JP2016042581A - 液状感光性接着剤 - Google Patents

Abstract

【課題】バンプ部分のボイドが十分に低減されており、なおかつ研削後の反りを十分小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法及びそれを用いる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】液状感光性接着剤は、金属バンプ１２が形成された回路面を有する半導体ウェハ１０の回路面上に、２層以上の構造を有し最表面層６がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層の最表面層６を形成するための液状感光性接着剤であって、放射線重合性化合物、光開始剤及びフラックス成分、を含み、前記放射線重合成化合物成分が、分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有するイミド基含有（メタ）アクリレートを含む。【選択図】図４

Description

本発明は、液状感光性接着剤に関するものである。

近年の半導体デバイスの高機能化、小型化に伴い、半導体素子をフェイスダウン構造で配線回路基板に搭載するフリップチップ実装が行われている。フリップチップ実装においては、通常、半導体素子を保護するために半導体素子と配線回路基板の間隙に樹脂封止がなされる。樹脂封止の方式としては、チップと基板とを接続した後に低粘度の液状樹脂を注入する後入れ方式や、基板上にアンダーフィル材を設けた後にチップを搭載する先供給方式がある。更に先供給方式については、液状樹脂を塗布する方法とフィルム状樹脂を貼付ける方法がある。

後入れ方式は、チップ及び基板が狭ギャップ化、狭ピッチ化してくると、ボイドを発生させることなく液状樹脂を充填することが難しく、また大量生産に向かない。

先供給方式で液状樹脂を塗布する場合、ディスペンサーによる精密な塗布量コントロールが困難である。特に、近年の薄型化されたチップを実装する場合、塗布量が多すぎると、ボンディング時に滲み出した樹脂がチップの側面を這い上がり、ボンディングツールを汚染してしまう。そのため、本方式では、ツールの洗浄が必要となり、量産時の工程が煩雑化する。

他方、フィルム状樹脂を用いる場合、フィルムの厚みを調整することによって最適な樹脂量を与えることが容易にできる反面、仮圧着工程と呼ばれるフィルム状樹脂を基板に貼付ける工程を必要とする。通常、仮圧着工程は、対象となるチップ幅よりも大きめの幅にスリットされたリール状の接着剤テープを用意し、チップサイズに応じて基材上の接着剤テープをカットして接着剤が反応しない程度の温度で基板上に熱圧着する。ところが、チップ搭載位置にフィルムを精度よく供給することは難しく、また微小チップなどに対応した細幅のリール加工は困難であることから、一般的に、歩留りの確保には、仮圧着で貼付けるフィルムをチップサイズより大きくすることで対応している。そのため、本方式では、隣接部品との距離に余裕を設ける必要があり、高密度化実装に対応しにくい。

最近、高密度化実装技術の一つとして、接着剤層付き半導体ウェハを作製し、このウェハから得られる接着剤層付き半導体素子を用いる方法が検討されている。例えば、下記特許文献１には、フィルム状の接着剤が貼付されたウェハを準備し、このウェハの裏面を研削した後、ウェハを接着剤と共に切断してチップ化することにより、チップにチップサイズと同サイズの接着剤が付着したフィルム状接着剤付チップを作製し、これを回路基板に実装して半導体装置を製造する方法が提案されている。また、下記特許文献２には、溶剤を含有する樹脂ペーストをスピンコートにより半導体ウェハ上に塗布し、塗布された樹脂ペーストを加熱乾燥によりＢステージ化する方法が検討されている。

特開２００６−０４９４８２号公報 特開２００９−３８３４９号公報

上記特許文献１の方法では、金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの回路面上に接着剤層を設ける場合、バンプ周辺部に隙間（ボイド）が残存しないようにフィルム状の接着剤を貼り付けることが困難であった。

一方、上記特許文献２の方法では、溶剤を含有する樹脂ペーストを用いており、Ｂステージ化するために長時間を要したり、溶剤により半導体ウェハを汚染されたりするという問題がある。また、溶剤を揮発させるための加熱に起因して、研削後のウェハ反りが生じたりするといった問題があった。低温で乾燥すると加熱による不具合はある程度抑制され得るが、その場合は残存溶剤が多くなるために、圧着や加熱硬化時にボイドやはく離が発生して、信頼性が低下する傾向があった。また、乾燥温度の低下を目的に低沸点溶剤を用いると、使用中に粘度が大きく変化したり、乾燥時に接着剤層表面の溶剤の揮発が進行することによって内部に溶剤が残存するために信頼性が低下したりする傾向があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、バンプ部分のボイドが十分に低減されており、なおかつ研削後の反りを十分小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハを得ることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、並びに、そのような接着剤層付き半導体ウェハを用いる、半導体装置の製造方法、半導体素子付き半導体ウェハの製造方法、及び、半導体ウェハ積層体の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために本発明は、金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハの半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る工程と、接着剤層付き半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程とを備える第１の半導体装置の製造方法を提供する。

本発明において液状とは、２５℃、１ａｔｍで流動性を有することを意味する。

本発明の第１の半導体装置の製造方法によれば、液状感光性接着剤を用い、光照射によりＢステージ化して接着剤層を設けることにより、バンプ部分のボイドを十分に低減できるとともに、加熱に起因する不具合が発生しにくい接着剤層付き半導体ウェハを得ることができる。これにより、半導体ウェハの研削後の反りを十分小さくすることができ、接続性に優れた接着剤層付き半導体素子を容易に得ることができ、信頼性に優れた半導体装置を製造することができる。また、２層以上の構造を有する接着剤層を設け、最表面層にフラックス成分を含有させることにより、金属接合性を向上させつつ接着剤層に対するフラックス成分の影響を抑制することができる。

本発明の第１の半導体装置の製造方法において、上記最表面層を形成する液状感光性接着剤は、（Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光開始剤、及び（Ｃ）フラックス成分、を含み、（Ａ）成分が、２５℃で液状であり且つ分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含むものであることが好ましい。

上記液状感光性接着剤を用いることにより、溶剤を使用することなく塗膜を形成することができ、この塗膜に光照射することで、フラックス成分を含有する最表面層を形成することができる。そして、溶剤乾燥のための加熱を必要としないため、熱流動や揮発成分による接着剤層のピンホール発生を十分抑制することができる。また、上記の液状感光性接着剤によれば、フラックス成分を均一に分散でき且つ最表面層を薄く形成することができることから、接着剤層の特性を十分維持しつつ金属接合性を更に向上させることができる。

また、Ｂステージ化された接着剤層が最表面層と内層とからなり、内層を形成する液状感光性接着剤が、（Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光開始剤、及び（Ｄ）熱硬化性樹脂、を含み、（Ａ）成分が、２５℃で液状であり且つ分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含むものであることが好ましい。

上記液状感光性接着剤を用いることにより、溶剤を使用することなく半導体ウェハの回路面上に塗布することができ、この塗膜に光照射することで薄膜の接着剤層を形成することができる。そして、溶剤乾燥のための加熱を必要としないため、熱流動や揮発成分によるピンホール発生を十分抑制することができる。更に、溶剤を含有する従来の樹脂ペーストを用いたときの上記の問題を十分解消することができる。また、上記の液状感光性接着剤は、Ｂステージ化されたものが熱時流動性に優れることから、被着体に対して良好な熱圧着を行うことができる。これにより、半導体素子同士もしくは半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着する接着剤の層を更に薄く形成することができる。

更に、上記２種類以上の液状感光性接着剤は、溶剤含有量が５質量％以下である又は溶剤を含んでいないことが好ましい。これにより、ボイドの発生を一層抑制しながら、接着剤層表面のタック力を十分に低減させることができる。

また、液状感光性接着剤の塗布性の向上や接着剤層の薄膜化、面内均一性の観点から、上記２種類以上の液状感光性接着剤の２５℃での粘度が１０〜３００００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。ここでの粘度とは、東京計器製造所製のＥＨＤ型回転粘度計を用い、サンプル量０．４ｍＬ、３°コーンの条件下、２５℃で測定した粘度の値である。

更に、Ｂステージ化された接着剤層の２５℃でのタック強度が２００ｇｆ以下であることが好ましい。これによりＢステージ化後の取り扱い性が一層向上する。

また、膜厚均一性に優れた接着剤層を形成する観点から、スピンコート法により上記２種類以上の液状感光性接着剤を塗布することが好ましい。

本発明はまた、本発明の第１の半導体装置の製造方法により得られる半導体装置を提供する。

本発明はまた、金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハの半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る工程と、第２の半導体ウェハと、接着剤層付き半導体素子とを、接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程とを備える半導体素子付き半導体ウェハの製造方法を提供する。

本発明の半導体素子付き半導体ウェハの製造方法において、上記最表面層を形成する液状感光性接着剤は、（Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光開始剤、及び（Ｃ）フラックス成分、を含み、（Ａ）成分が、２５℃で液状であり且つ分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含むものであることが好ましい。

また、上記Ｂステージ化された接着剤層が最表面層と内層とからなり、内層を形成する液状感光性接着剤が、（Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光開始剤、及び（Ｄ）熱硬化性樹脂、を含み、（Ａ）成分が、２５℃で液状であり且つ分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含むものであることが好ましい。

更に、上記２種類以上の液状感光性接着剤は、溶剤含有量が５質量％以下である又は溶剤を含んでいないことが好ましい。

また、液状感光性接着剤の塗布性の向上や接着剤層の薄膜化、面内均一性の観点から、上記２種類以上の液状感光性接着剤の２５℃での粘度が１０〜３００００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。

更に、上記Ｂステージ化された接着剤層の２５℃でのタック強度が２００ｇｆ以下であることが好ましい。

また、膜厚均一性に優れた接着剤層を形成する観点から、スピンコート法により上記２種類以上の液状感光性接着剤を塗布することが好ましい。

本発明はまた、本発明の半導体素子付き半導体ウェハの製造方法により得られる、半導体素子付き半導体ウェハを提供する。

本発明はまた、金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設ける工程を備える接着剤層付き半導体ウェハの製造方法を提供する。

本発明の接着剤層付き半導体ウェハの製造方法によれば、バンプ部分のボイドが十分に低減されており、なおかつ研削後の反りを十分小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハを得ることができる。また、本発明の接着剤層付き半導体ウェハの製造方法によれば、フラックス成分を含有する最表面層を有する接着剤層付き半導体ウェハを得ることができる。このような接着剤層付き半導体ウェハによれば、半導体ウェハの研削後の反りを十分小さくすることができ、金属接合性に優れた接着剤層付き半導体素子を容易に得ることができ、信頼性に優れた半導体装置を製造することができる。

本発明の接着剤層付き半導体ウェハの製造方法においては、上記最表面層を形成する液状感光性接着剤が、（Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光開始剤、及び（Ｃ）フラックス成分、を含み、（Ａ）成分が、２５℃で液状であり且つ分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含むものであることが好ましい。

また、上記Ｂステージ化された接着剤層が最表面層と内層とからなり、内層を形成する液状感光性接着剤が、（Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光開始剤、及び（Ｄ）熱硬化性樹脂、を含み、（Ａ）成分が、２５℃で液状であり且つ分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含むものであることが好ましい。

更に、上記２種類以上の液状感光性接着剤は、溶剤含有量が５質量％以下である又は溶剤を含んでいないことが好ましい。

また、液状感光性接着剤の塗布性の向上や接着剤層の薄膜化、面内均一性の観点から、上記２種類以上の液状感光性接着剤の２５℃での粘度が１０〜３００００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。

更に、上記Ｂステージ化された接着剤層の２５℃でのタック強度が２００ｇｆ以下であることが好ましい。

また、膜厚均一性に優れた接着剤層を形成する観点から、スピンコート法により上記２種類以上の液状感光性接着剤を塗布することが好ましい。

本発明はまた、本発明の接着剤層付き半導体ウェハの製造方法により得られる、接着剤層付き半導体ウェハを提供する。

本発明はまた、金属バンプが形成された回路面を有する第１の半導体ウェハの回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハと、第２の半導体ウェハとを、接着剤層付き半導体ウェハの接着剤層を挟んで圧着して半導体ウェハ積層体を得る工程と、半導体ウェハ積層体を切断して半導体素子が積層された半導体素子積層体に切り分ける工程とを備える第２の半導体装置の製造方法を提供する。

ところで、最近では、半導体素子の小型薄型化・高性能化に加えて、多機能化が進み、複数の半導体素子を積層した半導体装置が急増している。また、半導体装置の厚みは薄型化の方向に進んでいる。このような半導体装置の製造においては、特にボイドやウェハ反りの抑制が装置の薄型化や信頼性向上に重要である。

本発明の第２の半導体装置の製造方法によれば、接着剤層付き半導体ウェハから半導体装置を製造する場合に、バンプ部分のボイドを十分に低減できるとともに、研削後の反りを十分小さくすることができて、複数の半導体素子を積層した構造を有する半導体装置の薄型化が可能となる。

本発明の第２の半導体装置の製造方法において、最表面層を形成する液状感光性接着剤が、（Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光開始剤、及び（Ｃ）フラックス成分、を含み、（Ａ）成分が、２５℃で液状であり且つ分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含むものであることが好ましい。

また、上記Ｂステージ化された接着剤層が最表面層と内層とからなり、内層を形成する液状感光性接着剤が、（Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光開始剤、及び（Ｄ）熱硬化性樹脂、を含み、（Ａ）成分が、２５℃で液状であり且つ分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含むものであることが好ましい。

更に、上記２種類以上の液状感光性接着剤は、溶剤含有量が５質量％以下である又は溶剤を含んでいないことが好ましい。

また、液状感光性接着剤の塗布性の向上や接着剤層の薄膜化、面内均一性の観点から、上記２種類以上の液状感光性接着剤の２５℃での粘度が１０〜３００００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。

更に、上記Ｂステージ化された接着剤層の２５℃でのタック強度が２００ｇｆ以下であることが好ましい。

また、膜厚均一性に優れた接着剤層を形成する観点から、スピンコート法により上記２種類以上の液状感光性接着剤を塗布することが好ましい。

本発明はまた、本発明の第２の半導体装置の製造方法により得られる、半導体装置を提供する。

本発明はまた、金属バンプが形成された回路面を有する第１の半導体ウェハの回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハと、第２の半導体ウェハとを、接着剤層付き半導体ウェハの接着剤層を挟んで圧着して半導体ウェハ積層体を得る工程とを備える半導体ウェハ積層体の製造方法を提供する。

本発明の半導体ウェハ積層体の製造方法において、最表面層を形成する液状感光性接着剤が、（Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光開始剤、及び（Ｃ）フラックス成分、を含み、（Ａ）成分が、２５℃で液状であり且つ分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含むものであることが好ましい。

