WO2001080256A1 - Corps stratifie, condensateur, composant electronique, procede et dispositif de fabrication dudit corps stratifie, dudit condensateur et dudit composant electronique - Google Patents

Description

積層体、 コンデンサ、 電子部品及びこれらの製造方法と製造装置

技術分野

本発明は樹脂薄膜と金属薄膜とが積層された積層体、 及びこれを用い たコンデンサと電子部品に関する。 また、 本発明は、 これらの製造に好 明

適な製造方法と製造装置に関する。

細 背景技術

樹脂薄膜を積層する工程と金属薄膜を積層する工程とを一単位として 、 これを周回する支持体上で繰り返すことにより、 樹脂薄膜と金属薄膜 とが交互に積層された積層体を製造する方法、 及び得られた積層体から コンデンサなどの電子部品を得る方法は、 例えば、 特開平 1 0— 2 3 7 6 2 3号公報等で公知である。

樹脂薄膜と金属薄膜との積層体の製造方法の一例を図面を用いて説明 する。

図 2 2は、 従来の積層体の製造方法を実施するための製造装置の一例 の概略を模式的に示した断面図である。

図 2 2において、 9 1 5は真空槽、 9 1 6は真空槽 9 1 5内部を所定 の真空度に維持する真空ポンプ、 9 1 1は真空槽 9 1 5内に設置された 、 図中の矢印方向に回転する円筒形状のキャン口一ラ、 9 1 2は樹脂薄 膜形成装置、 9 1 3はパターニング材料付与装置、 9 1 4は金属薄膜形 成装置、 9 1 7はパターニング材料除去装置、 9 1 8は樹脂硬化装置、 9 1 9は表面処理装置、 9 2 0 a , 9 2 0 bは金属薄膜形成領域を他の 領域と区別するための隔壁、 9 2 2は隔壁 9 2 0 a， 9 2 O bに設けら れた開口、 9 2 3は必要時以外に金属薄膜が形成されるのを防止するた めに開口 9 2 2を閉じるための遮蔽板である。

樹脂薄膜形成装置 9 1 2は、 樹脂薄膜を形成するための樹脂材料を加 熱気化又は霧化させて、 キャンローラ 9 1 1の外周面に向けて放出する 。 キャンローラ 9 1 1は所定の温度に冷却されているから、 樹脂材料は 冷却されてキャンローラ 9 1 1の外周面に膜状に堆積する。

堆積した樹脂材料は、 必要に応じて、 樹脂硬化装置 9 1 8により電子 線又は紫外線等が照射されて所望の硬度に硬化処理される。

次いで、 形成された樹脂薄膜は、 必要に応じて表面処理装置 9 1 9に より酸素プラズマ処理等が施され、 樹脂薄膜表面が活性化される。

パターニング材料付与装置 9 1 3は、 オイルパターユング法と呼ばれ る手法により金属薄膜にマージン部 （非金属帯とも言う） を形成するこ とにより金属薄膜を所定の形状にパターユングするための装置である。 樹脂薄膜上に予めパターユング材料を薄く形成した後に、 金属薄膜を蒸 着などによって形成すると、 パターニング材料上には金属薄膜が形成さ れず、 マージン部が形成される。 このようにして形成された金属薄膜は パターニング部分が抜けた状態で形成されており、 所望のパターンを持 つ金属薄膜を形成することが出来る。 パターユング材料は、 パターニン グ材料付与装置 9 1 3内で気化されて、 所定位置にキャンローラ 9 1 1 の外周面に向けて形成された微細孔から放出される。 微細孔は、 通常キ ヤンローラ 9 1 1の回転軸方向と略平行に所定間隔を隔てて複数個配置 される。 これにより金属薄膜を形成する面に、 予めパターユング材料が 複数の帯状に薄く塗布される。

その後、 金属薄膜形成装置 9 1 4により金属薄膜が蒸着などによって 形成される。

その後、 パターユング材料除去装置 9 1 7により余剰のパターユング 材料が除去される。

以上の製造装置 9 0 0によれば、 遮蔽板 9 2 3を待避させて開口 9 2 2を開いた状態では、 周回するキャンローラ 9 1 1の外周面上に、 樹脂 薄膜形成装置 9 1 2による樹脂薄膜と、 金属薄膜形成装置 9 1 4による 金属薄膜とが交互に積層された積層体が製造され、 また、 遮蔽板 9 2 3 が開口 9 2 2を遮蔽した状態では、 周回するキャンローラ 9 1 1の外周 面上に、 樹脂薄膜形成装置 9 1 2による樹脂薄膜が連続して積層された 積層体が製造される。 また、 キャンローラ 9 1 1の回転と同期させてパ ターニング材料付与装置 9 1 3をキャンローラ 9 1 1の回転軸と平行方 向に移動 （例えば往復移動） させることにより、 マージン部位置の異な る金属薄膜を形成することができる。

このようにして、 キャンローラ 9 1 1の外周面上に金属薄膜と樹脂薄 膜とからなる円筒状の多層積層体を形成し、 その後、 積層体を半径方向 に切断してキャンローラ 9 1 1から取り外し、 平板プレスすることによ り、 例えば図 2 3のような積層体母素子 9 3 0を得ることができる。 図 2 3において、 9 3 1は金属薄膜、 9 3 2は樹脂薄膜、 9 3 3はマージ ン部 （金属薄膜の非形成領域） であり、 矢印 9 3 8はキャンローラ 9 1 1の外周面の走行方向と一致する。 図 2 3の積層体母素子 9 3 0は、 キ ヤンローラ 9 1 1上に、 層 9 3 6 a、 層 9 3 5 a、 層 9 3 4、 層 9 3 5 b、 層 9 3 6 bの順に積層することにより製造される。 ここで、 層 9 3 6 a , 9 3 6 bは遮蔽板 9 2 3を閉じて樹脂薄膜のみを連続して積層し た層であり、 層 9 3 4及ぴ層 9 3 5 a， 9 3 5 bは、 遮蔽板 9 2 3を待 避させて、 金属薄膜 9 3 1と樹脂薄膜 9 3 2とを交互に積層した層であ る。 また、 層 9 3 4は、 キャンローラ 9 1 1が 1回転するごとにパター ユング材料の付着位置を変更して積層してある。

この積層体母素子 9 3 0を、 例えば切断面 9 3 9 a , 9 3 9 bで切断 し、 切断面 9 3 9 aに外部電極を形成することにより、 図 2 4に示すよ うなチップコンデンサ 9 4 0を多数得ることができる。 図 2 4において 、 9 4 1 a , 9 4 1 bは金属薄膜 9 3 1 と電気的に接続して形成された 外部電極である。

上記の方法で得られたコンデンサは、 誘電体層となる樹脂薄膜の厚み を極めて薄くできるので、 小型で大容量のコンデンサとなる。

しかしながら、 上記の方法によるコンデンサ等の電子部品の製造では 以下の問題があった。

まず、 積層体母素子 9 3 0を切断面 9 3 9 a , 9 3 9 bで切断する場 合、 必ず金属薄膜 9 3 1が切断される。 切断は例えば刃物を用いてせん 断により行なう。 このとき切断面には金属薄膜 9 3 1のバリや切りくず が発生する。 上記の方法で得られる樹脂薄膜や金属薄膜は極めて薄いの で、 金属薄膜 9 3 1のパリや切りくずは、 樹脂薄膜を挟む上下の金属薄 膜同士を短絡させる場合がある。 これは、 得られるコンデンサの耐電圧 や絶縁抵抗を低下させる原因となる。

