WO2009102033A1 - エピタキシャル成長用基板、ＧａＮ系半導体膜の製造方法、ＧａＮ系半導体膜、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法およびＧａＮ系半導体発光素子 - Google Patents

エピタキシャル成長用基板、ＧａＮ系半導体膜の製造方法、ＧａＮ系半導体膜、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法およびＧａＮ系半導体発光素子 Download PDF

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gan
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growth
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Hiroaki Okagawa
Hiromitsu Kudo
Teruhisa Nakai
Seong-Jin Kim
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Mitsubishi Chemical Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to an epitaxial growth substrate suitable for manufacturing a GaN-based semiconductor film made of a c-axis-oriented GaN-based semiconductor crystal, and more particularly to an epitaxial growth substrate having an uneven surface for epitaxial growth.
  • the present invention also relates to a method for manufacturing a GaN-based semiconductor film using such a substrate for epitaxial growth, a GaN-based semiconductor film obtained thereby, and a method for manufacturing a GaN-based semiconductor light emitting device using the GaN-based semiconductor film.
  • the present invention also relates to a GaN-based semiconductor light emitting device including the above epitaxial growth substrate.
  • a GaN-based semiconductor is a compound semiconductor represented by the general formula Al a In b Ga 1-ab N (0 ⁇ a ⁇ 1, 0 ⁇ b ⁇ 1, 0 ⁇ a + b ⁇ 1), and is a group III nitride It is also called a semiconductor or a nitride semiconductor.
  • GaN-based semiconductor light-emitting elements such as LEDs (light-emitting diodes) and LDs (laser diodes), in which a pn-junction light-emitting element structure made of a GaN-based semiconductor is formed on a substrate, have been put into practical use. It is becoming popular as a light source for devices.
  • a GaN single crystal substrate is mainly used for manufacturing LD, while a sapphire single crystal substrate is mainly used for manufacturing LEDs.
  • a GaN-based semiconductor crystal having various orientations can be epitaxially grown on a single-crystal substrate made of GaN or sapphire, but the GaN-based semiconductor light-emitting device currently in practical use uses c-axis aligned GaN.
  • the sapphire single crystal substrate includes a c-plane substrate, an a-plane substrate, and an r-plane substrate, and the c-plane substrate is suitable for manufacturing a c-axis oriented GaN-based semiconductor crystal.
  • a substrate called a c-plane substrate includes a substrate having a surface slightly inclined from the c-plane (a substrate with a so-called off angle), which is common among those skilled in the art today. It is recognized (the same applies to a-plane substrates, r-plane substrates, etc.).
  • a GaN-based semiconductor crystal epitaxially grown on a c-plane sapphire substrate contains dislocation defects due to lattice mismatch at a high density.
  • an epitaxial growth technology (LEPS) that generates a lateral growth mode of a GaN-based semiconductor crystal by processing the substrate surface by etching or the like to form an uneven surface.
  • LPS epitaxial growth technology
  • Patent Document 1 Has been developed (Patent Document 1, Patent Document 2).
  • a GaN-based semiconductor light-emitting device is formed using a sapphire substrate with an uneven surface for growing a semiconductor crystal (hereinafter also referred to as “Patterned Sapphire Substrate”), the effect of reducing dislocation defects can be reduced. Apart from that, it has been found that the effect of increasing the light extraction efficiency can be obtained (Patent Document 3).
  • GaN-based semiconductor light-emitting elements are required to be further improved in luminous efficiency as their applications are expanded. This is no exception in general-purpose products using inexpensive substrates such as sapphire single crystal substrates and silicon single crystal substrates.
  • it is necessary to lower the density of crystal defects contained in the GaN-based semiconductor crystal constituting the light-emitting element, particularly the GaN-based semiconductor crystal constituting the light-emitting portion. It is also important to make the light generated inside the light emitting element extracted more efficiently outside the element, that is, to increase the light extraction efficiency.
  • the present invention has been made under such a background, and its main object is to provide a substrate for epitaxial growth provided with a novel concavo-convex surface pattern that can contribute to the improvement of the light emission efficiency of a GaN-based semiconductor light-emitting device. That is.
  • the growth in the c-axis direction is moderately dominant over the growth in the direction perpendicular to the c-axis (lateral growth).
  • an infinite number of fine three-dimensional crystals having inclined side surfaces (facets) such as the ⁇ 1-101> plane are formed on the surface of the substrate in the initial stage of growth. As these three-dimensional crystals grow further, the three-dimensional crystals eventually meet and coalesce. At this time, a change in the growth mode occurs, and the crystal growth surface becomes two-dimensional (flattened).
  • an epitaxial growth substrate having the following configuration is provided: A single crystal part made of a material different from a GaN-based semiconductor is provided in at least the surface layer part, As a surface for epitaxial growth, a plurality of projections arranged so that each has three other nearest projections in different directions by 120 degrees, and a plurality of growth spaces each surrounded by the six projections And an uneven surface consisting of The single crystal portion is exposed at least in the growth space, whereby a c-axis oriented GaN-based semiconductor crystal can be grown from the growth space. Epitaxial growth substrate.
  • the first feature of the substrate for epitaxial growth according to the present invention is that a growth space (corresponding to the bottom surface of the recess) surrounded by six protrusions is provided on the surface for epitaxial growth, and a c-axis oriented GaN system is formed from this space.
  • the semiconductor crystal can be grown. Since the protrusions are two-dimensionally arranged so that each has three other closest protrusions in different directions by 120 degrees, the shape of the growth space is a regular hexagon or a shape close thereto. Therefore, when a GaN-based semiconductor crystal is grown on this substrate under growth conditions in which growth in the c-axis direction is moderately dominant over lateral growth, hexagonal pyramids that fit the size of the growth space are formed in each of the growth spaces.
  • a hexagonal frustum-shaped three-dimensional crystal is formed. Since the crystal having such a shape has a large ratio of the area of the side surface to the volume, a high dislocation reduction effect occurs when the crystal growth surface becomes two-dimensional. This is because the direction of propagation is changed along with this change in growth mode because it is a dislocation line that reaches the side surface in the process of forming a three-dimensional crystal.
  • the second feature of the substrate for epitaxial growth according to the present invention is that the concavo-convex pattern on the surface for epitaxial growth is determined so that the growth spaces are closely packed.
  • the density of the hexagonal pyramid or hexagonal frustum-shaped crystal formed on the surface for epitaxial growth is maximized when the above growth conditions are used, and this occurs when the crystal growth surface becomes two-dimensional.
  • the dislocation reduction effect is also maximized.
  • the single crystal part can also be exposed on the convex part so that epitaxial growth is allowed also on the convex part, but the GaN-based semiconductor crystal is spontaneous because the shape of the crystal can be limited on the convex part. It tends to exhibit a pyramidal shape or a truncated pyramid shape that is stable in terms of energy.
