CN101305514B - 温度补偿型振荡器以及其制造方法 - Google Patents
温度补偿型振荡器以及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101305514B CN101305514B CN2006800416044A CN200680041604A CN101305514B CN 101305514 B CN101305514 B CN 101305514B CN 2006800416044 A CN2006800416044 A CN 2006800416044A CN 200680041604 A CN200680041604 A CN 200680041604A CN 101305514 B CN101305514 B CN 101305514B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit
- signal
- temperature
- mentioned
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 77
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 32
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 230000008676 import Effects 0.000 claims description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 230000009471 action Effects 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 241001269238 Data Species 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/366—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
- H03B5/368—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current the means being voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
通过温度检测电路(18)检测具备电压可变电容(23、24)的振荡电路(20)附近的温度，温度补偿电路(30)根据该温度检测信号生成电压信号作为温度补偿信号，将该电压信号提供给电压可变电容(23、24)，由此使振荡电路20的振荡频率保持大致恒定。但是，当根据非TCXO模式信号将开关元件(1)设为导通时，各电压可变电容(23、24)都将两个端子设为相同电位(接地电位)而成为规定的电容，温度补偿功能无效。在这种状态下进行常温下的初始频率调整。
Description
技术领域
本发明涉及一种与周围温度的变化无关地使输出信号的频率保持大致恒定的温度补偿型振荡器，特别是涉及一种也可以将该温度补偿功能设为无效状态的温度补偿型振荡器和其制造方法。
背景技术
温度补偿型振荡器(TCXO)被使用于多种领域中，近年来多用于便携电话机等便携用移动通信设备。这种温度补偿型振荡器一般多使用如下晶体振荡器，该晶体振荡器将10MHz频带的AT切(AT cut)晶体片(振子)作为振荡源而构成振荡电路，对其设置温度补偿电路来消除AT切晶体片的三次曲线的温度特性，由此使振荡频率稳定。
对于这种温度补偿型振荡器，追求振荡输出信号的稳定性，并且追求小型轻量化和低价化。针对这些要求，已知多种类型的封装。例如，在封装中将成为振子的晶体片(压电元件)和构成温度补偿电路的集成电路同室安装的单型、将晶体片和集成电路分别封装并粘在一起的双型、隔着中央的间隔而将晶体片和集成电路分别安装在室内外的H型等。
在此，图14示出单型的表面安装用温度补偿型振荡器的封装结构例。
该温度补偿型振荡器通过封装主体11、焊接环12和罩13构成封装(容器)10，在其内部同室安装晶体片15、构成后述的振荡电路和温度补偿电路的MOS型IC(集成电路)芯片16并密封。此外，有时在封装主体11中除了IC芯片16之外也会安装芯片电 容等电路元件。
这种温度补偿型振荡器的电路结构如图15所示。振荡电路20使作为压电元件的晶体片15、反相器21和反馈电阻22并联连接，并使其两个连接点分别通过直流切割电容Cc、Cd和作为振荡电容的电压可变电容(电压控制型可变容量的电容器)23、24接地，构成反相器振荡电路。然后，从反相器21输出侧的连接点将振荡输出信号输出到输出端子26。
并且，设置有：温度检测电路18，其检测该振荡电路20中的晶体片15附近的温度状态；以及温度补偿电路30，其根据来自该温度检测电路18的温度检测信号进行控制，使振荡电路20的振荡频率保持大致恒定。
该温度补偿电路30由存储补偿数据的补偿数据存储电路(非易失性存储器)31、以及D/A转换电路32构成，该D/A转换电路32根据该补偿数据和来自温度检测电路18的温度检测信号而产生电压信号作为温度补偿信号。然后，通过设置在振荡电路20中的电阻R1、R2将该电压信号分别施加到各电压可变电容23、24的非接地侧的端子，根据该电压改变各电压可变电容23、24的容量，控制振荡电路20的振荡频率使振荡输出信号的频率保持大致恒定。
在这种温度补偿型振荡器中，由于制造上的偏差等，晶体片15以及形成在IC芯片16内的振荡电路20无法全部制作得完全相同，从而导致具有各自不同的温度-频率特性。因此，无法通过相同的基准对所有的振荡电路20进行温度补偿。因此，需要对每个振荡电路制作不同的补偿数据并存储到补偿数据存储电路31中。但是，当晶体片15的特性偏差较大时无法补偿，因此需要预先进行调整使得晶体片15的特性尽可能一致。
因此，存在如下调整方法：当调整晶体片等压电元件的特 性时，不安装构成振荡电路的IC芯片，而利用网络分析器等从外部使压电元件谐振并监视其谐振频率，去除或者添加压电元件表面的电极膜使得该频率成为期望值。
但是，这种调整方法存在如下问题：在封装中也安装有IC芯片来进行振荡动作时的振荡频率与预先调整好的谐振频率之间会产生偏差。而且调整步骤变多会花费额外的调整成本。
为了解决这种问题而提出了一种温度补偿型振荡器，在封装内安装晶体片等压电元件和IC芯片等而构成温度补偿型振荡器的状态下，能够使该振荡电路动作并正确地调整压电元件自身的温度特性，并且能够适当地继续进行其后的补偿数据的作成和将该补偿数据存储到补偿数据存储电路中的操作，实现调整过程的简化和高精确化(例如，参照专利文献1)。
该温度补偿型振荡器设置有选择单元，该选择单元选择将温度补偿电路的温度补偿功能设为有效状态还是无效状态，当调整压电元件的电极膜以使在基准温度(常温)下振荡频率成为期望的频率时，将温度补偿功能设为无效状态并作为单纯的振荡器而进行动作。
具体地说，在温度补偿电路以外还设置恒定电压产生电路和使用了2组传输门的选择电路，当将温度补偿功能设为有效状态时，将来自温度补偿电路的温度补偿信号(电压信号)施加到振荡电路的电压可变电容，根据温度来控制其容量，当将温度补偿功能设为无效状态时，切换选择电路的传输门，将来自恒定电压产生电路的恒定电压施加到上述电压可变电容，将其容量固定为规定值。
专利文献1：日本特开2003-218636号公报(第4-9页，图1)
发明内容
发明要解决的问题
然而，在这种温度补偿型振荡器中，除了设置温度补偿电路以外，还需要设置用于将温度补偿电路的温度补偿功能设为无效状态的专用的恒定电压产生电路、用于切换施加到振荡电路的电压可变电容的电压信号的选择电路。
本发明是为了解决这种问题而完成的，其共同的目的在于，不需要用于将温度补偿电路的温度补偿功能设为无效状态的专用恒定电压产生电路而可以简单地进行无效状态与有效状态的切换，能够容易且确实地进行常温下的初始频率调整，并且实现成本降低的目的。
