JP2013175553A - Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子、ランプ、並びに、レチクル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10上に平面と凸部13とからなる主面を形成する基板加工工程と、基板10の主面上に、平面及び凸部13を覆うように下地層をエピタキシャル成長させるエピタキシャル工程と、III族窒化物半導体をエピタキシャル成長させることによってLED構造を形成するLED積層工程とを備え、基板加工工程は、ステッパー露光法により、平面視において対向する二対の端部が平行な多角形状のレチクル51を用いて平面上の各領域R1、R2にマスクパターン15を順次形成した後、平面をエッチングすることにより、隣接して配列される任意の3箇所の凸部13間を、平面視二等辺三角形状で配置して形成する。
【選択図】図6
Description
しかしながら、機械的加工又は化学的加工によって光取り出し面に凹凸を形成した発光素子では、光取り出し面に加工を施すことで半導体層に負荷を掛けることになり、発光層にダメージを残してしまう。また、光取り出し面に凹凸が形成されるような条件で半導体層を成長した発光素子では、半導体層の結晶性が劣化してしまうため、発光層が欠陥を含んだものになる。このため、光取り出し面に凹凸を形成した場合、光取り出し効率は向上するものの、内部量子効率が低下してしまい、発光強度を増加させることができないという問題がある。
この際、光取り出し効率を高める観点からは、最も高密度にドットを配置できる三角配置とすることが好ましい。しかしながら、平面視方形とされたレチクル200にドット220を三角配置する場合、レチクル200の縁部210とドット220との間隔が小さくなってしまう。その結果、各領域100A、100Bの間の継ぎ目150の間隔を正確に合わせることが要求されるが、このような場合、各領域100A、100Bの間に露光されない部分が形成される可能性が高まる。この際、露光されない部分のポジレジストは、線状のマスクパターンとして残り、エッチング後に、基板100上に線状の凸部が形成される。そして、この線状の凸部が形成された部分においては、III族窒化物半導体結晶の成長が正常に行われず、転位などの結晶欠陥密度が高い変質部が形成される。このため、図12に示すように、発光素子としてチップ化した際、変質部の半導体結晶の表面に段差が生じ、半導体結晶の表面が鏡面とならず、外観面で劣るものとなるとともに、素子化した際の発光特性に影響を与えるおそれがあった。
以上の理由により、ドットの変形や欠落が生じると、素子の発光特性に影響を与えるおそれがあった。
さらに、本発明は、上記III族窒化物半導体発光素子が用いられてなり、発光特性に優れたランプを提供することを目的とする。
またさらに、本発明は、III族窒化物半導体発光素子の製造に用いられるレチクルを提供することを目的とする。
[2] 前記任意の3箇所の凸部間を平面視二等辺三角形状で配置して形成する際の、該二等辺三角形状の頂角が45〜75°の範囲であることを特徴とする上記[1]に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
[3] 前記基板加工工程は、平面視平行四辺形状のレチクルを用いて前記基板の平面上の各領域にマスクパターンを順次形成した後、前記平面をエッチングすることにより、前記複数の凸部を形成することを特徴とする上記[1]又は[2]に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
[4] 記基板加工工程は、平面視六角形状のレチクルを用いて前記基板の平面上の各領域にマスクパターンを順次形成した後、前記平面をエッチングすることにより、前記複数の凸部を形成することを特徴とする上記[1]又は[2]に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
[5] 前記レチクルの一辺を、前記基板の劈開方向に対して、該基板の平面方向で5〜25°の角度で傾斜させた状態で順次移動させながら、前記基板の平面上にマスクパターンを形成することを特徴とする上記[1]〜[4]の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
