JP2003158295A - ＧａＮ系半導体薄膜、その製造方法、半導体発光素子 - Google Patents
ＧａＮ系半導体薄膜、その製造方法、半導体発光素子Info
- Publication number
- JP2003158295A JP2003158295A JP2001356801A JP2001356801A JP2003158295A JP 2003158295 A JP2003158295 A JP 2003158295A JP 2001356801 A JP2001356801 A JP 2001356801A JP 2001356801 A JP2001356801 A JP 2001356801A JP 2003158295 A JP2003158295 A JP 2003158295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gan
- based semiconductor
- thin film
- semiconductor thin
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＧａＮ系半導体を用いた半導体発光素子の発光
特性の改良に有効な新しい構造を有するＧａＮ系半導体
薄膜とその製造方法を提供する。 【解決手段】ＧａＮ系半導体薄膜の選択成長の過程にお
いて存在する、結晶の表面が平坦化していない非平面状
の結晶面を利用して光を乱反射させることにより、光を
外部に取り出す効率を向上させる。屈折率の異なる第１
のＧａＮ系半導体と第２のＧａＮ系半導体１２の間、お
よび第２のＧａＮ系半導体と第３のＧａＮ系半導体の間
に、平坦化していない界面を形成する。
特性の改良に有効な新しい構造を有するＧａＮ系半導体
薄膜とその製造方法を提供する。 【解決手段】ＧａＮ系半導体薄膜の選択成長の過程にお
いて存在する、結晶の表面が平坦化していない非平面状
の結晶面を利用して光を乱反射させることにより、光を
外部に取り出す効率を向上させる。屈折率の異なる第１
のＧａＮ系半導体と第２のＧａＮ系半導体１２の間、お
よび第２のＧａＮ系半導体と第３のＧａＮ系半導体の間
に、平坦化していない界面を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＮ系半導体薄
膜とその製造方法に関し、特にＧａＮ系半導体を用いた
半導体発光素子の発光特性の改良に有効な新しい構造を
有するＧａＮ系半導体薄膜とその製造方法に関する。
膜とその製造方法に関し、特にＧａＮ系半導体を用いた
半導体発光素子の発光特性の改良に有効な新しい構造を
有するＧａＮ系半導体薄膜とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ系半導体（ＡｌxＧａyＩｎ1-x-y
Ｎ、但し０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）
は、結晶成長に適したＧａＮ基板の入手が困難であり、
半導体発光素子のような半導体素子を得るためには、不
整合基板であるサファイア基板やＳｉＣ基板を用い、そ
の上にＧａＮ系半導体薄膜を不整合の緩和をさせながら
成長させる必要がある。
Ｎ、但し０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）
は、結晶成長に適したＧａＮ基板の入手が困難であり、
半導体発光素子のような半導体素子を得るためには、不
整合基板であるサファイア基板やＳｉＣ基板を用い、そ
の上にＧａＮ系半導体薄膜を不整合の緩和をさせながら
成長させる必要がある。
【０００３】このため、基板上に成長させたＧａＮ系半
導体薄膜には、１０8〜１０10ｃｍ-2もの非常に多数の
転位が生じていた。この多数の転移により、ＧａＮ系半
導体を用いた発光素子の素子特性は悪影響を受ける。そ
こで、ＧａＮ系発光素子の特性改良の為に、転位密度の
低いＧａＮ系半導体薄膜を成長するための技術が要求さ
れていた。
導体薄膜には、１０8〜１０10ｃｍ-2もの非常に多数の
転位が生じていた。この多数の転移により、ＧａＮ系半
導体を用いた発光素子の素子特性は悪影響を受ける。そ
こで、ＧａＮ系発光素子の特性改良の為に、転位密度の
低いＧａＮ系半導体薄膜を成長するための技術が要求さ
れていた。
【０００４】この転位密度を低減するための技術のひと
つに、選択成長による方法がある。これはＧａＮ系半導
体の結晶成長が可能な基板上に、結晶成長が起こらない
マスクを付着させ、パターニングによりマスクに開口部
を設け、開口部からＧａＮ系半導体の結晶を成長させる
方法である。（Ａ．Ｕｓｕｉ，Ｈ．Ｓｕｎａｋａｗａ，
Ａ．Ｓａｋａｉ ａｎｄ Ａ．Ｙａｍａｇｕｃｈｉ，Ｊ
ｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３６，Ｌ８９９（１
９９７））この方法は、マスク上では結晶の横方向成長
による低転位領域が得られることを利用して、転位密度
の高い結晶領域をマスクの開口部上のみに制限し、Ｇａ
Ｎ系半導体薄膜の転位密度を低減することを可能とする
方法である。
つに、選択成長による方法がある。これはＧａＮ系半導
体の結晶成長が可能な基板上に、結晶成長が起こらない
マスクを付着させ、パターニングによりマスクに開口部
を設け、開口部からＧａＮ系半導体の結晶を成長させる
方法である。（Ａ．Ｕｓｕｉ，Ｈ．Ｓｕｎａｋａｗａ，
Ａ．Ｓａｋａｉ ａｎｄ Ａ．Ｙａｍａｇｕｃｈｉ，Ｊ
ｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３６，Ｌ８９９（１
９９７））この方法は、マスク上では結晶の横方向成長
による低転位領域が得られることを利用して、転位密度
の高い結晶領域をマスクの開口部上のみに制限し、Ｇａ
Ｎ系半導体薄膜の転位密度を低減することを可能とする
方法である。
【０００５】また、一般に半導体発光素子は、表面が平
坦な基板の上に組成やキャリア濃度等の特性の異なる半
導体薄膜を複数成長させて、目的とする素子構造を得
る。半導体発光素子の発光部は、通常、半導体薄膜のｐ
ｎ接合によって形成される。半導体発光素子において、
その発光出力を決定しているのは、主に素子内の発光部
で電流が光に変換される効率と、発光部で生じた発光を
素子内部から外部に取り出す効率である。
坦な基板の上に組成やキャリア濃度等の特性の異なる半
導体薄膜を複数成長させて、目的とする素子構造を得
る。半導体発光素子の発光部は、通常、半導体薄膜のｐ
ｎ接合によって形成される。半導体発光素子において、
その発光出力を決定しているのは、主に素子内の発光部
で電流が光に変換される効率と、発光部で生じた発光を
素子内部から外部に取り出す効率である。
【０００６】発光素子の内部から外に光が取り出される
ためには、発光素子の表面で全反射が起こらない臨界角
以内の角度で、光が素子表面に入射する必要がある。そ
こで発光素子内部から光を外部に取り出す効率を向上さ
せるには、発光素子内で光を乱反射させ、臨界角以内の
角度で光が素子表面に入射する確率を増やしてやる必要
がある。
ためには、発光素子の表面で全反射が起こらない臨界角
以内の角度で、光が素子表面に入射する必要がある。そ
こで発光素子内部から光を外部に取り出す効率を向上さ
せるには、発光素子内で光を乱反射させ、臨界角以内の
角度で光が素子表面に入射する確率を増やしてやる必要
がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記の選択成長による
ＧａＮ系半導体薄膜の製造方法では、結晶成長の初期に
はマスクの開口部上にのみＧａＮ系半導体が成長し、そ
の後開口部上に成長したＧａＮ系半導体を種結晶とし
て、結晶の横方向成長が起きる。従って、半導体薄膜の
形成の過程において必ず、結晶の表面が平坦ではない非
平面状の結晶面が現れる過程が存在する。しかし、従来
はこの平坦でない結晶面を有するＧａＮ系半導体につい
て、特に関心を持たれていなかった。
ＧａＮ系半導体薄膜の製造方法では、結晶成長の初期に
はマスクの開口部上にのみＧａＮ系半導体が成長し、そ
の後開口部上に成長したＧａＮ系半導体を種結晶とし
て、結晶の横方向成長が起きる。従って、半導体薄膜の
形成の過程において必ず、結晶の表面が平坦ではない非
平面状の結晶面が現れる過程が存在する。しかし、従来
はこの平坦でない結晶面を有するＧａＮ系半導体につい
て、特に関心を持たれていなかった。
【０００８】本発明は、選択成長を用いたＧａＮ系半導
体薄膜の製造の過程で、非平面状の結晶面を有するＧａ
Ｎ系半導体が現れることに着目して為したものであり、
ＧａＮ系半導体を用いた半導体発光素子の発光特性の改
良に有効な新しい構造を有するＧａＮ系半導体薄膜とそ
の製造方法を提供することを目的とする。
体薄膜の製造の過程で、非平面状の結晶面を有するＧａ
Ｎ系半導体が現れることに着目して為したものであり、
ＧａＮ系半導体を用いた半導体発光素子の発光特性の改
良に有効な新しい構造を有するＧａＮ系半導体薄膜とそ
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、
（１）ＧａＮ系半導体（ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ、但し
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）が成長可能
な基板の表面に、ＧａＮ系半導体の成長が起こらない物
質からなるマスクを付着させ、該マスクに適切な開口部
を設け、開口部からＧａＮ系半導体薄膜を成長させるＧ
ａＮ系半導体薄膜の製造方法において、屈折率ｎ1を持
