JPWO2020202942A1 - セラミック基板の製造方法及びセラミック基板 - Google Patents

セラミック基板の製造方法及びセラミック基板 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2020202942A1
JPWO2020202942A1 JP2021511244A JP2021511244A JPWO2020202942A1 JP WO2020202942 A1 JPWO2020202942 A1 JP WO2020202942A1 JP 2021511244 A JP2021511244 A JP 2021511244A JP 2021511244 A JP2021511244 A JP 2021511244A JP WO2020202942 A1 JPWO2020202942 A1 JP WO2020202942A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
ceramic substrate
manufacturing
ceramic green
green sheets
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021511244A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6962501B2 (ja
Inventor
弘毅 崔
弘毅 崔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of JPWO2020202942A1 publication Critical patent/JPWO2020202942A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6962501B2 publication Critical patent/JP6962501B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28BSHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
    • B28B11/00Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles
    • B28B11/24Apparatus or processes for treating or working the shaped or preshaped articles for curing, setting or hardening
    • B28B11/243Setting, e.g. drying, dehydrating or firing ceramic articles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28BSHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
    • B28B1/00Producing shaped prefabricated articles from the material
    • B28B1/002Producing shaped prefabricated articles from the material assembled from preformed elements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/26Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
    • B32B3/263Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer having non-uniform thickness
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/06Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the heating method
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/005Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/459Temporary coatings or impregnations
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/53After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81Coating or impregnation
    • C04B41/82Coating or impregnation with organic materials
    • C04B41/83Macromolecular compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/91After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/06Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • H01L23/08Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4697Manufacturing multilayer circuits having cavities, e.g. for mounting components
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00474Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00844Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6025Tape casting, e.g. with a doctor blade
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/612Machining
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/94Products characterised by their shape
    • C04B2235/945Products containing grooves, cuts, recesses or protusions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32Ceramic
    • C04B2237/34Oxidic
    • C04B2237/343Alumina or aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/56Using constraining layers before or during sintering
    • C04B2237/562Using constraining layers before or during sintering made of alumina or aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/64Forming laminates or joined articles comprising grooves or cuts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/68Forming laminates or joining articles wherein at least one substrate contains at least two different parts of macro-size, e.g. one ceramic substrate layer containing an embedded conductor or electrode
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09009Substrate related
    • H05K2201/09063Holes or slots in insulating substrate not used for electrical connections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09009Substrate related
    • H05K2201/091Locally and permanently deformed areas including dielectric material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H05K3/0052Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Devices For Post-Treatments, Processing, Supply, Discharge, And Other Processes (AREA)

Abstract

セラミック基板の製造方法は、上面に凹部を有するセラミック基板の製造方法であって、複数のセラミックグリーンシートを用意し、複数のセラミックグリーンシートのうち少なくとも1枚のセラミックグリーンシートの、焼成後に凹部が形成される凹部形成予定領域に、焼成により消失する消失物質を設け、消失物質が設けられたセラミックグリーンシートが最上層に位置するように、複数のセラミックグリーンシートを積層してマザー積層体を形成する工程と、マザー積層体の凹部形成予定領域をプレス加工することで、焼成前のマザー積層体に凹部を形成する工程と、を有する。

