JP2007318397A - 電圧制御型発振器及びその周波数制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】f−VG特性の感度が温度により変化しない電圧制御型発振器を提供する。
【解決手段】圧電振動子4と、圧電振動子4に並列接続された増幅器1と、圧電振動子4に並列接続された負荷容量であって、第1、第2のMOSトランジスタ5,6が直列接続された負荷容量と、第1,第2のMOSトランジスタ5,6のゲート端子(制御端子1)に共通の第1制御信号を供給する第1制御信号発生回路7と、XTBAR端子と第2のMOSトランジスタ6のドレイン端子の間にDCカット容量8を設け、第2のMOSトランジスタ6のドレイン端子に高周波除去抵抗10を介して接続している制御端子2に第2制御信号を供給する第2制御信号発生回路9とを有する電圧制御型発振器である。
【選択図】図2
【解決手段】圧電振動子4と、圧電振動子4に並列接続された増幅器1と、圧電振動子4に並列接続された負荷容量であって、第1、第2のMOSトランジスタ5,6が直列接続された負荷容量と、第1,第2のMOSトランジスタ5,6のゲート端子(制御端子1)に共通の第1制御信号を供給する第1制御信号発生回路7と、XTBAR端子と第2のMOSトランジスタ6のドレイン端子の間にDCカット容量8を設け、第2のMOSトランジスタ6のドレイン端子に高周波除去抵抗10を介して接続している制御端子2に第2制御信号を供給する第2制御信号発生回路9とを有する電圧制御型発振器である。
【選択図】図2
Description
本発明は、電圧制御型発振器及びその周波数制御方法に関する。
携帯電話等の基準周波数源として使用されている温度補償型水晶発振器は、水晶振動子(圧電振動子)が持つ温度特性をキャンセルし、温度に対する発振周波数の変化が少ない特性を有する水晶発振器である。これは、水晶振動子のもつ温度特性をキャンセルするような3次関数の温度特性に近似された制御電圧を電圧制御型発振器の制御端子に印加することで実現している。近年、GPS(Global Positioning System)を搭載した携帯電話用などでは、その温度補償精度が±0.5ppm以内という、より高精度な発振器が求められている。
電圧制御型発振器の従来例を図1に示す。増幅器1はNPNトランジスタを用いている。可変容量素子はMOSトランジスタ5,6のゲート酸化膜容量の切り替わりを利用しており、MOSトランジスタ5,6のドレイン端子に振幅を持った発振信号を印加することにより、図13に示すようにゲート電圧の変化に対して直線的に容量値が変化する特性を持つ(例えば、特許文献1参照)。
この可変容量素子のゲート端子電圧を制御することにより、発振ループ内の負荷容量値を変化させて周波数を制御することができる。図1の構成の他にMOSトランジスタの容量の切り替わりを利用した可変容量であれば同様の動作が可能である。例えば、図4、図5、図6のような構成も可能である。
次に図1の電圧制御型発振器の周波数f−制御電圧VG特性について説明する。図8が可変容量値C、周波数f、感度(df/dVG)−制御電圧VG特性を示したものである。図1のように増幅器1がNPNトランジスタで構成されている場合、XT端子の上限はNPNトランジスタのVBE(約0.7V)で決定され、XTBAR端子の下限はNPNトランジスタの飽和電圧(約0.2V)で決定される。
そのため図7のようにXT端子とXTBAR端子の動作電圧が異なり、XT端子側のMOSトランジスタ5とXTBAR側のMOSトランジスタ6がそれぞれ異なる制御電圧VGの範囲で動作する。前者によるf−VG特性と後者によるそれとが重なり合うことで、total特性の直線性が確保できる制御電圧の範囲、すなわち、制御電圧のダイナミックレンジを広くとることができる。このダイナミックレンジ内では感度は一定となり、電圧による発振器の制御が可能となる。
特開2003−318417号公報
しかしながら、増幅器1がNPNトランジスタで構成されている場合、XT端子の発振波形の上限は図7に示すように温度により変化する。これは、NPNトランジスタのVBEの温度特性(-2mV/℃)により、XT端子の発振振幅をクランプ(固定)する電位が温度により変化するためである。
このとき、図10に示すようにXT端子側のMOSトランジスタ5とXTBAR側のMOSトランジスタ6によるf−VG特性が重なり合う制御電圧範囲が、温度により異なる。その結果、total特性のf−VG特性の傾きが温度により異なる。これは、制御電圧VGに対する周波数の感度が温度により変化することを意味する。
