CN208316684U - 温度补偿型振荡器及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供温度补偿型振荡器及电子设备。提供还能够用于在苛刻的温度环境下也要求较高的频率稳定性的电子设备以及移动体的振荡器。温度补偿型振荡器包含振动片、振荡用电路以及温度补偿型电路，设观测时间为τ，0.1s＜τ≤1s的MTIE值为1.3ns以下，1s＜τ≤10s的MTIE值为1.3ns以下，10s＜τ≤100s的MTIE值为1.8ns以下，100s＜τ≤1000s的MTIE值为2.9ns以下，0.1s＜τ≤10s的TDEV值为47ps以下，10s＜τ≤100s的TDEV值为65ps以下，100s＜τ≤1000s的TDEV值为94ps以下。

Description

温度补偿型振荡器及电子设备
技术领域
本实用新型涉及温度补偿型振荡器及电子设备。
背景技术
温度补偿型石英振荡器(TCXO：Temperature Compensated Crystal Oscillator)具有石英振子和用于使该石英振子振荡的集成电路(IC：Integrated Circuit)，该IC在规定的温度范围内对石英振子的振荡频率与期望频率(标称频率)的偏差(频率偏差)进行温度补偿，由此获得较高的频率精度。例如，在专利文献1中公开了这样的温度补偿型石英振荡器(TCXO)。
由于温度补偿型石英振荡器的频率稳定性较高，因此，被用于期望高性能、高可靠性的通信设备等。
专利文献1：日本特开2014-53663号公报
从振荡器输出的频率信号(振荡信号)中存在相位波动。将该频率信号的相位波动中的、以低于10Hz的频率变动的波动称作漂移。在ITU-T建议书G.813中规定了温度恒定的状态下的漂移性能。
然而，在实际使用时，难以使振荡器在温度保持恒定的环境下动作。例如，即使振荡器以ITU-T建议书G.813为基准，当被用于汽车导航装置或车辆用仪表类时、或被组装在由于风扇等的动作而引起温度急剧变化的装置中时，在苛刻的温度环境下，可能无法发挥足够的性能。
实用新型内容
本实用新型的几个方式的目的之一在于提供还能够用于在苛刻的温度环境下也要求较高频率稳定性的电子设备以及移动体的温度补偿型振荡器。此外，本实用新型的几个方式的目的之一在于提供包含温度补偿型振荡器的电子设备。
本实用新型是为了解决所述课题中的至少一部分而完成的，作为以下的方式或应用例来实现。
[应用例1]
本应用例的温度补偿型振荡器包含振动片、振荡用电路以及温度补偿型电路，设：从测定开始到经过时间60分钟为止固定在25℃、从经过时间60分钟起到120分钟为止以1℃/min的升温速度从25℃上升至85℃、从经过时间120分钟起到125分钟为止固定在85℃、从经过时间125分钟起到185分钟为止以1℃/min的降温速度从85℃下降至25℃、从经过时间185分钟起到190分钟为止固定在25℃、从经过时间190分钟起到255分钟为止以1℃/min的降温速度从25℃下降至-40℃、从经过时间255分钟起到260分钟为止固定在-40℃、从经过时间260分钟起到325分钟为止以1℃/min的升温速度从-40℃上升至25℃、从经过时间325分钟起到385分钟为止固定在25℃，在这样的情况下，设观测时间为τ，0.1s＜τ≤1s的MTIE值为1.3ns以下，1s＜τ≤10s的MTIE值为1.3ns以下，10s＜τ≤100s的MTIE值为1.8ns以下，100s＜τ≤1000s的MTIE值为2.9ns以下，0.1s＜τ≤10s的TDEV值为47ps以下，10s＜τ≤100s的TDEV值为65ps以下，100s＜τ≤1000s的TDEV值为94ps以下。
也可以由振动片和振荡用电路构成例如皮尔斯振荡电路、反相器型振荡电路、科尔皮兹振荡电路、哈特利振荡电路等各种振荡电路。
本应用例的温度补偿型振荡器在温度发生变化的环境下也具有优异的漂移性能。因此，本应用例的振荡器还能够用于在苛刻的温度环境下也要求较高的频率稳定性的电子设备以及移动体。
[应用例2]
在所述应用例的温度补偿型振荡器中，也可以是，包含：第1容器，其收纳所述振动片；和第2容器，其收纳所述第1容器、所述振荡用电路以及所述温度补偿电路，所述第1容器具有第1盖和配置有所述振动片的第1基座，所述第1盖与所述第2容器接合。
在本应用例的温度补偿型振荡器中，由于第1容器的第1盖与第2容器接合，因此能够在第1容器的第1基座的外底面上配置具备振荡用电路和温度补偿电路的电子部件。因此，能够缩小振动片与电子部件之间的温差。因此，在本应用例的振荡器中，能够减小由温度补偿电路进行的温度补偿的误差，能够具有较高的频率稳定性。
[应用例3]
在所述应用例的温度补偿型振荡器中，也可以是，所述温度补偿电路根据温度传感器的输出信号对所述振动片的频率温度特性进行补偿，所述第1基座具有配置有所述振动片的第1面和与所述第1面相反的一侧的第2面，所述第2面上配置有具备所述振荡用电路、所述温度补偿电路以及所述温度传感器的电子部件。
在本应用例的温度补偿型振荡器中，能够缩小振动片与电子部件之间的温差。
[应用例4]
在所述应用例的温度补偿型振荡器中，也可以是，在所述第2面上设有与所述振动片电连接的端子。
在本应用例的振荡器中，能够缩短振荡用电路与振动片之间的布线长度，从而能够降低噪声的影响。
[应用例5]
在所述应用例的温度补偿型振荡器中，也可以是，所述第2容器具有第2基座和第2盖，所述振动片位于所述第1盖与所述第2盖之间。
在本应用例的温度补偿型振荡器中，能够使第1容器的第1盖和第2容器的第2盖作为用于隔断来自外部的噪声的屏蔽件发挥功能，从而能够降低噪声对振动片的影响。
[应用例6]
在所述应用例的温度补偿型振荡器中，也可以是，所述第2容器内的空间为真空。
在本应用例的振荡器中，由于第2容器内的空间为真空，因此能够降低第2容器外的温度变动对电子部件和振动片产生的影响。
[应用例7]
本应用例的电子设备具备所述任意一个振荡器和冷却用风扇。
在本应用例的电子设备中，由于具备在温度发生变化的环境下也具有优异的漂移性能的振荡器，因此，即使在由于冷却用风扇的动作而将风吹向振荡器的情况下，也能够实现高性能且可靠性较高的电子设备。
附图说明
图1是示意性地示出本实施方式的振荡器的立体图。
图2是示意性地示出本实施方式的振荡器的剖视图。
