WO2007052788A1

WO2007052788A1 - 温度補償型発振器およびその製造方法

Info

Publication number: WO2007052788A1
Application number: PCT/JP2006/322085
Authority: WO
Inventors: Rikoku Nakamura; Takuo Furuki; Takashi Masuda
Original assignee: Citizen Holdings Co., Ltd.; Citizen Miyota Co., Ltd.
Priority date: 2005-11-07
Filing date: 2006-11-06
Publication date: 2007-05-10
Also published as: CN101305514B; US20090115542A1; US7728685B2; JPWO2007052788A1; JP4949265B2; CN101305514A

Abstract

　電圧可変容量（２３，２４）を備えた発振回路（２０）の近傍の温度を温度検出回路１８によって検出し、その温度検知信号に基づいて温度補償回路（３０）が温度補償信号として電圧信号を生成し、その電圧信号を電圧可変容量に（２３，２４）に与えることよって、発振回路２０の発振周波数を略一定に保つ。しかし、非ＴＣＸＯモード信号によってスイッチ素子（１）をＯＮにすると、各電圧可変容量（２３，２４）はいずれも両端子が同電位（接地電位）にされて所定の容量になり、温度補償機能が無効になる。この状態で常温での初期周波数調整を行う。

Description

明細書

温度補償型発振器およびその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、周囲温度の変化に係わらず出力信号の周波数を略一定に保つようにした温度補償型発振器に関し、特にその温度補償機能を無効状態にすることも可能にした温度補償型発振器とその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 温度補償型発振器 (TCXO)は種々の分野で使用されているが、近年携帯電話機等の携帯用移動通信機器に多用されている。この種の温度補償型発振器は一般に

、 10MHz帯の ATカット水晶片 (振動子)を振動源として発振回路を構成し、これに温度補償回路を設け、 ATカット水晶片の 3次曲線の温度特性を打ち消すことにより発振周波数を安定化させるようにした水晶発振器が多用されてヽる。

[0003] この種の温度補償型発振器に対しては、発振出力信号の安定性とともに、小型軽量化と低価格化とが求められている。これらの要求に対しては、いくつかのタイプのパッケージが知られている。例えば、パッケージ中に振動子となる水晶片 (圧電素子) と温度補償回路を構成する集積回路とを同室に実装するシングルタイプ、水晶片と集積回路とを別々にパッケージングして張り合わせるダブルタイプ、中央の仕切りを挟んで水晶片と集積回路とを表裏別室に実装する Hタイプなどである。

ここで、シングルタイプの表面実装用温度補償型発振器のパッケージ構成例を図 1 4に示す。

この温度補償型発振器は、ノッケージ本体 11と溶接リング 12とカバー 13とによつてパッケージ (容器） 10を構成しており、その内部に水晶片 15と、後述する発振回路および温度補償回路を構成する MOS型の IC (集積回路)チップ 16を同室に取り付けて密封している。なお、パッケージ本体 11中に ICチップ 16の他にチップ容量等の回路素子を実装する場合もある。

[0004] このような温度補償型発振器の回路構成は図 15に示すようになつている。発振回路 20は、圧電素子である水晶片 15とインバータ 21と帰還抵抗 22とを並列に接続し、その両接続点をそれぞれ直流カット容量 Cc, Cdと発振容量である電圧可変容量（電圧制御型可変容量コンデンサ） 23, 24とを介して接地して、インバータ発振回路を構成している。そして、インバータ 21の出力側の接続点から発振出力信号を出力端子 26に出力する。

さらに、この発振回路 20における水晶片 15の近傍の温度状態を検出する温度検出回路 18と、その温度検出回路 18からの温度検出信号に基いて発振回路 20の発振周波数を略一定に保つように制御する温度補償回路 30とを設けて、る。

[0005] その温度補償回路 30は、補償データを記憶する補償データ記憶回路 (不揮発性メモリ） 31と、その補償データと温度検出回路 18からの温度検出信号とに基いて温度補償信号として電圧信号を発生する DZA変換回路 32とからなる。そして、その電圧信号を、発振回路 20に設けた抵抗 Rl, R2を介してそれぞれ各電圧可変容量 23, 2 4の非接地側の端子に印加し、その電圧に応じて各電圧可変容量 23, 24の容量を変化させ、発振回路 20の発振周波数を制御して発振出力信号の周波数を略一定に保つ。

[0006] このような温度補償型発振器において、水晶片 15および ICチップ 16内に形成される発振回路 20は、製造上のバラツキ等によって、全てを完全に同一に作ることはできないため、それぞれ異なる温度周波数特性を有してしまう。したがって、全ての発振回路 20を同一の基準によって温度補償することはできない。そのため、個々の発振回路毎に異なる補償データを作成して補償データ記憶回路 31に記憶させることが必要になる。しかし、水晶片 15の特性のバラツキが大きいと補償しきれなくなるので、予め水晶片 15の特性をできるだけ揃えるように調整する必要がある。

[0007] そのため、水晶片等の圧電素子の特性を調整する際には、発振回路を構成する IC チップは実装せず、ネットワークアナライザなどで外部力圧電素子を共振させてその共振周波数をモニタし、その周波数が所望の値になるように圧電素子表面の電極膜を除去または追加する調整方法がある。

しかし、この調整方法では、ノ^ケージに ICチップも実装して発振動作をさせた時の発振周波数と、予め調整した共振周波数との間にずれが生じてしまうという問題があった。し力も、調整ステップも多くなり、調整コストが余分に力かっていた。 [0008] このような問題を解決するため、パッケージ内に水晶片等の圧電素子と ICチップなどを実装して温度補償型発振器を構成した状態で、その発振回路を動作させて圧電素子自体の温度特性を正確に調整できるようにし、且つその後の補償データの作成とそれを補償データ記憶回路に記憶させる作業も、続けて適切に行なえるようにし、調整工程の簡素化と高精度化を図れるようにした温度補償型発振器が提案されて!ヽる (例えば、特許文献 1参照。 ) o

その温度補償型発振器は、温度補償回路の温度補償機能を有効状態にするか無効状態にするかを選択する選択手段を設けたものであり、基準温度（常温)で発振周波数が所望の周波数になるように圧電素子の電極膜を調整する際には、温度補償機能を無効状態にして単純な発振器として動作させる。

[0009] 具体的には、温度補償回路の他に定電圧発生回路と 2組のトランスミッションゲートを用いた選択回路とを設け、温度補償機能を有効状態にするときは、温度補償回路からの温度補償信号 (電圧信号)を発振回路の電圧可変容量に印カ卩してその容量を温度に応じて制御し、温度補償機能を無効状態にするときは、定電圧発生回路からの定電圧を上記電圧可変容量に印力 tlしてその容量を所定値に固定するように、選択回路のトランスミッションゲートを切り換えるようにして、る。

