JPH09326663A - 振動子とその製造方法 - Google Patents
振動子とその製造方法Info
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- JPH09326663A JPH09326663A JP14538496A JP14538496A JPH09326663A JP H09326663 A JPH09326663 A JP H09326663A JP 14538496 A JP14538496 A JP 14538496A JP 14538496 A JP14538496 A JP 14538496A JP H09326663 A JPH09326663 A JP H09326663A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は振動子とその製造方法に関するもの
で、周波数調整が行えるようにすることを目的とする。 【解決手段】 振動板１と、この振動板１の表、裏面を
覆うと共に、その外周部で前記振動板１の外周部を挟持
した第１、第２のカバー２，３とを備え、前記振動板１
は、前記第１、第２のカバー２，３による挟持部内方に
振動部７を有し、この振動部７の表、裏面には励振用電
極８，９を形成し、これらの表、裏面の励振用電極８，
９からはリード電極を引き出し、その第１、第２の接続
部１４，１５を少なくとも一方に対向する第１、あるい
は第２のカバー２，３には貫通孔を形成し、この貫通孔
を介して第１、または第２の接続部１４，１５と第１ま
たは第２のカバー２，３外の外部電極４，５を電気的に
接続する構成とするとともに、この接続部に容量付加層
２０を介在させた。
で、周波数調整が行えるようにすることを目的とする。 【解決手段】 振動板１と、この振動板１の表、裏面を
覆うと共に、その外周部で前記振動板１の外周部を挟持
した第１、第２のカバー２，３とを備え、前記振動板１
は、前記第１、第２のカバー２，３による挟持部内方に
振動部７を有し、この振動部７の表、裏面には励振用電
極８，９を形成し、これらの表、裏面の励振用電極８，
９からはリード電極を引き出し、その第１、第２の接続
部１４，１５を少なくとも一方に対向する第１、あるい
は第２のカバー２，３には貫通孔を形成し、この貫通孔
を介して第１、または第２の接続部１４，１５と第１ま
たは第２のカバー２，３外の外部電極４，５を電気的に
接続する構成とするとともに、この接続部に容量付加層
２０を介在させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は水晶等の振動子とそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の振動子は、前記振動板の
表、裏面の励振用電極を形成した後に周波数測定を行
い、所望の周波数からのずれを片面側の励振用電極上に
さらに電極材料を追加して形成する事により補正し、第
１、第２のカバーを前記振動板を挟持する形で設けた
後、カバーに設けられた貫通孔において導電層によって
気密封止と電極引出を行っていた。
表、裏面の励振用電極を形成した後に周波数測定を行
い、所望の周波数からのずれを片面側の励振用電極上に
さらに電極材料を追加して形成する事により補正し、第
１、第２のカバーを前記振動板を挟持する形で設けた
後、カバーに設けられた貫通孔において導電層によって
気密封止と電極引出を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例では振動板
の状態で周波数測定を行い、所望の周波数からのずれを
片面側の励振用電極上にさらに電極を追加して形成する
ことにより補正していた。しかし、この周波数を合わせ
込んだ振動板はこの後、洗浄行程、第１、第２のカバー
との接合行程、熱処理行程、気密封止のための導電層形
成行程を通過する。この際にそれぞれの行程で振動板の
周波数はそれぞれ変動し、導電層形成行程通過後では最
初に合わせ込んだ周波数とは異なる周波数になる。実
際、振動板の状態で最初に合わせ込む周波数は各行程の
周波数変動を考慮して設定しているのであるが、プロセ
スのばらつき要因によってねらいの周波数範囲を外れる
場合がある。
の状態で周波数測定を行い、所望の周波数からのずれを
片面側の励振用電極上にさらに電極を追加して形成する
ことにより補正していた。しかし、この周波数を合わせ
込んだ振動板はこの後、洗浄行程、第１、第２のカバー
との接合行程、熱処理行程、気密封止のための導電層形
成行程を通過する。この際にそれぞれの行程で振動板の
周波数はそれぞれ変動し、導電層形成行程通過後では最
初に合わせ込んだ周波数とは異なる周波数になる。実