并且，其它目的在于，可以进行更高精度的振荡频率的调整、振荡电路的电源电压的调整、与用途相应的振荡频率的变更、或者由用户进行的振荡频率的调整等，在这种情况下也能总是在相同条件下进行初始的频率调整操作。
用于解决问题的方案
本发明的温度补偿型振荡器具有：具备电压可变电容的振荡电路、检测该振荡电路附近温度的温度检测电路、以及根据该温度检测电路的信息生成电压信号作为温度补偿信号的温度补偿信号生成电路，通过对上述电压可变电容提供上述电压信号来使振荡频率保持大致恒定，该温度补偿型振荡器的特征在于，为了达到上述的目的而设置有控制单元，该控制单元将上述电压可变电容的两个端子设为相同电位。
上述控制单元能够对上述电压可变电容的两个端子都施加作为上述温度补偿信号的电压信号，由此将上述电压可变电容的两个端子设为相同电位。
或者，上述控制单元能够将上述电压可变电容的两个端子都设为接地电位，由此将上述电压可变电容的两个端子设为相 同电位。
上述电压可变电容最好具有以下特性：在两个端子电位相同的状态下电容值成为可变电容范围的大致中间值。
这些温度补偿型振荡器也可以具有存储电路，上述控制单元根据存储在该存储电路中的信息将上述电压可变电容的两个端子控制为相同电位。
上述存储电路也可以具有多个存储元件，上述控制单元在该多个存储元件的存储状态处于规定状态时、将上述电压可变电容的两个端子控制为相同电位。
在该温度补偿型振荡器中也可以具有用于将上述振荡电路的驱动电压保持恒定的恒定电压电路，该恒定电压电路在上述多个存储元件的存储状态处于上述规定的状态时、将上述驱动电压控制为规定的电压值。
在这些温度补偿型振荡器中也可以具有用于对由上述振荡电路振荡得到的信号进行分频的分频电路，该分频电路在上述多个存储元件的存储状态处于上述规定的状态时、控制为规定的分频比。
另外，在这些温度补偿型振荡器中也可以具备用于输入基于电压信号的频率控制信号的外部端子，对上述电压可变电容提供从该外部端子输入的频率控制信号或者将该频率控制信号放大得到的信号。
或者，也可以具备生成作为用于校正振荡频率在常温下的偏差的电压信号的常温频率校正信号的常温频率校正信号生成电路，将该常温频率校正信号提供到上述电压可变电容。
并且，也可以设置用于输入上述频率控制信号的外部端子、和生成常温频率校正信号的常温频率校正信号生成电路，将由上述温度补偿信号与上述频率控制信号和上述常温频率校 正信号中的一个或两个合成得到的信号作为提供给上述电压可变电容的上述电压信号。
本发明的温度补偿型振荡器的制造方法的特征在于，在上述温度补偿型振荡器的组装过程中，在将上述电压可变电容的两个端子设为相同电位来驱动上述振荡电路的状态下调整该振荡电路所具备的振子的电极厚度，由此进行常温下的上述振荡电路的振荡频率调整操作。
另外，在具有上述存储电路的温度补偿型振荡器的组装过程中，可以在常温下的上述振荡电路的振荡频率调整操作之前不进行上述存储电路的写入而使上述多个存储元件的存储状态成为上述规定的状态，在将上述电压可变电容的两个端子设为相同电位并驱动上述振荡电路的状态下调整该振荡电路所具备的振子的电极厚度，由此进行上述振荡频率调整操作。
发明的效果
本发明的温度补偿型振荡器不需要用于将温度补偿功能设为无效状态的专用的恒定电压产生电路就可以简单地切换无效状态与有效状态，在其制造过程中可以容易并且确实地进行常温下的振荡频率的初始调整操作，并且能够实现降低成本。
并且，可以进行更高精度的振荡频率的调整、振荡电路的电源电压的调整、与用途相应的振荡频率的变更、或者由用户进行的振荡频率的调整等，在这种情况下也能够总是在相同条件下进行初始的频率调整操作。
附图说明
图1是表示本发明的温度补偿型振荡器的第一实施方式的结构的方框电路图。
图2是表示本发明的温度补偿型振荡器的第二实施方式的 结构的方框电路图。
图3是表示作为在本发明中使用的电压可变电容的一例的MOS型可变电容的结构例的示意性截面图。
图4是表示该MOS型可变电容的施加电压与电容值之间的关系的特性曲线图。
图5是表示MOS型可变电容的其它结构例的示意性截面图。
图6是表示本发明的温度补偿型振荡器的第三实施方式的结构的电路图。
图7是表示本发明的温度补偿型振荡器的第四实施方式的主要部分结构的方框电路图。
图8是表示本发明的温度补偿型振荡器的第五实施方式的主要部分结构的电路图。
图9是表示本发明的温度补偿型振荡器的第六实施方式的主要部分结构的方框电路图。
图10是表示本发明的温度补偿型振荡器的第七实施方式的主要部分结构的电路图。
图11是表示本发明的温度补偿型振荡器的第八实施方式的结构的框图。
图12是图11的恒定电压电路的结构例的电路图。
图13是表示本发明的温度补偿型振荡器的第九实施方式的结构的框图。
图14是表示温度补偿型振荡器的封装结构例的概要截面图。
图15是表示现有技术的温度补偿型振荡器的结构例的方框电路图。
附图标记说明
1、2：开关元件(MOS型晶体管)；3：外部端子；4：传输门(双向模拟开关)；5：反相器；6：加法电路；7：存储电路；8：NAND电路；9A、9B：加法电路；10：封装(容器)；11：封装主体；12：焊接环；13：罩；15：晶体片(压电元件)；16：MOS型IC(集成电路)芯片；18：温度检测电路；20、20’：振荡电路；21：反相器；22：反馈电阻；26：输出端子；30：温度补偿电路；31：补偿数据存储电路；32：D/A转换电路；41：硅的p基板；42：N井；43：N+层；44：体；45：绝缘膜(SiO2)；46：金属膜；47：P+层；50：常温频率校正信号生成电路；60：恒定电压电路；61：电源线；62：接地线；63：基准电压生成部；64：放大部；65：输出FET；66：反馈电阻；67：存储电路；70：输出放大电路；80：分频电路；81：存储电路；Cc、Cd、Ce：直流切割电容(电容器)；R1、R2、R3：电阻；S1～S4：开关元件。
具体实施方式
下面根据附图具体地说明本发明的最佳实施方式。此外，在下面的各图中，对与上述图15的各部分对应的部分附加相同的附图标记，对它们简单地进行说明。
[第一实施方式：图1]
图1是表示本发明的温度补偿型振荡器的第一实施方式的结构的方框电路图。
该图1所示的温度补偿型振荡器与图15示出的现有技术同样地设置有：振荡电路20，其将晶体片15、反相器21和反馈电阻22并联连接，将其两个连接点分别通过直流切割电容(电容器)Cc、Cd和作为振荡电容的电压可变电容23、24而接地(Gnd)连接；温度检测电路18，其通过热敏电阻等检测该晶体片15附 近的温度状态；以及温度补偿电路30，其根据来自该温度检测电路18的温度检测信号进行控制，使振荡电路20的振荡频率保持大致恒定。
该温度补偿电路30与图15示出的现有技术同样地具有补偿数据存储电路(非易失性存储器)、以及D/A转换电路，该D/A转换电路根据该补偿数据和来自温度检测电路18的温度检测信号来产生温度补偿信号(电压信号)。然后，从振荡电路20的频率控制信号输入点a通过电阻R1、R2将该电压信号分别施加并提供到各电压可变电容23、24的非接地侧的端子，根据该电压而改变各电压可变电容23、24的电容值。由此，控制振荡电路20的振荡频率，使输出到输出端子26的振荡输出信号的频率保持大致恒定。
本发明的温度补偿型振荡器设置有使各电压可变电容23、24的两个端子成为相同电位的控制单元，在该图1所示的第一实施方式中，作为该控制单元而设置有MOS型晶体管构成的开关元件1，将该源极端子和漏极端子分别连接到频率控制信号输入点a和接地(Gnd)，对栅极端子输入非TCXO模式信号(使温度补偿电路30的温度补偿功能无效的信号)。
然后，当非TCXO模式信号为高电平时，开关元件1成为导通状态(ON)，频率控制信号输入点a接地，因此电压可变电容23、24的两个端子都成为与接地电位相同的电位。由此，电压可变电容23、24都没有偏差地成为规定的电容值，将其作为振荡电容，振荡电路20以接近规定值的频率进行振荡，但是该振荡频率会随着周围温度而发生一些变化。该状态称为非TCXO模式。
