JP2016187155A - 発振器の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来よりも周波数偏差を小さくすること、または、従来と同等の周波数偏差を維持しつつ温度補償調整に要する時間を短縮することが可能な発振器の製造方法を提供すること。【解決手段】振動子３と、発振回路１０と、温度補償回路４０とを含む発振器１の製造方法であって、基準温度Ｔ０を含む第１温度範囲において第１温度間隔ΔＴ１で周波数を測定する第１周波数測定工程（Ｓ５３）と、第１温度範囲とは異なる第２温度範囲において第２温度間隔ΔＴ２で周波数を測定する第２周波数測定工程（Ｓ５４）と、第１周波数測定工程（Ｓ５３）で測定した周波数と、第２周波数測定工程（Ｓ５４）で測定した周波数とに基づいて、温度補償データを生成する工程（Ｓ５６）と、を含み、第２温度間隔ΔＴ２が第１温度間隔ΔＴ１よりも小さい。【選択図】図７

Description

本発明は、発振器の製造方法に関する。

温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ：Temperature Compensated CrystalOscillator）は、水晶振動子と当該水晶振動子を発振させるための集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）を有し、当該ＩＣが所定の温度範囲で水晶振動子の発振周波数の所望の周波数（公称周波数）からのずれ（周波数偏差）を補償（温度補償）することにより、高い周波数精度が得られる。このような温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）は、例えば、特許文献１や特許文献２に開示されている。

特開２０１４−１０７８６２号公報 特開２０１０−１０３８０２号公報

一般に、温度補償型発振器の製造工程の１つの工程（温度補償調整工程）において、複数の温度で周波数を測定し、周波数の測定結果に基づく計算により、周波数偏差を補償するための温度補償データ（係数値）を作成してＩＣに記憶する。そして、ＩＣは、記憶されている温度補償データを用いて温度補償を行う。

しかしながら、周波数の測定温度の数が不足している場合、ＩＣの温度特性に起因して周波数偏差が大きい温度範囲が存在し、昨今の高精度化の要求に応えることができない場合がある。また、周波数の測定温度の数が十分であって周波数偏差が仕様を満たしている場合、周波数の測定温度の数を減らしても周波数偏差が維持されるのであれば、温度補償調整工程の時間を短縮できる可能性がある。

本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、従来よりも周波数偏差を小さくすること、または、従来と同等の周波数偏差を維持しつつ温度補償調整に要する時間を短縮することが可能な発振器の製造方法を提供することができる。

本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］
本適用例に係る発振器の製造方法は、振動子と、発振回路と、温度補償回路とを含む発振器の製造方法であって、基準温度を含む第１温度範囲において第１温度間隔で周波数を測定する第１周波数測定工程と、前記第１温度範囲とは異なる第２温度範囲において第２温度間隔で周波数を測定する第２周波数測定工程と、前記第１周波数測定工程で測定した周波数と、前記第２周波数測定工程で測定した周波数とに基づいて、温度補償データを生成する工程と、を含み、前記第２温度間隔が前記第１温度間隔よりも小さい。

振動子と発振回路とにより、例えば、ピアース発振回路、インバーター型発振回路、コ
ルピッツ発振回路、ハートレー発振回路などの種々の発振回路が構成されてもよい。

本適用例に係る発振器の製造方法によれば、発振回路や温度補償回路の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなりやすい温度範囲を第２温度範囲として、第２温度間隔を、従来の方法において周波数を測定する温度間隔よりも小さくすることで、従来よりも周波数偏差を小さくすることができる。あるいは、発振回路や温度補償回路の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなりやすい温度範囲を第２温度範囲として、第２温度間隔を、従来の方法において周波数を測定する温度間隔と同等とし、かつ、発振回路や温度補償回路の温度特性の影響を受けにくい温度範囲を第１温度範囲として、第１温度間隔を、従来の方法において周波数を測定する温度間隔よりも大きくすることで、従来と同等の周波数偏差を維持しつつ温度補償調整に要する時間を短縮することができる。

［適用例２］
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記基準温度は２０℃以上３０℃以下であってもよい。

本適用例に係る発振器の製造方法によれば、周波数の補正量が小さい常温付近を含む温度範囲が第１温度範囲となり、相対的に補正量が大きい温度範囲が第２温度範囲となるので、従来よりも周波数偏差を小さくすること、または、従来と同等の周波数偏差を維持しつつ温度補償調整に要する時間を短縮することができる。

［適用例３］
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記第２温度範囲は、前記第１温度範囲よりも高くてもよい。

本適用例に係る発振器の製造方法によれば、発振回路や温度補償回路の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなりやすい温度範囲が第１温度範囲よりも高い場合に、当該温度範囲を第２温度範囲とすることで、従来よりも周波数偏差を小さくすること、または、従来と同等の周波数偏差を維持しつつ温度補償調整に要する時間を短縮することができる。

［適用例４］
上記適用例に係る発振器の製造方法は、前記第１温度範囲よりも低い第３温度範囲において第３温度間隔で周波数を測定する第３周波数測定工程を含み、前記温度補償データを生成する工程は、前記第１周波数測定工程で測定した周波数、前記第２周波数測定工程で測定した周波数及び前記第３周波数測定工程で測定した周波数に基づいて、前記温度補償データを生成してもよい。

本適用例に係る発振器の製造方法によれば、発振回路や温度補償回路の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなりやすい温度範囲が第１温度範囲よりも高い温度と第１温度範囲よりも低い温度に存在する場合にも、第１温度範囲よりも高い当該温度範囲を第２温度範囲とし、かつ、第１温度範囲よりも低い当該温度範囲を第３温度範囲とすることで、従来よりも周波数偏差を小さくすること、または、従来と同等の周波数偏差を維持しつつ温度補償調整に要する時間を短縮することができる。

［適用例５］
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記第２温度間隔と前記第３温度間隔が異なってもよい。

本適用例に係る発振器の製造方法によれば、発振回路や温度補償回路の温度特性に起因して、第２温度範囲の方が第３温度範囲よりも周波数偏差が大きくなりやすい場合には、
第２温度間隔を第３温度間隔よりも小さくし、第３温度範囲の方が第２温度範囲よりも周波数偏差が大きくなりやすい場合には、第３温度間隔を第２温度間隔よりも小さくすることで、従来よりも周波数偏差を小さくすること、または、従来と同等の周波数偏差を維持しつつ温度補償調整に要する時間を短縮することができる。