際、振動板の状態で最初に合わせ込む周波数は各行程の
周波数変動を考慮して設定しているのであるが、プロセ
スのばらつき要因によってねらいの周波数範囲を外れる
場合がある。
【０００４】そこで本発明は、気密封止行程後に目標周
波数範囲から外れた振動子について再度、周波数の合わ
せ込みを行い歩留まりを向上させることを目的とする。
波数範囲から外れた振動子について再度、周波数の合わ
せ込みを行い歩留まりを向上させることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そして、この目的を達成
するために本発明は気密封止のために形成された導電層
の上に、所望の容量を付加させる容量付加層を設ける。
するために本発明は気密封止のために形成された導電層
の上に、所望の容量を付加させる容量付加層を設ける。
【０００６】この結果、目標周波数範囲から外れていた
振動子の周波数を目標周波数範囲に合わせ込むことがで
き、歩留まりが向上することとなる。
振動子の周波数を目標周波数範囲に合わせ込むことがで
き、歩留まりが向上することとなる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、振動板と、この振動板の表、裏面を覆うと共に、そ
の外周部で前記振動板の外周部を挟持した第１、第２の
カバーとを備え、前記振動板は、前記第１、第２のカバ
ーによる挟持部内方に振動部を有し、この振動部の表、
裏面には励振用電極を形成し、これらの表、裏面の励振
用電極からはリード電極を引き出し、これら表、裏のリ
ード電極の一方は、振動板の前記振動部の外側にて第１
の接続部を形成し、他方のリード電極は、前記振動部の
外側にて第２の接続部を形成し、これらの第１、第２の
接続部の少なくとも一方に対向する第１、あるいは第２
のカバーには貫通孔を形成し、この貫通孔を介して第
１、または第２の接続部と第１または第２のカバー外の
外部電極を電気的に接続する構成とするとともに、この
接続部に容量付加層を介在させた振動子であり、容量付
加層によって振動子の周波数を補正することができる。
は、振動板と、この振動板の表、裏面を覆うと共に、そ
の外周部で前記振動板の外周部を挟持した第１、第２の
カバーとを備え、前記振動板は、前記第１、第２のカバ
ーによる挟持部内方に振動部を有し、この振動部の表、
裏面には励振用電極を形成し、これらの表、裏面の励振
用電極からはリード電極を引き出し、これら表、裏のリ
ード電極の一方は、振動板の前記振動部の外側にて第１
の接続部を形成し、他方のリード電極は、前記振動部の
外側にて第２の接続部を形成し、これらの第１、第２の
接続部の少なくとも一方に対向する第１、あるいは第２
のカバーには貫通孔を形成し、この貫通孔を介して第
１、または第２の接続部と第１または第２のカバー外の
外部電極を電気的に接続する構成とするとともに、この
接続部に容量付加層を介在させた振動子であり、容量付
加層によって振動子の周波数を補正することができる。
【０００８】請求項２に記載の発明は、外部電極と第１
または第２の接続部は貫通孔内に設けた導電層を介して
接続すると共にこの導電層の少なくとも一部を容量付加
層で覆った請求項１記載の振動子というものであり、請
求項１と同様の作用を有する。
または第２の接続部は貫通孔内に設けた導電層を介して
接続すると共にこの導電層の少なくとも一部を容量付加
層で覆った請求項１記載の振動子というものであり、請
求項１と同様の作用を有する。
【０００９】請求項３に記載の発明は、カバーに設けら
れた貫通孔内において、導電層、容量付加層を積層させ
た請求項２記載の振動子というものであり、請求項１と
同様の作用を有するだけでなく、貫通孔内の積層である
ので、コンパクト化が図れる。
れた貫通孔内において、導電層、容量付加層を積層させ
た請求項２記載の振動子というものであり、請求項１と
同様の作用を有するだけでなく、貫通孔内の積層である
ので、コンパクト化が図れる。
【００１０】請求項４に記載の発明は、容量付加層のパ
ターンを導電層のパターンの外側まで設けた、請求項２
記載の振動子というものであり、請求項１と同様の作用
を有するだけでなく、導電層と外部電極の短絡を防止で
きる。
ターンを導電層のパターンの外側まで設けた、請求項２
記載の振動子というものであり、請求項１と同様の作用
を有するだけでなく、導電層と外部電極の短絡を防止で
きる。
【００１１】請求項５に記載の発明は、容量付加層をシ
リコン酸化膜によって形成し、導電層の最表面にＣｒま
たはＴｉまたはＮｉの密着層を有する請求項２記載の振
動子というものであり、請求項１と同様の作用を有する
だけでなく、密着性の良いものとなる。
