JP2012238704A - 半導体装置の製造方法、接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、半導体素子付き半導体ウェハの製造方法、及び半導体ウェハ積層体の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法、接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、半導体素子付き半導体ウェハの製造方法、及び半導体ウェハ積層体の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】金属バンプ12が形成された回路面を有する半導体ウェハ10の回路面上に、2種類以上の液状感光性接着剤6,7の塗布及び塗膜の光照射によって、2層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するBステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハ40を得る工程と、接着剤層付き半導体ウェハ40と、他の半導体ウエハ50とを、接着剤層付き半導体ウェハ40の接着剤層を挟んで圧着する工程と、を備える。
【選択図】図5
Description
工程2(半導体ウェハ圧着工程):接着剤層6,7が設けられた半導体ウェハ10に、別の半導体ウェハ50を位置合わせした後、ウェハ圧着機により圧着する(図5を参照)。これにより、半導体ウェハ積層体60が得られる。
工程3(バックグラインド工程):半導体ウェハ積層体の研削したい側とは反対側の面(裏面)に、剥離可能な粘着テープ(バックグラインドテープ等)30を貼り付ける。貼り付け後、半導体ウェハ積層体を粘着テープ30の反対側より研削して、半導体ウェハ積層体を所定の厚さまで薄くする(図6を参照)。
工程4(半導体ウェハ積層工程):研削により薄くした半導体ウェハ積層体の裏面に電極を出現させ、再配線工程により金属バンプを作製、再配線層上の接続部を残して封止樹脂で表面を封止して封止樹脂層(再配線層)18を設けた後、上記の工程1〜3(接着剤層形成工程/ウェハ圧着工程/バックグラインド工程)を繰り返すことにより半導体ウェハ積層体上に更に半導体ウェハを積層する(図7を参照)。
工程5(再配線及びハンダボール搭載工程):半導体ウェハ10の裏面を研削、研磨することにより電極を出現させ、当該面上に再配線工程により封止樹脂層(再配線層)18を設け、更に金属バンプ12上にハンダボール14を搭載する(図8を参照)。
工程6(ダイシング工程):半導体ウェハ積層体のハンダボールが搭載されている面とは反対側の面に粘着テープ(ダイシングテープ)34を貼り付け、ダイシングラインに沿ってダイシングを行い、半導体素子56a,52a,16aが積層された半導体素子積層体に切り分ける(図9を参照)。
工程7(ピックアップ工程):半導体素子積層体をピックアップすることで半導体装置100を得る(図10を参照)。
本実施形態においては、金属バンプ12が形成された回路面を有する半導体ウェハ10の回路面S1に第1の液状感光性接着剤を塗布し、この塗膜を露光して内層7を形成し次に、内層7の上に、フラックス成分を含む第2の液状感光性接着剤を塗布し、この塗膜を露光して最表面層6を形成する。こうして、2層構成の接着剤層が形成される。
内層7及び最表面層6とから構成される接着剤層が設けられた半導体ウェハ10に、別の半導体ウェハ50を位置合わせした後、熱により圧着する(図5の(a))。本実施形態においては、半導体ウェハ10が有する金属バンプ(電極)12と接続される突起電極(金属バンプ12及びはんだボール14)を備える半導体ウェハ50と、半導体ウェハ10とが熱圧着される。なお、半導体ウェハ50は、半導体ウェハ10と同様に接着剤層が設けられた半導体ウェハであってもよい。
半導体ウェハ積層体をバックグラインドすることで薄型化することができる。この場合、半導体ウェハ積層体の研磨する側とは反対側の面(裏面)に、剥離可能な粘着テープ(バックグラインドテープ等)30を貼り付ける(図6の(a))。貼り付け後、半導体ウェハ積層体を粘着テープ30の反対側より研磨して、半導体ウェハ積層体を所定の厚さまで薄くする(図6の(b))。研磨は、粘着テープ30によって半導体ウェハ10を研磨用の治具に固定した状態で、グラインド装置32を用いて行うことが好ましい。
研削により薄くした半導体ウェハ積層体の裏面にバンプ(電極)を作製することで、半導体ウェハ積層体に更に半導体ウェハを積層することができる。この場合、研削した半導体ウェハの裏面にバンプ12を作製し(図7の(a))、上記の工程1〜3を繰り返すことにより(図7の(b)、(c)、(d))、半導体ウェハを積層することができる。必要に応じて更に半導体ウェハの積層を増やすことも可能である。
