CN110022132B - 振动器件及其制造方法、电路装置、电子设备和移动体 - Google Patents

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Abstract

本发明提供振动器件及其制造方法、电路装置、电子设备和移动体,能够实现振子的稳定支承和振子的振动特性的提高。振动器件包含:振子,其具有第1和第2电极;以及电路装置,其具有驱动电路和输出电路,该驱动电路对振子进行驱动,该输出电路输出与被驱动电路驱动时的振子的振动特性对应的监测信号。电路装置包含:第1端子,其与第1电极电连接,输出从驱动电路到振子的输出信号;第2端子,其与第2电极电连接,被输入从振子到驱动电路的输入信号;第3端子,其不与振子的第1电极和第2电极电连接;以及监测端子,其输出监测信号。振子利用设置于第1、第2和第3端子的导电性凸块而被支承在电路装置的有源面侧。

Description

振动器件及其制造方法、电路装置、电子设备和移动体
技术领域
本发明涉及振动器件、电路装置、振动器件的制造方法、电子设备以及移动体等。
背景技术
作为使用了振子的振动器件的现有技术,具有专利文献1、2所公开的技术。专利文献1是作为振动器件之一的振荡器的现有技术,公开了振子的频率调整方法。在该频率调整方法中,通过从离子枪向振子照射离子束而将振子的一部分去除,使振子的质量减少。此时使用设置在振子与离子枪之间的遮光器对质量的去除量进行调整,从而调整振子的振荡频率。专利文献2是作为振动器件之一的陀螺仪传感器(物理量测量装置)的现有技术,公开了振子的检测失谐(detection detuning)的调整方法。在该调整方法中,根据使振动模式的谐振频率发生变化时的泄漏振动信号的变化来测量检测失谐。然后,根据该测量值,对驱动模式下的振动的谐振频率和该检测模式下的振动的谐振频率中的至少一方进行调整,从而调整振子的检测失谐。
专利文献1:日本特开2013-74360号公报
专利文献2:日本特开2004-286476号公报
通过使用这样的调整方法,实现了振子的振动特性的提高。但是,振子的振动特性会根据温度变化等环境变化而发生变动,或者随着被称为老化的时间变化而发生变动。例如,在专利文献1和2的振动器件中,为了将振子固定于振动器件的封装体,有时使用粘接剂。在该情况下,当对粘接剂施加热时,振子的振动特性因排气等原因而随时间发生变化。并且,在现有技术的方法中,在对振子单体进行了振动特性的调整之后,将振子和电路装置安装在封装体中而作为产品来出厂。但是,振动器件在产品状态下通过电路装置的驱动电路来进行驱动,从而使振子进行振动。因此,仅通过对振子单体的振动特性的调整,无法实现振动特性的适当调整。
发明内容
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的,能够作为以下方式或形式来实现。
本发明的一个方式涉及振动器件,该振动器件包含:振子,其具有第1电极和第2电极;以及电路装置,其具有驱动电路和输出电路,该驱动电路对所述振子进行驱动,该输出电路输出与被所述驱动电路驱动时的所述振子的振动特性对应的监测信号,所述电路装置包含:第1端子,其与所述第1电极电连接,输出从所述驱动电路到所述振子的输出信号;第2端子,其与所述第2电极电连接,被输入从所述振子到所述驱动电路的输入信号;第3端子,其不与所述第1电极和所述第2电极电连接;以及监测端子,其输出所述监测信号,所述振子利用设置于所述第1端子、所述第2端子和所述第3端子的导电性凸块而被支承在所述电路装置的有源面侧。
根据本发明的一个方式,在电路装置上设置有与振子的第1和第2电极电连接的第1和第2端子,电路装置的驱动电路能够经由该第1和第2端子对振子进行驱动。并且,在电路装置上还设置有不与振子的第1和第2电极电连接的第3端子。并且,振子利用设置于该第1、第2和第3端子的导电性凸块而被支承在电路装置的有源面侧。这样的话,能够一边处于通过电路装置的驱动电路对振子进行驱动的状态,一边采用电路装置的第1、第2和第3端子的导电性凸块对振子进行稳定地支承。因此,在振子等的支承中无需使用粘接剂等,或者能够减少所使用的粘接剂,因此能够抑制粘接剂等原因的环境变动,通过抑制环境变动,实现了振子的振动特性的提高。此外,由于电路装置包含:输出电路,其输出与被驱动电路驱动时的振子的振动特性对应的监测信号;以及监测端子,其输出监测信号,在振子被电路装置支承的状态下,一边通过驱动电路对振子进行驱动,一边对来自监测端子的信号进行监测,从而能够实现振动特性的适当的调整。因此,能够实现振子的稳定支承和振子的振动特性的提高。
并且,本发明的一个方式中,也可以是,在俯视观察所述电路装置的所述有源面时由所述有源面的中央线划分出的第1区域和第2区域中,在所述第1区域内设置有所述第1端子和所述第2端子,在所述第2区域内设置有所述第3端子。
这样的话,能够通过设置于第1区域的第1和第2端子的导电性凸块和设置于第2区域的第3端子的导电性凸块对振子进行稳定地支承。
并且,本发明的一个方式中,也可以是,所述驱动电路设置在与所述第3端子相比更靠近所述第1端子和所述第2端子的位置。
这样的话,能够采用配置在靠近驱动电路的位置的第1和第2端子对振子进行驱动,能够减少寄生电容或寄生电阻的影响。
并且,本发明的一个方式中,也可以是,该振动器件包含中继基板,该中继基板设置于所述振子与所述电路装置之间,具有将所述电路装置的所述第1端子与所述振子的所述第1电极电连接的布线和将所述电路装置的所述第2端子与所述振子的所述第2电极电连接的布线,所述中继基板被所述电路装置的所述第1端子、所述第2端子和所述第3端子的所述导电性凸块支承,所述振子隔着所述中继基板被支承在所述电路装置的所述有源面侧。
这样的话,通过使中继基板介于振子与电路装置之间,因电路装置或封装体的热挠曲等而导致的变形不容易传递到振子,能够抑制振子的振动特性降低。
并且,本发明的一个方式中,也可以是,所述电路装置包含第4端子,该第4端子不与所述振子的所述第1电极和所述第2电极电连接,所述振子利用设置于所述第1端子、所述第2端子、所述第3端子和所述第4端子的导电性凸块而被支承在所述电路装置的所述有源面侧。
这样的话,能够对振子进行四点支承等,能够对振子进行更稳定地支承。
并且,本发明的一个方式中,也可以是,在俯视观察所述电路装置的所述有源面时,所述监测端子设置在不与所述振子重叠的位置。
这样的话,在经由第1和第2端子并通过驱动电路对振子进行驱动的状态下,能够将振子的振动特性的监测信号经由监测端子输出到外部。并且,由于在俯视观察电路装置时,监测端子设置在不与振子重叠的位置,所以能够与探针直接抵接。因此,能够对振子的振动特性进行适当调整,实现了振动特性的提高。
并且,本发明的一个方式中,也可以是,所述电路装置包含振荡电路,该振荡电路具有所述驱动电路,通过所述驱动电路对所述振子进行驱动而使所述振子振荡,所述输出电路根据来自所述振荡电路的信号输出所述监测信号。
这样的话,能够采用基于来自振荡电路的信号的监测信号对例如振子的振荡频率等振动特性进行监测。
并且,本发明的一个方式中,也可以是,所述电路装置包含检测电路,该检测电路根据来自被所述驱动电路驱动的所述振子的检测信号,检测与所述检测信号对应的物理量信息,所述输出电路根据来自所述检测电路的信号输出所述监测信号。
这样的话,能够使用基于来自检测电路的信号的监测信号对例如由检测电路检测的物理量信息相关的振子的振动特性进行监测。
并且,本发明的一个方式中,也可以是,所述监测信号是表示对所述振子进行加工来调整所述振动特性时的随调整而变化的所述振动特性的信号。
这样的话,通过对振子进行加工来进行振动特性的调整,当振子的振动特性发生变化时,能够采用监测信号对随调整而变化的振动特性进行监测,能够对振动特性进行适当调整。
并且,本发明的一个方式中,也可以是,所述监测端子的面积比所述第1端子、所述第2端子和所述第3端子各自的面积大。
通过以这种方式增大监测端子的面积,容易使探针与监测端子抵接,实现了振动特性的调整作业效率的提高。
并且,本发明的一个方式中,也可以是在俯视观察所述有源面时,所述电路装置为矩形,
所述监测端子配置在所述电路装置的4个角部区域中的1个角部区域。
通过以这种方式在角部区域设置监测端子,例如在利用与端子抵接的探针对电路装置进行支承的情况下,能够利用探针对电路装置进行稳定地支承。
并且,本发明的一个方式中,也可以是,所述电路装置包含:第1电源端子,其在监测所述振动特性时被供给高电位侧电源;以及第2电源端子,其在监测所述振动特性时被供给低电位侧电源,所述第1电源端子和所述第2电源端子配置在所述4个角部区域中的除所述1个角部区域以外的角部区域。
通过设置这样的第1和第2电源端子,能够向电路装置供给电源而进行动作。并且,通过在电路装置的角部区域设置监测端子、第1和第2电源端子,能够利用探针等对电路装置进行更稳定地支承。
并且,本发明的一个方式中,也可以是,所述电路装置具有与振动器件的外部端子电连接的信号端子,在俯视观察所述电路装置的所述有源面时,所述信号端子设置在不与所述振子重叠的位置。
这样的话,能够容易地实现信号端子与振动器件的外部端子的电连接。
并且,本发明的一个方式中,也可以是,所述信号端子的剖视观察时的高度比所述监测端子的所述剖视观察时的高度高。
通过以这种方式使信号端子的剖视观察时的高度变高,能够将信号端子与内部端子等稳定地连接。
并且,本发明的一个方式中,也可以是,所述电路装置相对于振动器件的封装体进行面朝下安装。
这样的话,能够将振子和电路装置高效且紧凑地安装于封装体。
并且,本发明的其他方式涉及电路装置,该电路装置包含:驱动电路,其对具有第1电极和第2电极的振子进行驱动;第1端子,其与所述第1电极电连接,输出从所述驱动电路到所述振子的输出信号;第2端子,其与所述第2电极电连接,被输入从所述振子到所述驱动电路的输入信号;以及第3端子,其不与所述振子的所述第1电极和第2电极电连接,在所述第1端子、所述第2端子和所述第3端子处设置有将所述振子支承在电路装置的有源面侧的导电性凸块。
根据本发明的其他方式,能够一边处于通过电路装置的驱动电路对振子进行驱动的状态,一边采用电路装置的第1、第2和第3端子的导电性凸块对振子稳定地进行支承,实现了振子的振动特性的提高等。
并且,本发明的其他方式涉及振动器件的制造方法,包含如下的工序:制造工序,制造出如下的电路装置:该电路装置具有驱动电路、第1端子、第2端子以及第3端子,其中,该驱动电路对具有第1电极和第2电极的振子进行驱动,该第1端子输出从所述驱动电路到所述振子的输出信号,该第2端子被输入从所述振子到所述驱动电路的输入信号;以及安装工序,以如下的方式对所述振子和所述电路装置进行配置:所述第1端子与所述第1电极电连接,所述第2端子与所述第2电极电连接,并且利用设置于所述第1端子、所述第2端子和所述第3端子的导电性凸块将所述振子支承在所述电路装置的有源面侧。