リコン酸化膜によって形成し、導電層の最表面にＣｒま
たはＴｉまたはＮｉの密着層を有する請求項２記載の振
動子というものであり、請求項１と同様の作用を有する
だけでなく、密着性の良いものとなる。
【００１２】請求項６に記載の発明は、複数の振動部を
有する大板状の振動板と、この振動板の表、裏面を覆う
と共に、それぞれの振動部の外周部で振動板を挟持した
大板状の第１、第２のカバーとを備え、それぞれの振動
部について表、裏面には励振用電極を形成し、これらの
表、裏面の励振用電極からはリード電極を引き出し、こ
れら表、裏面のリード電極の一方は、振動板の前記振動
部の外側で、挟持部内方にて第１の接続部を形成し、他
方のリード電極は、前記振動部の外側で、挟持部内方に
て第２の接続部を形成し、複数の第１、第２の接続部の
少なくとも一方に対向する第１、あるいは第２のカバー
には貫通孔を形成し、この貫通孔を介して第１または第
２の接続部と、第１または第２のカバー外の外部電極と
電気的に接続する構成とするとともに、この接続部に所
望の容量を付加する容量付加層を介在させ、その後切断
して個片となる振動子を得る振動子の製造方法というも
のであり、気密封止後の大板状振動子の状態で、目標周
波数範囲を外れた素子に付いてのみ周波数補正を行うこ
とができ、結果として振動子の製造歩留まりを向上させ
ることができる。
有する大板状の振動板と、この振動板の表、裏面を覆う
と共に、それぞれの振動部の外周部で振動板を挟持した
大板状の第１、第２のカバーとを備え、それぞれの振動
部について表、裏面には励振用電極を形成し、これらの
表、裏面の励振用電極からはリード電極を引き出し、こ
れら表、裏面のリード電極の一方は、振動板の前記振動
部の外側で、挟持部内方にて第１の接続部を形成し、他
方のリード電極は、前記振動部の外側で、挟持部内方に
て第２の接続部を形成し、複数の第１、第２の接続部の
少なくとも一方に対向する第１、あるいは第２のカバー
には貫通孔を形成し、この貫通孔を介して第１または第
２の接続部と、第１または第２のカバー外の外部電極と
電気的に接続する構成とするとともに、この接続部に所
望の容量を付加する容量付加層を介在させ、その後切断
して個片となる振動子を得る振動子の製造方法というも
のであり、気密封止後の大板状振動子の状態で、目標周
波数範囲を外れた素子に付いてのみ周波数補正を行うこ
とができ、結果として振動子の製造歩留まりを向上させ
ることができる。
【００１３】請求項７に記載の発明は、外部電極と第１
または第２の接続部は貫通孔内に設けた導電層を介して
接続すると共にこの導電層の少なくとも一部を容量付加
層で覆った請求項６記載の振動子の製造方法というもの
であり、請求項６と同様の作用を有する。
または第２の接続部は貫通孔内に設けた導電層を介して
接続すると共にこの導電層の少なくとも一部を容量付加
層で覆った請求項６記載の振動子の製造方法というもの
であり、請求項６と同様の作用を有する。
【００１４】請求項８に記載の発明は、カバーに設けら
れた貫通孔において、導電層、容量付加層を積層させた
請求項７記載の振動子の製造方法というものであり、請
求項６と３と同様の作用を有する。
れた貫通孔において、導電層、容量付加層を積層させた
請求項７記載の振動子の製造方法というものであり、請
求項６と３と同様の作用を有する。
【００１５】請求項９に記載の発明は、容量付加層のパ
ターンを導電層のパターンの外側まで設けた、請求項７
記載の振動子の製造方法というものであり、請求項６と
４と同様の作用を有する。
ターンを導電層のパターンの外側まで設けた、請求項７
記載の振動子の製造方法というものであり、請求項６と
４と同様の作用を有する。
【００１６】請求項１０に記載の発明は、容量付加層を
シリコン酸化膜によって形成し、導電層の最表面にＣｒ
またはＴｉまたはＮｉの密着層を有する請求項７記載の
振動子の製造方法というものであり、請求項６と５と同
様の作用を有する。
シリコン酸化膜によって形成し、導電層の最表面にＣｒ
またはＴｉまたはＮｉの密着層を有する請求項７記載の
振動子の製造方法というものであり、請求項６と５と同
様の作用を有する。
【００１７】請求項１１に記載の発明は、容量付加層は
ＣＶＤ法によって成膜されることを特徴とする、請求項
７記載の振動子の製造方法というものであり、容量付加
層を確実に形成できるものとなる。
ＣＶＤ法によって成膜されることを特徴とする、請求項
７記載の振動子の製造方法というものであり、容量付加
層を確実に形成できるものとなる。
【００１８】以下、具体例について詳細に述べる。図１
において１は振動板で水晶板によって構成されている。
振動板の板厚は振動子の周波数によって板厚は約１００