まず、研磨後の半導体ウェハ積層体からバックグラインドテープ30を剥離し、剥がした面と反対の側に再度バックグラインドテープ30をラミネートする。その後、図8の(a)に示されるように、ウェハに隠れている電極が出現するようにバックグラインドすることにより裏面回路を出現させる。
半導体ウェハ積層体のハンダボールが搭載されている面とは反対側の面に粘着テープ(ダイシングテープ)34を貼り付ける(図9の(a))。ダイシングラインに沿ってダイシングを行い、半導体素子56a,52a,16aが積層された半導体素子積層体に切り分ける(図9の(b))。ダイシングは、粘着テープ(ダイシングテープ)34によって全体をフレーム(ウェハリング)に固定した状態でダイシングブレード36を用いて行うことができる。
切り分けられた半導体素子積層体をピックアップすることで半導体装置100を得る(図10)。
工程1(接着剤層形成工程):金属バンプ12が形成された半導体ウェハ10の回路面S1に液状感光性接着剤5を複数回塗布し、これら塗膜(感光性接着剤層)に対して露光を行い、2層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するBステージ化された接着剤層を形成する。(図1〜4を参照)。これにより接着剤層付き半導体ウェハ42が得られる(図4(b)を参照)。
工程2(バックグラインドテープ積層工程):接着剤層上にはく離可能な粘着テープ(バックグラインドテープ)30を積層する(図11を参照)。
工程3(バックグラインド工程):半導体ウェハ10を回路面S1とは反対側の面(裏面)S2から研磨して半導体ウェハ10を薄くする(図12を参照)。
工程4(ダイシングテープ積層工程):半導体ウェハ10の回路面S1とは反対側の面(裏面)上にはく離可能な粘着テープ(ダイシングテープ)34を積層する。
工程5(はく離工程):はく離可能な粘着テープ30をはく離する(図13を参照)。
工程6(ダイシング工程):半導体ウェハ10をダイシングにより複数の半導体チップ(半導体素子)10aに切り分ける(図14を参照)。これにより、接着剤層付き半導体素子44が得られる。
工程7(圧着工程):ピックアップした接着剤層付き半導体素子44を半導体装置用の支持部材(半導体素子搭載用支持部材)15に圧着(マウント)する。
工程9(圧着工程):得られた積層体を封止材(図示せず)によって封止して、半導体装置110を得る。
Bステージ化工程後に半導体ウェハをバックグラインドすることで薄型化することができる。すなわち、半導体ウェハの回路面とは反対側の面(裏面)から研磨して半導体ウェハを薄くしてもよい。この場合、接着剤層上にはく離可能な粘着テープ(バックグラインドテープ等)30を積層する。この粘着テープ30は、基材31と粘着層32とを有している。この粘着テープの代わりに、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリウレタンなどの柔軟基材を用いることもできる。はく離可能な粘着テープを積層する方法としては、例えば、予めフィルム状に成形されたフィルムをラミネートする方法により行なうことができる。
半導体ウェハ10の回路面S1とは反対側の面(裏面)上にはく離可能な粘着テープ(ダイシングテープ)34を積層する。はく離可能な粘着テープ34は、予めフィルム状に成形された粘着テープをラミネートする方法により貼り付けることができる。
ダイシングの後、切り分けられた半導体チップ10aを、ダイボンド装置によって接着剤層とともにピックアップ、すなわち接着剤層付き半導体チップ44をピックアップする。そして、接着剤層付き半導体素子44を、金属バンプ又は電極パッド16を有する半導体装置用の支持部材(半導体素子搭載用支持部材)15に圧着(マウント)する。このように、接着剤層付き半導体チップと支持部材とを、接着剤層付き半導体チップの接着剤層を挟んで圧着することで、半導体チップと支持部材との接着及び導通が可能となる。また、このとき接着剤層の最表面層によって金属接合性が向上する。
半導体チップ10aを含む積層体を封止材によって封止することにより、半導体装置110が得られる。
式中、R51及びR52はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜7のアルキル基、又は芳香族系炭化水素基を含む有機基を示し、R53及びR54及びR55は、炭素数1〜7のアルキル基、又は芳香族系炭化水素基を含む有機基を示し、R56及びR57は、芳香族系炭化水素基を含む有機基を示す。
表1に示す組成比(単位:質量部)で、放射線重合性化合物に、光開始剤とフラックス成分とを加え、60℃のオイルバスを用いてかく拌、分散させ、液状感光性接着剤を得た。
表2に示す組成比(単位:質量部)で、放射線重合性化合物に、エポキシ樹脂と光開始剤とを加え、60℃のオイルバスを用いてかく拌、分散させた。得られた混合物を25℃に戻した後、硬化促進剤及び熱ラジカル発生剤を加え、かく拌し、液状感光性接着剤を得た。
