JP2003218636A5 - - Google Patents

Description

【書類名】 明細書
【発明の名称】 温度補償型発振器とその製造方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】 温度変化に伴って発振周波数が変化する発振回路と、
該発振回路の発振出力に基いて信号を出力する出力線と、
前記発振回路近傍の温度状態を検出する温度検出回路と、
該温度検出回路からの出力に基づいて前記出力線に出力される信号の周波数を略一定値
に保つための温度補償回路と
を有する温度補償型発振器において、
前記温度補償回路の温度補償機能を有効状態にするか無効状態にするかを選択する選択
手段を設け、
該選択手段が前記温度補償機能を有効状態にする場合には、前記温度補償回路に前記発
振回路の発振容量の値を前記温度検出回路によって検出される温度に依存して変化させる
ようにし、前記温度補償機能を無効状態にする場合には、前記発振回路の発振容量を所定
の容量値に固定させるようにしたことを特徴とする温度補償型発振器。
【請求項２】 請求項１に記載の温度補償型発振器において、
前記温度補償機能を有効状態にするスイッチと、前記温度補償機能を無効状態にするス
イッチとを有することを特徴とする温度補償型発振器。
【請求項３】 請求項２に記載の温度補償型発振器において、
前記温度補償機能を無効状態にするスイッチは、前記発振容量を所定の容量値に固定す
る手段であり、前記温度補償機能を有効状態にするスイッチがオンの場合には、前記発振
容量を所定の容量値に固定する手段からの信号の入力を禁止し、前記温度補償機能を無効
状態にするスイッチがオンの時は前記温度補償回路からの信号の前記発振回路への入力を
禁止するようにしたことを特徴とする温度補償型発振器。
【請求項４】 前記発振容量は印加電圧に応じて容量値が変化する可変容量を有し、
前記温度補償回路は、該可変容量への印加電圧を変化させて前記発振容量の値を変化させ
る手段を有することを特徴とする請求項１に記載の温度補償型発振器。
【請求項５】 前記選択手段は、前記発振容量を所定の容量値に固定するときには、
前記可変容量への印加電圧を所定の値に固定する手段を有することを特徴とする請求項１
に記載の温度補償型発振器。
【請求項６】 前記発振容量を所定の容量値に固定する手段は定電圧発生回路である
ことを特徴とする請求項１に記載の温度補償型発振器。
【請求項７】 請求項１に記載の温度補償型発振器において、選択情報記憶回路を設
け、
前記選択手段は、該選択情報記憶回路からの信号により前記温度補償回路の温度補償機
能を有効状態にするか無効状態にするかを選択することを特徴とする温度補償型発振器。
【請求項８】 前記選択情報記憶回路は複数ビットのメモリからなり、該複数ビット
のメモリが予め決められた組み合わせにおいて前記温度補償回路の温度補償機能を有効状
態にすることを特徴とする請求項７に記載の温度補償型発振器。
【請求項９】 前記選択情報記憶回路は導電パターンからなり、該導電パターンが切
断されることによって、前記温度補償回路の温度補償機能を有効状態にすることを特徴と
する請求項７記載の温度補償型発振器。
【請求項１０】 前記発振容量は複数の固定容量を有し、前記温度補償回路は、その
複数の固定容量の接続状態を変化させて前記発振容量を変化させる手段を有することを特
徴とする請求項１に記載の温度補償型発振器。
【請求項１１】 請求項１に記載の温度補償型発振器において、
前記発振回路と前記出力線との間に可変分周回路を設け、
前記選択手段は、前記温度補償回路の温度補償機能を有効状態にする場合には、該温度
補償回路に、前記可変分周回路の分周比を前記温度検出回路によって検出される温度に依
存して変化させるようにし、該温度補償機能を無効状態にする場合には、前記可変分周回
路の分周比を所定の値に固定する手段を有することを特徴とする温度補償型発振器。
【請求項１２】 前記選択手段は、前記発振容量を所定の容量値に固定するときには
、前記可変容量を前記発振容量に含まれないように切り離す手段を有することを特徴とす
る請求項１に記載の温度補償型発振器。
【請求項１３】 請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の温度補償型発振器におい
て、
前記温度補償回路の温度補償データを記憶する補償データ記憶回路を設けたことを特徴
とする温度補償型発振器。
【請求項１４】 請求項７又は８に記載の温度補償型発振器において、前記温度補償
回路の温度補償データを記憶する補償データ記憶回路を設け、
前記選択情報記憶回路と前記補償データ記憶回路とが一体の記憶回路であることを特徴
とする温度補償型発振器。
【請求項１５】 請求項１１に記載の温度補償型発器において、
前記選択手段の選択状態を制御するための制御情報を記憶する選択情報記憶回路と、前
記温度補償回路の温度補償データを記憶する補償データ記憶回路とを設け、前記選択情報
記憶回路と前記補償データ記憶回路とが一体の記憶回路であることを特徴とする温度補償
型発振器。
【請求項１６】 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の温度補償型発振器において
、
前記選択手段の選択状態を制御する制御情報を外部から入力するための制御情報入力端
子を設けたことを特徴とする温度補償型発振器。
【請求項１７】 前記制御情報入力端子は、この温度補償型発振器を構成するパッケ
ージに設けた外部端子であることを特徴とする請求項１６に記載の温度補償型発振器。
【請求項１８】 パッケージ内に、発振回路及び補償データ記憶回路を有する温度補
償回路を構成するＩＣチップと、前記発振回路の振動子とを実装して発振器を構成する工
程と、
該発振器を基準温度に保ち、前記温度補償回路の温度補償機能が無効になっている状態
で、前記発振回路の発振周波数が所望の発振周波数になるように前記振動子を調整する工
程と、
前記振動子を気密封止する工程と、
温度補償データを作成して前記補償データ記憶回路に書き込む工程と、
前記温度補償回路の温度補償機能を有効にする工程と
を有することを特徴とする温度補償型発振器の製造方法。
【請求項１９】 前記振動子を調整する工程で、前記発振器を基準温度に保つのは、
前記パッケージを恒温槽に入れて行うことを特徴とする請求項１８に記載の温度補償型発