水晶振動子の持つ3次関数の温度特性をキャンセルするための3次関数に近似した制御電圧を電圧制御型発振器に印加した場合において、電圧制御型発振器の感度が温度変化により変化するため、水晶振動子の温度特性を補償する精度が悪化する場合がある。温度補償精度が悪化するのは、低温ではf−VG感度が高くなるため水晶の温度特性に対して過補償となり、高温ではf−VG感度が低くなるため水晶の温度特性に対して補償不足となるためである。また、感度の温度特性が変化することにより、発振器の周波数を制御するAFC(Automatic Frequency Control)特性の温度特性も悪化する。
本発明は、上記従来の事情に鑑みてなされたものであって、制御電圧VGに対する周波数fの感度(f−VG特性の感度)が温度により変化しない電圧制御型発振器及びその周波数制御方法を提供することを目的としている。
本発明の電圧制御型発振器は、圧電振動子が接続される第1と第2の端子と、前記第1と第2の端子間に接続される増幅器と、前記第1と第2の端子のそれぞれにドレインが接続される第1と第2のMOSトランジスタと、前記第1と第2のMOSトランジスタの各ゲートに第1制御信号を供給する第1制御信号発生回路と、前記第2のMOSトランジスタのドレインに第2制御信号を供給する第2制御信号発生回路と、を有する。
上記構成によれば、第2の制御信号に第1の端子における振幅上限の温度特性をキャンセルさせるような温度特性を持たせることにより、第1のMOSトランジスタと第2のMOSトランジスタによるf−VG特性が重なり合う制御電圧VGの範囲を温度変化時でも一定に保つことができ、total特性のf−VG特性の感度温度特性をキャンセルすることが可能となる。
また、本発明の電圧制御型発振器は、圧電振動子を有する。
上記構成によれば、第2の制御信号に増幅器の入力端における振幅上限の温度特性をキャンセルさせるような温度特性を持たせることにより、第1のMOSトランジスタと第2のMOSトランジスタによるf−VG特性が重なり合う制御電圧VGの範囲を温度変化時でも一定に保つことができ、total特性のf−VG特性の感度温度特性をキャンセルすることが可能となる。
また、本発明の電圧制御型発振器は、前記第1制御信号が、温度補償制御信号、外部電圧周波数制御信号、および、バラツキ補償制御信号の少なくともいずれか一つを含む信号であるものである。
また、本発明の電圧制御型発振器は、前記第2制御信号が、発振器感度の温度特性をキャンセルさせるための電圧信号であるものである。
また、本発明の電圧制御型発振器は、圧電振動子が接続される第1と第2の端子と、前記第1と第2の端子間に接続される増幅器と、前記第1の端子にドレインが接続される第1と第2のMOSトランジスタと、前記第2の端子にドレインが接続される第3と第4のMOSトランジスタと、前記第1と第3のMOSトランジスタの各ゲートに第3制御信号を供給する第3制御信号発生回路と、前記第2と第4のMOSトランジスタの各ゲートに第4制御信号を供給する第4制御信号発生回路と、前記第3と第4のMOSトランジスタのドレインに第5制御信号を供給する第5制御信号発生回路と、を有する。
上記構成によれば、第5の制御信号に第1の端子における振幅上限の温度特性をキャンセルさせるような温度特性を持たせることにより、第1、2のMOSトランジスタと第3,4のMOSトランジスタによるf−VG特性が重なり合う制御電圧VGの範囲を温度変化時でも一定に保つことができ、total特性のf−VG特性の感度温度特性をキャンセルすることが可能となる。
また、本発明の電圧制御型発振器は、圧電振動子を有する。
上記構成によれば、第5の制御信号に増幅器の入力端における振幅上限の温度特性をキャンセルさせるような温度特性を持たせることにより、第1、2のMOSトランジスタと第3,4のMOSトランジスタによるf−VG特性が重なり合う制御電圧VGの範囲を温度変化時でも一定に保つことができ、total特性のf−VG特性の感度温度特性をキャンセルすることが可能となる。
また、本発明の電圧制御型発振器は、前記第3制御信号が、温度補償制御信号、外部電圧周波数制御信号、および、バラツキ補償制御信号の少なくともいずれか一つを含む信号であるものである。
また、本発明の電圧制御型発振器は、前記第4制御信号が、温度補償制御信号、外部電圧周波数制御信号、および、バラツキ補償制御信号の少なくともいずれか一つを含む信号であるものである。
また、本発明の電圧制御型発振器は、前記第5制御信号が、発振器感度の温度特性をキャンセルさせるための電圧信号であるものである。
