JP4737199B2

JP4737199B2 - 積層コイル部品

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Publication number: JP4737199B2
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Authority: JP
Inventors: 公一山口
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Description

本発明は、積層コイル部品、より特定的には、コイル導体が形成された磁性体層と、磁性体層よりも低い透磁率を有する低透磁率層とが積層され、該コイル導体同士が電気的に接続されて構成されたコイルを内蔵する積層コイル部品に関する。

積層コイル部品には、閉磁路型の積層コイル部品と開磁路型の積層コイル部品とが存在する。閉磁路型の積層コイル部品は、透磁率が大きく磁気抵抗が小さい磁路ができるので高いインダクタンスを得ることができるという利点を有する。その一方で、閉磁路型の積層コイル部品では、大きな磁束密度が発生するので直流重畳電流が小さくても磁気飽和が発生しやすく、磁気飽和によるインダクタンスの低下が発生しやすい。そのため、閉磁路型の積層コイル部品は、直流重畳特性が悪いという欠点を有する。

そこで、前記利点を生かしつつ前記欠点を補ったものとして、磁性体内を周回しながら積層方向に順次接続されたコイル用導体パターンを有する積層コイル部品において、該コイル用導体パターンの周囲に形成される磁路を横断する透磁率の低い絶縁層を備える開磁路型の積層コイル部品が存在する（特許文献１参照）。この積層コイル部品では、透磁率の低い絶縁層は、該コイル用導体パターンの内側又は外側の一部に形成される。透磁率の低い絶縁層が形成された場所では、磁束密度が大きくなり過ぎることによる磁気飽和の発生が抑制される。これにより、磁気飽和によるインダクタンスの低下が抑制され、直流重畳特性が向上する。更に、前記絶縁層が全面ではなく一部にしか設けられていないので、比較的高い透磁率を得ることができ、高いインダクタンスを維持することが可能となる。

しかしながら、透磁率の高い層と透磁率の低い層とは密着性が悪く剥がれ易いので、特許文献１に記載の積層コイル部品では、透磁率の低い絶縁層と透磁率の高い絶縁層との間でクラック（ひび）やデラミネーション（層間剥離）が発生してしまう。
実開昭６３−８７８０９号公報

そこで、本発明の目的は、透磁率が異なる層間でのクラックやデラミネーションが発生しにくい開磁路型の積層コイル部品を提供することである。

本発明は、コイル導体が形成された磁性体層と、該磁性体層よりも低い透磁率を有する低透磁率層とが積層され、該コイル導体同士が電気的に接続されて構成されたコイルを内蔵する積層コイル部品において、前記低透磁率層は、前記磁性体層に挟まれており、前記低透磁率層の主面には、孔又は凹部が形成されており、前記低透磁率層に隣接する前記磁性体層は、前記孔又は凹部の内周面に接しており、前記孔又は前記凹部は、積層方向から平面視したときに、前記コイルの外側の領域に形成されていること、を特徴とする。本発明によれば、低透磁率層に隣接する磁性体層が前記孔又は凹部の内周面に接しているので、磁性体層と低透磁率層との間でアンカー効果が発生する。その結果、磁性体層と低透磁率層との間においてクラックやデラミネーションが発生することが抑制される。

本発明に係る積層コイル部品においては、前記低透磁率層には、コイル導体が形成されていてもよい。

本発明に係る積層コイル部品においては、前記孔又は前記凹部の内周面を構成する側面は、連続してつながっていることが好ましい。前記凹部や前記孔を構成する側面が途切れていると、途切れた部分において磁性体層と低透磁率層とが接触しないことになる。その結果、磁性体層と低透磁率層との間に働くアンカー効果が低減されてしまう。そのため、より大きなアンカー効果を得るために孔又は凹部の内周面を構成する側面は、連続してつながっていることが好ましい。