  • the growth space surrounded by the six convex portions is arranged in the most dense manner, and this is a step that is a boundary between the concave portion and the convex portion on the epitaxial growth surface. It is also to maximize the density. Since light scattering and irregular reflection occur at the level difference, the GaN-based semiconductor light-emitting element including the epitaxial growth substrate has excellent light extraction efficiency.
  • a preferable shape of the growth space is a regular hexagon. This is because, when a c-axis oriented GaN-based semiconductor crystal is three-dimensionally grown, a shape that is easy to take as an energy stable shape is a hexagonal pyramid shape or a hexagonal frustum shape. If the growth space is a regular hexagon, the hexagonal pyramid or hexagonal frustum-shaped GaN-based semiconductor crystal that fits the shape of this growth space is stably formed. Become. Therefore, the dislocation reduction effect by the above mechanism lasts the longest. When the shape of the growth space is a regular hexagon, the pattern formed by the projection and the growth space when the substrate surface is viewed in plan is a kagome pattern.
  • the concavo-convex surface may be formed by dry-etching a single crystal portion using an etching mask having a kagome pattern provided with regular hexagonal openings.
  • an etching mask having a kagome pattern provided with regular hexagonal openings.
  • the pattern of the uneven surface to be formed may deviate from the ideal kagome pattern due to deformation of the etching mask during processing.
  • the single crystal portion may exist only in a surface layer portion of the substrate.
  • the epitaxial growth substrate according to the present invention may be a single crystal substrate composed entirely of a single crystal.
  • the epitaxial growth substrate is a single crystal sapphire substrate whose surface has been made uneven by dry etching, particularly a c-plane sapphire substrate.
  • a c-axis oriented GaN-based semiconductor crystal grows in a hexagonal pyramid shape or a hexagonal frustum shape, its side surface is likely to be an r-plane (a growth condition window in which the side surface is the r-plane has a side surface that is another surface) It can be said to be wider than the condition window). Therefore, in a preferred embodiment of the epitaxial growth substrate, a straight line connecting the centers of two adjacent growth spaces is configured to be parallel to the a-axis of the c-axis oriented GaN-based semiconductor crystal grown from the growth space. To do. With this configuration, when a hexagonal pyramid-shaped or hexagonal frustum-shaped crystal having an r-plane as a side surface is formed, the shape of the crystal fits the shape of the growth space.
  • the surface of the convex portion provided on the epitaxial growth surface may be a surface on which a GaN-based semiconductor crystal cannot grow.
  • the surface of the convex portion may be formed of amorphous silicon oxide or silicon nitride which is a material used for a growth mask in an ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth) method.
  • an anti-surfactant substance may be adsorbed on the surface of the convex portion.
  • the epitaxial growth substrate of the present invention By using the epitaxial growth substrate of the present invention, a high-quality GaN-based semiconductor film having a low dislocation density suitable for a light-emitting element can be formed.
  • the GaN-based semiconductor light-emitting device configured to include the epitaxial growth substrate of the present invention has high light extraction efficiency and excellent light emission output, so it is preferably used for applications that require high output such as lighting. can do.
  • FIG. 8A and 8B are views showing the structure of an epitaxial growth substrate according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 8A is a plan view and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along the line X-Y in FIG. It is a figure for demonstrating the arrangement
  • FIG. 8 shows the structure of an epitaxial growth substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 8A is a plan view of the epitaxial growth surface of the substrate as viewed from directly above
  • FIG. 8B is a cross-sectional view at the position of the XY line in FIG. 8A.
  • the epitaxial growth substrate 1 includes a single crystal portion 1a made of a material different from a GaN-based semiconductor in a surface layer portion, and a plurality of convex portions 11 are arranged on the epitaxial growth surface which is an uneven surface. A plurality of growth spaces 12 each surrounded by six convex portions 11 are provided. The arrangement of the convex portions 11 will be described with reference to FIG. 9.
  • Each convex portion 11 is different from the three other closest convex portions 111, 112, 113 by 120 degrees as the convex portion 110 in FIG. 9.
  • the surface of the growth space 12 is an exposed surface of the single crystal portion 1a.
  • a c-axis-oriented GaN-based semiconductor crystal can be epitaxially grown from the growth space 12.
  • known techniques may be referred to. For example, sapphire c-plane, sapphire a-plane, 6H-SiC (0001) plane, magnesia spinel (111) plane, silicon (111) plane, ZnO c-plane, and the like.
  • the shape of the upper surface 11 a of the convex portion is an equilateral triangle, but is not limited, and may basically be a shape having three-fold rotational symmetry.
  • 10 and 11 are plan views of the concavo-convex surface of the substrate for epitaxial growth in which the shape of the upper surface of the convex portion is a shape other than an equilateral triangle as viewed from directly above.
  • the distance between the apexes is preferably 0.5 ⁇ m to 5 ⁇ m.
  • the thickness is preferably 1 ⁇ m to 3 ⁇ m, and particularly preferably 1.5 ⁇ m to 2.5 ⁇ m. If this distance is too large, the number density of the growth spaces 12 that can be formed on the surface for epitaxial growth is reduced, so that the effect of reducing dislocations is reduced. In addition, when a light emitting element is formed on this substrate, it is sufficient. The light extraction effect cannot be obtained.
  • the angle ⁇ formed by the side surface 11b of the convex portion 11 and the surface of the growth space 12 is preferably 45 ° to 90 °, more preferably 60 ° to 90 °, and particularly preferably 70 ° to 90 °. If the angle ⁇ is too small, the outline of the growth space 12 becomes unclear, so that the crystal protrudes from the growth space 12 and easily grows two-dimensionally, and the dislocation reduction effect is reduced.
  • the height h of the convex portion 11 is preferably 0.2 ⁇ m to 5 ⁇ m, more preferably 0.5 ⁇ m to 3 ⁇ m, and particularly preferably 1 ⁇ m to 2 ⁇ m.
  • the height h of the convex portion 11 is too small, the outline of the growth space 12 becomes unclear, so that the crystal protrudes from the growth space 12 and grows two-dimensionally, and the dislocation reduction effect is reduced.
  • the height h of the convex portion 11 is small, the degree of light scattering and irregular reflection by the convex portion 11 is also reduced. If the height h of the convex portion 11 is too large, the growth time required until the two-dimensionalization of the growth surface of the crystal epitaxially grown on the uneven surface is too long.
  • FIG. 12 shows a cross-sectional view of a GaN-based semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention.
  • the GaN-based semiconductor light-emitting element 2 includes an undoped layer 22 made of a GaN-based semiconductor crystal, an n-type contact layer 23, an n-type cladding layer 24, an active layer on a substrate 21 for epitaxial growth via a buffer layer (not shown).
  • a layer 25, a p-type cladding layer 26, and a p-type contact layer 27 are provided in this order.
  • a positive side electrode 28 composed of a positive ohmic electrode 28a and a bonding pad 28b is also formed by dry etching.