Description

本発明は、セラミック基板の製造方法及びセラミック基板に関する。
電子部品を実装する実装基板や、電子部品を収納するパッケージとしてセラミック基板が用いられる。特許文献1に記載されているセラミック基板(電子部品収納用パッケージ)では、セラミックグリーンシートの上面をプレス加工して、凹部を加工することによって、焼成後のセラミック基板に凹部が形成される。
特開2015−170756号公報
特許文献1では、プレス加工において、セラミックグリーンシートの凹部が形成される領域と、凹部が形成されない領域とで、セラミックグリーンシートに加えられる圧力が異なる。これにより、凹部が加工されたセラミックグリーンシートでは、平面内で密度の分布が生じる。このため、焼成後のセラミック基板において、反りが発生する可能性がある。
本発明は、反りを好適に抑制することが可能なセラミック基板の製造方法及びセラミック基板を提供することを目的とする。
本発明の一側面のセラミック基板の製造方法は、上面に凹部を有するセラミック基板の製造方法であって、複数のセラミックグリーンシートを用意し、複数の前記セラミックグリーンシートのうち少なくとも1枚の前記セラミックグリーンシートの、焼成後に前記凹部が形成される凹部形成予定領域に、焼成により消失する消失物質を設け、前記消失物質が設けられた前記セラミックグリーンシートが最上層に位置するように、複数の前記セラミックグリーンシートを積層してマザー積層体を形成する工程と、前記マザー積層体の前記凹部形成予定領域をプレス加工することで、焼成前の前記マザー積層体に前記凹部を形成する工程と、を有する。
本発明の一側面のセラミック基板の製造方法は、上面に凹部を有するセラミック基板の製造方法であって、複数のセラミックグリーンシートを用意し、複数の前記セラミックグリーンシートのうち少なくとも1枚の前記セラミックグリーンシートの、焼成後に前記凹部が形成される凹部形成予定領域に、前記セラミックグリーンシートよりも焼成時の収縮率が大きい高収縮率物質を設け、前記高収縮率物質が設けられた前記セラミックグリーンシートが最上層に位置するように、複数の前記セラミックグリーンシートを積層してマザー積層体を形成する工程と、前記マザー積層体の前記凹部形成予定領域をプレス加工することで、焼成前の前記マザー積層体に前記凹部を形成する工程と、を有する。
本発明の一側面のセラミック基板は、複数のセラミック層が積層されたセラミック基板であって、搭載面を有する基板底部と、前記基板底部の上に設けられ、前記搭載面を囲む壁部と、を有し、前記基板底部の前記搭載面と重なる領域において、複数の前記セラミック層の上に、前記セラミック層よりも焼成時の収縮率が大きい高収縮率物質が積層され、前記セラミック層の層間を示す粒界の配向が、前記搭載面及び前記壁部の内壁に沿って湾曲する。
本発明によれば、反りを好適に抑制することが可能である。
図1は、第1実施形態のセラミック基板を有するパッケージの構成を示す平面図である。 図2は、図1のII−II’断面図である。 図3は、セラミック基板の製造方法を説明するための説明図である。 図4は、マザー積層体を示す平面図である。 図5は、焼成後のマザー積層体を模式的に示す断面図である。 図6は、変形例のセラミック基板の製造方法を説明するための説明図である。 図7は、第2実施形態のセラミック基板の製造方法を説明するための説明図である。 図8は、第3実施形態のセラミック基板の製造方法を説明するための説明図である。 図9は、第3実施形態のマザー積層体を拡大して示す平面図である。 図10は、第4実施形態のセラミック基板の製造方法を説明するための説明図である。 図11は、収縮抑制グリーンシートの構成を模式的に示す断面図である。
以下に、本発明のセラミック基板の製造方法及びセラミック基板の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。各実施の形態は例示であり、異なる実施の形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第2の実施の形態以降では第1の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態のセラミック基板を有するパッケージの構成を示す平面図である。図2は、図1のII−II’断面図である。なお、図1は、パッケージ100の蓋体2を除いたセラミック基板1の平面図を示す。
図1に示すように、パッケージ100はセラミック基板1を有する。セラミック基板1は、基板底部10と、壁部12とを有する。壁部12は、基板底部10の搭載面10aを囲んで枠状に設けられている。言い換えると、セラミック基板1は、上面に凹部20が設けられている。セラミック基板1は、平面視で、矩形状である。なお、以下の説明において、平面視とは、搭載面10aに垂直な方向から見た場合の配置関係を示す。
電子部品200は、セラミック基板1の凹部20内に収納される。具体的には、電子部品200は、水晶振動子である。基板底部10の搭載面10aには電子部品200を実装するための台座14が設けられている。台座14は、搭載面10aの隅部付近に設けられ、壁部12の内壁面12bと接続される。また、基板底部10の搭載面10aには支持部16が設けられる。支持部16は、台座14と反対側に配置される。電子部品200の一端側は、台座14の上に接合部材18により接合される。電子部品200の他端側は、支持部16の上側に位置する。電子部品200は、搭載面10a、支持部16及び壁部12の内壁面12bと離れて配置される。
図2に示すように、台座14の上面には、電子部品200と電気的に接続される接続電極22が設けられる。また、セラミック基板1の下面には、底面電極24、25が設けられている。接続電極22と底面電極24とは、基板底部10に設けられたビア23を介して電気的に接続される。
