WO2006027891A1

WO2006027891A1 - 基板洗浄方法及び現像装置

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Publication number: WO2006027891A1
Application number: PCT/JP2005/012599
Authority: WO
Inventors: Junji Nakamura; Kousuke Yoshihara; Kentaro Yamamura; Fumiko Iwao; Hirofumi Takeguchi
Original assignee: Tokyo Electron Limited
Priority date: 2004-09-09
Filing date: 2005-07-07
Publication date: 2006-03-16
Also published as: EP1793417A1; US20090272407A1; US7604013B2; KR101015659B1; US20060048792A1; US7901514B2; JP4324527B2; EP1793417A4; CN100576443C; CN101615568B; CN101615568A; CN101015040A; JP2006080315A; TWI275142B; TW200623246A; KR20070049658A

Abstract

　露光された半導体ウエハの表面に現像液を供給して現像を行った後に、基板の表面の溶解物を洗浄するにあたって、高い洗浄効果を得ること。　現像を終えたウエハを回転させながら、ノズルからウエハ中心部に洗浄液を吐出してその洗浄液を周囲に広げて液膜を形成し、次いで前記ノズルを移動させて、基板の中心部に乾燥領域を発生させ、基板を１５００ｒｐｍの回転数で回転させその遠心力により前記乾燥領域を周囲に広げる。前記ノズルは乾燥領域に追いつかれない速度でウエハの中心から例えば８０ｍｍ離れた位置であってウエハの周縁よりも５ｍｍ以上中心部側に寄った位置まで移動し、そこで洗浄液の吐出を停止する。また予めこの位置に別のノズルを配置して、ここから洗浄液を吐出しておき、乾燥領域がそこへ到達する直前にその吐出を停止してもよい。ウエハの中心に乾燥領域のコアを形成する場合、ガスを基板の中心部に吹き付け、直ぐにその吹き付けを停止することが好ましい。

Description

明細書

基板洗浄方法及び現像装置

技術分野

[0001] 本発明は、露光された基板の表面に現像液を供給して現像を行った後に基板の表面を洗浄する方法及びこの方法を実施するための現像装置に関する。

背景技術

[0002] 従来、半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程にぉ、ては、半導体ウェハ（以下、ウェハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に、現像してレジストパターンを作成している。このような処理は、一般にレジストの塗布 ·現像を行う塗布 ·現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。

[0003] このような一連の処理の中で、現像処理においてはウェハ上に現像液を液盛りし、その後例えば所定時間ウェハを静止した状態とし、レジストの溶解性部位を溶解させてパターンが形成される。そしてレジストの溶解物を現像液と共にウェハ表面から除去するために洗浄処理が行われる力その手法としては従来からウェハの中心部に洗浄液を供給し、その遠心力により液膜を広げ、その液流に載せて前記溶解物及び現像液をウェハ上から除去することが行われている。し力しこのスピン洗浄は、溶解生成物を十分に取り除くことができず、パターンの線幅が広いときには問題視されてこな力つたが、線幅が狭くなつてくると、残留した溶解生成物が現像欠陥として現れる度合、が強くなる。このためスピン洗浄を例えば 60秒もの長、時間行うようにして!/ヽるのが現状であるが、スループットの低下の大きな要因になっている。最近では半導体デバイスのコスト競争が激ィ匕し、半導体製造プロセスのスループットの向上が要請されており、レジストパターンの形成に要する工程数が多いことから、できるだけ各ェ程の時間を短縮することが要求されている。またこのように長く洗浄を行っても、やはり溶解生成物の取り残しがあり、十分な洗浄ができて、るとは言、難、場合もある。

[0004] 図 13はスピン洗浄のイメージを示す図であり、スピンチャック 1により回転しているゥエノ、 Wの中心部にノズル 11から洗浄液 Rを吐出して周囲に広げると、その液流とゥエノ、 Wの表面との間の界面に溶解生成物 Pが留まって、ると考えられる。言、換えると液流の下面がパターン表面になじまないかあるいは他の要因により界面における液流が弱いと考えられる。

[0005] 一方、特許文献 1には、角形基板を 200rpm程度の遅い回転数で回転させながらその中心部に洗浄液を供給し、その後直ちに窒素ガスを吹き付け、洗浄液の供給点と窒素ガスの供給点とを一体で基板の中心部カゝら周縁部まで移動させ、洗浄液の供給については基板の内接円に達した際に停止することが記載されている。

[0006] し力しながら洗浄液の供給点を基板の中心部力も外側に移動させながらその手前側にガスを吹き付けると、ガスの吹きつけにより洗浄液の液流が大きく乱れ、ウェハ W の表面力離れたパーティクルが液流に乗れずにその表面に取り残され、上述のスピン洗浄よりも効果的ではある力高、洗浄効果を得ることは難、。

[0007] 特許文献 1 :特開 2002— 57088号公報：段落 0047、 0049

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0008] 本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、露光された基板の表面に現像液を供給して現像を行った後に基板の表面を洗浄するにあたつて、高い洗浄効果を得ることができ、し力も洗浄時間が短くて済むことのできる洗浄方法及び現像装置を提供することにある。

課題を解決するための手段

[0009] 本発明は、露光された基板の表面に現像液を供給して現像を行った後に基板の表面を洗浄する方法にぉ、て、

基板を水平に保持した基板保持部を鉛直軸の回りに回転させながら基板の中心部に洗浄液を供給する工程と、

その後、基板保持部を回転させたまま、洗浄液の供給を停止するカゝまたは洗浄液の供給位置を基板の中心部カゝら外側に移動することにより、洗浄液の乾燥領域を基板の中心部に発生させる工程と、

基板保持部を 1500rpm以上の回転数で回転させた状態で、前記乾燥領域内に洗浄液を供給することなぐ前記乾燥領域を基板の中心部から外に向力つて広げる工程と、

前記基板の表面における前記乾燥領域の外側領域に洗浄液を供給する工程と、を含むことを特徴とする。

[0010] 基板の回転数の上限については、基板の外側に向かって乾燥領域が円状に広がりながら当該領域の縁において洗浄液が基板表面のパーティクルを除去する効果が得られる回転数であればよい。好ましくは、基板の回転数は、 1500rpm以上 2500r pm以下の回転数であり、さらに好ましくは、ミストの発生を回避するために約 2000rp mの回転数である。

[0011] 本発明は、前記乾燥領域の外側領域に洗浄液を供給する工程を行った後、基板の周縁よりも中心部側に寄った位置であって、基板の中心部から予め設定された距離だけ外側に離れた位置において、当該洗浄液の供給を停止する工程を含むようにしてもよい。