图3是示意性地示出本实施方式的振荡器的俯视图。
图4是示意性地示出本实施方式的振荡器的仰视图。
图5是示意性地示出本实施方式的振荡器的封装的基座的俯视图。
图6是本实施方式的振荡器的功能框图。
图7是示出本实施方式的振荡器的制造方法的过程的一例的流程图。
图8是示出用于评估漂移性能的测定系统的图。
图9是示意性地示出比较样本的结构的剖视图。
图10是示出腔室内的温度分布的曲线图。
图11是示出本实施方式的振荡器的漂移性能的评估结果的曲线图。
图12是示出本实施方式的振荡器的漂移性能的评估结果的曲线图。
图13是示意性地示出第1变形例的振荡器的封装的基座的俯视图。
图14是示意性地示出第3变形例的振荡器的剖视图。
图15是示出本实施方式的电子设备的结构的一例的功能框图。
图16是示出本实施方式的电子设备的外观的一例的图。
图17是示出本实施方式的移动体的一例的图。
标号说明
1：振荡器；2：集成电路(IC)；3：振动片；3a：激励电极；3b：激励电极；4：封装；4a：基座；4b：盖；6：外部端子；7：接合线；8：封装；8a：基座；8b：盖；9：连接部件；10：振荡用电路；11a：电极焊盘；11b：电极焊盘；12：连接部件；13a：电极焊盘；13b：电极焊盘；14a：引线；14b：引线；15a：第1面；15b：第2面；20：输出电路；30：频率调整电路；32：AFC电路；40：温度补偿电路；41-1：1次电压生成电路；41-n：n次电压生成电路；42：加法电路；50：温度传感器；60：调节器电路；70：存储部；72：非易失性存储器；74：寄存器；80：串行接口电路；100：测定系统；102：电源；104：腔室；106：基准信号发生器；108：函数发生器；110：间隔计数器；112：PC；300：电子设备；310：振荡器；313：振动片；320：CPU；330：操作部；340：ROM；350：RAM；360：通信部；370：显示部；380：冷却用风扇；390：壳体；400：移动体；410：振荡器；420：控制器；430：控制器；440：控制器；450：电池；460：备用电池。
具体实施方式
以下，使用附图对本实用新型的优选实施方式进行详细说明。另外，以下进行说明的实施方式并不不合理地限定权利要求中所述的本实用新型的内容。此外，以下所说明的全部结构不一定是本实用新型的必要技术特征。
1.振荡器
1.1.振荡器的结构
图1～图4是示意性地示出本实施方式的振荡器1的结构的一例的图。图1是振荡器1的立体图。图2是图1的II-II线的剖视图。图3是振荡器1的俯视图。图4是振荡器1的仰视图。其中，在图3中，为了方便，省略了盖8b的图示。
如图1～图4所示，振荡器1构成为包含作为电子部件的集成电路(IC：IntegratedCircuit)2、振动片3、作为第1容器的封装4以及作为第2容器的封装8。
集成电路(IC)2收纳在封装8中。如后所述，集成电路(IC)2构成为包含振荡用电路10、温度补偿电路40以及温度传感器50(参照图6)。
作为振动片3，例如，能够使用石英振动元件、SAW(Surface Acoustic Wave：表面声波)谐振片、其他压电振动片、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微电子机械系统)振动片等。作为振动片3的基板材料，可使用石英、钽酸锂、铌酸锂等压电单晶体、锆钛酸铅等压电陶瓷等压电材料或硅半导体材料等。作为振动片3的激励手段，既可以使用基于压电效应的手段，也可以使用基于库仑力的静电驱动。
振动片3在其正面侧以及反面侧(处于正反关系的两个面)分别具有金属的激励电极3a以及激励电极3b，以与包含激励电极3a以及激励电极3b的振动片3的质量对应的期望的频率(振荡器1所要求的频率)进行振荡。
封装4包含作为第1基座的基座4a以及对基座4a进行密封的第1盖的盖4b。封装4收纳振动片3。具体而言，在基座4a设置有凹部，通过由盖4b覆盖凹部来收纳振动片3。振动片3配置在基座4a的第1面15a上。封装4的收纳振动片3的空间例如是氮气等惰性气体的环境。
基座4a的材质没有特别限定，可使用氧化铝等各种陶瓷。盖4b的材质没有特别限定，例如为镍、钴、铁合金(例如可伐合金)等金属。并且，盖4b可以是通过这些金属对板状部件进行涂层而得的部件。
在基座4a与盖4b之间可以具有密封用的金属体。该金属体可以是例如接缝密封用的由钴合金构成的所谓的接缝环、或在构成基座4a的陶瓷材料上直接配置金属膜的结构。
图5是示意性地示出封装4的基座4a的俯视图。
如图5所示，在基座4a的第1面(基座4a的凹部的底面、位于基座4a的封装4的内侧的面)15a上设有电极焊盘11a、11b、电极焊盘13a、13b以及引线14a、14b。另外，基座4a包括配置有电极焊盘11a、11b的板状的基座主体和包围第1面15a的框体。
电极焊盘11a、11b分别与振动片3的两个激励电极3a、3b电连接。振动片3通过导电性粘接材料等连接部件12与电极焊盘11a、11b接合(粘接)。
电极焊盘13a、13b分别与封装4的两个外部端子5a、5b(参照图2)电连接。电极焊盘13a和电极焊盘13b配置在基座4a的第1面15a的对角。
引线14a将电极焊盘11a和电极焊盘13a电连接。引线14b将电极焊盘11b和电极焊盘13b电连接。
如图2所示，封装4与封装8接合(粘接)。具体而言，封装4的盖4b与封装8的基座8a接合。即，盖4b位于基座8a的凹部的底面侧，基座4a位于盖8b侧。因此，在图2所示的示例中，以封装8的盖8b的一侧作为上侧，基座8a的一侧作为下侧，盖4b位于下侧，基座4a位于上侧。盖4b和基座8a通过导电性粘接剂或绝缘性粘接剂等连接部件9接合(粘接)起来。另外，盖4b和基座8a的接合方法没有特别限定。
另外，盖4b的与连接部件9接触的面的至少一部分也可以处于粗糙状态(粗糙面)。该情况下，与连接部件9的接合状态得到改善，耐冲击性提高。粗糙面例如是通过激光加工而具有凹凸的状态，例如与未进行那样的加工的收纳空间侧的面相比，较粗糙。此外，也可以使盖4b翘曲成向振动片3侧突出。由此，能够增大盖4b与基座8a之间的间隙，能够减少盖4b与基座8a之间的热交换能力。
在本实施方式中，如上所述，由于封装4的盖4b与封装8的基座8a接合，因此，如图2所示，振动片3位于盖4b与盖8b之间。在俯视观察时(从上表面观察振荡器1时、从基座8a的底面的垂线方向观察时)，振动片3位于盖4b与盖8b重叠的区域。