可以在常温(通常室温：25℃)下使振荡电路20在该非TCXO模式下进行动作，调整晶体片15的电极膜的厚度来正确地调整 温度特性以达到规定的振荡频率，并且能够接下来容易地进行以下操作：在其后逐步改变周围温度来作成补偿数据，并将其存储到温度补偿电路30的补偿数据存储电路中。在后面详细说明该频率调整操作。
当非TCXO模式信号为低电平时，开关元件1成为非导通状态(OFF)，频率控制信号输入点a不接地，如上所述，将来自温度补偿电路30的温度补偿信号(电压信号)通过电阻R1、R2提供给各电压可变电容23、24，进行控制使得即使周围温度发生变化振荡电路20的振荡频率也大致恒定。该状态称为TCXO模式。
非TCXO模式信号也可以从外部输入，或者在内部设置如后所述的存储电路、在其存储状态处于规定状态时产生(成为高电平)。
此外，在开关元件1的栅极端子是在低电平时为ON的类型的情况下，在非TCXO模式信号为低电平时成为非TCXO模式，在非TCXO模式信号为高电平时成为TCXO模式。
在下面的各实施方式中，在各开关元件、传输门是在低电平“0”时为ON的类型的情况下，在非TCXO模式信号为低电平“0”时成为非TCXO模式，为高电平“1”时成为TCXO模式。
[第二实施方式：图2]
图2是表示本发明的温度补偿型振荡器的第二实施方式的结构的方框电路图。
该第二实施方式的温度补偿型振荡器的振荡电路20’的结构与上述第一实施方式的振荡电路20有一些不同，将电压可变电容23、24的共用连接端子通过直流切割电容(电容器)Ce来接地。然后，在该直流切割电容Ce的两个端子上连接与开关元件1相同的开关元件2的源极端子和漏极端子，并对其栅极端子施加通过反相器5反转非TCXO模式信号而得到的信号。
在该第二实施方式中，当非TCXO模式信号为高电平时，开关元件1成为导通状态(ON)，开关元件2成为非导通(OFF)状态，因此对电压可变电容23、24的两个端子都施加作为温度补偿信号的电压信号，两个端子成为相同电位。由此，电压可变电容23、24都成为规定的电容值，振荡电路20’成为将其作为振荡电容而以接近规定值的频率进行振荡的非TCXO模式。
当非TCXO模式信号为低电平时，开关元件1成为非导通状态(OFF)，开关元件2成为导通状态(ON)，因此成为与上述的第一实施方式中非TCXO模式信号为低电平时相同的状态，将作为来自温度补偿电路30的温度补偿信号的电压信号通过电阻R1、R2提供给各电压可变电容23、24，成为控制为即使周围温度发生变化振荡电路20’的振荡频率也大致恒定的TCXO模式。
因此，在该第二实施方式中构成如下控制单元，该控制单元通过由非TCXO模式信号进行控制的开关元件1、2和反相器5将电压可变电容23、24的两个端子设为相同电位。
[电压可变电容的具体例：图3～图5]
在此，说明在本发明中使用的电压可变电容23、24的具体例。
图3是表示作为该电压可变电容的一例的MOS型可变电容的结构例的示意性截面图。
该MOS型可变电容在硅的P基板41上形成N井42，在其表面附近环状地形成有N+层43。并且，在该N+层43的内周部覆盖形成SiO2构成的圆形或者方形的绝缘膜45，在其上形成圆形或者方形的金属膜(铝等)46来连接端子G(栅极端子)。另外，在N+层43上连接有端子B(体端子)。并且，由隔着绝缘膜45的体44和金属膜46来构成电容(电容器)，根据施加在端子G与端子B之间的电压Vg-Vb来改变其电容值。
图4是表示该MOS型可变电容的施加电压(Vg-Vb)与电容值之间的关系的特性曲线图。如该特性曲线所示，当端子G-B之间的施加电压(Vg-Vb)为0V、即MOS型可变电容的端子G与端子B为相同电位时，其电容值为可变幅度的大致中间(中点)的值的情况较多。如果将这种特性的MOS型可变电容用作上述各实施方式中的电压可变电容23、24，则能够均等地得到较大的增减电容值的调整幅度，通过在该中间电容值的振荡状态下进行常温下的非TCXO模式下的频率调整，其后的TCXO模式下的基于温度补偿信号的控制变得容易。
另外，该MOS型可变电容通过绝缘膜45与N井42从端子G与端子B分别接地的P基板41绝缘，可以对各端子施加任意的电压信号，因此适用于用作上述的第二实施方式、后述的第三～第六实施方式中的电压可变电容23、24。
图5是表示MOS型可变电容的其它结构例的示意性截面图。该MOS型可变电容省略图3示出的MOS型可变电容中的N井42，代替N+层43在P基板41的表面附近直接形成环状的P+层47，将端子B连接到该P+层47上。
其中，该MOS型可变电容由于端子B与P基板41一同接地，因此适用于用作上述第一实施方式、后述的第七实施方式中的电压可变电容23、24。
此外，本发明的温度补偿型振荡器的振荡电路中的电压可变电容不限于这种MOS型可变电容，也可以使用可变容量二极管等。
[第三实施方式：图6]
图6是表示本发明的温度补偿型振荡器的第三实施方式的结构的电路图。
该第三实施方式的温度补偿型振荡器将图2示出的第二实 施方式中的开关元件1连接在振荡电路20’的频率控制信号输入点a与接地(Gnd)之间，将开关元件2连接在从电压可变电容23、24的共用连接端子通过电阻R3连接的另一个频率控制信号输入点b与接地之间，直接对其栅极端子施加非TCXO模式信号。并且，对频率控制信号输入点b施加从外部端子3输入的外部输入频率控制信号(电压信号)。在该外部输入频率控制信号较小的情况下，也可以通过未图示的放大电路放大后输入到频率控制信号输入点b。
该温度补偿型振荡器在非TCXO模式信号为高电平时，开关元件1、2都成为导通状态(ON)，因此频率控制信号输入点a和b都成为接地电位，因此电压可变电容23、24的两个端子也通过接地电位成为相同电位，振荡电路20’在与第一实施方式中的振荡电路20在非TCXO模式下的情况相同的状态下进行振荡。
当非TCXO模式信号成为低电平时，开关元件1、2都成为非导通状态(OFF)，因此分别对频率控制信号输入点a施加温度补偿信号，对频率控制信号输入点b施加外部输入频率控制信号，对各电压可变电容23、24的两个端子之间施加其差电压。因此，各电压可变电容23、24成为与该差电压相应的电容值，从而根据温度补偿信号和外部输入频率控制信号来控制振荡电路20’的振荡频率。
外部输入频率控制信号由用户从外部输入，能够任意地改换振荡电路20’的振荡频率的规定值。如果将温度补偿信号的补偿值为零时的电压和外部输入频率控制信号在非控制时的电压分别设为振荡电路20’的电源电压Vdd与接地电位之间的中间(中点)电位，则两个信号的控制范围能够取得较大范围，当两个信号的电位相同时，各电压可变电容23、24的两个端子也成为相同电位，成为与非TCXO模式的状态相同的状态。
也能够检测振荡电路20’的实际的振荡频率，根据与期望频率之间的误差来对外部输入频率控制信号进行反馈控制。
[第四实施方式：图7]
图7是表示本发明的温度补偿型振荡器的第四实施方式的主要部分的结构的方框电路图。
该第四实施方式的温度补偿型振荡器将作为双向模拟开关的传输门4连接在与上述第三实施方式相同的振荡电路20’的两个频率控制信号输入点a和b之间，对其正逻辑栅极端子原样施加非TCXO模式信号，对负逻辑栅极端子施加利用反相器5将非TCXO模式信号反转得到的信号。然后，对频率控制信号输入点a输入由温度补偿电路30输出的温度补偿信号，对频率控制信号输入点b输入由常温频率校正信号生成电路50生成的常温频率校正信号(电压信号)。
该温度补偿型振荡器在非TCXO模式信号为高电平时，传输门4成为导通状态(ON)，频率控制信号输入点a和b短路，因此温度补偿信号和常温频率校正信号成为相同电位，振荡电路20’的电压可变电容23、24的两个端子也成为相同电位。因此，振荡电路20’在与图2示出的第二实施方式2中的非TCXO模式的情况相同的状态下进行振荡。
当非TCXO模式信号为低电平时，传输门4成为非导通状态(OFF)，因此，分别对频率控制信号输入点a施加温度补偿信号，对频率控制信号输入点b施加常温频率校正信号，对各电压可变电容23、24的两个端子之间施加其差电压。因此，各电压可变电容23、24成为与该差电压相应的电容值，根据温度补偿信号和常温频率校正信号来控制振荡电路20’的振荡频率。