この場合、基板が 8インチサイズ以上の大きさの半導体ウェハであれば、前記予め設定された距離は、基板の中心部より 50mm以上の距離であることが好ましぐさらには、前記予め設定された距離は、基板の中心部から、基板の周縁よりも 5mm以上中心部側に寄った位置までの距離であることが好ましい。より具体的には、基板が 8 インチサイズの大きさの半導体ウェハの場合は、前記予め設定された距離は、基板の中心部より 50mm以上の距離であって、基板の中心部より 95mm以下の距離 (基板の中心部から、基板の周縁よりも 5mm以上中心部側に寄った位置までの距離)であり標準的な設定値は 80mmであり、基板が 12インチサイズの大きさの半導体ゥェハの場合は、前記予め設定された距離は、基板の中心部より 50mm以上の距離であつて、基板の中心部より 145mm以下の距離 (基板の中心部から、基板の周縁よりも 5 mm以上中心部側に寄った位置までの距離)であり標準的な設定値は 80mmであることが好ましい。

また、前記乾燥領域の外側領域に洗浄液を供給する工程は、基板の中心部に洗浄液を供給したノズルにより行うようにしてもょヽし、あるいは基板の中心部に洗浄液を供給したノズルとは別のノズルにより行うようにしてもよい。

また、前記基板の表面における前記乾燥領域の外側領域に洗浄液を供給するェ程は、画像センサによって前記乾燥領域の広がり状態を検出しその検出データを参照して行われることが好ま、。

[0012] 洗浄液の乾燥領域を基板の中心部に発生させる工程は、洗浄液の供給を停止する力または洗浄液の供給位置を基板の中心部力も外側に移動することに加えて、ガスを基板の中心部に吹き付け、直ぐにその吹き付けを停止する工程を含むことが好ましい。

[0013] 他の発明は、露光された基板の表面に現像液ノズルにより現像液を供給して現像を行、、続、て当該基板の表面を洗浄する現像装置にぉ、て、

基板を水平に保持する基板保持部と、

この基板保持部を鉛直軸の回りに回転させる回転機構と、

前記基板保持部に保持された基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、この洗浄液ノズルを移動させるためのノズル駆動機構と、

基板保持部を回転させながら前記洗浄液ノズルカゝら基板の中心部に洗浄液を供給するステップと、洗浄液の供給位置を基板の中心部から外側に移動させることにより洗浄液の乾燥領域を基板の中心部に発生させるステップと、基板保持部を 1500rp m以上の回転数で回転させた状態とすることにより前記乾燥領域を基板の中心部から外に向力つて広げると共にその洗浄液の供給位置が乾燥領域に追いつかれない速度で洗浄液ノズルを基板の外側に向かって移動するステップと、を実行するように作成されたプログラムと、

を備えたことを特徴とする。

[0014] 前記プログラムは、洗浄液ノズルを乾燥領域に追ヽつかれな!/ヽ速度で基板の外側に向力つて移動するステップにカ卩えて、基板の周縁よりも中心部側に寄った位置であつて、基板の中心部から予め設定された距離だけ外側に離れた位置において、当該洗浄液ノズル力ゝらの洗浄液の供給を停止するステップを実行するように作成されて、てもよい。ここで、乾燥領域に追いつかれない速度で基板の外側に向力つて洗浄液ノズルを移動する速度は、好ましぐは lOmmZs以上 30mmZs以下の範囲にあり、標準的な設定値は約 lOmmZsである。また上記の現像装置は、ガスを基板に吹き付けるためのガスノズルを更に備えた構成であってもよぐこの場合、洗浄液の乾燥領域を基板の中心部に発生させるステップは、洗浄液の供給位置を基板の中心部力も外側に移動させた直後にガスノズル力もガスを基板の中心部に吹き付け、直ぐにその吹き付けを停止するステップとすることができる。

また、上記の現像装置は、前記乾燥領域の広がり状態を検出する画像センサを更に備え、前記プログラムは、前記画像センサによって検出した前記乾燥領域の広がり状態に関する検出データを参照して、洗浄液の供給位置が乾燥領域に追いつかれない速度で洗浄液ノズルを基板の外側に向カゝつて移動する前記ステップを実行するように作成されてヽることを特徴とする。

[0015] 更に他の発明は、露光された基板の表面に現像液ノズルにより現像液を供給して現像を行、、続、て当該基板の表面を洗浄する現像装置にぉ、て、

基板を水平に保持する基板保持部と、

この基板保持部を鉛直軸の回りに回転させる回転機構と、

前記基板保持部に保持された基板の表面に洗浄液を供給する第 1の洗浄液ノズル及び第 2の洗浄液ノズルと、

基板保持部を回転させながら前記第 1の洗浄液ノズルカゝら基板の中心部に洗浄液を供給すると共に基板の中心部カゝら予め設定された距離だけ外側に離れた位置に第 2の洗浄液ノズル力洗浄液を供給するステップと、第 1の洗浄液ノズルの洗浄液の供給を止めることにより洗浄液の乾燥領域を基板の中心部に発生させるステップと、基板保持部を 1500rpm以上の回転数で回転させた状態とすることにより前記乾燥領域を基板の中心部力外に向力つて広げるステップと、前記乾燥領域がその供給位置に到達する前に、第 2の洗浄液ノズルの洗浄液の供給を止めるかあるいはその供給位置が乾燥領域に追ヽつかれな!/ヽ速度で当該第 2の洗浄液ノズルを基板の外側に向力つて移動するステップと、を実行するように作成されたプログラムと、を備えたことを特徴とする。

[0016] この発明の現像装置は、ガスを基板に吹き付けるためのガスノズルを更に備え、洗浄液の乾燥領域を基板の中心部に発生させるステップは、第 1の洗浄液ノズルの洗浄液の供給を止めた直後にガスノズルカゝらガスを基板の中心部に吹き付け、直ぐ〖こその吹き付けを停止するステップとすることができる。また、前記乾燥領域の広がり状態を検出する画像センサを更に備え、第 2の洗浄液ノズルの洗浄液の供給を止めるかある、はその供給位置が乾燥領域に追、つかれない速度で当該第 2の洗浄液ノズルを基板の外側に向カゝつて移動する前記ステップは、前記画像センサによって検出した前記乾燥領域の広がり状態に関する検出データを参照して行われることを特徴とする。

[0017] 本発明によれば、現像を終えた基板を回転させながらその中心部力も洗浄液を周囲に広げて液膜を形成し、次ヽで基板の中心部に乾燥領域を発生させて基板を 15 OOrpm以上の回転数で回転させその遠心力により前記乾燥領域を周囲に広げるようにしているので、現像時の溶解生成物の除去効果が大きぐ基板の表面上の異物を低減でき、現像欠陥を抑えることができる。これは、乾燥領域の外縁に相当する液膜の切れ目が外に向力つて勢いよく走るので、液膜の切れ目部分において、現像時の溶解生成物を液流にのせて運び去る作用が大きいことに起因すると考えられる。また基板の中心部カゝら洗浄液を周囲に広げて液膜を形成した後、ガスを基板の中心部に吹き付け、直ぐにその吹き付けを停止するようにすれば、中心部に近い領域において、ガスの吹き付けを利用しない場合に比べ、より確実に乾燥領域を発生させることができ、中心部に近い領域における洗浄効果をより高めることができる。

[0018] 更に基板の周縁よりも中心部側に寄った位置であって、基板の中心部から予め設定された距離だけ外側に離れた位置において、洗浄液の供給を停止するようにすれば、洗浄液を供給したときに 1500rpm以上の回転数であることに基づぐ基板の大きな遠心力により洗浄液が乱れるとヽぅ現象を避けることができ、洗浄効果を高めることがでさる。