壁部12の上面12aには、メタライズ層3が設けられている。蓋体2は、メタライズ層3を介してセラミック基板1に接合される。これにより、基板底部10と、壁部12と、蓋体2とで囲まれた空間が気密封止される。
次に、セラミック基板1の製造方法について説明する。図3は、セラミック基板の製造方法を説明するための説明図である。図3に示すように、セラミック基板1の製造方法は、複数のセラミックグリーンシート51を用意し、複数のセラミックグリーンシート51のうち少なくとも1枚のセラミックグリーンシート51の、凹部形成予定領域56に、消失物質63を設け、複数のセラミックグリーンシート51を積層してマザー積層体5を形成する工程(ステップST1)を含む。
セラミックグリーンシート51は、酸化アルミニウム(Al)を主成分とするセラミック粉末と、有機バインダ及び熱可塑性樹脂等の樹脂材料とを含む。セラミックグリーンシート51は、例えば、ドクターブレードやリップコータ等により塗布形成される。
消失物質63は、焼成後に消失する物質である。消失物質63は、例えば、架橋アクリル樹脂ビーズを含む樹脂ペーストが用いられる。セラミックグリーンシート51に設けられた開口部分に樹脂ペーストを印刷することで、セラミックグリーンシート51に消失物質63を形成することができる。又は、消失物質63は、カーボンやワックスであってもよい。消失物質63が設けられたセラミックグリーンシート51が最上層に位置するように複数のセラミックグリーンシート51が積層される。
また、マザー積層体5は、壁部形成予定領域55と、凹部形成予定領域56とを有する。壁部形成予定領域55は、マザー積層体5の焼成、分割後にセラミック基板1の壁部12が形成される予定の領域である。凹部形成予定領域56は、マザー積層体5の焼成、分割後にセラミック基板1の凹部20が形成される予定の領域である。本実施形態では、消失物質63は、凹部形成予定領域56の一部の領域、すなわち接続電極22及びビア23と重ならない領域に設けられる。
図4は、マザー積層体を示す平面図である。図4に示すように、マザー積層体5において、分割予定ライン53、54はマトリクス状に設けられる。マザー積層体5は、焼成後に分割予定ライン53、54で、個片のセラミック基板1に分割される。つまり、分割予定ライン53、54で囲まれた領域が、1つのセラミック基板1に対応する。マザー積層体5には、分割予定ライン53、54と重なる位置に、分割用の溝が形成されてもよい。個片のセラミック基板1に分割する設備装置に、例えばローラーブレイク機を用いてもよく、ダイサーを用いてもよい。
次に、図3に示すように、加圧治具8は、マザー積層体5の凹部形成予定領域56をプレス加工することで、マザー積層体5に凹部20を形成する(ステップST2)。加圧治具8は、上型81と下型82とを有する。マザー積層体5は、下型82と上型81との間に配置される。上型81は、ベース83と、凸部84とを有する。
上型81はマザー積層体5の上面側からプレス加工する。これにより、まず、マザー積層体5の凹部形成予定領域56が凸部84により加圧される。凸部84の下面は、消失物質63及び消失物質63の周囲のセラミックグリーンシート51に当接する。凸部84から加えられる圧力により、複数のセラミックグリーンシート51及び消失物質63は、凸部84の形状に沿って変形する。すなわち、凹部形成予定領域56の複数のセラミックグリーンシート51及び消失物質63が薄くなるとともに、複数のセラミックグリーンシート51が矢印Aに示す方向に押し出されて、壁部形成予定領域55側に流動する。壁部形成予定領域55では、凹部形成予定領域56よりも厚くなる。
さらに、上型81が加圧することで、マザー積層体5が凸部84の下面及び側面を覆うように変形し、壁部形成予定領域55がベース83の下面83aに接する。複数のセラミックグリーンシート51は、凸部84の下面、側面及びベース83の下面83aに沿って湾曲する。消失物質63は、凸部84の下面に沿って平坦に形成される。これにより、マザー積層体5に凸部84の形状が転写される。
凹部形成予定領域56には、壁部形成予定領域55よりも大きい圧力が加えられる。これにより、凹部形成予定領域56と壁部形成予定領域55とで、複数のセラミックグリーンシート51及び複数の収縮抑制グリーンシート52には密度の分布が生じる。
次に、加圧治具8を取り外すことで、凹部20を有するマザー積層体5が得られる(ステップST3)。マザー積層体5の凹部形成予定領域56は、複数のセラミックグリーンシート51と消失物質63とが積層されて構成される。壁部形成予定領域55は、複数のセラミックグリーンシート51が積層されて構成される。
次に、マザー積層体5を所定の温度で焼成する(ステップST4)。これにより、消失物質63が消失し、複数のセラミックグリーンシート51が一体に焼結されて、焼成後のマザー積層体9が得られる。焼成後のマザー積層体9は、上面に複数の凹部20が形成される。言い換えると、焼成後のマザー積層体9は、分割後に個片のセラミック基板1となる基板底部10と、壁部12と、が複数配列される。複数の凹部20には、消失物質63の消失により段差が形成される。搭載面10aは、凹部形成予定領域56のうち消失物質63が設けられていた領域に形成される。台座14は、凹部形成予定領域56のうち消失物質63が設けられていない領域に形成される。
本実施形態のセラミック基板1の製造方法によれば、マザー積層体5において、凹部形成予定領域56に消失物質63が設けられている。このため、消失物質63が設けられていない場合に比べて、同じ圧力で、焼成後の凹部20を深く形成することができる。言い換えると、消失物質63が設けられていない場合の凹部20と同じ深さの凹部20を、小さい圧力で形成することができる。