った第１のＧａＮ系半導体を開口部から成長させる第１
の工程と、該第１のＧａＮ系半導体の表面が平坦化しな
い段階で、第１のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ2
を持つ第２のＧａＮ系半導体を第１のＧａＮ系半導体上
に成長させる第２の工程と、該第２のＧａＮ系半導体の
表面が平坦化しない段階で、さらに第２のＧａＮ系半導
体とは異なる屈折率ｎ3を持つ第３のＧａＮ系半導体を
第２のＧａＮ系半導体上に成長させる第３の工程とを具
備することを特徴とするＧａＮ系半導体薄膜の製造方
法。である。
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）が成長可能
な基板の表面に、ＧａＮ系半導体の成長が起こらない物
質からなるマスクを付着させ、該マスクに適切な開口部
を設け、開口部からＧａＮ系半導体薄膜を成長させるＧ
ａＮ系半導体薄膜の製造方法において、屈折率ｎ1を持
った第１のＧａＮ系半導体を開口部から成長させる第１
の工程と、該第１のＧａＮ系半導体の表面が平坦化しな
い段階で、第１のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ2
を持つ第２のＧａＮ系半導体を第１のＧａＮ系半導体上
に成長させる第２の工程と、該第２のＧａＮ系半導体の
表面が平坦化しない段階で、さらに第２のＧａＮ系半導
体とは異なる屈折率ｎ3を持つ第３のＧａＮ系半導体を
第２のＧａＮ系半導体上に成長させる第３の工程とを具
備することを特徴とするＧａＮ系半導体薄膜の製造方
法。である。
【００１０】特に本発明は、
（２）前記第１、第２、第３のＧａＮ系半導体が、それ
ぞれ隣接するＧａＮ系半導体とは組成の異なるＡｌxＧ
ａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦
ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴とする上記
（１）に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。 （３）前記第１、第２、第３のＧａＮ系半導体が、それ
ぞれ隣接するＧａＮ系半導体とはドーピング状態の異な
るＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ
≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴とす
る上記（１）または（２）に記載のＧａＮ系半導体薄膜
の製造方法。 （４）前記第２のＧａＮ系半導体が、２種類以上の組成
の異なるＡｌxＧａyＩｎ 1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、
０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）を周期的に積層した多層
膜よりなることを特徴とする上記（１）に記載のＧａＮ
系半導体薄膜の製造方法。 （５）前記第１のＧａＮ系半導体と第３のＧａＮ系半導
体が、同じＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されること
を特徴とする上記（１）ないし（４）に記載のＧａＮ系
半導体薄膜の製造方法。 （６）前記第３のＧａＮ系半導体が、表面の平坦なＧａ
Ｎ系半導体薄膜となることを特徴とする上記（１）ない
し（５）に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。 （７）前記第３のＧａＮ系半導体上に、表面の平坦なＧ
ａＮ系半導体薄膜を成長させることを特徴とする上記
（１）ないし（６）に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造
方法。 （８）前記ＧａＮ系半導体が成長可能な基板が、Ｇａ
Ｎ、サファイア、ＳｉＣ、シリコンのうちの何れか１種
類であることを特徴とする上記（１）ないし（７）に記
載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。 （９）前記マスクがＳｉＮからなることを特徴とする上
記（１）ないし（８）に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製
造方法。である。
ぞれ隣接するＧａＮ系半導体とは組成の異なるＡｌxＧ
ａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦
ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴とする上記
（１）に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。 （３）前記第１、第２、第３のＧａＮ系半導体が、それ
ぞれ隣接するＧａＮ系半導体とはドーピング状態の異な
るＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ
≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴とす
る上記（１）または（２）に記載のＧａＮ系半導体薄膜
の製造方法。 （４）前記第２のＧａＮ系半導体が、２種類以上の組成
の異なるＡｌxＧａyＩｎ 1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、
０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）を周期的に積層した多層
膜よりなることを特徴とする上記（１）に記載のＧａＮ
系半導体薄膜の製造方法。 （５）前記第１のＧａＮ系半導体と第３のＧａＮ系半導
体が、同じＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されること
を特徴とする上記（１）ないし（４）に記載のＧａＮ系
半導体薄膜の製造方法。 （６）前記第３のＧａＮ系半導体が、表面の平坦なＧａ
Ｎ系半導体薄膜となることを特徴とする上記（１）ない
し（５）に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。 （７）前記第３のＧａＮ系半導体上に、表面の平坦なＧ
ａＮ系半導体薄膜を成長させることを特徴とする上記
（１）ないし（６）に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造
方法。 （８）前記ＧａＮ系半導体が成長可能な基板が、Ｇａ
Ｎ、サファイア、ＳｉＣ、シリコンのうちの何れか１種
類であることを特徴とする上記（１）ないし（７）に記
載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。 （９）前記マスクがＳｉＮからなることを特徴とする上
記（１）ないし（８）に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製
造方法。である。
【００１１】また本発明は、
（１０）基板上にマスクを付着させ、該マスクに適切な
開口部を設け、開口部からマスク表面を覆って成長させ
たＧａＮ系半導体薄膜において、該ＧａＮ系半導体薄膜
が、開口部から成長させた屈折率ｎ1を持つ第１のＧａ
Ｎ系半導体と、該第１のＧａＮ系半導体の表面が平坦化
しない段階で第１のＧａＮ系半導体上に成長させた、第
１のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ2を持つ第２の
ＧａＮ系半導体と、第２のＧａＮ系半導体の表面が平坦
化しない段階で第２のＧａＮ系半導体上に成長させた、
第２のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ3を持つ第３
のＧａＮ系半導体とを具備することを特徴とするＧａＮ
系半導体薄膜。である。
開口部を設け、開口部からマスク表面を覆って成長させ
たＧａＮ系半導体薄膜において、該ＧａＮ系半導体薄膜
が、開口部から成長させた屈折率ｎ1を持つ第１のＧａ
Ｎ系半導体と、該第１のＧａＮ系半導体の表面が平坦化
しない段階で第１のＧａＮ系半導体上に成長させた、第
１のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ2を持つ第２の
ＧａＮ系半導体と、第２のＧａＮ系半導体の表面が平坦
化しない段階で第２のＧａＮ系半導体上に成長させた、
第２のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ3を持つ第３
のＧａＮ系半導体とを具備することを特徴とするＧａＮ
系半導体薄膜。である。
【００１２】特に本発明は、
（１１）前記第１、第２、第３のＧａＮ系半導体が、そ
れぞれ隣接するＧａＮ系半導体とは組成の異なるＡｌx
ＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０
≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴とする上記
（１０）に記載のＧａＮ系半導体薄膜。 （１２）前記第１、第２、第３のＧａＮ系半導体が、そ
れぞれ隣接するＧａＮ系半導体とはドーピング状態の異
なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦
ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴と
