WO2008018203A1

WO2008018203A1 - composant de bobine multicouche ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Info

Publication number: WO2008018203A1
Application number: PCT/JP2007/057874
Authority: WO
Inventors: Koichi Yamaguchi
Original assignee: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date: 2006-08-07
Filing date: 2007-04-10
Publication date: 2008-02-14
Also published as: JPWO2008018203A1; JP4737199B2; US20080218301A1; CN101356599A

Description

明細書

積層コイル部品及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、積層コイル部品、より特定的には、コイル導体が形成された磁性体層と

、磁性体層よりも低い透磁率を有する低透磁率層とが積層され、該コイル導体同士が電気的に接続されて構成されたコイルを内蔵する積層コイル部品及びその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 積層コイル部品には、閉磁路型の積層コイル部品と開磁路型の積層コイル部品とが存在する。閉磁路型の積層コイル部品は、透磁率が大きく磁気抵抗が小さい磁路ができるので高、インダクタンスを得ることができると、う利点を有する。その一方で、閉磁路型の積層コイル部品では、大きな磁束密度を発生するので直流重畳電流が小さくても磁気飽和が発生しやすぐ磁気飽和によるインダクタンスの低下が発生しやすい。そのため、閉磁路型の積層コイル部品は、直流重畳特性が悪いという欠点を有する。

[0003] そこで、前記利点を生力しつつ前記欠点を補ったものとして、磁性体内を周回しながら積層方向に順次接続されたコイル用導体パターンを有する積層コイル部品において、該コイル用導体パターンの周囲に形成される磁路を横断する透磁率の低い絶縁層を備える開磁路型の積層コイル部品が存在する (特許文献 1参照)。この積層コィル部品では、透磁率の低い絶縁層は、該コイル用導体パターンの内側又は外側の一部に形成される。透磁率の低い絶縁層が形成された場所では、磁束密度が大きくなり過ぎることによる磁気飽和の発生が抑制される。これにより、磁気飽和によるインダクタンスの低下が抑制され、直流重畳特性が向上する。更に、前記絶縁層が全面ではなく一部にし力設けられていないので、比較的高い透磁率を得ることができ、高

V、インダクタンスを維持することが可能となる。

[0004] し力しながら、透磁率の高い層と透磁率の低い層とは密着性が悪く剥がれ易いので、特許文献 1に記載の積層コイル部品では、透磁率の低い絶縁層と透磁率の高い絶縁層との間でクラック（ひび)ゃデラミネーシヨン (層間剥離）が発生してしまう。特許文献 1 :実開昭 63— 87809号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] そこで、本発明の目的は、透磁率が異なる層間でのクラックゃデラミネーシヨンが発生しにくい開磁路型の積層コイル部品及びその製造方法を提供することである。課題を解決するための手段

[0006] 本発明は、コイル導体が形成された磁性体層と、該磁性体層よりも低い透磁率を有する低透磁率層とが積層され、該コイル導体同士が電気的に接続されて構成されたコイルを内蔵する積層コイル部品において、前記低透磁率層は、前記磁性体層に挟まれており、前記低透磁率層の主面には、孔又は凹部が形成されており、前記低透磁率層に隣接する前記磁性体層は、前記孔又は凹部の内周面に接していることを特徴とする。本発明によれば、低透磁率層に隣接する磁性体層が前記孔又は凹部の内周面に接してヽるので、磁性体層と低透磁率層との間でアンカー効果が発生する。その結果、磁性体層と低透磁率層との間においてクラックゃデラミネーシヨンが発生することが抑制される。

[0007] 本発明に係る積層コイル部品におヽては、前記低透磁率層には、コイル導体が形成されていてもよい。

[0008] 本発明に係る積層コイル部品においては、前記孔又は前記凹部の内周面を構成する側面は、連続してつながつていることが好ましい。前記凹部や前記孔を構成する側面が途切れていると、途切れた部分において磁性体層と低透磁率層とが接触しないことになる。その結果、磁性体層と低透磁率層との間に働くアンカー効果が低減されてしまう。そのため、より大きなアンカー効果を得るために孔又は凹部の内周面を構成する側面は、連続してつながって、ることが好ま、。