本発明に係る積層コイル部品においては、前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の外周近傍に形成されることが好ましい。孔又は凹部では、孔又は凹部の周囲に存在する低透磁率層に比べて磁気抵抗が小さくなる。このような磁気抵抗が小さくなる領域が、コイルの外側や低透磁率層の外周近傍に形成されることにより、該領域がコイルの内側に形成された場合よりも、積層コイル部品の外部への磁束の漏れが低減される。その結果、積層コイル部品において高いインダクタンスを得ることが可能となる。

本発明に係る積層コイル部品によれば、前記低透磁率層は、長方形状を有しており、前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の長辺近傍に形成されることが好ましい。コイルの中心から低透磁率層の長辺までの距離は、コイルの中心から低透磁率層の短辺までの距離よりも短い。そのため、コイルで発生した磁束が、短辺からよりも長辺からの方が漏れやすい。そこで、低透磁率層の長辺近傍に孔又は凹部を形成することにより、長辺近傍での磁気抵抗を小さくできる。そのため、効果的に磁束の漏れを低減することができ、積層コイル部品のインダクタンスの向上を図ることができる。

本発明に係る積層コイル部品によれば、前記低透磁率層は、長方形状を有しており、前記磁性体層と前記低透磁率層とが積層されて構成された積層体の表面に形成され、前記コイルと電気的に接続された外部電極を更に備え、前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の長辺又は短辺のいずれかの近傍に形成され、前記外部電極は、前記孔又は前記凹部が形成された低透磁率層の辺とは異なる低透磁率層の辺を含む前記積層体の側面に形成されることが好ましい。又、前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の長辺近傍に形成され、前記外部電極は、前記低透磁率層の短辺を含む前記積層体の側面に形成されることが好ましい。このように、各辺近傍に、孔又は凹部若しくは外部電極が形成されることにより、積層体の各側面から磁束が漏れることを効果的に抑制することが可能となる。その結果、積層コイル部品のインダクタンスの向上を図ることができる。

本発明に係る積層コイル部品においては、前記低透磁率層は、非磁性体であってもよい。

本発明によれば、低透磁率層と磁性体層との間にアンカー効果が発生するので、磁性体層と低透磁率層との間においてクラックやデラミネーションが発生することが抑制される。

以下に、本発明に係る開磁路型の積層コイル部品の一実施形態について図面を参照しながら説明する。本実施形態は個産品の場合を例にしているが、量産する場合には、多数の内部導体パターンをマザーの生のセラミックシートの表面に印刷し、このマザーの生のセラミックシートを複数枚積層圧着させて未焼成の積層体ブロックを形成する。そして、積層体ブロックを内部導体パターンの配置にあわせてカットして個々の積層セラミックチップを切り出し、切り出された積層セラミックチップを焼成し、焼成した積層セラミックチップに外部電極を形成することにより生産される。あるいは、マザーの生のセラミックシートを積層圧着して焼成し、その後に、個々の積層セラミックチップに切り出してもよい。

図１は、積層コイル部品１の分解斜視図である。図２は、積層コイル部品１の外観斜視図である。図３は、積層コイル部品１の断面構造を示した図である。

図１に示すように、積層コイル部品１は、第１のセラミックシート２、第２のセラミックシート３と、第３のセラミックシート４などで構成されている。

第１のセラミックシート２は磁性体材料により作製され、その主面にコイル用導体パターン５及びビアホール導体１０が形成される。第２のセラミックシート３は、第１のセラミックシート２と同様に磁性体材料により作製され、その主面にはコイル用導体パターン５が形成されない。第３のセラミックシート４は、第１のセラミックシート２よりも低い透磁率を有する低透磁率材料又は非磁性体材料（透磁率が１のもの）により作製され、その主面にはコイル用導体パターン５、ビアホール導体１０及び空孔７が形成される。

第１のセラミックシート２及び第２のセラミックシート３は、以下のようにして製作される。酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７５０℃で一時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕し、フェライトセラミック粉末を得る。

このフェライトセラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法を用いて、シート状に形成して乾燥させ、所望の膜厚の生の第１のセラミックシート２及び生の第２のセラミックシート３を作製する。

第３のセラミックシート４は、以下のようにして製作される。酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７５０℃で一時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕し、非磁性セラミック粉末を得る。

