CN109768780A - 振子组制造方法以及振荡器制造方法 - Google Patents

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Abstract

振子组制造方法以及振荡器制造方法。提供低成本地实现可用于制造高精度的振动器件的振子组的振子组制造方法。在振子组制造方法中，针对包含配置成矩阵状的第1～第n(n是2以上的整数)振子的振子组，测定所述第1～第n振子的谐振频率，将振子组(1)的附属信息存储到存储装置中，该附属信息包含对所述振子组附加的识别信息、表示所述第1～第n振子的位置的第1～第n位置信息、以及基于所述第1～第n振子的谐振频率的测定结果的第1～第n特性信息。

Description

振子组制造方法以及振荡器制造方法
技术领域
本发明涉及振子组制造方法以及振荡器制造方法。
背景技术
使石英振子等振子振荡而输出期望频率的信号的振荡器被广泛用于各种电子设备及系统中。通常，振子制造商在制造振子并在单片状态下实施特性检查之后，将振子单独收纳，提供给振荡器制造商。由于振子的特性各不相同，因此，为了以较低成本实现高频率精度的振荡器，希望振子制造商提供每个振子的特性信息，振荡器制造商使用每个振子的特性信息调整振荡器的频率。
专利文献1公开了一种个体间电气特性不同的电子元件的供给方法，其中，与每个电子元件对应地将打印有电气特性的数据代码与电子元件一起收纳于包装容器中。根据该方法，通过将打印有电气特性的数据代码与电子元件一起收纳，能够准确地提供与电子元件的电气特性有关的信息。
专利文献1：日本特开2002-173106号公报
然而，在专利文献1记载的方法中，由于需要对每个电子元件的包装容器附加数据代码，因此，成本高，并且难以降低成本。此外，由于专利文献1记载的方法以通过在卷取至卷轴的载带上将电子元件排列成一列而收纳的供给方式为对象，因此，即使电子元件的尺寸小型化，也能够将表示特性信息的代码打印在载带上的各电子元件附近，但是，在振子组在晶片上被单片化而配置成矩阵状的供给方式或者单片化的振子组在托盘上配置成矩阵状的供给方式的情况下，极难确保在各振子附近打印表示特性信息的代码的空间。
发明内容
本发明是鉴于以上那样的问题而完成的，根据本发明的几个方式，可提供以较低成本实现能够用于制造高精度的振动器件的振子组的振子组制造方法、以及以较低成本实现高精度的振荡器的振荡器制造方法。
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的，作为以下的方式或应用例来实现。
[应用例1]
本应用例的振子组制造方法针对包含配置成矩阵状的第1～第n振子的振子组测定所述第1～第n振子的谐振频率，将所述振子组的附属信息存储到存储装置中，该附属信息包含对所述振子组附加的识别信息、表示所述第1～第n振子的位置的第1～第n位置信息、以及基于所述第1～第n振子的谐振频率的测定结果的第1～第n特性信息，其中，n是2以上的整数。
根据本应用例的振子组制造方法，由于形成配置成矩阵状的振子组，并且包含构成该振子组的各振子的位置信息和特性信息的附属信息存储在存储装置中，因此，无需在各振子或其附近打印表示特性信息的代码，从而能够低成本地制造振子组。此外，在使用通过本应用例的振子组制造方法制造的振子组中包含的振子来制造振荡器或振动型传感器等振动器件时，可以取得该振子组的附属信息，使用根据位置信息而选择的该振子的特性信息来高精度地调整振动器件。因此，根据本应用例的振子组制造方法，能够低成本地实现可用于制造高精度的振动器件的振子组。
[应用例2]
在所述应用例的振子组制造方法中，也可以是，能够经由通信网络访问存储在所述存储装置中的所述附属信息，将用于访问所述附属信息的访问代码设置于保持所述振子组的振子组保持部件。
根据本应用例的振子组制造方法，在振子组保持部件上设置用于经由通信网络访问振子组的附属信息的访问代码，由此，无需在振子组保持部件上设置表示各振子的特性信息的多个代码。此外，由于访问代码的信息量比表示各振子的特性信息的代码少，因此，可以在振子组保持部件中减少为了设置访问代码所需的空间。因此，根据本应用例的振子组制造方法，即使振子组配置成矩阵状，另外，即使振子进一步小型化，也能够容易地在振子组保持部件中确保设置访问代码的空间，因此，能够低成本地制造振子组。
[应用例3]
所述应用例的振子组制造方法也可以将所述存储装置搭载于保持所述振子组的振子组保持部件。
根据本应用例的振子组制造方法，在振子组保持部件上搭载存储振子组的附属信息的存储装置，由此，无需在振子组保持部件上设置表示各振子的特性信息的多个代码。因此，根据本应用例的振子组制造方法，即使振子组配置成矩阵状，即使振子进一步小型化，也能够容易地在振子组保持部件中确保搭载存储装置的空间，因此，能够低成本地制造振子组。
