WO2007055077A1

WO2007055077A1 - 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置

Info

Publication number: WO2007055077A1
Application number: PCT/JP2006/320182
Authority: WO
Inventors: Yuichi Takamine
Original assignee: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date: 2005-11-14
Filing date: 2006-10-10
Publication date: 2007-05-18
Also published as: JP4811409B2; JPWO2007055077A1; DE112006002957T5; US20080204167A1; US7479852B2; DE112006002957B4

Abstract

　周波数温度特性を改善し得るだけでなく、製造工程を複雑にすることなく、ＩＤＴ電極等の電極材料として腐食し易い安価な電極材料を用いることができ、かつ感光性樹脂膜のパターニングに際し、圧電基板の加熱による劣化が生じ難い、弾性表面波装置の製造方法を提供する。　圧電基板２上に、ＩＤＴ電極７ｂ、第１の配線パターン１３、第３の配線パターン１６を形成し、ＩＤＴ電極７ｂ及び配線パターン１３，１６を覆うように絶縁膜１０を形成し、感光性樹脂膜１２を形成し、感光性樹脂膜１２を得、その後、絶縁膜１０と感光性樹脂膜１２とが積層されて構成されている絶縁層上に第２の配線パターン１４を、第１の配線パターン１３と立体交差するように設ける、各工程を備える弾性表面波装置の製造方法。

Description

明細書

弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置

技術分野

[0001] 本発明は、圧電基板上に IDT電極及び温度特性改善用の SiO膜が形成されてい

2

る弾性表面波装置及びその製造方法に関し、より詳細には、圧電基板上における配線パターンの形成工程及び配線パターンの構造が改良された弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置に関する。

背景技術

[0002] 携帯電話機では、送信側周波数帯と、受信側周波数帯とが近接して、る。他方、携帯電話の RF段の帯域フィルタとして弾性表面波フィルタが広く用いられて、る。送信側周波数帯と受信側周波数帯とが近接しているため、このような用途に用いられる弾性表面波フィルタでは、周波数温度特性が良好であること、特に温度による周波数特性の変化が小さいことが強く求められる。

[0003] そこで、例えば、下記の特許文献 1には、 SiO力もなる周波数温度特性改善膜を

2

圧電基板上に形成した構造が開示されている。図 7 (a)に平面図で、及び図 7 (a)中の A— A線に沿う断面図である図 7 (b)に示すように、弾性表面波フィルタ 101では、圧電基板 102上に、 IDT電極 103及び反射器 104, 105が形成されている。そして、 IDT電極 103、反射器 104, 105を覆うよう〖こ SiO力もなる膜 106が形成されている

2

[0004] 実際には、 IDT電極 103を外部と電気的に接続するために、 SiO膜の一部に開口

2

を設け、開口において露出している電極部分をボンディングワイヤーなどにより外部と電気的に接続する必要がある。

[0005] 他方、近年、弾性表面波フィルタ装置においても、回路構成が複雑ィ匕してきている

。すなわち、減衰量の拡大を図ったり、平衡ー不平衡変換機能を実現したりするために、複数の弾性表面波フィルタを接続したり、弾性表面波フィルタに弾性表面波共振子を接続したりした構成などが広く用いられている。

[0006] 例えば、特許文献 2には、図 8に示す回路構成を有する弾性表面波フィルタ装置が開示されている。図 8に示すように、弾性表面波フィルタ装置 111では、不平衡端子 112に並列に第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 113, 114が接続されている。縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 113は、一端子対弾性表面波共振子 115を介して平衡端子 117に接続されている。他方、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 114は、一端子対弾性表面波共振子 116を介して第 2の平衡端子 1 18に接続されている。

[0007] このような回路構成を実現する際に、特許文献 2では、図 9に模式的平面図で示す配線パターンが形成されている。すなわち、圧電基板 121上に、上記不平衡端子 11 2、第 1,第 2の平衡端子 117, 118、第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 113, 114及び一端子対弾性表面波共振子 115, 116が形成されており、これらが配線パターンにより接続されて、る。

[0008] ところで、配線パターンによる接続部分にぉ、て、異なる電位に接続する配線パターン同士が交差する部分が存在する。例えば、図 9において、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 113と一端子対弾性表面波共振子 115とを電気的に接続している配線パターン 122は、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 113の中央の IDTをグラウンド電位に接続する配線パターン 123と交差している力配線パターン 122, 123間の短絡を防止するために、感光樹脂からなる絶縁層 124が形成されている。

[0009] 同様に、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 114と一端子対弾性表面波共振子 116とを接続している配線パターン 125と、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタの中央の IDTをアース電位に接続している配線パターン 126も、感光樹脂よりなる絶縁層 127を介して立体交差されて、る。