[0009] 本発明に係る積層コイル部品においては、前記孔又は前記凹部は、積層方向から平面視したときに、前記コイルの外側の領域に形成されていることが好ましい。また、前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の外周近傍に形成されることが好ましヽ。孔又は凹部では、孔又は凹部の周囲に存在する低透磁率層に比べて磁気抵抗が小さくなる。このような磁気抵抗力小さくなる領域が、コイルの外側や低透磁率層の外周近傍に形成されることにより、該領域がコイルの内側に形成された場合よりも、積層コイル部品の外部への磁束の漏れが低減される。その結果、積層コイル部品において高、インダクタンスを得ることが可能となる。

[0010] 本発明に係る積層コイル部品によれば、前記低透磁率層は、長方形状を有しており、前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の長辺近傍に形成されることが好ましい。コイルの中心力低透磁率層の長辺までの距離は、コイルの中心から低透磁率層の短辺までの距離よりも短い。そのため、コイルで発生した磁束力短辺からよりも長辺からの方が漏れやすい。そこで、低透磁率層の長辺近傍に孔又は凹部を形成することにより、長辺近傍での磁気抵抗を小さくできる。そのため、効果的に磁束の漏れを低減することができ、積層コイル部品のインダクタンスの向上を図ることができる。

[0011] 本発明に係る積層コイル部品によれば、前記低透磁率層は、長方形状を有しており、前記磁性体層と前記低透磁率層とが積層されて構成された積層体の表面に形成され、前記コイルと電気的に接続された外部電極を更に備え、前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の長辺又は短辺のいずれかの近傍に形成され、前記外部電極は、前記孔又は前記凹部が形成された低透磁率層の辺とは異なる低透磁率層の辺を含む前記積層体の側面に形成されることが好ましい。又、前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の長辺近傍に形成され、前記外部電極は、前記低透磁率層の短辺を含む前記積層体の側面に形成されることが好ましい。このように、各辺近傍に、孔又は凹部若しくは外部電極が形成されることにより、積層体の各側面力磁束が漏れることを効果的に抑制することが可能となる。その結果、積層コイル部品のインダクタンスの向上を図ることができる。

[0012] 本発明に係る積層コイル部品におヽては、前記低透磁率層は、非磁性体であってちょい。

[0013] 本発明に係る積層コイル部品は以下の製造方法にて製造することが可能である。

具体的には、コイルを内蔵する積層体力なる積層コイル部品の製造方法において、磁性体層及び該磁性体層よりも低ヽ透磁率を有する低透磁率層を形成する工程と、前記磁性体層の主面に対してコイル導体を形成する工程と、前記低透磁率層の主面に孔又は凹部を形成する工程と、前記磁性体層が前記低透磁率層を挟むよう〖こ積層して、該磁性体層が前記孔又は凹部の内周面に接する積層体を形成する工程とを備える。該製造方法によれば、前記積層コイル部品を好適に製造することが可能である。

発明の効果

[0014] 本発明によれば、低透磁率層と磁性体層との間にアンカー効果が発生するので、磁性体層と低透磁率層との間においてクラックゃデラミネーシヨンが発生することが抑制される。