また、 金属薄膜を切断するためには、 樹脂薄膜を切断する場合より遙 かに大きな切断力が必要になる。 従って、 切断条件が適切でないと金属 薄膜を切断することに起因して切断面付近で積層体が変形したり金属薄 膜が引っ張られて積層体内部で金属薄膜が破断したりすることがある。 積層体の外形の変形は、 電子部品として使用する場合には、 回路基板に 実装する際の実装性を低下させる。 また、 金属薄膜の積層体内部での破 断は、 電子部品の特性の悪化、 歩留まりの低下を招く。

さらに、 金属薄膜を切断することは、 切断面に金属薄膜が露出するこ と意味する。 金属薄膜が切断面に露出していると、 切断面から金属薄膜 の酸化ゃ鲭等の腐蝕が進行する。 電極として機能する金属薄膜が腐食す ると、 得られる電子部品の信頼性が著しく低下する。 これを防ぐために 切断面に樹脂コーティング等の外装処理を施す必要があり、 工程数の増 加とコス トの上昇を招く。

また、 切断面に金属薄膜が露出した状態では、 例えば回路基板に実装 する際には露出した金属薄膜にはんだが付着して短絡する場合がある。 これを防止するためには、 実装時に特別の配慮が必要があり、 実装上の 制約となる。

更に、 金属薄膜と電気的に接続された外部電極を形成するためには金 属薄膜を切断してこれを露出させることはやむを得ない。 しかしながら 、 外部電極の形成の予定のない切断面では金属薄膜を切断することがな く、 また、 金属薄膜が切断面に露出していないことが望まれる。

また、 図 2 4のコンデンサは 1つのチップが 1つのコンデンサ素子を 構成している。 従って、 回路基板等に複数のコンデンサを搭載する必要 がある場合、 その数に応じたコンデンサが必要となり、 実装面積の小型 化を妨げ、 また工程数の増大を招く。 また、 半導体チップの高速駆動の ためには半導体チップと周辺素子との接続回路長を短くすることが有効 であるが、 コンデンサを多数搭載すると、 必然的に回路長が長くなり、 信号処理の高速化を妨げる。 発明の開示

本発明は上記の従来の問題のいずれか又は全てを解決することを目的 とする。

[第 I発明について]

本第 I発明は、 金属薄膜の切断を可能な限り回避し、 金属薄膜が切断 面に可能な限り露出しない積層体とコンデンサ及びこれらの製造方法と 製造装置を提供することを目的とする。 また、 1つの素子内に複数のコ ンデンサを含み、 また、 他の素子との複合化等が容易なァレイコンデン サ、 及びその製造方法と製造装置を提供することを目的とする。

本第 I発明は上記の目的を達成するために以下の構成とする。

• 本第 I発明の第 1の積層体は、 複数の樹脂薄膜と複数の金属薄膜とが 積層された積層体であって、 前記金属薄膜の端部は前記積層体の外部に 露出しておらず、 前記樹脂薄膜の少なくとも 1層は積層方向の貫通孔を 有し、 前記貫通孔を介して上下の前記金属薄膜が電気的に接続され、 前 記金属薄膜の少なく とも 1層は、 前記貫通孔を介して外部に電極取り出 しが可能であることを特徴とする。

かかる第 1の積層体によれば、 金属薄膜の端部は前記積層体の外部に 露出していないから、 金属薄膜の腐食等が生じにくい。 また、 製造過程 において金属薄膜を切断することがないから、 金属薄膜の切断時に生じ る問題、 例えば金属薄膜のバリや切りくず、 金属薄膜の破断、 積層体の 変形などの発生を抑えることができる。 また、 金属薄膜は貫通孔を介し て外部に電極取り出しが可能にされたことにより、 電子部品として使用 可能な積層体を提供できる。

また、 本第 I発明の第 2の積層体は、 複数の樹脂薄膜と複数の金属薄 膜とが積層された積層体であって、 前記樹脂薄膜の少なく とも 1層は周 囲の一部に切り欠き部を有し、 前記切り欠き部を介して上下の前記金属 薄膜が電気的に接続され、 前記金属薄膜の少なくとも 1層は、 前記切り 欠き部を介して外部に電極取り出しが可能であることを特徴とする。 かかる第 2の積層体によれば、 金属薄膜は切り欠き部を介して外部に 電極取り出しが可能にされたことにより、 電子部品として使用可能な積 層体を提供できる。

上記第 2の積層体において、 前記樹脂薄膜が略矩形状であって、 前記 樹脂薄膜の前記切り欠き部が形成された辺以外の辺では前記金属薄膜が 後退して形成されていることが好ましい。 かかる好ましい構成によれば 、 金属薄膜の端部が樹脂薄膜の端部より後退して形成されるから、 積層 体の外部に露出する金属薄膜を少なくできる。 よって、 金属薄膜の腐食 等が生じにくい。 また、 製造過程において金属薄膜の切断を少なくでき るから、 金属薄膜の切断時に生じる問題、 例えば金属薄膜のパリや切り くず、 金属薄膜の破断、 積層体の変形などの発生を抑えることができる 次に、 本第 I発明の第 1のコンデンサは、 複数の樹脂薄膜と複数の金 属薄膜とが積層された積層体を用いてなるコンデンサであって、 前記金 属薄膜の端部は前記積層体の外部に露出しておらず、 前記樹脂薄膜の少 なく とも 1層は積層方向の貫通孔を有し、 前記貫通孔を介して前記金属 薄膜が 1層おきに同電位となるように電気的に接続され、 同電位に接続 された前記金属薄膜は、 前記貫通孔を介して外部に電極取り出しが可能 であることを特徴とする。

かかる第 1のコンデンサによれば、 金属薄膜の端部は前記積層体の外 部に露出していないから、 金属薄膜の腐食等が生じにくい。 また、 製造 過程において金属薄膜を切断することがないから、 金属薄膜の切断時に 生じる問題、 例えば金属薄膜のバリや切りくず、 金属薄膜の破断、 積層 体の変形などの発生を抑えることができる。 また、 1層おきに接続され た金属薄膜は外部と電気的接続が可能であるから、 樹脂薄膜を誘電体層 とするコンデンサとして機能する。 また、 電極取り出しを樹脂薄膜に形 成された貫通孔を介して行なうから、 基板実装時の実装面積を少なくで き、 高密度実装が可能になる。

また、 本第 I発明の第 2のコンデンサは、 複数の樹脂薄膜と複数の金 属薄膜とが積層された積層体を用いてなるコンデンサであって、 前記樹 脂薄膜の少なく とも 1層は周囲の一部に切り欠き部を有し、 前記切り欠 き部を介して前記金属薄膜が 1層おきに同電位となるように電気的に接 続され、 同電位に接続された前記金属薄膜は、 前記切り欠き部を介して 外部に電極取り出しが可能であることを特徴とする。

かかる第 2のコンデンサによれば、 1層おきに接続された金属薄膜は 外部と電気的接続が可能であるから、 樹脂薄膜を誘電体層とするコンデ ンサとして機能する。 また、 電極取り出しを樹脂薄膜に形成された切り 欠き部を介して行なうから、 基板実装時の実装面積を少なくでき、 高密 度実装が可能になる。

