JP3359845B2 - 発振回路及びその製造方法 - Google Patents

発振回路及びその製造方法

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JP3359845B2 JP18357997A JP18357997A JP3359845B2 JP 3359845 B2 JP3359845 B2 JP 3359845B2 JP 18357997 A JP18357997 A JP 18357997A JP 18357997 A JP18357997 A JP 18357997A JP 3359845 B2 JP3359845 B2 JP 3359845B2
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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発振回路及びその
製造方法に係り、特に圧電振動子を用いた発振器の発振
周波数が可変できる水晶発振回路及びその製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】圧電振動子を用いた発振回路は、圧電振
動子の共振周波数のバラツキや回路の負荷容量バラツキ
や発振回路実装及び封止時の熱衝撃により、発振周波数
に当然なからバラツキを有している。したがって、特に
高精度な発振周波数を要求される時には無調整では目的
の発振周波数範囲に入らない事があり、調整しなくては
ならない。
【0003】図3は従来の圧電振動子を用いた発振器の
回路図である。121はインバータ一増幅器、122は
フィードパック抵抗でインバーター増幅器121のゲー
トとドレイン間に接続されている。123はゲートコン
デンサで、インバーター増幅器121のゲートに接続さ
れている124はドレインコンデンサで、インバータ一
増幅器121のドレインに接続されている。125は容
量値を可変できるトリマーコンデンサであり、インバー
ター増幅器121のゲートに接続されている。
【0004】123,124,125のコンデンサ類は
片側が電源のVDD又はVSSに接続され高周波的に接
地されている。126は圧電振動子でインバーター増幅
器121のゲート、ドレイン間に接続されている。この
様に構成した発振回路において発振周波数を調整するに
は、トリマーコンデンサ125をドライバー等の工具で
回転させて行っていた。
【0005】図4は従来の発振回路の他例を示す回路図
である。同図において図3の回路と異なるところは、ト
リマーコンデンサ125のかわりに、コンデンサ131
とスイッチ141で代表される直列体を複数並列に構成
した可変容量群が設けられている点である。この様に構
成した発振回路において発振周波数を調整するとは、ス
イッチ141,142,143,144をハンダ付けに
より任意にショート又はオープンにして行っていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の発振回路では、
トリマーコンデンサ125を回転させ発振周波数調整す
るので、調整工程が自動化できない、時間がかかる等の
他、調整用の穴を設ける必要があるので気密性がなくな
り耐湿性が悪くなったり、トリマーコンデンサは回転機
構を持つので振動、衝撃でローターが回転し発振周波数
がズレる欠点がある。
【0007】又、図4に示す可変容量群を用いた発振回
路では、スイッチ切り換えによる周波数調整に時間かか
る他、発振ループを構成する容量が回路の外部に複数の
外部端子として配線されるので発振特性が悪くなった
り、調整後金属キャップの封止や、モールドによる封止
を行うと調整時の周波数が浮遊容量の変化や熱衝撃でズ
レて周波数精度が悪くなる欠点がある。
【0008】そこで本発明は、周波数調整が自動調整可
能で、かつ迅速に周波数調整ができる事、外部端子を少
なくし、発振回路の実装、封止後に周波数調整ができる
様にする事で封止後の周波数シフトをなくし、気密性も
向上させ、周波数可変回路を回転機構等の可動部分をな
くしIC化し耐振動性、耐衝撃性を向上させ、かつ小型
化させる事、以上を特徴とする発振回路を提供すること
にある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の発振回路は、圧電振動子と、前記圧電振動子