  • the epitaxial growth substrate 21 is a substrate embodying the present invention, and has at least a surface layer portion of a single crystal portion made of a material different from that of a GaN-based semiconductor, and each has three other nearest convex portions as an epitaxial growth surface. It has a concavo-convex surface comprising a plurality of convex portions arranged to have 120 degrees in different directions and a plurality of growth spaces each surrounded by six convex portions, and the single crystal portion is at least the above-mentioned It is exposed to the growth space.
  • the GaN-based semiconductor crystal layers from the undoped layer 22 to the p-type contact layer 27 are epitaxially grown on the substrate 21 with c-axis orientation.
  • the undoped layer 22 is a GaN layer having a film thickness of 2 ⁇ m to 6 ⁇ m that does not contain an intentionally added impurity.
  • the n-type contact layer 23 is a GaN layer doped with Si (silicon) as an n-type impurity and having a carrier concentration of 1 ⁇ 10 18 cm ⁇ 3 to 2 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 and a film thickness of 2 ⁇ m to 6 ⁇ m.
  • the n-type cladding layer 24 is an AlGaN layer or InGaN layer doped with Si as an n-type impurity and having a carrier concentration of 1 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3 to 5 ⁇ 10 18 cm ⁇ 3 and a thickness of 10 nm to 500 nm.
  • the active layer 25 includes an In x1 Ga 1-x1 N (0 ⁇ x1 ⁇ 1) well layer having a thickness of 1 nm to 10 nm, an In x2 Ga 1-x2 N (0 ⁇ x2 ⁇ x1) barrier layer having a thickness of 1 nm to 20 nm, and A multi-quantum well structure in which are stacked alternately.
  • the barrier layer of the active layer is preferably doped with Si, and when the emission wavelength is less than 400 nm, either or both of the well layer and the barrier layer are preferably formed of a mixed crystal containing AlN. .
  • the p-type cladding layer 26 is made of Al y1 Ga 1-y1 N (0.05 ⁇ y1) having a thickness of 10 nm to 200 nm doped with Mg (magnesium) at a concentration of 1 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 to 5 ⁇ 10 20 cm ⁇ 3. ⁇ 0.4) layer.
  • the p-type contact layer 27 is made of Al y2 Ga 1-y2 N (0 ⁇ y1 ⁇ 0) having a thickness of 20 nm to 200 nm doped with Mg (magnesium) at a concentration of 5 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 to 5 ⁇ 10 20 cm ⁇ 3. .05).
  • the positive ohmic electrode 28a is preferably formed of a transparent conductive oxide such as ITO (indium tin oxide), indium oxide, tin oxide, zinc oxide, or IZO (indium zinc oxide).
  • the bonding pad 28b is preferably formed of Al, Ag, Ni, or a platinum group metal at a portion in contact with the positive ohmic electrode, and a surface layer portion of Au.
  • a portion in contact with the n-type contact layer 23 is formed of Al, Ti, W or a transparent conductive oxide, and a surface layer portion is formed of Au.
  • Example 1 A photoresist film for an etching mask was formed on a c-plane sapphire substrate having a diameter of 2 inches whose one surface was mirror-finished for epitaxial growth. Then, using a photolithography technique, this photoresist film was formed into a pattern represented by a blackened portion in FIG. In the pattern consisting of the triangle T and the hexagon H shown in FIG. 1, the triangles T are all regular triangles having the same area, the hexagons H are all regular hexagons having the same area, and the center of each hexagon is a triangular lattice. It arrange
  • Such a pattern composed of the triangle T and the hexagon H is called a kagome pattern.
  • the direction of the photoresist film pattern was determined so that each side of the triangle was parallel to the m-axis of sapphire, and the length of each side of the triangle was set to 2 ⁇ m.
  • FIG. 2 shows an SEM image obtained by observing the concavo-convex surface of the sapphire processed substrate thus obtained from the direction directly above.
  • a concave / convex surface pattern having a convex pattern corresponding to the pattern of the etching mask that is, a triangular prism-shaped or truncated pyramid-shaped convex portion having a regular triangular upper surface, and a regular hexagonal space (each 6 It is understood that an uneven surface pattern arranged so as to form a kagome pattern when viewed from above is formed.
  • Example 2 The sapphire-processed substrate produced in Example 1 was placed in a growth furnace of a MOVPE apparatus, and after surface cleaning by heating in a hydrogen gas atmosphere, the substrate temperature was lowered to 400 ° C., and an AlGaN low temperature was formed on the uneven surface. A buffer layer was grown to 10 nm. Subsequently, the substrate temperature was raised to a temperature at which the single crystal was grown, and undoped GaN was grown using trimethyl gallium (TMG) as the Group 3 material and ammonia as the Group 5 material.
  • TMG trimethyl gallium
  • the gas supply amount into the growth furnace was 30 slm for nitrogen gas, 20 slm for hydrogen gas, 10 slm for ammonia, and the supply amount for TMG was 200 ⁇ mol / min.
  • the growth time was a time corresponding to 1 ⁇ m growth on a normal flat substrate.
  • FIG. 3 shows an SEM image obtained by observing the surface of the wafer on which the GaN crystal was grown from an oblique direction. Moreover, the SEM image which observed the same surface at higher magnification is shown in FIG. Side surfaces inclined with respect to the thickness direction of the substrate from the upper surface of the convex portion formed on the substrate surface and the regular hexagonal space (space surrounded by the six convex portions) separating the convex portions from each other It can be seen from these SEM images that the provided faceted GaN crystal has grown.
  • Example 3 An undoped GaN crystal was grown on the sapphire processed substrate produced in Example 1 in the same manner as in Example 2. However, while the growth time of the undoped GaN crystal was set to a time corresponding to 1 ⁇ m growth on a normal flat substrate in Example 2, it corresponds to a growth of 4 ⁇ m on a normal flat substrate in Example 3. It was time. While using the same growth conditions as in Example 2, the growth surface of the undoped GaN crystal became flat by increasing the growth time in this way.
  • an Si-doped GaN layer (also used as a cladding layer and a contact layer), an InGaN / GaN active layer, and an Mg-doped AlGaN layer were sequentially grown in order to form a light emitting device structure.
  • the Si-doped GaN layer had a Si concentration of 5 ⁇ 10 18 cm ⁇ 3 and a film thickness of 4 ⁇ m.
  • the InGaN / GaN active layer has a multiple quantum well structure in which InGaN well layers and GaN barrier layers are alternately stacked.
  • the Mg-doped AlGaN layer has a two-layer structure in which a 40 nm thick contact layer made of Al 0.03 Ga 0.97 N is laminated on a 170 nm thick clad layer made of Al 0.09 Ga 0.91 N. did.
  • the surface density of the dark spots ( ⁇ dislocation defect density) on the surface of the epitaxial layer was a low value of 1 ⁇ 10 8 cm ⁇ 2 .
  • Example 4 Positive and negative electrodes were formed on each element forming portion of the epitaxial wafer produced in Example 3.
  • An ITO film was formed as a positive ohmic electrode on the Al 0.03 Ga 0.97 N contact layer, and a metal bonding pad was formed on a part of the ohmic electrode.