表2に示す組成比(単位:質量部)で、放射線重合性化合物に、フィラー成分を加え、撹拌し分散した。得られた分散物に、エポキシ樹脂、光開始剤及びフラックス成分を加え、60℃のオイルバスを用いてかく拌、分散させた。得られた混合物を25℃に戻した後、硬化促進剤及び熱ラジカル発生剤を加え、かく拌し、液状感光性接着剤を得た。
表2に示す組成比(単位:質量部)で、放射線重合性化合物に、エポキシ樹脂、光開始剤及びフラックス成分を加え、60℃のオイルバスを用いてかく拌、分散させた。得られた混合物を25℃に戻した後、硬化促進剤及び熱ラジカル発生剤を加え、かく拌し、液状感光性接着剤を得た。
熱可塑性樹脂としてフェノキシ樹脂「FX293」20質量部、エポキシ樹脂として「1032H60」20質量部、「YL−983U」10質量部及び「EXA−4850−1000」5質量部、マイクロカプセル型硬化促進剤として「HX−3941HP」30質量部、並びに、フラックス成分として「アジピン酸」5質量部を混合した混合物を、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒中に溶解して接着剤組成物のワニスを得た。得られたワニスを、支持基材としてのセパレータフィルム「A−31」(帝人デュポンフィルム(株)社製:離型PETフィルム、厚み38μm)上にロールコータを用いて塗布した後、110℃のオーブンで10分間乾燥させた。こうして、支持基材上に厚み3μmのフィルム状接着剤が形成されてなるフィルムを得た。
熱可塑性樹脂としてフェノキシ樹脂「FX293」20質量部、エポキシ樹脂として「1032H60」20質量部、「YL−983U」10質量部及び「EXA−4850−1000」5質量部、並びに、マイクロカプセル型硬化促進剤として「HX−3941HP」30質量部を混合した混合物を、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒中に溶解して接着剤組成物のワニスを得た。得られたワニスを計量した後、ここに、フィラーとしてシリカ粒子「SE2050」を、ワニス85質量部に対して75質量部の割合で加え、さらに、有機微粒子「EXL−2655」をワニス85質量部に対して15質量部の割合で加え、撹拌し分散した。得られた分散物を、支持基材としてのセパレータフィルム「A−31」(帝人デュポンフィルム(株)社製:離型PETフィルム、厚み38μm)上にロールコータを用いて塗布した後、110℃のオーブンで10分間乾燥させた。こうして、支持基材上に厚み35μmのフィルム状接着剤が形成されてなるフィルムを得た。
フィルム状接着剤の厚みを32μmに変更したこと以外はフィルム状接着剤B−11と同様にして、フィルムを得た。
熱可塑性樹脂としてフェノキシ樹脂「FX293」20質量部、エポキシ樹脂として「1032H60」20質量部、「YL−983U」10質量部及び「EXA−4850−1000」5質量部、並びに、マイクロカプセル型硬化促進剤として「HX−3941HP」30質量部を混合した混合物を、トルエンと酢酸エチルの混合溶媒中に溶解して接着剤組成物のワニスを得た。得られたワニスを計量した後、ここに、フィラーとしてシリカ粒子「SE2050」を、ワニス85質量部に対して75質量部の割合で加え、さらに、有機微粒子「EXL−2655」をワニス85質量部に対して15質量部の割合で加え、撹拌し分散した。得られた分散物を、トルエンと酢酸エチルを1対1で混合した混合溶媒を用いて、粘度が3000mPa・sになるよう調整し、接着剤ワニスを得た。
M−140:東亜合成(株)社製、2−(1,2−シクロヘキサカルボキシイミド)エチルアクリレート(イミド基含有単官能アクリレート、5%重量減少温度:200℃、25℃での粘度:450mPa・s)。
AMP−20GY:新中村化学工業(株)社製、フェノキシジエチレングリコールアクリレート(単官能アクリレート、5%重量減少温度:175℃、25℃での粘度:16mPa・s)。
I−379EG:チバ・ジャパン(株)社製、2−ジメチルアミノ−2−(4−メチルーベンジル)−1−(4−モルフォリン−4−イルーフェニル)−ブタンー1−オン(5%重量減少温度:260℃、i線吸光係数:8000ml/gcm)。
EAB:東京化成(株)社製、4,4’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン。
アジピン酸:和光純薬工業(株)社製。
1032H60:ジャパンエポキシレジン(株)社製、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン型固形エポキシ樹脂(エポキシ当量:170、5%重量減少温度:350℃、固形、融点60℃)。
1B2PZ:四国化成(株)社製、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール。
パークミルD:日油(株)社製、ジクミルパーオキサイド(1分間半減期温度:175℃)。
SE1050−SPP:アドマテックス社(株)製、フェニルシラン表面処理シリカ(平均粒径:0.2〜0.3μm)。