を発振させる発振部と、前記圧電振動子の負荷容量を可
変する容量アレイと、前記容量アレイを制御するデータ
を外部から入力するデータ入力回路と、前記容量アレイ
を制御するデータを記憶するPROM回路と、周波数調
整時には前記データ入力回路のデータを前記容量アレイ
へ送出する動作と、データ記憶時には前記データ入力回
路のデータを前記PROM回路へ送出する動作と、通常
動作時には前記PROM回路のデータを前記容量アレイ
へ送出する動作とを制御するデータ制御回路と、を少な
くとも内蔵した半導体素子と、外部から前記データ入力
回路へシリアルデータを入力するシリアルデータ入力端
子と、外部から前記データ制御回路を制御する信号を入
力するコントロール端子と、を有前記圧電振動子と
前記半導体素子とが、樹脂モールド、セラミック又は金
属により封止されてパッケージとして構成され、前記パ
ッケージの長手方向に沿って、前記半導体素子と前記シ
リアルデータ入力端子及び前記コントロール端子とが配
置され、前記半導体素子と前記シリアルデータ入力端子
及び前記コントロール端子との間は、前記パッケージの
長手方向に沿ってワイヤーボンディングで接続されてな
り、前記パッケージの長手方向に沿った縁部から出力端
子及び電源端子が外部へ導出され、長手方向の一方の縁
部から1個の前記シリアルデータ入力端子及び1個の前
記コントロール端子が導出されてなることを特徴とす
る。又、前記パッケージの長手方向に沿って、前記圧電
振動子は前記半導体素子を挟んで前記シリアルデータ入
力端子及び前記コントロール端子と反対側に配置され、
前記圧電振動子と前記半導体素子との間は、前記パッケ
ージの長手方向に沿ってワイヤーボンディングで接続さ
れてなることを特徴とする。さらに本発明の発振回路
の製造方法は圧電振動子と、データ入力回路とデータ
制御回路とを少なくとも内蔵した半導体素子と、外部か
ら前記データ入力回路へシリアルデータを入力するシリ
アルデータ入力端子及び外部から前記データ制御回路を
制御する信号を入力するコントロール端子とを相互に近
接して配置する工程と、 前記圧電振動子と前記半導体素
子との間、並びに前記半導体素子と前記シリアルデータ
入力端子及び前記コントロール端子との間をワイヤーボ
ンディングで接続する工程と、 前記圧電振動子と前記半
導体素子とを樹脂モールド、セラミック又は金属により
封止し、かつ、前記シリアルデータ入力端子と前記コン
トロール端子とが一方の縁部から導出するようにしてパ
ッケージを形成する工程と、 周波数調整に必要なデータ
を前記シリアルデータ入力端子に入力し、前記半導体素
子のデータ制御を前記コントロール端子から行う工程
と、 前記シリアルデータ入力端子と前記コントロール端
子とを、前記パッケージの一方の縁部から切断する工程
と、を有することを特徴とする。又、 前記半導体素子
と前記シリアルデータ入力端子及び前記コントロール端
子とを、前記パッケージの長手方向に沿って配置するこ
とを特徴とする。
【0010】
【作用】本発明の発振回路は、パッケージの長手方向に
沿って、半導体素子とシリアルデータ入力端子及びコン
トロール端子とが配置され、半導体素子と前記シリアル
データ入力端子及びコントロール端子との間は、パッケ
ージの長手方向に沿ってワイヤーボンディングで接続さ
れてなり、パッケージの長手方向に沿った縁部から出力
端子及び電源端子が外部へ導出され、長手方向の一方の
縁部から1個のシリアルデータ入力端子及び1個のコン
トロール端子が導出されてなるので、パッケージ内のス
ペースを効率的に使用することが可能となり、また、周
波数調整時に外部からデータ入力とデータ制御とを行う
ために必要な外部導出の端子数を2つのみと最小限に
し、かつパッケージの1つの縁部に独立して形成するこ
とができる。このため、外部からデータを入力・制御し
て周波数調整をおこなう発振回路パッケージとしては極
めて小型な発振回路パッケージを提供することができ
る。そして、パッケージの縁部の気密性が低下すること
も防止できる。 また、液状の樹脂等を、シリアルデー
タ入力端子及びコントロール端子の方からパッケージの
長手方向に沿って注入して封止する際、樹脂等の流れが
ワイヤーの延伸する方向に沿うので、ワイヤーが切断し
たり、折り曲げられたりすることがなく、電気接続不良
を起こすことがない。さらに、パッケージの長手方向に