  • a negative electrode serving as an ohmic electrode and a bonding pad was formed on the surface of the Si-doped GaN layer partially exposed by RIE.
  • the back side of the sapphire substrate is lapped to reduce the wafer thickness to 100 ⁇ m or less, and the wafer is divided into each element forming portion using a scriber to obtain a 350 ⁇ m square plate-like GaN-based
  • a semiconductor light emitting device chip was obtained. When this light emitting element chip was flip-chip mounted on the stem via a submount and the light emission output at 20 mA energization in a bare chip state was measured using an integrating sphere, a high value of 15 mW was shown.
  • a sapphire processed substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that the pattern of the photoresist film was a pattern in which circles having a diameter of 2 ⁇ m were arranged at the lattice points of a triangular lattice. In the above pattern, the distance between the centers of two adjacent circles was 4 ⁇ m.
  • the surface of the obtained sapphire processed substrate was an uneven surface formed by arranging a plurality of frustum-shaped convex portions whose upper surface diameter is slightly smaller than the diameter of the bottom surface at the lattice points of a triangular lattice.
  • An epitaxial wafer was produced in the same manner as in Example 3 except that this sapphire processed substrate was used, and the density of dislocation defects on the surface of the epitaxial layer was examined. The result was 2 ⁇ 10 8 cm ⁇ 2 .
  • a light-emitting element chip was produced in the same manner as in Example 4 except that this sapphire processed substrate was used, and the light emission output was measured to be 13 mW.

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Abstract

　本発明のエピタキシャル成長用基板は、ＧａＮ系半導体とは異なる材料からなる単結晶部を少なくとも表層部分に備え、エピタキシャル成長用表面として、それぞれが３個の最近接する他の凸部を１２０度ずつ異なる方向に有するよう配列された複数の凸部と、それぞれが６個の上記凸部により包囲された複数の成長スペースと、からなる凹凸面を有し、上記単結晶部が少なくとも上記成長スペースに露出しており、それによって上記成長スペースからｃ軸配向したＧａＮ系半導体結晶が成長可能となっている。

Description

エピタキシャル成長用基板、ＧａＮ系半導体膜の製造方法、ＧａＮ系半導体膜、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法およびＧａＮ系半導体発光素子
　本発明は、ｃ軸配向したＧａＮ系半導体結晶からなるＧａＮ系半導体膜の製造に適したエピタキシャル成長用基板に関し、とりわけ、エピタキシャル成長用表面が凹凸面であるエピタキシャル成長用基板に関する。
　本発明は、また、かかるエピタキシャル成長用基板を用いたＧａＮ系半導体膜の製造方法、それにより得られるＧａＮ系半導体膜、および、該ＧａＮ系半導体膜を用いたＧａＮ系半導体発光素子の製造方法に関する。
　本発明は、また、上記エピタキシャル成長用基板を含むＧａＮ系半導体発光素子に関する。
　ＧａＮ系半導体は、一般式ＡｌａＩｎｂＧａ１－ａ－ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）で表される化合物半導体であり、３族窒化物半導体、窒化物系半導体などとも呼ばれる。基板上にＧａＮ系半導体からなるｐｎ接合型の発光素子構造を形成してなる、ＬＥＤ（発光ダイオード）やＬＤ（レーザダイオード）などのＧａＮ系半導体発光素子が実用化されており、ディスプレイ装置や照明装置のための光源として普及しつつある。
　ＧａＮ系半導体発光素子のうち、ＬＤの製造には主にＧａＮ単結晶基板が用いられている一方、ＬＥＤの製造には主にサファイア単結晶基板が用いられている。ＧａＮやサファイアからなる単結晶基板上には各種の配向性を有するＧａＮ系半導体結晶をエピタキシャル成長させ得るが、現在実用化されているＧａＮ系半導体発光素子で用いられているのはｃ軸配向したＧａＮ系半導体結晶である。サファイア単結晶基板にはｃ面基板、ａ面基板、ｒ面基板などがあるが、ｃ軸配向したＧａＮ系半導体結晶の製造にはｃ面基板が適している。なお、ｃ面基板と称される基板がｃ面から僅かに傾斜した表面を有する基板（いわゆるオフ角が付与された基板）を含むことは、今日においては、当該技術分野における当業者間の共通認識となっている（ａ面基板、ｒ面基板などにおいても同様である）。
　ｃ面サファイア基板上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体結晶は、格子不整合に起因する転位欠陥を高密度に含むものとなる。この問題を解決する方法のひとつとして、基板表面をエッチングなどの方法により加工して凹凸面とすることにより、ＧａＮ系半導体結晶のラテラル成長モードを発生させるエピタキシャル成長技術（ＬＥＰＳ；Lateral Epitaxy on a Patterned Substrate）が開発されている（特許文献１、特許文献２）。また、半導体結晶を成長させるための表面を凹凸面としたサファイア基板（以下「サファイア加工基板（Patterned Sapphire Substrate）」ともいう。）を用いてＧａＮ系半導体発光素子を形成すると、転位欠陥の低減効果とは別に、光取り出し効率が高くなるという効果が得られることが分っている（特許文献３）。 
