KR100601138B1 - Ⅲ-질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판, 기판 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수개의 질화물 반도체층들을 포함하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자에 있어서, 상기 기판은 활성층에서 생성된 빛을 발광소자의 외부로 내보내는 돌기를 포함하며, 상기 돌기는 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면을 포함하며, 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면은 평행하지 않은 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법을 제공하며, 이에 의해 발광소자의 외부양자효율을 증가시킨다.
발광소자, 질화물 반도체, 기판, 외부양자효율, 돌기, 발광 다이오드

Description

Ⅲ-질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법{Ⅲ-NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURIGN THE SAME}
도 1 및 도 2는 종래의 발광소자의 문제점을 설명하기 위한 도면,
도 3은 본 발명에 따른 발광소자의 기판의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 발명에 따라 발광소자의 기판을 형성하는 방법을 설명하는 도면,
도 5는 열처리 온도에 따른 감광액의 측벽 변화를 설명하는 도면,
도 6은 본 발명에 따라 돌기가 형성된 기판의 전자현미경 사진,
도 7은 도 8의 확대 단면도,
도 8 내지 도 10은 본 발명에 따라 형성된 돌기의 다른 형태를 나타내는 도면,
도 11은 본 발명에 따라 돌기가 형성된 발광소자를 형성하는 다른 방법을 설명하는 도면,
도 12는 본 발명에 따라 돌기가 형성된 발광소자를 형성하는 또 다른 방법을 설명하는 도면,
도 13은 본 발명에 따른 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자를 나타내는 도면,
도 14는 본 발명에 따른 식각 마스크 패턴의 일 예를 나타내는 도면.
본 발명은 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 외부 양자 효율을 높이기 위한 돌기가 형성된 기판을 포함하는 Ⅲ- 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 여기서, Ⅲ-질화물 반도체 발광소자는 AlxGayIn1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x + y ≤1)로 된 화합물 반도체층을 포함하는 발광다이오드와 같은 발광소자를 의미하지만, 추가적으로 SiC, SiN, SiCN와 같은 다른 족(group)의 원소로 된 반도체나 원소 자체가 포함되는 것을 배제하는 것은 아니다.
도 1은 종래의 발광소자에서 빛이 발광소자의 내부에서 반사를 반복하다가 소멸되는 과정을 설명하는 도면으로서, 활성층(13)에서 나온 빛이 광경로 1로 표시한 바와 같이 공기(굴절률=1.0) 중으로 나갈려면, 즉 상측으로 탈출하려면, 상부접촉층(14)이 예컨대 GaN(굴절률=2.5)로 이루어질 경우 입사각이 임계각 23.6도 이하이어야 한다. 따라서, 23.6도 보다 큰 입사각을 가지는 빛은 광경로 2로 표시한 바와 같이 소자의 내부로 반사되어 외부로 탈출하지 못한다.
같은 현상이 하부접촉층(12)과 기판(10) 사이에도 일어난다. 기판(10)이 사파이어(굴절율 =1.8)인 경우에 임계각은 46.1도로서 비교적 크긴 하지만 역시 46.1도 보다 큰 입사각을 가지는 빛은 광경로 3으로 표시한 바와 같이 하부접촉층(12) 내부로 다시 돌아가게 된다.
따라서, 아주 적은 양의 빛만 외부로 탈출하고, 나머지는 소자의 내부에 갇히게 되며 이러한 과정이 여러차례 일어나면서 광은 소자 내부에서 급격히 소멸된다.
그러나, 도 2에 도시된 바와 같이 기판(10) 표면에 돌기가 형성된 경우에, 원래는 외부로 탈출하지 못하는 빛이 광경로 2로 표시된 바와 같이 돌기의 측벽(S)에 의해 광경로가 바뀌게 되어 외부로 탈출할 수 있게 된다.
이러한 종래기술로서 니치아사의 국제공개특허 WO 03/010831호가 있으며, 본원인의 한국특허출원 제10-2003-0055906호에는 돌기의 측벽에 단차를 형성하여 빛이 스캐터링(scattering)될 수 있는 면을 확장한 발광소자가 개시되어 있다.