また、上記Ｂステージ化された接着剤層が最表面層と内層とからなり、内層を形成する液状感光性接着剤が、（Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光開始剤、及び（Ｄ）熱硬化性樹脂、を含み、（Ａ）成分が、２５℃で液状であり且つ分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含むものであることが好ましい。

更に、上記２種類以上の液状感光性接着剤は、溶剤含有量が５質量％以下である又は溶剤を含んでいないことが好ましい。

また、液状感光性接着剤の塗布性の向上や接着剤層の薄膜化、面内均一性の観点から、上記２種類以上の液状感光性接着剤の２５℃での粘度が１０〜３００００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。

更に、上記Ｂステージ化された接着剤層の２５℃でのタック強度が２００ｇｆ以下であることが好ましい。

また、膜厚均一性に優れた接着剤層を形成する観点から、スピンコート法により上記２種類以上の液状感光性接着剤を塗布することが好ましい。

本発明はまた、本発明の半導体ウェハ積層体の製造方法により得られる、半導体ウェハ積層体を提供する。

本発明によれば、バンプ部分のボイドが十分に低減されており、なおかつ研削後の反りを十分小さくすることができる接着剤層付き半導体ウェハを得ることができる接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、並びに、そのような接着剤層付き半導体ウェハを用いる、半導体装置の製造方法、半導体素子付き半導体ウェハの製造方法、及び半導体ウェハ積層体の製造方法を提供することができる。

また本発明によれば、接着剤層形成時の加熱を必要とすることなく露光によって接着剤層付き半導体ウェハを得ることができる。そのため短時間でのＢステージ化が可能となり半導体装置製造時のタクトタイムを大幅に低減することが可能となる。また、Ｂステージ化後の半導体ウェハの反りが抑制できるため、半導体ウェハを薄膜化することが可能となり、より高機能な半導体装置を得ることが可能となる。また、本発明によれば、溶剤を使用することなく、また加熱を行なわずに短時間で薄膜の接着剤層を形成することが可能であることから、熱エネルギーと揮発性有機化合物（ＶＯＣ）を低減できる環境への負荷が従来よりも小さい材料となり得る。

更に本発明によれば、２層以上の構造を有し、最表面層がフラックス活性を有する接着剤層付き半導体ウェハを提供することができる。このような接着剤層付き半導体ウェハによれば、接着剤層の機能分離が可能となり、接着剤層の特性を十分維持しつつ金属接合性を向上させることができる。

本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施形態を示す模式図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施形態を示す模式図である。

以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとし、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。

以下、本発明における半導体装置、及びその製造方法について、図面を用いて具体的に説明する。近年は様々な構造の半導体装置が提案されており、本発明の製造方法は、以下に説明する構造の半導体装置及びその製造方法に限定されるものではない。

図１〜１０は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式図である。本実施形態に係る製造方法は、以下の工程を備える。

工程１（接着剤層形成工程）：金属バンプ１２が形成された半導体ウェハ１０の回路面Ｓ１に液状感光性接着剤５を複数回塗布し、これら塗膜（感光性接着剤層）に対して露光を行い、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を形成する。（図１〜４を参照）。
工程２（半導体ウェハ圧着工程）：接着剤層６，７が設けられた半導体ウェハ１０に、別の半導体ウェハ５０を位置合わせした後、ウェハ圧着機により圧着する（図５を参照）。これにより、半導体ウェハ積層体６０が得られる。
工程３（バックグラインド工程）：半導体ウェハ積層体の研削したい側とは反対側の面（裏面）に、剥離可能な粘着テープ（バックグラインドテープ等）３０を貼り付ける。貼り付け後、半導体ウェハ積層体を粘着テープ３０の反対側より研削して、半導体ウェハ積層体を所定の厚さまで薄くする（図６を参照）。
工程４（半導体ウェハ積層工程）：研削により薄くした半導体ウェハ積層体の裏面に電極を出現させ、再配線工程により金属バンプを作製、再配線層上の接続部を残して封止樹脂で表面を封止して封止樹脂層（再配線層）１８を設けた後、上記の工程１〜３（接着剤層形成工程／ウェハ圧着工程／バックグラインド工程）を繰り返すことにより半導体ウェハ積層体上に更に半導体ウェハを積層する（図７を参照）。
工程５（再配線及びハンダボール搭載工程）：半導体ウェハ１０の裏面を研削、研磨することにより電極を出現させ、当該面上に再配線工程により封止樹脂層（再配線層）１８を設け、更に金属バンプ１２上にハンダボール１４を搭載する（図８を参照）。
工程６（ダイシング工程）：半導体ウェハ積層体のハンダボールが搭載されている面とは反対側の面に粘着テープ（ダイシングテープ）３４を貼り付け、ダイシングラインに沿ってダイシングを行い、半導体素子５６ａ，５２ａ，１６ａが積層された半導体素子積層体に切り分ける（図９を参照）。
工程７（ピックアップ工程）：半導体素子積層体をピックアップすることで半導体装置１００を得る（図１０を参照）。

以下、各工程について詳述する。

（接着剤層形成工程）
本実施形態においては、金属バンプ１２が形成された回路面を有する半導体ウェハ１０の回路面Ｓ１に第１の液状感光性接着剤を塗布し、この塗膜を露光して内層７を形成し次に、内層７の上に、フラックス成分を含む第２の液状感光性接着剤を塗布し、この塗膜を露光して最表面層６を形成する。こうして、２層構成の接着剤層が形成される。

塗布は、ボックス２０内で、粘着テープ４が貼り付けられた半導体ウェハ１０を治具２１に固定した状態で行うことができる。粘着テープ４の役割としては、裏面の汚染を防ぐこと、ウエハ割れを防ぐことであり、汚染や割れを防ぐことができれば特に種類は問わない。また、粘着テープ４は使用せずに塗布することも可能である。

液状感光性接着剤の塗布方法は、印刷法、スピンコート法、スプレーコート法、ジェットディスペンス法及びインクジェット法などから選ばれる。これらの中でも、薄膜化及び膜厚均一性の観点から、スピンコート法（図２（ａ））やスプレーコート法（図２（ｂ））が好ましい。スピンコート装置が有する吸着台には穴が形成されていてもよいし、吸着台がメッシュ状であってもよい。吸着痕が残りにくい点から、吸着台はメッシュ状であることが好ましい。スピンコート法による塗布は、ウェハのうねり、及びエッジ部の盛り上がりを防止するために、５００〜５０００ｒｐｍの回転数で行うことが好ましい。同様の観点から、回転数は１０００〜４０００ｒｐｍがさらに好ましい。液状感光性接着剤の粘度を調整する目的でスピンコート台に温度調節器を備えることもできる。

本発明における金属バンプの種類としては、特に限定されないが、銅、銀、金などで構成されるものが挙げられる。金属バンプ１２上に、はんだボールが更に設けられていてもよい。はんだボールとしては、鉛含有のはんだや鉛フリーはんだ等の従来公知のはんだ材料から構成されるものが挙げられる。金属バンプとしては、作製の容易さやコストの観点から、金属バンプの場合は酸化膜が作製されにくい金、コストのかからない銅であることが好ましい。

半導体ウェハとしては、金属バンプから形成される突起電極を有する、又は、金属バンプ及びはんだボールから形成される突起電極を有するバンプ付ウェハを用いることができる。突起電極の高さは、金属バンプのみの場合５〜４０μｍ程度、金属バンプ及びはんだボールからなる場合は、２０〜６０μｍ程度のものが挙げられる。また、ウェハの厚みはウェハサイズにより異なるが、６インチから１２インチの範囲のウェハであれば、研削前のウェハ厚みが６２５〜７７５μｍのものが使用できる。

接着剤層（最表面層を含む総厚）の厚みに関しては、圧着時の接続性及び樹脂充填性の観点から、金属バンプのみの場合（例えば、図１の（ａ））は、バンプ高さｘ１と接着剤層の厚みｙとの関係が０．８５ｘ１≦ｙ≦１．２ｘ１を満たすことが好ましく、接着剤層の内層の厚み（すなわち、接着剤層の厚みから最表面層の厚みを引いた厚み）ｙ１との関係が０．８ｘ１≦ｙ１≦１．１５ｘ１を満たすことが好ましい。金属バンプの上にハンダボールがある場合（例えば、図１の（ｂ））は、金属バンプ高さｘ２とハンダバンプｘ３と接着剤層の厚みｙ、内層の厚みｙ１との関係がｘ２≦ｙ１、０．８５（ｘ２＋ｘ３）≦ｙ≦１．２（ｘ２＋ｘ３）を満たすことが好ましい。この関係を満たすことが好ましい理由は、ハンダバンプは接合の際に溶融して高さが減少し、ギャップが狭くなるため、樹脂が多く残りやすくなり、ボイドの原因となってしまうためである。

本実施形態において、フラックス成分を含む最表面層の厚みは、接続後の信頼性への悪影響と良好な接続性を両立する観点から、０．０１μｍ〜５μｍが好ましい。

液状感光性接着剤はシリンジなどで保存することができ、スピンコート装置のシリンジセット部分に温度調節器が備えられていてもよい。

半導体ウェハに液状感光性接着剤を例えばスピンコート法によって塗布する際、半導体ウェハのエッジ部分に不要な液状感光性接着剤が付着する場合がある。このような不要な接着剤をスピンコート後に溶剤などで洗浄して除去することができる。除去することにより、装置の汚染を抑制することができる。洗浄方法は特に限定されないが、半導体ウェハをスピンさせながら、不要な接着剤が付着した部分にノズルから溶剤を吐出させる方法が好ましい。洗浄に使用する溶剤は接着剤を溶解させるものであればよく、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、イソプロピルアルコール及びメタノールから選ばれる低沸点溶剤が用いられる。

また、半導体ウェハのエッジ部分の不要な接着剤を除去する方法として、予めエッジ部にマスキングテープを貼り付けた半導体ウェハ上に接着剤をスピンコートした後、マスキングテープを剥がすことで接着剤層を目的とする領域に形成することができる。

本実施形態においては、塗布により液状感光性接着剤から形成された塗膜（感光性接着剤層）に露光装置９によって活性光線（典型的には紫外線）を照射して、感光性接着剤層をＢステージ化して接着剤層を形成する。これによりＢステージ化した接着剤層が半導体ウェハ１０上に固定されるとともに、接着剤層の表面のタックを低減することができる。こうして得られる接着剤層付き半導体ウェハ４０，４２は、取り扱い性に優れるとともに、バンプ部分のボイドが十分に低減されており、なおかつ研削後の反りを十分小さくすることができ、しかも接着剤層はバンプの頭出し性に優れた最表面層を有する。

露光は、真空下、窒素下、空気下などの雰囲気下で行なうことができる。酸素阻害を低減するために、離形処理されたＰＥＴフィルムやポリプロピレンフィルムなどの基材を感光性接着剤層上に積層した状態で、露光することもできる。また、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリウレタンや粘着テープ（バックグラインドテープ）を感光性接着剤層上に積層した状態で露光してもよい。これにより、本工程の後に半導体ウェハをバックグラインドする工程を行う際に、そのままバックグラインド工程に移ることができる。露光量は、タック低減及びタクトタイムの観点から、２０〜２０００ｍＪ／ｃｍ^２が好ましい。また、Ｂステージ化後のタック低減及びアウトガス低減を目的に、露光後１００℃以下の温度で加熱を行なってもよい。

また、パターニングされたマスクを介して露光を行うこともできる。パターニングされたマスクを用いることにより、熱圧着時の流動性が異なる接着剤層を形成させることができる。前記のような流動性が異なる接着剤層を形成することで、例えば以下のようなことが可能となる。金属バンプ部分をマスクした状態で露光を行なうことによって、金属バンプ部分がより熱圧着流動性に優れた接着剤層を形成することができる。これによって、熱圧着時のボイドを低減したり、効率的に酸化膜除去性（フラックス性）を付与することができる。

本実施形態では、最表面層及び内層の各層毎に液状感光性接着剤の塗布及び光照射によるＢステージ化を繰り返して接着剤層を形成しているが、液状感光性接着剤を複数回塗布した後に光照射によるＢステージ化を行ってもよい。なお、本実施形態のように下層を光照射によりＢステージ化した後に次の液状感光性接着剤を塗布するほうが、膜厚を均一化しやすいために好ましい。また、内層は複数積層することができる。

本実施形態において、露光後の接着剤層の膜厚（最表面層を含む総厚）は、圧着時の接続性及び樹脂充填性の観点から、金属バンプのみの場合（例えば、図１の（ａ））は、バンプ高さｘ１と接着剤層の厚みｙとの関係が０．８５ｘ１≦ｙ≦１．２ｘ１を満たすことが好ましく、接着剤層の内層の厚み（すなわち、接着剤層の厚みから最表面層の厚みを引いた厚み）ｙ１との関係が０．８ｘ１≦ｙ１≦１．１５ｘ１を満たすことが好ましい。金属バンプの上にハンダボールがある場合（例えば、図１の（ｂ））は、金属バンプ高さｘ２とハンダバンプｘ３と接着剤層の厚みｙ、内層の厚みｙ１との関係がｘ２≦ｙ１、０．８５（ｘ２＋ｘ３）≦ｙ≦１．２（ｘ２＋ｘ３）を満たすことが好ましい。

（半導体ウェハ圧着工程）
内層７及び最表面層６とから構成される接着剤層が設けられた半導体ウェハ１０に、別の半導体ウェハ５０を位置合わせした後、熱により圧着する（図５の（ａ））。本実施形態においては、半導体ウェハ１０が有する金属バンプ（電極）１２と接続される突起電極（金属バンプ１２及びはんだボール１４）を備える半導体ウェハ５０と、半導体ウェハ１０とが熱圧着される。なお、半導体ウェハ５０は、半導体ウェハ１０と同様に接着剤層が設けられた半導体ウェハであってもよい。

半導体ウェハ同士は、ウェハ圧着機を用いて、半導体ウェハの金属バンプを介して導通がとれるよう圧着されることが好ましい。圧着の条件としては、ハンダボールや銅バンプ等の酸化膜除去のために最表面層６に含まれるフラックス成分が反応する温度で、金属電極の接合、ハンダボールの溶融による接合が可能であれば問題なく、例えば、温度：１５０℃〜４００℃、圧力：０．１ＭＰａ〜２．０ＭＰａ、時間：１０秒〜２時間、程度の範囲であれば上記の接合が可能になる。ウェハ圧着時には、位置あわせが必要であるため、接着剤層は可視光透過性を有することが好ましい。接着剤層は、可視光透過率が１０％以上となるものであることが好ましい。可視光透過率が１０％未満であると、ウェハ圧着機での認識マーク識別が行えなくなって、位置合わせ作業ができなくなる傾向がある。また、ウェハ圧着機で使用されるハロゲン光源とライトガイドの波長相対強度において５５０ｎｍ〜６００ｎｍが最も強いことから、接着剤層６は５５５ｎｍの可視光透過率が１０〜１００％であることが好ましく、１８〜１００％であることがより好ましく、２５〜１００％であることがさらに好ましい。