また、本発明の周波数制御方法は、複数の制御端子を有する電圧制御型発振器の周波数制御方法であって、発振周波数を制御する第1制御信号の第1制御端子への供給と、発振器感度の温度特性をキャンセルさせるための第2制御信号の第2制御端子への供給と、を行う。
本発明の電圧制御型発振器によれば、第2制御信号または第5制御信号に温度特性を持たせることにより、第1のMOSトランジスタと第2のMOSトランジスタによるf−VG特性が重なり合う制御電圧VGの範囲を温度変化時でも一定に保つことが可能になる。したがって、total特性の周波数f−制御電圧VG特性の感度の温度特性をキャンセルすることが可能となる。
さらに、温度により感度が変化しないため、水晶振動子の持つ3次関数の温度特性をキャンセルするために3次関数に近似した制御電圧を電圧制御型発振器に印加した際の温度補償精度を向上させることが可能となる。また、AFC特性の温度特性についても改善することが可能となる。
以下、図面を参照して本発明における実施の形態を説明する。
(実施の形態1)
図2は本発明の実施の形態1における電圧制御型発振器の概略構成を示す。図2に示す電圧制御型発振器は、圧電振動子4と、圧電振動子4が接続されるXT端子とXTBAR端子と、圧電振動子4に並列接続された増幅器1と、圧電振動子4に並列接続された負荷容量であって、第1、第2のMOSトランジスタ5,6が直列接続された負荷容量と、第1,第2のMOSトランジスタ5,6の各ゲート端子(制御端子1)に共通の第1制御信号を供給する第1制御信号発生回路7と、XTBAR端子と第2のMOSトランジスタ6のドレイン端子との間に設けたDCカット容量8と、第2のMOSトランジスタ6のドレイン端子に高周波除去抵抗10を介して接続している制御端子2に第2制御信号を供給する第2制御信号発生回路9と、を有する。
図2は本発明の実施の形態1における電圧制御型発振器の概略構成を示す。図2に示す電圧制御型発振器は、圧電振動子4と、圧電振動子4が接続されるXT端子とXTBAR端子と、圧電振動子4に並列接続された増幅器1と、圧電振動子4に並列接続された負荷容量であって、第1、第2のMOSトランジスタ5,6が直列接続された負荷容量と、第1,第2のMOSトランジスタ5,6の各ゲート端子(制御端子1)に共通の第1制御信号を供給する第1制御信号発生回路7と、XTBAR端子と第2のMOSトランジスタ6のドレイン端子との間に設けたDCカット容量8と、第2のMOSトランジスタ6のドレイン端子に高周波除去抵抗10を介して接続している制御端子2に第2制御信号を供給する第2制御信号発生回路9と、を有する。
ここで、第1制御信号発生回路7から供給される第1制御信号は、温度補償制御信号、外部電圧周波数制御信号、および、バラツキ補償制御信号の少なくともいずれか一つを含む信号であり、第2制御信号発生回路9から供給される第2制御信号は、発振器感度の温度特性をキャンセルさせるための電圧信号である。
図9に示すように、発振回路を構成しているNPNトランジスタ1のVBEの温度特性(-2mV/℃)により、XT端子の振幅上限は温度によって変化する(−40℃〜90℃で約Δ0.
26V)。第2のMOSトランジスタ6のドレイン端子の振幅下限にこれをキャンセルする温度特性を持たせるために、制御端子2に接続している第2制御信号発生回路9は例えば-2mV/℃の温度特性を持った電圧を印加することにより、MOSトランジスタ6のドレイン端子のバイアスに-2mV/℃の温度特性を持たせる。実施の形態1の回路では、可変容量として使用しているMOSトランジスタ5,6の閾値の温度特性(約-2mV/℃)もキャンセルさせるために、およそ-4mV/℃の温度特性を持たせる必要がある。
26V)。第2のMOSトランジスタ6のドレイン端子の振幅下限にこれをキャンセルする温度特性を持たせるために、制御端子2に接続している第2制御信号発生回路9は例えば-2mV/℃の温度特性を持った電圧を印加することにより、MOSトランジスタ6のドレイン端子のバイアスに-2mV/℃の温度特性を持たせる。実施の形態1の回路では、可変容量として使用しているMOSトランジスタ5,6の閾値の温度特性(約-2mV/℃)もキャンセルさせるために、およそ-4mV/℃の温度特性を持たせる必要がある。
本実施形態によれば、制御端子2に与える電圧にXT端子の振幅上限の温度特性をキャンセルさせるような温度特性を持たせることにより、第1のMOSトランジスタ5と第2のMOSトランジスタ6によるf−VG特性が重なり合う制御電圧VGの範囲を温度変化時でも一定に保つことができ、total特性のf−VG特性の感度温度特性をキャンセルすることが可能となる。