根据本发明的其他方式,能够制造出如下的振动器件:能够一边处于通过电路装置的驱动电路对振子进行驱动的状态,一边采用电路装置的第1、第2和第3端子的导电性凸块对振子进行稳定地支承。
并且,本发明的其他方式涉及包含上述振动器件的电子设备。
并且,本发明的其他方式涉及包含上述振动器件的移动体。
附图说明
图1是示出本实施方式的振动器件的结构例的俯视图。
图2是示出本实施方式的振动器件的结构例的剖视图。
图3是驱动电路的结构例。
图4是电路装置的结构例。
图5是电路装置的结构例。
图6是详细例的振动器件的说明图。
图7是详细例的振动器件的俯视图。
图8是详细例的振动器件的振动特性的调整方法的说明图。
图9是详细例的振动器件的剖视图。
图10是详细例的振动器件的剖视图。
图11是比较例的振动特性的调整方法的说明图。
图12是比较例的振动特性的调整方法的说明图。
图13是监测端子与信号端子之间的高度关系的说明图。
图14是电路装置的布局配置例。
图15是中继基板、振子的详细例的立体图。
图16是在振子的振动特性的调整中使用的工具的说明图。
图17是对比较例的振动器件的制造方法进行说明的流程图。
图18是对本实施方式的振动器件的制造方法进行说明的流程图。
图19是作为物理量测量装置的振动器件的结构例。
图20是作为物理量测量装置的振动器件的结构例。
图21是作为物理量测量装置的振动器件的动作说明图。
图22是电子设备的结构例。
图23是移动体的结构例。
标号说明
T1、T2、T3、T4:端子(第1、第2、第3、第4端子);AF:有源面;AR1、AR2:区域(第1、第2区域);B1、B2、B3、B4、BS1、BS2、BT1、BT2:导电性凸块;TM:监测端子;TS1、TS2、TSC、TSD:信号端子;TV、TG:电源端子;TI1、TI2:内部端子;TE1、TE2:外部端子;TC:控制端子;PV、PV1、PV2、PV3、PV4:探针;MNT:监测信号;IN:输入信号;OUT:输出信号;CL:中央线;DG:反馈信号;DS:驱动信号;BW1、BW2:焊线;2:振动器件;3:封装体;4:基座;5:盖;6、7:台阶部;9:振子单元;10:振子;11:振动片;12、13:电极(第1、第2电极);14、15:端子;16、17:布线;20:电路装置;21:振荡电路;22:输出电路;23:处理电路;24:存储部;25:D/A转换电路;26:温度传感器;27:A/D转换电路;28:分数-N型PLL电路;30:驱动电路;41、42:振动片;43、44:驱动电极;45、46:检测电极;47:接地电极;48A、48B、48C、48D:驱动臂;49A、49B:检测臂;51:基部;52A、52B:连结臂;58A、58B、58C、58D:锤部;59A、59B:锤部;60:检测电路;90:处理电路;100:中继基板;102:支承部;103:第1摆动部;104:第2摆动部;106~109:梁部;110:端子;111、112:布线;113、114:端子;115、116:布线;117:端子;120:工具;122:开口部;206:汽车(移动体);207:车体;208:控制装置;209:车轮;500:电子设备;510:通信部;520:处理部;530:操作部;540:显示部;550:存储部。
具体实施方式
以下,对本发明的优选的实施方式进行详细说明。另外,以下说明的本实施方式并非不合理地限定权利要求书所记载的本发明的内容,在本实施方式中说明的全部结构并不一定是本发明的必要技术特征。
1.振动器件
在图1和图2中示出了本实施方式的振动器件2的结构例。图1是示出本实施方式的振动器件2的俯视图,图2是剖视图(侧视图)。振动器件2包含振子10和电路装置20(IC),该电路装置20具有对振子10进行驱动的驱动电路30。
并且,振动器件2还可以包含用于安装振子10和电路装置20的封装体3。振子10设置在电路装置20的有源面AF侧(电路元件面侧)。有源面AF是电路装置20的形成有晶体管等有源元件(电路元件)的面。在图1和图2中,将从电路装置20朝向振子10的方向设为DR1(第1方向)。方向DR1是与电路装置20的半导体基板垂直的方向。并且,将与方向DR1垂直的方向设为方向DR2、DR3(第2、第3方向)。方向DR2例如是沿着电路装置20的长边方向的方向,方向DR3是沿着短边方向的方向。另外,振动器件2并不限定于图1、图2的结构,能够实施省略其一部分结构要素或者追加其他结构要素等各种变形。
振子10(resonator)是利用电信号产生机械振动的元件(振动元件)。振子10例如可以由石英振动片等振动片(压电振动片)实现。例如可以由切割角为AT切割或SC切割等的进行厚度剪切振动的石英振动片等实现。例如振子10是内置在不具有恒温槽的温度补偿型振荡器(TCXO)中的振子。或者,振子10也可以是内置在具有恒温槽的恒温槽型振荡器(OCXO)中的振子等。另外,本实施方式的振子10例如能够由厚度剪切振动型以外的振动片、由石英以外的材料形成的压电振动片等各种振动片实现。例如,作为振子10,也可以采用SAW(Surface Acoustic Wave:声表面波)谐振器、使用硅基板形成的作为硅制振子的MEMS(Micro Electro Mechanical Systems:微机电系统)振子等。
振子10具有振动片11(振动基板)和电极12、13。振动片11由压电材料构成,例如由石英构成。在将振动片11的与电路装置20相反方向侧的面设为第1面、将电路装置20侧的面设为第2面的情况下,电极12形成于振动片11的第1面,电极13形成于第2面。并且,振子10具有未图示的端子,振子10经由该端子与电路装置20的端子电连接。
在俯视观察有源面AF时,电路装置20(集成电路装置)为矩形,具有半导体基板,在半导体基板的有源面AF上形成有晶体管等有源元件。并且,在有源面AF上也可以形成电阻、电容器等无源元件。另外,这里所说的矩形未必是完整的矩形,允许矩形的一部分包含凸形状或凹形状,或者边包含曲线。
电路装置20具有对振子10进行驱动的驱动电路30。并且,电路装置20具有:端子T1(第1端子),其与振子10的电极12(第1电极)电连接,输出从驱动电路30到振子10的输出信号;以及端子T2(第2端子),其与振子10的电极13(第2电极)电连接,被输入从振子10到驱动电路30的输入信号。并且,电路装置20还具有不与振子10的电极12、13(第1、第2电极)电连接的端子T3(第3端子)。并且,电路装置20也可以具有输出或输入各种信号的信号端子TS1、TS2。这些端子T1、T2、T3、信号端子TS1、TS2例如也被称为电路装置20的焊盘。另外,电连接是指经由布线等传递电信号而送达的连接,不电连接是指电信号的传递被阻断而没有送达。
例如,电路装置20利用驱动电路30的输出信号(驱动信号)对振子10进行驱动。例如,在图3中示出了驱动电路30的结构例。图3示出了振动器件2是采用了振子10的振荡器的情况下的驱动电路30的结构例。在图3中,驱动电路30由反相放大电路(逆变器电路)实现,驱动电路30的输出信号OUT经由端子T1被输出到振子10(电极12)。并且,来自振子10(电极13)的输入信号IN(反馈信号)经由端子T2被输入到驱动电路30。由此,能够使振子10振荡而生成规定的振荡频率的振荡信号(时钟信号)。另外,驱动电路30并不限定于图3的结构,例如也可以是后述那样的陀螺仪传感器等物理量测量装置中的驱动电路。
如图2所示,振动器件2具有由陶瓷等形成的封装体3。封装体3在其内侧具有收纳空间S,在该收纳空间S中收纳有振子10和电路装置20。收纳空间S被气密密封,处于减压状态(优选接近真空的状态)。能够通过该封装体3来适当地保护振子10和电路装置20远离冲击、灰尘、热、湿气等。封装体3具有基座4和盖5。具体来说,封装体3由基座4和盖5构成,其中,该基座4对振子10和电路装置20进行支承,该盖5与基座4的上表面接合,以使得在该盖5与基座4之间形成收纳空间S。
如图2的剖视图所示,基座4在其内侧具有上表面开口的第1凹部和在第1凹部的底面开口的第2凹部。在第1凹部的底面设置有台阶部6、7,在台阶部6、7上形成有振动器件2的内部端子TI1、TI2。
内部端子TI1、TI2经由封装体3的内部布线(未图示)与振动器件2的外部端子TE1、TE2电连接。外部端子TE1、TE2形成在封装体3的外侧底面。外部端子TE1、TE2经由外部布线(电路基板的布线等)与外部器件连接。例如,电路装置20设置有信号端子TS1、TS2,信号端子TS1、TS2设置有导电性凸块BS1、BS2。并且,如图2所示,信号端子TS1、TS2的导电性凸块BS1、BS2与振动器件2的内部端子TI1、TI2接触而连接。由此,电路装置20的信号端子TS1、TS2与振动器件2的外部端子TE1、TE2电连接。
图1是俯视观察电路装置20的有源面AF时的俯视图,例如是从与方向DR1相反的方向观察时的图。在俯视观察该有源面AF时,电路装置20的端子T1、T2、T3与振子10重叠配置。如图2的剖视图(从方向DR3观察时的图)所示,振子10和电路装置20以沿其厚度方向排列的方式层叠安装。以这种方式将振子10和电路装置20层叠安装起来的单元被称为振子单元9(层叠体)。
如图2所示,电路装置20的端子T1、T2、T3设置有导电性凸块B1、B2、B3(连接凸块)。导电性凸块B1、B2、B3是形成在端子T1、T2、T3上的突起状的连接电极。导电性凸块B1、B2、B3例如是由金属形成的金属凸块(金凸块、银凸块或铜凸块等)。另外,作为导电性凸块,也可以实施使用树脂芯凸块的变形,其中,该树脂芯凸块是通过利用金属对由树脂形成的凸块的芯进行镀层而构成的。
并且,端子T1经由导电性凸块B1与振子10的电极12电连接。具体来说,如图1和图2所示,振子10设置有与电极12连接的布线16和与布线16连接的未图示的第1连接用端子。并且,通过使端子T1的导电性凸块B1与该第1连接用端子连接,端子T1与电极12经由导电性凸块B1、第1连接用端子以及布线16而电连接。并且,端子T2经由导电性凸块B2与振子10的电极13电连接。具体来说,振子10设置有与电极13连接的布线17和与布线17连接的未图示的第2连接用端子。在图1中用虚线示出了电极13和布线17。并且,通过使端子T2的导电性凸块B2与该第2连接用端子连接,端子T2与电极13经由导电性凸块B2、第2连接用端子以及布线17而电连接。另外,以上,对端子T1与电极12电连接、端子T2与电极13电连接的情况进行了说明,但本实施方式并不限定于此,也可以是端子T1与电极13电连接,端子T2与电极12电连接。例如,也可以是电极13成为第1电极,电极12成为第2电极。
另一方面,电路装置20的端子T3是不与振子10的电极12、13电连接的虚设端子。例如端子T3设置有导电性凸块B3,该导电性凸块B3与振子10接触,但不与振子10的电极12、13电连接。例如,电路装置20的端子T1、T2与振子10的第1、第2连接用端子连接,但端子T3不与该第1、第2连接用端子连接。