する上記（１０）または（１１）に記載のＧａＮ系半導
体薄膜。 （１３）前記第２のＧａＮ系半導体が、２種類以上の組
成の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）を周期的に積層した
多層膜よりなることを特徴とする上記（１０）に記載の
ＧａＮ系半導体薄膜。 （１４）前記第１のＧａＮ系半導体と第３のＧａＮ系半
導体が、同じＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されること
を特徴とする上記（１０）ないし（１３）に記載のＧａ
Ｎ系半導体薄膜。 （１５）前記第３のＧａＮ系半導体が、表面の平坦なＧ
ａＮ系半導体薄膜であることを特徴とする上記（１０）
ないし（１４）に記載のＧａＮ系半導体薄膜。 （１６）前記第３のＧａＮ系半導体上に、表面の平坦な
ＧａＮ系半導体薄膜が形成されていることを特徴とする
上記（１０）ないし（１５）に記載のＧａＮ系半導体薄
膜。 （１７）前記ＧａＮ系半導体が成長可能な基板が、Ｇａ
Ｎ、サファイア、ＳｉＣ、シリコンのうちの何れか１種
類であることを特徴とする上記（１０）ないし（１６）
に記載のＧａＮ系半導体薄膜。 （１８）前記マスクがＳｉＮからなることを特徴とする
上記（１０）ないし（１７）に記載のＧａＮ系半導体薄
膜。である。
れぞれ隣接するＧａＮ系半導体とは組成の異なるＡｌx
ＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０
≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴とする上記
（１０）に記載のＧａＮ系半導体薄膜。 （１２）前記第１、第２、第３のＧａＮ系半導体が、そ
れぞれ隣接するＧａＮ系半導体とはドーピング状態の異
なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦
ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴と
する上記（１０）または（１１）に記載のＧａＮ系半導
体薄膜。 （１３）前記第２のＧａＮ系半導体が、２種類以上の組
成の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）を周期的に積層した
多層膜よりなることを特徴とする上記（１０）に記載の
ＧａＮ系半導体薄膜。 （１４）前記第１のＧａＮ系半導体と第３のＧａＮ系半
導体が、同じＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されること
を特徴とする上記（１０）ないし（１３）に記載のＧａ
Ｎ系半導体薄膜。 （１５）前記第３のＧａＮ系半導体が、表面の平坦なＧ
ａＮ系半導体薄膜であることを特徴とする上記（１０）
ないし（１４）に記載のＧａＮ系半導体薄膜。 （１６）前記第３のＧａＮ系半導体上に、表面の平坦な
ＧａＮ系半導体薄膜が形成されていることを特徴とする
上記（１０）ないし（１５）に記載のＧａＮ系半導体薄
膜。 （１７）前記ＧａＮ系半導体が成長可能な基板が、Ｇａ
Ｎ、サファイア、ＳｉＣ、シリコンのうちの何れか１種
類であることを特徴とする上記（１０）ないし（１６）
に記載のＧａＮ系半導体薄膜。 （１８）前記マスクがＳｉＮからなることを特徴とする
上記（１０）ないし（１７）に記載のＧａＮ系半導体薄
膜。である。
【００１３】また本発明は、
（１９）前記第３のＧａＮ系半導体上に、ｐ型およびｎ
型のＧａＮ系半導体薄膜からなるｐｎ接合が形成されて
いることを特徴とする上記（１０）ないし（１８）に記
載のＧａＮ系半導体薄膜。 （２０）上記（１９）に記載のＧａＮ系半導体薄膜を用
いて作製した半導体発光素子。である。
型のＧａＮ系半導体薄膜からなるｐｎ接合が形成されて
いることを特徴とする上記（１０）ないし（１８）に記
載のＧａＮ系半導体薄膜。 （２０）上記（１９）に記載のＧａＮ系半導体薄膜を用
いて作製した半導体発光素子。である。
【００１４】
【発明の実施の形態】ＧａＮ系半導体薄膜の選択成長に
おいては、ＧａＮ系半導体の成長が可能な基板の上にＧ
ａＮ系半導体の成長が起こらない物質からなるマスクを
蒸着やスパッタ、ＣＶＤ等の方法で付着させる。しかる
後にフォトリソグラフィーにより開口部を適切な形状に
パターニングし、開口部のマスクを部分的に除去する。
このように、基板上にマスクを形成した例を図４に示
す。図４はマスクを形成した基板の表面を示す平面図
で、斜線部で示す４１はマスクが付着している部分であ
り、４２はマスクが除去され基板が露出した開口部であ
る。図４の例では、マスクの開口部４２は、基板表面に
互いに平行な線状に形成してある。
おいては、ＧａＮ系半導体の成長が可能な基板の上にＧ
ａＮ系半導体の成長が起こらない物質からなるマスクを
蒸着やスパッタ、ＣＶＤ等の方法で付着させる。しかる
後にフォトリソグラフィーにより開口部を適切な形状に
パターニングし、開口部のマスクを部分的に除去する。
このように、基板上にマスクを形成した例を図４に示
す。図４はマスクを形成した基板の表面を示す平面図
で、斜線部で示す４１はマスクが付着している部分であ
り、４２はマスクが除去され基板が露出した開口部であ
る。図４の例では、マスクの開口部４２は、基板表面に
互いに平行な線状に形成してある。
【００１５】続いて、上記の開口部に露出した基板の上
にＧａＮ系半導体の結晶を成長させる。この場合、Ｇａ
Ｎ系半導体の成長初期には、マスクを除去した開口部に
のみ結晶が成長する。この開口部にのみ結晶が成長した
段階での結晶の断面形状を図３に示す。図３において、
１５は基板、１４はマスク、３１は表面が平坦化してい
ない非平面形状を有するＧａＮ系半導体の結晶である。
この様にＧａＮ系半導体薄膜の選択成長においては、表
面が平坦な薄膜が形成される途中で、結晶表面が平坦化
していない段階が必ず存在する。結晶はその後成長を続
けることによって隣接する開口部から成長した別の結晶
が合体し、最終的に表面が平坦なＧａＮ系半導体薄膜が
成長することになる。
にＧａＮ系半導体の結晶を成長させる。この場合、Ｇａ
Ｎ系半導体の成長初期には、マスクを除去した開口部に
のみ結晶が成長する。この開口部にのみ結晶が成長した
段階での結晶の断面形状を図３に示す。図３において、
１５は基板、１４はマスク、３１は表面が平坦化してい
ない非平面形状を有するＧａＮ系半導体の結晶である。
この様にＧａＮ系半導体薄膜の選択成長においては、表
面が平坦な薄膜が形成される途中で、結晶表面が平坦化
していない段階が必ず存在する。結晶はその後成長を続
けることによって隣接する開口部から成長した別の結晶
が合体し、最終的に表面が平坦なＧａＮ系半導体薄膜が
成長することになる。
【００１６】本発明者は、このＧａＮ系半導体薄膜の選
択成長の過程において必ず存在する、結晶の表面が平坦
化していない非平面状の結晶面が現れる過程に着目し、
この非平面状の結晶面を利用して光を乱反射させること
により、光を外部に取り出す効率を向上させ、ＧａＮ系
半導体を用いた半導体発光素子の発光特性を改良するこ
とに想到し、本発明を行った。
択成長の過程において必ず存在する、結晶の表面が平坦
化していない非平面状の結晶面が現れる過程に着目し、
この非平面状の結晶面を利用して光を乱反射させること
により、光を外部に取り出す効率を向上させ、ＧａＮ系
半導体を用いた半導体発光素子の発光特性を改良するこ
とに想到し、本発明を行った。
【００１７】本発明に係わるＧａＮ系半導体薄膜の断面
構造の一例を示す図を図１に示す。図１において、１１
は屈折率ｎ3を持つ第３のＧａＮ系半導体、１２は屈折
率ｎ2を持つ第２のＧａＮ系半導体、１３は屈折率ｎ1を
持つ第１のＧａＮ系半導体、１４はマスク、１５は基板
である。
構造の一例を示す図を図１に示す。図１において、１１
は屈折率ｎ3を持つ第３のＧａＮ系半導体、１２は屈折
率ｎ2を持つ第２のＧａＮ系半導体、１３は屈折率ｎ1を
持つ第１のＧａＮ系半導体、１４はマスク、１５は基板
である。
【００１８】図１に示すように、本発明のＧａＮ系半導
体薄膜では、第１のＧａＮ系半導体１３と第２のＧａＮ
系半導体１２の間、および第２のＧａＮ系半導体１２と
第３のＧａＮ系半導体１１の間に、平坦化していない界
面が形成される。ここで、第１のＧａＮ系半導体１３と
第２のＧａＮ系半導体１２、および第２のＧａＮ系半導
体１２と第３のＧａＮ系半導体１１では屈折率が異なる
ため、第１のＧａＮ系半導体１３と第２のＧａＮ系半導
体１２の界面、または第２のＧａＮ系半導体１２と第３
のＧａＮ系半導体１１の界面に入射した光はそれぞれの
界面で乱反射を起こすことになる。
体薄膜では、第１のＧａＮ系半導体１３と第２のＧａＮ
系半導体１２の間、および第２のＧａＮ系半導体１２と
第３のＧａＮ系半導体１１の間に、平坦化していない界
面が形成される。ここで、第１のＧａＮ系半導体１３と
第２のＧａＮ系半導体１２、および第２のＧａＮ系半導
体１２と第３のＧａＮ系半導体１１では屈折率が異なる
ため、第１のＧａＮ系半導体１３と第２のＧａＮ系半導
体１２の界面、または第２のＧａＮ系半導体１２と第３
のＧａＮ系半導体１１の界面に入射した光はそれぞれの
界面で乱反射を起こすことになる。
【００１９】本発明のＧａＮ系半導体薄膜は、次の手順
で形成させる。まず、ＧａＮ系半導体が成長可能な基板
上に、ＧａＮ系半導体の成長が起こらない物質からなる
マスクを付着させ、該マスクに適切な開口部を設ける。
で形成させる。まず、ＧａＮ系半導体が成長可能な基板
上に、ＧａＮ系半導体の成長が起こらない物質からなる
マスクを付着させ、該マスクに適切な開口部を設ける。