マイクロメートルから約２０マイクロメートルの間の所
望の厚みであり、振動板は研磨によって所望の厚みに加
工される。振動板１の表裏には、板厚約４００マイクロ
メートルの水晶板よりなるカバー２，３が水晶の相転移
点より低い温度４５０度で加熱、加圧した状態で水晶ど
うしが直接接合により接合されている。
において１は振動板で水晶板によって構成されている。
振動板の板厚は振動子の周波数によって板厚は約１００
マイクロメートルから約２０マイクロメートルの間の所
望の厚みであり、振動板は研磨によって所望の厚みに加
工される。振動板１の表裏には、板厚約４００マイクロ
メートルの水晶板よりなるカバー２，３が水晶の相転移
点より低い温度４５０度で加熱、加圧した状態で水晶ど
うしが直接接合により接合されている。
【００１９】前記振動板１は図２及び図３に示す様に、
その内方にＵ字状の切り溝６が形成され、これにより舌
片状の振動部７が形成されている。この振動部７の表、
裏面には、励振用電極８，９が形成され各々振動部７の
根元部１０部分を介してそのリード電極１１，１２が引
き出されている。また励振用電極８上には、周波数調整
用の追加電極１９が形成されている。
その内方にＵ字状の切り溝６が形成され、これにより舌
片状の振動部７が形成されている。この振動部７の表、
裏面には、励振用電極８，９が形成され各々振動部７の
根元部１０部分を介してそのリード電極１１，１２が引
き出されている。また励振用電極８上には、周波数調整
用の追加電極１９が形成されている。
【００２０】この内リード電極１１の端部は、図２から
図５に示すごとく、振動板１をスルーホール１３により
貫通し、その後図３に示すごとく振動部７の側方を通っ
て根元部１０の反対側に延長されて接続部１４を形成し
ている。またリード電極１２は、根元部１０において接
続部１５を形成している。そして、貫通孔よりなる電極
引き出し部１６，１７内に導体１８を形成し、この導体
１８と接続部１４，１５を電気的に導通させる。そして
この導体１８を介して振動部７の周波数を測定し、周波
数が目標周波数範囲内にある振動子については、これら
の接続部１４，１５はそれぞれに対応するカバー３に形
成された電極引き出し部１６，１７内の導体１８を各々
外部電極４，５と接続する。他方、導体１８を形成した
後周波数が目標周波数範囲内より周波数が低い方に外れ
た振動子については、これらの接続部１４，１５はそれ
ぞれに対応するカバー３に形成された電極引き出し部１
６，１７内の導体１８上に電気的容量付加層２０を設
け、その上に各々外部電極４，５を設ける。
図５に示すごとく、振動板１をスルーホール１３により
貫通し、その後図３に示すごとく振動部７の側方を通っ
て根元部１０の反対側に延長されて接続部１４を形成し
ている。またリード電極１２は、根元部１０において接
続部１５を形成している。そして、貫通孔よりなる電極
引き出し部１６，１７内に導体１８を形成し、この導体
１８と接続部１４，１５を電気的に導通させる。そして
この導体１８を介して振動部７の周波数を測定し、周波
数が目標周波数範囲内にある振動子については、これら
の接続部１４，１５はそれぞれに対応するカバー３に形
成された電極引き出し部１６，１７内の導体１８を各々
外部電極４，５と接続する。他方、導体１８を形成した
後周波数が目標周波数範囲内より周波数が低い方に外れ
た振動子については、これらの接続部１４，１５はそれ
ぞれに対応するカバー３に形成された電極引き出し部１
６，１７内の導体１８上に電気的容量付加層２０を設
け、その上に各々外部電極４，５を設ける。
【００２１】尚、カバー２，３には約１５マイクロメー
トルの凹部２１，２２が設けられ、振動板１の励振用電
極８，９が振動部７の反りや、衝撃による振動部７のた
わみに対してカバー２，３と接触せずまた、リード電極
１１，１２がカバー２，３と接触しないようになってい
る。カバー２における凹部２１の形状は接続部１４，１
５を強度的に補うために図２、図３に示すようになって
おり、切り溝６とリード電極１１の外周部でカバー２と
振動板１が接合される。このような形状にすることによ
って、振動板１における接続部１４，１５がケース２に
よって保持されることとなり、導体１８を形成したとき
の応力や落下による衝撃に対して十分な強度を確保する
事ができるのである。また、カバー３における凹部２２
の形状は図２、図３に示すようになっており、振動板１
は切り溝６とリード電極１２の外周部においてカバー３
と接合され、リード電極１１が振動部７の側方を通過す
る部分に付いてはリード電極１１の外方でカバー３と接
合されるのである。ケース３の電極引き出し部１６，１
７の周囲は導体１８による電気的な接続と、気密封止を
