JP2016178605A - 発振器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】周波数調整工程における周波数の調整誤差を従来よりも小さくすることが可能な発振器の製造方法を提供すること。
【解決手段】振動子3と、振動子3を発振させるための集積回路(IC)2とを含み、集積回路2が温度センサー50を有する発振器1の製造方法であって、パッケージ(容器)4に集積回路2を搭載する工程(S10)と、パッケージ4に振動子3を搭載する工程(S20)と、集積回路2と振動子3とが電気的に接続された状態で、振動子3を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する周波数調整工程(S30)と、を含み、周波数調整工程(S30)において、温度センサー50の出力電圧に応じて目標周波数を変更する(S33)。
【選択図】図10
【解決手段】振動子3と、振動子3を発振させるための集積回路(IC)2とを含み、集積回路2が温度センサー50を有する発振器1の製造方法であって、パッケージ(容器)4に集積回路2を搭載する工程(S10)と、パッケージ4に振動子3を搭載する工程(S20)と、集積回路2と振動子3とが電気的に接続された状態で、振動子3を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する周波数調整工程(S30)と、を含み、周波数調整工程(S30)において、温度センサー50の出力電圧に応じて目標周波数を変更する(S33)。
【選択図】図10
Description
本発明は、発振器の製造方法に関する。
特許文献1には、圧電デバイスにおいて、振動子片の励振電極にレーザー光を照射して金属成分を蒸発させることにより質量を削減して周波数を調整する方法が開示されている。
ところで、レーザー光が照射されることにより振動片の温度が上昇し、周波数調整工程の開始時と終了時に温度差が生じるため、目標周波数になるように調整したとしても、周波数調整後に振動片の温度が元に戻ると周波数が目標周波数からずれてしまう。すなわち、振動片の周波数温度特性に依存して目標周波数とは異なる周波数に調整されてしまう。従来、周波数調整工程における周波数の調整誤差は、振動片を発振させる集積回路(IC:Integrated Circuit)が有する周波数調整機能により補正可能であったため、大きな問題ではなかった。しかしながら、近年、発振器の周波数にさらに高精度が要求されており、従来のICの周波数調整範囲では補正しきれずに歩留りが悪くなり、あるいは、ICの周波数調整範囲を広げるとICの回路面積が増大し、いずれもコスト上昇をもたらすという問題がある。
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、周波数調整工程における周波数の調整誤差を従来よりも小さくすることが可能な発振器の製造方法を提供することができる。
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
本適用例に係る発振器の製造方法は、振動子と、前記振動子を発振させるための集積回路とを含み、前記集積回路が温度センサーを有する発振器の製造方法であって、容器に前記集積回路を搭載する工程と、前記容器に前記振動子を搭載する工程と、前記集積回路と前記振動子とが電気的に接続された状態で、前記振動子を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する周波数調整工程と、を含み、前記周波数調整工程において、前記温度センサーの出力電圧に応じて前記目標周波数を変更する。
本適用例に係る発振器の製造方法は、振動子と、前記振動子を発振させるための集積回路とを含み、前記集積回路が温度センサーを有する発振器の製造方法であって、容器に前記集積回路を搭載する工程と、前記容器に前記振動子を搭載する工程と、前記集積回路と前記振動子とが電気的に接続された状態で、前記振動子を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する周波数調整工程と、を含み、前記周波数調整工程において、前記温度センサーの出力電圧に応じて前記目標周波数を変更する。
振動子と集積回路とにより、例えば、ピアース発振回路、インバーター型発振回路、コルピッツ発振回路、ハートレー発振回路などの種々の発振回路が構成されてもよい。
本適用例に係る発振器の製造方法によれば、周波数調整工程において、集積回路が有する温度センサーによって間接的に振動子3の温度情報を取得し、振動子の温度変化に応じて適切に目標周波数を変更しながら周波数を調整することができる。従って、周波数調整
工程において、目標周波数に近づくように調整することにより、周波数の調整誤差を従来よりも小さくすることができる。
工程において、目標周波数に近づくように調整することにより、周波数の調整誤差を従来よりも小さくすることができる。
[適用例2]
上記適用例に係る発振器の製造方法は、前記周波数調整工程において、前記温度センサーの出力電圧の変化に対して線形に前記目標周波数を変更してもよい。
上記適用例に係る発振器の製造方法は、前記周波数調整工程において、前記温度センサーの出力電圧の変化に対して線形に前記目標周波数を変更してもよい。
本適用例に係る発振器の製造方法によれば、振動子の周波数が、周波数調整工程が行われる温度の付近において温度変化に対してほぼ線形に変化する場合に、振動子の周波数変化に追従して目標周波数を適切に変更することができるので、発振器の周波数を高精度に調整することができる。
[適用例3]
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記周波数調整工程は、15℃以上35℃以下の温度で行われてもよい。
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記周波数調整工程は、15℃以上35℃以下の温度で行われてもよい。
本適用例に係る発振器の製造方法によれば、15℃以上35℃以下の範囲において温度変化に対して周波数がほぼ線形に変化する振動子(例えば、周波数温度特性が3次曲線を呈する振動子)を有する発振器の周波数を高精度に調整することができる。
[適用例4]
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記周波数調整工程において、前記振動子と同じ種類の複数の振動子の周波数温度特性の測定結果に基づいて算出された、温度と前記目標周波数との対応情報に基づき、前記目標周波数を変更してもよい。
