WO2002079294A1 - Composition de resine epoxyde thermodurcissable a un constituant et materiau de sous-remplissage de montage de semi-conducteurs - Google Patents

Composition de resine epoxyde thermodurcissable a un constituant et materiau de sous-remplissage de montage de semi-conducteurs Download PDF

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Johshi Gotoh
Tatsuya Okuno
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Sunstar Giken Kabushiki Kaisha
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Definitions

  • This paper describes a one-component heat-curable epoxy resin composition and an underfill material for semiconductor mounting. More specifically, a flip chip or semiconductor package holding a semiconductor element on a carrier substrate is placed on a wiring board. It is useful as an underfill material for mounting, and it can omit the flux treatment used to improve the bonding strength of bumps or solder balls during mounting, and has good void resilience at reflow temperatures. In addition to these underfinodia materials, this one-part heat-curable epoxy resin composition can be applied to adhesives, paints, coating materials, sealing materials, etc. because of its adhesive properties and tough cured physical properties. About things.
  • This type of semiconductor mounting is used for high reliability applications such as in-vehicle equipment and computers, and
  • a flip chip or semiconductor package holding a semiconductor element on a carrier substrate is used as a wiring board Mounting on top, for example by connecting via bumps or solder balls, but in the case of mobile phones, etc., bonding of bumps or solder balls by deformation of the board due to external impact such as drop impact or button operation etc.
  • the present inventors have developed a so-called voidless underfill which has a flux producing ability and is compatible with high melting point solder and has no volatility.
  • voidless underfill which has a flux producing ability and is compatible with high melting point solder and has no volatility.
  • the use of a carboxylic acid containing two or more carboxyl groups in the molecule, including dicarboxylic acid, as a curing agent exhibited flux performance and good heat resistance.
  • voidlessness can be ensured even under high temperatures such as reflow temperature conditions.
  • this curing agent when used, it has good adhesion performance to aluminum and various other metals and has tough cured properties, so it can be used for adhesives (particularly structural adhesives), paints and coating materials. Applications for sealing materials were expanded.
  • a one-part liquid characterized by comprising a liquid epoxy resin and a carboxylic acid having two or more carboxyl groups in a molecule as a curing agent as essential components.
  • a thermosetting epoxy resin composition (2) a flip chip or a semiconductor package holding a semiconductor element on a carrier substrate is connected to a wiring board via a bump or a solder pole, and a gap between the bonding portions is formed; (3) a semiconductor mounting, wherein the underfill material is encapsulated in the semiconductor mounting, wherein the one-component heat-curable epoxy resin composition is used as the underfill material;
  • a method of mounting comprising: connecting a flip chip or a semiconductor package to a substrate via a bump or a solder paste; It is an object of the present invention to provide a semiconductor mounting method characterized in that a step of sealing a one-component heat-curable epoxy resin composition as an underfill material in a gap is performed sequentially, in reverse order, or simultaneously, so that
  • liquid epoxy resin in the present invention examples include bisphenol type epoxy resins (bisphenol A type, bisphenol A type F, bisphenol AD type, etc.); nopolak type epoxy resins (phenol nopolak type, cresol novola) A naphthalene-type epoxy resin; a biphenyl-type epoxy resin; and a cyclopentagon-type epoxy resin.
  • modified epoxy resins such as vegetable oil-modified epoxy resins (castor oil-modified, linseed oil-modified, soybean oil-modified epoxy resins, etc.), and rubber-modified epoxy resins (polysoprene-modified, polychloroprene-modified, polybutadiene) Modified, acrylonitrile-butadiene copolymer-modified epoxy resin, etc.), dimer acid-modified epoxy resin, etc. may be added in appropriate amounts.
  • vegetable oil-modified epoxy resins castor oil-modified, linseed oil-modified, soybean oil-modified epoxy resins, etc.
  • rubber-modified epoxy resins polysoprene-modified, polychloroprene-modified, polybutadiene Modified, acrylonitrile-butadiene copolymer-modified epoxy resin, etc.