図面の簡単な説明

[0019] [図 1]本発明の第 1の実施の形態に力かる現像装置を示す縦断面図である。

[図 2]上記第 1の実施の形態に力かる現像装置を示す平面図である。

[図 3]ウェハの表面に現像液が供給される様子を示す説明図である。

[図 4]上記第 1の実施の形態において現像後のウェハを洗浄する様子を段階的に示す説明図である。

[図 5]ウェハの表面が洗浄される様子を模式的に示す説明図である。 [図 6]本発明の第 2の実施の形態にカゝかる現像装置の要部を示す側面図である。

[図 7]上記第 2の実施の形態において現像後のウェハを洗浄する様子を段階的に示す説明図である。

[図 8]本発明の第 3の実施の形態において現像後のウェハを洗浄する様子を段階的に示す説明図である。

[図 9]本発明の第 4の実施の形態にカゝかる現像装置の要部を示す側面図である。

[図 10]上記第 4の実施の形態において現像後のウェハを洗浄する様子を段階的に示す説明図である。

[図 11]前記現像装置を組み込んだ塗布 ·現像装置の一例を示す平面図である。

[図 12]前記現像装置を組み込んだ塗布 ·現像装置の一例を示す斜視図である。

[図 13]従来の洗浄方法によるウェハ表面の洗浄の様子を模式的に示す説明図である。

発明を実施するための最良の形態

[0020] (第 1の実施の形態）

本発明の第 1の実施の形態に係る現像装置について図 1及び図 2を参照しながら説明する。図中 2は基板例えばウェハ Wの裏面側中央部を吸引吸着して水平姿勢に保持するための基板保持部であるスピンチャックである。スピンチャック 2は回転軸 21 を介して回転機構を含む駆動機構 22と接続されており、ウェハ Wを保持した状態で回転及び昇降可能なように構成されている。なお、本例では、スピンチャック 2の回転軸 21上にウェハ Wの中心が位置するように設定されている。

[0021] スピンチャック 2上のウェハ Wを囲むようにして上方側が開口するカップ 3体が設けられている。このカップ体 3は、上部側が四角状であり下部側が円筒状の外カップ 31 と、上部側が内側に傾斜した筒状の内カップ 32とからなり、外カップ 31の下端部に接続された昇降部 33により外カップ 31が昇降し、更に内カップ 32は外カップ 31の下端側内周面に形成された段部に押し上げられて昇降可能なように構成されている。

[0022] またスピンチャック 2の下方側には円形板 34が設けられており、この円形板 34の外側には断面が凹部状に形成された液受け部 35が全周に亘つて設けられている。液受け部 35の底面にはドレイン排出口 36が形成されており、ウエノ、 Wからこぼれ落ちるカゝ、あるいは振り切られて液受け部 35に貯留された現像液や洗浄液はこのドレイン排出口 36を介して装置の外部に排出される。また円形板 34の外側には断面山形のリング部材 37が設けられている。なお、図示は省略するが、円形板 34を貫通する例えば 3本の基板支持ピンである昇降ピンが設けられており、この昇降ピンと図示しない基板搬送手段との協働作用によりウエノ、 Wはスピンチャック 2に受け渡しされるように構成されている。

[0023] 更に本例の現像装置は、現像液ノズル 23及び洗浄液ノズル 4を備えている。現像液ノズル 23は、スピンチャック 2に保持されたウェハ Wの直径方向に伸びる帯状の吐出口例えばスリット状の吐出口 23a (図 2参照）を備えている。このノズル 23は現像液供給路 24例えば配管を介して現像液供給系 25に接続されている。この現像液供給系 25は、現像液供給源、供給制御機器などを含むものである。

[0024] 前記現像液ノズル 23は支持部材であるノズルアーム 26の一端側に支持されており、このノズルアーム 26の他端側は図示しなヽ昇降機構を備えた移動基体 27と接続されており、更に移動基体 27は例えばユニットの外装体底面にて X方向に伸びるガイド部材 28に沿って、昇降機構と共に移動機構をなす図示しない駆動源により横方向に移動可能なように構成されて、る。また図中 29は現像液ノズル 23の待機部であり、このノズル待機部 29でノズル先端部の洗浄などが行われる。

[0025] 洗浄液ノズル 4は細孔の例えば口径 4. 3mmの吐出孔 41 (図 2参照）を有し（1Z4 インチチューブ:チューブ肉厚が 1. Omm)、洗浄液供給路 42例えば配管を介して洗浄液供給系 43に接続されている。この洗浄液供給系 43は、洗浄液供給源、供給制御機器などを含むものであり、供給制御機器は、吐出流量可能なポンプ及びバルブなどを備えてヽる。更に洗浄液ノズル 4はノズルアーム 44を介して図示しな、昇降機構を備えた移動基体 45と接続されており、この移動基体 45は昇降機構と共に移動機構をなす図示しない駆動源により例えば前記ガイド部材 28に沿って現像液ノズル 23と干渉しな、で横方向に移動可能なように構成されて、る。また図中 46は洗浄液ノズル 4の待機部である。

[0026] 更に図中 5はコンピュータからなる制御部であり、この制御部 5は、この現像装置が行う後述の動作における各ステップを実行するためのプログラムを備えて、て、現像液供給系 25、現像液ノズル 23を移動させるための移動機構、洗浄液供給系 43、洗浄ノズル 4を移動させるための移動機構、スピンチャック 2を駆動する駆動機構 22及びカップ 32の昇降部 33などを制御するための制御信号を、前記プログラムに基づ!/ヽて出力するように構成されて、る。

[0027] 続、て、上記現像装置を用いて基板であるウェハ Wを現像し、その後洗浄する一連の工程について説明する。先ず、外カップ 31、内カップ 32が下降位置にあり、現像液ノズル 23及び洗浄ノズル 4がノズル待機部 29、 46にて夫々待機して!/ヽる状態において、その表面にレジストが塗布され、更に露光された後のウェハ Wが図示しない基板搬送手段により搬入されると、この基板搬送手段と図示しない昇降ピンとの協働作用によりウェハ Wはスピンチャック 2に受け渡される。

[0028] 次いで、外カップ 31及び内カップ 32が上昇位置に設定されると共に、ウェハ Wの左外縁から僅かに外側であってかつウェハ Wの表面力も僅かに高い位置に現像液ノズル 23を配置すると共に、例えばウェハ Wの右外縁から僅か〖こ外側であってかつウェハ Wの表面力僅かに高い位置に吐出孔 41が設定されるように洗浄液ノズル 4 を配置する。本例では、ウェハ Wの表面から例えば l〜20mm高い位置に吐出口 23 aが設定されている。

