JP6665408B2 - 発振回路、電子機器、移動体及び発振回路の調整方法 - Google Patents

発振回路、電子機器、移動体及び発振回路の調整方法 Download PDF

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Description

本発明は、発振回路、電子機器、移動体及び発振回路の調整方法に関する。
特許文献１には、水晶発振器において、水晶振動子の検査端子を発振器の端子と兼用することで小型化が可能な技術が開示されている。
特開２００９−２０１０９７号公報
しかしながら、特許文献１に記載の発振器では、水晶振動子の検査端子を発振器の端子と兼用することはできるが、発振用増幅器や緩衝用増幅器の動作を停止させてしまうため、検査時の発振器の動作状態は通常の動作状態とは異なる。このため、水晶振動子を検査した後に、発振器に通常の動作をさせたときに、発振器の周波数が所望の値からずれてしまう可能性があった。
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、調整後に発振周波数が変動するおそれを低減させることが可能な発振回路及び発振回路の調整方法を提供することができる。また、本発明のいくつかの態様によれば、当該発振回路を用いた電子機器及び移動体を提供することができる。
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本適用例に係る発振回路は、
振動子に電気的に接続されて前記振動子を発振させる発振用回路と、前記発振用回路の周波数を調整するための第１周波数調整回路と、第１端子と、を含み、前記発振用回路と前記第１周波数調整回路とが電気的に接続されているとともに、前記第１周波数調整回路と前記第１端子とが電気的に接続されていない第１モードと、前記発振用回路と前記第１周波数調整回路とが動作しているとともに、前記第１周波数調整回路の信号が出力される側の端子と前記第１端子とが電気的に接続されている第２モードと、を有する。
発振回路は、例えば、ピアース発振回路、インバーター型発振回路、コルピッツ発振回路、ハートレー発振回路などの種々の発振回路の一部又は全部であってもよい。
例えば、前記第２モードは、前記発振用回路の周波数を調整するための動作モードであり、前記第１モードは、前記第２モードで周波数が調整された前記発振用回路が発振する動作モード（例えば、通常動作モード）であってもよい。
本適用例に係る発振回路によれば、第２モードにおいて、発振用回路と第１周波数調整回路が動作している状態で、第１端子から出力される第１周波数調整回路の出力信号に基づいて発振周波数を調整することができるので、調整後に第１モードでの発振周波数が変
動するおそれを低減させることができる。
［適用例２］
上記適用例に係る発振回路は、前記発振用回路から出力される信号が入力されて発振信号を出力する出力回路を含み、前記出力回路は、前記第１モード及び前記第２モードにおいて動作していてもよい。
本適用例に係る発振回路によれば、第２モードにおいて、第１モードと同様に出力回路が動作している状態で、第１端子から出力される第１周波数調整回路の出力信号に基づいて発振周波数を調整することができるので、第１モードと第２モードにおいて出力回路から発生する雑音や発熱の差が小さく、調整後に第１モードでの発振周波数が変動するおそれを低減させることができる。
［適用例３］
上記適用例に係る発振回路は、前記出力回路の出力側の端子と電気的に接続されている第２端子を含んでもよい。
本適用例に係る発振回路によれば、第２モードにおいて、第２端子から出力される発振信号の周波数（発振周波数）を直接的に測定しながら、より正確に発振周波数を調整することができるので、調整後に第１モードでの発振周波数が変動するおそれをより低減させることができる。
［適用例４］
上記適用例に係る発振回路は、前記発振用回路の周波数を調整するための第２周波数調整回路と、出力する電圧を可変に設定可能な電圧発生回路と、を含み、前記第１モードにおいて、前記第１端子と前記第２周波数調整回路とが電気的に接続されているとともに、前記第２周波数調整回路と前記発振用回路とが電気的に接続されており、前記第２モードにおいて、前記第１端子と前記第２周波数調整回路とが電気的に接続されていないとともに、前記電圧発生回路と前記発振用回路とが電気的に接続されていてもよい。
本適用例に係る発振回路によれば、第２モードにおいて、第１モードで発振用回路に入力される第２周波数調整回路の出力電圧に代えて、電圧発生回路が発生させる電圧が発振用回路に入力されるので、第１モードと第２モードでの発振用回路の状態の差を小さくすることができ、第２モードで発振周波数を調整した後に第１モードでの発振周波数が変動するおそれを低減させることができる。
［適用例５］
上記適用例に係る発振回路は、感温素子を含み、前記第１周波数調整回路は、前記感温素子から出力される信号に基づいて前記発振用回路の周波数を調整してもよい。
本適用例に係る発振回路によれば、第２モードにおいて、第１モードと同様の状態で、第１端子から出力される第１周波数調整回路の出力信号に基づいて周波数温度特性を調整することができるので、調整後に第１モードでの周波数温度特性が変動するおそれを低減させることができる。
［適用例６］
本適用例に係る電子機器は、上記のいずれかの発振回路を備える。
［適用例７］
本適用例に係る移動体は、上記のいずれかの発振回路を備える。
これらの適用例によれば、調整後に発振周波数が変動するおそれを低減させることが可能な発振回路を用いるので、信頼性の高い電子機器及び移動体を実現することができる。
［適用例８］
本適用例に係る発振回路の調整方法は、振動子に電気的に接続されて前記振動子を発振させる発振用回路と、前記発振用回路の周波数を調整するための第１周波数調整回路と、第１端子と、を含み、前記発振用回路と前記第１周波数調整回路とが電気的に接続されているとともに、前記第１周波数調整回路と前記第１端子とが電気的に接続されていない第１モードと、前記発振用回路と前記第１周波数調整回路とが動作しているとともに、前記第１周波数調整回路の信号が出力される側の端子と前記第１端子とが電気的に接続されている第２モードと、を有する発振回路の調整方法であって、前記発振回路を前記第２モードに設定する工程と、前記発振回路が前記第２モードに設定されている状態で、前記第１端子から出力される前記第１周波数調整回路の前記信号に基づいて、前記発振回路を調整する工程と、を含む。
本適用例に係る発振回路の調整方法によれば、第２モードにおいて、発振用回路と第１周波数調整回路が動作している状態で、第１端子から出力される第１周波数調整回路の出力信号に基づいて発振周波数を調整することができるので、調整後に第１モードでの発振周波数が変動するおそれを低減させることができる。