本工程により、２つの半導体ウェハ１０，５０が接着剤層８により貼り合わされた半導体ウェハ積層体６０が得られる（図５（ｂ））。

（バックグラインド工程）
半導体ウェハ積層体をバックグラインドすることで薄型化することができる。この場合、半導体ウェハ積層体の研磨する側とは反対側の面（裏面）に、剥離可能な粘着テープ（バックグラインドテープ等）３０を貼り付ける（図６の（ａ））。貼り付け後、半導体ウェハ積層体を粘着テープ３０の反対側より研磨して、半導体ウェハ積層体を所定の厚さまで薄くする（図６の（ｂ））。研磨は、粘着テープ３０によって半導体ウェハ１０を研磨用の治具に固定した状態で、グラインド装置３２を用いて行うことが好ましい。

本実施形態においては、半導体ウェハ積層体中の半導体ウェハ５０の厚さを１０〜１５０μｍにまで薄厚化することが好ましい。半導体ウェハ積層体中の薄厚化された半導体ウェハ５２の厚さが１０μｍ未満であると、半導体ウェハの破損が生じやすく、他方、１５０μｍを超えると、半導体装置の小型化の要求に応えることが困難となる。研削後、半導体ウェハ積層体のバックグラインドテープを剥離することにより、薄型化された半導体ウェハ積層体を得ることができる。バックグラインドテープを剥離する方法としては、例えば、活性光線（典型的には紫外線）を照射することによって粘着性が低下する粘着テープを使用し、粘着テープ３０側から露光した後、これをはく離する方法が挙げられる。

（半導体ウェハ積層工程）
研削により薄くした半導体ウェハ積層体の裏面にバンプ（電極）を作製することで、半導体ウェハ積層体に更に半導体ウェハを積層することができる。この場合、研削した半導体ウェハの裏面にバンプ１２を作製し（図７の（ａ））、上記の工程１〜３を繰り返すことにより（図７の（ｂ）、（ｃ）、（ｄ））、半導体ウェハを積層することができる。必要に応じて更に半導体ウェハの積層を増やすことも可能である。

（再配線及びハンダボール搭載工程）
まず、研磨後の半導体ウェハ積層体からバックグラインドテープ３０を剥離し、剥がした面と反対の側に再度バックグラインドテープ３０をラミネートする。その後、図８の（ａ）に示されるように、ウェハに隠れている電極が出現するようにバックグラインドすることにより裏面回路を出現させる。

電極が現れた半導体ウェハ１６上に再配線して配線１８を形成し、更に露出した電極上にはんだボール１４を搭載する（図８の（ｂ））。再配線は、乾式成膜法であるスパッタリングを用いる方法や湿式成膜法であるめっき法により行うことができる。また、はんだボールの搭載は、一般的に行われる方法、例えば市販されているはんだボール搭載装置などを用いて行うことができる。

（ダイシング工程）
半導体ウェハ積層体のハンダボールが搭載されている面とは反対側の面に粘着テープ（ダイシングテープ）３４を貼り付ける（図９の（ａ））。ダイシングラインに沿ってダイシングを行い、半導体素子５６ａ，５２ａ，１６ａが積層された半導体素子積層体に切り分ける（図９の（ｂ））。ダイシングは、粘着テープ（ダイシングテープ）３４によって全体をフレーム（ウェハリング）に固定した状態でダイシングブレード３６を用いて行うことができる。

（ピックアップ工程）
切り分けられた半導体素子積層体をピックアップすることで半導体装置１００を得る（図１０）。

以上のような工程を経て、半導体素子が積層された構造を有する半導体装置を製造することができる。半導体装置の構成及び製造方法は、以上の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。

例えば、上記の工程の順序を必要により入れ替えることが可能である。また、一部の工程を省略することができる。

また、図１０に示す半導体装置は、例えば、更に他の半導体搭載用支持部材と接合し、その後必要に応じてワイヤボンディングや封止などが施されてもよい。

接着剤層形成工程では、液状感光性接着剤を半導体ウェハの回路面に塗布した後、半導体ウェハを加温することによって液状感光性接着剤を低粘度化したり、超音波を印加したり、真空チャンバ内で減圧することにより、バンプ周辺のボイドを低減することもできる。

接着剤層に対しては、Ｂステージ化及び熱圧着後、１００〜１５０℃で５〜１２０分の熱硬化処理を施してもよい。このような熱硬化処理により、１７０℃以上の高温熱履歴工程によるボイドやはく離を抑制でき、高信頼性の半導体装置を得ることができる。

次に、本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施形態について説明する。本実施形態に係る製造方法は、以下の工程を備える。
工程１（接着剤層形成工程）：金属バンプ１２が形成された半導体ウェハ１０の回路面Ｓ１に液状感光性接着剤５を複数回塗布し、これら塗膜（感光性接着剤層）に対して露光を行い、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を形成する。（図１〜４を参照）。これにより接着剤層付き半導体ウェハ４２が得られる（図４（ｂ）を参照）。
工程２（バックグラインドテープ積層工程）：接着剤層上にはく離可能な粘着テープ（バックグラインドテープ）３０を積層する（図１１を参照）。
工程３（バックグラインド工程）：半導体ウェハ１０を回路面Ｓ１とは反対側の面（裏面）Ｓ２から研磨して半導体ウェハ１０を薄くする（図１２を参照）。
工程４（ダイシングテープ積層工程）：半導体ウェハ１０の回路面Ｓ１とは反対側の面（裏面）上にはく離可能な粘着テープ（ダイシングテープ）３４を積層する。
工程５（はく離工程）：はく離可能な粘着テープ３０をはく離する（図１３を参照）。
工程６（ダイシング工程）：半導体ウェハ１０をダイシングにより複数の半導体チップ（半導体素子）１０ａに切り分ける（図１４を参照）。これにより、接着剤層付き半導体素子４４が得られる。
工程７（圧着工程）：ピックアップした接着剤層付き半導体素子４４を半導体装置用の支持部材（半導体素子搭載用支持部材）１５に圧着（マウント）する。
工程９（圧着工程）：得られた積層体を封止材（図示せず）によって封止して、半導体装置１１０を得る。

接着剤層形成工程は上記と同様に行うことができる。

（バックグラインド工程）
Ｂステージ化工程後に半導体ウェハをバックグラインドすることで薄型化することができる。すなわち、半導体ウェハの回路面とは反対側の面（裏面）から研磨して半導体ウェハを薄くしてもよい。この場合、接着剤層上にはく離可能な粘着テープ（バックグラインドテープ等）３０を積層する。この粘着テープ３０は、基材３１と粘着層３２とを有している。この粘着テープの代わりに、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリウレタンなどの柔軟基材を用いることもできる。はく離可能な粘着テープを積層する方法としては、例えば、予めフィルム状に成形されたフィルムをラミネートする方法により行なうことができる。

積層後、半導体ウェハ１０の回路面Ｓ１とは反対側の面（裏面）から研磨して、半導体ウェハ１０を所定の厚さまで薄くする。研磨は、粘着テープ３０によって半導体ウェハ１０を研磨用の治具に固定した状態で、グラインド装置３２を用いて行うことが好ましい。また、この工程では、半導体ウェハ１０を厚さ１０〜１５０μｍにまで薄厚化することが好ましい。薄厚化された半導体ウェハ１０の厚さが１０μｍ未満であると、半導体ウェハの破損が生じやすく、他方、１５０μｍを超えると、半導体装置の小型化の要求に応えることが困難となる。

（ダイシング工程）
半導体ウェハ１０の回路面Ｓ１とは反対側の面（裏面）上にはく離可能な粘着テープ（ダイシングテープ）３４を積層する。はく離可能な粘着テープ３４は、予めフィルム状に成形された粘着テープをラミネートする方法により貼り付けることができる。

次に、はく離可能な粘着テープ（バックグラインドテープ）３０をはく離する。例えば、活性光線（典型的には紫外線）を照射することによって粘着性が低下する粘着テープを使用し、粘着テープ３０側から露光した後、これをはく離することができる。

ダイシングラインに沿って半導体ウェハ１０を接着剤層（最表面層６及び内層７）とともに切断する。このダイシングにより、半導体ウェハ１０が、それぞれの裏面に接着剤層（最表面層６ａ及び内層７ａ）が設けられた複数の半導体チップ（半導体素子）１０ａに切り分けられる。ダイシングは、粘着テープ（ダイシングテープ）３４によって全体をフレーム（ウェハリング）に固定した状態でダイシングブレードを用いて行われることが好ましい。こうして、接着剤層付き半導体チップ４４が得られる。

（圧着工程）
ダイシングの後、切り分けられた半導体チップ１０ａを、ダイボンド装置によって接着剤層とともにピックアップ、すなわち接着剤層付き半導体チップ４４をピックアップする。そして、接着剤層付き半導体素子４４を、金属バンプ又は電極パッド１６を有する半導体装置用の支持部材（半導体素子搭載用支持部材）１５に圧着（マウント）する。このように、接着剤層付き半導体チップと支持部材とを、接着剤層付き半導体チップの接着剤層を挟んで圧着することで、半導体チップと支持部材との接着及び導通が可能となる。また、このとき接着剤層の最表面層によって金属接合性が向上する。

圧着の条件としては、金属電極の接合、ハンダボールの溶融による接合が可能であれば問題なく、例えば、温度：１５０℃〜４００℃、圧力：０．１ＭＰａ〜２．０ＭＰａ、時間：１秒〜３０秒、程度の範囲であれば上記の接合が可能になる。

（封止工程）
半導体チップ１０ａを含む積層体を封止材によって封止することにより、半導体装置１１０が得られる。

本実施形態においては、上記圧着工程における半導体素子搭載用支持部材に代えて、半導体ウェハ、他の半導体素子、或いは、半導体素子が搭載された基板などに、接着剤層付き半導体チップ４４を圧着することができる。

図１６の（ａ）は、金属バンプが形成された半導体ウェハ５８回路面に、接着剤層付き半導体チップ４４が圧着された半導体素子付き半導体ウェハ７０の一例を示す図である。図１０の（ｂ）は、（ａ）に示されるｂ−ｂ線における断面図である。

上記の半導体素子付き半導体ウェハは、半導体装置製造用部材として供給することができる。

図１７は、接着剤層付き半導体チップと他の半導体チップとを圧着して半導体装置を製造する方法の一例を示す図である。本実施形態においては、図１７の（ａ）に示されるように、金属バンプ１２が形成された半導体チップ１０ｂの回路面と、接着剤層付き半導体チップ４４の回路面とを対向配置し、これらを圧着する。こうして、図１７の（ｂ）に示される半導体装置８０が得られる。

図１８は、接着剤層付き半導体チップと半導体素子が搭載された基板とを圧着して半導体装置を製造する方法の一例を示す図である。本実施形態においては、図１８の（ａ）に示されるように、半導体素子が搭載された基板として上述した方法によって得られる半導体装置１１０の半導体チップの裏面に金属バンプを形成したものを用意する。そして、金属バンプが形成された半導体チップ１０ｂの金属バンプ形成面上に、接着剤層付き半導体チップ４４の回路面を対向配置し、これらを圧着する。こうして、図１８の（ｂ）に示される複数の半導体チップを含む積層体である半導体装置１２０が得られる。

次に、本発明に係る半導体装置の製造方法で用いられる液状感光性接着剤について説明する。なお、本発明は、以下に説明する液状感光性接着剤を用いる場合に限定されるものではない。

液状感光性接着剤は、光照射によってＢステージ化できるものであれば、特に制限なく用いることができる。例えば、光によるラジカル反応、光によるアニオン反応、光によるカチオン反応などによってＢステージ化できる系が挙げられる。光ラジカルによってＢステージ化させる系としては、例えば、放射線重合性化合物と、光ラジカル開始剤などの光開始剤とを含む系が挙げられる。光アニオンによってＢステージ化させる系としては、エポキシ樹脂と、光アニオン発生剤とを含む系が挙げられる。光カチオンによってＢステージ化させる系としては、例えば、エポキシ樹脂と、光カチオン発生剤とを含む系が挙げられる。Ｂステージ化に要する時間やＢステージ化後の保存安定性の観点から、光によるラジカル反応によってＢステージ化が可能な系が好ましい。

本明細書において、「Ｂステージ」とは、硬化反応の中間的な段階、すなわち溶融粘度が上昇した段階を意味する。

なお、本発明において、接着剤層の最表面層を形成するために用いられる液状感光性接着剤はフラックス成分を含有する。

Ｂステージ化された接着剤層は、加熱により軟化することができる。具体的には、Ｂステージ化された接着剤層の２０℃〜６０℃における溶融粘度の最大値（最大溶融粘度）が５０００〜１０００００Ｐａ・ｓであるのが好ましく、良好な取り扱い性及びピックアップ性の観点から１００００〜１０００００Ｐａ・ｓであることがより好ましい。また、Ｂステージ化された接着剤層の６０℃〜２００℃における溶融粘度の最小値（最低溶融粘度）が１０〜３００００Ｐａ・ｓであるのが好ましく、良好な熱時流動性及び接続性の観点から５０〜１００００Ｐａ・ｓであることがより好ましい。

ここでの最大溶融粘度もしくは最低溶融粘度とは、光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光した後のサンプルを、粘弾性測定装置ＡＲＥＳ（レオメトリックス・サイエンティフィック・エフ・イー（株）製）を用いて測定したときの２０℃〜２００℃における溶融粘度の最大値もしくは最低値を示す。なお、測定プレートは直径８ｍｍの平行プレート、測定条件は昇温５℃／ｍｉｎ、測定温度は２０℃〜２００℃、周波数は１Ｈｚとする。

また、Ｂステージ化された接着剤層の２５℃でのタック強度（表面タック力）が２００ｇｆ以下となることが好ましく、熱圧着時の粘着性の観点から１５０ｇｆ以下であることがより好ましく、バックグラインドテープのはく離性の観点から１００ｇｆ以下であることがさらにより好ましく、ダイシング時の付着物低減の観点から５０ｇｆ以下であることが最も好ましい。また、ダイシング時の接着剤層のはく離などを抑制するために表面タック力が０．１ｇｆ／ｃｍ^２以上であることが好ましい。表面タック力が０．１ｇｆ／ｃｍ^２以下である場合、ダイシング時に接着剤と被着体の界面に水が浸入してチップ飛びが発生する、ダイシング時の付着物によるボイドや接続不良の原因となる、といった問題が生じやすくなる傾向にあるため、好ましくない。また、上記２５℃での表面タック力が２００ｇｆ／ｃｍ^２を超えると、得られる接着剤層の室温における表面の粘着性が高くなり、取扱い性が悪くなる傾向にある。