[0010] 図 10は、この立体交差部分を示す図 9の B— B線に沿う断面図である。

[0011] 図 9から明らかなように、弾性表面波フィルタ装置 111では、上記のように、アース電位に接続される配線パターン 123, 126や、弾性表面波フィルタと弾性表面波共振子とを電気的に接続する配線パターン 122, 125、不平衡端子や第 1,第 2の平衡端子と他の電極部分とを接続する配線パターンなどが存在し、圧電基板 121上における配線パターンの構成が複雑ィ匕している。そのため、上記のような立体交差部分がいくつかの位置に設けられることになる。特許文献 1 :特開 2004— 254291号公報

特許文献 2：特開 2004 - 282707号公報

発明の開示

[0012] 上述のように、特許文献 1に記載の弾性表面波フィルタでは、周波数温度特性を改善するために、圧電基板上において IDT電極を覆うように SiO膜 106が形成されて

2

いた。

[0013] これに対して、特許文献 2に記載の弾性表面波フィルタ装置 111では、圧電基板上の配線パターンが交差する部分、特に異なる電位に接続される配線パターンが交差する部分において、両者の短絡を防止するために絶縁層として、感光性榭脂からなる絶縁層 124, 127がフォトリソグラフィ一法を用いて形成されて、た。

[0014] 従って、携帯電話機の RF段等に用いられる弾性表面波フィルタ装置では、周波数温度特性を改善するために SiO膜を形成しなければならず、かつ配線パターンが複

2

雑ィ匕してきた場合には、 SiO膜とは別に、感光性榭脂をパターユングすることにより

2

、配線パターン間の短絡を防止するための絶縁層を形成しなければならな力つた。そのため、弾性表面波装置の製造工程が煩雑となり、コストが高くつ力ざるを得なくなつてきている。

[0015] また、感光性榭脂を塗布し、ノターニングする場合、感光性榭脂を硬化するために高温に加熱しなければならな力つた。そのため、圧電基板表面が高温により劣化し、所望とする特性が得られ難、と、う問題もあった。

[0016] さらに、 IDT電極など力 Cuのような腐食し易い金属力もなる場合、感光性榭脂のパター-ングに用いられる現像液により IDT電極などが腐食し易ヽとヽぅ問題もあつた。

[0017] 本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、周波数温度特性を改善するための SiO膜が形成されており、かつ比較的簡単な工程で得ることができ、さらに製

2

造時の熱処理などによる圧電基板の特性の劣化が生じ 1 、腐食し易い金属などにより IDT電極を形成した場合であっても、製造工程中に IDT電極などの腐食が生じ難い、弾性表面波装置の製造方法並びに弾性表面波装置を提供することにある。

[0018] 本発明の他の目的は、前記目的に加え、さらに、絶縁膜を介して異なる電位に接続される複数の配線パターンが立体交差しており、該複数の配線パターン間の短絡が生じ 1 、従って配線パターンの高密度化及び装置全体の小型化を容易に図ることができる弾性表面波装置の製造方法及びそのような弾性表面波装置を提供することにある。

[0019] 本発明によれば、圧電基板上に IDT電極及び第 1の配線パターンを形成する工程と、前記 IDT電極及び第 1の配線パターンを形成した後に、圧電基板上に IDT電極及び第 1の配線パターンを覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に感光性榭脂を塗布し、感光性榭脂層を形成する工程と、前記感光性榭脂層をパター二ングする工程と、前記絶縁膜を部分的にエッチングし前記 IDT電極上に絶縁膜を残存させる工程と、前記 IDT電極が設けられている領域とは異なる領域であって、前記絶縁膜及び絶縁膜上に設けられている前記感光性榭脂膜からなる絶縁層が設けられている領域において、該絶縁層上に第 2の配線パターンを形成する工程と備えることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法が提供される。

[0020] 本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のある特定の局面では、前記第 2の配線パターン力前記第 1の配線パターンと異なる電位に接続される配線パターンであつて、該第 1の配線パターンと前記絶縁層を介して立体交差するように、前記第 1,第 2の配線パターンが設けられて、る。

[0021] 本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の他の特定の局面によれば、前記圧電基板上に前記 IDT電極及び第 1の配線パターンを形成する工程において第 3の配線パターンを形成し、前記 IDT電極及び前記第 1の配線パターンを覆うように、絶縁膜を形成する工程において、前記第 3の配線パターンをも覆うように絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の部分的エッチングに際し、前記第 3の配線パターンを部分的に露出させる開口を形成し、前記開口内において、前記第 3の配線パターンに電気的に接続されるように、かつ前記開口の周囲の絶縁膜及び絶縁膜に積層されている感光性榭脂膜からなる絶縁層上に至る第 4の配線パターンを形成する工程をさらに備えられている。

