフィルムとのピール強度を測定した。その測定結果に基づいて、ピール強度が2N/cm以上のサンプルをA、2N/cm未満のサンプルをBとして、低温貼付性の評価を行った。評価結果を表3及び表4に示す。
(高温(260℃)接着性)
 ロール加圧の温度を、実施例I~V及び比較例Iの接着シートについては50℃、比較例IIの接着シートについては150℃としたこと以外は、上記低温貼付性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に接着シートを積層した。得られた積層体を、接着シート側から、高精度平行露光機(オーク製作所製、「EXM-1172-B-∞」(商品名))により1000mJ/cmで露光し、80℃のホットプレート上で約30秒間放置した。基材(PETフィルム)を剥離除去した後、コンベア現像機(ヤコー社製)を用いて、テトラメチルアンモニウムハイドライド(TMAH)2.38質量%溶液を現像液とし、温度26℃、スプレー圧0.18MPaの条件でスプレー現像した後、温度25℃の純水にてスプレー圧0.02MPaの条件で6分間水洗し、150℃で1分間乾燥させた。このようにして、シリコンウェハ上に、感光性接着剤組成物からなる接着剤層を形成した。
 得られたシリコンウェハ及び接着剤層からなる積層体を、3mm×3mmの大きさに個片化した。個片化した積層体を150℃で10分間乾燥させた後、ガラス基板(10mm×10mm×0.55mm)上に、接着剤層がガラス基板と接するようにして積層し、2kgfで加圧しながら10秒間圧着した。圧着温度は、実施例1~7及び比較例1~2については150℃、比較例3については200℃とした。このようにして、シリコンウェハ、接着剤層及びガラス基板からなり、これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。
 得られたサンプルを、オーブン中で180℃、3時間の条件で加熱し、さらに、260℃の熱盤上で10秒間加熱した後、せん断接着力試験機「Dage-4000」(商品名)を用いて接着力を測定した。測定結果を表3及び表4に示す。
(パターン形成性)
 ロール加圧の温度を、実施例I~V及び比較例Iの接着シートについては60℃、比較例IIの接着シートについては150℃としたこと以外は、上記高温接着性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に接着シートを積層した。得られた積層体を、接着シート側から、ネガ型パターン用マスク(日立化成社製、「No.G-2」(商品名))を介して、上記試験と同様に露光した。次いで、上記試験と同様に、ホットプレート上で放置後、基材を除去し、現像・水洗を行った。このようにして、シリコンウェハ上に、感光性接着剤組成物からなる接着剤パターンを形成した。
 形成された接着剤パターンを顕微鏡(倍率:50倍)にて観察し、ライン幅/スペース幅=400μm/400μmのパターンが形成されていた場合をA、形成されていなかった場合をBとして、パターン形成性の評価を行った。評価結果を表3及び表4に示す。
(低温熱圧着性)
 ロール加圧の温度を、実施例I~V及び比較例Iの接着シートについては50℃、比較例IIの接着シートについては150℃とし、上記ネガ型パターン用マスクに代えて額縁状6インチサイズマスクパターン(中空部2mm、線幅0.5mm)を用いたこと以外は、上記パターン形成性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に、感光性接着剤組成物からなる接着剤パターンを形成した。
 接着剤層付きシリコンウェハを150℃で10分間乾燥させた後、形成された接着剤パターンのシリコンウェハと反対側の面上に、ガラス基板(15mm×40mm×0.55mm)を積層し、0.5MPaで加圧しながら、150℃で10分間圧着し、シリコンウェハ、接着剤パターン及びガラス基板からなり、これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。
 得られたサンプルを顕微鏡(倍率:50倍)にて観察し、未接着部分(空隙)がガラス基板と接着剤パターンとの接着面積に対して20%以下であるものをA、20%以上であるものをBとして、低温熱圧着性の評価を行った。評価結果を表3及び表4に示す。
 表3及び表4の結果から明らかなように、実施例I~Vの感光性接着剤又は接着シートは、比較例I及びIIの感光性接着剤又は接着シートと比べて、低温熱圧着性が顕著に優れたものであった。
実施例i~viii及び比較例i~vii
<(A)成分:熱可塑性樹脂>
ポリイミド樹脂
(PI-3)
 撹拌機、温度計及び窒素置換装置(窒素流入管)を備えた300mLフラスコ内に、ジアミンである5,5´-メチレンビス(アントラニル酸)(分子量286.3)(以下「MBAA」と略す。)2.16g(0.0075mol)、ポリオキシプロピレンジアミン(商品名「D-400」(分子量:452.4)、BASF製製)15.13g(0.0335mol)、及び1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス(3-アミノプロピル)ジシロキサン(商品名「BY16-871EG」、東レ・ダウコーニング(株)製)1.63g(0.0065mol)と、溶媒であるNMP(N-メチル-2-ピロリドン)115gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