図面の簡単な説明

[0015] [図 1]本発明の一実施形態に係る積層コイル部品の分解斜視図である。

[図 2]前記積層コイル部品の外観斜視図である。

[図 3]前記積層コイル部品の断面構造を示した図である。

[図 4]前記積層コイル部品の第 1の変形例に係る分解斜視図である。

[図 5]前記積層コイル部品の第 1の変形例に係る断面構造を示した図である。

[図 6]前記積層コイル部品の第 2の変形例に係る分解斜視図である。

[図 7]前記積層コイル部品の第 3の変形例に係る断面構造を示した図である。

[図 8]前記積層コイル部品の第 4の変形例に係る断面構造を示した図である。

[図 9]前記積層コイル部品の第 5の変形例に係る断面構造を示した図である。

[図 10]前記積層コイル部品の第 6の変形例に係る断面構造を示した図である。

[図 11]前記積層コイル部品の変形例の効果を説明するための説明図である。

発明を実施するための最良の形態

[0016] 以下に、本発明に係る開磁路型の積層コイル部品及びその製造方法の一実施形態について図面を参照しながら説明する。本実施形態は個産品の場合を例にしている力量産する場合には、多数の内部導体パターンをマザ一の生のセラミックシートの表面に印刷し、このマザ一の生のセラミックシートを複数枚積層圧着させて未焼成の積層体ブロックを形成する。そして、積層体ブロックを内部導体パターンの配置にあわせてカットして個々の積層セラミックチップを切り出し、切り出された積層セラミツクチップを焼成し、焼成した積層セラミックチップに外部電極を形成することにより生産される。あるいは、マザ一の生のセラミックシートを積層圧着して焼成し、その後に、個々の積層セラミックチップに切り出してもよい。

[0017] 図 1は、積層コイル部品 1の分解斜視図である。図 2は、積層コイル部品 1の外観斜視図である。図 3は、積層コイル部品 1の断面構造を示した図である。

[0018] 図 1に示すように、積層コイル部品 1は、第 1のセラミックシート 2、第 2のセラミツクシート 3と、第 3のセラミックシート 4などで構成されて、る。

[0019] 第 1のセラミックシート 2は磁性体材料により作製され、その主面にコイル用導体パターン 5及びビアホール導体 10が形成される。第 2のセラミックシート 3は、第 1のセラミックシート 2と同様に磁性体材料により作製され、その主面にはコイル用導体パターン 5が形成されない。第 3のセラミックシート 4は、第 1のセラミックシート 2よりも低い透磁率を有する低透磁率材料又は非磁性体材料 (透磁率が 1のもの）により作製され、その主面にはコイル用導体パターン 5、ビアホール導体 10及び空孔 7が形成される。

[0020] 第 1のセラミックシート 2及び第 2のセラミックシート 3は、以下のようにして製作される。酸化第二鉄 (Fe O )、酸化亜鉛 (ZnO)、酸ィ匕ニッケル (NiO)、酸化銅 (CuO)を所

2 3

定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥して力も粉砕し、得られた粉末を 750°Cで一時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥して力解砕し、フエライトセラミック粉末を得る。

[0021] このフェライトセラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法を用いて、シート状に形成して乾燥させ、所望の膜厚の生の第 1 のセラミックシート 2及び生の第 2のセラミックシート 3を作製する。

[0022] 第 3のセラミックシート 4は、以下のようにして製作される。酸化第二鉄 (Fe O )、酸

2 3 化亜鉛 (ZnO)及び酸化銅 (CuO)を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してカゝら粉砕し、得られた粉末を 750°Cで一時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥して力ゝら解砕し、非磁性セラミック粉末を得る。

[0023] この非磁性セラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクタ一ブレード法を用いて、シート状に形成して乾燥させ、所望の膜厚の生の第 3のセラミックシート 4を作製する。第 3のセラミックシート 4の膜厚は、例えば、 20 m程度とする。

[0024] 第 1のセラミックシート 2及び第 3のセラミックシート 4には、隣接する層のコイル用導体パターン 5同士を接続するためのビアホール導体 10が形成されている。ビアホール導体 10は、第 1のセラミックシート 2及び第 3のセラミックシート 4にレーザビームなどを用いて貫通孔を形成し、この貫通孔に Ag, Pd, Cu, Auやこれらの合金などの導電ペーストを印刷塗布などの方法により充填することによって形成される。

[0025] 第 1のセラミックシート 2及び第 3のセラミックシート 4上には、コイル用導体パターン 5がそれぞれ導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより形成される。これらの導体パターン 5は、 Ag, Pd, Cu, Auやこれらの合金など力なる。