［適用例６］
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記第２温度範囲は、前記第１温度範囲よりも低くてもよい。

本適用例に係る発振器の製造方法によれば、発振回路や温度補償回路の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなりやすい温度範囲が第１温度範囲よりも低い場合に、当該温度範囲を第２温度範囲とすることで、従来よりも周波数偏差を小さくすること、または、従来と同等の周波数偏差を維持しつつ温度補償調整に要する時間を短縮することができる。

［適用例７］
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記振動子の周波数温度特性における極大点若しくは極小点の温度が、前記第２温度範囲に含まれてもよい。

本適用例に係る発振器の製造方法によれば、振動子の周波数温度特性における極大点若しくは極小点は周波数の補正量が大きく、発振回路や温度補償回路の温度特性の影響を受けて周波数偏差が大きくなりやすいため、当該極大点若しくは当該極小点の温度の付近での周波数の測定間隔を小さくすることで、従来よりも周波数偏差を小さくすること、または、従来と同等の周波数偏差を維持しつつ温度補償調整に要する時間を短縮することができる。

発振器の斜視図。 図２（Ａ）は発振器の断面図、図２（Ｂ）は発振器の底面図。 発振器の機能ブロック図。 一般的な温度補償調整方法の説明図。 第１実施形態における温度補償調整方法の説明図。 本実施形態の発振器の製造方法の手順の一例を示すフローチャート図。 本実施形態における温度補償調整工程の手順の一例を示すフローチャート図。 第２実施形態における温度補償調整方法の説明図。 変形例における温度補償調整方法の説明図。 他の変形例における温度補償調整方法の説明図。 他の変形例における温度補償調整工程の手順の一例を示すフローチャート図。 他の構造の発振器の断面図。 本実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図。 本実施形態の電子機器の外観の一例を示す図。 本実施形態の移動体の一例を示す図。

以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

１．発振器の製造方法
１−１．第１実施形態
［発振器の構成］
図１及び図２は、第１実施形態の製造方法が適用される発振器の構造の一例を示す図である。図１は、発振器の斜視図であり、図２（Ａ）は図１のＡ−Ａ’断面図である。また、図２（Ｂ）は、発振器の底面図である。

図１及び図２（Ａ）に示すように、発振器１は、後述する図３の集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）２、振動子３、パッケージ４、リッド（蓋）５、外部端子（外部電極）６を含んで構成されている。

振動子３としては、例えば、水晶振動子、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子、その他の圧電振動子やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）振動子などを用いることができる。振動子３の基板材料としては、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電単結晶や、ジルコン酸チタン酸鉛等の圧電セラミックス等の圧電材料、又はシリコン半導体材料等を用いることができる。振動子３の励振手段としては、圧電効果によるものを用いてもよいし、クーロン力による静電駆動を用いてもよい。

パッケージ４は、集積回路（ＩＣ）２と振動子３とを同一空間内に収容する。具体的には、パッケージ４には、凹部が設けられており、リッド５で凹部を覆うことによって収容室７となる。パッケージ４の内部又は凹部の表面には、集積回路（ＩＣ）２の２つの端子（後述する図３のＸＯ端子及びＸＩ端子）と振動子３の２つの端子（励振電極３ａ及び３ｂ）とをそれぞれ電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。また、パッケージ４の内部又は凹部の表面には、集積回路（ＩＣ）２の各端子と対応する各外部端子６とを電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。

振動子３は、その表面及び裏面にそれぞれ金属の励振電極３ａ及び３ｂを有しており、励振電極３ａ及び３ｂを含む振動子３の質量に応じた所望の周波数（発振器１に要求される周波数）で発振する。

図２（Ｂ）に示すように、発振器１は底面（パッケージ４の裏面）に、電源端子である外部端子ＶＤＤ１，接地端子である外部端子ＶＳＳ１、周波数制御用の信号が入力される端子である外部端子ＶＣ１及び出力端子である外部端子ＯＵＴ１の４個の外部端子６が設けられている。外部端子ＶＤＤ１には電源電圧が供給され、外部端子ＶＳＳ１は接地される。

図３は発振器１の機能ブロック図である。図３に示すように、発振器１は、振動子３と振動子３を発振させるための集積回路（ＩＣ）２とを含む発振器であり、集積回路（ＩＣ）２と振動子３はパッケージ４に収容されている。

集積回路（ＩＣ）２は、電源端子であるＶＤＤ端子、接地端子であるＶＳＳ端子、出力端子であるＯＵＴ端子、周波数を制御する信号が入力される端子であるＶＣ端子、振動子３との接続端子であるＸＩ端子及びＸＯ端子が設けられている。ＶＤＤ端子、ＶＳＳ端子、ＯＵＴ端子及びＶＣ端子は、集積回路（ＩＣ）２の表面に露出しており、それぞれ、パッケージ４に設けられた外部端子ＶＤＤ１，ＶＳＳ１，ＯＵＴ１，ＶＣ１と接続されている。また、ＸＩ端子は振動子３の一端（一方の端子）と接続され、ＸＯ端子は振動子３の他端（他方の端子）と接続される。

本実施形態では、集積回路（ＩＣ）２は、発振回路１０、出力回路２０、周波数調整回路３０、ＡＦＣ（Automatic Frequency Control）回路３２、温度補償回路４０、温度センサー５０、レギュレーター回路６０、記憶部７０、及びシリアルインターフェース（Ｉ
／Ｆ）回路８０を含んで構成されている。なお、集積回路（ＩＣ）２は、これらの要素の一部を省略又は変更し、あるいは他の要素を追加した構成としてもよい。

レギュレーター回路６０は、ＶＤＤ端子から供給される電源電圧ＶＤＤ（正の電圧）に基づき、発振回路１０、周波数調整回路３０、ＡＦＣ回路３２、温度補償回路４０、出力回路２０の一部又は全部の電源電圧または基準電圧となる一定電圧を生成する。

