CN105391418A - 电子部件、振荡器、电子设备以及移动体 - Google Patents

电子部件、振荡器、电子设备以及移动体 Download PDF

Info

Publication number
CN105391418A
CN105391418A CN201510493013.1A CN201510493013A CN105391418A CN 105391418 A CN105391418 A CN 105391418A CN 201510493013 A CN201510493013 A CN 201510493013A CN 105391418 A CN105391418 A CN 105391418A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wiring
conductor layer
electronic unit
vibrating reed
electronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510493013.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105391418B (zh
Inventor
竹林祐一
保坂公司
山口嘉之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN105391418A publication Critical patent/CN105391418A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105391418B publication Critical patent/CN105391418B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0542—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a lateral arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/067—Forming single-layered electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Abstract

电子部件、振荡器、电子设备以及移动体，能够得到稳定的振荡特性。电子部件(200)具有：振荡电路(50)，其与振动片电连接；基板(14)，其具有第1面(14a)以及作为第1面(14a)的相反面的第2面(14b)，第1面(14a)配置有振荡电路(50)且配置有布线(42)，布线(42)与振动片(20)以及振荡电路(50)电连接，形成振荡环路。基板(14)在第1面(14a)和第2面(14b)之间具有导体层(12)，导体层(12)在俯视时与布线(42)重合，作为沿着与第1面(14a)和第2面(14b)交叉的方向的厚度方向上的、布线(42)和导体层(12)之间的距离为0.35mm以上且0.7mm以下。