在需要高精度地进行调整以使振荡电路20’的振荡频率与标称值(13MHZ、19.2MHz等)严密吻合的情况下，仅进行晶体 片15的电极的膜厚调整已无法满足，因此为了在上述初始调整后进一步校正常温下相对于标称值的偏差而使用该常温频率校正信号。在这种情况下如果将温度补偿信号的补偿值为零时的电压和常温频率校正信号在非校正时的电压分别设为振荡电路20’的电源电压Vdd与接地电位之间的中间(中点)电位，则也能够将两个信号的校正范围取得较大范围，当两个信号的电位相同时各电压可变电容23、24的两个端子也成为相同电位，成为与非TCXO模式的状态相同的状态。
[第五实施方式：图8]
图8是表示本发明的温度补偿型振荡器的第五实施方式的主要部分的结构的电路图。
该第五实施方式的温度补偿型振荡器的结构与上述的第三实施方式(图6)大致相同，但是，对频率控制信号输入点b输入将从外部端子3输入的外部输入频率控制信号(也可以是将其放大得到的信号)、和由上述第四实施方式示出的常温频率校正信号生成电路50生成的常温频率校正信号通过加法电路6合成得到的信号。
在非TCXO模式信号为高电平时，该温度补偿型振荡器的动作与上述第三实施方式的非TCXO模式的动作相同。
非TCXO模式信号为低电平时，开关元件1、2都成为非导通状态(OFF)，因此分别对频率控制信号输入点a施加温度补偿信号，对频率控制信号输入点b施加外部输入频率控制信号和常温频率校正信号的合成信号，对各电压可变电容23、24的两个端子之间施加其差电压。因此，各电压可变电容23、24成为与该差电压相应的电容值，根据温度补偿信号和外部输入频率控制信号以及常温频率校正信号来控制振荡电路20’的振荡频率。
根据该实施方式，能够进行基于常温频率校正信号的常温 下的规定频率的偏差的校正、使用时的基于温度补偿以及外部输入频率控制信号的振荡频率的改换。
[第六实施方式：图9]
图9是表示本发明的温度补偿型振荡器的第六实施方式的主要部分的结构的方框电路图。
该第六实施方式的温度补偿型振荡器的结构与上述第五实施方式(图8)大致相同，但是对频率控制信号输入点b输入频率控制信号。该频率控制信号可以是上述的外部输入频率控制信号或者常温频率校正信号、或者这些以外的用于控制频率的电压信号、将它们两个以上合成得到的信号中的任意一种。
另外，为了产生非TCXO模式信号而设置存储电路7和3输入的(中央的输入端子为负逻辑)的NAND电路8，将该NAND电路8的输出作为非TCXO模式信号施加到开关元件1、2的各栅极。
存储电路7具有多个(本例中为3个)存储元件，在其存储状态为“101”以外的状态时，NAND电路8的输出为“1”，开关元件1、2都成为导通状态(ON)。
因此，频率控制信号输入点a和b都接地而成为相同电位，振荡电路20’的电压可变电容23、24的两个端子也成为相同电位。因此，振荡电路20’在与图8示出的第五实施方式中的非TCXO模式下的情况相同的状态下进行振荡。
在没有对存储电路7进行任何写入的初始状态下，通常多个存储元件成为全部为“0”或者全部为“1”的状态，将这种存储状态设为“规定的状态”，在存储电路7的多个存储元件的存储状态处于“规定的状态”时，进行控制将电压可变电容23、24的两个端子设为相同电位。
当存储电路7的多个存储元件的存储状态成为“101”时， NAND电路8的输出为“0”，开关元件1、2都成为非导通状态(OFF)，因此分别对频率控制信号输入点a施加温度补偿信号，对频率控制信号输入点b施加上述频率控制信号，对各电压可变电容23、24的两个端子之间施加其差电压。因此，各电压可变电容23、24成为与该差电压相应的电容值，根据温度补偿信号和上述频率控制信号来控制振荡电路20’的振荡频率。
也可以将该实施方式中的存储电路7、以及3输入的NAND电路8应用于产生此前说明的各实施方式的非TCXO模式信号。
另外，通过用3输入(中央输入端子为负逻辑)的AND电路来代替NAND电路8，仅在存储电路7的多个存储元件的存储状态为“101”时AND电路的输出、即非TCXO模式信号为“1”，使开关元件1、2都成为导通状态(ON)，能够将电压可变电容23、24的两个端子控制为相同电位。在这种情况下，存储电路7的多个存储元件的存储状态为“101”时是“规定的状态”。
该“规定的状态”不限于这些示例，能够以任意的位数设定为“1”和“0”的任意组合。
[第七实施方式：图10]
图10是表示本发明的温度补偿型振荡器的第七实施方式的主要部分的结构的电路图。
该第七实施方式的温度补偿型振荡器的结构与上述的第一实施方式(图1)大致相同，但是，对频率控制信号输入点a输入将温度补偿信号、常温频率校正信号和外部输入频率控制信号通过加法电路9A、9B合成而得到的电压信号。由此，在非TCXO模式信号为低电平“0”的TCXO模式下，能够通过温度补偿信号、常温频率校正信号和外部输入频率控制信号中的任意一个来控制振荡电路20的振荡频率。
此外，对频率控制信号输入点a的输入也可以设为将温度补 偿信号与常温频率校正信号或者外部输入频率控制信号中的任一个合成得到的电压信号。
[第八实施方式：图11和图12]
图11是表示本发明的温度补偿型振荡器的第八实施方式的结构的框图。该温度补偿型振荡器具备振荡电路20(或者20’，下面用20来代表)、恒定电压电路60以及输出放大电路70。输出放大电路70是将振荡电路20的振荡输出信号放大并输出的电路，恒定电压电路60是用于将振荡电路20和输出放大电路70的驱动电压保持恒定的电路。
此外，在该图11中省略了振荡电路20的内部电路、以及温度补偿信号和其它频率控制信号的输入点、根据非TCXO模式信号将电压控制电容的两个端子设为相同电位的控制单元等的图示，但是它们可以使用上述任一实施方式的结构。
恒定电压电路60例如如图12所示那样构成，在施加电源电压Vdd的电源线61与接地的接地线62之间，设置并连接有由4个FET和1个电阻构成的基准电压生成部63、由4个FET构成的放大部64和由输出FET65与反馈电阻66形成的串联电路。
在反馈电阻66中，在中间四个位置设置接头，从该各接头分别通过开关元件S1～S4中的某一个连接到有放大部64的反馈用FET的栅极。根据存储电路67的4位输出的各位的状态(“0”或“1”)来控制该开关元件S1～S4的导通/截止。
基准电压生成部63生成电源电压Vdd与接地电位之间的基准电压，用放大部64对其进行反馈放大，从输出FET65与反馈电阻66之间的连接点输出恒定电压，提供给振荡电路20和输出放大电路70。
对存储电路67输入恒定电压切换信号和上述的非TCXO模式信号，当非TCXO模式信号为“0”时，能够根据恒定电压切换 信号来选择存储电路67的多个存储数据或者改写存储数据。由此，能够根据存储电路67的输出数据选择性地将开关元件S1～S4的任一个设为导通状态，将反馈电压控制为4个等级，将输出的恒定电压切换为4种。
当非TCXO模式信号为“1”时，选择存储电路67的多个存储数据中预先决定的存储数据或者改写为预先决定的该存储数据。由此，根据存储电路67的输出数据仅将开关元件S1～S4中的规定的开关元件设为导通状态，将使反馈电压成为规定等级并使输出的恒定电压控制为规定的电压值。
在通过由图9示出的存储电路7和NAND电路8来生成非TCXO模式信号的情况下，当存储电路7的多个存储元件的存储状态处于规定的状态时，非TCXO模式信号成为“1”，将恒定电压电路60所输出的恒定电压、即振荡电路20的驱动电压控制为规定的电压值。
根据该实施方式，能够选择多个恒定电压来驱动振荡电路20以及输出放大电路70，但是在常温下对振荡电路20的振荡频率进行初始调整的非TCXO模式时，能够总是通过规定的驱动电压使振荡电路20以及输出放大电路70进行动作，能够总是在相同的驱动条件下进行初始调整。
这种规定的驱动电压最好设为恒定电压电路60所能够输出各种电压不同的多个恒定电压中尽可能接近中央值的电压的恒定电压。
[第九实施方式：图13]
图13是表示本发明的温度补偿型振荡器的第九实施方式的结构的框图。该温度补偿型振荡器具备振荡电路20(或者20’，下面用20代表)、分频电路80和存储电路81、以及输出放大电路70。