ここでの表面タック力は以下のように測定した値である。液状感光性接着剤をＢステージ後の膜厚が３５μｍとなるようにシリコンウェハ上にスピンコートによって塗布し、得られた塗膜に、２５℃、空気下で、高精度平行露光機（オーク製作所製、「ＥＸＭ−１１７２−Ｂ−∞」（製品名））により１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行なう。その後、２５℃での表面のタック強度をレスカ社製のプローブタッキング試験機を用いて、プローブ直径：５．１ｍｍ、引き剥がし速度：１０ｍｍ／ｓ、接触荷重：１００ｇｆ／ｃｍ^２、接触時間：１ｓにより、２５℃におけるタック力を５回測定し、その平均値を算出する。

本発明においては、接着剤層が最表面層と内層とからなり、最表面層を形成する液状感光性接着剤が、（Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光開始剤、及び（Ｃ）フラックス成分、を含み、内層を形成する液状感光性接着剤が、（Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光開始剤、及び（Ｄ）熱硬化性樹脂、を含むことが好ましい。このような構成を有する接着剤は、光照射によってＢステージ化可能な接着剤とすることができる。

本実施形態においては、最表面層を形成する液状感光性接着剤に含まれるフラックス成分の含有量（質量％）が、内層を形成する液状感光性接着剤におけるフラックス成分の含有量よりも大きいことが好ましく、内層を形成する液状感光性接着剤がフラックス成分を含まないことがより好ましい。

更に、最表面層を形成する液状感光性接着剤にはフィラーを含有させず、内層を形成する液状感光性接着剤にフィラーを含有させることにより、接続時のフィラーのかみ込みを防止することができる。

本実施形態の液状感光性接着剤は、１ａｔｍ、２５℃で液状であり、且つ、溶剤の含有量が５質量％以下である液状無溶剤型感光性接着剤であることが好ましい。上記の「無溶剤型」とは、接着剤中に含有される溶剤量が５質量％以下であることを意味する。

上記の溶剤とは、放射線重合性基やオキシムエステル基、α−アミノアセトフェノン、ホスフィンオキサイドなどの光反応性基、エポキシ基、フェノール性水酸基、カルボキシル基、アミノ基、酸無水物、イソシアネート、パーオキサイド、ジアゾ基、イミダゾール、アルコキシシランなどの熱反応性基を有さず、分子量が５００以下でありかつ室温（２５℃）において液状である有機化合物を意味する。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン及びＮ−メチル−ピロリジノンなどが挙げられる。

溶剤量が上記範囲となることで、光照射によってタック低減させることができ、光照射後の取り扱い性が向上する。更に、熱圧着や加熱硬化時の発泡を抑制することができる。

（Ａ）放射線重合性化合物としては、アルケン類やアルキン類など炭素原子間不飽和結合を有する化合物が挙げられる。

なお、本発明において放射線とは、電離性放射線や非電離性放射線を指し、例えば、ＡｒＦ、ＫｒＦ等のエキシマレーザー光、電子線極端紫外線、真空紫外光、Ｘ線、イオンビームやｉ線やｇ線等の紫外光が挙げられる。放射線は、量産性の観点から、ｉ線やｇ線等の紫外光が好ましく用いられる。

本実施形態の液状感光性接着剤は、（Ａ）放射線重合性化合物として、２５℃で液状であり分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含有することが好ましい。分子内に２つ以上の炭素−炭素二重結合を有する化合物を配合した組成物の場合、光照射されると架橋構造が形成された状態となり、その後の熱時に溶融しにくく、またタックも発現しにくいため、熱圧着が困難となる傾向がある。これに対して分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含有することによって、熱時流動性を十分得ることができ、熱圧着性を向上させることができる。中でも、低露光量でＢステージ化が可能である点から、単官能（メタ）アクリレートが好ましい。

上記の単官能（メタ）アクリレートの含有量は、（Ａ）成分全量に対して２０〜１００質量％であることが好ましく、４０〜１００質量％であることがより好ましく、５０〜１００質量％であることが最も好ましい。単官能（メタ）アクリレートの配合量を上記範囲とすることでＢステージ化後の被着体との密着性及び熱圧着性をより向上させることができる。

また、（Ａ）成分は、２５℃で液状であり且つ分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物に加えて、更に固形のアクリレートを配合してもよい。この場合の（Ａ）成分の混合物は、２５℃で液状であることが好ましい。

更に高水準の熱時流動性を得る観点から、（Ａ）放射線重合性化合物として、分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を単独で接着剤組成物に含有させることが好ましい。なお、分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を単独で使用した場合、光照射後に得られるポリマーの分子量を数万以上にすることができ、硬化後の良好な接着性と信頼性を両立できる。ここで、分子内に２つ以上の炭素−炭素二重結合を有する化合物が含まれると分子量が数万以上のポリマー同士のネットワークが形成され熱時の粘着性や流動性が低下する傾向がある。

上記（Ａ）成分は、上記（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分などの他の成分の溶解性の観点から、２５℃での粘度が５０００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、更に薄膜化の観点から、３０００ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましく、２０００ｍＰａ・ｓ以下であることが更により好ましく、更に固形や高粘度の熱硬化樹脂を多く配合して接着性を向上させる観点から、１０００ｍＰａ・ｓ以下であることが最も好ましい。ここでの粘度とは、接着剤に含まれる（Ａ）成分全体の値であり、東京計器製造所製のＥＨＤ型回転粘度計を用い、サンプル量０．４ｍＬ、３°コーンの条件下、２５℃で測定した粘度の値である。

（Ａ）成分の上記粘度が５０００ｍＰａ・ｓを超えると、接着剤の粘度が上昇して薄膜化が困難となったり、塗布装置などのノズルから吐出させることが困難となる傾向がある。塗布時のピンホール発生を防止することや耐熱性を確保する観点から、（Ａ）成分の２５℃での粘度は１０ｍＰａ・ｓ以上であることが好ましい。

また、上記（Ａ）成分は、塗布時の揮発抑制の観点から５％重量減少温度が１２０℃以上であることがより好ましく、熱硬化時に未反応の（Ａ）成分が揮発することによって生じるはく離やボイドを抑制できる点で１５０℃以上であることが更により好ましく、１８０℃以上であることが最も好ましい。ここでの５％質量減少温度とは、接着剤に含まれる（Ａ）成分全体の値であり、（Ａ）成分を示差熱熱重量同時測定装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー製：ＴＧ／ＤＴＡ６３００）を用いて、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、窒素フロー（４００ｍｌ／ｍｉｎ）下で測定したときの５％重量減少温度である。

また、接着剤の低粘度化、塗布後の表面凹凸抑制やＢステージ化後の熱時流動性の観点から、有機化合物を主体とした材料設計が好ましいため、上記（Ａ）成分の５％重量減少温度は５００℃以下であることが好ましい。

本実施形態で用いる（Ａ）成分としては、例えば、エチレン性不飽和基を有する化合物が挙げられる。エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル基、プロパギル基、ブテニル基、エチニル基、フェニルエチニル基、マレイミド基、ナジイミド基、（メタ）アクリル基などが挙げられる。反応性の観点から、（Ａ）成分は、単官能（メタ）アクリレートを含むことが好ましい。ここでいう単官能とは、分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有することを意味し、それ以外の官能基を有していてもよい。

上記単官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、硬化物を強靭化できる点でグリシジル基含有（メタ）アクリレートや４−ヒドロキシフェニルメタクリレートや３，５−ジメチル−４−ヒドロキシベンジルアクリルアミドなどのフェノール性水酸基含有（メタ）アクリレート、２−メタクリロイロキシエチルフタル酸、２−メタクリロイロキシプロピルヘキサヒドロフタル酸、２−メタクリロイロキシメチルヘキサヒドロフタル酸などのカルボキシル基含有（メタ）アクリレートが好ましく、耐熱性を向上できる点でフェノールＥＯ変性（メタ）アクリレート、フェノールＰＯ変性（メタ）アクリレート、ノニルフェノールＥＯ変性（メタ）アクリレート、ノニルフェノールＰＯ変性（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル化フェニルフェノールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２−メタクリロイロキシエチル２−ヒドロキシプロピルフタレート、フェニルフェノールグリシジルエーテルアクリレートなどの芳香族含有（メタ）アクリレートが好ましく、Ｂステージ化後の密着性や熱硬化後の接着性を付与できる点で２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、Ｏ−フェニルフェノールグリシジルエーテル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイロキシ−２−ヒドロキシプロピルフタレート、２−（メタ）アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシエチル−フタル酸、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、など下記一般式（Ａ−１）又は（Ａ−２）で示される水酸基含有（メタ）アクリレート、２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチルアクリレートなど、下記一般式（Ａ−３）又は（Ａ−４）で示されるイミド基含有（メタ）アクリレートが好ましく、接着剤組成物を低粘度化できる点でイソボロニル含有（メタ）アクリレート、ジシクロペンタジエニル基含有（メタ）アクリレート、イソボロニル（メタ）アクリレートなどが好ましいものとして挙げられる。中でもイミド基含有（メタ）アクリレートは半導体ウェハや有機基板などの塗布したときのハジキやピンホールを抑制でき、かつ硬化後に優れた接着性を発現できるため、特に好ましく用いられる。

一般式（Ａ−１）及び（Ａ−２）において、Ｒ_１は、水素原子又はメチル基を示し、Ｒ_３は１価の有機基を示し、Ｒ_２及びＲ_４はそれぞれ２価の有機基を示す。Ｒ_３は耐熱性の観点から芳香族基を有することが好ましい。Ｒ_４は耐熱性の観点から芳香族基を有することが好ましい。

一般式（Ａ−３）及び（Ａ−４）において、Ｒ_１は、水素原子又はメチル基を示し、Ｒ_５は２価の有機基を示し、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８、Ｒ_９はそれぞれ炭素数１〜３０の１価の炭化水素基を示し、Ｒ_６及びＲ_７はそれぞれ互いに結合して環を形成してもよく、Ｒ_８及びＲ_９はそれぞれ互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ_６及びＲ_７、並びに、Ｒ_８及びＲ_９が環を形成している場合、例えば、ベンゼン環構造、脂環式構造が挙げられる。ベンゼン環構造及び脂環式構造は、カルボキシル基、フェノール性水酸基、エポキシ基などの熱硬化性基を有していてもよく、またアルキル基などの有機基を有していてもよい。

上記一般式（Ａ−３）及び（Ａ−４）で示される化合物は、例えば、単官能酸無水物とエタノールアミンとを反応させて得られるＮ−ヒドロキシアルキルイミド化合物と、アクリル酸エステル又はアクリル酸エステルとを公知の方法で反応させて合成することができる。この場合、単官能酸無水物として、４−フェニルエチニルフタル酸無水物、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水化物、２，５−ノルボルナジエン−２，３−ジカルボン酸無水物、マレイン酸無水物、トリメリット酸無水物、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物、シス−ノルボルネン−エンド−２，３−ジカルボン酸ヘキサヒドロ無水フタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、１，２，３，６−テトラヒドロフタル酸無水物、３，４，５，６−テトラヒドロフタル酸無水物、などのジカルボン酸無水物を用いることができる。Ｎ−ヒドロキシアルキルイミド化合物としては、例えば、Ｎ−ヒドロキシエチルフタルイミド及びＮ−ヒドロキシエチルコハクイミドなどが挙げられる。

上記一般式（Ａ−３）及び（Ａ−４）で示される化合物としては、保存安定性、Ｂステージ化後の低タック性、Ｂステージ化後の密着性、熱硬化後の耐熱性、接着性、信頼性の観点から、下記一般式（Ａ−５）〜（Ａ−９）で示される化合物が好ましいものとして用いることができ、低粘度の観点から、下記一般式（Ａ−５）、（Ａ−７）〜（Ａ−９）で示される化合物がより好ましいものとして用いることができる。

上記式（Ａ−５）〜（Ａ−９）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基を示す。

また、単官能（メタ）アクリレートとしては、Ｂステージ化後の被着体との密着性、硬化後の接着性、耐熱性の観点から、ウレタン基、イソシアヌル基、イミド基、フェノール性水酸基、水酸基のいずれかを有することが好ましく、特に分子内にイミド基を有する単官能（メタ）アクリレートであることが好ましい。

本実施形態の液状感光性接着剤において、２５℃で液状であり且つ分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有する化合物は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて配合することができる。

更に、単官能（メタ）アクリレートは、Ｂステージ化後の熱圧着性、熱時流動性の観点から、単官能（メタ）アクリレートを重合して得られた重合体のＴｇが１００℃以下となるものが好ましく、Ｂステージ化の観点から、Ｔｇが２０℃以上となるものが好ましい。単官能（メタ）アクリレートの重合体のＴｇは、単官能（メタ）アクリレートに光開始剤であるＩ−３７９ＥＧ（チバ・ジャパン社製）を単官能（メタ）アクリレートに対し３質量％となる割合で溶解させた組成物を、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に膜厚３５μｍとなるように塗布し、この塗膜に、室温、空気下で高精度平行露光機（オーク製作所製、製品名：ＥＸＭ−１１７２−Ｂ−∞）を用いて１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光して得られたフィルムを膜厚１５０μｍとなるように積層した積層体について、粘弾性測定装置（レオメトリックス・サイエンティフィック・エフ・イー（株）製、製品名：ＡＲＥＳ）を用いて測定された−５０℃〜２００℃におけるｔａｎδピーク温度である。なお、測定プレートは、直径８ｍｍの平行プレートを用い、測定条件は、昇温速度５℃／ｍｉｎ、測定温度−５０℃〜２００℃、周波数１Ｈｚとする。

（Ａ）成分の含有量は、接着剤全量に対して１０〜９５質量％であることが好ましく、２０〜９０質量％であることがより好ましく、４０〜９０質量％であることが最も好ましい。（Ａ）成分の含有量が１０質量％未満であると、露光後の表面タック力が大きくなる傾向があり、９５質量％を超えると熱硬化後の接着強度が低下する傾向があるため好ましくない。

（Ｂ）光開始剤としては、波長３６５ｎｍの光に対する分子吸光係数が、Ｂステージ化が可能となる点で１００ｍｌ／ｇ・ｃｍ以上であるものが好ましく、露光後のタックをより低減できる点で２００ｍｌ／ｇ・ｃｍ以上であるものがより好ましく、酸素阻害をより低減できる点で４００ｍｌ／ｇ・ｃｍ以上であるものがさらにより好ましく、低露光量、短時間でＢステージ化が可能となる点で１０００ｍｌ／ｇ・ｃｍ以上であるものが最も好ましい。なお、Ｂステージ化に要する時間は６０ｓ以内であることが好ましく、より効率的に半導体装置を製造できる点で３０ｓ以内であることがより好ましい。上記の分子吸光係数は、サンプルの０．００１質量％アセトニトリル溶液を調製し、この溶液について分光光度計（日立ハイテクノロジーズ社製、「Ｕ−３３１０」（製品名））を用いて吸光度を測定することにより求められる。