Description

电子部件、振荡器、电子设备以及移动体
技术领域
本发明涉及电子部件、振荡器、电子设备以及移动体。
背景技术
以往，在通信设备领域中，为了得到稳定的频率，使用了具有振荡电路的电子部件，该振荡电路使用由石英等压电体形成的振动片，输出期望的频率的信号。为了减少将电子部件搭载到搭载基板上时产生的、搭载基板的布线图案及配置在附近的部件或电路的影响导致的频率变动，提出了在电子部件的基板上设置有导体层的电子部件。例如专利文献1所记载那样，公开了在决定振荡电路的振荡频率的谐振电路部分与安装面之间形成有屏蔽用导电膜的压电振荡器。
专利文献1：日本特开2001－177346号公报
但是，根据专利文献1记载的结构的电子部件(压电振荡器)，减少了将电子部件搭载到搭载基板上时的频率变动，但设置于电子部件的基板安装面的布线图案与设置于基板内部的导体层之间形成的静电电容值增大。该静电电容值的增大导致振荡电路的负电阻不足，由此，振荡电路的振荡特性有可能变得不稳定。
发明内容
本发明是为了解决上述问题的至少一部分而完成的，可以作为以下的方式或应用例来实现。
[应用例1]本应用例的电子部件的特征在于，具有：振荡电路，其与振动片电连接；以及基板，其具有第1面以及作为所述第1面的相反面的第2面，所述第1面配置有所述振荡电路且配置有布线，所述布线与所述振动片以及所述振荡电路电连接，形成振荡环路，所述基板在所述第1面和所述第2面之间具有导体层，所述导体层在俯视时与所述布线重合，所述布线和所述导体层的作为沿着与所述第1面和所述第2面交叉的方向的厚度方向上的、所述布线和所述导体层之间的距离为0.35mm以上且0.7mm以下。
根据本应用例，电子部件具有基板和振荡电路，例如通过连接由石英等压电体形成的振动片而作为振荡器发挥功能。基板在第1面和作为第1面的相反面的第2面之间具有导体层，在基板的第1面上配置有布线，布线与振动片以及振荡电路连接，形成振荡环路。布线与导体层在俯视时重合，因此，在布线与导体层之间，形成与布线和导体层在厚度方向(与第1面和第2面交叉的方向)上的距离对应的静电电容值。在电子部件中，为了使布线与导体层之间的静电电容值为规定的值以下，将布线与导体层之间的距离设定为0.35mm以上。由此，在电子部件、例如振荡器中，在布线与导体层之间形成的静电电容值稳定，能够使振荡电路的负电阻的绝对值变小的可能性减少，因此，能够使振荡器的特性例如振荡稳定度下降的可能性减少。因此，能够提供使振荡稳定度下降的可能性减少的电子部件。此外，通过将布线与导体层之间的距离设定为0.7mm以下，作为电子部件而成为通常的高度以下，由此，还能够有助于小型化。
[应用例2]本应用例的电子部件的特征在于，具有：振荡电路，其与振动片电连接；以及基板，其具有第1面以及作为所述第1面的相反面的第2面，所述第1面配置有所述振荡电路且配置有布线，所述布线与所述振动片以及所述振荡电路电连接，形成振荡环路，所述基板在所述第1面和所述第2面之间具有导体层，所述导体层在俯视时与所述布线重合，所述布线与所述导体层之间的静电电容值为0.6pF以上且0.8pF以下。
根据本应用例，电子部件具有基板和振荡电路，例如通过连接由石英等压电体形成的振动片而作为振荡器发挥功能。基板在第1面与作为第1面的相反面的第2面之间具有导体层，在基板的第1面上配置有布线，该布线与振动片以及振荡电路连接，形成振荡环路。布线与导体层在俯视时重合，因此，在布线与导体层之间形成与布线和导体层之间的距离对应的静电电容值。在电子部件中，将布线与导体层之间的静电电容值设定为0.8pF以下。由此，在电子部件、例如振荡器中，在布线与导体层之间形成的静电电容值稳定，能够使振荡电路的负电阻的绝对值变小的可能性减少，因此，能够使振荡器的特性例如振荡稳定度下降的可能性减少。此外，将布线与导体层之间的静电电容值设定为0.6pF以上，因此，不需要使布线与导体层之间的距离过于分离。能够使电子部件收敛于规定的高度。因此，能够提供使振荡稳定度下降的可能性减少的电子部件。
[应用例3]、[应用例4]在上述应用例所述的电子部件中，优选的是，所述基板的相对介电常数为9以上且10以下。
根据本应用例，电子部件使用了相对介电常数为9以上且10以下的基板。作为相对介电常数为9以上且10以下的基板材料，例如可以使用氧化铝(Al2O3)陶瓷。陶瓷的刚性高，热膨胀率小，因此，通过对基板使用陶瓷，能够提供可靠性高的电子部件。
[应用例5]、[应用例6]在上述应用例所述的电子部件中，优选的是，布线的面积为1.65mm2以上且2.0mm2以下。
根据本应用例，在电子部件的基板上设置了具有1.65mm2以上且2.0mm2以下的面积的布线。通过将布线的总面积设为1.65mm2以上，能够设置用于形成振荡环路的布线、和搭载在布线上的部件的接合区(land)图案。通过将布线的总面积设为2.0mm2以下，能够构成布线与导体层之间的静电电容值为0.8pF(规定的值)以下的基板。
[应用例7]、[应用例8]上述应用例所述的电子部件优选还具有电子元件，所述电子元件被配置在所述第1面上且与所述布线连接，在俯视时与所述导体层重合。
根据本应用例，电子部件例如具有用于进行振动片和振荡电路等的特性调整的电阻、电容器、电感器等无源元件，或者半导体元件等有源元件等电子元件。电子元件设置在俯视时与导体层重合的位置，因此，将电子部件搭载到搭载基板上时的、搭载基板的布线图案及配置在附近的部件等带来的影响减少，在电子元件与导体层之间形成的静电电容值稳定。由此，能够使将电子部件搭载到搭载基板前后的作为电子部件的特性变动减少。
[应用例9]、[应用例10]在上述应用例所述的电子部件中，优选的是，所述电子元件为电感器。
根据本应用例，在电子部件中具有电感器作为电子元件，该电感器扩大了可改变连接振动片而进行振荡的频率的频率可变范围，并且提高了可变范围的线性。由此，在电感器与导体层之间形成的静电电容值稳定，因此，能够使将电子部件搭载到搭载基板前后的频率可变范围的变动减少。
[应用例11]、[应用例12]在上述应用例所述的电子部件中，优选的是，所述导体层被接地。
根据本应用例，导体层被接地，因此导体层的电平恒定。由此，将电子部件搭载到搭载基板上时的、搭载基板的布线图案及配置在附近的部件等带来的影响减少，在布线与导体层之间形成的静电电容值稳定，因此，能够使将电子部件搭载到搭载基板前后的特性变动、例如频率变动减少。
[应用例13]、[应用例14]本应用例的振荡器的特征在于，具有：上述应用例所述的电子部件；以及振动片。
根据本应用例，振荡器具有能够得到稳定的振荡特性的电子部件、和与电子部件连接并进行振荡的振动片，因此，能够提供可得到稳定的振荡特性的振荡器。
[应用例15]、[应用例16]在上述应用例所述的振荡器中，其特征在于，所述振动片在俯视时与所述导体层重合。
根据本应用例，振动片被设置在俯视时与导体层重合的位置，因此，将振荡器搭载到搭载基板上时的、搭载基板的布线图案及配置在附近的部件等带来的影响减少，在振动片与导体层之间形成的静电电容值稳定。由此，能够使将振荡器搭载到搭载基板前后的特性变动、例如频率变动下降。
[应用例17]、[应用例18]本应用例的电子设备的特征在于，具有上述应用例所述的电子部件。
根据本应用例，电子设备具有能够得到稳定的振荡特性的电子部件，因此，能够提供利用稳定的振荡特性进行了控制的、可靠性高的电子设备。
[应用例19]、[应用例20]本应用例的移动体的特征在于，具有上述应用例所述的电子部件。
根据本应用例，移动体具有能够得到稳定的振荡特性的电子部件，因此，能够提供利用稳定的振荡特性进行了控制的、可靠性高的移动体。
附图说明
图1是示出实施方式1的振荡器的概略结构的示意性俯视图。
图2是图1中的A－A线处的剖视图。
图3是示出布线和导体层之间的距离与静电电容值之间的关系的曲线图。
图4是示出作为用于说明负电阻的一例的振荡电路及其等效电路的图。
图5是示出振荡器的电路结构的图。
图6是示出布线和导体层之间的距离、振荡特性以及频率可变范围之间的关系的表。
图7是示出实施方式2的电子部件的概略结构的示意性俯视图。
图8是图7中的C－C线处的剖视图。
图9是示出作为具有电子部件的电子设备的移动型(或笔记本型)的个人计算机的结构的立体图。
图10是示出作为具有电子部件的电子设备的移动电话的立体图。
图11是示出作为具有电子部件的电子设备的数码照相机的立体图。
图12是示出作为具有电子部件的移动体的汽车的立体图。
标号说明
10、210：容器；11、211：第1基板；12、212：导体层；13、213：第2基板；14、214：基板；14a、214a：第1面；14b、214b：第2面；15：第1框体；16：第2框体；17：接缝环；18、218：封装主体；19：盖体；20：振动片；22、22a、22b：变容二极管电容器；24：电感器；31：腔室；42：布线；44：内部电极；46、246：过孔；48：连接部件；50：振荡电路；52：接合线；54、254：外部连接端子；60：CMOS反相器；70：VC端子；72、74：电阻；76、78：电容器；100：振荡器；200：电子部件；216：框体；1100：个人计算机；1200：移动电话；1300：数码照相机；1500：汽车；1510：电子控制单元。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，在以下各图中，为了将各层和各部件设为能够识别程度的大小，使各层和各部件的尺寸与实际不同。