然后，根据需要通过分频电路80对振荡电路20的振荡输出信号进行分频，通过输出放大电路70进行放大并输出。
此外，在该图13中也省略了振荡电路20的内部电路、以及温度补偿信号和其它频率控制信号的输入点、根据非TCXO模式信号将电压控制电容的两个端子设为相同电位的控制单元等的图示，但是它们可以使用上述任一实施方式的结构。并且，也可以设置与上述的第八实施方式相同的恒定电压电路60。
分频电路80为公知的可变分频电路，根据从存储电路81输出的多位(在本例中4位)数据控制为规定的分频比(例如，1.00、0.50等)。对该存储电路81输入分频比选择信号和上述非TCXO模式信号，当非TCXO模式信号为“0”时能够根据分频比选择信号来选择存储电路81的多个存储数据或者改写存储数据。由此，能够根据存储电路81的输出数据将分频电路80的分频比设为多个不同的分频比中的任一个。
当非TCXO模式信号为“1”时，选择存储电路81的多个存储数据中预先决定的存储数据或者改写为预先决定的该存储数据。由此，根据存储电路81的输出数据将分频电路80的分频比控制为规定的分频比。
在通过由图9示出的存储电路7和NAND电路8生成非TCXO模式信号的情况下，当存储电路7的多个存储元件的存储状态处于规定状态时，非TCXO模式信号成为“1”，将分频电路80控制为规定的分频比。
根据该实施方式，能够通过分频电路80用期望的分频比对振荡电路20所输出的振荡输出信号进行分频，然后通过输出放大电路70对其进行放大并输出。但是，在常温下对振荡电路20的振荡频率进行初始调整的非TCXO模式时，使分频电路80总是以规定的分频比进行动作，能够总是在相同的驱动条件下进 行初始调整。
该规定的分频比例如设定为1(不分频)。
[温度补偿型振荡器的制造方法的实施方式]
关于本申请技术方案的上述的各实施方式的温度补偿型振荡器，可以在将晶体片15以及构成振荡电路20(或者20’，下面用20代表)和温度补偿电路30等的IC芯片等安装在封装内来完成温度补偿型振荡器的状态下，使该振荡电路20动作来进行其组装过程中的作为振荡电路20的振子的晶体片的初始调整、以及作成温度补偿数据并存储的调整操作。
在初始调整时，将非TCXO模式信号设为高电平“1”。在通过由图9示出的存储电路7和NAND电路8来生成非TCXO模式信号的情况下，在通过将存储电路7的多个存储元件的存储状态设为“101”以外的规定状态来使振荡电路20内的电压可变电容的两个端子设为相同电位、使温度补偿功能无效的状态下，使振荡电路20以规定的振荡电容进行振荡动作。将其它的常温频率校正信号、外部输入频率控制信号等的频率控制信号也设为无效。
在具有使振荡电路20的驱动电压恒定的恒定电压电路60的情况下，控制恒定电压电路60来以规定的恒定电压驱动振荡电路20。在具有对由振荡电路20进行振荡的信号进行分频的分频电路80的情况下，控制该分频电路80以规定的分频比进行动作。
由此，能够总是以相同的条件进行上述调整操作。
如果在该振荡频率的调整操作之前对存储电路7不进行任何写入，则通常存储电路7的各存储元件成为全部为“0”或者全部为“1”的状态，成为“101”以外的规定的状态。
该调整操作的步骤如下。参照作为在现有技术的说明中使 用的单型封装结构例的图14来进行说明。
步骤1
在封装主体11内安装构成振荡电路20以及在上述各实施方式中示出的各电路的IC芯片16，然后安装作为振子的晶体片15。
步骤2
将封装主体11保持为基准温度(通常室温：25℃)，如上所述，将振荡电路20内的电压可变电容的两个端子设为相同电位来使温度补偿功能无效而作为单纯的振荡器进行动作，并进行如下调整：一边利用频率计数器等监视其振荡频率，一边去除或者增加晶体片15的表面的电极膜来达到期望的振荡频率f0。
步骤3
通过焊接环12在封装主体11上安装罩13来将晶体片15气密密封。
步骤4
将图9示出的存储电路7的各存储元件的存储状态设为规定状态以外的“101”来使温度补偿功能有效之后，将封装10暴露于多种温度下，在该各温度状态下测量振荡频率，测量与期望的振荡频率f0之差。
步骤5
根据该测量值作成温度补偿数据，将其写入IC芯片16的补偿数据存储电路(非易失性存储器)。
因此，能够一边使振荡电路与实际使用状态相同地进行振荡，一边不受温度补偿电路的影响而正确地调整晶体片的温度特性，并且还能够继续适当地进行其后的补偿数据的作成和将其存储到补偿数据存储电路中的操作。因此，能够实现温度补偿型振荡器的调整过程的简化和高精度化。
为了使常温下的振荡频率与标称值更加严密吻合，仅调整 晶体片15的电极的膜厚还不够，因此将封装10保持基准温度(常温)，一边利用频率计数器等监视振荡电路20的振荡频率，一边改变常温频率校正信号来进行微调整，使得该振荡频率与标称值一致。
在步骤2中，关于将封装主体11保持为基准温度(通常室温：25℃)，最好将封装主体11放入恒温槽来进行调整操作。
在步骤4中，关于将封装10暴露于多种温度状态中，依次改变恒温槽的设定温度、或者将封装10依次收纳在设定为不同温度的多个恒温槽内即可。其测量温度范围是该振荡器的动作保证温度范围，例如设为-40℃～+100℃之间的适宜的点(例如，11个点左右)。
预先在晶体片15的表面上蒸镀银等的金属膜，形成使谐振频率比基准频率略低的膜厚(略厚)，使用离子枪在该晶体片15表面的电极膜上照射离子束或者进行溅射蚀刻，一点点地减少电极膜的质量，由此进行晶体片15的基准频率的调整。
或者，与此相反，将金属膜的膜厚形成为使谐振频率比基准频率略高的膜厚(略薄)，通过在该晶体片15的表面的电极膜上进一步蒸镀银等金属，一点点地增加电极膜的质量，由此进行晶体片15的基准频率的调整。
此外，作为振荡电路的振子而使用其它压电元件来代替晶体片的情况也相同。
将AT切晶体片作为振子的振荡电路的振荡频率的温度特性大致为3次曲线，因此即使调整为在基准温度下振荡频率成为期望的频率f0，当环境温度发生变化时振荡频率也会偏离。因此，在动作保证温度范围的下限至上限之间实际地改变温度，在该各温度状态(测量点)下测量输入到振荡电路的实际的振荡频率即输出到输出端子26的振荡输出信号的频率，测量与期望 的振荡频率f0之间的差。
然后，算出通过温度补偿电路30产生用于使其差为0的温度补偿信号(电压信号)所需的温度补偿数据，与温度数据对应地写入与图15示出的现有技术同样地具有的补偿数据存储电路(非易失性存储器)31中。
此外，测量点越多就能够作成精度越高的温度补偿数据，但是测量时间会变长，因此可以根据适当数量(例如，11个点左右)的温度状态下的测量结果估计该振荡电路的温度特性的3次曲线，进行插值来作成相对于各测量点之间的温度的温度补偿数据并将其写入补偿数据存储电路即可。
在上述第六实施方式(图9)中，根据存储在存储电路7中的信息来生成非TCXO模式信号，将振荡电路20’的电压可变电容23、24的两个端子设为相同电位来使温度补偿功能无效。然后，例如当存储电路7的多个存储元件的存储状态为“101”时，使非TCXO模式信号为“0”来使温度补偿功能有效，但是不限于此，存储元件的存储状态在哪种状态时都可以设为TCXO模式并使温度补偿功能设为有效或者无效。该存储数据的位数也是任意的。
但是，通常，非易失性存储器等在初始状态下的数据全部为“1”或者全部为“0”的概率较高，因此最好在“111”、“000”的情况下将非TCXO模式信号设为“1”并将温度补偿功能设为无效，当写入除此以外的特定数据时非TCXO模式信号成为“0”并将温度补偿功能设为有效。
但是，也可以在对存储电路7写入“101”那样的特定数据时的存储元件的存储状态下，设为非TCXO模式并将温度补偿功能设为无效，在对存储电路7写入“101”那样的特定数据以外的数据或者消除特定数据时，设为TCXO模式并将温度补偿功能 设为有效。
产业上的可利用性
本发明的温度补偿型振荡器以及其制造方法能够应用于各种温度补偿型振荡器以及其制造中，特别是对在多用于便携电话机等便携型移动通信设备的、将AT切晶体片作为振子而使用的超小型温度补偿型振荡器的高精度化、多样化和其制造过程中的常温下的振荡频率的初始调整操作的效率化非常有效。