  • dimer acid-modified epoxy resin, etc. may be added in appropriate amounts.
  • carboxylic acid used as a curing agent in the present invention those having a melting point (m.p.) of at least 80 ° C, preferably at least 150 ° C, and which do not sublimate at 300 ° C or less.
  • adipic acid isophthalic acid, terephthalic acid, cyclohexanedicarboxylic acid, succinic acid, butanetetracarboxylic acid, tetrahydrophthalenoic acid, methyltetrahydrophthalic acid, hexahydrophthalic acid, methylhexahydrophthalic acid , Maleic acid, dodecenylsuccinic acid, chlorendic acid, sepasic acid, dodecanedicarboxylic acid, pyromellitic acid, trimellitic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid, azelaic acid, icaphoronic acid, 9,10-epoxystearic acid, camphoronic acid,
  • adipic acid
  • ordinary acid anhydrides eg, methyltetrahydr phthalic anhydride, methylhexaphthalic anhydride, methylhymic anhydride, trialkyl phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, Hexahydrophthalic anhydride, dodecinolesuccinic anhydride, methylnadic anhydride, maleic anhydride, pyromellitic anhydride, chlorendic anhydride, etc.
  • acid anhydrides eg, methyltetrahydr phthalic anhydride, methylhexaphthalic anhydride, methylhymic anhydride, trialkyl phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, Hexahydrophthalic anhydride, dodecinolesuccinic anhydride, methylnadic anhydride, maleic anhydride, pyromellitic anhydride, chlorendic anhydride, etc.
  • 2,4-diamino 6- [2,1-methylimidazolyl (1) '] -ethyl-S-triazine, 2,4-diamino-6- [2,1-ethylamine 4 '—Methylimidazolyl (1),] —Echinole-S-triazine, 2,4-diamino-6-.. Object, 2 1 2 4 4 methyl
  • the one-part heat-curable epoxy resin composition according to the present invention comprises the above-mentioned liquid epoxy resin
  • an organosilicone compound for example, silane coupling agent, powder
  • Organosilicone containing terminal silanol groups, polyether modified silicone, etc. may be added usually in an amount of 0.01 to 10% by weight based on the total amount of the composition.
  • the underfill material it has an adhesive property and tough cured physical properties, so that it can be applied to adhesives, paints, coating materials, sealing materials, and the like.
  • additives such as reactive diluents (butyl glycidyl ether, N, N 'diglycidyl-o-toluidine, phenyldaricidyl ether, styrene oxide, etc.) Ethylene glycol diglycidinoleatene, propylene glycol / resinglycidinoleatene, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, etc., non-reactive diluents (dioctyl phthalate, dibutyl phthalate, dioctyl adipate, And petroleum solvents).
  • reactive diluents butyl glycidyl ether, N, N 'diglycidyl-o-toluidine, phenyldaricidyl ether, styrene oxide, etc.
  • Ethylene glycol diglycidinoleatene propylene glycol /
  • the semiconductor packaging according to the present invention can be manufactured according to the following procedure by using the above-mentioned one-component heat-curable epoxy resin composition as an underfill material for the semiconductor packaging. .
  • a flip chip or a semiconductor package is bumped onto a wiring board (for example, a board made of glass epoxy resin, ABS resin, phenolic resin, etc.).
  • a wiring board for example, a board made of glass epoxy resin, ABS resin, phenolic resin, etc.
  • the one-part heat-curable epoxy resin composition of the present invention is applied by a liquid precision metering device and cured and sealed by heat treatment at 130 to 270 ° C. for 2 seconds to 6 hours. To perform semiconductor mounting. In this way, a sufficiently satisfactory bonding force can be ensured even if the flux treatment which has been employed to improve the bonding force of the bump or the solder ball is omitted.
  • the flip chip is a carrier base material (for example, a base material or a tape made of a heat-resistant resin such as ceramic or polyimide resin such as A1203, SiN3, A1203 / SiO2;
  • the semiconductor element (LSI, etc.) is held on the base material of the same material, that is, the semiconductor element and the carrier base material are electrically connected by bumps, high melting point solder balls, anisotropic conductive adhesives, or wire connections.