上記（Ｂ）成分としては、例えば、１−ヒドロキシーシクロヘキシルーフェニルーケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニループロパンー１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチループロピオニル）−ベンジル］−フェニル｝−２−メチループロパンー１−オン、オキシーフェニルーアセチックアシッド２−［２−オキソー２−フェニルーアセトキシーエトキシ］エチルエステル、フェニルグリオキシリックアシッドメチルエステル、２−ジメチルアミノ−２−（４−メチルーベンジル）−１−（４−モルフォリン−４−イルーフェニル）−ブタンー１−オン、２−エチルヘキシルー４−ジメチルアミノベンゾエート、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９'−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド、ビス（２，４，６，−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド等のビスアシルフォスフィンオキサイドやマレイミドを有する化合物などが挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。

（Ｂ）光開始剤は、空気雰囲気下（酸素存在下）中であっても露光によって効率的にＢステージ化が可能となる点で、分子内にオキシムエステル骨格、又はモルホリン骨格を有する化合物であることが好ましい。このような化合物としては特に限定はしないが、下記一般式（Ｂ−１）で表わされるオキシムエステル基を有する化合物及び／又は下記一般式（Ｂ−２）、（Ｂ−３）若しくは（Ｂ−４）で表わされるモルホリン環を有する化合物であることが好ましい。具体的には、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オンが好ましく用いられる。

式中、Ｒ^５１及びＲ^５２はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜７のアルキル基、又は芳香族系炭化水素基を含む有機基を示し、Ｒ^５３及びＲ^５４及びＲ^５５は、炭素数１〜７のアルキル基、又は芳香族系炭化水素基を含む有機基を示し、Ｒ^５６及びＲ^５７は、芳香族系炭化水素基を含む有機基を示す。

上記芳香族系炭化水素基としては、特に制限はしないが、例えば、フェニル基及びナフチル基、ベンゾイン誘導体、カルバゾール誘導体、チオキサントン誘導体、ベンゾフェノン誘導体などが挙げられる。また、芳香族系炭化水素基は、置換基を有していてもよい。

上記（Ｂ）光開始剤として特に好ましいものは、オキシムエステル基及び／又はモルホリン環を有する化合物であって、波長３６５ｎｍの光に対する分子吸光係数が１０００ｍｌ／ｇ・ｃｍ以上、且つ、５％質量減少温度が１５０℃以上の化合物である。

このような（Ｂ）光開始剤としては、例えば、下記構造式（Ｂ−５）〜（Ｂ−９）で表わされる化合物が挙げられる。

（Ｂ）光開始剤の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０．１〜２０質量部であることが好ましく、Ｂステージ化のタクトやＢステージ化後のタックの観点から、０．５〜１０質量部であることがより好ましい。この含有量が２０質量部を超えると、アウトガスが多くなり接着性が低下したり、保存安定性が低下する傾向がある。一方、上記含有量が０．１質量部未満であると、Ｂステージ化が困難となる傾向がある。

本実施形態の液状感光性接着剤においては、必要に応じて増感剤を併用することができる。この増感剤としては、例えば、カンファーキノン、ベンジル、ジアセチル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ベンジルジ（２−メトキシエチル）ケタール、４，４’−ジメチルベンジル−ジメチルケタール、アントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−クロロアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、１−ヒドロキシアントラキノン、１−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、１−ブロモアントラキノン、チオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−ニトロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン、２−クロロ−７−トリフルオロメチルチオキサントン、チオキサントン−１０，１０−ジオキシド、チオキサントン−１０−オキサイド、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、イソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾフェノン、ビス（４−ジメチルアミノフェニル）ケトン、４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン、アジド基を含む化合物などが挙げられる。これらは単独で又は２種類以上併用して使用することができる。上記増感剤の中で、Ｂステージ後のタックをより低減できる点で４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフェノンが最も好ましく用いられる。

（Ｃ）フラックス成分は、ハンダなどの表面の酸化膜を還元除去して、金属接合を容易にするものであれば、特に制限なく公知のものを用いることができる。

フラックス成分としては、アルコール類、フェノール類、カルボン酸類の中から選ばれる少なくとも１種類の化合物を用いることができる。

アルコール類としては、分子内に少なくとも２個以上のアルコール性水酸基を有する化合物であれば特に制限はなく、例えば、１，３−ジオキサン−５，５−ジメタノール、１，５−ペンタンジオール、２，５−フランジメタノール、ジエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ペンタエチレングリコール、ヘキサエチレングリコール、１，２，３−ヘキサントリオール、１，２，４−ブタントリオール、１，２，６−ヘキサントリオール、３−メチルペンタン−１，３，５−トリオール、グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、エリトリトール、ペンタエリトリトール、リビトール、ソルビトール、２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、１，３−ブチレングリコール、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、Ｎ−ブチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）イソプロパノールアミン、ビス（２−ヒドロキシメチル）イミノトリス（ヒドロキシメチル）メタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、１，１’，１’’，１’’’−（エチレンジニトリロ）テトラキス（２−プロパノール）などを用いることができる。中でも、３級窒素原子を有する化合物、例えば、Ｎ−ブチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）イソプロパノールアミン、ビス（２−ヒドロキシメチル）イミノトリス（ヒドロキシメチル）メタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、１，１’，１’’，１’’’−（エチレンジニトリロ）テトラキス（２−プロパノール）は、その他の化合物に比較して、良好なフラックス活性を示すことから望ましい。良好なフラックス活性を示す詳細な理由は明らかではないが、アルコール性水酸基による酸化膜還元能と、３級窒素原子上の不対電子に由来する電子供与性による還元能が併せて作用することに起因していると推測される。これらの化合物は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

フェノール類としては、２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物であれば特に制限はなく、例えば、カテコール、レゾルシノール、ハイドロキノン、ビフェノール、ジヒドロキシナフタレン、ヒドロキシハイドロキノン、ピロガロール、メチリデンビフェノール（ビスフェノールＦ）、イソプロピリデンビフェノール（ビスフェノールＡ）、エチリデンビフェノール（ビスフェノールＡＤ）、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、トリヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシアセトフェノン、ポリｐ−ビニルフェノールなどが挙げられる。さらに、２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物として、フェノール性水酸基を分子内に１個以上有する化合物から選ばれる１種類以上の化合物とハロメチル基、アルコキシメチル基またはヒドロキシルメチル基を分子内に２個有する芳香族化合物、ジビニルベンゼン及びアルデヒド類から選ばれる１種類以上の化合物との重縮合物も用いることができる。フェノール性水酸基を分子内に１個以上有する化合物としては、例えば、フェノール、アルキルフェノール、ナフトール、クレゾール、カテコール、レゾルシノール、ハイドロキノン、ビフェノール、ジヒドロキシナフタレン、ヒドロキシハイドロキノン、ピロガロール、メチリデンビフェノール（ビスフェノールＦ）、イソプロピリデンビフェノール（ビスフェノールＡ）、エチリデンビフェノール（ビスフェノールＡＤ）、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、トリヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシアセトフェノン、ポリｐ−ビニルフェノールなどが挙げられる。また、ハロメチル基、アルコキシメチル基またはヒドロキシルメチル基を分子内に２個有する芳香族化合物としては、例えば、１，２−ビス（クロロメチル）ベンゼン、１，３−ビス（クロロメチル）ベンゼン、１，４−ビス（クロロメチル）ベンゼン、１，２−ビス（メトキシメチル）ベンゼン、１，３−ビス（メトキシメチル）ベンゼン、１，４−ビス（メトキシメチル）ベンゼン、１，２−ビス（ヒドロキシメチル）ベンゼン、１，３−ビス（ヒドロキシメチル）ベンゼン、１，４−ビス（ヒドロキシメチル）ベンゼン、ビス（クロロメチル）ビフェニル、ビス（メトキシメチル）ビフェニルなどが挙げられる。アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド（その水溶液としてホルマリン）、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、ヘキサメチレンテトラミンなどが挙げられる。重縮合物としては、例えば、フェノールとホルムアルデヒドの重縮合物であるフェノールノボラック樹脂、クレゾールとホルムアルデヒドとの重縮合物であるクレゾールノボラック樹脂、ナフトール類とホルムアルデヒドとの重縮合物であるナフトールノボラック樹脂、フェノールと１，４−ビス（メトキシメチル）ベンゼンとの重縮合物であるフェノールアラルキル樹脂、ビスフェノールＡとホルムアルデヒドの重縮合物、フェノールとジビニルベンゼンとの重縮合物、クレゾールとナフトールとホルムアルデヒドの重縮合物などが挙げられ、これらの重縮合物をゴム変性したものや分子骨格内にアミノトリアジン骨格やジシクロペンタジエン骨格を導入したものでもよい。さらに、これらのフェノール性水酸基を有する化合物をアリル化することによって液状したものとして、アリル化フェノールノボラック樹脂、ジアリルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビフェノールなどが挙げられる。これらの化合物は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

カルボン酸類としては、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸のいずれであってもよい。脂肪族カルボン酸としては、例えば、マロン酸、メチルマロン酸、ジメチルマロン酸、エチルマロン酸、アリルマロン酸、２，２’−チオジ酢酸、３，３’−チオジプロピオン酸、２，２’−（エチレンジチオ）ジ酢酸、３，３’−ジチオジプロピオン酸、２−エチル−２−ヒドロキシ酪酸、ジチオジグリコール酸、ジグリコール酸、アセチレンジカルボン酸、マレイン酸、リンゴ酸、２−イソプロピルリンゴ酸、酒石酸、イタコン酸、１，３−アセトンジカルボン酸、トリカルバリン酸、ムコン酸、β−ヒドロムコン酸、コハク酸、メチルコハク酸、ジメチルコハク酸、グルタル酸、α−ケトグルタル酸、２−メチルグルタル酸、３−メチルグルタル酸、２，２−ジメチルグルタル酸、３，３−ジメチルグルタル酸、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸、クエン酸、アジピン酸、３−ｔｅｒｔ−ブチルアジピン酸、ピメリン酸、フェニルシュウ酸、フェニル酢酸、ニトロフェニル酢酸、フェノキシ酢酸、ニトロフェノキシ酢酸、フェニルチオ酢酸、ヒドロキシフェニル酢酸、ジヒドロキシフェニル酢酸、マンデル酸、ヒドロキシマンデル酸、ジヒドロキシマンデル酸、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸、スベリン酸、４，４’−ジチオジ酪酸、けい皮酸、ニトロけい皮酸、ヒドロキシけい皮酸、ジヒドロキシけい皮酸、クマリン酸、フェニルピルビン酸、ヒドロキシフェニルピルビン酸、カフェ酸、ホモフタル酸、トリル酢酸、フェノキシプロピオン酸、ヒドロキシフェニルプロピオン酸、ベンジルオキシ酢酸、フェニル乳酸、トロパ酸、３−（フェニルスルホニル）プロピオン酸、３，３−テトラメチレングルタル酸、５−オキソアゼライン酸、アゼライン酸、フェニルコハク酸、１，２−フェニレンジ酢酸、１，３−フェニレンジ酢酸、１，４−フェニレンジ酢酸、ベンジルマロン酸、セバシン酸、ドデカン二酸、ウンデカン二酸、ジフェニル酢酸、ベンジル酸、ジシクロヘキシル酢酸、テトラデカン二酸、２，２−ジフェニルプロピオン酸、３，３−ジフェニルプロピオン酸、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）吉草酸、ピマール酸、パラストリン酸、イソピマル酸、アビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、ネオアビエチン酸、アガト酸などが挙げられる。芳香族カルボン酸としては、例えば、安息香酸、２−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，３，４−トリヒドロキシ安息香酸、２，４，６−トリヒドロキシ安息香酸、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、１，２，３−ベンゼントリカルボン酸、１，２，４−ベンゼントリカルボン酸、１，３，５−ベンゼントリカルボン酸、２−［ビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル］安息香酸、１−ナフトエ酸、２−ナフトエ酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、２，３−ナフタレンジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２−フェノキシ安息香酸、ビフェニル−４−カルボン酸、ビフェニル−２−カルボン酸、２−ベンゾイル安息香酸などが挙げられる。これらの中でも、保存安定性や入手容易さの観点から、コハク酸、リンゴ酸、イタコン酸、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸、アジピン酸、３，３’−チオジプロピオン酸、３，３’−ジチオジプロピオン酸、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸、スベリン酸、セバシン酸、フェニルコハク酸、ドデカン二酸、ジフェニル酢酸、ベンジル酸、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）吉草酸、アビエチン酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、１，２，４−ベンゼントリカルボン酸、１，３，５−ベンゼントリカルボン酸、２−［ビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル］安息香酸などを用いることが望ましい。これらの化合物は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

接着剤層の最表面層の形成に用いられる液状感光性接着剤における（Ｃ）フラックス成分の含有量としては、（Ａ）成分１００質量部に対して０．１〜１０質量部であることが好ましく、０．５〜７．５質量部がより好ましい。この含有量が１０質量部を超えると圧着時のボイドが多くなるため信頼性に悪影響を与える傾向がある。一方、上記含有量が０．１質量部未満であると、フラックス活性が機能せずに接続が不十分になる傾向にある。

上記（Ｄ）熱硬化性樹脂としては、熱により架橋反応を起こす反応性化合物からなる成分であれば特に限定されることはなく、例えば、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、マレイミド樹脂、アリルナジイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、ケトン樹脂、トリアリルシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含有する樹脂、トリアリルトリメリタートを含有する樹脂、シクロペンタジエンから合成された熱硬化性樹脂、芳香族ジシアナミドの三量化による熱硬化性樹脂等が挙げられる。中でも、高温での優れた接着力を持たせることができる点で、エポキシ樹脂が好ましい。なお、熱硬化性樹脂は、単独で又は二種類以上を組み合わせて用いることができる。

エポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも２個以上のエポキシ基を含むものが好ましく、熱圧着性や硬化性、硬化物特性の点から、フェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂がより好ましい。このような樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型（又はＡＤ型、Ｓ型、Ｆ型）のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂のグリシジルエーテル、ダイマー酸のグリシジルエステル、３官能型（又は４官能型）のグリシジルアミン、ナフタレン樹脂のグリシジルアミン等が挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。