振器の製造方法。
【請求項２０】 温度補償データを作成して前記補償データ記憶回路に書き込む工程
は、前記パッケージを恒温槽に入れて行うことを特徴とする請求項１８に記載の温度補償
型発振器の製造方法。
【請求項２１】 前記温度補償データを作成して前記補償データ記憶回路に書き込む
工程で、前記発振器を複数の温度にさらし、その各温度状態で前記発振回路の発振周波数
を測定して、前記所望の発振周波数との差を測定し、その測定値に基づいて前記温度補償
データを作成することを特徴とする請求項１８乃至２０のいずれか一項に記載の温度補償
型発振器の製造方法。
【請求項２２】 前記発振器をさらす複数の温度が、該発振器の動作保証温度範囲内
の適宜のポイントであることを特徴とする請求項２１に記載の温度補償型発振器の製造方
法。
【請求項２３】 前記動作保証温度範囲がマイナス４０℃からプラス１００℃の間で
あり、前記ポイントが１１ポイントであることを特徴とする請求項２２に記載の温度補償
型発振器の製造方法。
【請求項２４】 前記温度補償回路の温度補償機能を有効にする工程では、特定の選
択情報によって温度補償機能を有効にすることを特徴とする請求項１８乃至２０のいずれ
か一項に記載の温度補償型発振器の製造方法。
【請求項２５】 前記特定の選択情報は、予め定められた組み合わせによる複数ビッ
トの情報であることを特徴とする請求項２４に記載の温度補償型発振器の製造方法。
【請求項２６】 前記振動子を調整する工程では、予め前記振動子の表面に金属膜を
蒸着して共振周波数を基準周波数より低くしておき、その振動子表面の電極膜にイオンビ
ームを照射するかスパッタエッチングを行って、該電極膜の質量を僅かずつ減少させるこ
とによって調整することを特徴とする請求項１８乃至２０のいずれか一項に記載の温度補
償型発振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、周囲温度の変化に係わらず出力信号の周波数を略一定に保つようにした温
度補償型発振器に関し、特にその温度補償機能を無効状態にすることも可能にした温度補
償型発振器とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
温度補償型発振器（ＴＣＸＯ）は種々の分野で使用されているが、近年携帯電話機等の
携帯用移動通信機器に多用されている。この種の温度補償型発振器は一般に、１０ＭＨｚ
帯のＡＴカット水晶片（振動子）を振動源として発振回路を構成し、これに何らかの周波
数可変手段を用いた温度補償回路を設け、ＡＴカット水晶片の３次曲線の温度特性を打ち
消すことにより発振周波数を安定化させるようにした水晶発振器が多用されている。
そして、その温度補償回路の構成により、アナログ温度補償型発振器とデジタル温度補
償型発振器とに大別される。
【０００３】
この種の温度補償型発振器に対しては、発振出力信号の安定性とともに、小型軽量化と
低価格化が求められている。
超小型の表面実装用温度補償型発振器のパッケージ構成例を図８に示す。
この温度補償型発振器は、パッケージ本体１１と溶接リング１２とカバー１３とによっ
てパッケージ（容器）１０を構成しており、その内部に水晶片１５と、後述する発振回路
および温度補償回路を構成するＭＯＳ型のＩＣ（集積回路）チップ１６と、チップ容量等
の回路素子１７を取り付けて密封している。
【０００４】
この温度補償型発振器の回路構成は図９に示すようになっている。発振回路２０は、水
晶片１５とインバータ２１と帰還抵抗２２とを並列に接続し、その両接続点をそれぞれ直
流カット容量Ｃｃ，Ｃｄと発振容量である電圧制御型可変容量（コンデンサ：capacitor
）２３，２４を介して接地して、インバータ発振回路を構成している。そして、インバー
タ２１の出力側の接続点から発振出力に基く信号を出力する出力線２５を引き出し、出力
端子２６に接続している。なお、振動子として水晶片１５に代えて他の圧電素子を用いる
ことも可能である。
さらに、この発振回路２０における水晶片１５の近傍の温度状態をサーミスタ等によっ
て検出する温度検出回路１８と、その温度検出回路１８からの出力信号に基いて発振回路
２０の出力線２５に出力される信号の周波数を一定に保つための温度補償回路３０とを設
けている。
【０００５】
その温度補償回路３０は、温度補償を行うための補償データを記憶する補償データ記憶
回路（不揮発性メモリ）３１と、その補償データと温度検出回路１８からの検出温度を示
す出力信号とに基いて制御電圧を発生するＤ／Ａ変換回路３２とからなる。そして、その
Ｄ／Ａ変換回路３２から出力する制御電圧を、発振回路２０に設けた抵抗Ｒ１，Ｒ２を介
してそれぞれ各電圧制御型可変容量２３，２４の正極側（直流カット容量Ｃｃ，Ｃｄとの
各接続点）に印加し、その電圧に応じて各電圧制御型可変容量２３，２４の発振容量を変
化させる。それによって、発振回路２０の発振周波数を制御して出力信号の周波数を略一
定に保つようにする。
【０００６】
このような温度補償型発振器において、水晶片１５およびＩＣチップ１６内に形成され
る発振回路２０は製造上のバラツキ等によって、全てを完全に同一に作ることはできない
ため、それぞれ異なる温度−周波数特性を有してしまう。したがって、全ての発振回路２
０を同一の基準によって温度補償することはできない。そのため、個々の発振回路毎に異
なる補償データを作成して補償データ記憶回路３１に記憶させることが必要になる。しか
し、水晶片１５の特性のバラツキが大きいと補償しきれなくなるので、予め水晶片１５の
特性をできるだけ揃えるように調整する必要がある。
【０００７】
そこで、従来は次のようなステップで調整作業を行なっていた。
ステップ１：パッケージ（図８のパッケージ本体１１）内に水晶片１５等の圧電素子だけ
を実装する。
ステップ２：パッケージを基準温度（一般に室温：２５℃）に保ち、ネットワークアナラ
イザなどでその圧電素子の共振周波数をモニタしながら、イオンビーム等で圧電素子表面
の電極膜を除去して所望の周波数になるように調整する。
ステップ３：パッケージに発振回路および温度補償回路を構成するＩＣチップを実装する
。
ステップ４：パッケージを複数の温度状態にさらし、その各温度状態で発振周波数を測定
して、所望の発振周波数ｆ_０との差を測定する。
ステップ５：その測定値に基いて温度補償データを作成し、それをＩＣチップの補償デー