  • It is formed by encapsulation, for example, bare chip mounting, chip size package (CSP) mounting, and pole grip array (BGA) mounting.
  • the materials to be studied were bisphenol A type epoxy resin (Epicoat 8288, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., epoxy equivalent: 190), and each curing agent in Table 1 was adjusted to about equivalent weight. Use what is blended in.
  • Tetrahydrophthalenoic acid 16 3- L 7 1 ⁇
  • a one-part heat-curable epoxy resin composition was prepared by blending the components of the number of parts shown in Table 3 below, and the flux performance and the voidless property described below were examined. The results are also shown in Table 3.
  • the one-component heat-curable epoxy resin composition of the present invention can be applied to adhesives, paints, coating materials, sealing materials, and the like in addition to underfill materials.

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Description

明 細 書
—液加熱硬化型エポキシ樹脂組成物および半導体実装用アンダーフィル材 技術分野
本幾明は一液加熱硬化型エポキシ樹脂組成物おょぴ半導体実装用アンダーフィ ル材、 更に詳しくは、 キャリア基材上に半導体素子を保持してなるフリップチッ プまたは半導体パッケージを配線基板上へ実装するときに用いるアンダーフィ /レ 材として有用で、 特に上記実装時のバンプまたは半田ボールの接合力向上のため に採用されているフラックス処理を省略でき、 かつリフロー温度にも良好なボイ ドレス性を示し、 またかかるアンダーフィノレ材用途以外にも、 接着性能や強靭な 硬化物性を有することから、 接着剤、 塗料、 コーティング材、 封止材等にも適用 できる一液加熱硬化型エポキシ樹脂組成物に関する。
背景技術
この種の半導体実装は、 車載機器、 コンピュータ一等の高信頼性用途や、 P D
A (Personal Digital Assistants) 、 B寺計、 携帯電話、 カメラ等の小型携帯機 器などに用いられている力 通常、 キャリア基材上に半導体素子を保持してなる フリップチップまたは半導体パッケージを配線基板上に実装、 たとえばバンプま たは半田ボールを介して接続することにより、 しかして、 携帯電話などの場合、 落下衝撃やボタン操作などの外圧による基板の変形等によつてバンプまたは半田 ボールの接合不良を招く危険があり、 このため、 該接合部の隙間にアンダーフィ ル材を充填して硬化封止する、 捕強策を採ることによって製造される。