 上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、4,4´-オキシジフタル酸二無水物(以下「ODPA」と略す。)16.51g(0.051mol)を、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、室温で5時間撹拌した。その後、フラスコに水分受容器付きの還流冷却器を取り付け、キシレン81gを加え、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて5時間保温し、水と共にキシレンを共沸除去して、ポリイミド樹脂(PI-3)を得た。(PI-3)のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算で重量平均分子量(Mw)=30000であった。また、(PI-3)のTgは31℃であった。
(PI-4)
 撹拌機、温度計及び窒素置換装置を備えたフラスコ内に、ジアミンであるMBAA5.72g(0.02mol)、「D-400」13.57g(0.03mol)、「BY16-871EG」2.48g(0.01mol)、及び1,4-ブタンジオール ビス(3-アミノプロピル)エーテル(商品名「B-12」、東京化成製、分子量204.31)8.17g(0.04mol)と、溶媒であるNMP110gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
 上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、ODPA29.35g(0.09mol)及びTAA(無水トリメリット酸)3.84g(0.02mol)を、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、室温で5時間撹拌した。その後、フラスコに水分受容器付きの還流冷却器を取り付け、キシレン70.5gを加え、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて5時間保温し、水と共にキシレンを共沸除去して、ポリイミド樹脂(PI-4)を得た。(PI-4)のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算でMw=21000であった。また、(PI-4)のTgは55℃であった。
(PI-5)
 撹拌機、温度計及び窒素置換装置を備えた500mLフラスコ内に、ジアミンであるMBAA34.32g(0.12mol)、「D-400」17.32g(0.04mol)、及び「BY16-871EG」7.454g(0.03mol)と、溶媒であるNMP140gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
 上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、ODPA55.8g(0.18mol)及びTAA11.52g(0.06mol)を、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、室温で5時間撹拌した。その後、フラスコに水分受容器付きの還流冷却器を取り付け、キシレン81gを加え、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて5時間保温し、水と共にキシレンを共沸除去して、ポリイミド樹脂(PI-5)を得た。(PI-5)のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算でMw=20000であった。また、(PI-5)のTgは100℃であった。
(メタ)アクリル共重合体
(Polymer―1)
 プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート240g、乳酸メチル60g、メタクリロイルオキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン(日立化成工業(株)社製、「FANCRYL FA-513M」)86.4g、N-シクロヘキシルマレイミド36.5g、2-ヒドロキシエチルメタクリレート106.7g、及びメタクリル酸40.5gを混合し、窒素バブリングしながら溶解させた。N-シクロヘキシルマレイミドの溶解を確認した後、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル3gを溶解させ、混合溶液(a)を調製した。
 2,2’-アゾビスイソブチロニトリル0.6gをジエチレングリコールジメチルエーテル40gに溶解させ、溶液(b)を調製した。
 四つ口フラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート264gと乳酸メチル66gを仕込み、90℃に昇温させた。フラスコ内の温度を90℃に保ったまま、上記混合溶液(a)をフラスコ内に3時間かけて連続的に滴下した。その後、3時間90℃に保持し、その間、残存モノマー低減のため、上記溶液(b)を数回に分けて添加した。合計6時間、90℃で反応を行った後、フラスコ内の溶液を120℃まで昇温させ、1時間120℃に保持した後自然冷却して、(メタ)アクリロイル基を有するモノマーを単量体単位として含む重合体の溶液を得た。
 エチレン性不飽和結合(メタクリロイル基)を導入するために、得られた重合体の溶液に、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアナートと錫系の触媒とを添加した。2-メタクリロイルオキシエチルイソシアナートは、重合体に対し、1.5mmol/gとなるように添加した。その後、80℃で2~3時間保持した後自然冷却して、側鎖及び/又は末端にエチレン性不飽和結合を有する(メタ)アクリル共重合体(Polymer-1)の溶液を得た。(Polymer-1)のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算でMw=30000であった。また、(Polymer-1)のTgは60℃であった。
