JP2004296711A

JP2004296711A - 多層セラミック基板の製造方法

Info

Publication number: JP2004296711A
Application number: JP2003086061A
Authority: JP
Inventors: Takasuke Nishiura; 崇介西浦; Kenichi Nagae; 謙一永江; Masahiro Tomisako; 正浩冨迫; Kazuyoshi Kodama; 和善児玉
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2003-03-26
Filing date: 2003-03-26
Publication date: 2004-10-21

Abstract

【課題】多層セラミック基板の焼成温度では焼結しない無機組成物よりなる拘束シートをグリーンシート積層体の少なくとも一方の表面に積層し焼成処理を行う多層セラミック基板の製造方法において、連続炉で焼成を行う際でも基板内寸法ばらつきを抑制し、高い寸法精度を有する多層セラミック基板を得るための多層セラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】グリーンシート積層体４の少なくとも一方主面に、セラミックグリーンシート１の焼成温度では焼結しない無機組成物よりなる拘束シート５を積層した後、前記グリーンシート積層体４を可動ベルトに載置し、所望温度に加熱された領域を通過させて焼成処理を行い、その後、前記拘束シート５を取り除くことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法において、前記拘束シート５の厚みを、前記可動ベルトの進行方向に対し、後端側から先端側にかけて徐々に小さくした。
【選択図】図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層セラミック基板の製造方法に関し、特に、多層配線基板及び半導体素子収納用パッケージなどに適した多層セラミック基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、高集積化が進むＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各種電子部品が搭載される混成集積回路装置等に適用される配線基板においては、高密度化、低抵抗化、小型軽量化が要求されており、アルミナ系セラミック材料に比較して低い誘電率が得られ、配線回路層としてＣｕ等の低抵抗金属を用いることができることから、焼成温度が１０００℃以下のいわゆる多層セラミック配線基板が一層注目されている。
【０００３】
また、多層セラミック基板の高密度化が進むのに伴い、寸法の高精度化に対する要求も強くなっている。ガラス成分を含むセラミックは、アルミナ系セラミック材料等と比較して低い温度で焼成が行える事から、高精度化に対して次のような焼成方法が提案されている。
【０００４】
そして、下記の特許文献１によれば、ガラス成分を含むセラミック基板を焼成する際に、多層セラミック基板の焼成温度では焼結しない無機組成物よりなる拘束シートをグリーンシート積層体の両面に積層し焼成処理を行う事により、基板の面方向にはほとんど収縮させずに焼結させる手法が提案されている。
【０００５】
【特許文献１】
特許第２５５４４１５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図４の矢印に示す方向に移動する可動ベルト１０１上にトレイ１０２を介して載置し、焼成する前記手法を連続焼成炉に適用すると、可動ベルト１０１上に載置したグリーンシート積層体の焼成収縮率が、この可動ベルト１０１の炉内への入口側から出口側に向かって徐々に小さくなるように収縮してしまい、結果として、可動ベルト１０１上の多層セラミック基板１０３の先端側が後端側より大きくなり、多層セラミック基板１０３内の収縮率のばらつきが大きくなるという問題があった。
【０００７】
従って、本発明は、多層セラミック基板の焼成温度では焼結しない無機組成物よりなる拘束シートをグリーンシート積層体の少なくとも一方の表面に積層し焼成処理を行う多層セラミック基板の製造方法において、連続炉で焼成を行う際でも基板内の収縮率のばらつきを抑制し、高い寸法精度を有する多層セラミック基板を得るための多層セラミック基板の製造方法を提供する事を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記のような課題について鋭意検討した結果、前記拘束シートの厚みを可動ベルトの進行方向に対して徐々に小さくする事により、徐々に拘束力を変化させる事ができ、連続炉で焼成を行う際に発生する基板内の収縮率のばらつきを抑制するという目的が達成できる事を見出した。