[0022] 本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の別の特定の局面によれば、前記絶縁膜が SiO膜である。 [0023] 本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のさらに別の特定の局面によれば、前記絶縁膜が、周波数温度特性改善用の膜である。

[0024] 本発明に係る弾性表面波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成された少なくとも 1つの IDT電極と、前記圧電基板上に形成された第 1の配線パターンと、前記 I DT電極及び前記第 1の配線パターンを覆うように設けられた絶縁膜と、前記 IDT電極上には存在せず、前記第 1の配線パターンの上方において、前記絶縁膜上に形成された感光性榭脂膜とを備え、前記絶縁膜と前記感光性榭脂膜からなる積層構造の絶縁層上に、第 2の配線パターンが設けられて、ることを特徴とする。

[0025] 本発明に係る弾性表面波装置のある特定の局面では、前記第 2の配線パターンが、前記第 1の配線パターンと異なる電位に接続される配線パターンであって、該第 1 の配線パターンと絶縁層を介して立体交差するように設けられている。従って、第 1, 第 2の配線パターン ICの短絡を確実に防止することができるとともに、複数の配線パターンを有する弾性表面波装置にお!ヽて、配線パターンの高密度化及び弾性表面波装置の小型化を図ることが可能となる。

[0026] 本発明に係る弾性表面波装置の他の特定の局面では、前記圧電基板上に設けられた第 3の配線パターンをさらに備え、前記第 3の配線パターンが、絶縁膜に設けられた開口により部分的に露出されており、前記開口内において前記第 3の配線バターンに電気的に接続されており、かつ前記絶縁層上に至っている第 4の配線パターンをさらに備えられている。

[0027] 本発明に係る弾性表面波装置の別の特定の局面によれば、前記絶縁膜が SiO膜

2 である。

[0028] 本発明に係る弾性表面波装置の別の特定の局面によれば、前記絶縁膜が、周波数温度特性改善用の膜である。

(発明の効果）

[0029] 本発明に係る弾性表面波装置の製造方法によれば、負の周波数温度特性を有する圧電基板上に IDT電極及び第 1の配線パターンを形成した後に、絶縁膜を成膜し、絶縁膜上に感光性榭脂を塗布し、感光性榭脂層を形成する。そして、感光性榭脂層をパター-ングした後、上記 IDT電極上に絶縁膜を残存するように、絶縁膜を部分的にエッチングする。そして、 IDT電極が設けられている領域とは異なる領域において、絶縁膜及び絶縁膜上に設けられている感光性榭脂膜からなる絶縁層が設けられている部分において、該絶縁層上に、第 1の配線パターンと異なる電位に接続される第 2の配線パターンを形成する。

[0030] 従って、第 1,第 2の配線パターンが、上記絶縁膜及び感光性榭脂膜からなる絶縁層を介して隔てられているため、第 1,第 2の配線パターン間の短絡を確実に防止することがでさる。

[0031] しカゝも、絶縁膜が IDT電極を覆うように形成されて!ヽるので、弾性表面波装置の周波数温度特性を改善することができる。

[0032] また、上記感光性榭脂膜を形成し、パターユングし、絶縁膜を IDT電極上に残存させるように部分的にエッチングした後、 IDT電極が設けられている領域とは異なる領域において上記絶縁層上に第 2の配線パターンを形成すればよいため、工程の簡略ィ匕を図ることができる。

[0033] さらに、 IDT電極力Cuなどの腐食され易い金属材料により構成されていたとしても、 IDT電極が絶縁膜により覆われているため、感光性榭脂層を形成するための現像液に接触しない。よって、 IDT電極の腐食を防止することができる。

[0034] 第 2の配線パターン力第 1の配線パターンと絶縁膜を介して立体交差するように、第 1,第 2の配線パターンが設けられている場合には、第 1,第 2の配線パターンが交差するように配置しなければならない部分において、第 1,第 2の配線パターン間の短絡を確実に防止することができる。

[0035] 絶縁膜が、第 3の配線パターンをも覆うように形成されており、絶縁膜の部分エッチングに際し、第 3の配線パターンを部分的に露出させる開口が形成され、開口において、第 3の配線パターンに第 4の配線パターンが電気的に接続されるように、かつ第 4 の配線パターンが開口の周囲において、上記絶縁層上に至るように形成される場合には、本発明に従って、第 3の配線パターンを第 4の配線パターンにより外部に取り出すことができる。従って、 IDT電極に接続される第 3の配線パターンを形成しておくことにより、 IDT電極を第 4の配線パターンを経由して外部と電気的に接続することができる。 [0036] また、上記絶縁膜が SiO膜である場合には、 SiO膜は正の周波数温度特性をし