[0029] し力る後、ウェハ Wを鉛直軸回りに例えば 500rpm以上、一例として本例では例えば 1000〜1200rpmの回転速度で回転させると共に、吐出口 23aから現像液 Dを帯状に吐出しながら現像液ノズル 23をウェハ Wの回転半径方向、つまりウェハ Wの外側から中央側に向かって移動させる。吐出口 23aから帯状に吐出された現像液 Dは、例えば図 3に模式的に示すように、ウェハ Wの外側から内側に向力つて互いに隙間のな、ように並べられて、き、これによりウェハ Wの表面全体に螺旋状に現像液 D が供給される。そして回転して、るウェハ Wの遠心力の作用によりウェハ Wの表面に沿って現像液 Dは外側に広がり、結果としてウェハ Wの表面には薄膜状の液膜が形成される。そして現像液 Dにレジストの溶解性の部位が溶解して、その後にパターンを形成する不溶解性の部位が残ることとなる。

[0030] このような現像の手法の利点について触れておくと、鉛直軸回りに回転するウェハ Wに対して、その回転半径方向に伸びる帯状の現像液を供給する構成とすることにより、幅の広い帯状の現像液をウェハ wの表面に並べることができる。このため現像液ノズル 23の移動速度を大きく設定することができ、現像時間の短縮ィ匕を図ることができる。また現像が行われている間はウェハ Wを回転させる構成とすることにより、レジスト溶解成分をレジスト表面、特にレジストパターンの谷間にあたる部位カゝら溶解成分を搔き出して除去することができる。

[0031] 次!、でこの現像液ノズル 23と入れ替わるようにして洗浄液ノズル 4がウェハ Wの中央部上方に配置され、そして現像液ノズル 23が現像液の供給を停止した直後に速やかに洗浄液ノズル 4カゝら洗浄液 Rを吐出してウェハ Wの表面の洗浄を行う。以下にこの洗浄工程について図 4及び図 5を参照しながら詳述すると、この洗浄工程は以下のステップにより行われる。

[0032] ステップ 1 : 図 4 (a)に示すように、洗浄液ノズル 4をウェハ Wの中心部に対向しかつウェハ Wの表面から 10mmから 20mmの範囲にある高さの位置、例えば 16mmに設定し、スピンチャック 2を 500rpmから 2000rpmの範囲にある回転数、好ましくは 1 OOOrpmの回転数で回転させながら、洗浄液ノズル 4からウェハ Wの中心部に洗浄液例えば純水を lOOmlZ分から 750mlZ分の範囲の流量、好ましくは 250mlZ分力も 500mlZ分の範囲の流量で例えば 5秒間吐出する。これにより洗浄液が遠心力によりウェハ Wの中心部から周縁に向かって広がりウェハ Wの表面全体に液膜が形成される。なおウェハ Wの中心部とは、中心点あるいはその近傍を意味する。

[0033] ステップ 2: 次いで図 4 (b)に示すように、スピンチャック 2を 1500rpm以上例えば 2000rpmの回転数で回転させながら洗浄液を例えば 250mlZ分の流量で吐出しな力 ¾洗浄液ノズル 4をウェハ Wの中心部から予め設定された位置に向かって 5mmZ 秒から 30mmZ秒の範囲にあって標準的な設定値が lOmmZ秒の移動速度で移動させる。このように洗浄液の供給位置をウェハ Wの中心部力外側に移動させることにより、乾燥領域がウェハ Wの中心部に発生する。つまりウェハ Wの中心部に今まで供給されて、た洗浄液がなくなるので、液膜がウェハ Wの中心部力も乾き始めて乾燥領域のいわばコアがウェハ Wの中心部に発生する。そしてその乾燥領域 (コア） 6が広がっていく。このとき洗浄液ノズル 4は、ここから吐出した洗浄液の供給位置が乾燥領域 6に追、つかれな、速度で外側に向かって移動することが重要である。従つて洗浄液ノズル 4の好ましヽ移動速度は、ウェハ Wの回転数及び洗浄液の吐出流量によって多少変わってくる。なお乾燥領域 6とは、洗浄液が蒸発することによりゥェハ Wの表面が露出した領域である力ウェハ Wの表面にミクロレベルの液滴が付着している場合もこの乾燥領域に相当する。

[0034] ステップ 3 : 続いて図 4 (c)に示すように、ウェハ Wの周縁よりも中心部側に寄った位置であって、ウェハ Wの中心部から予め設定された距離だけ外側に離れた位置において、当該洗浄液ノズル 4の移動を停止し、その後直ぐに洗浄液ノズル 4からの洗浄液の供給を停止する。ここでいう「予め設定された距離」とは、ウェハ Wの中心部より 50mm以上の距離であることが好ましぐさら〖こは、「予め設定された距離」は、ゥェハ Wの中心部から、ウェハ Wの周縁よりも 5mm以上中心部側に寄った位置までの距離であることが好ましい。より具体的には、ウェハ ^\^カ¾インチサイズの大きさの場合は、ウェハ Wの中心部より 50mm以上の距離であって、ウェハ Wの中心部より 95mm 以下の距離（ウェハ Wの中心部から、ウェハ Wの周縁よりも 5mm以上中心部側に寄つた位置までの距離）であり標準的な設定値は 80mmであり、ウェハ Wが 12インチサィズの大きさの場合は、ウェハ Wの中心部より 50mm以上の距離であって、ウェハ W の中心部より 145mm以下の距離（ウェハ Wの中心部から、ウェハ Wの周縁よりも 5m m以上中心部側に寄った位置までの距離)であり標準的な設定値は 80mmであることが好ましい。その理由は、ウェハ Wの中心部に近い位置において洗浄液の吐出を停止すると、ウェハ Wの周縁に近い領域が大きな遠心力により液が飛ばされて乾燥し始めてしまうおそれがある。このため乾燥領域 6が発生した後、乾燥領域 6の外側にてできるだけ多くの量の洗浄液をウエノ、 W上に供給しておくことが望ましい。この洗浄液の停止のタイミングは、乾燥領域 6が洗浄液の供給位置に到達する前であり、例えば洗浄液ノズル 4をウェハ Wの中心部から 80mm離れた位置で移動を停止する場合には洗浄液ノズル 4の移動を停止した後、例えば 1秒以内である。このステップにっヽては、乾燥領域 6が洗浄液の供給位置に到達する直前まで洗浄液を供給して V、ることが好ましヽ。なお洗浄液ノズル 4の移動を停止させずに洗浄液の供給のみ停止するようにしてちょい。