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記周波数調整工程において、前記振動子と同じ種類の複数の振動子の周波数温度特性の測定結果に基づいて算出された、温度と前記目標周波数との対応情報に基づき、前記目標周波数を変更してもよい。
本適用例に係る発振器の製造方法によれば、周波数調整工程において、あらかじめ算出された温度と目標周波数との対応情報(固定値)に基づいて、目標周波数を変更するので、周波数調整工程に先立ち、当該振動子の周波数温度特性を測定する必要がない。
[適用例5]
上記適用例に係る発振器の製造方法は、前記発振器の周波数温度特性を測定し、測定結果に基づいて温度と前記目標周波数との対応情報を算出する工程を含み、前記周波数調整工程において、前記対応情報に基づき前記目標周波数を変更してもよい。
上記適用例に係る発振器の製造方法は、前記発振器の周波数温度特性を測定し、測定結果に基づいて温度と前記目標周波数との対応情報を算出する工程を含み、前記周波数調整工程において、前記対応情報に基づき前記目標周波数を変更してもよい。
本適用例に係る発振器の製造方法によれば、周波数調整工程において、発振器の周波数温度特性に応じて、目標周波数を精度よく変更することができるので、周波数の調整誤差をより小さくすることができる。
[適用例6]
上記適用例に係る発振器の製造方法は、前記周波数調整工程において、前記振動子にレーザー光を照射することにより周波数を調整してもよい。
上記適用例に係る発振器の製造方法は、前記周波数調整工程において、前記振動子にレーザー光を照射することにより周波数を調整してもよい。
本適用例に係る発振器の製造方法によれば、周波数調整工程において、レーザー光が照射されることで振動子の温度が上昇しても、発振器の周波数を高精度に調整することができる。
[適用例7]
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記振動子は、ATカット水晶振動子であってもよい。
上記適用例に係る発振器の製造方法において、前記振動子は、ATカット水晶振動子であってもよい。
ATカット振動子は周波数温度特性が3次曲線を呈し、一般に周波数調整が行われる常温付近では温度変化に対して周波数が線形に変化するので、本適用例に係る発振器の製造方法によれば、周波数調整工程において、振動子の温度の変化に対して線形に目標周波数を変更することにより、発振器の周波数を高精度に調整することができる。
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
1.発振器
[発振器の構成]
図1及び図2は、後述する本実施形態の製造方法が適用される発振器の構造の一例を示す図である。図1は、発振器の斜視図であり、図2(A)は図1のA−A’断面図である。また、図2(B)は、発振器の底面図である。
[発振器の構成]
図1及び図2は、後述する本実施形態の製造方法が適用される発振器の構造の一例を示す図である。図1は、発振器の斜視図であり、図2(A)は図1のA−A’断面図である。また、図2(B)は、発振器の底面図である。
図1及び図2(A)に示すように、本実施形態の発振器1は、後述する図3の集積回路(IC:Integrated Circuit)2、振動子3、パッケージ4、リッド(蓋)5、外部端子(外部電極)6を含んで構成されている。
振動子3としては、例えば、水晶振動子、SAW(Surface Acoustic Wave)共振子、その他の圧電振動子やMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)振動子などを用いることができる。振動子3の基板材料としては、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電単結晶や、ジルコン酸チタン酸鉛等の圧電セラミックス等の圧電材料、又はシリコン半導体材料等を用いることができる。振動子3の励振手段としては、圧電効果によるものを用いてもよいし、クーロン力による静電駆動を用いてもよい。
パッケージ4は、集積回路(IC)2と振動子3とを同一空間内に収容する。具体的には、パッケージ4には、凹部が設けられており、リッド5で凹部を覆うことによって収容
室7となる。パッケージ4の内部又は凹部の表面には、集積回路(IC)2の2つの端子(後述する図3のXO端子及びXI端子)と振動子3の2つの端子とをそれぞれ電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。また、パッケージ4の内部又は凹部の表面には、集積回路(IC)2の各端子と対応する各外部端子6とを電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。
室7となる。パッケージ4の内部又は凹部の表面には、集積回路(IC)2の2つの端子(後述する図3のXO端子及びXI端子)と振動子3の2つの端子とをそれぞれ電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。また、パッケージ4の内部又は凹部の表面には、集積回路(IC)2の各端子と対応する各外部端子6とを電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。
図2(B)に示すように、本実施形態の発振器1は底面(パッケージ4の裏面)に、電源端子である外部端子VDD1,接地端子である外部端子VSS1、周波数制御用の信号が入力される端子である外部端子VC1及び出力端子である外部端子OUT1の4個の外部端子6が設けられている。外部端子VDD1には電源電圧が供給され、外部端子VSS1は接地される。
振動子3は、その表面(図2(A)の上側)及び裏面(図2(A)の上側)にそれぞれ金属の励振電極3a及び3bを有しており、励振電極3aの質量を変えることで振動子3の発振周波数を変化させることができる。本実施形態では、振動子3の製造時(パッケージ4に搭載される前)は、振動子3の発振周波数が所望の周波数(発振器1に要求される周波数)よりも低くなるように励振電極3aの質量が決められており、リッド5によりパッケージ4を封止する前に、レーザー光を照射して励振電極3aを削る(研磨する)ことで振動子3の質量を小さくし、その結果、振動子3の発振周波数を高くして所望の周波数となるように調整する。
図3は発振器1の機能ブロック図である。図3に示すように、発振器1は、振動子3と振動子3を発振させるための集積回路(IC)2とを含む発振器であり、集積回路(IC)2と振動子3はパッケージ4に収容されている。