これにより、本実施形態では、焼成前のマザー積層体5において、凹部形成予定領域56と壁部形成予定領域55とで密度の分布が生じた場合であっても、焼成後のマザー積層体9の反りの発生を抑制することができる。この結果、焼成後のマザー積層体9を分割することで形成されるセラミック基板1の反りを抑制することができる。
図5は、焼成後のマザー積層体を模式的に示す断面図である。図5に示すように、焼成後のマザー積層体9は、複数のセラミック層91を有する。セラミック層91は、セラミックグリーンシート51が焼結されて形成される層である。複数のセラミック層91の層間を示す粒界58の配向は、プレス加工での複数のセラミックグリーンシート51及び複数の収縮抑制グリーンシート52の流動により、搭載面10a、壁部12の内壁面12b及び上面12aに沿って湾曲する。
なお、上述した第1実施形態の構成は、あくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、消失物質63は、最上層に位置する1層のセラミックグリーンシート51に設けられているが、2層以上のセラミックグリーンシート51に設けられていてもよい。また、マザー積層体5を構成する複数のセラミックグリーンシート51の数は、4枚に限定されず、5枚以上であってもよく、3枚以下であってもよい。
また、凹部20の断面形状は、角部を有する矩形の一部の形状であるがこれに限定されない。凹部20の内壁面12bと搭載面10aとの接続部分が、湾曲した曲面で構成されていてもよい。あるいは、凹部20の搭載面10aが曲面を有して形成されていてもよい。
また、図1及び図2に示す電子部品200は、水晶振動子に限定されず、他の電子部品であってもよい。
(変形例)
図6は、変形例のセラミック基板の製造方法を説明するための説明図である。なお、以下の説明では、上述した実施形態と同じ構成要素には、同じ参照符号を付して、説明を省略する。変形例では、上述した第1実施形態とは異なり、消失物質63が、凹部形成予定領域56の全領域に設けられる構成について説明する。
具体的には、図6に示すように、複数のセラミックグリーンシート51が積層されてマザー積層体5が形成され、消失物質63は、接続電極22及びビア23と重なる領域に設けられる(ステップST11)。
加圧治具8は、凸部84の下面の全体が消失物質63に当接して、マザー積層体5の凹部形成予定領域56をプレス加工する(ステップST12)。これにより、マザー積層体5に凹部20が形成される。接続電極22及びビア23は、接続電極22の上面とセラミックグリーンシート51の上面とが同一面を構成するように、セラミックグリーンシート51内に押し込まれる。
次に、加圧治具8を取り外すことで、消失物質63を底面とする凹部20を有するマザー積層体5が得られる(ステップST13)。
次に、マザー積層体5を所定の温度で焼成する(ステップST14)。これにより、消失物質63が消失し、凹部20の底面は、段差を有さない平坦な搭載面10aに形成される。
以上のように、焼成後のセラミック基板1の凹部20の形状に応じて、セラミックグリーンシート51に設けられる消失物質63の形状、大きさを異ならせることができる。
(第2実施形態)
図7は、第2実施形態のセラミック基板の製造方法を説明するための説明図である。第2実施形態では、上述した第1実施形態及び変形例とは異なり、消失物質63に換えて高収縮率物質64が、凹部形成予定領域56に設けられる構成について説明する。
図7に示すように、セラミック基板1の製造方法は、複数のセラミックグリーンシート51を用意し、複数のセラミックグリーンシート51のうち少なくとも1枚のセラミックグリーンシート51の、凹部形成予定領域56に、高収縮率物質64を設け、複数のセラミックグリーンシート51を積層してマザー積層体5を形成する工程(ステップST21)を含む。
高収縮率物質64は、セラミックグリーンシート51よりも焼成時の収縮率が大きい物質である。高収縮率物質64は、例えば、カーボンやワックス等、焼成時に消失しない材料である。高収縮率物質64が設けられたセラミックグリーンシート51が最上層に位置するように複数のセラミックグリーンシート51が積層される。
次に、加圧治具8は、マザー積層体5の凹部形成予定領域56をプレス加工することで、マザー積層体5に凹部20を形成する(ステップST22)。次に、加圧治具8を取り外すことで、凹部20を有するマザー積層体5が得られる(ステップST23)。マザー積層体5の凹部形成予定領域56は、複数のセラミックグリーンシート51と高収縮率物質64とが積層されて構成される。壁部形成予定領域55は、複数のセラミックグリーンシート51が積層されて構成される。
次に、マザー積層体5を所定の温度で焼成する(ステップST24)。これにより、高収縮率物質64の一部が凹部20の底面に残留し、複数のセラミックグリーンシート51が一体に焼結されて、焼成後のマザー積層体9が得られる。搭載面10aは、セラミックグリーンシート51が焼結されたセラミック層91の上に、高収縮率物質64が積層されて構成される。
第2実施形態においても、第1実施形態と同様に、高収縮率物質64が設けられていない場合に比べて、同じ圧力で、焼成後の凹部20を深く形成することができる。言い換えると、高収縮率物質64が設けられていない場合の凹部20と同じ深さの凹部20を、小さい圧力で形成することができる。
なお、第2実施形態において、高収縮率物質64は、最上層に位置する1層のセラミックグリーンシート51に設けられているが、2層以上のセラミックグリーンシート51に設けられていてもよい。
(第3実施形態)
