WO2008018227A1

WO2008018227A1 - Procédé de production d'un substrat céramique multicouche

Info

Publication number: WO2008018227A1
Application number: PCT/JP2007/061415
Authority: WO
Inventors: Akiyoshi Kawamura; Takayuki Tsukizawa; Tetsuya Ikeda; Osamu Chikagawa
Original assignee: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date: 2006-08-07
Filing date: 2007-06-06
Publication date: 2008-02-14
Also published as: EP2051570B1; EP2051570A4; KR101011196B1; JP5090185B2; US7833370B2; CN101347058A; KR20080037041A; EP2051570A1; CN101347058B; DE602007011286D1; ATE492147T1; JPWO2008018227A1; US20080142147A1

Description

明細書

セラミック多層基板の製造方法

技術分野

[0001] 本発明はセラミック多層基板の製造方法に関し、詳しくは、複数のセラミック層が積層されたセラミック多層基板の製造方法に関する。

背景技術

[0002] 複数のセラミック層が積層されたセラミック多層基板は、複数個分のセラミック多層基板となる部分を含む集合基板の状態で同時に焼成し、焼成後に 1個ずつのセラミック多層基板に分割することにより、効率よく製造することができる。

[0003] 例えば特許文献 1には、分割線を施した生セラミックシートを転写積層して積層体を形成し、積層体を熱処理した後に、分割線に COレ

2 ーザーを照射するなどして分割溝を形成し、分割することにより、多数の基板を得ることが開示されている。

[0004] また、特許文献 2には、予め生セラミックシートの圧着体の表裏面の両方あるいは片方に分割溝を形成しておき、熱処理後に基板を橈ませることにより分割溝から亀裂を進行させて分割し、多数の基板を得ることが開示されている。

[0005] また、特許文献 3には、部分的に押圧して凹部を形成したセラミックグリーンシートを積層することにより、内部に空洞部を有するセラミック基板を形成することが開示されている。

[0006] また、特許文献 4には、積層型電子部品の外形に対応する形状に形成されたセラミックグリーンシートを積層するとともに、切り代に相当する位置に消失材料を積層し、焼成後に消失材料を消失させて、個々の積層型電子部品を分離することが開示されている。

特許文献 1 :実開平 4 38071号公報

特許文献 2：特開平 5 - 75262号公報

特許文献 3：特開 2001— 332857号公報

特許文献 4：特開 2005 - 311225号公報

発明の開示発明が解決しょうとする課題

[0007] しかし、特許文献 1の方法では、大掛かり、かつ高価な COレーザー照射装置が必

2

要となる。また、レーザー照射には長時間を要し、切断加工中に熱ひずみによって基板が破損する場合や、レーザーによる熱で切断面付近が変形'変質する場合がある

[0008] また、特許文献 2の方法では、分割溝を形成した後の圧着体は、搬送時に、分割溝力も変形したり破損するなどの不具合が発生することがある。また、熱処理後の基板を橈ませたときに、分割溝カゝら外れた意図しない位置で割れて、不良品が発生することがある。分割溝に沿って分割できた場合でも、切断面が不規則な形状となり、規格から外れる場合がある。

[0009] また、特許文献 3の方法では、セラミックグリーンシートの厚みの不均一や押圧力の不均一によって、空洞がつぶれたり変形したりするので、精度よく空洞を形成することが困難である。

[0010] また、特許文献 4の方法では、積層型電子部品の外形に対応する形状に消失材料が充填されたセラミックグリーンシートを準備する必要があり、製造工程が複雑になる。また、焼成後、個々の部品に分離されてしまうので、たとえば表面実装部品の搭載工程を実施する際には、個々の部品を整列しなおす必要がある。

[0011] 本発明は、力かる実情に鑑み、正確にかつ容易にセラミック多層基板を製造することができる、セラミック多層基板の製造方法及びセラミック多層基板の集合基板を提供しょうとするものである。

課題を解決するための手段

[0012] 本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成したセラミック多層基板の製造方法を提供する。

[0013] セラミック多層基板の製造方法は、（1)複数の未焼成のセラミック基材層を積層してなる未焼成セラミック積層体を形成する第 1の工程と、 (2)前記未焼成セラミック積層体を焼成して、未焼成の前記セラミック層を焼結させる第 2の工程と、（3)前記未焼成セラミック積層体の焼成により形成された焼結済みセラミック積層体をブレイクして、 1 個又は 2個以上のセラミック多層基板を取り出す第 3の工程とを備える。前記第 1のェ程において積層される少なくとも一つの前記未焼成セラミック基材層に、前記セラミツク多層基板を取り出す際の境界線となるブレイクラインに沿って、前記第 2の工程の焼成時に消失し得るブレイク用パターンを形成しておく。前記第 2の工程にぉ、て、前記ブレイク用パターンが消失して、前記焼結済みセラミック積層体の内部に空隙が形成される。前記第 3の工程において、前記焼結済みセラミック積層体に、前記空隙を通る切断面を形成して、 1個又は 2個以上のセラミック多層基板を取り出す。

[0014] 上記方法によれば、セラミック基材層を積層するときに押圧しても、ブレイク用バターンの位置や形状は乱れないため、焼結済みセラミック積層体の内部に、ブレイクラインに沿って、精度よく空隙を形成することができる。また、焼成後は、空隙に沿って焼結済みセラミック積層体を容易にブレイクすることができる。

[0015] 好ましくは、未焼成の前記セラミック基材層の主面に、未焼成の前記セラミック基材層の平面方向の焼成収縮を抑制するための収縮抑制用層が設けられている。

[0016] この場合、セラミック基材層は、平面方向の焼成収縮が抑制され、厚み方向の収縮量が大きくなる。そのため、焼結済みセラミック積層体の内部に形成される空隙の積層方向の間隔を短くし、セラミック多層基板の取り出しを容易にすることができる。また、空隙の形成にともなう焼成歪みの発生を抑制することができる。

[0017] 好ましくは、前記収縮抑制用層は、前記第 2の工程の焼成の際には実質的に焼結しな、セラミック力もなる収縮抑制用層である。

[0018] すなわち、金属粉末等を収縮抑制層として利用することもできるが、セラミック基材層に対する収縮抑制力はセラミック粉末が好適である。

[0019] なお、例えば、セラミック基材層の間に、セラミック基材層に比べて十分に薄い収縮抑制用層を挟んだ未焼成セラミック積層体を形成し、収縮抑制用層によってセラミツク基材層の平面方向の焼成収縮を抑制しながら、未焼成セラミック積層体を焼成してもよい。この場合、セラミック基材層のガラス成分等が収縮抑制層に浸透し、収縮抑制層はこのガラス成分等によって緻密になり、その結果、セラミック多層基板は、収縮抑制用層を含む。