FX−293:東都化成(株)社製、フルオレン骨格含有フェノキシ樹脂(エポキシ当量:15000、Mw:44000、樹脂Tg:163℃)。
YL−983U:ジャパンエポキシレジン(株)社製、Bis−F型液状エポキシ樹脂(エポキシ当量:184)。
EXA−4850−1000:DIC(株)社製、柔軟強靭性エポキシ樹脂(エポキシ当量:350)。
HX−3941HP:旭化成ケミカルズ(株)社製、マイクロカプセル型硬化促進剤。
SE−2050:(株)アドマテックス社製、シリカ粒子(平均粒径0.5μm)。
EXL−2655:ロームアンドハースジャパン(株)社製、コアシェルタイプ有機微粒子。
液状感光性接着剤B−1〜B−2に配合される(A)成分に、I−379EG(チバ・ジャパン社製)を(A)成分に対し3質量%となる割合で溶解させた組成物を、PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に膜厚35μmとなるように塗布し、この塗膜に、25℃、空気下で高精度平行露光機(オーク製作所製、製品名:EXM−1172−B−∞)によって1000mJ/cm2で露光した。こうして得られるフィルムを膜厚150μmとなるように積層して得られた積層体について、粘弾性測定装置(レオメトリックス・サイエンティフィック・エフ・イー(株)社製、製品名:ARES)を用いて−50℃〜200℃におけるtanδピーク温度を測定し、(A)成分の重合体のTgを求めた。なお、測定プレートは、直径8mmの平行プレートを用い、測定条件は、昇温速度5℃/min、測定温度−50℃〜200℃、周波数1Hzとした。
評価用のシリコンウェハとして、ウェハ上に銅バンプが形成され、さらにその上にハンダボールが載っている構成を有する突起電極付ウェハを用意した。具体的には、8インチサイズ(厚み:725μm)で、銅ピラー先端に鉛フリーはんだ層(Sn−3.5Ag:融点221℃)を有する構造のバンプが形成された、日立超LSIシステムズ製、JTEG PHASE11_80(サイズ7.3mm×7.3mm、バンプピッチ80μm、銅バンプ20μm、鉛フリーはんだ20μm、バンプ数328、厚み0.55mm、製品名)を用いた。
液状感光性接着剤B−1を、上記のシリコンウェハの回路面上に膜厚が33μmになるようにスピンコートし、25℃、空気下で高精度平行露光機(オーク製作所製、「EXM−1172−B−∞」(製品名))により1000mJ/cm2で露光を行なった。次に、この層上に、液状感光性接着剤A−1を膜厚が2μmになるようにスピンコートし、25℃、空気下で高精度平行露光機(オーク製作所製、「EXM−1172−B−∞」(製品名))により1000mJ/cm2で露光を行なった。
液状感光性接着剤B−2を、上記のシリコンウェハの回路面上に膜厚が33μmになるようにスピンコートし、25℃、空気下で高精度平行露光機(オーク製作所製、「EXM−1172−B−∞」(製品名))により1000mJ/cm2で露光を行なった。次に、この層上に、液状感光性接着剤A−1を膜厚が2μmになるようにスピンコートし、25℃、空気下で高精度平行露光機(オーク製作所製、「EXM−1172−B−∞」(製品名))により1000mJ/cm2で露光を行なった。
フィルム状接着剤B−11を、上記のシリコンウェハの回路面上に、真空ラミネーター(ニチゴーモートン(株)社製、製品名:V130)を用いて、ステージ温度40℃、ダイヤフラム温度80℃、脱気時間20秒、加圧時間20秒、加圧0.5MPaの条件で貼りつけた。
フィルム状接着剤A−11と、フィルム状接着剤B−12とを50℃にてラミネートして積層体を得た。この積層体を、上記のシリコンウェハの回路面上に、フィルム状接着剤B−12が回路面に接するようにして、真空ラミネーター(ニチゴーモートン(株)社製、製品名:V130)を用いて、ステージ温度40℃、ダイヤフラム温度80℃、脱気時間20秒、加圧時間20秒、加圧0.5MPaの条件で貼りつけた。
接着剤ワニスB−13を、上記のシリコンウェハの回路面上に、加熱乾燥後の膜厚が35μmになるようにスピンコートし、110℃のホットプレートで10分間乾燥させた。
液状感光性接着剤B−2を、上記のシリコンウェハの回路面上に膜厚が35μmになるようにスピンコートし、25℃、空気下で高精度平行露光機(オーク製作所製、「EXM−1172−B−∞」(製品名))により1000mJ/cm2で露光を行なった。
液状感光性接着剤B−3を、上記のシリコンウェハの回路面上に膜厚が35μmになるようにスピンコートし、25℃、空気下で高精度平行露光機(オーク製作所製、「EXM−1172−B−∞」(製品名))により1000mJ/cm2で露光を行なった。
上記で得られた接着剤層付きシリコンウェハの接着剤層を形成した突起電極周辺のボイドについて、目視及び顕微鏡にて確認し、下記の判定基準で評価した。
A:バンプ周りにボイドが無い。
B:バンプ周りに少量のボイドが存在している。