図8は、第3実施形態のセラミック基板の製造方法を説明するための説明図である。第3実施形態では、上述した実施形態及び変形例とは異なり、マザー積層体5において、穴部61が設けられている構成を説明する。
より具体的には、図8に示すように、セラミック基板1の製造方法は、複数のセラミックグリーンシート51に穴部61を形成し、複数のセラミックグリーンシート51を積層してマザー積層体5を形成する工程(ステップST31)を含む。
穴部61は、複数のセラミックグリーンシート51の、凹部形成予定領域56と重ならない位置で、かつ、分割予定ライン54と重なる位置に形成される。すなわち、複数の穴部61は、マザー積層体5の壁部形成予定領域55に設けられる。複数の穴部61は、マザー積層体5の上面から下面まで貫通して設けられる。
図9は、マザー積層体を拡大して示す平面図である。なお、図9では、複数のセラミックグリーンシート51を積層後、プレス加工前のマザー積層体5を示す。図9に示すように、複数の穴部61は、平面視でそれぞれ円形状であり、分割予定ライン53、54に沿って配列される。より具体的には、複数の穴部61は、分割予定ライン53と分割予定ライン54との交点と重なる位置に設けられる。また、複数の穴部61は、交点の間において、分割予定ライン53、54と重なる位置にも設けられる。
次に、図8に示すように、加圧治具8は、マザー積層体5の凹部形成予定領域56をプレス加工することで、マザー積層体5に凹部20を形成する(ステップST32)。凸部84から加えられる圧力により、複数のセラミックグリーンシート51及び消失物質63は、凸部84の形状に沿って変形する。すなわち、凹部形成予定領域56のセラミックグリーンシート51及び消失物質63が薄くなるとともに、セラミックグリーンシート51が矢印Aに示す方向に押し出されて、壁部形成予定領域55側に流動する。壁部形成予定領域55では、凹部形成予定領域56よりも厚くなり、セラミックグリーンシート51の流動により穴部61の幅が小さくなる。
さらに、上型81が加圧することで、マザー積層体5が凸部84の下面及び側面を覆うように変形し、壁部形成予定領域55がベース83の下面83aに接する。これにより、マザー積層体5に凸部84の形状が転写される。また、凹部形成予定領域56の複数のセラミックグリーンシート51の流動により、穴部61の内壁が密着し、分割予定ライン54でマザー積層体5は一体に形成される。
そして、加圧治具8を取り外すことで、凹部20を有するマザー積層体5が得られる(ステップST33)。
次に、マザー積層体5を所定の温度で焼成する(ステップST34)。これにより、消失物質63が消失し、複数のセラミックグリーンシート51及び複数の収縮抑制グリーンシート52が一体に焼結されて、焼成後のマザー積層体9が得られる。
第3実施形態のセラミック基板1の製造方法によれば、マザー積層体5に穴部61が設けられているので、プレス加工における複数のセラミックグリーンシート51の流動性を向上させることができる。すなわち、加圧治具8により複数のセラミックグリーンシート51に圧力が加えられた場合に、穴部61により、凹部形成予定領域56の複数のセラミックグリーンシート51が壁部形成予定領域55側に流動しやすくなる。
これにより、第3実施形態では、第1実施形態及び第2実施形態に比べて、プレス加工における複数のセラミックグリーンシート51の圧力の分布が緩和され、小さい圧力で凹部形成予定領域56及び壁部形成予定領域55を変形させて、凹部20を形成することができる。あるいは、穴部61が形成されない場合に比べて、同じ圧力でより深い凹部20を形成することができる。
したがって、プレス加工後のマザー積層体5において、凹部形成予定領域56と壁部形成予定領域55とで、複数のセラミックグリーンシート51の密度の差を抑制することができる。この結果、マザー積層体5を焼成、分割後に形成されるセラミック基板1の反りを抑制することができる。
また、図9に示すように、複数の穴部61は、凹部形成予定領域56の周囲を囲むように設けられる。より好ましくは、複数の穴部61は、凹部形成予定領域56を挟んで対称となる位置に設けられる。これにより、加圧治具8によりプレス加工する際に、凹部形成予定領域56の複数のセラミックグリーンシート51が、周囲の壁部形成予定領域55側に均等に流動しやすくなる。
なお、第3実施形態において、穴部61の数や配置、平面視での形状は適宜変更できる。例えば、図9において、隣り合う交点の間に2つ以上の穴部61が配列されていてもよい。あるいは、交点と重なる位置にのみ穴部61が設けられ、隣り合う交点の間に穴部61が配列されていなくてもよい。穴部61の平面視での形状は、円形状に限定されず、矩形状、菱形形状、十字状、多角形状等、他の形状であってもよい。また、複数の穴部61は、マザー積層体5の上面から下面まで貫通して設けられる構成に限定されず、マザー積層体5の上面から中間層のセラミックグリーンシート51まで設けられていてもよい。
(第4実施形態)
図10は、第4実施形態のセラミック基板の製造方法を説明するための説明図である。第4実施形態では、上述した実施形態及び変形例とは異なり、マザー積層体5が収縮抑制グリーンシート52を有する構成について説明する。
より具体的には、図10に示すように、セラミック基板1の製造方法は、複数のセラミックグリーンシート51と複数の収縮抑制グリーンシート52とを用意し、複数の収縮抑制グリーンシート52の上に、複数のセラミックグリーンシート51を積層してマザー積層体5を形成する工程(ステップST41)を含む。
複数のセラミックグリーンシート51のうち、少なくとも最上層のセラミックグリーンシート51には消失物質63が設けられている。また、複数のセラミックグリーンシート51及び複数の収縮抑制グリーンシート52は、壁部形成予定領域55及び凹部形成予定領域56に亘って連続して設けられる。