ところで、 半田表面に酸化物が形成すると接合力に悪影響を及ぼし、 このため 通常、 接合面にフラックス （ァビエチン酸からなる松ャニ成分） のアルコール溶 液を塗布して酸化物を除去し、 次いで半田ポーノレで接続した後、 塗布したフラッ クスを洗浄除去してからァンダーフィル材を適用する方法が採られている。 このようにバンプまたは半田ボールの接合力向上にフラックス処理が採用され ているが、 そのために 2つの工程 （フラックスの塗布および洗浄ないし除去ェ 程） が必要となる。 —方、 上記アンダーフィル材には、 従来より、 加熱硬化型エポキシ樹脂組成 物が用いられている力 硬化剤として多用される酸無水物を用いた場合、 上記 のフラックス処理の工程が必要であり、 しかも高温 （リフロー温度） になると、 揮発してしまい、 その結果ポイドが発生することがあった。
発明の開示
本発明者らは、 上記フラックス処理ゃポイ ドの問題に鑑み、 すなわち、 フラッ クス†生能を有し、 かつ高融点半田にも適合でき揮発性のない、 いわゆるボイドレ ス性を有したアンダーフィル材を開発すべきため鋭意検討を進めたところ、 硬化 剤としてジカルボン酸を含め分子中に 2個以上のカルボキシル基をもつカルボン 酸を使用すれば、 フラックス性能を発揮し、 かつ耐熱性良好なため、 リフロー温 度条件のような高温下でもボイドレス性が確保できることを見出した。
また、 この硬化剤を用いた場合、 アルミニウムやその他種々の金属に対し接着 性能が良好で、 しかも強靭な硬化物性を有することから、 接着剤 （特に構造用接 着剤） 、.塗料、 コーティング材、 封止材等への用途拡大が認められた。
本発明は、 かかる知見に基づき完成されたもので、 （1 ) 液状エポキシ樹脂、 および硬化剤として分子中に 2個以上のカルボキシル基をもつカルボン酸を必須 成分とすることを特徴とする一液加熱硬化型エポキシ樹脂組成物； ( 2 ) キヤリ ァ基材上に半導体素子を保持してなるフリップチップまたは半導体パッケージを、 配線基板に対しバンプまたは半田ポールを介して接続し、 該接合部の隙間にアン ダーフィル材を封止させたことから成る半導体実装において、 上記アンダーフィ ル材として上記一液加熱硬化型エポキシ樹脂組成物を用いたことを特徴とする半 導体実装；および （3 ) 該半導体実装の方法であって、 フリップチップまたは半 導体パッケージを 基板に対しバンプまたは半田ポーノレを介して接続する工程 と、 該接合部の隙間にアンダーフィル材として一液加熱硬化型エポキシ樹脂組成 物を封止させる工程を順次もしくは逆順または同時に行なって、 フラックス処理 を省略したことを特徴とする半導体実装法を提供するものである。
本発明における液状エポキシ樹脂としては、 たとえばビスフエノール型ェポキ シ樹脂 （ビスフエノール A型、 ビスフエノーノレ F型、 ビスフエノール A D型な ど） ；ノポラック型エポキシ樹脂 （フエノールノポラック型、 クレゾールノボラ ック型など） ；ナフタレン型エポキシ樹脂； ビフエニル型エポキシ樹脂；シク 口ペンタジェン型エポキシ樹脂等が挙げられる。 また、 かかるエポキシ成分以 外に、 各種変性エポキシ樹脂、 たとえば植物油変性エポキシ樹脂 （ひまし油変性、 亜麻仁油変性、 大豆油変性エポキシ樹脂など） 、 ゴム変性エポキシ樹脂 (ポリィ ソプレン変性、 ポリクロ口プレン変性、 ポリブタジエン変性、 アクリロニトリル 一ブタジエン共重合体変性エポキシ樹脂など） 、 ダイマー酸変性エポキシ樹脂等 を適量範囲で加えてもよい。