并且,振子10利用设置于端子T1、T2、T3的导电性凸块B1、B2、B3而被支承在电路装置20的有源面AF侧。例如,导电性凸块B1、B2、B3(和端子T1、T2、T3)是支承部件,振子10被电路装置20支承(三点支承)。例如在图2中振子10被电路装置20支承而进行面朝下(facedown)安装。另外,电路装置20也可以具有不与振子10的电极12、13电连接的第4端子(至少1个第4端子)。在该情况下,振子10利用设置于端子T1、T2、T3的导电性凸块B1、B2、B3和设置于第4端子的导电性凸块而被支承(四点支承)于电路装置20。并且,振子10可以不被电路装置20直接支承,也可以如后述的图9、图10等所示的那样隔着中继基板100被间接地支承。并且,对振子10进行支承的电路装置的端子的数量也可以是5个以上。
如以上那样,本实施方式的振动器件2包含振子10和电路装置20。并且,电路装置20包含:驱动电路30,其对振子10进行驱动;端子T1,其与振子10的电极12电连接,输出从驱动电路30到振子10的输出信号;端子T2,其与振子10的电极13电连接,被输入从振子10到驱动电路30的输入信号;以及端子T3,其不与振子10的电极12、13电连接。并且,端子T1、T2、T3设置有用于将振子10支承在电路装置20的有源面AF侧的导电性凸块B1、B2、B3。这样,在本实施方式的振动器件2和电路装置20中,电路装置20设置有与振子10的电极电连接的端子T1、T2和不与振子10的电极电连接的端子T3,振子10经由端子T1、T2被电路装置20的驱动电路30驱动。并且,振子10被这些端子T1、T2、T3所设有的导电性凸块B1、B2、B3支承而配置在电路装置20的有源面AF侧。这样的话,例如无需使用硅系粘接剂等便能够将振子10配置并固定在电路装置20的有源面AF侧。因此,能够抑制振子10的振动特性(振荡频率等)因来自该粘接剂的排气等原因而随时间变化等,能够获得更良好的振动特性。例如,通过使用金属凸块等导电性凸块B1、B2、B3来防止出现从这些凸块排气,能够有效地抑制收纳空间S内的环境变化(例如压力上升),能够提高振动特性。以振动器件2为振荡器的情况为例,能够将频率误差抑制为最小限度,实现振荡频率的高精度化。并且,除了端子T1、T2之外,还可以通过设置端子T3而将振子10稳定地支承在电路装置20上。即,在仅采用驱动用端子T1、T2对振子10的支承中,有可能因振子10的尺寸等而导致稳定性方面不够,但通过进一步设置虚设端子T3来进行基于端子T1、T2、T3的三点支承(或四点支承等),由此能够稳定地进行支承。这样,根据本实施方式,能够同时实现振子10的振动特性的提高和振子10的稳定支承。并且,在安装有振子10和电路装置20的振子单元9中,电路装置20的驱动用的端子T1、T2与振子10的电极12、13电连接,成为能够通过驱动电路30对振子10进行驱动的状态。因此,能够将振子单元9使用在后述的振子10的振动特性的调整等各种用途中。并且,通过导电性凸块B1、B2、B3对振子10进行支承,从而能够使振子10与电路装置20之间的距离为最小限度,还能够实现振动器件2的小型化等。
并且,在图1中,在俯视观察电路装置20的有源面AF时,将由中央线CL划分出的两个区域设为区域AR1、AR2。中央线CL(中心线)例如是将形成电路装置20的外形的4个边中的任意边二等分的中央线,在本实施方式中是将长边二等分的中央线。在该情况下,在区域AR1、AR2中的区域AR1(第1区域)内设置有端子T1、T2,在区域AR2(第2区域)内设置有端子T3。并且,在还设置了虚设的第4端子的情况下,该第4端子也设置在区域AR2中。这样的话,能够利用电路装置20的中央线CL的两侧的区域AR1、AR2的支承点(T1、T2、T3)对振子10进行支承,能够实现电路装置20对振子10的稳定支承。另外,为了实现更稳定的支承,在图1的俯视观察下与振子10重叠的区域内,优选在离中央线CL尽可能远的左侧(一侧)的位置设置端子T1、T2,在离中央线CL尽可能远的右侧(另一侧)的位置设置端子T3。
并且,如图1所示,电路装置20的驱动电路30设置在与端子T3相比更靠近端子T1、T2的位置。例如,在将驱动电路30与端子T1、T2之间的距离设为LD1,将驱动电路30与端子T3之间的距离设为LD2的情况下,LD1<LD2。例如在图1中,通过在端子T1与端子T2之间设置驱动电路30,缩短端子T1、T2与驱动电路30之间的距离。这样的话,能够采用配置在靠近驱动电路30的位置的端子T1、T2对振子10进行驱动。因此,能够减少与端子T1、T2连接的布线的寄生电容或寄生电阻的影响,能够通过驱动电路30对振子10进行适当地驱动。由此,能够提高振子10的振动特性,以振动器件2是振荡器的情况为例,能够将频率误差抑制为最小限度,实现了振荡频率的高精度化。并且,通过使驱动电路30与端子T1、T2之间的距离较近,另一方面使驱动电路30与端子T3之间的距离较远,其结果是,能够使端子T1、T2与端子T3之间的距离较远。并且,通过以这种方式使端子T1、T2与端子T3之间的距离较远,能够通过端子T1、T2、T3的导电性凸块B1、B2、B3对振子10进行稳定地支承。
2.振动器件的详细例
接着,对振动器件2的详细例进行说明。这里以振动器件2是振荡器的情况为例来进行说明。具体来说,对作为温度补偿型振荡器的TCXO(Temperature CompensatedCrystal Oscillator:温度补偿晶体振荡器)的应用例进行说明。另外,温度补偿型振荡器也可以是OCXO(Oven Controlled Crystal Oscillator:恒温晶体振荡器)。
在图4和图5中示出了振动器件2的详细例的电路装置20的结构例。在图4中,电路装置20包含振荡电路21、输出电路22、端子T1、T2以及监测端子TM。并且,电路装置20还可以包含处理电路23、存储部24(存储器)、D/A转换电路25、温度传感器26、A/D转换电路27、电源供给用的电源端子TV、TG以及信号端子TSD、TSC。
振荡电路21具有驱动电路30,该振荡电路21是通过驱动电路30对振子10进行驱动而使振子10振荡的电路。作为振荡电路21,例如可以采用结构为图3所示的电路。另外,优选对图3的驱动电路30的输出节点、输入节点中的至少一方的连接节点设置可变电容电路。可变电容电路例如可以由变容二极管或电容器阵列等实现,其中,该变容二极管的电容值根据控制电压而发生变化,该电容器阵列根据数字控制数据来切换与连接节点连接的电容器的数量。
输出电路22输出与经由端子T1、T2被驱动电路30驱动时的振子10的振动特性对应的监测信号MNT。输出电路22例如可以由对信号进行缓冲的缓冲电路等实现。监测端子TM是输出来自输出电路22的监测信号MNT的端子。例如,输出电路22根据来自振荡电路21的信号输出监测信号MNT。例如,振荡电路21输出振子10的振荡频率的时钟信号。输出电路22例如对作为来自振荡电路21的输出信号的时钟信号进行缓冲而作为监测信号MNT输出到监测端子TM。即,输出电路22根据来自振荡电路21的信号(时钟信号)输出监测信号MNT。并且,外部的测量装置(测试器)根据从监测端子TM输出的监测信号MNT(时钟信号)测定振荡频率。由此,能够对作为振子10的振动特性的振荡频率进行监测。
温度传感器26将根据环境(例如电路装置20或振子10)温度而发生变化的温度依赖电压作为温度检测电压来输出。例如,温度传感器26利用具有温度依赖性的电路元件来生成温度依赖电压,以不依赖于温度的电压(例如带隙参考电压)为基准输出温度依赖电压。例如,将PN结的正向电压作为温度依赖电压来输出。
A/D转换电路27进行来自温度传感器26的温度检测电压的A/D转换,并将其结果作为温度检测数据来输出。作为A/D转换方式,例如可以采用逐次比较型、嵌入型、流水线型或二重积分型等。
处理电路23(数字信号处理电路)进行各种信号处理。例如,处理电路23(温度补偿部)根据温度检测数据来进行补偿振子10的振荡频率的温度特性的温度补偿处理,输出用于控制振荡频率的频率控制数据。具体来说,处理电路23根据与温度对应变化的温度检测数据(温度依赖数据)和温度补偿处理用的系数数据(近似函数的系数的数据)等,进行用于消除或抑制因温度变化导致的振荡频率变动(在存在温度变化的情况下也使振荡频率保持恒定)的温度补偿处理。温度补偿处理用的系数数据被存储在存储部24中。存储部24可以由RAM(SRAM、DRAM)等半导体存储器实现,也可以由非易失性存储器实现。处理电路23可以由以时分方式执行包括温度补偿处理在内的各种信号处理的DSP(Digital SignalProcessor:数字信号处理器)来实现。或者处理电路23可以由门阵列等自动配置布线的ASIC电路实现,也可以由处理器(例如CPU、MPU等)和在处理器上进行动作的程序来实现。并且,处理电路23也可以进行温度补偿以外的校正处理(例如老化校正)。并且,处理电路23也可以进行恒温槽型振荡器(OCXO)中的恒温槽的加热控制(恒温控制)等。
另外,处理电路23具有接口电路,该接口电路采用时钟信号SCL、数据信号SDA在该接口电路与外部器件之间进行串行通信。接口电路例如是I2C、SPI等接口电路。信号端子TSC、TSD是这些时钟信号SCL、数据信号SDA用的端子。例如,图1、图2和后述的图7的信号端子TS1、TS2是这些信号端子TSC、TSD等。
D/A转换电路25对频率控制数据进行D/A转换,将与频率控制数据对应的控制电压输出到振荡电路21。设置于振荡电路21的可变电容电路的电容值根据该控制电压而可变地被控制。该情况下的可变电容电路可以由上述变容二极管等实现。
向电源端子TV供给高电位侧的电源VDD,向电源端子TG供给低电位侧的电源VSS(例如GND)。向电路装置20供给这些电源VDD、VSS而使其进行动作。
在图5中示出了电路装置20的其他结构例。在图5中,设置有分数-N型PLL电路28来代替图4的D/A转换电路25。根据来自处理电路23的频率控制数据,设定分数-N型PLL电路28中的分频比,从而利用分数-N型PLL电路28来生成振荡频率与频率控制数据对应的时钟信号。然后,所生成的时钟信号被输出电路22缓冲而作为监测信号MNT经由监测端子TM输出到外部。然后,外部的测量装置根据从监测端子TM输出的监测信号MNT测定振荡频率。由此,能够对作为振子10的振动特性的振荡频率进行监测。