収縮抑制グリーンシート52は、焼成時に自体の平面収縮率が1%未満である特性を有する。収縮抑制グリーンシート52は、セラミックグリーンシート51よりも平面収縮率が小さい。図11は、収縮抑制グリーンシートの構成を模式的に示す断面図である。図11に示すように、収縮抑制グリーンシート52は、フィラーとしての板状セラミック充填剤66と、有機バインダ及び熱可塑性樹脂等の樹脂材料67とを含む。板状セラミック充填剤66は、例えば板状アルミナである。
収縮抑制グリーンシート52は、例えば、ドクターブレードやリップコータ等により塗布形成される。これにより、複数の板状セラミック充填剤66の配向は、収縮抑制グリーンシート52の面内方向に揃う。これにより、収縮抑制グリーンシート52は、セラミックグリーンシート51よりも平面収縮率を小さくすることができる。なお、収縮抑制グリーンシート52は、球状アルミナを有していてもよい。複数のセラミックグリーンシート51及び複数の収縮抑制グリーンシート52は、各層毎に板状セラミック充填剤66及び球状アルミナの配合比率が異なっていてもよい。
次に、図10に示すように、加圧治具8は、マザー積層体5の凹部形成予定領域56をプレス加工することで、マザー積層体5に凹部20を形成する(ステップST42)。
上型81はマザー積層体5の上面側からプレス加工する。これにより、まず、マザー積層体5の凹部形成予定領域56が凸部84により加圧される。凸部84から加えられる圧力により、複数のセラミックグリーンシート51及び複数の収縮抑制グリーンシート52は、凸部84の形状に沿って変形する。すなわち、凹部形成予定領域56の複数のセラミックグリーンシート51、消失物質63及び複数の収縮抑制グリーンシート52が薄くなるとともに、複数のセラミックグリーンシート51及び複数の収縮抑制グリーンシート52が矢印Aに示す方向に押し出されて、壁部形成予定領域55側に流動する。壁部形成予定領域55では、凹部形成予定領域56よりも厚くなる。
さらに、上型81が加圧することで、マザー積層体5が凸部84の下面及び側面を覆うように変形し、壁部形成予定領域55がベース83の下面83aに接する。複数のセラミックグリーンシート51及び複数の収縮抑制グリーンシート52は、凸部84の下面、側面及びベース83の下面83aに沿って湾曲する。これにより、マザー積層体5に凸部84の形状が転写される。
凹部形成予定領域56には、壁部形成予定領域55よりも大きい圧力が加えられる。これにより、凹部形成予定領域56と壁部形成予定領域55とで、複数のセラミックグリーンシート51及び複数の収縮抑制グリーンシート52には密度の分布が生じる。
次に、加圧治具8を取り外すことで、凹部20を有するマザー積層体5が得られる(ステップST43)。マザー積層体5の凹部形成予定領域56は、複数のセラミックグリーンシート51、消失物質63及び複数の収縮抑制グリーンシート52が積層されて構成される。マザー積層体5の壁部形成予定領域55は、複数のセラミックグリーンシート51及び複数の収縮抑制グリーンシート52が積層されて構成される。
次に、マザー積層体5を所定の温度で焼成する(ステップST44)。これにより、消失物質63が消失し、複数のセラミックグリーンシート51及び複数の収縮抑制グリーンシート52が一体に焼結されて、焼成後のマザー積層体9が得られる。焼成後のマザー積層体9は、上面に複数の凹部20が形成される。複数の凹部20は、消失物質63が消失することで形成された搭載面10aを有する。
本実施形態のセラミック基板1の製造方法によれば、マザー積層体5において、複数のセラミックグリーンシート51は複数の収縮抑制グリーンシート52の上に積層されている。このため、複数の収縮抑制グリーンシート52により、複数のセラミックグリーンシート51の焼成時の平面方向の収縮が抑制される。この結果、マザー積層体5は、焼成時に厚み方向の収縮が支配的となる。
これにより、第4実施形態では、焼成前のマザー積層体5において、凹部形成予定領域56と壁部形成予定領域55とで密度の分布が生じた場合であっても、焼成後のマザー積層体9の反りの発生を抑制することができる。この結果、焼成後のマザー積層体9を分割することで形成されるセラミック基板1の反りを抑制することができる。
なお、第4実施形態の構成は、第2実施形態、第3実施形態及び変形例の1つと組み合わせることもできる。
なお、第4実施形態において、複数のセラミックグリーンシート51及び複数の収縮抑制グリーンシート52は、それぞれ2枚ずつ積層されているが、これに限定されない。マザー積層体5は、少なくとも1枚の収縮抑制グリーンシート52を有していればよい。また、収縮抑制グリーンシート52は、3枚以上であってもよい。また、セラミックグリーンシート51も、1枚でもよく、3枚以上でもよい。
なお、上記した実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更/改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。
1 セラミック基板
2 蓋体
3 メタライズ層
5 マザー積層体
8 加圧治具
9 焼成後のマザー積層体
10 基板底部
10a 搭載面
12 壁部
12a 上面
12b 内壁面
14 台座
16 支持部
18 接合部材
20 凹部
22 接続電極
23 ビア
24、25 底面電極
51 セラミックグリーンシート
52 収縮抑制グリーンシート
53、54 分割予定ライン
55 壁部形成予定領域
56 凹部形成予定領域
58 粒界
61 穴部
63 消失物質
64 高収縮率物質
66 板状セラミック充填剤
67 樹脂材料
81 上型
82 下型
83 ベース
84 凸部
91 セラミック層
100 パッケージ
200 電子部品
A 矢印