[0026] 第 3のセラミックシート 4の主面には、図 1に示すように、該第 3のセラミックシート 4の主面を積層方向に貫通する空孔 7が形成される。空孔 7は、積層方向から平面視したときに前記コイル用導体パターン 5の外側の領域に形成されることが好ましい。更に、空孔 7は、前記コイル用導体パターン 5の外側の領域の内、特に第 3のセラミックシート 4の外周近傍に形成されることがより好ましい。本実施形態では、空孔 7は、第 3のセラミックシート 4の短辺近傍に形成される。空孔 7は、凸部が形成された金型を用いて第 3のセラミックシート 4に対してプレス力卩ェが施されることにより形成されてもよいし、第 3のセラミックシート 4がレーザーにより打ち抜かれて形成されてもよい。

[0027] 複数のコイル用導体パターン 5は、第 1のセラミックシート 2及び第 3のセラミツクシ一ト 4に形成されたビアホール導体 10を介して電気的に直列に接続され、螺旋状のコィル Lを形成する。コイル Lのコイル軸は第 1のセラミックシート 2、第 2のセラミツクシ一ト 3及び第 3のセラミックシート 4の積層方向に対して平行である。コイル Lの引出し部 6a, 6bはそれぞれ、複数枚の第 1のセラミックシート 2の内、最も上層に配置された第 1のセラミツクシ一ト 2の左辺及び最も下層に配置された第 1のセラミックシート 2の右辺に露出している。 [0028] 図 1に示すように、第 1のセラミックシート 2は第 3のセラミックシート 4を挟むように第 3のセラミックシート 4の上下に積層されており、第 2のセラミックシート 3がその上下に積層されている。このとき、第 3のセラミックシート 4は、コイル Lの長さ方向の略中央に位置するように積層される。これらの第 1のセラミックシート 2、第 2のセラミックシート 3 及び第 3のセラミックシート 4は、上下方向から加圧される。この加圧時に、第 3のセラミックシート 4に隣接する第 1のセラミックシート 2の一部力空孔 7に入り込む。これにより、第 3のセラミックシート 4に隣接する第 1のセラミックシート 2は、前記空孔 7を構成する内周面に接するようになる。これにより、未焼成積層体が形成される。

[0029] 次に、この未焼成積層体は一体的に焼成され、図 2に示すような直方体形状を有する積層体 20とされる。積層体 20の表面には、入出力外部電極 21, 22が形成される。この入出力外部電極 21, 22は、第 3のセラミックシート 4の短辺側に位置する直方体の側面に形成されることが好ましい。そこで、本実施形態では、入出力外部電極 21, 22は、図 2に示すように、積層体 20の左右の端面に形成されている。コイルの引出し部 6a, 6bは、入出力外部電極 21, 22に電気的に接続されている。

[0030] こうして得られた積層コイル部品 1は、図 3に示すように、複数のコイル用導体パターン 5を電気的に接続して構成したコイル Lを内蔵したコイル部 31と、コイル部 31の上下の領域に積層された外層部 32, 33とを有している。そして、積層コイル部品 1の積層方向において、コイル部 31の略中央の位置に第 3のセラミックシート 4が配置されている。従って、コイル Lによって発生した磁束 φは、第 3のセラミックシート 4が形成する開磁路を通る。

[0031] 以上のように、積層コイル部品 1によれば、第 3のセラミックシート 4の上下に隣接する第 1のセラミックシート 2が、空孔 7の内周面に接している。そのため、第 1のセラミツクシート 2と第 3のセラミックシート 4との間にアンカー効果が生じるので、第 1のセラミツクシート 2と第 3のセラミックシート 4との間におけるクラックゃデラミネーシヨンの発生が抑制される。

[0032] また、積層コイル部品 1では、空孔 7は、第 3のセラミックシート 4の短辺近傍に形成される。第 3のセラミックシート 4の短辺のような外周近傍の領域では、積層体 20の焼成時に、積層されたセラミックシートが反り返ってしまうことによりクラックゃデラミネ一シヨンが発生しやすい。そこで、積層コイル部品 1のように、空孔 7を第 3のセラミツクシート 4の外周近傍に形成して、外周近傍での第 1のセラミックシート 2と第 3のセラミックシート 4との結合力を高めているので、効果的にクラックゃデラミネーシヨンの発生を抑制できる。