沿って、圧電振動子は半導体素子を挟んでシリアルデー
タ入力端子及びコントロール端子と反対側に配置され、
圧電振動子と半導体素子との間は、パッケージの長手方
向に沿ってワイヤーボンディングで接続されてなること
により、発振回路パッケージにおける長方形タイプとし
て、前述と同様の作用効果が顕著に得られる。又、本発
明の発振回路の製造方法は、圧電振動子と半導体素子と
を樹脂モールド、セラミック又は金属により封止し、か
つ、シリアルデータ入力端子とコントロール端子とが一
方の縁部から導出するようにしてパッケージを形成する
工程と、 周波数調整に必要なデータをシリアルデータ
入力端子に入力し、半導体素子のデータ制御をコントロ
ール端子から行う工程と、シリアルデータ入力端子とコ
ントロール端子とを、パッケージの一方の縁部から切断
する工程と、を有するので、外部からデータを入力・制
御する周波数調整作業をする際に、他の端子と接触する
ことがなく、また、その後にシリアルデータ入力端子と
コントロール端子とをパッケージの長手方向の一方の
部に沿って切断する作業工程の際に、他の端子が切断さ
れないように配慮する必要がない。そしてさらに、半導
体素子とシリアルデータ入力端子及びコントロール端子
とを、パッケージの長手方向に沿って配置することによ
り、液状の樹脂等を、シリアルデータ入力端子及びコン
トロール端子の方からパッケージの長手方向に沿って注
入して封止する際、樹脂等の流れがワイヤーの延伸する
方向に沿うので、ワイヤーが切断したり、折り曲げられ
たりすることがなく、電気接続不良を起こすことがな
い。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について説
明する。図1は、本発明の一実施例を示すブロック図
で、1は圧電振動子、2は発振部で、圧電振動子を発振
させる回路である。4はデータ入力回路で、発振回路の
外部から入力されるデータを周波数調整データとして内
部で処理できる形にデータを変換させる。データ入力回
路4は、一例としてシフトレジスタが上げられこの場合
外部からシリアルのデータを入力しパラレルのデータに
変換し内部回路に送出する。5は外部からのデータを入
力する端子である。6は容量アレイで、コンデンサとス
イッチングトランジスタの直列体を複数並列に構成した
回路で容量アレイの片側電極は圧電振動子に接続され、
もう一つの片側電極は高周波的に接地されるため、容量
アレイ6は圧電振動子の可変できる負荷容量として働
く。スイッチングトランジスタのゲートを制御する事に
より容量アレイ6の容量が可変できる。7はPROM回
路で、データ入力回路4からのデータを記憶する事がで
き、又その記憶データで容量アレイ6を制御する事がで
きる。8はデータ制御回路で、周波数調整時にはデータ
入力回路4からのデータを容量アレイ6と分周選択回路
10に送り、データ記憶時にはデータ入力回路4からの
データをPROM回路7へ送り、発振回路の通常動作時
にはPROM回路7の記億データを容量アレイ6と分周
選択回路10へ送る、以上3つの動作を行いデータの制
御をする。3は、以上のデータ制御のコントロールをす
る端子である。9は分周回路で、発振部2からの源振信
号を1/2,1/4,1/8…と分周する回路である。
10は分周選択回路で、分周回路9の分周信号と源振信
号をデータ制御回路8からの制御データにより選択す
る。11は出力バッファで、分周選択回路10で選択さ
れた信号を増幅し発振回路外部へ出力する。次に発振部
2と容量アレイ6の構成を詳しく表したのが図2であ
る。この図において、21はインバーター増幅器、22
はフィードバック抵抗で、インバーター増幅器のゲート
とドレインに接続されている。23はゲート容量でイン
バーター増幅器21のゲートに接続されており、24は
ドレイン容量でインバータ一増幅器21のドレインに接
続されている。少なくとも以上の素子により構成されて
いるのが発振部2であり、圧電振動子1は発振部2の中
のゲートとドレインに接続する。次に容量アレイ6の中
を説明すると、31はコンデンサ、41はスイッチング
トランジスタでこの2つの素子が直列に接続された直列
体がある。これと同様に32,33,34はコンデンサ
で、42,43,44はスイッチングトランジスタでそ
れぞれのコンデンサと直列に接続される。以上のコンデ
ンサとスイッチングトランジスタの直列体が並列に接続