图6、图7、图8是详细例的振动器件2的说明图。图9、图10是示出安装于封装体3的状态下的振动器件2的剖视图。如图6所示,在详细例的振动器件2中,在振子10与电路装置20之间设置有中继基板100。例如振子10、中继基板100、电路装置20以沿厚度方向排列的方式层叠安装。以这种方式将振子10、中继基板100和电路装置20层叠安装起来的单元是振子单元9(层叠体)。如在后述的图15中所详细说明的那样,在中继基板100形成有布线111、112和布线115、116,其中,该布线111、112用于将电路装置20的端子T1与振子10的电极12电连接,该布线115、116用于将电路装置20的端子T2与振子10的电极13电连接。这些布线111、112、115、116经由设置在中继基板100的振子10侧的面上的导电性凸块BT1、BT2而与后述的图15所示的振子10的端子14、15电连接。并且,振子10的端子14、15与电极12、13电连接。具体来说,如图15所详细示出的那样,端子14(第1连接用端子)经由布线16与电极12连接,端子15(第2连接用端子)经由布线17与电极13连接。由此,电路装置20的驱动用的端子T1、T2与振子10的电极12、13电连接。并且,通过在端子T1、T2之间施加驱动电压,使振子10进行振荡动作。这样,中继基板100是对振子10与电路装置20之间的电连接进行转接的基板。该中继基板100具有使因电路装置20或封装体3的变形产生的应力不容易传递到振子10的功能。中继基板100例如可以由石英基板实现。例如,通过蚀刻(例如湿蚀刻)对石英基板形成图案,从而形成例如形状为后述图15所示的中继基板100。另外,中继基板100也可以由石英基板以外的压电基板、硅基板、树脂基板、金属基板或陶瓷基板等实现。
并且,在图6~图10的详细例的振动器件2中,电路装置20包含不与振子10的电极12、13(第1、第2电极)电连接的端子T3、T4(第3、第4端子)。并且,振子10利用设置于端子T1、T2、T3、T4的导电性凸块B1、B2、B3、B4而被支承在电路装置20的有源面AF侧。具体来说,振子10隔着被电路装置20的端子T1、T2、T3、T4的导电性凸块B1、B2、B3、B4支承的中继基板100而被支承在电路装置20的有源面AF侧。并且,与图1同样,端子T1、T2配置在电路装置20的由中央线CL划分出的区域AR1内,端子T3、T4配置在区域AR2内。并且,驱动电路30设置在与端子T3、T4相比更靠近端子T1、T2的位置。另外,这里采用了4个端子T1、T2、T3、T4作为用于支承振子10的端子,但也可以如图1和图2那样采用3个端子T1、T2、T3对振子10进行支承。或者,也可以采用5个以上的端子对振子10进行支承。
这样,在本实施方式中,中继基板介于振子10与电路装置20之间。通过以这种方式配置中继基板100,例如因电路装置20或封装体3的热挠曲等而导致的变形(应力)不容易传递到振子10,能够抑制振子10的振动特性降低。
并且,在本实施方式中,在电路装置20上设置有与振子10的电极12、13电连接的驱动用的端子T1、T2和不与该电极12、13电连接的虚设端子T3、T4。并且,振子10利用设置于端子T1、T2、T3、T4的导电性凸块B1、B2、B3、B4而被支承于电路装置20。例如隔着中继基板100被电路装置20支承。这样的话,能够利用导电性凸块B1、B2、B3、B4对振子10进行四点支承,从而能够对振子10进行更稳定地支承。因此,能够同时实现振动特性的提高和稳定支承。
图7是俯视观察电路装置20的有源面AF时的图。如图4、图5所示,电路装置20具有:输出电路22,其输出与振子10的振动特性对应的监测信号MNT;以及监测端子TM,其输出来自输出电路22的监测信号MNT。端子T1、T2与振子10的电极12、13电连接,并且与驱动电路30电连接。例如如图3所示,从端子T1输出从驱动电路30到振子10的输出信号OUT,向端子T2输入从振子10到驱动电路30的输入信号IN。因此,输出电路22能够将监测信号MNT输出到监测端子TM,该监测信号MNT用于对经由端子T1、T2被驱动电路30驱动时的振子10的振动特性(振荡频率)进行监测。并且,如图7所示,在俯视观察电路装置20的有源面AF时,监测端子TM设置在不与振子10重叠的位置。更具体来说,在俯视观察时,监测端子TM设置在不与中继基板100重叠的位置。例如在该俯视观察时端子T1、T2、T3、T4设置在与振子10或中继基板100重叠的位置,但监测端子TM设置在不与振子10或中继基板100重叠的位置。同样,在该俯视观察时,后述的电源供给用的电源端子TG、TV和控制端子TC也设置在不与振子10或中继基板100重叠的位置。另外,如图6~图10那样,在通过电路装置20隔着中继基板100对振子10进行支承的结构中,在俯视观察时监测端子TM(TG、TV、TC)设置在不与中继基板100重叠的位置。
另一方面,如图1和图2那样,在不设置中继基板100而直接通过电路装置20对振子10进行支承的结构中,在俯视观察时监测端子TM(TG、TV、TC)设置在不与振子10重叠的位置。
通过在这样的位置设置监测端子TM,如图8所示,容易将探针PV抵接于监测端子TM。并且,能够容易地通过外部的测量装置(测试器)对监测信号MNT进行测量。
另外,例如也可以构成为在中继基板100上设置监测用的焊盘并与监测端子TM电连接。这样的话,即使在俯视观察时监测端子TM与中继基板100或振子10重叠的结构中,也能够容易地通过将探针PV抵接于中继基板100的监测器用的焊盘来测量监测信号MNT。
具体来说,在图8中,对作为振子10的激励电极的电极12照射离子束IB。通过以这种方式照射离子束IB并将电极12的一部分去除(使膜厚变薄),能够对作为振子10的振动特性的振荡频率(谐振频率)进行调整。例如在图9和图10中,振子10和电路装置20被收纳并安装在封装体3中,但在图8中,在作为将振子10和电路装置20收纳到封装体3中之前的制造工序的调整工序中,通过照射离子束IB来调整振荡频率。在该情况下,采用端子T1~T4的导电性凸块B1~B4将振子10支承于电路装置20,成为将振子10和电路装置20安装在一起的状态。并且,与驱动电路30连接的端子T1、T2与振子10的电极12、13电连接,能够利用驱动电路30对振子10进行驱动。并且,通过将探针PV抵接于电源端子TV、TG而从外部装置(例如电源供给装置)供给电源VDD、VSS,从而能够向电路装置20供给电源VDD、VSS而使电路装置20进行动作。因此,外部的测量装置能够采用监测信号MNT(时钟信号)对经由端子T1、T2被驱动电路30驱动时的振子10的振荡频率(振动特性)进行测量。
具体来说,监测信号MNT是表示对振子10进行加工来调整振动特性时的随调整变化的振动特性的信号。例如在图8中,通过照射离子束IB而对振子10的电极12进行加工,从而调整作为振动特性的振荡频率(谐振频率)。在该情况下,通过将探针PV抵接于监测端子TM,能够采用来自监测端子TM的监测信号MNT对随着基于离子束IB的照射的调整而变化的振荡频率(广义上是指振动特性)进行监测。例如当通过离子束IB的照射将电极12的一部分去除时,振子10的振荡频率发生变化,由此作为监测信号MNT的时钟信号的频率也发生变化。因此,通过利用外部的测量装置对该频率的变化进行测量,能够将振子10的振荡频率调整为适当的频率。
特别是在本实施方式中,在将振子10和电路装置20安装在一起并且实际上通过驱动电路30对振子10进行驱动的状态下,能够一边通过离子束IB对振荡频率进行调整,一边采用监测信号MNT来测量频率。因此,能够在与实际产品的情况相同的状态下对振子10进行驱动以测量频率,因此能够对振荡频率进行更适当地调整。并且,在照射离子束IB时,中继基板100等成为掩模,还能够防止电路装置20被该离子束IB照射的情况。因此,能够减少离子束IB对电路装置20的损伤。
例如图11、图12是对比较例的振动器件302的振动特性的调整方法进行说明的图。在图11中,在具有电极312、313的振子310单体的状态下,将探针PV抵接于端子TDR而输入振子310的驱动信号,向电极312照射离子束IB而对振子310的振荡频率(谐振频率)进行调整。并且,在该调整工序之后,如图12所示,将振子310和电路装置320收纳到封装体303中而作为振动器件302的产品来出厂。在该情况下,例如在出厂之前,采用电路装置320的调整功能对振子310的振荡频率进行最终的微调。
但是,在图11和图12的方法中,没有将振子310和电路装置320安装在一起,而是在振子310单体的状态下进行基于离子束IB的频率调整。因此,在与实际产品的状态不同的状态下进行基于离子束IB的频率调整。因此,存在无法实现适当的频率调整的缺点。
与此相对,在本实施方式中,如图8所示,能够在将振子10和电路装置20安装在一起而通过驱动电路30对振子10进行驱动的与实际产品的状态同样的状态下,进行基于离子束IB的频率调整。例如,能够进行反映出与驱动电路30连接的布线的寄生电阻或寄生电容的频率调整。因此,能够将频率误差抑制为最小限度,实现了振荡频率的高精度化。具体来说,在本实施方式中,在如图8那样将振子10和电路装置20安装在一起的状态下,通过离子束IB来调整振子10的振荡频率。之后,如图9、图10所示,将振子10和电路装置20收纳在封装体3中进行安装而成为产品的状态。
然后,例如使用振动器件2的外部端子TE1、TE2对上述的驱动电路30的可变电容电路的电容值进行调整,从而进行最终的频率调整。例如作为外部端子TE1、TE2,准备与图4、图5的时钟信号SCL、数据信号SDA的信号端子TSC、TSD连接的外部端子,采用这些外部端子来进行可变电容电路的电容值的调整处理。在该情况下,在如图8那样将振子10和电路装置20安装在一起的状态下进行基于离子束IB的频率调整,因此能够使采用了可变电容电路的电容值的最终频率调整时的调整范围非常窄,其结果是,能够大幅提高频率精度。例如,能够实现频率精度为几十ppb以下(优选10ppb左右以下)的振动器件2。此外,在本实施方式中,能够在将振子10和电路装置20收纳于封装体3之前对频率进行调整然后测量。因此,也能够防止出现如下情况:因振子10的振荡频率不合规格而导致电路装置20和封装体3都被浪费,制造成本增加。
例如,作为基站与通信终端之间的通信方式,目前正在使用FDD(FrequencyDivision Duplex:频分双工),但在下一代的5G等通信方式中,使用了TDD(Time DivisionDuplex:时分双工)。并且,在TDD方式中,在上行链路和下行链路中采用相同的频率以时分方式收发数据,在分配给各设备的时隙之间设定有保护时间。因此,为了实现适当的通信,需要在各设备中进行时刻同步,需要准确的绝对时刻的计时。并且,在将振荡器用作基准信号源来的情况下,存在所谓的保持模式(hold-over)问题。例如,通过采用PLL电路使振荡器的振荡信号(输出信号)与来自GPS或网络的基准信号同步,能够抑制频率变动。但是,当出现来自GPS或网络(因特网)的基准信号消失或异常的保持模式时,无法获得用于同步的基准信号。因此,在出现了这种保持模式的情况下,振荡器侧需要在无基准信号的状态下计时绝对时刻,当该计时时刻出现偏差时,通信失败。因此,在保持模式期间振荡器也需要非常高的频率稳定度。