上記第 2のコンデンサにおいて、 前記樹脂薄膜が略矩形状であって、 前記樹脂薄膜の前記切り欠き部が形成された辺以外の辺では前記金属薄 膜が後退して形成されていることが好ましい。 かかる好ましい構成によ れば、 金属薄膜の端部が樹脂薄膜の端部より後退して形成されるから、 積層体の外部に露出する金属薄膜を少なくできる。 よって、 金属薄膜の 腐食等が生じにくい。 また、 製造過程において金属薄膜の切断を少なく できるから、 金属薄膜の切断時に生じる問題、 例えば金属薄膜のバリや 切りくず、 金属薄膜の破断、 積層体の変形などの発生を抑えることがで きる。

次に、 本第 I発明の積層体の第 1の製造方法は、 樹脂薄膜と金属薄膜 とを交互に積層してなる積層体の製造方法であって、 前記金属薄膜を前 記樹脂薄膜の形成領域内に、 前記樹脂薄膜の形成面積より小さく形成す るとともに、 前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を 1層形成するごとに 変更して、 樹脂薄膜と金属薄膜とを交互に積層する工程と、 前記樹脂薄 膜と金属薄膜とを貫通する貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔に導電 性材料を充填して、 前記金属薄膜の少なく とも一部と前記導電性材料と を電気的に接続する工程とを有することを特徴とする。

また、 本第 I発明の積層体の第 2の製造方法は、 樹脂薄膜を形成する 工程と、 金属薄膜を形成する工程と、 前記樹脂薄膜及び金属薄膜を貫通 する貫通孔を所定位置に形成する工程とを一単位とし、 これを支持体上 で綠り返し行なうことにより前記樹脂薄膜と前記金属薄膜とを交互に積 層する積層体の製造方法であって、 前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の形成 領域内に、 前記樹脂薄膜の形成面積より小さく形成するとともに、 前記 金属薄膜の形成位置を金属薄膜を 1層形成するごとに変更し、 かつ、 前 記貫通孔を積層方向に連続させて形成し、 前記連続した貫通孔に導電性 材料を充填して、 前記金属薄膜の少なく とも一部と前記導電性材料とを 電気的に接続することを特徴とする。

また、 本第 I発明の積層体の第 3の製造方法は、 樹脂薄膜を形成する 工程と、 前記樹脂薄膜に貫通孔を形成する工程と、 前記樹脂薄膜上に金 属薄膜を形成する工程とを一単位とし、 これを支持体上で繰り返し行な うことにより前記樹脂薄膜と前記金属薄膜とを交互に積層する積層体の 製造方法であって、 前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の形成領域内に、 前記 樹脂薄膜の形成面積より小さく形成するとともに、 前記金属薄膜の形成 位置を金属薄膜を 1層形成するごとに変更し、 かつ、 前記金属薄膜を形 成する領域内に前記貫通孔を形成することにより、 前記貫通孔を介して 積層方向の複数の前記金属薄膜を電気的に接続することを特徴とする。 かかる第 1〜第 3の製造方法によれば、 本第 I発明の上記積層体を効 率よく製造することができる。

次に、 本第 I発明のコンデンサの第 1の製造方法は、 金属薄膜を樹脂 薄膜の形成領域内に、 前記樹脂薄膜の形成面積より小さく形成するとと もに、 前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を 1層形成するごとに変更し て、 樹脂薄膜と金属薄膜とを交互に積層する工程と、 前記樹脂薄膜と金 属薄膜とを貫通する貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔に導電性材料 を充填して、 前記金属薄膜を 1層おきに電気的に接続する工程とを有す ることを特徴とする。 また、 本第 I発明のコンデンサの第 2の製造方法は、 樹脂薄膜を積層 する工程と、 金属薄膜を形成する工程と、 前記樹脂薄膜及び金属薄膜を 貫通する貫通孔を所定位置に形成する工程とを一単位とし、 これを支持 体上で繰り返し行なうコンデンサの製造方法であって、 前記金属薄膜を 前記樹脂薄膜の形成領域内に、 前記樹脂薄膜の形成面積より小さく形成 するとともに、 前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を 1層形成するごと に変更し、 かつ、 前記貫通孔を積層方向に連続させて形成し、 前記連続 した貫通孔に導電性材料を充填して、 前記金属薄膜を 1層おきに電気的 に接続することを特徴とする。

また、 本第 I発明のコンデンサの第 3の製造方法は、 樹脂薄膜を形成 する工程と、 前記樹脂薄膜に貫通孔を形成する工程と、 前記樹脂薄膜上 に金属薄膜を形成する工程とを一単位とし、 これを支持体上で繰り返し 行なうコンデンサの製造方法であって、 前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の 形成領域内に、 前記樹脂薄膜の形成面積より小さく形成するとともに、 前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を 1層形成するごとに変更し、 かつ 、 前記金属薄膜を形成する領域内に前記貫通孔を形成することにより、 前記貫通孔を介して前記金属薄膜を 1層おきに電気的に接続することを 特徴とする。

かかる第 1〜第 3の製造方法によれば、 本第 I発明の上記コンデンサ を効率よく製造することができる。

次に、 本第 I発明の積層体の第 1の製造装置は、 巡回する支持体と、 前記支持体に対向して配置された金属薄膜形成装置及び樹脂薄膜形成装 置と、 これらを収納する真空槽とを有する積層体の製造装置であって、 前記金属薄膜形成装置の下流側であって前記樹脂薄膜形成装置の上流側 に、 金属薄膜加工用のレーザパターニング装置を有することを特徴とす る。 かかる第 1の製造装置によれば、 所望するマージン部を有する金属薄 膜を容易に得ることができる。 よって、 この製造装置を使用することに より本第 I発明の積層体を効率よく製造することができる。

また、 本第 I発明の積層体の第 2の製造装置は、 巡回する支持体と、 前記支持体に対向して配置された金属薄膜形成装置及び樹脂薄膜形成装 置と、 これらを収納する真空槽とを有する積層体の製造装置であって、 更に、 積層方向の孔を形成する孔加工用のレーザ加工装置と、 前記樹脂 薄膜形成装置の下流側であって前記金属薄膜形成装置の上流側に、 樹脂 薄膜上にオイルを付与するオイル付与装置とを有することを特徴とする 。

かかる第 2の製造装置によれば、 孔加工用のレーザ加工装置を使用す ることで、 樹脂薄膜 （及び金属薄膜） を貫通する貫通孔 （及び第 2の貫 通孔） を加工できる。 また、 オイル付与装置により所望するマージン部 を有する金属薄膜を得ることができる。 よって、 この製造装置を使用す ることにより本第 I発明の積層体を効率よく製造することができる。 また、 本第 I発明の積層体の第 3の製造装置は、 巡回する支持体と、 前記支持体に対向して配置された金属薄膜形成装置及び樹脂薄膜形成装 置と、 これらを収納する真空槽とを有する積層体の製造装置であって、 前記樹脂薄膜形成装置の下流側であって前記金属薄膜形成装置の上流側 に、 樹脂薄膜上にオイルを付与するオイル付与装置を有し、 前記オイル 付与装置は、 微細孔を配列したノズルを一対以上有することを特徴とす る。

かかる第 3の製造装置によれば、 オイル付与装置により所望するマー ジン部を有する金属薄膜を得ることができる。 特に、 オイル付与装置が —対以上のノズルを含むことにより、 各ノズルをそれぞれ独立して移動 させて、 略格子状のマージン部が形成された金属薄膜を容易に得ること ができる。 よって、 この製造装置を使用することにより本第 I発明の積 層体を効率よく製造することができる。