此外，在图1、图2、图7、图8中，为了便于说明，图示出了X轴，Y轴和Z轴作为相互垂直的三个轴，将图示出轴方向的箭头的前端侧设为了“+侧”、基端侧设为了“－侧”。并且以下，将与X轴平行的方向称作“X轴方向”、与Y轴平行的方向称作“Y轴方向”、与Z轴平行的方向称作“Z轴方向”。
(实施方式1)
＜振荡器的概略结构＞
图1是示出实施方式1的振荡器100的概略结构的示意性俯视图。图2是图1中的A－A线处的剖视图。本实施方式的振荡器100将电子部件与振动片20配备在同一容器10中，其中，所述电子部件通过电连接有振动片而作为振荡器发挥功能。
首先，使用图1以及图2，对实施方式1的振荡器100的概略结构进行说明。
如图1以及图2所示，振荡器100包含振荡电路50、振动片20、变容二极管电容器22、作为电子元件的一例的电感器24、容器10等。容器10为了容纳变容二极管电容器22、电感器24、振荡电路50以及振动片20，具有形成为矩形的箱状的封装主体18和盖体19。容器10的大致外形尺寸为长度7.0mm、宽度5.0mm、高度1.5mm。此外，在图1中，为了便于说明，透视盖体19而图示出。此外，作为电子元件，例示了电感器24来进行说明，但是不限于此。作为电子元件，也可以是电阻、电容器等无源元件、晶体管、二极管等有源元件或组合它们而成的半导体电路元件等。
封装主体18由以下部分构成：形成封装主体18的底部(－Z轴侧)的基板14；形成振荡电路50、变容二极管电容器22、电感器24的收纳空间以及振动片20的支承台的第1框体15；形成振动片20的收纳空间的第2框体16；以及作为与盖体19的接合材料的接缝环17。
基板14具有配置有与振动片20电连接的振荡电路50的第1面14a以及作为第1面14a的相反面的第2面14b。在基板14的第1面14a上具有布线42，该布线42与振动片20以及振荡电路50连接，形成振荡环路。本实施方式的振荡器100通过布线42连接有振荡电路50、振动片20、变容二极管电容器22以及电感器24，振荡环路构成为包含振荡电路50、振动片20以及电感器24。
基板14在第1面14a和第2面14b之间具有导体层12。具体而言，基板14由第1基板11、第2基板13以及在第1基板11和第2基板13之间形成的导体层12构成。导体层12被设置在作为第2基板13的+Z轴侧的面的第1面14a与作为第1基板11的－Z轴侧的面的第2面14b之间。
导体层12在俯视时与设置在第1面14a上的布线42重合，布线42与导体层12在厚度方向(Z轴方向)上的距离为0.35mm以上且0.7mm以下。与布线42电连接的电感器24以及振动片20在俯视时与导体层12重合。由此，在将振荡器100搭载到搭载基板上时，搭载基板的布线图案及配置在附近的部件等对振荡器100的影响减少，例如布线42、电感器24以及振动片20的至少一部分与搭载基板的布线图案及配置在附近的部件的至少一部分之间的电磁耦合减少，在布线42与导体层12之间、电感器24与导体层12之间以及振动片20与导体层12之间形成的静电电容值变得稳定。此外，在将振荡器100搭载到搭载基板上时，导体层还作为布线与搭载基板的布线图案及配置在附近的部件布线之间的屏蔽电极而发挥功能。因此，能够减少将振荡器100搭载到搭载基板前后的频率变动。此外，电感器24作为用于扩大能够调整频率的频率可变范围的所谓加长线圈而发挥功能，因此，能够减少将振荡器100搭载到搭载基板前后的频率可变范围的变动。
布线42被设置成具有1.65mm2以上且2.0mm2以下的面积。在布线42被设置成具有2.0mm2以上的面积的情况下，布线42与导体层12重合的面积较大，在布线42与导体层12之间形成的静电电容值增大，振荡器100的振荡特性劣化。相反，在要将布线42设置成具有1.65mm2以下的面积的情况下，难以在布线42上设置用于稳定地连接电感器24或变容二极管电容器22的接合区图案。
基板14的第2面14b具有向振荡电路50施加电压的电源端子、输出从振荡电路50输出的振荡信号的输出端子、作为振荡电路50的基准电位的接地端子、向变容二极管电容器22施加控制电压的控制电压输入端子等多个外部连接端子54。导体层12通过未图示的内部布线与外部连接端子54的接地端子电连接。
构成封装主体18的基板14、第1框体15、第2框体16使用了具有9以上且10以下的相对介电常数的材料。基板14的材料使用了相对介电常数为9以上且10以下的陶瓷，将布线42和导体层12之间的距离设定为0.35mm以上且0.7mm以下、布线42的面积设定为1.65mm2以上且2.0mm2以下，由此，能够构成布线42和导体层12之间的静电电容值为0.6pF以上且0.8pF以下的容器10。作为相对介电常数为9以上且10以下的材料，例如，能够使用氧化铝(Al2O3)陶瓷。陶瓷的刚性高，热膨胀率小，因此，通过对封装主体18使用陶瓷，能够提高振荡器100的可靠性。此外，在本实施方式中，说明为对封装主体18使用了陶瓷，但只要相对介电常数为9以上且10以下，则也可以使用陶瓷以外的玻璃或树脂等绝缘性材料或者将它们复合而成的绝缘性材料。
封装主体18是通过如下方式形成的：层叠使生片形成为规定的形状而得到的第1基板11、第2基板13、第1框体15、第2框体16并进行烧结，例如通过银焊料等将接缝环17钎焊到第2框体16的上表面(+Z轴侧的面)。生片例如是使陶瓷的粉末分散到在规定的溶液中，添加粘合剂，并将由此生成的混炼物形成片状而得到的。此外，作为接缝环17的材料，例如可以使用可伐合金(铁、镍、钴的合金)。
封装主体18在+Z轴侧具有开口部，例如使用电阻焊法(缝焊)等，将形成封装主体18的开口部的接缝环17和盖体19密封。作为盖体19的材料，例如可以使用可伐合金。此外，封装主体18的密封的腔室31的内部是氮或氩等的惰性气体环境或者压力比大气压低的减压环境。
此外，在本实施方式中，将容器10说明为使用缝焊使具有接缝环17的封装主体18、和盖体19密封而成，但也可以是使用不具有接缝环17的封装主体和具有焊料的盖体并通过直接缝焊接来进行密封的方法，或者置入炉中，使焊料熔融而进行密封的方法等，作为焊料，可以使用玻璃或树脂等材料。
振荡电路50经由粘接剂等连接部件48，与基板14的第1面14a接合，振荡电路50的端子与布线42等经由接合线52进行电连接。作为接合线52的材料，例如可以使用金(Au)、铝(Al)的金属或以这些金属为主要成分的合金。此外，振荡电路50也可以通过由金(Au)、焊锡等导电性材料形成的凸块，与基板14的第1面14a接合，在接合同时与布线42等电连接，还可以经由导电性粘接剂等接合部件，与基板14的第1面14a接合，在接合同时与布线42等电连接。变容二极管电容器22、电感器24经由焊锡或导电性粘接剂等导电性接合部件与设置在布线42上的接合区图案连接。
第1框体15具有作为将振动片20固定的支承台的功能。第1框体15的腔室31侧的内壁从第2框体16的内壁朝腔室31内延伸，在从－X轴方向延伸出的延伸部的+Z轴侧的面上设置有内部电极44。
振动片20经由具有导电性的连接部件48，被接合支承在内部电极44上。振动片20的一个电极经由连接部件48与内部电极44电连接，振动片20的另一个电极经由接合线52与内部电极44电连接。此外，振动片20也可以仅通过具有导电性的连接部件48被接合支承在内部电极44上，经由不具有导电性的连接部件被接合支承在第1框体15上，并且，仅经由接合线52与内部电极44电连接。
内部电极44经由从第1框体15的+Z轴侧的面朝－Z轴侧的面贯通地配置的过孔46与布线42电连接。由此，使振荡电路50与振动片20电连接。
作为导体层12、布线42、内部电极44以及外部连接端子54的材料，例如可以使用银(Ag)/钯(Pd)合金、钨(W)等。导体层12、布线42、内部电极44以及外部连接端子54可以通过如下方式形成：使用Ag/Pd合金或钨等，将作为第1基板11、第2基板13以及第1框体15的材料的陶瓷的表面金属化并进行烧结。然后，在表面上，利用镍(Ni)、金(Au)、银(Ag)等金属实施镀覆处理。
＜静电电容值＞
接下来，对静电电容值进行说明。
图3是示出布线42和导体层12之间的距离与布线42和导体层12之间的静电电容值之间的关系的曲线图。图3的横轴数值表示布线42和导体层12之间的距离，纵轴数值表示布线42和导体层12之间的静电电容值。图3示出了在图1以及图2所示的结构的振荡器100中，使用封装主体18制作振荡器，并求出了布线42和导体层12(接地端子)之间的静电电容值的结果，其中，封装主体18将与布线42和导体层12之间的距离对应的、第2基板13在Z轴方向的厚度作为参数。
如图3所示，在布线42和导体层12之间的距离为0.15mm的情况下，其静电电容值为大约1.1pF，在布线42和导体层12之间的距离为0.7mm以上的情况下，其静电电容逐渐靠近0.6pF。由此可知，即使将布线42和导体层12之间的距离扩大到0.7mm以上，使其静电电容值减小的效果也不明显。此外，通过将布线42和导体层12之间的距离设为0.7mm以下，实现了作为规定高度的1.5mm以下的振荡器100。
＜负电阻＞
此处，对负电阻进行说明。
图4是示出作为用于说明负电阻的一例的振荡电路及其等效电路的图。图4的(a)是使用了CMOS反相器的石英振荡电路。图4的(b)是图4的(a)的石英振荡电路的等效电路。