본 발명은 돌기를 형성함에 있어서 빛을 스캐터링하는 면을 보다 확장하여 외부 양자효율을 개선한 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 위해 본 발명은 기판, 기판 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수개의 질화물 반도체층들을 포함하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자에 있어서, 상기 기판은 활성층에서 생성된 빛을 발광소자의 외부로 내보내는 돌기를 포함하며, 상기 돌기는 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면을 포함하며, 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면은 평행하지 않은 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
보다 많은 빛을 발광소자 외부로 방출하기 위해서 기판 표면과 제1 스캐터링면이 이루는 각이 90도 보다 작은 것이 바람직하다.
돌기의 크기, 돌기 사이의 간격, 그리고 돌기의 높이에 특별한 제한이 있는 것은 아니지만, 돌기가 너무 커지나 돌기 사이의 간격이 너무 넓으면 발광소자에 형성되는 돌기의 수가 작아지므로 빛이 방출되는 양이 작아질 수 있으며, 돌기 사이의 간격을 너무 좁게 하거나 돌기의 높이를 너무 높게 하면 기판 위에 성장되는 에피층의 안정적인 성장을 저해할 우려가 있다는 것을 고려하여야 한다.
또한 본 발명은 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면이 두번의 식각공정을 통해 형성되며, 제2 스캐터링면은 두번째 식각공정에서 형성되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
식각은 건식식각방법에 의해 이루어지는 것이 바람직하며, 식각 마스크로는 감광액, 폴리머, BCB 등 열처리에 의해 측면의 각도를 쉽게 변형할 수 있는 것이 바람직하다.
또한 본 발명은 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면이 하나의 식각 마스크에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
또한 본 발명은 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면이 한번의 식각공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
또한 본 발명은 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면이 두개의 식각 마스크에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 두개의 식각 마스크가 제1 식각 마스크와 제1 식각 마스크 위에 형성되는 제2 식각 마스크로 구성되며, 제2 스캐터링면은 제2 식각 마스크에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
또한 본 발명은 기판, 기판 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수개의 질화물 반도체층들을 포함하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 상기 기판은 활성층에서 생성된 빛을 발광소자의 외부로 내보내는 돌기를 포함하며, 상기 돌기의 형성은 기판 위에 형성된 식각 마스크를 패턴화하는 제1 단계, 패턴화된 식각 마스크의 일부가 남도록 기판을 식각하는 제2 단계, 남겨진 식각 마스크의 일부를 열처리하여 그 측벽을 경사지도록 하는 제3 단계, 열처리된 식각 마스크의 일부를 식각 마스크로 하여 기판을 식각하는 제4 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자의 제조 방법를 제공한다.
바람직하게는 본 발명은 제2 단계에 앞서 패턴화된 식각 마스크를 열처리하여 그 측벽을 경사지도록 하는 단계를 더 포함한다.
또한 본 발명은 기판, 기판 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수개의 질화물 반도체층들을 포함하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 상기 기판은 활성층에서 생성된 빛을 발광소자의 외부로 내보내는 돌기를 포함하며, 상기 돌기의 형성은 기판 위에 제1 식각 마스크를 형성하는 제1 단계, 제1 식각 마스크 위에 제2 식각 마스크를 형성하는 제2 단계, 제2 식각 마스크를 패턴화하는 제3 단계, 패턴화된 제2 식각 마스크를 열처리하여 그 측벽을 경사지도록 하는 제4 단계, 패턴화된 제2 식각 마스크가 형 성되지 않은 제1 식각 마스크를 제거하는 제5 단계, 기판을 식각하는 제6 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자의 제조 방법를 제공한다.