另一方面,存在振荡器的振荡频率随着老化而发生变动的问题。因老化导致的振荡频率的变动原因例如被认为是:在气密密封容器内产生的粉尘相对于振子的脱离/附着、因排气造成的环境变化、振荡器所使用的粘接剂随时间发生变化。因此,为了实现可支持下一代通信方式的振荡器,需要实现抑制了这种因老化导致的变动的、高精度的振荡频率。
在该点上,根据本实施方式的方法,采用导电性凸块B1~B4来进行振子10和电路装置20的安装,无需使用粘接剂等,因此能够抑制因老化导致的振荡频率的变动。并且,如图8所示,能够在将振子10和电路装置20安装在一起的状态下进行采用了离子束IB的频率调整。因此,能够实现可支持下一代通信方式的高精度(作为一例,保持模式的时间为1.5μs的精度)的振荡频率。
并且,如图7所示,监测端子TM的面积比端子T1~T4各自的面积大。例如,监测端子TM的面积是端子T1~T4各自的面积的2倍以上,更优选是4倍以上。例如在端子T1~T4各自的面积为100μm×100μm的情况下,使监测端子TM的面积为100μm×100μm的2倍以上,或者为100μm×100μm的4倍以上(200μm×200μm以上)。另外,在如图1那样只设置了3个端子T1~T3的情况下,监测端子TM的面积比端子T1~T3(第1~第3端子)各自的面积大。这样,通过增大监测端子TM的面积,在图8所示的频率调整时容易将探针PV抵接于监测端子TM,能够提高频率调整的作业效率等。
例如在使用后述图16那样的工具120进行频率调整的情况下,设置于工具120的探针(PV1~PV4)的前端的面积增大。因此,当与探针抵接的端子的面积较小时,会出现无法使探针的前端与端子适当接触的情况。在该点上,在图7和图8中,供探针抵接的监测端子TM的面积比通常的端子大。因此,在使用了图16所示的工具120的情况下,也能够使工具120的探针稳定地抵接于监测端子TM,实现了频率调整的作业效率等的提高。并且,通过增大探针与监测端子TM之间的接触面积,在作为监测信号MNT的时钟信号的频率较高的情况下,也能够将监测信号MNT适当地传送到频率调整用的测量装置。
并且,如图7所示,监测端子TM配置在电路装置20的4个角部区域中的1个角部区域。例如在图7中在电路装置20的左上侧的角部区域设置有监测端子TM。角部区域是在电路装置20的两个边所交叉的交点(角部)处设定的规定的面积的区域。通过以这种方式在角部区域设置监测端子TM,例如在利用与端子接触的探针对电路装置20进行支承的情况下,能够通过探针来稳定地支承电路装置20。
更具体来说,电路装置20包含:电源端子TV(第1电源端子),其在对图8所示的振子10的振动特性进行监测时供给作为高电位侧电源的VDD;以及电源端子TG(第2电源端子),其在对图8所示的振子10的振动特性进行监测时供给作为低电位侧电源的VSS(GND)。在通过监测振子10的振动特性的检测来进行测量时(频率调整工序时),电路装置20根据供给到电源端子TV、TG的VDD、VSS来进行动作。即,电路装置20的各电路以供给到电源端子TV、TG的VDD、VSS为动作电源来进行动作。并且,如图7所示,电源端子TV、TG配置在4个角部区域中的除设置有监测端子TM的1个角部区域以外的角部区域。在图7中,监测端子TM例如配置在左上侧的角部区域,电源端子TV例如配置在右上侧的角部区域,电源端子TG例如配置在左下侧的角部区域。并且,电路装置20设置有输入控制信号的控制端子TC,控制端子TC例如配置在右下侧的角部区域。作为输入到控制端子TC的控制信号,例如可想到输出监测信号MNT的使能控制信号等。另外,监测端子TM、电源端子TV、TG、控制端子TC的配置并不限定于图7所示的配置,能够实施各种变形。例如也可以将监测端子TM、电源端子TV、TG、控制端子TC各个端子配置在与图7不同的角部区域。
如果如图7所示的那样将监测端子TM、电源端子TV、TG、控制端子TC设置在电路装置20的角部区域,则在通过与端子抵接的探针对电路装置20进行支承的情况下,能够利用探针对电路装置20进行更稳定地支承。例如,能够进行基于电路装置20的四点支承(在端子为3个情况下为三点支承)的稳定支承。例如在使用图16所示的工具120的情况下,能够通过与监测端子TM、电源端子TV、TG、控制端子TC抵接的探针PV1、PV2、PV3、PV4对电路装置20进行稳定地支承。并且,在以这种方式通过探针PV1~PV4对电路装置20进行支承的状态下,能够如图8所示的那样对振子10的电极12(激励电极)照射离子束IB。由此,能够一边通过监测信号MNT(时钟信号)对振子10的振荡频率进行监测,一边通过离子束IB来进行振荡频率的调整。
另外,在图8中对振子10的电极12照射离子束IB而将其一部分去除,从而进行频率调整。与此相对,针对振子10的电极13,例如只要在切割振子10之前的晶片的状态下进行基于离子束等的频率调整即可。例如准备由AT切割的石英板等构成的薄板状的晶片,通过蚀刻(干蚀刻、湿蚀刻等)对晶片形成图案,从而在晶片上形成多个振动片(振动基板)。然后,通过在振动片的表面上生成金属膜而在振动片上形成电极(12、13)。然后,在从晶片切割(分离)振动片之前的工序中,通过对晶片的多个振动片的各振动片的电极(电极13)照射离子束而进行频率调整。例如,一边测量谐振频率一边进行频率调整。这样的话,能够均衡地对电极12、13进行加工,能够实现更适当的频率调整。
并且,图7所示电路装置20具有信号端子TS1、TS2。作为信号端子TS1、TS2,例如可想到图4、图5所示的时钟信号SCL的信号端子TSC或数据信号SDA的信号端子TSD等。并且,在俯视观察电路装置20的有源面AF时,信号端子TS1、TS2设置在不与振子10重叠的位置。具体来说,在图7中,在该俯视观察时信号端子TS1、TS2设置在不与中继基板100重叠的位置。例如,在图7中,在俯视观察时端子T1~T4设置在与中继基板100或振子10重叠的位置。另一方面,除了监测端子TM、电源端子TV、TG、控制端子TC之外,在俯视观察时信号端子TS1、TS2也设置在不与中继基板100或振子10重叠的位置。这样的话,能够容易地实现信号端子TS1、TS2与振动器件2的外部端子TE1、TE2之间的电连接。
例如,在图9和图10中示出了侧视观察详细例的振动器件2时的剖视图。图9是面朝下安装的例子,图10是面朝上安装的例子。
例如在图9中,电路装置20相对于振动器件2的封装体3进行面朝下安装。具体来说,以电路装置20的有源面AF朝向封装体3的基座4(底面)的方式进行面朝下安装。例如在将从电路装置20朝向振子10的方向设为DR1的情况下,以方向DR1朝向封装体3的基座4(底面)的方式进行安装。然后,在中继基板100和振子10安装于电路装置20的状态下。将电路装置20、中继基板100以及振子10收纳在封装体3的收纳空间S中而进行气密密封。
在该情况下将形成在电路装置20的信号端子TS1、TS2上的导电性凸块BS1、BS2与形成在基座4的台阶部6、7(第1凹部的底部)上的内部端子TI1、TI2连接。并且,内部端子TI1、TI2例如通过封装体3的内部布线与外部端子TE1、TE2电连接。通过如图9那样进行面朝下安装,能够将信号端子TS1、TS2与振动器件2的外部端子TE1、TE2电连接。例如,如图7所示,在俯视观察时电路装置20的信号端子TS1、TS2设置在不与振子10或中继基板100重叠的位置。因此,如在图9所示的那样进行了面朝下安装的情况下,能够容易地将信号端子TS1、TS2的导电性凸块BS1、BS2与台阶部6、7的内部端子TI1、TI2连接起来。即,由于在俯视观察时信号端子TS1、TS2设置在不与振子10或中继基板100重叠的位置,所以当在面朝下安装中将信号端子TS1、TS2的导电性凸块BS1、BS2与内部端子TI1、TI2连接时,不会妨碍到振子10和中继基板100。因此,能够容易地将信号端子TS1、TS2的导电性凸块BS1、BS2与内部端子TI1、TI2连接起来,能够将电路装置20的信号端子TS1、TS2与振动器件2的外部端子TE1、TE2电连接。
另一方面,在图10中,电路装置20相对于振动器件2的封装体3进行面朝上安装。具体来说,以电路装置20的有源面AF朝向封装体3的盖5(上表面)的方式进行面朝上安装。例如在将从电路装置20朝向振子10的方向设为DR1的情况下,以方向DR1朝向封装体3的盖5(上表面)的方式进行安装。在电路装置20的下方设置有底部填料。并且,在将中继基板100和振子10安装于电路装置20的状态下,将电路装置20、中继基板100以及振子10收纳在封装体3的收纳空间S中而进行气密密封。
在该情况下将焊线BW1、BW2与电路装置20的信号端子TS1、TS2连接,从而能够将信号端子TS1、TS2与外部端子TE1、TE2电连接。由此,能够经由外部端子TE1、TE2、内部端子TI1、TI2、信号端子TS1、TS2将来自外部的信号输入到电路装置20,或者将来自电路装置20的信号输出到外部。例如,在俯视观察时电路装置20的信号端子TS1、TS2设置在不与振子10或中继基板100重叠的位置。因此在如图10那样进行了面朝上安装的情况下,不会妨碍到振子10或中继基板100与焊线BW1、BW2的焊接连接。因此,能够容易地将焊线BW1、BW2与信号端子TS1、TS2连接起来,能够将信号端子TS1、TS2与外部端子TE1、TE2电连接。
并且,在本实施方式中,信号端子TS1、TS2的剖视观察时的高度比监测端子TM(TV、TG、TC)的剖视观察时的高度高。例如在图13中,在信号端子TS1(TS2)的上方形成有连接用的多层镀层MPS(连接用的金属层),在镀层MPS的上方形成有作为金属凸块的导电性凸块BS1(BS2)。作为多层镀层MPS,例如可以使用Ni/Pd/Au等,作为导电性凸块BS1,可以使用Au凸块等。通过以这种方式在信号端子TS1与导电性凸块BS1之间形成镀层MPS,能够提高连接强度。并且,将形成有镀层MPS和导电性凸块BS1的信号端子TS1(TS2)的剖视观察时的高度设为HA。即,该情况下的高度HA不仅包括信号端子TS1(TS2)的焊盘金属的高度,还包括镀层MPS和导电性凸块BS1的高度。
另一方面,在监测端子TM的上方仅形成有多层镀层MPM。即,在监测端子TM的焊盘金属的上方形成有多层镀层MPM。作为多层镀层MPM,可以使用Ni/Pd/Au等。将以这种方式形成有镀层MPM的监测端子TM的剖视观察时的高度设为HB。即,该情况下的高度HB不仅包括监测端子TM的焊盘金属的高度,还包括镀层MPM的高度。
通过以这种方式使信号端子TS1、TS2的剖视观察时的高度HA变高,例如在图9那样的面朝下安装时,能够容易地将信号端子TS1、TS2的导电性凸块BS1、BS2与基座4的台阶部6、7的内部端子TI1、TI2连接起来。即,在进行了这种面朝下安装的情况下,由于监测端子TM(TV、TG、TC)的高度HB较低,所以监测端子TM不与台阶部6、7或内部端子TI1、TI2接触,另一方面,由于信号端子TS1、TS2的高度HA较高,所以导电性凸块BS1、BS2与内部端子TI1、TI2接触。因此,能够将信号端子TS1、TS2的导电性凸块BS1、BS2与内部端子TI1、TI2稳定地连接起来,例如还实现了所连接的寄生电阻的降低等。