Claims (13)
1.一种温度补偿型振荡器，具有具备两个电压可变电容的振荡电路、检测该振荡电路附近的温度的温度检测电路、以及根据该温度检测电路的信息生成电压信号作为温度补偿信号的温度补偿信号生成电路，上述电压信号分别经由电阻施加到各上述电压可变电容的非接地侧的端子，通过对上述电压可变电容提供上述电压信号来使上述振荡电路的振荡频率保持大致恒定，该温度补偿型振荡器的特征在于，
设置有控制单元，当输入有使温度补偿功能无效的信号时该控制单元将各上述电压可变电容的两个端子设为相同电位。
2.根据权利要求1所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，
上述控制单元对各上述电压可变电容的两个端子都施加作为上述温度补偿信号的电压信号以将各上述电压可变电容的两个端子设为相同电位。
3.根据权利要求1所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，
上述控制单元将各上述电压可变电容的两个端子都设为接地电位以将各上述电压可变电容的两个端子设为相同电位。
4.根据权利要求1至3的任一项所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，
上述电压可变电容具有以下特性：在各上述电压可变电容的两个端子为相同电位的状态下电容值成为可变电容范围的大致中间的值。
5.根据权利要求1至3的任一项所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，
具有存储电路以及根据存储在该存储电路中的信息输出使上述温度补偿功能无效的信号并使该信号输入上述控制单元的逻辑电路。
6.根据权利要求5所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，
上述存储电路具有多个存储元件，
当该多个存储元件的存储状态处于规定的状态时，上述逻辑电路输出使上述温度补偿功能无效的信号，上述控制单元在被输入该信号时将各上述电压可变电容的两个端子设为相同电位。
7.根据权利要求6所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，
具有用于使上述振荡电路的驱动电压保持恒定的恒定电压电路，
当输入有使温度补偿功能无效的信号时，该恒定电压电路进行将上述驱动电压设为规定的电压值的控制。
8.根据权利要求6所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，
具有分频电路，该分频电路用于对通过上述振荡电路振荡得到的信号进行分频，
当输入有使温度补偿功能无效的信号时，该分频电路进行控制成为规定的分频比。
9.根据权利要求1至3的任一项所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，
具备用于输入基于电压信号的频率控制信号的外部端子，从该外部端子输入的频率控制信号或者对该频率控制信号进行放大得到的信号也被提供到各上述电压可变电容。
10.根据权利要求1至3的任一项所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，
具有生成作为用于校正振荡频率在常温下的偏差的电压信号的常温频率校正信号的常温频率校正信号生成电路，将上述常温频率校正信号也提供到各上述电压可变电容。
11.根据权利要求1至3的任一项所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，具有：
外部端子，其用于输入基于电压信号的频率控制信号；以及
常温频率校正信号生成电路，其生成作为用于校正振荡频率在常温下的偏差的电压信号的常温频率校正信号，
提供到上述电压可变电容的电压信号是将上述温度补偿信号与上述频率控制信号和上述常温频率校正信号中的一个或者两个合成得到的信号。
12.一种温度补偿型振荡器的制造方法，该温度补偿型振荡器具有：具备两个电压可变电容的振荡电路、检测该振荡电路附近的温度的温度检测电路、以及根据该温度检测电路的信息生成电压信号作为温度补偿信号的温度补偿信号生成电路，上述电压信号分别经由电阻施加到各上述电压可变电容的非接地侧的端子，通过对上述电压可变电容提供上述电压信号来使上述振荡电路的振荡频率保持大致恒定，其特征在于，
在该温度补偿型振荡器的组装过程中，在将各上述电压可变电容的两个端子设为相同电位来驱动上述振荡电路的状态下调整该振荡电路所具备的振子的电极的厚度，由此来进行常温下的上述振荡电路的振荡频率调整操作。
13.一种温度补偿型振荡器的制造方法，该温度补偿型振荡器具有：具备两个电压可变电容的振荡电路、检测该振荡电路附近的温度的温度检测电路、根据该温度检测电路的信息作为温度补偿信号而生成电压信号的温度补偿信号生成电路、存储电路以及逻辑电路，上述电压信号分别经由电阻施加到各上述电压可变电容的非接地侧的端子，该温度补偿型振荡器通过对上述电压可变电容提供上述电压信号，来使上述振荡电路的振荡频率保持大致恒定，其特征在于，
在该温度补偿型振荡器的组装过程中，在常温下的上述振 荡电路的振荡频率调整操作之前不进行上述存储电路写入而使该存储电路的存储状态成为规定的状态，由此上述逻辑电路输出使温度补偿功能无效的信号，由此在将各上述电压可变电容的两个端子设为相同电位驱动上述振荡电路的状态下，调整该振荡电路具备的振子的电极的厚度，由此进行上述振荡频率调整操作。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP322523/2005 | 2005-11-07 | ||
| JP2005322523 | 2005-11-07 | ||
| PCT/JP2006/322085 WO2007052788A1 (ja) | 2005-11-07 | 2006-11-06 | 温度補償型発振器およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101305514A CN101305514A (zh) | 2008-11-12 |
| CN101305514B true CN101305514B (zh) | 2011-09-28 |
Family
ID=38005939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2006800416044A Expired - Fee Related CN101305514B (zh) | 2005-11-07 | 2006-11-06 | 温度补偿型振荡器以及其制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7728685B2 (zh) |
| JP (1) | JP4949265B2 (zh) |
| CN (1) | CN101305514B (zh) |
| WO (1) | WO2007052788A1 (zh) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8024145B2 (en) * | 2008-02-01 | 2011-09-20 | Broadcom Corporation | Method and system for signal generation via a temperature sensing crystal integrated circuit |
| JP2011109227A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器 |
| US8766736B2 (en) * | 2010-02-01 | 2014-07-01 | Tacettin Isik | Methods of frequency versus temperature compensation of existing crystal oscillators |