[0033] また、積層コイル部品 1によれば、開磁路型の積層コイル部品のインダクタンスを容易に大きくすることができる。以下に理由を説明する。

[0034] 開磁路型の積層コイル部品において、インダクタンスを大きくするには、前記第 3のセラミックシート 4を薄く形成し、磁路の磁気抵抗を小さくする必要がある。しかしながら、第 3のセラミックシート 4を薄く形成することには限界がある。そこで、積層コイル部品 1では、第 3のセラミックシート 4に空孔 7を形成し第 1のセラミックシート 2の一部を該空孔 7に入り込ませることにより、磁路の磁気抵抗を小さくしている。このように、空孔 7を形成することは、第 3のセラミックシート 4を薄く形成することに比べて容易である。そのため、積層コイル部品 1によれば、従来の開磁路型の積層コイル部品に比べてインダクタンスを容易に大きくできる。

[0035] 更に、積層コイル部品 1では、空孔 7は、第 3のセラミックシート 4の短辺近傍に形成されている。このように、第 3のセラミックシート 4の短辺のような外周近傍に空孔 7が形成されること〖こより、コイル Lの内側などに空孔 7が形成されるよりも、コイル Lの外側の磁路がより閉磁路に近くなる。その結果、積層コイル部品 1の外部への磁束の漏れが抑制され、積層コイル部品 1のインダクタンスを効果的に大きくすることができる。

[0036] また、積層コイル部品 1によれば、インダクタンスを大きく維持した状態で、周波数特性を向上させ、高周波での電力ロスを低減することができる。以下に説明する。

[0037] 従来の開磁路型の積層コイル部品では、インダクタンスを大きくするために、透磁率が大きな材料 (フェライト）を第 3のセラミックシート 4に用いる。一般的に透磁率が大きな材料は、高周波での電力ロスが大きい。そのため、インダクタンスを大きくすることと高周波での電力ロスを低減することとを両立させるために、第 3のセラミツクシ一ト 4をできるだけ薄く形成する必要がある。

[0038] し力しながら、前記の通り、第 3のセラミックシート 4を薄く形成することには限界がある。そこで、積層コイル部品 1では、透磁率が比較的小さい材料を用いた第 3のセラミックシート 4を比較的厚く形成すると共に、該第 3のセラミックシート 4に形成された空孔 7に第 1のセラミックシート 2の一部を入り込ませている。前記の通り、第 3のセラミツクシート 4に空孔 7を形成して第 1のセラミックシート 2の一部を入り込ませることは、第 3のセラミックシート 4を薄く形成することよりも容易である。これにより、比較的容易な手法により、高周波での電力ロスを小さくすることとインダクタンスを大きくすることを両立させることができる。

[0039] また、積層コイル部品 1によれば、直流重畳特性を制御することができる。積層コィル部品 1の空孔 7の大きさや数が変化すれば、直流重畳特性も変化する。具体的には、空孔 7の面積が増加すれば、磁路の磁気抵抗力、さくなるので、磁気飽和が発生しやすくなり直流重畳特性は悪くなる。一方、空孔 7の面積が減少すれば、磁路の磁気抵抗が大きくなるので、磁気飽和が発生しに《なり直流重畳特性が良くなる。したがって、積層コイル部品 1では、空孔 7の面積を調節することにより、直流重畳特性を制御できる。

[0040] (変形例）

なお、図 4及び図 5に示すように、第 3のセラミックシート 4に空孔 7ではなぐ凹部 47 が形成される構成であってもよい。図 4は、積層コイル部品 41の分解斜視図である。図 5は、積層コイル部品 41の断面構造を示した図である。

[0041] 具体的には、第 3のセラミックシート 4の主面には、図 4及び図 5に示すように、該第 3のセラミックシート 4の主面を積層方向に窪ませた凹部 47が形成される。凹部 47は、空孔 7と同様に、第 3のセラミックシート 4の短辺近傍に形成される。凹部 47は、凸部が形成された金型を用いて第 3のセラミックシート 4に対してプレス力卩ェが施されること〖こより形成される。