[0035] し力し洗浄液ノズル 4の落ち着く先力ウェハ Wの中心部から離れすぎると、洗浄液に作用する遠心力が大きくなつてくるので、ウエノ、 wの表面に吐出された洗浄液が外側に跳ねる格好になって液流が乱れ、このためウェハ W上の溶解生成物あるいは現像の段階までに付着したパーティクルである異物が巻き上げられ、後から追ってくる乾燥領域 6の界面の移動による異物の除去作用が機能しなくなり、結果としてウェハ W上に残留するおそれが大きい。一方洗浄液ノズル 4の落ち着く先が、ウェハ Wの中心部に近いと、乾燥領域 6が直ぐに到達してしまい、それまでに洗浄液の吐出を停止しなければならないことから、ウェハ Wの周縁部に洗浄液を十分に行き渡らせることができなくなってしまう。こうした観点から、ウェハ Wの周縁側に洗浄液を供給して液膜を維持しておくために洗浄液ノズル 4をウェハ Wの中心部からウェハ Wの中心部より 50mm以上の距離の位置であって、ウェハ Wの中心部から、ウェハ Wの周縁よりも 5mm以上中心部側に寄った位置まで、洗浄液を吐出させながら移動させ、その位置にて乾燥領域 6が到達する直前まで洗浄液を吐出して、ることが好ま、と、うことになる。具体的には、ウェハ Wが 8インチサイズの大きさの場合は、ウェハ Wの中心部より 50mm以上の距離の位置であって、ウェハ Wの中心部より 95mm以下の距離の位置（ウェハ Wの中心部から、ウェハ Wの周縁よりも 5mm以上中心部側に寄った位置）であり、ウェハ Wが 12インチサイズの大きさの場合は、ウェハ Wの中心部より 5 Omm以上の距離の位置であって、ウェハ Wの中心部より 145mm以下の距離の位置（ウェハ Wの中心部から、ウェハ Wの周縁よりも 5mm以上中心部側に寄った位置）まで、洗浄液を吐出させながら移動させ、その位置にて乾燥領域 6が到達する直前まで洗浄液を吐出してヽることが好まヽ。なお洗浄液ノズル 4の移動を停止せずに洗浄液を吐出したままウェハ Wの外縁まで移動させる場合であっても、従来のスピン洗浄よりは洗浄効果が高いので、本発明の範囲に含まれる。

ステップ 4 : 洗浄液ノズル 4の洗浄液の吐出を停止した後は、そのままの回転数 (この例では 2000rpmの回転数）でウェハ Wを回転させる。これにより図 4 (d)に示すように乾燥領域 6が外側に向力つて広がる。このように乾燥領域 6が広がっていくと、図 5 (a) , (b)に示すように、乾燥領域 6の外縁、即ち洗浄液 Rの内縁が液の蒸発によりその界面が外側に押されて上に盛り上がり、この状態でウェハ Wの外縁まで走ることになる。このように液が盛り上がろうとすることから、ウェハ Wと液との界面に潜んでいる異物が搔き上げられて当該界面力離脱し、液流に乗ってウェハ wの外まで運ばれいくものと考えられる。

[0037] ステップ 5 : 乾燥領域 6がウエノ、 Wの周縁まで広がった後、洗浄液ノズル 4をゥェハ W上から退避させると共にウェハ Wの回転による遠心力により、 12インチサイズのウェハ Wの場合にはウェハ Wの回転数を約 2000rpmに設定したままウェハ W上の液滴を振り切って乾燥を行い、 8インチサイズのウェハ Wの場合にはウェハ Wの回転数を 4000rpmに設定したままウェハ W上の液滴を振り切って乾燥を行う。この振り切り乾燥工程におけるウェハ Wの回転数は、例えば 12インチサイズのウエノ、 Wの場合【こ ίま 2000〜2500rpmであり、 8インチサイズのウエノヽ Wの場合【こ ίま 2000〜4000r pmであることが好ましい。

[0038] 以上の一連のステップ 1〜5は、制御部 5のメモリ内に格納されているプログラムを C PUが読み出し、その読み出した命令に基づ、て既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。なおステップ 1におけるウェハ Wの表面全体に液膜を形成する工程では、ウェハ Wの全面を濡らすことができればよいので、ゥェハ Wの回転数及び洗浄液の吐出流量は特に限定されるものではなぐ例えばステツプ 2における回転数及び吐出流量と同じであってもよい。

[0039] 上述の実施の形態によれば、現像を終えたウェハ Wを回転させながらその中心部から洗浄液を周囲に広げて液膜を形成し、次ヽでウェハ Wの中心部に乾燥領域 6を発生させてウェハ Wを 1500rpmの回転数で回転させその遠心力により乾燥領域 6を周囲に広げるようにしているので、図 5にて洗浄のメカニズムを推測したように、また後述の実施例からも裏付けられるように現像時の溶解生成物の除去効果が大きぐウェハ Wの表面上の異物を低減でき、現像欠陥を抑えることができる。洗浄時間つまり洗浄液を供給して力も振り切り乾燥を行える状態に至るまでの時間も例えば 10秒以内と極めて短くて済み、スループットの向上を図れる。

(第 2の実施の形態）

この実施の形態は、洗浄液ノズル 4の他にガスをウェハ Wの表面に吹き付けるためのガスノズルを更に備えている点が第 1の実施の形態の構成と異なる。図 6に示すようにこのガスノズル 7は、洗浄液ノズル 4と一体に、即ち共通のアームにより移動できるように構成してもよ、し、ある、は洗浄液ノズル 4とは独立して移動できる構成であつてもよい。図 6では、ガスノズル 7は支持部 71を介して洗浄液ノズル 4に固定されている。ガスノズル 7と洗浄液ノズル 4との離間距離は約 30mmである。ガスノズル 7は、ガス供給路 72例えばガス供給管を介してガス供給系 73に接続されている。このガス供給系 73は、ガス供給源、バルブ、流量調整部などを含んでおり、制御部 5によりガスの供給制御が行われるようになって、る。

[0040] この実施の形態においては、現像が行われた後、図 7に示すようにしてウェハ Wの洗浄が行われるが、第 1の実施の形態と異なる点は、ウェハ Wの中心部に洗浄液を吐出した後、当該中心部にガスを吹き付け、直ぐにその吹きつけを停止する点であり、そのほかは第 1の実施の形態と同じである。当該中心部にガスを吹き付ける時間は 0. 5秒から 2. 0秒の範囲にある時間である。以下に第 1の実施の形態と異なる点を中心に洗浄工程を述べる。

[0041] ステップ 1：図 7 (a)に示すように、洗浄液ノズル 4からウェハ Wの中心部に洗浄液例えば純水を吐出する。

[0042] ステップ 2 : 次いで図 7 (b)に示すように、洗浄液を既述の流量で吐出しながら洗浄液ノズル 4をウェハ Wの中心部力少し離れた位置まで移動し、即ち洗浄液ノズル 4とガスノズル 7との離間距離に相当する距離だけ移動し、ガスノズル 7からウェハ W の中心部にガスを例えば 1秒間吐出し、図 7 (c)に示すようにその吐出を停止する。このように洗浄液の供給位置をウェハ Wの中心部力外し、かつガスを当該中心部に供給することにより、ウェハ Wの中心部に確実に乾燥領域 6のコアを形成することができる。

[0043] ステップ 3 : その後、図 7 (d)に示すように洗浄液ノズル 4を洗浄液を吐出したまま第 1の実施の形態のように、予め設定された位置例えばウェハ Wの中心部から 50m m〜145mm離れた、例えば 80mm離れた位置まで移動させ、図 7 (e)に示すように当該洗浄液ノズル 4を停止し、ここ力ゝらの洗浄液の供給を停止する。この場合においても、洗浄液ノズル 4の洗浄液の供給位置が乾燥領域 6に追ヽつかれなヽようにすることが重要である。