また、エポキシ樹脂としては、不純物イオンである、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ハロゲンイオン、特に塩素イオンや加水分解性塩素等を３００ｐｐｍ以下に低減した高純度品を用いることが、エレクトロマイグレーション防止や金属導体回路の腐食防止の観点から好ましい。

（Ｄ）熱硬化性樹脂は、室温で液状、固形を問わず使用することができる。液状熱硬化性樹脂の場合は、より低粘度化が可能となり、固形熱硬化性樹脂の場合は、光照射後のタックをより低減することができる。また、液状熱硬化性樹脂と固形熱硬化性樹脂を併用してもよい。

液状の熱硬化性樹脂を用いる場合、その粘度は１００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、５０００ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましく、３０００ｍＰａ・ｓ以下であることが更により好ましく、２０００ｍＰａ・ｓ以下であることが最も好ましい。粘度が１００００ｍＰａ・ｓを超えると接着剤組成物の粘度が上昇し、薄膜化が困難となる傾向がある。このような液状の熱硬化性樹脂としては、特に限定はしないが、接着性、耐熱性の観点からエポキシ樹脂が好ましく、特に３官能型（又は４官能型）のグリシジルアミンやビスフェノールＡ型（又はＡＤ型、Ｓ型、Ｆ型）のグリシジルエーテルが好ましく用いられる。

固形の熱硬化性樹脂を用いる場合、例えば、（Ａ）成分に溶解させて用いることができる。固形熱硬化性樹脂としては、特に限定はしないが、熱圧着性と粘度の観点から、分子量が２０００以下、好ましくは１０００以下であることが好ましく、また軟化点が１００℃以下、好ましくは８０℃以下であることが好ましい。また、接着性、耐熱性の観点から３官能以上のエポキシ樹脂が好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、下記構造のエポキシ樹脂が好ましく用いられる。

ｎは、０〜１０の整数を示す。

また、（Ｄ）熱硬化性樹脂は、５％重量減少温度が１５０℃以上であるものが好ましく、１８０℃以上であるものがより好ましく、２００℃以上であるものが更により好ましい。ここで、熱硬化性樹脂の５％質量減少温度とは、熱硬化性樹脂を示差熱熱重量同時測定装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー製：ＴＧ／ＤＴＡ６３００）を用いて、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、窒素フロー（４００ｍｌ／ｍｉｎ）下で測定したときの５％重量減少温度である。５％重量減少温度が高い熱硬化性樹脂を適用することで、熱圧着又は熱硬化時に揮発することを抑制できる。このような耐熱性を有する熱硬化性樹脂としては、分子内に芳香族基を有するエポキシ樹脂が挙げられる。

（Ｄ）熱硬化性樹脂の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して１〜１００質量部であることが好ましく、保存安定性とＢステージ化の両立の観点から２〜５０質量部であることがより好ましい。この含有量が１００質量部を超えると、露光後のタックが上昇する傾向がある。一方、上記含有量が２質量部未満であると、十分な高温接着性が得られなくなる傾向がある。

本実施形態の液状感光性接着剤においては、硬化促進剤を更に含有することが好ましい。硬化促進剤としては、加熱によってエポキシ樹脂の硬化／重合を促進する化合物あれば特に制限はなく、例えば、フェノール系化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレート、第３級アミン等が挙げられる。これらの中でも溶剤を含有しないときの溶解性、分散性の観点からイミダゾール類が好ましく用いられる。硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂１００質量部に対して０．０１〜５０質量部が好ましい。また、接着性、耐熱性、保存安定性の観点からもイミダゾール類が特に好ましい。

イミダゾール類としては、反応開始温度が５０℃以上であることが好ましく、８０℃以上であることがより好ましい。反応開始温度が５０℃以下であると保存安定性が低下するため、樹脂組成物の粘度が上昇し膜厚の制御が困難となるため好ましくない。

イミダゾール類としては、エポキシ樹脂に溶解するイミダゾールを用いることが好ましい。このようなイミダゾールを用いることで凹凸が少ない塗布膜を得ることができる。このようなイミダゾール類としては、特に限定はしないが、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールなどが挙げられる。保存安定性、接着性、耐熱性の観点から、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが特に好ましく用いられる。

また、イミダゾール類としては、好ましくは平均粒径１０μｍ以下、より好ましくは８μｍ以下、最も好ましくは５μｍ以下に粉砕した化合物を使用することができる。このような粒径のイミダゾール類を用いることで接着剤の粘度変化を抑制することができ、またイミダゾール類の沈降を抑制することができる。また、薄膜形成した際には、表面の凹凸を低減することができ、これにより均一な膜を得ることができる。更に、硬化時には樹脂中の硬化を均一に進行させることができるため、アウトガスを低減することができる。

また、本実施形態の液状感光性接着剤は、速硬化性と保存安定性の観点から、マイクロカプセル型硬化剤を含有してもよい。

また、本実施形態の液状感光性接着剤は、硬化剤としてフェノール系化合物を含有していてもよい。フェノール系化合物としては分子中に少なくとも２個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物がより好ましい。このような化合物としては、例えばフェノールノボラック、クレゾールノボラック、ｔ−ブチルフェノールノボラック、ジシクロペンタジエンクレゾールノボラック、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック、キシリレン変性フェノールノボラック、ナフトール系化合物、トリスフェノール系化合物、テトラキスフェノールノボラック、ビスフェノールＡノボラック、ポリ−ｐ−ビニルフェノール、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。これらの中でも、数平均分子量が４００〜４０００の範囲内のものが好ましい。これにより、半導体装置組立加熱時に、半導体素子又は装置等の汚染の原因となる加熱時のアウトガスを抑制できる。上記フェノール系化合物は液状であることが好ましく、アリル変性フェノールノボラックが、液状かつ高耐熱であるために好適に用いられる。

フェノール系化合物の含有量は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して５０〜１００質量部であることが好ましく、６０〜９５質量部であることがより好ましい。

本実施形態の液状感光性接着剤は、（Ｅ）熱ラジカル発生剤を更に含有することができる。熱ラジカル発生剤としては、保存安定性と反応性の観点から有機過酸化物であることが好ましい。有機過酸化物としては、１分間半減期温度が８０℃以上であるものが好ましく、１００℃以上であるものがより好ましく、１２０℃以上であることが最も好ましい。有機過酸化物は、接着剤組成物の調製条件、製膜温度、圧着、硬化条件、その他プロセス条件、貯蔵安定性等を考慮して選択される。使用可能な過酸化物としては、特に限定はしないが、例えば、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシへキサン）、ジクミルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサネート、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサネート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネートなどが挙げられ、これらのうちの１種を単独で、又は２種以上を混合して用いることができる。上記の有機過酸化物を含有させることで、露光後に残存している未反応の放射線重合性化合物を反応させることができ、低アウトガス化、高接着化を図ることができる。

１分間半減期温度が８０℃以上である熱ラジカル発生剤としては、例えば、パーヘキサ２５Ｂ（日油社製）、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシへキサン）（１分間半減期温度：１８０℃）、パークミルＤ（日油社製）、ジクミルパーオキサイド（１分間半減期温度：１７５℃）などが挙げられる。

（Ｅ）熱ラジカル発生剤の含有量は、（Ａ）放射線重合性化合物全量に対して、０．０１〜２０質量％が好ましく、０．１〜１０質量％が更に好ましく、０．５〜５質量％が最も好ましい。熱ラジカル発生剤の含有量が０．０１質量％未満であると、硬化性が低下し、添加効果が小さくなり、５質量％を超えると、アウトガス量増加、保存安定性低下が見られる。

本実施形態の液状感光性接着剤は、塗布後の膜厚均一性、Ｂステージ化後の熱圧着性、熱硬化後の低応力性、被着体との密着性を向上させる点から、（Ｆ）熱可塑性樹脂を更に含有してもよい。

（Ｆ）成分のＴｇは１５０℃以下であることが好ましく、１２０℃以下であることがより好ましく、１００℃以下であることがさらにより好ましく、８０℃以下であることが最も好ましい。このＴｇが１５０℃を超える場合、接着剤組成物の粘度が上昇する傾向がある。また、被着体に熱圧着する際に１５０℃以上の高温を要し、半導体ウェハに反りが発生しやすくなる傾向がある。

ここで、（Ｆ）成分の「Ｔｇ」とは、（Ｆ）成分をフィルム化したときの主分散ピーク温度を意味する。具体的には、（Ｆ）成分のフィルムについて、レオメトリックス社製粘弾性アナライザー「ＲＳＡ−２」（製品名）を用いて、フィルム厚１００μｍ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚ、測定温度−１５０〜３００℃の条件で測定し、Ｔｇ付近のｔａｎδピーク温度をＴｇとして求める。

（Ｆ）成分の重量平均分子量は、５０００〜５０００００の範囲内で制御されていることが好ましい。更に、（Ｆ）成分の重量平均分子量は、熱圧着性と高温接着性とを高度に両立できる点で、１００００〜３０００００であることがより好ましい。ここで、「重量平均分子量」とは、島津製作所社製高速液体クロマトグラフィー「Ｃ−Ｒ４Ａ」（製品名）を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。

（Ｆ）成分としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレタンイミド樹脂、ポリウレタンアミドイミド樹脂、シロキサンポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、これらの共重合体、これらの前駆体（ポリアミド酸等）の他、ポリベンゾオキサゾール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、重量平均分子量が１万〜１００万の（メタ）アクリル共重合体、ノボラック樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。また、これらの樹脂の主鎖及び／又は側鎖に、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのグリコール基、カルボキシル基及び／又は水酸基が付与されたものであってもよい。

熱可塑性樹脂の含有量は、（Ａ）成分に対して、０．１〜５０質量％が好ましく、成膜性や膜厚均一性、粘度上昇抑制の観点から０．５〜２０質量％がより好ましい。熱可塑性樹脂の含有量が０．１質量％未満であると、添加の効果が見られなくなる傾向があり、５０質量％を超えると、溶け残りなどによって膜厚均一性が低下したり、粘度が上昇し薄膜化が困難となる傾向がある。

本実施形態の液状感光性接着剤には、保存安定性、プロセス適応性又は酸化防止性を付与するために、キノン類、多価フェノール類、フェノール類、ホスファイト類、イオウ類等の重合禁止剤又は酸化防止剤を、硬化性を損なわない範囲で更に添加してもよい。

また、本実施形態の液状感光性接着剤には、適宜フィラーを含有させることもできる。フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉、ニッケル粉等の金属フィラー、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機フィラー、カーボン、ゴム系フィラー等の有機フィラー等が挙げられ、種類・形状等にかかわらず特に制限なく使用することができる。

上記フィラーは、所望する機能に応じて使い分けることができる。例えば、金属フィラーは、接着剤組成物に導電性、熱伝導性、チキソ性等を付与する目的で添加され、非金属無機フィラーは、接着剤層に熱伝導性、低熱膨張性、低吸湿性等を付与する目的で添加され、有機フィラーは接着剤層に靭性等を付与する目的で添加される。

これら金属フィラー、無機フィラー又は有機フィラーは、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。中でも、半導体装置用接着材料に求められる、導電性、熱伝導性、低吸湿特性、絶縁性等を付与できる点で、金属フィラー、無機フィラー、又は絶縁性のフィラーが好ましく、無機フィラー又は絶縁性フィラーの中では、接着剤組成物に対する分散性が良好でかつ、熱時の高い接着力を付与できる点でシリカフィラーがより好ましい。

上記フィラーは、平均粒子径が１０μｍ以下、且つ、最大粒子径が３０μｍ以下であることが好ましく、平均粒子径が５μｍ以下、且つ、最大粒子径が２０μｍ以下であることがより好ましい。平均粒子径が１０μｍを超える、または、最大粒子径が３０μｍを超えると、破壊靭性向上の効果が十分に得られない傾向がある。また、平均粒子径及び最大粒子径の下限は特に制限はないが、どちらも０．００１μｍ以上であることが好ましい。

上記フィラーの含有量は、付与する特性又は機能に応じて決められるが、フィラーを含む接着剤全量に対して５０質量％以下となることが好ましく、１〜４０質量％がより好ましく、３〜３０質量％がさらに好ましい。フィラーを増量させることにより、低熱膨張化、低吸湿化、高弾性率化が図れ、ダイシング性（ダイサー刃による切断性）、熱時の接着強度を有効に向上させることができる。フィラーを必要以上に増量させると、粘度が上昇したり、熱圧着性が損なわれる傾向にあるため、フィラーの含有量は上記の範囲内に収めることが好ましい。求められる特性のバランスをとるべく、最適フィラー含有量を決定することができる。フィラーを用いた場合の混合・混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。

本実施形態の液状感光性接着剤には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点で、シラン系カップリング剤が好ましく、エポキシ基などの熱硬化性基やメタクリレート及び／又はアクリレートなどの放射線重合性基を有する化合物がより好ましい。

上記フィラーの中でも、他の樹脂成分との相溶性、高温接着性の観点から、シリカフィラーが好適に用いられ、エポキシ系、アクリレート系、フェニル系にシランカップリング剤処理されたシリカフィラーが最も好ましく用いられる。

また、上記シラン系カップリング剤の沸点及び／又は分解温度は１５０℃以上であることが好ましく、１８０℃以上であることより好ましく、２００℃以上であることがさらにより好ましい。特に、２００℃以上の沸点及び／又は分解温度で、かつエポキシ基などの熱硬化性基やメタクリレート及び／又はアクリレートなどの放射線重合性基を有するシラン系カップリング剤が最も好ましく用いられる。

上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、接着剤１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部とすることが好ましい。

本実施形態の液状感光性接着剤には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を良くするために、イオン捕捉剤を更に添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、フェノール系還元剤等の銅がイオン化して溶け出すのを防止するための銅害防止剤として知られる化合物、粉末状のビスマス系、アンチモン系、マグネシウム系、アルミニウム系、ジルコニウム系、カルシウム系、チタン系、ズズ系及びこれらの混合系等の無機化合物が挙げられる。具体例としては、東亜合成（株）製の無機イオン捕捉剤、製品名、ＩＸＥ−３００（アンチモン系）、ＩＸＥ−５００（ビスマス系）、ＩＸＥ−６００（アンチモン、ビスマス混合系）、ＩＸＥ−７００（マグネシウム、アルミニウム混合系）、ＩＸＥ−８００（ジルコニウム系）、ＩＸＥ−１１００（カルシウム系）等がある。これらは単独あるいは２種以上混合して用いることができる。上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、接着剤１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましい。