国際公開第２０００／５５８９３号パンフレット 国際公開第２００２／２３６０４号パンフレット 国際公開第２００２／７５８２１号パンフレット
　ＧａＮ系半導体発光素子に対しては、その用途の拡大とともに、発光効率の更なる向上が求められている。このことは、サファイア単結晶基板やシリコン単結晶基板のような安価な基板を用いた汎用品においても例外ではない。発光効率を高めるには、発光素子を構成するＧａＮ系半導体結晶、とりわけ、発光部を構成するＧａＮ系半導体結晶に含まれる結晶欠陥の密度をより低くする必要がある。また、発光素子内部で発生する光がより効率よく素子外部に取り出されるようにすること、つまり、光取出し効率を高めることも重要である。
　本発明はこのような背景の下になされたものであり、その主たる目的は、ＧａＮ系半導体発光素子の発光効率の改善に寄与し得る、新規な凹凸面パターンを備えたエピタキシャル成長用基板を提供することである。
　GaN系半導体とは異なる材料からなる基板上にｃ軸配向したＧａＮ系半導体結晶をエピタキシャル成長させる場合、ｃ軸に直交する方向の成長（ラテラル成長）に対してｃ軸方向の成長が適度に優勢となる成長条件を用いると、成長の初期において＜１－１０１＞面などの傾斜した側面（ファセット）を備えた微細な三次元結晶が基板の表面に無数に形成される。この三次元結晶が更に成長すると、やがて三次元結晶同士が出会い、合体が起こる。このとき、成長モードの変化が発生し、結晶の成長面が二次元化（平坦化）するが、それに伴って結晶内部をｃ軸方向に伝播していた転位線がラテラル方向に曲げられる。その結果、最終的に得られる膜の表面に達する貫通転位の密度が減少することになる。このような成長条件は、成長パラメータ（キャリアガス種、成長圧力、成長温度、など）の最適化のための通常の試行錯誤により見出すことができる。
　ところで、上記成長条件を用いたとしても、エピタキシャル成長用表面が平坦面である基板上では三次元結晶同士の合体が加速度的に進行するために、成長面の二次元化が短時間のうちに完了してしまい、上記メカニズムによる転位低減が十分に起こらない。一方、エピタキシャル成長用表面を凹凸面とした基板、すなわち、結晶が成長可能な領域を段差により空間的に分離させた基板上では、各領域に成長する三次元結晶同士の合体が阻害されるために成長面の二次元化が遅くなり、その結果、上記メカニズムによる転位低減効果が長時間にわたり持続する。
　本発明は、エピタキシャル成長用表面を凹凸面とした基板にて得られる上記の転位低減効果が、凹凸面のパターンを工夫することによって更に増強されるという知見が得られたことに基づきなされたものである。
　本発明によれば次の構成を有するエピタキシャル成長用基板が提供される：
　ＧａＮ系半導体とは異なる材料からなる単結晶部を少なくとも表層部分に備え、
　エピタキシャル成長用表面として、それぞれが３個の最近接する他の凸部を１２０度ずつ異なる方向に有するよう配列された複数の凸部と、それぞれが６個の上記凸部により包囲された複数の成長スペースと、からなる凹凸面を有し、
　上記単結晶部が少なくとも上記成長スペースに露出しており、それによって上記成長スペースからｃ軸配向したＧａＮ系半導体結晶が成長可能となっている、
　エピタキシャル成長用基板。
　本発明に係る上記エピタキシャル成長用基板の第一の特徴は、６個の凸部により包囲された成長スペース（凹部の底面に相当）がエピタキシャル成長用表面に設けられ、このスペースからｃ軸配向のＧａＮ系半導体結晶が成長可能となっていることである。上記凸部はそれぞれが３個の最近接する他の凸部を１２０度ずつ異なる方向に有するよう二次元配列されているので、上記成長スペースの形状は正六角形またはそれに近い形状である。そのため、ラテラル成長に対してｃ軸方向の成長が適度に優勢となる成長条件にてこの基板上にＧａＮ系半導体結晶を成長させると、成長スペースのそれぞれに、成長スペースのサイズにフィットした六角錘状あるいは六角錘台状の三次元結晶が形成されることになる。このような形状の結晶は体積に対する側面の面積の比率が大きいので、結晶の成長面が二次元化する際に高い転位低減効果が発生する。なぜなら、この成長モード変化に伴って伝播方向を変えるのは、三次元結晶が形成される過程でその側面に到達した転位線であるためである。
　本発明に係る上記エピタキシャル成長用基板の第二の特徴は、上記成長スペースの配置が最密となるように、エピタキシャル成長用表面の凹凸パターンを定めている点である。それによって、上記成長条件を用いたときにエピタキシャル成長用表面上に形成される六角錐状あるいは六角錘台状の結晶の密度が最大となるので、結晶の成長面が二次元化する際に発生する転位低減効果も最大となる。
　一方、凸部上においてもエピタキシャル成長が許容されるよう、凸部にも単結晶部を露出させることができるが、凸部上では結晶の取り得る形状の制約が小さいので、GaN系半導体結晶は自発的にエネルギー的に安定な角錐状または角錘台状を呈する傾向を示す。
　本発明に係る上記エピタキシャル成長用基板では、上記の通り、６個の凸部により包囲された成長スペースを最密配置するが、このことは、エピタキシャル成長用表面において凹部と凸部との境界である段差の密度を最大化することでもある。段差では光の散乱や乱反射が起こることから、このエピタキシャル成長用基板を含んで構成されるGaN系半導体発光素子は、光取り出し効率に優れたものとなる。
　上記成長スペースの好ましい形状は正六角形である。ｃ軸配向のＧａＮ系半導体結晶が三次元成長するときに、エネルギー的に安定な形状として取り易い形状が六角錐形状や六角錘台形状だからである。成長スペースを正六角形とすると、この成長スペースの形状にフィットした六角錐形状または六角錘台形状のGaN系半導体結晶が安定的に形成されるために、結晶の成長面の二次元化が最も遅くなる。よって、上記メカニズムによる転位低減効果が最も長く持続することになる。
　なお、上記成長スペースの形状が正六角形であるとき、基板表面を平面視したときに凸部と成長スペースとがなすパターンはかごめパターンとなる。
　一実施形態では、上記凹凸面が、正六角形の開口部を設けたかごめパターンのエッチングマスクを用いて、単結晶部をドライエッチ加工することにより形成されたものであってもよい。加工条件によっては、かごめパターンのエッチングマスクを用いたとしても、加工中にエッチングマスクが変形することにより、形成される凹凸面のパターンが理想的なかごめパターンから外れる場合がある。
　本発明に係る上記エピタキシャル成長用基板において、上記単結晶部は基板の表層部分にのみ存在するものであってもよい。また、本発明に係る上記エピタキシャル成長用基板は、全体がひとつの単結晶からなる単結晶基板であってもよい。好ましい実施形態では、上記エピタキシャル成長用基板は、ドライエッチ加工により表面が凹凸面とされた単結晶サファイア基板、とりわけ、ｃ面サファイア基板である。