또한 본 발명은 기판, 기판 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수개의 질화물 반도체층들을 포함하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서, 상기 기판은 활성층에서 생성된 빛을 발광소자의 외부로 내보내는 돌기를 포함하며, 상기 돌기의 형성은 기판 위에 제1 식각 마스크를 형성하는 제1 단계, 제1 식각 마스크 위에 제2 식각 마스크를 형성하는 제2 단계, 제1 및 제2 식각 마스크를 패턴화하는 제3 단계, 패턴화된 제2 식각 마스크를 열처리하여 그 측벽을 경사지도록 하는 제4 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판을 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자의 제조 방법를 제공한다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 발광소자의 기판의 일 예를 나타내는 도면으로서, 기판(10)에는 돌기(20)가 형성되어 있으며, 돌기(20)는 제1 스캐터링면(21)과 제2 스캐터링면(22)을 포함하고, 제1 스캐터링면(21)과 제2 스캐터링면(22)은 활성층에서 발생한 빛(23)이 발광소자 외부로 스캐터링되도록 기능한다.
도 4는 본 발명에 따라 발광소자의 기판을 형성하는 방법을 설명하는 도면으로서, 먼저, 기판(10) 위에 감광액(30; Photo-Resistor)을 도포한다(S1). 본 실시예에서 사용된 기판(10)은 사파이어 기판이 사용되었으며, 감광액(30)은 Clariant사의 모델 No. AZGXR601이 사용되었고, 2.7μm 정도의 두께로 도포되었다.
다음으로, 도포된 감광액(30)을 포토마스크를 사용하여 노광·현상하여 감광액(30)을 패턴화한다(S2). 본 실시예에서 도 14에 도시된 바와 같이 6각형의 형태로 패턴화하였으며, 6각형의 한변의 길이와 패턴 사이의 간격(W)은 각각 2μm로 하였다. 패턴은 원, 육각형, 타원, 사각형, 삼각형, 사다리꼴, 마름모꼴, 평행사변형 등을 가질 수 있으며, 육각형의 경우 제한된 면적에서 조밀하게 패턴을 형성할 수 있는 이점을 가진다.
다음으로, 패턴화된 감광액(40)을 열처리를 통하여 측벽(41)이 경사지도록 한다(S3). 이 때 감광액의 경우 열처리 온도에 따른 측벽(41)의 각도 변화는 도 5에 나타난 것처럼 열처리의 온도가 높을수록 측벽(41)과 기판 표면이 이루는 각도가 작아진다. 본 실시예에서 1차 열처리는 도 5에 도시된 바와 같이 120℃에서 5분 간 행하였다.
다음으로, 1차 열처리 후 측벽(41)이 형성된 패턴(40)이 기판(10)에 형성된 상태에서 건식식각을 한다(S4). 이 때 건식식각은 플라즈마를 이용한 식각으로 염소계열의 가스(Cl2, BCl3, CCl4, HCl)를 이용하여 플라즈마를 여기하여 식각한다. 플라즈마를 여기하는 방식으로는 ICP(Inductive Coupled Plasma), CCP(Capacitive Coupled Plasma), ECR(Electron-Cyclotron Resonant)등이 사용될 수 있다. 본 실시예에서 BCl3 가스를 이용한 ICP-RIE(Inductive Coupled Plasma - Reactive Ion Etching) 설비를 이용하여 식각하였으며, 기판(10)을 550nm정도 식각하였고, 이 때 기판(10)과 패턴(40)의 식각비는 대략 1 : 2 정도였다. 이 건식식각 공정에서 측벽 (41)이 형성된 패턴(40)은 모두 식각되는 것이 아니라 후술하는 2차 식각공정에서도 식각 마스크로 기능하기 위하여 패턴의 일부(42)가 남겨진다.
다음으로, 남겨진 패턴(40)의 일부(42)에 2차 열처리를 실시한다(S5). 2차 열처리의 목적은 후술하는 2차 건식식각의 식각 마스크로 역할하는 남겨진 패턴의 일부(42)의 형태를 열처리를 통해 변경함으로써, 도 3에 도시된 바와 같이 2차 스캐터링면(22)이 1차 스캐터링면(21)과 구분되도록 하기 위한 것이다. 본 실시예에서 2차 열처리는 155℃에서 5분간 행하였다.
