JP6877252B2 - 半導体装置及びその制御方法 - Google Patents
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Description
<半導体装置100の構成>
まず、図1を参照して、第1の実施の形態に係る半導体装置について説明する。図1は、第1の実施の形態に係る半導体装置100の構成を示すブロック図である。図1に示すように、第1の実施の形態に係る半導体装置100は、水晶振動子CU、発振回路OC、可変負荷容量回路CL、スイッチ制御部SCを備えている。ここで、可変負荷容量回路CLは、2n(nは2以上の自然数)個の負荷容量素子C1a〜Cna、C1b〜Cnb及び2n個のスイッチS1a〜Sna、S1b〜Snbを備えている。
水晶振動子CUの一端には、可変負荷容量回路CLを構成する全ての負荷容量素子C1a〜Cnaの一端が接続されている。そして、負荷容量素子C1a〜Cnaのそれぞれの他端には、可変負荷容量回路CLを構成するスイッチS1a〜Snaのそれぞれの一端が接続されている。全てのスイッチS1a〜Snaの他端はグランドに接続されている。
上述の通り、本実施の形態に係る半導体装置100は、温度変化による周波数信号fsの周波数偏差の指標となる情報に基づいて、スイッチS1a〜Sna、S1b〜Snbのオン/オフを制御するスイッチ制御部SCを備えている。具体的には、取得した情報が所定の許容範囲内に含まれない場合、周波数信号fsの周波数偏差の絶対値が小さくなるように、スイッチS1a〜Sna、S1b〜Snbのうちオンにする個数を変更する。そのため、水晶振動子CUの両端に接続される負荷容量を変化させ、発振回路OCから出力される周波数信号fsの周波数偏差を所定の許容範囲内に収めることができる。
以上の通り、本実施の形態に係る半導体装置100では、周波数偏差を所定の許容範囲内に収めつつ、回路規模及び消費電力の増大を抑制することができる。
次に、図2を参照して、第1の実施の形態に係る半導体装置についてより詳細に説明する。図2は、第1の実施の形態に係る半導体装置100の構成を示す詳細なブロック図である。図2に示すように、第1の実施の形態に係る半導体装置100は、図1に示した水晶振動子CU、発振回路OC、可変負荷容量回路CL、スイッチ制御部SCに加え、温度センサTS、記憶部MEM、無線トランシーバ回路RFT、アンテナANを備えている。
インバータINVの入力は、水晶振動子CUの一端に接続されており、インバータINVの出力から周波数信号fsが出力される。
帰還抵抗Rfは、インバータINVと並列に設けられている。すなわち、帰還抵抗Rfの一端はインバータINVの入力に接続され、帰還抵抗Rfの他端はインバータINVの出力に接続されている。帰還抵抗Rfは、インバータINVの出力側から電流をインバータINVの入力側にフィードバックさせて発振を持続させる。
IQ変調器IQMでは、ベースバンド処理部BBPから出力された送信IQ信号によって、PLL回路PLL1から出力されたIF(Intermediate Frequency)信号が直交変調され、送信IF信号が生成される。ここで、PLL回路PLL1から出力されるIF信号は、発振回路OCから出力される周波数信号fsから生成される。
アンテナANによって無線受信された受信RF信号は、出力フィルタOFを介して、ローノイズアンプLNAに入力され、ローノイズアンプLNAによって増幅される。ここで、出力フィルタOFは、アンテナANから無線受信された受信RF信号のパワーアンプPAへの伝播を抑制している。
上述の通り、本実施の形態に係る半導体装置100は、取得した温度情報に基づいて、スイッチS1a〜Sna、S1b〜Snbのオン/オフを制御するスイッチ制御部SCを備えている。具体的には、取得した温度情報が所定の許容範囲内に含まれない場合、発振回路OCから出力される周波数信号fsの周波数偏差の絶対値が小さくなるように、スイッチS1a〜Sna、S1b〜Snbのうちオンにする個数を変更する。そのため、水晶振動子CUの両端に接続される負荷容量を変化させ、発振回路OCから出力される周波数信号fsの周波数偏差を所定の許容範囲内に収めることができる。
これに対し、使用温度範囲を例えば−40〜105℃に広げようとした場合、水晶振動子CUの周波数偏差Δf/fnは許容偏差の上限(図5の例では30ppm)を超えてしまう。
以上の通り、本実施の形態に係る半導体装置100では、周波数偏差を所定の許容範囲内に収めつつ、回路規模及び消費電力の増大を抑制することができる。
次に、図7を参照して、第1の実施の形態に係る半導体装置の制御方法について説明する。図7は、第1の実施の形態に係る半導体装置の制御方法を示すフローチャートである。図7の説明に当たっては、図1を適宜参照する。
次に、スイッチ制御部SCは、温度センサTSによる検出温度が、記憶部MEMに格納されたテーブル(図3参照)において使用中の温度範囲に含まれているか判断する(ステップST12)。なお、最初に使用する温度範囲は許容温度範囲である。
<半導体装置200の詳細な構成>
次に、図8を参照して、第2の実施の形態に係る半導体装置について詳細に説明する。図8は、第2の実施の形態に係る半導体装置200の構成を示す詳細なブロック図である。
公称周波数fnを2.4GHz、周波数信号fsの周波数偏差Δf/fnを許容偏差が±30ppmとすると、周波数信号fsの周波数ずれの許容範囲は、±72kHz(=2.4GHz×(±30ppm))となる。そのため、取得したAFC信号afcすなわち周波数信号fsの周波数ずれが、許容範囲(±72kHz)に含まれていれば、スイッチ制御部SCは、オンにするスイッチの個数を変更しない。