[6] 前記基板加工工程は、前記レチクルとして、該レチクルの角部の内の任意の少なくとも1箇所に切り欠き部が形成されたものを用い、ステッパー露光法によって前記レチクルを前記基板上で順次移動させる際、前記レチクルの前記切り欠き部の位置と、移動後の当該レチクルの角部の内の少なくとも1箇所の位置とが重なり合うように移動させながら、前記基板の表面上にマスクパターンを形成することを特徴とする上記[5]に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
[8] 前記基板加工工程は、前記凸部を、さらに、高さhが前記基部幅d1の1/4以上、隣接する前記凸部間の間隔d2が前記基部幅d1の0.5〜5倍となるように形成することを特徴とする上記[1]〜[7]の何れかに記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
[9] 前記基板加工工程は、前記凸部を、前記頂部に向かって徐々に外形が小さくなる形状として形成することを特徴とする上記[1]〜[8]の何れかに記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
[10] 前記基板加工工程は、前記凸部を、円錐状ないし多角錐状として形成することを特徴とする上記[1]〜[9]の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
[11] 前記基板加工工程の後、前記エピタキシャル工程の前に、前記基板の主面上に、単結晶又は多結晶のAlxGa1−xN(0≦x≦1)からなる厚さ0.01〜0.5μmのバッファ層を、スパッタ法によって積層するバッファ層形成工程が備えられていることを特徴とする上記[1]〜[10]の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
[12] 前記LED積層工程は、前記基板の主面上に形成された前記III族窒化物半導体層上に、III族窒化物半導体から各々なるn型半導体層、発光層及びp型半導体層をこの順で積層して前記LED構造を形成することを特徴とする上記[1]〜[11]の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
[14] 上記[13]に記載のIII族窒化物半導体発光素子が用いられてなることを特徴とするランプ。
[16] 平面視で対向する二対の端部が平行な多角形状をなす角部の内の任意の少なくとも1箇所に切り欠き部が形成されていることを特徴とする上記[15]に記載のレチクル。
[17] 平面視形状が平行四辺形状であることを特徴とする上記[15]又は[16]に記載のレチクル。
[18] 平面視形状が六角形状であることを特徴とする上記[15]又は[16]に記載のレチクル。
従って、内部量子効率及び光取り出し効率が高く、優れた発光特性並びに外観特性を備えるIII族窒化物半導体発光素子を、高い生産性で製造することが可能となる。
さらに、本発明に係るランプは、本発明のIII族窒化物半導体発光素子が用いられてなるものであるので、発光特性に優れたものとなる。
以下に、本発明の製造方法によって得られる発光素子の一例について、図1〜図4を参照しながら説明する(図5、6も適宜参照)。
図1及び図2は、本発明の製造方法で得られる一例である発光素子1(図3を参照)の要部を説明するための図であり、図1は、基板10の主面11上に、バッファ層2と単結晶の下地層(III族窒化物半導体層)3とが形成された積層構造を示す断面図、図2は、図1に示す基板10を説明するための斜視図である。
また、図3は、図1に示す積層構造の下地層(III族窒化物半導体層)3上にLED構造20が形成されてなる発光素子1を説明するための断面図であり、図中、符号7は正極ボンディングパッドを示し、符号8は負極ボンディングパッドを示している。また、図4は、図3に示す発光素子1の内、n型半導体層4、発光層5及びp型半導体層6の積層構造を示す部分断面図である。
本実施形態の発光素子において、上述したような基板10に用いることができる材料としては、III族窒化物半導体結晶が表面にエピタキシャル成長される基板材料であれば特に限定されず、各種材料を選択して用いることができる。例えば、サファイア、SiC、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、ハフニウム、タングステン、モリブデン等が挙げられる。また、上記基板材料の中でも、特に、サファイアを用いることが好ましい。