容易にするために凹部２２より小さい段差にしてある。
トルの凹部２１，２２が設けられ、振動板１の励振用電
極８，９が振動部７の反りや、衝撃による振動部７のた
わみに対してカバー２，３と接触せずまた、リード電極
１１，１２がカバー２，３と接触しないようになってい
る。カバー２における凹部２１の形状は接続部１４，１
５を強度的に補うために図２、図３に示すようになって
おり、切り溝６とリード電極１１の外周部でカバー２と
振動板１が接合される。このような形状にすることによ
って、振動板１における接続部１４，１５がケース２に
よって保持されることとなり、導体１８を形成したとき
の応力や落下による衝撃に対して十分な強度を確保する
事ができるのである。また、カバー３における凹部２２
の形状は図２、図３に示すようになっており、振動板１
は切り溝６とリード電極１２の外周部においてカバー３
と接合され、リード電極１１が振動部７の側方を通過す
る部分に付いてはリード電極１１の外方でカバー３と接
合されるのである。ケース３の電極引き出し部１６，１
７の周囲は導体１８による電気的な接続と、気密封止を
容易にするために凹部２２より小さい段差にしてある。
【００２２】追加電極１９で既に周波数を合わせ込んだ
振動板１とケース２，３を洗浄行程を経た後に接合し、
接合強度を十分に強めるために４５０度の熱処理を加え
て水晶同士の直接接合を行わせ、次に、導体１８をスパ
ッタリングによって形成し電極を外部に引き出し、気密
封止を行う。ここで導体１８はＣｕ／Ｃｒの積層構造で
あり、Ｃｒはケース３と導体１８の密着性を向上させ、
Ｃｕは導電層と気密封止層としての役割を担っている。
振動板１とケース２，３を洗浄行程を経た後に接合し、
接合強度を十分に強めるために４５０度の熱処理を加え
て水晶同士の直接接合を行わせ、次に、導体１８をスパ
ッタリングによって形成し電極を外部に引き出し、気密
封止を行う。ここで導体１８はＣｕ／Ｃｒの積層構造で
あり、Ｃｒはケース３と導体１８の密着性を向上させ、
Ｃｕは導電層と気密封止層としての役割を担っている。
【００２３】追加電極１９で周波数を合わせ込んだ後、
振動板１の周波数はそれぞれの行程で変化し、気密封止
後には周波数が最初合わせ込んだ周波数からずれること
となる。そのため、追加電極１９での周波数の合わせ込
みは以後の行程での周波数変化を考慮して行われるが、
行程による周波数変化がばらつきを含み安定しないた
め、気密封止後に周波数が目標周波数範囲からずれる振
動子が存在する事となる。
振動板１の周波数はそれぞれの行程で変化し、気密封止
後には周波数が最初合わせ込んだ周波数からずれること
となる。そのため、追加電極１９での周波数の合わせ込
みは以後の行程での周波数変化を考慮して行われるが、
行程による周波数変化がばらつきを含み安定しないた
め、気密封止後に周波数が目標周波数範囲からずれる振
動子が存在する事となる。
【００２４】電気的に容量を付加することによって振動
子の周波数を変化させるのは、周波数が高くなる方向の
みであるために、気密封止後の振動子の目標周波数範囲
からのずれが周波数が低い方にのみ外れるように追加電
極１９で合わせ込む。
子の周波数を変化させるのは、周波数が高くなる方向の
みであるために、気密封止後の振動子の目標周波数範囲
からのずれが周波数が低い方にのみ外れるように追加電
極１９で合わせ込む。
【００２５】図４は振動板の形状を明確に表しており、
導体１８を形成した後周波数が目標周波数の範囲内にあ
る振動子についての断面を図５、図６に、また導体１８
を形成した後周波数が目標周波数の範囲より周波数が低
い方に外れた振動子についての断面を図７、図８に示
す。
導体１８を形成した後周波数が目標周波数の範囲内にあ
る振動子についての断面を図５、図６に、また導体１８
を形成した後周波数が目標周波数の範囲より周波数が低
い方に外れた振動子についての断面を図７、図８に示
す。
【００２６】図７、図８に示すように、導体１８と外部
電極４，５の間に容量付加層２０が設けられている。こ
の容量付加層２０は導体１８と外部電極４，５の短絡を
防ぐために導体１８よりも外側まで形成され、これによ
って安定して容量を付加することが可能となる。所望の
容量を付加するためには導体１８のパターン面積と容量
付加層２０の厚みの制御が重要となり、導体１８を形成
するためにスパッタリングを、容量付加層２０を形成す
るのにＣＶＤを用いて高精度な成膜を行う。容量付加層
２０を成膜する場合、ケース３の電極引き出し部１６，
１７である貫通孔に埋められた導体１８のエッジ部分で
は、その上に形成した膜に欠陥ができやすく絶縁破壊を
起こしやすい膜となりやすい。そこで、ＣＶＤを用いて
容量付加層２０の成膜を行うことによって、エッジ部に