[0044] ステップ 4 : 洗浄液ノズル 4の洗浄液の吐出を停止した後は、そのままの回転数でウエノ、 Wを回転させ、これにより乾燥領域 6が既述のように外側に向力つて広がる。ここで、ウェハ Wの回転数は、 8インチサイズのウェハ Wの場合には 4000rpmであり、 12インチサイズのウェハ Wの場合には 2000rpmである。その後、図 7 (f)に示すように洗浄液ノズル 4をウェハ W上カゝら退避させると共に第 1の実施の形態と同様にしてウェハ W上の液滴を振り切って乾燥を行う。

[0045] 以上の一連のステップ 1〜4は、制御部 5のメモリ内に格納されているプログラムに基づいて実行される。

[0046] この実施の形態のようにウェハ Wの中心部力も洗浄液を周囲に広げて液膜を形成した後、ガスをウェハ Wの中心部に吹き付け、直ぐにその吹き付けを停止するようにすれば、ウェハ W中心部に近い領域において、ガスの吹き付けを利用しない場合に比べ、より確実に乾燥領域を発生させることができ、中心部に近い領域における洗浄効果をより高めることができる。

(第 3の実施の形態）

この実施の形態は、 2本の洗浄液ノズルを用い、一方の洗浄液ノズルをウェハ Wの中心部への洗浄液供給用とし、他方の洗浄液ノズルを中心部から設定距離離れた位置への洗浄液供給用とした点が第 1の実施の形態と異なる。以下に第 1の実施の形態と異なる点を中心に洗浄工程を述べる。

[0047] ステップ 1：図 8 (a)に示すように、一方の洗浄液ノズル 4及び他方の洗浄液ノズル 8を夫々ウェハ Wの中心部及びその中心部から例えば 80mm離れた位置の上方に位置させる。そして両方の洗浄液ノズル 4、 8から同時に洗浄液例えば純水を吐出する。

[0048] ステップ 2：次!、で図 8 (b)に示すように、一方の洗浄液ノズル 4につ!/、て洗浄液を例えば 5秒間吐出した後、その吐出を停止する。これにより乾燥領域 6がウェハ Wの中心部に発生する。

[0049] ステップ 3 : 乾燥領域 6がウェハ Wの外に広がっていく力図 8 (c)に示すように、他方の洗浄液ノズル 8につヽて、乾燥領域 6がその供給位置に到達する前に洗浄液の吐出を停止する。

[0050] ステップ 4 : 洗浄液ノズル 8の洗浄液の吐出を停止した後は、そのままの回転数でウエノ、 Wを回転させ、これにより乾燥領域 6が既述のように外側に向力つて広がる。その後、図 8 (d)に示すように洗浄液ノズル 4及び 8をウェハ W上力退避させると共に第 1の実施の形態と同様にしてウェハ W上の液滴を振り切って乾燥を行う。

[0051] 以上の一連のステップ 1〜4は、制御部 5のメモリ内に格納されているプログラムに基づいて実行される。

[0052] この実施の形態においても実施の形態 1と同様の効果が得られる。なお洗浄液ノズル 4及び 8は、夫々別の移動機構により独立して移動することができるように構成してもよいが、共通の移動機構により一体になつて移動できる構成であってもよい。 (第 4の実施の形態）

この実施の形態は、第 2の実施の形態と第 3の実施の形態とを組み合わせたものであり、要部の構成は図 9に示すとおりである。この実施の形態では 2本の洗浄液ノズル 4、 8を用いており、第 2の実施の形態のように一方の洗浄液ノズル 4についてゥェハ Wの中心部に洗浄液を供給した後、供給位置が乾燥領域 6の外に位置すると、う点を考慮しなくて済むことから、洗浄液ノズル 4とガスノズル 7とは接近して設けられ、例えば両者は共通の移動機構により移動できるようになつている。以下にこの例の洗浄工程について説明する。

[0053] ステップ 1：図 10 (a)に示すように、一方の洗浄液ノズル 4及び他方の洗浄液ノズル 8を夫々ウェハ Wの中心部及びその中心部から例えば 80mm離れた位置の上方に位置させる。そして両方の洗浄液ノズル 4、 8から同時に洗浄液例えば純水を吐出する。

[0054] ステップ 2 : 次いで図 10 (b)に示すように、一方の洗浄液ノズル 4について洗浄液を例えば 5秒間吐出した後、その吐出を停止し、その直後にガスノズル 7からウェハ Wの中心部にガスを例えば 1秒間吐出する。これによりウェハ Wの中心部に確実に乾燥領域 6のコアを形成することができる。

[0055] ステップ 3 : 次いで図 10 (c)に示すようにガスノズル 7からのガスの供給を停止し、例えば 2000rpmの回転数でウェハ Wを回転させておくことにより、乾燥領域 6が外側に広がって、く。このとき他方の洗浄液ノズル 8につヽては洗浄液ノズルを吐出したままである。 [0056] ステップ 4 : 乾燥領域 6がウェハ Wの外に広がっていく力図 10 (d)に示すように、他方の洗浄液ノズル 8につヽて、乾燥領域 6がその供給位置に到達する前に洗浄液の吐出を停止する。

[0057] ステップ 5 : 洗浄液ノズル 8の洗浄液の吐出を停止した後は、そのままの回転数でウエノ、 Wを回転させ、これにより乾燥領域 6が既述のように外側に向力つて広がる。その後、図 10 (e)に示すように洗浄液ノズル 4、ガスノズル 7及び洗浄液ノズル 8をゥェハ W上力退避させると共に第 1の実施の形態と同様にしてウェハ W上の液滴を振り切って乾燥を行う。

[0058] 以上の一連のステップ 1〜5は、制御部 5のメモリ内に格納されているプログラムに基づいて実行される。

[0059] この実施の形態では、ガスノズル 7を用いた第 2の実施の形態と同様の効果が得られるが、第 2の実施の形態よりは、種々の設定が容易である利点がある。即ち、第 2の実施の形態では、一方の洗浄液ノズル 4からウェハ Wの中心部力移動させたとほぼ同時にガスノズル 7を当該中心部に位置させてガスを吹き付けなければならないことと、洗浄液ノズル 4からの洗浄液の供給位置を乾燥領域に追ヽつかれなヽように移動させることとの両方を満足させる必要があるが、第 4の実施の形態では、 2本の洗浄液ノズル 4、 8を用いているので、このような配慮をしなくて済む力もである。

[0060] 本発明で用いる洗浄液は純水に限られるものではなぐ例えば界面活性剤であつてもよい。この場合、界面活性剤で既述のようにして洗浄を行った後、純水によりゥェハ W上を洗浄してもよい。また既述の洗浄を行う前に前洗浄を行ってもよぐこの前洗浄としては例えばウェハ Wを回転させながらその中心部に洗浄液を連続してある!/ヽは間欠的に吐出する手法などを適用することができる。

[0061] 以上の第 1の実施形態力も第 4の実施形態の各々の実施形態においては、ウェハ Wの中心部力発生する洗浄液の乾燥領域 6の広がり状態を把握することについては経験的データに基づいていた。以下に、ウェハ Wの中心部から発生する洗浄液の乾燥領域 6の広がり状態を検出するために、画像センサ 76をさらに設けた例を説明する。