　ｃ軸配向のＧａＮ系半導体結晶が六角錘形状または六角錘台形状に成長する場合、その側面はｒ面となり易い（側面がｒ面となる成長条件のウィンドウが、側面が他の面となる成長条件のウィンドウよりも広いともいえる）。そのために、エピタキシャル成長用基板の好ましい実施形態では、隣接する２つの上記成長スペースの中心同士を結ぶ直線が、成長スペースから成長するｃ軸配向のＧａＮ系半導体結晶のａ軸に平行となるように構成する。このように構成すると、ｒ面を側面とする六角錘形状または六角錘台形状の結晶が形成されたときに、結晶の形状が成長スペースの形状にフィットするからである。
　本発明に係る上記エピタキシャル成長用基板において、エピタキシャル成長用表面に設けられる凸部の表面は、ＧａＮ系半導体結晶が成長し得ない表面であってもよい。例えば、凸部の表面は、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）法において成長マスクに用いられる材料である非晶質の酸化ケイ素、窒化ケイ素で形成されていてもよい。あるいは、凸部の表面にはアンチサーファクタント物質が吸着していてもよい。凸部の表面を外側に膨らんだ曲面とすることにより、該表面上でのＧａＮ系半導体結晶の成長が抑制される場合もある。
　本発明のエピタキシャル成長用基板を用いることにより、発光素子に適した、転位密度の低い高品質なＧａＮ系半導体膜を形成することができる。
　また、本発明のエピタキシャル成長用基板を含むように構成したＧａＮ系半導体発光素子は、光取り出し効率が高く、発光出力に優れたものとなるので、照明などの高出力が要求される用途に好ましく使用することができる。
実施例に係るエピタキシャル成長用基板を作製する際にエッチングマスクとして用いたフォトレジスト膜のパターンを説明するための図である。 実施例に係るエピタキシャル成長用基板の凹凸面を真上の方向から観察したＳＥＭ像である。 実施例に係るエピタキシャル成長用基板上におけるＧａＮ結晶の成長の様子を示すＳＥＭ像である。 実施例に係るエピタキシャル成長用基板上におけるＧａＮ結晶の成長の様子を示すＳＥＭ像である。 実施例に係るエピタキシャル成長用基板上に形成したＧａＮ系半導体からなるエピタキシャル層の断面ＳＥＭ像である。 実施例に係るエピタキシャル成長用基板上に形成したＧａＮ系半導体からなるエピタキシャル層の断面のカソードルミネッセンス像である。 実施例に係るエピタキシャル成長用基板上に形成したＧａＮ系半導体からなるエピタキシャル層の表面のカソードルミネッセンス像である。 本発明の一実施形態に係るエピタキシャル成長用基板の構造を示す図であり、図８（a）は平面図、図８（ｂ）は図８（a）のX-Y線の位置における断面図である。 エピタキシャル成長用表面における凸部の配列を説明するための図である。 本発明の一実施形態に係るエピタキシャル成長用基板の構造を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係るエピタキシャル成長用基板の構造を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係るＧａＮ系半導体発光素子の構造を示す断面図である。
符号の説明
　　１　エピタキシャル成長用基板
　　２　ＧａＮ系半導体発光素子
　１１　凸部
　１２　成長スペース
　２１　エピタキシャル成長用基板
　２２　アンドープ層
　２３　ｎ型コンタクト層
　２４　ｎ型クラッド層
　２５　活性層
　２６　ｐ型クラッド層
　２７　ｐ型コンタクト層
　２８　正側電極
（エピタキシャル成長用基板）
　図８に本発明の一実施形態に係るエピタキシャル成長用基板の構造を示す。図８（a）は基板のエピタキシャル成長用表面を真上の方向から見た平面図、図８（ｂ）は図８（a）のX-Y線の位置における断面図である。
　エピタキシャル成長用基板１は、表層部分にＧａＮ系半導体とは異なる材料からなる単結晶部１ａを備えており、凹凸面とされたエピタキシャル成長用表面には、複数の凸部１１が配列されているとともに、それぞれが６個の凸部１１に包囲された複数の成長スペース１２が設けられている。凸部１１の配列を図９を用いて説明すると、いずれの凸部１１も、図９の凸部１１０のように３個の最近接する他の凸部１１１、１１２、１１３を、１２０度ずつ異なった方向Ａと方向Ｂと方向Ｃとに有している。
　成長スペース１２の表面は単結晶部１ａの露出面となっているが、この表面を特定の結晶面とすることにより、成長スペース１２からｃ軸配向したＧａＮ系半導体結晶がエピタキシャル成長可能となる。そのような結晶面については公知技術を参照すればよいが、一例を挙げれば、サファイアのｃ面、サファイアのａ面、６Ｈ－ＳｉＣの（０００１）面、マグネシアスピネルの（１１１）面、シリコンの（１１１）面、ＺｎＯのｃ面などがある。
　図８の例では、凸部の上面１１ａの形状が正三角形であるが、限定されるものではなく、基本的には３回回転対称性を有する形状であればよい。図１０および図１１に、凸部上面の形状を正三角形以外の形状としたエピタキシャル成長用基板の凹凸面を真上の方向から見た平面図を示す。
　凸部１１の上面１１ａを正三角形あるいはそれに類した形状とする場合、その頂点間の距離（正三角形の場合には一辺の長さに等しい）は、好ましくは０．５μｍ～５μｍであり、より好ましくは１μｍ～３μｍであり、特に好ましくは１．５μｍ～２．５μｍである。この距離が大き過ぎると、エピタキシャル成長用表面に形成することのできる成長スペース１２の数密度が低くなるので、転位低減効果が低くなる他、この基板上に発光素子を形成した場合には、十分な光取出し効果が得られない。
　凸部１１の側面１１ｂと成長スペース１２の表面とがなす角度θは、好ましくは４５度～９０度、より好ましくは６０度～９０度、特に好ましくは７０度～９０度である。この角度θが小さ過ぎると、成長スペース１２の外郭が不明瞭となるので、結晶が成長スペース１２からはみ出して二次元的に成長し易くなり、転位低減効果が低くなる。
　凸部１１の高さｈは、好ましくは０．２μｍ～５μｍであり、より好ましくは０．５μｍ～３μｍであり、特に好ましくは１μｍ～２μｍである。凸部１１の高さｈが小さ過ぎると、成長スペース１２の外郭が不明瞭となるので、結晶が成長スペース１２からはみ出して二次元的に成長し易くなり、転位低減効果が低くなる。凸部１１の高さｈが小さいときは、また、凸部１１による光の散乱や乱反射の程度が小さくなる。凸部１１の高さｈが大き過ぎると、凹凸面上にエピタキシャル成長する結晶の成長面の二次元化が生じるまでに必要な成長時間が長くなり過ぎる。
（ＧａＮ系半導体発光素子）
　図１２に本発明の一実施形態に係るＧａＮ系半導体発光素子の断面図を示す。このＧａＮ系半導体発光素子２は、エピタキシャル成長用基板２１の上に、バッファ層（図示せず）を介してＧａＮ系半導体結晶からなるアンドープ層２２、ｎ型コンタクト層２３、ｎ型クラッド層２４、活性層２５、ｐ型クラッド層２６、ｐ型コンタクト層２７をこの順に備えており、ｐ型コンタクト層２７上には正オーミック電極２８ａとボンディングパッド２８ｂとからなる正側電極２８が、また、ドライエッチ加工により部分的に露出させたｎ型コンタクト層２３の表面にはオーミック電極とボンディングパッドとを兼用する負側電極２９が形成されている。