本癸明で硬化剤として用いる上記カルボン酸としては、 融点 （m. p . ) 8 0 °C以上、 好ましくは 1 5 0 °C以上であって、 3 0 0 °C以下で昇華しないものが 好適で、 たとえばアジピン酸、 イソフタル酸、 テレフタル酸、 シクロへキサンジ カルボン酸、 コハク酸、 ブタンテトラカルボン酸、 テトラヒドロフタノレ酸、 メチ ルテトラヒドロフタル酸、 へキサヒドロフタル酸、 メチルへキサヒドロフタル酸、 マレイン酸、 ドデセニルコハク酸、 クロレンデック酸、 セパシン酸、 ドデカンジ カルポン酸、 ピロメリット酸、 トリメリット酸、 シクロペンタンテトラカルボン 酸、 ァゼライン酸、 イカホロン酸、 9， 1 0—エポキシステアリン酸、 カンホロ ン酸、 グルタル酸、 シクロプロパンジカルボン酸、 シクロペンタンジカルボン酸、 シトラコン酸、 ジメチルコハク酸、 フエュルコハク酸、 ジメ トキシフタル酸、 シ ユウ酸、 スベリン酸、 テトラメチルコハク酸、 ナフタレンジカルボン酸、 1 , 2 , 3—プロパントリカルボン酸、 マロン酸、 メサコン酸、 メソシユウ酸、 エンドメ チレンテトラヒドロフタル酸、 5— ( 2， 5—ジォキソテトラヒドロキシフリ ノレ） 一3—メチノレ一 3—シクロへキセン一 1， 2—ジカノレボン酸、 メチノレナジッ ク酸、 3 , 3 ' , 4， 4， 一テトラカノレポキシベンゾフエノン、 ビス （3 , 4— ジカノレポキシフエニル) ジメチノレシラン、 1 , 2， 3， 4一ブタンテトラカルボ ン酸、 ビス （ェキソービシクロ [ 2 , 2. 1 ] ヘプタン一 2， 3—ジカルボン 酸） スノレホン、 2 , 2—ビス （3 , 4—ジカノレボキシフエノキシフエ二ノレ） へキ サフルォロプロパン、 1， 3—ビス （2—ヒドロキシへキサフルォロイソプロピ ル） ベンゼンビス （トリメリット酸） 、 3 , 3， ， 4 , 4， 一ビフエニノレテトラ カルボン酸、 2 , 3， 3， ， 4， 一べンゾフエノンテトラカルボン酸、 2， 3， 6， 7—テトラカノレポキシナフタレン、 2， 2， 一ビス （3 , 4—ジカ ポキシ フエ二ノレ） プロパン、 3， 4 , 9， 1 0—ペリレンテトラカルポン酸、 ベンゼ ン一 1， 2， 3 , 4 , —テトラカスレボン酸、 2 , 6—ジクロルナフタレン一 1 , 4 , 5， 8—テトラカルボン酸、 ピロリジン一 2， 3， 4， 5—テトラカルボン 酸等が挙げられる。 ·
また、 力かる必須硬化剤以外に、 通常の酸無水物 （たとえばメチルテトラヒド 口無水フタル酸、 メチルへキサ無水フタル酸、 無水メチルハイミック酸、 トリア ルキル系無水フタル酸、 テトラヒドロ無水フタル酸、 へキサヒドロ無水フタル酸、 無水ドデシノレコハク酸、 無水メチルナジック酸、 無水マレイン酸、 無水ピロメリ ット酸、 無水クロレンディック酸等） を、 フラックス性能やボイドレス性に支障 を来さない範囲で併用してもよい。
さらに、 必要に応じて硬化促進触媒として、 2 , 4—ジァミノー 6— [ 2， 一 メチルイミダゾリルー （1 ) ' ] —ェチルー S—トリアジン、 2 , 4—ジァミノ —6— [ 2， 一ェチズレ一 4 ' —メチルイミダゾリルー （1 ) ， ] —ェチノレ一 S— トリアジン、 2 , 4—ジァミノ一 6—. . [ 2， 一メチルイミダゾリル一 ( 1 ) ， ] ーェチルー S—トリアジンィソシァヌール酸付加物、 2一フエ二ルー 4一メチル
— 5—ヒドロキシメチルイミダゾール、 2—フエニル一4 , 5—ジヒドロキシメ チルイミダゾール、 2—フエニル一 4 , 5—ジヒドロキシメチルイミダゾール、 2—ァリーノレ一 4， 5—ジフエニノレイミダゾーノレ、 2 , 4， 5—トリフエニノレイ ミダゾール等を適量配合してもよい。
本発明に係る一液加熱硬化型エポキシ樹脂組成物は、 上記液状エポキシ樹月旨
(要すれば変性エポキシ樹脂添加） と、 硬化剤として上述のカルボン酸 （および 要すれば酸無水物併用、 さらに硬化促進触媒添加） を配合し、 これに必要に応じ て、 通常の無機質充填剤 （溶融シリカ、 結晶シリカ、 球状シリカ、 アルミナ、 ボ ロンナイトライド、 窒化アルミニウム、 窒化珪素、 マグネシア、 マグネシウムシ リケート、 タルク、 炭酸カルシウム、 水酸化アルミニウムなど） 、 消泡剤、 カツ プリング剤、 レべリング剤、 染料、 顔料、 防鲭剤等を適動口えた系で構成され、 特に後述の如く半導体実装用アンダーフィル材として有用である。