在图14中示出了电路装置20的详细布局配置例。在图14的俯视观察电路装置20的有源面AF时的由中央线CL划分出的区域AR1、AR2中,在区域AR1内设置有端子T1、T2,在区域AR2内设置有端子T3、T4。该端子T3、T4是不与振子10的电极或电路装置20的电路连接的虚设端子(焊盘)。例如端子T3配置在以中央线CL为基准与端子T1呈大致线对称的位置。端子T4配置在以中央线CL为基准与端子T2呈大致线对称的位置。另外,端子T1~T4的配置并不限定于这种线对称的配置。并且,在图14中,在端子T1与T2之间配置有驱动电路30,但本实施方式并不限定于此,能够实施在驱动电路30的左方向侧(朝向电路装置20的短边的方向侧。方向DR2的相反侧)配置端子T1、T2等各种变形。
监测端子TM、电源端子TV、TG、控制端子TC配置在电路装置20的各角部区域。并且,例如在监测端子TM与电源端子TG之间的端子区域(I/O区域)中配置有信号端子TS1,在电源端子TV与控制端子TC之间的端子区域(I/O区域)中配置有信号端子TS2。例如监测端子TM、电源端子TG沿着电路装置20的第1短边配置,电源端子TV、控制端子TC沿着电路装置20的与第1短边对置的第2短边配置。
并且,在监测端子TM与电源端子TG之间的端子区域中配置有电源端子,该电源端子不是在监测时而是在通常的动作时(产品时)供给电源VSS。该电源端子例如与电源端子TG电连接。并且,该电源端子经由振动器件2的内部端子和内部布线而与振动器件2的外部端子电连接。并且,在电源端子TV与控制端子TC之间的端子区域中配置有在通常的动作时供给电源VDD的电源端子。该电源端子例如与电源端子TV电连接。并且,该电源端子经由振动器件2的内部端子和内部布线而与振动器件2的外部端子电连接。
在电路装置20的中央附近配置有处理电路23。处理电路23例如可以由门阵列等自动配置布线来实现。另外,处理电路23例如也可以包含DSP(Digital Signal Processor)的宏块。并且,在处理电路23以外的电路区域中配置有模拟电路等。具体来说,配置有图4、图5的D/A转换电路25、温度传感器26、A/D转换电路27、分数-N型PLL电路28、输出电路22或存储部24等的电路。
在图15中示出了中继基板100的具体例。中继基板100是所谓的平衡架形状,具有在俯视观察板状的中继基板100时开口的应力缓和用的孔部(1个或多个孔部)。具体来说,中继基板100具有:框状的支承部102,其固定于电路装置20;框状的第1摆动部103,其位于支承部102的内侧;第2摆动部104,其位于第1摆动部103的内侧,固定于振子10;梁部106、107,它们将支承部102和第1摆动部103连接起来;以及梁部108、109,它们将第1摆动部103和第2摆动部104连接起来。
支承部102为矩形的框状。并且,如图6~图10所说明的那样,导电性凸块B1~B4形成在电路装置20的端子T1~T4上,具有接合性,通过采用了导电性凸块B1~B4的连接,将支承部102固定于电路装置20。例如,端子T1、T2的导电性凸块B1、B2被连接固定于图15的中继基板100的支承部102的端子110、114。端子T3、T4在支承部102上被连接固定在与端子110、114对置的部位。这样,通过将中继基板100的支承部102的两侧固定于电路装置20,能够使中继基板100的姿势保持稳定,抑制中继基板100的不必要的移位、振动等。
并且,位于支承部102的内侧的第1摆动部103和位于第1摆动部103的内侧的第2摆动部104为矩形的板状。并且,如图6~图10所说明的那样,通过采用了导电性凸块BT1、BT2的连接来固定振子10,其中,该导电性凸块BT1、BT2形成在第2摆动部104的下表面,具有接合性。
并且,梁部106、107位于第1摆动部103的两侧,以双臂支承第1摆动部103的方式将第1摆动部103和支承部102连接起来。由此,第1摆动部103能够相对于支承部102绕连接梁部106、107的线段进行摆动。并且,梁部108、109位于第2摆动部104的两侧,以双臂支承第2摆动部104的方式将第2摆动部104和第1摆动部103连接起来。由此,第2摆动部104能够相对于第1摆动部103绕连接梁部108、109的线段进行摆动。
根据这种结构的中继基板100,能够使应力从固定于电路装置20的支承部102传递到固定有振子10的第2摆动部104的传递路径蜿蜒,因此能够尽可能地确保该传递路径较长。由此,因封装体3或电路装置20的变形而产生的应力在从支承部102到第2摆动部104的期间被有效地吸收、缓和,能够有效地抑制应力传递到固定于第2摆动部104的振子10。因此,不容易引起振子10的驱动特性的变化(振荡频率的变动),振子10能够发挥出优异的振动特性。
并且,如图15所示,在中继基板100的支承部102形成有端子110、114。如上述那样,端子110、114与形成于电路装置20的端子T1、T2的导电性凸块B1、B2连接。并且,端子110经由形成于中继基板100的布线111、112而与设置在第2摆动部104的底面的端子113电连接。端子114经由形成于中继基板100的布线115、116而与设置于第2摆动部104的底面的端子117电连接。并且,端子113、117采用导电性凸块BT1、BT2而与振子10的端子14、15连接。端子14、15经由布线16、17与作为振子10的激励电极的电极12、13连接。这样,电路装置20的端子T1经由导电性凸块B1、中继基板100的端子110、布线111、112和端子113、导电性凸块BT1、振子10的端子14以及布线16而与振子10的电极12电连接。并且,电路装置20的端子T2经由导电性凸块B2、中继基板100的端子114、布线115、116和端子117、导电性凸块BT2、振子10的端子15以及布线17而与振子10的电极13电连接。由此,采用与端子T1、T2连接的电路装置20的驱动电路30对振子10的电极12、13进行驱动,从而能够使振子10振动。
图16是在图8的频率调整工序中采用的工具120的说明图。图8的频率调整工序是在将由电路装置20、中继基板100和振子10层叠而成的振子单元9载置于工具120的状态下进行的。工具120具有探针PV1、PV2、PV3、PV4,当将振子单元9载置于工具120时,电路装置20的TM、TV、TG、TC各个端子与工具120的PV1、PV2、PV3、PV4各个探针接触。并且,工具120具有用于避免与中继基板100和振子10接触的开口部122。通过采用这样的工具120,能够将从电路装置20的监测端子TM输出的监测信号MNT经由探针PV1输入到测量装置,从而使用在对振子10的振动特性进行调整时的振动特性的监测中。并且,能够经由探针PV2、PV3对电路装置20的电源端子TV、TG供给电源VDD、VSS,从而在对振子10的振动特性进行调整时使电路装置20进行动作。并且,能够经由探针PV4向电路装置20的控制端子TC输入控制信号而进行电路装置20的控制。另外,在俯视观察电路装置20的有源面AF时,监测端子TM、电源端子TV、TG、控制端子TC配置在不与中继基板100或振子10重叠的位置,因此构成为容易使探针PV1、PV2、PV3、PV4与监测端子TM、电源端子TV、TG、控制端子TC接触。
这样,将由电路装置20、中继基板100和振子10层叠而成的振子单元9载置于工具120,然后如图8所说明的那样,向振子10的电极12照射离子束IB。由此,能够对振子10的振荡频率等振动特性进行调整。在该情况下,在振子单元9中,电路装置20的端子T1、T2处于与振子10的电极12、13电连接的状态。因此,在通过电路装置20的驱动电路30对振子10进行驱动的状态下,测量装置能够经由探针PV1取得来自电路装置20的监测端子TM的监测信号MNT。而且,能够一边采用监测信号MNT对振子10的振动特性的变化进行监测,一边通过离子束IB对振子10的振荡频率等振动特性进行调整。
接着,对振动器件2的制造方法进行说明。例如,图17是对图11、图12的比较例中的振动器件302的制造方法进行说明的流程图。首先,进行电路装置320的制造(步骤S11)。然后,如图11所说明的那样进行对振子310单体的频率的粗调(步骤S12)。接着,安装电路装置320(步骤S13),然后安装振子310(步骤S14)。然后,如图12所示,进行封装体密封(步骤S15)。最后进行基于电路装置320的内部功能的频率微调(步骤S16)。
图18是对本实施方式的振动器件2的制造方法进行说明的流程图。首先,进行电路装置20的制造(步骤S21)。即,在该制造工序中,制造出电路装置20,该电路装置20具有:驱动电路30,其对振子10进行驱动;端子T1,其输出从驱动电路30到振子10的输出信号;端子T2,其被输入从振子10到驱动电路30的输入信号;以及端子T3。具体来说,制造出形成有这种结构的多个电路装置20的电路图案(晶体管或信号线的图案)的半导体晶片,然后利用切割将作为IC芯片的电路装置20从该半导体晶片分离而进行制造。关于振子10和中继基板100,也准备由石英板等构成的薄板状的晶片,利用蚀刻对晶片形成图案而进行制造。
接着,对振子10、中继基板100和电路装置20进行安装(步骤S22)。具体来说,在该安装工序中,以如下方式对振子10和电路装置20进行配置:电路装置20的端子T1与振子10的电极12电连接,电路装置20的端子T2与振子10的电极13电连接,振子10采用形成于端子T1、T2、T3的导电性凸块B1、B2、B3而被支承在电路装置20的有源面AF侧。由此,如图6和图7所说明的那样,制作出安装有振子10、中继基板100和电路装置20的振子单元9。
接着,一边利用电路装置20的驱动电路30(振荡电路21)进行驱动一边进行频率的粗调(步骤S23)。即,如图8所说明的那样,在通过电路装置20的驱动电路30对振子10进行驱动的状态下,一边利用监测端子TM对监测信号MNT进行监测,一边向电极12照射离子束IB而进行频率的粗调。然后,进行封装体密封(步骤S24)。即,如图9和图10所说明的那样,将由振子10、中继基板100和电路装置20构成的振子单元9收纳在封装体3中而进行气密密封。接着,最后进行基于电路装置20的内部功能的频率的微调(步骤S25)。例如对设置于电路装置20的振荡电路21的可变电容电路的电容值进行调整,从而进行频率的最终调整。这样,能够实现制造出提高了振动特性的振动器件2的制造方法。
3.物理量测量装置
以上,主要以振动器件2是振荡器的情况为例进行了说明,但本实施方式的振动器件2也可以是用于测量物理量的物理量测量装置(物理量检测装置)。作为要测量的物理量,可想到角速度、加速度、角加速度、速度、距离或时间等各种物理量。在图19和图20中示出了作为这种物理量测量装置的振动器件2的结构例。