[应用例4]
在所述应用例的振子组制造方法中，也可以是，所述第1～第n特性信息包含规定温度下的所述第1～第n振子的谐振频率的各测定结果。
规定温度例如是在振子的频率温度特性下作为基准的温度(频率偏差为0的温度)，各温度下的谐振频率与该规定温度下的谐振频率之差为各温度下的频率偏差。该规定温度也可以是例如包含在25℃±5℃(20℃～30℃)的温度范围内的任意温度。
根据本应用例的振子组制造方法，由于在振子组的附属信息中包含规定温度下的各振子的谐振频率的测定结果，因此，当使用该振子组中包含的振子来制造振动器件时，通过使用规定温度下的该振子的谐振频率的测定结果，能够高精度地调整该规定温度下的该振荡器件的振荡频率。
[应用例5]
所述应用例的振子组制造方法也可以在多个不同温度下测定所述第1～第n振子的谐振频率，所述第1～第n特性信息包含基于所述第1～第n振子的谐振频率的温度依赖性的信息。
根据本应用例的振子组制造方法，由于在振子组的附属信息中包含基于各振子的谐振频率的温度依赖性的信息，因此，在使用该振子组中包含的振子来制造振动器件时，通过使用基于该振子的谐振频率的温度依赖性的信息，能够高精度地调整该振荡器件的频率温度特性。
[应用例6]
所述应用例的振子组制造方法也可以准备振动片搭载基板、第1～第n振动片和密封用基板，在所述振动片搭载基板上呈矩阵状地搭载所述第1～第n振动片，将所述密封用基板与搭载有所述第1～第n振动片的所述振动片搭载基板接合，将接合有所述密封用基板的所述振动片搭载基板切断，形成包含分别具有所述第1～第n振动片的所述第1～第n振子的所述振子组。
根据本应用例的振子组制造方法，很容易进行各振子的组装，此外，由于振子组在单片化的状态下配置成矩阵状，因此，也无需重新排列各振子，因此，能够低成本地制造振子组。
[应用例7]
本应用例的振荡器的制造方法准备包含配置成矩阵状的第1～第n振子的振子组以及第1～第n集成电路装置，取得振子组的附属信息，该附属信息包含表示所述第1～第n振子的位置的第1～第n位置信息、以及基于所述第1～第n振子的谐振频率的测定结果的第1～第n特性信息，从所述振子组中选择第k振子，将所述第k振子和第k集成电路装置一体化，根据第k位置信息选择第k特性信息，根据所述第k特性信息进行所述第k集成电路装置的输出信号的频率调整，其中，k是从1到n的整数。
根据本应用例的振荡器的制造方法，可以将振子组中包含的各振子和各集成电路装置一体化，使用根据该振子组的附属信息中包含的各振子的位置信息而选择的特性信息来高精度地调整振荡器件。此外，根据本应用例的振荡器的制造方法，由于取得包含构成配置成矩阵状的振子组的各振子的位置信息和特性信息的附属信息，因此，无需使用在各振子或其附近打印有表示特性信息的代码的更昂贵的振子组。因此，根据本应用例的振荡器的制造方法，能够低成本地实现高精度的振荡器。
[应用例8]
在所述应用例的振荡器的制造方法中，也可以是，所述附属信息存储在能够经由通信网络访问的存储装置中，使用设置于保持所述振子组的振子组保持部件的访问代码，取得存储在所述存储装置中的所述附属信息。
根据本应用例的振荡器的制造方法，由于使用设置于振子组保持部件的访问代码经由通信网络取得振子组的附属信息，因此，无需使用在振子组保持部件上设置有表示各振子的特性信息的多个代码的更昂贵的振子组。因此，根据本应用例的振荡器的制造方法，能够低成本地实现高精度的振荡器。
[应用例9]
在所述应用例的振荡器的制造方法中，也可以是，所述附属信息存储在搭载于保持所述振子组的振子组保持部件上的存储装置中。
根据本应用例的振荡器的制造方法，由于可以从搭载于振子组保持部件的存储装置取得振子组的附属信息，因此，无需使用在振子组保持部件上设置有表示各振子的特性信息的多个代码的更昂贵的振子组。因此，根据本应用例的振荡器的制造方法，能够低成本地实现高精度的振荡器。
附图说明
图1是示出第1实施方式的振子组制造方法的步骤的一例的流程图。
图2是示出振子组形成工序的步骤的一例的流程图。
图3是振动片搭载基板的立体图及其虚线部的侧视图。
图4是密封用基板的立体图及其虚线部的侧视图(立体侧视图)。
图5是搭载有第1～第n振动片的一部分的振动片搭载基板的立体图及其虚线部的侧视图(立体侧视图)。
图6是接合有密封用基板的振动片搭载基板的立体图及其虚线部的侧视图(立体侧视图)。
图7是振子组的立体图及其虚线部的侧视图(立体侧视图)。
图8是示出特性信息生成工序的步骤的一例的流程图。
图9是示出振子的等效电路的图。
图10是示出第1第n振子在振子组1内的位置的一例的图。