特許文献 1 :特開 2003— 218636号公報 (第 4— 9頁、第 1図）

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0010] し力しながら、このような温度補償型発振器では、温度補償回路の他に温度補償回路による温度補償機能を無効状態にするための専用の定電圧発生回路や発振回路の電圧可変容量に印加する電圧信号を切り換えるための選択回路を設ける必要がめつに。

[0011] 本発明はこのような問題を解決するためになされたものであり、温度補償回路による温度補償機能を無効状態にするための専用の定電圧発生回路を不要にし、無効状態と有効状態の切り換えも簡単に行えるようにして、常温での初期周波数調整を容易且つ確実に行えるようにし、コスト低減も図ることを共通の目的とする。

さらに、発振周波数のより高精度な調整や、発振回路の電源電圧の調整、用途に応じた発振周波数の変更、あるいはユーザによる発振周波数の調整なども行えるようにし、その場合にも常に同一条件で初期の周波数調整作業を行えるようにすることも他の目的とする。

課題を解決するための手段

[0012] この発明による温度補償型発振器は、電圧可変容量を備えた発振回路と、その発振回路近傍の温度を検出する温度検出回路と、この温度検知回路の情報に基づいて温度補償信号として電圧信号を生成する温度補償信号生成回路とを有し、上記電圧信号が上記電圧可変容量に与えられることよって発振周波数を略一定に保つ構成の温度補償型発振器であって、上記の目的を達成するため、上記電圧可変容量の両端子を同電位にする制御手段を設けたことを特徴とする。

[0013] 上記制御手段は、上記電圧可変容量の両端子のいずれにも上記温度補償信号である電圧信号を印加することによって上記電圧可変容量の両端子を同電位にすることがでさる。

あるいは、上記制御手段は、上記電圧可変容量の両端子のいずれも接地電位にすることによって上記電圧可変容量の両端子を同電位にすることもできる。

上記電圧可変容量は、両端子が同電位の状態では可変容量範囲の略中間の容量値になる特性を有するのが望ましヽ。

[0014] これらの温度補償型発振器が、メモリ回路を有し、上記制御手段は、そのメモリ回路に記憶している情報によって上記電圧可変容量の両端子を同電位にする制御を行うようにしてもよい。

上記メモリ回路が複数の記憶素子を有し、上記制御手段は、その複数の記憶素子の記憶状態が所定の状態にあるとき、上記電圧可変容量の両端子を同電位にする制御を行うようにしてもよい。

[0015] この温度補償型発振器において、上記発振回路の駆動電圧を一定に保っための定電圧回路を有し、その定電圧回路は、上記複数の記憶素子の記憶状態が上記所定の状態にあるとき、上記駆動電圧を所定の電圧値にする制御を行うようにしてもよい。

これらの温度補償型発振器において、上記発振回路によって発振された信号を分周するための分周回路を有し、その分周回路は、上記複数の記憶素子の記憶状態が上記所定の状態にあるとき、所定の分周比にする制御を行うようにするとよい。

[0016] また、これらの温度補償型発振器にお!ヽて、電圧信号による周波数制御信号を入力するための外部端子を備え、その外部端子から入力する周波数制御信号又はその周波数制御信号を増幅した信号も上記電圧可変容量に与えられるようにすることができる。

あるいは、発振周波数の常温での偏差を補正するための電圧信号である常温周波数補正信号を生成する常温周波数補正信号生成回路を備え、その常温周波数補正信号も上記電圧可変容量に与えられるようにしてもょヽ。

[0017] さらに、上記周波数制御信号を入力するための外部端子と、常温周波数補正信号を生成する常温周波数補正信号生成回路とを設け、上記電圧可変容量に与える上記電圧信号を、上記温度補償信号と、上記周波数制御信号および上記常温周波数補正信号の一方又は両方とが合成された信号にすることもできる。

[0018] この発明による温度補償型発振器の製造方法は、上記温度補償型発振器の組み立て工程中、常温における上記発振回路の発振周波数調整作業は、上記電圧可変容量の両端子を同電位にして上記発振回路を駆動させた状態で、その発振回路に備えた発振子の電極の厚みを調整することによって行うことを特徴とする。

[0019] また、上記メモリ回路を有する温度補償型発振器の組み立て工程中、常温における上記発振回路の発振周波数調整作業の前には上記メモリ回路の書き込みを行わず、上記複数の記憶素子の記憶状態が上記所定の状態になるようにし、上記発振周波数調整作業は、上記電圧可変容量の両端子を同電位にして上記発振回路を駆動させた状態で、その発振回路に備えた発振子の電極の厚みを調整することによって行うようにするとよい。

発明の効果

[0020] この発明による温度補償型発振器は、温度補償機能を無効状態にするために専用の定電圧発生回路を必要とせず、無効状態と有効状態の切換えも簡単に行うことができ、その製造工程において、常温での発振周波数の初期調整作業を容易且つ確実に行うことができ、し力もコスト低減を図ることができる。さらに、発振周波数のより高精度な調整や、発振回路の電源電圧の調整、用途に応じた発振周波数の変更、あるいはユーザによる発振周波数の調整なども行えるようにすることが可能であり、その場合にも常に同一条件で初期の周波数調整作業を行うことができる。