【００２０】ここで、本発明で用いるＧａＮ系半導体が
成長可能な基板としては、ＧａＮ、サファイア、Ｓｉ
Ｃ、シリコンが好ましい。例えば、ＧａＮ層を表面に形
成したサファイアを基板として用いることができる。ま
た、マスクを構成するＧａＮ系半導体の成長が起こらな
い物質としては、ＳｉＮが好ましい。マスクの厚さは、
開口部をエッチングにより作製するのに容易であり、か
つ熱応力に伴う過剰なストレスを生じさせないために、
０．０１μｍ〜１μｍ程度とするのが好ましい。
成長可能な基板としては、ＧａＮ、サファイア、Ｓｉ
Ｃ、シリコンが好ましい。例えば、ＧａＮ層を表面に形
成したサファイアを基板として用いることができる。ま
た、マスクを構成するＧａＮ系半導体の成長が起こらな
い物質としては、ＳｉＮが好ましい。マスクの厚さは、
開口部をエッチングにより作製するのに容易であり、か
つ熱応力に伴う過剰なストレスを生じさせないために、
０．０１μｍ〜１μｍ程度とするのが好ましい。
【００２１】マスクは、蒸着やスパッタ、ＣＶＤ等の方
法で基板に付着させることが出来る。またマスクの開口
部は、フォトリソグラフィーにより開口部を適切な形状
にパターニングし、開口部のマスクをエッチング等の方
法により部分的に除去することにより形成することがで
きる。
法で基板に付着させることが出来る。またマスクの開口
部は、フォトリソグラフィーにより開口部を適切な形状
にパターニングし、開口部のマスクをエッチング等の方
法により部分的に除去することにより形成することがで
きる。
【００２２】開口部の形状は、幅１〜１０μｍ程度で基
板の大きさに対応する長さの線状とすることができる。
この線状の開口部を設ける場合、同じ形状の開口部を１
〜５０μｍの間隔でマスクに平行に配置することによ
り、隣接した開口部から成長したＧａＮ系半導体結晶同
士を合体させて、平坦な表面を有するＧａＮ系半導体薄
膜を製造することができる。
板の大きさに対応する長さの線状とすることができる。
この線状の開口部を設ける場合、同じ形状の開口部を１
〜５０μｍの間隔でマスクに平行に配置することによ
り、隣接した開口部から成長したＧａＮ系半導体結晶同
士を合体させて、平坦な表面を有するＧａＮ系半導体薄
膜を製造することができる。
【００２３】或いは、開口部の形状を直径が５〜５０μ
ｍ程度の円とし、該開口部をマスクに５〜１００μｍの
間隔で分散配置させても、隣接した開口部から成長した
ＧａＮ系半導体結晶同士を合体させて、平坦な表面を有
するＧａＮ系半導体薄膜を製造することもできる。
ｍ程度の円とし、該開口部をマスクに５〜１００μｍの
間隔で分散配置させても、隣接した開口部から成長した
ＧａＮ系半導体結晶同士を合体させて、平坦な表面を有
するＧａＮ系半導体薄膜を製造することもできる。
【００２４】次に、開口部から屈折率ｎ1を持った第１
のＧａＮ系半導体を成長させる。そして、該第１のＧａ
Ｎ系半導体の表面が平坦化する前の非平面形状を有する
段階で、第１のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ2を
持つ第２のＧａＮ系半導体を第１のＧａＮ系半導体上に
成長させる。
のＧａＮ系半導体を成長させる。そして、該第１のＧａ
Ｎ系半導体の表面が平坦化する前の非平面形状を有する
段階で、第１のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ2を
持つ第２のＧａＮ系半導体を第１のＧａＮ系半導体上に
成長させる。
【００２５】第１のＧａＮ系半導体の表面が平坦化する
前の非平面形状を有する段階とは、隣接する開口部から
成長した結晶同士が合体する前であっても良いし、一部
合体した後でも良い。一般に選択成長で形成した結晶
は、隣接する開口部の間隔とおよそ同程度の厚さになる
と表面が平坦な薄膜となる。例えば、マスクに間隔を６
μｍとして線状の開口部を形成した場合、およそ６μｍ
程度の厚さの結晶を成長させるとほぼ表面が平坦な薄膜
となる。従って本発明においては、表面が平坦化するま
での適当な段階で、第１のＧａＮ系半導体の成長を中止
し、その上に第２のＧａＮ系半導体を成長させる。
前の非平面形状を有する段階とは、隣接する開口部から
成長した結晶同士が合体する前であっても良いし、一部
合体した後でも良い。一般に選択成長で形成した結晶
は、隣接する開口部の間隔とおよそ同程度の厚さになる
と表面が平坦な薄膜となる。例えば、マスクに間隔を６
μｍとして線状の開口部を形成した場合、およそ６μｍ
程度の厚さの結晶を成長させるとほぼ表面が平坦な薄膜
となる。従って本発明においては、表面が平坦化するま
での適当な段階で、第１のＧａＮ系半導体の成長を中止
し、その上に第２のＧａＮ系半導体を成長させる。
【００２６】ここで、第１のＧａＮ系半導体の屈折率ｎ
1と第２のＧａＮ系半導体の屈折率ｎ2とを異なるものに
することにより、第１のＧａＮ系半導体と第２のＧａＮ
系半導体の界面で光の反射や屈折が生じ、光が乱反射す
ることになる。屈折率ｎ1と屈折率ｎ2との大小関係やそ
の値の差は、任意に選ぶことが出来る。ここで屈折率ｎ
1と屈折率ｎ2との差が大きいほど光の反射率が高いため
好ましい。
1と第２のＧａＮ系半導体の屈折率ｎ2とを異なるものに
することにより、第１のＧａＮ系半導体と第２のＧａＮ
系半導体の界面で光の反射や屈折が生じ、光が乱反射す
ることになる。屈折率ｎ1と屈折率ｎ2との大小関係やそ
の値の差は、任意に選ぶことが出来る。ここで屈折率ｎ
1と屈折率ｎ2との差が大きいほど光の反射率が高いため
好ましい。
【００２７】さらに本発明においては、第２のＧａＮ系
半導体の表面が平坦化しない段階で、第２のＧａＮ系半
導体とは異なった屈折率ｎ3を持つ第３のＧａＮ系半導
体を第２のＧａＮ系半導体上に成長させる。第３のＧａ
Ｎ系半導体を第２のＧａＮ系半導体上に成長させる条件
は、第２のＧａＮ系半導体を第１のＧａＮ系半導体上に
成長させる条件と同様とする。
半導体の表面が平坦化しない段階で、第２のＧａＮ系半
導体とは異なった屈折率ｎ3を持つ第３のＧａＮ系半導
体を第２のＧａＮ系半導体上に成長させる。第３のＧａ
Ｎ系半導体を第２のＧａＮ系半導体上に成長させる条件
は、第２のＧａＮ系半導体を第１のＧａＮ系半導体上に
成長させる条件と同様とする。
【００２８】第３のＧａＮ系半導体を第２のＧａＮ系半
導体上に成長させることにより、第２のＧａＮ系半導体
と第３のＧａＮ系半導体の界面でも光の乱反射が生じる
ことになり、光を外部に取り出す効率が向上する。
導体上に成長させることにより、第２のＧａＮ系半導体
と第３のＧａＮ系半導体の界面でも光の乱反射が生じる
ことになり、光を外部に取り出す効率が向上する。
【００２９】本発明では、上記の第１、第２、第３のＧ
ａＮ系半導体が、それぞれ隣接するＧａＮ系半導体とは
組成の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されること
が好ましい。ＡｌxＧａyＩｎ1- x-yＮの組成によりＧａ
Ｎ系半導体の屈折率は変化するため、第１、第２、第３
のＧａＮ系半導体を、それぞれ隣接するＧａＮ系半導体
とは組成の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦
ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成するこ
とにより、屈折率の異なるＧａＮ系半導体の順次積層す
ることができる。
ａＮ系半導体が、それぞれ隣接するＧａＮ系半導体とは
組成の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されること
が好ましい。ＡｌxＧａyＩｎ1- x-yＮの組成によりＧａ
Ｎ系半導体の屈折率は変化するため、第１、第２、第３
のＧａＮ系半導体を、それぞれ隣接するＧａＮ系半導体
とは組成の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦
ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成するこ
とにより、屈折率の異なるＧａＮ系半導体の順次積層す
ることができる。
【００３０】また本発明では、第１、第２、第３のＧａ
Ｎ系半導体が、それぞれ隣接するＧａＮ系半導体とはド
ーピング状態の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成さ
れるのが好ましい。ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮのドーピン
グ状態を制御することにより、ＧａＮ系半導体の屈折率
を設定して、屈折率の異なるＧａＮ系半導体の組み合わ
せを構成することができる。
Ｎ系半導体が、それぞれ隣接するＧａＮ系半導体とはド
ーピング状態の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成さ
れるのが好ましい。ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮのドーピン
グ状態を制御することにより、ＧａＮ系半導体の屈折率
を設定して、屈折率の異なるＧａＮ系半導体の組み合わ
せを構成することができる。
【００３１】第１、第２、第３のＧａＮ系半導体間の屈
折率の差は、異なる組成のＡｌxＧayＩｎ1-x-yＮの組み
合わせの他に、同じ組成でも異なるドーピング状態のＡ
ｌxＧayＩｎ1-x-yＮの組み合わせで実現することも可能
である。もちろん、異なるドーピング状態で異なる組成
のＡｌxＧayＩｎ1-x-yＮの組み合わせから、第１、第