<(C)成分:放射線重合性化合物>
(C-1)
 撹拌機、温度計及び窒素置換装置(窒素流入管)を備えた500mLフラスコ内に、液状の高純度ビスフェノールAビスグリシジルエーテルエポキシ樹脂(エポキシ当量178g/eq)178g(1.0当量)、アクリル酸36g(0.5当量)、トリフェニルホスフィン0.5g、及びヒドロキノン0.15gを仕込み、100℃で7時間反応させることにより、エポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートである放射線重合性化合物(C-1)を得た。(C-1)は、エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する反応性化合物である。(C-1)の酸価は0.3KOHmg/g以下であり、5%重量減少温度は300℃であった。なお、酸価は水酸化カリウムのエタノール溶液で滴定することにより求め、5%重量減少温度は、示差熱熱重量同時測定装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、「TG/DTA 6300」(商品名))を用いて、窒素フロー:400ml/minの条件下で測定した。(C-1)のエポキシ基数は約1、エチレン性不飽和基数は約1、放射線重合性官能基当量410g/eqであり、全塩素含量は400ppm以下であった。
(C-2)
 エポキシ樹脂として、液状の高純度ビスフェノールFビスグリシジルエーテルエポキシ樹脂(エポキシ当量160g/eq)168g(1.0当量)を用いたこと以外は(C-1)と同様にして、(C-2)を得た。(C-2)の酸価は0.3KOHmg/g以下であり、5%重量減少温度は300℃であった。(C-2)のエポキシ基数は約1、エチレン性不飽和基数は約1、放射線重合性官能基当量395g/eqであり、全塩素含量は400ppm以下であった。
(C-3)
 撹拌機、温度計及び窒素置換装置を備えた500mLフラスコ内に、フェノールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量174g/eq、東都化成社製「YDPN-638」)174g(1.0当量)、アクリル酸36g(0.5当量)、トリフェニルホスフィン0.48g、及びヒドロキノン0.10gを仕込み、90℃~100℃で7時間反応させることにより、エポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートである放射線重合性化合物(C-3)を得た。(C-3)は、エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する反応性化合物である。(C-3)の酸価は0.3KOHmg/g以下であり、5%重量減少温度は310℃であった。なお、酸価は水酸化カリウムのエタノール溶液で滴定することにより求め、5%重量減少温度は、示差熱熱重量同時測定装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、「TG/DTA 6300」(商品名))を用いて、窒素フロー:400ml/minの条件下で測定した。(C-3)のエポキシ基数は約1.7、エチレン性不飽和基数は約1.7、放射線重合性官能基当量440g/eqであり、全塩素含量は400ppm以下であった。
<感光性接着剤組成物>
 上記で得られたポリイミド樹脂(PI-3)~(PI-5)及び放射線重合性化合物(C-1)~(C-3)を用いて、下記表5及び表6に示す組成比(単位:質量部)にて各成分を配合し、実施例i~viii及び比較例i~viiの感光性接着剤組成物(接着剤層形成用ワニス)を得た。
 表5及び表6において、各記号は下記のものを意味する。
 BPE-100:新中村化学工業社製、エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート(放射線重合性官能基当量240g/eq、5%重量減少温度:330℃)
 A-9300:新中村化学工業社製、イソシアヌル酸EO変性トリアクリレート(放射線重合性官能基当量140g/eq、5%重量減少温度:>400℃)
 EA-1020:新中村化学工業社製、ビスフェノールAビスグリシジルエーテル型ジアクリレート(放射線重合性官能基当量228g/eq、5%重量減少温度:300℃)
 M-140:東亜合成社製、2-(1,2-シクロヘキサカルボキシイミド)エチルアクリレート(放射線重合性官能基当量251g/eq、5%重量減少温度:200℃、グリシジル基数:0、アクリル基数:1)
 VG-3101:プリンテック(株)製、3官能エポキシ樹脂(5%重量減少温度:350℃)
 YDF-870GS:東都化成社製、ビスフェノールFビスグリシジルエーテル(5%重量減少温度:270℃)
 TrisP-PA:本州化学社製、トリスフェノール化合物(α,α,α’-トリス(4-ヒドロキシフェノル)-1-エチル-4-イソプロピルベンゼン)(5%重量減少温度:350℃)
 HRM-2019:昭和高分子社製、フェノール性水酸基含有アクリレート(5%重量減少温度:210℃、フェノール性水酸基数:約4、アクリル基数:約4)
 R-972:日本アエロジル社製、疎水性フュームドシリカ(平均粒径:約16nm)
 I-819:チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニルフォスフィンオキサイド
 パークミルD:日油社製、ジクミルパーオキサイド(1分間半減期温度:175℃)
 NMP:関東化学社製、N-メチル-2-ピロリドン