図面の簡単な説明

[図 1]本発明による温度補償型発振器の第 1の実施形態の構成を示すブロック回路図である。

[図 2]本発明による温度補償型発振器の第 2の実施形態の構成を示すブロック回路図である。

[図 3]本発明に使用する電圧可変容量の一例である MOS型可変容量の構造例を示す模式的な断面図である。

[図 4]その MOS型可変容量の印加電圧と容量値との関係を示す特性曲線図である

[図 5]MOS型可変容量の他の構造例を示す模式的な断面図である。

[図 6]本発明による温度補償型発振器の第 3の実施形態の構成を示す回路図である

[図 7]本発明による温度補償型発振器の第 4の実施形態の要部の構成を示すブロック回路図である。

[図 8]本発明による温度補償型発振器の第 5の実施形態の要部の構成を示す回路図である。

[図 9]本発明による温度補償型発振器の第 6の実施形態の要部の構成を示すブロック回路図である。

[図 10]本発明による温度補償型発振器の第 7の実施形態の要部の構成を示す回路図である。

[図 11]本発明による温度補償型発振器の第 8の実施形態の構成を示すブロック図である。

[図 12]図 11における定電圧回路の構成例を回路図である。

[図 13]本発明による温度補償型発振器の第 9の実施形態の構成を示すブロック図である。

[図 14]温度補償型発振器のパッケージ構成例を示す概略断面図である。

[図 15]従来技術の温度補償型発振器の構成例を示すブロック回路図である。

符号の説明

[0022] 1 2 :スィッチ素子 (MOS型トランジスタ） 3 外部端子

4 トランスミッションゲート（双方向アナログスィッチ） 5 インバータ

6 加算回路 7 メモリ回路 8 NAND回路

9A, 9B 加算回路 10 ノッケージ (容器） 11 パッケージ本体

12 溶接リング 13 カバー 15 水晶片 (圧電素子）

16 MOS型の IC (集積回路)チップ 18 温度検出回路

20, 20' 発振回路 21 インバータ 22 帰還抵抗

26 出力端子 30 温度補償回路 31 補償データ記憶回路

32 DZA変換回路 41 シリコンの P基板 42 Nゥエル

43 N型リッチ層 44 バルタ 45 絶縁膜（SiO )

2

46 金属膜 47 P型リッチ層 50 常温周波数補正信号生成回路

60 定電圧回路 61 電源ライン 62 接地ライン

63 基準電圧生成部 64 増幅部 65 出力 FET

66 帰還抵抗 67 メモリ回路 70 出力増幅回路

80 分周回路 81 メモリ回路

Cc, Cd, Ce 直流カット容量（コンデンサ）

Rl, R2, R3 抵抗 S1〜S4 スィッチ素子

発明を実施するための最良の形態

[0023] 以下、この発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて具体的に説明する

。なお、以下の各図において、前述した図 15の各部と対応する部分には同一の符号を付してあり、それらの説明は簡単にする。

[0024] 〔第 1の実施形態：図 1〕

図 1は、本発明による温度補償型発振器の第 1の実施形態の構成を示すブロック回路図である。この図 1に示す温度補償型発振器は、図 15に示した従来技術と同様に、水晶片 1 5とインバータ 21と帰還抵抗 22とを並列に接続し、その両接続点をそれぞれ直流力ット容量 (コンデンサ) Cc, Cdと発振容量である電圧可変容量 23, 24を介して接地（ Gnd)に接続した発振回路 20と、その水晶片 15の近傍の温度状態をサーミスタ等によって検出する温度検出回路 18と、その温度検出回路 18からの温度検出信号に基 V、て発振回路 20の発振周波数を略一定に保つように制御する温度補償回路 30とを設けている。

[0025] その温度補償回路 30は、図 15に示した従来技術と同様に、補償データ記憶回路（不揮発性メモリ）と、その補償データと温度検出回路 18からの温度検出信号とに基いて温度補償信号 (電圧信号)を発生する DZA変換回路とを有している。そして、その電圧信号を発振回路 20の周波数制御信号入力点 aから抵抗 Rl, R2を介して、それぞれ各電圧可変容量 23, 24の非接地側の端子に印加して与え、その電圧に応じて各電圧可変容量 23, 24の容量値を変化させる。それによつて、発振回路 20の発振周波数を制御して出力端子 26に出力する発振出力信号の周波数を略一定に保つ。

[0026] 本発明による温度補償型発振器は、各電圧可変容量 23, 24の両端子を同電位にする制御手段を設けているが、この図 1に示す第 1の実施形態では、その制御手段として MOS型トランジスタによるスィッチ素子 1を設け、そのソース端子とドレイン端子とをそれぞれ周波数制御信号入力点 aと接地 (Gnd)とに接続し、ゲート端子に非 TCX Oモード信号 (温度補償回路 30による温度補償機能を無効にする信号)を入力させるようにしている。

[0027] そして、非 TCXOモード信号がハイレベルのときは、スィッチ素子 1が導通状態（O N)になり、周波数制御信号入力点 aが接地されるため、電圧可変容量 23, 24の両端子はいずれも接地電位と同電位になる。それによつて、電圧可変容量 23, 24はいずれもバラツキなく所定の容量値になり、それを発振容量として発振回路 20は規定値に近い周波数で発振するが、その発振周波数は周囲温度によって若干変動する。この状態を非 TCXOモードという。

[0028] 常温 (一般に室温： 25°C)で発振回路 20をこの非 TCXOモードで動作させ、水晶片 15の電極膜の厚さを調整して規定の発振周波数になるように温度特性を正確に調整することができ、且つその後周囲温度を段階的に変化させて補償データを作成し、それを温度補償回路 30の補償データ記憶回路に記憶させる作業も続けて容易に行なうことができる。この周波数調整作業にっ、ては後で詳述する。

[0029] 非 TCXOモード信号がローレベルになると、スィッチ素子 1が非導通状態（OFF)になり、周波数制御信号入力点 aが接地されなくなり、前述したように温度補償回路 30 からの温度補償信号 (電圧信号)が、抵抗 Rl, R2を介して各電圧可変容量 23, 24 に与えられ、周囲温度が変化しても発振回路 20の発振周波数が略一定になるように制御される。この状態を TCXOモードという。

非 TCXOモード信号は、外部から入力させるか、内部に後述するようなメモリ回路を設けて、その記憶状態が所定の状態にあるときに発生する (ハイレベルになる)ようにしてもよい。

[0030] なお、スィッチ素子 1のゲート端子がローレベルのときに ONになるタイプの場合は、非 TCXOモード信号がローレベルのときに非 TCXOモードになり、非 TCXOモード信号がハイレベルのときに TCXOモードになる。

以下の各実施形態においても、各スィッチ素子やトランスミッションゲートがローレベル" 0"のときに ONになるタイプの場合は、非 TCXOモード信号がローレベル" 0" のときに非 TCXOモードになり、ハイレベル" 1 "のときに TCXOモードになる。

[0031] 〔第 2の実施形態：図 2〕

図 2は、本発明による温度補償型発振器の第 2の実施形態の構成を示すブロック回路図である。

この第 2の実施形態の温度補償型発振器は、その発振回路 2( の構成が上述した第 1の実施形態の発振回路 20と若干相違し、電圧可変容量 23, 24の共通接続端子を直流カット容量 (コンデンサ） Ceを介して接地している。そして、その直流カット容量 Ceの両端子にスィッチ素子 1と同様なスィッチ素子 2のソース端子とドレイン端子とを接続し、そのゲート端子には非 TCXOモード信号をインバータ 5を通して反転した信号を印加するようにして、る。

[0032] この第 2の実施形態では、非 TCXOモード信号がハイレベルのときは、スィッチ素子 1が導通状態 (ON)になり、スィッチ素子 2は非導通 (OFF)状態になるので、電圧可変容量 23, 24の両端子にはいずれも温度補償信号である電圧信号が印加されて両端子が同電位になる。それによつて、電圧可変容量 23, 24はいずれも所定の容量値になり、それを発振容量として発振回路 20は規定値に近い周波数で発振する非 TCXOモードとなる。