記憶部７０は、不揮発性メモリー７２とレジスター７４とを有しており、外部端子から、シリアルインターフェース回路８０を介して、不揮発性メモリー７２又はレジスター７４に対するリード／ライトが可能に構成されている。本実施形態では、発振器１の外部端子と接続される集積回路（ＩＣ）２の端子はＶＤＤ，ＶＳＳ，ＯＵＴ，ＶＣの４つしかないため、シリアルインターフェース回路８０は、例えば、ＶＤＤ端子の電圧が閾値よりも高い時に、ＶＣ端子から入力されるクロック信号とＯＵＴ端子から入力されるデータ信号を受け付け、不揮発性メモリー７２あるいはレジスター７４に対してデータのリード／ライトを行う。

不揮発性メモリー７２は、各種の制御データを記憶するための記憶部であり、例えば、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）やフラッシュメモリーなどの書き換え可能な種々の不揮発性メモリーであってもよいし、ワンタイムＰＲＯＭ（One Time Programmable Read Only Memory）のような書き換え不可能な種々の不揮発性メモリーであってもよい。

不揮発性メモリー７２には、周波数調整回路３０を制御するための周波数調整データや、温度補償回路４０を制御するための温度補償データ（１次補償データ、・・・、ｎ次補償データ）が記憶される。さらに、不揮発性メモリー７２には、出力回路２０やＡＦＣ回路３２をそれぞれ制御するためのデータ（不図示）も記憶される。

周波数調整データは、発振器１の周波数を調整するためのデータであり、発振器１の周波数が所望の周波数からずれていた場合に、周波数調整データを書き換えることで、発振器１の周波数が所望の周波数に近づくように微調整することができる。

温度補償データ（１次補償データ、・・・、ｎ次補償データ）は、発振器１の温度補償調整工程において算出される、発振器１の周波数温度特性の補正用のデータであり、例えば、振動子３の周波数温度特性の各次数成分に応じた１次〜ｎ次の係数値であってもよい。ここで、温度補償データの最大次数ｎとしては、振動子３の周波数温度特性を打ち消し、さらに、集積回路（ＩＣ）２の温度特性の影響も補正可能な値が選択される。例えば、ｎは振動子３の周波数温度特性の主要な次数よりも大きい整数値であってもよい。例えば、振動子３がＡＴカット水晶振動子であれば、周波数温度特性は３次曲線を呈し、その主要な次数は３であるので、ｎとして３よりも大きい整数値（例えば、５又は６）が選択されてもよい。なお、温度補償データは、１次〜ｎ次のすべての次数の補償データを含んでもよいし、１次〜ｎ次のうちの一部の次数の補償データのみを含んでもよい。

不揮発性メモリー７２に記憶されている各データは、集積回路（ＩＣ）２の電源投入時（ＶＤＤ端子の電圧が０Ｖから所望の電圧まで立ち上がる時）に不揮発性メモリー７２からレジスター７４に転送され、レジスター７４に保持される。そして、周波数調整回路３０にはレジスター７４に保持される周波数調整データが入力され、温度補償回路４０にはレジスター７４に保持される温度補償データ（１次補償データ、・・・、ｎ次補償データ）が入力され、出力回路２０やＡＦＣ回路３２にもレジスター７４に保持される各制御用のデータが入力される。

不揮発性メモリー７２が書き換え不可能である場合には、発振器１の検査時において、外部端子からシリアルインターフェース回路８０を介して、不揮発性メモリー７２から転送される各データが保持されるレジスター７４の各ビットに直接各データが書き込まれて発振器１が所望の特性を満たすように調整・選択され、調整・選択された各データが最終的に不揮発性メモリー７２に書き込まれる。また、不揮発性メモリー７２が書き換え可能である場合には、発振器１の検査時において、外部端子からシリアルインターフェース回路８０を介して、不揮発性メモリー７２に各データが書き込まれるようにしてもよい。ただし、不揮発性メモリー７２への書き込みは一般に時間がかかるため、発振器１の検査時には、検査時間を短縮するために、外部端子からシリアルインターフェース回路８０を介してレジスター７４の各ビットに直接各データが書き込まれ、調整・選択された各データが最終的に不揮発性メモリー７２に書き込まれるようにしてもよい。

発振回路１０は、振動子３の出力信号を増幅して振動子３にフィードバックすることで、振動子３を発振させ、振動子３の発振に基づく発振信号を出力する。例えば、レジスター７４に保持された制御データによって、発振回路１０の発振段電流が制御されてもよい。

周波数調整回路３０は、レジスター７４に保持された周波数調整データに応じた電圧を発生させて、発振回路１０の負荷容量として機能する可変容量素子（不図示）の一端に印加する。これにより、所定の温度（例えば、２５℃）かつＶＣ端子の電圧が所定の電圧（例えば、ＶＤＤ／２）となる条件下での発振回路１０の発振周波数（基準周波数）がほぼ所望の周波数となるように制御（微調整）される。

ＡＦＣ回路３２は、ＶＣ端子の電圧に応じた電圧を発生させて、発振回路１０の負荷容量として機能する可変容量素子（不図示）の一端に印加する。これにより、発振回路１０の発振周波数（振動子３の発振周波数）が、ＶＣ端子の電圧値に基づき制御される。例えば、レジスター７４に保持された制御データによって、ＡＦＣ回路３２のゲインが制御されてもよい。

温度センサー５０は、その周辺の温度に応じた信号（例えば、温度に応じた電圧）を出力する感温素子である。温度センサー５０は、温度が高いほど出力電圧が高い正極性のものであってもよいし、温度が高いほど出力電圧が低い負極性のものであってもよい。なお、温度センサー５０としては、発振器１の動作が保証される所望の温度範囲において、温度変化に対して出力電圧ができるだけ線形に変化するものが望ましい。

温度補償回路４０は、温度センサー５０からの出力信号が入力され、振動子３の周波数温度特性を補償するための電圧（温度補償電圧）を発生させて、発振回路１０の負荷容量として機能する可変容量素子（不図示）の一端に印加する。これにより、発振回路１０の発振周波数が、温度によらずほぼ一定になるように制御される。本実施形態では、温度補償回路４０は、１次電圧発生回路４１−１〜ｎ次電圧発生回路４１−ｎ及び加算回路４２を含んで構成されている。

１次電圧発生回路４１−１〜ｎ次電圧発生回路４１−ｎは、それぞれ、温度センサー５０からの出力信号が入力され、レジスター７４に保持された１次補償データ〜ｎ次補償データに応じて、周波数温度特性の１次成分からｎ次成分を補償するための１次補償電圧〜ｎ次補償電圧を発生させる。