本実施形態の発振器の斜視図。 図２（Ａ）は発振器の断面図、図２（Ｂ）は発振器の底面図。 本実施形態の発振器の機能ブロック図。 モード切り替え動作を説明するためのタイミングチャート図。 図５（Ａ）は振動子特性測定モードでのスイッチの接続状態を示す図であり、図５（Ｂ）は温度補償調整モードでのスイッチの接続状態を示す図。 ＶＣ１端子の電圧と電圧ＶＡＦＣとの関係を示すグラフ。 本実施形態の発振器の製造方法（調整方法）の一例を示すフローチャート図。 図７の工程Ｓ２０〜Ｓ７０の詳細なフローチャート図。 本実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図。 本実施形態の電子機器の外観の一例を示す図。 本実施形態の移動体の一例を示す図。
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
１．発振器
［発振器の構成］
図１及び図２に本実施形態の発振器の構造を示す。図１は、本実施形態の発振器の斜視図であり、図２（Ａ）は図１のＡ−Ａ’断面図である。また、図２（Ｂ）は、本実施形態の発振器の底面図である。
図１及び図２（Ａ）に示すように、本実施形態の発振器１は、後述する図５の発振回路２を含む電子部品９、振動子３、パッケージ４、蓋５、外部端子（外部電極）６、封止部材８を含んで構成されている。
振動子３としては、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子、ＡＴカット水晶振動子、ＳＣカット水晶振動子、音叉型水晶振動子、その他の圧電振動子やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）振動子などを用いることができる。振動子３の基板材料としては、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電単結晶や、ジルコン酸チタン酸鉛等の圧電セラミックス等の圧電材料、又はシリコン半導体材料等を用いることができる。振動子３の励振手段としては、圧電効果によるものを用いてもよいし、クーロン力による静電駆動を用いてもよい。なお、本実施形態の振動子３は、基板材料が個片化されたチップ形状の素子としているが、これに限らず、チップ形状の素子が容器に封入されている振動デバイスを用いてもよい。
パッケージ４は、電子部品９と振動子３とを収容するための容器である。具体的には、パッケージ４には、対向する面に２つの凹部が設けられており、蓋５で一方の凹部を覆うことによって収容室７ａとなり、封止部材８で他方の凹部を覆うことによって収容室７ｂとなる。収容室７ａには振動子３が収容され、収容室７ｂには電子部品９が収容されている。パッケージ４の内部又は凹部の表面には、発振回路２の２つの端子（後述する図３のＸＯ端子及びＸＩ端子）と振動子３の２つの端子とをそれぞれ電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。また、パッケージ４の内部又は凹部の表面には、発振回路２の各端子と対応する各外部端子６とを電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。
図２（Ｂ）に示すように、本実施形態の発振器１は底面（パッケージ４の裏面）に、電源端子である外部端子ＶＤＤ１，接地端子である外部端子ＶＳＳ１、電子部品９を制御する信号が入力される端子である外部端子ＶＣ１及び出力端子である外部端子ＯＵＴ１の４個の外部端子６が設けられている。外部端子ＶＤＤ１には電源電圧が供給され、外部端子ＶＳＳ１は接地される。
図３は本実施形態の発振器の機能ブロック図である。図３に示すように、本実施形態の発振器１は、発振回路２と振動子３とを含む発振器であり、発振回路２と振動子３はパッケージ４に収容されている。
発振回路２は、電源端子であるＶＤＤ端子、接地端子であるＶＳＳ端子、出力端子であるＯＵＴ端子（第２端子の一例）、周波数を制御する信号が入力されるが入力される端子であるＶＣ端子（第１端子の一例）、振動子３との接続端子であるＸＩ端子及びＸＯ端子が設けられている。ＶＤＤ端子、ＶＳＳ端子、ＯＵＴ端子及びＶＣ端子は、ＩＣチップである電子部品９（図１参照）の表面に露出しており、それぞれ、パッケージ４に設けられた外部端子ＶＤＤ１，ＶＳＳ１，ＯＵＴ１，ＶＣ１と接続されている。また、ＸＩ端子は振動子３の一端（一方の端子）と接続され、ＸＯ端子は振動子３の他端（他方の端子）と接続される。
本実施形態では、発振回路２は、可変容量制御回路１０、温度補償回路２０（第１周波数調整回路の一例）、温度センサー２２、発振用回路３０、出力回路４０、３端子スイッチ５１、３端子スイッチ５２、メモリー６０、スイッチ制御回路７０、インターフェース（Ｉ／Ｆ）回路８０を含んで構成されている。なお、本実施形態の発振回路２は、これらの要素の一部を省略又は変更し、あるいは他の要素を追加した構成としてもよい。
可変容量制御回路１０は、ＡＦＣ（Automatic Frequency Control）回路１１（第２周波数調整回路の一例）、電圧発生回路（電圧選択回路）１２及び３端子スイッチ１３を含んで構成されている。
ＡＦＣ回路１１は、発振用回路３０の周波数を調整するための回路であり、演算増幅器１１１、抵抗値がＲ１の抵抗１１２、抵抗値がＲ２の可変抵抗１１３、演算増幅器１１４、抵抗値がＲ３の抵抗１１５、抵抗値がＲ４の抵抗１１６を含んで構成されている。
抵抗１１２は、３端子スイッチ５１の第３端子と演算増幅器１１１の反転入力端子（−端子）との間に接続されており、可変抵抗１１３は、演算増幅器１１１の反転入力端子（−端子）と出力端子との間に接続されている。また、演算増幅器１１１の非反転入力端子（＋端子）には一定電圧Ｖ１が入力される。
抵抗１１５は、演算増幅器１１１の出力端子と演算増幅器１１４の反転入力端子（−端子）との間に接続されており、抵抗１１６は、演算増幅器１１４の反転入力端子（−端子）と出力端子との間に接続されている。また、演算増幅器１１４の非反転入力端子（＋端子）には一定電圧Ｖ２が入力され、演算増幅器１１４の出力端子は３端子スイッチ１３の第１端子と接続されている。
可変抵抗１１３の抵抗値Ｒ２は、メモリー６０に記憶されているゲイン調整値に応じた抵抗値となる。
このように構成されているＡＦＣ回路１１において、入力電圧をＶＡＦＣ＿ＩＮとすると、演算増幅器１１１の出力電圧ＶＡは次式（１）で表される。
Figure 0006665408
また、演算増幅器１１４の出力電圧ＶＢは次式（２）で表される。
Figure 0006665408
電圧発生回路１２は、ｎ＋１個の抵抗１２１−０〜１２１−ｎ及びｎ個の２端子スイッチ１２２−１〜１２２−ｎを含んで構成されている。
ｎ＋１個の抵抗１２１−０〜１２１−ｎは、電源とグランドの間に、この順に直列に接続されている。