　エピタキシャル成長用基板２１は本発明を実施した基板であり、ＧａＮ系半導体とは異なる材料からなる単結晶部を少なくとも表層部分に備え、エピタキシャル成長用表面として、それぞれが３個の最近接する他の凸部を１２０度ずつ異なる方向に有するよう配列された複数の凸部と、それぞれが６個の上記凸部により包囲された複数の成長スペースと、からなる凹凸面を有し、上記単結晶部が少なくとも上記成長スペースに露出している。アンドープ層２２からｐ型コンタクト層２７までのGaN系半導体結晶層はこの基板２１上にｃ軸配向してエピタキシャル成長している。
　アンドープ層２２は、意図的に添加された不純物を含まない、膜厚２μｍ～６μｍのGaN層である。ｎ型コンタクト層２３はｎ型不純物としてＳｉ（ケイ素）がドープされた、キャリア濃度１×１０１８ｃｍ－３～２×１０１９ｃｍ－３、膜厚２μｍ～６μｍのＧａＮ層である。ｎ型クラッド層２４はｎ型不純物としてＳｉがドープされた、キャリア濃度１×１０１７ｃｍ－３～５×１０１８ｃｍ－３、膜厚１０ｎｍ～５００ｎｍのＡｌＧａＮ層またはＩｎＧａＮ層である。活性層２５は膜厚１ｎｍ～１０ｎｍのＩｎｘ１Ｇａ１－ｘ１Ｎ（０＜ｘ１≦１）井戸層と膜厚１ｎｍ～２０ｎｍのＩｎｘ２Ｇａ１－ｘ２Ｎ（０≦ｘ２＜ｘ１）障壁層とを交互に積層した多重量子井戸構造を備える。活性層の障壁層にはＳｉをドープすることが好ましく、また、発光波長を４００ｎｍ未満とする場合には、井戸層と障壁層のいずれかまたは両方をＡｌＮを含む混晶で形成することが好ましい。ｐ型クラッド層２６はＭｇ（マグネシウム）を１×１０１９ｃｍ－３～５×１０２０ｃｍ－３の濃度でドープした膜厚１０ｎｍ～２００ｎｍのＡｌｙ１Ｇａ１－ｙ１Ｎ（０．０５＜ｙ１≦０．４）層である。ｐ型コンタクト層２７はＭｇ（マグネシウム）を５×１０１９ｃｍ－３～５×１０２０ｃｍ－３の濃度でドープした膜厚２０ｎｍ～２００ｎｍのＡｌｙ２Ｇａ１－ｙ２Ｎ（０≦ｙ１≦０．０５）である。
　正オーミック電極２８ａは、好ましくは、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明導電性酸化物で形成する。ボンディングパッド２８ｂは、好ましくは、正オーミック電極と接する部分をＡｌ、Ａｇ、Ｎｉまたは白金族金属で形成し、表層部をＡｕで形成する。負電極２９は、好ましくは、ｎ型コンタクト層２３と接する部分をＡｌ、Ｔｉ、Ｗまたは透明導電性酸化物で形成し、表層部をＡｕで形成する。
　次に、実施例により本発明を更に具体的に説明する。
（実施例１）
　片面がエピタキシャル成長用に鏡面仕上げされた直径２インチのｃ面サファイア基板の、その鏡面仕上げされた面上に、エッチングマスク用のフォトレジスト膜を形成した。そして、フォトリソグラフィ技法を用いて、このフォトレジスト膜を図１において黒く塗り潰した部分が呈するパターンに成形した。図１に示す三角形Ｔと六角形Ｈとからなるパターンにおいて、三角形Ｔは全て面積の等しい正三角形であり、六角形Ｈは全て面積の等しい正六角形であり、各六角形はその中心が三角格子の格子点に位置するように配置されている。三角形Ｔと六角形Ｈとからなるこのようなパターンは、かごめパターンと呼ばれるものである。フォトレジスト膜パターンの方向は三角形の各辺がサファイアのｍ軸と平行となるように定め、三角形の各辺の長さは２μｍに設定した。
　フォトレジスト膜のパターニング後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法を用いて、基板表面がフォトレジスト膜に覆われていない部分に深さ１μｍの凹部を形成した。このときのＲＩＥの選択比は０．９とした。すなわち、サファイアのエッチングレートがフォトレジスト膜のエッチングレートの０．９倍となるようにした。
　凹部の形成後、リムーバ液を用いて基板からフォトレジスト膜を除去し、更に、その残渣をも完全に除去するために、加工した基板表面を酸素プラズマに暴露した。このようにして得たサファイア加工基板の凹凸面を真上の方向から観察したＳＥＭ像を図２に示す。エッチングマスクのパターンに対応した凸部パターンを有する凹凸面パターン、すなわち、正三角形状の上面を有する三角柱状ないし三角錘台状の凸部と、凸部間を隔てる正六角形状スペース（それぞれが６個の凸部により包囲されている）とが、上面視したときにかごめパターンをなすように配置された凹凸面パターンが形成されていることが分かる。
（実施例２）
　実施例１で作製したサファイア加工基板をＭＯＶＰＥ装置の成長炉内に設置し、水素ガス雰囲気中で加熱することにより表面クリーニングをした後、基板温度を４００℃に下げて、凹凸面上にＡｌＧａＮ低温バッファ層を１０ｎｍ成長させた。
　続けて、基板温度を単結晶が成長する温度まで上昇させて、３族原料にトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、５族原料にアンモニアを用い、アンドープＧａＮを成長させた。このときの成長炉内へのガス供給量は、窒素ガスを３０ｓｌｍ、水素ガスを２０ｓｌｍ、アンモニアを１０ｓｌｍとし、ＴＭＧの供給量は２００μｍｏｌ／分とした。成長時間は、通常の平坦な基板上における１μｍの成長に相当する時間とした。
　こうしてＧａＮ結晶を成長させたウェハの表面を斜め方向から観察したＳＥＭ像を図３に示す。また、同じ表面をより高倍率で観察したＳＥＭ像を図４に示す。基板表面に形成された凸部の上面と、凸部間を隔てる正六角形状のスペース（６個の凸部により包囲されたスペース）のそれぞれから、基板の厚さ方向に対して傾斜した側面を備えたファセット構造のＧａＮ結晶が成長していることが、これらのＳＥＭ像から分かる。
（実施例３）
　実施例１において作製したサファイア加工基板上に、実施例２と同様にしてアンドープＧａＮ結晶を成長させた。但し、アンドープＧａＮ結晶の成長時間を、実施例２では通常の平坦な基板上における１μｍの成長に相当する時間としたが、本実施例３では通常の平坦な基板上における４μｍの成長に相当する時間とした。実施例２と同じ成長条件を用いながらも、成長時間をこのように長くすることによって、アンドープＧａＮ結晶の成長面は平坦となった。
　更に、アンドープＧａＮ結晶の成長に続いて、発光素子構造を形成すべく、ＳｉドープＧａＮ層（クラッド層とコンタクト層を兼用）と、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ活性層と、ＭｇドープＡｌＧａＮ層を順次成長させた。ＳｉドープＧａＮ層はＳｉ濃度を５×１０１８ｃｍ－３とし膜厚を４μｍとした。ＩｎＧａＮ／ＧａＮ活性層は、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層とを交互に積層した多重量子井戸構造とした。ＭｇドープＡｌＧａＮ層は、Ａｌ０．０９Ｇａ０．９１Ｎからなる厚さ１７０ｎｍのクラッド層の上にＡｌ０．０３Ｇａ０．９７Ｎからなる厚さ４０ｎｍのコンタクト層を積層した二層構造とした。
　このようにして作製したエピタキシャルウェハを破断し、エピタキシャル成長層部分の断面をＳＥＭ観察したところ、図５に示すように、アンドープＧａＮ結晶がサファイア加工基板の凹部を充填するように成長していることが確認できた。また、エピタキシャル成長層部分の断面のカソードルミネッセンス像（ＣＬ像）を取得したところ、図６に示すように、サファイア加工基板の各凹部に隣接する部分に、周囲とは輝度の異なる三角形の領域が明瞭に観察された。このことから、アンドープＧａＮ結晶の成長過程では、サファイア加工基板の各正六角形状スペース上に六角錘状の結晶が成長した状態を経て、成長面の平坦化が起こっていることが判った。