[0020] 他方、前記収縮抑制用層は、前記未焼成セラミック積層体の少なくとも一方主面に設けられていてもよい。この場合、焼成の後に前記収縮抑制用層を除去することによつて、前記セラミック多層基板が取り出される。

[0021] すなわち、主面に設けられた収縮抑制層の作用により、セラミック積層体の平面方向の焼成収縮を抑制することができる。この場合、収縮抑制層はセラミック基材層に対して十分に厚くてよぐ焼成後のポーラスな収縮抑制層を除去することによって、セラミック多層基板が収縮抑制用層を含まないようにすることができる。

[0022] 好ましくは、前記ブレイク用パターンは、前記焼成時に消失し得る榭脂を主成分とした榭脂パターンである。

[0023] 榭脂は、分子量等によって消失挙動が異なるため、セラミック基材層中のバインダー榭脂の飛散消失に対応して、適宜な材料を選択することができる。また、燃え残つたり、デラミネーシヨンが生じたりしないようにすることができる。

[0024] 好ましくは、前記ブレイク用パターンは、前記第 2の工程において温度が前記セラミック層の焼成最高温度付近に達した後に消失し得る材料粉末を含むペーストである

[0025] この場合、第 2の工程において、ブレイク用パターンは、温度がセラミック層の焼成最高温度付近に達するまで消失しないので、ブレイク用パターンの消失により形成された空隙は、焼成温度がまだ低い段階で空隙が形成された場合と比べると、空隙形成後の焼成中に、小さくなりにくい。また、セラミック積層体の内部において隣接する空隙の間に亀裂が形成され、空隙がつながった状態とし、焼成後にセラミック多層基板の分割を容易に行えるようにすることができる。

[0026] 好ましくは、前記材料粉末は、カーボンである。

[0027] カーボンは安価である上、消失してもセラミック多層基板に悪影響を与えないので、好ましい。

[0028] 好ましくは、前記ブレイク用パターンの少なくとも一端が、前記未焼成セラミック積層体の側面に露出している。

[0029] この場合、ブレイク用パターンの消失により形成された空隙を通って、セラミック基材層中の成分が飛散消失するので、基材層中にカーボンが残留するのを抑制し、焼成を効率よく行うことができる。

[0030] 好ましくは、前記未焼成セラミック基材層はバインダー榭脂を含んでおり、前記ブレイク用パターンは、焼成の際、前記バインダー榭脂よりも早く消失する榭脂を主成分とする。

[0031] この場合、ブレイク用パターンの消失により形成された空隙を通って、セラミック基材層中のバインダー榭脂が飛散消失するため、基材層中にカーボンが残留するのを抑制し、焼成を効率よく行うことができる。

[0032] 好ましくは、前記ブレイク用パターンは、複数個の前記セラミック多層基板を区画するように、格子状に形成されている。

[0033] この場合、複数個のセラミック多層基板を同時に作製することができる。

[0034] 好ましくは、隣合う前記セラミック多層基板の間に、 1本の前記ブレイク用パターンが配置されている。

[0035] この場合、隣合うセラミック多層基板が間隔を設けずに詰めて配置されるので、セラミック積層体力も作製されるセラミック多層基板の個数を多くすることができる。

[0036] 好ましくは、隣合う前記セラミック多層基板の間に、 2本以上の前記ブレイク用バターンが配置されている。

[0037] この場合、隣合うセラミック多層基板が間隔を設けて配置される。セラミック積層体間の間隔部分には、例えば、セラミック多層基板の検査用端子を配置することができる。

[0038] 好ましくは、前記未焼成セラミック基材層は、低温焼結セラミック粉末を主成分とする未焼成低温焼結セラミック層であり、前記未焼成セラミック積層体には、金、銀又は銅を主成分とする導体パターンが設けられて!/ヽる。

[0039] 低温焼結セラミック材料（LTCC : Low Temperature Co-fired Ceramic)とは、 105 0°C以下の温度で焼結可能であって、比抵抗の小さな Au、 Agや Cu等と同時焼成 (c o-fire)が可能なセラミック材料であるため、高周波用途のモジュールやデバイスを構成するための基板材料として好適な材料である。低温焼結セラミック材料としては、具体的には、（1)アルミナやジルコユア、マグネシア、フォルステライト等のセラミック粉末にホウ珪酸系ガラスを混合してなるガラス複合系 LTCC材料、 (2) ZnO-MgO- AI O— SiO系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系 LTCC材料、（3) BaO— A1

2 3 2

O -SiO系セラミック粉末や Al O -CaO-SiO— MgO— B O系セラミック粉末等を用いた非ガラス系 LTCC材料、等が挙げらる。低温焼結セラミック材料を用いることにより、セラミック焼結体を素体とするコンデンサやインダクタ等の受動素子を焼結済みセラミック積層体内に組み込むことができる。

[0040] 好ましくは、前記焼結済みセラミック積層体の前記セラミック多層基板が取り出される部分、もしくは前記焼結済みセラミック積層体力取り出された前記セラミック多層基板の少なくとも一方主面に、表面実装型電子部品を搭載する工程をさらに備える。

[0041] この場合、セラミック多層基板に表面実装型電子部品を搭載したモジュールを作製することができる。特に、焼成後、ブレイク前に搭載すれば、基板の並べなおしが必要なぐ効率的に表面実装部品を搭載できる。

発明の効果

[0042] 本発明によれば、ブレイク用パターンの焼成時の消失によって形成した空隙を利用して、焼結済み積層体を分割するので、正確にかつ容易にセラミック多層基板を製造することができる。

[0043] すなわち、焼結済みのセラミック積層体の切断面は、空隙を通るため、位置ずれや形状のばらつきがほとんど生じない。そのため、意図しない位置で分割されたり、切断時に破損したり、切断面がばらつ、たりすることがな、。