图19的振动器件2包含振子10和电路装置20,电路装置20包含驱动电路30、检测电路60以及输出电路22。具体来说,电路装置20包含检测电路60,该检测电路60根据来自被驱动电路30驱动的振子10的检测信号S1、S2,检测与检测信号S1、S2对应的物理量信息。然后,输出电路22根据来自检测电路60的信号,输出作为监测信号的检测电压VOUT。
振子10(传感器元件、物理量换能器)是用于检测物理量的元件,该振子10具有振动片41、42、驱动电极43、44、检测电极45、46以及接地电极47。振动片41、42例如是由石英等压电材料的薄板形成的压电型振动片。具体来说,振动片41、42是由Z切割的石英基板形成的振动片。另外,振动片41、42的压电材料也可以是除石英以外的陶瓷、硅等材料。
向驱动电极43供给来自电路装置20的驱动电路30的驱动信号DS(广义上是指输出信号),由此,驱动用的振动片41进行振动。振动片41例如是后述的图21的驱动臂48A~48D。并且,向驱动电路30输入来自驱动电极44的反馈信号DG(广义上是指输入信号)。例如,由于振动片41振动而产生的反馈信号DG被输入到驱动电路30。
而且,驱动用的振动片41进行振动,由此,检测用的振动片42进行振动,由该振动产生的电荷(电流)作为检测信号S1、S2从检测电极45、46输入到检测电路60。这里,接地电极47被设定为接地电位(GND)。检测电路60根据这些检测信号S1、S2,检测与检测信号S1、S2对应的物理量信息(角速度等)。另外,以下,主要以振子10为陀螺仪传感器元件的情况为例来进行说明,但本实施方式并不限定于此,也可以是检测加速度等其他物理量的元件。并且,作为振子10,例如能够使用后述图21那样的双T型构造的振动片,但也可以是音叉型或H型等的振动片。
如图19所示,电路装置20包含端子T1、T2、T5、T6、监测端子TM、驱动电路30、检测电路60以及输出电路22。从端子T1(第1端子)向振子10输出作为驱动电路30的输出信号的驱动信号DS。向端子T2(第2端子)输入作为从振子10到驱动电路30的输入信号的反馈信号DG。驱动电路30可以包含输入来自振子10的反馈信号DG而进行信号放大的放大电路、进行自动增益控制的AGC电路(增益控制电路)、以及向振子10输出驱动信号DS的输出电路等。例如,AGC电路可变地自动调整增益,以使来自振子10的反馈信号DG的振幅保持恒定。AGC电路可以由对来自放大电路的信号进行全波整流的全波整流器、进行全波整流器的输出信号的积分处理的积分器等实现。输出电路例如输出矩形波的驱动信号DS。在该情况下,输出电路可以由比较器和缓冲电路等实现。另外,输出电路也可以输出正弦波的驱动信号DS。并且,驱动电路30例如根据放大电路的输出信号来生成同步信号SYC,并输出到检测电路60。
检测电路60可以包含放大电路、同步检波电路、调整电路等。放大电路经由端子T1、T2被输入来自振子10的检测信号S1、S2,进行检测信号S1、S2的电荷-电压转换、信号放大。检测信号S1、S2构成了差动信号。具体来说,放大电路可以包含:第一Q/V转换电路,其对检测信号S1进行放大;第二Q/V转换电路,其对检测信号S2进行放大;以及差动放大器,其对第一、第二Q/V转换电路的输出信号进行差动放大。同步检波电路进行采用了来自驱动电路30的同步信号SYC的同步检波。例如,进行用于从检测信号S1、S2提取期望波的同步检波。调整电路进行用于零点校正的偏移调整、用于灵敏度调整的增益校正。并且,检测电路60可以包含滤波电路,该滤波电路使无法通过同步检波等完全去除的无用信号衰减。
输出电路22对来自检测电路60的检测电压VOUT进行缓冲而作为监测信号经由监测端子TM输出到外部。以陀螺仪传感器为例,检测电压VOUT是电压根据检测出的角速度而发生变化的电压信号。
在图20中,与图19不同,检测电路60具有A/D转换电路。并且,来自检测电路60的数字检测数据被输入到处理电路90。处理电路90根据来自检测电路60的检测数据,进行用于偏移调整的校正处理、用于灵敏度调整的校正处理等各种校正处理。输出电路22将来自处理电路90的校正处理后的检测数据DOUT作为监测信号经由监测端子TM输出到外部。该情况下的输出电路22例如也可以由I2C、SPI等接口电路实现。
在图21中示出了双T型构造的振子10的结构的一例。振子10具有驱动臂48A、48B、48C、48D、检测臂49A、49B、基部51和连结臂52A、52B。检测臂49A、49B相对于矩形的基部51向+Y轴方向、-Y轴方向延伸。并且,连结臂52A、52B相对于基部51向+X轴方向、-X轴方向延伸。并且,驱动臂48A、48B从连结臂52A的末端部起向+Y轴方向、-Y轴方向延伸,驱动臂48C、48D从连结臂52B的末端部起向+Y轴方向、-Y轴方向延伸。设置于驱动臂48A、48B、48C、48D的末端侧的宽度较宽的锤部58A、58B、58C、58D(锤头)和设置于检测臂49A、49B的末端侧的宽度较宽的锤部59A、59B(锤头)作为频率调整用的锤来使用。在将Z轴设为振子10的厚度方向时,振子10检测绕Z轴的角速度。X轴和Y轴是垂直于Z轴的坐标轴,X轴和Y轴互相垂直。X轴、Y轴、Z轴也分别被称为石英基板的电轴、机械轴、光轴。
在驱动臂48A、48B的上表面和下表面形成有驱动电极43,在驱动臂48A、48B的右侧面和左侧面形成有驱动电极44。在驱动臂48C、48D的上表面和下表面形成有驱动电极44,在驱动臂48C、48D的右侧面和左侧面形成有驱动电极43。并且,来自驱动电路30的驱动信号DS(广义上是指输出信号)被供给到驱动电极43(广义上是指第1电极),来自驱动电极44(广义上是指第2电极)的反馈信号DG(广义上是指输入信号)被输入到驱动电路30。在检测臂49A的上表面和下表面形成有检测电极45,在检测臂49A的右侧面和左侧面形成有接地电极47。在检测臂49B的上表面和下表面形成有检测电极46,在检测臂49B的右侧面和左侧面形成有接地电极47。并且,来自检测电极45、46的检测信号S1、S2被输入到检测电路60。
接着,使用图21对振动器件2的动作进行说明。当利用驱动电路30对驱动电极43施加驱动信号DS时,驱动臂48A、48B、48C、48D通过逆压电效应进行图21的箭头C1所示的弯曲振动(激励振动)。例如,按照规定的频率反复处于用实线的箭头表示的振动姿态和用虚线的箭头表示的振动姿态。即,进行使驱动臂48A、48C的末端反复互相接近和远离、使驱动臂48B、48D的末端也反复互相接近和远离的弯曲振动。此时,驱动臂48A和48B与驱动臂48C和48D进行相对于穿过基部51的重心位置的X轴呈线对称的振动,因此,基部51、连结臂52A、52B、检测臂49A、49B几乎不振动。
在该状态下,当对振子10施加以Z轴为旋转轴的角速度时(当振子10绕Z轴进行旋转时),驱动臂48A、48B、48C、48D因哥氏力而如箭头C2所示的那样进行振动。即,与箭头C1的方向和Z轴的方向垂直的箭头C2的方向的哥氏力作用于驱动臂48A、48B、48C、48D,由此,产生箭头C2的方向的振动成分。该箭头C2的振动经由连结臂52A、52B传递到基部51,由此,检测臂49A、49B按照箭头C3的方向进行弯曲振动。因该检测臂49A、49B的弯曲振动的压电效应而产生的电荷信号作为检测信号S1、S2输入到检测电路60,从而检测绕Z轴的角速度。例如,当将绕Z轴的振子10的角速度设为ω、质量设为m、振动速度设为v时,哥氏力表示为Fc=2m·v·ω。因此,检测电路60通过检测作为与哥氏力对应的信号的期望信号,能够求出绕Z轴的角速度ω。
在图21的锤部58A~58D、59A、59B形成有质量调整用膜(未图示)。利用离子束(电子束)或激光的照射将该质量调整用膜的一部分去除(修整),由此,例如能够对驱动频率(驱动模式的谐振频率)、检测频率(检测模式的谐振频率)进行调整。由此,能够进行失谐频率(驱动频率与检测频率之差)的调整、陀螺仪的零点调整等。并且,在本实施方式中,在图19~图21中,在通过驱动电路30对振子10进行驱动的状态下,能够采用形成于电路装置20的端子T1、T2和虚设的端子(T3、T4)的导电性凸块而将振子10支承在电路装置20的有源面侧。然后,能够一边利用驱动电路30对振子10进行驱动,一边将图21的锤部58A~58D、59A、59B的质量调整用膜的一部分去除。此时,由于能够将在图19、图20中作为监测信号的检测电压VOUT、检测数据DOUT输出到外部的测量装置,因此能够对振子10的因去除质量调整用膜的调整而发生变化的振动特性进行监测。因此,能够提高振子10的振动特性,实现了物理量测量装置对角速度等物理量的检测精度的提高等。
4.电子设备、移动体
在图22中示出了包含本实施方式的振动器件2(电路装置20)的电子设备500的结构例。该电子设备500包含:振动器件2,其具有电路装置20和振子10;以及处理部520。还可以包含通信部510、操作部530、显示部540、存储部550、天线ANT。
作为电子设备500,例如可想到基站或者路由器等互联网关联设备、测量距离、时间、流速或者流量等物理量的高精度的测量设备、测定生物体信息的生物体信息测定设备(超声波测量装置、脉搏计、血压测量装置等)、车载设备(自动驾驶用的设备等)等。此外,作为电子设备500,可想到头部佩戴型显示装置或钟表关联设备等可穿戴设备、机器人、打印装置、投影装置、便携信息终端(智能手机等)、发布内容的内容提供设备、或者数字照相机或摄像机等影像设备等。
通信部510(通信接口)进行经由天线ANT从外部接收数据、或向外部发送数据的处理。处理部520(处理器)进行电子设备500的控制处理、以及经由通信部510而收发的数据的各种数字处理等。处理部520的功能例如可通过微型计算机等的处理器实现。操作部530(操作接口)用于供用户进行输入操作,可通过操作按钮、触摸面板显示器等实现。显示部540用于显示各种信息,可通过液晶、有机EL等显示器实现。存储部550用于存储数据,其功能可通过RAM、ROM等半导体存储器、HDD(硬盘驱动器)等实现。
在图23中示出了包含本实施方式的振动器件2(电路装置20)的移动体的例子。本实施方式的振动器件2(振荡器、物理量测量装置)能够组装至例如汽车、飞机、摩托车、自行车、机器人或船舶等各种移动体。移动体例如是具有发动机或马达等驱动机构、方向盘或舵等转向机构以及各种电子设备、且在陆地上、空中或海上移动的设备或装置。图23概要地示出作为移动体的具体例的汽车206。在汽车206中组装本实施方式的振动器件2。控制装置208根据由该振动器件2生成的时钟信号或所测量出的物理量信息进行各种控制处理。例如,在测量出汽车206周围的物体的距离信息作为物理量信息的情况下,控制装置208采用测量出的距离信息进行用于自动驾驶的各种控制处理。控制装置208能够根据例如车体207的姿势控制悬架的软硬,或者控制各个车轮209的制动。另外,组装有本实施方式的振动器件2的设备不限于这样的控制装置208,能够组装到设于汽车206或机器人等移动体中的各种设备。