そして、本実施形態で説明する例では、基板10は、平面12の面内方向において、継ぎ目16に対して各々平行とされ、互いに交わる一方の配列軸J1及び他方の配列軸J2の2つの軸方向に、凸部13が周期的に配列されている。
また、基部幅d1は、上記範囲内においてより小さい構成とすれば、発光素子の発光出力がさらに向上するという効果が得られる。
本発明においては、基板10の主面11上にバッファ層2を形成し、その上に後述の下地層3を形成することが好ましい。バッファ層2は、基板10と下地層3との格子定数の違いを緩和し、基板10のC面上にC軸配向した単結晶層の形成を容易にする働きがある。
バッファ層2は、AlXGa1−XN(0≦x≦1)なる組成で基板10上に積層され、例えば、反応性スパッタ法によって形成することができる。
本発明の発光素子1に備えられる下地層(III族窒化物半導体層)3はIII族窒化物半導体からなり、例えば、従来公知のMOCVD法によってバッファ層2上に積層して成膜することができる。また、本例で説明する下地層3は、上述したように、基板10の主面11上に、バッファ層2を介して、平面12及び凸部13を覆うようにIII族窒化物半導体がエピタキシャル成長することによって形成されるものである。
LED構造20は、III族窒化物半導体から各々なるn型半導体層4、発光層5及びp型半導体層6を有する。このようなLED構造20の各層は、MOCVD法で形成することにより、より結晶性の高いものが得られる。
n型半導体層4は、通常n型コンタクト層4aとn型クラッド層4bとから構成される。n型コンタクト層4aはn型クラッド層4bを兼ねることも可能である。
なお、n型クラッド層4bを、超格子構造を含む層としても良い。
n型半導体層4の上に積層される発光層5としては、単一量子井戸構造あるいは多重量子井戸構造などの発光層5がある。図4に示すような、多重量子井戸構造の井戸層としては、青色発光を呈する構成とする場合には、通常、Ga1−yInyN(0<y<0.4)なる組成のIII族窒化物半導体が用いられるが、緑色発光を呈する井戸層とする場合には、インジウムの組成が高められたものが用いられる。
p型半導体層6は、通常、p型クラッド層6aおよびp型コンタクト層6bから構成される。また、p型コンタクト層6bがp型クラッド層6aを兼ねることも可能である。
また、p型クラッド層6aは、組成の異なる層を複数回積層した超格子構造としてもよい。
透光性正極9は、ITO(In2O3−SnO2)、AZO(ZnO−Al2O3)、IZO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−Ga2O3)から選ばれる少なくとも一種類を含んだ材料によって形成される。また、透光性正極9の構造も、従来公知の構造を含めて如何なる構造のものも何ら制限なく用いることができる。また、透光性正極9は、p型半導体層6上のほぼ全面を覆うように形成しても構わないし、隙間を開けて格子状や樹形状に形成しても良い。
以下に、本発明のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法、並びに、III族窒化物半導体発光素子の製造に用いることが可能なレチクル(フォトマスク)について、図1〜8を参照しながら説明する。
以下、本発明の製造方法に備えられる各工程について詳しく説明する。
図2は、図1の模式図に示す積層構造を製造する工程の一例を説明するための図であり、本実施形態の製造方法において用意する基板10を示す斜視図である。この基板10は、C面からなる平面12と、C面上に形成される複数の凸部13とからなる主面11を有してなる。本発明の基板加工工程においては、基板10の平面12上に、基部幅が0.05〜1.5μm、高さhが0.05〜1μmである複数の凸部13を形成することにより、凹凸状とされた主面11を形成する。また、基板加工工程では、基板10の平面12の面内方向において、レチクル51の互いに平行な二対の端部51a、51b及び端部51c、51dに対して各々平行で、かつ、互いに交わる一方の配列軸J1及び他方の配列軸J2の2つの軸方向に周期的に配列するとともに、複数の凸部13の内、隣接して平面視三角形状で配列される任意の3箇所の凸部13間を、平面視二等辺三角形状で配置する。
以下、図2に示すような基板10を加工する方法の一例を詳述する。