6インチウエハ(厚み625μm)上へ上記と同様にして接着剤層を形成したウェハに、下記のバックグラインドテープAを貼り、バックグラインダー((株)ディスコ社製、製品名:DBG8540)にて厚さ50μmまで研削した。研削後のウェハを平坦な台に置き、ウェハの一番反っている高さを計測し、下記の判定基準で評価した。
A:ウェハの反りが10mm未満であった。
B:ウェハの反りが10mm以上であった。
主モノマーとして2−エチルヘキシルアクリレートとメチルメタクリレートを用い官能基モノマーとしてヒドロキシエチルアクリレートとアクリル酸を用いたアクリル共重合体を溶液重合法にて得た。この合成したアクリル共重合体の重量平均分子量は40万、ガラス転移点は−38℃であった。このアクリル共重合体100質量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤(日本ポリウレタン工業(株)社製、製品名:コロネートHL)を10質量部配合した粘着剤溶液を調整し、ポリオレフィンフィルム(厚さ150μm)の上に乾燥時の粘着剤厚さが10μmになるよう塗工乾燥した。更に、シリコーン系離型剤を塗布した二軸延伸ポリエステルフィルムセパレータ(厚さ25μm)を粘着剤面にラミネートした。この粘着フィルムを、室温で1週間放置し十分にエージングを行った。これをバックグラインドテープAとして試験に使用した。
PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に、接着剤層付き半導体ウェハを作製したときと同様の手順で、総膜厚35μmの接着剤層を形成し、測定用フィルムを得た。得られた測定用フィルムをPETからはく離し、分光光度計((株)日立ハイテクノロジーズ社製、製品名:U−3310)を用いて400〜800nmの透過率を測定し、下記の判定基準で評価した。
A:透過率の最大値が20%以上。
B:透過率の最大値が20%未満。
上記と同様にして得られた接着剤層付き半導体ウェハの突起電極先端のバンプの頭出し状態を顕微鏡にて観察し、下記の判定基準で評価した。
A:バンプの頭出しがされており、バンプの先端が確認される。
B:バンプの頭出しが不十分で、バンプの先端を確認することができない。
半導体素子搭載用支持部材として、プリフラックス処理によって防錆皮膜が形成された銅配線パターンを表面に有するガラスエポキシ基板のパターン表面にSR−AUS308を塗布したものを準備した。
A:導通が確認された。接続断面にフィラーのかみ込みが観察されない。
B:導通不良の箇所が存在した。接続断面にフィラーのかみ込みが観察された。
上記と同様にして得られた接着剤層付き半導体ウェハと、他の半導体ウェハとを、ウェハ接続用プレス機を用いて、接続部の温度が鉛フリーハンダの融点より高い250℃となるように設定し、ウェハ接合を行った。ウェハ接合後、ダイシング工程を経て、個片化された10個のサンプルの断面観察を観察することにより、下記の判定基準でウェハ接続性を確認した。
A:接続が確認され、接続断面にフィラーのかみ込みが観察されない。
B:接続不良の箇所が存在し、接続断面にフィラーのかみ込みが観察された。
上記で得られた接着剤層付きシリコンウェハと同様の接着剤層が形成されるように、液状感光性接着剤をシリコンウェハ上にスピンコート(2000rpm/10s、4000rpm/20s)によって総厚が35μmになるよう塗布する。得られた塗膜に、離型処理したPETフィルムをラミネートし、高精度平行露光機(オーク製作所製、「EXM−1172−B−∞」(商品名))により1000mJ/cm2で露光を行なう。その後、5×5mm角にシリコンウェハを切り出す。切り出した接着剤付きシリコンチップを有機基板(PSR−4000、SR−AUS308、0.2mmt)に250℃、0.5MPa、10秒の条件でフリップチップボンディングし、175℃2時間の後硬化を加え評価サンプルを得た。その評価サンプルをせん断接着力試験機「Dage−4000」(製品名)を用いて265℃の熱板上で30秒間保持した後にチップと有機基板との剪断接着強度を測定した。なお、比較例1及び2については、上記の塗膜に代えてフィルム状接着剤のラミネートを行った。
A:剪断接着強度が1.0MPa以上
B:剪断接着強度が1.0MPa未満
Claims (40)
- 金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの前記回路面上に、2種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、2層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するBステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、
前記接着剤層付き半導体ウェハの半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る工程と、