2 2

めす。従って、圧電基板が負の周波数温度特性を有する材料である場合には、上記絶縁膜として SiO膜を用いることにより、弾性表面波装置の周波数温度特性を改善

2

することができる。

[0037] 絶縁膜が周波数温度特性改善用の膜である場合には、絶縁膜により、配線パターン間を絶縁し得るだけでなぐ周波数温度特性をも改善することが可能となる。

[0038] 本発明に係る弾性表面波装置では、負の周波数温度特性を有する圧電基板上に形成された IDT電極を覆うように絶縁膜が形成されてヽる場合には、周波数温度特性を改善することができる。し力も、絶縁膜とは異なる領域において、第 1の配線バターンの上方に、絶縁膜及び感光性榭脂膜からなる絶縁層が形成されており、該絶縁層において、第 1の配線パターンとは異なる電位に接続される第 2の配線パターンが該絶縁層上に設けられている場合には、第 1,第 2の配線パターン間の短絡を確実に防止することができる。

[0039] カロえて、 IDT電極は、絶縁膜で覆われて、るので、絶縁膜上に感光性榭脂膜が形成されて!/ヽたとしても、感光性榭脂膜をパターユングする際の現像液に IDT電極が直接接触しない。従って、 Cuなどの腐食し易い金属により IDT電極を形成した場合であっても、 IDT電極の腐食を確実に防止することができる。

[0040] 第 3の配線パターン力絶縁膜に設けられた開口により部分的に露出されており、第 3の配線パターンに第 4の配線パターンが開口内において電気的に接続されており、かつ第 4の配線パターンが絶縁層上に至っている場合には、第 3の配線パターン及び第 4の配線パターンを用い、弾性表面波装置を外部と容易に接続することができる。

[0041] また、上記絶縁膜が SiO膜である場合には、 SiO膜は正の周波数温度特性をし

2 2

2

することができる。

[0042] 絶縁膜が周波数温度特性改善用の膜である場合には、絶縁膜により、配線パターン間を絶縁し得るだけでなぐ周波数温度特性をも改善することが可能となる。図面の簡単な説明

[0043] [図 1]図 1は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の模式的平面図である。

[図 2]図 2 (a)及び (b)は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の要部を示す部分拡大平面図及び (a)中の E— E線に沿う断面図である。

[図 3]図 3 (a)〜 (f)は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の製造方法の各工程を示す部分正面断面図である。

[図 4]図 4 (a)〜 (f)は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の製造方法の各工程を示す部分正面断面図である。

[図 5]図 5 (a)〜 (f)は、比較例としての従来法による弾性表面波フィルタ装置の製造方法を説明するための各正面断面図である。

[図 6]図 6 (a)〜 (f)は、比較例としての従来法による弾性表面波フィルタ装置の製造方法を説明するための各正面断面図である。

[図 7]図 7 (a)及び (b)は、従来の弾性表面波フィルタの一例を説明するための平面図及び (a)中の A— A線に沿う断面図である。

[図 8]図 8は、従来の弾性表面波フィルタ装置の回路構成を示す模式的回路図である。

[図 9]図 9は、従来の弾性表面波フィルタ装置の模式的平面図である。

[図 10]図 10は、図 9に示した B— B線に沿う断面図である。

符号の説明

[0044] 1…弾性表面波フィルタ装置

2…圧電基板

3…不平衡端子

4, 5…第 1,第 2の平衡端子

6…第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ

7…第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ

7a〜7c" -IDT電極

8, 9…一端子対弾性表面波共振子 10· ·•SiO膜

2

10a' 〜10h…開口

11 · · -感光性榭脂膜

12· · -感光性榭脂膜

13· · '第 1の配線バタ -ン

14· · -第 2の配線バタ -ン

15· · -電極パッド

16· · '第 3の配線バタ -ン

17· · -第 4の配線バタ -ン

18· · -第 5の配線バタ -ン

21 · · 'フォトレジスト層

22· · 'フォトレジスト層

22a' …開口

発明を実施するための最良の形態

[0045] 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより本発明を明らかにする。

[0046] 図 1は本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の電極構造を示す模式的平面図である。弾性表面波フィルタ装置 1は、負の周波数温度特性を有する圧電基板 2を有する。負の周波数温度特性を有する圧電基板 2としては、本実施形態では、 LiTaOまたは LiNbOなどの圧電単結晶基板が用いられている。もっとも、圧