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000015
<5%重量減少温度>
 サンプルを示差熱熱重量同時測定装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、商品名「TG/DTA6300」)を用いて、昇温速度10℃/min、窒素フロー(400ml/分)下で5%重量減少温度を測定した。
<全塩素含量>
 全塩素含量はJIS K7243-3に準じて測定した。
<接着シート>
 得られた実施例i~viii及び比較例i~viiの感光性接着剤組成物を、乾燥後の膜厚が50μmとなるように、それぞれ基材(剥離剤処理PETフィルム)上に塗布し、オーブン中にて80℃で20分間加熱し、続いて120℃で20分間加熱して、基材上に感光性接着剤組成物からなる接着剤層を形成した。このようにして、基材及び基材上に形成された接着剤層を有する接着シートを得た。実施例i~viii及び比較例i~viiの感光性接着剤組成物から得られた接着シートを、それぞれ、実施例i~viii及び比較例i~viiの接着シートとした。
<評価試験>
(低温貼付性)
 実施例I~V及び比較例I~IIと同様に、低温貼付性の評価を行った。評価結果を表5及び表6に示す。
(高温(260℃)接着性)
 ロール加圧の温度を80℃としたこと以外は、上記低温貼付性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に接着シートを積層した。得られた積層体を、接着シート側から、高精度平行露光機(オーク製作所製、「EXM-1172-B-∞」(商品名))により1000mJ/cmで露光し、80℃のホットプレート上で約30秒間放置した。基材(PETフィルム)を剥離除去した後、コンベア現像機(ヤコー社製)を用いて、テトラメチルアンモニウムハイドライド(TMAH)2.38質量%溶液を現像液とし、温度26℃、スプレー圧0.18MPaの条件でスプレー現像した後、温度25℃の純水にてスプレー圧0.02MPaの条件で6分間水洗し、150℃で1分間乾燥させた。このようにして、シリコンウェハ上に、感光性接着剤組成物からなる接着剤層を形成した。
 得られたシリコンウェハ及び接着剤層からなる積層体を、3mm×3mmの大きさに個片化した。個片化した積層体を、実施例i~vi及びviii、比較例i~v及びviiについては150℃で10分間、実施例vii及び比較例viについては120℃で10分間、ホットプレート上で乾燥させた後、ガラス基板(10mm×10mm×0.55mm)上に、接着剤層がガラス基板と接するようにして積層し、2kgfで加圧しながら、150℃で10秒間圧着した。このようにして、シリコンウェハ、接着剤層及びガラス基板からなり、これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。
 得られたサンプルを、オーブン中で180℃、3時間の条件で加熱し、さらに、260℃の熱盤上で10秒間加熱した後、せん断接着力試験機「Dage-4000」(商品名)を用いて接着力を測定した。測定結果を表5及び表6に示す。
(パターン形成性)
 ロール加圧の温度を80℃としたこと以外は、実施例I~V及び比較例I~IIと同様に、パターン形成性の評価を行った。評価結果を表5及び表6に示す。
(低温熱圧着性)
 上記ネガ型パターン用マスクに代えて額縁状6インチサイズマスクパターン(中空部2mm、線幅0.5mm)を用いたこと以外は、上記パターン形成性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に、感光性接着剤組成物からなる接着剤パターンを形成した。
 実施例i~vi及びviii、比較例i~v及びviiについては150℃で10分間、実施例vii及び比較例viについては120℃で10分間、ホットプレート上で乾燥させた後、形成された接着剤パターンのシリコンウェハと反対側の面上に、ガラス基板(15mm×40mm×0.55mm)を積層し、0.5MPaで加圧しながら、150℃で10分間圧着し、シリコンウェハ、接着剤パターン及びガラス基板からなり、これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。
 得られたサンプルを顕微鏡(倍率:50倍)にて観察し、未接着部分(空隙)がガラス基板と接着剤パターンとの接着面積に対して20%以下であるものをA、20%以上であるものをBとして、低温熱圧着性の評価を行った。評価結果を表5及び表6に示す。
(耐熱性)
 上記低温熱圧着性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ、接着剤パターン及びガラス基板からなり、これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。得られたサンプルを、オーブン中で180℃、3時間の条件で加熱し、さらに、260℃のホットプレート上に30分間静置した。その後、サンプルを顕微鏡(倍率:50倍)にて観察し、1ICサイズ以上の剥離が見られなかったものをA、1ICサイズ以上の剥離が見られたものをBとして、耐熱性の評価を行った。評価結果を表5及び表6に示す。
(耐湿性)
 上記耐熱性の評価試験と同様に、積層体のサンプルをオーブン中で180℃にて3時間加熱した。加熱後のサンプルを、温度85℃、湿度60%の条件下で168時間処理した後、温度25℃、湿度50%の環境に置き、サンプルのガラス内部が結露するか顕微鏡(倍率:50倍)で観察した。結露が見られなかったものをA、結露が見られたものをBとして、耐湿性(耐結露性)の評価を行った。評価結果を表5及び表6に示す。