また、 本第 I発明の積層体の第 4の製造装置は、 巡回する支持体と、 前記支持体に対向して配置された金属薄膜形成装置及び樹脂薄膜形成装 置と、 これらを収納する真空槽とを有する積層体の製造装置であって、 更に、 積層方向の孔を形成する孔加工用のレーザ加工装置と、 前記樹脂 薄膜形成装置の下流側であって前記金属薄膜形成装置の上流側に、 樹脂 薄膜上にオイルを付与するオイル付与装置と、 前記金属薄膜形成装置の 下流側であって前記樹脂薄膜形成装置の上流側に、 金属薄膜加工用のレ 一ザパターニング装置とを有することを特徴とする。

かかる第 4の製造装置によれば、 孔加工用のレーザ加工装置を使用す ることで、 樹脂薄膜 （及び金属薄膜） を貫通する貫通孔 （及び第 2の貫 通孔） を加工できる。 また、 オイル付与装置とレーザパターユング装置 とを有することにより、 所望するマージン部を有する金属薄膜を得るこ とができる。 よって、 この製造装置を使用することにより本第 I発明の 積層体を効率よく製造することができる。

[第 II発明について]

本第 II発明は、 金属薄膜の切断を可能な限り回避できるように配慮し た積層体の製造方法を提供することを目的とする。 また、 本第 II発明は 、 外部電極を形成する切断面以外の切断面で金属薄膜を切断することが ないように配慮した電子部品の製造方法を提供することを目的とする。 さらに、 本第 II発明は、 外部電極が形成されていない切断面に金属薄膜 が露出していない電子部品を提供することを目的とする。

本第 II発明は、 上記の目的を達成するために以下の構成とする。

即ち、 本第 II発明にかかる積層体の製造方法は、 樹脂薄膜を形成する 工程と、 金属材料を真空プロセスにより堆積させて金属薄膜を形成する 工程とを有し、 これらを周回する支持体上で行うことにより前記支持体 上に樹脂薄膜と金属薄膜とを含む積層体を製造する方法であって、 前記 金属薄膜は、 前記支持体の移動方向に形成された第 1の非金属帯と前記 支持体の移動方向と略直角方向に形成された第 2の非金属帯とにより略 矩形状に分割されていることを特徴とする。

これによれば、 非金属帯に沿って積層方向に切断することにより、 金 属薄膜を切断する可能性を低減することができる。 従って、 金属薄膜を 切断することによって生じるバリや切りくずで、 金属薄膜同士が短絡す るのを防止することができる。 また、 金属薄膜の切断抵抗によって生じ る積層体の変形や金属薄膜の破断を防止することができる。 さらに、 切 断面に金属薄膜が露出するのを防止できるので、 金属薄膜の腐蝕を防止 でき、 また、 電子部品としたときの実装上の制約を少なくすることがで きる。

また、 本第 II発明にかかる電子部品の製造方法は、 樹脂薄膜を形成す る工程と金属材料を真空プロセスにより堆積させて金属薄膜を形成する 工程とを周回する支持体上で行うことにより、 前記支持体上に樹脂薄膜 と金属薄膜とを含む積層体を製造した後、 前記積層体を積層方向に切断 し、 外部電極を形成して電子部品を製造する方法であって、 支持体上に 形成される前記金属薄膜は、 前記支持体の移動方向に形成された第 1の 非金属帯と前記支持体の移動方向と略直角方向に形成された第 2の非金 属帯とにより略矩形状に分割されており、 前記切断の少なく とも一部は 前記非金属帯の少なくとも一部に沿って行なうことを特徴とする。

これによれば、 非金属帯に沿って積層方向に切断することにより、 金 属薄膜を切断する可能性を低減することができる。 従って、 金属薄膜を 切断することによって生じるバリや切りくずで、 金属薄膜同士が短絡す るのを防止することができる。 また、 金属薄膜の切断抵抗によって生じ る積層体の変形や金属薄膜の破断を防止することができる。 さらに、 切 断面に金属薄膜が露出するのを防止できるので、 金属薄膜の腐蝕を防止 でき、 また、 電子部品としたときの実装上の制約を少なくすることがで さる。

また、 本第 II発明の第 1の電子部品は、 樹脂薄膜と金属薄膜とがそれ ぞれ 2層以上積層された積層体と、 前記積層体の積層方向以外の方向の 側面の一部に、 前記金属薄膜と電気的に接続するように形成された電極 とを有する電子部品であって、 前記積層体の電極が形成されていない側 面には前記金属薄膜が露出していないことを特徴とする。

また、 本第 II発明の第 2の電子部品は、 樹脂薄膜と金属薄膜とがそれ ぞれ 2層以上積層された積層体を積層方向に切断し、 切断面の一部に前 記金属薄膜と電気的に接続するように電極が形成された電子部品であつ て、 前記電極が形成されていない切断面には前記金属薄膜が露出してい ないことを特徴とする。

上記の第 1， 第 2の電子部品によれば、 電極が形成されていない面に は金属薄膜が露出していないから、 金属薄膜の腐蝕を防止でき、 また、 実装上の制約を少なくすることができる。 図面の簡単な説明

図 1 A〜図 1 Eは本発明の実施の形態 A— 1に係る積層体を用いたチ ップコンデンサの概略構成を示しており、 図 1 Aは正面方向断面図、 図 1 Bは右側面図、 図 1 Cは平面図、 図 1 Dは図 1 Aの D— D線での矢印 方向から見た断面図、 図 1 Eは図 1 Aの E— E線での矢印方向から見た 断面図である。

図 2は本発明の実施の形態 A— 1にかかるコンデンサを回路基板上に 実装した状態の概略側面図を示す。

図 3 A〜図 3 Eは本発明の実施の形態 A— 2に係る積層体を用いたチ ップコンデンサの概略構成を示しており、 図 3 Aは正面方向断面図、 図 3 Bは右側面図、 図 3 Cは底面図、 図 3 Dは図 3 Aの D— D線での矢印 方向から見た断面図、 図 3 Eは図 3 Aの E— E線での矢印方向から見た 断面図である。

図 4 Aは実施の形態 A— 3に係るコンデンサ （アレイコンデンサ） の 概略構成を示した平面図、 図 4 Bは図 4 Aのコンデンサを回路基板に実 装した例を示した側面図である。

図 5 A〜図 5 Eは本発明の実施の形態 A— 4に係る積層体を用いたチ ップコンデンサの概略構成を示しており、 図 5 Aは正面方向断面図、 図 5 Bは右側面図、 図 5 Cは平面図、 図 5 Dは図 5 Aの D— D線での矢印 方向から見た断面図、 図 5 Eは図 5 Aの E— E線での矢印方向から見た 断面図である。

図 6 A及ぴ図 6 Bは本発明の実施の形態 A— 4にかかるコンデンサを 回路基板上に実装した状態の概略側面図を示す。

図 7 A〜図 7 Eは本発明の実施の形態 A— 5に係る積層体を用いたチ ップコンデンサの概略構成を示しており、 図 7 Aは正面方向断面図、 図

7 Bは右側面図、 図 7 Cは底面図、 図 7 Dは図 7 Aの D— D線での矢印 方向から見た断面図、 図 7 Eは図 7 Aの E— E線での矢印方向から見た 断面図である。

図 8は、 本発明の実施の形態 B— 1にかかる積層体の製造方法を実施 するための製造装置の一例を示した概略断面図である。

図 9 A及ぴ図 9 Bはパターユング材料付与装置の概略構成を示した図 であり、 図 9 Aはキャンローラ側から見た正面図、 図 9 Bは図 9 Aの B _ B線での断面図である。 図 1 0は、 一対のパターユング材料付与装置によってキャンローラの 外周面上に形成されたパターユング材料のストライプパターンの一例の 展開図である。