この非磁性セラミック粉末に対して結合剤と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法を用いて、シート状に形成して乾燥させ、所望の膜厚の生の第３のセラミックシート４を作製する。第３のセラミックシート４の膜厚は、例えば、２０μｍ程度とする。

第１のセラミックシート２及び第３のセラミックシート４には、隣接する層のコイル用導体パターン５同士を接続するためのビアホール導体１０が形成されている。ビアホール導体１０は、第１のセラミックシート２及び第３のセラミックシート４にレーザビームなどを用いて貫通孔を形成し、この貫通孔にＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電ペーストを印刷塗布などの方法により充填することによって形成される。

第１のセラミックシート２及び第３のセラミックシート４上には、コイル用導体パターン５がそれぞれ導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより形成される。これらの導体パターン５は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などからなる。

第３のセラミックシート４の主面には、図１に示すように、該第３のセラミックシート４の主面を積層方向に貫通する空孔７が形成される。空孔７は、積層方向から平面視したときに前記コイル用導体パターン５の外側の領域に形成されることが好ましい。更に、空孔７は、前記コイル用導体パターン５の外側の領域の内、特に第３のセラミックシート４の外周近傍に形成されることがより好ましい。本実施形態では、空孔７は、第３のセラミックシート４の短辺近傍に形成される。空孔７は、凸部が形成された金型を用いて第３のセラミックシート４に対してプレス加工が施されることにより形成されてもよいし、第３のセラミックシート４がレーザーにより打ち抜かれて形成されてもよい。

複数のコイル用導体パターン５は、第１のセラミックシート２及び第３のセラミックシート４に形成されたビアホール導体１０を介して電気的に直列に接続され、螺旋状のコイルＬを形成する。コイルＬのコイル軸は第１のセラミックシート２、第２のセラミックシート３及び第３のセラミックシート４の積層方向に対して平行である。コイルＬの引出し部６ａ，６ｂはそれぞれ、複数枚の第１のセラミックシート２の内、最も上層に配置された第１のセラミックシート２の左辺及び最も下層に配置された第１のセラミックシート２の右辺に露出している。

図１に示すように、第１のセラミックシート２は第３のセラミックシート４を挟むように第３のセラミックシート４の上下に積層されており、第２のセラミックシート３がその上下に積層されている。このとき、第３のセラミックシート４は、コイルＬの長さ方向の略中央に位置するように積層される。これらの第１のセラミックシート２、第２のセラミックシート３及び第３のセラミックシート４は、上下方向から加圧される。この加圧時に、第３のセラミックシート４に隣接する第１のセラミックシート２の一部が、空孔７に入り込む。これにより、第３のセラミックシート４に隣接する第１のセラミックシート２は、前記空孔７を構成する内周面に接するようになる。これにより、未焼成積層体が形成される。

次に、この未焼成積層体は一体的に焼成され、図２に示すような直方体形状を有する積層体２０とされる。積層体２０の表面には、入出力外部電極２１，２２が形成される。この入出力外部電極２１，２２は、第３のセラミックシート４の短辺側に位置する直方体の側面に形成されることが好ましい。そこで、本実施形態では、入出力外部電極２１，２２は、図２に示すように、積層体２０の左右の端面に形成されている。コイルＬの引出し部６ａ，６ｂは、入出力外部電極２１，２２に電気的に接続されている。

こうして得られた積層コイル部品１は、図３に示すように、複数のコイル用導体パターン５を電気的に接続して構成したコイルＬを内蔵したコイル部３１と、コイル部３１の上下の領域に積層された外層部３２，３３とを有している。そして、積層コイル部品１の積層方向において、コイル部３１の略中央の位置に第３のセラミックシート４が配置されている。従って、コイルＬによって発生した磁束φは、第３のセラミックシート４が形成する開磁路を通る。