タ記憶回路（不揮発性メモリ）に書き込む。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来の温度補償型発振器の調整方法では、水晶片等の圧電素子の特性を調
整する際には、発振回路を構成するＩＣチップは実装せず、ネットワークアナライザなど
で外部から圧電素子を共振させてその共振周波数をモニタし、その周波数が所望の値にな
るように圧電素子表面の電極膜を除去していた。
そのため、パッケージにＩＣチップも実装して圧電素子とともに発振回路を構成して発
振動作をさせた時の発振周波数と、予め調整した共振周波数との間にずれが生じてしまう
という問題があった。しかも、調整ステップも多くなり、調整コストが余分にかかってい
た。
【０００９】
そこで、パッケージ内に圧電素子とＩＣチップを実装して発振回路を動作させ、その発
振周波数をモニタして、室温での圧電素子の共振周波数の調整とその後の補償データの作
成とを、実際の使用状態に近い状態で続けて行なえるようにすることが考えられるが、そ
の場合、温度補償回路も動作してしまう。しかも、温度補償データ記憶回路には初期状態
では補償データは記憶されていないが、それを記憶するためのレジスタの各ビットが全て
“０”になっている場合と、全て“１”になっている場合とがあり、初期値が判らない。
そのため、水晶片等の圧電素子の共振周波数を適切に調整することができず、その後の補
償データの作成も適切にできないという問題がある。
【００１０】
この発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、パッケージ内に水
晶片等の圧電素子とＩＣチップなどを実装して温度補償型発振器を構成した状態で、その
発振回路を動作させて圧電素子自体の温度特性を正確に調整できるようにし、且つその後
の補償データの作成とそれを補償データ記憶回路に記憶させる作業も、続けて適切に行な
えるようにし、温度補償型発振器の調整工程の簡素化と高精度化を図ることを目的とする
。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明による温度補償型発振器は上記の目的を達成するため、温度変化に伴って発振
周波数が変化する発振回路と、その発振出力に基いて信号を出力する出力線と、発振回路
近傍の温度状態を検出する温度検出回路と、その温度検出信号に基づいて上記出力線に出
力される信号の周波数を略一定値に保つための温度補償回路とを有する温度補償型発振器
において、温度補償回路の温度補償機能を有効状態にするか無効状態にするかを選択する
選択手段を設けた。
そして、その選択手段が上記温度補償機能を有効状態にする場合には、上記温度補償回
路に上記発振回路の発振容量の値を上記温度検出回路によって検出される温度に依存して
変化させるようにし、上記温度補償機能を無効状態にする場合には、上前記発振回路の発
振容量を所定の容量値に固定させるようにする。
【００１２】
上記温度補償型発振器は、上記温度補償機能を有効状態にするスイッチと、上記温度補
償機能を無効状態にするスイッチとを有するとよい。
上記温度補償機能を無効状態にするスイッチは、上記発振容量を所定の容量値に固定す
る手段であるとよい。そして、上記温度補償機能を有効状態にするスイッチがオンの場合
には、上記発振容量を所定の容量値に固定する手段からの信号の入力を禁止し、上記温度
補償機能を無効状態にするスイッチがオンの時は上記温度補償回路からの信号の上記発振
回路への入力を禁止するようにするとよい。
その発振容量は印加電圧に応じて容量値が変化する可変容量を有し、上記温度補償回路
は、その可変容量への印加電圧を変化させて発振容量の値を変化させる手段を有するとよ
い。
その場合、上記選択手段は、上記発振容量を所定の容量値に固定するときには、上記可
変容量への印加電圧を所定の値に固定する手段を有するとよい。
【００１３】
また、上記発振容量を所定の容量値に固定する手段は定電圧発生回路であってもよい。
さらに、選択情報記憶回路を設け、上記選択手段は、その選択情報記憶回路からの信号
により上記温度補償回路の温度補償機能を有効状態にするか無効状態にするかを選択する
ようにしてもよい。
上記選択情報記憶回路は複数ビットのメモリからなり、その複数ビットのメモリが予め
決められた組み合わせにおいて上記温度補償回路の温度補償機能を有効状態にするように
することもできる。
【００１４】
上記選択情報記憶回路が導電パターンからなり、その導電パターンが切断されることに
よって、上記温度補償回路の温度補償機能を有効状態にすることもできる。
あるいは、上記発振容量は複数の固定容量を有し、上記温度補償回路は、その複数の固
定容量の接続状態を変化させて発振容量を変化させる手段を有するようにしてもよい。
また、前述の選択手段は、発振容量を所定の容量値に固定するときには、可変容量を発
振容量に含まれないように切り離す手段を有するようにしてもよい。
【００１５】
前述した温度補償型発振器において、上記発振回路と上記出力線との間に可変分周回路
を設け、上記選択手段は、上記温度補償回路の温度補償機能を有効状態にする場合には、
該温度補償回路に、上記可変分周回路の分周比を上記温度検出回路によって検出される温
度に依存して変化させるようにし、該温度補償機能を無効状態にする場合には、上記可変
分周回路の分周比を所定の値に固定する手段を有するようにしてもよい。
【００１６】
これらの温度補償型発振器において、上記温度補償回路の温度補償データを記憶する補
償データ記憶回路を設け、上記選択情報記憶回路とこの補償データ記憶回路とを一体の記
憶回路にすることもできる。
あるいは、上記選択手段の選択状態を制御するための制御情報を記憶する選択情報記憶
回路と、上記温度補償回路の温度補償データを記憶する補償データ記憶回路とを設け、そ
の補償データ記憶回路と上記選択情報記憶回路とを一体の記憶回路（例えば、１個の不揮
発性メモリ）で構成することができる。
上記選択手段の選択状態を制御する制御情報を外部から入力するための制御情報入力端
子を設けてもよい。その制御情報入力端子は、この温度補償型発振器を構成するパッケー
ジに設けた外部端子であってもよい。
【００１７】
次に、この発明による温度補償型発振の製造法方は、パッケージ内に、発振回路及び補
償データ記憶回路を有する温度補償回路を構成するＩＣチップと、上記発振回路の振動子