２、第３のＧａＮ系半導体を構成しても良い。
折率の差は、異なる組成のＡｌxＧayＩｎ1-x-yＮの組み
合わせの他に、同じ組成でも異なるドーピング状態のＡ
ｌxＧayＩｎ1-x-yＮの組み合わせで実現することも可能
である。もちろん、異なるドーピング状態で異なる組成
のＡｌxＧayＩｎ1-x-yＮの組み合わせから、第１、第
２、第３のＧａＮ系半導体を構成しても良い。
【００３２】また本発明においては、前記第２のＧａＮ
系半導体を、２種類以上の組成の異なるＡｌxＧａyＩｎ
1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ
≦１）を周期的に積層した多層膜から構成することがで
きる。例えば、第２のＧａＮ系半導体層を、各々の厚さ
が発光波長の四分の一に相当する２種類の組成の異なる
ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮを交互に積層した多層膜（ＤＢ
Ｒ反射膜）から構成すると、光の乱反射が生じやすくな
り発光を外部に取り出す効率が向上する。
系半導体を、２種類以上の組成の異なるＡｌxＧａyＩｎ
1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ
≦１）を周期的に積層した多層膜から構成することがで
きる。例えば、第２のＧａＮ系半導体層を、各々の厚さ
が発光波長の四分の一に相当する２種類の組成の異なる
ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮを交互に積層した多層膜（ＤＢ
Ｒ反射膜）から構成すると、光の乱反射が生じやすくな
り発光を外部に取り出す効率が向上する。
【００３３】また本発明では、第１のＧａＮ系半導体と
第３のＧａＮ系半導体が、同じＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ
（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）よ
り構成されていても良い。本発明は、屈折率の異なる２
種類のＧａＮ系半導体を交互に形成する構成とすること
が出来る。その場合、第３のＧａＮ系半導体の上にさら
に１以上のＧａＮ系半導体を成長させても良い。
第３のＧａＮ系半導体が、同じＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ
（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）よ
り構成されていても良い。本発明は、屈折率の異なる２
種類のＧａＮ系半導体を交互に形成する構成とすること
が出来る。その場合、第３のＧａＮ系半導体の上にさら
に１以上のＧａＮ系半導体を成長させても良い。
【００３４】本発明では、隣接する開口部から成長した
ＧａＮ系半導体を、第３のＧａＮ系半導体を成長する際
に合体させて、表面の平坦なＧａＮ系半導体薄膜を構成
することができる。また、第３のＧａＮ系半導体の上に
さらに１以上のＧａＮ系半導体を成長させ、そのＧａＮ
系半導体を成長する際に合体させて、表面の平坦なＧａ
Ｎ系半導体薄膜を構成しても良い。本発明では、最低限
３つのＧａＮ系半導体を順次成長させて、光を乱反射す
る２つの界面を作ることにより、光を外部に取り出す効
果を向上させる。
ＧａＮ系半導体を、第３のＧａＮ系半導体を成長する際
に合体させて、表面の平坦なＧａＮ系半導体薄膜を構成
することができる。また、第３のＧａＮ系半導体の上に
さらに１以上のＧａＮ系半導体を成長させ、そのＧａＮ
系半導体を成長する際に合体させて、表面の平坦なＧａ
Ｎ系半導体薄膜を構成しても良い。本発明では、最低限
３つのＧａＮ系半導体を順次成長させて、光を乱反射す
る２つの界面を作ることにより、光を外部に取り出す効
果を向上させる。
【００３５】本発明では、第３のＧａＮ系半導体上に、
表面の平坦なＧａＮ系半導体薄膜を形成させることが出
来る。例えば、第３のＧａＮ系半導体上に、表面の平坦
なｐ型およびｎ型のＧａＮ系半導体薄膜を成長させ、ｐ
ｎ接合を形成することが出来る。そして、このｐｎ接合
を発光部として用いることにより、本発明のＧａＮ系半
導体薄膜から半導体発光素子を作製することが出来る。
半導体発光素子のｐｎ接合の界面は、平坦である方が結
晶欠陥の導入される可能性が少ないため好ましい。
表面の平坦なＧａＮ系半導体薄膜を形成させることが出
来る。例えば、第３のＧａＮ系半導体上に、表面の平坦
なｐ型およびｎ型のＧａＮ系半導体薄膜を成長させ、ｐ
ｎ接合を形成することが出来る。そして、このｐｎ接合
を発光部として用いることにより、本発明のＧａＮ系半
導体薄膜から半導体発光素子を作製することが出来る。
半導体発光素子のｐｎ接合の界面は、平坦である方が結
晶欠陥の導入される可能性が少ないため好ましい。
【００３６】
【実施例】以下本発明を、実施例を用いて説明する。
【００３７】（実施例１）本実施例１では、表面にＧａ
Ｎ層を１．６μｍ成長させたサファイアのウェハーを基
板として用いた。まず、ウェハー上のＧａＮ層の表面
に、プラズマＣＶＤにより窒化シリコン（ＳｉＮ）を
０．１μｍの厚さでマスクとして堆積させた。
Ｎ層を１．６μｍ成長させたサファイアのウェハーを基
板として用いた。まず、ウェハー上のＧａＮ層の表面
に、プラズマＣＶＤにより窒化シリコン（ＳｉＮ）を
０．１μｍの厚さでマスクとして堆積させた。
【００３８】続いて堆積させたＳｉＮマスクの表面にレ
ジストを塗布し、通常のフォトリソグラフィーの方法を
用いて、マスクの開口部のパターンを形成した。マスク
の開口部のパターンは、幅４μｍのストリート状の開口
部と幅４μｍのストリート状のマスクが残存する部分と
が交互に並ぶ1次元の周期的な形状とした。開口部上の
レジストを剥離した後、ウェハーをフッ酸（ＨＦ）：水
＝１：９のエッチング液でエッチングし、開口部のＳｉ
Ｎを除去した。その後ＳｉＮマスク表面のレジストを除
去して、４μｍのストリート状にＧａＮ層が露出した開
口部とマスクが４μｍのストリート状に残った領域とが
周期状に隣り合って形成されたウェハーを得た。作製し
たウェハーの開口部とマスクの形状は、図４に示したも
のと同様である。
ジストを塗布し、通常のフォトリソグラフィーの方法を
用いて、マスクの開口部のパターンを形成した。マスク
の開口部のパターンは、幅４μｍのストリート状の開口
部と幅４μｍのストリート状のマスクが残存する部分と
が交互に並ぶ1次元の周期的な形状とした。開口部上の
レジストを剥離した後、ウェハーをフッ酸（ＨＦ）：水
＝１：９のエッチング液でエッチングし、開口部のＳｉ
Ｎを除去した。その後ＳｉＮマスク表面のレジストを除
去して、４μｍのストリート状にＧａＮ層が露出した開
口部とマスクが４μｍのストリート状に残った領域とが
周期状に隣り合って形成されたウェハーを得た。作製し
たウェハーの開口部とマスクの形状は、図４に示したも
のと同様である。
【００３９】上記のウェハー上へのＧａＮ系半導体の成
長は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によって行
った。本実施例１のＭＯＣＶＤ法では、Ｖ族原料にはア
ンモニアを用い、ＩＩＩ族原料には有機金属であるトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム
（ＴＭＡ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用い
た。また、ｎ型不純物のドーピング原料としてはモノシ
ラン、ｐ型不純物のドーピング原料としてはビスシクロ
ペンタジエニルマグネシウムを用いた。キャリアガスと
しては水素及び窒素を用いた。
長は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によって行
った。本実施例１のＭＯＣＶＤ法では、Ｖ族原料にはア
ンモニアを用い、ＩＩＩ族原料には有機金属であるトリ
メチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム
（ＴＭＡ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用い
た。また、ｎ型不純物のドーピング原料としてはモノシ
ラン、ｐ型不純物のドーピング原料としてはビスシクロ
ペンタジエニルマグネシウムを用いた。キャリアガスと
しては水素及び窒素を用いた。
【００４０】ＭＯＣＶＤ法に用いる成長装置のリアクタ
ーに、上記のウェハーをセットした。そしてリアクター
を真空でパージした後、キャリアガスとアンモニアを流
しながらリアクターの温度を成長温度である１１４０℃
に昇温した。なお以下の工程では、キャリアガスとアン
モニアはリアクターに常時供給しておいた。リアクター
の温度が１１４０℃に達したところで、第１の工程とし
てリアクター内にＴＭＧを１３０μｍｏｌ／ｍｉｎの流
量で６０分間導入した。この第１の工程では、ＧａＮ層
が露出したストリート上の開口部に、図３に示したもの
と同様に上辺４μｍ、底辺６μｍ、高さ２μｍの台形状
の断面を持つＧａＮ結晶が成長した。但し、隣り合う開
口部から成長したＧａＮ結晶同士は合体していなかっ
た。
ーに、上記のウェハーをセットした。そしてリアクター
を真空でパージした後、キャリアガスとアンモニアを流
しながらリアクターの温度を成長温度である１１４０℃
に昇温した。なお以下の工程では、キャリアガスとアン
モニアはリアクターに常時供給しておいた。リアクター
の温度が１１４０℃に達したところで、第１の工程とし
てリアクター内にＴＭＧを１３０μｍｏｌ／ｍｉｎの流