カバリッジよく成膜させることができ、欠陥の少ない膜
を得て、その結果絶縁破壊を起こしにくくなる。このよ
うにＣＶＤを用いることによって、電気的に安定した容
量付加層２０を得る事となる。
電極４，５の間に容量付加層２０が設けられている。こ
の容量付加層２０は導体１８と外部電極４，５の短絡を
防ぐために導体１８よりも外側まで形成され、これによ
って安定して容量を付加することが可能となる。所望の
容量を付加するためには導体１８のパターン面積と容量
付加層２０の厚みの制御が重要となり、導体１８を形成
するためにスパッタリングを、容量付加層２０を形成す
るのにＣＶＤを用いて高精度な成膜を行う。容量付加層
２０を成膜する場合、ケース３の電極引き出し部１６，
１７である貫通孔に埋められた導体１８のエッジ部分で
は、その上に形成した膜に欠陥ができやすく絶縁破壊を
起こしやすい膜となりやすい。そこで、ＣＶＤを用いて
容量付加層２０の成膜を行うことによって、エッジ部に
カバリッジよく成膜させることができ、欠陥の少ない膜
を得て、その結果絶縁破壊を起こしにくくなる。このよ
うにＣＶＤを用いることによって、電気的に安定した容
量付加層２０を得る事となる。
【００２７】また導体１８のパターン面積が設計上決ま
ってしまうために、容量付加層２０の厚みを成膜可能な
厚みとするには、容量付加層２０の誘電率を適当な値に
する必要がある。そこで、容量付加層２０をシリコン酸
化膜とすることによって適当な誘電率を得る事となるの
である。この場合、容量付加層２０であるシリコン酸化
膜と導体１８の密着力を十分に確保するために、導体１
８の最表面にはＣｒまたはＮｉまたはＴｉの層を設ける
ことが必要となる。
ってしまうために、容量付加層２０の厚みを成膜可能な
厚みとするには、容量付加層２０の誘電率を適当な値に
する必要がある。そこで、容量付加層２０をシリコン酸
化膜とすることによって適当な誘電率を得る事となるの
である。この場合、容量付加層２０であるシリコン酸化
膜と導体１８の密着力を十分に確保するために、導体１
８の最表面にはＣｒまたはＮｉまたはＴｉの層を設ける
ことが必要となる。
【００２８】振動子の周波数と付加された容量の関係は
（数１）に示す通りであり、この式の中のｆｓは目標周
波数、Δｆは目標周波数からのずれ量、ｒはＣ０／ＣＬ
を表し、Ｒ１，Ｃ１，Ｌ１，Ｃ０，ＣＬは図１０の等価
回路に示す各パラメータである。導体１８を形成した後
の周波数測定によってシフトさせるべき周波数を求め、
（数１）により付加すべき所望の容量を算出する。
（数１）に示す通りであり、この式の中のｆｓは目標周
波数、Δｆは目標周波数からのずれ量、ｒはＣ０／ＣＬ
を表し、Ｒ１，Ｃ１，Ｌ１，Ｃ０，ＣＬは図１０の等価
回路に示す各パラメータである。導体１８を形成した後
の周波数測定によってシフトさせるべき周波数を求め、
（数１）により付加すべき所望の容量を算出する。
【００２９】
【数１】
【００３０】実際、このようにして振動子を製造する場
合、図９のごとく複数の振動部を有する大板状の振動板
２３と、前記凹部を複数設けた大板状のケース２４，２
５を用い一度に複数個の振動子を製造し、その後に切断
によって個々の振動子を切り出すのである。
合、図９のごとく複数の振動部を有する大板状の振動板
２３と、前記凹部を複数設けた大板状のケース２４，２
５を用い一度に複数個の振動子を製造し、その後に切断
によって個々の振動子を切り出すのである。
【００３１】この場合、追加電極１９での周波数合わせ
込み後の行程による周波数変化は、大板状の振動板２３
内の各振動子によって異なり、導体１８の形成後では目
標周波数範囲から外れた素子が大板状の振動板２３の中
に複数存在することとなる。また、生産性の面から、導
体１８形成の後、外部電極４，５を大板状の振動子すべ
てに同時に形成し、その後に個々の振動子に切り出して
いる。外部電極上に容量付加層を設けるのは、振動子の
基板実装時の応力等、信頼性の面から好ましくないため
に個片に切り出した後に周波数を補正することは難し
く、導体１８形成後に大板の状態で目標周波数から外れ
た振動子の周波数を調整することが必要となる。従来そ
こで大板状の振動子の中の目標周波数から外れた振動子
についてのみ容量付加層２０を形成し、周波数を補正す
るのである。すなわち、上記の手段で大板状の振動子の
中の目標周波数から外れた振動子についてのみ周波数を
補正することによって、大板状の振動子の歩留まりを向
上させることができるのである。
込み後の行程による周波数変化は、大板状の振動板２３
内の各振動子によって異なり、導体１８の形成後では目
標周波数範囲から外れた素子が大板状の振動板２３の中
に複数存在することとなる。また、生産性の面から、導