3 3

電基板 2は、圧電セラミックスにより構成されて、てもよ!/、。

[0047] LiTaOや LiNbOは負の周波数温度特性を有し、後述の SiO膜は正の周波数温

3 3 2 度特性を有し、 SiO膜の形成により、周波数温度特性を改善することができる。

2

[0048] 圧電基板 2上には、不平衡端子 3を構成する電極パッドと、第 1 ,第 2の平衡端子 4

, 5を構成する電極パッドとが形成されている。

[0049] 不平衡端子 3に並列に、第 1 ,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 6, 7が接続されている。

[0050] 第 1の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 6は、一端子対弾性表面波共振子 8を介して第 1の平衡端子 4に電気的に接続されている。他方、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7は、一端子対弾性表面波共振子 9を介して第 2の平衡端子 5に電気的に接続されている。

[0051] 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 6と、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7とは、位相が 180° 逆転されており、従って、弾性表面波フィルタ装置 1は、平衡ー不平衡変換機能を有する。

[0052] また、本実施形態の弾性表面波フィルタ装置 1では、圧電基板 2上の大部分の領域が SiO膜 10で被覆されている。 SiO膜 10は、エッチングにより形成された開口 1

2 2

Oa〜： LOhを有する。

[0053] SiO膜 10は、正の周波数温度特性を示す。従って、 SiO膜 10を縦結合共振子型

2 2

弾性表面波フィルタ 6, 7の IDT電極 6a〜6c, 7a〜7c及び弾性表面波共振子 8, 9 の IDT電極 8a, 9aを覆うように形成することにより、周波数温度特性を改善することができる。また SiO膜は周波数温度特性改善用ではなぐ周波数調整に用いる膜で

2

ちょい。

[0054] ところで、この種の弾性表面波フィルタ装置では、第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 6, 7が複数の IDT電極 6a〜6c, 7a〜7cを有し、他方、第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 6, 7は、弾性表面波共振子 8, 9に電気的に接続されている。従って、図示のように、複雑な電気的接続のための複数の配線パターンが形成されている。また、異なる電位に接続される一方の配線パターンと他方の配線パターンとは電気的に絶縁されねばならない。本実施形態の特徴は、この電気的絶縁が、上記 SiO膜 10、すなわち周波数温度特性を改善するための SiO膜 10を

2 2 用いて行われていることにある。これを、図 1の矢印 C及び Dで示す立体交差部分を代表して説明することにより明らかにする。

[0055] また、図 1に示すように、 SiO膜 10の一部において、感光性榭脂膜 11, 12が積層

2

されている。本実施形態では、 SiO膜 10と、上記感光性榭脂膜 11, 12とが積層され

2

ている部分が、 SiO膜及び感光性榭脂膜 11, 12を積層してなる絶縁層とされている

2

[0056] 図 2 (a)は、矢印 C, Dで示されて、る部分を取り出して示す部分拡大平面図であり、図 2 (b)は、図 2 (a)の E— E線に沿う断面図である。

[0057] 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ 7の中央の IDT電極 7bの一端に、第 1の配線パターン 13が電気的に接続されている。配線パターン 13は、図 1に示されている電極パッド 15に電気的に接続されている。電極パッド 15はグラウンド電位に接続される電極パッドである。他方、図 1に示すように、 IDT電極 7a, 7cの各一端が第 2の配線ノターン 14により共通接続されて、一端子対弾性表面波共振子 9に電気的に接続されている。この配線パターン 14が第 2の配線パターンに相当する。第 2の配線パターン 14は、 SiO膜 10上に形成されている。もっとも、図 1から明らかなように、矢印じで

2

示す立体交差部分では、第 2の配線パターン 14は、 SiO膜 10及び感光性榭脂膜 1

2

2を積層してなる絶縁層上に形成されており、該絶縁膜を介して第 1の配線パターン

13と立体交差されている。

[0058] 従って、第 1の配線パターン 13と異なる電位に接続される第 2の配線パターン 14は

、上記絶縁層を介して立体交差しているため、異なる電位に接続される第 1,第 2の配線パターン 13, 14間の短絡が生じ難い。

[0059] また、感光性榭脂膜 12は、後述する製造工程力も明らかなように、加熱により硬化され、かつ現像液を用いてパターユングすることにより形成されている。この感光性榭脂膜 12を加熱により硬化させるに際し、 SiO膜 10が圧電基板の保護層として存在

2

するので、圧電基板 2の上記加熱による劣化を抑制することができる。カロえて、上記感光性榭脂膜 12をパターユングする際の現像液により、 IDT電極 7bや、配線パターン 13が、現像液に直接接触しない。従って、これらの電極材料として腐食し易い Cu を用いた場合であっても IDT電極 7bや配線パターン 13の腐食は生じ難い。