| CN102332891A (zh) * | 2010-07-14 | 2012-01-25 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 具有可调频功能的晶振电路 |
| US8884718B2 (en) * | 2011-08-09 | 2014-11-11 | Si-Ware Systems | Method and apparatus to control the LC tank temperature null characteristic in a highly stable LC oscillator |
| DE102013200353A1 (de) * | 2012-02-03 | 2013-09-05 | Agilent Technologies Inc. | Ladungskorrektur für einen piezoelektrischen Aktuator |
| WO2014058328A1 (en) * | 2012-10-08 | 2014-04-17 | Rakon Limited | A multi-function frequency control device |
| CN103248358A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-08-14 | 上海贝岭股份有限公司 | 实时时钟补偿装置及方法 |
| JP2015088931A (ja) | 2013-10-30 | 2015-05-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、発振器、発振器の製造方法、電子機器及び移動体 |
| JP2015088876A (ja) | 2013-10-30 | 2015-05-07 | セイコーエプソン株式会社 | 振動素子、振動子、電子デバイス、電子機器及び移動体 |
| JP6206664B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、発振器、発振器の製造方法、電子機器及び移動体 |
| JP2015088930A (ja) | 2013-10-30 | 2015-05-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、発振器、発振器の製造方法、電子機器及び移動体 |
| JP6226127B2 (ja) | 2013-10-30 | 2017-11-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、発振器、発振器の製造方法、電子機器及び移動体 |
| JP2016072790A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | ソニー株式会社 | 伝送装置、伝送方法、及び、フィルタ回路 |
| JP6728598B2 (ja) | 2015-08-28 | 2020-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、電子機器及び移動体 |
| JP6686329B2 (ja) * | 2015-08-28 | 2020-04-22 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、電子機器及び移動体 |
| JP6728652B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2020-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、発振器、電子機器、移動体及び発振器の製造方法 |
| EP3200347B1 (en) * | 2016-01-28 | 2019-11-13 | Nxp B.V. | Temperature-compensated oscillator |
| CN106124797B (zh) * | 2016-06-13 | 2020-02-14 | 安徽容知日新科技股份有限公司 | 振荡器的漂移补偿装置、方法及转速传感器 |
| JP6834579B2 (ja) * | 2017-02-23 | 2021-02-24 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、発振器、電子機器、移動体及び回路装置の製造方法 |
| JP6877252B2 (ja) * | 2017-06-12 | 2021-05-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその制御方法 |
| JP2019097014A (ja) * | 2017-11-22 | 2019-06-20 | セイコーエプソン株式会社 | 温度補償型水晶発振器及びそれを用いた電子機器 |
| KR20200096521A (ko) * | 2017-12-06 | 2020-08-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP7039986B2 (ja) * | 2017-12-15 | 2022-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
| US10823693B2 (en) * | 2018-01-04 | 2020-11-03 | Silicon Laboratories Inc. | System, apparatus and method for accurate measurement of off-chip temperature |
| JP7151085B2 (ja) * | 2018-01-26 | 2022-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 集積回路装置、発振器、電子機器及び移動体 |
| JP7069968B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-05-18 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置並びにそれを用いた物理量測定装置、発振器、電子機器及び移動体 |
| CN112054768B (zh) * | 2020-09-02 | 2023-10-27 | 重庆西南集成电路设计有限责任公司 | 一种带振荡频率温度补偿的低相噪压控振荡器电路 |
| CN112235219B (zh) * | 2020-10-14 | 2023-02-10 | 紫光展锐(重庆)科技有限公司 | 定时同步检测方法及装置 |
| CN114826155B (zh) * | 2022-05-05 | 2022-12-30 | 深圳市金科泰通信设备有限公司 | 一种温度补偿方法、系统及终端设备 |
| US20230396215A1 (en) * | 2022-06-01 | 2023-12-07 | Mediatek Inc. | Reconfigurable crystal oscillator and method for reconfiguring crystal oscillator |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1618166A (zh) * | 2002-01-21 | 2005-05-18 | 西铁城时计株式会社 | 温度补偿型振荡器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151957A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電発振器 |