図 1 1は、 実施の形態 B— 1においてキャンローラの外周面上に形成 された積層体の展開平面図である。

図 1 2は、 本発明の実施の形態 B _ 4にかかる積層体の製造方法を実 施するための製造装置の一例を示した概略断面図である。

図 1 3は、 本発明の実施の形態 B— 5にかかる積層体の製造方法を実 施するための製造装置の一例を示した概略断面図である。

図 1 4は、 本発明の実施の形態 B - 6にかかる積層体の製造方法を実 施するための製造装置の一例の主要構成要素を示した概略断面図である 図 1 5は本発明の実施の形態 C一 1にかかる積層体の製造方法を実施 するための積層体の製造装置の一例を示した概略断面図である。

図 1 6 A〜図 1 6 Dは本発明の実施の形態 C— 1によって得られる積 層体母素子の一例を示した図であり、 図 1 6 Aは正面図、 図 1 6 Bは平 面図、 図 1 6 Cは図 1 6 Aの I一 I線での矢印方向から見た断面図、 図 1 6 0は図 1 6 Aの ΙΙ-Π線での矢印方向から見た断面図である。

図 1 7は本発明の実施の形態 C— 1によって得られるチップコンデン サの一例を示した概略斜視図である。

図 1 8は本発明の実施の形態 C一 2にかかる積層体の製造方法を実施 するための積層体の製造装置の一例を示した概略断面図である。

図 1 9は本発明の実施の形態 C一 2にかかる積層体の製造装置のパタ 一二ング材料付与装置の一例の正面図である。

図 2 0は図 1 9のパターユング材料付与装置のノズルへッドを正面か ら見た部分拡大図である。 図 2 1は図 2 0の III一 III線での矢印方向から見た微細孔の部分断面 図である。

図 2 2は、 従来の積層体の製造方法を実施するための製造装置の一例 の概略を模式的に示した断面図である。

図 2 3は、 図 2 2の製造装置によって得られる積層体母素子の概略構 成を示した斜視図である。

図 2 4は、 従来のチップコンデンサの概略構成を示した斜視図である

発明を実施するための最良の形態

[第 I発明について]

以下に本第 I発明を図面を参照しながら具体的に説明する。

A . 積層体及びコンデンサについて

本第 I発明の積層体及びコンデンサの実施の形態を説明する。

(実施の形態 A— 1 )

図 1 A〜図 1 Eは、 本発明の実施の形態 A— 1に係る積層体を用いた チップコンデンサの概略構成を示しており、 図 1 Aは正面方向断面図、 図 1 Bは右側面図、 図 1 Cは平面図、 図 1 Dは図 1 Aの D— D線での矢 印方向から見た断面図、 図 1 Eは図 1 Aの E— E線での矢印方向から見 た断面図である。 図は、 積層構成を模式的に示しており、 各種寸法や積 層数等は実際の積層体と著しく異なっている。

本実施の形態の積層体 1 0は、 形成位置が異なる金属薄膜 1 1 a， 1 1 bが交互に積層され、 金属薄膜 1 1 aと金属薄膜 1 1 bとの間に樹脂 薄膜 1 2が積層されて構成される。 金属薄膜 1 1 a， 1 1 bの形成領域 は、 樹脂薄膜 1 2の形成領域より小さく、 金属薄膜 1 1 a , 1 1 bの端 部は積層体 1 0の外周面に露出していない。 積層体 1 0の積層方向に貫 通する 2つの貫通孔 1 3 a， 1 3 bが離間して形成される。 金属薄膜と の関係では、 一方の貫通孔 1 3 aは金属薄膜 1 1 aのみを貫通し、 他方 の貫通孔 1 3 bは金属膜層 l i bのみを貫通する。 両貫通孔 1 3 a , 1 3 bには導電性材料 1 4 a， 1 4 bが充填されている。 導電性材料 1 4 aは金属薄膜 1 1 aと電気的に接続され、 金属薄膜 1 1 bとは絶縁され る。 また導電性材料 1 4 bは金属薄膜 1 1 bと電気的に接続され、 金属 薄膜 1 1 aとは絶縁される。

かく して、 積層体 1 0の上面又は下面に露出した導電性材料 1 4 a , 1 4 bを電極取り出し部 （取り出し電極） とし、 それぞれに異なる電位 を付与すると、 金属薄膜 1 1 a， 1 1 bを電極とし、 樹脂薄膜 1 2を誘 電体層とするコンデンサを構成することができる。

外表面に露出した導電性材料 1 4 a， 1 4 b上には、 金、 銀、 アルミ 二ゥム、 銅、 半田、 導電性ペース ト、 導電性高分子等からなる電極端子 (突起 （バンプ） 電極） を形成してもよい。

図 2に、 図 1 A〜図 1 Eに示したコンデンサ 1 0を回路基板 1 7上に 実装した状態の概略側面図を示す。 貫通孔 1 3 a， 1 3 bに充填された 導電性材料 1 4 a , 1 4 b上に形成した電極端子 1 5と、 回路基板 1 7 上の電極端子 1 9とを接続する。 図 24に示した従来のチップコンデン サ 940の場合、 電極 94 1 a， 9 4 1 bが側面に形成されていたため 、 チップコンデンサ 940の上方からの投影面積以上の実装面積が必要 であった。 ところが、 本実施の形態のコンデンサの場合、 取り出し電極 が下面に形成されているから、 必要な実装面積はコンデンサ 1 0の上方 からの投影面積と略同等にすることができる。 よって、 より高密度の実 装が可能になる。

図 2では、 導電性材料 1 4 a， 1 4 b上に電極端子 1 5を形成して、 電極端子 1 5と回路基板 1 7上の電極端子 1 9とを接続したが、 電極端 子 1 5を設けることなく導電性材料 1 4 a , 1 4 bと回路基板 1 7上の 電極端子 1 9とを直接接続してもよい。

図 1 A〜図 1 Eでは、 積層方向に貫通する貫通孔 1 3 a， 1 3 bに導 電性材料 1 4 a , 1 4 bを充填して、 上下面のいずれの面からでも電極 取り出し可能に構成したが、 孔 1 3 a， 1 3 bを貫通させず上下面のい ずれか一方のみから形成した非貫通孔とし、 これに導電性材料を充填す ることにより、 取り出し電極を片面のみに形成したコンデンサとしても よい。

図 1 A〜図 1 Eでは、 コンデンサ用の積層体を例に説明したが、 コン デンサ以外の用途、 例えば、 コイル、 ノイズフィルタ、 積層回路基板等に 使用することもできる。 この場合には、 当該用途に応じて積層構成や金 属薄膜と取り出し電極との接続形態を変更することができる。

(実施の形態 A _ 2 )

図 3 A〜図 3 Eは、 本発明の実施の形態 A— 2に係る積層体を用いた チップコンデンサの概略構成を示しており、 図 3 Aは正面方向断面図、 図 3 Bは右側面図、 図 3 Cは底面図、 図 3 Dは図 3 Aの D— D線での矢 印方向から見た断面図、 図 3 Eは図 3 Aの E— E線での矢印方向から見 た断面図である。 図は、 積層構成を模式的に示しており、 各種寸法や積 層数等は実際の積層体と著しく異なっている。