集積回路(IC)2は、電源端子であるVDD端子、接地端子であるVSS端子、出力端子であるOUT端子、周波数を制御する信号が入力される端子であるVC端子、振動子3との接続端子であるXI端子及びXO端子が設けられている。VDD端子、VSS端子、OUT端子及びVC端子は、集積回路(IC)2の表面に露出しており、それぞれ、パッケージ4に設けられた外部端子VDD1,VSS1,OUT1,VC1と接続されている。また、XI端子は振動子3の一端(一方の端子)と接続され、XO端子は振動子3の他端(他方の端子)と接続される。
本実施形態では、集積回路(IC)2は、発振回路10、出力回路20、周波数調整回路30、AFC(Automatic Frequency Control)回路32、温度補償回路40、温度センサー50、レギュレーター回路60、記憶部70、シリアルインターフェース(I/F)回路80及びスイッチ回路90を含んで構成されている。なお、本実施形態の集積回路(IC)2は、これらの要素の一部を省略又は変更し、あるいは他の要素を追加した構成としてもよい。
レギュレーター回路60は、VDD端子から供給される電源電圧VDD(正の電圧)に基づき、発振回路10、周波数調整回路30、AFC回路32、温度補償回路40、出力回路20の一部又は全部の電源電圧または基準電圧となる一定電圧を生成する。
記憶部70は、不揮発性メモリー72とレジスター74とを有しており、外部端子から、シリアルインターフェース回路80を介して、不揮発性メモリー72又はレジスター74に対するリード/ライトが可能に構成されている。本実施形態では、発振器1の外部端子と接続される集積回路(IC)2の端子はVDD,VSS,OUT,VCの4つしかないため、シリアルインターフェース回路80は、例えば、VDD端子の電圧が閾値よりも高い時に、VC端子から入力されるクロック信号とOUT端子から入力されるデータ信号
を受け付け、不揮発性メモリー72あるいはレジスター74に対してデータのリード/ライトを行う。
を受け付け、不揮発性メモリー72あるいはレジスター74に対してデータのリード/ライトを行う。
不揮発性メモリー72は、各種の制御データを記憶するための記憶部であり、例えば、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)やフラッシュメモリーなどの書き換え可能な種々の不揮発性メモリーであってもよいし、ワンタイムPROM(One Time Programmable Read Only Memory)のような書き換え不可能な種々の不揮発性メモリーであってもよい。
不揮発性メモリー72には、周波数調整回路30を制御するための周波数調整データや、温度補償回路40を制御するための温度補償データ(1次補償データ、・・・、n次補償データ)が記憶される。さらに、不揮発性メモリー72には、出力回路20やAFC回路32をそれぞれ制御するためのデータ(不図示)も記憶される。
周波数調整データは、発振器1の周波数を調整するためのデータであり、発振器1の周波数調整工程において周波数調整データが初期値の状態で発振器1の発振周波数を調整した後、仮に、発振器1を通常動作させたときの発振周波数が所望の周波数からずれていた場合に、周波数調整データを書き換えることで、発振周波数が所望の周波数に近づくように微調整することができる。
温度補償データ(1次補償データ、・・・、n次補償データ)は、発振器1の温度補償調整工程において算出される、発振器1の周波数温度特性の補正用のデータであり、例えば、振動子3の周波数温度特性の各次数成分に応じた1次〜n次の係数値であってもよい。例えば、振動子3がATカット水晶振動子であれば、周波数温度特性は3次曲線を呈するためnとして3以上の整数値が選択される。なお、温度補償データは、1次〜n次のすべての次数の補償データを含んでもよいし、1次〜n次のうちの一部の次数の補償データのみを含んでもよい。
不揮発性メモリー72に記憶されている各データは、集積回路(IC)2の電源投入時(VDD端子の電圧が0Vから所望の電圧まで立ち上がる時)に不揮発性メモリー72からレジスター74に転送され、レジスター74に保持される。そして、周波数調整回路30にはレジスター74に保持される周波数調整データが入力され、温度補償回路40にはレジスター74に保持される温度補償データ(1次補償データ、・・・、n次補償データ)が入力され、出力回路20やAFC回路32にもレジスター74に保持される各制御用のデータが入力される。
不揮発性メモリー72が書き換え不可能である場合には、発振器1の検査時において、外部端子からシリアルインターフェース回路80を介して、不揮発性メモリー72から転送される各データが保持されるレジスター74の各ビットに直接各データが書き込まれて発振器1が所望の特性を満たすように調整・選択され、調整・選択された各データが最終的に不揮発性メモリー72に書き込まれる。また、不揮発性メモリー72が書き換え可能である場合には、発振器1の検査時において、外部端子からシリアルインターフェース回路80を介して、不揮発性メモリー72に各データが書き込まれるようにしてもよい。ただし、不揮発性メモリー72への書き込みは一般に時間がかかるため、発振器1の検査時には、検査時間を短縮するために、外部端子からシリアルインターフェース回路80を介してレジスター74の各ビットに直接各データが書き込まれ、調整・選択された各データが最終的に不揮発性メモリー72に書き込まれるようにしてもよい。
発振回路10は、振動子3の出力信号を増幅して振動子3にフィードバックすることで、振動子3を発振させ、振動子3の発振に基づく発振信号を出力する。例えば、レジスタ
ー74に保持された制御データによって、発振回路10の発振段電流が制御されてもよい。
ー74に保持された制御データによって、発振回路10の発振段電流が制御されてもよい。
周波数調整回路30は、レジスター74に保持された周波数調整データに応じた電圧を発生させて、発振回路10の負荷容量として機能する可変容量素子(不図示)の一端に印加する。これにより、所定の温度(例えば、25℃)かつVC端子の電圧が所定の電圧(例えば、VDD/2)となる条件下での発振回路10の発振周波数(基準周波数)がほぼ所望の周波数となるように制御(微調整)される。
AFC回路32は、VC端子の電圧に応じた電圧を発生させて、発振回路10の負荷容量として機能する可変容量素子(不図示)の一端に印加する。これにより、発振回路10の発振周波数(振動子3の発振周波数)が、VC端子の電圧値に基づき制御される。例えば、レジスター74に保持された制御データによって、AFC回路32のゲインが制御されてもよい。