[0042] また、図 6に示すように、第 3のセラミックシート 4の短辺近傍ではなぐ長辺近傍に空孔 7や凹部 47が形成されて、ても良ヽ。

[0043] 具体的には、第 3のセラミックシート 4の主面には、図 6に示すように、該第 3のセラミックシート 4の主面を積層方向に貫通する空孔 7が形成される。積層コイル部品 51の空孔 7は、積層コイル部品 1の空孔 7と異なり、第 3のセラミックシート 4の長辺近傍に形成される。 [0044] 以上のような積層コイル部品 51によれば、第 3のセラミックシート 4の長辺近傍に空孔 7が形成されるので、積層コイル部品 1よりも効果的に、開磁路型の積層コイル部品のインダクタンスを大きくすることができる。以下に、理由を説明する。

[0045] 図 6に示すような長方形の第 3のセラミックシート 4を積層して構成する積層コイル部品 51では、第 3のセラミックシート 4の短辺よりも長辺の方がコイル Lの中心力もも距離が近くかつ外部に接している距離が長い。そのため、第 3のセラミックシート 4の短辺側から漏れる磁束よりも、第 3のセラミックシート 4の長辺側力も漏れる磁束の方が多い。そこで、図 6に示すように、第 3のセラミックシート 4の長辺近傍に空孔 7を形成することにより、該空孔 7に第 1のセラミックシート 2の一部が入り込むことになるので、該空孔 7における磁気抵抗が小さくなる。その結果、空孔 7の周囲に漏れる磁束が低減され、積層コイル部品 51の外部へ磁束が漏れることが低減される。すなわち、積層コィル部品 51のインダクタンスを大きくすることができる。

[0046] また、図 6に示すように、第 3のセラミックシート 4の長辺近傍に空孔 7が形成された場合には、図 2に示すように、第 3のセラミックシート 4の短辺を含む積層体 20の側面に、入出力外部電極 21, 22が形成されることが好ましい。すなわち、入出力外部電極 21, 22が形成される側面に含まれる辺と、空孔 7が形成される第 3のセラミツクシ一ト 4の辺とは異なることが好ましい。これにより、第 3のセラミックシート 4の短辺近傍では、入出力外部電極 21, 22で発生する渦電流により磁束漏洩が抑制され、第 3のセラミックシート 4の長辺近傍では、空孔 7により磁束漏洩が抑制され、各辺近傍において効率的に磁束漏洩が抑制されるようになる。その結果、積層コイル部品 51のインダクタンスをより効果的に大きくすることができる。

[0047] また、図 7に示すように、第 3のセラミックシート 4には空孔 7と凹部 47とが組み合わせて形成されても良い。

[0048] また、第 3のセラミックシート 4は、 1枚だけではなぐ複数枚積層されてもよい。第 3 のセラミックシート 4が複数枚積層されることにより、直流重畳特性が向上する。この場合、図 8に示すように、一方の第 3のセラミックシート 4にのみ空孔 7が形成されても良い。更に、図 9に示すように、上層の第 3のセラミックシート 4に形成される凹部 47の位置と、下層の第 3のセラミックシート 4に形成される凹部 47の位置とが水平方向においてずれていても良い。

[0049] また、複数枚の第 3のセラミックシート 4は、図 10に示すように、第 1のセラミツクシ一ト 2が間に積層されることにより互いに離間して配置されても良い。

[0050] また、図 11に示すように、凹部 47の形状は、第 3のセラミックシート 4の短辺近傍において、手前側の側面と奥側の側面とをつなぐ溝状であってもよい。すなわち、空孔 7又は凹部 47の内周面を構成する側面 68は連続してつながっていなくてもよい。ただし、この場合、第 3のセラミックシート 4の端部において凹部 47等の端部開口 69が形成されてしまうことになる。端部開口 69では、第 1のセラミックシート 2と第 3のセラミックシート 4とが接触しないので、第 1のセラミックシート 2と第 3のセラミックシート 4との間で十分なアンカー効果を得ることができない。そのため、凹部 47等の内周面を構成する側面 68は、連続してつながって、ることが好まし、。