とを実装して発振器を構成する工程と、
その発振器を基準温度に保ち、上記温度補償回路の温度補償機能が無効になっている状
態で、上記発振回路の発振周波数が所望の発振周波数になるように上記振動子を調整する
工程と、
上記振動子を気密封止する工程と、
温度補償データを作成して上記補償データ記憶回路に書き込む工程と、
上記温度補償回路の温度補償機能を有効にする工程とを有する。
【００１８】
上記振動子を調整する工程で、上記発振器を基準温度に保つのは、上前記パッケージを
恒温槽に入れて行うとよい。
上記温度補償データを作成して上記補償データ記憶回路に書き込む工程も、上記パッケ
ージを恒温槽に入れて行うとよい。
上記温度補償データを作成して上記補償データ記憶回路に書き込む工程で、上前記発振
器を複数の温度にさらし、その各温度状態で上記発振回路の発振周波数を測定して、上記
所望の発振周波数との差を測定し、その測定値に基づいて上記温度補償データを作成する
ことができる。
上記発振器をさらす複数の温度が、該発振器の動作保証温度範囲内の適宜のポイントで
あるとよい。
その動作保証温度範囲がマイナス４０℃からプラス１００℃の間であり、上記ポイント
が１１ポイントであるのが望ましい。
【００１９】
上記温度補償回路の温度補償機能を有効にする工程では、特定の選択情報によって温度
補償機能を有効にすることができる。
その特定の選択情報は、予め定められた組み合わせによる複数ビットの情報であっても
よい。
上記振動子を調整する工程では、予め上記振動子の表面に金属膜を蒸着して共振周波数
を基準周波数より低くしておき、その振動子表面の電極膜にイオンビームを照射するかス
パッタエッチングを行って、該電極膜の質量を僅かずつ減少させることによって調整する
ことができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好ましい実施の形態を図面を参照して説明する。
図１はこの発明による温度補償型発振器の第１の実施形態の構成を示すブロック回路図
であり、図８及び図９と同様な部分には同じ符号を付してあり、それらの説明は省略する
。
この図１に示す温度補償型発振器は、図９に示した従来例と同様な出力線２５および出
力端子２６を有する発振回路２０と、温度検出回路１８及び温度補償回路３０を備えてい
る。さらに、この実施形態に特有のものとして、選択手段である選択回路４０と、その選
択状態を制御するための制御情報を記憶する選択情報記憶回路（不揮発性メモリ）５０と
、一定電圧Ｖｋを出力する定電圧発生回路５１とを備えている。
【００２１】
また、選択情報記憶回路５０とは別に、選択回路４０の選択状態を制御するための制御
情報を入力する制御情報入力端子を、図８に示したパッケージ１０の外部に外部端子５２
として設けている。この制御情報入力端子は、パッケージ本体１１の内部に設けてもよい
。
選択回路４０は、一対のトランスミッションゲート４１，４２と、３入力のＮＡＮＤ回
路４３と、２個のインバータ（ＮＯＴ回路）４４，４５によって構成されている。そして
、温度補償回路３０の出力である制御電圧Ｖｃは、一方のトランスミッションゲート４１
を介して発振回路２０の図９に示した抵抗Ｒ１，Ｒ２の共通接続点に印可される。定電圧
発生回路５１の出力である一定電圧Ｖｋは、他方のトランスミッションゲート４２を介し
て、同じく発振回路２０の抵抗Ｒ１，Ｒ２の共通接続点に印加される。
【００２２】
選択情報記憶回路５０は３ビットの選択情報を出力し、そのビット１とビット３の出力
はそのまま３入力のＮＡＮＤ回路４３の２つの入力となり、ビット２の出力はインバータ
４４によって反転されてＮＡＮＤ回路４３の残る一つの入力となる。したがって、選択情
報記憶回路５０から出力される選択情報が“１０１”のときにのみ、ＮＡＮＤ回路４３の
３つの入力が全て“１”になるのでその出力が“０”になる。
このＮＡＮＤ回路４３の出力は、トランスミッションゲート４１の負論理側のゲートと
トランスミッションゲート４２の正論理側のゲートに直接印加され、また、トランスミッ
ションゲート４１の正論理側のゲートと、トランスミッションゲート４２の負論理側のゲ
ートにインバータ４５で反転されて印加される。
【００２３】
そのため、選択情報記憶回路５０から出力される選択情報が“１０１”のときにのみ、
トランスミッションゲート４１がオンになり、トランスミッションゲート４２はオフにな
るので、温度補償回路３０から出力する制御電圧Ｖｃがトランスミッションゲート４１を
通過して発振回路２０へ印加され、図９に示した抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して電圧制御型可変
容量２３，２４に印加されるため、その発振容量の値が温度に依存して変化し、発振回路
２０の発振周波数を一定に保つように温度補償される。
選択情報記憶回路５０から出力される選択情報が“１０１”以外のときには、トランス
ミッションゲート４２がオンになり、トランスミッションゲート４１はオフになるので、
定電圧発生回路５１から出力する一定電圧Ｖｋがトランスミッションゲート４２を通過し
て発振回路２０へ印加され、図９に示した抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して電圧制御型可変容量２
３，２４に印加されるため、その発振容量の値はその一定電圧に応じた所定の容量値に固
定され、発振回路２０の発振周波数の温度補償はなされない。
【００２４】
したがって、選択回路４０は、選択情報記憶回路５０から出力される３ビットの選択情
報に基いて、発振回路２０に対して温度補償回路３０からの制御電圧Ｖｃを供給して温度
補償機能を有効にするか、または定電圧発生回路からの一定（固定）電圧Ｖｋを供給して
温度補償機能を無効にするかを選択する。
この選択回路４０の切り換えは、外部端子５２に制御情報としてハイレベル“１”の信
号（電圧）を印可するか、ローレベル“０”の信号（電圧）を印可することによっても行
なうことができる。
この外部端子５２のような制御情報入力端子を設けた場合には、図１における選択情報
記憶回路５０とＮＡＮＤ回路４３とインバータ４４を省略してもよい。
【００２５】
この温度補償型発振器よれば、発振回路２０の水晶片の初期調整および温度補償データ
を作成して記憶させる調整作業は、パッケージ内に水晶片と発振回路及び温度補償回路等