【０００９】
即ち、本発明の多層セラミック基板の製造方法は、セラミックグリーンシートに導体パターンおよびビアホール導体を形成し、同様に作製した所望枚数のセラミックグリーンシートを積層したグリーンシート積層体の少なくとも一方主面に、前記セラミックグリーンシートの焼成温度では焼結しない無機組成物よりなる拘束シートを積層した後、前記グリーンシート積層体を可動ベルトに載置し、所望温度に加熱された領域を通過させて焼成処理を行い、その後、前記拘束シートを取り除くことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法において、前記拘束シートの厚みを、前記可動ベルトの進行方向に対し、後端側から先端側にかけて徐々に小さくした事を特徴とするものである。
【００１０】
また、上記多層セラミック基板の製造方法では、前記拘束シートの最薄部の厚みが、前記グリーンシート積層体の厚みの１０〜４０％である事が望ましい。
【００１１】
また、上記多層セラミック基板の製造方法では、前記拘束シートの最厚部の厚みをｔ０、最薄部の厚みをｔ１とし、前記セラミック積層体の進行方向長さをＬとしたときに、前記拘束シートの厚み変化率（（ｔ０−ｔ１）／Ｌ）×１００（％）が、０．０５〜０．３％である事が望ましい。
【００１２】
また、上記多層セラミック基板の製造方法では、前記拘束シート中にガラスを１〜１５体積％含有することが望ましい。
【００１３】
また、上記多層セラミック基板の製造方法では、前記拘束シートが、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＭｇＡｌ_２Ｏ_３、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４の少なくとも１種を含有する事が望ましい。
【００１４】
さらに、上記多層セラミック基板の製造方法では、前記電極パターンが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を含有する金属焼結体あるいは金属箔からなる事が望ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について図面に基づいて説明する。図１は本発明の多層セラミック基板を製造するための工程図である。
【００１６】
図１によれば、上記のような多層セラミック基板は、（ａ）ガラス粉末を含むセラミック組成物からなるセラミックグリーンシート１を得る工程と、（ｂ）セラミックグリーンシート１に穴あけ加工を施し、ビアホールを形成し、ビアホールに導体ペーストを充填してビアホール導体２を形成する工程と、（ｃ）セラミックグリーンシート１表面に、導体パターン３を形成する工程と、（ａ）〜（ｃ）工程を経て作製したセラミックグリーンシート１を積層し、グリーンシート積層体４を作製する工程（ｄ）と、（ｅ）厚みに勾配を有する拘束シート５を前記グリーンシート積層体４に積層する工程と、（ｆ）前記（ａ）〜（ｅ）工程を経て作製した複合積層体６を焼成する工程と、焼成後の前記複合積層体６から前記拘束シート５を除去する工程を経て製造される。
【００１７】
以下に各工程毎に詳細に説明する。
【００１８】
（ａ）セラミックグリーンシート１を得る工程では、原料粉末としてガラス粉末とセラミックフィラー粉末を所定量秤量し、さらに有機バインダ、可塑剤、有機溶剤等を加えてスラリーを調製した後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法等の周知の成形法によりシート状に成形して厚さ５０〜５００μｍのセラミックグリーンシート１を作製する。
【００１９】
用いるガラス粉末の成分としては、少なくともＳｉＯ_２を含み、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種以上を含有したものであって、例えば、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３系、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ａｌ_２Ｏ_３系、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。
【００２０】