[0044] また、未焼成セラミック積層体の所望の場所に、導体パターンと同様に、厚膜バターンを形成するだけでよい。焼成することで、はじめて空隙が形成されるので、未焼成セラミック多層基板の搬送時に、空隙力も変形や破損が発生することはない。焼結済みのセラミック積層体は、空隙付近に応力を加えることにより、簡単に切断することができ、例えば COレーザー照射装置のような大掛かりで高価な装置は特には不要

2

である。切断時に熱をカ卩えなくてもよいので、切断面付近の熱による変形 ·変質を抑制できる。

図面の簡単な説明

[0045] [図 1]セラミック多層基板の製造工程を示す断面図である。（実施例 1)

[図 2]セラミック多層基板の製造工程を示す断面図である。（実施例 1)

[図 3]セラミック多層基板の製造工程を示す断面図である。（実施例 1)

[図 4]セラミック多層基板の製造工程を示す断面図である。（実施例 1) 圆 5]セラミック多層基板の製造工程を示す断面図である。（実施例 1)

圆 6]セラミック多層基板の断面図である。（実施例 1)

圆 7]セラミック多層基板の切断面を示す斜視図である。（実施例 1)

圆 8]セラミック多層基板に表面実装型電子部品を実装したモジュールの断面図である。（実施例 1)

[図 9]ブレイク用パターンを示す平面図である。（実施例 1)

[図 10]ブレイク用パターンを示す平面図である。（変形例 1)

[図 11]ブレイク用パターンを示す平面図である。（変形例 2)

[図 12]ブレイク用パターンを示す平面図である。（変形例 3)

圆 13]セラミック多層基板の製造工程を示す断面図である。（実施例 2)

圆 14]セラミック多層基板の製造工程を示す断面図である。（実施例 2)

圆 15]セラミック多層基板の製造工程を示す断面図である。（実施例 2)

圆 16]セラミック多層基板の製造工程を示す断面図である。（実施例 2)

圆 17]セラミック多層基板の製造工程を示す断面図である。（実施例 2)

圆 18]セラミック多層基板の分割部分の写真である。（実施例 2)

符号の説明

10, lOp, 10q, 10r セラミック多層基板

11 モジユーノレ

12 セラミックグリーンシート（セラミック基材層)

13 セラミック積層体

14 面内導体パターン (導体パターン）

15 貫通導体パターン (導体パターン）

17, 17x ブレイク用パターン

18, 18x 空隙

20, 22 収縮抑制用グリーンシート

30, 32 表面実装型電子部品

発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施の形態について、図 1〜図 18を参照しながら説明する。 [0048] <実施例 1 > セラミック多層基板の製造方法の実施例 1について、図 1〜図 9を参照しながら、説明する。

[0049] まず、セラミック多層基板の製造方法の概要について説明する。

[0050] 図 1の断面図に示すように、複数枚の未焼成のセラミックグリーンシート 12と、収縮抑制用グリーンシート 20, 22とを準備して所定順に積層し、図 2の断面図に示すように、未焼成セラミック積層体 12の両面に収縮抑制用グリーンシート 20, 22を密着させた複合積層体を形成する。

[0051] 未焼成セラミック積層体 13は、 1又は 2個分のセラミック多層基板となる部分を含む。未焼成セラミック積層体 13は、積層された複数枚の未焼成のセラミックグリーンシート 12の層間に、セラミック多層基板の内部電極、内部配線、内蔵素子などになる面内導体パターン 14と、セラミック多層基板の境界 (ブレイクライン）に沿って配置されたブレイク用パターン 17とが形成されている。また、セラミックグリーンシート 12には、セラミックグリーンシート 12を貫通し、面内導体パターン 14に接続された貫通導体バターン 15が形成されている。

[0052] ブレイク用パターン 17は、例えば、プチラール系榭脂など、燃焼して消失する榭脂、あるいは、アクリル系榭脂など、高温になるとモノマーに分解する榭脂を主成分とする。ブレイク用パターン 17は、セラミックグリーンシート 12の主面 12aを積層方向から見た図 9の平面図に示すように、横方向に延在する部分 17aと縦方向に延在する部分 17bとが連続的に形成されており、ブレイク用パターン 17a, 17bで区画された各矩形部分がセラミック多層基板となる部分 40である。セラミック多層基板となる部分 4 0は、斜線を付した領域には、互いに隣接して配置されている。セラミック多層基板の品質をほぼ一定に保っため、セラミックグリーンシートの外縁 12x, 12yに沿って、セラミック多層基板とならな、捨て代、すなわちマージン部 42が配置されて、る。

[0053] 図 1に示したように、収縮抑制用グリーンシート 20に密着するセラミックグリーンシート 12kの主面に形成された面内導体パターン 14kは、図 6の断面図に示すように、セラミック多層基板 10の一方主面 10sに露出する電極 26, 28となる。

[0054] また、図 1に示したように、収縮抑制用グリーンシート 22には、セラミックグリーンシート 12sの貫通導体パターン 15sに接続される面内導体 16が形成されている。この面内導体パターン 16は、図 6の断面図に示すように、セラミック多層基板 10の他方主面 10tに露出する電極 24となる。

[0055] 次いで、未焼成セラミック積層体 13は焼結するが、収縮抑制用グリーンシート 20, 22は焼結しない条件で、複合積層体を焼成する。このとき、未焼成セラミック積層体 13は、収縮抑制用グリーンシート 20, 22によって平面方向の収縮が抑制されるため、図 3の断面図に示すように、たとえば 40〜60%程度、厚み方向（図において上下方向）に大きく収縮する。また、焼成によって、未焼成セラミック積層体 13中のブレイク用ライン 17が消失し、ブレイク用ライン 17があった部分には空隙 18が形成される。

[0056] 図 9に示したように、ブレイク用パターン 17a, 17bは連続して形成され、それぞの両端はセラミックグリーンシートの外縁 12x, 12yに達しているため、焼成後のセラミツク積層体 13の側面には、ブレイク用パターン 17a, 17bが消失して形成された空隙 1 8が開口する。このように、ブレイク用パターン 17a, 17bが連続し、ブレイク用パターン 17a, 17bの少なくとも一端が未焼成セラミック積層体 17の側面に露出していれば、ブレイク用パターン 17a, 17bの消失により形成された空隙 18を通って、セラミック基材層 12中の有機成分が飛散消失するので、残留カーボンを生じさせず、焼成を効率よく行うことができる。