温度センサー50は、その周辺の温度に応じた信号(例えば、温度に応じた電圧)を出力する感温素子である。温度センサー50は、温度が高いほど出力電圧が高い正極性のものであってもよいし、温度が高いほど出力電圧が低い負極性のものであってもよい。なお、温度センサー50としては、発振器1の動作が保証される所望の温度範囲において、温度変化に対して出力電圧ができるだけ線形に変化するものが望ましい。
温度補償回路40は、温度センサー50からの出力信号が入力され、振動子3の周波数温度特性を補償するための電圧(温度補償電圧)を発生させて、発振回路10の負荷容量として機能する可変容量素子(不図示)の一端に印加する。これにより、発振回路10の発振周波数が、温度によらずほぼ一定になるように制御される。本実施形態では、温度補償回路40は、1次電圧発生回路41−1〜n次電圧発生回路41−n及び加算回路42を含んで構成されている。
1次電圧発生回路41−1〜n次電圧発生回路41−nは、それぞれ、温度センサー50からの出力信号が入力され、レジスター74に保持された1次補償データ〜n次補償データに応じて、振動子3の周波数温度特性の1次成分からn次成分を補償するための1次補償電圧〜n次補償電圧を発生させる。
加算回路42は、1次電圧発生回路41−1〜n次電圧発生回路41−nがそれぞれ発生させる1次補償電圧〜n次補償電圧を加算して出力する。この加算回路42の出力電圧が温度補償回路40の出力電圧(温度補償電圧)となる。
出力回路20は、発振回路10が出力する発振信号が入力され、外部出力用の発振信号を生成して出力する。例えば、レジスター74に保持された制御データによって、出力回路20における発振信号の分周比や出力レベルが制御されてもよい。
スイッチ回路90は、レジスター74に保持されたスイッチ制御ビットに応じて、出力回路20の出力信号(発振信号)と温度センサー50の出力信号のいずれか一方を選択して出力する。集積回路(IC)2の電源投入時(VDD端子の電圧が0Vから所望の電圧まで立ち上がる時)には、スイッチ回路90が出力回路20の出力回路20の出力信号を選択するようにスイッチ制御ビットが初期化される。また、スイッチ回路90が温度センサー50の出力信号を選択するように、シリアルインターフェース回路80を介してスイッチビットを書き換えることができる。スイッチ回路90の出力信号は、OUT端子を介して発振器1の外部端子OUT1から出力される。
このように構成された第1実施形態の発振器1は、所望の温度範囲において、温度によらず、外部端子VC1の電圧に応じた一定の周波数の発振信号を出力する電圧制御型の温度補償型発振器(振動子3が水晶振動子であればVC−TCXO(Voltage Controlled Temperature Compensated Crystal Oscillator))として機能する。
[周波数調整の問題点]
図4に示すように、本実施形態では、リッド5によってパッケージ4が封止される前の発振器1において、例えば、25℃〜30℃程度で、集積回路(IC)2によって振動子3を発振させて外部端子OUT1に対応する外部端子6から出力される発振信号の周波数(発振周波数)を測定し、測定結果に応じてレーザー光源9が出射するレーザー光によって振動子3の表面の励振電極3aを削ることで周波数調整を行う。例えば、周波数調整の開始時において発振器1の発振周波数の周波数偏差Δf/fは−1000ppm程度であり、周波数偏差が0ppmに近づくように(測定される周波数が所望の周波数に近づくように)発振周波数を調整する。ところが、振動子3の励振電極3aにレーザー光が照射されることにより、振動子3の温度が上昇するため、周波数が測定される時の振動子3の温度は周波数調整の開始時の温度(25℃)よりも高いため、測定される周波数が所望の周波数と一致するように調整しても、発振器1の25℃での発振周波数は、振動子3の周波数温度特性に依存した誤差を有することになる。
図4に示すように、本実施形態では、リッド5によってパッケージ4が封止される前の発振器1において、例えば、25℃〜30℃程度で、集積回路(IC)2によって振動子3を発振させて外部端子OUT1に対応する外部端子6から出力される発振信号の周波数(発振周波数)を測定し、測定結果に応じてレーザー光源9が出射するレーザー光によって振動子3の表面の励振電極3aを削ることで周波数調整を行う。例えば、周波数調整の開始時において発振器1の発振周波数の周波数偏差Δf/fは−1000ppm程度であり、周波数偏差が0ppmに近づくように(測定される周波数が所望の周波数に近づくように)発振周波数を調整する。ところが、振動子3の励振電極3aにレーザー光が照射されることにより、振動子3の温度が上昇するため、周波数が測定される時の振動子3の温度は周波数調整の開始時の温度(25℃)よりも高いため、測定される周波数が所望の周波数と一致するように調整しても、発振器1の25℃での発振周波数は、振動子3の周波数温度特性に依存した誤差を有することになる。
ここで、例えば、振動子3がATカット水晶振動子の場合、その周波数温度特性は3次曲線を呈するため、図5に示すように、発振器1の発振周波数は、周波数調整が行われる25℃付近では温度上昇に対して発振周波数がほぼ線形に減少する。そして、周波数偏差が0ppmに近くなる周波数調整の終了時は、周波数偏差が−1000ppm程度の開始時よりも、振動子3の温度が上昇しているため、発振器1の発振周波数が図5に示すような温度特性を有する状態では、所望の周波数よりも低い周波数になるように周波数を調整しなければ調整誤差が生じることになる。
また、例えば、図6(A)に示すように、振動子3の周波数温度特性には個体差があり、図6(A)の25℃付近を拡大した図6(B)に示すように、25℃付近の温度上昇に対する周波数低下の度合いも異なる。さらに、発振器1ごとの周波数調整時の温度の差や、振動子3ごとの初期周波数の差に応じたレーザー照射時間の差による振動子3の発熱量の差などにより、周波数調整時の振動子3の温度にも差が生じる。そうすると、図7に示すように、横軸を周波数偏差(Δf/f)、縦軸を発振器1の個数としたときに、25℃や30℃でそれぞれ周波数調整された発振器1の周波数は正規分布となり、25℃で調整された最大周波数と30℃で調整された最小周波数との差が調整ばらつきAとして顕在化する。
さらに、周波数調整後に、リッド5によりパッケージ4を封止し、熱処理を行ってリッド5をパッケージ4に接着させる過程で発振器1の状態が変化し、その結果、発振器1の発振周波数が変化する。この発振周波数の変化量を加味して周波数調整時の目標周波数にオフセットをかける対策は可能である。しかしながら、このような対策をとっても、この発振周波数の変化量にも個体差があるため、図8に示すように、リッド5による封止及び熱処理の後の調整ばらつきBは周波数調整時の調整ばらつきAよりも大きくなってしまう。
上述したように、発振器1の周波数は、周波数調整データを書き換えることで周波数調整回路30により微調整可能であるが、1ppm以下の高い周波数精度が要求されると、調整ばらつきBが周波数調整データの書き換えによる調整可能範囲よりも大きくなり、調整できない発振器1の数が増えるため、歩留りが低下する。周波数調整回路30による調整可能範囲を広げることで歩留りを向上させることは可能であるが、調整分解能を維持し
たまま調整可能範囲を広げると周波数調整データのビット数が増大してコストの増加を招き、周波数調整データのビット数を維持したまま調整可能範囲を広げると調整分解能が低下し、発振器1の周波数精度の劣化を招く。
たまま調整可能範囲を広げると周波数調整データのビット数が増大してコストの増加を招き、周波数調整データのビット数を維持したまま調整可能範囲を広げると調整分解能が低下し、発振器1の周波数精度の劣化を招く。
以下に説明するように、本実施形態の製造方法は、周波数調整時の調整ばらつきAを小さくすることで調整ばらつきBを小さくし、周波数調整回路30による調整可能範囲を広げずに歩留りを維持又は向上させるものである。
[発振器の製造方法]
図9は、本実施形態の発振器の製造方法(上述した発振器1の製造方法)の手順の一例を示すフローチャート図である。図9の工程S10〜S90の一部を省略又は変更し、あるいは、他の工程を追加してもよい。なお、図9のフローチャートに先立ち、不揮発性メモリー72あるいはレジスター74に、周波数調整データの初期値(例えば、調整可能範囲の中間値)が書き込まれているものとする。
図9は、本実施形態の発振器の製造方法(上述した発振器1の製造方法)の手順の一例を示すフローチャート図である。図9の工程S10〜S90の一部を省略又は変更し、あるいは、他の工程を追加してもよい。なお、図9のフローチャートに先立ち、不揮発性メモリー72あるいはレジスター74に、周波数調整データの初期値(例えば、調整可能範囲の中間値)が書き込まれているものとする。
図9の例では、まず、パッケージ4に集積回路(IC)2を搭載し(S10)、次に、パッケージ4に振動子3を搭載する(S20)。工程S10及び工程S20により、集積回路(IC)2と振動子3は、パッケージ4の内部又は凹部の表面に設けられた配線によって接続され、集積回路(IC)2に電源を供給すると集積回路(IC)2と振動子3とが電気的に接続される状態になる。
次に、集積回路(IC)2と振動子3とが電気的に接続された状態で、振動子3を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する(S30)。後述するように、この周波数調整工程S30では、温度センサー50の出力電圧の変化に応じて目標周波数を変更しながら周波数を調整する。
次に、リッド5によりパッケージ4を封止し、熱処理を行ってリッド5をパッケージ4に接着させる(S40)。
次に、例えば、25℃で発振器1の周波数を測定し(S50)、測定した周波数の周波数偏差(所望の周波数に対する偏差)が所定範囲内の場合(S60のY)、その他の調整及び検査(例えば、温度補償調整など)を行い(S90)、終了する。
また、測定した周波数の周波数偏差が所定範囲内でない場合(S60のN)、当該周波数偏差が調整可能な範囲であれば(S70のY)、周波数調整データを書き換えて(S80)、工程S50以降を再び行う。一方、測定した周波数の周波数偏差が調整可能な範囲でなければ(S70のN)、工程S90を行わずに終了し、例えば、当該発振器1を不合格品として破棄してもよい。
なお、図9のフローチャートにおいて、可能な範囲で、各工程の順番を適宜変更してもよい。
図10は、周波数調整工程(図9の工程S30)の手順の一例を示すフローチャート図である。
まず、目標周波数を初期設定する(S31)。
次に、レーザー光源9からレーザー光を照射し、振動子3の励振電極3aを研磨して削る(S32)。この工程S32により、振動子3の質量が減少し、発振器1の周波数が上昇する。
次に、温度と目標周波数との対応情報に基づき、温度センサー50の出力電圧に応じて目標周波数を変更する(S33)。この工程S33では、スイッチ制御ビットを書き換えて発振器1の外部端子OUT1から温度センサー50の出力信号が出力されるように設定した後、外部端子OUT1の電圧に応じて目標周波数を変更する。温度と目標周波数との対応情報は、あらかじめ振動子3と同じ種類(型番)の複数の振動子の周波数温度特性を測定し、当該測定結果に基づいて算出された情報であり、温度センサー50の出力電圧と目標周波数との対応関係を特定可能な情報であればよい。例えば、複数の振動子の周波数温度特性の25℃付近での傾き(1次成分)の平均値を1次係数とする温度と周波数の関係式を算出し、当該関係式から換算される温度と周波数の関係式を温度と目標周波数との対応情報として、温度センサー50の出力電圧の変化に対して線形に目標周波数を変更してもよい。
次に、発振器1の周波数を測定し(S34)、測定した周波数の目標周波数に対する偏差が所定範囲内でなければ(S35のN)、工程S32以降を再び行う。測定した周波数の目標周波数に対する偏差が所定範囲内であれば(S35のY)、周波数調整工程を終了する。なお、工程S34では、スイッチ制御ビットを書き換えて発振器1の外部端子OUT1から発振信号が出力されるように設定した後、外部端子VC1には所望の電圧、例えば、周波数可変範囲の中間周波数に対応する電圧(例えば、VDD/2)が印加された状態で周波数を測定する。
ここで、工程S32において振動子3の励振電極3aをレーザー光で削る際に発生する熱は、配線や空間を通じて集積回路(IC)2にも伝わるため、温度センサー50によって振動子3の温度上昇を間接的に検出することができる。そこで、工程S33において、温度センサー50の出力電圧に応じて目標周波数を変更することにより、振動子3の温度上昇分を加味した周波数調整を行うことができる。例えば、振動子3がATカット水晶振動子の場合、その周波数温度特性は3次曲線を呈し、25℃付近では温度の上昇に対して線形に周波数が低下する。そこで、図11に示すように、工程S31において、周波数調整工程S40の開始時の温度が25℃であるものとして目標周波数を所望の周波数に初期設定し、工程S33において、温度(温度センサー50の出力電圧に対応する温度)が(25+α)℃に上昇していれば、目標周波数を、所望の周波数に対する偏差が−βppmの周波数に変更する。この場合、図11の直線を表す1次式を、工程S33で使用する温度と目標周波数との対応情報とすればよい。
このように、振動子3の温度上昇分を加味して目標周波数を変更しながら周波数を調整することにより、調整誤差を小さくすることができる。ただし、実際には、図6(A)及び図6(B)に示したように、振動子3の周波数温度特性には個体差があるため、発振器1の周波数温度特性の25℃付近での傾き(1次成分)にも差が生じる。そのため、工程33で使用する対応情報(関係式)が固定値である場合、周波数調整工程S30における周波数の調整誤差にある程度のばらつきが生じるが、図12(A)に示すように、図10の工程S33を行わない場合(図12(A)の破線)と比較して、図10の工程S33を行った場合(図12(A)の実線)の方が周波数調整時の調整ばらつきAが小さくなる。その結果、図12(B)に示すように、図10の工程S33を行わない場合(図12(B)の破線)と比較して、図10の工程S33を行った場合(図12(B)の実線)の方がリッド5による封止及び熱処理の後の調整ばらつきBも小さくなる。
従って、周波数の調整誤差が比較的大きい発振器1についても、図9の工程S50〜工程S80により周波数の微調整を行うことで、目標周波数との差を所定範囲内にすることが可能となり、歩留りを維持あるいは向上させることができる。
なお、図9のフローチャートによれば、周波数調整工程S30において、あらかじめ振動子3と同じ種類(型番)の複数の振動子の周波数温度特性の測定結果に基づいて算出された温度と目標周波数との対応情報(固定値)を用いて目標周波数を変更するので、周波数調整工程S30に先立ち、振動子3の周波数温度特性を測定する必要がない。ただし、歩留りをさらに向上させるために、以下のように、発振器1ごとの周波数温度特性に応じたより適切な対応情報を用いて周波数調整を行うことも可能である。
図13は、本実施形態の発振器の製造方法(上述した発振器1の製造方法)の手順の他の一例を示すフローチャート図である。図13の工程S10〜S90の一部を省略又は変更し、あるいは、他の工程を追加してもよい。なお、図13のフローチャートに先立ち、不揮発性メモリー72あるいはレジスター74に、周波数調整データの初期値(例えば、調整可能範囲の中間値)が書き込まれているものとする。
図13の例では、図9と同様に、まず、パッケージ4に集積回路(IC)2を搭載し(S10)、次に、パッケージ4に振動子3を搭載する(S20)。
次に、発振器1の周波数温度特性を測定し、測定結果に基づいて温度と目標周波数との対応情報を算出する(S22)。例えば、振動子3がATカット水晶振動子である場合、25℃付近の複数の温度で周波数を測定することで、発振器1の周波数温度特性の1次成分を測定することができる。例えば、25℃と30℃でそれぞれ周波数を測定し、この2点を結ぶ直線を表す1次式を温度と目標周波数との対応情報とする。
次に、集積回路(IC)2と振動子3とが電気的に接続された状態で、振動子3を発振させて周波数を測定し、周波数を調整する(S30)。この周波数調整工程S30の詳細な手順は、図10と同様である。ただし、図10の工程S33では、図13の工程S22で算出した温度と目標周波数との対応情報に基づき、温度センサー50の出力電圧に応じて目標周波数を変更する。
次に、図9と同様に、リッド5によりパッケージ4を封止し、熱処理を行ってリッド5をパッケージ4に接着させた後(S40)、例えば、25℃で発振器1の周波数を測定し(S50)、測定した周波数の周波数偏差(所望の周波数に対する偏差)が所定範囲内の場合(S60のY)、その他の調整及び検査(例えば、温度補償調整など)を行い(S90)、終了する。
また、測定した周波数の周波数偏差(所望の周波数に対する偏差)が所定範囲内でない場合(S60のN)、当該周波数偏差が調整可能な範囲であれば(S70のY)、周波数調整データを書き換えて(S80)、工程S50以降を再び行う。一方、測定した周波数の周波数偏差が調整可能な範囲でなければ(S70のN)、工程S90を行わずに終了し、例えば、当該発振器1を不合格品として破棄してもよい。
なお、図13のフローチャートにおいて、可能な範囲で、各工程の順番を適宜変更してもよい。
ここで、例えば、図6(A)及び図6(B)に示したように、振動子3の周波数温度特性には個体差があるが、図13の周波数調整工程S30において、工程S22で算出した発振器1の周波数温度特性に応じた適切な対応情報を用いて、目標周波数を精度よく変更しながら周波数を調整することができるので、周波数調整時の調整ばらつきAが極めて小さくなり、その結果、リッド5による封止及び熱処理の後の調整ばらつきBをより小さくすることができる。
従って、ほとんどの発振器1について、図13の工程S50〜工程S80により周波数の微調整を行うことで、目標周波数との差を所定範囲内にすることが可能となり、歩留りをさらに向上させることができる。
以上に説明したように、本実施形態の発振器の製造方法によれば、周波数調整工程において、集積回路(IC)2が有する温度センサー50によって間接的に振動子3の温度情報を取得し、振動子3の温度変化に応じて適切に目標周波数を変更しながら周波数を調整することができる。従って、周波数調整工程において、目標周波数に近づくように調整することにより、周波数の調整誤差を従来よりも小さくすることができる。
特に、本実施形態の発振器の製造方法によれば、温度センサー50の出力電圧に応じて適切に目標周波数を変更し、周波数調整時の調整ばらつきAを小さくすることで、リッド5による封止及び熱処理の後の調整ばらつきBを小さくし、周波数調整回路30による調整可能範囲を広げずに歩留りを維持又は向上させることができる。
なお、本実施形態の発振器の製造方法は、例えば、周波数温度特性が3次曲線を呈する振動子3を有する発振器1に広く適用することができる。周波数温度特性が3次曲線を呈する振動子3としては、上述したATカット水晶振動子の他に、例えば、STカットに改良を加えて周波数温度特性が3次曲線を呈するようにした弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)共振子などが挙げられる。この弾性表面波(SAW)共振子においても、レーザー光を照射してIDT(InterDigital Transducer)電極や反射器の一部を除去することで周波数を調整することができる。
そして、振動子3の周波数温度特性が3次曲線を呈する場合、周波数調整工程(図9や図13の工程S30)が15℃以上35℃以下の温度で行われることが望ましい。この温度範囲では、温度変化に対して振動子3の周波数がほぼ線形に変化するため、温度の変化(温度センサー50の出力電圧の変化)に対して線形に目標周波数を変更すればよいので、変更が容易である。