[0060] 他方、図 1の矢印 Dで示す部分では、 SiO膜 10に後述する部分的なエッチングを

2

施すことにより、開口 10bが形成されている。 IDT電極 7bの端部に接続されている第 3の配線パターン 16が開口 10bに露出している。第 3の配線パターン 16は、 IDT電極 7bと一体に形成されている。もっとも、第 3の配線パターン 16は、 IDT電極 7bと異なる電極材料で形成されて、てもよ、。

[0061] 開口 10bにおいて、第 3の配線パターン 16が露出されている部分に電気的に接続されるように、第 4の配線パターン 17が形成されている。第 4の配線パターン 17は開口 10b内から SiO膜 10及び感光性榭脂膜 11を積層してなる絶縁層上に至るように

2

形成されている。なお、配線パターン 17をはわせる SiO膜及び感光性榭脂膜の断

2

面形状 19は、配線パターン 16の断線を防ぐために、テーパー形状とされていることが好ましい。そして、この絶縁層の下方に、第 5の配線パターン 18が配置されている。第 5の配線パターン 18は、 IDT電極 7a, 7cを共通接続しており、グラウンド電位に電気的に接続されるように、電極パッド 15に電気的に接続されている。従って、第 5 の配線パターン 18は、第 4の配線パターン 17と上記絶縁層を介して立体交差している。

[0062] 言い換えれば、第 4の配線パターン 17と第 5の配線パターン 18とは、前述した第 1 の配線パターン 13と、第 2の配線パターン 14との関係と同様に、間に絶縁層を介して電気的に絶縁されている。従って、第 4,第 5の配線パターン 17, 18間における短絡も生じ難い。

[0063] 力！]えて、第 4の配線パターン 17は、第 3の配線パターン 16に開口 10b内において電気的に接続されており、かつ第 5の配線パターン 18と立体交差され、外側に引き出されている。従って、本実施形態では、このような立体交差を利用することにより、複数の配線パターン 16, 17, 18の配置密度を高めることができ、弾性表面波装置 1 の小型化を図ることが可能とされて、る。

[0064] 次に、具体的な製造方法の実施形態を説明することにより、本実施形態により得られる効果をより具体的に説明する。

[0065] 本製造工程では、図 2 (a)に示した部分を代表して図 3及び図 4を参照しつつ説明を行うこととする。

[0066] まず、図 3 (a)に示すように、圧電基板 2上に、 1層目の電極として、 IDT電極 7b、第 1の配線パターン 13、第 3の配線パターン 16及び第 5の配線パターン 18を含む電極を形成する。電極材料は特に限定されず、 Al、 Cu、 Auまたはこれらの金属の合金などを適宜用いることができる。

[0067] もっとも、上述したように、本実施形態では、感光性榭脂膜 11, 12と、下方に形成された電極とが接触されないため、感光性榭脂膜 11, 12の形成に際しての現像液により、先に形成されていた電極が腐食することがない。従って、上記 1層目の電極材料として、腐食し易い Cuなどを用いることができ、その場合には、腐食し易い電極材料は一般に安価であるため、弾性表面波装置のコストを低減することができる。

[0068] また、電極は、単一の金属層により形成される必要は必ずしもなぐこれらの金属からなる金属層に、さらに密着性等を高めるために、 Ti層や NiCr層などを積層した積層金属膜により形成されてもょヽ。

[0069] さらに、後述する 2層目以降の配線パターン等を構成する電極についても、上記第

1層目の電極と同じ電極材料を用いて形成することができる。

[0070] 図 3 (a)に示す IDT電極及び配線パターン 13, 16, 18は、上記のような金属材料を全面に成膜した後、フォトリソグラフィーなどによりパターユングすることにより形成される。もっとも、電極形成方法は特に限定されるものではない。

[0071] 次に、図 3 (b)に示すように、圧電基板 2上に SiO膜 10を全面に成膜する。 SiO膜

2 2 の成膜は、蒸着またはスパッタリングなどの適宜の薄膜形成方法により行い得る。

[0072] 次に、図 3 (c)に示すように、 SiO膜 10上に、全面に感光性榭脂層 21を形成する。

2

し力る後、感光性榭脂層 21を加熱により硬化する。この加熱は、感光性榭脂層 21を構成する榭脂組成物の組成にもよる力 250〜330°Cの高温下で行われる。しかしながら、感光性榭脂層 21と圧電基板 2との間に SiO膜 10が存在するため、上記カロ

2

熱により、圧電基板 2がほとんど劣化しない。

[0073] 次に、図 3 (d)に示すように、感光性榭脂層 21をパターユングし、感光性榭脂膜 11 , 12を形成する。このパターユングは、感光性榭脂層 21に光を照射し、現像液により現像することにより行い得る。この現像液としては、アルカリ現像などが用いられる力現像液により、下方に形成されている IDT電極 7bや配線パターン 13, 16, 18が腐食することはない。すなわち、 SiO膜 10の下方に IDT電極 7b及び配線パターン 13