加算回路４２は、１次電圧発生回路４１−１〜ｎ次電圧発生回路４１−ｎがそれぞれ発生させる１次補償電圧〜ｎ次補償電圧を加算して出力する。この加算回路４２の出力電圧が温度補償回路４０の出力電圧（温度補償電圧）となる。

出力回路２０は、発振回路１０が出力する発振信号が入力され、外部出力用の発振信号を生成し、ＯＵＴ端子を介して外部に出力する。例えば、レジスター７４に保持された制御データによって、出力回路２０における発振信号の分周比や出力レベルが制御されてもよい。

このように構成された発振器１は、所望の温度範囲において、温度によらず、外部端子ＶＣ１の電圧に応じた一定の周波数の発振信号を出力する電圧制御型の温度補償型発振器（振動子３が水晶振動子であればＶＣ−ＴＣＸＯ（Voltage Controlled Temperature Compensated Crystal Oscillator））として機能する。

［発振器の温度補償調整］
一般に、発振器１の温度補償調整工程では、例えば、所望の温度範囲（例えば、−４０℃〜８５℃）に含まれるほぼ一定間隔ΔＴの複数の温度でそれぞれ発振器１の周波数を測定する。この場合、振動子３がＡＴカット水晶振動子であれば、横軸を温度、縦軸を周波数偏差として、周波数の測定結果をプロットすると、図４（Ａ）の黒丸の点のようにプロットされ、各点を結ぶと３次曲線に近い曲線となる。

そして、温度補償データの算出プログラムが、各温度での周波数の測定結果を用いて、振動子３の周波数温度特性における変極点の温度に近い基準温度Ｔ０（例えば、２０℃以上３０℃以下の温度）における周波数偏差を０とし、かつ、所望の温度範囲での周波数偏差の幅を小さくするような温度補償データ（１次補償データ、・・・、ｎ次補償データ）を算出する。この温度補償データを集積回路（ＩＣ）２の不揮発性メモリー７２に記憶し、発振器１の周波数温度特性を測定すると、例えば、図４（Ｂ）のような測定結果が得られる。図４（Ｂ）の例では、破線で囲んだ温度範囲では、集積回路（ＩＣ）２の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなっている。これは、温度補償調整工程において、周波数を測定した温度間隔ΔＴが大きいため、集積回路（ＩＣ）２の温度特性が周波数の測定結果に有効に反映されず、集積回路（ＩＣ）２の温度特性を加味した温度補償データが得られなかったことが主な理由と考えられる。

そこで、本実施形態では、発振器１の温度補償調整工程において、基準温度Ｔ０を含む第１温度範囲では、図４（Ａ）のΔＴと同じ第１温度間隔ΔＴ１で発振器１の周波数を測定し、集積回路（ＩＣ）２の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなると予測される第１温度範囲よりも高い第２温度範囲では、第１温度間隔ΔＴ１よりも小さい第２温度間隔ΔＴ２で発振器１の周波数を測定する。同様に、集積回路（ＩＣ）２の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなると予測される第１温度範囲よりも低い第３温度範囲では、第１温度間隔ΔＴ１よりも小さい第３温度間隔ΔＴ３で発振器１の周波数を測定する。また、第２温度範囲よりも高い温度範囲や第３温度範囲よりも低い温度範囲では、第１温度間隔ΔＴ１で発振器１の周波数を測定する。

なお、第２温度間隔ΔＴ２と第３温度間隔ΔＴ３は同じでもよい。あるいは、第２温度間隔ΔＴ２と第３温度間隔ΔＴ３とが異なっていてもよい。例えば、第２温度範囲での周波数偏差が第３温度範囲での周波数偏差よりも大きいと予測される場合には、第２温度間隔ΔＴ２を第３温度間隔ΔＴ３よりも大きくしてもよいし、第３温度範囲での周波数偏差が第２温度範囲での周波数偏差よりも大きいと予測される場合には、第３温度間隔ΔＴ３を第２温度間隔ΔＴ２よりも大きくしてもよい。

そして、本実施形態でも、温度補償データの算出プログラムが、第１温度範囲での周波数の測定結果、第２温度範囲での周波数の測定結果、第３温度範囲での周波数の測定結果、及びその他の温度範囲での周波数の測定結果を用いて、基準温度Ｔ０における周波数偏
差を０とし、かつ、所望の温度範囲での周波数偏差の幅を小さくするような温度補償データ（１次補償データ、・・・、ｎ次補償データ）を算出する。このとき、第２温度範囲で周波数を測定した第２温度間隔ΔＴ２や第３温度範囲で周波数を測定した第３温度間隔ΔＴ３は図４（Ａ）のΔＴよりも小さいので、第２温度範囲や第３温度範囲での周波数の測定結果には集積回路（ＩＣ）２の温度特性が反映されやすい。従って、振動子３の周波数温度特性だけでなく集積回路（ＩＣ）２の温度特性も加味された温度補償データが算出される。

この温度補償データを集積回路（ＩＣ）２の不揮発性メモリー７２に記憶し、発振器１の周波数温度特性を測定すると、例えば、図５（Ｂ）のような測定結果が得られる。図５（Ｂ）の例では、破線で囲んだ温度範囲では、集積回路（ＩＣ）２の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなるものの、図４（Ｂ）と比較して改善されている。これは、集積回路（ＩＣ）２の温度特性の影響を受けやすい第２温度範囲での第２温度間隔ΔＴ２や第３温度範囲での第３温度間隔ΔＴ３を小さくしたことにより、集積回路（ＩＣ）２の温度特性が周波数の測定結果に有効に反映され、集積回路（ＩＣ）２の温度特性が加味された温度補償データが得られるためである。

特に、振動子３の周波数温度特性における極大点や極小点の付近の温度では、補正量が大きいため、集積回路（ＩＣ）２の温度特性の影響を受けやすい。そのため、振動子３の周波数温度特性における極大点若しくは極小点の温度が第２温度範囲に含まれるようにすることも有効である。同様に、振動子３の周波数温度特性における極大点若しくは極小点の温度が第３温度範囲に含まれるようにすることも有効である。

また、基準温度付近では、補正量が小さいため、集積回路（ＩＣ）２の温度特性の影響を受けにくいため、基準温度付近が第１温度範囲に含まれるようにしても周波数偏差が大きくなりにくい。