これらのガラス粉末の成分は焼成処理することによっても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によって、リチウムシリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト、ディオプサイドやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種類を析出するものが用いられる。
【００２１】
また、セラミックフィラー粉末としては、クォーツ、クリストバライト等のＳｉＯ_２や、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、コージェライト、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア等が好適に用いられる。
【００２２】
（ｂ）セラミックグリーンシート１に穴あけ加工を施し、ビアホールを形成し、ビアホールに導体ペーストを充填する工程では、（ａ）で得たセラミックグリーンシート１に、レーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径３０〜３００μｍの貫通孔を形成し、その内部にビア用導体ペーストを充填し、ビアホール導体２を形成する。
【００２３】
ビア用導体ペーストは、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔのうち少なくとも１種を主成分とする金属粉末に、アクリル樹脂などからなる有機バインダとテルピネオール、ジブチルフタレートなどの有機溶剤とを均質混合して形成される。
【００２４】
有機バインダは、金属成分１００質量％に対して、０．５〜１５．０質量％、有機溶剤は、固形成分及び有機バインダ１００質量％に対して、５〜１００質量％の割合で混合されることが望ましい。なお、このビア用導体ペースト中には若干のセラミックフィラー粉末やガラス粉末等を添加してもよい。
【００２５】
（ｃ）セラミックグリーンシート１の表面に導体パターン３を形成する工程では、ビアホール導体２を形成したセラミックグリーンシート１の表面に、パターン用導体ペーストをスクリーン印刷法で印刷するかもしくは金属箔を転写法によって導体パターン３を形成する。
【００２６】
パターン用導体ペーストは、上記ビア用導体ペーストと同様の手法により作製され、必要に応じて成分や配合比率を変更することにより作製する。
【００２７】
一方、金属箔を用いた転写法による導体パターン３の形成方法としては、まず高分子材料等からなる転写フィルム上に金属箔を接着した後、この金属箔の表面に回路パターンとはネガ対称のレジストを塗布した後、エッチング処理およびレジスト除去を行って回路パターンを形成する。
【００２８】
そして、回路パターンを形成した転写フィルムを前記ビアホール導体２が形成されたセラミックグリーンシート１の表面に位置合わせして積層圧着した後、転写フィルムを剥がす事により、ビアホール導体２と接続した導体パターン３を具備するセラミックグリーンシート１を形成する。
【００２９】
なお、上記印刷法と転写法による導体パターン３はいずれか一方のみでも、両者が混在していても差し支えない。
【００３０】
（ｄ）グリーンシート積層体４を作製する工程では、同様にして得られた導体パターン３を形成した複数のセラミックグリーンシート１を積層圧着してグリーンシート積層体４を形成する。
【００３１】
セラミックグリーンシート１の積層には、積み重ねられたセラミックグリーンシート１に熱と圧力を加えて熱圧着する方法、有機バインダ、可塑剤、溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。
【００３２】
（ｅ）次に、本発明では、セラミックグリーンシート１を積層したグリーンシート積層体４の表面に、このグリーンシート積層体４の焼成での収縮を抑制するための拘束シート５を積層して複合積層体６を作製し、次いで、この複合積層体６を可動ベルトに載置し、所望温度に加熱された領域を通過させる事により焼成処理を行う。
【００３３】
次に、作製した複合積層体６を前記金属導体の融点以下の温度で焼成する工程では、この複合積層体６を１００〜８００℃、特に４００〜７５０℃で加熱処理して複合積層体６中の有機成分を分解除去した後、８００〜１０００℃で同時焼成する。このとき、配線パターン３およびビアホール導体２を、Ｃｕを主成分とした場合には窒素雰囲気中で焼成する必要があり、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔを主成分とした場合には、焼成雰囲気は大気中でおこなうことができる。