図9(a)に示すように、レチクルの一辺を、オリエンテーション・フラット(図6中に示す符号14参照)に対して0°、即ち、傾斜を持たせない従来と同様の配置とした場合には、チップ化の際の切断線が通過するドットの個数が、x方向とy方向とでは大きく異なっている。図9(a)に示す例の部分図においては、切断線C2は8個のドットを通過しているが、切断線C1は5個のドットを通過している。このように、チップ化の際の切断線C1、C2が通過するドットの個数がx方向とy方向とで大きく異なる個数となった場合、チップ(発光素子)間で光取り出し効率にばらつきが生じ、明るさの差が大きくなるおそれがある。また、切断線C2の位置が、図9(a)に示す例よりも、ドットの径の半分だけ上方または下方にずれた場合、切断線C2は全くドットを通過しなくなる。このため、チップを切り出すウェーハの位置によっては発光特性に劣る箇所が多く存在することになり、歩留まりが低下するという問題がある。
本発明に係るレチクルは、III族窒化物半導体発光素子を製造する際、上述したような基板形成工程において、基板の平面に凸部を形成するためのマスクパターンの転写に用いることができるものである。なお、本発明のレチクルについて説明するにあたり、上述の基板加工工程の説明と共通する部分については、その詳細な説明を省略する。
本実施形態においては、上記方法によって準備された基板10の主面11上に、図1(図3も参照)に示すようなバッファ層2を積層するバッファ層形成工程が備えられている。本実施形態で説明する例では、基板加工工程の後、エピタキシャル工程の前にバッファ層形成工程を行なうことにより、基板10の主面11上に図1に示すようなバッファ層2を積層する。
本実施形態では、基板10をスパッタ装置のチャンバ内に導入した後、バッファ層2を形成する前に、プラズマ処理による逆スパッタ等の方法を用いて前処理を行うことが望ましい。具体的には、基板10をArやN2のプラズマ中に曝す事によって表面を整えることができる。例えば、ArガスやN2ガスなどのプラズマを基板10表面に作用させる逆スパッタにより、基板10表面に付着した有機物や酸化物を除去することができる。この場合、基板10とチャンバとの間に電圧を印加すれば、プラズマ粒子が効率的に基板10に作用する。このような前処理を基板10に施すことにより、基板10の表面全面にバッファ層2を成膜することができ、その上に成膜されるIII族窒化物半導体からなる膜の結晶性を高めることが可能となる。また、基板10には、上述のような逆スパッタによる前処理を行なう前に、湿式の前処理を施すことがより好ましい。
基板10に前処理を行なった後、基板10上に、反応性スパッタ法により、AlXGa1−XN(1≧X≧0)なる組成のバッファ層2を成膜する。反応性スパッタ法によって単結晶構造を有するバッファ層2を形成する場合、スパッタ装置のチャンバ内の窒素原料と不活性ガスの流量に対する窒素流量の比を、窒素原料が50〜100%の範囲となるように制御することが好ましく、75%程度とすることがより好ましい。
また、柱状結晶(多結晶)構造を有するバッファ層2を形成する場合には、スパッタ装置のチャンバ内の窒素原料と不活性ガスの流量に対する窒素流量の比を、窒素原料が1〜50%の範囲となるように制御することが好ましく、25%程度とすることがより好ましい。
次に、エピタキシャル工程では、上記バッファ層形成工程の後、図1(図3も参照)に示すように、基板10の主面11上に形成されたバッファ層2に、単結晶のIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させて、主面11を覆うように下地層(III族窒化物半導体層)3を形成するエピタキシャル工程を行なう。
また、本発明においては、エピタキシャル工程においてIII族窒化物半導体からなる下地層3を形成した後、LED積層工程において、下地層3上に、n型半導体層4、発光層5及びp型半導体層6の各層からなるLED構造20を形成する。
なお、本実施形態においては、それぞれIII族窒化物半導体を用いて各層を成膜するエピタキシャル工程及びLED積層工程について、両工程に共通する構成については、一部、説明を省略することがある。
本実施形態では、エピタキシャル工程及びLED積層工程においてMOCVD法を用いた例について説明する。
エピタキシャル工程では、図1に示すように、基板10上に形成されたバッファ層2の上に、下地層3を、MOCVD法を用いて、基板10の主面11をなす平面12及び凸部13を覆うように形成する。