[0057] 未焼成セラミック基材層 12はバインダー榭脂を含んでおり、ブレイク用パターン 17 は、焼成の際、ノインダー榭脂 12よりも早く消失する榭脂を主成分とする場合、ブレイク用パターン 17の消失により形成された空隙 18を通って、セラミック基材層 12中のノインダー榭脂が飛散消失するため、特に焼成を効率よく行うことができる。

[0058] 次いで、図 4の断面図に示すように、収縮抑制用グリーンシート 20, 22を除去して、焼結済みセラミック積層体 13を取り出す。

[0059] 次いで、焼結済みセラミック積層体 13を折り曲げ、空隙 18を通る切断面を形成して分割し、図 5の断面図に示すように、セラミック多層基板 10a, 10b, 10cを取り出す。

[0060] このとき、セラミック基板 10の切断面 10xには、図 6の拡大断面図及び図 7の要部斜視図に示すように、空隙 18が分割された凹状の空隙分割部 18xと、セラミック基材層が破断したほぼ平坦なセラミック基材層破断部 13xとが露出する。なお、セラミック基材層を形成するセラミック粒子には、空隙分割部 18xでは粒界破断のみが生じており、セラミック基材層破断部 13xでは粒界破断と粒内破断が生じている。

[0061] なお、分割の開始を促進するために、未焼成セラミック積層体 13のいずれか一方又は両方の主面に、セラミック多層基板となる部分の境界に沿って予め溝を形成しておいてもよい。あるいは、セラミック基材層と収縮抑制層との間にブレイク用パターンを形成しておくことにより、焼結済みセラミック積層体の表面に、分割の開始を促進する溝を形成することちでさる。

[0062] セラミック多層基板 10には、図 8の断面図に示すように、一方主面に露出した電極 26, 28に、積層コンデンサや ICチップなどの表面実装型電子部品 30, 32の端子をはんだリフローやバンプなどによって接続し、表面実装型電子部品 30, 32が搭載されたモジュール 11を形成する。モジュール 11は、セラミック多層基板 10の他方主面の電極 24を、外部回路にはんだリフロー等によって接続することにより、外部回路に実装することができる。なお、上述したように、表面実装型電子部品の搭載は、ブレイク前の集合基板に対して行うことが好まし、。

[0063] 次に、セラミック多層基板の作製例について説明する。

[0064] まず、セラミック材料を含むセラミックグリーンシートを用意する。

[0065] セラミックグリーンシートは、具体的には、 CaO (10〜55%)、 SiO (45〜70%)、 A

2

1 O (0〜30wt%)、不純物（0〜： L0wt%)、 B O (0〜20wt%)からなる組成のガラ

2 3 2 3

ス粉末 50〜65wt%と、不純物が 0〜10wt%の Al O粉末 35〜50wt%とからなる

2 3

混合物を、有機溶剤、可塑剤等カゝらなる有機ビヒクル中に分散させ、スラリーを調製する。次いで、得られたスラリーをドクターブレード法やキャスティング法でシート状に成形し、未焼結ガラスセラミック層（セラミックグリーンシート）を作製する。

[0066] 未焼結ガラスセラミック層は、上述したシート成形法により形成したセラミックグリーンシートであることが好ま、が、厚膜印刷法により形成した未焼結の厚膜印刷層であつてもよい。また、セラミック粉末は上述した絶縁体材料のほか、フェライト等の磁性体材料、チタン酸バリウム等の誘電体材料を使用することもできるが、セラミックダリーンシートとしては、 1050°C以下の温度で焼結する低温焼結セラミックグリーンシートが好ましぐこのため、上述したガラス粉末は 750°C以下の軟ィ匕点を有するものである。 [0067] 次、で、パンチング加工等により前記末焼結ガラスセラミック層に貫通孔を形成し、そこに導電材料をペーストイ匕した導体ペーストを充填する。面内導体パターン 14を形成するには、例えば導体材料をペーストイ匕したものをスクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷する力、あるいは所定パターン形状の金属箔を転写する等の方法が挙げられる。

[0068] 前記導体材料としては、低抵抗で難酸ィ匕性材料の Agを主成分としたものが好ましい。また、主成分の Ag以外に特にセラミックとの接合強度が必要な場合は、 Al O等

2 3 の添加物を少なくとも 1種類以上添加しても構わない。

[0069] 導体ペーストは、上記の主成分粉末に対して、所定の割合で有機ビヒクルを所定量加え、攪拌、混練すること〖こより作製することができる。ただし、主成分粉末、添加成分粉末、有機ビヒクルなどの配合の順序には特に制約はな、。

[0070] また、有機ビヒクルはノインダー榭脂と溶剤を混合したものであり、バインダー榭脂としては、例えば、ェチルセルロース、アクリル榭脂、ボリビュルブチラール、メタクリル榭脂などを使用することが可能である。

[0071] また、溶剤としては、例えば、タービネオール、ジヒドロタ一ビネオール、ジヒドロタ一ピネオールアセテート、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、アルコール類などを使用することが可能である。

[0072] また、必要に応じて、各種の分散剤、可塑剤、活性剤などを添加してもよヽ。

[0073] また、導体ペーストの粘度は、印刷性を考慮して、 50〜700Pa · sとすることが望ましい。

[0074] なお、表面の導体パターンには、上下の層間の導体パターン同士を接続するためのビアホール導体やスルーホール導体等の貫通導体パターン 15が表面に露出した部分も含まれる。貫通導体パターン 15は、パンチンダカ卩ェ等によりガラスセラミックグリーンシートに形成した貫通孔に、上記ペーストを印刷により埋め込む等の手段によつて形成される。

[0075] ブレイク用パターン 17に用いるペーストは、上記導体ペーストに含まれる有機ビヒクルを用いることができ、上記導体ペーストと同様に、セラミックグリーンシートに印刷されるものである。 [0076] 他方、上記の未焼結ガラスセラミック層の焼成温度では実質的に焼結しないアルミナ等のセラミック粉末を、有機バインダー、有機溶剤、可塑剤等からなる有機ビヒクル中に分散させてスラリーを調製し、得られたスラリーをドクターブレード法やキャスティング法等に基づいてシート状に成形して、収縮抑制用グリーンシートを作製する。収縮抑制用グリーンシートの焼結温度は、例えば 1400〜1600°Cであり、未焼結ガラスセラミック層の焼結温度では実質的に焼結しない。