画像センサ 76としては例えば CCDを用いることができる。画像センサ 76は、レンズ等の光学系や照明光源等と組み合わされている。画像センサ 76は、ウェハ Wの中心部の上方であって、洗浄液ノズル 4等の移動部材に支障のな、位置に設けられて、る。画像センサ 76は制御部 5によって制御されるとともに、画像センサ 76で検出した検出データは制御部 5へ送られ、種々の制御に供される。

画像センサ 76はレンズを介してその受光面に結像されるウェハ W上の時間的に変化する光学的な濃淡情報を検出し、これによつて時間的に変化する乾燥領域 6の広力 Sり状態を検出する。乾燥領域 6の外縁を境界としてその内側と外側とで光学的な濃淡色情報が異なるので、画像センサ 76によって検出した画像データを用いて、乾燥領域 6の外縁位置に着目することによって乾燥領域 6の時間的に変化する半径を求める。具体的には、例えば図 5 (a) , (b)に示す洗浄液 Rの最内側縁部の位置を求めることにより、その検出時刻における乾燥領域 6の広がり大きさ（半径)を求め、時々刻々変化する乾燥領域 6の広がり状態を検出する。乾燥領域 6の形状が正確な円形形状でない場合には、ソフトウェアプログラムによって円形処理を施し、円形処理ィ匕されて得られた円の半径を求める。なお、洗浄液 Rの最内側縁部の位置とウェハ W の中心部との距離が乾燥領域 6の半径に相当するが、例えば求めた半径力も適当量だけ減算して乾燥領域 6の大きさをより小さめの値として求めることも可能である。これによって、例えば洗浄液を吐出させながら洗浄液ノズル 4を移動させる場合に、確実に乾燥領域 6の外側位置において乾燥領域 6が到達する直前まで洗浄液を吐出させることが可能になる。

制御部 5は、画像センサ 76で検出した乾燥領域 6の広がり大きさに関する情報に基づき、例えば、洗浄液ノズル 4の移動量や移動位置や移動速度や洗浄液ノズル 4の停止タイミング等を制御したり、ガスノズル 7によるウェハ Wの中心部に吹き付けるガスの吹き付け量や吹き付けタイミング等を制御したりする等の種々の制御が可能になる。このように、ウェハ Wの中心部から発生する洗浄液の乾燥領域 6の広がり状態を画像センサ 76によって検出することができるので、洗浄液ノズル 4やガスノズル 7等の移動位置や移動タイミングやこれらによる供給物の供給量を確実に制御することが可會になる。

(実験例）実施例 1 :レジストが塗布され、露光が行われ、かつ現像が終了した後の 12インチサイズのウェハについて、上述第 2の実施の形態により洗浄を行った。

比較例 1：実施例 1にお、て (第 2の実施の形態にぉ、て）、前記ウェハと同様のゥェハを用い、ガスノズル 7からその中心部にガスを吹き付けた後、その吹きつけを継続し、洗浄液ノズル 4の洗浄液供給位置の直ぐ内側にガスノズル 7からガスを吹き付けながら両ノズル 4、 7をウェハ Wの外縁まで移動させた。ウェハの回転数及び洗浄液の吐出流量については、実施例 1と同様に設定した。

[0063] 比較例 2 :ウェハの中心部に洗浄液ノズル力も洗浄液を 11Z分の流量で 15秒間吐出し、いわゆる従来のスピン洗浄を行った。

[0064] 各ウェハについてパーティクル数をカウントし、そのカウント値について、比較例 2を 100%とすると、比較例 1は 28%であり、実施例 1は 8%であった。従ってガスをゥェハの中心に吹き付けて、洗浄液の供給位置の移動と共に吹きつけ位置をウェハの外縁まで移動させる手法を採用すると、ウェハの中心部に洗浄液を吐出するだけの手法に比べてかなり高い洗浄効果が得られる力ガスの吹きつけをウェハの中心部のみに行った本発明によれば、それよりも格段に高い洗浄効果が得られることが分かる

(現像装置を適用した塗布 ·現像装置の例）

最後に上述の現像装置が組み込まれ塗布 ·現像装置の一例の構成につ！ヽて図 11 及び図 12を参照しながら簡単に説明する。図中 B1は基板であるウエノ、 Wが例えば 13枚密閉収納されたキャリア C1を搬入出するためのキャリア載置部であり、キャリア C1を複数個載置可能な載置部 90aを備えたキャリアステーション 90と、このキャリアステーション 90から見て前方の壁面に設けられる開閉部 91と、開閉部 91を介してキャリア C1からウェハ Wを取り出すための受け渡し手段 A1とが設けられている。

[0065] キャリア載置部 B1の奥側には筐体 92にて周囲を囲まれる処理部 B2が接続されており、この処理部 B2には手前側力順に加熱 ·冷却系のユニットを多段化した棚ュ- ット Ul, U2, U3と、後述する塗布'現像ユニットを含む各処理ユニット間のウェハ W の受け渡しを行う主搬送手段 A2, A3とが交互に配列して設けられている。即ち、棚ユニット Ul, U2, U3及び主搬送手段 A2、 A3はキャリア載置部 B1側力見て前後一列に配列されると共に、各々の接続部位には図示しないウェハ搬送用の開口部が形成されており、ウェハ Wは処理部 B1内を一端側の棚ユニット U1から他端側の棚ユニット U3まで自由に移動できるようになつている。また主搬送手段 A2、 A3は、キヤリア載置部 B1から見て前後方向に配置される棚ユニット Ul, U2, U3側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニット U4, U5側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁 93により囲まれる空間内に置かれている。また図中 94 、 95は各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニットである。

[0066] 液処理ユニット U4, U5は、例えば図 16に示すように塗布液（レジスト液)や現像液といった薬液供給用のスペースをなす収納部 96の上に、塗布ユニット COT、本発明に係る現像装置を備えた現像ユニット DEV及び反射防止膜形成ユニット BARC等を複数段例えば 5段に積層した構成とされている。また上述の棚ユニット Ul, U2, U3 は、液処理ユニット U4, U5にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば 10段に積層した構成とされており、ウェハ Wを加熱 (ベーク）する加熱ユニット、ウェハ Wを冷却する冷却ユニット等が含まれる。

[0067] 処理部 B2における棚ユニット U3の奥側には、例えば第 1の搬送室 97及び第 2の搬送室 98からなるインターフェイス部 B3を介して露光部 B4が接続されて、る。インタ一フェイス部 B3の内部には処理部 B2と露光部 B4との間でウェハ Wの受け渡しを行うための 2つの受け渡し手段 A4、 A5の他、棚ユニット U6及びバッファキャリア COが設けられている。