 上記耐熱性の評価試験と同様に、積層体のサンプルをオーブン中で180℃にて3時間加熱した。加熱後のサンプルを、温度60℃、湿度90%の条件下で168時間処理した後、上記で温度25℃、湿度50%の環境下に置いた後、250℃、10秒のIRリフローを行い、剥離の有無を顕微鏡(倍率:50倍)で観察した。剥離が見られなかったものをA、剥離が見られたものをBとして、耐湿性(耐リフロー性)の評価を行った。評価結果を表5及び表6に示す。
 表5及び表6の結果から明らかなように、実施例i~viiiの感光性接着剤又は接着シートは、比較例i~viiの感光性接着剤又は接着シートと比べて、低温熱圧着性、パターン形成性、耐熱性及び耐湿性が顕著に優れたものであった。
実施例a~e及び比較例a~e
<(A)成分:ポリイミド樹脂>
(PI-3)
 撹拌機、温度計及び窒素置換装置(窒素流入管)を備えた300mLフラスコ内に、ジアミンである5,5´-メチレンビス(アントラニル酸)(分子量286.3)(以下「MBAA」と略す。)2.16g(0.0075mol)、ポリオキシプロピレンジアミン(商品名「D-400」(分子量:452.4)、BASF製製)15.13g(0.0335mol)、及び1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ビス(3-アミノプロピル)ジシロキサン(商品名「BY16-871EG」、東レ・ダウコーニング(株)製)1.63g(0.0065mol)と、溶媒であるNMP(N-メチル-2-ピロリドン)115gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
 上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、4,4´-オキシジフタル酸二無水物(以下「ODPA」と略す。)16.51g(0.051mol)を、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、室温で5時間撹拌した。その後、フラスコに水分受容器付きの還流冷却器を取り付け、キシレン81gを加え、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて5時間保温し、水と共にキシレンを共沸除去して、ポリイミド樹脂(PI-3)を得た。(PI-3)のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算で重量平均分子量(Mw)=30000であった。また、(PI-3)のTgは31℃であった。
(PI-6)
 撹拌機、温度計及び窒素置換装置を備えたフラスコ内に、ジアミンである2,2-ビス(4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)プロパン(分子量410.5)(以下「BAPP」と略す。)20.5gと、溶媒であるNMP101gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
 上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、1,2-(エチレン)ビス(トリメリテート無水物)(分子量410.3)(以下「EBTA」と略す。)20.5gを、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、室温で5時間攪拌した。その後、フラスコに水分受容器付きの還流冷却器を取り付け、キシレン67gを加え、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて5時間保温し、水と共にキシレンを共沸除去した。得られた溶液を室温まで冷却した後、蒸留水中に投じて再沈殿させ、ポリイミド樹脂(PI-6)を得た。(PI-6)のGPC測定を行ったところ、ポリスチレン換算で重量平均分子量(Mw)=98000であった。また、(PI-6)のTgは180℃であった。なお、(PI-6)は、アルカリ可溶性を有していなかった。
<感光性接着剤組成物>
 上記で得られたポリイミド樹脂(PI-3)及び(PI-6)を用いて、下記表7及び表8に示す組成比(単位:質量部)にて各成分を配合し、実施例a~e及び比較例a~eの感光性接着剤組成物(接着剤層形成用ワニス)を得た。
 表7及び表8において、各記号は下記のものを意味する。
 BPE-100:新中村化学工業社製、エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート(放射線重合性官能基当量240g/eq、5%重量減少温度:330℃)
 BPE-500:新中村化学工業社製、エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート(放射線重合性官能基当量565g/eq、5%重量減少温度:330℃)
 A-9300:新中村化学工業社製、イソシアヌル酸EO変性トリアクリレート(放射線重合性官能基当量140g/eq、5%重量減少温度:>400℃)
 U-2PPA:新中村化学工業社製、2官能ウレタンアクリレート(放射線重合性官能基当量230g/eq、5%重量減少温度:160℃)
 VG-3101:プリンテック(株)製、3官能エポキシ樹脂(5%重量減少温度:350℃)
 YDF-870GS:東都化成社製、ビスフェノールFビスグリシジルエーテル(5%重量減少温度:270℃)
 TrisP-PA:本州化学社製、トリスフェノール化合物(α,α,α’-トリス(4-ヒドロキシフェノル)-1-エチル-4-イソプロピルベンゼン)(5%重量減少温度:350℃)
 R-972:日本アエロジル社製、疎水性フュームドシリカ(平均粒径:約16nm)
 I-819:チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニルフォスフィンオキサイド
 パーヘキサ25B:日油社製、2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルパーオキシへキサン)(1分間半減期温度:180℃)
 パークミルD:日油社製、ジクミルパーオキサイド(1分間半減期温度:175℃)
 パーロイルL:日油社製、ジラウロイルパーオキサイド(1分間半減期温度:116℃)
 NMP:関東化学社製、N-メチル-2-ピロリドン
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000017
<接着シート>
 得られた実施例a~e及び比較例a~eの感光性接着剤組成物を、乾燥後の膜厚が50μmとなるように、それぞれ基材(剥離剤処理PETフィルム)上に塗布し、オーブン中にて80℃で20分間加熱し、続いて120℃で20分間加熱して、基材上に感光性接着剤組成物からなる接着剤層を形成した。このようにして、基材及び基材上に形成された接着剤層を有する接着シートを得た。実施例a~e及び比較例a~eの感光性接着剤組成物から得られた接着シートを、それぞれ、実施例a~e及び比較例a~eの接着シートとした。
<評価試験>
(低温貼付性)
 実施例I~V及び比較例I~IIと同様に、低温貼付性の評価を行った。評価結果を表7及び表8に示す。
(高温(260℃)接着性)
 ロール加圧の温度を、実施例a~e及び比較例a~dについては50℃、比較例eについては200℃としたこと以外は、上記低温貼付性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に接着シートを積層した。得られた積層体を、接着シート側から、高精度平行露光機(オーク製作所製、「EXM-1172-B-∞」(商品名))により1000mJ/cmで露光し、80℃のホットプレート上で約30秒間放置した。基材(PETフィルム)を剥離除去した後、コンベア現像機(ヤコー社製)を用いて、テトラメチルアンモニウムハイドライド(TMAH)2.38質量%溶液を現像液とし、温度26℃、スプレー圧0.18MPaの条件でスプレー現像した後、温度25℃の純水にてスプレー圧0.02MPaの条件で6分間水洗し、150℃で1分間乾燥させた。このようにして、シリコンウェハ上に、感光性接着剤組成物からなる接着剤層を形成した。
 得られたシリコンウェハ及び接着剤層からなる積層体を、5mm×5mmの大きさに個片化した。個片化した積層体を150℃で10分間乾燥させた後、ガラス基板(10mm×10mm×0.55mm)上に、接着剤層がガラス基板と接するようにして積層し、2kgfで加圧しながら、実施例a~e及び比較例a~dについては150℃で、比較例eについては300℃で10秒間圧着した。このようにして、シリコンウェハ、接着剤層及びガラス基板からなり、これらがこの順に積層する積層体のサンプルを得た。
 得られたサンプルを、オーブン中で150℃、3時間の条件で加熱し、さらに、260℃の熱盤上で10秒間加熱した後、せん断接着力試験機「Dage-4000」(商品名)を用いて接着力を測定した。測定結果を表7及び表8に示す。
(低温熱圧着性)
 ロール加圧の温度を50℃としたこと以外は、実施例I~V及び比較例I~IIと同様に低温熱圧着性の評価試験を行った。結果を表7及び表8に示す。
(パターン形成性)
 ロール加圧の温度を、実施例a~e及び比較例a~dについては100℃、比較例eについては200℃としたこと以外は実施例I~V及び比較例I~IIと同様にパターン形成性の評価試験を行った。結果を表7及び表8に示す。
(耐湿性)
 上記高温接着性の評価試験と同様にして、シリコンウェハ上に接着シートを積層した。得られた積層体を、接着シート側から、額縁状6インチサイズマスクパターン(中空部2mm、線幅0.5mm)を介して、高精度平行露光機により500mJ/cmで露光し、80℃のホットプレート上で約30秒間放置した。基材(PETフィルム)を剥離除去した後、コンベア現像機を用いて、TMAH2.38質量%水溶液を現像液とし、温度26℃、スプレー圧0.18MPaの条件でスプレー現像した後、温度25℃の純水にてスプレー圧0.02MPaの条件で6分間水洗した。接着剤層付きシリコンウェハを150℃で1分間乾燥させた後、ガラス基板(15mm×40mm×0.55mm)を、接着剤層をガラス基板側にして載せ、0.5MPaで加圧しながら、実施例a~e及び比較例a~dの接着シートは温度150℃で、比較例eの接着シートは温度300℃で10分間圧着した。こうして得られた試験片を、オーブン中で150℃、3時間の条件で加熱硬化した。
 得られた評価用サンプルを用いて、加湿信頼性試験をおこなった。温度85℃、湿度85%の条件下で、48時間処理したあと、温度25℃、湿度50%の環境に出し、評価用サンプルのガラス内部が結露するか顕微鏡(倍率:50倍)で観察した。結露が観測されなかったものをA、結露が観測されたものをBとして評価した。結果を表7及び表8に示す。
 表7及び表8の結果から明らかなように、実施例a~eの感光性接着剤又は接着シートは、比較例a~eの感光性接着剤又は接着シートと比べて、低温貼付性、低温熱圧着性、パターン形成性、高温接着性及び耐湿性が顕著に優れたものであった。
 本発明の感光性接着剤組成物は、低温熱圧着性に優れるため、半導体素子、光学素子、個体撮像素子等の保護の用途、又は微細な接着領域が求められる接着剤及び/又はバッファーコートなどのウェハ回路面保護膜用途に好適に使用でき、さらに、これらを有する装置の信頼性を向上することができる。
 1…フィルム状接着剤(接着剤層)、1a…接着剤パターン、2…カバーフィルム、3…基材、4…マスク、5…複合フィルム、6…粘着剤層、7…ガラス基板、8…半導体ウェハ、9…導電層、11…開口、12,12a,12b…半導体素子(半導体チップ)、13…半導体素子搭載用支持部材(支持部材)、14,14a,14b…ワイヤ、15…封止材、16…端子、17…有効画素領域、18…回路面、20…接着剤層付半導体ウェハ、30…ダイボンディング材、32…導電性バンプ、38…レンズ、40…ダイシングテープ、42…嵌め込み用部材、50…側壁、100…接着シート、200…半導体装置、300…CMOSセンサ、D…ダイシングライン。

Claims (47)

  1.  パターン形成後の20℃~200℃における最低溶融粘度が30000Pa・s以下である感光性接着剤組成物。
  2.  (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)熱硬化性樹脂、(C)放射線重合性化合物及び(D)光開始剤を含有する、請求項1に記載の感光性接着剤組成物。
  3.  前記(C)放射線重合性化合物の平均官能基当量が230g/eq以上である、請求項2に記載の感光性接着剤組成物。
  4.  前記(C)放射線重合性化合物が、ウレタン結合及び/又はイソシアヌル環を有する(メタ)アクリレートを含む、請求項2又は3に記載の感光性接着剤組成物。
  5.  前記(C)放射線重合性化合物が単官能(メタ)アクリレートを含む、請求項2に記載の感光性接着剤組成物。
  6.  前記単官能(メタ)アクリレートの5%重量減少温度が150℃以上である、請求項5に記載の感光性接着剤組成物。
  7.  前記単官能(メタ)アクリレートが、エポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートである、請求項6に記載の感光性接着剤組成物。
  8.  前記(B)熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含む、請求項2~7のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物。
  9.  前記(A)アルカリ可溶性樹脂のTgが150℃以下である、請求項2~8のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物。
  10.  前記(A)アルカリ可溶性樹脂がカルボキシル基及び/又は水酸基を有する熱可塑性樹脂である、請求項2~9のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物。
  11.  前記(A)アルカリ可溶性樹脂がポリイミド樹脂である、請求項2~10のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物。
  12.  (E)熱ラジカル発生剤を更に含有する、請求項2~11のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  13.  前記(E)熱ラジカル発生剤が有機過酸化物である、請求項12に記載の感光性接着剤組成物。
  14.  請求項1~13のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物をフィルム状に成形することにより得られる、フィルム状接着剤。
  15.  基材と、該基材上に形成された請求項14に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層と、を備える接着シート。
  16.  被着体上に積層された請求項14に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層を、フォトマスクを介して露光し、露光後の前記接着剤層をアルカリ現像液により現像処理することにより得られる接着剤パターン。
  17.  半導体ウェハと、該半導体ウェハ上に積層された請求項14に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層と、を備える接着剤層付半導体ウェハ。
  18.  請求項1~13のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物を用いて、半導体素子同士、及び/又は、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とが接着された構造を有する半導体装置。
  19.  前記半導体素子搭載用支持部材が透明基板である、請求項18に記載の半導体装置。
  20.  (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)熱硬化性樹脂、(C)放射線重合性化合物及び(D)光開始剤を含有する感光性接着剤組成物であって、
     前記(C)放射線重合性化合物の平均官能基当量が230g/eq以上である、感光性接着剤組成物。
  21.  前記(C)放射線重合性化合物が、ウレタン結合及び/又はイソシアヌル環を有する(メタ)アクリレートを含む、請求項20に記載の感光性接着剤組成物。
  22.  前記(B)熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含む、請求項20又は21に記載の感光性接着剤組成物。
  23.  前記(A)アルカリ可溶性樹脂のTgが150℃以下である、請求項20~22のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物。
  24.  前記(A)アルカリ可溶性樹脂がカルボキシル基及び/又は水酸基を有する熱可塑性樹脂である、請求項20~23のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物。