[0077] なお、この収縮抑制用グリーンシートは、一枚で構成しても、複数枚を積層することにより構成してもよい。ここで、収縮抑制用グリーンシートに用いるセラミック粉末の平均粒径は 0. 1〜5. O /z mが好ましい。セラミック粉末の平均粒径が 0. 未満であると、未焼結ガラスセラミック層の表層近傍に含有しているガラスと焼成中に激しく反応して、焼成後にガラスセラミック層と収縮抑制用グリーンシートとが密着して収縮抑制用グリーンシートの除去ができなくなったり、小粒径のためにシート中のバインダ一等有機成分が焼成中に分解飛散しにくく基板中にデラミネーシヨンが発生すること力 Sあり、他方、 5. 0 mを超えると焼成収縮の抑制力が小さくなつて基板が必要以上に X, y方向に収縮したりうねったりする傾向にある。

[0078] また、収縮抑制用グリーンシートを構成するセラミック粉末は、未焼結ガラスセラミツク層の焼成温度では実質的に焼結しな、セラミック粉末であればよぐアルミナのほ、ジルコユアやマグネシア等のセラミック粉末も使用できる。ただし、未焼結ガラスセラミック層の表層領域にガラスを多く存在させるためには表層と収縮抑制用ダリーンシートの接触している境界で表層のガラスが収縮抑制用グリーンシートに対して好適に濡れる必要があるので、未焼結ガラスセラミック層を構成するセラミック粉末と同種のセラミック粉末であることが好まし、。

[0079] 次いで、面内導体パターン、貫通導体パターン及び境界配置導体パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層して未焼成のセラミック積層体を形成し、未焼成のセラミック積層体の一方主面、他方主面に、収縮抑制用グリーンシートをそれぞれ重ね合わせ、例えば 5〜200MPaの圧力下にて、静水圧プレス等に基づき、圧着することにより、セラミック積層体の両主面に収縮抑制用グリーンシートを有する複合積層体を作製する。 [0080] なお、収縮抑制用グリーンシートの厚みは、 25〜500 /z mが好ましい。収縮抑制用グリーンシートの厚みが 25 m未満であると、焼成収縮の抑制力が小さくなつて、基板が必要以上に xy方向に収縮したりうねったりすることがある。他方、 500 /z mを超えると，シート中のバインダー等の有機成分が焼成中に分解飛散しにくく，基板中にデラミネーシヨンが発生する傾向にある。

[0081] 次、で、この複合積層体を、周知のベルト炉ゃバッチ炉で、未焼成のセラミック積層体のセラミックグリーンシートの焼成温度、例えば 850〜950°Cで焼成して、未焼成のセラミック積層体を焼結させる。このとき、未焼成のセラミック積層体は、収縮抑制用グリーンシートの拘束作用により、平面方向に実質的に収縮しないかわりに、厚み方向には大きく収縮する。

[0082] 次いで、焼成後の複合積層体力収縮抑制用グリーンシートを除去することによつて、複数のセラミック多層基板となる部分を含む焼結済みセラミック積層体を取り出す

[0083] なお、焼成後の複合積層体において、収縮抑制用グリーンシートは実質的に焼結しておらず、また、焼成前に含まれていた有機成分が飛散し、多孔質の状態になつているため、サンドブラスト法、ウエットブラスト法、超音波振動法等により、容易に除去することができる。

[0084] 収縮抑制用グリーンシートを除去して得られた焼成後のセラミック積層体を、セラミック多層基板の境界に沿って分割することにより、セラミック多層基板が得られる。

[0085] 焼成後のセラミック積層体を分割する際には、セラミック多層基板の境界に沿って形成された空隙近傍に応力が集中して亀裂が進行し、希望寸法通りで滑らかな切断面を持つセラミック多層基板が得られる。切断面は、バレル研磨等の平滑ィ匕処理によつて、さらに滑らかにしてもよい。

[0086] く変形例 1 > セラミックグリーンシート 12の主面 12aを積層方向から見た図 10の平面図に示すように、実施例と同様に、横方向のブレイク用パターン 17sと縦方向のブレイク用パターン 17tとが格子状に形成されている。実施例と異なり、ブレイク用パターン 17s, 17tは、破線状に断続的に形成されている。

[0087] く変形例 2 > セラミックグリーンシート 12の主面 12aを積層方向から見た図 11の平面図に示すように、横方向のブレイク用パターン 17xと縦方向のブレイク用パターン 17yが格子状に形成されて、る。斜線を付したセラミック多層基板となる部分 44の間に、セラミック多層基板とならない空白部分 45が配置されている。空白部分 45には、セラミック多層基板を取り出す前に検査するための端子等を配置することができる。

[0088] く変形例 3 > セラミックグリーンシート 12の主面 12aを積層方向から見た図 12の平面図に示すように、ブレイク用パターン 17kが、斜線を付したセラミック多層基板となる部分 46の境界に沿ってのみ形成されている。実施例や変形例 1、 2では、縦方向のブレイクと横方向のブレイクとを行うことによってセラミック多層基板を取り出すのに対し、変形例 3では、セラミック多層基板となる部分 46を打ち抜くだけで取り出すことがでさる。

[0089] <実施例 2 >セラミック多層基板の製造方法の実施例 2について、図 13〜図 18を参照しながら、説明する。実施例 2のセラミック多層基板の製造方法は、実施例 1と略同様である。以下では、実施例 1との相違点を中心に説明し、実施例 1と同様の構成部分には同じ符号を用いる。

[0090] 実施例 2では、未焼成のセラミックグリーンシート 12の層間に形成され、セラミック多層基板の境界 (ブレイクライン）に沿って配置されるブレイク用パターン 17xに特別な材料を用いる以外、実施例 1と同様の方法でセラミック多層基板を作製する。

[0091] すなわち、図 13の断面図に示すように、複数枚の未焼成のセラミックグリーンシート 12と、収縮抑制用グリーンシート 20, 22とを準備して所定順に積層し、未焼成セラミック積層体 12の両面に収縮抑制用グリーンシート 20, 22を密着させた複合積層体を形成する。