如图4的(a)所示，与石英振子Xtal连接的振荡电路构成为包含CMOS反相器IC1、电容器Cg、Cd、电阻Rf、Rd。CMOS反相器IC1的输入端子与石英振子Xtal的输出端子连接，在CMOS反相器IC1的输出端子与石英振子Xtal的输入端子之间，连接有电阻Rd(阻尼电阻)。在CMOS反相器IC1的输入端子与输出端子之间，连接有电阻Rf(反馈电阻)。石英振子Xtal的输出端子与电容器Cg的一端连接，电容器Cg的另一端被接地。石英振子Xtal的输入端子与电容器Cd的一端连接，电容器Cg的另一端被接地。
如图4的(b)的等效电路所示，在仅考虑在实际的振荡电路中使用的感应的特性区域的情况下，可以将石英振子Xtal的等效电路认作等效电阻Re与等效有效电抗Le的串联电路。从石英振子Xtal观察到的包含CMOS反相器IC1的周边电路可以被认作等效输入电容CL与负电阻－Ri的串联电路。此外，在等效电路中，对负电阻Ri标注表示负的负号，记作“－Ri”。即，“－Ri”表示负的数值。
图4的(a)所示的振荡器在规定的频率ω时，在如下关系的情况下，能够持续进行振荡。
负电阻的绝对值|Ri|≥等效电阻Re
此外，为了可靠地起动振荡器，需要将负电阻的绝对值|Ri|设为等效电阻Re的3～10倍左右。该负电阻Ri由下式表示。
R i = - g m ω 2 C g C d ... ( 1 )
此处，gm表示CMOS反相器IC1的传输电导。
在布线42和导体层12之间的距离变近，从而其间的静电电容增大时，在图4的(a)的振荡电路中，对电容器Cg、Cd等效地附加并联电容。在设附加到电容器Cg的并联电容为电容器ΔCg、附加到电容器Cd的并联电容为电容器ΔCd时，负电阻Ri由下式表示。
R i = - g m ω 2 ( C g + ΔC g ) ( C d + ΔC d ) = - g m ω 2 C g C d + ω 2 ( C g ΔC d + C d ΔC g + ΔC g ΔC d ) ... ( 2 )
比较式(1)和式(2)可知，在式(2)的分母中添加了(CgΔCd+CdΔCg+ΔCgΔCd)的项，因此，在布线42和导体层12之间的静电电容增大时，负电阻Ri减小，振荡器的振荡不被起动，并且到开始振荡为止耗费时间，从而导致振荡特性下降。
＜电路结构＞
接下来，对振荡器100的电路结构进行说明。
图5是示出振荡器100的电路结构的图。如图5所示，振荡器100构成为包含振动片20、振荡电路50、电感器24、变容二极管电容器22a、22b。振荡电路50构成为包含CMOS反相器60、电阻72、74、电容器76、78。本实施方式的振荡器100为压控型石英振荡器(VCXO：VoltageControlledXtalOscillator)，该振荡器100输出根据来自外部的控制电压进行调整后的频率的振荡信号。此外，振荡器100以及振荡电路50可以构成为省略或变更这些要素的一部分，或者追加其它要素。
CMOS反相器60的输入端子经由布线42与振动片20的输出端子连接。振动片20的输入端子经由布线42与电感器24的一端连接，电感器24的另一端经由布线42以及电阻74与CMOS反相器60的输出端子连接。在CMOS反相器60的输入端子与输出端子之间，连接有电阻72(反馈电阻)。由此，形成从振动片20的输出端子起经过CMOS反相器60、电阻74、电感器24而到达至振动片20的输入端子的振荡环路。这样构成的振荡电路50以CMOS反相器60为放大元件，将从振动片20的输出端子输出的输出信号放大，并从振动片20的输入端子提供该放大后的信号作为输入信号。
振动片20的输出端子与电容器76的一端连接，电容器76的另一端与变容二极管电容器22a的阴极端子连接。电感器24的另一端与电容器78的一端连接，电容器78的另一端与变容二极管电容器22b的阴极端子连接。变容二极管电容器22a的阳极端子以及变容二极管电容器22b的阳极端子被接地。
变容二极管电容器22a的阴极端子以及变容二极管电容器22b的阴极端子与VC端子70连接。从VC端子70向变容二极管电容器22a、22b的阴极端子施加控制电压，根据该控制电压的电压值，设定变容二极管电容器22a、22b的电容值，从而调整从CMOS反相器60的输出端子振荡出的振荡信号的频率。此外，施加于各个变容二极管电容器22a、22b的控制电压也可以不同。此外，也可以构成为仅存在变容二极管电容器22a、22b中的某一个。
此外，在本实施方式中，说明为使用CMOS反相器60作为放大元件，不过不限于此。作为放大元件，也可以是双极晶体管、场效应晶体管(FET：FieldEffectTransistor)、金属氧化物场效应晶体管(MOSFET：MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)、晶闸管等。
图6是示出布线42和导体层12之间的距离、振荡特性以及频率可变范围之间的关系的表。图6示出了发明人使用以上述布线42和导体层12之间的距离为参数的振荡器，进行各个振荡器的振荡特性和频率可变范围的评价后的结果。
如图6所示，如果布线42和导体层12之间的距离为0.35mm以上，则能够得到足够的负电阻和良好的振荡特性。换言之，关于布线42和导体层12之间的静电电容，如果为布线42和导体层12之间的距离为0.35mm时的静电电容的值即0.8pF以下，则能够得到足够的负电阻和良好的振荡特性。进而，期望的是，上述距离为静电电容逐渐靠近0.6pF的0.55mm以上。换言之，关于布线42和导体层12之间的静电电容，期望在布线42和导体层12之间的距离为0.55mm时的静电电容的值即0.67pF以下。此外，如果布线42和导体层12之间的距离为0.25mm以上，则能够得到期望的频率可变范围。根据该结果，在本实施方式的振荡器100中，布线42和导体层12之间的距离被设定为0.35mm以上，布线42和导体层12之间的静电电容值被设定为0.8pF以下。由此，振荡器100能够确保可得到良好的振荡特性的负电阻。此外，根据该结果，即使在布线42与导体层之间的距离为0.7mm的条件下，振荡器100也能够得到期望的频率可变范围，并且能够确保可得到良好的振荡特性的负电阻。
此外，关于振荡器100，例示为了压控型石英振荡器(VCXO)，但振动片和振荡器的种类不限于此。作为振动片，例如也可以使用SAW(SurfaceAcousticWave：表面声波)谐振器、AT切石英振子、SC切石英振子、音叉型石英振子、其它压电振子或MEMS(MicroElectroMechanicalSystems：微电子机械系统)振子等。
作为振动片的基板材料，也可以使用石英、钽酸锂或铌酸锂等压电单晶体、锆钛酸铅等压电陶瓷等压电材料、或者硅半导体材料等。此外，作为振动片的激励方法，可以使用基于压电效应的激励，也可以使用基于库仑力的静电驱动。
关于振荡器的种类，可以是压电振荡器(石英振荡器等)、SAW振荡器、压控型振荡器(VCXO或VCSO等)、温度补偿型振荡器(TCXO等)、恒温型振荡器(OCXO等)、硅振荡器、原子振荡器等。
如上所述，根据本实施方式的振荡器100，能够得到以下的效果。
振荡器100构成为包含振荡电路50、振动片20、电感器24、变容二极管电容器22、容器10。在容器10的基板14上，在基板14的第1面14a和第2面14b之间设置有导体层12，在基板14上(第1面14a)设置有用于形成振荡环路的布线42。基板14的材料使用了相对介电常数为9以上且10以下的陶瓷，将布线42和导体层12之间的距离设定为0.35mm以上且0.7mm以下，将布线42的面积设定为1.65mm2以上且2.0mm2以下。由此，能够构成布线42和导体层12之间的静电电容值为0.6pF以上且0.8pF以下的容器10。振荡器100使用了形成振荡环路的布线42和导体层12之间的静电电容为0.8pF以下的容器10，因此，在振荡器100中，布线与导体层之间形成的静电电容值稳定，能够使振荡电路的负电阻的绝对值变小的可能性减少，因此，能够使振荡器的特性例如振荡稳定度下降的可能性减少。因此，能够提供使振荡稳定度下降的可能性减少的振荡器100。此外，振荡器100使用了将布线42和导体层12之间的距离设定为0.7mm以下的基板14，因此，还能够通过使振荡器100收敛于规定的高度(1.5mm以下)，实现高度低的振荡器100。
(实施方式2)
在实施方式2的电子部件200中，容器内部不具有实施方式1所示的振动片20，这与实施方式1的振荡器100不同。电子部件200通过使容器外部的振动片与电子部件200的外部连接端子254电连接，作为振荡器发挥功能。
图7是示出实施方式2的电子部件200的概略结构的示意性俯视图。图8是图7中的C－C线处的剖视图。首先，使用图7以及图8对实施方式2的电子部件200的概略结构进行说明。此外，针对与实施方式1的振荡器100相同的结构部位，标注相同标号，省略重复的说明。此外，容器210由与实施方式1的容器10相同的材料构成，因此省略其说明。
如图7以及图8所示，电子部件200包含振荡电路50、变容二极管电容器22、电感器24、容器210等。容器210为了容纳变容二极管电容器22、电感器24、振荡电路50，具有形成为矩形的箱状的封装主体218和盖体19。此外，在图7中，为了便于说明，透视盖体19而图示出。
封装主体218由形成封装主体218的底部(－Z轴侧)的基板214、用于形成振荡电路50、变容二极管电容器22、电感器24的收纳空间的框体216、作为与盖体19的接合材料的接缝环17构成。