量で６０分間導入した。この第１の工程では、ＧａＮ層
が露出したストリート上の開口部に、図３に示したもの
と同様に上辺４μｍ、底辺６μｍ、高さ２μｍの台形状
の断面を持つＧａＮ結晶が成長した。但し、隣り合う開
口部から成長したＧａＮ結晶同士は合体していなかっ
た。
【００４１】続く第２の工程では、ＴＭＡを３２．５μ
ｍｏｌ／ｍｉｎの流量でＴＭＧと一緒に１５分間リアク
ターに供給し、上記のＧａＮ結晶上にＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ
結晶を０．２μｍ成長させた。さらに引き続き第３の工
程で、ＴＭＧだけをリアクターに供給して、再度ＧａＮ
結晶をＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ結晶上に成長させた。この第３
の工程でのＧａＮ結晶の成長により、隣接する開口部か
ら成長したＧａＮ結晶同士の合体と結晶表面の平坦化を
達成した。この表面が平坦化したＧａＮ結晶からなる半
導体薄膜の層厚は、６μｍであった。
ｍｏｌ／ｍｉｎの流量でＴＭＧと一緒に１５分間リアク
ターに供給し、上記のＧａＮ結晶上にＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ
結晶を０．２μｍ成長させた。さらに引き続き第３の工
程で、ＴＭＧだけをリアクターに供給して、再度ＧａＮ
結晶をＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ結晶上に成長させた。この第３
の工程でのＧａＮ結晶の成長により、隣接する開口部か
ら成長したＧａＮ結晶同士の合体と結晶表面の平坦化を
達成した。この表面が平坦化したＧａＮ結晶からなる半
導体薄膜の層厚は、６μｍであった。
【００４２】上記の第３の工程が終了した後、ＴＭＧと
同時にモノシランを１ｎｍｏｌ／ｍｉｎの流量でリアク
ターに供給し、上記のＧａＮからなる半導体薄膜の上に
ｎ型ＧａＮ層を２μｍ成長させた。ｎ型ＧａＮ層のキャ
リア濃度は４×１０18ｃｍ-3であった。
同時にモノシランを１ｎｍｏｌ／ｍｉｎの流量でリアク
ターに供給し、上記のＧａＮからなる半導体薄膜の上に
ｎ型ＧａＮ層を２μｍ成長させた。ｎ型ＧａＮ層のキャ
リア濃度は４×１０18ｃｍ-3であった。
【００４３】次にリアクターの温度を８００℃に低下さ
せ、多重量子井戸（ＭＱＷ）構造よりなる発光部を成長
させた。ＭＱＷ構造は、ＧａＮからなる７ｎｍの障壁層
とＩｎＧａＮからなる３ｎｍの井戸層との組み合わせを
５ペア積層して形成し、発光波長が４７０ｎｍとなるよ
うに組成等の条件を設定した。なお、ＭＱＷ構造の成長
の時には、リアクターにモノシランの供給は行わなかっ
た。
せ、多重量子井戸（ＭＱＷ）構造よりなる発光部を成長
させた。ＭＱＷ構造は、ＧａＮからなる７ｎｍの障壁層
とＩｎＧａＮからなる３ｎｍの井戸層との組み合わせを
５ペア積層して形成し、発光波長が４７０ｎｍとなるよ
うに組成等の条件を設定した。なお、ＭＱＷ構造の成長
の時には、リアクターにモノシランの供給は行わなかっ
た。
【００４４】続いてリアクターの温度を１０６０℃に昇
温し、ＴＭＧ或いはＴＭＡと同時にビスシクロペンタジ
エニルマグネシウムを０．２μｍｏｌ／ｍｉｎの流量で
リアクターに供給することによって、ＭＱＷ構造の上に
Ｍｇをドープしたｐ型のＡｌ0. 1Ｇａ0.9Ｎ層を０．１μ
ｍ、さらにその上にｐ型のＧａＮ層を０．１μｍ成長さ
せた。
温し、ＴＭＧ或いはＴＭＡと同時にビスシクロペンタジ
エニルマグネシウムを０．２μｍｏｌ／ｍｉｎの流量で
リアクターに供給することによって、ＭＱＷ構造の上に
Ｍｇをドープしたｐ型のＡｌ0. 1Ｇａ0.9Ｎ層を０．１μ
ｍ、さらにその上にｐ型のＧａＮ層を０．１μｍ成長さ
せた。
【００４５】以上の操作で製造したウェハーを成長装置
のリアクターから取り出した後、ｐ型のＧａＮ層の表面
にＮｉ／Ａｕよりなる透光性電極とボンディング電極を
作製した。さらに、ウェハーの一部分でｐ型のＧａＮ
層、ｐ型のＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層およびＭＱＷ構造をドラ
イエッチングによって除去し、ｎ型ＧａＮ層を露出させ
て、そこにＴｉ／Ａｕよりなるｎ型電極を形成した。そ
の後、スクライバーによりウェハーを切断し、半導体発
光素子を製造した。
のリアクターから取り出した後、ｐ型のＧａＮ層の表面
にＮｉ／Ａｕよりなる透光性電極とボンディング電極を
作製した。さらに、ウェハーの一部分でｐ型のＧａＮ
層、ｐ型のＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層およびＭＱＷ構造をドラ
イエッチングによって除去し、ｎ型ＧａＮ層を露出させ
て、そこにＴｉ／Ａｕよりなるｎ型電極を形成した。そ
の後、スクライバーによりウェハーを切断し、半導体発
光素子を製造した。
【００４６】以上の操作により製造した半導体発光素子
の断面構造を、図２に示す。図２において、２１はボン
ディング電極、２２は透光性電極、２３はｐ型ＧａＮ
層、２４はｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層、２５は多重量子井
戸構造よりなる発光部、２６はｎ型ＧａＮ層、２７はｎ
型電極、２８は第３の工程で成長したＧａＮ結晶、２９
は第２の工程で成長したＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ結晶、３０は
第１の工程で成長したＧａＮ結晶、１４はマスク、１５
は基板である。
の断面構造を、図２に示す。図２において、２１はボン
ディング電極、２２は透光性電極、２３はｐ型ＧａＮ
層、２４はｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層、２５は多重量子井
戸構造よりなる発光部、２６はｎ型ＧａＮ層、２７はｎ
型電極、２８は第３の工程で成長したＧａＮ結晶、２９
は第２の工程で成長したＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ結晶、３０は
第１の工程で成長したＧａＮ結晶、１４はマスク、１５
は基板である。
【００４７】この様にして作製した半導体発光素子の特
性は、輝度の平均が３〜４Ｃｄであった。
性は、輝度の平均が３〜４Ｃｄであった。
【００４８】（比較例１）比較のため、実施例１で第２
の工程のＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎの成長を行わず、その他は実
施例１と同じにして、半導体発光素子の作製を行った。
本比較例１で作製した半導体発光素子の輝度の平均が２
Ｃｄであった。本比較例１で作製した半導体発光素子の
輝度が、実施例１で作製した半導体発光素子の輝度より
低い原因は、第２の工程のＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎの成長を行
わず、第１の工程で成長したＧａＮ結晶の上に直接第３
の工程でＧａＮ結晶を成長したため、屈折率の異なる半
導体の界面が形成されず、発光素子内で光の乱反射が生
じなかったためだと考えられる。
の工程のＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎの成長を行わず、その他は実
施例１と同じにして、半導体発光素子の作製を行った。
本比較例１で作製した半導体発光素子の輝度の平均が２
Ｃｄであった。本比較例１で作製した半導体発光素子の
輝度が、実施例１で作製した半導体発光素子の輝度より
低い原因は、第２の工程のＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎの成長を行
わず、第１の工程で成長したＧａＮ結晶の上に直接第３
の工程でＧａＮ結晶を成長したため、屈折率の異なる半
導体の界面が形成されず、発光素子内で光の乱反射が生
じなかったためだと考えられる。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、非平面状の結晶面を利
用して光を乱反射させることにより、光を外部に取り出
す効率を向上させ、ＧａＮ系半導体を用いた半導体発光
素子の輝度を向上させることが出来る。
用して光を乱反射させることにより、光を外部に取り出
す効率を向上させ、ＧａＮ系半導体を用いた半導体発光
素子の輝度を向上させることが出来る。
【図１】本発明に係るＧａＮ系半導体薄膜の断面構造の
一例を示す図
一例を示す図
【図２】本発明の実施例１に係る半導体発光素子の断面
構造を示す図
構造を示す図
【図３】開口部にのみ結晶が成長した段階でのＧａＮ系
半導体結晶の断面形状を示す図
半導体結晶の断面形状を示す図
【図４】マスクを形成した基板の表面を示す平面図
１１ 屈折率ｎ3を持つ第３のＧａＮ系半導体
１２ 屈折率ｎ2を持つ第２のＧａＮ系半導体
１３ 屈折率ｎ1を持つ第１のＧａＮ系半導体
１４ マスク
１５ 基板
２１ ボンディング電極
２２ 透光性電極
２３ ｐ型ＧａＮ層
２４ ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層
２５ 多重量子井戸構造よりなる発光部
２６ ｎ型ＧａＮ層
２７ ｎ型電極
２８ 第３の工程で成長したＧａＮ結晶
２９ 第２の工程で成長したＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ結晶
３０ 第１の工程で成長したＧａＮ結晶
３１ 表面が平坦化していない非平面形状を有するＧａ
Ｎ系半導体結晶 ４１ マスクが付着している部分 ４２ 開口部