なお、 このアンダーフィル材用途にあって、 必要に応じて接着性や浸透性を改 善するために、 オルガノシリコーン化合物 （たとえばシランカップリング剤、 末 端シラノール基含有オルガノポリシリコーン、 ポリエーテル変成シリコーンな ど） を通常、 組成物全量中 0. 01〜10重量％の量で配合されてもよい。 また、 かかるアンダーフィル材用途以外にも、 接着性能や強靭な硬化物性を有 することから、 接着剤、 塗料、 コーティング材、 封止材等にも適用しうる。，かか る用途にあって、 さらに必要に応じて、 通常の添加剤、 たとえば反応性希釈剤 (プチルグリシジルエーテル、 N, N' ージグリシジル— o一トルイジン、 フエ ニルダリシジルエーテノレ、 スチレンオキサイド、 エチレングリコールジグリシジ ノレエーテノレ、 プロピレングリ コ一/レジグリシジノレエーテノレ、 1 , 6—へキサンジ オールジグリシジルエーテルなど） 、 非反応性希釈剤 （ジォクチルフタレート、 ジブチルフタレート、 ジォクチルアジペート、 石油系溶剤など） 等を適量配合さ れてよい。
本発明に係る半導体実装は、 その半導体実装のァンダーフィル材に上述の一液 加熱硬化型エポキシ樹脂組成物を用い、 以下の手順に従って製造することができ る。 .
すなわち、 フリップチップまたは半導体パッケージを配線基板 （たとえばガラ スエポキシ樹脂、 ABS樹脂、 フエノーノレ樹脂等からなる基板） に対しバンプ
(高さ 10〜： L 00 /xm) または半田ボール （高さ 300〜800 /m) を介し て接続 （ポーノレピッチ 20~500 μπι) する工程と、 該接合部の隙間にアンダ 一フィル材 （本発明の一液加熱硬化型エポキシ樹脂組成物） を、 液体精密定量吐 出装置で塗布し、 130〜 270 °C X 2秒〜 6時間の加熱処理で硬化封止させ る工程を順次もしくは逆順または同時に行なって、 半導体実装を行なう。 このよ うにバンプまたは半田ボールの接合力向上に採用ざれていたフラックス処理を省 略しても十分満足できる接合力を確保することができる。
ここで、 上記フリップチップは、 キャリア基材 （たとえば、 A1 203、 S i N3、 A1 203/S i O2などのセラミックやポリィミド樹脂などの耐熱性樹 脂からなる基材もしくはテープ；上記配線基板と同材料の基材） 上に半導体素子 (LS I等） を保持、 すなわち、 半導体素子とキャリア基材を、 バンプや高融点 半田ボールや異方性導電性接着剤あるいはワイャ接続等で電気的に接続せしめ、 さらに半導体パッケージは接続の信頼性や耐久性を高めるために、 適当な樹脂で 封止することによって構成され、 たとえばベアチップ実装、 チップサイズパッ ケージ （C S P ) 実装やポールグリップアレイ （B GA) 実装が挙げられる。 発明を実施するための最良の形態
'次に参考例、 実施例および比較例を挙げて、 本発明をより真体的に説明する。 参考例 1
エポキシ樹脂の硬化剤種を変えた場合の、 フラックス性能を調べる。
銅箔上に下記検討資材を塗り、 これにフラックスを含まない半田片を置いた後、 銅箔を 2 5 0 °Cに加熱して半田を溶融せしめ、 そのときの半田の拡がり （フラッ タス性能） を観察する。 結果を下記表 1に示す。
〇：フラックス性能あり
X ：フラックス性能なし
Δ：〇〜Xの中間
なお、 検討資材は、 ビスフエノール A型エポキシ樹脂 （油化シェルエポキシ (株） 製 「ェピコート 8 2 8」 、 エポキシ当量 1 9 0 ) に、.表 1の各硬化剤を約 当量程度になるように配合したものを使用する。
硬 化 剤 m. . フラックス性能
(。c)
アミンァダクト系 X ヒドラジド系 - X ィミダゾール系 X マイクロカプセル型 X チ/レテトラヒドロ無水フタル酸 X