各２端子スイッチ１２２−ｋ（ｋ＝１〜ｎ）は、第１端子が抵抗１２１−（ｋ−１）と抵抗１２１−ｋとの接続点と接続されており、第２端子が３端子スイッチ１３の第２端子と接続されている。
ｎ個の２端子スイッチ１２２−１〜１２２−ｎは、メモリー６０に記憶されている選択値に応じていずれか１つがオン状態（第１端子と第２端子が電気的に接続される状態）となり、他はオフ状態（第１端子と第２端子が電気的に遮断される状態）となる。従って、電圧発生回路１２の出力電圧（３端子スイッチ１３の第２端子に供給される電圧）ＶＳは、メモリー６０に記憶されている選択値に応じた電圧値となる。
３端子スイッチ１３は、スイッチ制御回路７０からの制御信号に応じて、第１端子と第
３端子とが電気的に接続される第１状態と、第２端子と第３端子とが電気的に接続される第２状態のいずれかとなる。
温度センサー２２は、その周辺の温度に応じた信号（例えば、温度に応じた電圧）を出力する感温素子である。
温度補償回路２０は、発振用回路３０の周波数を調整するための回路であり、関数発生回路２３及び加算器２４を含んで構成されており、温度センサー２２から出力される信号に基づいて発振用回路３０の周波数を調整する。
本実施形態では、振動子３の周波数温度特性が温度を変数とする３次式で近似できるものとし、関数発生回路２３は、３次関数発生回路２３１、１次関数発生回路２３２及び０次関数発生回路２３３を含んで構成されている。
３次関数発生回路２３１は、入力端子が温度センサー２２の出力端子と接続されており、温度センサー２２の出力電圧を変数として、メモリー６０に記憶されている３次係数に応じた３次関数の電圧を発生して出力する。
１次関数発生回路２３２は、入力端子が温度センサー２２の出力端子と接続されており、温度センサー２２の出力電圧を変数として、メモリー６０に記憶されている１次係数に応じた１次関数の電圧を発生して出力する。
０次関数発生回路２３３は、メモリー６０に記憶されている０次係数（定数）に応じた一定電圧を発生して出力する。
加算器２４は、３次関数発生回路２３１の出力電圧、１次関数発生回路２３２の出力電圧及び０次関数発生回路２３３の出力電圧を加算して出力する。加算器２４の出力端子は、３端子スイッチ５１の第２端子及び３端子スイッチ５２の第１端子と接続されている。
発振用回路３０は、ＸＯ端子及びＸＩ端子と接続され、振動子３を発振させる。図３の例では、発振用回路３０は、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスター３１、抵抗３２，３３、コンデンサー３４，３５、バラクター（可変容量ダイオード）３６、バラクター３７、抵抗３８、抵抗３９を含んで構成されている。
バイポーラトランジスター３１は、ベース端子がＸＩ端子と接続され、コレクター端子がＸＯ端子と接続され、エミッター端子が接地されている。
抵抗３２は、バイポーラトランジスター３１のベース端子とコレクター端子との間に接続されており、抵抗３３は、電源とバイポーラトランジスター３１のコレクター端子との間に接続されている。
コンデンサー３４は、バイポーラトランジスター３１のコレクター端子とバラクター３６のカソード端子との間に接続されており、コンデンサー３５は、バイポーラトランジスター３１のベース端子とバラクター３７のカソード端子との間に接続されている。
バラクター３６のアノード端子及びバラクター３７のアノード端子は接地されている。
抵抗３８は、３端子スイッチ５２の第３端子とバラクター３６のカソード端子との間に接続されており、抵抗３９は、３端子スイッチ１３の第３端子とバラクター３７のカソード端子との間に接続されている。
このように構成されている発振用回路３０は、バイポーラトランジスター３１を増幅素子として、ＸＩ端子から入力される振動子３の出力信号を増幅し、ＸＯ端子を介してこの増幅した信号を振動子３の入力信号として供給する。なお、発振用回路３０は、増幅素子として、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスター、電界効果トランジスター（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）、金属酸化膜型電界効果トランジスター（ＭＯＳＦＥＴ：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、サイリスター等を用いて実現されてもよい。
発振用回路３０の出力信号である、バイポーラトランジスター３１のコレクター端子の信号は出力回路４０に入力され、出力回路４０の出力信号はＯＵＴ端子を介してＯＵＴ１端子から外部に出力される。
３端子スイッチ５１は、第１端子がＶＣ端子と接続され、第２端子が加算器２４の出力端子（温度補償回路２０の出力端子）と接続され、第３端子が抵抗１１２の一方の端子と接続されている。
３端子スイッチ５１は、スイッチ制御回路７０からの制御信号に応じて、第１端子と第３端子とが電気的に接続される第１状態と、第１端子と第２端子とが電気的に接続される第２状態のいずれかとなる。
３端子スイッチ５２は、第１端子が加算器２４の出力端子と接続され、第２端子には一定電圧Ｖ３が入力され、第３端子が抵抗３８の一方の端子と接続されている。
３端子スイッチ５２は、スイッチ制御回路７０からの制御信号に応じて、第１端子と第３端子とが電気的に接続される第１状態と、第２端子と第３端子とが電気的に接続される第２状態のいずれかとなる。
スイッチ制御回路７０は、設定されているモードに応じて、３端子スイッチ５１、３端子スイッチ５２及び３端子スイッチ１３をそれぞれ制御する制御信号を生成する。
インターフェース（Ｉ／Ｆ）回路８０は、ＶＤＤ端子の電圧が閾値よりも高いか低いかを判定し、ＶＤＤ端子の電圧が閾値よりも高い時に、ＶＣ端子から外部入力されるクロック信号ＳＣＬＫとＯＵＴ端子から外部入力されるデータ信号ＤＡＴＡを受け付け、メモリー６０に対してデータの読み書きを行い、あるいは、不図示のレジスターに発振回路２のモードを設定する。
メモリー６０は、各種の制御データを記憶するための記憶部であり、例えば、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）やフラッシュメモリーなどの書き換え可能な種々の不揮発性メモリーであってもよいし、不揮発性メモリーと、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）などの種々の揮発性メモリーとを含んで構成されていてもよい。
［発振回路のモード］
本実施形態では、発振回路２は、発振器１の電源投入時（ＶＤＤ端子が０Ｖから所望の電圧に立ち上がる時）に通常動作モードに設定される。また、インターフェース（Ｉ／Ｆ）回路８０を介して、温度補償調整モードや振動子特性測定モードを含む複数のモードのいずれかに切り替えることが可能になっている。図４は、このモード切り替え動作を説明するためのタイミングチャートである。図４の横軸は時間、縦軸は電圧に対応する。図４のタイミングチャートでは、ＶＤＤ端子（発振器１の外部端子ＶＤＤ１）の電圧、ＶＣ端