LED積層工程においては、上記エピタキシャル工程に引き続いて、図3に示すように、下地層3の上に、n型半導体層4、発光層5及びp型半導体層6の各層からなるLED構造20を、MOCVD法を用いて積層する。
上記エピタキシャル工程で形成された下地層3の上に、MOCVD法を用いて、n型コンタクト層4a及びn型クラッド層4bを順次積層することにより、n型半導体層4を形成する。
次いで、n型クラッド層4b上に、発光層5をMOCVD法によって形成する。本実施形態で形成する発光層5は、図4に例示するように、GaN障壁層に始まりGaN障壁層に終わる積層構造を有しており、GaNからなる7層の障壁層5aと、ノンドープのGaInNからなる6層の井戸層5bとを交互に積層して形成する。
次いで、発光層5上、つまり、発光層5の最上層となる障壁層5aの上に、MgをドープしたAlGaNからなるp型クラッド層6a及びp型コンタクト層6bを積層し、p型半導体層6を形成する。
次に、LED積層工程おいてLED構造20が形成されたウェーハに対し、図3に例示するように、p型半導体層6上の所定の位置に透光性正極9を形成した後、該透光性正極9の各々の上に正極ボンディングパッド7を形成するとともに、LED構造20の所定の位置をエッチング除去することにより、n型半導体層4を露出させて露出領域を形成し、該露出領域4cに負極ボンディングパッド8を形成する。
図11は、本発明に係るIII族窒化物半導体発光素子を用いて構成したランプの一例を模式的に示した概略図である。図11に示すランプ30は、砲弾型のものであり、図3に示すIII族窒化物半導体発光素子1が用いられている。図11に示すように、III族窒化物半導体発光素子1の正極ボンディングパッド7がワイヤー33で2本のフレーム31、32の内の一方(図11ではフレーム31)に接着され、発光素子1の負極ボンディングパッド8がワイヤー34で他方のフレーム32に接合されることにより、III族窒化物半導体発光素子1が実装されている。また、III族窒化物半導体発光素子1の周辺は、透明な樹脂からなるモールド35で封止されている。また、モールド35をなす樹脂に蛍光体を加えることで白色光を発光することも可能である。
本発明のランプは、本発明のIII族窒化物半導体発光素子1が用いられてなるものであるので、優れた発光特性を備えたものとなる。
まず、サファイア基板の(0001)C面上に、表1に示す条件とされた複数の凸部を、以下に示す手順で形成することにより、平面と凸部とからなる主面を備えた基板を作成した(基板加工工程)。すなわち、直径4インチのC面サファイア基板にフォトリソグラフィー法でマスクを形成し、ドライエッチング法でサファイア基板をエッチングすることにより凸部を形成した。
なお、基板の表面をドライエッチングする際には、BCl3とCl2の混合ガスを用いた。
まず、フォトリソグラフィー技術によって、LED構造となる各層の形成された基板のp型コンタクト層上に、ITOからなる透光性正極と、この透光性正極上にTi、Al及びAuを順に積層した構造を持つ正極ボンディングパッドを形成した。
次いで、正極ボンディングパッドの形成された基板にドライエッチングを行い、負極ボンディングパッドを形成する部分のn型半導体層を露出させ、露出したn型半導体層上にNi、Al、Ti及びAuの4層よりなる負極ボンディングパッドを形成した。
そして、このチップを、正極ボンディングパッド及び負極ボンディングパッドが上になるようにリードフレーム上に載置し、金線でリードフレームに結線することによってランプ(図10参照)を作製した。
実施例2においては、レチクルとして、図7及び表1に示すような、平面視で平行四辺形状のレチクルの角部の内の1箇所に切り欠き部が形成されたものを用いた点を除き、上記実施例1と同様の手順で、表1に示す条件の平面と凸部とからなる主面を備えた基板を作製し、その上にバッファ層及び下地層を積層した。この際、ステッパー露光法によってレチクルを基板上で順次移動させるにあたり、レチクルの切り欠き部の位置と、移動後のレチクルの角部の内の少なくとも1箇所の位置とが重なり合うように移動させながら、基板の表面上にマスクパターンを形成した。そして、上記実施例1と同様の方法で、下地層の(10−10)面及び(0002)面のX線回析(XRD)半値幅を測定し、結果を上記表1に示した。