本実施の形態の積層体 2 0は、 形成位置が異なる金属薄膜 2 1 a , 2 1 bが交互に積層され、 金属薄膜 2 1 aと金属薄膜 2 1 bとの間に樹脂 薄膜 2 2が積層されて構成される。 金属薄膜 2 1 a , 2 1 bの形成領域 は、 樹脂薄膜 2 2の形成領域より小さく、 金属薄膜 2 1 a , 2 1 bの端 部は積層体 2 0の外周面に露出していない。 各樹脂薄膜 2 2には積層方 向に貫通する 2つの貫通孔 2 3 a , 2 3 bが離間して形成されている。 貫通孔 2 3 aは金属薄膜 2 1 aの形成領域内であって、 金属薄膜 2 1 b の形成領域外に形成され、 貫通孔 2 3 a内に充填された金属薄膜 2 1 a の材料を介して上下に積層された金属薄膜 2 1 aが電気的に接続される 。 また、 貫通孔 2 3 bは金属薄膜 2 1 bの形成領域内であって、 金属薄 膜 2 1 aの形成領域外に形成され、 貫通孔 2 3 b内に充填された金属薄 膜 2 1 bの材料を介して上下に積層された金属薄膜 2 1 bが電気的に接 続される。 これにより、 金属薄膜 2 1 aと金属薄膜 2 1 bとは絶縁され る。 最下層の金属薄膜 2 1 a， 2 1 bの下の貫通孔 2 3 a， 2 3 bには 金属薄膜 2 1 a， 2 1 bの材料と同一材料が充填されている。 最上層の 金属薄膜 2 l a , 2 1 bの上の貫通孔 2 3 a， 2 3 bには、 必要に応じ て導電性材料 2 4 a， 2 4 bが充填される。

かく して、 積層体 2 0の下面の貫通孔 2 3 a , 2 3 b内の金属薄膜 2 1 a , 2 1 b材料又は積層体 2 0の上面の貫通孔 2 3 a， 2 3 b内の導 電性材料 2 4 a， 2 4 bを電極取り出し部 （取り出し電極） とし、 それ ぞれに異なる電位を付与すると、 金属薄膜 2 1 a， 2 1 bを電極とし、 樹脂薄膜 2 2を誘電体層とするコンデンサを構成することができる。 外表面に露出した貫通孔 2 3 a , 2 3 b内の金属薄膜材料及ぴノ又は 導電性材料 2 4 a， 2 4 b上には、 金、 銀、 アルミニウム、 銅、 半田、 導電性ペースト、 導電性高分子等からなる電極端子 （突起 （バンプ） 電 極） を形成してもよい。

本実施の形態のコンデンサも、 実施の形態 A— 1と同様に、 図 2のよ うに実装することができ、 高密度実装が可能になる。

図 3 A〜図 3 Eでは、 積層方向に貫通する貫通孔 2 3 a , 2 3 b設け て、 上下面のいずれの面からでも電極取り出し可能に構成したが、 孔 2 3 a , 2 3 bを上面まで貫通させず （即ち、 最上層の金属薄膜 2 1 a , 2 1 bの上の樹脂層には貫通孔を設けず）、 取り出し電極を下面のみに 形成したコンデンサとしてもよレ、。 図 3 A〜図 3 Eでは、 コンデンサ用の積層体を例に説明したが、 コン デンサ以外の用途、 例えば、 コイル、 ノイズフィルタ、 積層回路基板等に 使用することもできる。 この場合には、 当該用途に応じて積層構成や金 属薄膜と取り出し電極との接続形態を変更することができる。

(実施の形態 A— 3 )

図 4 Aは実施の形態 A— 3のコンデンサ （アレイコンデンサ） の概略 構成を示した平面図、 図 4 Bは図 4 Aのコンデンサを回路基板に実装し た例を示した側面図である。

図 4 Aに示すように、 アレイコンデンサ 3 0は、 独立してコンデンサ として機能するコンデンサ要素 3 6が縦横方向に格子点状に配列されて 構成される。 各コンデンサ要素 3 6は実施の形態 A— 1又は A— 2に記 載のコンデンサと同様の構成を有する。 即ち、 各コンデンサ要素 3 6は 、 樹脂薄膜と金属薄膜 3 1 a , 3 1 bとが交互に積層されて構成される 。 各金属薄膜 3 l a , 3 1 bは、 一対の取り出し電極 3 5 a , 3 5わに それぞれ接続されている。

コンデンサ要素 3 6の非形成領域には必要に応じて貫通電極 3 7が形 成される。 貫通電極 3 7は、 アレイコンデンサ 3 0を厚み方向に貫通す る貫通孔 （第 2の貫通孔） 3 8内に、 導電性材料 3 9が充填されて構成 される。 貫通電極 3 7はコンデンサ要素 3 6を構成する各金属薄膜 3 1 a， 3 1 bとは絶縁される。

取り出し電極 3 5 a , 3 5 b及ぴ貫通電極 3 7上には、 金、 銀、 アル ミニゥム、 銅、 半田、 導電性ペース ト、 導電性高分子等からなる電極端 子 （突起 （バンプ） 電極） を形成してもよい。

図 4 Bに実装例を示す。 回路基板 4 1上に、 アレイコンデンサ 3 0と 、 半導体チップ 4 5を搭載したキャリア 4 6とが積層される。 回路基板 4 1のある電極端子 4 2は、 ァレイコンデンサ 3 0のコンデンサ素子 3 6の取り出し電極上に形成された電極端子 3 5 ' と接続される。 また、 回路基板 4 1の他の電極端子 4 2はァレイコンデンサ 3 0の貫通電極 3 7上に形成された電極端子 3 7， と接続され、 貫通電極 3 7を介してキ ャリア 4 6の電極端子 4 7と接続され、 さらに半導体チップ 4 5と接続 される。

このように、 コンデンサ素子 3 6を同一面上に複数個分離して形成し たアレイコンデンサを構成すると、 分離独立した個々のコンデンサを配 置する場合に比べて実装面積を小さくできる。 また実装工程も簡略化で きる。 さらに、 複数のコンデンサ要素を 1つの素子内に集積しても個々 のコンデンサ要素を構成する電極 （金属薄膜） は独立しているために、 コンデンサ要素間の相互干渉はほとんど発生せず、 また浮遊容量も生じ にくい。

さらに、 アレイコンデンサ内に貫通電極 3 7を形成すると、 ァレイコ ンデンサの上に他の電子部品 （上記の例では半導体チップ 4 5 ) を載置 して貫通電極 3 7を介して基板 4 1と電子部品とを電気的に接続するこ とができる。 この結果、 実装面積を小さくできることに加えて、 載置し た電子部品の近傍にコンデンサを配置できるので該電子部品の高周波駆 動が可能になる。

また、 アレイコンデンサ 3 0と、 キャリア 4 6と、 この上に搭載され た半導体チップ 4 5とを 1つのパッケージに収納して半導体集積回路 4 0を構成することもできる。 かかる半導体集積回路 4 0によれば、 所定 の機能を発揮させるための半導体部品を 1ユニットとして取り扱うこと ができ、 個別に半導体部品を実装する場合に比べて実装工程を簡略化で きる。