[0051] また、第 3のセラミックシート 4は、コイル Lの長さ方向の略中央以外の位置に形成されても良い。

[0052] また、図 1等に示すように、空孔 7及び凹部 47の断面形状は、円形であるとしている力これらの断面形状は円形に限らない。したがって、長方形状などであっても良い

[0053] また、第 1のセラミックシート 2の一部力空孔 7又は凹部 47に入り込む程度は、少なくとも、第 1のセラミックシート 2が空孔 7又は凹部 47の内周面を構成する側面に接している程度でよい。従って、空孔 7又は凹部 47が、必ずしも、第 1のセラミックシート 2の一部により満たされる必要はない。

[0054] また、空孔 7又は凹部 47は、第 3のセラミックシート 4の長辺近傍及び短辺近傍の両方に形成されていても良い。

産業上の利用可能性

[0055] 以上のように、本発明は、積層コイル部品及びその製造方法に有用であり、特に、透磁率が異なる層間でのクラックゃデラミネーシヨンが発生しにくい点で優れている。

Claims

請求の範囲

[1] コイル導体が形成された磁性体層と、該磁性体層よりも低い透磁率を有する低透磁率層とが積層され、該コイル導体同士が電気的に接続されて構成されたコイルを内蔵する積層コイル部品において、

前記低透磁率層は、前記磁性体層に挟まれており、

前記低透磁率層の主面には、孔又は凹部が形成されており、

前記低透磁率層に隣接する前記磁性体層は、前記孔又は凹部の内周面に接して、ること、

を特徴とする積層コイル部品。

[2] 前記低透磁率層には、コイル導体が形成されて！ヽること、

を特徴とする請求の範囲第 1項に記載の積層コイル部品。

[3] 前記孔又は前記凹部の内周面を構成する側面は、連続してつながつていること、を特徴とする請求の範囲第 1項又は請求の範囲第 2項のいずれかに記載の積層コィル部品。

[4] 前記孔又は前記凹部は、積層方向力平面視したときに、前記コイルの外側の領域に形成されていること、

を特徴とする請求の範囲第 1項乃至請求の範囲第 3項のいずれかに記載の積層コィル部品。

[5] 前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の外周近傍に形成されること、

を特徴とする請求の範囲第 1項乃至請求の範囲第 4項のいずれかに記載の積層コィル部品。

[6] 前記低透磁率層は、長方形状を有しており、

前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の長辺近傍に形成されること、を特徴とする請求の範囲第 1項乃至請求の範囲第 5項のいずれかに記載の積層コィル部品。

[7] 前記低透磁率層は、長方形状を有しており、

前記磁性体層と前記低透磁率層とが積層されて構成された積層体の表面に形成され、前記コイルと電気的に接続された外部電極を更に備え、前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の長辺又は短辺のいずれかの近傍に形成され、

前記外部電極は、前記孔又は前記凹部が形成された低透磁率層の辺とは異なる低透磁率層の辺を含む前記積層体の側面に形成されること、

を特徴とする請求の範囲第 1項乃至請求の範囲第 6項のいずれかに記載の積層コィル部品。

[8] 前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の長辺近傍に形成され、

前記外部電極は、前記低透磁率層の短辺を含む前記積層体の側面に形成されること、

を特徴とする請求の範囲第 7項に記載の積層コイル部品。

[9] 前記低透磁率層は、非磁性体であること、

を特徴とする請求の範囲第 1項乃至請求の範囲第 8項のいずれかに記載の積層コィル部品。

[10] コイルを内蔵する積層体力なる積層コイル部品の製造方法において、

磁性体層及び該磁性体層よりも低い透磁率を有する低透磁率層を形成する工程と前記磁性体層の主面に対してコイル導体を形成する工程と、

前記低透磁率層の主面に孔又は凹部を形成する工程と、

前記磁性体層が前記低透磁率層を挟むように積層して、該磁性体層が前記孔又は前記凹部の内周面に接する積層体を形成する工程と、

を備える積層コイル部品の製造方法。