[0092] 実施例 1の図 1と同様に、積層前のセラミックグリーンシート 12には、内部電極、内部配線、内蔵素子などになる面内導体パターン 14と、セラミック多層基板の境界 (ブレイクライン）に沿って配置されたブレイク用パターン 17xとが形成されている。セラミックグリーンシート 12を貫通し、面内導体パターン 14に接続された貫通導体パターン 15が形成されている。収縮抑制用グリーンシート 20に密着するセラミックグリーンシート主面には、面内導体パターン 14k形成されている。収縮抑制用グリーンシート 22 には、セラミックグリーンシートの貫通導体パターンに接続される面内導体パターン 1 6が形成されている。

[0093] 特に実施例 2では、ブレイク用パターン 17xは、セラミック積層体の焼成時に、セラミックグリーンシートの焼成最高温度付近で消失し得る材料粉末、例えば、無機材料であるカーボンを含む。

[0094] 次いで、未焼成セラミック積層体 13は焼結するが、収縮抑制用グリーンシート 20, 22は焼結しない条件で、複合積層体を焼成する。焼成中に、未焼成セラミック積層体 13は、収縮抑制用グリーンシート 20, 22によって平面方向の収縮が抑制されるため、図 14の断面図に示すように、たとえば 40〜60%程度、厚み方向（図において上下方向）に大きく収縮する。また、焼成によって、未焼成セラミック積層体 13中のブレイク用ライン 17xが消失し、ブレイク用ライン 17xがあつた部分には空隙 18xが形成される。

[0095] 特に実施例 2では、焼成後に大きな空隙 18xが形成され、空隙 18x間がつながりやすい。

[0096] すなわち、セラミックグリーンシートの焼成収縮中にブレイク用パターンが消失すると、ブレイク用パターンの消失後に形成された空隙は、その後の焼成でセラミックダリーンシートが収縮することによって、あるいは、セラミックグリーンシート中のガラス成分が空隙内に溶け出すことによって、小さくなり、場合によっては埋もれてしまう。焼成の遅い段階で空隙が形成されるほど、空隙は小さくなりにくい。実施例 2のブレイク用パターン 17xは、セラミックグリーンシートの焼成最高温度付近で消失し得る材料粉末を含むので、焼成後に大きな空隙が形成される。

[0097] また、ブレイク用パターン 17xが消失すると、積層方向（Z方向）に隣接するブレイク用パターン 17x間の領域のセラミックグリーンシートは、ブレイク用パターン 17xが消失して空隙 18xが形成されると、面方向（XY方向）にも収縮する。一方、その領域の周囲のセラミックグリーンシートは、拘束層によって面方向の収縮が抑制され続ける。そのため、ブレイク用パターン 17xが消失して空隙 18xが形成されると、積層方向に隣接するブレイク用パターン 17x間の領域のセラミックグリーンシートに、積層方向に延在する亀裂が発生し、空隙 18xがつながった状態となる。 [0098] 次いで、図 15の断面図に示すように、収縮抑制用グリーンシート 20, 22を除去して、焼結済みセラミック積層体 13xを取り出す。このとき、最外層には亀裂が達しない（空隙が繋がらない)ように、例えば最外層のセラミックグリーンシートの厚みを選択すると、焼結済みセラミック積層体 13xは、搬送等の取り扱いが容易になる。

[0099] 次いで、焼結済みセラミック積層体 13xを折り曲げ、図 16の断面図に示すように、セラミック多層基板 lOp, 10q, 10rを取り出す。このとき、空隙がつながっているので、容易に分割することができる上、あらぬ方向に分割されることがない。

[0100] 図 17の拡大断面図に示すように、分割されたセラミック多層基板 10qの切断面 10z には、空隙 18xが分割された凹状の空隙分割部 18zと、セラミック基材層が破断したほぼ平坦なセラミック基材層破断部 13zとが露出する。

[0101] 次に、セラミック多層基板の作製例について説明する。実施例 2の作製例は、実施例 1の作製例とは、ブレイク用パターン 17xに用いるペーストのみが異なる。

[0102] まず、セラミック材料を含むセラミックグリーンシートを用意する。

[0103] セラミックグリーンシートは、具体的には、 CaO (10〜55%)、 SiO (45〜70%)、 A

2

2 3 2 3

2 3

[0104] 未焼結ガラスセラミック層は、上述したシート成形法により形成したセラミックグリーンシートであることが好ま、が、厚膜印刷法により形成した未焼結の厚膜印刷層であつてもよい。また、セラミック粉末は上述した絶縁体材料のほか、フェライト等の磁性体材料、チタン酸バリウム等の誘電体材料を使用することもできるが、セラミックダリーンシートとしては、 1050°C以下の温度で焼結する低温焼結セラミックグリーンシートが好ましぐこのため、上述したガラス粉末は 750°C以下の軟ィ匕点を有するものである。

[0105] 次いで、パンチング加工等により前記末焼結ガラスセラミック層に貫通孔を形成し、そこに導電材料をペーストイ匕した導体ペーストを充填する。面内導体パターン 14を形成するには、例えば導体材料をペーストイ匕したものをスクリーン印刷法やグラビア印刷法等により印刷する力、あるいは所定パターン形状の金属箔を転写する等の方法が挙げられる。

[0106] 前記導体材料としては、低抵抗で難酸ィ匕性材料の Agを主成分としたものが好ましい。また、主成分の Ag以外に特にセラミックとの接合強度が必要な場合は、 Al O等

2 3 の添加物を少なくとも 1種類以上添加しても構わない。

[0107] 導体ペーストは、上記の主成分粉末に対して、所定の割合で有機ビヒクルを所定量加え、攪拌、混練すること〖こより作製することができる。ただし、主成分粉末、添加成分粉末、有機ビヒクルなどの配合の順序には特に制約はな、。

[0108] また、有機ビヒクルはノインダー榭脂と溶剤を混合したものであり、バインダー榭脂としては、例えば、ェチルセルロース、アクリル榭脂、ボリビュルブチラール、メタクリル榭脂などを使用することが可能である。

[0109] また、溶剤としては、例えば、タービネオール、ジヒドロタ一ビネオール、ジヒドロタ一ピネオールアセテート、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、アルコール類などを使用することが可能である。

[0110] また、必要に応じて、各種の分散剤、可塑剤、活性剤などを添加してもよい。

[0111] また、導体ペーストの粘度は、印刷性を考慮して、 50〜700Pa · sとすることが望ましい。

[0112] なお、表面の導体パターンには、上下の層間の導体パターン同士を接続するためのビアホール導体やスルーホール導体等の貫通導体パターン 15が表面に露出した部分も含まれる。貫通導体パターン 15は、パンチンダカ卩ェ等によりガラスセラミックグリーンシートに形成した貫通孔に、上記ペーストを印刷により埋め込む等の手段によつて形成される。