基板214具有配置有振荡电路50的第1面214a以及作为第1面214a的相反面的第2面214b。在基板214的第1面214a上具有布线42，该布线42与电子部件200的经由后述的外部连接端子254连接的振动片和振荡电路50连接，形成振荡环路。在本实施方式的电子部件200中，振荡电路50、作为外部部件的振动片、变容二极管电容器22以及电感器24通过布线42连接，振荡环路构成为包含振荡电路50、作为外部部件的振动片以及电感器24。
基板214在第1面214a和第2面214b之间具有导体层212。具体而言，基板214由第1基板211、第2基板213以及在第1基板211和第2基板213之间形成的导体层212构成。导体层212被设置在作为第2基板213的+Z轴侧的面的第1面214a与作为第1基板211的－Z轴侧的面的第2面214b之间。
导体层212在俯视时与设置在第1面214a上的布线42重合，布线42与导体层212在厚度方向(Z轴方向)上的距离为0.35mm以上且0.7mm以下。电连接在布线42上的电感器24在俯视时与导体层212重合。由此，在将电子部件200搭载到搭载基板上时，搭载基板的布线图案及配置在附近的部件等对电子部件200的影响减少，例如布线42以及电感器24的至少一部分与搭载基板的布线图案及配置在附近的部件的至少一部分之间的电磁耦合减少，在布线42与导体层212之间、电感器24与导体层212之间形成的静电电容值稳定。此外，在将电子部件200搭载到搭载基板上时，导体层212还作为布线42与搭载基板的布线图案及配置在附近的部件布线之间的屏蔽电极发挥功能。因此，能够减少将电子部件200搭载到搭载基板前后的频率变动。此外，布线42与实施方式1同样地设置成具有1.65mm2以上且2.0mm2以下的面积。
基板214的第2面214b具有连接振动片的振动片连接端子、向振荡电路50施加电压的电源端子、输出从振荡电路50输出的振荡信号的输出端子、作为振荡电路50的基准电位的接地端子、向变容二极管电容器22施加控制电压的控制电压输入端子等多个外部连接端子254。导体层212通过未图示的内部布线，与外部连接端子254的接地端子电连接。
多个外部连接端子254内的、连接振动片的振动片连接端子经由从基板214的第1面214a朝向第2面214b贯通地设置的过孔246与布线42电连接。振动片与振动片连接端子连接，由此，振动片与振荡电路50电连接。由此，由电子部件200内部所配备的振荡电路50以及电感器24、与作为外部部件的振动片构成振荡环路。
如上所述，根据本实施方式的电子部件200，能够得到如下效果。
电子部件200构成为包含振荡电路50、电感器24、变容二极管电容器22、容器210。在容器210的基板214上，在基板214的第1面214a和第2面214b之间设置有导体层212，在基板214上(第1面214a)设置有布线42，该布线42通过在容器210的振动片连接端子(外部连接端子254)上连接振动片，形成振荡环路。基板214的材料使用相对介电常数为9以上且10以下的陶瓷，将布线42与导体层212之间的距离设定为0.35mm以上且0.7mm以下，将布线42的面积设定为1.65mm2以上且2.0mm2以下。由此，能够构成布线42与导体层212之间的静电电容值为0.6pF以上且0.8pF以下的容器210。此外，在将电子部件200搭载到搭载基板上时，导体层212还作为布线42与搭载基板的布线图案及配置在附近的部件布线之间的屏蔽电极发挥功能。对电子部件200使用了通过连接振动片而形成振荡环路的布线42与导体层212之间的静电电容为0.8pF以下的容器210，因此，在电子部件200中，在布线与导体层之间形成的静电电容值稳定，例如，能够减少通过连接振动片而构成的振荡器中，能够使振荡电路的负电阻的绝对值变小的可能性减少。因此，能够提供减少了振荡稳定度下降的可能性的电子部件200。
＜电子设备＞
接下来，使用图9～图11，对具有本发明的实施方式的电子部件的电子设备进行说明。此外，在本说明中，示出了使用了连接有振动片的电子部件200的例子。
图9是示出作为具有本发明一个实施方式的电子部件的电子设备的一例的移动型(或笔记本型)的个人计算机1100的结构概略的立体图。如图9所示，个人计算机1100由具有键盘1102的主体部1104和具有显示部1000的显示单元1106构成，显示单元1106经由铰链构造部，以能够转动的方式被支承在主体部1104上。在这样的个人计算机1100中，内置有电子部件200。
如上所述，在作为电子设备的一例的移动型(或笔记本型)个人计算机1100中，具有本发明一个实施方式的电子部件200作为例如时钟源，由此，从电子部件200输出稳定的频率信号作为向移动型个人计算机1100提供的时钟源，因此能够提高移动型个人计算机1100的动作的可靠性。
图10是示出作为具有本发明一个实施方式的电子部件200的电子设备的一例的移动电话1200(也包含PHS)的结构概略的立体图。如图10所示，移动电话1200具有多个操作按钮1202、接听口1204以及通话口1206，在操作按钮1202与接听口1204之间，配置有显示部1000。在这样的移动电话1200中，内置有电子部件200。
如上所述，在作为电子设备的一例的移动电话(包含PHS)1200中，具有本发明一个实施方式的电子部件200作为例如时钟源，由此，从电子部件200输出稳定的频率信号作为向移动电话1200提供的时钟源，因此能够提高移动电话1200的动作的可靠性。
图11是示出作为具有本发明一个实施方式的电子部件200的电子设备的一例的数码照相机1300的结构概略的立体图。此外，在图11中，还简单地示出了与外部设备的连接。此处，现有的胶片照相机是通过被摄体的光像而使银盐胶片感光的，与此相对，数码照相机1300通过CCD(ChargeCoupledDevice：电荷耦合器件)等摄像元件，对被摄体的光像进行光电转换，生成摄像信号(图像信号)。
在数码照相机1300中的壳体(主体)1302的背面，设置有显示部1000，成为基于CCD的摄像信号进行显示的结构，显示部1000作为将被摄体显示为电子图像的取景器发挥功能。此外，在壳体1302的正面侧(图中背面侧)，设置有包含光学镜头(摄像光学系统)和CCD等的受光单元1304。
摄影者在确认显示部1000中显示的被摄体像而按下快门按钮1306时，该时刻的CCD的摄像信号被传送并保存到存储器1308中。此外，在该数码照相机1300中，在壳体1302的侧面设置有视频信号的输出端子1312和数据通信用的输入输出端子1314。而且，如图所示，根据需要，在视频信号的输出端子1312上连接电视监视器1430，在数据通信用的输入输出端子1314上连接个人计算机1440。并且构成为，通过规定的操作，将存储器1308中保存的摄像信号输出到电视监视器1430或个人计算机1440。在这样的数码照相机1300中，内置有电子部件200。
如上所述，在作为电子设备的一例的数码照相机1300中，具有本发明一个实施方式的电子部件200作为例如时钟源，由此，从电子部件200输出稳定的频率信号作为向数码照相机1300提供的时钟源，因此能够提高数码照相机1300的动作的可靠性。
此外，关于本发明一个实施方式的电子部件200，除了可以应用于图9的个人计算机1100(移动型个人计算机)、图10的移动电话1200、图11的数码照相机1300以外，例如还可以应用于喷墨式排出装置(例如喷墨打印机)、膝上型个人计算机、平板型个人计算机、路由器或开关等存储区网络设备、局域网设备、移动终端基站用设备、电视、摄像机、录像机、汽车导航装置、实时时钟装置、寻呼机、电子记事本(还包括带通信功能的)、电子辞典、计算器、电子游戏设备、文字处理器、工作站、电视电话、防盗用视频监视器、电子双筒望远镜、POS终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测量设备、计量仪器类(例如车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器、头戴式显示器、运动追踪器、运动跟踪器、运动控制器、PDR(步行者位置方位计测)等电子设备。
＜移动体＞
接下来，使用图12，对具有本发明实施方式的电子部件的移动体进行说明。此外，在本说明中，示出了使用连接有振动片的电子部件200的例子。
图12是概略地示出作为具有本发明一个实施方式的电子部件200的移动体的一例的汽车1500的立体图。
在汽车1500中搭载有上述实施方式的电子部件200。如图12所示，在作为移动体的汽车1500中，在车体上搭载有电子控制单元1510，该电子控制单元1510内置有电子部件200并控制轮胎等。此外，电子部件200除此以外，还可以广泛应用于无钥匙门禁、防盗器、汽车导航系统、汽车空调、防抱死制动系统(ABS)、安全气囊、轮胎压力监测系统(TPMS：TirePressureMonitoringSystem)、发动机控制器、制动系统、混合动力汽车或电动汽车的电池监视器、车体姿态控制系统等电子控制单元(ECU：ElectronicControlUnit)。
如上所述，在作为移动体的一例的汽车1500中，具有本发明一个实施方式的电子部件200作为例如时钟源，由此，从电子部件200输出稳定的频率信号作为向汽车1500以及电子控制单元1510中的至少一方提供的时钟源，因此能够提高汽车1500以及电子控制单元1510中至少一方的动作的可靠性。