[0033] 非 TCXOモード信号がローレベルになると、スィッチ素子 1が非導通状態（OFF)になり、スィッチ素子 2が導通状態 (ON)になるので、前述の第 1の実施形態において非 TCXOモード信号がローレベルになったときと同じ状態になり、温度補償回路 30 力ゝらの温度補償信号である電圧信号が、抵抗 Rl, R2を介して各電圧可変容量 23, 24に与えられ、周囲温度が変化しても発振回路 20の発振周波数が略一定になるように制御される TCXOモードになる。

したがって、この第 2の実施形態では非 TCXOモード信号によって制御されるスイツチ素子 1, 2とインバータ 5とによって、電圧可変容量 23, 24の両端子を同電位にする制御手段を構成している。

[0034] 〔電圧可変容量の具体例：図 3〜図 5〕

ここで、本発明に使用する電圧可変容量 23, 24の具体例について説明する。図 3は、その電圧可変容量の一例である MOS型可変容量の構造例を示す模式的な断面図である。

この MOS型可変容量は、シリコンの P基板 41に Nゥエル 42を形成し、その表面付近に N型リッチ層 43を環状に形成している。さらに、その N型リッチ層 43の内周部にオーバラップするように SiOによる円形もしくは方形の絶縁膜 45を形成し、その上に

2

円形もしくは方形の金属膜 (アルミニウム等) 46を形成して端子 G (ゲート端子)を接続している。また、 N型リッチ層 43には端子 B (バルタ端子）を接続している。そして、絶縁膜 45を挟むバルタ 44と金属膜 46とによって容量 (コンデンサ)を構成しており、その容量値は端子 Gと端子 Bとの間に印加される電圧 Vg—Vbに応じて変化する。

[0035] 図 4は、その MOS型可変容量の印加電圧 (Vg— Vb)と容量値との関係を示す特性曲線図である。この特性曲線に示されるように、端子 G— B間の印加電圧 (Vg—V b)が 0V、すなわち MOS型可変容量の端子 Gと端子 Bが同電位のときに、その容量値が可変幅の略中間（中点）の値になるものが多い。このような特性の MOS型可変容量を前述した各実施形態における電圧可変容量 23, 24として使用すれば、容量値の増減の調整幅を均等に広くとることができ、常温での非 TCXOモードによる周波数調整をこの中間の容量値での発振状態で行うことになり、その後の TCXOモードでの温度補償信号による制御が容易になる。

[0036] また、この MOS型可変容量は、端子 Gと端子 Bとがそれぞれ接地される P基板 41 カゝら絶縁膜 45と Nゥエル 42とにより絶縁されており、各端子に任意の電圧信号を印加することができるので、前述した第 2の実施形態や後述する第 3〜第 6の実施形態における電圧可変容量 23, 24として使用するのに適している。

[0037] 図 5は、 MOS型可変容量の他の構造例を示す模式的な断面図である。この MOS 型可変容量は、図 3に示した MOS型可変容量における Nゥエル 42を省略し、 N型リツチ層 43に代えて P基板 41の表面付近に直接環状の P型リッチ層 47を形成し、その P型リッチ層 47に端子 Bを接続して、る。

[0038] 但し、この MOS型可変容量は端子 Bが P基板 41と共に接地されるので、前述した第 1の実施形態や後述する第 7の実施形態における電圧可変容量 23, 24として使用するのに適している。

なお、この発明による温度補償型発振器の発振回路における電圧可変容量はこのような MOS型可変容量に限るものではなぐ可変容量ダイオードなども使用することができる。

[0039] 〔第 3の実施形態：図 6〕

図 6は、本発明による温度補償型発振器の第 3の実施形態の構成を示す回路図である。

この第 3の実施形態の温度補償型発振器は、図 2に示した第 2の実施形態におけるスィッチ素子 1を発振回路 20' の周波数制御信号入力点 aと接地 (Gnd)との間に接続し、スィッチ素子 2を電圧可変容量 23, 24の共通接続端子から抵抗 R3を介したもう一つの周波数制御信号入力点 bと接地との間に接続し、そのゲート端子にも非 T CXOモード信号を直接印加するようにしている。そして、周波数制御信号入力点 bに、外部端子 3から入力する外部入力周波数制御信号 (電圧信号)を印加する。この外部入力周波数制御信号が小さい場合には、図示しない増幅回路によって増幅して周波数制御信号入力点 bに入力させるようにしてもょ、。

[0040] この温度補償型発振器は、非 TCXOモード信号がハイレベルのときには、スィッチ素子 1, 2がいずれも導通状態 (ON)になるので、周波数制御信号入力点 aと bとがいずれも接地電位になるので、電圧可変容量 23, 24の両端子も接地電位で同電位になり、発振回路 2( は第 1の実施形態における発振回路 20が非 TCXOモードの場合と同じ状態で発振する。

[0041] 非 TCXOモード信号がローレベルになると、スィッチ素子 1, 2がいずれも非導通状態 (OFF)になるので、周波数制御信号入力点 aには温度補償信号が、周波数制御信号入力点 bには外部入力周波数制御信号がそれぞれ印加され、その差電圧が各電圧可変容量 23, 24の両端子間に印加される。そのため、各電圧可変容量 23, 24 はその差電圧に応じた容量値になり、発振回路 2( の発振周波数が温度補償信号と外部入力周波数制御信号とによって制御されることになる。

[0042] 外部入力周波数制御信号はユーザによって外部力入力され、発振回路 20' の発振周波数の規定値を任意にシフトさせることができる。温度補償信号の補償値ゼロのときの電圧と、外部入力周波数制御信号の非制御時の電圧とをそれぞれ発振回路 20' の電源電圧 Vddと接地電位との中間（中点）の電位にしておけば、両信号による制御範囲を広くとることができ、両信号の電位が同じときは各電圧可変容量 23, 24の両端子も同電位になり、非 TCXOモードの状態と同じになる。

発振回路 2( の実際の発振周波数を検出して、所望の周波数との誤差に応じて外部入力周波数制御信号をフィードバック制御することもできる。

[0043] 〔第 4の実施形態：図 7〕

図 7は、本発明による温度補償型発振器の第 4の実施形態の要部の構成を示すブロック回路図である。

この第 4の実施形態の温度補償型発振器は、上述した第 3の実施形態と同様な発振回路 20' の 2つの周波数制御信号入力点 aと bとの間に、双方向アナログスィッチであるトランスミッションゲート 4を接続し、その正論理ゲート端子に非 TCXOモード信号をそのまま印加し、負論理ゲート端子に非 TCXOモード信号をインバータ 5で反転した信号を印加する。そして、周波数制御信号入力点 aには温度補償回路 30が出力する温度補償信号を入力させ、周波数制御信号入力点 bには、常温周波数補正信号生成回路 50によって生成された常温周波数補正信号 (電圧信号)を入力させる。