다음으로, 2차 열처리를 통해 형상이 변경된 패턴의 일부(43)를 식각 마스크로 하여 기판(10)을 2차로 건식식각한다. 이때, 패턴의 일부(43)가 남지 않도록 패턴의 일부(43)가 완전히 없어질 때까지 식각한다. 본 실시예에서 2차 건식식각 공정은 패턴의 일부(43)를 완전히 제거하기 위해서 800nm 정도 식각하였다.
도 5는 열처리 온도에 따른 감광액의 측벽 변화를 설명하는 도면으로서, 120℃와 140℃에서 5분간 열처리를 행한 패턴을 나타내는 사진이며, 온도가 증가하면 측벽의 기울기가 감소하는 것을 알 수 있다.
도 6은 본 발명에 따라 돌기가 형성된 기판의 전자현미경 사진이고, 도 7은 도 6의 확대 단면도이며, 본 실시예에서는 기판 상에 돌기들이 규칙적으로 형성되어 있다.
도 8 내지 도 10은 본 발명에 따라 형성된 돌기의 다른 형태를 나타내는 도면으로서, 도 8에는 2차 스캐터링면(22)이 각이 지지 않은 형태의 돌기(20)가 도시 되어 있으며, 도 9에는 1차 스캐터링면(21)이 기판(10)에 대하여 수직인 돌기(20)가 도시되어 있으며 이 경우에 1차 열처리를 생략할 수 있다. 도 10은 2차 스캐터링면(22)의 상면(28)이 식각되지 않은 형태의 돌기가 도시되어 있으며, 이는 패턴의 일부(43)를 2차 건식식각에서 제거하지 않은 경우에 형성되는 돌기의 형태이다.
도 11은 본 발명에 따라 돌기가 형성된 발광소자를 형성하는 다른 방법을 설명하는 도면으로서, 사파이어 기판(10) 위에 먼저 제2 식각 마스크(50)를 형성한 다음에(S11), 그 위에 열처리된 패턴(41)을 형성하고(S12), 패턴(41)이 형성되지 않는 제2 식각 마스크(50) 부분을 제거한 다음(S13), 건식식각 공정을 통해 패턴(41)과 제2 식각 마스크(50)를 제거함으로써(S14), 제1 스캐터링면(21)과 제2 스캐터링면(22)이 형성된 돌기(20)를 형성한다. 이러한 제2 식각 마스크(50)로는 Ni, Cr, W, V, Ir, Pt 등의 금속류와 SiO2, NiO, MgO, Si3N4 등의 절연물 등이 사용될 수 있다. 주로 이 방법은 사용되는 건식식각 공정의 조건상 감광액이 기판보다 현저히 빠른 식각속도를 가질 때 이점을 가지며, 두개의 식각 마스크를 이용하지만, 한번의 식각공정을 통해 돌기가 형성될 수 있다.
도 12는 본 발명에 따라 돌기가 형성된 발광소자를 형성하는 또 다른 방법을 설명하는 도면으로서, 도 11에 설명된 방법과 달리 먼저 제2 식각 마스크(50)와 감광액(30)을 기판(10) 위에 형성한 다음(S21), 이를 패턴화 하고(S22), 이 상태에서 열처리를 행하여 열처리된 패턴(41)을 형성하고(S23), 이 상태에서 기판(10)을 식각함으로써(S24), 돌기(20)를 형성한다.
도 13은 본 발명에 따른 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자를 나타내는 도면으로서, 본 발명의 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자는 기판(10) 위에 버퍼층(16), n측 전극(19)과 접촉하는 하부접촉층(12), 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층(13), p측 전극(17,18)과 접촉하는 상부접촉층(15)이 순차로 적층함으로써 이루어진다.