在基座4a的第2面15b上设有与振动片3电连接的外部端子5a、5b。封装4的两个外部端子5a、5b分别与集成电路(IC)2的两个端子(后述的图6的XO端子和XI端子)电连接。
集成电路(IC)2配置在封装4的基座4a上。具体而言，集成电路(IC)2配置在基座4a的第2面(与第1面15a相反一侧的面、基座4a的外底面)15b上。即，在基座4a的第2面15b上配置有振荡用电路10、温度补偿电路40以及温度传感器50(参照图6)。集成电路(IC)2可以利用粘接剂、银膏等接合(粘接)于基座4a，也可以利用金属凸块等接合于基座4a。
如图3所示，在俯视观察时，集成电路(IC)2与封装4重叠，并且集成电路(IC)2直接设置于基座4a。这样，通过将集成电路(IC)2接合于基座4a，能够使集成电路(IC)2和振动片3接近地配置。由此，将在集成电路(IC)2中产生的热在短时间内传导至振动片3，因此，能够缩小集成电路(IC)2与振动片3之间的温差。
例如，集成电路(IC)2的与未图示的粘接部件接触的面的至少一部分也可以是粗糙的状态(粗糙面)，该粘接部件用于与封装4接合。该情况下，与连接部件的接合状态得到改善，耐冲击性、热交换性提高。另外，作为粗糙面，例如处于具有通过磨削加工而形成的条纹状等的凹凸的状态。此外，基座4a的第2面15b也可以翘曲成凹入状态。如果由于这样的翘曲引起的凹陷位于与集成电路(IC)2重叠的位置，则在凹陷中容易积聚粘接部件。由此，能够在集成电路(IC)2与基座4a之间配置足够量的粘接部件，因此，使得双方间的粘接得到改善，集成电路(IC)2和基座4a、即集成电路(IC)2和振动片3之间的热交换性得到改善。
封装8包含作为第2基座的基座8a和密封基座8a的作为第2盖的盖8b。封装8将收纳有振动片3的封装4和集成电路(IC)2收纳在同一空间内。即，封装8收纳有封装4、振荡用电路10、温度补偿电路40以及温度传感器50(参照图6)。具体而言，基座8a上设有凹部，通过用盖8b覆盖凹部来收纳集成电路(IC)2和封装4。封装8的收纳集成电路(IC)2和封装4的空间例如为氮气等惰性气体环境。
在封装8的内表面与封装4之间设有空间。在图示的示例中，基座8a的内壁面(内侧面)和封装4不接触，在它们之间设有空间(间隙)。此外，基座8b和封装4不接触，在它们之间设有空间(间隙)。
在封装8的内表面与集成电路(IC)2之间设有空间。在图示的示例中，基座8a的内壁面和集成电路(IC)2不接触，在它们之间设有空间(间隙)。此外，基座8b和集成电路(IC)2不接触，在它们之间设有空间(间隙)。
基座8a的材质没有特别限定，可以使用氧化铝等各种陶瓷。盖8b的材质例如是金属。盖8b的材质例如可以与盖4b的材质相同，也可以不同。本实施方式的盖8b为板状，与具有凹陷的盖形状相比，盖8b的面积较小。因此，容易接受来自封装侧面方向的风，因此，能够降低因外部气体引起的温度变动。另外，在陶瓷制的基座8a和盖8b的接合中使用密封体。密封体例如是含有钴合金、金等材质的金属密封体或玻璃、树脂等非金属密封体。
在振荡器1中，作为封装8的盖8b与集成电路(IC)2之间的最短距离的距离D1大于作为集成电路(IC)2与振动片3之间的最短距离的距离D2。在图示的示例中，距离D1是盖8b的下表面与集成电路(IC)2的上表面之间的距离，距离D2是集成电路(IC)2的下表面与振动片3的上表面之间的距离。这样，通过使集成电路(IC)2比盖8b更接近振动片3，能够缩小集成电路(IC)2与振动片3之间的温差。
在基座8a的内部或凹部的表面上设有与各外部端子6电连接的未图示的布线，各布线和集成电路(IC)2的各端子通过金等的接合线7接合。
如图4所示，在基座8a的背面设有作为电源端子的外部端子VDD1、作为接地端子的外部端子VSS1、作为输入频率控制用信号的端子的外部端子VC1以及作为输出端子的外部端子OUT1这4个外部端子6。外部端子VDD1被提供电源电压，外部端子VSS1接地。
图6是振荡器1的功能框图。如图6所示，振荡器1是包含振动片3和用于使振动片3振荡的集成电路(IC)2的振荡器。
集成电路(IC)2设有作为电源端子的VDD端子、作为接地端子的VSS端子、作为输入/输出端子的OUT端子、作为输入控制频率的信号的端子的VC端子、作为与振动元件3之间的连接端子的XI端子和XO端子。VDD端子、VSS端子、OUT端子和VC端子在集成电路(IC)2的表面露出，分别与设置在封装8内的外部端子VDD1、VSS1、OUT1、VC1连接。此外，XI端子与振动片3的一端(一个端子)连接，XO端子与振动片3的另一端(另一个端子)连接。
在本实施方式中，集成电路(IC)2构成为包含振荡用电路10、输出电路20、频率调整电路30、AFC(Automatic Frequency Control)电路32、温度补偿电路40、温度传感器50、调节器电路60、存储部70以及串行接口(I/F)电路80。另外，集成电路(IC)2也可以构成为通过省略或变更这些要素的一部分、或追加其它要素而成的结构。
调节器电路60根据从VDD端子提供的电源电压VDD(正电压)，生成作为振荡用电路10、频率调整电路30、AFC电路32、温度补偿电路40、输出电路20中的一部分或全部的电源电压或基准电压的恒定电压。
存储部70具有非易失性存储器72和寄存器74，构成为能够经由串行接口电路80从外部端子进行对非易失性存储器72或寄存器74的读取和写入(以下，读取/写入)。在本实施方式中，由于与振荡器1的外部端子连接的集成电路(IC)2的端子只有VDD、VSS、OUT、VC这四个，因此，例如在VDD端子的电压高于阈值时，串行接口电路80受理从VC端子输入的时钟信号和从OUT端子输入的数据信号，并对非易失性存储器72或寄存器74进行数据的读取/写入。
非易失性存储器72是用于存储各种控制数据的存储部，例如可以是EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)、闪存等可改写的各种非易失性存储器，也可以是一次可编程只读存储器(One Time Programmable Read OnlyMemory)这样的不可改写的各种非易失性存储器。