[0044] この温度補償型発振器は、非 TCXOモード信号がハイレベルのときには、トランスミッシヨンゲート 4が導通状態 (ON)になり、周波数制御信号入力点 aと bとが短絡されるので、温度補償信号と常温周波数補正信号は同電位になり、発振回路 20' の電圧可変容量 23, 24の両端子も同電位になる。したがって、図 2に示した第 2の実施形態における非 TCXOモードの場合と同じ状態で発振回路 20' が発振する。

[0045] 非 TCXOモード信号がローレベルになると、トランスミッションゲート 4が非導通状態

(OFF)になるので、周波数制御信号入力点 aには温度補償信号が、周波数制御信号入力点 bには常温周波数補正信号がそれぞれ印加され、その差電圧が各電圧可変容量 23, 24の両端子間に印加される。そのため、各電圧可変容量 23, 24はその差電圧に応じた容量値になり、発振回路 20' の発振周波数が温度補償信号と常温周波数補正信号とによって制御されることになる。

[0046] この常温周波数補正信号は、発振回路 20' の発振周波数を公称値（13MHz、 1 9. 2MHzなど）に厳密にあわせるように高精度に調整する必要がある場合、水晶片 15の電極の膜厚調整だけでは対応できな、ため、前述した初期調整後に常温での公称値に対する偏差をさらに補正するために使用する。この場合も、温度補償信号の補償値ゼロのときの電圧と、常温周波数補正信号の非補正時の電圧とをそれぞれ発振回路の電源電圧 Vddと接地電位との中間（中点）の電位にしておけば、両信号による補正範囲を広くとることができ、両信号の電位が同じときは各電圧可変容量 23, 24の両端子も同電位になり、非 TCXOモードの状態と同じになる。

[0047] 〔第 5の実施形態：図 8〕

図 8は、本発明による温度補償型発振器の第 5の実施形態の要部の構成を示す回路図である。

この第 5の実施形態の温度補償型発振器は、前述した第 3の実施形態（図 6)と殆ど同じ構成であるが、周波数制御信号入力点 bに、外部端子 3から入力する外部入力周波数制御信号 (それを増幅した信号でもよい）と、上述した第 4の実施形態に示した常温周波数補正信号生成回路 50によって生成される常温周波数補正信号とをカロ算回路 6によって合成した信号を入力させる。

[0048] 非 TCXOモード信号カ、ィレベルのときのこの温度補償型発振器の動作は、前述した第 3の実施形態における非 TCXOモードの動作と同じである。

非 TCXOモード信号がローレベルになると、スィッチ素子 1, 2がいずれも非導通状態 (OFF)になるので、周波数制御信号入力点 aには温度補償信号が、周波数制御信号入力点 bには外部入力周波数制御信号と常温周波数補正信号との合成信号がそれぞれ印加され、その差電圧が各電圧可変容量 23, 24の両端子間に印加される。そのため、各電圧可変容量 23, 24はその差電圧に応じた容量値になり、発振回路 20' の発振周波数が温度補償信号と外部入力周波数制御信号および常温周波数補正信号とによって制御されることになる。

[0049] この実施形態によれば、常温周波数補正信号による常温における規定周波数の偏差の補正と、使用時における温度補償および外部入力周波数制御信号による発振周波数のシフトを行うことができる。

[0050] 〔第 6の実施形態：図 9〕

図 9は、本発明による温度補償型発振器の第 6の実施形態の要部の構成を示すブロック回路図である。

この第 6の実施形態の温度補償型発振器は、上述した第 5の実施形態（図 8)と殆ど同じ構成であるが、周波数制御信号入力点 bには周波数制御信号を入力する。この周波数制御信号は、前述した外部入力周波数制御信号または常温周波数補正信号、あるいはそれ以外の周波数を制御するための電圧信号、それらの 2つ以上を合成した信号の!/ヽずれでもよ!/、。

[0051] また、非 TCXOモード信号を作るためにメモリ回路 7と 3入力（中央の入力端子は負論理）の NAND回路 8とを設け、その NAND回路 8の出力を非 TCXOモード信号としてスィッチ素子 1, 2の各ゲートに印加するようにしている。

メモリ回路 7は複数 (この例では 3個）の記憶素子を有し、その記憶状態が" 101"以外の状態のときには、 NAND回路 8の出力が" 1"になり、スィッチ素子 1, 2がいずれも導通状態 (ON)になる。

[0052] そのため、周波数制御信号入力点 aと bとがいずれも接地されて同電位になり、発振回路の電圧可変容量 23, 24の両端子も同電位になる。したがって、図 8に示した第 5の実施形態における非 TCXOモードの場合と同じ状態で発振回路 20' が発振する。

メモリ回路 7に何も書き込んでいない初期状態では、複数の記憶素子は全て" 0"または全て" 1"の状態になっているのが普通であり、このような記憶状態を「所定の状態」とすると、メモリ回路 7の複数の記憶素子の記憶状態が「所定の状態」にあるときに、電圧可変容量 23, 24の両端子を同電位にする制御を行うことになる。

[0053] メモリ回路 7の複数の記憶素子の記憶状態が" 101"になると、 NAND回路 8の出力が" 0"になり、スィッチ素子 1, 2がいずれも非導通状態 (OFF)になるので、周波数制御信号入力点 aには温度補償信号が、周波数制御信号入力点 bには前述した周波数制御信号がそれぞれ印加され、その差電圧が各電圧可変容量 23, 24の両端子間に印加される。そのため、各電圧可変容量 23, 24はその差電圧に応じた容量値になり、発振回路 20' の発振周波数が温度補償信号と前述の周波数制御信号とによって制御されること〖こなる。

[0054] この実施形態におけるメモリ回路 7と 3入力の NAND回路 8とは、これまでに説明してきた各実施形態の非 TCXOモード信号を作るためにも適用できる。

また、 NAND回路 8を 3入力（中央の入力端子は負論理)の AND回路に代えることによって、メモリ回路 7の複数の記憶素子の記憶状態が" 101"になっているときだけ AND回路の出力すなわち非 TCXOモード信号が "1 "になり、スィッチ素子 1, 2をいずれも導通状態 (ON)にして、電圧可変容量 23, 24の両端子を同電位にする制御を行うようにすることができる。この場合は、メモリ回路 7の複数の記憶素子の記憶状態が" 101 "のときが「所定の状態」である。