　また、エピタキシャル成長層の表面のカソードルミネッセンス像を取得したところ、図７に示すように、転位欠陥が存在する部分に現れる暗点（発光再結合の効率が局所的に低いために暗く見える部分）はサファイア加工基板の凹凸面パターンとは無関係に分散していた。この結果は、実施例２におけるＳＥＭ観察結果（図３、図４）とよく一致している。つまり、アンドープＧａＮ層の成長初期段階において、サファイア加工基板の凸部上面と正六角形状スペースとからそれぞれファセット構造の結晶が成長するために、その後の成長面が平坦化する過程で転位線のベンディングが凸部上面と正六角形状スペースの両方の上方で起こり、その結果として、エピタキシャル層の表面に達する転位線の分布がサファイア加工基板の凹凸面パターンを反映しないものとなるのである。なお、エピタキシャル層表面における前記暗点の面密度（≒転位欠陥の密度）は１×１０８ｃｍ－２という低い値であった。
（実施例４） 
　実施例３で作製したエピタキシャルウェハの各素子形成部に正負の電極を形成した。Ａｌ０．０３Ｇａ０．９７Ｎコンタクト層上には正オーミック電極としてＩＴＯ膜を形成し、そのオーミック電極の一部上に金属製のボンディングパッドを形成した。ＲＩＥによって部分的に露出させたＳｉドープＧａＮ層の表面には、オーミック電極とボンディングパッドを兼用する負側の電極を形成した。電極形成後、サファイア加工基板の裏面をラッピングしてウェハの厚さを１００μｍ以下に減じたうえで、スクライバーを用いてウェハを各素子形成部に分割することにより、３５０μｍ角の板状のＧａＮ系半導体発光素子チップを得た。この発光素子チップをサブマウントを介してステム上にフリップチップ実装し、積分球を用いてベアチップ状態における２０ｍＡ通電時の発光出力を測定したところ、１５ｍＷという高い値を示した。
（比較例）
　フォトレジスト膜のパターンを、直径２μｍの円を三角格子の格子点に配置したパターンとしたこと以外は実施例１と同様にして、サファイア加工基板を作製した。上記パターンにおいて、隣接する２つの円の中心間の距離は４μｍとした。得られたサファイア加工基板の表面は、上面の直径が底面の直径より僅かに小さい複数の円錘台状の凸部を三角格子の格子点に配置してなる凹凸面となった。このサファイア加工基板を用いたこと以外は実施例３と同様にしてエピタキシャルウェハを作製し、エピタキシャル層表面における転位欠陥の密度を調べたところ、２×１０８ｃｍ－２であった。また、このサファイア加工基板を用いたこと以外は実施例４と同様にして発光素子チップを作製し、発光出力を測定したところ、１３ｍＷであった。
　本発明は明細書および図面に明示的に記載された実施形態または実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を損なわない範囲内で種々の変形が可能である。
　本出願は、２００８年２月１５日出願の日本特許出願（特願２００８－０３４２７５号）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

Claims (14)

  1. 　ＧａＮ系半導体とは異なる材料からなる単結晶部を少なくとも表層部分に備え、
    　エピタキシャル成長用表面として、それぞれが３個の最近接する他の凸部を１２０度ずつ異なる方向に有するよう配列された複数の凸部と、それぞれが６個の上記凸部により包囲された複数の成長スペースと、からなる凹凸面を有し、
    　上記単結晶部が少なくとも上記成長スペースに露出しており、それによって上記成長スペースからｃ軸配向したＧａＮ系半導体結晶が成長可能となっている、
    　エピタキシャル成長用基板。
  2. 　請求項１に記載のエピタキシャル成長用基板であって、
    　上記エピタキシャル成長用表面を平面視したとき、上記凸部と上記成長スペースとがかごめパターンをなしている、エピタキシャル成長用基板。
  3. 　請求項１に記載のエピタキシャル成長用基板であって、
    上記エピタキシャル成長用表面が、正六角形の開口部を設けたかごめパターンのエッチングマスクを用いて上記単結晶部の表面をドライエッチ加工することにより形成される凹凸面である、エピタキシャル成長用基板。
  4. 　請求項１乃至３のいずれかに記載のエピタキシャル成長用基板であって、
    　上記凸部が上記単結晶部の一部である、エピタキシャル成長用基板。
  5. 　請求項1乃至４のいずれかに記載のエピタキシャル成長用基板であって、
    　少なくとも上記単結晶部がサファイアからなるエピタキシャル成長用基板。
  6. 　請求項５に記載のエピタキシャル成長用基板であって、
    　表層部分を含む全体が単結晶サファイアからなるエピタキシャル成長用基板。
  7. 　請求項６に記載のエピタキシャル成長用基板であって、
    　ｃ面サファイア基板をドライエッチ加工して上記エピタキシャル成長用表面を形成してなるエピタキシャル成長用基板。
  8. 　ｃ面サファイア基板をドライエッチ加工してなり、
    　エピタキシャル成長用表面として、略正三角形状の上面を有する三角柱状ないし三角錘台状の凸部と、６個の上記凸部により包囲された正六角形状の成長スペースとが、平面視したときにかごめパターンをなすように配置された凹凸面を有する、
    　エピタキシャル成長用基板。
  9. 　請求項１乃至８のいずれかに記載のエピタキシャル成長用基板であって、
    　２つの隣接する上記成長スペースの中心同士を結ぶ直線が、上記成長スペースから成長するｃ軸配向のＧａＮ系半導体結晶のａ軸に平行である、エピタキシャル成長用基板。
  10. 　請求項１乃至９のいずれかに記載のエピタキシャル成長用基板上にｃ軸配向したＧａＮ系半導体結晶をエピタキシャル成長させる結晶成長ステップを含む、ＧａＮ系半導体膜の製造方法。
  11. 　請求項１０に記載の製造方法であって、
    　上記結晶成長ステップが、上記エピタキシャル成長用基板の上記成長スペースのそれぞれに六角錘状または六角錘台状のＧａＮ系半導体結晶がひとつずつ形成された構造体を形成するステップを含む、ＧａＮ系半導体膜の製造方法。
  12. 　請求項１１に記載の製造方法により製造されるＧａＮ系半導体膜。
  13. 　請求項１２に記載のＧａＮ系半導体膜上に少なくとも活性層とこれを挟む二つのクラッド層とを含む複数のＧａＮ系半導体結晶層をエピタキシャル成長により形成するステップを含む、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。
  14. 　請求項１乃至９のいずれかに記載のエピタキシャル成長用基板と、該基板上にｃ軸配向したＧａＮ系半導体結晶をエピタキシャル成長させてなるＧａＮ系半導体膜と、を有し、
    　該ＧａＮ系半導体膜が、少なくとも活性層とこれを挟む二つのクラッド層とを含む複数のＧａＮ系半導体結晶層を含む、
    　ＧａＮ系半導体発光素子。
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