を構成するＩＣチップなどを実装して温度補償型発振器を完成した状態で、その発振回路
２０を動作させて行なうことができる。その調整時には、選択情報記憶回路５０の選択情
報を“１０１”以外にしておくことにより、温度補償機能を無効にし、発振回路２０を所
定の発振容量で発振動作させる。
【００２６】
その調整作業のステップは次のようになる。
ステップ１：パッケージ（例えば図８に示したパッケージ本体１１）内に、発振回路２０
及び図１に示した各回路を構成するＩＣチップを実装し、次いで水晶片を実装する。
ステップ２：パッケージを基準温度（一般に室温：２５℃）に保ち、その温度補償型発振
器の温度補償機能を無効にして単純な発振器として動作させ、その発振周波数をネットワ
ークアナライザなどでモニタしながら、イオンビーム等で水晶片表面の電極膜を除去して
所望の発振周波数ｆ_０になるように調整する。
ステップ３：パッケージにカバーを取付け、水晶片を気密封止する。
ステップ４：パッケージを複数の温度にさらし、その各温度状態で発振周波数を測定して
、所望の発振周波数ｆ_０との差を測定する。
ステップ５：その測定値に基いて温度補償データを作成し、それをＩＣチップの補償デー
タ記憶回路（不揮発性メモリ）に書き込む。
【００２７】
この調整後に、選択情報記憶回路５０の選択情報を“１０１”にすれば、温度補償機能
が有効になり、温度補償型発振器として正常に動作可能になり、超小型の温度補償型発振
器が完成する。
したがって、この発明による温度補償型発振器の製造方法においては、発振回路を実際
の使用状態と同様に発振させながら、水晶片の温度特性を温度補償回路の影響を受けずに
正確に調整でき、且つその後の補償データの作成とそれを補償データ記憶回路に記憶させ
る作業も、続けて適切に行なうことができる。そのため、温度補償型発振器の調整工程の
簡素化と高精度化を図ることができる。
【００２８】
ステップ２で、パッケージを基準温度（一般に室温：２５℃）に保つのは、パッケージ
を恒温槽に入れて調整作業を行なうとよい。
ステップ４で、パッケージを複数の温度状態にさらすのも、恒温槽の設定温度を順次変
化させるか、異なる温度に設定した複数の恒温槽に順次パッケージを収納すればよい。そ
の測定温度範囲は、この発振器の動作保証温度範囲であり、例えばマイナス４０℃〜プラ
ス１００℃の間の適宜のポイント（例えば１１ポイント程度）とする。
水晶片の基準周波数の調整は、予め水晶片の表面に銀等の金属膜を蒸着して、共振周波
数を基準周波数より低めにする膜厚（厚め）に形成しておき、その水晶片表面の電極膜に
イオンガンを用いてイオンビームを照射したり、スパッタエッチングを行ったりして、電
極膜の質量を僅かずつ減少させることによって行う。
なお、発振回路の振動子として、水晶片に代えて他の圧電素子を使用する場合も同様で
ある。
【００２９】
ＡＴカット水晶片を振動子とする発振回路の発振周波数の温度特性はほぼ３次曲線にな
るため、基準温度で発振周波数が所望の周波数ｆ_０になるように調整しても、環境温度が
変化すると発振周波数がずれてまう。そのため、使用保証温度範囲の下限から上限までの
間で実際に温度を変化させて、その各温度状態（測定ポイント）で発振回路の実際の発振
周波数すなわち出力端子２６に出力される信号の周波数を測定し、所望の発振周波数ｆ_０
との差を測定する。
そして、その差を０にするための制御電圧Ｖｃを温度補償回路３０で発生させるのに必
要な温度補償データを算出して、図９に示した補償データ記憶回路（不揮発性メモリ）３
１に温度データに対応させて書き込む。
なお、測定ポイントは多い方が精度の高い温度補償データを作成できるが、測定時間が
長くなってしまうので、適当数（例えば１１ポイント程度）の温度状態での測定結果から
その発振回路の温度特性の３次曲線を推定して、各測定ポイント間の温度に対する温度補
償データも補間して作成し、それを補償データ記憶回路に書き込むようにするとよい。
【００３０】
次に、発振回路の異なる例、特にその発振容量とその容量可変手段の異なる例を図２及
び図３に示す。
図２に示す発振回路は、図９に示した発振回路２０と同様に、水晶片１５とインバータ
２１と帰還抵抗２２とを並列に接続し、その両接続点をそれぞれ発振容量を介して接地し
て、インバータ発振回路を構成している。しかし、その発振容量として、電圧制御型可変
容量に代えて、複数の固定容量の並列回路を用いている。
すなわち、コンデンサＣ１〜Ｃ５をそれぞれスイッチＳ１〜Ｓ５を介して並列に接続し
た第１の容量アレイ２７をインバータ２１の入力側とアースとの間に設け、コンデンサＣ
６〜Ｃ１０をそれぞれスイッチＳ７〜Ｓ１０を介して並列に接続した第２の容量アレイ２
８とし、インバータ２１の出力側とアースとの間に設けている。各スイッチＳ１〜Ｓ１０
には、ＭＯＳ−ＦＥＴ等のスイッチング素子を使用するとよい。
【００３１】
この場合、温度補償回路には図９に示したＤ／Ａ変換回路に代えて、補償データ記憶回
路３１から温度検出回路１８による温度検出データに対応する補償データを読み出して、
発振回路のスイッチＳ１〜Ｓ１０のＯＮ／ＯＦＦ状態を制御する可変のスイッチ制御信号
を出力する回路を設ける。
また、図１に示した定電圧発生回路５１に変えて、発振回路のスイッチＳ１〜Ｓ１０の
うちの所定のスイッチ（例えば、スイッチＳ１〜Ｓ３とＳ６〜Ｓ８）をＯＮにし、他のス
イッチはＯＦＦにする固定のスイッチ制御信号を発生する回路を設け、その固定のスイッ
チ制御信号と上述した温度補償回路が発生する可変のスイッチ制御信号のいずれかを選択
手段によって選択して、発振回路のスイッチＳ１〜Ｓ１０の各制御電極に印加して、その
ＯＮ／ＯＦＦを制御するようにする。
【００３２】
そして、初期調整時に温度補償機能を無効にする際には、選択手段によって上記固定の
スイッチ制御信号を選択して発振回路に入力させ、例えばスイッチＳ１〜Ｓ３とＳ６〜Ｓ
８をＯＮにして他のスイッチはＯＦＦにする。それによって、第１の容量アレイ２７の容
量値はコンデンサＣ１〜Ｃ３の並列回路の容量値に固定され、第２の容量アレイ２８の容
量値はコンデンサＣ６〜Ｃ８の並列回路の容量値に固定される。したがって、発振容量は
温度変化に関係なく一定となる。
初期調整後、温度補償機能を有効にするときには、選択手段によって温度補償回路から
の可変のスイッチ制御信号を選択して発振回路に入力させ、第１の容量アレイ２７のスイ