本実施形態の液状感光性接着剤は、接着剤の吐出性向上、薄膜化の観点から２５℃での粘度が１０〜３００００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、３０〜２００００ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、接着剤の耐熱性や硬化後の接着性、塗布時の膜厚均一性の観点から５０〜１００００ｍＰａ・ｓであることがさらにより好ましく、１００〜５０００ｍＰａ・ｓであることが最も好ましい。上記粘度が１０ｍＰａ・ｓ未満であると、接着剤の保存安定性や耐熱性の低下や、接着剤を塗布したときにピンホールが生じやすくなる傾向がある。また、露光によるＢステージ化が困難となる傾向がある。上記粘度が３００００ｍＰａ・ｓを超えると、塗布時に薄膜化が困難となる傾向やノズルからの吐出が困難となる傾向がある。ここでの粘度とは、東京計器製造所製のＥＨＤ型回転粘度計を用い、サンプル量０．４ｍＬ、３°コーンの条件下、２５℃で測定した粘度の値である。

本実施形態の液状感光性接着剤は、光照射によりＢステージ化された接着剤の５％重量減少温度が１５０℃以上であることが好ましく、１８０℃以上であることが更に好ましく、２００℃以上であることが最も好ましい。５％重量減少温度が１５０℃を下回ると、被着体圧着後の熱硬化時もしくはリフローなどの熱履歴時に被着体がはく離する傾向があり、熱圧着前に加熱乾燥が必要となる。また、接着剤の低粘度化、塗布後の表面凹凸抑制やＢステージ化後の熱時流動性の観点から、有機化合物を主体とした材料設計が好ましいため、５％重量減少温度は５００℃以下であることが好ましい。５％重量減少温度をこのような範囲とするためには、接着剤に含まれる溶剤量が５質量％以下であることが好ましく、３質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることが最も好ましい。

ここでの５％重量減少温度とは以下のように測定した値である。液状感光性接着剤をシリコンウェハ上にＢステージ後の膜厚が３５μｍとなるように、スピンコートによって塗布し、得られた塗膜に、２５℃、空気下で高精度平行露光機（（株）オーク製作所社製、製品名：ＥＸＭ−１１７２−Ｂ−∞）により１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行なう。その後、Ｂステージ化した接着剤を示差熱熱重量同時測定装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）社製、製品名：ＴＧ／ＤＴＡ６３００）を用いて、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、窒素フロー（４００ｍｌ／分）下で５％重量減少温度を測定する。

本実施形態の液状感光性接着剤は、高精度平行露光機を用いて露光した後、６０℃〜２００℃における最低溶融粘度が３００００Ｐａ・ｓ以下であるものが好ましい。

ここでの最低溶融粘度とは、光量１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光した後のサンプルを、粘弾性測定装置ＡＲＥＳ（レオメトリックス・サイエンティフィック・エフ・イー（株）製）を用いて測定したときの２０℃〜３００℃における溶融粘度の最低値を示す。なお、測定プレートは直径８ｍｍの平行プレート、測定条件は昇温５℃／ｍｉｎ、測定温度は２０℃〜３００℃、周波数は１Ｈｚとする。

上記最低溶融粘度は、熱圧着性の観点から１００００Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましく、薄膜形成時に熱圧着できる点で５０００Ｐａ・ｓ以下であることが更に好ましく、より低温かつ短時間で熱圧着できる点で３０００Ｐａ・ｓ以下であることが特に好ましい。上記範囲内の最低溶融粘度を有することにより、十分な低温熱圧着性を確保することができ、凹凸がある基板などに対しても良好な密着性を付与することができる。上記最低溶融粘度の下限値は特に設けないが、取り扱い性や熱時の粘着性付与等の点で１０Ｐａ・ｓ以上であることが望ましい。

本実施形態の液状感光性接着剤は、光照射によりＢステージ化され、更に加熱硬化を行なった後の５％重量減少温度が、熱履歴によってはく離を抑制する点で２６０℃以上であることが好ましく、熱履歴によるボイドを抑制する点で２８０℃以上であることがより好ましく、耐吸湿リフロー性の観点から３００℃以上であることが最も好ましい。５％重量減少温度が２６０℃未満であると、リフロー工程などの熱履歴によってはく離が生じる傾向がある。

また、本実施形態の液状感光性接着剤は、Ｂステージ化後、１４０℃で１時間、次いで１８０℃で３時間オーブンで加熱した時（加熱硬化時）のアウトガス量が、はく離を抑制できる点で１０％以下であることが好ましく、ボイドを抑制できる点で７％以下であることがより好ましく、硬化後の熱履歴によるボイドやはく離を更に抑制できる点で５％以下であることが最も好ましい。上記アウトガス量が１０％を超えると、加熱硬化時にボイドやはく離が発生する傾向がある。

ここでのアウトガス量とは以下のように測定した値である。液状感光性接着剤をシリコンウェハ上にＢステージ後の膜厚が３５μｍとなるように塗布し、得られた塗膜に、離型処理したＰＥＴフィルムを室温でハンドローラーを用いてラミネートし、高精度平行露光機により１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行なう。その後、Ｂステージ化した接着剤を示差熱熱重量同時測定装置を用いて、窒素フロー（４００ｍｌ／分）下で、昇温速度５０℃／ｍｉｎで１４０℃に昇温させ、１４０℃で１時間ホールドし、更に昇温速度５０℃／ｍｉｎで１８０℃に昇温させ、１８０℃で３時間ホールドするプログラムとした時の５％重量減少温度の値である。

本実施形態の液状感光性接着剤は、当該接着剤からなる接着剤層を被着体上に形成し、半導体素子を接着した段階での２６０℃におけるせん断接着強度が、熱履歴によってはく離を抑制する点で０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、０．５ＭＰａ以上であることがより好ましく、耐吸湿リフロー性の観点から１．０ＭＰａ以上であることが最も好ましい。また、上記せん断接着強度は５０ＭＰａ以下であることが好ましい。２６０℃におけるせん断接着強度を５０ＭＰａ以上とするためには、熱硬化成分や無機粒子を多量に配合する必要があり、塗布後の膜厚均一性や接着剤組成物の保存安定性が損なわれ、また熱硬化後の応力が増大する傾向がある。

ここでのせん断接着強度とは、液状感光性接着剤をシリコンウェハ上にスピンコート（２０００ｒｐｍ／１０ｓ、４０００ｒｐｍ／２０ｓ）によって厚さが３５μｍになるよう塗布する。得られた塗膜に、離型処理したＰＥＴフィルムをラミネートし、高精度平行露光機（オーク製作所製、「ＥＸＭ−１１７２−Ｂ−∞」（商品名））により１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行なう。その後、３×３ｍｍ角にシリコンウェハを切り出す。切り出した接着剤付きシリコンチップを予め５×５ｍｍ角に切り出したシリコンチップ上に載せ、２００ｇｆで加圧しながら、１２０℃で２秒間圧着する。その後、１４０℃、１時間、次いで１８０℃、３時間オーブンで加熱し、接着サンプルを得る。得られたサンプルについて、せん断接着力試験機「Ｄａｇｅ−４０００」（製品名）を用いて２６０℃でのせん断接着力を測定し、これをせん断接着強度の値とする。

液状感光性接着剤は、接着剤層を光照射によりＢステージ化したときに可視光透過率が１０％以上となるものであることが好ましい。可視光透過率が１０％未満であると、ウェハ圧着機での認識マーク識別が行えなくなって、位置合わせ作業ができなくなる傾向がある。また、ウェハ圧着機で使用されるハロゲン光源とライトガイドの波長相対強度において５５０ｎｍ〜６００ｎｍが最も強いことから、液状感光性接着剤は、５５５ｎｍの可視光透過率が１０〜１００％であることが好ましく、１８〜１００％であることがより好ましく、２５〜１００％であることがさらに好ましい。

以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（液状感光性接着剤Ａ−１）
表１に示す組成比（単位：質量部）で、放射線重合性化合物に、光開始剤とフラックス成分とを加え、６０℃のオイルバスを用いてかく拌、分散させ、液状感光性接着剤を得た。

（液状感光性接着剤Ｂ−１）
表２に示す組成比（単位：質量部）で、放射線重合性化合物に、エポキシ樹脂と光開始剤とを加え、６０℃のオイルバスを用いてかく拌、分散させた。得られた混合物を２５℃に戻した後、硬化促進剤及び熱ラジカル発生剤を加え、かく拌し、液状感光性接着剤を得た。

（液状感光性接着剤Ｂ−２）
表２に示す組成比（単位：質量部）で、放射線重合性化合物に、フィラー成分を加え、撹拌し分散した。得られた分散物に、エポキシ樹脂、光開始剤及びフラックス成分を加え、６０℃のオイルバスを用いてかく拌、分散させた。得られた混合物を２５℃に戻した後、硬化促進剤及び熱ラジカル発生剤を加え、かく拌し、液状感光性接着剤を得た。

（液状感光性接着剤Ｂ−３）
表２に示す組成比（単位：質量部）で、放射線重合性化合物に、エポキシ樹脂、光開始剤及びフラックス成分を加え、６０℃のオイルバスを用いてかく拌、分散させた。得られた混合物を２５℃に戻した後、硬化促進剤及び熱ラジカル発生剤を加え、かく拌し、液状感光性接着剤を得た。

（フィルム状接着剤Ａ−１１）
熱可塑性樹脂としてフェノキシ樹脂「ＦＸ２９３」２０質量部、エポキシ樹脂として「１０３２Ｈ６０」２０質量部、「ＹＬ−９８３Ｕ」１０質量部及び「ＥＸＡ−４８５０−１０００」５質量部、マイクロカプセル型硬化促進剤として「ＨＸ−３９４１ＨＰ」３０質量部、並びに、フラックス成分として「アジピン酸」５質量部を混合した混合物を、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒中に溶解して接着剤組成物のワニスを得た。得られたワニスを、支持基材としてのセパレータフィルム「Ａ−３１」（帝人デュポンフィルム（株）社製：離型ＰＥＴフィルム、厚み３８μｍ）上にロールコータを用いて塗布した後、１１０℃のオーブンで１０分間乾燥させた。こうして、支持基材上に厚み３μｍのフィルム状接着剤が形成されてなるフィルムを得た。

（フィルム状接着剤Ｂ−１１）
熱可塑性樹脂としてフェノキシ樹脂「ＦＸ２９３」２０質量部、エポキシ樹脂として「１０３２Ｈ６０」２０質量部、「ＹＬ−９８３Ｕ」１０質量部及び「ＥＸＡ−４８５０−１０００」５質量部、並びに、マイクロカプセル型硬化促進剤として「ＨＸ−３９４１ＨＰ」３０質量部を混合した混合物を、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒中に溶解して接着剤組成物のワニスを得た。得られたワニスを計量した後、ここに、フィラーとしてシリカ粒子「ＳＥ２０５０」を、ワニス８５質量部に対して７５質量部の割合で加え、さらに、有機微粒子「ＥＸＬ−２６５５」をワニス８５質量部に対して１５質量部の割合で加え、撹拌し分散した。得られた分散物を、支持基材としてのセパレータフィルム「Ａ−３１」（帝人デュポンフィルム（株）社製：離型ＰＥＴフィルム、厚み３８μｍ）上にロールコータを用いて塗布した後、１１０℃のオーブンで１０分間乾燥させた。こうして、支持基材上に厚み３５μｍのフィルム状接着剤が形成されてなるフィルムを得た。

（フィルム状接着剤Ｂ−１２）
フィルム状接着剤の厚みを３２μｍに変更したこと以外はフィルム状接着剤Ｂ−１１と同様にして、フィルムを得た。

（接着剤ワニスＢ−１３）
熱可塑性樹脂としてフェノキシ樹脂「ＦＸ２９３」２０質量部、エポキシ樹脂として「１０３２Ｈ６０」２０質量部、「ＹＬ−９８３Ｕ」１０質量部及び「ＥＸＡ−４８５０−１０００」５質量部、並びに、マイクロカプセル型硬化促進剤として「ＨＸ−３９４１ＨＰ」３０質量部を混合した混合物を、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒中に溶解して接着剤組成物のワニスを得た。得られたワニスを計量した後、ここに、フィラーとしてシリカ粒子「ＳＥ２０５０」を、ワニス８５質量部に対して７５質量部の割合で加え、さらに、有機微粒子「ＥＸＬ−２６５５」をワニス８５質量部に対して１５質量部の割合で加え、撹拌し分散した。得られた分散物を、トルエンと酢酸エチルを１対１で混合した混合溶媒を用いて、粘度が３０００ｍＰａ・ｓになるよう調整し、接着剤ワニスを得た。

表１〜４において、各記号は下記のものを意味する。
Ｍ−１４０：東亜合成（株）社製、２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチルアクリレート（イミド基含有単官能アクリレート、５％重量減少温度：２００℃、２５℃での粘度：４５０ｍＰａ・ｓ）。
ＡＭＰ−２０ＧＹ：新中村化学工業（株）社製、フェノキシジエチレングリコールアクリレート（単官能アクリレート、５％重量減少温度：１７５℃、２５℃での粘度：１６ｍＰａ・ｓ）。
Ｉ−３７９ＥＧ：チバ・ジャパン（株）社製、２−ジメチルアミノ−２−（４−メチルーベンジル）−１−（４−モルフォリン−４−イルーフェニル）−ブタンー１−オン（５％重量減少温度：２６０℃、ｉ線吸光係数：８０００ｍｌ／ｇｃｍ）。
ＥＡＢ：東京化成（株）社製、４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン。
アジピン酸：和光純薬工業（株）社製。
１０３２Ｈ６０：ジャパンエポキシレジン（株）社製、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン型固形エポキシ樹脂（エポキシ当量：１７０、５％重量減少温度：３５０℃、固形、融点６０℃）。
１Ｂ２ＰＺ：四国化成（株）社製、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール。
パークミルＤ：日油（株）社製、ジクミルパーオキサイド（１分間半減期温度：１７５℃）。
ＳＥ１０５０−ＳＰＰ：アドマテックス社（株）製、フェニルシラン表面処理シリカ（平均粒径：０．２〜０．３μｍ）。
ＦＸ−２９３：東都化成（株）社製、フルオレン骨格含有フェノキシ樹脂（エポキシ当量：１５０００、Ｍｗ：４４０００、樹脂Ｔｇ：１６３℃）。
ＹＬ−９８３Ｕ：ジャパンエポキシレジン（株）社製、Ｂｉｓ−Ｆ型液状エポキシ樹脂（エポキシ当量：１８４）。
ＥＸＡ−４８５０−１０００：ＤＩＣ（株）社製、柔軟強靭性エポキシ樹脂（エポキシ当量：３５０）。
ＨＸ−３９４１ＨＰ：旭化成ケミカルズ（株）社製、マイクロカプセル型硬化促進剤。
ＳＥ−２０５０：（株）アドマテックス社製、シリカ粒子（平均粒径０．５μｍ）。
ＥＸＬ−２６５５：ロームアンドハースジャパン（株）社製、コアシェルタイプ有機微粒子。