体１８形成の後、外部電極４，５を大板状の振動子すべ
てに同時に形成し、その後に個々の振動子に切り出して
いる。外部電極上に容量付加層を設けるのは、振動子の
基板実装時の応力等、信頼性の面から好ましくないため
に個片に切り出した後に周波数を補正することは難し
く、導体１８形成後に大板の状態で目標周波数から外れ
た振動子の周波数を調整することが必要となる。従来そ
こで大板状の振動子の中の目標周波数から外れた振動子
についてのみ容量付加層２０を形成し、周波数を補正す
るのである。すなわち、上記の手段で大板状の振動子の
中の目標周波数から外れた振動子についてのみ周波数を
補正することによって、大板状の振動子の歩留まりを向
上させることができるのである。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明は、気密封止後に気
密封止のために形成された導電層の上に所望の容量を付
加させる容量付加層を設けることによって、目標周波数
から外れた振動子の周波数を補正することができ、振動
子の歩留まりが向上することとなるのである。
密封止のために形成された導電層の上に所望の容量を付
加させる容量付加層を設けることによって、目標周波数
から外れた振動子の周波数を補正することができ、振動
子の歩留まりが向上することとなるのである。
【図１】本発明の一実施形態の斜視図
【図２】その分解斜視図
【図３】その分解斜視図
【図４】振動板の上面図
【図５】容量付加層によって周波数の補正を行わなかっ
た場合の、図４の振動板にカバー２，３を接合した振動
子のＡ−Ａ断面図
た場合の、図４の振動板にカバー２，３を接合した振動
子のＡ−Ａ断面図
【図６】容量付加層によって周波数の補正を行わなかっ
た場合の、図４の振動板にカバー２，３を接合した振動
子のＢ−Ｂ断面図
た場合の、図４の振動板にカバー２，３を接合した振動
子のＢ−Ｂ断面図
【図７】容量付加層によって周波数の補正を行った場合
の、図４の振動板にカバー２，３を接合した振動子のＡ
−Ａ断面図
の、図４の振動板にカバー２，３を接合した振動子のＡ
−Ａ断面図
【図８】容量付加層によって周波数の補正を行った場合
の、図４の振動板にカバー２，３を接合した振動子のＢ
−Ｂ断面図
の、図４の振動板にカバー２，３を接合した振動子のＢ
−Ｂ断面図
【図９】大板状の振動子の分解斜視図
【図１０】振動子の等価回路図
１ 振動板 ２ カバー ３ カバー ４ 外部電極 ５ 外部電極 ６ 切り溝 ７ 振動部 ８ 励振用電極 ９ 励振用電極 １０ 根元部 １１ リード電極 １２ リード電極 １３ スルーホール １４ 接続部 １５ 接続部 １６ 電極引き出し部 １７ 電極引き出し部 １８ 導体 １９ 追加電極 ２０ 容量付加層 ２１ 凹部 ２２ 凹部 ２３ 大板状の振動板 ２４ 大板状のカバー ２５ 大板状のカバー
Claims (11)
- 【請求項１】 振動板と、この振動板の表、裏面を覆う
と共に、その外周部で前記振動板の外周部を挟持した第
１、第２のカバーとを備え、前記振動板は、前記第１、
第２のカバーによる挟持部内方に振動部を有し、この振
動部の表、裏面には励振用電極を形成し、これらの表、
裏面の励振用電極からはリード電極を引き出し、これら
表、裏のリード電極の一方は、振動板の前記振動部の外
側にて第１の接続部を形成し、他方のリード電極は、前
記振動部の外側にて第２の接続部を形成し、これらの第
１、第２の接続部の少なくとも一方に対向する第１、あ
るいは第２のカバーには貫通孔を形成し、この貫通孔を
介して第１、または第２の接続部と第１または第２のカ
バー外の外部電極を電気的に接続する構成とするととも
に、この接続部に容量付加層を介在させた振動子。 - 【請求項２】 外部電極と第１または第２の接続部は貫
通孔内に設けた導電層を介して接続すると共にこの導電
層の少なくとも一部を容量付加層で覆った請求項１記載
の振動子。 - 【請求項３】 カバーに設けられた貫通孔内において、
導電層、容量付加層を積層させた請求項２記載の振動
子。 - 【請求項４】 容量付加層のパターンを導電層のパター
ンの外側まで設けた請求項２記載の振動子。 - 【請求項５】 容量付加層をシリコン酸化膜によって形
成し、導電層の最表面にＣｒまたはＴｉまたはＮｉの密
着層を有する請求項２記載の振動子。 - 【請求項６】 複数の振動部を有する大板状の振動板
と、この振動板の表、裏面を覆うと共に、それぞれの振
動部の外周部で振動板を挟持した大板状の第１、第２の
カバーとを備え、それぞれの振動部について表、裏面に
は励振用電極を形成し、これらの表、裏面の励振用電極
からはリード電極を引き出し、これら表、裏面のリード
電極の一方は、振動板の前記振動部の外側で、挟持部内