上述の通り、本実施の形態に係る半導体装置200は、温度変化による周波数信号fsのずれを示すAFC信号afcに基づいて、スイッチS1a〜Sna、S1b〜Snbのオン/オフを制御するスイッチ制御部SCを備えている。具体的には、取得した周波数信号fsのずれが所定の許容範囲内に含まれない場合、周波数信号fsの周波数偏差の絶対値が小さくなるように、スイッチS1a〜Sna、S1b〜Snbのうちオンにする個数を変更する。そのため、水晶振動子CUの両端に接続される負荷容量を変化させ、発振回路OCから出力される周波数信号fsの周波数偏差を所定の許容範囲内に収めることができる。
以上の通り、本実施の形態に係る半導体装置200でも、周波数偏差を所定の許容範囲内に収めつつ、回路規模及び消費電力の増大を抑制することができる。
次に、図11を参照して、第2の実施の形態に係る半導体装置の制御方法について説明する。図11は、第2の実施の形態に係る半導体装置の制御方法を示すフローチャートである。図11の説明に当たっては、図8、図9を適宜参照する。
次に、スイッチ制御部SCは、受信検波部RDUから取得した周波数信号fsの周波数ずれが許容範囲に含まれているか判断する(ステップST22)。
100、200 半導体装置
AN アンテナ
BBP ベースバンド処理部
BUS バス
C1a〜Cna、C1b〜Cnb 負荷容量素子
CL 可変負荷容量回路
CU 水晶振動子
FS 周波数シンセサイザ
IFA1、IFA2 IFアンプ
IFM IFミキサ
INV インバータ
IQM IQ変調器
LNA ローノイズアンプ
MEM 記憶部
OC 発振回路
OF 出力フィルタ
PA パワーアンプ
PLL1、PLL2 PLL回路
Rd 制限抵抗
RDU 受信検波部
Rf 帰還抵抗
RFM RFミキサ
RFT 無線トランシーバ回路
S1a〜Sna、S1b〜Snb スイッチ
SC スイッチ制御部
TS 温度センサ
UC アップコンバータ
Claims (12)
- 水晶振動子と
前記水晶振動子を発振させ、周波数信号を出力する発振回路と、
前記水晶振動子の一端に互いに並列接続された複数の負荷容量素子と、当該複数の負荷容量素子のそれぞれに直列接続された複数のスイッチと、を有する可変負荷容量回路と、
温度変化による前記周波数信号の周波数偏差の指標となる情報として、前記周波数信号の周波数と、外部のマスター無線装置から受信した無線信号が有するマスター周波数との周波数ずれ情報を取得し、当該周波数ずれ情報に基づいて、前記複数のスイッチのオン/オフを制御するスイッチ制御部と、を備え、
前記スイッチ制御部は、
前記周波数ずれ情報が所定の許容範囲内に含まれない場合、前記周波数偏差の絶対値が小さくなるように、前記複数のスイッチのうちオンにする個数を変更する、
半導体装置。 - 前記スイッチ制御部は、
パケット送受信中でない期間に、前記複数のスイッチのうちオンにする個数を変更する、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記複数の負荷容量素子のそれぞれの容量が互いに等しい、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記可変負荷容量回路は、
前記水晶振動子の他端に互いに並列接続された複数の負荷容量素子と、当該複数の負荷容量素子のそれぞれに直列接続された複数のスイッチと、をさらに有する、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記水晶振動子の一端に接続された前記複数の負荷容量素子の個数と、前記水晶振動子の他端に接続された前記複数の負荷容量素子の個数とが等しい、
請求項4に記載の半導体装置。 - 前記水晶振動子の一端及び他端に接続された前記複数の負荷容量素子のそれぞれの容量が互いに等しい、
請求項4に記載の半導体装置。 - 水晶振動子と
前記水晶振動子を発振させ、周波数信号を出力する発振回路と、
前記水晶振動子の一端に互いに並列接続された複数の負荷容量素子と、当該複数の負荷容量素子のそれぞれに直列接続された複数のスイッチと、を有する可変負荷容量回路と、を備えた半導体装置の制御方法であって、
温度変化による前記周波数信号の周波数偏差の指標となる情報として、前記周波数信号の周波数と、外部のマスター無線装置から受信した無線信号が有するマスター周波数との周波数ずれ情報を取得し、
取得した前記周波数ずれ情報が所定の許容範囲内に含まれない場合、前記周波数偏差の絶対値が小さくなるように、前記複数のスイッチのうちオンにする個数を変更する、
半導体装置の制御方法。 - パケット送受信中でない期間に、前記複数のスイッチのうちオンにする個数を変更する、
請求項7に記載の半導体装置の制御方法。 - 前記複数の負荷容量素子のそれぞれの容量が互いに等しい、
請求項7に記載の半導体装置の制御方法。 - 前記可変負荷容量回路は、
前記水晶振動子の他端に互いに並列接続された複数の負荷容量素子と、当該複数の負荷容量素子のそれぞれに直列接続された複数のスイッチと、をさらに有する、
請求項7に記載の半導体装置の制御方法。 - 前記水晶振動子の一端に接続された前記複数の負荷容量素子の個数と、前記水晶振動子の他端に接続された前記複数の負荷容量素子の個数とが等しい、
請求項10に記載の半導体装置の制御方法。 - 前記水晶振動子の一端及び他端に接続された前記複数の負荷容量素子のそれぞれの容量が互いに等しい、
請求項10に記載の半導体装置の制御方法。
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