子（発振器１の外部端子ＶＣ１）から入力されるクロック信号ＳＣＬＫ、ＯＵＴ端子（発振器１の外部端子ＯＵＴ１）から入力されるデータ信号ＤＡＴＡが示されている。
図４に示される例では、ＶＤＤ端子の電圧は、時刻ｔ０で０Ｖ、時刻ｔ１で電圧ＶＤＤＬとなり、時刻ｔ２で基準値Ｖｔｈとなり、その後に電圧ＶＤＤＨまで上昇する。ＶＤＤ端子の電圧がＶＤＤＨである期間に入力されたクロック信号ＳＣＬＫの最初のパルスの立ち下がり時刻である時刻ｔ３で通信がイネーブルとなる。クロック信号ＳＣＬＫの次のパルスはテストモード設定用のパルスであり、その後の５つのパルスに同期して入力された５ビットのデータ信号ＤＡＴＡに応じて、テストモードの種類が選択される。ＶＤＤ端子の電圧がＶＤＤＬに戻る時刻ｔ４で選択されたテストモードに移行する。この５ビットのデータ信号ＤＡＴＡを所定の値に設定することで発振回路２を選択されたテストモードに設定することができる。
通常動作モード（第１モードの一例）では、図３に示す通り、３端子スイッチ１３は、第１端子と第３端子とが電気的に接続される第１状態となり、３端子スイッチ５１は、第１端子と第３端子とが電気的に接続される第１状態となり、３端子スイッチ５２は、第１端子と第３端子とが電気的に接続される第１状態となる。
従って、通常動作モードでは、バラクター３６のカソード端子には、温度センサー２２の出力電圧に基づいて生成された温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣが印加され、振動子３の周波数温度特性が補正（温度補償）される。また、ＶＣ端子の電圧に基づいて生成されたＡＦＣ回路の出力電圧ＶＢがＶＡＦＣとしてバラクター３７のカソード端子に印加され、発振周波数が制御される。すなわち、本実施形態の発振器１は、電圧制御型温度補償発振器であり、例えば、Ｖ２＝Ｖ１，Ｒ３＝Ｒ４として、式（１）を式（２）に代入して整理すると、通常動作モードでのＶＡＦＣは次式（３）で表される。
Figure 0006665408
式（３）によって示されるように、ＡＦＣ回路１１のゲインはＲ２／Ｒ１であり、ＶＡＦＣはＶＡＦＣ＿ＩＮ、すなわちＶＣ端子の電圧によって制御される。
図６は、Ｖ１＝Ｖ２＝０．９Ｖ、Ｒ３＝Ｒ４とした時、ＡＦＣ回路１１のゲイン（Ｒ２／Ｒ１）を０．４倍、０．５倍、０．６倍とした場合のＶＣ端子の電圧（＝ＶＡＦＣ＿ＩＮ）と電圧ＶＡＦＣとの関係を示す図である。例えば、ＡＦＣ回路１１のゲインが０．５倍の時、ＶＣ端子の電圧＝０．９Ｖ±０．７ＶとするとＶＡＦＣ＝０．９Ｖ±０．３５Ｖであり、ＶＣ端子の電圧＝１．２Ｖ±１ＶとするとＶＡＦＣ＝１．０５Ｖ±０．５Ｖである。
また、振動子特性測定モードでは、図５（Ａ）に示す通り、３端子スイッチ１３は、第１端子と第３端子とが電気的に接続される第１状態となり、３端子スイッチ５１は、第１端子と第３端子とが電気的に接続される第１状態となり、３端子スイッチ５２は、第２端子と第３端子とが電気的に接続される第２状態となる。なお、図５（Ａ）では、一部の構成の図示及び関数発生回路２３、発振用回路３０、ＡＦＣ回路１１、電圧発生回路１２の内部構成の図示を省略しているが、それぞれ図３と同じである。
従って、振動子特性測定モードでは、バラクター３６のカソード端子には、一定電圧Ｖ３が印加され、振動子３の周波数温度特性が補正（温度補償）されない。また、バラクタ
ー３７のカソード端子には、ＶＣ端子の電圧に基づいて生成されたＡＦＣ回路１１の出力電圧ＶＡＦＣが印加され、発振周波数が制御される。従って、ＶＣ端子から一定電圧を入力し、所望の温度範囲（例えば、発振器１の仕様で動作保証されている温度範囲）で温度を振った時にＯＵＴ端子から出力される発振信号の周波数を測定することで、振動子３の周波数温度特性を取得することができる。
また、温度補償調整モード（第２モードの一例）では、図５（Ｂ）に示す通り、３端子スイッチ１３は、第２端子と第３端子とが電気的に接続される第２状態となり、３端子スイッチ５１は、第１端子と第２端子とが電気的に接続される第２状態となり、３端子スイッチ５２は、第１端子と第３端子とが電気的に接続される第１状態となる。なお、図５（Ｂ）では、一部の構成の図示及び関数発生回路２３、発振用回路３０、ＡＦＣ回路１１、電圧発生回路１２の内部構成の図示を省略しているが、それぞれ図３と同じである。
従って、温度補償調整モードでは、バラクター３６のカソード端子には、温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣが印加され、バラクター３７のカソード端子には、電圧発生回路１２が発生（選択）する一定電圧ＶＳが印加される。従って、所望の温度範囲で温度を振って、ＶＣ端子から出力される電圧ＶＴＣを測定することで、３次関数電圧、１次関数電圧及び０次関数電圧の情報を取得し、振動子３の周波数温度特性を補正（補償）して所望の温度範囲での発振周波数を目標の周波数に近づけるための３次係数、１次係数、０次係数（定数）を計算することができる。
このように、本実施形態では、通常動作モードと温度補償調整モードのいずれにおいても、発振用回路３０と温度補償回路２０とが電気的に接続されており、発振用回路３０と温度補償回路２０がともに動作している。従って、温度補償調整モード時に、発振用回路３０と温度補償回路２０を通常動作モード時と同様の状態で動作させながらＶＣ端子から出力される電圧ＶＴＣを測定することができる。さらに、通常動作モードと温度補償調整モードのいずれにおいても、発熱量が大きい、発振用回路３０と出力回路４０がともに動作しているため、発振回路２の発熱による、通常動作モード時の温度の変動量と温度補償調整モード時の温度の変動量との差が小さい。従って、本実施形態によれば、温度補償調整を精度良く行うことができる。
さらに、温度補償調整モードにおいて、ＯＵＴ端子から出力される発振信号の周波数も測定することで、温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣと発振周波数との関係がわかるので、温度補償調整をより精度良く行うことができる。なお、本実施形態の温度補償調整モードでは、３端子スイッチ５２は、第１端子と第３端子とが接続されているが、これに限らず、３端子スイッチ５２は、第２端子と第３端子とが接続された状態で、すなわち発振用回路３０と温度補償回路２０とが電気的に接続されない状態で、ＶＣ端子から出力される電圧ＶＴＣを測定するようにしても、上述と同様の効果を奏することができる。