この「所定の状態」はこれらの例に限るものではなぐ任意のビット数で" 1"ど' 0"との任意の組み合わせに設定することができる。

[0055] 〔第 7の実施形態：図 10〕

図 10は、本発明による温度補償型発振器の第 7の実施形態の要部の構成を示す回路図である。

この第 7の実施形態の温度補償型発振器は、前述した第 1の実施形態（図 1)と殆ど同じ構成であるが、周波数制御信号入力点 aに、温度補償信号と常温周波数補正信号と外部入力周波数制御信号とを加算回路 9A, 9Bによって合成した電圧信号を入力する。これによつて、非 TCXOモード信号がローレベル" 0"の TCXOモードでは、温度補償信号と常温周波数補正信号と外部入力周波数制御信号とのいずれによつても、発振回路 20の発振周波数を制御することができる。

なお、周波数制御信号入力点 aへの入力、温度補償信号と、常温周波数補正信号または外部入力周波数制御信号のヽずれか一方とを合成した電圧信号にしてもょ、

[0056] 〔第 8の実施形態：図 11と図 12〕

図 11は、本発明による温度補償型発振器の第 8の実施形態の構成を示すブロック図である。この温度補償型発振器は、発振回路 20 (または 20' Z以下代表して 20とする）と定電圧回路 60と出力増幅回路 70とを備えている。出力増幅回路 70は発振回路 20の発振出力信号を増幅して出力する回路であり、定電圧回路 60は発振回路 20と出力増幅回路 70との駆動電圧を一定に保っための回路である。

なお、この図 11では発振回路 20の内部回路、および温度補償信号とその他の周波数制御信号の入力点、非 TCXOモード信号により電圧制御容量の両端子を同電位にする制御手段等の図示を省略している力それらは前述したいずれの実施形態のものを用いてもよい。

[0057] 定電圧回路 60は、例えば、図 12に示すように構成されており、電源電圧 Vddが印カロされる電源ライン 61と接地された接地ライン 62との間に 4個の FETと 1個の抵抗からなる基準電圧生成部 63と、 4個の FETからなる増幅部 64と、出力 FET65と帰還抵抗 66とによる直列回路とが接続されて設けられている。

帰還抵抗 66には途中に 4ケ所のタップが設けられ、その各タップ力もそれぞれスィツチ素子 S1〜S4のいずれかを介して増幅部 64の帰還用 FETのゲートに接続されている。そのスィッチ素子 S1〜S4は、メモリ回路 67の 4ビットの出力の各ビットの状態 ("0"か" 1")によって ONZOFFが制御される。

[0058] 基準電圧生成部 63は電源電圧 Vddと接地電位との間の基準電圧を生成し、それを増幅部 64で帰還増幅して、出力 FET65と帰還抵抗 66との接続点力ゝら定電圧を出力し、発振回路 20と出力増幅回路 70とに供給する。

メモリ回路 67には定電圧切換信号と前述した非 TCXOモード信号とが入力されており、非 TCXOモード信号が" 0"のときは定電圧切換信号によってメモリ回路 67の複数の記憶データを選択するか記憶データを書換えることができる。それによつて、メモリ回路 67の出力データによりスィッチ素子 S1〜S4のいずれかを選択的に ON状態にし、帰還電圧を 4段階に制御して、出力する定電圧を 4種類に切り換えることができる。

[0059] 非 TCXOモード信号カ '1"のときは、メモリ回路 67の複数の記憶データのうち予め決められた記憶データを選択するかその記憶データに書換える。それによつて、メモリ回路 67の出力データによりスィッチ素子 S1〜S4のうちの所定のスィッチ素子だけを ON状態にし、帰還電圧を所定の段階にして出力する定電圧を所定の電圧値に制御する。

非 TCXOモード信号を図 9に示したメモリ回路 7と NAND回路 8とによって生成する場合には、メモリ回路 7の複数の記憶素子の記憶状態が所定の状態にあるとき、非 T CXOモード信号力になり、定電圧回路 60が出力する定電圧すなわち発振回路 20の駆動電圧を所定の電圧値に制御することになる。

[0060] この実施形態によれば、発振回路 20および出力増幅回路 70を複数の定電圧を選択して駆動することができるが、発振回路 20の発振周波数を常温で初期調整する非 TCXOモードのときは、発振回路 20および出力増幅回路 70を常に所定の駆動電圧で動作させることができ、常に同じ駆動条件で初期調整を行うことができる。

この所定の駆動電圧は、定電圧回路 60が出力し得るそれぞれ電圧が異なる複数の定電圧のうちのなるべく中央値に近ヽ電圧の定電圧にするとよ、。

[0061] 〔第 9の実施形態：図 13〕

図 13は、本発明による温度補償型発振器の第 9の実施形態の構成を示すブロック図である。この温度補償型発振器は、発振回路 20 (または 20' Z以下代表して 20とする）と、分周回路 80およびメモリ回路 81と、出力増幅回路 70とを備えている。

そして、発振回路 20による発振出力信号を必要に応じて分周回路 80によって分周し、出力増幅回路 70で増幅して出力する。 [0062] なお、この図 13でも発振回路 20の内部回路、および温度補償信号とその他の周波数制御信号の入力点、非 TCXOモード信号により電圧制御容量の両端子を同電位にする制御手段等の図示を省略している力それらは前述したいずれの実施形態のものを用いてもよい。さらに、前述した第 8の実施形態と同様な定電圧回路 60も設けるようにしてもよい。

[0063] 分周回路 80は公知の可変分周回路であり、メモリ回路 81から出力される複数ビット

(この例では 4ビット）のデータによって所定の分周比（例えば、 1. 00や 0. 50など）に制御される。そのメモリ回路 81には分周比選択信号と前述した非 TCXOモード信号とが入力されており、非 TCXOモード信号力 '0"のときは分周比選択信号によってメモリ回路 81の複数の記憶データを選択するか記憶データを書換えることができる。それによって、メモリ回路 81の出力データにより分周回路 80の分周比を複数の異なる分周比の、ずれかにすることができる。

[0064] 非 TCXOモード信号カ '1"のときは、メモリ回路 81の複数の記憶データのうち予め決められた記憶データを選択するかその記憶データに書換える。それによつて、メモリ回路 81の出力データにより分周回路 80の分周比を所定の分周比に制御する。非 TCXOモード信号を図 9に示したメモリ回路 7と NAND回路 8とによって生成する場合には、メモリ回路 7の複数の記憶素子の記憶状態が所定の状態にあるとき、非 T CXOモード信号力 1"になり、分周回路 80を所定の分周比に制御することになる。