メチノレへキサヒドロ無水フタル酸 . X
無水メチノレハイミック酸 X
トリアルキル系無水フタル酸 X
アジピン酸 1 5 3 〇
テレフタノレ酸 2 4 5 〇 シク口へキサンジカルボン酸 1 7 1〜1 7 2 〇
コノヽク酸 1 8 5 〇
ブタンテトラカルポン酸 1 8 9 〇
テトラヒドロフタノレ酸 1 6 3〜： L 7 1 〇
へキサヒドロフタノレ酸 1 8 5 〇 参考例 2
ビスフエノール A型エポキシ樹脂 （ 「ェピコート 8 2 8」 ） に対して、 硬化 剤として無水メチルノヽミック酸とコハク酸を併用した場合のフラックス性能を検 討し、 結果を下記表 2に示す。 なお、 务硬化剤の使用量. (重量部数） にあって、 たとえば 「9 0」 は、 エポキシ樹脂 1 0 0部 （重量部、 以下同様） の内、 その 9 0部を硬化させることを意味する （以下同様） 。
Figure imgf000009_0001
実施例 1 , 2および比較例 1
下記表3に示す部数の成分を配合して、 一液加熱硬化型エポキシ樹脂組成物を 調製し、 フラックス性能および下記のボイドレス性を調べ、 結果を表 3に併記す る。
ボイドレス性
アルミニウム板に上記エポキシ樹脂組成物を塗布し、 スぺーサー （厚み 5 0 ΑΖ m) を置き、 スライドガラスを載せ、 ホットプレート （2 5 0 °C) 上に置き、 揮 発性による発泡の有無を確認する。 - 〇：良好、 X：不良、 厶：やや良好
Figure imgf000009_0002
表 3の結果から、 硬化剤として酸無水物を用いた場合に比し、 カルボン酸の使 用によって、 フラックス性能およびボイドレス性が大幅に改善されることが認 められる。
産業上の利用の可能性
本発明の一液加熱硬化型エポキシ樹脂組成物は、 アンダーフィ.ル材用途以外に、. 接着剤、 塗料、 コーティング材、 封止材等にも適用できる

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 液状エポキシ樹脂、 および硬化剤として分子中に 2個以上のカルボキシル基 をもつカルボン酸を必須成分とすることを特徴とする一液加熱硬化型エポキシ樹 脂組成物 c
2. カルポン酸が、 融点 8 0°C以上であって、 3 0 0 °C以下で昇華しないものか ら選ばれる請求の範囲 1に記載の一液加熱硬化型エポキシ樹脂組成物。
3 . 硬化剤として酸無水物をも併用する請求の範囲 1または 2に記載の一液加熱 硬化型エポキシ樹脂組成物。
4. キヤリァ基材上に半導体素子を保持してなるフリップチップまたは半導体パ ッケージを、 配線基板に対しバンプまたは半田ボールを介して接続し、 該接合部 の隙間にアンダーフィル材を封止させたことから成る半導体実装において、 上記 アンダーフィル材として請求の範囲 1乃至 3のいずれか 1つに記載の一液加熱硬 化型エポキシ樹脂組成物を用いたことを特徴とする半導体実装。
5. 請求の範囲 4に記載の半導体実装の方法であって、 フリップチップまたは半 導体パッケージを配線基板に対しバンプまたは半田ポールを介して接続する工程 と、 該接合部の隙間にアンダーフィル材として一液加熱硬化型エポキシ樹脂組成 物を封止させる工程を順次もしくは逆順または同時に行なって、 フラックス処理 を省略したことを特徴とする半導体実装法。
6. 請求の範囲 5に記載の半導体実装法において、 フリップチップまたは半導体 パッケージのァンダーフィノレ材として用いる請求の範囲 1乃至 3のいずれか 1つ に記載の—液加熱硬ィ匕型 ポキシ樹脂組成物。.
7. 接着剤、 塗料、 コーティング材または封止材に用いる請求の範囲 1乃至 3の いずれか 1つに記載の一液加熱硬化型エポキシ樹脂組成物。
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