実施例3、4においては、図7に示す平面視で平行四辺形状のレチクルの一辺を、基板のオリフラに対して表1に示すような角度で傾斜させた点を除き、上記実施例2と同様の手順で、上記表1に示す条件の平面と凸部とからなる主面を備えた基板を作製し、その上にバッファ層及び下地層を積層した。この際、ステッパー露光法によってレチクルを基板上で順次移動させるにあたり、レチクルの切り欠き部の位置と、移動後のレチクルの角部の内の少なくとも1箇所の位置とが重なり合うように移動させながら、基板の表面上にマスクパターンを形成した。そして、上記実施例3と同様の方法で、下地層の(10−10)面及び(0002)面のX線回析(XRD)半値幅を測定し、結果を表1に示した。
実施例5においては、図9(b)に示すような、切り欠き部を有する平面視で六角形状のレチクルを用い、このレチクルの一辺を、基板のオリフラに対して表1に示すような角度で傾斜させた点を除き、上記実施例2と同様の手順で、上記表1に示す条件の平面と凸部とからなる主面を備えた基板を作製し、その上にバッファ層及び下地層を積層した。この際、上記同様、ステッパー露光法によって六角形状のレチクルを基板上で順次移動させるにあたり、レチクルの切り欠き部の位置と、移動後のレチクルの角部の内の少なくとも1箇所の位置とが重なり合うように移動させながら、基板の表面上にマスクパターンを形成した。そして、上記実施例2と同様の方法で、下地層の(10−10)面及び(0002)面のX線回析(XRD)半値幅を測定し、結果を表1に示した。
比較例1においては、基板加工工程にて基板の平面上にマスクパターンをステッパー露光法によって形成するためのレチクルとして、従来から用いられている平面視方形状のものを用いた点を除き、上記実施例1と同様の手順で、表1に示す条件の平面と凸部とからなる主面を備えた基板を作製し、その上にバッファ層及び下地層を積層した。そして、上記実施例1と同様の方法で、下地層の(10−10)面及び(0002)面のX線回析(XRD)半値幅を測定し、結果を表1に示した。
比較例2〜5においては、基板加工工程にて基板の平面上にマスクパターンをステッパー露光法によって形成するためのレチクルとして、上記実施例3に示すものを用い、上記同様の手順で、表1に示す条件の平面と凸部とからなる主面を備えた基板を作製し、その上にバッファ層及び下地層を積層した。そして、上記実施例3と同様の方法で、下地層の(10−10)面及び(0002)面のX線回析(XRD)半値幅を測定し、結果を表1に示した。
Claims (18)
- サファイアからなる基板上に単結晶のIII族窒化物半導体層を形成し、該III族窒化物半導体層上にLED構造を形成するIII族窒化物半導体層の製造方法であって、
前記基板の(0001)C面からなる平面上に、基部幅d1、高さhを有する複数の凸部を周期的に形成することにより、前記基板上に前記平面と前記凸部とからなる主面を形成する基板加工工程と、
前記基板の主面上に、前記平面及び前記凸部を覆うように前記III族窒化物半導体をエピタキシャル成長させるエピタキシャル工程と、
前記エピタキシャル工程に引き続いて、III族窒化物半導体をエピタキシャル成長させることによって前記LED構造を形成するLED積層工程と、を備え、
前記基板加工工程は、ステッパー露光法により、平面視において対向する二対の端部が平行な多角形状のレチクルを用いて前記平面上の各領域にマスクパターンを順次形成した後、前記平面をエッチングすることにより、前記複数の凸部を、前記基板の平面の面内方向において、前記レチクルの互いに平行な二対の端部に対して各々平行で、かつ、互いに交わる一方の配列軸及び他方の配列軸の2つの軸方向に周期的に配列するとともに、前記複数の凸部の内、隣接して平面視三角形状で配列される任意の3箇所の前記凸部間を、平面視二等辺三角形状で配置して形成することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記任意の3箇所の凸部間を平面視二等辺三角形状で配置して形成する際の、該二等辺三角形状の頂角が45〜75°の範囲であることを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板加工工程は、平面視平行四辺形状のレチクルを用いて前記基板の平面上の各領域にマスクパターンを順次形成した後、前記平面をエッチングすることにより、前記複数の凸部を形成することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板加工工程は、平面視六角形状のレチクルを用いて前記基板の平面上の各領域にマスクパターンを順次形成した後、前記平面をエッチングすることにより、前記複数の凸部を形成することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記レチクルの一辺を、前記基板の劈開方向に対して、該基板の平面方向で5〜25°の角度で傾斜させた状態で順次移動させながら、前記基板の平面上にマスクパターンを形成することを特徴とする請求項1〜請求項4の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板加工工程は、前記レチクルとして、該レチクルの角部の内の任意の少なくとも1箇所に切り欠き部が形成されたものを用い、ステッパー露光法によって前記レチクルを前記基板上で順次移動させる際、前記レチクルの前記切り欠き部の位置と、移動後の当該レチクルの角部の内の少なくとも1箇所の位置とが重なり合うように移動させながら、前記基板の表面上にマスクパターンを形成することを特徴とする請求項5に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板加工工程は、前記凸部を、基部幅d1が0.05〜1.5μmの範囲、高さhが0.05〜1μmの範囲として形成することを特徴とする請求項1〜請求項6の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板加工工程は、前記凸部を、さらに、高さhが前記基部幅d1の1/4以上、隣接する前記凸部間の間隔d2が前記基部幅d1の0.5〜5倍となるように形成することを特徴とする請求項1〜請求項7の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板加工工程は、前記凸部を、前記頂部に向かって徐々に外形が小さくなる形状として形成することを特徴とする請求項1〜請求項8の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板加工工程は、前記凸部を、円錐状ないし多角錐状として形成することを特徴とする請求項1〜請求項9の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板加工工程の後、前記エピタキシャル工程の前に、前記基板の主面上に、単結晶又は多結晶のAlxGa1−xN(0≦x≦1)からなる厚さ0.01〜0.5μmのバッファ層を、スパッタ法によって積層するバッファ層形成工程が備えられていることを特徴とする請求項1〜請求項10の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記LED積層工程は、前記基板の主面上に形成された前記III族窒化物半導体層上に、III族窒化物半導体から各々なるn型半導体層、発光層及びp型半導体層をこの順で積層して前記LED構造を形成することを特徴とする請求項1〜請求項11の何れか1項に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1〜12に記載の製造方法によって得られることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
- 請求項13に記載のIII族窒化物半導体発光素子が用いられてなることを特徴とするランプ。
- サファイアからなる基板の平面にステッパー露光法によって転写を行うことにより、前記基板の平面上に複数の凸部を周期的に配列して形成するためのマスクパターンを形成するレチクルであって、
当該レチクルの平面視形状が、対向する二対の端部が平行な多角形状であり、
前記基板の平面上に複数の凸部を形成するための転写パターンが、当該レチクルの互いに平行な二対の端部に対して各々平行で、かつ、互いに交わる一方の配列軸及び他方の配列軸の2つの軸方向に周期的に配列されており、
さらに、前記転写パターンは、前記基板の平面上に形成する前記複数の凸部の内、隣接して平面視三角形状で配列される任意の3箇所の前記凸部間を、平面視二等辺三角形状で配置するパターンで形成されていることを特徴とするレチクル。 - 平面視で対向する二対の端部が平行な多角形状をなす角部の内の任意の少なくとも1箇所に切り欠き部が形成されていることを特徴とする請求項15に記載のレチクル。
- 平面視形状が平行四辺形状であることを特徴とする請求項15又は請求項16に記載のレチクル。
- 平面視形状が六角形状であることを特徴とする請求項15又は請求項16に記載のレチクル。
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