[0065] この実施形態によれば、発振回路 20が出力する発振出力信号を分周回路 80によつて所望の分周比で分周して、それを出力増幅回路 70で増幅して出力することができる。しかし、発振回路 20の発振周波数を常温で初期調整する非 TCXOモードのときは、分周回路 80を常に所定の分周比で動作させ、常に同じ駆動条件で初期調整を行うことができる。

この所定の分周比は、例えば、 1 (分周なし）に設定する。

[0066] 〔温度補償型発振器の製造方法の実施形態〕

本願発明による上述した各実施形態の温度補償型発振器は、その組み立て工程中における発振回路 20 (または 20' Z以下代表して 20とする）の振動子である水晶片の初期調整、および温度補償データを作成して記憶させる調整作業は、パッケ一ジ内に水晶片 15と発振回路 20および温度補償回路 30等を構成する ICチップなどを実装して温度補償型発振器を完成した状態で、その発振回路 20を動作させて行なうことができる。

[0067] 初期調整時には、非 TCXOモード信号をハイレベル" 1"にしておく。非 TCXOモード信号を図 9に示したメモリ回路 7と NAND回路 8とによって生成する場合には、メモリ回路 7の複数の記憶素子の記憶状態を" 101"以外の所定の状態にしておくことにより、発振回路 20内の電圧可変容量の両端子を同電位にし、温度補償機能を無効にした状態で、発振回路 20を所定の発振容量で発振動作させる。その他の常温周波数補正信号や外部入力周波数制御信号などの周波数制御信号も無効にする。

[0068] 発振回路 20の駆動電圧を一定にする定電圧回路 60を有する場合は、所定の定電圧で発振回路 20を駆動するように定電圧回路 60を制御する。発振回路 20によって発振された信号を分周する分周回路 80を有する場合には、その分周回路 80を所定の分周比で動作するように制御する。

このようにすることによって、常に同じ条件で上記調整作業を行うことができる。この発振周波数の調整作業の前にはメモリ回路 7に何も書き込みを行わなければ、メモリ回路 7の各記憶素子は、一般に全て" 0"か全て" 1"の状態になっており、 "101 "以外の所定の状態になっていることになる。

[0069] その調整作業のステップは次のようになる。従来技術の説明に用いたシングルタイプのパッケージ構成例である図 14を参照しながら説明する。

ステップ 1

パッケージ本体 11内に、発振回路 20および前述した各実施形態に示した各回路を構成する ICチップ 16を実装し、次いで振動子である水晶片 15を実装する。

ステップ 2

ノ¾ /ケージ本体 11を基準温度（一般に室温：25°C)に保ち、上述のように発振回路 20内の電圧可変容量の両端子を同電位にして温度補償機能を無効にし、単純な発振器として動作させ、その発振周波数を周波数カウンタなどでモニタしながら、水晶片 15の表面の電極膜を除去または追加して所望の発振周波数 fOになるように調整する。 [0070] ステップ 3

ノッケージ本体 11に溶接リング 12を介してカバー 13を取付け、水晶片 15を気密封止する。

ステップ 4

図 9に示したメモリ回路 7の各記憶素子の記憶状態を所定の状態以外の" 101"にして温度補償機能を有効にさせた後、ノ^ケージ 10を複数の温度にさらし、その各温度状態で発振周波数を測定して、所望の発振周波数 fOとの差を測定する。

ステップ 5

その測定値に基ヽて温度補償データを作成し、それを ICチップ 16の補償データ記憶回路 (不揮発性メモリ）に書き込む。

[0071] したがって、発振回路を実際の使用状態と同様に発振させながら、水晶片の温度特性を温度補償回路の影響を受けずに正確に調整でき、且つその後の補償データの作成とそれを補償データ記憶回路に記憶させる作業も、続けて適切に行なうことができる。そのため、温度補償型発振器の調整工程の簡素化と高精度化を図ることができる。

[0072] 常温における発振周波数を公称値により厳密に合わせるためには、水晶片 15の電極の膜厚調整だけでは不十分なため、パッケージ 10を基準温度（常温）に保ち、発振回路 20の発振周波数を周波数カウンタなどでモニタしながら、常温周波数補正信号を変化させてその発振周波数が公称値と一致するように微調整する。

[0073] ステップ 2で、ノッケージ本体 11を基準温度（一般に室温： 25°C)に保つのは、パッケージ本体 11を恒温槽に入れて調整作業を行なうとよヽ。

ステップ 4で、ノッケージ 10を複数の温度状態にさらすのも、恒温槽の設定温度を順次変化させるか、異なる温度に設定した複数の恒温槽に順次パッケージ 10を収納すればよい。その測定温度範囲は、この発振器の動作保証温度範囲であり、例えば、マイナス 40°C〜プラス 100°Cの間の適宜のポイント（例えば、 11ポイント程度）とする。

[0074] 水晶片 15の基準周波数の調整は、予め水晶片 15の表面に銀等の金属膜を蒸着して、共振周波数を基準周波数より低めにする膜厚 (厚め）に形成しておき、その水晶片 15表面の電極膜にイオンガンを用、てイオンビームを照射したり、スパッタエツチングを行ったりして、電極膜の質量を僅かずつ減少させることによって行う。

あるいは、逆に金属膜の膜厚を、共振周波数を基準周波数より高めにする膜厚 (薄め）に形成しておき、その水晶片 15表面の電極膜に更に銀等の金属を蒸着させることで、電極膜の質量を僅かずつ増加させることによって行う。

なお、発振回路の振動子として、水晶片に代えて他の圧電素子を使用する場合も同様である。

[0075] ATカット水晶片を振動子とする発振回路の発振周波数の温度特性はほぼ 3次曲線になるため、基準温度で発振周波数が所望の周波数 fOになるように調整しても、環境温度が変化すると発振周波数がずれてしまう。そのため、動作保証温度範囲の下限から上限までの間で実際に温度を変化させて、その各温度状態 (測定ポイント）で発振回路の実際の発振周波数すなわち出力端子 26に出力される発振出力信号の周波数を測定し、所望の発振周波数 fOとの差を測定する。

[0076] そして、その差を 0にするための温度補償信号 (電圧信号)を温度補償回路 30で発生させるのに必要な温度補償データを算出して、図 15に示した従来技術と同様に有する補償データ記憶回路 (不揮発性メモリ） 31に温度データに対応させて書き込む。なお、測定ポイントは多い方が精度の高い温度補償データを作成できるが、測定時間が長くなつてしまうので、適当数 (例えば、 11ポイント程度)の温度状態での測定結果カその発振回路の温度特性の 3次曲線を推定して、各測定ポイント間の温度に対する温度補償データも補間して作成し、それを補償データ記憶回路に書き込むようにするとよい。