［発振器の製造方法］
図６は、本実施形態の発振器の製造方法（上述した発振器１の製造方法）の手順の一例を示すフローチャート図である。図６の工程Ｓ１０〜Ｓ７０の一部を省略又は変更し、あるいは、他の工程を追加してもよい。また、可能な範囲で、各工程の順番を適宜変更してもよい。

図６の例では、まず、パッケージ４に集積回路（ＩＣ）２と振動子３を搭載する（Ｓ１０）。工程Ｓ１０により、集積回路（ＩＣ）２と振動子３は、パッケージ４の内部又は凹部の表面に設けられた配線によって接続され、集積回路（ＩＣ）２に電源を供給すると集積回路（ＩＣ）２と振動子３とが電気的に接続される状態になる。

次に、リッド５によりパッケージ４を封止し、熱処理を行ってリッド５をパッケージ４に接着させる（Ｓ２０）。この工程Ｓ２０により、発振器１の組み立てが完了する。

次に、発振器１の基準周波数（基準温度Ｔ０での周波数）を調整する（Ｓ３０）。この工程Ｓ３０では、基準温度Ｔ０で発振器１を発振させて周波数を測定し、周波数偏差が０に近づくように周波数調整データを決定する。

次に、発振器１のＶＣ感度を調整する（Ｓ４０）。この工程Ｓ４０では、基準温度Ｔ０において、外部端子ＶＣ１に所定の電圧（例えば、０ＶやＶＤＤ）を印加した状態で発振器１を発振させて周波数を測定し、所望のＶＣ感度が得られるように、ＡＦＣ回路３２の調整データを決定する。

次に、発振器１の温度補償調整を行う（Ｓ５０）。この温度補償調整工程Ｓ５０の詳細については後述する。

次に、記憶部７０の不揮発性メモリー７２に、工程Ｓ３０、Ｓ４０及びＳ５０で得られた各データを記憶させる（Ｓ６０）。

最後に、発振器１の周波数温度特性を測定し、良否を判定する（Ｓ７０）。この工程Ｓ７０では、温度を徐々に変化させながら発振器１の周波数を測定し、所望の温度範囲（例えば、−４０℃以上８５℃以下）において周波数偏差が所定範囲内にあるか否かを評価し、周波数偏差が所定範囲内にあれば良品、所定範囲内になければ不良品と判定する。

図７は、温度補償調整工程（図６の工程Ｓ５０）の手順の一例として、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）で説明した温度補償工程の処理を行うためのフローチャート図である。図７の工程Ｓ５１〜Ｓ５６の一部を省略又は変更し、あるいは、他の工程を追加してもよい。また、可能な範囲で、各工程の順番を適宜変更してもよい。図７のフローチャートの開始時において、レジスター７４には、図６の工程Ｓ３０及びＳ４０で得られた各データが記憶されているものとする。

図７の例では、まず、第３温度範囲よりも低い温度範囲において、第１温度間隔ΔＴ１で発振器１の周波数を測定する（Ｓ５１）。

次に、第３温度範囲において、第３温度間隔ΔＴ３で発振器１の周波数を測定する（Ｓ５２）。

次に、第１温度範囲において、第１温度間隔ΔＴ１で発振器１の周波数を測定する（Ｓ５３）。

次に、第２温度範囲において、第２温度間隔ΔＴ２で発振器１の周波数を測定する（Ｓ５４）。

次に、第２温度範囲よりも高い温度範囲において、第１温度間隔ΔＴ１で発振器１の周波数を測定する（Ｓ５５）。

この工程Ｓ５１〜Ｓ５５は、発振器１の温度を、所望の温度範囲の中で最も低い温度から最も高い温度まで上昇させながら、各温度での発振器１の周波数を測定するものである。

最後に、工程Ｓ４１〜Ｓ４５で測定した周波数に基づいて、温度補償データを生成する（Ｓ５６）。この工程Ｓ５６では、温度補償データの算出プログラムが、工程Ｓ４１〜Ｓ４５での周波数の測定結果を用いて、基準温度Ｔ０における周波数偏差を０とし、かつ、所望の温度範囲での周波数偏差の幅を小さくするような温度補償データ（１次補償データ、・・・、ｎ次補償データ）を生成する。

そして、温度補償調整工程Ｓ５０で得られた温度補償データは、図６の工程Ｓ６０により不揮発性メモリー７２に記憶され、図５（Ｂ）に示したような所望の温度範囲において周波数偏差の幅が小さい発振器１が完成する。

［効果］
以上に説明したように、第１実施形態の発振器の製造方法によれば、温度補償調整工程Ｓ５０において、集積回路（ＩＣ）２の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなりやす
い、基準温度Ｔ０よりも高い温度範囲を第２温度範囲として、第２温度間隔ΔＴ２を、従来の方法において周波数を測定する温度間隔ΔＴよりも小さくすることにより、第２温度範囲における周波数偏差を従来よりも小さくすることができる。また、集積回路（ＩＣ）２の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなりやすい、基準温度Ｔ０よりも低い温度範囲を第３温度範囲として、第３温度間隔ΔＴ３を、従来の方法において周波数を測定する温度間隔ΔＴよりも小さくすることにより、第３温度範囲における周波数偏差を従来よりも小さくすることができる。さらに、周波数の補正量が小さい基準温度Ｔ０を含み、集積回路（ＩＣ）２の温度特性の影響を受けにくい温度範囲を第１温度範囲として、第１温度間隔ΔＴ１を、従来の方法において周波数を測定する温度間隔ΔＴと同等とすることにより、第１温度範囲における周波数偏差を従来と同等に維持することができる。従って、第１実施形態の発振器の製造方法によれば、従来よりも周波数偏差の小さい発振器を製造することができるとともに、第２温度範囲と第３温度範囲において周波数を測定する温度の数が増えるだけなので、温度補償調整工程Ｓ５０に要する時間の増加も少ない。

１−２．第２実施形態
第２実施形態の製造方法が適用される発振器の構成例は、第１実施形態（図１〜図３）と同様であってもよいため、その図示及び説明を省略する。

図４（Ａ）で説明したような、一般的な発振器１の温度補償調整工程では、図４（Ｂ）に示したように、集積回路（ＩＣ）２の温度特性の影響を受けやすい温度範囲では周波数偏差が大きくなる場合があるが、この周波数偏差が仕様で決められた所定範囲内にあれば問題ない。しかしながら、周波数を測定する温度の数が過剰である可能性がある。