[0068] この装置におけるウェハの流れについて一例を示すと、先ず外部からウェハ Wの収納されたキャリア C1が載置台 90に載置されると、開閉部 91と共にキャリア C1の蓋体が外されて受け渡し手段 A1によりウエノ、 Wが取り出される。そしてウェハ Wは棚ュニット U1の一段をなす受け渡しユニット（図示せず)を介して主搬送手段 A2へと受け渡され、棚ユニット U1〜U3内の一の棚にて、塗布処理の前処理として例えば反射防止膜形成処理、冷却処理が行われ、し力る後塗布ユニット COTにてレジスト液が塗布される。続いてウェハ Wは棚ユニット U1〜U3の一の棚をなす加熱ユニットでカロ熱 (ベータ処理)され、更に冷却された後棚ユニット U3の受け渡しユニットを経由してインターフェイス部 B3へと搬入される。このインターフェイス部 B3にお!/、てウェハ W は例えば受け渡し手段 A4→棚ユニット U6→受け渡し手段 A5という経路で露光部 B 4へ搬送され、露光が行われる。露光後、ウェハ Wは逆の経路で主搬送手段 A2まで搬送され、現像ユニット DEVにて現像されることでレジストマスクが形成される。し力る後ウエノ、 Wは載置台 90上の元のキャリア C1へと戻される。

Claims

請求の範囲

[1] 露光された基板の表面に現像液を供給して現像を行った後に基板の表面を洗浄する方法において、

前記基板の表面における前記乾燥領域の外側領域に洗浄液を供給する工程と、を含むことを特徴とする基板洗浄方法。

[2] 前記乾燥領域の外側領域に洗浄液を供給する工程を行った後、基板の周縁よりも中心部側に寄った位置であって、基板の中心部力予め設定された距離だけ外側に離れた位置にお!ヽて、当該洗浄液の供給を停止する工程を含むことを特徴とする請求項 1記載の基板洗浄方法。

[3] 基板は、 8インチサイズ以上の大きさの半導体ウェハであり、前記予め設定された距離は、基板の中心部より 50mm以上の距離であることを特徴とする請求項 2記載の基板洗浄方法。

[4] 前記予め設定された距離は、基板の中心部から、基板の周縁よりも 5mm以上中心部側に寄った位置までの距離である

ことを特徴とする請求項 2記載の基板洗浄方法。

[5] 前記乾燥領域の外側領域に洗浄液を供給する工程は、基板の中心部に洗浄液を供給したノズルにより行うことを特徴とする請求項 1な、し 4の、ずれか一に記載の基板洗浄方法。

[6] 前記乾燥領域の外側領域に洗浄液を供給する工程は、基板の中心部に洗浄液を供給したノズルとは別のノズルにより行うことを特徴とする請求項 1な、し 4の、ずれか一に記載の基板洗浄方法。

[7] 前記基板の表面における前記乾燥領域の外側領域に洗浄液を供給する工程は、画像センサによって前記乾燥領域の広がり状態を検出しその検出データを参照して行われる

ことを特徴とする請求項 1なヽし 4のヽずれか一に記載の基板洗浄方法。

[8] 洗浄液の乾燥領域を基板の中心部に発生させる工程は、洗浄液の供給を停止する力または洗浄液の供給位置を基板の中心部力も外側に移動することに加えて、ガスを基板の中心部に吹き付け、直ぐにその吹き付けを停止する工程を含むことを特徴とする請求項 1な、し 4の、ずれか一に記載の基板洗浄方法。

[9] 露光された基板の表面に現像液ノズルにより現像液を供給して現像を行！ヽ、ヽて当該基板の表面を洗浄する現像装置において、

基板を水平に保持する基板保持部と、

この基板保持部を鉛直軸の回りに回転させる回転機構と、

を備えたことを特徴とする現像装置。

[10] 前記プログラムは、洗浄液ノズルを乾燥領域に追ヽつかれな!/ヽ速度で基板の外側に向力つて移動するステップにカ卩えて、基板の周縁よりも中心部側に寄った位置であつて、基板の中心部から予め設定された距離だけ外側に離れた位置において、当該洗浄液ノズル力ゝらの洗浄液の供給を停止するステップを実行するように作成されて、ることを特徴とする請求項 9記載の現像装置。

[11] 前記乾燥領域の広がり状態を検出する画像センサを更に備え、

前記プログラムは、前記画像センサによって検出した前記乾燥領域の広がり状態に関する検出データを参照して、洗浄液の供給位置が乾燥領域に追いつかれない速度で洗浄液ノズルを基板の外側に向かって移動する前記ステップを実行するよう〖こ作成されている

ことを特徴とする請求項 9または 10に記載の現像装置。

[12] ガスを基板に吹き付けるためのガスノズルを更に備え、

洗浄液の乾燥領域を基板の中心部に発生させるステップは、洗浄液の供給位置を基板の中心部力外側に移動させた直後にガスノズル力ガスを基板の中心部に吹き付け、直ぐにその吹き付けを停止するステップであることを特徴とする請求項 9または 10に記載の現像装置。

[13] 露光された基板の表面に現像液ノズルにより現像液を供給して現像を行、、ヽて当該基板の表面を洗浄する現像装置において、

基板を水平に保持する基板保持部と、

この基板保持部を鉛直軸の回りに回転させる回転機構と、

基板保持部を回転させながら前記第 1の洗浄液ノズルカゝら基板の中心部に洗浄液を供給すると共に基板の中心部カゝら予め設定された距離だけ外側に離れた位置に第 2の洗浄液ノズル力洗浄液を供給するステップと、第 1の洗浄液ノズルの洗浄液の供給を止めることにより洗浄液の乾燥領域を基板の中心部に発生させるステップと、基板保持部を 1500rpm以上の回転数で回転させた状態とすることにより前記乾燥領域を基板の中心部力外に向力つて広げるステップと、前記乾燥領域がその供給位置に到達する前に、第 2の洗浄液ノズルの洗浄液の供給を止めるかあるいはその供給位置が乾燥領域に追ヽつかれな!/ヽ速度で当該第 2の洗浄液ノズルを基板の外側に向力つて移動するステップと、を実行するように作成されたプログラムと、を備えたことを特徴とする現像装置。

[14] ガスを基板に吹き付けるためのガスノズルを更に備え、洗浄液の乾燥領域を基板の中心部に発生させるステップは、第 1の洗浄液ノズルの洗浄液の供給を止めた直後にガスノズルカゝらガスを基板の中心部に吹き付け、直ぐにその吹き付けを停止するステップであることを特徴とする請求項 13記載の現像装置。

[15] 前記乾燥領域の広がり状態を検出する画像センサを更に備え、

第 2の洗浄液ノズルの洗浄液の供給を止めるかあるいはその供給位置が乾燥領域に追ヽつかれな!/、速度で当該第 2の洗浄液ノズルを基板の外側に向カゝつて移動する前記ステップは、前記画像センサによって検出した前記乾燥領域の広がり状態に関する検出データを参照して行われる

ことを特徴とする請求項 13記載の現像装置。

[16] 基板は、 8インチサイズ以上の大きさの半導体ウェハであり、前記予め設定された距離は、基板の中心部より 50mm以上の距離であることを特徴とする請求項 10、 13

、 14または 15のいずれか一に記載の現像装置。

[17] 前記予め設定された距離は、基板の中心部から、基板の周縁よりも 5mm以上中心部側に寄った位置までの距離である

ことを特徴とする請求項 16記載の基板洗浄方法。