图11是示出附属于振子组的附属信息的一例的图。
图12是附属信息存储工序的说明图。
图13是访问代码附加工序的说明图。
图14是示出第1实施方式的振荡器的制造方法的步骤的一例的流程图。
图15是取得振子组的附属信息的工序的说明图。
图16是示出第2实施方式的振子组制造方法的步骤的一例的流程图。
图17是存储装置搭载工序的说明图。
图18是示出第2实施方式的振荡器的制造方法的步骤的一例的流程图。
标号说明
1：振子组；10：振子；11：振动片搭载基板；12：振动片；13：密封用基板；20：振子组保持部件；21：访问代码；22：存储装置；100：通信网络；111：电极；121：电极；122：电极；123：电极；131：电极；132：电极；133：通孔；134：凹部；200：检查装置；300：服务器；301：存储装置；400：调整装置。
具体实施方式
以下，使用附图，对本发明的优选实施方式进行详细说明。另外，以下说明的实施方式并非不合理地限定权利要求所述的本发明的内容。此外，以下说明的全部结构不一定是本发明的必要技术特征。
1.第1实施方式
1-1.振子组制造方法
[振子组制造方法的步骤]
图1是示出第1实施方式的振子组制造方法的步骤的一例的流程图。例如，振子制造商按照图1的步骤制造振子组1。如图1所示，在本实施方式中，首先，执行如下工序(振子组形成工序)S10：形成包含配置成矩阵状的第1～第n(n是2以上的整数)振子10的振子组1(参照后述的图7)。该振子组形成工序S10通过各种方法实现，在后面叙述其具体例。
接下来，对在振子组形成工序S10中得到的振子组1(包含配置成矩阵状的第1～第n振子10的振子组)执行如下工序(特性信息生成工序)S20：至少测定第1～第n振子1的谐振频率，根据测定结果生成针对第1～第n振子10的第1～第n特性信息。该特性信息生成工序S20通过各种方法实现，在后面叙述其具体例。
接下来，执行如下工序(附属信息存储工序)S30：将附属信息(附属于振子组1的信息)存储到存储装置301(参照后述的图12)中，该附属信息包含通过振子组形成工序S10而得到的振子组1的识别信息(对振子组1附加的识别信息)、表示第1～第n振子10的位置(在振子组内的位置)的第1～第n位置信息、以及通过特性信息生成工序S20而得到的第1～第n特性信息(基于第1～第n振子10的谐振频率的测定结果的第1～第n特性信息)。在本实施方式中，可以经由通信网络100(参照后述的图12)访问存储在该存储装置301中的振子组1的附属信息。
最后，执行如下工序(访问代码附加工序)S40：在保持通过振子组形成工序S10得到的振子组1的振子组保持部件20(参照后述的图7和图13)上设置访问代码21(参照后述的图13)，该访问代码21用于访问通过附属信息存储工序S30存储到存储装置301中的附属信息。
另外，附属信息存储工序S30和访问代码附加工序S40的顺序也可以互换。
[振子组形成工序的步骤]
图2是示出图1的振子组形成工序S10的步骤的一例的流程图。在图2的示例中，首先，准备振动片搭载基板11、第1～第n振动片12和密封用基板13(工序S100)。图3是振动片搭载基板11的立体图及其虚线部的侧视图。如图3中的立体图所示，振动片搭载基板11是圆形平面板，例如以硅(Si)作为材料而构成。并且，如图3的侧视图所示，在振动片搭载基板11的上表面设有多个电极111。振动片搭载基板11的图3所示的虚线部的结构在彼此垂直的X轴方向和Y轴方向上呈矩阵状地重复。此外，图4是密封用基板13的立体图及其虚线部的侧视图(立体侧视图)。如图4中的立体图所示，密封用基板13是圆形平面板，例如以玻璃(耐热性/耐化学性优异的硼硅酸盐玻璃等)作为材料而构成。并且，如图4的侧视图所示，在密封用基板13的上表面设有两个电极131，在密封用基板13的下表面设有多个电极132。两个电极131分别通过通孔133与互不相同的电极132电连接。此外，在密封用基板13的下表面形成有用于形成收纳振动片12的空间的凹部134。密封用基板13的图4所示的虚线部的结构在X轴方向和Y轴方向上呈矩阵状地重复。
接下来，在振动片搭载基板11上呈矩阵状地搭载第1～第n振动片12(工序S110)。图5是搭载有第1～第n振动片12的一部分的振动片搭载基板11的立体图及其虚线部的侧视图(立体侧视图)。第1～第n振动片12为相同的结构，例如以石英作为材料而构成。如图5的侧视图所示，各振动片12在上表面设有电极121，在下表面设有电极122和两个电极123(在图5中，两个电极123重叠)。一个电极123通过设置在振动片12上的未图示的布线图案与电极121电连接，另一个电极123通过设置在振动片12上的未图示的布线图案与电极122电连接。然后，利用工序S110将各振动片12的两个电极123与振动片搭载基板11的互不相同的电极111电连接。