そこで、第２実施形態では、発振器１の温度補償調整工程において、基準温度Ｔ０を含む第１温度範囲では、図４（Ａ）のΔＴよりも大きい第１温度間隔ΔＴ１で発振器１の周波数を測定し、集積回路（ＩＣ）２の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなると予測される第１温度範囲よりも高い第２温度範囲では、図４（Ａ）のΔＴと同程度の第２温度間隔ΔＴ２で発振器１の周波数を測定する。同様に、集積回路（ＩＣ）２の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなると予測される第１温度範囲よりも低い第３温度範囲では、図４（Ａ）のΔＴと同程度の第３温度間隔ΔＴ３で発振器１の周波数を測定する。また、第２温度範囲よりも高い温度範囲や第３温度範囲よりも低い温度範囲では、第１温度間隔ΔＴ１で発振器１の周波数を測定する。

この場合、振動子３がＡＴカット水晶振動子であれば、横軸を温度、縦軸を周波数偏差として、周波数の測定結果をプロットすると、例えば、図８（Ａ）の黒丸の点のようにプロットされる。

なお、第２温度間隔ΔＴ２と第３温度間隔ΔＴ３は同じでもよい。あるいは、第２温度間隔ΔＴ２と第３温度間隔ΔＴ３とが異なっていてもよい。例えば、第２温度範囲での周波数偏差が第３温度範囲での周波数偏差よりも大きいと予測される場合には、第２温度間隔ΔＴ２を第３温度間隔ΔＴ３よりも大きくしてもよいし、第３温度範囲での周波数偏差が第２温度範囲での周波数偏差よりも大きいと予測される場合には、第３温度間隔ΔＴ３を第２温度間隔ΔＴ２よりも大きくしてもよい。

そして、本実施形態でも、温度補償データの算出プログラムが、第１温度範囲での周波数の測定結果、第２温度範囲での周波数の測定結果、第３温度範囲での周波数の測定結果、及びその他の温度範囲での周波数の測定結果を用いて、基準温度Ｔ０における周波数偏差を０とし、かつ、所望の温度範囲での周波数偏差の幅を小さくするような温度補償データ（１次補償データ、・・・、ｎ次補償データ）を算出する。この温度補償データを集積回路（ＩＣ）２の不揮発性メモリー７２に記憶し、発振器１の周波数温度特性を測定する
と、例えば、図８（Ｂ）のような測定結果が得られる。図８（Ｂ）の例では、破線で囲んだ温度範囲では、集積回路（ＩＣ）２の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなるものの、図４（Ｂ）と同程度である。これは、集積回路（ＩＣ）２の温度特性の影響を受けやすい第２温度範囲での第２温度間隔ΔＴ２や第３温度範囲での第３温度間隔ΔＴ３をΔＴと同程度に維持しているため、集積回路（ＩＣ）２の温度特性の影響を受けにくい第１温度範囲等での第１温度間隔ΔＴ１をΔＴより小さくしても、図４（Ａ）の場合と同じような温度補償データが得られるためである。

本実施形態でも、振動子３の周波数温度特性における極大点や極小点の付近の温度では、補正量が大きいため、集積回路（ＩＣ）２の温度特性の影響を受けやすい。そのため、振動子３の周波数温度特性における極大点若しくは極小点の温度が第２温度範囲に含まれるようにすることも有効である。同様に、振動子３の周波数温度特性における極大点若しくは極小点の温度が第３温度範囲に含まれるようにすることも有効である。

なお、本実施形態でも、第１温度範囲、第２温度範囲及び第３温度範囲の関係や、第２温度間隔ΔＴ２及び第３温度間隔ΔＴ３が第１温度間隔ΔＴ１よりも小さいという関係は、第１実施形態と同じであるため、図６、図７のフローチャートをそのまま適用することができる。

この第２実施形態の発振器の製造方法によれば、温度補償調整工程Ｓ５０において、集積回路（ＩＣ）２の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなりやすい、基準温度Ｔ０よりも高い温度範囲を第２温度範囲として、第２温度間隔ΔＴ２を、従来の方法において周波数を測定する温度間隔ΔＴと同等とすることにより、第２温度範囲における周波数偏差を従来と同等にすることができる。また、集積回路（ＩＣ）２の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなりやすい、基準温度Ｔ０よりも低い温度範囲を第３温度範囲として、第３温度間隔ΔＴ３を、従来の方法において周波数を測定する温度間隔ΔＴと同等とすることにより、第３温度範囲における周波数偏差を従来と同等にすることができる。さらに、周波数の補正量が小さい基準温度Ｔ０を含み、集積回路（ＩＣ）２の温度特性の影響を受けにくい温度範囲を第１温度範囲として、第１温度間隔ΔＴ１を、従来の方法において周波数を測定する温度間隔ΔＴよりも大きくすることにより、従来と同等の周波数偏差を維持した発振器を製造することができるとともに、温度補償調整工程Ｓ５０に要する時間を短縮することができる。

１−３．変形例
上述した各実施形態の発振器の製造方法は、種々に変形可能である。

例えば、発振器１の温度補償調整工程において、基準温度Ｔ０を含む第１温度範囲では、第１温度間隔ΔＴ１で発振器１の周波数を測定し、集積回路（ＩＣ）２の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなると予測される第１温度範囲よりも高い第２温度範囲では、第１温度間隔ΔＴ１よりも小さい第２温度間隔ΔＴ２で発振器１の周波数を測定し、第２温度範囲よりも高い温度範囲や第１温度範囲よりも低い温度範囲では、第１温度間隔ΔＴ１で発振器１の周波数を測定してもよい。この場合、振動子３がＡＴカット水晶振動子であれば、横軸を温度、縦軸を周波数偏差として、周波数の測定結果をプロットすると、図９（Ａ）あるいは図９（Ｂ）の黒丸の点のようにプロットされる。図９（Ａ）及び図９（Ｂ）では、それぞれ、図５（Ｂ）及び図８（Ｂ）の第３温度範囲に相当する温度範囲での周波数測定の温度間隔がΔＴ１になっている。集積回路（ＩＣ）２の温度特性の影響を受けやすい温度範囲が第１温度範囲よりも低い範囲には存在しない場合には有効である。