Claims (10)

  1. 上面に凹部を有するセラミック基板の製造方法であって、
    複数のセラミックグリーンシートを用意し、複数の前記セラミックグリーンシートのうち少なくとも1枚の前記セラミックグリーンシートの、焼成後に前記凹部が形成される凹部形成予定領域に、焼成により消失する消失物質を設け、前記消失物質が設けられた前記セラミックグリーンシートが最上層に位置するように、複数の前記セラミックグリーンシートを積層してマザー積層体を形成する工程と、
    前記マザー積層体の前記凹部形成予定領域をプレス加工することで、焼成前の前記マザー積層体に前記凹部を形成する工程と、を有する
    セラミック基板の製造方法。
  2. 請求項1に記載のセラミック基板の製造方法であって、
    前記消失物質は、前記凹部形成予定領域の一部の領域に設けられる
    セラミック基板の製造方法。
  3. 請求項1に記載のセラミック基板の製造方法であって、
    前記消失物質は、前記凹部形成予定領域の全領域に設けられる
    セラミック基板の製造方法。
  4. 上面に凹部を有するセラミック基板の製造方法であって、
    複数のセラミックグリーンシートを用意し、複数の前記セラミックグリーンシートのうち少なくとも1枚の前記セラミックグリーンシートの、焼成後に前記凹部が形成される凹部形成予定領域に、前記セラミックグリーンシートよりも焼成時の収縮率が大きい高収縮率物質を設け、前記高収縮率物質が設けられた前記セラミックグリーンシートが最上層に位置するように、複数の前記セラミックグリーンシートを積層してマザー積層体を形成する工程と、
    前記マザー積層体の前記凹部形成予定領域をプレス加工することで、焼成前の前記マザー積層体に前記凹部を形成する工程と、を有する
    セラミック基板の製造方法。
  5. 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のセラミック基板の製造方法であって、
    前記マザー積層体を形成する工程において、前記凹部形成予定領域と重ならない位置で、かつ、焼成後に個片の前記セラミック基板に分割される分割予定ラインと重なる位置に、複数の前記セラミックグリーンシートのうち少なくとも1枚以上に穴部を形成する工程を含む
    セラミック基板の製造方法。
  6. 請求項5に記載のセラミック基板の製造方法であって、
    前記凹部を形成する工程において、前記穴部は、前記セラミックグリーンシートの流動により内壁が密着して、前記分割予定ラインで前記マザー積層体は一体に形成される
    セラミック基板の製造方法。
  7. 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のセラミック基板の製造方法であって、
    前記マザー積層体を形成する工程において、焼成時の平面収縮率が前記セラミックグリーンシートよりも小さい収縮抑制グリーンシートを用意し、前記収縮抑制グリーンシートの上に前記セラミックグリーンシートを積層する
    セラミック基板の製造方法。
  8. 請求項7に記載のセラミック基板の製造方法であって、
    前記収縮抑制グリーンシートは、板状セラミック充填剤を含む
    セラミック基板の製造方法。
  9. 請求項8に記載のセラミック基板の製造方法であって、
    前記板状セラミック充填剤は、板状アルミナである
    セラミック基板の製造方法。
  10. 複数のセラミック層が積層されたセラミック基板であって、
    搭載面を有する基板底部と、
    前記基板底部の上に設けられ、前記搭載面を囲む壁部と、を有し、
    前記基板底部の前記搭載面と重なる領域において、複数の前記セラミック層の上に、前記セラミック層よりも焼成時の収縮率が大きい高収縮率物質が積層され、
    前記セラミック層の層間を示す粒界の配向が、前記搭載面及び前記壁部の内壁に沿って湾曲する
    セラミック基板。
JP2021511244A 2019-03-29 2020-02-28 セラミック基板の製造方法及びセラミック基板 Active JP6962501B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019068268 2019-03-29
JP2019068268 2019-03-29
PCT/JP2020/008257 WO2020202942A1 (ja) 2019-03-29 2020-02-28 セラミック基板の製造方法及びセラミック基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020202942A1 true JPWO2020202942A1 (ja) 2021-09-13
JP6962501B2 JP6962501B2 (ja) 2021-11-05