なお、例えば、Ｖ１＝Ｖ２＝０．９Ｖ、Ｒ３＝Ｒ４とした時、仮に、温度補償モードにおいて、ＶＣ端子に入力される電圧範囲に関係なくＶＳを０．９Ｖに固定した場合、通常動作モード時にＶＣ端子の電圧＝０．９Ｖ±０．７ＶのようにＶＣ端子の中心電圧が０．９Ｖであれば、通常動作モード時にＶＣ端子を介してバラクター３７のカソード端子に印加される電圧の中心電圧と、温度補償調整モード時にバラクター３７のカソード端子に印加される電圧が一致する。そのため、温度補償調整モードでのバラクター３７の容量値は、通常動作モードでＶＣ１端子の電圧が中心電圧の時のバラクター３７の容量値と一致し、通常動作モードでＶＣ１端子の電圧が中心電圧の時に温度補償された発振周波数は目標の周波数と一致する。ところが、ＶＣ端子の電圧＝１．２Ｖ±１ＶのようにＶＣ端子の中心電圧が０．９Ｖではない場合は、通常動作モード時にＶＣ端子の電圧が中心電圧１．２Ｖの時にバラクター３７のカソード端子に印加される電圧は１．０５Ｖとなり、温度補償
調整モード時にバラクター３７のカソード端子に印加される電圧は０．９Ｖとなり、通常モードと温度補償調整モードとでバラクター３７のカソード端子に印加される電圧が一致しない。そのため、温度補償調整モードでのバラクター３７の容量値は、通常動作モードでＶＣ端子の電圧が中心電圧の時のバラクター３７の容量値と一致せず、通常動作モードでＶＣ端子の電圧が中心電圧の時に温度補償された発振周波数は目標の周波数からずれてしまう。
そこで、本実施形態では、メモリー６０に記憶される選択値に応じて電圧ＶＳを選択可能に構成しており、温度補償調整モードにおいてバラクター３７のカソード端子に印加される電圧ＶＳとして、通常動作モードでＶＣ１端子の電圧が中心電圧の時にバラクター３７のカソード端子に印加される電圧に最も近い電圧を選択することで、最適な温度補償調整を行うことが可能に構成されている。
また、バラクター３７に印加される電圧ＶＳは、細かく設定できる方がバラクター３７の容量値を細かく調整可能になる。温度補償モードにおいて、バラクター３７の容量値を調整するために印加される電圧ＶＳの電圧ステップが０．１Ｖ以上であると、温度補償モード時と通常動作モード時でのバラクター３７に印加される電圧が異なることによるバラクター３７の容量値変化が大きくなり、温度補償モードで最適な温度補償調整を行うことができなくなる。このため、温度補償モード時にバラクター３７に印加される電圧ＶＳの電圧ステップを、０．１Ｖ以下、望ましくは０．０５Ｖ以下とすることで、温度補償調整モード時に最適な温度補償調整を行うことができるようになる。
例えば、通常動作モード時にＶＣ端子に印加される電圧の中心電圧（ＶＡＦＣ＿ＩＮの中心電圧）は、一般的に０．９Ｖから１．６Ｖ程度であり、Ｖ１＝Ｖ２＝０．９Ｖ、Ｒ３＝Ｒ４、ＡＦＣ回路１１のゲイン（Ｒ２／Ｒ１）を０．５倍とした場合の電圧ＶＳは、式（３）から０．９Ｖから１．２５Ｖ程度となる。従って、電圧ＶＳの電圧ステップを０．０５Ｖ以下とするためには、電圧ＶＳが０．９Ｖから１．２５Ｖ程度（０．３５Ｖ幅）であるため、電圧ＶＳを設定するために必要なメモリー量としては３ｂｉｔ（８通り）以上あれば、電圧ＶＳの電圧ステップを０．４３７５Ｖと０．０５Ｖ以下にすることができ、最適な温度補償調整を行うことができるようになる。なお、電圧ＶＳを設定するためのメモリー量として、上記ＶＡＦＣ＿ＩＮの中心電圧、Ｖ１、Ｖ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４を例示して計算したが、これに限らず、ＶＡＦＣ＿ＩＮの中心電圧、Ｖ１、Ｖ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の値に応じて、電圧ＶＳの電圧ステップを０．１Ｖ以下、望ましくは０．０５Ｖ以下と値とするようにメモリー量を適宜設定することができる。
［発振器の製造方法（調整方法）］
図７は、本実施形態の発振器の製造方法（調整方法）の一例を示すフローチャート図である。本実施形態の発振器の製造方法（調整方法）は、図７に示す工程Ｓ１０〜Ｓ８０を含む。ただし、本実施形態の発振器の製造方法（調整方法）は、工程Ｓ１０〜Ｓ８０の一部を省略又は変更し、あるいは、他の工程を追加してもよい。
図７に示すように、本実施形態では、まず、発振回路２と振動子３を準備し、発振回路２と振動子３とを電気的に接続する（工程Ｓ１０）。
次に、３端子スイッチ５１を、ＶＣ端子と発振用回路３０とがＡＦＣ回路１１を介して電気的に接続されるように制御する（工程Ｓ２０）。
次に、振動子３の周波数温度特性を測定する（工程Ｓ３０）。
次に、３端子スイッチ５１を、ＶＣ１端子と温度補償回路２０の出力側の端子とが電気
的に接続されるように制御する（工程Ｓ４０）。
次に、可変容量制御回路１０の出力電圧ＶＡＦＣを設定する（工程Ｓ５０）。
次に、所望の温度範囲で発振器１の温度を振りながら、ＶＣ端子から出力される温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣに基づき、温度補償回路２０の特性を調べる（工程Ｓ６０）。
次に、工程Ｓ６０で調べた温度補償回路２０の特性に基づき、温度補償用の係数値を計算する（工程Ｓ７０）。
次に、工程Ｓ７０で得られた温度補償用の係数値をメモリー６０に書き込む（工程Ｓ８０）。
図８は、図７の工程Ｓ２０〜Ｓ７０の詳細なフローチャート図である。図８に示すように、本実施形態では、工程Ｓ２０として、発振回路２を振動子特性測定モードに設定する（Ｓ２１）。これにより、３端子スイッチ１３、３端子スイッチ５１及び３端子スイッチ５２は、それぞれ図５（Ａ）のような接続状態になる。
また、工程Ｓ３０としては、まず、所望の温度範囲の５点以上の温度での振動子３の周波数温度特性を測定する（Ｓ３１）。具体的には、例えば、発振器１を恒温槽に収容し、外部端子ＶＣ１に通常動作モード時の中心電圧を印加した状態で、恒温槽の温度を変えながら、５点以上の温度で外部端子ＯＵＴ１から出力される発振信号の周波数を測定する。
次に、工程Ｓ３１の測定により得られた振動子３の周波数温度特性の式を最小二乗法で近似し、０次関数の成分、１次関数の成分、３次関数の成分を抽出する（Ｓ３２）。
また、工程Ｓ４０として、発振回路２を温度補償調整モードに設定する（Ｓ４１）。これにより、３端子スイッチ１３、３端子スイッチ５１及び３端子スイッチ５２は、それぞれ図５（Ｂ）のような接続状態になり、ＶＣ端子とＡＦＣ回路１１との電気的な接続が切断され、ＶＣ端子と温度補償回路２０の出力端子とが電気的に接続される。
また、工程Ｓ５０として、電圧発生回路１２の出力電圧ＶＳを選択する（Ｓ５１）。具体的には、通常動作モード時のＶＣ端子の中心電圧をＶＡＦＣ＿ＩＮとして、電圧ＶＳが式（１）及び式（２）より計算される電圧ＶＢに最も近くなるような選択値をメモリー６０に書き込む。例えば、Ｖ１＝Ｖ２＝０．９Ｖ、Ｒ３＝Ｒ４、Ｒ２／Ｒ１＝０．５とした時、通常動作モード時のＶＣ端子の中心電圧が０．９ＶであればＶＳが０．９Ｖに最も近くなる選択値を書き込み、通常動作モード時のＶＣ端子の中心電圧が１．２ＶであればＶＳが１．０５Ｖに最も近くなる選択値を書き込む。