次に、第2制御信号発生回路の構成について説明する。温度補償発振器の場合、一般に温度センサーを内蔵しておりこの温度センサーの出力電圧から3次関数の補償電圧を作成している。本実施形態では、図12に示すように、電流源30とダイオード31で構成される温度センサーの負の温度特性を持つ出力電圧を、増幅器32を介して電圧制御型発振器の制御端子2に印加することで、MOSトランジスタ6のドレイン端子のバイアスに温度特性を持たせることが可能となる。本実施の形態によれば、新たに温度センサー回路を追加することなく本発明を実現することが可能となる。
このように本実施形態の構成によれば、第2制御信号に温度特性を持たせることにより、図11に示すように第1のMOSトランジスタ5と第2のMOSトランジスタ6によるf−VG特性が重なり合う制御電圧VGの範囲が温度変化時でも一定に保つことが可能になる。したがって、total特性の周波数f−制御電圧VG特性の感度の温度特性をキャンセルすることが可能となる。
さらに、温度により感度が変化しないため、水晶振動子4の持つ3次関数の温度特性をキャンセルするために3次関数に近似した制御電圧を電圧制御型発振器に印加した際に温度補償精度を向上させることが可能となる。また、AFC特性の温度特性についても改善することが可能となる。
(実施の形態2)
図3は本発明の実施の形態2における電圧制御型発振器の概略構成を示す。図3に示す電圧制御型発振器は、圧電振動子4と、圧電振動子4が接続されるXT端子とXTBAR端子と、圧電振動子4に並列接続された増幅器1と、圧電振動子4に並列接続された負荷容量であって、第1、第3のMOSトランジスタ11,13が直列接続された負荷容量と、第2、第4のMOSトランジスタ12,14が直列接続された負荷容量と、第1、第3のMOSトランジスタ11,13の各ゲート端子(制御端子3)に共通の第3制御信号を供給する第3制御信号発生回路15と、第2、第4のMOSトランジスタ12,14の各ゲート端子(制御端子4)に共通の第4制御信号を供給する第4制御信号発生回路16と、XTBAR端子と第3、4のMOSトランジスタ13,14のドレイン端子との間に設けたDCカット容量17と、第3、第4のMOSトランジスタ13,14のドレイン端子に高周波除去抵抗19を介して接続している制御端子5に共通の第5制御信号を供給する第5制御信号発生回路18と、を有する。
図3は本発明の実施の形態2における電圧制御型発振器の概略構成を示す。図3に示す電圧制御型発振器は、圧電振動子4と、圧電振動子4が接続されるXT端子とXTBAR端子と、圧電振動子4に並列接続された増幅器1と、圧電振動子4に並列接続された負荷容量であって、第1、第3のMOSトランジスタ11,13が直列接続された負荷容量と、第2、第4のMOSトランジスタ12,14が直列接続された負荷容量と、第1、第3のMOSトランジスタ11,13の各ゲート端子(制御端子3)に共通の第3制御信号を供給する第3制御信号発生回路15と、第2、第4のMOSトランジスタ12,14の各ゲート端子(制御端子4)に共通の第4制御信号を供給する第4制御信号発生回路16と、XTBAR端子と第3、4のMOSトランジスタ13,14のドレイン端子との間に設けたDCカット容量17と、第3、第4のMOSトランジスタ13,14のドレイン端子に高周波除去抵抗19を介して接続している制御端子5に共通の第5制御信号を供給する第5制御信号発生回路18と、を有する。
ここで、第3制御信号発生回路15から供給される第3制御信号、および第4制御信号発生回路16から供給される第4の制御信号は、温度補償制御信号、外部電圧周波数制御信号、および、バラツキ補償制御信号の少なくともいずれか一つを含む信号であり、第5制御信号発生回路18から供給される第5制御信号は、発振器感度の温度特性をキャンセルさせるための電圧信号である。
この場合も実施の形態1と同様に、第5制御信号として温度特性を持った電圧を発生する回路を構成する。第2のMOSトランジスタ12のドレイン端子の振幅下限にこれをキャンセルする温度特性を持たせるために、制御端子5に接続している第5制御信号発生回路18は例えば-2mV/℃の温度特性を持った電圧を印加することにより、MOSトランジスタ6のドレイン端子のバイアスに-2mV/℃の温度特性を持たせる。
本実施形態では、制御端子5に与える電圧にXT端子の振幅上限の温度特性をキャンセルさせるような温度特性を持たせることにより、第1、2のMOSトランジスタ11,12と第3,4のMOSトランジスタ13,14によるf−VG特性が重なり合う制御電圧VGの範囲を温度変化時でも一定に保つことができ、total特性のf−VG特性の感度温度特性をキャンセルすることが可能となる。