Family

ID=72668602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021511244A Active JP6962501B2 (ja) 2019-03-29 2020-02-28 セラミック基板の製造方法及びセラミック基板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20210362372A1 (ja)
JP (1) JP6962501B2 (ja)
WO (1) WO2020202942A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002151855A (ja) * 2000-11-16 2002-05-24 Murata Mfg Co Ltd 多層セラミック基板の製造方法
JP2006185989A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Murata Mfg Co Ltd 回路基板およびその製造方法
WO2008018227A1 (fr) * 2006-08-07 2008-02-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Procédé de production d'un substrat céramique multicouche
JP2009141368A (ja) * 2007-12-06 2009-06-25 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 積層セラミックパッケージ
JP2010205844A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の製造方法
JP2019046966A (ja) * 2017-09-01 2019-03-22 日本特殊陶業株式会社 基板の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002151855A (ja) * 2000-11-16 2002-05-24 Murata Mfg Co Ltd 多層セラミック基板の製造方法
JP2006185989A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Murata Mfg Co Ltd 回路基板およびその製造方法
WO2008018227A1 (fr) * 2006-08-07 2008-02-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Procédé de production d'un substrat céramique multicouche
JP2009141368A (ja) * 2007-12-06 2009-06-25 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 積層セラミックパッケージ
JP2010205844A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の製造方法
JP2019046966A (ja) * 2017-09-01 2019-03-22 日本特殊陶業株式会社 基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6962501B2 (ja) 2021-11-05
WO2020202942A1 (ja) 2020-10-08
US20210362372A1 (en) 2021-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004235323A (ja) 配線基板の製造方法
JP3709802B2 (ja) 多層セラミック基板の製造方法
KR20020041305A (ko) 다층 세라믹 기판 및 그 제조 방법
JP6962501B2 (ja) セラミック基板の製造方法及びセラミック基板
JP2004047528A (ja) 半導体基板及びその製造方法
JP2002290038A (ja) 多層セラミック基板の製造方法
WO2020202943A1 (ja) セラミック基板の製造方法及びセラミック基板
JP7173298B2 (ja) セラミック基板の製造方法
JP6147981B2 (ja) セラミック基板の製造方法
JP3912082B2 (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法
WO2020261707A1 (ja) セラミック基板の製造方法及びセラミック基板
JP2013239555A (ja) 電子部品素子収納用パッケージ及びその製造方法
JP6677547B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ、電子装置および電子モジュール
JP2007103570A (ja) 積層コンデンサの製造方法,誘電体層用グラビア版及び内部電極層用グラビア版
JP4200035B2 (ja) セラミックパッケージの製造方法
JP5682342B2 (ja) 積層型セラミック電子部品の製造方法
JP2013191600A (ja) 多数個取り配線基板
JP2004356135A (ja) ヒートシンクおよびその製造方法
JP4529637B2 (ja) 多層配線基板の製造方法およびそれに用いる多層配線基板焼成用荷重体
KR102041628B1 (ko) 세라믹 적층체 압착장치
JP2003100550A (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法
JP2022136061A (ja) 仮キャリアボード及びその製造方法ならびにパッケージ基板の製造方法
JP2005051053A (ja) 高周波積層部品の製造方法
JP2008105939A (ja) 積層セラミック基板焼成用加圧ローダ及びそれを用いた積層セラミック基板の製造方法
JPS6080213A (ja) 積層セラミツクコンデンサの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210416

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20210416

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210706

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210901

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210914

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210927

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6962501

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150