また、本実施形態の発振器の製造方法は、例えば、周波数温度特性が2次曲線を呈する振動子3を有する発振器1にも広く適用することができる。周波数温度特性が2次曲線を呈する振動子3としては、例えば、SCカット水晶振動子や音叉型水晶振動子などが挙げられる。SCカット水晶振動子や音叉型水晶振動子においても、レーザー光を照射して励振電極の一部を除去することで周波数を調整することができる。
また、上述した発振器1は、温度補償機能と電圧制御機能(周波数制御機能)を有する発振器(VC−TCXO(Voltage Controlled Temperature Compensated Crystal Oscillator)等)であるが、本実施形態の発振器の製造方法は、電圧制御機能(周波数制御機能)を有さない温度補償型発振器(TCXO(Temperature Compensated Crystal Oscillator)等)にも適用することができる。
また、本実施形態の発振器の製造方法は、集積回路(IC)2により振動子3を発振させて周波数を測定し、測定結果に応じて周波数を調整することが可能な発振器1に広く適用することができる。このような発振器1としては、図2(A)に示したようなシングルシール構造の発振器の他にも、例えば、図14に示すようなH型構造の発振器にも適用することができる。図14に示す発振器1において、パッケージ4には、対向する面に2つの凹部が設けられており、リッド5で一方の凹部を覆うことによって収容室7aとなり、封止部材8で他方の凹部を覆うことによって収容室7bとなる。収容室7aには振動子3が収容され、収容室7bには集積回路(IC)2が収容されている。パッケージ4の内部又は凹部の表面には、集積回路(IC)2のXO端子及びXI端子と振動子3の2つの端
子とをそれぞれ電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。また、パッケージ4の内部又は凹部の表面には、集積回路(IC)2の各端子と対応する各外部端子6とを電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。このような構造の発振器1においても、リッド5によってパッケージ4を封止する前に、振動子3の表面に設けられた励振電極3aにレーザー光を照射し、励振電極3aを削ることで周波数を調整することができる。
子とをそれぞれ電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。また、パッケージ4の内部又は凹部の表面には、集積回路(IC)2の各端子と対応する各外部端子6とを電気的に接続するための不図示の配線が設けられている。このような構造の発振器1においても、リッド5によってパッケージ4を封止する前に、振動子3の表面に設けられた励振電極3aにレーザー光を照射し、励振電極3aを削ることで周波数を調整することができる。
また、発振器1(集積回路(IC)2)は、図3に示したように、発振信号の出力用の端子を温度センサー50の出力信号を出力するために兼用するものに限らず、発振信号の出力用の端子以外の端子を温度センサー50の出力信号を出力するために兼用するものでもよいし、温度センサー50の出力信号を出力するための専用の端子を有するものでもよい。
2.電子機器
図15は、本実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図である。また、図16は、本実施形態の電子機器の一例であるスマートフォンの外観の一例を示す図である。
図15は、本実施形態の電子機器の構成の一例を示す機能ブロック図である。また、図16は、本実施形態の電子機器の一例であるスマートフォンの外観の一例を示す図である。
本実施形態の電子機器300は、発振器310、CPU(Central Processing Unit)320、操作部330、ROM(Read Only Memory)340、RAM(Random Access Memory)350、通信部360、表示部370を含んで構成されている。なお、本実施形態の電子機器は、図15の構成要素(各部)の一部を省略又は変更し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
発振器310は、集積回路(IC)312と振動子313とを備えている。集積回路(IC)312は、振動子313を発振させて発振信号を発生させる。この発振信号は発振器310のOUT端子からCPU320に出力される。
CPU320は、ROM340等に記憶されているプログラムに従い、発振器310から入力される発振信号をクロック信号として各種の計算処理や制御処理を行う。具体的には、CPU320は、操作部330からの操作信号に応じた各種の処理、外部装置とデータ通信を行うために通信部360を制御する処理、表示部370に各種の情報を表示させるための表示信号を送信する処理等を行う。
操作部330は、操作キーやボタンスイッチ等により構成される入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号をCPU320に出力する。
ROM340は、CPU320が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。
RAM350は、CPU320の作業領域として用いられ、ROM340から読み出されたプログラムやデータ、操作部330から入力されたデータ、CPU320が各種プログラムに従って実行した演算結果等を一時的に記憶する。
通信部360は、CPU320と外部装置との間のデータ通信を成立させるための各種制御を行う。
表示部370は、LCD(Liquid Crystal Display)等により構成される表示装置であり、CPU320から入力される表示信号に基づいて各種の情報を表示する。表示部370には操作部330として機能するタッチパネルが設けられていてもよい。
発振器310として例えば上述した本実施形態の製造方法を用いて製造した発振器1を適用することにより、信頼性の高い電子機器を実現することができる。
このような電子機器300としては種々の電子機器が考えられ、例えば、パーソナルコンピューター(例えば、モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター)、スマートフォンや携帯電話機などの移動体端末、ディジタルカメラ、インクジェット式吐出装置(例えば、インクジェットプリンター)、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、移動体端末基地局用機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオレコーダー、カーナビゲーション装置、リアルタイムクロック装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、PDR(歩行者位置方位計測)等が挙げられる。