以上のように、積層コイル部品１によれば、第３のセラミックシート４の上下に隣接する第１のセラミックシート２が、空孔７の内周面に接している。そのため、第１のセラミックシート２と第３のセラミックシート４との間にアンカー効果が生じるので、第１のセラミックシート２と第３のセラミックシート４との間におけるクラックやデラミネーションの発生が抑制される。

また、積層コイル部品１では、空孔７は、第３のセラミックシート４の短辺近傍に形成される。第３のセラミックシート４の短辺のような外周近傍の領域では、積層体２０の焼成時に、積層されたセラミックシートが反り返ってしまうことによりクラックやデラミネーションが発生しやすい。そこで、積層コイル部品１のように、空孔７を第３のセラミックシート４の外周近傍に形成して、外周近傍での第１のセラミックシート２と第３のセラミックシート４との結合力を高めているので、効果的にクラックやデラミネーションの発生を抑制できる。

また、積層コイル部品１によれば、開磁路型の積層コイル部品のインダクタンスを容易に大きくすることができる。以下に理由を説明する。

開磁路型の積層コイル部品において、インダクタンスを大きくするには、前記第３のセラミックシート４を薄く形成し、磁路の磁気抵抗を小さくする必要がある。しかしながら、第３のセラミックシート４を薄く形成することには限界がある。そこで、積層コイル部品１では、第３のセラミックシート４に空孔７を形成し第１のセラミックシート２の一部を該空孔７に入り込ませることにより、磁路の磁気抵抗を小さくしている。このように、空孔７を形成することは、第３のセラミックシート４を薄く形成することに比べて容易である。そのため、積層コイル部品１によれば、従来の開磁路型の積層コイル部品に比べてインダクタンスを容易に大きくできる。

更に、積層コイル部品１では、空孔７は、第３のセラミックシート４の短辺近傍に形成されている。このように、第３のセラミックシート４の短辺のような外周近傍に空孔７が形成されることにより、コイルＬの内側などに空孔７が形成されるよりも、コイルＬの外側の磁路がより閉磁路に近くなる。その結果、積層コイル部品１の外部への磁束の漏れが抑制され、積層コイル部品１のインダクタンスを効果的に大きくすることができる。

また、積層コイル部品１によれば、インダクタンスを大きく維持した状態で、周波数特性を向上させ、高周波での電力ロスを低減することができる。以下に説明する。

従来の開磁路型の積層コイル部品では、インダクタンスを大きくするために、透磁率が大きな材料（フェライト）を第３のセラミックシート４に用いる。一般的に透磁率が大きな材料は、高周波での電力ロスが大きい。そのため、インダクタンスを大きくすることと高周波での電力ロスを低減することとを両立させるために、第３のセラミックシート４をできるだけ薄く形成する必要がある。

しかしながら、前記の通り、第３のセラミックシート４を薄く形成することには限界がある。そこで、積層コイル部品１では、透磁率が比較的小さい材料を用いた第３のセラミックシート４を比較的厚く形成すると共に、該第３のセラミックシート４に形成された空孔７に第１のセラミックシート２の一部を入り込ませている。前記の通り、第３のセラミックシート４に空孔７を形成して第１のセラミックシート２の一部を入り込ませることは、第３のセラミックシート４を薄く形成することよりも容易である。これにより、比較的容易な手法により、高周波での電力ロスを小さくすることとインダクタンスを大きくすることを両立させることができる。

また、積層コイル部品１によれば、直流重畳特性を制御することができる。積層コイル部品１の空孔７の大きさや数が変化すれば、直流重畳特性も変化する。具体的には、空孔７の面積が増加すれば、磁路の磁気抵抗が小さくなるので、磁気飽和が発生しやすくなり直流重畳特性は悪くなる。一方、空孔７の面積が減少すれば、磁路の磁気抵抗が大きくなるので、磁気飽和が発生しにくくなり直流重畳特性が良くなる。したがって、積層コイル部品１では、空孔７の面積を調節することにより、直流重畳特性を制御できる。

（変形例）
なお、図４及び図５に示すように、第３のセラミックシート４に空孔７ではなく、凹部４７が形成される構成であってもよい。図４は、積層コイル部品４１の分解斜視図である。図５は、積層コイル部品４１の断面構造を示した図である。