また、 複数の絶縁性基板が所定の配線パターン層を介して積層され、 各配線パターン層が絶縁性基板の厚さ方向に形成されたビアホールを介 して接続された多層配線基板において、 上記アレイコンデンサ 3 0をビ ァホールを備えた絶縁性基板の一部として使用することもできる。 かか る構成によれば、 多層配線基板中にコンデンサ要素などを収納すること ができ、 基板表面にコンデンサなどを実装する場合に比べて、 実装面積 を大幅に縮小でき、 また実装工程も簡略化できる。

(実施の形態 A— 4 )

図 5 A〜図 5 Eは、 本発明の実施の形態 A— 4に係る積層体を用いた チップコンデンサの概略構成を示しており、 図 5 Aは正面方向断面図、 図 5 Bは右側面図、 図 5 Cは平面図、 図 5 Dは図 5 Aの D— D線での矢 印方向から見た断面図、 図 5 Eは図 5 Aの E— E線での矢印方向から見 た断面図である。 図は、 積層構成を模式的に示しており、 各種寸法や積 層数等は実際の積層体と著しく異なっている。

本実施の形態の積層体 5 0は、 形成位置が異なる金属薄膜 5 1 a , 5 1 bが交互に積層され、 金属薄膜 5 1 aと金属薄膜 5 1 bとの間に樹脂 薄膜 5 2が積層されて構成される。 積層体 5 0の周囲面の 2箇所に積層 方向に連続する切り欠き部 5 3 a , 5 3 bが離間して形成されている。 図 5 A〜図 5 Eでは、 切り欠き部 5 3 a , 5 3 bは、 対向する 2側面に 、 略半円筒形状に形成されている。 金属薄膜との関係では、 一方の切り 欠き部 5 3 aは金属薄膜 5 1 aのみを切り欠き、 他方の切り欠き部 5 3 bは金属膜層 5 1 bのみを切り欠いている。 両切り欠き部 5 3 a， 5 3 bには導電性材料 5 4 a， 5 4 bが充填されている。 導電性材料 5 4 a は金属薄膜 5 1 aと電気的に接続され、 金属薄膜 5 1 bとは絶縁される 。 また導電性材料 5 4 bは金属薄膜 5 1 bと電気的に接続され、 金属薄 膜 5 1 aとは絶縁される。 切り欠き部 5 3 a , 5 3 bが形成された 2側 面を除く他の 2側面には金属薄膜 5 1 a， 5 1 bが露出しないように、 金属薄膜 5 1 a , 5 1 bは樹脂薄膜 5 2の形成領域より小さい領域内に 形成されている。

かく して、 積層体 5 0の切り欠き部 5 3 a , 5 3 bが形成された 2側 面及ぴ上下面に露出した導電性材料 5 4 a， 5 4 bを電極取り出し部 （ 取り出し電極） とし、 それぞれに異なる電位を付与すると、 金属薄膜 5 l a , 5 1 bを電極とし、 榭脂薄膜 5 2を誘電体層とするコンデンサを 構成することができる。

本実施の形態のコンデンサは、 実施の形態 A _ 1のコンデンサと同一 の静電容量を有する場合にはさらに小型化することができる。

上下面及び側面に露出した導電性材料 5 4 a， 5 4. b上には、 金、 銀 、 アルミニウム、 銅、 半田、 導電性ペース ト、 導電性高分子等からなる 電極端子 （突起 （バンプ） 電極） を形成してもよい。

図 6 A， 図 6 Bに、 図 5 A〜図 5 Eに示したコンデンサ 5 0を回路基 板 5 7上に実装した状態の概略側面図を示す。

図 6 Aは、 切り欠き部 5 3 a， 5 3 bに充填された導電性材料 5 4 a ， 5 4 b上に形成した電極端子 5 5と、 回路基板 5 7上の電極端子 5 9 とを接続した場合を示している。 本実施の形態のコンデンサを図 6 Aの ように実装した場合、 図 2 4に示した従来のチップコンデンサ 9 4 0を 実装した場合と比べて、 実装面積を小さくすることができることはもち ろん、 実施の形態 A— 1のコンデンサを実装した場合と比べても、 さら に実装面積を小さくでき、 高密度実装が可能になる。

図 6 Bは、 電極端子 5 5を形成せずに回路基板 5 7上にコンデンサ 5 0を直接設置して、 側面に露出した導電性材料 5 4 a， 5 4 bとコンデ ンサ 5 0の周辺に配置した電極端子 5 9とを半田等の導電性材料 5 8を 用いて接続した場合を示している。 このような実装方法を採ることによ り、 実装高さを低くすることができる。 また、 導電性材料 5 8をコンデ ンサ 5 0の側面に付着させるので、 実装時に導電性材料 5 8のコンデン サ 5 0への付着不良が生じても、 容易に修正することができる。

図 6 Aでは、 導電性材料 5 4 a， 5 4 b上に電極端子 5 5を形成して 、 電極端子 5 5と回路基板 5 7上の電極端子 5 9とを接続したが、 電極 端子 5 5を設けることなく導電性材料 5 4 a , 5 4 bと回路基板 5 7上 の電極端子 5 9とを直接接続してもよい。

図 5 A〜図 5 Eでは、 積層方向に貫通するように形成した切り欠き部 5 3 a , 5 3 bに導電性材料 5 4 a， 5 4 bを充填して、 上下面及ぴ対 向する 2側面のいずれの面からでも電極取り出し可能に構成したが、 切 り欠き部 5 3 a， 5 3 bを貫通させず上下面のいずれか一方のみから形 成した非貫通の切り欠き部とし、 これに導電性材料を充填することによ り、 取り出し電極の形成面を上下方向についてはいずれか一面のみとし たコンデンサとしてもよレ、。

図 5 A〜図 5 Eでは、 コンデンサ用の積層体を例に説明したが、 コン デンサ以外の用途、 例えば、 コイル、 ノイズフィルタ、 積層回路基板等に 使用することもできる。 この場合には、 当該用途に応じて積層構成や金 属薄膜と取り出し電極との接続形態を変更することができる。

また、 切り欠き部 5 3 a , 5 3 bの形成位置も図 5 A〜図 5 Eの例に 限定されない。 例えば、 対向する 2側面に形成するのではなく、 4隅う ちの 2隅に形成してもよい。

(実施の形態 A— 5 )