2

, 16, 18が配置されており、これらの電極と現像液とが直接接触しない。従って、前述したように、電極材料として Cuなどの安価である力腐食し易い金属を用いることができる。

[0074] 次に、図 3 (e)に示すように、 SiO膜上の全面にポジ型のフォトレジスト層 22を形成

2

する。すなわち、上記開口 10bが形成される部分が開口部とされているマスクを用い、露光し、露光されたフォトレジスト層 22を現像する。これによつて、図 3 (f)に示すように、開口 22aを形成する。し力る後、ドライエッチングプロセスにより、開口 22aに露出している SiO膜部分を除去する。このようにして、図 4 (a)に示すように、開口 10b内

2

に、第 3の配線パターン 16の一部が露出されることになる。

[0075] 次に、図 4 (b)に示すように、フォトレジスト層 22を除去する。し力る後、図 4 (c)に示すように、ネガ型のフォトレジスト層 23を全面に形成する。

[0076] そして、電極を形成した、部分が遮蔽部とされて、るフォトマスクを用いて露光し、露光されていないレジスト部分を除去する。このようにして、図 4 (d)に示すように、電極を形成した、部分上にぉ、て、フォトレジスト層 23が除去される。

[0077] しカゝる後、図 4 (e)に示すように、 2層目の電極を構成する電極材料を成膜する。この電極材料による成膜は、 1層目の電極と同様に、蒸着またはスパッタリングなどの適宜の薄膜形成方法により行われ得る。そして、図 4 (f)に示すように、ネガ型のフォトレジスト層 23を、その上面に形成されている電極材料とともにリフトオフする。その結果、上記弾性表面波装置 1を得ることができる。

[0078] 図 3 (a)〜 (f)及び図 4 (a)〜 (f)から明らかなように、本実施形態の製造方法では、フォトリソグラフィ一による各種電極や配線パターンを形成する以外の工程として、上記 SiO膜 10の形成及びパターユング、並びに感光性榭脂膜の形成及びパターニン

2

グを行うことにより、弾性表面波装置 1が得られる。この場合、上記のように、 SiO

2膜 1

0の形成に先立って形成された IDT電極 7b及び配線パターン 13, 16, 18などと、感光性榭脂膜 11, 12を形成する際の現像液との接触を防止し、 Cuなどの安価な電極材料を用いて、上記 IDT電極 7bなどを形成することができる。

[0079] し力も、 SiO膜 10により周波数温度特性を高めることができる。カロえて、 SiO膜 10

2 2 及びこれに積層されている感光性榭脂膜 11, 12からなる絶縁層により、異なる電位に接続される配線パターン 13, 14間、及び配線パターン 17, 18間が電気的に絶縁されている。従って、異なる電位に接続される配線パターン間の電気的絶縁性も高められる。

[0080] すなわち、本実施形態によれば、周波数温度特性を改善するための SiO膜 10を

2 利用して、上記周波数温度特性を改善し得るだけでなぐ広い範囲の電極材料を用いて電極を形成して、弾性表面波フィルタ装置のコストの低減を果たし、かつ異なる電位に接続される配線パターン間の短絡を確実に防止することが可能となる。

[0081] し力も、上記のような工程を経るだけでよ!、ため、煩雑な製造工程を特に必要とするものでもない。

[0082] 図 5 (a)〜 (f)及び図 6 (a)〜 (f)は、上記実施形態と類似の構造を従来法に従って得る工程を説明するための各部分正面断面図である。ここでは、理解を容易とするために、図 3及び図 4に示した上記実施形態の製造方法における各部分を示す参照番号に相当する部分については、上記参照番号に 200をカ卩えた参照番号で示すこととする。

[0083] まず、図 5 (a)〖こ示すように、圧電基板 202上に 1層目の電極として IDT電極 207b 及び配線パターン 211, 216, 217を形成する。次に、図 5 (b)に示すように、 SiO膜

2

210を形成し、図 5 (c)に示すように、上面にフォトレジスト層 221を形成する。ここまでは、上記実施形態と同様である。

[0084] 次に、図 5 (d)に示すように、フォトレジスト層 221に露光し、現像することにより、フオトレジスト層 221をパター-ングする。すなわち、フォトレジスト層 221Aと、フォトレジスト層が設けられていない領域が形成されることになる。次に、図 5 (e)に示すように、露出している SiO膜 210を除去し、さらに、図 5 (f)に示すように、フォトレジスト層 22