また、例えば、発振器１の温度補償調整工程において、基準温度Ｔ０を含む第１温度範囲では、第１温度間隔ΔＴ１で発振器１の周波数を測定し、集積回路（ＩＣ）２の温度特
性に起因して周波数偏差が大きくなると予測される第１温度範囲よりも低い第２温度範囲では、第１温度間隔ΔＴ１よりも小さい第２温度間隔ΔＴ２で発振器１の周波数を測定し、第２温度範囲よりも低い温度範囲や第１温度範囲よりも高い温度範囲では、第１温度間隔ΔＴ１で発振器１の周波数を測定してもよい。この場合、振動子３がＡＴカット水晶振動子であれば、横軸を温度、縦軸を周波数偏差として、周波数の測定結果をプロットすると、図１０（Ａ）あるいは図１０（Ｂ）の黒丸の点のようにプロットされる。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）では、それぞれ、図５（Ｂ）及び図８（Ｂ）の第３温度範囲が第２温度範囲に相当し、図５（Ｂ）及び図８（Ｂ）の第２温度範囲に相当する温度範囲での周波数測定の温度間隔がΔＴ１になっている。集積回路（ＩＣ）２の温度特性の影響を受けやすい温度範囲が第１温度範囲よりも高い範囲には存在しない場合には有効である。

また、例えば、集積回路（ＩＣ）２の温度特性に起因して周波数偏差が大きくなる温度範囲を正確に予測できない場合やそのような温度範囲が存在するか否かを予測できない場合等には、温度補償調整工程Ｓ５０を図７のフローチャートに代えて、例えば、図１１に示すフローチャートによって実施してもよい。

図１１の例では、まず、所望の温度範囲において、第１温度間隔ΔＴ１で発振器１の周波数を測定する（Ｓ１０１）。

次に、工程Ｓ１０１で測定した周波数に基づいて、温度補償データを生成し、記憶部７０のレジスター７４に記憶する（Ｓ１０２）。

次に、発振器１の周波数温度特性を測定し（Ｓ１０３）、周波数偏差が所定範囲内であれば（Ｓ１０４のＹ）、終了する。

周波数偏差が所定範囲内でなければ（Ｓ１０４のＮ）、次に、周波数偏差が所定範囲を超える温度を含む第２温度範囲において、第２温度間隔ΔＴ２で発振器１の周波数を測定する（Ｓ１０５）。

次に、周波数偏差が所定範囲を超える温度を含む第３温度範囲において、第３温度間隔ΔＴ３で発振器１の周波数を測定する（Ｓ１０６）。

例えば、工程Ｓ１０３は、発振器１の温度を、所望の温度範囲の中で最も低い温度から最も高い温度まで上昇させながら各温度での発振器１の周波数を測定し、工程Ｓ１０５及びＳ１０６は、発振器１の温度を、第２温度範囲の中で最も高い温度から第３温度範囲の最も低い温度まで下降させながら、各温度での発振器１の周波数を測定するものである。

最後に、工程Ｓ１０１において第２温度範囲と第３温度範囲を除く温度範囲で測定した周波数と工程Ｓ１０５及びＳ１０６で測定した周波数に基づいて、温度補償データを生成する（Ｓ１０７）。この工程Ｓ１０７では、温度補償データの算出プログラムが、工程Ｓ１０１、Ｓ１０５及びＳ１０６での周波数の測定結果を用いて、基準温度Ｔ０における周波数偏差を０とし、かつ、所望の温度範囲での周波数偏差の幅を小さくするような温度補償データ（１次補償データ、・・・、ｎ次補償データ）を生成する。

そして、温度補償調整工程Ｓ５０で得られた温度補償データは、図６の工程Ｓ６０により不揮発性メモリー７２に記憶され、図５（Ｂ）に示したような所望の温度範囲において周波数偏差の幅が小さい発振器１が完成する。

また、上述した発振器１は、温度補償機能と電圧制御機能（周波数制御機能）を有する発振器（ＶＣ−ＴＣＸＯ等）であるが、本実施形態及び変形例の発振器の製造方法は、電
圧制御機能（周波数制御機能）を有さない温度補償型発振器（ＴＣＸＯ等）にも適用することができる。

また、本実施形態及び変形例の発振器の製造方法は、集積回路（ＩＣ）２により振動子３を発振させて周波数を測定し、測定結果に応じて周波数を調整することが可能な発振器１に広く適用することができる。このような発振器１としては、図２（Ａ）に示したようなシングルシール構造の発振器の他にも、例えば、図１２に示すようなＨ型構造の発振器にも適用することができる。図１２に示す発振器１において、パッケージ４には、対向する面に２つの凹部が設けられており、リッド５で一方の凹部を覆うことによって収容室７ａとなり、封止部材８で他方の凹部を覆うことによって収容室７ｂとなる。収容室７ａには振動子３が収容され、収容室７ｂには集積回路（ＩＣ）２が収容されている。パッケージ４の内部又は凹部の表面には、集積回路（ＩＣ）２のＸＯ端子及びＸＩ端子と振動子３の２つの端子とをそれぞれ電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。また、パッケージ４の内部又は凹部の表面には、集積回路（ＩＣ）２の各端子と対応する各外部端子６とを電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。

２．電子機器
図１３は、本実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図である。また、図１４は、本実施形態の電子機器の一例であるスマートフォンの外観の一例を示す図である。

本実施形態の電子機器３００は、発振器３１０、ＣＰＵ（Central Processing Unit）３２０、操作部３３０、ＲＯＭ（Read Only Memory）３４０、ＲＡＭ（Random Access Memory）３５０、通信部３６０、表示部３７０を含んで構成されている。なお、本実施形態の電子機器は、図１３の構成要素（各部）の一部を省略又は変更し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。

発振器３１０は、集積回路（ＩＣ）３１２と振動子３１３とを備えている。集積回路（ＩＣ）３１２は、振動子３１３を発振させて発振信号を発生させる。この発振信号は発振器３１０の外部端子からＣＰＵ３２０に出力される。