Ｎ系半導体結晶 ４１ マスクが付着している部分 ４２ 開口部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE11 BE15 DB06 ED06
EF01 EF05 HA02 TB05 TF01
4K030 AA11 BA38 BB12 CA05 FA10
JA06 LA11
5F041 CA05 CA33 CA34 CA40 CA46
CA65 CA74 CA82 CA88 CA92
CB15
5F045 AA04 AB14 AB17 AB18 AC08
AC12 AC19 CA10 DA52 DA55
DA64 DB02 EE17
Claims (20)
- 【請求項１】ＧａＮ系半導体（ＡｌxＧａyＩｎ
1-x-yＮ、但し０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦
１）が成長可能な基板の表面に、ＧａＮ系半導体の成長
が起こらない物質からなるマスクを付着させ、該マスク
に適切な開口部を設け、開口部からＧａＮ系半導体薄膜
を成長させるＧａＮ系半導体薄膜の製造方法において、
屈折率ｎ1を持った第１のＧａＮ系半導体を開口部から
成長させる第１の工程と、該第１のＧａＮ系半導体の表
面が平坦化しない段階で、第１のＧａＮ系半導体とは異
なる屈折率ｎ2を持つ第２のＧａＮ系半導体を第１のＧ
ａＮ系半導体上に成長させる第２の工程と、該第２のＧ
ａＮ系半導体の表面が平坦化しない段階で、さらに第２
のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ3を持つ第３のＧ
ａＮ系半導体を第２のＧａＮ系半導体上に成長させる第
３の工程とを具備することを特徴とするＧａＮ系半導体
薄膜の製造方法。 - 【請求項２】前記第１、第２、第３のＧａＮ系半導体
が、それぞれ隣接するＧａＮ系半導体とは組成の異なる
ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦
１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴とする
請求項１に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項３】前記第１、第２、第３のＧａＮ系半導体
が、それぞれ隣接するＧａＮ系半導体とはドーピング状
態の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されること
を特徴とする請求項１または２に記載のＧａＮ系半導体
薄膜の製造方法。 - 【請求項４】前記第２のＧａＮ系半導体が、２種類以上
の組成の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ
≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）を周期的に積層し
た多層膜よりなることを特徴とする請求項１に記載のＧ
ａＮ系半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項５】前記第１のＧａＮ系半導体と第３のＧａＮ
系半導体が、同じＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦
ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成される
ことを特徴とする請求項１ないし４に記載のＧａＮ系半
導体薄膜の製造方法。 - 【請求項６】前記第３のＧａＮ系半導体が、表面の平坦
なＧａＮ系半導体薄膜となることを特徴とする請求項１
ないし５に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項７】前記第３のＧａＮ系半導体上に、表面の平
坦なＧａＮ系半導体薄膜を成長させることを特徴とする
請求項１ないし６に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製造方
法。 - 【請求項８】前記ＧａＮ系半導体が成長可能な基板が、
ＧａＮ、サファイア、ＳｉＣ、シリコンのうちの何れか
１種類であることを特徴とする請求項１ないし７に記載
のＧａＮ系半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項９】前記マスクがＳｉＮからなることを特徴と
する請求項１ないし８に記載のＧａＮ系半導体薄膜の製
造方法。 - 【請求項１０】基板上にマスクを付着させ、該マスクに
適切な開口部を設け、開口部からマスク表面を覆って成
長させたＧａＮ系半導体薄膜において、該ＧａＮ系半導
体薄膜が、開口部から成長させた屈折率ｎ1を持つ第１
のＧａＮ系半導体と、該第１のＧａＮ系半導体の表面が
平坦化しない段階で第１のＧａＮ系半導体上に成長させ
た、第１のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ2を持つ
第２のＧａＮ系半導体と、第２のＧａＮ系半導体の表面
が平坦化しない段階で第２のＧａＮ系半導体上に成長さ
せた、第２のＧａＮ系半導体とは異なる屈折率ｎ3を持
つ第３のＧａＮ系半導体とを具備することを特徴とする
ＧａＮ系半導体薄膜。 - 【請求項１１】前記第１、第２、第３のＧａＮ系半導体
が、それぞれ隣接するＧａＮ系半導体とは組成の異なる
ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦
１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されることを特徴とする
請求項１０に記載のＧａＮ系半導体薄膜。 - 【請求項１２】前記第１、第２、第３のＧａＮ系半導体
が、それぞれ隣接するＧａＮ系半導体とはドーピング状
態の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成されること
を特徴とする請求項１０または１１に記載のＧａＮ系半
導体薄膜。 - 【請求項１３】前記第２のＧａＮ系半導体が、２種類以
上の組成の異なるＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０≦
ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）を周期的に積層
した多層膜よりなることを特徴とする請求項１０に記載
のＧａＮ系半導体薄膜。 - 【請求項１４】前記第１のＧａＮ系半導体と第３のＧａ
Ｎ系半導体が、同じＡｌ xＧａyＩｎ1-x-yＮ（但し、０
≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）より構成され
ることを特徴とする請求項１０ないし１３に記載のＧａ
Ｎ系半導体薄膜。 - 【請求項１５】前記第３のＧａＮ系半導体が、表面の平
坦なＧａＮ系半導体薄膜であることを特徴とする請求項
１０ないし１４に記載のＧａＮ系半導体薄膜。 - 【請求項１６】前記第３のＧａＮ系半導体上に、表面の
平坦なＧａＮ系半導体薄膜が形成されていることを特徴
とする請求項１０ないし１５に記載のＧａＮ系半導体薄
膜。 - 【請求項１７】前記ＧａＮ系半導体が成長可能な基板
が、ＧａＮ、サファイア、ＳｉＣ、シリコンのうちの何
れか１種類であることを特徴とする請求項１０ないし１
６に記載のＧａＮ系半導体薄膜。 - 【請求項１８】前記マスクがＳｉＮからなることを特徴
とする請求項１０ないし１７に記載のＧａＮ系半導体薄
膜。 - 【請求項１９】前記第３のＧａＮ系半導体上に、ｐ型お
よびｎ型のＧａＮ系半導体薄膜からなるｐｎ接合が形成
されていることを特徴とする請求項１０ないし１８に記
載のＧａＮ系半導体薄膜。 - 【請求項２０】請求項１９に記載のＧａＮ系半導体薄膜
を用いて作製した半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001356801A JP2003158295A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | ＧａＮ系半導体薄膜、その製造方法、半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001356801A JP2003158295A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | ＧａＮ系半導体薄膜、その製造方法、半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003158295A true JP2003158295A (ja) | 2003-05-30 |
| JP2003158295A5 JP2003158295A5 (ja) | 2005-07-07 |
Family
ID=19168255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001356801A Pending JP2003158295A (ja) | 2001-11-22 | 2001-11-22 | ＧａＮ系半導体薄膜、その製造方法、半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003158295A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1681727A1 (en) * | 2003-11-04 | 2006-07-19 | Pioneer Corporation | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