されて、片側電極は発振部2のゲート側に接続され、他
のB側電極は、電源であるVDD又はVSSに高周波的
に接地されている。この容量アレイ6の容量値を可変す
るにはスイッチングトランジスタ41〜44それぞれを
任意にオン又はオフする事で行い、これにはスイッチン
グトランジスタ41〜44のゲートを制御する事で行
う。コンデンサ31〜34の容量値の設定の例としては
重み付けした容量値で行う。(たとえば1pF、2p
F、4pF、8pF)こうする事により少ない容量素子
で広い容量範囲を分解能を維持しながら可変する事がで
きる。当然、容量とスイッチングコンデンサの直列体の
数を増やしても良い。
【0012】以上の様に構成した発振回路の周波数調整
と分周選択の方法と、調整、選択が終了した後それらの
データを記憶させる方法と、発振回路の通常動作時の動
きを順を追って説明する。
【0013】まず、発振回路の外部から周波数制御デー
タと、分周選択データをデータ入力端5から入力する。
シフトレジスタであるデータ入力回路4は入力されるシ
リアルのデータを順次入力していき、入力終了後パラレ
ルデータに変更する。データ制御回路8は、データ入力
回路から出力されるデータのうち、周波数制御データを
容量アレイ6に、分周選択データを分周選択回路10に
送る。容量アレイ6は、送られて来た周波数制御データ
にもとづきスイッチングトランジスタ4をオンあるいは
オフさせ周波数を変化させる。分周選択回路10は、デ
ータ制御回路から送られて来た分周選択データにもとづ
き分周信号が源振信号を選択する。以上の発振器外部か
らのデータ入力から周波数変化、分周選択までの動作
を、発振周波数を測定しながらくり返し目的の周波数範
囲へ調整する。
【0014】次に、周波数調整及び分周選択の操作によ
り得られたデータを記憶させるには、データ入力回路の
データをデータ制御回路を介してPROM回路へ送り、
PROM回路にデータを記憶させる。PROM回路は、
一旦記憶したデータは電源を切っても記憶しているので
周波数と分周選択は永久に持続できる。又、電気的ある
いは紫外線等により消去できるPROM回路を使用すれ
ばデータの変更も可能になり、周波数と分周選択の再調
整も可能になる。
【0015】次に、発振器の通常の動作では、PROM
回路に記憶された周波数制御と分周選択のデータがデー
タ制御回路を介して容量アレイと分周選択回路へ送ら
れ、そのデータにもとづき容量アレイと分周選択回路は
動作する。
【0016】以上の様に動作させることができるので、
周波数調整が、デジタルデータで行える様になり自動化
が簡単になる。又、データの入力をシリアルデータ入力
で行えば発振回路外部に出る端子が少なくなり、金属パ
ッケージによる封止やトランスファーモールドによる封
止後にこの端子からデータを入力し周波数調整を行えば
発振回路の気密性の向上と、封止による周波数のシフト
がなくなる。又、PROM回路によるデータの記憶と、
コンデンサとスイッチングトランジスタで構成した容量
アレイによる周波数制御である為、耐振性、耐衝撃性、
経時変化に優れる。又、すべての回路がIC化可能なの
で小型化が可能になる。又、分周選択を外部からのデー
タにより制御できるので、周波数調整時には源振信号を
出力させて源振信号を測定し周波数調整をしておき、周
波数調整が終わってから分周選択を行い目的の分周選択
を行う事も可能である。こうする事により、測定周波数
が高い方が高速に又は高分解能に測定できるので、周波
数調整が速く又は高精度に行う事ができる。
【0017】以上の実施例では、容量アレイ6を発振部
2のゲート側に接続しているが、ドレイン側に接続して
も同様の効果が得られる。
【0018】又、本実施例では、容量アレイ6と分周選
択回路10の両方が内蔵されている構成であったが、容
量アレイ6だけであっても良い。
【0019】次に本実施例の実装例を図5に示す。1は
圧電振動子、51はICで、上記実施例で説明した発振
部、データ入力回路、容量アレイ、PROM回路、デー
タ制御回路、分周回路、分周選択回路、出力バッファが
含まれる。52は、発振回路を封止するパッケージで、
樹脂モールド、セラミック、金属等により封止される5
3はVDDリード、54はVSSリード、55は出力リ
ードでIC51とワイヤーボンディングで接続され、パ
ッケージ52の外部へ導出される。56はコントロール