接下来，将密封用基板13与通过工序S110得到的搭载有第1～第n振动片12的振动片搭载基板11接合(工序S120)。图6是接合有密封用基板13的振动片搭载基板11的立体图及其虚线部的侧视图(立体侧视图)。如图6的立体图所示，振动片搭载基板11和密封用基板13具有相同的尺寸，例如以彼此的外缘部重叠(使彼此的X轴以及Y轴一致)的方式，通过阳极键合进行接合。然后，如图6的侧视图所示，利用工序S120将振动片搭载基板11的各电极111和密封用基板13的各电极132电连接，并将各振动片12收纳在收纳空间中，所述收纳空间由形成在密封用基板13的下表面的凹部134和振动片搭载基板11的上表面构成。
最后，切断通过工序S120得到的接合有密封用基板13的振动片搭载基板11，形成包含分别具有第1～第n振动片12的第1～第n振子10的振子组1(工序S130)。图7是包含第1～第n振子10的振子组1的立体图及其虚线部的侧视图(立体侧视图)。在工序S130中，接合有密封用基板13的振动片搭载基板11在由振子组保持部件20保持的状态下被切断(切割)，如图6所示，形成包含有在X轴方向和Y轴方向上配置成矩阵状的第1～第n振子10的振子组1。振子组保持部件20是尺寸大于振动片搭载基板11的圆形部件，例如是切割带(也称为“晶片带”)。在构成通过工序S130形成的振子组1的第1～第n振子10中，经由电极111以及电极123分别对振动片12的电极121和电极122施加彼此反相的驱动电压，由此，振动片12进行厚度剪切振动。
另外，图7所示的振子10的结构只是一例，振子10也可以是例如SAW(SurfaceAcoustic Wave)振子、石英振子以外的压电振子或MEMS(Micro Electro MechanicalSystems)振子等。此外，作为振动片12的材料，除了石英外，还可以使用钽酸锂、铌酸锂等压电单晶或锆钛酸铅等压电陶瓷等压电材料或硅半导体材料等，作为振子1的激励手段，可以利用基于压电效应的方式，也可以使用基于库仑力的静电驱动。
[特性信息生成工序的步骤]
图8是示出图1的特性信息生成工序S20的步骤的一例的流程图。在图8中，也可以适当变更各工序的顺序。
在图8的示例中，首先，将通过振子组形成工序(图1的工序S10)形成的振子组1设定为规定的温度T1，针对第1～第n振子10分别测定在温度T1下的谐振频率f1(工序S200)。该温度T1例如是在振子10的频率温度特性中作为基准的温度(频率偏差为0的温度)，各温度下的谐振频率与温度T1下的谐振频率之差为各温度下的频率偏差。温度T1也可以是例如包含在25℃±5℃(20℃～30℃)的温度范围内的任何温度。例如，在温度T1下，针对第1～第n振子10分别测定等效电路常数，根据等效电路常数的测定值，计算谐振频率f1，从而测定谐振频率f1。图9示出振子10的等效电路。如图9所示，作为振子10的等效电路常数，可以举出等效串联电感L1、等效串联电容C1、等效串联电阻R1和并联电容C0。例如，在工序S200中，针对第1～第n振子10各自测定等效电路常数C0、C1、R1、L1，根据下式(1)计算谐振频率f1。
另外，例如，可以通过将网络分析仪或阻抗分析仪等测定装置与振子10的两个电极131(参照图7)连接来进行振子10的等效电路常数的测定。
接下来，将振子组1依次设定为温度T2～Tm(m≥2)，针对第1～第n振子10分别测定在温度T2～Tm下的谐振频率f2～fm(工序S210)。温度T2～Tm例如是与温度T1不同的温度，并且是包含在保证振子10的动作的温度范围内的互不相同的温度。工序S210中的测定温度的数量(m-1)越多，则越能够得到振子10的高精度的频率温度特性，但是由于测定时间增加，因此，根据振子10的用途适当选择m。例如，在工序S210中，也可与工序S200同样地针对第1～第n振子10分别测定在温度T2～Tm的各温度下的等效电路常数C0、C1、R1、L1，根据式(1)计算(测定)谐振频率f2～fm。
最后，根据工序S200和工序S210的测定结果，生成与第1～第n振子10对应的第1～第n特性信息(工序S220)。在本实施方式中，第1～第n特性信息包含工序S200中的测定结果、即温度T1下的第1～第n振子10各自的谐振频率f1的值。此外，第1～第n特性信息也可以包含这样的信息：该信息基于工序S200和工序S201中的测定结果、即根据多个不同的温度T1～Tm下的第1～第n振子10的谐振频率f1～fm的值而得到的第1～第n振子10的谐振频率的温度依赖性。第1～第n振子10的基于谐振频率温度依赖性的信息可以是例如在温度T1～Tm下的第1～第n振子10的谐振频率f1～fm的值，也可以是第1～第n振子10的温度补偿信息。