前記接着剤層付き半導体素子と、他の半導体素子又は半導体素子搭載用支持部材とを、前記接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。 - 前記最表面層を形成する液状感光性接着剤が、(A)放射線重合性化合物、(B)光開始剤、及び(C)フラックス成分、を含み、
前記(A)成分が、25℃で液状であり且つ分子内に1つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含む、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記Bステージ化された接着剤層が前記最表面層と内層とからなり、
前記内層を形成する液状感光性接着剤が、(A)放射線重合性化合物、(B)光開始剤、及び(D)熱硬化性樹脂、を含み、
前記(A)成分が、25℃で液状であり且つ分子内に1つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含む、請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記2種類以上の液状感光性接着剤は、溶剤含有量が5質量%以下である又は溶剤を含んでいない、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記2種類以上の液状感光性接着剤の25℃での粘度が10〜30000mPa・sである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Bステージ化された接着剤層の25℃でのタック強度が200gf以下である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- スピンコート法により前記2種類以上の液状感光性接着剤を塗布する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法により得られる、半導体装置。
- 金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの前記回路面上に、2種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、2層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するBステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、
前記接着剤層付き半導体ウェハの半導体ウェハを接着剤層とともに切断して複数の半導体素子に切り分けて接着剤層付き半導体素子を得る工程と、
第2の半導体ウェハと、前記接着剤層付き半導体素子とを、前記接着剤層付き半導体素子の接着剤層を挟んで圧着する工程と、
を備える、半導体素子付き半導体ウェハの製造方法。 - 前記最表面層を形成する液状感光性接着剤が、(A)放射線重合性化合物、(B)光開始剤、及び(C)フラックス成分、を含み、
前記(A)成分が、25℃で液状であり且つ分子内に1つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含む、請求項9に記載の半導体素子付き半導体ウェハの製造方法。 - 前記Bステージ化された接着剤層が前記最表面層と内層とからなり、
前記内層を形成する液状感光性接着剤が、(A)放射線重合性化合物、(B)光開始剤、及び(D)熱硬化性樹脂、を含み、
前記(A)成分が、25℃で液状であり且つ分子内に1つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含む、請求項9又は10に記載の半導体素子付き半導体ウェハの製造方法。 - 前記2種類以上の液状感光性接着剤は、溶剤含有量が5質量%以下である又は溶剤を含んでいない、請求項9〜11のいずれか一項に記載の半導体素子付き半導体ウェハの製造方法。
- 前記2種類以上の液状感光性接着剤の25℃での粘度が10〜30000mPa・sである、請求項9〜12のいずれか一項に記載の半導体素子付き半導体ウェハの製造方法。
- 前記Bステージ化された接着剤層の25℃でのタック強度が200gf以下である、請求項9〜13のいずれか一項に記載の半導体素子付き半導体ウェハの製造方法。
- スピンコート法により前記2種類以上の液状感光性接着剤を塗布する、請求項9〜14のいずれか一項に記載の半導体素子付き半導体ウェハの製造方法。
- 請求項9〜15のいずれか一項に記載の方法により得られる、半導体素子付き半導体ウェハの製造方法。
- 金属バンプが形成された回路面を有する半導体ウェハの前記回路面上に、2種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、2層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するBステージ化された接着剤層を設ける工程を備える、接着剤層付き半導体ウェハの製造方法。