非易失性存储器72中存储有用于控制频率调整电路30的频率调整数据以及用于控制温度补偿电路40的温度补偿数据(1次补偿数据、...、n次补偿数据)。此外，非易失性存储器72中还存储有用于分别控制输出电路20和AFC电路32的数据(未图示)。
频率调整数据是用于调整振荡器1的频率的数据，当振荡器1的频率偏离期望的频率时，通过改写频率调整数据，能够将振荡器1的频率微调为接近期望的频率。
温度补偿数据(1次补偿数据、...、n次补偿数据)是在振荡器1的温度补偿调整工序中计算出的、振荡器1的频率温度特性的校正用数据，例如，也可以是与振动片3的频率温度特性的各次数成分对应的1次～n次的系数值。这里，作为温度补偿数据的最大次数n，选择能够抵消振动片3的频率温度特性进而还能够校正集成电路(IC)2的温度特性的影响的值。例如，n也可以是大于振动片3的频率温度特性的主要次数的整数值。例如，如果振动片3是AT切石英振动片，则频率温度特性呈现三次曲线，其主要次数为3，因此，也可以选择大于3的整数值(例如5或6)作为n。另外，温度补偿数据可以包含1次～n次的全部次数的补偿数据，也可以仅包含1次～n次中的一部分次数的补偿数据。
当集成电路(IC)2接通电源时(当VDD端子的电压从0V上升到期望的电压时)，存储在非易失性存储器72中的各数据从非易失性存储器72传输到寄存器74，保存在寄存器74中。然后，保存在寄存器74中的频率调整数据被输入到频率调整电路30，温度补偿电路40输入保存在寄存器74中的温度补偿数据(1次补偿数据、...、n次补偿数据)，保存在寄存器74中的各控制用数据还被输入到输出电路20和AFC电路32。
当非易失性存储器72不能改写时，在检查振荡器1时，从外部端子经由串行接口电路80直接将各数据写入保存从非易失性存储器72传输的各数据的寄存器74的各位，将振荡器1调整成满足期望的特性，调整后的各数据最终写入非易失性存储器72中。此外，当非易失性存储器72可改写时，在检查振荡器1时，也可以从外部端子经由串行接口电路80将各数据写入非易失性存储器72中。但是，由于写入非易失性存储器72通常花费时间，因此，在检查振荡器1时，为了缩短检查时间，也可以从外部端子经由串行接口电路80将各数据直接写入寄存器74的各位，再将调整后的各数据最终写入非易失性存储器72。
振荡用电路10放大振动片3的输出信号并反馈给振动片3，由此使振动片3振荡，输出基于振动片3的振荡的振荡信号。例如，也可以根据保存在寄存器74中的控制数据来控制振荡用电路10的振荡级电流。
频率调整电路30产生与保持在寄存器74中的频率调整数据对应的电压，将其施加到作为振荡用电路10的负载电容发挥功能的可变电容元件(未图示)的一端。由此，进行控制(微调)，使得在规定的温度(例如25℃)且VC端子的电压为规定的电压(例如VDD/2)的条件下，振荡用电路10的振荡频率(基准频率)成为大致期望的频率。
AFC电路32产生与VC端子的电压对应的电压，将其施加到作为振荡用电路10的负载电容发挥功能的可变电容元件(未图示)的一端。由此，根据VC端子的电压值控制振荡用电路10的振荡频率(振动片3的振荡频率)。例如，也可以根据保存在寄存器74中的控制数据来控制AFC电路32的增益。
温度传感器50检测温度。温度传感器50是输出与其周围温度对应的信号(例如与温度对应的电压)的感温元件。温度传感器50可以是温度越高则输出电压越高的正极性温度传感器，也可以是温度越高则输出电压越低的负极性温度传感器。另外，作为温度传感器50，期望是这样的温度传感器：在能够保证振荡器1的动作的期望的温度范围内，输出电压相对于温度变化尽可能地呈线性变化。
温度补偿电路40根据温度传感器50的输出信号补偿振动片3的频率温度特性。温度补偿电路40输入来自温度传感器50的输出信号，生成用于补偿振动片3的频率温度特性的电压(温度补偿电压)，将其施加到作为振荡用电路10的负载电容发挥功能的可变电容元件(未图示)的一端。由此，将振荡用电路10的振荡频率控制成与温度无关地大致恒定。在本实施方式中，温度补偿电路40构成为包含一次电压生成电路41-1～n次电压生成电路41-n和加法电路42。
1次电压生成电路41-1～n次电压生成电路41-n分别输入来自温度传感器50的输出信号，根据保存在寄存器74中的1次补偿数据～n次补偿数据，生成用于补偿频率温度特性的1次成分至n次成分的1次补偿电压～n次补偿电压。
加法电路42将由1次电压生成电路41-1～n次电压生成电路41-n分别生成的1次补偿电压～n次补偿电压相加并输出。该加法电路42的输出电压成为温度补偿电路40的输出电压(温度补偿电压)。
输出电路20输入由振荡用电路10输出的振荡信号，生成外部输出用的振荡信号，经由OUT端子将其输出至外部。例如，也可以根据保存在寄存器74中的控制数据来控制输出电路20中的振荡信号的分频比和输出电平。振荡器1的输出频率范围例如在10MHz以上且在800MHz以下。
这样构成的振荡器1作为如下这样的压控型温度补偿型振荡器发挥功能：在期望的温度范围内，与温度无关地输出与外部端子VC1的电压对应的恒定频率的振荡信号。特别是，在振动片3是石英振动片的情况下，振荡器1作为VC-TCXO(Voltage ControlledTemperature Compensated Crystal Oscillator)发挥功能。
1.2.振荡器的制造方法
图7是示出本实施方式的振荡器1的制造方法的过程的一例的流程图。也可以省略或变更图7的工序S10～S70中的一部分，或者也可以附加其它工序。此外，也可以在可能的范围内适当变更各工序的顺序。
在图7的示例中，首先，在基座8a上搭载集成电路(IC)2和作为收纳振动片3的封装4的振动片收纳封装(S10)。利用工序S10，将集成电路(IC)2和封装4的外部端子5a、5b连接起来，当向集成电路(IC)2供电时，集成电路(IC)2和振动片3成为电连接的状态。
接下来，利用盖8b密封基座8a，进行热处理，以将盖8b与基座8a接合(S20)。利用该工序S20完成振荡器1的组装。
接下来，调整振荡器1的基准频率(基准温度T0(例如25℃)下的频率)(S30)。在该工序S30中，在基准温度T0下，使振荡器1振荡而测定频率，确定频率调整数据使得频率偏差接近零。