例如，各振子10的温度补偿信息也可以包含：利用以温度T为变量的p次的式(2)对该振子10的频率温度特性f(T)进行近似并根据温度T1～Tm下的谐振频率f1～fm的值计算出的式(2)的各系数α1～αp的值、或者用于使频率温度特性f(T)与温度T无关地接近谐振频率f1的校正式的系数值。
f(T)＝f1+α1·(T-T1)+α2·(T-T1)2+…+αp·(T-T1)p…(2)
此外，第1～第n特性信息也可以包含通过工序S200测定的温度T1下的第1～第n振子10各自的等效电路常数C0、C1、R1、L1的值。此外，例如，第1～第n特性信息也可以包含能够指定以负载电容CL为变量的负载时谐振频率fL的式(3)的信息。
此外，第1～第n特性信息也可以包含第1～第n振子10的Q值。通过下式(4)计算振子10的Q值。
另外，如果不需要第1～第n振子10的频率温度特性的信息，则也可省略工序S210。
[振子组的附属信息]
如上所述，利用振子组形成工序(图1的工序S10(图2的工序S100～S130))形成包含在X轴方向和Y轴方向上配置成矩阵状的第1～第n振子10的振子组1。因此，第1～第n振子10在振子组1内的位置由XY坐标唯一地确定。图10示出第1～第n振子10在振子组1内的位置(XY坐标)的一例。图10是从上表面(密封用基板13侧)俯视观察振子组1的图，由粗线包围的各部相当于第1～第n振子10。在图10的示例中，第1～第n振子10按照在优先X坐标的情况下X坐标和Y坐标从小到大的顺序，在X轴方向、Y轴方向上都排列配置成32列。即，第1振子10的XY坐标是(1，16)，第2振子10的XY坐标是(1，17)，第3振子10的XY坐标是(2，12)，...，第n-1振子10的XY坐标是(32，16)，第n振子10的XY坐标是(32，17)。
然后，通过特性信息生成工序(图1的工序S20(图8的工序S200～S220))生成的第1～第n特性信息与能够分别指定第1～第n振子10的位置(XY坐标)的第1～第n位置信息关联，成为振子组1的附属信息的一部分。
图11是示出附属于图10所示的振子组1的附属信息的一例的图。在图11的示例中，附属信息包含振子组1的识别信息、分别表示第1～第n振子10在振子组1内的位置的第1～第n位置信息、以及与第1～第n振子10对应的第1～第n特性信息。识别信息是用于将振子组1与另一个振子组1区分的信息，对每个振子组1分配不同的代码。在图11的示例中，分配了4位的代码“0001”作为识别信息。此外，在图11的示例中，对从1到n的整数k分配了4位的值作为第k位置信息，该4位的值的高位两位与第k振子10的X坐标一致，低位两位与第k振子10的Y坐标一致。例如，表示第1振子10的位置(XY坐标为(1，16))的第1位置信息的值是0116，表示第n振子10的位置(XY坐标为(32，17))的位置信息的值是3217。此外，第1～第n特性信息分别包含谐振频率f1～fm的值和等效电路常数C0、C1、R1、L1的值。
如图12所示，振子组1的附属信息例如由检查装置200生成，在图1的附属信息存储工序S30中，经由通信网络100(例如互联网或LAN(Local Area Network))发送给与通信网络100连接的服务器300，存储到设置于服务器300的存储装置301中。
此外，如图13所示，在图1的访问代码附加工序S40中，在保持振子组1的振子组保持部件20上设置用于访问存储在存储装置301中的附属信息的访问代码21。访问代码21例如是条形码、QR码(注册商标)等二维码、数字串、字符串等，可以在振子组保持部件20上打印访问代码21，也可以将打印有访问代码21的标签粘贴于振子组保持部件20。
在以上说明的第1实施方式的振子组制造方法中，制造出振子组1，并且生成附属信息，其中，所述振子组1被振子组保持部件20保持，第1～第n振子10配置成矩阵状，所述附属信息包含将分别表示第1～第n振子10在振子组1内的的位置的第1～第n位置信息、以及与第1～第n位置信息关联的第1～第n特性信息。此外，附属信息经由通信网络100存储到存储装置301中，可使用设置于振子组保持部件20上的访问代码21来访问该附属信息。因此，根据第1实施方式的振子组制造方法，无需在各振子10或其附近打印表示特性信息的代码，能够以较低成本制造振子组1。此外，当使用利用第1实施方式的振子组制造方法制造的振子组1中包含的振子10制造振荡器或振动型传感器等振动器件时，能够取得振子组1的附属信息，使用根据位置信息而选择的该振子10的特性信息高精度地调整振动器件。因此，根据第1实施方式的振子组制造方法，能够以较低成本实现可用于制造高精度的振动器件的振子组1。
此外，由于访问代码21的信息量比表示各振子10的特性信息的代码少，因此，能够在振子组保持部件20上减少为了设置访问代码21而所需的空间。因此，根据第1实施方式的振子组制造方法，即使振子组1配置成矩阵状，另外，即使振子10进一步小型化，也能够容易地在振子组保持部件20上确保设置访问代码21的空间，因此，能够以较低成本制造振子组1。
此外，根据第1实施方式的振子组制造方法，由于利用上述振子组形成工序S10形成振子组1，因此，容易进行各振子10的组装，此外，由于振子组1在单片化的状态下配置成矩阵状，因此，也无需重新排列各振子10，因此，能够以较低成本制造振子组1。
1-2.振荡器制造方法
接下来，以使用通过应用图1所示的制造方法而得到的振子组1的振荡器的制造方法为例，对第1实施方式的振荡器制造方法进行说明。图14是示出第1实施方式的振荡器制造方法的步骤的一例的流程图。例如，振子制造商将利用图1所示的制造方法制造的振子组1提供给振荡器制造商，振荡器制造商按照图14的步骤制造振荡器。如图14所示，在本实施方式中，首先，准备振子组1和第1～第n集成电路装置(IC芯片)，其中，所述振子组1包含配置成矩阵状的第1～第n(n≥2)的振子10(工序S50)。如上所述，振子组1例如是通过图1的振子组形成工序S10(图2的工序S100～S130)而得到的。此外，第1～第n集成电路装置分别具有使第1～第n振子10振荡的电路。
接下来，使用设置于振子组保持部件20上的访问代码，取得包含表示第1～第n振子10的位置的第1～第n位置信息以及基于所述第1～第n振子10的谐振频率的测定结果的第1～第n特性信息的振子组1的附属信息(工序S60)。如图15所示，振子组1的附属信息通过图1的附属信息存储工序S30而被存储到可经由通信网络100(例如互联网或LAN)访问的存储装置301、即设置于与通信网络100连接的服务器300的存储装置301中。然后，调整装置400使用由条形码读取装置等读取、或者从键盘等输入的访问代码，经由通信网络100取得存储在存储装置301中的振子组1的附属信息。
接下来，从振子组1中选择第k(k是从1到n的整数)振子10，将第k振子10和第k集成电路装置一体化(工序S70)。具体而言，通过连接第k集成电路装置的规定的两个端子(电极)和第k振子10的两个端子(两个电极131(参照图7))而一体化，从而构成振荡器。
最后，根据包含在通过工序S60取得的附属信息中的第k(k是从1到n的整数)位置信息(第k振子10的位置信息)选择第k特性信息(第k振子10的特性信息)，根据第k特性信息进行第k集成电路装置的输出信号的频率调整(工序S80)。例如，在图10和图11的示例中，XY坐标为(1，16)的第1振子10的位置信息的值是0116，调整装置400选择与位置信息的值0116关联的第1特性信息，对通过工序S70得到的、由第1振子10和第1集成电路装置一体化而成的振荡器的振荡频率进行调整。例如，调整装置400根据包含在第1特性信息中的温度T1下的第1振子10的谐振频率f1与目标频率之差以及等效电路常数(或可确定上述式(3)的信息)来调整内置或外置于第1集成电路的负载电容CL，使谐振频率f1接近目标频率。此外，调整装置400也可以根据包含在第1特性信息中的温度T2～Tm下的第1振子10的谐振频率f2～fm与温度T1下的谐振频率f1之差、或者根据上述式(2)的系数值，计算用于使振荡器的振荡频率在期望的温度范围内接近目标频率的校正式的系数值，通过对内置于第1集成电路的温度补偿电路设定该系数值来调整振荡频率。或者，调整装置400也可以通过对内置于第1集成电路的温度补偿电路设定第1特性信息中包含的校正式的系数值来调整振荡频率。
作为通过图14的步骤制造的振荡器，可以是不进行温度补偿或温度控制的简单的振荡器(SPXO(Simple Packaged Crystal Oscillator)等)，也可以是具有温度补偿功能的振荡器(TCXO(Temperature Compensated Crystal Oscillator)等)、具有温度控制功能的振荡器(OCXO(Oven Controlled Crystal Oscillator)等)、具有频率控制功能的振荡器(VCXO(Voltage Controlled Crystal Oscillator)等)等。
根据以上说明的第1实施方式的振荡器制造方法，可以将振子组1中包含的各振子10和各集成电路装置一体化，使用设置于振子组保持部件20上的访问代码21经由通信网络100取得存储在存储装置301中的附属信息，使用根据附属信息中包含的各振子10的位置信息而选择的特性信息，高精度地对振荡器进行频率调整。此外，根据第1实施方式的振荡器制造方法，由于从存储装置301取得包含配置成矩阵状的构成振子组1的各振子10的位置信息和特性信息的附属信息，因此，无需使用在各振子或其附近打印有表示特性信息的代码的更昂贵的振子组。因此，根据第1实施方式的振荡器制造方法，能够以较低成本实现高精度的振荡器。
2.第2实施方式
以下，关于第2实施方式，对与第1实施方式相同的结构标记相同的标号，省略或简化与第1实施方式相同的说明，主要说明与第1实施方式不同的内容。
图16是示出第2实施方式的振子组制造方法的步骤的一例的流程图。例如，振子制造商按照图16的步骤制造振子组1。如图16所示，在第2实施方式中，首先执行与第1实施方式相同的振子组形成工序S10和特性信息生成工序S20。例如，也可以按照图2的流程图所示的步骤(工序S100～S130)进行振子组形成工序S10。此外，例如，也可以按照图8的流程图所示的步骤(工序S200～S220)进行特性信息生成工序S20。
接下来，进行如下工序(附属信息存储工序)S32：将附属信息(附属于振子组1的信息)存储到存储装置22(参照后述的图17)中，该附属信息包含通过振子组形成工序S10得到的振子组1的识别信息、表示第1～第n振子10的位置(在振子组内的位置)的第1～第n位置信息、以及通过特性信息生成工序S20得到的第1～第n特性信息(基于第1～第n振子10的谐振频率的测定结果的第1～第n特性信息)。在本实施方式中，存储装置22是小型存储器芯片。并且，振子组1的附属信息例如由检查装置200生成，从检查装置200转发到存储装置22(存储器芯片)，存储在存储装置22中。另外，振子组1的附属信息与第1实施方式相同，因此，省略其说明。
最后，执行通过附属信息存储工序S32存储了附属信息的存储装置22搭载于振子组保持部件20上的工序(存储装置搭载工序)S42。图17示出利用存储装置搭载工序S42搭载了存储装置22的振子组保持部件20所保持的振子组1的一例。例如，存储装置22也可以通过粘接材料粘接于振子组保持部件20，也可以利用标签或带粘帖于振子组保持部件20。
在以上说明的第2实施方式的振子组制造方法中，制造出振子组1，并且生成附属信息，其中，所述振子组1被振子组保持部件20保持，第1～第n振子10配置成矩阵状，所述附属信息包含将分别表示第1～第n振子10在振子组1内的位置的第1～第n位置信息、以及与第1～第n位置信息关联的第1～第n特性信息。此外，附属信息存储在存储装置22中，存储装置22搭载于振子组保持部件20。因此，根据第2实施方式的振子组制造方法，无需在各振子10或其附近打印表示特性信息的代码，能够以较低成本制造振子组1。此外，当使用通过第2实施方式的振子组制造方法制造的振子组1中包含的振子10制造振荡器或振动型传感器等振动器件时，可以从存储装置22取得振子组1的附属信息，使用根据位置信息选择的该振子10的特性信息高精度地调整振动器件。因此，根据第2实施方式的振子组制造方法，能够以较低成本实现可用于制造高精度的振动器件的振子组1。
图18是示出第2实施方式的振荡器制造方法的步骤的一例的流程图。例如，振子制造商将利用图16所示的制造方法制造的振子组1提供给振荡器制造商，振荡器制造商按照图18的步骤制造振荡器。如图18所示，在第2实施方式中，首先执行与第1实施方式相同的工序S50。
接下来，从搭载于振子组保持部件20的存储装置22取得包含表示第1～第n振子10的位置的第1～第n位置信息以及基于所述第1～第n振子10的谐振频率的测定结果的第1～第n特性信息的振子组1的附属信息(工序S62)。振子组1的附属信息存储在搭载于振子组保持部件20的存储装置22中，调整装置400取得存储在存储装置22中的振子组1的附属信息。
接下来，执行与第1实施方式相同的工序S70，最后，执行与第1实施方式相同的工序S80。
根据以上说明的第2实施方式的振荡器制造方法，可以将振子组1中包含的各振子10和各集成电路装置一体化，从搭载于振子组保持部件20上的存储装置22取得附属信息，使用根据附属信息中包含的各振子10的位置信息而选择的特性信息，高精度地对振荡器进行频率调整。此外，根据第2实施方式的振荡器制造方法，由于从存储装置301取得包含配置成矩阵状的构成振子组1的各振子10的位置信息和特性信息的附属信息，因此，无需使用在各振子或其附近打印有表示特性信息的代码的更昂贵的振子组。因此，根据第2实施方式的振荡器制造方法，能够以较低成本实现高精度的振荡器。
3.变形例
例如，在上述各实施方式中，振子组保持部件20是切割带(晶片带)，但也可以是托盘。即，也可以在托盘上将构成振子组1的单片化的第1～第n振子10配置成矩阵状，在该托盘上设置访问代码21、或者在该托盘上设置存储装置22。
此外，在上述各实施方式中，振子组1的附属信息也可以包含第1～第n振子10的谐振频率f2～fm的代表值或温度补偿信息的代表值(上述式(2)的系数值或校正式的系数值)的代表值和偏差补偿值(偏差相对于代表值的上限值和下限值)的信息，作为基于第1～第n振子10的谐振频率的温度依赖性的信息。作为代表值，适当选择中央值、平均值等。此外，振子组1的附属信息也可以包含第1～第n振子10的等效电路常数的代表值和偏差补偿值(偏差相对于代表值的上限值和下限值)的信息。这样，可以减少附属信息的数据量。
此外，在上述第2实施方式中，也可以是，存储装置22(存储器芯片)未搭载于振子组保持部件20，例如，振子制造商将振子组1和存储装置22作为组合而提供给振荡器制造商。
此外，在上述各实施方式中，也可以在各振子10上标注表示在振子组1内的位置的代码，以使得即使在各振子10的位置变化的情况下，也能够正确地选择各振子10的特性信息。由于表示在振子组1内的位置的代码可以通过两位左右的字符或符号实现，因此，即使振子10小型化，有时也能标注代码。另外，为了减少对振子10的安装的影响，优选的是，在振子10的未设置电极131的一侧的面上标注该代码。
本发明不限于本实施方式，可以在本发明的主旨的范围内进行各种变形实施。
上述的实施方式和变形例是一例，并不限于此。例如，也可以将各实施方式和各变形例适当组合。
本发明包含与在实施方式中说明的结构实质上相同的结构(例如，功能、方法以及结果相同的结构、或目的以及效果相同的结构)。此外，本发明包含将在实施方式中说明的结构的非本质性部分进行替换而得到的结构。此外，本发明包含能够起到与在实施方式中说明的结构相同的作用效果的结构或能够实现相同目的的结构。此外，本发明包含对在实施方式中说明的结构中附加公知技术后的结构。

Claims (9)

1.一种振子组制造方法，其中，
针对包含配置成矩阵状的第1～第n振子的振子组测定所述第1～第n振子的谐振频率，
将所述振子组的附属信息存储到存储装置中，该附属信息包含对所述振子组附加的识别信息、表示所述第1～第n振子的位置的第1～第n位置信息、以及基于所述第1～第n振子的谐振频率的测定结果的第1～第n特性信息，
其中，n是2以上的整数。
2.根据权利要求1所述的振子组制造方法，其中，
能够经由通信网络访问存储在所述存储装置中的所述附属信息，
将用于访问所述附属信息的访问代码设置于保持所述振子组的振子组保持部件。
3.根据权利要求1所述的振子组制造方法，其中，
将所述存储装置搭载于保持所述振子组的振子组保持部件。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的振子组制造方法，其中，
所述第1～第n特性信息包含规定温度下的所述第1～第n振子的谐振频率的各测定结果。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的振子组制造方法，其中，
在多个不同温度下测定所述第1～第n振子的谐振频率，
所述第1～第n特性信息包含基于所述第1～第n振子的谐振频率的温度依赖性的信息。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的振子组制造方法，其中，
准备振动片搭载基板、第1～第n振动片和密封用基板，
在所述振动片搭载基板上呈矩阵状地搭载所述第1～第n振动片，
将所述密封用基板与搭载有所述第1～第n振动片的所述振动片搭载基板接合，
将接合有所述密封用基板的所述振动片搭载基板切断，形成包含分别具有所述第1～第n振动片的所述第1～第n振子的所述振子组。
7.一种振荡器制造方法，其中，
准备包含配置成矩阵状的第1～第n振子的振子组以及第1～第n集成电路装置，
取得振子组的附属信息，该附属信息包含表示所述第1～第n振子的位置的第1～第n位置信息、以及基于所述第1～第n振子的谐振频率的测定结果的第1～第n特性信息，
从所述振子组中选择第k振子，将所述第k振子和第k集成电路装置一体化，
根据第k位置信息选择第k特性信息，根据所述第k特性信息进行所述第k集成电路装置的输出信号的频率调整，
其中，k是从1到n的整数。
8.根据权利要求7所述的振荡器制造方法，其中，
所述附属信息存储在能够经由通信网络访问的存储装置中，
使用设置于保持所述振子组的振子组保持部件的访问代码，取得存储在所述存储装置中的所述附属信息。
9.根据权利要求7所述的振荡器制造方法，其中，
所述附属信息存储在搭载于保持所述振子组的振子组保持部件上的存储装置中。
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