方にて第１の接続部を形成し、他方のリード電極は、前
記振動部の外側で、挟持部内方にて第２の接続部を形成
し、複数の第１、第２の接続部の少なくとも一方に対向
する第１、あるいは第２のカバーには貫通孔を形成し、
この貫通孔を介して第１または第２の接続部と、第１ま
たは第２のカバー外の外部電極と電気的に接続する構成
とするとともに、この接続部に所望の容量を付加する容
量付加層を介在させ、その後切断して個片となる振動子
を得る振動子の製造方法。 - 【請求項７】 外部電極と第１または第２の接続部は貫
通孔内に設けた導電層を介して接続すると共にこの導電
層の少なくとも一部を容量付加層で覆った請求項６記載
の振動子の製造方法。 - 【請求項８】 カバーに設けられた貫通孔内において、
導電層、容量付加層を積層させた請求項７記載の振動子
の製造方法。 - 【請求項９】 容量付加層のパターンを導電層のパター
ンの外側まで設けた請求項７記載の振動子の製造方法。 - 【請求項１０】 容量付加層をシリコン酸化膜によって
形成し、導電層の最表面にＣｒまたはＴｉまたはＮｉの
密着層を有する請求項７記載の振動子の製造方法。 - 【請求項１１】 容量付加層はＣＶＤ法によって成膜さ
れることを特徴とする請求項７記載の振動子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14538496A JPH09326663A (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 振動子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14538496A JPH09326663A (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 振動子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09326663A true JPH09326663A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15384005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14538496A Pending JPH09326663A (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 振動子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09326663A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004012330A1 (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電部品およびその製造方法 |
| JP2009060479A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法 |
| US7745978B2 (en) | 2007-09-06 | 2010-06-29 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Quartz crystal device |
-
1996
- 1996-06-07 JP JP14538496A patent/JPH09326663A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004012330A1 (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電部品およびその製造方法 |
| JP2009060479A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法 |
| US8261427B2 (en) | 2007-09-03 | 2012-09-11 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Methods for manufacturing crystal devices |
| US7745978B2 (en) | 2007-09-06 | 2010-06-29 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Quartz crystal device |
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