第5制御信号発生回路18の構成についても第2制御信号発生回路9と同様に、内蔵の温度センサーの負の温度特性を持つ出力電圧を、増幅器32を介して電圧制御型発振器の制御端子5に印加することで、MOSトランジスタ6のドレイン端子のバイアスに温度特性を持たせることが可能となる。また、電圧制御発振器の増幅器がPNP、NMOS、PMOSトランジスタで構成されていても考え方は同様であり、温度による振幅変化をキャンセルさせることが可能である。
このように本実施形態によれば、第5制御信号に温度特性を持たせることにより、図11に示すように第1と第2のMOSトランジスタ11,12と第3と第4のMOSトランジスタ13,14によるf−VG特性が重なり合う制御電圧VGの範囲を温度変化時でも一定に保つことが可能になる。したがって、total特性の周波数f−制御電圧VG特性の感度の温度特性をキャンセルすることが可能となる。
さらに、温度により感度が変化しないため、水晶振動子4の持つ3次関数の温度特性をキャンセルするために3次関数に近似した制御電圧を電圧制御型発振器に印加した際に温度補償精度を向上させることが可能となる。また、AFC特性の温度特性についても改善することが可能となる。
本発明は、制御電圧VGに対する周波数fの感度(f−VG特性の感度)が温度により変化しない効果を有し、電圧制御型発振器及びその周波数制御方法等として有用である。
1 増幅器(NPNトランジスタ)
2,30 電流源
3 帰還抵抗
4 水晶振動子
5,6,11,12,13,14 MOSトランジスタ
8,17 DCカット容量
10,19 高周波除去抵抗
31 ダイオード
32 増幅器
2,30 電流源
3 帰還抵抗
4 水晶振動子
5,6,11,12,13,14 MOSトランジスタ
8,17 DCカット容量
10,19 高周波除去抵抗
31 ダイオード
32 増幅器
Claims (10)
- 圧電振動子が接続される第1と第2の端子と、
前記第1と第2の端子間に接続される増幅器と、
前記第1と第2の端子のそれぞれにドレインが接続される第1と第2のMOSトランジスタと、
前記第1と第2のMOSトランジスタの各ゲートに第1制御信号を供給する第1制御信号発生回路と、
前記第2のMOSトランジスタのドレインに第2制御信号を供給する第2制御信号発生回路と、
を有する電圧制御型発振器。 - 圧電振動子を有する請求項1記載の電圧制御型発振器。
- 前記第1制御信号は、温度補償制御信号、外部電圧周波数制御信号、および、バラツキ補償制御信号の少なくともいずれか一つを含む信号である請求項1または2記載の電圧制御型発振器。
- 前記第2制御信号は、発振器感度の温度特性をキャンセルさせるための電圧信号である請求項1または2記載の電圧制御型発振器。
- 圧電振動子が接続される第1と第2の端子と、
前記第1と第2の端子間に接続される増幅器と、
前記第1の端子にドレインが接続される第1と第2のMOSトランジスタと、
前記第2の端子にドレインが接続される第3と第4のMOSトランジスタと、
前記第1と第3のMOSトランジスタの各ゲートに第3制御信号を供給する第3制御信号発生回路と、
前記第2と第4のMOSトランジスタの各ゲートに第4制御信号を供給する第4制御信号発生回路と、
前記第3と第4のMOSトランジスタのドレインに第5制御信号を供給する第5制御信号発生回路と、
を有する電圧制御型発振器。 - 圧電振動子を有する請求項5記載の電圧制御型発振器。
- 前記第3制御信号は、温度補償制御信号、外部電圧周波数制御信号、および、バラツキ補償制御信号の少なくともいずれか一つを含む信号である請求項5または6記載の電圧制御型発振器。
- 前記第4制御信号は、温度補償制御信号、外部電圧周波数制御信号、および、バラツキ補償制御信号の少なくともいずれか一つを含む信号である請求項5または6記載の電圧制御型発振器。
- 前記第5制御信号は、発振器感度の温度特性をキャンセルさせるための電圧信号である請求項5または6記載の電圧制御型発振器。
- 複数の制御端子を有する電圧制御型発振器の周波数制御方法であって、
発振周波数を制御する第1制御信号の第1制御端子への供給と、発振器感度の温度特性をキャンセルさせるための第2制御信号の第2制御端子への供給と、を行う周波数制御方法。
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