[0113] ブレイク用パターン 17xに用いるペーストは、カーボン粉に上記導体ペーストに含まれる有機ビヒクルを混練して得られる。これを、上記導体ペーストと同様に、セラミックグリーンシートに印刷する。

[0114] 他方、上記の未焼結ガラスセラミック層の焼成温度では実質的に焼結しないアルミナ等のセラミック粉末を、有機バインダー、有機溶剤、可塑剤等からなる有機ビヒクル中に分散させてスラリーを調製し、得られたスラリーをドクターブレード法やキャスティング法等に基づいてシート状に成形して、収縮抑制用グリーンシートを作製する。収縮抑制用グリーンシートの焼結温度は、例えば 1400〜1600°Cであり、未焼結ガラスセラミック層の焼結温度では実質的に焼結しない。

[0115] なお、この収縮抑制用グリーンシートは、一枚で構成しても、複数枚を積層することにより構成してもよい。ここで、収縮抑制用グリーンシートに用いるセラミック粉末の平均粒径は 0. 1〜5. O /z mが好ましい。セラミック粉末の平均粒径が 0. 未満であると、未焼結ガラスセラミック層の表層近傍に含有しているガラスと焼成中に激しく反応して、焼成後にガラスセラミック層と収縮抑制用グリーンシートとが密着して収縮抑制用グリーンシートの除去ができなくなったり、小粒径のためにシート中のバインダ一等有機成分が焼成中に分解飛散しにくく基板中にデラミネーシヨンが発生すること力 Sあり、他方、 5. 0 mを超えると焼成収縮の抑制力が小さくなつて基板が必要以上に X, y方向に収縮したりうねったりする傾向にある。

[0116] また、収縮抑制用グリーンシートを構成するセラミック粉末は、未焼結ガラスセラミツク層の焼成温度では実質的に焼結しな、セラミック粉末であればよぐアルミナのほ、ジルコユアやマグネシア等のセラミック粉末も使用できる。ただし、未焼結ガラスセラミック層の表層領域にガラスを多く存在させるためには表層と収縮抑制用ダリーンシートの接触している境界で表層のガラスが収縮抑制用グリーンシートに対して好適に濡れる必要があるので、未焼結ガラスセラミック層を構成するセラミック粉末と同種のセラミック粉末であることが好まし、。

[0117] 次いで、面内導体パターン、貫通導体パターン及び境界配置導体パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層して未焼成のセラミック積層体を形成し、未焼成のセラミック積層体の一方主面、他方主面に、収縮抑制用グリーンシートをそれぞれ重ね合わせ、例えば 5〜200MPaの圧力下にて、静水圧プレス等に基づき、圧着することにより、セラミック積層体の両主面に収縮抑制用グリーンシートを有する複合積層体を作製する。

[0118] なお、収縮抑制用グリーンシートの厚みは、 25〜500 /z mが好ましい。収縮抑制用グリーンシートの厚みが 25 m未満であると、焼成収縮の抑制力が小さくなつて、基板が必要以上に xy方向に収縮したりうねったりすることがある。他方、 500 /z mを超えると，シート中のバインダー等の有機成分が焼成中に分解飛散しにくく，基板中にデラミネーシヨンが発生する傾向にある。

[0119] 次、で、この複合積層体を、周知のベルト炉ゃバッチ炉で、未焼成のセラミック積層体のセラミックグリーンシートの焼成温度、例えば 850〜950°Cで焼成して、未焼成のセラミック積層体を焼結させる。このとき、未焼成のセラミック積層体は、収縮抑制用層用グリーンシートの拘束作用により、平面方向に実質的に収縮しな!、かわりに、厚み方向には大きく収縮する。

[0120] 次いで、焼成後の複合積層体力収縮抑制用グリーンシートを除去することによつて、複数のセラミック多層基板となる部分を含む焼結済みセラミック積層体を取り出す

[0121] なお、焼成後の複合積層体において、収縮抑制用グリーンシートは実質的に焼結しておらず、また、焼成前に含まれていた有機成分が飛散し、多孔質の状態になつているため、サンドブラスト法、ウエットブラスト法、超音波振動法等により、容易に除去することができる。

[0122] 収縮抑制用グリーンシートを除去して得られた焼成後のセラミック積層体を、セラミック多層基板の境界に沿って分割することにより、セラミック多層基板が得られる。

[0123] 分割する際には、セラミック多層基板の境界に沿って形成された空隙近傍に応力を作用させることにより亀裂が進行するので、所望の寸法通りであり、かつ、滑らかな切断面を持つセラミック多層基板を得ることができる。

[0124] 図 18は、実施例 2の作製例について、セラミック多層基板の分割前に、セラミック多層基板の最外層及びその周辺部分を撮影した写真である。破線を付した部分は、ブレイク用ラインの印刷部分である。セラミック多層基板の境界に沿って、最外層の手前まで、複数層に渡って空隙がつながつていることが分かる。ブレイク用ラインの幅は 50 mであり、空隙も略同じ程度の幅である。ブレイク用ラインの幅を小さくすれば、空隙の幅もさらに小さくすることが可能である。

[0125] 以上に説明した実施例 2の製造方法は、未焼成セラミックグリーンシートにブレイク用パターンを印刷し、焼成時にブレイク用パターンが消失して形成された空隙を利用して、焼結済みセラミック積層体力もセラミック基板を取り出すことにより、正確にかつ容易にセラミック多層基板を製造する場合に、好適である。

[0126] すなわち、セラミックグリーンシートに、有機物でブレイク用ラインを形成すると、空隙が焼結時に小さくなつたり、埋まってしまうことがある。特に、ガラスの粘性流動を利用して焼結挙動をコントロールするガラスセラミックのグリーンシートでは、有機物のブレイク用ラインを細線ィ匕した場合、その傾向が顕著である。空隙が小さくなつたり、埋まったりすると、焼成後の基板分割時に所望の切断面で分割できずに不良が発生しやすくなる。

[0127] ブレイク用ラインを無機物であるカーボンで形成することで、ブレイク用ラインが焼成により消失する温度を、基板焼成時の最高温度付近まで上げることできる。これにより、セラミックグリーンシート内のガラスの粘性流動による空隙消失を抑えることが可能になる。