Claims (20)

1.一种电子部件，其特征在于，具有：
振荡电路，其与振动片电连接；以及
基板，其具有第1面以及作为所述第1面的相反面的第2面，所述第1面配置有所述振荡电路且配置有布线，所述布线与所述振动片以及所述振荡电路电连接，形成振荡环路，
所述基板在所述第1面和所述第2面之间具有导体层，
所述导体层在俯视时与所述布线重合，
厚度方向上的所述布线和所述导体层之间的距离为0.35mm以上且0.7mm以下，其中所述厚度方向沿着与所述第1面和所述第2面交叉的方向。
2.一种电子部件，其特征在于，具有：
振荡电路，其与振动片电连接；以及
基板，其具有第1面以及作为所述第1面的相反面的第2面，所述第1面配置有所述振荡电路且配置有布线，所述布线与所述振动片以及所述振荡电路电连接，形成振荡环路，
所述基板在所述第1面和所述第2面之间具有导体层，
所述导体层在俯视时与所述布线重合，
所述布线与所述导体层之间的静电电容值为0.6pF以上且0.8pF以下。
3.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，
所述基板的相对介电常数为9以上且10以下。
4.根据权利要求2所述的电子部件，其特征在于，
所述基板的相对介电常数为9以上且10以下。
5.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，
所述布线的面积为1.65mm2以上且2.0mm2以下。
6.根据权利要求2所述的电子部件，其特征在于，
所述布线的面积为1.65mm2以上且2.0mm2以下。
7.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，
所述电子部件还具有电子元件，
所述电子元件被配置在所述第1面上且与所述布线连接，在俯视时与所述导体层重合。
8.根据权利要求2所述的电子部件，其特征在于，
所述电子部件还具有电子元件，
所述电子元件被配置在所述第1面上且与所述布线连接，在俯视时与所述导体层重合。
9.根据权利要求7所述的电子部件，其特征在于，
所述电子元件为电感器。
10.根据权利要求8所述的电子部件，其特征在于，
所述电子元件为电感器。
11.根据权利要求1所述的电子部件，其特征在于，
所述导体层被接地。
12.根据权利要求2所述的电子部件，其特征在于，
所述导体层被接地。
13.一种振荡器，其特征在于，具有：
权利要求1所述的电子部件；以及
振动片。
14.一种振荡器，其特征在于，具有：
权利要求2所述的电子部件；以及
振动片。
15.根据权利要求13所述的振荡器，其特征在于，
所述振动片在俯视时与所述导体层重合。
16.根据权利要求14所述的振荡器，其特征在于，
所述振动片在俯视时与所述导体层重合。
17.一种电子设备，其特征在于，
具有权利要求1所述的电子部件。
18.一种电子设备，其特征在于，
具有权利要求2所述的电子部件。
19.一种移动体，其特征在于，
具有权利要求1所述的电子部件。
20.一种移动体，其特征在于，
具有权利要求2所述的电子部件。
CN201510493013.1A 2014-09-02 2015-08-12 电子部件、振荡器、电子设备以及移动体 Active CN105391418B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-177810 2014-09-02
JP2014177810A JP6738588B2 (ja) 2014-09-02 2014-09-02 発振器、電子機器、および移動体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105391418A true CN105391418A (zh) 2016-03-09
CN105391418B CN105391418B (zh) 2020-12-18