| WO2006080708A1 (en) * | 2004-10-06 | 2006-08-03 | Epivalley Co., Ltd. | Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| US7704860B2 (en) | 2004-11-22 | 2010-04-27 | Panasonic Corporation | Nitride-based semiconductor device and method for fabricating the same |
| WO2020213388A1 (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-22 | ソニー株式会社 | 化合物半導体層積層体及びその形成方法、並びに、発光デバイス |
-
2001
- 2001-11-22 JP JP2001356801A patent/JP2003158295A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1681727A1 (en) * | 2003-11-04 | 2006-07-19 | Pioneer Corporation | Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
| JPWO2005043633A1 (ja) * | 2003-11-04 | 2007-05-10 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| EP1681727A4 (en) * | 2003-11-04 | 2009-12-16 | Pioneer Corp | SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| JP4588638B2 (ja) * | 2003-11-04 | 2010-12-01 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| WO2006080708A1 (en) * | 2004-10-06 | 2006-08-03 | Epivalley Co., Ltd. | Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| US7704860B2 (en) | 2004-11-22 | 2010-04-27 | Panasonic Corporation | Nitride-based semiconductor device and method for fabricating the same |
| WO2020213388A1 (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-22 | ソニー株式会社 | 化合物半導体層積層体及びその形成方法、並びに、発光デバイス |
| EP3958333A4 (en) * | 2019-04-19 | 2022-06-08 | Sony Group Corporation | COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER LAMINATE AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, AND LIGHT-EMITTING DEVICE |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5521981B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP5330040B2 (ja) | 半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法 | |
| JP4307113B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| TWI385822B (zh) | Iii 族氮化物半導體層之製造方法，及iii 族氮化物半導體發光元件，以及燈 | |
| JP3567790B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
| JP5187610B2 (ja) | 窒化物半導体ウエハないし窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
| KR101060830B1 (ko) | 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자의 제조 방법, 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 소자 및 이를 이용한 램프 | |
| KR100568298B1 (ko) | 외부양자효율이 개선된 질화물 반도체 및 그 제조방법 | |
| JP3712770B2 (ja) | ３族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子 | |
| JP2005277374A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH10321911A (ja) | 単結晶シリコン上に化合物半導体のエピタキシヤル層を製造する方法及びそれにより製造された発光ダイオード | |
| JP2001160627A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
| JP2003152220A (ja) | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 | |
| JPH11135832A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 | |
| KR101071450B1 (ko) | Ⅲ족 질화물 반도체층의 제조 방법 및 ⅲ족 질화물 반도체 발광 소자, 및 램프 | |
| WO2009142265A1 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ | |
| JP4724901B2 (ja) | 窒化物半導体の製造方法 | |
| JP3744155B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法 | |
| JP2006339427A (ja) | 窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法、窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハ、及び窒化物半導体発光ダイオード | |
| TW202231946A (zh) | 紫外線發光元件用磊晶晶圓、紫外線發光元件用金屬貼合基板的製造方法、紫外線發光元件的製造方法、及紫外線發光元件陣列的製造方法 | |
| JP3841537B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法 | |
| JP2006147787A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JP3884969B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2005085932A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP3589000B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041110 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041110 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070717 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070821 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071018 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080325 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080519 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080519 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080619 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080725 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081002 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081002 |