- 前記最表面層を形成する液状感光性接着剤が、(A)放射線重合性化合物、(B)光開始剤、及び(C)フラックス成分、を含み、
前記(A)成分が、25℃で液状であり且つ分子内に1つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含む、請求項17に記載の接着剤層付き半導体ウェハの製造方法。 - 前記Bステージ化された接着剤層が前記最表面層と内層とからなり、
前記内層を形成する液状感光性接着剤が、(A)放射線重合性化合物、(B)光開始剤、及び(D)熱硬化性樹脂、を含み、
前記(A)成分が、25℃で液状であり且つ分子内に1つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含む、請求項17又は18に記載の接着剤層付き半導体ウェハの製造方法。 - 前記2種類以上の液状感光性接着剤は、溶剤含有量が5質量%以下である又は溶剤を含んでいない、請求項17〜19のいずれか一項に記載の接着剤層付き半導体ウェハの製造方法。
- 前記2種類以上の液状感光性接着剤の25℃での粘度が10〜30000mPa・sである、請求項17〜20のいずれか一項に記載の接着剤層付き半導体ウェハの製造方法。
- 前記Bステージ化された接着剤層の25℃でのタック強度が200gf以下である、請求項17〜21のいずれか一項に記載の接着剤層付き半導体ウェハの製造方法。
- スピンコート法により前記2種類以上の液状感光性接着剤を塗布する、請求項17〜22のいずれか一項に記載の接着剤層付き半導体ウェハの製造方法。
- 請求項17〜22のいずれか一項に記載の方法により得られる、接着剤層付き半導体ウェハ。
- 金属バンプが形成された回路面を有する第1の半導体ウェハの前記回路面上に、2種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、2層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するBステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、
前記接着剤層付き半導体ウェハと、第2の半導体ウェハとを、前記接着剤層付き半導体ウェハの接着剤層を挟んで圧着して半導体ウェハ積層体を得る工程と、
前記半導体ウェハ積層体を切断して半導体素子が積層された半導体素子積層体に切り分ける工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。 - 前記最表面層を形成する液状感光性接着剤が、(A)放射線重合性化合物、(B)光開始剤、及び(C)フラックス成分、を含み、
前記(A)成分が、25℃で液状であり且つ分子内に1つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含む、請求項25に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記Bステージ化された接着剤層が前記最表面層と内層とからなり、
前記内層を形成する液状感光性接着剤が、(A)放射線重合性化合物、(B)光開始剤、及び(D)熱硬化性樹脂、を含み、
前記(A)成分が、25℃で液状であり且つ分子内に1つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含む、請求項25又は26に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記2種類以上の液状感光性接着剤は、溶剤含有量が5質量%以下である又は溶剤を含んでいない、請求項25〜27のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記2種類以上の液状感光性接着剤の25℃での粘度が10〜30000mPa・sである、請求項25〜28のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Bステージ化された接着剤層の25℃でのタック強度が200gf以下である、請求項25〜29のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- スピンコート法により前記2種類以上の液状感光性接着剤を塗布する、請求項25〜30のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項25〜31のいずれか一項に記載の方法により得られる、半導体装置。
- 金属バンプが形成された回路面を有する第1の半導体ウェハの前記回路面上に、2種類以上の液状感光性接着剤の塗布及び塗膜の光照射によって、2層以上の構造を有し最表面層がフラックス成分を含有するBステージ化された接着剤層を設けて接着剤層付き半導体ウェハを得る工程と、
前記接着剤層付き半導体ウェハと、第2の半導体ウェハとを、前記接着剤層付き半導体ウェハの接着剤層を挟んで圧着して半導体ウェハ積層体を得る工程と、