ッチＳ１〜Ｓ５及び第２の容量アレイ２８のスイッチＳ６〜Ｓ１０のそれぞれ１個以上を
選択的にＯＮにする。それによって、第１の容量アレイ２７及び第２の容量アレイ２８の
有効なコンデンサの組み合わせ（接続状態）を変え、各容量アレイ２７，２８の容量値（
発振容量）を温度変化に依存して変化させる。
【００３３】
例えば、前述のように第１の容量アレイ２７のスイッチＳ１〜Ｓ３と第２の容量アレイ
２８のＳ６〜Ｓ８をＯＮにして、コンデンサＣ１〜Ｃ３、コンデンサＣ６〜Ｃ８がそれぞ
れ並列接続された状態を基準状態とすると、その状態からスイッチＳ１又はＳ２あるいは
その両方をＯＦＦにし、スイッチＳ６又はＳ７あるいはその両方をＯＦＦにすると、第１
の容量アレイ２７及び第２の容量アレイ２８による各容量値は減少する。また、標準状態
から、スイッチＳ４又はＳ５あるいはその両方をＯＮにし、スイッチＳ９又はＳ１０ある
いはその両方をＯＮにすると、第１の容量アレイ２７及び第２の容量アレイ２８による各
容量値は増加する。
さらに、第１の容量アレイ２７及び第２の容量アレイ２８を構成するコンデンサの数及
びその各コンデンサの容量値を適宜選定し、その接続状態を変化させることによって、発
振容量をかなり細かく制御して発振周波数の温度補償を行うことができる。
【００３４】
図３に示す発振回路は、図９に示した発振回路２０における電圧制御型可変容量２３，
２４にそれぞれ直列にスイッチＳ１１，Ｓ１２を介挿し、それらと並列にそれぞれコンデ
ンサＣａとスイッチＳ１３の直列回路、およびコンデンサＣｂとスイッチＳ１４の直列回
路を接続している。コンデンサＣａ，Ｃｂは固定容量である。Ｃｃ，Ｃｄは直流分カット
容量である。
そして、初期調整時に温度補償機能を無効にする際には、選択回路によってスイッチＳ
１１，Ｓ１２をＯＦＦにして、スイッチＳ１３，Ｓ１４をＯＮにすることにより発振容量
はコンデンサＣａ，Ｃｂの容量値に固定される。このとき電圧制御型可変容量２３，２４
は、発振容量に含まれないように切り離された状態になる。
【００３５】
初期調整後、温度補償機能を有効にするときには、選択回路によってスイッチＳ１１，
Ｓ１２をＯＮにし、スイッチＳ１３，Ｓ１４をＯＦＦにすることにより、電圧制御可変型
容量２３，２４が発振容量となり、温度補償回路からの制御電圧が抵抗Ｒ１，Ｒ２を介し
て印加され、その各容量値が温度変化に依存して変化するため、発振周波数の温度補償を
行うことができる。
なお、これらの発振回路においても、振動子として水晶片に代えて他の圧電素子を使用
することもできる。
【００３６】
次に、この発明による温度補償型発振器の第２の実施形態を図４によって説明する。図
４において、図１及び図９と同等な部分には同一の符号を付してあり、それらの説明は省
略する。但し、この実施形態における温度補償回路の補償データ記憶回路３１と選択情報
記憶回路５０は一体の記憶回路であり、１個の不揮発性メモリ１９を兼用し、その記憶領
域の殆どを補償データ記憶回路３１として使用し、一部を選択情報記憶回路５０として使
用している。
この図４に示す温度補償型発振器は、発振回路２０と出力線２５との間に可変分周回路
６０を設け、選択手段として、第１の選択回路４０Ａと第２の選択回路４０Ｂとを設けて
いる。この第１，第２の選択回路４０Ａ，４０Ｂは同じ回路構成であり、第２の選択回路
４０Ｂに示すように、デジタルゲート回路４７，４８
と、３入力のＡＮＤ回路４６と、２個のインバータ（ＮＯＴ回路）４４，４９によって構
成されている。
【００３７】
選択情報記憶回路５０が出力する３ビットの選択情報のうちビット１とビット３の出力
はそのまま３入力のＡＮＤ回路４６の２つの入力となり、ビット２の出力はインバータ４
４によって反転されてＡＮＤ回路４６の残る一つの入力となる。したがって、選択情報記
憶回路５０から出力される選択情報が“１０１”のときにのみ、ＡＮＤ回路４６の３つの
入力が全て“１”になるのでその出力が“１”になる。選択情報記憶回路５０から出力さ
れる選択情報が“１０１”以外のときには、ＡＮＤ回路４６の出力は“０”になる。
このＡＮＤ回路４６の出力は、デジタルゲート回路４７の制御端子Ｃに直接印加され、
また、デジタルゲート回路４８の制御端子Ｃへはインバータ４９で反転されて印加される
。
【００３８】
そのため、この第２の選択回路４０Ｂは、選択情報記憶回路５０から出力される選択情
報が“１０１”のときにのみ、デジタルゲート回路４７がオンになりデジタルゲート回路
４８はオフになるので、温度補償回路３０′の補償データ出力回路３３から入力する可変
の分周数データＤｃを選択して可変分周回路６０へ出力し、選択情報記憶回路５０から出
力される選択情報が“１０１”以外のときには、デジタルゲート回路４８がオンになりデ
ジタルゲート回路４７はオフになるので、ＲＯＭ５２から入力する固定の分周数データＤ
ｋを選択して可変分周回路６０へ出力する。
第１の選択回路４０Ａもこれと全く同じ構成であり、選択するのがスイッチ制御データ
Ｓｃ，Ｓｋで、選択したスイッチ制御データの出力先が発振回路２０である点が異なるだ
けである。
【００３９】
温度補償回路３０′の補償データ出力回路３３は、温度検出回路１８によって検出され
る温度のデータに応じて、補償データ記憶回路３１の補償データを参照して、温度補償を
行うための可変のスイッチ制御信号（デジタルデータ）Ｓｃと分周数データＤｃとを出力
し、それぞれれ第１，第２の選択回路４０Ａ，４０Ｂのデジタルゲート回路４７へ入力さ
せる。
一方、読み出し専用メモリであるＲＯＭ５２には、固定のスイッチ制御信号（デジタル
データ）Ｓｋと分周数データＤｋとが予め記憶されており、図示を省略している読み出し
回路によってその各データを読み出して、それぞれ、第１，第２の選択回路４０Ａ，４０
Ｂのデジタルゲート回路４８へ入力させる。
【００４０】
そこで、第１の選択回路４０Ａは、選択情報記憶回路５０から出力される選択情報が“
１０１”のときにのみ、温度補償回路３０′の補償データ出力回路３３から入力する可変
のスイッチ制御信号Ｓｃを選択して発振回路２０へ出力し、選択情報記憶回路５０から出
力される選択情報が“１０１”以外のときには、ＲＯＭ５２から入力する固定のスイッチ
制御信号Ｓｋを選択して発振回路２０へ出力する。
発振回路２０は、例えば図２に示したように、発振容量として多数のコンデンサをスイ
ッチを介して並列に設けた第１，第２の容量アレイ２７，２８を用いた回路であり、その