【００３４】
また、焼成後の冷却速度が早すぎると、多層セラミック基板７と導体パターン３、拘束シート５の熱膨張差によるクラックが発生するために、冷却速度は４００℃／ｈｒ以下であることが望ましい。
【００３５】
また、焼成時には反りを防止するために複合積層体６上面に重しを載せる等して、荷重をかけてもよい。荷重は２５Ｐａ〜１ＭＰａ、特に５０〜５００Ｐａが適当である。
【００３６】
ここで、焼成は量産性を考慮して連続焼成炉で行うのが望ましいが、連続焼成炉で焼成を行うと可動ベルトの進行方向に対して、焼成されるグリーンシート積層体４の先端側から後端側にかけて収縮率が徐々に大きくなる問題が生じる。
【００３７】
しかし、本発明によれば、拘束シート５を用いることにより、拘束力を調節することができ、連続焼成炉で焼成を行った場合でも、面内の焼成収縮率のばらつきを±０．０５％以下に抑える事が可能になる。
【００３８】
図２は、本発明の厚み変化率を有する拘束シート５の斜視図である。
【００３９】
ここで、本発明の厚み勾配を有する拘束シート５を得る工程では、前記セラミック組成物の焼成温度では焼結しない無機組成物よりなり、かつ連続焼成炉の可動ベルトの進行方向に対して厚み勾配を有する拘束シート５を、セラミックグリーンシート１を作製する工程と同様、スラリーを調製した後、ドクターブレード法等で作製する。即ち、本発明の製造方法は、拘束シート５の厚みが、焼成時の可動ベルトの進行方向である一方向に対して後端側から先端側にかけて徐々に小さくなっていることが重要である。
【００４０】
このように徐々に小さくすると厚み差によって拘束シート５の剛性を変化させることができ、これによりグリーンシート積層体４に対する焼成時の拘束力を変化させることができる。
【００４１】
また、この拘束シート５は、拘束力を高めかつ焼成後の除去をしやすくするという理由から、その最薄部の厚みが、この拘束シート５を適用するグリーンシート積層体４の厚みの１０〜４０％である事が望ましく、特に、２０〜３０％がより望ましい。
【００４２】
さらに、本発明の拘束シート５は、この拘束シート５の最厚部の厚みをｔ０、最薄部の厚みをｔ１とし、前記ガラスセラミック積層体の進行方向長さをＬとしたときに、前記拘束シートの厚み変化率（（ｔ０−ｔ１）／Ｌ）×１００（％）が、０．０１〜０．３５％である事が望ましいが、特には、０．０５〜０．３％、さらには、０．１〜０．２５％であることがより望ましい。この場合、連続炉で発生する収縮率の変化率を考慮して最適値を選択するのが望ましい。
【００４３】
通常、グリーンシート積層体４を連続炉で焼成を行う場合、可動ベルトの進行方向に対して温度分布があるために収縮開始のタイミングがずれ、収縮率が徐々に大きくなる問題が生じるが、本発明の拘束シート５を用いる事により、グリーンシート積層体４の焼成時の可動ベルトの進行方向に対する拘束力を調節する事ができ、連続炉を用いた場合でも面内の焼成収縮ばらつきを±０．１％以下、特に、０．０８％、さらには０．０６％以下、０．０５％に抑える事ができる。
【００４４】
尚、前記拘束シートは、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４の少なくとも１種を主体とし、平均粒径０．５〜５μｍの原料粉末が８０〜９９．５質量％、特に９０〜９７質量％、４５０〜９５０℃、特に６５０〜９００℃に軟化点を有するガラス粉末１〜１５質量％、特に３〜１０質量％からなり、セラミックグリーンシート１として粉末充填率が５３〜６０％である事が望ましい。
【００４５】
また、拘束シート５に含まれるガラス粉末としては、軟化点がグリーンシート積層体４の焼成温度以下で、かつ拘束シート５の有機成分の分解揮散温度よりも高いことが望ましい。
【００４６】
具体的には、拘束シート５のガラス粉末の軟化点は４５０〜９５０℃、特に６５０〜９００℃であることが好ましい。ガラス粉末の軟化点が４５０℃よりも低い場合にはグリーンシート積層体４からの有機成分の除去時に軟化したガラス粉末が溶融して有機成分の除去経路を塞ぐことになり、有機成分を完全に除去できなくなる恐れがある。
【００４７】
一方、ガラス粉末の軟化点が９５０℃を越える場合には、通常のグリーンシート積層体４の焼成条件ではセラミックグリーンシート１への結合剤として作用しなくなる。該ガラスは、前述したセラミックグリーンシート１に含まれるガラス成分と異なるものであっても良いが、グリーンシート積層体４中のガラス成分の拡散を防止するうえでは同一のガラス粉末を用いることが望ましい。
【００４８】