| JP2004147180A (ja) * | 2002-10-25 | 2004-05-20 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 温度補償水晶発振器 |
| JPWO2005020427A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2006-10-19 | 株式会社村田製作所 | 温度補償型圧電発振器、およびこれを備えた電子装置 |
| US7123105B2 (en) * | 2003-12-19 | 2006-10-17 | Infineon Technologies North American Corporation | Oscillator with temperature control |
-
2006
- 2006-11-06 JP JP2007542834A patent/JP4949265B2/ja active Active
- 2006-11-06 US US12/092,772 patent/US7728685B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-06 CN CN2006800416044A patent/CN101305514B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-06 WO PCT/JP2006/322085 patent/WO2007052788A1/ja active Application Filing
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1618166A (zh) * | 2002-01-21 | 2005-05-18 | 西铁城时计株式会社 | 温度补偿型振荡器 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JP特开2002-151957A 2002.05.24 |
| JP特开2004-147180A 2004.05.20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2007052788A1 (ja) | 2007-05-10 |
| CN101305514A (zh) | 2008-11-12 |
| US7728685B2 (en) | 2010-06-01 |
| JP4949265B2 (ja) | 2012-06-06 |
| US20090115542A1 (en) | 2009-05-07 |
| JPWO2007052788A1 (ja) | 2009-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101305514B (zh) | 温度补偿型振荡器以及其制造方法 | |
| CN101262202B (zh) | 温度补偿型振荡器 | |
| CN105871335B (zh) | 晶体振荡装置以及半导体装置 | |
| US9112512B2 (en) | Circuit device, oscillation device, and electronic apparatus | |
| US6882835B2 (en) | Oscillator and communication apparatus | |
| JPH0918234A (ja) | 温度補償圧電発振器 | |
| JP2003218636A5 (zh) | ||
| JP2016187152A (ja) | 発振器の製造方法、発振器、電子機器及び移動体 | |
| JP2013243629A (ja) | 発振装置、発振素子及び電子機器 | |
| US11863124B2 (en) | Circuit device and oscillator | |
| US11990869B2 (en) | Circuit device and oscillator | |
| US12009786B2 (en) | Circuit device, oscillator, and manufacturing method | |
| JP2021002735A (ja) | 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 | |
| US11929710B2 (en) | Oscillator | |
| US12034405B2 (en) | Circuit device and oscillator | |
| JPH08186442A (ja) | 温度補償型水晶発振器 | |
| US20230155551A1 (en) | Circuit Device And Oscillator | |
| US20220209716A1 (en) | Circuit Device And Oscillator | |
| US11949380B2 (en) | Method of manufacturing oscillator and oscillator | |
| JP2023127679A (ja) | 発振器 | |
| JP3359845B2 (ja) | 発振回路及びその製造方法 | |
| JP2022103747A (ja) | 発振器及び発振器の製造方法 | |
| JP2023090099A (ja) | 回路装置及び発振器 | |
| JP2009081494A (ja) | 温度補償型発振器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20081017 Address after: Tokyo, Japan Applicant after: CITIZEN Holdings Co., Ltd. Co-applicant after: Citizen Finetech Miyota Co., Ltd. Address before: Tokyo, Japan Applicant before: CITIZEN Holdings Co., Ltd. Co-applicant before: Miyota Co., Ltd. |
|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Free format text: FORMER OWNER: CITIZEN FTIKE MIYOTA CO., LTD. |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20110328 Address after: Tokyo, Japan, Japan Applicant after: Citizen Watch Co., Ltd. Address before: Tokyo, Japan, Japan Applicant before: Citizen Watch Co., Ltd. Co-applicant before: Citizen Finetech Miyota Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Tokyo, Japan, Japan Patentee after: Citizen Watch Co., Ltd. Address before: Tokyo, Japan, Japan Patentee before: Citizen Watch Co., Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110928 Termination date: 20201106 |