各スイッチＳ１〜Ｓ１０のＯＮ／ＯＦＦを第１の選択回路４０Ａから出力されるスイッチ
制御信号（デジタルデータ）Ｓｃ又はＳｋによって制御することにより、その発振容量を
制御して発振周波数を可変することができる。図２に示したスイッチＳ１〜Ｓ１０として
はＭＯＳ型アナログスイッチ等の１ビットのデジタル信号でＯＮ／ＯＦＦを制御できる電
子スイッチを用いる。
【００４１】
可変分周回路６０としては公知の回路を使用するが、その一例を図５によって説明する
。この可変分周回路６０は、リファレンスデバイダ６１、位相比較器６２、ローパスフィ
ルタ（以下「ＬＰＦ」と略称する）６３、電圧制御型発振回路（以下「ＶＣＯ」と略称す
る）６４、フィードバックデバイダ６５、および出力バッファ６６によって構成されてい
る。
そして、発振回路２０からの発振出力信号をリファレンスデバイダ６１によって分周し
て、位相比較器６２に基準信号として入力する。一方、ＶＣＯ６４の発振信号がフィード
バックデバイダ６５によって分周されて、位相比較器６２に比較信号して入力する。位相
比較器６２はその二つの入力信号の位相差に応じた電圧を出力し、それがＬＰＦ６３を介
してＶＣＯ６４に供給され、ＶＣＯ６４の発振周波数を制御する。そのＶＣＯの発振信号
が出力バッファ６６を介して出力線２５に出力される。
リファレンスデバイダ６１とフィードバックデバイダ６５は、いずれも可変の整数値で
分周できるプログラマブルデバイダである。
【００４２】
この可変分周回路６０の出力信号の周波数ｆｏは、発振回路２０からの発振出力信号の
周波数をｆｃとすると、リファレンスデバイダ６１の分周数Ｍとフィードバックデバイダ
６５の分周数Ｎとによって決り、その関係は次式で示される。
ｆｏ＝ｆｃ×Ｎ／Ｍ
リファレンスデバイダ６１は入力信号の周波数を１／Ｍに分周して出力し、フィードバ
ックデバイダ６５は入力信号の周波数を１／Ｎに分周して出力する。
Ｎ／Ｍが分周比（この場合は逓倍数）であり、分周数ＭとＮの値によって任意に設定で
きる。例えば、Ｍ＝Ｎ＝１００を基準値として、分周数ＭとＮの値を図６に示すように変
化させることにより、分周比（逓倍数）を１．０００から０．００５刻みで増加させたり
減少させたりすることができる。
したがって、発振回路２０からの発振出力信号の周波数ｆｃが２０ＭＨｚであった場合
、出力信号の周波数ｆｏを、２０ＭＨｚを基準にして０．１ＭＨｚ刻みで増減させること
ができる。
【００４３】
そこで、図４に示したＲＯＭ５２に記憶させる固定の分周数データＤｋを分周数ＭとＮ
によって構成してＭ＝Ｎ＝１００とし、補償データ出力回路３３から出力する可変の分周
数データＤｃも分周数ＭとＮによって構成して図６に示したようにすれば、図４における
第２の選択回路４０ＢがＲＯＭ５２からの固定の分周数データＤｋを選択して可変分周回
路６０に入力させたときには、Ｍ＝Ｎ＝１００であるから、分周比は１．０００となり、
出力信号の周波数ｆｏは、発振回路２０からの発振出力信号の周波数ｆｃと同じ（図６の
例では２０ＭＨｚ）になる。
図４における第２の選択回路４０Ｂが補償データ出力回路３３から出力する可変の分周
数データＤｃを選択して可変分周回路６０に入力させたときには、分周数データＤｃを構
成する分周数ＭとＮの値によって、分周比を種々に変化させることができ、図６に示した
例では、分周比（逓倍数）を１．０００から０．００５刻みで増加させたり減少させたり
して、出力信号の周波数ｆｏを２０ＭＨｚを基準にして０．１ＭＨｚ刻みで増減させるこ
とができる。
【００４４】
この分周比（逓倍数）の最小可変幅（刻み幅）及び最大可変範囲は、分周数ＭとＮの選
択によって任意に設定することができる。
この実施形態によっても、発振回路２０の水晶片の共振周波数を調整し、補償データを
作成して補償データ記憶回路３１に記憶させるまでの初期調整時には、選択情報記憶回路
５０の３ビットの選択情報が“１０１”以外の状態になっている。
したがって、第１の選択回路４０ＡはＲＯＭ５２から入力する固定のスイッチ制御信号
Ｓｋを選択して発振回路２０へ出力する。また、第２の選択回路４０ＢもＲＯＭ５２から
入力する固定の分周数データＤｋを選択して可変分周回路６０へ出力する。
【００４５】
それによって、発振回路２０はその固定のスイッチ制御信号Ｓｋによって、例えば図２
に示したスイッチＳ１〜Ｓ３とＳ６〜Ｓ８だけがＯＮになって他のスイッチはＯＦＦにな
る。そのため、第１の容量アレイ２７の容量値はコンデンサＣ１〜Ｃ３の並列回路の容量
値に固定され、第２の容量アレイ２８の容量値はコンデンサＣ６〜Ｃ８の並列回路の容量
値に固定される。これが標準状態で、発振容量は温度変化に関係なく一定となり、発振出
力信号の周波数ｆｃは水晶片１５の温度特性によって多少変動するが温度補償はなされな
い。
一方、可変分周回路６０は、固定の分周数データＤｋのＭ＝Ｎ＝１００によって、分周
比が１．０００に固定され、出力線に出力する信号の周波数ｆｏは発振回路２０の発振出
力信号の周波数ｆｃと同じになり、ここでも温度補償はなされない。すなわち、この時は
温度補償機能は無効になり、図４に示した温度補償型発振器は単なる発振器として動作す
る。
【００４６】
調整作業が完了すると、補償データ記憶回路３１への最後の補償データの書き込み時あ
るいはその直後に、同じ不揮発性メモリ１９内の選択情報記憶回路５０に選択情報として
“１０１”を書き込む。
それによって、選択情報記憶回路５０が出力する選択情報が“１０１”になり、第１の
選択回路４０Ａは温度補償回路３０′の補償データ出力回路３３からの可変のスイッチ制
御信号Ｓｃを選択して発振回路２０へ出力する。また、第２の選択回路４０Ｂも補償デー
タ出力回路３３からの可変の分周数データＤｃを選択して可変分周回路６０へ出力する。
【００４７】
発振回路２０は、その可変のスイッチ制御信号Ｓｃによって、例えば図２に示した第１
の容量アレイ２７のスイッチＳ１〜Ｓ５及び第２の容量アレイ２８のスイッチＳ６〜Ｓ１
０のそれぞれ１個以上を選択的にＯＮにする。したがって、第１の容量アレイ２７及び第
２の容量アレイ２８の有効なコンデンサの組み合わせ（接続状態）を変え、各容量アレイ
２７，２８の容量値（発振容量）を温度変化に依存して変化させ、発振回路２０の発振信
号の周波数ｆｃが温度によって変動するのを補償するように調整する。
【００４８】
また、可変分周回路６０は、入力される分周数データＤｃを構成する分周数ＭとＮの値