また、工程Ｓ６０としては、まず、発振器１の温度を所定の温度に設定する（Ｓ６１）。具体的には、例えば、発振器１を収容する恒温槽の温度を所望の温度範囲に含まれる測定対象の複数の温度のいずれかに設定する。
次に、０次、１次、３次の各係数をそれぞれ最小値（ＭＩＮ）に設定した時の温度補償回路２０の出力電圧（及び発振周波数）をそれぞれ測定する（Ｓ６２）。具体的には、１次係数と３次係数を０に設定するとともに０次係数を最小値（ＭＩＮ）に設定し、外部端子ＶＣ１から出力される温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣ（及び外部端子ＯＵＴ１から出力される発振信号の周波数）を測定する。また、０次係数と３次係数を０に設定するとともに１次係数を最小値（ＭＩＮ）に設定し、外部端子ＶＣ１から出力される温度補償回
路２０の出力電圧ＶＴＣ（及び外部端子ＯＵＴ１から出力される発振信号の周波数）を測定する。また、０次係数と１次係数を０に設定するとともに３次係数を最小値（ＭＩＮ）に設定し、外部端子ＶＣ１から出力される温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣ（及び外部端子ＯＵＴ１から出力される発振信号の周波数）を測定する。
次に、０次、１次、３次の各係数をそれぞれ基準値（ＴＹＰ）に設定した時の温度補償回路２０の出力電圧（及び発振周波数）をそれぞれ測定する（Ｓ６３）。具体的には、１次係数と３次係数を０に設定するとともに０次係数を基準値（ＴＹＰ）に設定し、外部端子ＶＣ１から出力される温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣ（及び外部端子ＯＵＴ１から出力される発振信号の周波数）を測定する。また、０次係数と３次係数を０に設定するとともに１次係数を基準値（ＴＹＰ）に設定し、外部端子ＶＣ１から出力される温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣ（及び外部端子ＯＵＴ１から出力される発振信号の周波数）を測定する。また、０次係数と１次係数を０に設定するとともに３次係数を基準値（ＴＹＰ）に設定し、外部端子ＶＣ１から出力される温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣ（及び外部端子ＯＵＴ１から出力される発振信号の周波数）を測定する。
次に、０次、１次、３次の各係数をそれぞれ最大値（ＭＡＸ）に設定した時の温度補償回路２０の出力電圧（及び発振周波数）をそれぞれ測定する（Ｓ６４）。具体的には、１次係数と３次係数を０に設定するとともに０次係数を最大値（ＭＡＸ）に設定し、外部端子ＶＣ１から出力される温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣ（及び外部端子ＯＵＴ１から出力される発振信号の周波数）を測定する。また、０次係数と３次係数を０に設定するとともに１次係数を最大値（ＭＡＸ）に設定し、外部端子ＶＣ１から出力される温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣ（及び外部端子ＯＵＴ１から出力される発振信号の周波数）を測定する。また、０次係数と１次係数を０に設定するとともに３次係数を最大値（ＭＡＸ）に設定し、外部端子ＶＣ１から出力される温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣ（及び外部端子ＯＵＴ１から出力される発振信号の周波数）を測定する。
次に、所望の温度範囲に含まれる測定対象の複数の温度での測定が終了していない場合（Ｓ６５のＮ）には、発振器１の温度を未測定の温度に変更し（Ｓ６６）、工程Ｓ６２以降を再度行う。
そして、所望の温度範囲に含まれる測定対象の複数の温度での測定が終了した場合（Ｓ６５のＹ）には、工程Ｓ７０として、工程Ｓ６１〜Ｓ６６での測定結果に基づき、工程Ｓ３２で近似式から抽出した０次関数成分、１次関数成分、３次関数成分を最も打ち消す、０次、１次、３次の各係数値を選択する（Ｓ７１）。具体的には、工程Ｓ６１〜Ｓ６６での温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣ（及び発振周波数）の測定結果から、０次係数が最小値（ＭＩＮ）、基準値（ＴＹＰ）、最大値（ＭＡＸ）のそれぞれに設定された時の０次関数電圧の式をそれぞれ計算し、これらの計算結果を基に０次関数電圧が工程Ｓ３２で抽出した０次関数成分を最も打ち消す０次係数値を選択する。同様に、工程Ｓ６１〜Ｓ６６での温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣ（及び発振周波数）の測定結果から、１次係数が最小値（ＭＩＮ）、基準値（ＴＹＰ）、最大値（ＭＡＸ）のそれぞれに設定された時の１次関数電圧の式をそれぞれ計算し、これらの計算結果を基に１次関数電圧が工程Ｓ３２で抽出した１次関数成分を最も打ち消す１次係数値を選択する。同様に、工程Ｓ６１〜Ｓ６６での温度補償回路２０の出力電圧ＶＴＣ（及び発振周波数）の測定結果から、３次係数が最小値（ＭＩＮ）、基準値（ＴＹＰ）、最大値（ＭＡＸ）のそれぞれに設定された時の３次関数電圧の式をそれぞれ計算し、これらの計算結果を基に３次関数電圧が工程Ｓ３２で抽出した３次関数成分を最も打ち消す３次係数値を選択する。
なお、０次関数電圧は、発振器１の温度によって変化しないので、０次係数を最小値（ＭＩＮ）、基準値（ＴＹＰ）、最大値（ＭＡＸ）にそれぞれ設定した時の温度補償回路２
０の出力電圧ＶＴＣ（及び発振周波数）は、複数の温度のいずれか１つの温度の時のみ、工程Ｓ６２、Ｓ６３、Ｓ６４でそれぞれ測定するようにしてもよい。
以上に説明したように、本実施形態によれば、温度補償調整モードにおいて、発振用回路３０と温度補償回路２０が動作している状態で、ＶＣ端子から出力される温度補償回路２０の出力信号に基づいて発振器１（発振回路２）の発振周波数を調整することができるので、調整後に通常動作モードでの発振周波数（周波数温度特性）が変動するおそれを低減させることができる。
特に、本実施形態によれば、温度補償調整モードにおいて、通常動作モードと同様に出力回路４０が動作している状態で、発振器１（発振回路２）の発振周波数を調整することができるので、通常動作モードと温度補償調整モードにおいて出力回路４０から発生する雑音や発熱の差が小さい。また、温度補償調整モードにおいて、ＯＵＴ端子から出力される発振信号の周波数を直接的に測定しながら、より正確に発振周波数を調整することができる。従って、調整後に通常動作モードでの発振周波数（周波数温度特性）が変動するおそれをより低減させることができ、周波数温度特性が良好な発振器を提供することができる。なお、本実施形態の出力回路４０としては、例えば、クリップド・サイン波形を出力する回路やＣＭＯＳ出力回路を用いても良い。ＣＭＯＳ出力回路は、クリップド・サイン波形を出力する回路よりも発熱量が多いため、出力回路４０にＣＭＯＳ出力回路を用いる場合には、上述の実施形態における効果を、より一層奏することができる。