기판(10)은 바람직하게는 사파이어 기판이 이용되지만 실리콘 또는 실리콘 카바이드 등과 같은 기판이 이용될 수도 있으며, 버퍼층(16)은 바람직하게는 미국특허 제5,290,393호에 개시된 200-900℃의 온도에서 성장된 Al(x)Ga(y)N 버퍼층이나 본원인의 한국특허 제448352호에 개시된 SiC 버퍼층이 이용되고, 하부접촉층(12)과 상부접촉층(15)은 바람직하게는 AlxGayIn1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x + y ≤1)로 이루어지며, 이들은 조성을 달리하거나 도핑 농도를 달리하는 복수개의 층으로 이루어질 수 있으며, 활성층(13)은 바람직하게는 AlxGayIn1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x + y ≤1)로 이루어진 단일 또는 다중 양자우물층으로 형성된다.
본 발명에 의하면 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면을 포함하는 돌기를 기판에 형성함으로써 돌기의 스캐터링면을 보다 많이 확보할 수 있으며, 이에 의해 발광소자 외부로의 빛의 방출이 증가되어 외부양자효율을 높일 수 있게 된다.

Claims (12)

  1. 기판, 기판 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수개의 질화물 반도체층들을 포함하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자에 있어서,
    상기 기판은 활성층에서 생성된 빛을 발광소자의 외부로 내보내는 돌기를 포함하며,
    상기 돌기는 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면을 포함하며, 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면은 평행하지 않은 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면은 두번의 식각공정을 통해 형성되며, 제2 스캐터링면은 두번째 식각공정에서 형성되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면은 하나의 식각 마스크에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 식각 마스크는 감광액인 것을 특징으로 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서, 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면은 한번의 식각공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자.
  6. 제 1 항에 있어서, 제1 스캐터링면과 제2 스캐터링면은 두개의 식각 마스크에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자.
  7. 제 6 항에 있어서, 두개의 식각 마스크는 제1 식각 마스크와 제1 식각 마스크 위에 형성되는 제2 식각 마스크로 구성되며, 제2 스캐터링면은 제2 식각 마스크에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자.
  8. 기판, 기판 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수개의 질화물 반도체층들을 포함하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서,
    상기 기판은 활성층에서 생성된 빛을 발광소자의 외부로 내보내는 돌기를 포함하며, 상기 돌기의 형성은:
    기판 위에 형성된 식각 마스크를 패턴화하는 제1 단계;
    패턴화된 식각 마스크의 일부가 남도록 기판을 식각하는 제2 단계;
    남겨진 식각 마스크의 일부를 열처리하여 그 측벽을 경사지도록 하는 제3 단계;
    열처리된 식각 마스크의 일부를 식각 마스크로 하여 기판을 식각하는 제4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 제2 단계에 앞서 패턴화된 식각 마스크를 열처리하여 그 측벽을 경사지도록 하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 제4 단계에서 열처리된 식각 마스크의 일부를 식각을 통해 완전히 제거되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  11. 기판, 기판 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수개의 질화물 반도체층들을 포함하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서,
    상기 기판은 활성층에서 생성된 빛을 발광소자의 외부로 내보내는 돌기를 포함하며, 상기 돌기의 형성은:
    기판 위에 제1 식각 마스크를 형성하는 제1 단계;
    제1 식각 마스크 위에 제2 식각 마스크를 형성하는 제2 단계;
    제2 식각 마스크를 패턴화하는 제3 단계;
    패턴화된 제2 식각 마스크를 열처리하여 그 측벽을 경사지도록 하는 제4 단계;
    패턴화된 제2 식각 마스크가 형성되지 않은 제1 식각 마스크를 제거하는 제5 단계;
    기판을 식각하는 제6 단계:를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
  12. 기판, 기판 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수개의 질화물 반도체층들을 포함하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자의 제조 방법에 있어서,
    상기 기판은 활성층에서 생성된 빛을 발광소자의 외부로 내보내는 돌기를 포함하며, 상기 돌기의 형성은:
    기판 위에 제1 식각 마스크를 형성하는 제1 단계;
    제1 식각 마스크 위에 제2 식각 마스크를 형성하는 제2 단계;
    제1 및 제2 식각 마스크를 패턴화하는 제3 단계;
    패턴화된 제2 식각 마스크를 열처리하여 그 측벽을 경사지도록 하는 제4 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
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