[0077] 前述した第 6の実施形態（図 9)では、メモリ回路 7に記憶している情報によって非 T CXOモード信号を生成し、発振回路 20' の電圧可変容量 23, 24両端子を同電位にして温度補償機能を無効にしている。そして、例えば、メモリ回路 7の複数の記憶素子の記憶状態が" 101"のときに、非 TCXOモード信号を" 0"にして温度補償機能を有効にしている力これに限定するものではなぐ記憶素子の記憶状態がどのような状態のときに TCXOモードにして温度補償機能を有効あるいは無効にするようにしてもよい。その記憶データの桁数も任意である。 [0078] 但し、一般に不揮発性メモリ等は、初期状態でのデータがすべて" 1"またはすベて "0"になる確率が高いので、 "111"や" 000"の場合には非 TCXOモード信号を" 1" にして温度補償機能を無効にし、それ以外のあるデータを書き込んだときに非 TCX Oモード信号が" 0"になって温度補償機能を有効にするようにするのが好ましい。しかし、メモリ回路 7に" 101"のような特定のデータを書き込んだときの記憶素子の記憶状態で、非 TCXOモードにして温度補償機能を無効にし、メモリ回路 7に" 101" のような特定のデータ以外のデータを書き込んだり特定のデータを消去したときに、 TCXOモードにして温度補償機能を有効にするようにしても差し支えない。

産業上の利用可能性

[0079] この発明による温度補償型発振器およびその製造方法は、各種の温度補償型発振器およびその製造に適用することができるか、特に携帯電話機等の携帯型移動通信機器に多用されている ATカット水晶片を振動子として用いた超小型の温度補償型発振器の高精度化や多様化と、その製造工程における常温での発振周波数の初期調整作業の効率ィ匕に極めて有効である。

Claims

請求の範囲

[1] 電圧可変容量を備えた発振回路と、該発振回路近傍の温度を検出する温度検出回路と、該温度検知回路の情報に基づ!/、て温度補償信号として電圧信号を生成する温度補償信号生成回路とを有し、前記電圧信号が前記電圧可変容量に与えられることによって発振周波数を略一定に保つ構成の温度補償型発振器であって、前記電圧可変容量の両端子を同電位にする制御手段を設けたことを特徴とする温度補償型発振器。

[2] 前記制御手段は、前記電圧可変容量の両端子の!、ずれにも前記温度補償信号である電圧信号を印加する手段であることを特徴とする請求項 1に記載の温度補償型発振器。

[3] 前記制御手段は、前記電圧可変容量の両端子のいずれも接地電位にする手段であることを特徴とする請求項 1に記載の温度補償型発振器。

[4] 前記電圧可変容量は、両端子が同電位の状態では可変容量範囲の略中間の容量値になる特性を有することを特徴とする請求項 1から 3のいずれ力 1つに記載の温度補償型発振器。

[5] 請求項 1から 3のいずれ力 1つに記載の温度補償型発振器において、

メモリ回路を有し、前記制御手段は、該メモリ回路に記憶している情報によって前記電圧可変容量の両端子を同電位にする制御を行うことを特徴とする温度補償型発振

[6] 前記メモリ回路は、複数の記憶素子を有し、

前記制御手段は、該複数の記憶素子の記憶状態が所定の状態にあるとき、前記電圧可変容量の両端子を同電位にする制御を行うことを特徴とする請求項 5に記載の温度補償型発振器。

[7] 請求項 6記載の温度補償型発振器にお、て、

前記発振回路の駆動電圧を一定に保っための定電圧回路を有し、

該定電圧回路は、前記複数の記憶素子の記憶状態が前記所定の状態にあるとき、前記駆動電圧を所定の電圧値にする制御を行うことを特徴とする温度補償型発振器

[8] 請求項 6または 7に記載の温度補償型発振器にぉ、て、

前記発振回路によって発振された信号を分周するための分周回路を有し、該分周回路は、前記複数の記憶素子の記憶状態が前記所定の状態にあるとき、所定の分周比にする制御を行うことを特徴とする温度補償型発振器。

[9] 請求項 1から 8のいずれ力 1つに記載の温度補償型発振器において、

電圧信号による周波数制御信号を入力するための外部端子を備え、該外部端子から入力する周波数制御信号又は該周波数制御信号を増幅した信号も前記電圧可変容量に与えられるようにしたことを特徴とする温度補償型発振器。

[10] 請求項 1から 9のいずれ力 1つに記載の温度補償型発振器において、

発振周波数の常温での偏差を補正するための電圧信号である常温周波数補正信号を生成する常温周波数補正信号生成回路を有し、前記常温周波数補正信号も前記電圧可変容量に与えられるようにしたことを特徴とする温度補償型発振器。

[11] 請求項 1から 8のいずれ力 1つに記載の温度補償型発振器において、

電圧信号による周波数制御信号を入力するための外部端子と、

発振周波数の常温での偏差を補正するための電圧信号である常温周波数補正信号を生成する常温周波数補正信号生成回路とを有し、

前記電圧可変容量に与える前記電圧信号は、前記温度補償信号と、前記周波数制御信号および前記常温周波数補正信号の一方又は両方とが合成された信号であることを特徴とする温度補償型発振器。

[12] 電圧可変容量を備えた発振回路と、該発振回路近傍の温度を検出する温度検出回路と、該温度検知回路の情報に基づ!、て温度補償信号として電圧信号を生成する温度補償信号生成回路とを有し、前記電圧信号が前記電圧可変容量に与えられることによって発振周波数を略一定に保つ構成の温度補償型発振器の製造方法であって、

該温度補償型発振器の組み立て工程中、常温における前記発振回路の発振周波数調整作業を、前記電圧可変容量の両端子を同電位にして前記発振回路を駆動させた状態で、該発振回路に備えた振動子の電極の厚みを調整することによって行うことを特徴とする温度補償型発振器の製造方法。 [13] 電圧可変容量を備えた発振回路と、該発振回路近傍の温度を検出する温度検出回路と、該温度検知回路の情報に基づ!、て温度補償信号として電圧信号を生成する温度補償信号生成回路と、メモリ回路とを有し、前記電圧信号が前記電圧可変容量に与えられることによって発振周波数を略一定に保つ構成の温度補償型発振器の製造方法であって、

該温度補償型発振器の組み立て工程中、常温における前記発振回路の発振周波数調整作業の前には前記メモリ回路の書き込みを行わず、該メモリ回路の記憶状態が所定の状態になるようにし、それによつて前記電圧可変容量の両端子を同電位にして前記発振回路を駆動させた状態で、該発振回路に備えた振動子の電極の厚みを調整することによって、前記発振周波数調整作業を行うことを特徴とする温度補償型発振器の製造方法。