によって分周比を変化させ、出力信号の周波数ｆｏを、ｆｃ×Ｎ／Ｍにして出力する。図
６に示した例では出力信号の周波数を２０ＭＨｚを基準にして０．１ＭＨｚ刻みで増減さ
せることができる。
このように、温度補償機能を有効にしたときには、発振回路２０における発振容量の値
の調整と、可変分周回路６０における分周比（逓倍数）の調整の組み合わせによって、水
晶片の温度特性に基く発振周波数の変動を補償して、常に一定周波数の出力信号を出力端
子２６に出力させることができる。
この実施形態においても、発振回路２０の振動子として、水晶片に代えて他の圧電素子
を使用することもできる。
【００４９】
次に、この発明による温度補償型発振器の第３の実施形態を図７によって説明する。図
７において、図１と同等な部分には同一の符号を付してあり、それらの説明は省略する。
この図７に示す温度補償型発振器は、その選択回路４０′が図１に示した選択回路４０
からＮＡＮＤ回路４３とインバータ４４を除いた回路であり、図１に示した温度補償型発
振器における不揮発性メモリによる選択情報記憶回路５０に代えて、所定の導電パターン
５６を用いた選択情報記憶回路５５を設けている。なお、図1における外部端子５２は設
けていない。
【００５０】
その導電パターン５６は、例えば図８に示したパッケージ本体１１内あるいは外部の初
期調整完了時に外部から操作できる部位に設けた絶縁基板上に形成される。そして、その
一端を正の電源ライン５７に接続し、他端は抵抗５８を介して接地される。その導電パタ
ーン５６と抵抗５８との接続点であるＰ点の電圧レベルを２値の選択情報として選択回路
４０′に出力し、それを図示のようにトランスミッションゲート４１，４２の各ゲートに
直接あるいはインバータ４５によって反転して印加する。
【００５１】
初期状態では選択情報記憶回路５５の導電パターン５６が導通しており、Ｐ点の電圧レ
ベルはハイ“１”であるから、選択回路４０′のトランスミッションゲート４２がＯＮに
なり、トランスミッションゲート４１はＯＦＦになっている。したがって、定電圧発生回
路５１が出力する一定電圧Ｖｋがトランスミッションゲート４２を通して発振回路２０に
供給され、発振回路２０の発振容量の値を所定容量値に固定するので、温度補償機能は無
効になる。
【００５２】
初期調整が完了した後、選択情報記憶回路５５の導電パターン５６を切断すると、Ｐ点
の電圧レベルが接地レベルすなわちロー“０”になるので、選択回路４０′のトランスミ
ッションゲート４１がＯＮになり、トランスミッションゲート４２はＯＦＦになる。した
がって、温度補償回路３０が温度検出回路１８による温度検出信号に応じて出力する制御
電圧Ｖｃが、トランスミッションゲート４１を通して発振回路２０に供給され、発振回路
２０の発振容量値を温度変化に依存して変化させる。それによって、環境温度が変動して
も発振周波数すなわち出力線２５を通して出力端子２６に出力される信号の周波数を一定
に保持するように、温度補償機能が有効に作用する。
【００５３】
前述した第１，第２の実施形態では、選択情報記憶回路５０の選択情報を“１０１”に
することによって温度補償機能を有効にしているが、これに限定するものではなく、どの
ようなデータをその選択情報として用いてもよいし、そのデータの桁数の任意である。但
し、一般に選択情報記憶回路５０を構成する不揮発性メモリ等は、初期状態でのデータが
すべて“１”またはすべて“０”になる確率が高いので、上述の選択情報としては“１１
１”や“０００”を避けて設定した方が好ましい。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明してきたように、この発明による温度補償型発振器およびその製造方法によれ
ば、パッケージ内に水晶片等の圧電素子とＩＣチップなどを実装して温度補償型発振器を
構成した状態で、その発振回路を動作させて圧電素子自体の温度特性を正確に調整するこ
とができる。また、その後の補償データの作成とそれを補償データ記憶回路に記憶させる
作業も、続けて適切に行うことができ、調整工程の簡素化と高精度化を図ることができる
。
【図面の簡単な説明】
【図１】
この発明による温度補償型発振器の第１の実施形態の構成を示すブロック回路図である
。
【図２】
その発振回路の異なる例を示す回路図である。
【図３】
同じく発振回路のさらに異なる例を示す回路図である。
【図４】
この発明による温度補償型発振器の第２の実施形態の構成を示すブロック回路図である
。
【図５】
図４における可変分周回路の一例を示すブロック図である。
【図６】
同じくその可変分周回路による分周数Ｍ，Ｎと分周比（逓倍数）および出力周波数の関
係の一例を示す図である。
【図７】
この発明による温度補償型発振器の第３の実施形態の構成を示すブロック回路図である
。
【図８】
温度補償型発振器のパッケージの一例を示す概略断面図である。
【図９】
従来の温度補償型発振器の構成例を示すブロック回路図である。
【符号の説明】
１０：パッケージ（容器） １１：パッケージ本体
１２：溶接リング １３：カバー
１５：水晶片（振動子） １６：ＩＣ（集積回路）
１７：チップ容量等の回路素子 １８：温度検出回路
１９：不揮発性メモリ ２０：発振回路
２１：インバータ ２２：帰還抵抗
２３，２４：電圧制御型可変容量 ２５：出力線
２６：出力端子 ２７：第１の容量アレイ
２８：第２の容量アレイ ３０，３０′：温度補償回路
３１：補償データ記憶回路 ３２：Ｄ／Ａ変換回路
３３：補償データ出力回路
４０，４０′：選択回路（選択手段）
４０Ａ：第１の選択回路 ４０Ｂ：第２の選択回路
４１，４２：トランスミッションゲート
４７，４８：デジタルゲート回路
５０：選択情報記憶回路 ５１：定電圧発生回路
５２：外部端子（制御情報入力端子）
５５：選択情報記憶回路 ５６：導電パターン
５７：正の電源ライン ５８：抵抗

Claims (1)

1. 請求項１記載の温度補償型発振器において、
   前記発振回路と前記出力線との間に可変分周回路を設け、
   前記選択手段は、前記温度補償回路の温度補償機能を有効状態にする場合には、該温度補償回路に前記可変分周回路の分周比を温度変化に依存して変化させるようにし、該温度補償機能を無効状態にする場合には、前記可変分周回路の分周比を所定の値に固定する手段を有することを特徴とする温度補償型発振器。

Images