以上の条件を満たす原料を調合し、スラリーを調製した後、ドクターブレード法によってシート状に成形するが、この際に、ブレードに対し、ベルトの進行方向に対して垂直方向に勾配を設ける事により、厚み勾配を有する拘束シート５を得る事ができる。
【００４９】
（ｆ）前記複合積層体６から前記拘束シート５を除去する工程では、超音波洗浄、研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウェットブラスト等の方法を用いて多層ガラスセラミック基板７から拘束シート５を除去する。
【００５０】
これによって得られる多層ガラスセラミック基板７は、焼成時の収縮が拘束シート５によって厚さ方向だけに抑えられているので、そのグリーンシート積層体４の面内収縮を０．５％以下に抑えることが可能となり、しかも、このグリーンシート積層体４は拘束シート５によって全面にわたって均一にかつ確実に結合されているので、拘束シート５の一部剥離等による反りや変形を防止することができ、かつ拘束力を調節することが可能になる。
【００５１】
それによって連続焼成炉で焼成を行う際に発生する、可動ベルトの進行方向に対して先端側から後端側にかけて焼成収縮率が徐々に大きくなるという現象を防止することができ、面内での焼成収縮率のばらつきを±０．０５％以下に抑えることができる。これにより、高い寸法精度を有する多層セラミック基板を提供することができる。
【００５２】
【実施例】
本発明の多層セラミック配線基板について、実施例に基づき評価する。
【００５３】
先ず、ＳｉＯ_２：５０質量％、ＭｇＯ：１８．５質量％、ＣａＯ：２６質量％、Ａｌ_２Ｏ_３：５．５質量％の組成を有するガラス粉末を６０質量％と、セラミックフィラー粉末としてＡｌ_２Ｏ_３を４０質量％秤量し、ガラス粉末を含むセラミック組成物を作製した。
【００５４】
それらに、有機バインダとしてアクリル樹脂、可塑剤としてＤＢＰ（ジブチルフタレート）、溶媒としてトルエンとイソプロピルアルコ−ルを加えて調製したスラリーを用いて、ドクターブレード法により厚さ２００μｍのセラミックグリーンシートを作製した。
【００５５】
次に、Ｃｕ粉末１００質量％に対し、ガラス粉末１６質量％を秤量し、それに有機バインダとしてアクリル樹脂を、溶媒としてＤＢＰを添加、混練して、ビアホール導体用ペースト試料を作製した。
【００５６】
尚、前記ビアホール用ペースト試料中の有機バインダ量は、Ｃｕ粉末に対して１２質量％であり、固形成分、有機バインダに対して３６質量％の割合で溶剤を加えた。このＣｕペーストを、セラミックグリーンシートの所定個所に形成されたビアホールに充填した。
【００５７】
さらに、Ｃｕ粉末１００質量％に対し、アルミナ粉末０．２質量％、ガラス粉末１質量％を秤量し、それに有機バインダとしてアクリル樹脂を、溶媒としてＤＢＰを添加、混練して、パターン用Ｃｕペースト試料を作製した。尚、有機バインダ量は、主成分に対して１５質量％であり、固形成分、有機バインダに対して１３質量％の割合で溶剤を加えた。得られたＣｕペーストを先のビアインクを充填したセラミックグリーンシートに、スクリーン印刷法により導体パターンを形成した。このときの導体パターンの印刷厚みは１０〜３０μｍとした。
【００５８】
その後、この導体パターンを形成したセラミックグリーンシートを５枚積層し、４５℃、４ＭＰａの条件で加圧積層してグリーンシート積層体を作製した。
【００５９】
次に拘束シートとして、平均粒径が３μｍのＡｌ_２Ｏ_３に、前記ガラスセラミックグリーンシート中のガラス粉末と同じガラス粉末を用いて、表１に示すセラミック組成物からなる拘束シートを作製した。
【００６０】
この際に、拘束シートの最薄部の厚みおよび厚み変化率は表２に示す値となるように調整した。なお拘束シートを作製する時に用いる有機バインダ、可塑剤、溶媒等はセラミックグリーンシートと同様とした。
【００６１】
その後、グリーンシート積層体の両面に前記拘束シートを４５℃、５ＭＰａで加圧積層し、グリーンシート積層体を得た。
【００６２】
続いて、連続焼成炉において前記グリーンシート積層体の焼成を行った。このグリーンシート積層体をＡｌ_２Ｏ_３の台板上に載置して有機バインダ等の有機成分を分解除去するために、窒素雰囲気中、７５０℃で焼成し、次に窒素雰囲気中、９００℃で１時間焼成を行った。その後、拘束シートをブラスト処理で除去し、多層セラミック基板を作製した。
【００６３】
上記試料を表２中の各条件で１０個ずつ作製し、３次元測定機を用いて収縮率ばらつきを測定した。収縮率のばらつきは、図３に示すように、多層セラミック基板の表面の焼成前後の導体パターンの寸法変化率から求めた。即ち、連続式焼成炉の可動ベルトの進行方向に対して垂直方向の測定箇所ｘ１〜ｘ３の３箇所について、焼成前後における収縮率のばらつき（６σ（σ：標準偏差））から算出した。