接下来，调整振荡器1的VC灵敏度(电压控制)(S40)。VC灵敏度是振荡频率变化与控制电压变化的比率。在该工序S40中，在基准温度T0下，使振荡器1在对外部端子VC1施加规定的电压(例如，0V或VDD)的状态下振荡而测定频率，确定AFC电路32的调整数据以得到期望的VC灵敏度。
接下来，进行振荡器1的温度补偿调整(S50)。在该温度补偿调整工序S50中，在期望的温度范围内，在多个温度下测定振荡器1的频率，根据测定结果，生成用于校正振荡器1的频率温度特性的温度补偿数据(1次补偿数据、...、n次补偿数据)。作为期望的温度范围，例如在-40℃以上且在85℃以下的温度范围内。具体而言，温度补偿数据的计算程序使用多个温度下的频率的测定结果，利用以温度(温度传感器50的输出电压)作为变量的n次公式对振荡器1的频率温度特性(包含振动片3的频率温度特性和集成电路(IC)2的温度特性)进行近似，生成与近似式对应的温度补偿数据(1次补偿数据、...、n次补偿数据)。例如，温度补偿数据的计算程序生成基准温度T0下的频率偏差为0并且减小期望的温度范围内的频率偏差幅度的温度补偿数据(1次补偿数据、...、n次补偿数据)。
接下来，将在工序S30、S40和S50中得到的各数据存储在存储部70的非易失性存储器72中(S60)。
最后，测定振荡器1的频率温度特性，判定好坏(S70)。在该工序S70中，在使温度逐渐变化的同时测定振荡器1的频率，并评估在期望的温度范围(例如，-40℃以上且在85℃以下)内频率偏差是否处于规定范围内，如果频率偏差处于规定范围内，则判定为良品，如果不在规定范围内，则判定为不良品。
1.3.振荡器的漂移性能
(1)关于漂移
漂移是指，从振荡器输出的频率信号(振荡信号)的相位波动中的以低于10Hz的频率变动的波动。作为表示漂移性能的代表性的评估量，有MTIE(Maximum time intervalerror，最大时间间隔误差)和TDEV(Time DEViation，时刻偏差)。
MTIE是指，相对于基准时钟的相位变动量的观测结果被分割为某个观测时间τ间隔时的观测时间τ内的相位变动量的峰峰(peak to peak)的最大值。即，观测时间τ内的相对于基准时钟的相位变动量的峰峰(peak to peak)的最大值为观测时间τ的MTIE值。
TDEV是指与相对于基准时钟的相位变动量的有效值对应的统计量。设观测时间τ(其中，τ＝nτ0(n＝0，1，2，...))、数据信号相对于基准定时的时间误差x(t)的采样序列为x(iτ0)(i＝1，2，3，...)时，由下式表示TDEV。
其中，括号符号<>表示平均值，符号Σ表示i＝1～n的总和，n是1～N/3的整数，N是总采样数。
(2)测定系统
图8是示出用于评估振荡器1的漂移性能的(用于测定MTIE值和TDEV值的)测定系统100的图。
如图8所示，测定系统100包含振荡器1、电源102、腔室104、基准信号发生器106、函数发生器108、间隔计数器110和PC(个人计算机)112。
本评估中所使用的振荡器1的结构如在上述“1.1.振荡器的结构”(参照图1～图4)中所述。另外，封装4的收纳振动片3的空间、以及封装8的收纳集成电路(IC)2和封装4的空间为氮气环境。此外，振动片3是石英振动片。从电源102对振荡器1提供电源电压Vcc＝3.3V。设振荡器1的输出频率(标称频率)为19.2MHz。振荡器1是CMOS输出形式，电容负载为15pF。
振荡器1收纳在能够进行温度控制的腔室104内。利用PC112控制腔室104内的温度。
在测定系统100中，基准信号(基准时钟)是由函数发生器108根据由基准信号发生器106输出的10MHz的频率信号生成与振荡器1的输出频率相同的19.2MHz的频率信号而得到的。
被测定信号(振荡器1的频率信号)和基准信号被输入间隔计数器110中。在间隔计数器110中，测定被测定信号相对于基准信号的的相位变动量，根据其测定结果，在PC112中计算MTIE值和TDEV值。
另外，作为比较例，准备了现有的温度补偿型石英振荡器(比较样本C1)，对比较样本C1也同样地进行了漂移性能的评估。
图9是示意性地示出比较样本C1的结构的剖视图。
在比较样本C1中，如图9所示，基座8a具有分别在两个主面上设置凹部而形成的H型结构。在比较样本C1中，在设置于基座8a的一个主面的凹部中收纳振动片3，在设置于另一个主面的凹部中收纳集成电路(IC)2。另外，比较样本C1的其它结构与振荡器1相同。
(3)漂移性能的评估方法
使用图8所示的测定系统100对使腔室104内的温度变动时的振荡器1的漂移性能进行了评估。
下述表1是示出腔室104的温度分布的表。图10是示出腔室104内的温度分布的曲线图。另外，图10所示的曲线图的横轴是时间(分钟)，纵轴是腔室104内的温度。
这里，在测定系统100中，通过利用下述表1和图10所示的温度分布使腔室104内的温度变动来进行振荡器1的MTIE值和TDEV值的测定。
[表1]
时间[分钟] 温度[℃]
0→60 25℃
60→120 25℃→85℃(1℃/min)
120→125 85℃
125→185 85℃→25℃(1℃/min)
185→190 25℃
190→255 25℃→-40℃(1℃/min)
255→260 -40℃
260→325 -40℃→25℃(1℃/min)
325→385 25℃
如表1和图10所示，从测定开始(经过时间0分钟)到经过时间60分钟为止，使腔室104的温度恒定在25℃。从经过时间60分钟起到120分钟为止，使腔室104的温度以1℃/min的升温速度从25℃上升至85℃。从经过时间120分钟起到125分钟为止，使腔室104内的温度恒定在85℃。从经过时间125分钟起到185分钟为止，使腔室104内的温度以1℃/min的降温速度从85℃下降至25℃。从经过时间185分钟起到190分钟为止，使腔室104内的温度恒定在25℃。从经过时间190分钟起到255分钟为止，使腔室104内的温度以1℃/min的降温速度从25℃下降至-40℃。从经过时间255分钟起到260分钟为止，使腔室104内的温度恒定在-40℃。从经过时间260分钟起到325分钟为止，使腔室104的温度以1℃/min的升温速度从-40℃上升至25℃。从经过时间325分钟起到385分钟为止，使腔室104内的温度恒定在25℃。通过测定表1和图10的经过时间0分钟～385分钟内的、观测时间τ内的相对于基准时钟的相位变动量的峰峰的最大值而求出振荡器1的MTIE值。通过根据式1测定表1和图10的经过时间0分钟～385分钟内的、与相对于基准时钟的相位变动量的有效值对应的统计量而求出振荡器1的TDEV值。