リードでIC51のコントロール端子と接続しパッケー
ジ52の外部へ導出される。57はデータ入力リードで
IC51のデータ入力端子と接続し、パッケージ52の
外部へ導出される。以上の様に構成した発振回路を周波
数調整するには、VDDリード53とVSSリード54
から電源を印加し、出力リード55から出力される発振
信号の周波数を測定し、周波数調整に必要なデータをデ
ータ入力リード57から入力する。周波数が目的の範囲
に入るまでこれをくり返す。周波数調整が終了すれば、
PROMにデータを書き込む。以上の操作中IC内部の
データの制御をコントロールリード56から行う。デー
タの書き込み終了後、コントロールリード56とデータ
入力リード57を58のパッケージの端面から切断す
る。これにより通常動作で不必要なリードはなくなりリ
ードのショート等の事故を防ぐ事ができる。
【0020】
【発明の効果】以上述べたように本発明の発振回路によ
れば、パッケージの長手方向に沿って、半導体素子とシ
リアルデータ入力端子及びコントロール端子とが配置さ
れ、半導体素子とシリアルデータ入力端子及びコントロ
ール端子との間は、パッケージの長手方向に沿ってワイ
ヤーボンディングで接続されてなり、パッケージの長手
方向に沿った縁部から出力端子及び電源端子が外部へ導
出され、長手方向の一方の縁部から1個のシリアルデー
タ入力端子及び1個のコントロール端子が導出されてな
るので、パッケージ内のスペースを効率的に使用するこ
とが可能となり、また、周波数調整時に外部からデータ
入力とデータ制御とを行うために必要な外部導出の端子
数を2つのみと最小限にし、かつパッケージの1つの縁
部に独立して形成することができる。このため、外部か
らデータを入力・制御して周波数調整をおこなう発振回
路パッケージとしては極めて小型な発振回路パッケージ
を提供することができる。そして、パッケージの縁部の
気密性が低下することも防止できる。また、液状の樹脂
等を、シリアルデータ入力端子及びコントロール端子の
方からパッケージの長手方向に沿って注入して封止する
際、樹脂等の流れがワイヤーの延伸する方向に沿うの
で、ワイヤーが切断したり、折り曲げられたりすること
がなく、電気接続不良を起こすことのない高い信頼性が
得られる。さらに、パッケージの長手方向に沿って、圧
電振動子は前記半導体素子を挟んでシリアルデータ入力
端子及びコントロール端子と反対側に配置され、圧電振
動子と半導体素子との間は、パッケージの長手方向に沿
ってワイヤーボンディングで接続されてなることによ
り、発振回路パッケージにおける長方形タイプとして、
前述と同様の作用効果が顕著に得られる。又、本発明の
発振回路の製造方法によれば、圧電振動子と半導体素子
とを樹脂モールド、セラミック又は金属により封止し、
かつ、シリアルデータ入力端子とコントロール端子とが
一方の縁部から導出するようにしてパッケージを形成す
る工程と、周波数調整に必要なデータをシリアルデータ
入力端子に入力し、半導体素子のデータ制御をコントロ
ール端子から行う工程と、シリアルデータ入力端子 とコ
ントロール端子とを、パッケージの一方の縁部から切断
する工程と、を有するので、外部からデータを入力・制
御する周波数調整作業をする際に、他の端子と接触する
ことがなく、また、その後にシリアルデータ入力端子と
コントロール端子とをパッケージの長手方向の一方の
部に沿って切断する作業工程の際に、他の端子が切断さ
れないように配慮する必要がないので、容易に外部から
の周波数調整作業やその後の仕上げ加工をすることが可
能となるそしてさらに、半導体素子とシリアルデータ
入力端子及びコントロール端子とを、パッケージの長手
方向に沿って配置しワイヤーボンディングで接続するこ
とにより、液状の樹脂等を、シリアルデータ入力端子及
びコントロール端子の方からパッケージの長手方向に沿
って注入して封止する際、樹脂等の流れがワイヤーの延
伸する方向に沿うので、ワイヤーが切断したり、折り曲
げられたりすることがなく、電気接続不良を起こすこと
がない高い信頼性を有する発振回路を容易に製造するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示すブロック図。
【図2】本発明の実施例の発振部と容量アレイの回路構
成の一例を示す回路図。
【図3】従来の発振回路の第1例を示す回路図。
【図4】従来の発振回路の第2例を示す回路図。