Family

ID=55403734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510493013.1A Active CN105391418B (zh) 2014-09-02 2015-08-12 电子部件、振荡器、电子设备以及移动体

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9362886B2 (zh)
JP (1) JP6738588B2 (zh)
CN (1) CN105391418B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109309059A (zh) * 2017-07-26 2019-02-05 京瓷株式会社 电子元件安装用基板、电子装置以及电子模块
CN113411060A (zh) * 2020-03-17 2021-09-17 精工爱普生株式会社 振动器件
CN113746444A (zh) * 2020-05-29 2021-12-03 精工爱普生株式会社 振荡器、电子设备和移动体

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10444213B2 (en) 2016-08-25 2019-10-15 Viavi Solutions Inc. Spectroscopic classification of conformance with dietary restrictions
JP6946679B2 (ja) * 2017-03-15 2021-10-06 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、発振器、電子機器および移動体
JP2019007855A (ja) 2017-06-26 2019-01-17 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、振動デバイスモジュール、電子機器および移動体
CN111684673B (zh) * 2018-02-16 2023-04-18 京瓷株式会社 多连片式元件收纳用封装件以及多连片式光半导体装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006095852A1 (ja) * 2005-03-10 2006-09-14 Kyocera Corporation 電子部品モジュール及びその製造方法
CN203193584U (zh) * 2012-01-27 2013-09-11 精工爱普生株式会社 振动元件、振子、振荡器以及电子设备
CN103475328A (zh) * 2012-06-06 2013-12-25 精工爱普生株式会社 振动元件及其制造方法、振子、电子器件和设备、移动体
JP2014030079A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Daishinku Corp 圧電発振器
CN103856183A (zh) * 2012-11-30 2014-06-11 精工爱普生株式会社 振荡器、电子设备以及移动体