另外，对于比较样本C1也进行了相同的测定。
(4)漂移性能的评估结果
图11和图12是示出利用表1和图10所示的温度分布使温度变动时的、振荡器1和比较样本C1的漂移性能的评估结果的曲线图。图11是示出测定MTIE值得到的结果的曲线图，图12是示出测定TDEV值得到的结果的曲线图。另外，图11所示的曲线图的横轴是观测时间τ(秒)，纵轴是MTIE值(10-9秒)。图12所示的曲线图的横轴是观测时间τ(秒)，纵轴是TDEV值(10-12秒)。
下述表2是示出τ＝0.1s(秒)、τ＝1s、τ＝10s、τ＝100s、τ＝1000s时的、振荡器1和比较样本C1的MTIE值的表。此外，下述表3是示出τ＝0.1s(秒)、τ＝1s、τ＝10s、τ＝100s、τ＝1000s时的、振荡器1和比较样本C1的TDEV值的表。
[表2]
τ[s] 振荡器1的MTIE值[ns] 比较样本C1的MTIE值[ns]
0.1 1.2 3.0
1 1.3 3.0
10 1.3 3.0
100 1.8 4.0
1000 2.9 6.0
[表3]
τ[s] 振荡器1的TDEV值[ps] 比较样本C1的TDEV值[ps]
0.1 42 45
1 47 150
10 33.4 90
100 65 120
1000 94 750
如表2和图11所示，在振荡器1中，当利用表1和图10所示的温度分布使温度变动时，0.1s＜τ≤1s的MTIE值为1.3ns以下，1s＜τ≤10s的MTIE值为1.3ns以下，10s＜τ≤100s的MTIE值为1.8ns以下，100s＜τ≤1000s的MTIE值为2.9ns以下。此外，如表3和图12所示，在振荡器1中，当利用表1和图10所示的温度分布使温度变动时，0.1s＜τ≤10s的TDEV值为47ps以下，10s＜τ≤100s的TDEV值为65ps以下，100s＜τ≤1000s的TDEV值为94ps以下。满足这样的MTIE值和TDEV值的条件的振荡器1与比较样本C1相比，具有优异的漂移性能。除了这样的MTIE值和TDEV值的条件外，通过设0s＜τ≤0.1s的MTIE值为1.2ns以下并且0s＜τ≤0.1s的TDEV值为42ps以下，能够进一步提高漂移性能。
本实施方式的振荡器1例如具有以下的特征。
当振荡器1如下这样设定表1和图10所示的温度分布时，即，设从测定开始到经过时间60分钟为止恒定在25℃，从经过时间60分钟起到120分钟为止以1℃/min的升温速度从25℃上升至85℃，从经过时间120分钟起到125分钟为止恒定在85℃，从经过时间125分钟起到185分钟为止，以1℃/min的降温速度从85℃下降至25℃，从经过时间185分钟起到190分钟为止恒定在25℃，从经过时间190分钟起到255分钟为止，以1℃/min的降温速度从25℃下降至-40℃，从经过时间255分钟起到260分钟为止恒定在-40℃，从经过时间260分钟起到325分钟为止，以1℃/min的升温速度从-40℃上升至25℃，从经过时间325分钟起到385分钟为止恒定在25℃时，0.1s＜τ≤1s的MTIE值为1.3ns以下，1s＜τ≤10s的MTIE值为1.3ns以下，10s＜τ≤100s的MTIE值为1.8ns以下，100s＜τ≤1000s的MTIE值为2.9ns以下。此外，当振荡器1利用表1和图10所示的温度分布使温度变动时，0.1s＜τ≤10s的TDEV值为47ps以下，10s＜τ≤100s的TDEV值为65ps以下，100s＜τ≤1000s的TDEV值为94ps以下。
这里，在ITU-T建议书G.813中规定了使温度恒定时的漂移性能。在振荡器1中，利用表1和图10所示的温度分布使温度变动时的漂移性能满足使ITU-T建议书G.813中所规定的温度恒定时的漂移性能。这样，在振荡器1中，即使在温度变动的环境下，也具有优异的漂移性能。因此，振荡器1还能够用于在苛刻的温度环境下也要求较高的频率稳定性的电子设备以及移动体。
此外，振荡器1与现有的温度补偿型石英振荡器(比较样本C1)相比，即使在苛刻的温度环境下，也具有优异的漂移性能，因此，例如，如后所述，通过将振荡器1用于通信设备等，从而即使在苛刻的温度环境下，也能够实现具有优异的通信性能的通信设备。此外，例如还能够将振荡器1应用于使用恒温槽型石英振荡器(OCXO)的、要求较高的频率稳定性的电子设备以及移动体。其结果是，能够实现电子设备以及移动体的小型化、省电化。
在振荡器1中，封装4的盖4b与封装8(基座8a)接合。因此，在振荡器1中，能够将集成电路(IC)2配置在基座4a的第2面15b上，如上所述，能够缩小集成电路(IC)2与振动片3之间的温差、即温度传感器50与振动片3之间的温差。其结果是，在振荡器1中，由温度补偿电路40进行的温度补偿的误差减小，能够实现上述优异的漂移性能。
在振荡器1中，封装4具有第1面15a和与第1面15a相反的一侧的第2面15b，振动片3配置在第1面15a上，具有振荡用电路10、温度补偿电路40以及温度传感器50的集成电路(IC)2配置在第2面15b上。因此，能够缩小集成电路(IC)2与振动片3之间的温差。
在振荡器1中，振动片3位于封装4的盖4b与封装8的盖8b之间。因此，在振荡器1中，例如通过将盖4b和盖8b的材质设为金属，能够使盖4b和盖8b作为用于隔断来自外部的电磁噪声的屏蔽件发挥功能。因此，能够降低噪声对振动片3的影响。
在振荡器1中，集成电路(IC)2和外部端子5a、5b配置在基座4a的第2面15b上。因此，在振荡器1中，能够使外部端子5a、5b与封装8的基座8a(凹部的底面)分离，能够降低来自外部的噪声的影响。此外，在振荡器1中，外部端子5a、5b设置在基座4a的第2面15b上，由此，能够缩短振动片3与集成电路(IC)2之间的布线长度，能够降低噪声的影响。例如，在振动片3和集成电路(IC)2经由设置于封装8的基座8a的内部或凹部的表面的布线进行电连接时，布线长度变长，从而容易受到噪声的影响。
1.4.振荡器的变形例
接下来，对本实施方式的振荡器的变形例进行说明。
(1)第1变形例
图13是示意性地示出第1变形例的振荡器的封装4的基座4a的俯视图。图13与图5对应。
在第1变形例的振荡器中，如图13所示，设置在基座4a上的电极焊盘11a、11b、电极焊盘13a、13b以及引线14a、14b的配置与上述的图5所示的配置不同。以下，对该不同之处进行说明，对相同之处省略说明。
如图13所示，在俯视观察时，当绘制穿过基座4a的中心而平分基部4a的假想直线L时，电极焊盘13a和电极焊盘13b相对于假想直线L位于设置有电极焊盘11a和电极焊盘11b的一侧。因此，与图5所示的配置相比，能够缩小引线14a的长度和引线14b的长度之差。在图示的示例中，引线14a的长度和引线14b的长度相等。
在第1变形例的振荡器中，在俯视观察时，当绘制穿过基座4a的中心而平分基部4a的假想直线L时，电极焊盘13a和电极焊盘13b相对于假想直线L位于设置有电极焊盘11a和11b的一侧。因此，能够缩小引线14a的长度和引线14b的长度之差。由此，能够缩小来自封装4外的热经由电极焊盘13a、引线14a、电极焊盘11a传递至振动片3的路径的路径长度与经由电极焊盘13b、引线14b、电极焊盘11b传递至振动片3的路径的路径长度之差。
其结果是，例如，与上述的图5所示的振荡器1的示例相比，能够降低振动片3的温度不均，能够进一步缩小集成电路(IC)2与振动片3之间的温差。因此，根据第1变形例，能够实现具有比上述的图11和图12所示的振荡器1的漂移性能更优异的漂移性能的振荡器。
(2)第2变形例
在上述实施方式中，封装4的收纳振动片3的空间、以及封装8的收纳集成电路(IC)2和封装4的空间是氮气环境，但是，这些空间也可以是氦气环境。由于氦气比氮气的热传导率高，因此，能够进一步缩小集成电路(IC)2(温度传感器50)与振动片3之间的温差。其结果是，根据本变形例，能够实现具有比上述的图11和图12所示的振荡器1的漂移性能更优异的漂移性能的振荡器。
或者，也可以是，封装4的收纳振动片3的空间是氮气或氦气等惰性气体环境，封装8的收纳集成电路(IC)2和封装4的空间是真空。这里所说的“真空”是指空间内的压力低于大气压力的状态。由此，能够在缩小集成电路(IC)2与振动片3之间的温差的同时，降低封装8外的温度变动对集成电路(IC)2和振动片3产生的影响。其结果是，根据本变形例，能够实现具有比上述的图11和图12所示的振荡器1的漂移性能更优异的漂移性能的振荡器。
(3)第3变形例
图14是示意性地示出第3变形例的振荡器1的剖视图。图14与图2对应。
在第3变形例的振荡器中，如图14所示，与上述的图2所示的振荡器的不同之处在于，设置在基部4a的第2面15b上的外部端子5a、5b和集成电路(IC)2的端子由接合线7连接起来。以下，对该不同之处进行说明，对相同之处省略说明。
如图14所示，即使在外部端子5a、5b和集成电路(IC)2的端子由接合线7连接起来的情况下，也与上述的图2所示的示例同样地，能够缩短振动片3与集成电路(IC)2之间的布线长度。
另外，在图2所示的示例中，集成电路(IC)2的各端子和设置在基座8a上的布线(与各外部端子6电连接的布线)通过接合线7直接接合。与此相对，在图14所示的示例中，集成电路(IC)2的各端子和设置在基座8a上的布线经由设置在基座4a的第2面15b上的未图示的布线连接。具体而言，在基座4a的第2面15b上设有与集成电路(IC)2的各端子连接的布线，该布线通过接合线7与设置在基座8a上的布线连接。
根据本变形例，能够起到与上述的图2所示的振荡器1相同的作用效果。
2.电子设备
图15是示出本实施方式的电子设备的结构的一例的功能框图。此外，图16是示出作为本实施方式的电子设备的一例的个人计算机的外观的一例的图。
本实施方式的电子设备300构成为包含振荡器310、CPU(Central ProcessingUnit)320、操作部330、ROM(Read Only Memory)340、RAM(Random Access Memory)350、通信部360、显示部370以及冷却用风扇380。另外，本实施方式的电子设备也可以构成为省略或变更图15的构成要素(各部)的一部分或附加其它构成要素。
振荡器310具备集成电路(IC)312和振动片313。集成电路(IC)312使振动片313振荡而产生振荡信号。该振荡信号从振荡器310的外部端子输出至CPU320。
CPU320依照存储于ROM340等中的程序，将从振荡器310输入的振荡信号作为时钟信号，进行各种计算处理以及控制处理。具体而言，CPU320进行与来自操作部330的操作信号对应的各种处理、控制通信部360以与外部装置之间进行数据通信的处理、发送用于使显示部370显示各种信息的显示信号的处理等。
操作部330是由操作键及按钮开关等构成的输入装置，用于将与用户的操作对应的操作信号输出至CPU320。
ROM340存储有用于使CPU320进行各种计算处理及控制处理的程序、数据等。
RAM350被用作CPU320的工作区域，临时存储从ROM340读出的程序或数据、从操作部330输入的数据、CPU320依照各种程序执行的运算结果等。
通信部360进行用于建立CPU320与外部装置之间的数据通信的各种控制。
显示部370是由LCD(Liquid Crystal Display)等构成的显示装置，根据从CPU320输入的显示信号而显示各种信息。也可以在显示部370中设置作为操作部330发挥功能的触摸面板。
冷却用风扇380安装在收纳有振荡器310、CPU320、ROM340、RAM350和通信部360的壳体390上。冷却用风扇380用于对壳体390内进行冷却。冷却用风扇380例如是取入壳体390外的空气(外部空气)而输送至壳体390内的风扇。另外，在图示的示例中，壳体390具备一个冷却用风扇380，但是，壳体390也可以具备多个冷却用风扇380。
通过将上述振荡器1用作振荡器310，即使在苛刻的温度环境下，也能够实现具备具有优异的漂移性能的振荡器的电子设备。特别是，电子设备具备冷却用风扇380，即使在由于冷却用风扇380的动作而使得风吹向振荡器310的情况下，通过将具有优异的漂移性能的振荡器1用作振荡器310，也能够实现高性能且可靠性较高的电子设备。
作为这样的电子设备300，可以考虑各种电子设备，例如可以举出个人计算机(例如，移动型个人计算机、膝上型个人计算机、平板型个人计算机)、智能手机及便携电话机等移动终端、数字照相机、喷墨式排出装置(例如喷墨打印机)、路由器及交换器等存储区域网络设备、局域网设备、移动终端基站用设备、电视机、摄像机、录像机、汽车导航装置、实时时钟装置、寻呼机、电子记事本(还包含带通信功能)、电子词典、计算器、电子游戏设备、游戏用控制器、文字处理器、工作站、电视电话、防盗用视频监视器、电子双筒望远镜、POS(PointOf Sale，销售点)终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图测量装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测定设备、计量仪器类(例如车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器、头戴显示器、运动轨迹仪、运动跟踪仪、运动控制器、PDR(Personal Digital Assistant，步行者位置方位测量)等。
作为本实施方式的电子设备300的一例，使用上述振荡器310作为基准信号源或电压可变型振荡器(VCO)等，例如可以举出作为通过有线或无线与终端进行通信的终端基站用装置等发挥功能的传输装置。通过将振荡器1用作振荡器310，能够实现可用于例如通信基站等的、能够期望高性能、高可靠性的电子设备。
此外，作为本实施方式的电子设备300的另一例，还可以举出如下通信装置，该通信装置包含频率控制部，该频率控制部中，通信部360接收外部时钟信号，CPU320(处理部)根据该外部时钟信号和振荡器310的输出信号(内部时钟信号)来控制振荡器310的频率。该通信装置例如可以是用于层(stratum)3等的基干网络设备或毫微微小区中的通信设备。
3.移动体
图17是示出本实施方式的移动体的一例的图(俯视图)。图17所示的移动体400构成为包含进行振荡器410、发动机系统、制动系统、无钥进入系统等的各种控制的控制器420、430、440、电池450以及备用电池460。另外，本实施方式的移动体也可以构成为省略图17的构成要素(各部)的一部分，或附加其它构成要素。
振荡器410具备未图示的集成电路(IC)和振动片，集成电路(IC)通过使振动片振荡而产生振荡信号。该振荡信号从振荡器410的外部端子被输出至控制器420、430、440，例如被用作时钟信号。
电池450用于对振荡器410和控制器420、430、440供给电力。当电池450的输出电压低于阈值时，备用电池460对振荡器410和控制器420、430、440供给电力。
通过将上述振荡器1用作振荡器410，即使在苛刻的温度环境下，也能够实现具备具有优异的漂移性能的振荡器的移动体。
作为这样的移动体400，可以考虑各种移动体，例如可以举出汽车(还包含电动车)、喷气式飞机及直升机等飞机、船舶、火箭、人造卫星等。
上述的实施方式和变形例是一例，并不限于此。例如，也可以将各实施方式和各变形例适当组合。
本实用新型包含与在实施方式中进行了说明的结构实质上相同的结构(例如，功能、方法以及结果相同的结构、或目的以及效果相同的结构)。此外，本实用新型包含将在实施方式中说明的结构的非本质性部分进行替换而得到的结构。此外，本实用新型包含能够起到与在实施方式中说明的结构相同的作用效果的结构或能够实现相同的目的的结构。此外，本实用新型包含在实施方式中说明的结构中附加了公知技术的结构。

Claims (7)

1.一种温度补偿型振荡器，其包含振动片、振荡用电路以及温度补偿电路，其特征在于，
设：从测定开始到经过时间60分钟为止固定在25℃、从经过时间60分钟起到120分钟为止以1℃/min的升温速度从25℃上升至85℃、从经过时间120分钟起到125分钟为止固定在85℃、从经过时间125分钟起到185分钟为止以1℃/min的降温速度从85℃下降至25℃、从经过时间185分钟起到190分钟为止固定在25℃、从经过时间190分钟起到255分钟为止以1℃/min的降温速度从25℃下降至-40℃、从经过时间255分钟起到260分钟为止固定在-40℃、从经过时间260分钟起到325分钟为止以1℃/min的升温速度从-40℃上升至25℃、从经过时间325分钟起到385分钟为止固定在25℃，在这样的情况下，
设观测时间为τ，
0.1s＜τ≤1s的MTIE值为1.3ns以下，
1s＜τ≤10s的MTIE值为1.3ns以下，
10s＜τ≤100s的MTIE值为1.8ns以下，
100s＜τ≤1000s的MTIE值为2.9ns以下，
0.1s＜τ≤10s的TDEV值为47ps以下，
10s＜τ≤100s的TDEV值为65ps以下，
100s＜τ≤1000s的TDEV值为94ps以下。
2.根据权利要求1所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，
所述温度补偿型振荡器包含：
第1容器，其收纳所述振动片；和
第2容器，其收纳所述第1容器、所述振荡用电路以及所述温度补偿电路，
所述第1容器具有第1盖和配置有所述振动片的第1基座，
所述第1盖与所述第2容器接合。
3.根据权利要求2所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，
所述温度补偿电路根据温度传感器的输出信号对所述振动片的频率温度特性进行补偿，
所述第1基座具有配置有所述振动片的第1面和与所述第1面相反的一侧的第2面，
所述第2面上配置有具备所述振荡用电路、所述温度补偿电路以及所述温度传感器的电子部件。
4.根据权利要求3所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，
在所述第2面上设有与所述振动片电连接的端子。
5.根据权利要求2～4中的任一项所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，
所述第2容器具有第2基座和第2盖，
所述振动片位于所述第1盖与所述第2盖之间。
6.根据权利要求2～4中的任一项所述的温度补偿型振荡器，其特征在于，
所述第2容器内的空间为真空。
7.一种电子设备，其特征在于，其具备：
权利要求1至6中的任一项所述的温度补偿型振荡器；和
冷却用风扇。
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