[0128] さらに、焼成中に、拘束層によって面方向（XY方向）の収縮が抑制されているセラミックグリーンシートの層間に、ブレイク用ラインの消失によって空隙が生じた場合、空隙に隣接する部分は拘束力が及ばず、面方向 (XY方向）に収縮可能となる。そのため、セラミックグリーンシートは、空隙と空隙の間の微小領域においてのみ面方向（X Y方向）に縮むため、この微小領域に亀裂が生じる。この亀裂によって空隙がつながつた状態になり、焼成後のセラミック多層基板の分割が容易となる。また、分割時にあらぬ方向に分割されることが起きな、。

[0129] なお、ブレイク用ラインに含まれる材料として、カーボンは、安価である上、消失してもセラミック多層基板に悪影響を与えな、ので好まし、が、それ以外の材料を用いることも可能である。焼成の際に、温度がセラミックグリーンシートの焼成最高温度付近に達したときに消失し得る材料であれば、カーボン以外の無機物であってもよぐさらには、有機物でもよい。

[0130] <まとめ > 以上のように、未焼成セラミックグリーンシートにブレイク用パターンを印刷し、焼成時にブレイク用パターンが消失して形成された空隙を利用して、焼結済みセラミック積層体力もセラミック基板を取り出すことにより、正確にかつ容易にセラミック多層基板を製造することができる。 [0131] 焼成後のセラミック積層体は、折り曲げることで切断できるので、硬い焼成後のセラミック積層体を切断するため特別な切断装置 (レーザー加工機、ダイサーなど)を用いて加工することが不要となり、工程を簡略ィ匕することができる。

[0132] なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなぐ種々変更を加えて実施可能である。

[0133] 例えば、本発明は、表面実装型電子部品が搭載されるモジュール (複合機能部品) のセラミック多層基板の製造に限らず、積層コンデンサ、積層インダクタ、 LCチップなど、セラミック多層基板に他の部品が搭載されないデバイス (単機能部品）のセラミツク多層基板の製造にも適用することができる。

Claims

請求の範囲

[1] 複数の未焼成のセラミック基材層を積層してなる未焼成セラミック積層体を形成する第 1の工程と、

前記未焼成セラミック積層体を焼成して、未焼成の前記セラミック層を焼結させる第

2の工程と、

前記未焼成セラミック積層体の焼成により形成された焼結済みセラミック積層体をブレイクして、 1個又は 2個以上のセラミック多層基板を取り出す第 3の工程と、を備えた、セラミック多層基板の製造方法において、

前記第 1の工程において積層される少なくとも一つの前記未焼成セラミック基材層に、前記セラミック多層基板を取り出す際の境界線となるブレイクラインに沿って、前記第 2の工程の焼成時に消失し得るブレイク用パターンを形成しておき、

前記第 2の工程において、前記ブレイク用パターンが消失して、前記焼結済みセラミック積層体の内部に空隙が形成され、

前記第 3の工程において、前記焼結済みセラミック積層体に、前記空隙を通る切断面を形成して、 1個又は 2個以上のセラミック多層基板を取り出すことを特徴とする、セラミック多層基板の製造方法。

[2] 未焼成の前記セラミック基材層の主面に、未焼成の前記セラミック基材層の平面方向の焼成収縮を抑制するための収縮抑制用層が設けられていることを特徴とする、請求項 1のセラミック多層基板の製造方法。

[3] 前記収縮抑制用層は、前記第 2の工程の焼成の際には実質的に焼結しないセラミックカもなる収縮抑制用層であることを特徴とする、請求項 2に記載のセラミック多層基板の製造方法。

[4] 前記収縮抑制用層は、前記未焼成セラミック積層体の少なくとも一方主面に設けられており、

焼成の後に前記収縮抑制用層を除去することによって、前記セラミック多層基板が取り出されることを特徴とする、請求項 2又は 3に記載のセラミック多層基板の製造方法。

[5] 前記ブレイク用パターンは、前記焼成時に消失し得る榭脂を主成分とした榭脂バターンであることを特徴とする、請求項 1〜4のいずれか一項に記載のセラミック多層基板の製造方法。

[6] 前記ブレイク用パターンは、前記第 2の工程において温度が前記セラミック層の焼成最高温度付近に達した後に消失し得る材料粉末を含むペーストであることを特徴とする、請求項 1〜4のいずれか一項に記載のセラミック多層基板の製造方法。

[7] 前記材料粉末は、カーボンであることを特徴とする、請求項 6に記載のセラミック多層基板の製造方法。

[8] 前記ブレイク用パターンの少なくとも一端が、前記未焼成セラミック積層体の側面に露出していることを特徴とする、請求項 1〜7のいずれか一項に記載のセラミック多層基板の製造方法。

[9] 前記未焼成セラミック基材層はバインダー榭脂を含んでおり、前記ブレイク用バターンは、焼成の際、前記バインダー榭脂よりも早く消失する榭脂を主成分とすることを特徴とする、請求項 8に記載のセラミック多層基板の製造方法。

[10] 前記ブレイク用パターンは、複数個の前記セラミック多層基板を区画するように、格子状に形成されていることを特徴とする、請求項 9に記載のセラミック多層基板の製造方法。

[11] 隣合う前記セラミック多層基板の間に、 1本の前記ブレイク用パターンが配置されていることを特徴とする、請求項 10に記載のセラミック多層基板の製造方法。

[12] 隣合う前記セラミック多層基板の間に、 2本以上の前記ブレイク用パターンが配置されていることを特徴とする、請求項 10に記載のセラミック多層基板の製造方法。

[13] 前記未焼成セラミック基材層は、低温焼結セラミック粉末を主成分とする未焼成低温焼結セラミック層であり、前記未焼成セラミック積層体には、金、銀又は銅を主成分とする導体パターンが設けられていることを特徴とする、請求項 1〜12のいずれか一項に記載のセラミック多層基板の製造方法。

[14] 前記焼結済みセラミック積層体の前記セラミック多層基板が取り出される部分、もしくは前記焼結済みセラミック積層体から取り出された前記セラミック多層基板の少なくとも一方主面に、表面実装型電子部品を搭載する工程をさらに備えたことを特徴とする、請求項 1〜13のいずれか一項に記載のセラミック多層基板の製造方法。