を備える、半導体ウェハ積層体の製造方法。 - 前記最表面層を形成する液状感光性接着剤が、(A)放射線重合性化合物、(B)光開始剤、及び(C)フラックス成分、を含み、
前記(A)成分が、25℃で液状であり且つ分子内に1つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含む、請求項33に記載の半導体ウェハ積層体の製造方法。 - 前記Bステージ化された接着剤層が前記最表面層と内層とからなり、
前記内層を形成する液状感光性接着剤が、(A)放射線重合性化合物、(B)光開始剤、及び(D)熱硬化性樹脂、を含み、
前記(A)成分が、25℃で液状であり且つ分子内に1つの炭素−炭素二重結合を有する化合物を含む、請求項33又は34に記載の半導体ウェハ積層体の製造方法。 - 前記2種類以上の液状感光性接着剤は、溶剤含有量が5質量%以下である又は溶剤を含んでいない、請求項33〜35のいずれか一項に記載の半導体ウェハ積層体の製造方法。
- 前記2種類以上の液状感光性接着剤の25℃での粘度が10〜30000mPa・sである、請求項33〜36のいずれか一項に記載の半導体ウェハ積層体の製造方法。
- 前記Bステージ化された接着剤層の25℃でのタック強度が200gf以下である、請求項33〜37のいずれか一項に記載の半導体ウェハ積層体の製造方法。
- スピンコート法により前記2種類以上の液状感光性接着剤を塗布する、請求項33〜38のいずれか一項に記載の半導体ウェハ積層体の製造方法。
- 請求項33〜39のいずれか一項に記載の方法により得られる、半導体ウェハ積層体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011106342A JP2012238704A (ja) | 2011-05-11 | 2011-05-11 | 半導体装置の製造方法、接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、半導体素子付き半導体ウェハの製造方法、及び半導体ウェハ積層体の製造方法 |
TW101116925A TW201250873A (en) | 2011-05-11 | 2012-05-11 | Manufacturing method of semiconductor apparatus, manufacturing method of semiconductor wafer with semiconductor device, manufacturing method of semiconductor wafer with adhesive layer and manufacturing method of semiconductor wafer laminate |
PCT/JP2012/062169 WO2012153846A1 (ja) | 2011-05-11 | 2012-05-11 | 半導体装置の製造方法、半導体素子付き半導体ウェハの製造方法、接着剤層付き半導体ウェハの製造方法及び半導体ウェハ積層体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011106342A JP2012238704A (ja) | 2011-05-11 | 2011-05-11 | 半導体装置の製造方法、接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、半導体素子付き半導体ウェハの製造方法、及び半導体ウェハ積層体の製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015172976A Division JP2016042581A (ja) | 2015-09-02 | 2015-09-02 | 液状感光性接着剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012238704A true JP2012238704A (ja) | 2012-12-06 |
Family
ID=47461365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011106342A Pending JP2012238704A (ja) | 2011-05-11 | 2011-05-11 | 半導体装置の製造方法、接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、半導体素子付き半導体ウェハの製造方法、及び半導体ウェハ積層体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2012238704A (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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