【００６４】
【表１】

【００６５】
【表２】

【００６６】
表２より明らかなように、本発明に従い、厚み変化率を設けた拘束シートを積層して焼成した試料Ｎｏ．２〜１６では、除去後の残渣が無く、焼成収縮公差±０．１％以下の高寸法精度な配線基板を製造する事ができた。
【００６７】
さらに、拘束シートの最薄部の厚みをグリーンシート積層体の厚みに対して１０〜４０％とした試料Ｎｏ．２〜１２、１４、１５では、焼成収縮公差を±０．０８％以下にできた。
【００６８】
特に、拘束シートの最薄部の厚みをグリーンシート積層体の厚みに対して２５％とし、かつ厚み変化率を０．０５〜０．３％とした試料Ｎｏ．３〜８、１０〜１２では、ガラスセラミック基板を収縮公差を０．０６％以下にできた。
【００６９】
さらには、拘束シートの厚み変化率を０．１〜０．２５％とした試料Ｎｏ．４〜７、１０〜１２では、多層セラミック基板の収縮公差を±０．０５％以下にさらに小さくできた。
【００７０】
一方、厚み勾配を設けなかった拘束シートを用いた試料Ｎｏ．１では、多層セラミック基板の収縮公差が±０．１％と大きかった。
【００７１】
【発明の効果】
以上詳述したとおり、本発明によれば、拘束シートの厚みを、可動ベルトの進行方向に対して後端側から先端側にかけて徐々に小さくすることにより、連続焼成炉で焼成を行う際においても、効果的に焼成収縮ばらつきを抑制する事ができる。
【００７２】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層セラミック基板を製造するための工程図である。
【図２】本発明の厚み変化率を有する拘束シートの斜視図である。
【図３】試料の測定個所を説明するための概略図である。
【図４】連続焼成炉で焼成した後の多層セラミック基板の形状を示す平面図である。
【符号の説明】
１グリーンシート
２ビアホール導体
３配線パターン
４グリーンシート積層体
５拘束シート
６複合積層体
７多層セラミック基板
ｔ０最厚部
ｔ１最薄部
Ｌグリーンシート積層体の進行方向の長さ

Claims

セラミックグリーンシートに導体パターンおよびビアホール導体を形成し、同様に作製した所望枚数のセラミックグリーンシートを積層したグリーンシート積層体の少なくとも一方主面に、前記セラミックグリーンシートの焼成温度では焼結しない無機組成物よりなる拘束シートを積層した後、前記グリーンシート積層体を可動ベルトに載置し、所望温度に加熱された領域を通過させて焼成処理を行い、その後、前記拘束シートを取り除くことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法において、前記拘束シートの厚みを、前記可動ベルトの進行方向に対し、後端側から先端側にかけて徐々に小さくした事を特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
前記拘束シートの最薄部の厚みが、前記グリーンシート積層体の厚みの１０〜４０％である事を特徴とする請求項１に記載の多層セラミック基板の製造方法。
前記拘束シートの最厚部の厚みをｔ０、最薄部の厚みをｔ１とし、前記ガラスセラミック積層体の進行方向長さをＬとしたときに、前記拘束シートの厚み変化率（（ｔ０−ｔ１）／Ｌ）×１００（％）が、０．０５〜０．３％である事を特徴とする請求項１または２に記載の多層セラミック基板の製造方法。
前記拘束シート中にガラスを１〜１５体積％含有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか記載の多層セラミック基板の製造方法。
前記拘束シートが、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＭｇＡｌ_２Ｏ_３、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４の少なくとも１種を含有とする事を特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか記載の多層セラミック基板の製造方法。
前記導体パターンが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を含有する金属焼結体あるいは金属箔からなることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか記載の多層セラミック基板の製造方法。