WO2004012330A1

WO2004012330A1 - 圧電部品およびその製造方法

Info

Publication number: WO2004012330A1
Application number: PCT/JP2003/009311
Authority: WO
Inventors: Yoshihiro Koshido
Original assignee: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date: 2002-07-31
Filing date: 2003-07-23
Publication date: 2004-02-05
Also published as: US20060091485A1; EP1458094A1; KR100642932B1; JP2004129222A; CN1565078A; AU2003252240A1; US20040207033A1; KR20040089137A; EP1458094A4

Abstract

　小型化が可能であり、さらに外部端子の位置の自由度を向上させた圧電部品およびその製造方法を提供する。圧電基板に形成されたＩＤＴ２および該ＩＤＴ２と接続されている導通パッド３を有するＳＡＷ素子６と、導通パッド用貫通孔１８を有する接合基板２０とが、上記ＩＤＴ２と対向するように、接着層２１により接着されている弾性表面波装置である。上記ＩＤＴ２などの弾性表面波の励振部分を保護する励振部分保護用中空構造１６により保護空間を形成している。また、上記導通パッド用貫通孔１８を介して上記導通パッド３と接続されている外部端子２２が導通パッド用貫通孔１８からずれた位置にある。

Description

明細書

圧電部品およびその製造方法技術分野

本発明は、例えば、遅延線、フィルタ等に用いられる弾性表面波装置および圧電薄膜フィルタ等の圧電部品およびその製造方法に関し、特に、チップサイズにパッケージングされた圧電部品およびその製造方法に関するものである。背景技術

近年の電子機器の小型化、軽量化により、電子部品に対しても多機能化が要求されている。このような背景の中、携帯電話機等の通信装置に使用される弾性表面波装置としての弾性表面波フィルタ（以下 S A Wフィルタという）および圧電薄膜共振子を利用した圧電フィルタ等の圧電部品に対しても同様に小型化、軽量化が求められている。圧電フィルタは、開口部若しくは凹部を有する S i基板と、該開口部若しくは凹部上に形成されている少なくとも 1 層以上の圧電薄膜（例えば、 Z n Oや A I Nからなる）を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電共振子、または S i基板に開口部や凹部を設けることなく、下部電極と S i 基板との間に空間を形成してなる圧電共振子を梯子型またはラテイス型に構成してなっている。このような圧電フィル夕においては、振動部で発生する厚み縦振動を利用するため、振動空間を確保すると共に、振動部を水分や埃などから保護する必要があるまた、弾性表面波フィルタは、水晶やし i T a 0 ₃、 L i N b 0 ₃ 等の圧電基板上に A Iなどの金属からなる 1対のくし型電極部（インターデジタル卜ランスデューサ、以下、 I D Tと略記する）を配置してなつている。このような弾性表面波フィルタにおいては、くし型電極部ゃ圧電基板の弾性表面波の伝搬部分などの振動空間を確保すると共に、くし型電極部を水分や埃などから保護する必要がある。

上記の圧電フィルタおよび^性表面波フィルタでは、アルミナなどのセラミックからなるパッケージの底面にダイボンド剤を塗布し、圧電フィルタおよび弾性表面波フィル夕の素子をダイボンドでパッケージに搭載し、パッケージ内部の端子と素子の電極とをワイヤボンディングにより接続した後、パッケージをリッドによって封止されていた。また、上記の圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタは、小型化のために、アルミナなどからなる/:?ッケージの底面に電極ランドを形成し、圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタの素子をダイポンドでパッケージにフリップチップボンディングで搭載し、パッケージをリッドによって封止することも行われていた。

しかし、上記のような構造では、圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタの素子を小型化したところで、パッケージが小型化されない限り、圧電フィルタおよび弾性表面波フィルタの小型化 ·低背化ができないという問題があった。また、小型のパッケージにかかるコス卜が高いという問題もあった。またさらに、特に圧電フィルタでは、振動部が基板の開口部若しくは凹部に形成されているため、素子のダイシング、実装時の素子のピックアップ、ダイポンドなどの工程における衝撃によって、振動部の破壊が発生するという問題があった。

これに対し、例えば、特許文献 1、特許文献 2および特許文献 3では、バンプによる実装が行われている。これらの公報によれば、ベース基板に形成したバンプを S A W素子とを接着するフリップチップ実装で、ワイヤボンディングに必要な空間をなくすことにより S A Wフィル夕の小型化が図られている。しかしながら、 S A W素子にはバンプに対する導通パッドを形成する必要があり、 S A W素子の有効面積が小さくなるため、小型化が困難である。また、バンプ形成のコス卜がかかる。

そこで、特許文献 4では、 S A W素子を、 S A W素子の引き出し電極に対向する貫通孔を形成したベース基板に搭載し、貫通孔に導電剤を充填して、外部回路接続部を形成している。これにより、 S A Wフィル夕の小型化が行われている。

【特許文献 1 】

特開 2 0 0 1 — 9 4 3 9 0号公報

【特許文献 2】

特開平 1 1 — 1 5 0 4 4 1号公報

【特許文献 3】

特開 2 0 0 1 _ 6 0 6 4 2号公報

【特許文献 4】

特開 2 0 0 1 — 2 4 4 7 8 5号公報

. 発明の開示

ところが、特許文献 4に記載の構成では S A W素子の引き出し電極と、ベース基板の貫通孔とは必ず対向する位置にあるため、その貫通孔に形成される外部端子の位置が固定されている。そのため、外部端子の位置を変更することができないという問題がある。

本発明は、上記従来の問題に鑑みなされたものであり、その目的は、小型化が可能であり、さらに外部端子の位置の自由度を向上させた弾性表面波装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明の圧電部品は、上記の課題を解決す ¾ために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品であって、上記振動部の保護空間を有し、上記貫通孔に形成された外部端子接続部材を介して上記素子配線に接続されている外部端子が貫通孔からずれた位置にあることを特徴としている。

上記の構成によれば、上記振動部を保護する保護空間を有しているため、バンプ、ワイヤ等の圧電部品を大型化する要素が不要であり、その分の空間を排除でき、小型化された圧電部品を容易に提供することができる。また、上記外部端子の位置は、貫通孔からずれている、つまり、素子配線の位置からずれている。すなわち、上記外部端子の位置は、任意の位置に形成することができ、位置の自由度を向上させることができる。従って、外部回路への接続を容易に行うことができる圧電部品を提供することができる。

さらに、本発明の圧電部品は、上記の課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品であって、上記振動部の保護空間を有し、上記接着層と接合基板との間に上記素子配線に接続されている第一配線を有し、上記貫通孔に形成された外部端子接続部材を介して該第一配線と外部端子とが接続されていることを特徴としている。

上記の構成によれば、上記素子配線と上記外部端子とが上記第一配線および外部端子接続部材を介して接続されているので、上記外部端子の位置は、上記第一配線および外部端子接続部材の位置に応じて任意の位置に形成することができ、位置の自由度を向上させることができる。従って、外部回路に接続を容易に行うことができる。

本発明の圧電部品は、上記の構成に加えて、上記第一配線は、キヤパシタンスまたはィンダクタのいずれかを備えることが好ましい。これにより、別にキャパシタンスまたはィンダクタを設ける必要がなく、圧電部品の小型化を図ることができる。

さらに、本発明の圧電部品は、上記の課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品であって、上記振動部の保護空間を有し、上記接合基板上に上記素子配線に接続されている第二配線を有し、接合基板上には第二配線の一部 3 009311

5 が露出するように設けられた絶縁層開口部を有する上部絶縁層を有し、上記絶縁層開口部に形成された外部端子接続部材を介して第二配線と上部絶縁層上に形成された外部端子とが接続されていることを特徴としている。

上記の構成によれば、上記素子配線と上記外部端子とが上記第二配線および外部端子接続部材を介して接続されているので、上記外部端子の位置は、上記第二配線および外部端子接続部材の位置に応じて任意の位置に形成することができ、位置の自由度を向上させることができる。従って、外部回路に接続を容易に行うことができる。

本発明の圧電部品は、上記の構成に加えて、上記第二配線は、キヤパシタンスまたはィンダクタのいずれかを備えることが好ましい。これにより、別にキャパシタンスまたはィンダクタを設ける必要がなく、圧電部品の小型化を図れることができる。

本発明の圧電部品は、上記の構成に加えて、上記保護空間は、接着層の厚さにより確保されていることが好ましい。

本発明の圧電部品は、上記の構成に加えて、上記保護空間は、上記接合基板の振動部と対向する面に形成されている凹部であることが好ましい。

また、本発明の圧電部品は、上記の構成に加えて、上記接着層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線硬化性樹脂のいずれかからなることが好ましい。

また、上記接着層は、接着剤からなり、さらに該接着剤からなる接着層と弾性表面波素子との間に、樹脂若しくは金属層を有することが好ましい。

また、上記接合基板は、ガラス、水晶、溶融石英などのウエットェツチング可能な材料からなることが好ましい。

また、上記圧電素子は、基板に形成されたくし型電極部からなる振動部を有する弾性表面波素子であってよい。

また、上記圧電素子は、開口部または凹部を有する基板の該開口部又は凹部上に形成されている、少なくとも 1層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有する圧電薄膜素子であってよい。

また、上記圧電素子は、基板上に形成されている少なくとも 1層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有し、且つ、基板と振動部における下部電極の間には空間を有する圧電薄膜素子であってもよい。

本発明の圧電部品の製造方法は、上記課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層によリ接着されている圧電部品の製造方法であって、上記基板に少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、上記接合基板に貫通孔を形成する工程と、上記圧電素子と上記接合基板とを、接着層により上記振動部の保護空間を確保するように接着する工程と、上記貫通孔を介して上記素子配線に接続される外部端子接続部材を形成する工程と、上記外部端子接続部材に接続される外部端子を形成する工程とを含むことを特徴としている。

また、上記の方法に加えて、上記圧電素子と上記接合基板とを、接着層にょリ上記くし型電極部の保護空間を確保するように接着するェ程において、上記素子配線と上記貫通孔との位置合わせを行なうことが好ましい。

さらに、本発明の圧電部品の製造方法は、上記課題を解決するために、基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品の製造方法であって、基板に少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、上記圧電素子と上記接合基板とを、接着層により上記振動部の保護空間を確保するように接着する工程と、上記接合基板に貫通孔を形成する工程と、上記貫通孔を介して上記素子配線に接続させるように外部端子接続部材を形成する工程と、上記外部端子接続部材に接続させるように外部端子を形成する工程とを含むことを特徴としている。上記の方法によれば、上記の保護空間を有しているため、バンプ、ワイヤ等の部品を大型化する要素が不要であり、その分の空間を排除でき、小型化された圧電部品を容易に提供することができる。さらに、バンプの形成、それに対する導通パッド、ワイヤボンディング等の工程がなく工程の簡略化ができる。また、上記外部端子の位置は、任意の位置に形成することができ、位置の自由度を向上させることができる。従って、外部回路への接続を容易に行うことができる。

本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、上記振動部の保護空間を上記接合基板に凹部を形成することによリ確保することが好ましい。これにより、容易に振動部を保護する空間を形成することができる。

また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、上記貫通孔を、レジス卜パターンを用いてゥエツ卜エッチングにより形成することが好ましい。これにより、容易に貫通孔を形成することができる。

また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、上記貫通孔をレーザーエッチングまたはサンドブラス卜処理によリ形成してもよい。これにより、容易に貫通孔を形成することができる。

また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、金属の蒸着により上記外部端子接続部材および/または外部端子を形成してもよい。

また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、導電性ペース卜を印刷した後、焼結することにより上記外部端子接続部材およびノまたは外部端子を形成してもよい。また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、貫通孔に導電性ペース卜を印刷した後に、導電性ペース卜により配線を形成して上記外部端子を形成してもよい。

また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、複数の上記圧電素子を備える集合基板を形成し、上記接合基板を集合基板に接着した後にダイシングすることが好ましい。

上記の構成によれば、上記接合基板と圧電素子とのと位置合せのずれがほぼなく、品質のよい圧電部品を容易に大量に製造することがでさる。

上記接合基板が上記集合基板よリも小さいことが好ましい。これにょリ、 S A W素子と、接合基板との熱膨張の差による、接合時のズレをよリー層小さくすることができ、品質のよい圧電部品を製造することができる。

また、上記圧電素子は、基板に形成されたくし型電極部からなる振動部を有する弾性表面波素子であつてよい。

また、上記圧電素子は、基板上に形成されている少なくとも 1層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有し、且つ、基板と振勤部における下部電極の間には空間を有する圧電薄膜素子であってよい。

本発明の圧電部品は、小型化が可能であり、さらに、外部端子の位置は、任意の位置に形成することができ、位置の自由度を向上させることができる。従って、外部回路への接続を容易に行うことができる圧電部品を提供することができる。図面の簡単な説明

図 1 は本発明の実施の形態〗にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。

図 2は本発明の実施の形態 1 にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。

図 3は本発明の実施の形態〗にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。

図 4は本発明の実施の形態 2にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。

図 5は本発明の実施の形態 2にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。

図 6は本発明の実施の形態 2にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。

図 7は本発明の実施の形態 3にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。

図 8は本発明の実施の形態 4にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。

図 9は本発明の実施の形態 5にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。

図 1 0は本発明の実施の形態 5にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。

図 1 1 は本発明の実施の形態 6にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。

図 1 2は本発明の実施の形態 6にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す断面図である。

図 1 3は本発明の実施の形態 1 の具体的な例の弾性表面波装置における回路図である。

図 1 4は本発明の実施の形態 1の具体的な例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。図 Ί 5は図 1 4の弾性表面波素子上に樹脂層を形成した後の平面図であ。

図 1 6は図〗 5の樹脂層上に接合基板を貼り付け外部端子を形成した後の平面図である。

図 1 7は本発明の実施の形態〗の具体的な例の弾性表面波装置の断面図である。

図 1 8は本発明の実施の形態 2の具体的な例の弾性表面波装置における回路図である。

図 1 9は本発明の実施の形態 2の具体的な例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。

図 2 0は図 1 9の弾性表面波素子上に樹脂層を形成した後の平面図である。

図 2 1 は図 2 0の樹脂層上に接合基板を貼リ付け外部端子を形成した後の平面図である。

図 2 2は本発明の実施の形態 2の具体的な例の弾性表面波装置の断面図である。

図 2 3は本発明の実施の形態 6の具体的な例の弾性表面波装置における回路図である。

図 2 4は本発明の実施の形態 6の具体的な例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。

図 2 5は図 2 4の弾性表面波素子上に樹脂層を形成した後の平面図である。

図 2 6は図 2 5の樹脂層上に第一配線を形成した後の平面図である。図 2 7は図 2 6の樹脂層上に接合基板を貼リ付け外部端子を形成した後の平面図である。

図 2 8は本発明の実施の形態 6の具体的な例の弾性表面波装置の断面図である。

図 2 9は図 2 8に示す弾性表面波装置の変形例の弾性表面波装置を示す断面図である。図 3 0は本発明の実施の形態 6の他の具体的な例の弾性表面波装置における回路図である。

図 3 1 は本発明の実施の形態 6の他の具体的な例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。

図 3 2は図 3 1の弾性表面波素子上に樹脂層を形成した後の平面図である。

図 3 3は図 3 2の樹脂層上に第一配線および配線を形成した後の平 ¾ 図である。

図 3 4は図 3 3の樹脂層上に接合基板を貼り付け、外部端子を形成した後の平面図である。

図 3 5は本発明の実施の形態 7.の具体的な例の弾性表面波装置における回路図である。

図 3 6は本発明の実施の形態 7の具体的な例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。

図 3 7は図 3 6の弾性表面波素子上に樹脂層を形成した後の平面図である。

図 3 8は図 3 7の樹脂層上に接合基板を貼り付けた後の平面図である図 3 9は図 3 8の接合基板上に第二配線を形成した後の平面図である。

図 4 0は図 3 8の接合基板上に上部樹脂層を形成し、外部端子を形成した後の平面図である。

図 4 1 は本発明の実施の形態 7の具体的な例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の断面図である。

図 4 2は図 4 1 に示す弾性表面波装置の変形例の弾性表面波装置を示す断面図である。

図 4 3は本発明の実施の形態 7の他の具体的な例の弾性表面波装置における回路図である。

図 4 4は本発明の実施の形態 7の他の具体的な例の弾性表面波装置における弾性表面波素子の平面図である。

図 4 5は図 4 4の弾性表面波素子上に樹脂層を形成した後の平面図である。

図 4 6は図 4 5の樹脂層上に接合基板を貼り付け、第二配線を形成した後の平面図である。

図 4 7は図 4 6の接合基板上に上部樹脂層を形成し、外部端子を形成した後の平面図である。

図 4 8は本発明の実施の形態 7の他の具体的な例の弾性表面波装置の断面図である。

図 4 9は本発明の実施の形態 8の具体的な例の圧電薄膜フィルタにおける回路図である。

図 5 0は本発明の実施の形態 8の具体的な例の圧電薄膜フィルタにおける圧電薄膜素子の平面図である。

図 5 1 は図 5 0の圧電薄膜素子の断面図である。

図 5 2は図 5 0の圧電薄膜素子上に樹脂層を形成した後の平面図である。

図 5 3は図 5 2の樹脂層上に接合基板を貼り付け、第二配線を形成した後の平面図である。

図 5 4は図 5 3の接合基板上に上部樹脂層を形成し、外部端子を形成した後の平面図である。

図 5 5は本発明の実施の形態 8の具体的な例の圧電薄膜フィルタの断面図である。

図 5 6は図 5 5の圧電薄膜フィルタの変形例の圧電薄膜フィル夕の断面図である。発明を実施するための最良の形態〔実施の形態 1 〕

本発明の実施の一形態について、図 1 ないし図 3、並びに図〗 3ないし図 1 7に基づいて説明すれば、以下の通りである、本実施の形態では、図 3に示すように、 S AW素子（圧電素子） 6 と、接合基板 20とが接着層 2 1 で貼リ合わされているチップサイズにパッケージングされた S AWフィルタ 5 1 について説明する。上記 S AW素子 6は、上記接合基板 20と対向する面に、少なくとも I D T (振動部） 2と導通パッド（素子配線） 3とを備えている。上記接合基板 2 0は、 S AW素子 6と接合された時に I D T 2などの弾性表面波の励振部分を保護する（ I DTと接合基板が接触しないようにする）ための励振部分保護用中空構造（凹部） 1 6を、 S AW素子 6と対向する面に備えている。上記の励振部分保護用中空構造 1 6と接着層 2 1 の厚さにより S AW素子 6の I DT 2などの弾性表面波の励振部分を保護するための空間が確保されている。また、この励振部分保護用中空構造 1 6により、 S AWフィルタの低背化が可能である。さらに、接合基板 20には、 S AW素子 6の導通パッド 3を外部接続するための導通パッド用貫通孔 1 8が形成されており、この導通パッド用貫通孔 1 8を介して外部端子 2 2 bと接続されている外部端子接続部材（取り出し用配線） 22 aが形成されている。この外部端子接続部材 22 aは、接合基板の凹部が形成されている面と別の面において導通パッド用貫通孔〗 8を介して導通パッド 3と接続されており、外部に接続する回路等に合わせて任意に変更した外部端子 22 bの位置に応じて形成することができる。つまり、外部端子 2 2 bの位置の自由度を向上させることができる。また、外部端子 22 bの形成は、上記外部端子接続部材 2 2 aの形成の前でも後でもまたは同時でもよい以下、上記の S AWフィルタの製造方法について、図 1ないし 3に基づいてより詳細に説明する。

まず、図 1 に示すように、工程 1 において、 S AW素子 6を作製する。例えば、厚さ 0. 35 mmの 1 00 mm*し i T a 0₃の圧電基板 1上に、 I DT 2、導通パッド 3、リフレクタ（図示せず）および配線（図示せず）等を形成する。つまり、 I DT 2、導通パッド 3、リフレクタおよび引き回し配線等を、し i T a 0 ₃の圧電基板 1上に、蒸着によるリフトオフ法等により、例えば A I で形成する。これにょリ、 S A W素子 6が作製される。また、蒸着によるリフトオフの際、同時に、 S A Wチップの外周部（ダイシングライン）に沿って枠を形成し、後述の接合基板と貼り合わせたときに気密封止用外枠 4の下地とすることが好ましい。また、ダイシングラインを太くして、気密封止用外枠と兼ねてもよい。さらに、後述の接合基板との貼リ合わせ時の位置合わせ用のァライメン卜マーク 5も形成することができる。このァライメン卜マーク 5は、その形状および大きさを特に限定されるわけではないが、ここでは 1 0 ^の円形とする。なお、図 1 では S A W素子 6は 1 つしか図示されていないが、圧電基板 1 に複数の S A W素子 6を備えている集合基板となっていてよい。

続いて、図 2に示すように、工程 2〜工程 5において接合基板 2 0 を作製する。

工程 2において、例えば、厚さ 0 . 1 0 m mの 1 0 0 m m *ガラス基板 1 0の一方の面（上記し i T a 0 ₃の圧電基板 1の I D T 2を形成した面と対向させる面（以下、面 Aとする））に上記 I D T 2などの弾性表面波の励振部分の保護を目的とした中空構造を形成するため開口部 1 3を有するレジス卜パターン 1 1 を施す。

さらに、ガラス基板〗 0の他方の面（以下、面 Bとする）に導通パッド 3を外部接続することを目的とした貫通孔を形成するための開口部 1 4およびァライメン卜マーク用の開口部 1 5を有するレジス卜パターン 1 2を形成する。ここでは、ァライメン卜マーク用の開口部 1 5は、上記ァライメン卜マーク 5に合わせて円形とし、さらに、ァラィメン卜マーク 5の中心と一致させる。

次に、工程 3において、上記ガラス基板 1 0の両面を、フッ酸等で例えば 3 0 t m八一フェッチングする。これにより、励振部分保護用中空構造 1 6を形成する。

次に、工程 4において、ガラス基板 1 0の面 Aの全面に、レジス卜パターン 1 7を塗布して上記励振部分保護用中空構造 1 6を保護する。さらに、ガラス基板 1 0の面 Bのレジス卜パターン 1 2に従ってフッ酸等で貫通エッチングして、導通パッド用貫通孔 1 8およびァライメン卜マーク用貫通孔 1 9を形成する。このとき、片側からの貫通ェツチングであるので、導通パッド用貫通孔 1 8およびァライメントマーク用貫通孔 1 9は、順テーパー形状で形成される。その後、レジス卜パターン 1 1 ■ 1 2 · 1 7を剥離する。これにより、接合基板 2 0 を作製する。なお、図 2では接合基板 2 0は 1つしか図示されていないが、ガラス基板 ΐ 0に複数形成されていてよい。

次いで、工程 5において、接合基板（ガラス基板 1 0 ) 2 0の面 A に接着剤からなる接着層 2 1 を転写する。このとき、励振部分保護用中空構造 1 6、導通パッド用貫通孔 1 8およびァライメン卜マーク用貫通孔 1 9の部分には接着剤が付着することがない。この接着層 2 1 は、接合基板 2 0に形成することにより、接着剤の I D T 2等への付着を防止するおそれを回避することができる。

次いで、図 3に示すように、工程 6において、工程 1で作製した S A W素子 6と工程 2〜 5で作製した接着層 2 1 を有する接合基板 2 0 とを貼り合わせる。このとき、 S A W素子 6のァライメン卜マーク 5 と接合基板 2 0のァライメン卜マーク用貫通孔 1 9とを位置合わせする。これにより、 S A W素子 6の導通パッド 3と接合基板 2 0の導通パッド用貫通孔 1 8とも位置が合わせを行ってから、貼り合わせる。また、ガラス基板および L i T a 0 ₃の圧電基板は、平坦度が高いので、その両方を貼り合わせる際に行う仮固定が容易である。また、透明なガラス基板を用いているので、位置合わせが容易となる。なお、図 3では、貼り合わされた S A W素子 6と接合基板 2 0との組は、一組しか図示していないが、複数組が形成されている。

次いで、工程 7において、接合基板 2 0の面 Bに所定の配線パターンを開口部とするリフトオフ用レジス卜（図示せず）を施す。このとき、接合基板 2 0 (ガラス基板 1 0 ) の導通パッド用貫通孔 1 8には、 S AW素子 6の導通パッド 3に接続される外部端子が形成することができるように、レジス卜の開口部を形成する。この配線パターンは、例えば、接合基板 20の面 Bに L成分や C成分をもたせるようにすることもできる。そして、上記リフトオフ用レジス卜上から、例えば、 A u ( 200 n m) / P d ( 1 00 n m) /T i ( l O O n m) の多層構造の配線となる金属を蒸着し、上記レジス卜をリフ卜オフする。これにより、接合基板 20に S AW素子 6の導通パッド 3と接続するように外部端子接続部材 2 2 aを形成することができる。また、外部端子接続部材 2 2 aと外部端子 2 2 bとを一括して形成してもよい。さらに、外部端子 22 bの形成は、上記外部端子接続部材 22 aを形成する前でも後でもよい。

次いで、工程 8において、実装時の衝撃を緩和するために、 S AW 素子 6の全面に緩衝用の緩衝樹脂層 2 3を形成する。最後に、所定の位置でダイシングすることにより S AWフィルタ 5 1が完成する。上記の方法では、接合基板 20にガラス基板を用いているが、これに限らず、例えば、単結晶 S i 0₂ (水晶）基板、溶融石英基板を用いることができる。上記の基板によれば、ウエットエッチングすることができるため、容易にかつ安価に貫通孔、励振部分保護用中空構造等を形成することができる。特に、上記接合基板 20は、位置合わせを容易にするため、透明であることが好ましい。また、接合基板としては、ポリイミドなどからなる樹脂フィル厶を用いることも可能である。つまり、つまり、接合基板は、絶縁物であって、 S AW素子の圧電基板よリも比誘電率が低い（圧電基板である L i T a 0₃や L i N b 0₃は比誘電率が 20以上であるため、比誘電率が 4以下が好ましい）ことが好ましい。

また、上記ガラス基板 1 0を予め圧電基板 1 より小さいサイズ（小片）にしておくことが好ましい。これにより、 S AW素子の圧電基板と、ガラス基板との熱膨張の差による、接合時のズレを小さくすることができる。そして、最後にダイシングすることにより、各 S AWフィル夕に分断すればよい。

また、上記圧電基板 1 の I D T 2を形成していない面には、外界からの電磁波の影響を防止するためのシールドとして、例えば Τ ί等の金属膜を形成していてもよい。

また、上記接着層 2 1 は、例えば、エポキシ系、シリコーン系、フ工ノール系、ポリイミド系、ポリウレタン系等の熱硬化性樹脂、ポリフエ二レンサルフアイド系等の熱可塑性樹脂、紫外線硬化性樹脂などで形成され、熱、紫外線等により硬化することにより S A W素子 6と接合基板 2 0とを接着することができるものがよい。しかしながら、腐食性ガス等を発生するものを避けることが好ましい。

また、上記接着層 2 1 は、ポリイミド、ノボラック樹脂、感光性べンゾシクロブテン（ B C B ) 等の樹脂層、はんだ等の金属層、または A l 、 A g、 A u等の金属層とエポキシ系、シリコーン系、ポリイミド系等の接着層とからなつていてもよい。このとき、上記金属層を接合基板 2 0の励振部分保護用中空構造 1 6にも形成しておけば、外界の電磁波の影響を防止することができる。さらに、上記の方法では、接着層 2 〗を接合基板 2 0側に形成したが、 S A W素子 6側に形成してもよい。また、接着層 2 1のみではなく、接合基板 2 0側に図示しない樹脂層（絶縁層）を設け、さらに該樹脂層上に接着層 2 1を設ける構成であってもよい。またさらに、接合基板 2 0側ではなく、 S A W素子 6側に上記樹脂層を設け、さらに該樹脂層上に接着層 2 1 を設ける構成であってもよい。

また、上記緩衝樹脂層 2 3には、例えば、導電性のある樹脂やない樹脂を使用することができる。中でも導電性のあるものが好ましく、例えば、 A g粒子を含有したエポキシ樹脂が挙げられる。このように、電導性を付与することにより、外界の電磁波の影響を防止することができる。

また、外部端子接続部材 2 2 aの形成方法は、上記の方法に限らない。例えば、接合基板 2 0の導通パッド用貫通孔 1 8に導電性ペース卜を充填、または充分な厚さで印刷後、焼成することにより外部端子接続部材（ビアホール） 2 2 aを形成してもよい。この方法によっても、外部端子接続部材 2 2 aと外部端子 2 2 bとを一括して形成することができる。上記導電性ペース卜には、例えば、樹脂系 A gペース卜、はんだペース卜、低温焼結可能な S ηペース卜、 Ζ ηペース卜が挙げられる。また、接合基板 2 0上への配線形成を同時に行うことができ、製造工程の簡略化が可能である。

また、接着層 2 1 に用いる樹脂は安価であるので、コストを低減することができる。

また、接合基板 2 0の面 Β全面に金属を蒸着した後、エッチングすることにより外部端子接続部材 2 2 a、または外部端子接続部材 2 2 aと外部端子 2 2 bとの両方を形成してもよい。また、密着層として T し N i C r層を形成したのち、はんだ濡れ性確保のために、 A u 層または A g層を形成する多層構造としてもよい。また、密着層と A uまたは A g層の間に拡散防止層として P d層または N ί層を形成してもよい。

さらに、本実施の形態のより具体的な例の弾性表面波フィルタついて、図 1 3ないし図 1 7に基づいて説明する。なお、この具体的な例では、 S A W素子側に上記樹脂層（絶縁層）を設け、さらに該樹脂層上に接着層を設けて接合した場合について説明する。

図 1 3に、上記具体的な例の弾性表面波フィルタ 1 0 0の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ 1 0 0は、 I D T (振動部）を有する弾性表面波共振子 1 0 1〜 1 0 5をラダー型に備えている構成である。なお、弾性表面波共振子 1 0 1 〜 1 0 3を直列共振子、弾性表面波共振子 1 0 4 · 1 0 5を並列共振子としている。

以下、上記具体的な例の弾性表面波フィルタ 1 0 0について、図 1 4ないし図 1 7に基づいて、本実施の形態の弾性表面波フィル夕の製造方法に従って説明する。

まず、図 1 4に示すように、圧電基板 1上に弾性表面波共振子 1 0 1〜 1 05、導通パッド（素子配線） 1 06〜 1 09および引き回し配線（素子配線） 1 1 0〜 1 1 5を形成し、 S AW素子 1 5 0を作製する。

なお、導通パッド 1 0 6は入力端子に、導通パッド 1 07は出力端子に、導通パッド 1 08 ■ 1 09は、 G N D端子にそれぞれ接続される。

次いで、図 1 5に示すように、上記 S AW素子 1 5 0上に、上記弾性表面波共'振子 1 0 1〜〗 05が露出する樹脂層開口部 1 1 7~ 1 1 9、および導通パッド 1 06~ 1 09が露出する樹脂層開口部 1 20 - 1 2 3を有する樹脂層 1 24が形成される。この樹脂層 1 2 4は、上記圧電基板 1 を全て覆っていてもよい。また、上記樹脂層 1 24上には、図示しない接着層が形成される。

次いで、図 1 6に示すように、上記 S AW素子 1 5 0上に、導通パッド 1 0 6〜 1 09が露出するように貫通孔 1 2 5〜 1 28が形成された接合基板 1 2 9を位置あわせして貼り合わせ、 S AW素子.1 50 と接合基板 1 29とを接着する。そして、樹脂層開口部 1 2 0〜 1 2 3および上記貫通孔 1 2 5〜 1 2 8を介して、導通パッド 1 06〜 1 0 9にそれぞれ接続される外部端子接続部材〗 3 0〜 1 33、および外部端子接続部材 1 3 0〜 1 3 3に接続している外部端子 1 34〜 1 3 7を形成することにより、弾性表面波フィルタ〗 00が完成する。なお、完成した弾性表面波フィルタ〗 00の図 1 4ないし図 1 6において示した A— A' 線における断面図を図 1 7に示す。

上記弾性表面波フィルタ 1 00では、図 1 7に示すように、樹脂層 1 24と接合基板〗 2 9との間に接着層〗 24 aが形成されている。また、 S AW素子 1 5 0の弾性表面波共振子 1 04 ■ 1 05に対向する箇所には、凹部 1 3 8 · 1 3 9が設けられている。同様に、接合基板 1 2 9の弾性表面波共振子〗 0 〗 ~ 1 0 3に対向する箇所にも、凹部が設けられている。

上記では、樹脂層、接着層および各凹部により、 I DT (振動部）を有する弾性表面波共振子の保護空間が確保されているが、これら樹脂層、接着層および各凹部の少なくともいずれかで保護空間が確保されていればよい。〔実施の形態 2〕

本発明の実施の他の形態について、図 4ないし図 6、ならびに図 1 8ないし 2 2に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態 1 にて示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

本実施の形態では、図 6に示すように、 S AW素子 2 6と、接合基板 30とが接着層 3 2で貼り合わされている S AWフィルタ 52について説明する。本実施の形態では、前記実施の形態〗における励振部分保護用中空構造を形成せず、樹脂層 8の厚さにより I DTを保護する空間が確保されている構成である。

以下、上記の S AWフィルタの製造方法について、図 4ないし図 6 に基づいてより詳細に説明する。

まず、図 4に示すように、工程〗において、 S AW素子 2 6を作製する。例えば、厚さ 0. 3 5 mmの 1 0 0 ηΐΓη φ 1_ i T a 0₃の圧電基板 1上に、 I D T 2、導通パッド 3、リフレクタ（図示せず）および引き回し配線（図示せず）等を形成する。つまり、 I DT 2、導通パッド 3、リフレクタおよび引き回し配線等を、 L i T a 0₃の圧電基板 1上に、蒸着によるリフトオフ法等により、例えば A I で形成する。また、上記 L i T a0₃の圧電基板 1の I DT 2を形成していない面には Τ ί等の保護膜 7を形成する。また、蒸着によるリフトオフの際、同時に、後述の接合基板との貼り合わせ時の位置合わせ用のァライメン卜マーク 5も形成する。なお、図 4では S AW素子 2 6は 1 つしか図示されていないが、圧電基板 1 に複数の S AW素子 2 6を備えている集合基板となっていてよい。

次いで、工程 2において、 L ί T a O 3の圧電基板 1 の I D T 2を形成している面に感光性ポリイミド等の有機現像タイプの感光性樹脂を塗布し、乾燥させる。この感光性樹脂を所定のパターンに従って露光し、現像することにより樹脂層 8を形成する。このとき、 I D T 2 およびリフレクタ等を露出させる励振部分保護開口部 2 7、ならびに外部と接続するための導通パッド 3の一部を露出させる導通パッド開口部 2 8を形成するようにする。この樹脂層 8の厚さは、後に接着する接合基板 3 0の接着層 3 2の厚さと合わせて上記 I D T 2に接合基板 3 0が接触しない厚さにする。この厚さは、例えば 2 0 t m程度が好ましい。また、励振部分保護開口部 2 7の形成と同時に、樹脂ブール、樹脂止めを形成することもできる。さらに、後述の接合基板 3 0 に励振部分保護空間構造等の形成に必要なハーフエッチングが不要であり、工程を削減することができる。

これにより、 S A W素子 2 6が作製される。

次いで、図 5に示すように、工程 3〜工程 5において、前記実施の形態 1 の工程 2、 4、 5と同様にして、接合基板 3 0を作製する。つまり、工程 3において、例えば、厚さ 0 . 2 0 m mの 1 0 0 m m Φガラス基板 1 0の一方の面（上記し ί T a 0 ₃の圧電基板 1 の I D T 2を形成した面と対向させる面（以下、面 Aとする））全面にレジスト 3 1 を施す。

さらに、ガラス基板 1 0の他方の面（以下、面 Bとする）に導通パッド 3と導通するための導通パッド開口部 2 8に合わせた導通パッド用開口部 2 4およびァライメン卜マーク用の開口部 1 5を有するレジス卜パターン 1 2を形成する。

次に、工程 4において、ガラス基板 1 0の面 Bのレジス卜パターン Ί 2に従ってフッ酸等で貫通エッチングして、導通パッド用貫通孔 3 8およびァライメントマーク用貫通孔 1 9を形成する。このとき、片側からの貫通エッチングであるので、導通パッド用貫通孔 3 8およびァライメン卜マーク用貫通孔 1 9は、順テーパー形状で形成される。その後、レジス卜パターン 1 2 · 3 1 を剥離する。これによリ、接合基板 3 0を作製する。なお、図 5では接合基板 3 0は 1つしか図示されていないが、ガラス基板 1 0に複数形成されていてよい。

次いで、工程 5において、接合基板（ガラス基板〗 0 ) 3 0の面 A に接着剤からなる接着層 3 2を転写する。この場合、厚さ 2 0 jLt mの樹脂層 8が圧電基板側に形成してあるので、接合基板の全面に接着剤を形成してもよい。このとき、導通パッド用貫通孔 3 8およびァライメン卜マーク用貫通孔 1 9の部分には接着剤が付着することがない。この接着層 3 2は、 S A W基板 2 6の樹脂層 8に形成してもよいが、接合基板 3 0に形成することにより、接着剤の I D T 2等への付着を防止するため、接合基板 3 0に設けるほうが好ましい。

次いで、図 6に示すように、工程 6において、工程 1 〜2で作製した S A W素子 2 6と工程 3〜 5で作製した接着層 3 2を有する接合基板 3 0とを貼り合わせる。このとき、 S A W素子 2 6のァライメン卜マーク 5と接合基板 3 0のァライメン卜マーク用貫通孔〗 9とを位置合わせする。これにより、 S A W素子 2 6の導通パッド 3および導通パッド開口部 2 8と接合基板 3 0の導通パッド用貫通孔 3 8とも位置が合わせられる。また、樹脂層 8が充分な厚さを有しているので、 I D T 2や導通パッド 3等に接着剤が付着することを防止することがでさる。

次いで、工程 7において、上記導通パッド用貫通孔 3 8およびァラィメン卜マーク用貫通孔 1 9に、例えば、樹脂系 A gペーストを印刷して充填し、焼結することによリ、金属充填部 3 3を形成する。このとき、接着層 3 2も同時に硬化させることができる。また、例えば樹脂層 8に感光性樹脂を用いた場合には、この感光性樹脂を硬化させることができる。さらに、金属充填部 3 3の不要な部分は例えば研磨することにより除去する。

次いで、工程 8において、例えば樹脂系 A gペース卜を所定のパタ —ンに従って印刷して、焼結することにより金属充填部（外部端子接続部材） 3 3に接続している外部端子 3 5を形成する。この印刷の際、接合基板 3 0には、 L成分や C成分をもたせた配線を形成してもよい。また、上記金属充填部 3 3、外部端子 3 5を同時に印刷して形成してもよい。

次いで、工程 9において、実装時の衝撃を緩和するために、 S A W 素子 6に形成している保護膜 7全面に緩衝用の緩衝樹脂層 3 6を形成する。最後に、所定の位置でダイシングすることにより S A Wフィル夕 5 2が完成する。

上記のように、完成した S A Wフィルタでは、樹脂層 8に形成されている励振部分保護開口部 2 7および接着層 3 2によって形成されている空間により I D T 2などの弾性表面波の励振部分（振動部）を保護することができる。

また、外部端子 3 5は、接合基板において金属充填部 3 3から延びており、外部に接続する回路等に合わせて任意の位置に変更することができるつまり、外部端子 3 5の位置の自由度を向上させることがでさる。

さらに、本実施の形態のよリ具体的な例の弾性表面波フィルタついて、図 1 8ないし図 2 2に基づいて説明する。

図 1 8に、上記具体的な例の弾性表面波フィルタ 2 0 0の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ 2 0 0は、 I D T (振動部）を有する弾性表面波共振子 2 0 1 〜 2 0 5をラダー型に備えている構成である。なお、弾性表面波共振子 2 0 1 〜 2 0 3を直列共振子、弾性表面波共振子 2 0 4 - 2 0 5を並列共振子としている。

以下、上記具体的な例の弾性表面波フィルタ 2 0 0について、図 1 9ないし図 2 2に基づいて説明する。

まず、図 1 9に示すように、圧電基板 1上に弾性表面波共振子 2 0 1 〜 2 0 5、引き回し配線（素子配線） 2 0 6〜 2 1 1 を形成し、 S A W素子 2 5 0を作製する。

次いで、図 2 0に示すように、上記 S A W素子 2 5 0上に、上記弾性表面波共振子 2 0 ■！〜 2 0 5が露出する樹脂層開口部 2 〗 7 ~ 2 1 9、および引き回し配線 2 0 6〜 2 1 1 の一部が露出する樹脂層開口部 2 2 0 ~ 2 2 3を有する樹脂層 2 2 4が形成される。この樹脂層 2 2 4は、上記圧電基板 1 を全て覆っていてもよい。

次いで、図 2 1 に示すように、上記 S A W素子 2 5 0上に、引き回し配線 2 0 6〜2 0 9が露出するように貫通孔 2 2 5〜 2 2 8が形成された接合基板 2 2 9を位置あわせして貼り合わせ、 S A W素子 2 5 0と接合基板 2 2 9とを接着する。このとき、接合基板 2 2 9には、図示しない接着層が形成される。そして、上記樹脂層開口部 2 2 0〜 2 2 3および貫通孔 2 2 5〜2 2 8を介して、引き回し配線 2 0 6〜 2 0 9にそれぞれ接続される外部端子接続部材 2 3 0〜2 3 3、および外部端子接続部材 2 3 0〜 2 3 3に接続している外部端子 2 3 4〜 2 3 7を形成することにより、弾性表面波フィルタ 2 0 0が完成するなお、完成した弾性表面波フィルタ 2 0 0の図 1 9ないし図 2 1 において示した A— A ' 線における断面図を図 2 2に示す。

上記弾性表面波フィルタ 2 0 0では、図 2 2に示すように、樹脂層 2 2 4と接合基板 2 2 9との間に接着層 2 2 4 aが形成されている。また、 S A W素子 2 5 0の弾性表面波共振子 2 0 4 · 2 0 5は、樹脂層 2 2 4の厚さにょリ弾性表面波共振子の I D Tの保護空間が確保されている。同様に、弾性表面波共振子 2 0 1〜 2 0 3についても、樹脂層の厚さにょリ弾性表面波共振子の I D Tの保護空間が確保されている。

上記では、樹脂層、接着層および各凹部にょリ、 I D T (振動部）を有する弾性表面波共振子の保護空間が確保されているが、これら樹脂層、接着層および各凹部の少なくともいずれかで保護空間が確保されていればよい。

〔実施の形態 3〕

本発明のさらに他の実施の形態について図 7に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施の形態 1 および 2にて示した各部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

本実施の形態では、前記実施の形態 2における、接合基板 2 0の導通パッド用貫通孔 3 8およびァライメン卜マーク用貫通孔 1 9をレーザ一によつて形成するものである。

つまり、実施の形態 2における工程 3および工程 4を、図 7に示すように、工程 1〜工程 3に代えて接合基板 3 0を作製している。つまリ、実施の形態 2における工程 3において、レジス卜パターン 1 2をフォトリソにより形成することなく全面に形成する（工程〗）。そして工程 4におけるエッチングをレーザーで行い、導通パッド用貫通孔 3 8およびァライメン卜マーク用貫通孔 1 9を形成する（工程 2 )。上記のように、フォトリソの工程を省略することができコス卜ダウンとなる。また、レーザーのパワーをコントロールすることで、順テーパー加工を行うこともできる。レーザーにより、ドロス 4 0と呼ばれる溶融物が導通パッド用貫通孔 3 8およびァライメントマーク用貫通孔 1 9の周囲に付着するが、工程 3においてレジス卜パターン 1 2と同時に容易に除去することができるため、工程が増加することはない。なお、工程 2の状態で軽くエッチングすることにより、ドロスを除去してもよい。なお、図 7では接合基板 3 0は 1 つしか図示されていないが、ガラス基板〗 0に複数形成されていてよい。

その後、実施の形態 2の工程 5に従って S A Wフィルタを製造することができる。

このように、レーザーによりエッチングする場合、ガラス基板 1 0 に代えて、サファイア（A I ₂ 0 ₃の単結晶）基板、 M g F基板、 M g O基板、 L i F基板、 C a F ₂基板、 B a F基板等を用いることができる。

なお、レーザーによるエッチングに代えて、サンドブラス卜処理を行うことで、導通パッド用貫通孔 3 8およびァライメン卜マーク用貫通孔 1 9を形成してもよい。〔実施の形態 4〕

本発明の他の実施の形態について図 8に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施の形態 Ί ないし 3にて示した各部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

本実施の形態では、図 8に示すように、実施の形態 2において、接合基板 30の導通パッド用貫通孔 3 8およびァライメン卜マーク用貫通孔 1 9を S AW素子 2 6に接着した後にレーザーで形成する例である。

すなわち、工程〗において、実施の形態 2の工程 1 と同様に、 I D T 2、導通パッド 3、リフレクタ（図示せず）および引き回し配線（図示せず）等を L i T a O ₃の圧電 »板 Ί上備える S AW素子 26を作製する。ただし、本実施の形態では、ァライメントマ一クを形成する必要はない。なお、図 8では S AW素子 2 6は 1 つしか図示されていないが、圧電基板 1 に複数の S AW素子 2 6を備えている集合基板となっていてよい。

次いで、工程 2において、実施の形態 2の工程 2と同様に S AW素子 26に樹脂層 8を形成する。この樹脂層 8は、例えば感光性ポリイミド等の感光性樹脂を塗布し、乾燥させた後、露光して現像することにより形成すればよい。このとき、 I D T 2などの弾性表面波の励振部分を保護する空間（励振部分保護開口部 43) を確保するようにする。この樹脂層 8の厚さは、例えば 20 t mの厚さで形成すればよい次いで、工程 3において、上記 S AW素子 2 6の樹脂層 8と、全面に接着層 42を有するガラス基板 1 0とを接着する。ここで、ガラス基板 1 0を位置合わせする必要はない。

次いで、工程 4において、レーザーによリガラス基板 1 0と接着層 4 2とをエッチングし、導通パッド用貫通孔 3 8を形成する。これにより、導通パッド 3が露出する。このとき、レーザーエッチングによるドロス（図示せず）が生じるが、除去が必要であればフッ酸等によ. るハーフエッチングを行うことによリ除去することができる。

次いで、工程 5において、前記の実施の形態 1で示したのと同様に、導通パッド用貫通孔 3 8を介して、導通パッド 3と接続される外部端子接続部材（取り出し用配線） 3 5 aを形成し、該外部端子接続部材 3 5 aと接続するように外部端子 3 5を形成する。

最後に、所定の位置でダイシングすることにより S A Wフィルタが完成する。

以上のように、上記の方法によれば、工程 3においてガラス基板 1 0の位置合わせが不要であり、造が容易となる。

〔実施の形態 5〕

本発明の実施の他の形態について、図 9および図 1 0に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態 1ないし 4にて示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

本実施の形態では、図 1 0に示すように、実施の形態 2において、 S A W素子 2 6に接着層 3 2を設け、ガラス基板〗 0を貼りあわせた後に、上記ガラス基板 1 0に導通パッド用貫通孔 3 8を形成する例である。

すなわち、図 9に示すように、工程 1 において、実施の形態 1 のェ程 1 と同様に、例えば A I で、 I D T 2、導通パッド 3、リフレクタ (図示せず）、ァライメン卜マーク 5および引き回し配線（図示せず ) 等を L ί T a 0 ₃の圧電基板 1上に備える S A W素子 2 6を作製する。この後、導通パッド 3上には、リフトオフ法により、例えば T i ( 2 0 n m ) および A u ( 1 0 0 n m ) を積層する（図示せず）。本実施の形態では L i T a O の圧電基板 1 に T i等の保護膜 7を形成している。なお、図 9では S A W素子 2 6は 1 つしか図示されていないが、圧電基板 1 に複数の S A W素子 2 6を備えている集合基板となつていてよい。

次に、工程 2において、感光性ポリイミド等の感光性樹脂を例えば 1 5 t mの厚さで塗布し、乾燥させる。さらに、この感光性樹脂を露光し、現像することにより I D T 2およびリフレクタを保護するための励振部分保護開口部 2 7、導通パッド開口部 2 8、およびダイシングライン開口部 4 9を有する樹脂層 4 8を形成する。このとき、露光条件を適正化し、上記各開口部を順テーパー形状にする。上記のように、ダイシングライン開口部 4 9を形成することにより、ダイシング時の目詰まりを抑制することができる。また、ダイシングライン開口部 4 9はダイシングに使用するためのダイシンダブレードの幅に同等にすることが好ましい。これにより、ダイシング後における、ガラスの突出部が破損しにくくなる。次いで、上記樹脂層 4 8に接着層 3 2 を転写する。

次いで、図 1 0に示すように、工程 3において、ガラス基板 1 0を上記接着層 3 2に貼り合わせ、接着層 3 2を硬化させる。この貼り合わせは、ガラス基板 1 0にパターンが形成されていないので、位置あわせが不要である。このガラス基板 1 0は、例えば、 1 5 0 1 1の 1 0 0 ΓΥΙ ΙΎΙ Φガラス基板である。さらに、上記ガラス基板 1 0に、上記導通パッド 3を露出させる貫通孔を形成するためのレジス卜パターン Ί 2を施す。このレジス卜パターン 1 2には、導通パッド 3を露出させるための開口部 1 4を形成する。この開口部 1 4は、導通パッド開口部 2 8よりも大きく形成する。これにより、後に形成される貫通孔と、導通パッド開口部 2 8との間でオーバーハング形状（キノコの形、すなわち、導通パッド開口部 2 8よりもガラス基板 1 0側の貫通孔の部分が小さい形状）となるのを防止することができる。これによリ、後の外部端子の形成が容易となる。特に蒸着により外部端子を形成する場合、外部端子の断線を防止することができる。次いで、工程 4において、フッ酸等によるウエットエッチングによリ、順テーパー形状の導通パッド用貫通孔 3 8を形成する。このとき、導通パッド 3は、 A uが積層されているので、フッ酸による腐食を防止することができる。また、 A uに代えて P t層を形成していても同様にフッ酸による腐食を防止することができる。また、保護膜 7は、上記導通パッド用貫通孔 3 8等を形成する際のエッチングにおける保護膜としても機能する。

次いで、工程 5において、ガラス基板 1 0上に例えばネガ型フ才卜レジス卜を、塗布し、乾燥し、さらに露光して現像することにより、導通パッド用貫通孔 3 8と外部端子形成部に開口部を有するリフ卜才フ用の逆テーパー形状レジストパターン (図示せず) を形成する。このように、ネガ型のフォトレジス卜を用いているので、導通パッド用貫通孔 3 8におけるレジスト残渣が生じることがなく、さらに逆テーパーにすることができる。そして、例えば、 A u ( 1 0 0 n m ) / Ί i ( 2 0 η m ) / Ν i ( 5 0 0 η m ) / Τ i ( 2 0 n m ) の順に蒸着してなる外部端子接続部材 2 2 aと外部端子 2 2 bとを一括して形成し、レジス卜パターンを除去する。

次いで、工程 6において、実装時の衝撃を緩和するために、 L i T a 0 ₃の圧電基板 1 に形成している金属からなる保護膜 7の全面に緩衝用の緩衝樹脂層 2 3を形成する。最後に、所定の位置でダイシングすることにより S A Wフィルタ 5 3が完成する。

〔実施の形態 6〕

本発明の実施の他の形態について、図 1 1 および図 1 2、ならびに図 2 3ないし図 3 4に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態 1ないし 5にて示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する本実施の形態では、図 1 2に示すように、実施の形態 5において、樹脂層 4 8上に第一配線（取り出し用配線） 5 0を形成した構成である。

すなわち、図 1 1 に示すように、工程 1 において、実施の形態 5の工程 1 と同様に、例えば A Iで、 I D T 2、導通パッド 3、リフレク夕（図示せず）、ァライメン卜マーク 5および引き回し配線（図示せず）等を L i T a O ₃の圧電基板 1上に備える S A W素子 6を作製する。この後、導通パッド 3上には、リフトオフ法により、例えば T i ( 2 0 n m ) および A u ( 1 O O n m ) を積層する。また、 L i T a 0 ₃の圧電基板〗に T i等の金属からなる保護膜 7を形成している。なお、図 1 1 では S A W素子 6は 1つしか図示されていないが、圧電基板〗に複数の S A W素子 6を備えている集合基板となっていてよい次に、工程 2において、感光性ポリイミド等の感光性樹脂を例えば 1 5 mの厚さで塗布し、乾燥させる。さらに、この感光性樹脂を露光し、現像することにより I D T 2およびリフレクタを保護するための励振部分保護開口部 2 7、導通パッド開口部 2 8、およびダイシングライン開口部 4 9を有する樹脂層 4 8を形成する。このとき、露光条件を適正化し、上記各開口部を順テーパー形状にする。上記のように、ダイシングライン開口部 4 9を形成することにより、ダイシング時の目詰まりを抑制することができる。また、ダイシングライン開口部 4 9はダイシングに使用するためのダイシンダブレードの幅に同等にすることが好ましい。これにより、ダイシング後における、ガラスの突出部が破損しにくくなる。

次いで、工程 3において、樹脂層 4 8上に上記導通パッド 3に接続している第一配線 5 0を導通パッドと同様にリフ卜オフ法により形成する。また、この第一配線 5 0により、 L成分や C成分を入れてもよい。また、この第一配線 5 0により、導通パッド 3との接続部が延長される。これにより、後に形成する貫通孔をこの第一配線 5 0が露出するように形成すればよく、外部端子の位置を自由に配置することができる。

次いで、図 1 2に示すように、工程 4において、ガラス基板 1 0に接着層 3 2を形成し、上記 S A W素子 6と貼り合わせ硬化させる。この貼り合わせは、ガラス基板〗 0にパターンが形成されていないので、位置あわせが不要である。このガラス基板 1 0は、例えば、 1 5 0 |11の 1 0 0 m m φガラス基板である。

次いで、工程 5において、上記ガラス基板 1 0に、上記第一配線 5 0を露出させる貫通孔を形成するためのレジストパターン〗 2を施す。このレジス卜パターン 1 2には、上記第一配線 5 0を露出させるための開口部を形成する。そして、フッ酸等によるゥエツ卜エッチングにより、順テーパー形状の導通パッド用貫通孔 3 8を形成する。このとき、ガラス基板 1 0の全面に接着層 3 2を形成しているので、この接着層 3 2はエッチングされずに残る。

次いで、工程 6において、上記接着層 3 2を発煙硝酸、有機溶剤等でエッチングする。このとき、導通パッド 3および第一配線 5 0は、 A uが積層されているので、フッ酸等による腐食を防止することができる。また、 A uに代えて P t層を形成していても同様にフッ酸等による腐食を防止することができる。また、保護膜 7は、上記導通パッド用貫通孔 3 8等を形成する際のエッチングにおける保護膜としても機能する。

また、これら工程 5および 6の代わりに、レーザーでエッチングしたり、サンドブラス卜処理をしてもよい。レーザーでエッチングする場合、ガラス基板 1 0の全面にレジス卜を塗布した後、レーザーでェツチングする。これにより、レジス卜のパターン形成をする必要がなく、さらに、接着層 3 2のエッチングを同時に行うことができる。そして、フッ酸処理を行う。このフッ酸処理は、ドロスと呼ばれる溶融物の除去のためである。

次いで、工程 7において、導通パッド用貫通孔 3 8を介して例えば A u - S nはんだを印刷し、熱処理することにより外部端子接続部材 2 2 aおよび外部端子 22 bを形成することができる。次いで、実装時の衝撃を緩和するために、 L i T a O₃の圧電基板 1 に形成している金属からなる保護膜 7の全面に緩衝用の緩衝樹脂層 23を形成する。最後に、所定の位置でダイシングすることにより S AWフィルタ 5 4が完成する。

さらに、本実施の形態のよリ具体的な例の弾性表面波フィルタついて、図 2 3ないし図 28に基づいて説明する。

図 23に、上記具体的な例の弾性表面波フィルタ 300の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ 300は、 I DT (振動部）を有する弾性表面波共振子 3 0 1〜3 05をラダー型に備えている。なお、弾性表面波共振子 3 0 1 - 30 3を直列共振子、弾性表面波共振子 30 4 - 30 5を並列共振子とし、ィンダクタ 3 5 1 · 35 2を弾性表面波共振子 3 04 - 3 05に直列に接続している構成である。

以下、上記具体的な例の弾性表面波フィルタ 300について、図 2 4ないし図 2 8に基づいて、説明する。

まず、図 24に示すように、圧電基板 1上に弾性表面波共振子 30 1 〜305、導通パッド（素子配線） 3 06〜30 9、引き回し配線 (素子配線） 3 〗 0〜3 〗 5を形成し、 S AW素子 350を作製する次いで、図 25に示すように、上記 S AW素子 3 50上に、上記弾性表面波共振子 30 1〜305が露出する樹脂層開口部 3 1 7〜3 1 9、および導通パッド 306〜 309が露出する樹脂層開口部 320 〜323を有する樹脂層 3 24が形成される。この樹脂層 3 24は、上記圧電基板 1 を全て覆っていてもよい。

次いで、図 2 6に示すように、樹脂開口部 3 20〜3 23を介して、導通パッド 30 6〜 30 9に接続されている第一配線 36 1〜3 6 4を形成する。なお、第一配線 3 63 - 3 6 については、インダク夕 Lを持たせて形成している。第一配線 3 6 3 · 3 64のィンダクタ Lは、上記インダクタ 35 1 · 3 52に相当する。上記ではインダク夕しを第一配線に持たせているが、くし歯状に電極を形成するなどして第一配線にキャパシタンス Cを持たせることも可能である。

次いで、図 2 7に示すように、上記樹脂層 3 24上に、第一配線 3 6 1 〜3 64の端部が露出するように貫通孔 3 25〜 3 28が形成された接合基板 3 2 9を位置合わせして貼り合わせて、 S AW素子 3 5 0と接合基板 3 2 9とを図示しない接着層により接着する。そして、貫通孔 3 25〜 3 28を介して、導通パッド 3 06〜 3 09と接続される外部端子 3 40〜34 3を形成することにより弾性表面波フィル夕 300が完成する。なお、上記外部端子 340〜34 3における上記貫通孔 3 2 5〜3 28に形成されている部分については、外部端子接続部材とみなすことができる。つまり、上記外部端子 340〜 3 4 3は、外部端子接続部材と外部端子とを一体に形成した構成となっている。

なお、完成した弾性表面波フィル夕 3 00の図 24ないし図 2 7において示した Α_Α' 線における断面図を図 2 8に示す。

上記弾性表面波フィルタ 300では、図 2 8に示すように、樹脂層 324と接合基板 3 2 9との間に接着層 3 24 aが形成されている。また、 S AW素子 350の弾性表面波共振子 3 04 · 3 05は、樹脂層 3 2 4の厚さにより弾性表面波共振子の I D Tの保護空間が確保されている。同様に、弾性表面波共振子 3 0 1〜 303についても、樹脂層の厚さにより弾性表面波共振子の I DTの保護空間が確保されている。

さらに、上記弾性表面波フィルタ 3 00の変形例の弾性表面波フィルタ 3 80について、図 2 9に基づいて説明する。この弾性表面波フィルタ 3 80は、上記弾性表面波フィルタ 300において、接合基板 32 9における弾性表面波共振子 3 0 4 - 30 5と対向する箇所に凹部 3 7 0 · 3 7 1 を設けたものである。またさらに、接合基板 3 2 9 における他の弾性表面波共振子に対向する箇所にも凹部が設けられている。また、さらに他の具体的な例の弾性表面波フィルタついて、図 30 ないし図 3 4に基づいて説明する。

図 30に、上記他の具体的な例の弾性表面波フィルタ 40 0の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ 40 0は、 I DT (振動部）を有する弾性表面波共振子 40 〗〜405をラダー型に備えている。なお、弾性表面波共振子 40 1〜4 0 3を直列共振子、弾性表面波共振子 404 - 405を並列共振子とし、インダクタ 45 1 - 45 2を弾性表面波共振子 404 - 405に直列に接続している構成である。

以下、上記他の具体的な例の弾性表面波フィルタ 400について、図 3 1ないし図 34に基づいて、説明する。

まず、図 3 1 に示すように、圧電基板 1上に弾性表面波共振子 40

1 - 405 , 引き回し配線（素子配線） 408〜4 1 5を形成し、 S AW素子 4 50を作製する。

次いで、図 3 2に示すように、上記 S AW素子 450上に、上記引き回し配線 408~ 4 1 5の一部が露出する樹脂層開口部 4 1 6〜 4

2 3、および上記弾性表面波共振子 40 1 〜405が露出する樹脂層開口部 42 5〜42 7を有する樹脂層 4 24が形成される。また、この樹脂層 4 24は、上記圧電基板 1 を全て覆っていてもよい。

次いで、図 33に示すように、樹脂開口部 4 1 8 - 42 1 ■ 4 2 2 - 42 3を介して引き回し配線 4 1 0 ■ 4 1 3 · 4 1 4 ' 4 1 5に接続されている第一配線 4 6 1〜4 64を形成する。なお、第一配線 4 6 3 · 4 6 4については、ィンダクタ Lを一体に形成している。第一配線 463 - 464のインダクタ Lは、上記インダクタ 45 1 - 45 2に相当する。上記ではインダクタしを第一配線に持たせているが、第一配線にキャパシタンス Cを持たせることも可能である。さらに、樹脂開口部 4 1 7 - 4 1 9を介して引き回し配線 40 9 - 4 1 1 を接続する第一配線 4 6 5、および樹脂開口部 4 1 6 · 420を介して引き回し配線 408 - 4 1 2を接続する第一配線 4 6 6を形成する。また、場合によっては、引き回し配線 408~4 1 5を太くしたり、弾性表面波共振子 4 0 1〜4 0 5のバスバーの一部を太くして形成してもよく、これにより、引き回し配線 4 0 8〜4 1 5、バスバーと、第一配線 4 6 1〜4 6 6のそれぞれとの接続性を高めることができる。次いで、図 3 4に示すように、上記樹脂層 4 2 4上に、第一配線 4 6 "！〜 4 6 4の端部が露出するように貫通孔 4 2 8〜4 3 1 が形成された接合基板 4 3 2を位置合わせして貼り合わせて、樹脂層 4 2 4と接合基板 4 3 2とを図示しない接着層により接着する。そして、貫通孔 4 2 8〜4 3 1 を介して第一配線 4 6 1〜4 6 4と接続する外部端子 4 3 3〜4 3 6を形成することにより弾性表面波フィルタ 4 0 0が完成する。なお、上記外部端子 4 3 3 4 3 6における上記貫通孔 4 2 8〜4 3 1 に形成されている部分については、外部端子接続部材とみなすことができる。つまり、上記外部端子 4 3 3〜4 3 6は、外部端子接続部材と外部端子とを一体に形成した構成となっている。上記外部端子接続部材および外部端子 4 3 3〜4 3 6は、例えば、印刷技術をつかって、貫通孔 4 2 8〜4 3 1 に A u— S nはんだを充填し、熱処理することにより形成することができる。また、外部端子は、リフ卜オフにより形成された薄膜であってもよい。また、外部端子接続部材と外部端子とを分離して、異なる方法で形成してもよい。

上記弾性表面波フィルタ 4 0 0では、 S A W素子 4 5 0の弾性表面波共振子 4 0 4 ■ 4 0 5は、樹脂層 4 2 4の厚さにより弾性表面波共振子の I D Tの保護空間が確保されている。同様に、弾性表面波共振子 4 0 1〜4 0 3についても、樹脂層の厚さにより弾性表面波共振子の I D Tの保護空間が確保されている。また、接合基板 4 3 2における弾性表面波共振子 4 0 1 - 4 0 5に対向する箇所に凹部を設けることにょリ、保護空間を確保してもよい。

〔実施の形態 7〕

本発明の実施の他の形態について、図 3 5ないし図 4 8に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態 1ないし 6にて示した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

本実施の形態にかかる弾性表面波フィルタついて、図 35ないし図

4 8に基づいて説明する。

國 3 5に、本実施の形態にかかる弾性表面波フィルタ 500の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ 500は、 I DT (振動部）を有する弾性表面波共振子 5 0 1 〜505をラダ型に備えている。なお、弾性表面波共振子 50 1〜 50 3を直列共振子、弾性表面波共振子

504 - 5 05を並列共振子とし、ィンダクタ 55 1 · 55 2を弾性表面波共振子 5 04 - 5 05に直列に接続している構成である。

まず、囡3 6に示すように、圧電基板 1上に弾性表面波共振子 5 0 1 〜5 05、導通パッド（素子配線） 506〜509、引き回し配線 (素子配線） 5 1 0〜5 1 5を形成し、 S AW素子 5 5 0を作製する本実施の形態では、上記圧電基板 1 としては、例えば、厚さ 0.3 5 mmの L i T a 0₃からなる圧電基板を用いることができる。また、弾性表面波共振子 50 1〜505は、 A I などの金属からなるくし型電極部、リフレクタからなっている。さらに、導通パッド（素子配線） 5 06〜 5 0 9、引き回し配線（素子配線） 5 1 0 ~ 5 1 5についても A I などの金属から形成する。これら、弾性表面波共振子 5 0 1 〜5 05、導通パッド（素子配線） 506〜509、引き回し配線 (素子配線） 5 1 0〜 5 1 5は、蒸着によるリフトオフ法にょリ形成することができる。また、圧電基板 1 には、弾性表面波共振子 5 0 1 〜 5 05、導通パッド（素子配線） 50 6〜 5 09、引き回し配線（素子配線） 5 1 0~5 1 5の組み合わせを、複数形成し、複数の S A W素子の集合基板を形成することができる。このように、 S AW素子の集合基板を形成した場合には、圧電基板 1上にァライメン卜マークも形成する。これら弾性表面波共振子 50 1 〜505、導通パッド（素子配線） 50 6〜50 9.、引き回し配線（素子配線） 5 1 0〜5 1 5、ァライメン卜マークの形成は、同一プロセスで行うことができる。その後、弾性表面波共振子 5 0 〗 ~ 5 0 5のくし型電極と反射器の部分に S i Nや S i 0 ₂などの保護膜を例えば 5 n m成膜することが好ましい。

次いで、図 3 7に示すように、上記 S A W素子 5 5 0上に、上記弾性表面波共振子 5 0 1〜5 0 5が露出する樹脂層開口部 5 1 7〜5 1 9、および導通パッド 5 0 6〜5 0 9が露出する樹脂層開口部 5 2 0 〜5 2 3を有する樹脂層 5 2 4が形成される。この樹脂層 5 2 4は、上記圧電基板 1を全て覆っていてもよい。

上記樹脂層 5 2 4は、感光性ポリイミドを例えば 1 0 mの厚さで塗布し、上記樹脂層開口部 5 1 7〜5 2 3を形成できるように、露光 •現像することにより形成することができる。また、樹脂開口部 5 1 7〜5 2 3では、弾性表面波共振子 5 0 〗〜5 0 5だけでなく、各弾性表面波共振子 5 0 1〜5 0 5に接続されている引き回し配線 5 1 0 〜5 1 5の直近部が露出するように形成してもよい。

また、露光条件を適正化し、上記樹脂開口部 5 2 0 - 5 2 3を順テ一パー形状とすることが好ましい。これによリ、後に該樹脂開口部 5 2 0〜5 2 3に金属の蒸着あるいは導電ペース卜によリ配線等を形成することが容易となる。

また、 S A W素子の集合基板とした場合には、ダイシングライン部を開口部とすることが好ましい。ダイシングライン部に樹脂がないので、ダイシング時に目詰まりが起こリにくくすることができる。なお、ダイシングライン部の開口幅は、ダイシングプレード幅と同等とすれぱよい。

次いで、図 3 8に示すように、樹脂開口部 5 2 0〜 5 2 3を介して導通パッド 5 0 6〜5 0 9が露出する貫通孔 5 2 5〜5 2 8が形成された接合基板 5 2 9を、位置合わせして、 S A W素子 5 5 0に貼りつける。

このとき、上記接合基板 5 2 9としては、ガラス基板が挙げられる。このガラス基板としては、例えば厚さ 1 0 0 j mのものを使用すればよい。上記貼り付けの際には、接合基板 5 2 9の全面に接着剤を塗布して接着層（図示せず）を形成し、上記樹脂層 5 2 4に貼り付け、接着剤を硬化させる。

また、接合基板 5 2 9にガラス基板を使用して、樹脂層 5 2 4に貼リ付けた後に貫通孔 5 2 5〜5 2 8を形成してもよい。この場合、接合基板 5 2 9 (ガラス基板）に貫通孔等のパタニングがされていないので、位置合わせが不要である。また、貫通孔 5 2 5〜 5 2 8を形成する場合には、圧電基板 1上のァライメン卜マークを使って、圧電基板 1 上の導通パッド 5 0 6 ~ 5 0 9に対するガラス基板における貫通孔 5 2 5〜5 2 8をレーザーで順テーパー状であければよい。このとき、レーザーにより接着剤も除去される。ただし、この場合、ガラス基板面に全面にレジス卜を塗布し、レーザー加工後にフッ酸処理することが好ましい。レーザー加工するとドロスと呼ばれる溶融物が付着するので、フッ酸でそれを除去するためである。

次いで、図 3 9に示すように、上記接合基板 5 2 9上に、樹脂開口部 5 2 0〜 5 2 3および貫通孔 5 2 5〜 5 2 8を介して導通パッド 5 0 6〜 5 0 9と接続するように、第二配線 5 3 0〜5 3 3を形成する。なお、第二配線 5 3 2 - 5 3 3については、インダクタしを持たせて形成している。第二配線 5 3 2 - 5 3 3のインダクタ Lは、上記ィンダクタ 5 5 1 - 5 5 2に相当する。上記ではインダクタしを第二配線に持たせているが、第二配線にキャパシタンス Cを持たせることも可能である。

上記第二配線 5 3 0〜 5 3 3は、接合基板 5 2 9上に、例えばリフ卜オフで形成することができる。第二配線 5 3 0〜 5 3 3の構造は、例えば、 A u ( 1 O O n m) /T i ( 2 0 n m) /A I 電極（ 1 At m ) /T i ( 1 0 0 n m) とすることが好ましい。

次いで、図 4 0に示すように、上記接合基板 5 2 9上に、第二配線 5 3 0 - 5 3 3の端部が露出するように上部樹脂層開口部 5 3 4〜5 3 7が形成された上部樹脂層（上部絶縁層、絶縁パターン） 5 3 8を形成する。上部樹脂層に使用される材料としては、感光性ポリイミド、ベンゾシクロブテン、環ォレフイン系樹脂、エポキシ系樹脂等が挙げられる。そして、上部樹脂層開口部 5 3 4〜 5 3 7を介して第二配線 5 3 0〜 5 3 3の端部に接続するように外部端子 5 3 8〜 5 4 1 を形成することにより弾性表面波フィルタ 5 0 0が完成する。なお、上記外部端子 5 3 8〜 5 4 1 における上部樹脂層開口部 5 3 4〜5 3 7 に形成されている部分については、外部端子接続部材とみなすことができる。つまり、上記外部端子 5 3 8〜 5 4 1 は、外部端子接続部材と外部端子とを一体に形成した構成となっている。上記外部端子接続部材および外部端子は、例えば、印刷技術をつかって、上部樹脂層開口部 5 3 4〜 5 3 7に A u— S nはんだを充填し、熱処理することにより形成することができる。また、外部端子は、リフトオフにより形成された薄膜であってもよい。また、外部端子接続部材と外部端子とを分離して、異なる方法で形成してもよい。

さらに、実施の形態 1 に示したように、緩衝用の導電性樹脂を圧電基板の裏面に塗布し硬化させてもよい。または、予め圧電基板の裏面に金属を成膜し、その上から緩衝用樹脂を塗布しても良い。上記導電性樹脂あるいは金属により電磁波のシールド効果を発揮する。

また、複数の S A W素子の集合基板を形成した場合には、ダイシングにより、個々の弾性表面波装置を得ることができる。

上記のように、導通パッドと、外部端子との位置をずらすことが容易にできるため、弾性表面波フィルタの設計の自由度を高めることができる。

なお、完成した弾性表面波フィルタ 5 0 0の図 3 6ないし図 4 0において示した A— A ' 線における断面図を図 4 1 に示す。

上記弾性表面波フィルタ 5 0 0では、図 4 1 に示すように、樹脂層 5 2 4と接合基板 5 2 9との間に接着層 3 2 4 aが形成されている。また、 S A W素子 5 5 0の弾性表面波共振子 5 0 4 ■ 5 0 5は、樹脂層 5 2 4の厚さにより弾性表面波共振子の I D Tの保護空間が確保されている。同様に、弾性表面波共振子 5 0 1 ~ 5 0 3についても、樹脂層の厚さにより弾性表面波共振子の I D Tの保護空間が確保されている。

さらに、上記弾性表面波フィルタ 5 0 0の変形例の弾性表面波フィルタ 5 8 0について、図 4 2に基づいて説明する。この弾性表面波フィルタ 5 8 0は、上記弾性表面波フィルタ 5 0 0において、接合基板 5 2 9における弾性表面波共振子 5 0 4 ■ 5 0 5の I D Tと対向する箇所に凹部 5 7 0 - 5 7 1を設けたものである。またさらに、接合基板 5 2 9における他の弾性表面波共振子の I D Tに対向する箇所にも凹部が設けられている。

さらに、本実施の形態にかかる他の弾性表面波フィルタついて、図 4 3ないし図 4 8に基づいて、説明する。

図 4 3に、本実施の形態にかかる他の弾性表面波フィルタ 6 0 0の回路図を示す。上記弾性表面波フィルタ 6 0 0は、 I D T (振動部）を有する弾性表面波共振子 6 0 ■！〜 6 0 5をラダー型に備えている。なお、弾性表面波共振子 6 0 〗〜 6 0 3を直列共振子、弾性表面波共振子 6 0 4 ■ 6 0 5を並列共振子とし、ィンダクタ 6 5 1 · 6 5 2を弾性表面波共振子 6 0 4 - 6 0 5に直列に接続している構成である。まず、図 4 4に示すように、圧電基板 1上に弾性表面波共振子 6 0 1 〜 6 0 5、引き回し配線（素子配線） 6 0 6 ~ 6 1 3を形成し、 S A W素子 6 5 0を作製する。

次いで、図 4 5に示すように、上記 S A W素子 6 5 0上に、上記弾性表面波共振子 6 0 1 〜6 0 5が露出する樹脂層開口部 6 1 4〜 6 1 6、および引き回し配線 6 0 6〜 6 1 3が露出する樹脂層開口部 6 1 7〜 6 2 4を有する樹脂層 6 2 5が形成される。この樹脂層 6 2 5は、上記圧電基板 1 を全て覆っていてもよい。

次いで、図 4 6に示すように、上記樹脂層 6 2 5上に、樹脂開口部 6 1 7〜 6 2 4を介して引き回し配線 6 0 6 ~ 6 1 3が露出するように貫通孔 6 2 6〜6 33が形成された接合基板 6 34を位置あわせして貼り合わせ、樹脂層 6 25と接合基板 63 4とを接着する。このとき、樹脂層 6 2 5には、図示しない接着層が形成される。そして、上記樹脂開口部 6 1 7 - 6 20 - 6 2 1 - 6 2 4および貫通孔 6 2 6 ■ 6 2 9 - 6 3 0 - 6 33を介して引き回し配線 6 06 · 60 9 · 6 1 0 - 6 1 3に接続するように第二配線 6 3 5〜6 38を形成する。例ぇぱ、導電ペース卜で上記樹脂開口部 6 1 7 - 6 20 - 62 1 - 6 2 4および貫通孔 6 2 6 · 6 29 · 6 3 0 ■ 6 3 3を埋めるとともに、導電ペース卜で配線を形成することにより第二配線 6 3 5〜 63 8を形成することができる。なお、第二配線 6 3 7 - 63 8については、インダクタ Lを持たせて形成している。第二配線 63 7 · 6 3 8のィンダクタ Lは、上記インダクタ 6 5 1 · 6 5 2に相当する。上記ではインダクタ Lを第二配線に持たせているが、第二配線にキャパシタンス Cを持たせることも可能である。さらに、樹脂開口部 6 1 8 · 62 2および貫通孔 62 7 · 6 3 1を介して引き回し配線 6 07 · 6 1 1 を接続する第二配線 63 9、および樹脂開口部 6 1 9 · 62 3および貫通孔 6 2 8 - 63 2を介して引き回し配線 608 - 6 1 2を接続する第二配線 6 40を形成する。

次いで、図 4 7に示すように、上記接合基板 6 25上に、第二配線 63 5〜 6 3 8の端部が露出するように上部樹脂層開口部 6 4 1 〜 6 44が形成された上部樹脂層（上部絶縁層） 645を形成する。そして、上部樹脂層開口部 6 4 1 - 644を介して第二配線 63 5〜 6 3 8の端部に接続するように外部端子 6 4 6〜 64 9を形成することにより弾性表面波フィルタ 600が完成する。

また、場合によっては、引き回し配線 6 0 6〜6 1 3を太くしたり、弾性表面波共振子 60 ·！〜 605のバスバーの一部を太くして形成してもよく、これにより、引き回し配線 6 06〜 6 1 3、バスバーと、第二配線 6 3 5〜6 40との接続性を高めることができる。

なお、上記外部端子 6 4 6- 6 4 9における上記上部樹脂層開口部 6 4 1 〜 6 4 4に形成されている部分については、外部端子接続部材とみなすことができる。つまり、上記外部端子 6 4 6〜 6 4 9は、外部端子接続部材と外部端子とを一体に形成した構成となっている。上記外部端子接続部材および外部端子は、例えば、印刷技術をつかって, 上部樹脂層開口部 6 4 1〜 6 4 4に八リー 5 门はんだを充填し、熱処理することにより形成することができる。また、外部端子は、リフトオフにより形成された薄膜であってもよい。また、外部端子接鐃部材と外部端子とを分離して、異なる方法で形成してもよい。

また、完成した弾性表面波フィルタ 6 0 0の図 4 4ないし図 4 7において示した A— A ' 線における断面図を図 4 8に示す。

上記弾性表面波フィルタ 6 0 0では、図 4 8に示すように、樹脂層 6 2 5と接合基板 6 3 4との間に接着層 6 2 5 aが形成されている。また、 S A W素子 6 5 0の弾性表面波共振子 6 0 4 · 6 0 5は、樹脂層 6 2 5の厚さにより弾性表面波共振子の I D Tの保護空間が確保されている。同様に、弾性表面波共振子 6 0 1 〜 6 0 3についても、樹脂層の厚さにより弾性表面波共振子の I D Tの保護空間が確保されている。また、接合基板 6 3 4における弾性表面波共振子 6 0 1 〜 6 0 5に対向する箇所に凹部を設けることにより、保護空間を確保してもよい。また、上記凹部は、接合基板 6 3 4に貫通孔 6 2 6〜 6 3 3を形成するのと同時に形成することができる。

また、上記実施の形態 1ないし 7では、上記弾性表面波フィル夕は、圧電基板上に、 I D丁、リフレクタ、引き回し配線、および導通パッドを形成したが、圧電基板 1上には、 I D Tおよびリフレクタのみを形成してもよい。この場合、樹脂層には、上記 I D Tのバスバーが露出する樹脂開口部を設け、配線は樹脂層上または接合基板上に形成すればよい。これにより、一部の配線をなくすことができ、弾性表面波フィルタを小型化することができる。

また、上記実施の形態 1ないし 7では、樹脂開口部、貫通孔および上部樹脂開口部の位置をずらして形成しているが、これら樹脂開口部、貫通孔および上部樹脂開口部の位置を一致させて形成してもよい。これにより、導通パッドや一部の配線をなくすことができ、弾性表面波フィルタを小型化することができる。〔実施の形態 8〕

上記実施の形態 1 〜7では、圧電素子としての S A W素子について説明したが、上記実施の形態 1 〜 7における上記圧電素子として S A W素子に代えて圧電薄膜素子を用いることができる。

この圧電薄膜素子を用いた圧電薄膜フィルタ（圧電部品）の一例について図 4 9ないし図 5 6に基づいて説明する。

図 4 9に本実施の形態にかかる圧電薄膜フィルタ 7 0 0の回路図を示す。上記圧電薄膜フィルタ 7 0 0は、圧電薄膜共振子（振動部） 7 0 1 〜 7 0 4をラダー型に備えている。なお、上記圧電薄膜フィルタ 7 0 0では、圧電薄膜共振子 7 0 1 · 7 0 3を並列共振子、圧電薄膜共振子 7 0 2 · 7 0 4を直列共振子となっている。

上記圧電薄膜フィルタ 7 0 0の製造方法について図 5 0ないし図 5 5に基づいて説明する。この製造方法は、実施の形態 7に記載の製造方法において、弾性表面波素子に代えて圧電薄膜素子を用いた構成である。

まず、図 5 0、図 5 1 に示すように、圧電薄膜共振子 7 0 1 〜 7 0 4を備える圧電薄膜素子（圧電素子） 7 0 5を作製する。上記圧電薄膜素子 7 0 5は、シリコンからなる支持基板 7 0 6、その支持基板上に形成されている S i 0 ₂、 S i 0 ₂と A I ₂ 0 ₃とからなる層あるいは A I ₂ 0 ₃と S i O ₂とからなる層等である絶縁膜 7 0 7を備えている。さらに、支持基板 7 0 6は、支持基板 7 0 5の厚さ方向に貫通し、絶縁膜 7 0 7まで達する開口部（空洞部） 7 0 8を備えている。また、この絶縁膜 7 0 7上には、順に、 A I等からなる下部電極（電極） 7 0 9 . 7 1 0、 Z n Oあるいは A l N等からなる圧電薄膜 7 1 1 、および A I等からなる上部電極（電極） 7 1 2 · 7 Ί 3 · 7 1 4を備えている。上記絶縁膜 707はダイヤフラムを形成している。このダイャフラムは、上記開口部（空洞部） 7 0 8に面している。各圧電薄膜共振子 7 0 1 〜7 04は、ダイヤフラム上にて、少なくとも 1層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を一対の下部電極および上部電極を対向させて挟む構造となっている。本実施の形態の構成では、圧電薄膜共振子 70 1 · 702の上部電極が一体化されて上部電極 7 1 2 となっている。圧電薄膜共振子 70 1の下部電極 7 1 0は G N Dとなつている。圧電薄膜共振子 7 0 2 - 7 04および圧電薄膜共振子 70 3の下部電極が一体化されて下部電極 7 0 9となっている。圧電薄膜共振子 7 0 3の上部電極 7 1 4は G N Dとなっている。圧電薄膜共振子 704の上部電極は上部電極 7 1 3となっている。また、破線部 7 1 5は、この圧電薄膜素子 705のダイヤフラムを示している。なお，図 50では、圧電薄膜 7 1 1 は省略されている。

次いで、図 52に示すように、上記圧電薄膜素子 705上に、上部電極 7 1 2 · 7 1 3 · 7 1 4が露出する樹脂開口部 7 1 9 - 7 1 7 - 7 1 8、下部電極 7 1 0が露出する樹脂開口部 7 1 6、および圧電薄膜共振子 70 1〜 7 04が露出する樹脂開口部 7 20を有する樹脂層 7 2 1 を形成する。

次いで、図 53に示すように、上記樹脂層 7 2 1上に、樹脂開口部 7 1 9 - 7 1 7 - 7 1 8を介して上部電極 7 1 2 · 7 1 3 ' 7 1 4が露出する貫通孔 72 5 - 72 3 - 72 4, 樹脂開口部 7 1 6を介して下部電極 7 1 0が露出する貫通孔 7 2 2を備える接合基板 7 2 6を位置合わせして、図示しない接着層により貼り付ける。そして、上記接合基板 7 2 6上に、樹脂開口部 7 〗 6 ~ 7 1 9および貫通孔 7 2 2〜 7 25を介して、上部電極 7 1 0、下部電極 7 1 2、上部電極 7 1 3 - 7 1 4と接続するように、第二配線 7 2 7〜 7 30を形成する。なお、この第二配線 7 2 7〜 73 0に、インダク夕 Lまたはキャパシタンス Cを持たせることも可能である。また、上記接合基板 7 2 6としては、支持基板 7 0 6と線膨張係数が近い基板であることが好ましく、例えば、硬質ガラス基板が好ましい。支持基板 7 0 6と接合基板 7

2 6との線膨張係数が近いことにより、応力、たわみ、ひずみの発生を抑制することができる。これにより、製造される圧電薄膜フィル夕への影響を抑えることができ、特性の変化、接合強度の信頼性を向上させることができる。

次いで、図 5 4に示すように、上記接合基板 7 2 6上に、第二配線 7 2 7〜 7 3 0の端部が露出するように、上部樹脂層開口部 7 3 1 〜 7 3 4を有する上部樹脂層 7 3 5を形成する。そして、上記上部樹脂層開口部 7 3 1 〜 7 3 4を介して第二配線 7 2 7〜 7 3 0に接続するように、外部端子 7 3 6 - 7 3 9を形成する。なお、上記外部端子 7

3 6〜 7 3 9における上記上部樹脂層開口部 7 3 1 〜 7 3 4に形成されている部分については、外部端子接続部材とみなすことができる。つまり、上記外部端子 7 3 6〜 7 3 9は、外部端子接続部材と外部端子とを一体に形成した構成となっている。また、上記外部端子接続部材および外部端子 7 3 6〜 7 3 9は、例えば、印刷技術をつかって、上部樹脂層開口部 7 3 1 〜 7 3 4に八リー 3 门はんだを充填し、熱処理することにより形成することができる。また、外部端子接続部材ぉよび外部端子 7 3 6〜 7 3 9は、リフ卜オフにより形成された薄膜であってもよい。また、外部端子接続部材と外部端子 7 3 6〜 7 3 9とを分離して、異なる方法で形成してもよい。

さらに、図 5 1 に示す支持基板 7 0 6の開口部 7 0 8を覆うように、例えばアルミナ製のフタ材を貼り付けることによリ圧電薄膜フィルタ 7 0 0が完成する。

なお、完成した圧電薄膜フィルタ 7 0 0の図 5 0ないし図 5 4において示した B— B ' 線における断面図を図 5 5に示す。

上記圧電薄膜フィルタ 7 0 0では、図 5 5に示すように、圧電薄膜素子 7 0 5の圧電薄膜共振子 7 0 2 · 7 0 4は、樹脂層 7 2 6の厚さにより圧電薄膜共振子の保護空間が確保されている。同様に、圧電薄膜共振子 7 0 1 - 7 0 3についても、樹脂層 7 2 6の厚さにより圧電薄膜共振子の保護空間が確保されている。

本実施の形態では、樹脂層の厚さにより保護空間を確保したが、接合基板に凹部を形成することによって保護空間を確保してもよい。

また、圧電薄膜フィルタ 7 0 0の変形例としては、例えば、図 5 6 に示す圧電薄膜フィルタ 7 8 0がある。図 5 6に示すように、圧電薄膜フィルタ 7 8 0は、圧電薄膜フィルタ 7 0 0において、開口部 7 0 8が設けられている支持基板 7 0 6を、凹部 7 0 8 aが設けられている支持基板 7 0 6 aに代えた構成である。この圧電薄膜フィルタ 7 8 0では、凹部 7 0 8によりダイヤフラムを確保することができる。また、凹部 7 0 8によりダイヤフラムが覆われているため、圧電薄膜フィルタ 7 0 0のようにフタ材を用いる必要がなくなる。

また、圧電薄膜フィルタの更なる変形例として、支持基板に開口部や凹部を設けることなく、下部電極と支持基板との間に空間を形成した圧電薄膜共振子を用いてもよい。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。産業上の利用可能性

遅延線、フィルタ等に用いられる、弾性表面波装置および圧電薄膜フィルタ等の圧電部品を小型化することができる。また、この圧電部品が使用される、携帯電話機等の通信装置を小型化することができる

Claims

請求の範囲

1 . 基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接されている圧電部品であって、

上記振動部の保護空間を有し、

上記貫通孔に形成された外部端子接続部材を介して上記素子配線に接続されている外部端子が貫通孔からずれた位置にあることを特徴とする圧電部品。

2 . 基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品であって、

上記振動部の保護空間を有し、

上記接着層と接合基板との間に上記素子配線に接続されている第一配線を有し、上記貫通孔に形成された外部端子接続部材を介して該第 —配線と外部端子とが接続されていることを特徴とする圧電部品。

3 . 上記第一配線は、キャパシタンスまたはインダクタのいずれかを備えることを特徴とする請求項 2に記載の圧電部品。

4 . 基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層にょリ接着されている圧電部品であって、

上記振動部の保護空間を有し、

上記接合基板上に上記素子配線に接続されている第二配線を有し、接合基板上には第二配線の一部が露出するように設けられた絶縁層開口部を有する上部絶縁層を有し、

上記絶縁層開口部に形成された外部端子接続部材を介して第二配線と上部絶縁層上に形成された外部端子とが接続されていることを特徴とする圧電部品。

5 . 上記第二配線は、キャパシタンスまたはインダクタのいずれかを備えることを特徴とする請求項 4に記載の圧電部品。

6 . 上記保護空間は、接着層の厚さにより確保されていることを特徴とする請求項 1 に記載の圧電部品。

7 . 上記保護空間は、上記接合基板の振動部と対向する面に形成されている凹部であることを特徴とする請求項〗に記載の圧電部品。

8 . 上記接着層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線硬化性樹脂のいずれかからなることを特徴とする請求項 1 に記載の圧電部品。

9 . 上記接着層は、接着剤からなり、さらに該接着剤からなる接着層と圧電素子との間に、樹脂層を有することを特徴とする請求項 1 に記載の圧電部品。

1 0 . 上記接合基板は、ガラス、水晶、溶融石英などのウエットエツチング可能な材料からなることを特徴とする請求項 1 に記載の圧電部口

ΠΠ ο

1 1 . 上記圧電素子は、基板に形成されたくし型電極部からなる振動部を有する弾性表面波素子であることを特徴とする、請求項 1 に記載の圧電部品。

1 2 . 上記圧電素子は、開口部または凹部を有する基板の該開口部又は凹部上に形成されている、少なくとも 1層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有する圧電薄膜素子であることを特徴とする、請求項 1 に記載の圧電部品。

1 3 . 上記圧電素子は、基板上に形成されている少なくとも 1層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有し、且つ、基板と振動部における下部電極の間には空間を有する圧電薄膜素子であることを特徴とする請求項 1 に記載の圧電部品。

1 4 . 基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層にょリ接着されている圧電部品の製造方法であって、

上記基板に少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、

上記接合基板に貫通孔を形成する工程と、

上記圧電素子と上記接合基板とを、接着層により上記振動部の保護空間を確保するように接着する工程と、

上記貫通孔を介して上記素子配線に接続される外部端子接続部材を形成する工程と、

上記外部端子接続部材に接続される外部端子を形成する工程とを含むことを特徴とする圧電部品の製造方法。

1 5 . 上記圧電素子と上記接合基板とを、接着層により上記振動部の保護空間を確保するように接着する工程において、上記素子配線と上記貫通孔との位置合わせを行なうことを特徴とする請求項 1 4に記載の圧電部品。

1 6 . 基板上に形成された少なくとも一つの振動部および該振動部に接続されている素子配線を有する圧電素子と、貫通孔を有する接合基板とが、上記振動部と対向するように、接着層により接着されている圧電部品の製造方法であって、

基板に少なくとも一つの振動部及び該振動部に接続されている素子配線を形成して圧電素子を作製する工程と、

上記接合基板に貫通孔を形成する工程と、

上記貫通孔を介して上記素子配線に接続させるように外部端子接続部材を形成する工程と、

上記外部端子接続部材 (こ接続させるように外部端子を形成する工程とを含むことを特徴とする圧電部品の製造方法。

Ί 7 . 上記振動部の保護空間を上記接合基板に凹部を形成することによリ確保することを特徴とする請求項 1 4に記載の圧電部品の製造方法。

1 8 . 上記貫通孔を、レジス卜パターンを用いてウエットエッチングにより形成することを特徴とする請求項 1 4に記載の圧電部品の製造方法。

1 9 . 上記貫通孔をレーザーエッチングまたはサンドプラス卜処理により形成することを特徴とする請求項 1 4に記載の圧電部品の製造方法。

2 0 . 金属の蒸着にょリ上記外部端子接続部材および/または外部端子を形成することを特徴とする請求項 1 4に記載の圧電部品の製造方法。 2 1 . 導電性ペース卜を印刷した後、焼結することにより上記外部端子接続部材および/または外部端子を形成することを特徴とする請求項 1 4に記載の圧電部品の製造方法。

2 2 . 貫通孔に導電性ペース卜を印刷した後に、導電性ペース卜によリ配線を形成して上記外部端子を形成することを特徴とする請求項 1 4に記載の圧電部品の製造方法。

2 3 . 複数の上記圧電素子を備える集合基板を形成し、上記接合基板を集合基板に接着した後にダイシングすることを特徴とする請求項 1 4に記載の圧電部品の製造方法。

2 4 . 上記接合基板が上記集合基板よりも小さいことを特徴とする請求項 2 3に記載の圧電部品の製造方法。 2 5 . 上記圧電素子は、基板に形成されたくし型電極部からなる振動部を有する弾性表面波素子であることを特徴とする、請求項〗 4に記載の圧電部品の製造方法。

2 6 . 上記圧電素子は、開口部または凹部を有する基板の該開口部又は凹部上に形成されている、少なくとも 1層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有する圧電薄膜素子であることを特徴とする、請求項 1 4に記載の圧電部品の製造方法。

2 7 . 上記圧電素子は、基板上に形成されている少なくとも 1層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部を有し、且つ、基板と振動部における下部電極の間には空間を有する圧電薄膜素子であることを；特徴とする、請求項〗 4に記載の圧電部品の製造方法。