また、本実施形態によれば、温度補償調整モードにおいて、通常動作モードで発振用回路３０に入力されるＡＦＣ回路１１の出力電圧に代えて、電圧発生回路１２が発生させる電圧が発振用回路３０に入力されるので、温度補償調整モードと通常動作モードでの発振用回路３０の状態の差を小さくすることができる。より詳細には、温度補償超背モードにおいて、電圧発生回路１２の出力電圧を、通常動作モードの時にＶＣ端子に中心電圧が印加された時のＡＦＣ回路１１の出力電圧ＶＢに最も近い電圧に設定した状態で、温度補償調整を行うことができる。これにより、バラクター３７に印加される電圧が、通常動作モードの時にＶＣ端子に中心電圧が印加された時にバラクター３７に印加される電圧に最も近い状態で、すなわち、バラクター３７の容量値が、通常動作モードの時にＶＣ端子に中心電圧が印加された時の容量値とほぼ一致した状態で、温度補償調整を行うことができるので、温度補償調整の誤差を低減させることができる。従って、本実施形態によれば、調整後に通常動作モードでの発振周波数（周波数温度特性）が変動するおそれをより低減させることができ、周波数温度特性が良好な発振器を提供することができる。
２．電子機器
図９は、本実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図である。また、図１０は、本実施形態の電子機器の一例であるスマートフォンの外観の一例を示す図である。
本実施形態の電子機器３００は、発振器３１０、ＣＰＵ（Central Processing Unit）３２０、操作部３３０、ＲＯＭ（Read Only Memory）３４０、ＲＡＭ（Random Access Memory）３５０、通信部３６０、表示部３７０を含んで構成されている。なお、本実施形態の電子機器は、図９の構成要素（各部）の一部を省略又は変更し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
発振器３１０は、発振回路３１２と振動子３１３とを備えている。発振回路３１２は、振動子３１３を発振させて発振信号を発生させる。この発振信号は発振器３１０のＯＵＴ端子からＣＰＵ３２０に出力される。
ＣＰＵ３２０は、ＲＯＭ３４０等に記憶されているプログラムに従い、発振器３１０か
ら入力される発振信号をクロック信号として各種の計算処理や制御処理を行う。具体的には、ＣＰＵ３２０は、操作部３３０からの操作信号に応じた各種の処理、外部装置とデータ通信を行うために通信部３６０を制御する処理、表示部３７０に各種の情報を表示させるための表示信号を送信する処理等を行う。
操作部３３０は、操作キーやボタンスイッチ等により構成される入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号をＣＰＵ３２０に出力する。
ＲＯＭ３４０は、ＣＰＵ３２０が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。
ＲＡＭ３５０は、ＣＰＵ３２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ３４０から読み出されたプログラムやデータ、操作部３３０から入力されたデータ、ＣＰＵ３２０が各種プログラムに従って実行した演算結果等を一時的に記憶する。
通信部３６０は、ＣＰＵ３２０と外部装置との間のデータ通信を成立させるための各種制御を行う。
表示部３７０は、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等により構成される表示装置であり、ＣＰＵ３２０から入力される表示信号に基づいて各種の情報を表示する。表示部３７０には操作部３３０として機能するタッチパネルが設けられていてもよい。
発振回路３１２として例えば上述した実施形態の発振回路２を適用し、又は、発振器３１０として例えば上述した実施形態の発振器１を適用することにより、信頼性の高い電子機器を実現することができる。
このような電子機器３００としては種々の電子機器が考えられ、例えば、パーソナルコンピューター（例えば、モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター）、スマートフォンや携帯電話機などの移動体端末、ディジタルカメラ、インクジェット式吐出装置（例えば、インクジェットプリンター）、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、移動体端末基地局用機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、リアルタイムクロック装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、ＰＤＲ（歩行者位置方位計測）等が挙げられる。
本実施形態の電子機器３００の一例として、上述した発振器３１０を基準信号源、あるいは電圧可変型発振器（ＶＣＯ）等として用いて、例えば、端末と有線または無線で通信を行う端末基地局用装置等として機能する伝送装置が挙げられる。本実施形態の電子機器３００は、発振器３１０として、例えば上述した実施形態の発振器１を適用することにより、例えば通信基地局などに利用可能な、高性能、高信頼性を所望される伝送機器にも適用することができる。
３．移動体
図１１は、本実施形態の移動体の一例を示す図（上面図）である。図１１に示す移動体
４００は、発振器４１０、エンジンシステム、ブレーキシステム、キーレスエントリーシステム等の各種の制御を行うコントローラー４２０，４３０，４４０、バッテリー４５０、バックアップ用バッテリー４６０を含んで構成されている。なお、本実施形態の移動体は、図１１の構成要素（各部）の一部を省略し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
発振器４１０は、不図示の発振回路と振動子とを備えており、発振回路は振動子を発振させて発振信号を発生させる。この発振信号は発振器４１０の外部端子からコントローラー４２０，４３０，４４０に出力され、例えばクロック信号として用いられる。
バッテリー４５０は、発振器４１０及びコントローラー４２０，４３０，４４０に電力を供給する。バックアップ用バッテリー４６０は、バッテリー４５０の出力電圧が閾値よりも低下した時、発振器４１０及びコントローラー４２０，４３０，４４０に電力を供給する。
発振器４１０が備える発振回路として例えば上述した実施形態の発振回路２を適用し、又は、発振器４１０として例えば上述した実施形態の発振器１を適用することにより、信頼性の高い移動体を実現することができる。
このような移動体４００としては種々の移動体が考えられ、例えば、自動車（電気自動車も含む）、ジェット機やヘリコプター等の航空機、船舶、ロケット、人工衛星等が挙げられる。
本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
例えば、上述した実施形態の発振器は、温度補償機能と電圧制御機能（周波数制御機能）を有する発振器（ＶＣ−ＴＣＸＯ（Voltage Controlled Temperature Compensated Crystal Oscillator）等）であるが、本発明は、温度補償機能を有さない電圧制御型発振器（ＶＣＸＯ（Voltage Controlled Crystal Oscillator）等）、電圧制御機能（周波数制御機能）を有さない温度補償型発振器（ＴＣＸＯ（Temperature Compensated Crystal Oscillator）等）、温度補償機能と電圧制御機能（周波数制御機能）をともに有さない発振器（ＳＰＸＯ（Simple Packaged Crystal Oscillator）等）、恒温槽型の発振器（ＯＣＸＯ（Oven Controlled Crystal Oscillator）等）などの発振器にも適用することができる。
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
１ 発振器、２ 発振回路、３ 振動子、４ パッケージ、５ 蓋、６ 外部端子（外部電極）、７ａ，７ｂ 収容室、８ 封止部材、９ 電子部品、１０ 可変容量制御回路、１１ ＡＦＣ回路、１２ 電圧発生回路（電圧選択回路）、１３ ３端子スイッチ、２０
温度補償回路、２２ 温度センサー、２３ 関数発生回路、２４ 加算器、３０ 発振用回路、３１ バイポーラトランジスター、３２ 抵抗、３３ 抵抗、３４ コンデンサー、３５ コンデンサー、３６ バラクター、３７ バラクター、３８ 抵抗、３９ 抵抗、４０ 出力回路、５１ ３端子スイッチ、５２ ３端子スイッチ、６０ メモリー、７０ スイッチ制御回路、８０ インターフェース（Ｉ／Ｆ）回路、１１１ 演算増幅器、１１２ 抵抗、１１３ 可変抵抗、１１４ 演算増幅器、１１５ 抵抗、１１６ 抵抗、１２１−０〜１２１−ｎ 抵抗、１２２−１〜１２２−ｎ ２端子スイッチ、２３１ ３次関数発生回路、２３２ １次関数発生回路、２３３ ０次関数発生回路、３００ 電子機器、３１０ 発振器、３１２ 発振回路、３１３ 振動子、３２０ ＣＰＵ、３３０
操作部、３４０ ＲＯＭ、３５０ ＲＡＭ、３６０ 通信部、３７０ 表示部、４００
移動体、４１０ 発振器、４２０，４３０，４４０ コントローラー、４５０ バッテリー、４６０ バックアップ用バッテリー

Claims (8)

  1. 振動子に電気的に接続されて前記振動子を発振させる発振用回路と、
    前記発振用回路の周波数を調整するための第１周波数調整回路と、
    前記発振用回路の周波数を調整するための第２周波数調整回路と、
    出力する電圧を可変に設定可能な電圧発生回路と、
    感温素子と、
    第１端子と、を含み、
    前記第１周波数調整回路は、前記感温素子から出力される信号に基づいて前記発振用回路の周波数を調整し、
    前記発振用回路と前記第１周波数調整回路とが電気的に接続されているとともに、前記第１周波数調整回路と前記第１端子とが電気的に接続されていない第１モードと、
    前記発振用回路と前記第１周波数調整回路とが動作しているとともに、前記第１周波数調整回路の信号が出力される側の端子と前記第１端子とが電気的に接続されている第２モードと、を有し、
    前記第１モードにおいて、前記第１端子と前記第２周波数調整回路とが電気的に接続されているとともに、前記第２周波数調整回路と前記発振用回路とが電気的に接続されており、
    前記第２モードにおいて、前記第１端子と前記第２周波数調整回路とが電気的に接続されていないとともに、前記電圧発生回路と前記発振用回路とが電気的に接続されている、発振回路。
  2. 前記発振用回路と前記第１周波数調整回路とが電気的に接続されず、前記発振用回路と前記第１端子とが電気的に接続されている第３モードを有する、請求項１に記載の発振回路。
  3. 前記発振用回路から出力される信号が入力されて発振信号を出力する出力回路を含み、
    前記出力回路は、前記第１モード及び前記第２モードにおいて動作している、請求項１又は２に記載の発振回路。
  4. 前記出力回路の出力側の端子と電気的に接続されている第２端子を含む、請求項３に記載の発振回路。
  5. 感温素子を含み、
    前記第１周波数調整回路は、前記感温素子から出力される信号に基づいて前記発振用回路の周波数を調整する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発振回路。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発振回路を備えた、電子機器。
  7. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発振回路を備えた、移動体。
  8. 振動子に電気的に接続されて前記振動子を発振させる発振用回路と、前記発振用回路の周波数を調整するための第１周波数調整回路と、前記発振用回路の周波数を調整するための第２周波数調整回路と、出力する電圧を可変に設定可能な電圧発生回路と、感温素子と、第１端子と、を含み、前記第１周波数調整回路は、前記感温素子から出力される信号に基づいて前記発振用回路の周波数を調整し、前記第１周波数調整回路と前記第１端子とが電気的に接続されていない第１モードと、前記第１周波数調整回路の信号が出力される側の端子と前記第１端子とが電気的に接続されている第２モードと、を有する発振回路の調整方法であって、
    前記発振回路を前記第２モードに設定する工程と、
    前記発振回路が前記第２モードに設定されている状態で、前記第１端子から出力される前記第１周波数調整回路の前記信号に基づいて、前記発振回路を調整する工程と、を含み、
    前記第１モードにおいて、前記発振用回路と前記第１周波数調整回路とが電気的に接続されており、前記第１端子と前記第２周波数調整回路とが電気的に接続されており、前記第２周波数調整回路と前記発振用回路とが電気的に接続されており、
    前記第２モードにおいて、前記発振用回路と前記第１周波数調整回路とが動作しており、前記第１端子と前記第２周波数調整回路とが電気的に接続されておらず、前記電圧発生回路と前記発振用回路とが電気的に接続されている、発振回路の調整方法。
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