2

1Aを除去する。ここまでは、上記実施形態とほぼ同様である。

[0085] 次に、図 6 (a)に示すように、感光性榭脂層 231を全面に形成し、図 6 (b)に示すように、感光性榭脂層 231 Aを残す部分を除いて、感光性榭脂層 231をフォトリソグラフィ一法により除去する。この場合、図 6 (a)から (b)に示す状態に至るまでに、感光及び現像処理をする必要がある。

[0086] し力る後、図 6 (c)に示すように、またフォトレジスト層 222を全面に形成した後、図 6

(d)に示すようにパターユングし、さらに 2層目の電極材料を図 6 (e)に示すように全面に付与する。そして、リフトオフすることにより、図 6 (f)に示すように、配線パターン 212, 217が形成され、従来例の弾性表面波装置が得られる。ここでは、 SiO膜をパ

2 ターニングするだけでなぐ上記感光性榭脂層 231を形成しパターニングする必要がある。従って、製造工程が煩雑にならざるを得ない。また、感光性榭脂層 231を現像する際、そのための現像液を必要とする必要がある。この種の感光性榭脂は、通常現像に際し、アルカリ現像液を用いて現像する必要がある。従って、電極材料として

Cuなどを用いた場合、電極の腐食が生じるおそれがある。

Claims

請求の範囲

[1] 圧電基板上に IDT電極及び第 1の配線パターンを形成する工程と、

前記 IDT電極及び第 1の配線パターンを形成した後に、圧電基板上に IDT電極及び第 1の配線パターンを覆うように絶縁膜を形成する工程と、

前記絶縁膜上に感光性榭脂を塗布し、感光性榭脂層を形成する工程と、前記感光性榭脂層をパターニングする工程と、

前記絶縁膜を部分的にエッチングし前記 IDT電極上に絶縁膜を残存させる工程と前記 IDT電極が設けられて、る領域とは異なる領域であって、前記絶縁膜及び絶縁膜上に設けられている前記感光性榭脂膜からなる絶縁層が設けられている領域において、該絶縁層上に第 2の配線パターンを形成する工程と備えることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。

[2] 前記第 2の配線パターンが、前記第 1の配線パターンと異なる電位に接続される配線パターンであって、該第 1の配線パターンと前記絶縁層を介して立体交差するように、前記第 1,第 2の配線パターンが設けられている、請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法。

[3] 前記圧電基板上に前記 IDT電極及び第 1の配線パターンを形成する工程にぉヽて第 3の配線パターンを形成し、

前記 IDT電極及び前記第 1の配線パターンを覆うように、絶縁膜を形成する工程にぉ、て、前記第 3の配線パターンをも覆うように絶縁膜を形成し、

前記絶縁膜の部分的エッチングに際し、前記第 3の配線パターンを部分的に露出させる開口を形成し、

前記開口内において、前記第 3の配線パターンに電気的に接続されるように、かつ前記開口の周囲の絶縁膜及び絶縁膜に積層されている感光性榭脂膜からなる絶縁層上に至る第 4の配線パターンを形成する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項 1または 2に記載の弾性表面波装置の製造方法。

[4] 前記絶縁膜が SiO膜である、請求項 1〜3に記載の弾性表面波装置の製造方法。

2

[5] 前記絶縁膜が、周波数温度特性改善用の膜であることを特徴とする、請求項 1〜4 に記載の弾性表面波装置の製造方法。

[6] 圧電基板と、

前記圧電基板上に形成された少なくとも 1つの IDT電極と、

前記圧電基板上に形成された第 1の配線パターンと、

前記 IDT電極及び前記第 1の配線パターンを覆うように設けられた絶縁膜と、前記 IDT電極上には存在せず、前記第 1の配線パターンの上方において、前記絶縁膜上に形成された感光性榭脂膜とを備え、

前記絶縁膜と前記感光性榭脂膜からなる積層構造の絶縁層上に、第 2の配線バターンが設けられていることを特徴とする、弾性表面波装置。

[7] 前記第 2の配線パターンが、前記第 1の配線パターンと異なる電位に接続される配線パターンであって、該第 1の配線パターンと絶縁層を介して立体交差するように設けられている、請求項 6に記載の弾性表面波装置。

[8] 前記圧電基板上に設けられた第 3の配線パターンをさらに備え、

前記第 3の配線パターンが、絶縁膜に設けられた開口により部分的に露出されており、

前記開口内において前記第 3の配線パターンに電気的に接続されており、かつ前記絶縁層上に至っている第 4の配線パターンをさらに備える、請求項 6に記載の弾性表面波装置。

[9] 前記絶縁膜が SiO膜である、請求項 6〜8に記載の弾性表面波装置。

2

[10] 前記絶縁膜が、周波数温度特性改善用の膜であることを特徴とする、請求項 6〜8 に記載の弾性表面波装置。