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0453044Y2 (zh) 1985-06-19 1992-12-14
JPH0428479U (zh) 1990-07-02 1992-03-06
US5459368A (en) * 1993-08-06 1995-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device mounted module
JPH1022734A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Hitachi Ltd 水晶発振器
JP3536561B2 (ja) * 1996-12-04 2004-06-14 セイコーエプソン株式会社 発振回路、電子回路、これらを備えた半導体装置、時計および電子機器
JP2001144539A (ja) 1999-11-18 2001-05-25 Citizen Watch Co Ltd 電圧制御圧電発振器
JP4310486B2 (ja) 1999-12-16 2009-08-12 株式会社村田製作所 圧電発振器
DE10063265A1 (de) * 1999-12-20 2001-07-05 Murata Manufacturing Co Äußeres Überzugsubstrat für ein elektronisches Bauteil und ein piezoelektrisches Resonanzbauteil
US6587008B2 (en) * 2000-09-22 2003-07-01 Kyocera Corporation Piezoelectric oscillator and a method for manufacturing the same
JP4796722B2 (ja) 2001-09-28 2011-10-19 京セラキンセキ株式会社 圧電発振器用基板
JP2005217773A (ja) 2004-01-29 2005-08-11 Toyo Commun Equip Co Ltd 電圧制御型圧電発振器
JP4634861B2 (ja) * 2004-05-27 2011-02-16 京セラ株式会社 弾性表面波装置及び通信機器
JP2006033349A (ja) 2004-07-15 2006-02-02 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 逓倍型の水晶発振器
JP4784055B2 (ja) * 2004-08-11 2011-09-28 株式会社大真空 圧電発振器
US7378780B2 (en) * 2005-11-09 2008-05-27 Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. Surface mount type crystal oscillator
JP2007158918A (ja) * 2005-12-07 2007-06-21 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶発振器
JP2007251766A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶発振器
JP5087335B2 (ja) * 2007-07-19 2012-12-05 日本電波工業株式会社 表面実装用の水晶発振器
JP2009065334A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶発振器
JP2009194725A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶発振器
JP4555359B2 (ja) * 2008-04-02 2010-09-29 日本電波工業株式会社 水晶振動子
JP4629760B2 (ja) * 2008-09-02 2011-02-09 日本電波工業株式会社 恒温型の水晶発振器
JP6077813B2 (ja) * 2012-01-23 2017-02-08 日本電波工業株式会社 圧電モジュール
JP6119138B2 (ja) * 2012-07-27 2017-04-26 セイコーエプソン株式会社 振動片、振動素子、振動子、電子デバイス、電子機器、移動体及び振動片の製造方法
JP5907003B2 (ja) 2012-08-31 2016-04-20 株式会社大真空 圧電発振器
JP2014135665A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Seiko Epson Corp 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器、及び移動体
JP5576548B1 (ja) * 2013-07-10 2014-08-20 太陽誘電株式会社 回路モジュール及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006095852A1 (ja) * 2005-03-10 2006-09-14 Kyocera Corporation 電子部品モジュール及びその製造方法
CN203193584U (zh) * 2012-01-27 2013-09-11 精工爱普生株式会社 振动元件、振子、振荡器以及电子设备
CN103475328A (zh) * 2012-06-06 2013-12-25 精工爱普生株式会社 振动元件及其制造方法、振子、电子器件和设备、移动体
JP2014030079A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Daishinku Corp 圧電発振器
CN103856183A (zh) * 2012-11-30 2014-06-11 精工爱普生株式会社 振荡器、电子设备以及移动体

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109309059A (zh) * 2017-07-26 2019-02-05 京瓷株式会社 电子元件安装用基板、电子装置以及电子模块
CN109309059B (zh) * 2017-07-26 2022-08-19 京瓷株式会社 电子元件安装用基板、电子装置以及电子模块
CN113411060A (zh) * 2020-03-17 2021-09-17 精工爱普生株式会社 振动器件
CN113411060B (zh) * 2020-03-17 2023-12-12 精工爱普生株式会社 振动器件
CN113746444A (zh) * 2020-05-29 2021-12-03 精工爱普生株式会社 振荡器、电子设备和移动体
CN113746444B (zh) * 2020-05-29 2023-07-07 精工爱普生株式会社 振荡器、电子设备和移动体

Also Published As

Publication number Publication date
JP6738588B2 (ja) 2020-08-12
JP2016052083A (ja) 2016-04-11
CN105391418B (zh) 2020-12-18
US9362886B2 (en) 2016-06-07
US9577604B2 (en) 2017-02-21
US20160065170A1 (en) 2016-03-03
US20160254798A1 (en) 2016-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9893733B2 (en) Oscillator, electronic apparatus, and moving object
CN105391418A (zh) 电子部件、振荡器、电子设备以及移动体
US8310317B2 (en) Vibrating member, vibrating device, and electronic apparatus
US9414489B2 (en) Electronic component, manufacturing method for electronic component, electronic apparatus, and moving object
CN107493087B (zh) 振荡器、电子设备和移动体
CN104601139A (zh) 振动元件、振子、电子装置、电子设备以及移动体
CN104242860B (zh) 振动片、振子、电子器件、电子设备以及移动体
JP6724308B2 (ja) 発振モジュール、振動デバイス、電子機器、および移動体
CN105306001B (zh) 电子部件、电子部件的制造方法、电子设备以及移动体
US20190006988A1 (en) Oscillator and electronic device
CN110581106B (zh) 振荡器、电子设备以及移动体
US9577574B2 (en) Resonator, resonator device, oscillator, electronic apparatus, and moving object
US10381979B2 (en) Electronic component package, oscillator, electronic apparatus, and vehicle
JP6729643B2 (ja) 発振器、電子機器および移動体
JP2018026611A (ja) 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器および移動体
JP2016131266A (ja) 振動デバイス、発振器、電子機器、および移動体
CN113746444B (zh) 振荡器、电子设备和移动体
US9621107B2 (en) Oscillation circuit, oscillator, electronic apparatus, and moving object

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant