CN105846038B - 金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它包括以下工艺步骤：步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；步骤二、制备第一绝缘层；步骤三、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合；步骤四、制备第二绝缘层；步骤五、电镀第一金属层；步骤六、制备第三绝缘层；步骤七、植球；步骤八、切割。本发明金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件，并且具有更低的制造成本。

Description

金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法
技术领域
本发明涉及金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，属于半导体封装技术领域。
背景技术
表面声滤波设备广泛用于RF和IF应用，其中包括便携式电话机、无线电话机、以及各种无线电装置。通过使用表面声滤波，对这些电子设备进行电信号的滤波、延时等处理。因表面声滤器产品性能和设计功能需求，需要保证滤波芯片功能区域不能接触任何物质，即空腔结构设计。
现有的表面声滤波器件封装结构是将滤波芯片通过导电凸块倒装焊与陶瓷基板相连并完全嵌于基材腔体内，基板表面加金属盖保护。但是此种结构金属盖的成本较高，而且陶瓷基板与金属盖的平整度要求比较高，容易有封闭不良的情况。另外其他表面声滤波器件的制作方法是使用顶部密封或包膜工艺对模块加以密封，形成空腔结构。
现有的表面声滤波器件的封装方法，流程较长，成本较高，且结构尺寸还是比较大，在目前电子设备越做越小的潮流趋势下，需要不断减小电子装置及其中所使用的表面声滤波器件的重量和尺寸。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件，并且具有更低的制造成本。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为：金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、制备第一绝缘层
用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤三、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合
取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆后续电极区域上方的位置进行全蚀刻，然后将已经完成全蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶贴合在第一绝缘层上，从而在芯片感应区域上方形成空腔，在电极区域上方形成第一开孔；
步骤四、制备第二绝缘层
用涂胶工艺在贴合晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域位置的绝缘胶去除；
步骤五、电镀第一金属层
在表面声滤波芯片晶圆的电极区域表面以及第二绝缘层表面选择性电镀第一金属层；
步骤六、制备第三绝缘层
用涂胶工艺在第一金属层上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将后续植球位置的绝缘胶去除，形成第二开孔；
步骤七、植球
在植球位置进行植球；
步骤八、切割
切割分成单颗产品。
金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、制备第一绝缘层
用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤三、半蚀刻贴合晶圆并进行贴合
取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆后续电极区域上方的位置进行半蚀刻，然后将已经完成半蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶贴合在第一绝缘层上，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤四、减薄
将贴合晶圆进行研磨、减薄至贴合晶圆半蚀刻的位置，把表面声滤波芯片晶圆的电极区域位置暴露出来，形成第一开孔；
步骤五、制备第二绝缘层
用涂胶工艺在贴合晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域位置的绝缘胶去除；
步骤六、电镀第一金属层
在表面声滤波芯片晶圆的电极区域表面以及第二绝缘层表面选择性电镀第一金属层；
步骤七、制备第三绝缘层
用涂胶工艺在第一金属层上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将后续植球位置的绝缘胶去除，形成第二开孔；
步骤八、植球
在植球位置进行植球；
步骤九、切割
切割分成单颗产品。
所述第一绝缘层采用B-stage胶，此时不需要在贴合晶圆上涂粘合胶，直接进行贴合。
所述贴合晶圆采用硅晶圆或金属材料晶圆。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
1、与传统的工艺相比，整体生产流程是晶圆级的，能形成小尺寸的封装结构，而且工艺简单，能保证芯片感应区的空腔结构，能形成可靠性较高的金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片结构；
2、本发明的圆片级表面声滤波芯片结构可以直接使用，也可以将整个结构和其他封装结构在基板上形成二次封装，形成系统级封装。
附图说明
图1为本发明金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的示意图。
图2~图9为本发明金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法实施例一的工艺流程图。
图10~图18为本发明金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法实施例二的工艺流程图。
其中：
表面声滤波芯片晶圆1
电极区域1.1
感应区域1.2
第一绝缘层2
粘合胶3
贴合晶圆4
空腔5
第一开孔6
第二绝缘层7
第一金属层8
第三绝缘层9
第二开孔10
金属球11。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
如图1所示，本实施例中的金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构，它包括表面声滤波芯片晶圆1，所述表面声滤波芯片晶圆1表面包括电极区域1.1和感应区域1.2，所述表面声滤波芯片晶圆1除电极区域1.1和感应区域1.2外的区域设置有第一绝缘层2，所述第一绝缘层2上通过粘合胶3设置有贴合晶圆4，所述贴合晶圆4与感应区域1.2之间形成空腔5，所述贴合晶圆4在电极区域1.1位置处设置有第一开孔6，所述贴合晶圆4表面设置有第二绝缘层7，所述第二绝缘层7表面和电极区域1.1表面设置有第一金属层8，所述第一金属层8表面设置有第三绝缘层9，所述第三绝缘层9表面设置有第二开孔10，所述第二开孔10内设置有金属球11，所述金属球11与第一金属层8相接触。
实施例一：
金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它包括以下工艺步骤：
步骤一、参见图2，取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、制备第一绝缘层
参见图3，用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶，如PI（聚酰亚胺）、PA(尼龙，聚酰胺)，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤三、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合
参见图4，取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆后续电极区域上方的位置进行全蚀刻，然后将已经完成全蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶贴合在第一绝缘层上，从而在芯片感应区域上方形成空腔，在电极区域上方形成第一开孔；
步骤四、制备第二绝缘层
参见图5，用涂胶工艺在贴合晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域位置的绝缘胶去除；
步骤五、电镀第一金属层
参见图6，在表面声滤波芯片晶圆的电极区域表面以及第二绝缘层表面选择性电镀第一金属层；
步骤六、制备第三绝缘层
参见图7，用涂胶工艺在第一金属层上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将后续植球位置的绝缘胶去除，形成第二开孔；
步骤七、植球
参见图8，在植球位置进行植球；
步骤八、切割
参见图9，切割分成单颗产品。
所述第一绝缘层可以是B-stage胶，胶体加热后熔融，此时可以不需要在贴合晶圆上涂粘合胶，直接进行贴合；
所述贴合晶圆为硅晶圆或金属材料；
实施例二：
金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它包括以下工艺步骤：
步骤一、参见图10，取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、制备第一绝缘层
参见图11，用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶，如PI（聚酰亚胺）、PA(尼龙，聚酰胺)，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤三、半蚀刻贴合晶圆并进行贴合
参见图12，取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆后续电极区域上方的位置进行半蚀刻，然后将已经完成半蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶贴合在第一绝缘层上，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤四、减薄
参见图13，将贴合晶圆进行研磨、减薄至贴合晶圆半蚀刻的位置，把表面声滤波芯片晶圆的电极区域位置暴露出来，形成第一开孔；
步骤五、制备第二绝缘层
参见图14，用涂胶工艺在贴合晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域位置的绝缘胶去除；
步骤六、电镀第一金属层
参见图15，在表面声滤波芯片晶圆的电极区域表面以及第二绝缘层表面选择性电镀第一金属层；
步骤七、制备第三绝缘层
参见图16，用涂胶工艺在第一金属层上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将后续植球位置的绝缘胶去除，形成第二开孔；
步骤八、植球
参见图17，在植球位置进行植球；
步骤九、切割
参见图18，切割分成单颗产品。
除上述实施例外，本发明还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (3)

1.金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、制备第一绝缘层
用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤三、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合
取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆后续电极区域上方位的置进行全蚀刻，然后将已经完成全蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶贴合在第一绝缘层上，从而在芯片感应区域上方形成空腔，在电极区域上方形成第一开孔；
步骤四、制备第二绝缘层
用涂胶工艺在贴合晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域位置的绝缘胶去除；
步骤五、电镀第一金属层
在表面声滤波芯片晶圆的电极区域表面以及第二绝缘层表面选择性电镀第一金属层；
步骤六、制备第三绝缘层
用涂胶工艺在第一金属层上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将后续植球位置的绝缘胶去除，形成第二开孔；
步骤七、植球
在植球位置进行植球；
步骤八、切割
切割分成单颗产品；
所述第一绝缘层采用B-stage胶，可不需要在贴合晶圆上涂粘合胶，直接进行贴合。
2.金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、制备第一绝缘层
用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤三、半蚀刻贴合晶圆并进行贴合
取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆后续电极区域上方的位置进行半蚀刻，然后将已经完成半蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶贴合在第一绝缘层上，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤四、减薄
将贴合晶圆进行研磨、减薄至贴合晶圆半蚀刻的位置，把表面声滤波芯片晶圆的电极区域位置暴露出来，形成第一开孔；
步骤五、制备第二绝缘层
用涂胶工艺在贴合晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域位置的绝缘胶去除；
步骤六、电镀第一金属层
在表面声滤波芯片晶圆的电极区域表面以及第二绝缘层表面选择性电镀第一金属层；
步骤七、制备第三绝缘层
用涂胶工艺在第一金属层上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将后续植球位置的绝缘胶去除，形成第二开孔；
步骤八、植球
在植球位置进行植球；
步骤九、切割
切割分成单颗产品。
3.根据权利要求1或2所述的金属圆片级蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于：所述贴合晶圆采用硅晶圆或金属材料晶圆。
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