上記（Ａ）成分の粘度については、東京計器製造所製のＥＨＤ型回転粘度計を用い、サンプル量０．４ｍＬ、３°コーンの条件下、２５℃において測定した値である。

また、液状感光性接着剤Ｂ−１〜Ｂ−２で用いた（Ａ）成分を光照射して得られる重合体のＴｇを以下の手順で測定した。

＜（Ａ）成分の重合体のＴｇ＞
液状感光性接着剤Ｂ−１〜Ｂ−２に配合される（Ａ）成分に、Ｉ−３７９ＥＧ（チバ・ジャパン社製）を（Ａ）成分に対し３質量％となる割合で溶解させた組成物を、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に膜厚３５μｍとなるように塗布し、この塗膜に、２５℃、空気下で高精度平行露光機（オーク製作所製、製品名：ＥＸＭ−１１７２−Ｂ−∞）によって１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光した。こうして得られるフィルムを膜厚１５０μｍとなるように積層して得られた積層体について、粘弾性測定装置（レオメトリックス・サイエンティフィック・エフ・イー（株）社製、製品名：ＡＲＥＳ）を用いて−５０℃〜２００℃におけるｔａｎδピーク温度を測定し、（Ａ）成分の重合体のＴｇを求めた。なお、測定プレートは、直径８ｍｍの平行プレートを用い、測定条件は、昇温速度５℃／ｍｉｎ、測定温度−５０℃〜２００℃、周波数１Ｈｚとした。

＜接着剤層の形成＞
評価用のシリコンウェハとして、ウェハ上に銅バンプが形成され、さらにその上にハンダボールが載っている構成を有する突起電極付ウェハを用意した。具体的には、８インチサイズ（厚み：７２５μｍ）で、銅ピラー先端に鉛フリーはんだ層（Ｓｎ−３．５Ａｇ：融点２２１℃）を有する構造のバンプが形成された、日立超ＬＳＩシステムズ製、ＪＴＥＧ ＰＨＡＳＥ１１＿８０（サイズ７．３ｍｍ×７．３ｍｍ、バンプピッチ８０μｍ、銅バンプ２０μｍ、鉛フリーはんだ２０μｍ、バンプ数３２８、厚み０．５５ｍｍ、製品名）を用いた。

（実施例１）
液状感光性接着剤Ｂ−１を、上記のシリコンウェハの回路面上に膜厚が３３μｍになるようにスピンコートし、２５℃、空気下で高精度平行露光機（オーク製作所製、「ＥＸＭ−１１７２−Ｂ−∞」（製品名））により１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行なった。次に、この層上に、液状感光性接着剤Ａ−１を膜厚が２μｍになるようにスピンコートし、２５℃、空気下で高精度平行露光機（オーク製作所製、「ＥＸＭ−１１７２−Ｂ−∞」（製品名））により１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行なった。

（実施例２）
液状感光性接着剤Ｂ−２を、上記のシリコンウェハの回路面上に膜厚が３３μｍになるようにスピンコートし、２５℃、空気下で高精度平行露光機（オーク製作所製、「ＥＸＭ−１１７２−Ｂ−∞」（製品名））により１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行なった。次に、この層上に、液状感光性接着剤Ａ−１を膜厚が２μｍになるようにスピンコートし、２５℃、空気下で高精度平行露光機（オーク製作所製、「ＥＸＭ−１１７２−Ｂ−∞」（製品名））により１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行なった。

（比較例１）
フィルム状接着剤Ｂ−１１を、上記のシリコンウェハの回路面上に、真空ラミネーター（ニチゴーモートン（株）社製、製品名：Ｖ１３０）を用いて、ステージ温度４０℃、ダイヤフラム温度８０℃、脱気時間２０秒、加圧時間２０秒、加圧０．５ＭＰａの条件で貼りつけた。

（比較例２）
フィルム状接着剤Ａ−１１と、フィルム状接着剤Ｂ−１２とを５０℃にてラミネートして積層体を得た。この積層体を、上記のシリコンウェハの回路面上に、フィルム状接着剤Ｂ−１２が回路面に接するようにして、真空ラミネーター（ニチゴーモートン（株）社製、製品名：Ｖ１３０）を用いて、ステージ温度４０℃、ダイヤフラム温度８０℃、脱気時間２０秒、加圧時間２０秒、加圧０．５ＭＰａの条件で貼りつけた。

（比較例３）
接着剤ワニスＢ−１３を、上記のシリコンウェハの回路面上に、加熱乾燥後の膜厚が３５μｍになるようにスピンコートし、１１０℃のホットプレートで１０分間乾燥させた。

下記の方法にしたがって、接着剤層形成時のバンプボイド、研削後の反り、可視光透過性、バンプ頭出し性、基板接続性、及びウェハ接続性を評価した。結果を表５に示す。

（比較例４）
液状感光性接着剤Ｂ−２を、上記のシリコンウェハの回路面上に膜厚が３５μｍになるようにスピンコートし、２５℃、空気下で高精度平行露光機（オーク製作所製、「ＥＸＭ−１１７２−Ｂ−∞」（製品名））により１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行なった。

（比較例５）
液状感光性接着剤Ｂ−３を、上記のシリコンウェハの回路面上に膜厚が３５μｍになるようにスピンコートし、２５℃、空気下で高精度平行露光機（オーク製作所製、「ＥＸＭ−１１７２−Ｂ−∞」（製品名））により１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行なった。

＜接着剤層形成時のボイド＞
上記で得られた接着剤層付きシリコンウェハの接着剤層を形成した突起電極周辺のボイドについて、目視及び顕微鏡にて確認し、下記の判定基準で評価した。
Ａ：バンプ周りにボイドが無い。
Ｂ：バンプ周りに少量のボイドが存在している。

＜研削後の反り＞
６インチウエハ（厚み６２５μｍ）上へ上記と同様にして接着剤層を形成したウェハに、下記のバックグラインドテープＡを貼り、バックグラインダー（（株）ディスコ社製、製品名：ＤＢＧ８５４０）にて厚さ５０μｍまで研削した。研削後のウェハを平坦な台に置き、ウェハの一番反っている高さを計測し、下記の判定基準で評価した。
Ａ：ウェハの反りが１０ｍｍ未満であった。
Ｂ：ウェハの反りが１０ｍｍ以上であった。

（バックグラインドテープＡ）
主モノマーとして２−エチルヘキシルアクリレートとメチルメタクリレートを用い官能基モノマーとしてヒドロキシエチルアクリレートとアクリル酸を用いたアクリル共重合体を溶液重合法にて得た。この合成したアクリル共重合体の重量平均分子量は４０万、ガラス転移点は−３８℃であった。このアクリル共重合体１００質量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン工業（株）社製、製品名：コロネートＨＬ）を１０質量部配合した粘着剤溶液を調整し、ポリオレフィンフィルム（厚さ１５０μｍ）の上に乾燥時の粘着剤厚さが１０μｍになるよう塗工乾燥した。更に、シリコーン系離型剤を塗布した二軸延伸ポリエステルフィルムセパレータ（厚さ２５μｍ）を粘着剤面にラミネートした。この粘着フィルムを、室温で１週間放置し十分にエージングを行った。これをバックグラインドテープＡとして試験に使用した。

＜可視光透過性＞
ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、接着剤層付き半導体ウェハを作製したときと同様の手順で、総膜厚３５μｍの接着剤層を形成し、測定用フィルムを得た。得られた測定用フィルムをＰＥＴからはく離し、分光光度計（（株）日立ハイテクノロジーズ社製、製品名：Ｕ−３３１０）を用いて４００〜８００ｎｍの透過率を測定し、下記の判定基準で評価した。
Ａ：透過率の最大値が２０％以上。
Ｂ：透過率の最大値が２０％未満。

＜バンプ頭出し性＞
上記と同様にして得られた接着剤層付き半導体ウェハの突起電極先端のバンプの頭出し状態を顕微鏡にて観察し、下記の判定基準で評価した。
Ａ：バンプの頭出しがされており、バンプの先端が確認される。
Ｂ：バンプの頭出しが不十分で、バンプの先端を確認することができない。

＜基板接続性＞
半導体素子搭載用支持部材として、プリフラックス処理によって防錆皮膜が形成された銅配線パターンを表面に有するガラスエポキシ基板のパターン表面にＳＲ−ＡＵＳ３０８を塗布したものを準備した。

実施例１〜２及び比較例３、４では、「接着剤層形成時のボイド」の評価と同様にして接着剤層付き半導体ウェハを作製し、これをダイシングラインに従い７．３ｍｍ×７．３ｍｍにダイシングして接着剤層付き半導体チップを得た。次に、第一工程として、接続部の温度が固形フラックス剤の融点以上でかつ鉛フリーはんだの融点より低い１８０℃となるようにフリップチップボンダー（パナソニックファクトリーソリューションズ（株）社製、製品名：ＦＣＢ３）のヘッド温度を設定し（ステージ温度：４０℃）、上記半導体素子搭載用支持部材と接着剤層付き半導体チップとを、荷重２５Ｎ、１０秒間圧着した。次に、第二工程として、接続部の温度が鉛フリーはんだの融点より高い２５０℃となるようにフリップチップボンダーのヘッド温度を設定し、荷重２５Ｎ、１０秒間圧着を行い、サンプルを作製した。なお、接続部の温度は、Ｋ型熱電対を半導体チップと基板の間に挟んだものを別途作製して測定した。

比較例１及び２では、フィルム状接着剤を９ｍｍ×９ｍｍに切り出し、上記半導体素子搭載用支持部材の半導体チップが搭載される領域に８０℃／０．５ＭＰａ／５秒の条件で貼り付けた後、支持体フィルムを剥離した。フィルム状接着剤が貼り付けられた基板と、半導体チップとを、フリップチップボンダーにて、荷重２５Ｎ、温度１００℃にて５秒間圧着し、半導体チップを基板上に仮固定した。次いで、上記の第一工程及び第二工程と同様の操作を行い、サンプルを作製した。

圧着後のサンプルについて、３２８バンプのデイジーチェーン接続による導通を確認し、更にサンプルを切断して接続断面を顕微鏡にて観察し、下記の判定基準で接続性を評価した。
Ａ：導通が確認された。接続断面にフィラーのかみ込みが観察されない。
Ｂ：導通不良の箇所が存在した。接続断面にフィラーのかみ込みが観察された。

＜ウェハ接続性＞
上記と同様にして得られた接着剤層付き半導体ウェハと、他の半導体ウェハとを、ウェハ接続用プレス機を用いて、接続部の温度が鉛フリーハンダの融点より高い２５０℃となるように設定し、ウェハ接合を行った。ウェハ接合後、ダイシング工程を経て、個片化された１０個のサンプルの断面観察を観察することにより、下記の判定基準でウェハ接続性を確認した。
Ａ：接続が確認され、接続断面にフィラーのかみ込みが観察されない。
Ｂ：接続不良の箇所が存在し、接続断面にフィラーのかみ込みが観察された。

＜対基板剪断接着強度＞
上記で得られた接着剤層付きシリコンウェハと同様の接着剤層が形成されるように、液状感光性接着剤をシリコンウェハ上にスピンコート（２０００ｒｐｍ／１０ｓ、４０００ｒｐｍ／２０ｓ）によって総厚が３５μｍになるよう塗布する。得られた塗膜に、離型処理したＰＥＴフィルムをラミネートし、高精度平行露光機（オーク製作所製、「ＥＸＭ−１１７２−Ｂ−∞」（商品名））により１０００ｍＪ／ｃｍ^２で露光を行なう。その後、５×５ｍｍ角にシリコンウェハを切り出す。切り出した接着剤付きシリコンチップを有機基板（ＰＳＲ−４０００、ＳＲ−ＡＵＳ３０８、０．２ｍｍｔ）に２５０℃、０．５ＭＰａ、１０秒の条件でフリップチップボンディングし、１７５℃２時間の後硬化を加え評価サンプルを得た。その評価サンプルをせん断接着力試験機「Ｄａｇｅ−４０００」（製品名）を用いて２６５℃の熱板上で３０秒間保持した後にチップと有機基板との剪断接着強度を測定した。なお、比較例１及び２については、上記の塗膜に代えてフィルム状接着剤のラミネートを行った。
Ａ：剪断接着強度が１．０ＭＰａ以上
Ｂ：剪断接着強度が１．０ＭＰａ未満

４…粘着テープ、５…液状感光性接着剤、６，６ａ…接着剤層（最表面層）、７，７ａ…接着剤層（内層）、９…露光装置、１０，１６，５０，５２，５４，５６，５８…半導体ウェハ、１０ａ，１６ａ，５２ａ，５６ａ…半導体チップ、１２…金属バンプ、１４…はんだボール、１５…支持部材、１８…封止樹脂層（再配線層）、２０…ボックス、２１…吸着治具、３０…粘着テープ（バックグラインドテープ）、３２…グラインド装置、３４…粘着テープ（ダイシングテープ）、３６…ダイシングブレード、４４…接着剤層付き半導体素子、６０，６２…半導体ウェハ積層体、７０…半導体素子付き半導体ウェハ、８０，１００，１００，１１０，１２０…半導体装置、Ｓ１…半導体ウェハ回路面。

Claims (6)

1. 金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの前記回路面上に、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層の前記最表面層を形成するための液状感光性接着剤であって、
   （Ａ）放射線重合性化合物、（Ｂ）光開始剤、及び（Ｃ）フラックス成分、を含み、
   前記（Ａ）成分が、分子内に１つの炭素−炭素二重結合を有するイミド基含有（メタ）アクリレートを含む、液状感光性接着剤。
2. 金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの前記回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、
   前記接着剤層付き半導体ウェハの半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る工程と、
   前記接着剤層付き半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、前記接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
3. 金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの前記回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、
   前記接着剤層付き半導体ウェハの半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る工程と、
   第２の半導体ウェハと、前記接着剤層付き半導体素子とを、前記接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える、半導体素子付き半導体ウェハの製造方法。
4. 金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの前記回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設ける工程を備える、接着剤層付き半導体ウェハの製造方法。
5. 金属バンプが形成された回路面を有する第１の半導体ウェハの前記回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、
   前記接着剤層付き半導体ウェハと、第２の半導体ウェハとを、前記接着剤層付き半導体ウェハの接着剤層を挟んで圧着して半導体ウェハ積層体を得る工程と、
   前記半導体ウェハ積層体を切断して半導体素子が積層された半導体素子積層体に切り分ける工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
6. 金属バンプが形成された回路面を有する第１の半導体ウェハの前記回路面上に、２種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、２層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するＢステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、
   前記接着剤層付き半導体ウェハと、第２の半導体ウェハとを、前記接着剤層付き半導体ウェハの接着剤層を挟んで圧着して半導体ウェハ積層体を得る工程と、を備える、半導体ウェハ積層体の製造方法。

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