ＣＰＵ３２０は、ＲＯＭ３４０等に記憶されているプログラムに従い、発振器３１０から入力される発振信号をクロック信号として各種の計算処理や制御処理を行う。具体的には、ＣＰＵ３２０は、操作部３３０からの操作信号に応じた各種の処理、外部装置とデータ通信を行うために通信部３６０を制御する処理、表示部３７０に各種の情報を表示させるための表示信号を送信する処理等を行う。

操作部３３０は、操作キーやボタンスイッチ等により構成される入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号をＣＰＵ３２０に出力する。

ＲＯＭ３４０は、ＣＰＵ３２０が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。

ＲＡＭ３５０は、ＣＰＵ３２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ３４０から読み出されたプログラムやデータ、操作部３３０から入力されたデータ、ＣＰＵ３２０が各種プログラムに従って実行した演算結果等を一時的に記憶する。

通信部３６０は、ＣＰＵ３２０と外部装置との間のデータ通信を成立させるための各種制御を行う。

表示部３７０は、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等により構成される表示装置であり、ＣＰＵ３２０から入力される表示信号に基づいて各種の情報を表示する。表示部３７０には操作部３３０として機能するタッチパネルが設けられていてもよい。

発振器３１０として例えば上述した本実施形態の製造方法を用いて製造した発振器１を適用することにより、信頼性の高い電子機器を実現することができる。

このような電子機器３００としては種々の電子機器が考えられ、例えば、パーソナルコンピューター（例えば、モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター）、スマートフォンや携帯電話機などの移動体端末、ディジタルカメラ、インクジェット式吐出装置（例えば、インクジェットプリンター）、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、移動体端末基地局用機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、リアルタイムクロック装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、ＰＤＲ（歩行者位置方位計測）等が挙げられる。

本実施形態の電子機器３００の一例として、上述した発振器３１０を基準信号源、あるいは電圧可変型発振器（ＶＣＯ）等として用いて、例えば、端末と有線または無線で通信を行う端末基地局用装置等として機能する伝送装置が挙げられる。本実施形態の電子機器３００は、発振器３１０として、例えば上述した本実施形態の製造方法を用いて製造した発振器１を適用することにより、例えば通信基地局などに利用可能な、高性能、高信頼性を所望される伝送機器にも適用することができる。

３．移動体
図１５は、本実施形態の移動体の一例を示す図（上面図）である。図１５に示す移動体４００は、発振器４１０、エンジンシステム、ブレーキシステム、キーレスエントリーシステム等の各種の制御を行うコントローラー４２０，４３０，４４０、バッテリー４５０、バックアップ用バッテリー４６０を含んで構成されている。なお、本実施形態の移動体は、図１５の構成要素（各部）の一部を省略し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。

発振器４１０は、不図示の集積回路（ＩＣ）と振動子とを備えており、集積回路（ＩＣ）は振動子を発振させて発振信号を発生させる。この発振信号は発振器４１０の外部端子からコントローラー４２０，４３０，４４０に出力され、例えばクロック信号として用いられる。

バッテリー４５０は、発振器４１０及びコントローラー４２０，４３０，４４０に電力を供給する。バックアップ用バッテリー４６０は、バッテリー４５０の出力電圧が閾値よりも低下した時、発振器４１０及びコントローラー４２０，４３０，４４０に電力を供給する。

発振器４１０として例えば上述した本実施形態の製造方法を用いて製造した発振器１を適用することにより、信頼性の高い移動体を実現することができる。

このような移動体４００としては種々の移動体が考えられ、例えば、自動車（電気自動車も含む）、ジェット機やヘリコプター等の航空機、船舶、ロケット、人工衛星等が挙げられる。

本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。

上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

１ 発振器、２ 集積回路（ＩＣ）、３ 振動子、３ａ，３ｂ 励振電極、４ パッケージ、５ リッド、６ 外部端子（外部電極）、７ａ，７ｂ 収容室、８ 封止部材、１０
発振回路、２０ 出力回路、３０ 周波数調整回路、３２ ＡＦＣ回路、４０ 温度補償回路、４１−１ １次電圧発生回路、４１−ｎ ｎ次電圧発生回路、４２ 加算回路、５０ 温度センサー、６０ レギュレーター回路、７０ 記憶部、７２ 不揮発性メモリー、７４ レジスター、８０ シリアルインターフェース（Ｉ／Ｆ）回路、３００ 電子機器、３１０ 発振器、３１２ 集積回路（ＩＣ）、３１３ 振動子、３２０ ＣＰＵ、３３０ 操作部、３４０ ＲＯＭ、３５０ ＲＡＭ、３６０ 通信部、３７０ 表示部、４００ 移動体、４１０ 発振器、４２０，４３０，４４０ コントローラー、４５０ バッテリー、４６０ バックアップ用バッテリー

Claims (7)

1. 振動子と、発振回路と、温度補償回路とを含む発振器の製造方法であって、
   基準温度を含む第１温度範囲において第１温度間隔で周波数を測定する第１周波数測定工程と、
   前記第１温度範囲とは異なる第２温度範囲において第２温度間隔で周波数を測定する第２周波数測定工程と、
   前記第１周波数測定工程で測定した周波数と、前記第２周波数測定工程で測定した周波数とに基づいて、温度補償データを生成する工程と、を含み、
   前記第２温度間隔が前記第１温度間隔よりも小さい、発振器の製造方法。
2. 前記基準温度は２０℃以上３０℃以下である、請求項１に記載の発振器の製造方法。
3. 前記第２温度範囲は、前記第１温度範囲よりも高い、請求項１又は２に記載の発振器の製造方法。
4. 前記第１温度範囲よりも低い第３温度範囲において第３温度間隔で周波数を測定する第３周波数測定工程を含み、
   前記温度補償データを生成する工程は、
   前記第１周波数測定工程で測定した周波数、前記第２周波数測定工程で測定した周波数及び前記第３周波数測定工程で測定した周波数に基づいて、前記温度補償データを生成する、請求項３に記載の発振器の製造方法。
5. 前記第２温度間隔と前記第３温度間隔が異なる、請求項４に記載の発振器の製造方法。
6. 前記第２温度範囲は、前記第１温度範囲よりも低い、請求項１又は２に記載の発振器の製造方法。
7. 前記振動子の周波数温度特性における極大点若しくは極小点の温度が、前記第２温度範囲に含まれる、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発振器の製造方法。

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