此外,虽然如以上那样对本实施方式进行了详细说明,但本领域技术人员应当能够容易地理解可进行实质上未脱离本发明的新事项以及效果的多种变形。因此,这种变形例全部包含在本发明的范围内。此外,在说明书或附图中,对于至少一次地与更广义或同义的不同用语一起记载的用语,在说明书或附图的任何位置处,都可以将其置换为不同的用语。此外,本实施方式和变形例的所有组合也包含于本发明的范围内。并且,振动器件、电路装置、电子设备、移动体的结构/动作、振动器件中的振子、中继基板、电路装置的配置结构、连接结构等也并不限定于本实施方式所说明的结构,能够实施各种变形。

Claims (19)

1.一种振动器件,其特征在于,该振动器件包含:
振子,其具有第1电极和第2电极;以及
电路装置,其具有驱动电路和输出电路,该驱动电路对所述振子进行驱动,该输出电路输出与被所述驱动电路驱动时的所述振子的振动特性对应的监测信号,
所述电路装置包含:
第1端子,其与所述第1电极电连接,输出从所述驱动电路到所述振子的输出信号;
第2端子,其与所述第2电极电连接,被输入从所述振子到所述驱动电路的输入信号;
第3端子,其不与所述第1电极和所述第2电极电连接;以及
监测端子,其输出所述监测信号,
所述振子利用设置于所述第1端子、所述第2端子和所述第3端子的导电性凸块而被支承在所述电路装置的有源面侧。
2.根据权利要求1所述的振动器件,其特征在于,
在俯视观察所述电路装置的所述有源面时由所述有源面的中央线划分出的第1区域和第2区域中,在所述第1区域内设置有所述第1端子和所述第2端子,在所述第2区域内设置有所述第3端子。
3.根据权利要求1或2所述的振动器件,其特征在于,
所述驱动电路设置在与所述第3端子相比更靠近所述第1端子和所述第2端子的位置。
4.根据权利要求1或2所述的振动器件,其特征在于,
该振动器件包含中继基板,该中继基板设置于所述振子与所述电路装置之间,具有将所述电路装置的所述第1端子与所述振子的所述第1电极电连接的布线和将所述电路装置的所述第2端子与所述振子的所述第2电极电连接的布线,
所述中继基板被所述电路装置的所述第1端子、所述第2端子和所述第3端子的所述导电性凸块支承,所述振子隔着所述中继基板被支承在所述电路装置的所述有源面侧。
5.根据权利要求1或2所述的振动器件,其特征在于,
所述电路装置包含第4端子,该第4端子不与所述振子的所述第1电极和所述第2电极电连接,
所述振子利用设置于所述第1端子、所述第2端子、所述第3端子和所述第4端子的导电性凸块而被支承在所述电路装置的所述有源面侧。
6.根据权利要求1或2所述的振动器件,其特征在于,
在俯视观察所述电路装置的所述有源面时,所述监测端子设置在不与所述振子重叠的位置。
7.根据权利要求1或2所述的振动器件,其特征在于,
所述电路装置包含振荡电路,该振荡电路具有所述驱动电路,通过所述驱动电路对所述振子进行驱动而使所述振子振荡,
所述输出电路根据来自所述振荡电路的信号输出所述监测信号。
8.根据权利要求1或2所述的振动器件,其特征在于,
所述电路装置包含检测电路,该检测电路根据来自被所述驱动电路驱动的所述振子的检测信号,检测与所述检测信号对应的物理量信息,
所述输出电路根据来自所述检测电路的信号输出所述监测信号。
9.根据权利要求1或2所述的振动器件,其特征在于,
所述监测信号是表示对所述振子进行加工来调整所述振动特性时的随调整而变化的所述振动特性的信号。
10.根据权利要求1或2所述的振动器件,其特征在于,
所述监测端子的面积比所述第1端子、所述第2端子和所述第3端子各自的面积大。
11.根据权利要求1或2所述的振动器件,其特征在于,
在俯视观察所述有源面时,所述电路装置为矩形,
所述监测端子配置在所述电路装置的4个角部区域中的1个角部区域。
12.根据权利要求11所述的振动器件,其特征在于,
所述电路装置包含:
第1电源端子,其在监测所述振动特性时被供给高电位侧电源;以及
第2电源端子,其在监测所述振动特性时被供给低电位侧电源,
所述第1电源端子和所述第2电源端子配置在所述4个角部区域中的除所述1个角部区域以外的角部区域。
13.根据权利要求1或2所述的振动器件,其特征在于,
所述电路装置具有与振动器件的外部端子电连接的信号端子,
在俯视观察所述电路装置的所述有源面时,所述信号端子设置在不与所述振子重叠的位置。
14.根据权利要求13所述的振动器件,其特征在于,
所述信号端子的剖视观察时的高度比所述监测端子的所述剖视观察时的高度高。
15.根据权利要求1或2所述的振动器件,其特征在于,
所述电路装置相对于振动器件的封装体进行面朝下安装。
16.一种电路装置,其特征在于,该电路装置包含:
驱动电路,其对具有第1电极和第2电极的振子进行驱动;
输出电路,其输出与被所述驱动电路驱动时的所述振子的振动特性对应的监测信号;
第1端子,其与所述第1电极电连接,输出从所述驱动电路到所述振子的输出信号;
第2端子,其与所述第2电极电连接,被输入从所述振子到所述驱动电路的输入信号;
第3端子,其不与所述振子的所述第1电极和所述第2电极电连接;以及
监测端子,其输出所述监测信号,
在所述第1端子、所述第2端子和所述第3端子处设置有将所述振子支承在电路装置的有源面侧的导电性凸块。
17.一种振动器件的制造方法,其特征在于,该振动器件的制造方法包含如下的工序:
制造工序,制造出如下的电路装置:该电路装置具有驱动电路、输出电路、监测端子、第1端子、第2端子以及第3端子,其中,该驱动电路对具有第1电极和第2电极的振子进行驱动,该输出电路输出与被所述驱动电路驱动时的所述振子的振动特性对应的监测信号,该监测端子输出所述监测信号,该第1端子输出从所述驱动电路到所述振子的输出信号,该第2端子被输入从所述振子到所述驱动电路的输入信号;以及
安装工序,以如下方式对所述振子和所述电路装置进行配置:所述第1端子与所述第1电极电连接,所述第2端子与所述第2电极电连接,所述第3端子不与所述第1电极和所述第2电极电连接,利用设置于所述第1端子、所述第2端子和所述第3端子的导电性凸块将所述振子支承在所述电路装置的有源面侧。
18.一种电子设备,其特征在于,该电子设备包含权利要求1~15中的任意一项所述的振动器件。
19.一种移动体,其特征在于,该移动体包含权利要求1~15中的任意一项所述的振动器件。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7135576B2 (ja) * 2018-08-17 2022-09-13 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器および移動体
JP2021132314A (ja) * 2020-02-20 2021-09-09 セイコーエプソン株式会社 振動素子、振動デバイス、電子機器、移動体および振動素子の製造方法
US11929709B2 (en) * 2020-03-30 2024-03-12 Daishinku Corporation Oven-controlled crystal oscillator
JP2022082997A (ja) * 2020-11-24 2022-06-03 セイコーエプソン株式会社 発振器および製造方法
JPWO2022181546A1 (zh) * 2021-02-25 2022-09-01
JP2023018236A (ja) * 2021-07-27 2023-02-08 セイコーエプソン株式会社 回路装置及び発振器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012172970A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Seiko Epson Corp 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、モーションセンサー、および電子機器
JP2015088812A (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 セイコーエプソン株式会社 振動子、振動子の製造方法、発振器、電子機器、および移動体
CN104617909A (zh) * 2013-11-05 2015-05-13 精工爱普生株式会社 振子、振荡器、电子设备以及移动体
JP2015139034A (ja) * 2014-01-21 2015-07-30 セイコーエプソン株式会社 振動子、発振器、電子機器及び移動体

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4415365B2 (ja) 2003-03-19 2010-02-17 セイコーエプソン株式会社 振動子の検出離調の測定方法およびその調整方法
JP4539708B2 (ja) * 2007-11-02 2010-09-08 エプソントヨコム株式会社 圧電振動片、圧電振動子および加速度センサ
JP5476964B2 (ja) * 2009-12-09 2014-04-23 セイコーエプソン株式会社 振動子、発振器、ジャイロ及び電子機器
JP2011160350A (ja) * 2010-02-03 2011-08-18 Seiko Instruments Inc 圧電振動片、圧電振動子、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計
JP5838691B2 (ja) 2011-09-27 2016-01-06 セイコーエプソン株式会社 振動子の周波数調整方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012172970A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Seiko Epson Corp 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、モーションセンサー、および電子機器
JP2015088812A (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 セイコーエプソン株式会社 振動子、振動子の製造方法、発振器、電子機器、および移動体
CN104617909A (zh) * 2013-11-05 2015-05-13 精工爱普生株式会社 振子、振荡器、电子设备以及移动体
JP2015139034A (ja) * 2014-01-21 2015-07-30 セイコーエプソン株式会社 振動子、発振器、電子機器及び移動体

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