具体的には、第３のセラミックシート４の主面には、図４及び図５に示すように、該第３のセラミックシート４の主面を積層方向に窪ませた凹部４７が形成される。凹部４７は、空孔７と同様に、第３のセラミックシート４の短辺近傍に形成される。凹部４７は、凸部が形成された金型を用いて第３のセラミックシート４に対してプレス加工が施されることにより形成される。

また、図６に示すように、第３のセラミックシート４の短辺近傍ではなく、長辺近傍に空孔７や凹部４７が形成されていても良い。

具体的には、第３のセラミックシート４の主面には、図６に示すように、該第３のセラミックシート４の主面を積層方向に貫通する空孔７が形成される。積層コイル部品５１の空孔７は、積層コイル部品１の空孔７と異なり、第３のセラミックシート４の長辺近傍に形成される。

以上のような積層コイル部品５１によれば、第３のセラミックシート４の長辺近傍に空孔７が形成されるので、積層コイル部品１よりも効果的に、開磁路型の積層コイル部品のインダクタンスを大きくすることができる。以下に、理由を説明する。

図６に示すような長方形の第３のセラミックシート４を積層して構成する積層コイル部品５１では、第３のセラミックシート４の短辺よりも長辺の方がコイルＬの中心からも距離が近くかつ外部に接している距離が長い。そのため、第３のセラミックシート４の短辺側から漏れる磁束よりも、第３のセラミックシート４の長辺側から漏れる磁束の方が多い。そこで、図６に示すように、第３のセラミックシート４の長辺近傍に空孔７を形成することにより、該空孔７に第１のセラミックシート２の一部が入り込むことになるので、該空孔７における磁気抵抗が小さくなる。その結果、空孔７の周囲に漏れる磁束が低減され、積層コイル部品５１の外部へ磁束が漏れることが低減される。すなわち、積層コイル部品５１のインダクタンスを大きくすることができる。

また、図６に示すように、第３のセラミックシート４の長辺近傍に空孔７が形成された場合には、図２に示すように、第３のセラミックシート４の短辺を含む積層体２０の側面に、入出力外部電極２１，２２が形成されることが好ましい。すなわち、入出力外部電極２１，２２が形成される側面に含まれる辺と、空孔７が形成される第３のセラミックシート４の辺とは異なることが好ましい。これにより、第３のセラミックシート４の短辺近傍では、入出力外部電極２１，２２で発生する渦電流により磁束漏洩が抑制され、第３のセラミックシート４の長辺近傍では、空孔７により磁束漏洩が抑制され、各辺近傍において効率的に磁束漏洩が抑制されるようになる。その結果、積層コイル部品５１のインダクタンスをより効果的に大きくすることができる。

また、図７に示すように、第３のセラミックシート４には空孔７と凹部４７とが組み合わせて形成されても良い。

また、第３のセラミックシート４は、１枚だけではなく、複数枚積層されてもよい。第３のセラミックシート４が複数枚積層されることにより、直流重畳特性が向上する。この場合、図８に示すように、一方の第３のセラミックシート４にのみ空孔７が形成されても良い。更に、図９に示すように、上層の第３のセラミックシート４に形成される凹部４７の位置と、下層の第３のセラミックシート４に形成される凹部４７の位置とが水平方向においてずれていても良い。

また、複数枚の第３のセラミックシート４は、図１０に示すように、第１のセラミックシート２が間に積層されることにより互いに離間して配置されても良い。

また、図１１に示すように、凹部４７の形状は、第３のセラミックシート４の短辺近傍において、手前側の側面と奥側の側面とをつなぐ溝状であってもよい。すなわち、空孔７又は凹部４７の内周面を構成する側面６８は連続してつながっていなくてもよい。ただし、この場合、第３のセラミックシート４の端部において凹部４７等の端部開口６９が形成されてしまうことになる。端部開口６９では、第１のセラミックシート２と第３のセラミックシート４とが接触しないので、第１のセラミックシート２と第３のセラミックシート４との間で十分なアンカー効果を得ることができない。そのため、凹部４７等の内周面を構成する側面６８は、連続してつながっていることが好ましい。