【図5】本発明の実装例を示す図である。
【符号の説明】
1・・圧電振動子 2・・発振部 3・・コントロール端子 4・・データ入力回路 5・・データ入力端子 6・・容量アレイ 7・・PROM回路 8・・データ制御回路 9・・分周回路 10・分周選択回路 11・出力バッファ 21・インバーター増幅器 22・フィードバック抵抗 23・ゲート容量 24・ドレイン容量 31,32,33,34・コンデンサ 41,42,43,44・スイッチングトランジスタ

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧電振動子と、 前記 圧電振動子を発振させる発振部と、前記圧電振動子
    の負荷容量を可変する容量アレイと、前記容量アレイを
    制御するデータを外部から入力するデータ入力回路と、
    前記容量アレイを制御するデータを記憶するPROM回
    路と、周波数調整時には前記データ入力回路のデータを
    前記容量アレイへ送出する動作と、データ記憶時には前
    記データ入力回路のデータを前記PROM回路へ送出す
    る動作と、通常動作時には前記PROM回路のデータを
    前記容量アレイへ送出する動作とを制御するデータ制御
    回路と、を少なくとも内蔵した半導体素子と、 外部から前記データ入力回路へシリアルデータを入力す
    るシリアルデータ入力端子と、 外部から前記データ制御回路を制御する信号を入力する
    コントロール端子と、を有前記圧電振動子と前記半導体素子とが、 樹脂モールド、
    セラミック又は金属により封止されてパッケージとして
    構成され、 前記パッケージの長手方向に沿って、前記半導体素子と
    前記シリアルデータ入力端子及び前記コントロール端子
    とが配置され、前記半導体素子と前記シリアルデータ入力端子及び前記
    コントロール端子との間は、前記パッケージの長手方向
    に沿ってワイヤーボンディングで接続されてなり、 前記 パッケージの長手方向に沿った縁部から出力端子及
    び電源端子が外部へ導出され、長手方向の一方の縁部か
    ら1個の前記シリアルデータ入力端子及び1個の前記コ
    ントロール端子が導出されてなることを特徴とする発振
    回路。
  2. 【請求項2】 前記パッケージの長手方向に沿って、前
    記圧電振動子は前記半導体素子を挟んで前記シリアルデ
    ータ入力端子及び前記コントロール端子と反対側に配置
    され、前記圧電振動子と前記半導体素子との間は、前記
    パッケージの長手方向に沿ってワイヤーボンディングで
    接続されてなることを特徴とする請求項1記載の発振回
    路。
  3. 【請求項3】 圧電振動子と、データ入力回路とデータ
    制御回路とを少なくとも 内蔵した半導体素子と、外部か
    ら前記データ入力回路へシリアルデータを入力するシリ
    アルデータ入力端子及び外部から前記データ制御回路を
    制御する信号を入力するコントロール端子とを相互に近
    接して配置する工程と、 前記圧電振動子と前記半導体素子との間、並びに前記半
    導体素子と前記シリアルデータ入力端子及び前記コント
    ロール端子との間をワイヤーボンディングで接続する工
    程と、 前記圧電振動子と前記半導体素子とを樹脂モールド、セ
    ラミック又は金属により封止し、かつ、前記シリアルデ
    ータ入力端子と前記コントロール端子とが一方の縁部か
    ら導出するようにしてパッケージを形成する工程と、 周波数調整に必要なデータを前記シリアルデータ入力端
    子に入力し、前記半導体素子のデータ制御を前記コント
    ロール端子から行う工程と、 前記シリアルデータ入力端子と前記コントロール端子と
    を、前記パッケージの一方の縁部から切断する工程と、 を有することを特徴とする発振回路の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記半導体素子と前記シリアルデータ入
    力端子及び前記コントロール端子とを、前記パッケージ
    の長手方向に沿って配置することを特徴とする請求項3
    記載の発振回路の製造方法。
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