本実施形態の電子機器300の一例として、上述した発振器310を基準信号源、あるいは電圧可変型発振器(VCO)等として用いて、例えば、端末と有線または無線で通信を行う端末基地局用装置等として機能する伝送装置が挙げられる。本実施形態の電子機器300は、発振器310として、例えば上述した本実施形態の製造方法を用いて製造した発振器1を適用することにより、例えば通信基地局などに利用可能な、高性能、高信頼性を所望される伝送機器にも適用することができる。
3.移動体
図17は、本実施形態の移動体の一例を示す図(上面図)である。図17に示す移動体400は、発振器410、エンジンシステム、ブレーキシステム、キーレスエントリーシステム等の各種の制御を行うコントローラー420,430,440、バッテリー450、バックアップ用バッテリー460を含んで構成されている。なお、本実施形態の移動体は、図17の構成要素(各部)の一部を省略し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
図17は、本実施形態の移動体の一例を示す図(上面図)である。図17に示す移動体400は、発振器410、エンジンシステム、ブレーキシステム、キーレスエントリーシステム等の各種の制御を行うコントローラー420,430,440、バッテリー450、バックアップ用バッテリー460を含んで構成されている。なお、本実施形態の移動体は、図17の構成要素(各部)の一部を省略し、あるいは、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
発振器410は、不図示の集積回路(IC)と振動子とを備えており、集積回路(IC)は振動子を発振させて発振信号を発生させる。この発振信号は発振器410の外部端子からコントローラー420,430,440に出力され、例えばクロック信号として用いられる。
バッテリー450は、発振器410及びコントローラー420,430,440に電力を供給する。バックアップ用バッテリー460は、バッテリー450の出力電圧が閾値よりも低下した時、発振器410及びコントローラー420,430,440に電力を供給する。
発振器410として例えば上述した本実施形態の製造方法を用いて製造した発振器1を適用することにより、信頼性の高い移動体を実現することができる。
このような移動体400としては種々の移動体が考えられ、例えば、自動車(電気自動車も含む)、ジェット機やヘリコプター等の航空機、船舶、ロケット、人工衛星等が挙げられる。
本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
1 発振器、2 集積回路(IC)、3 振動子、3a,3b 励振電極、4 パッケージ、5 リッド、6 外部端子(外部電極)、7a,7b 収容室、8 封止部材、9 レーザー光源、10 発振回路、20 出力回路、30 周波数調整回路、32 AFC回路、40 温度補償回路、41−1 1次電圧発生回路、41−n n次電圧発生回路、42 加算回路、50 温度センサー、60 レギュレーター回路、70 記憶部、72 不揮発性メモリー、74 レジスター、80 シリアルインターフェース(I/F)回路、90 スイッチ回路、300 電子機器、310 発振器、312 集積回路(IC)、313 振動子、320 CPU、330 操作部、340 ROM、350 RAM、360 通信部、370 表示部、400 移動体、410 発振器、420,430,440 コントローラー、450 バッテリー、460 バックアップ用バッテリー
Claims (7)
- 振動子と、前記振動子を発振させるための集積回路とを含み、前記集積回路が温度センサーを有する発振器の製造方法であって、
容器に前記集積回路を搭載する工程と、
前記容器に前記振動子を搭載する工程と、
前記集積回路と前記振動子とが電気的に接続された状態で、前記振動子を発振させて周波数を測定し、周波数が目標周波数に近づくように調整する周波数調整工程と、を含み、
前記周波数調整工程において、
前記温度センサーの出力電圧に応じて前記目標周波数を変更する、発振器の製造方法。 - 前記周波数調整工程において、
前記温度センサーの出力電圧の変化に対して線形に前記目標周波数を変更する、請求項1に記載の発振器の製造方法。 - 前記周波数調整工程は、15℃以上35℃以下の温度で行われる、請求項1又は2に記載の発振器の製造方法。
- 前記周波数調整工程において、
前記振動子と同じ種類の複数の振動子の周波数温度特性の測定結果に基づいて算出された、温度と前記目標周波数との対応情報に基づき、前記目標周波数を変更する、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発振器の製造方法。 - 前記発振器の周波数温度特性を測定し、測定結果に基づいて温度と前記目標周波数との対応情報を算出する工程を含み、
前記周波数調整工程において、
前記対応情報に基づき前記目標周波数を変更する、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発振器の製造方法。 - 前記周波数調整工程において、
前記振動子にレーザー光を照射することにより周波数を調整する、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発振器の製造方法。 - 前記周波数調整工程において、
前記振動子は、ATカット水晶振動子である、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発振器の製造方法。
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CN109768780A (zh) * | 2017-11-10 | 2019-05-17 | 精工爱普生株式会社 | 振子组制造方法以及振荡器制造方法 |
WO2023234141A1 (ja) * | 2022-05-31 | 2023-12-07 | 株式会社大真空 | 温度補償型圧電発振器 |
-
2015
- 2015-03-23 JP JP2015059330A patent/JP2016178605A/ja active Pending
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