また、第３のセラミックシート４は、コイルＬの長さ方向の略中央以外の位置に形成されても良い。

また、図１等に示すように、空孔７及び凹部４７の断面形状は、円形であるとしているが、これらの断面形状は円形に限らない。したがって、長方形状などであっても良い。

また、第１のセラミックシート２の一部が、空孔７又は凹部４７に入り込む程度は、少なくとも、第１のセラミックシート２が空孔７又は凹部４７の内周面を構成する側面に接している程度でよい。従って、空孔７又は凹部４７が、必ずしも、第１のセラミックシート２の一部により満たされる必要はない。

また、空孔７又は凹部４７は、第３のセラミックシート４の長辺近傍及び短辺近傍の両方に形成されていても良い。

以上のように、本発明は、積層コイル部品に有用であり、特に、透磁率が異なる層間でのクラックやデラミネーションが発生しにくい点で優れている。

本発明の一実施形態に係る積層コイル部品の分解斜視図である。前記積層コイル部品の外観斜視図である。前記積層コイル部品の断面構造を示した図である。前記積層コイル部品の第１の変形例に係る分解斜視図である。前記積層コイル部品の第１の変形例に係る断面構造を示した図である。前記積層コイル部品の第２の変形例に係る分解斜視図である。前記積層コイル部品の第３の変形例に係る断面構造を示した図である。前記積層コイル部品の第４の変形例に係る断面構造を示した図である。前記積層コイル部品の第５の変形例に係る断面構造を示した図である。前記積層コイル部品の第６の変形例に係る断面構造を示した図である。前記積層コイル部品の変形例の効果を説明するための説明図である。

１，４１，５１積層コイル部品
２第１のセラミックシート
３第２のセラミックシート
４第３のセラミックシート
５コイル用導体パターン
６ａ，６ｂ引出し部
７空孔
１０ビアホール導体
２０積層体
２１，２２入出力外部電極
３１コイル部
３２，３３外層部
４７凹部
６８側面
６９端部開口
Ｌコイル

Claims

コイル導体が形成された磁性体層と、該磁性体層よりも低い透磁率を有する低透磁率層とが積層され、該コイル導体同士が電気的に接続されて構成されたコイルを内蔵する積層コイル部品において、
前記低透磁率層は、前記磁性体層に挟まれており、
前記低透磁率層の主面には、孔又は凹部が形成されており、
前記低透磁率層に隣接する前記磁性体層は、前記孔又は凹部の内周面に接しており、
前記孔又は前記凹部は、積層方向から平面視したときに、前記コイルの外側の領域に形成されていること、
を特徴とする積層コイル部品。
前記低透磁率層には、コイル導体が形成されていること、
を特徴とする請求項１に記載の積層コイル部品。
前記孔又は前記凹部の内周面を構成する側面は、連続してつながっていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の積層コイル部品。
前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の外周近傍に形成されること、
を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の積層コイル部品。
前記低透磁率層は、長方形状を有しており、
前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の長辺近傍に形成されること、
を特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の積層コイル部品。
前記低透磁率層は、長方形状を有しており、
前記磁性体層と前記低透磁率層とが積層されて構成された積層体の表面に形成され、前記コイルと電気的に接続された外部電極を更に備え、
前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の長辺又は短辺のいずれかの近傍に形成され、
前記外部電極は、前記孔又は前記凹部が形成された低透磁率層の辺とは異なる低透磁率層の辺を含む前記積層体の側面に形成されること、
を特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の積層コイル部品。
前記孔又は前記凹部は、前記低透磁率層の長辺近傍に形成され、
前記外部電極は、前記低透磁率層の短辺を含む前記積層体の側面に形成されること、
を特徴とする請求項６に記載の積層コイル部品。
前記低透磁率層は、非磁性体であること、
を特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の積層コイル部品。