  25.  前記(A)アルカリ可溶性樹脂がポリイミド樹脂である、請求項20~24のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物。
  26.  請求項20~25のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物をフィルム状に成形することにより得られる、フィルム状接着剤。
  27.  基材と、該基材上に形成された請求項26に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層と、を備える接着シート。
  28.  被着体上に積層された請求項26に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層を、フォトマスクを介して露光し、露光後の前記接着剤層をアルカリ現像液により現像処理することにより得られる接着剤パターン。
  29.  半導体ウェハと、該半導体ウェハ上に積層された請求項26に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層と、を備える接着剤層付半導体ウェハ。
  30.  請求項20~25のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物を用いて、半導体素子同士、及び/又は、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とが接着された構造を有する半導体装置。
  31.  前記半導体素子搭載用支持部材が透明基板である、請求項30に記載の半導体装置。
  32.  (A)熱可塑性樹脂、(B)熱硬化性樹脂、(C)放射線重合性化合物及び(D)光開始剤を含有する感光性接着剤組成物であって、
     前記(C)放射線重合性化合物がエチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物を含む、感光性接着剤組成物。
  33.  前記(A)熱可塑性樹脂がアルカリ可溶性樹脂である、請求項32に記載の感光性接着剤組成物。
  34.  前記エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物の5%重量減少温度が150℃以上である、請求項32又は33に記載の感光性接着剤組成物。
  35.  前記エチレン性不飽和基及びエポキシ基を有する化合物がエポキシ基を有する単官能(メタ)アクリレートである、請求項32~34のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物。
  36.  前記(B)熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含む、請求項32~35のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物。
  37.  前記アルカリ可溶性樹脂のTgが150℃以下である、請求項33~36のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物。
  38.  前記アルカリ可溶性樹脂がカルボキシル基及び/又は水酸基を有する熱可塑性樹脂である、請求項33~37のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物。
  39.  前記アルカリ可溶性樹脂がポリイミド樹脂である、請求項33~38のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物。
  40.  (E)熱ラジカル発生剤を更に含有する、請求項32~39のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  41.  前記(E)熱ラジカル発生剤が有機過酸化物である、請求項40に記載の感光性接着剤組成物。
  42.  請求項32~41のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物をフィルム状に成形することにより得られる、フィルム状接着剤。
  43.  基材と、該基材上に形成された請求項42に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層と、を備える接着シート。
  44.  被着体上に積層された請求項42に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層を、フォトマスクを介して露光し、露光後の前記接着剤層をアルカリ現像液により現像処理することにより得られる接着剤パターン。
  45.  半導体ウェハと、該半導体ウェハ上に積層された請求項42に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層と、を備える接着剤層付半導体ウェハ。
  46.  請求項32~41のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物を用いて、半導体素子同士、及び/又は、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とが接着された構造を有する半導体装置。
  47.  前記半導体素子搭載用支持部材が透明基板である、請求項46に記載の半導体装置。
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