図 7 A〜図 7 Eは、 本発明の実施の形態 A— 5に係る積層体を用いた チップコンデンサの概略構成を示しており、 図 7 Aは正面方向断面図、 図 7 Bは右側面図、 図 7 Cは底面図、 図 7 Dは図 7 Aの D— D線での矢 印方向から見た断面図、 図 7 Eは図 7 Aの E— E線での矢印方向から見 た断面図である。 図は、 積層構成を模式的に示しており、 各種寸法や積 層数等は実際の積層体と著しく異なっている。 本実施の形態の積層体 6 0は、 形成位置が異なる金属薄膜 6 1 a , 6 1 bが交互に積層され、 金属薄膜 6 1 aと金属薄膜 6 1 bとの間に樹脂 薄膜 6 2が積層されて構成される。 各樹脂薄膜 6 2の周囲面の 2箇所に は積層方向に連続する切り欠き部 6 3 a， 6 3 bが離間して形成されて レヽる。 図 7 A〜図 7 Eでは、 切り欠き部 6 3 a， 6 3 bは、 対向する 2 辺に、 略半円筒形状に形成されている。 切り欠き部 6 3 aは金属薄膜 6 1 aの形成領域内であって、 金属薄膜 6 1 bの形成領域外に形成され、 切り欠き部 6 3 a内に充填された金属薄膜 6 1 aの材料を介して上下に 積層された金属薄膜 6 1 aが電気的に接続される。 また、 切り欠き部 6 3 bは金属薄膜 6 1 bの形成領域内であって、 金属薄膜 6 1 aの形成領 域外に形成され、 切り欠き部 6 3 b内に充填された金属薄膜 6 1 bの材 料を介して上下に積層された金属薄膜 6 1 bが電気的に接続される。 こ れにより、 金属薄膜 6 1 aと金属薄膜 6 1 bとは絶縁される。 最下層の 金属薄膜 6 1 a， 6 1 bの下の切り欠き部 6 3 a , 6 3 bには金属薄膜 6 1 a , 6 1 bの材料と同一材料が充填されている。 最上層の金属薄膜 6 1 a , 6 1 bの上の切り欠き部 6 3 a , 6 3 bには、 必要に応じて導 電性材料 6 4 a， 6 4 bが充填される。 切り欠き部 6 3 a， 6 3 bが形 成された 2側面を除く他の 2側面には金属薄膜 6 1 a , 6 1 bが露出し ないように、 金属薄膜 6 1 a , 6 1 bは樹脂薄膜 6 2の形成領域より小 さい領域内に形成されている。

かく して、 切り欠き部 6 3 a , 6 3 bが形成された 2側面及び上下面 に露出した金属薄膜材料又は導電性材料 6 4 a， 6 4 bを電極取り出し 部 （取り出し電極） とし、 それぞれに異なる電位を付与すると、 金属薄 膜 6 1 a， 6 1 bを電極とし、 樹脂薄膜 6 2を誘電体層とするコンデン サを構成することができる。

外表面に露出した切り欠き部 6 3 a , 6 3 b内の金属薄膜材料及び Z 又は導電性材料 6 4 a， 6. 4 b上には、 金、 銀、 アルミニウム、 銅、 半 田、 導電性ペースト、 導電性高分子等からなる電極端子 （突起 （バンプ ) 電極） を形成してもよい。

本実施の形態のコンデンサも、 実施の形態 A— 4と同様に、 図 6 A , 図 6 Bのように実装することができ、 同様の効果が得られる。

図 7 A〜図 7 Eでは、 最上層の金属薄膜 6 1 a， 6 1 bの上にも切り 欠き部 6 3 a， 6 3 bを形成し、 導電性材料 6 4 a， 6 4 bを充填し、 上面からも電極取り出し可能に構成したが、 最上層の金属薄膜 6 1 a , 6 1 bの上の切り欠き部はなくてもよい。

図 7 A〜図 7 Eでは、 コンデンサ用の積層体を例に説明したが、 コン デンサ以外の用途、 例えば、 コイル、 ノイズフィルタ、 積層回路基板等に 使用することもできる。 この場合には、 当該用途に応じて積層構成や金 属薄膜と取り出し電極との接続形態を変更することができる。

また、 切り欠き部 6 3 a， 6 3 bの形成位置も図 7 A〜図 7 Eの例に 限定されない。 例えば、 対向する 2側面に形成するのではなく、 4隅う ちの 2隅に形成してもよい。

B . 積層体及ぴコンデンサの製造方法及ぴ製造装置について

次に、 上記 A項で説明した積層体及びコンデンサの製造方法及び製造 装置について説明する。

本第 I発明の積層体及びコンデンサを製造する基本的な工程は、 ①支 持体上に樹脂薄膜と金属薄膜とを交互に積層する工程 （交互積層工程） と、 ②得られた積層体 （積層体母素子） を所定位置で積層方向に切断す る工程 （切断分離工程） とからなる。

交互積層工程において積層される金属薄膜は、 所定形状にパターニン グされる。 金属薄膜をパターユングするには、 i)金属薄膜の積層前にォ ィルを所定形状に付与するオイルパターユング法、 又は ii)金属薄膜積 層後に積層した金属薄膜にレーザ光を照射して金属薄膜材料を除去する レーザパターユング法、 又は iii)前記の両者の組み合わせ、 により達成 可能である。

実施の形態 A— 1 (図 1 A〜図 1 E) に示した貫通孔 1 3 a， 1 3 b の形成及び導電性材料 14 a， 14 bの充填、 実施の形態 A— 4 (図 5 A〜図 5 E) に示した切り欠き部 5 3 a， 53 bの形成及び導電性材料 54 a , 54 bの充填、 及び実施の形態 A_ 3 (図 4A， 図 4 B) に示 した貫通電極 37の形成は、 上記交互積層工程が終了後であって切断分 離工程開始前に、 レーザ光等により積層方向に孔を形成し、 次いで該孔 に導電性材料を充填することで達成できる。 あるいは、 交互積層工程に おいて、 樹脂薄膜及び/又は金属薄膜を積層するたびに、 レーザ光等を 照射して所定位置の樹脂薄膜及び金属薄膜を除去し、 積層方向に連続す る孔を形成し、 交互積層工程終了後に、 得られた貫通孔に導電性材料を 充填してもよい。

また、 実施の形態 A— 2 (図 3 A〜図 3 E) に示した樹脂薄膜 2 l a , 2 1 bを貫通する貫通孔 23 a , 23 bの形成、 実施の形態 A— 5 ( 図 7A〜図 7 E) に示した樹脂薄膜 6 1 a， 62 bに形成された切り欠 き部 6 3 a， 6 3 bの形成は、 交互積層工程において、 樹脂薄膜積層後 であって、 金属薄膜積層前に、 新たに積層した樹脂薄膜の所定位置のみ をレーザ光等により除去して樹脂薄膜に貫通孔を形成し、 その後金属薄 膜を積層すれば、 該貫通孔を介して上下の金属薄膜同士を接続させるこ とができる。

本第 I発明の製造方法と製造装置は、 上記の各種方法を取捨選択して 組み合わせることにより複数の実施形態が可能である。 以下に、 代表的 な実施形態を例示する。

(実施の形態 B— 1) 図 8は、 本発明の実施の形態 B— 1にかかる積層体の製造方法を実施 するための製造装置の一例を示した概略断面図である。 本実施形態では 、 金属薄膜のパターニングをオイルパターユング法で行ない、 貫通孔又 は切り欠き部の形成を交互積層工程終了後にレーザ加工装置を用いて行 なう。

図 8において、 1 0 0は本実施の形態の製造装置、 1 1 5は真空槽、 1 1 6は真空槽 1 1 5内部を所定の真空度に維持する真空ポンプ、 1 1 1は真空槽 1 1 5内に設置された、 図中の矢印 1 1 1 aの方向に回転す る円筒形状のキャンローラ、 1 1 2は樹脂薄膜形成装置、 1 3 0 a , 1 3 0 bはパターユング材料付与装置 （ノズル）、 1 1 4は金属薄膜形成 装置 （金属材料供給源）、 1 1 7はパターニング材料除去装置、 1 1 8 は樹脂硬化装置、 1 1 9は表面処理装置、 1 20は金属薄膜形成領域を 他の領域と区別するための隔壁、 1 2 1は隔壁 1 20に設けられた開口 、 1 2 3は必要時以外に金属薄膜が形成されるのを防止するために、 移 動方向 1 2 3 aの方向に移動して開口 1 2 1を開閉する遮蔽板、 1 2 5 はレーザ加工装置、 1 27はプラズマ照射装置である。

キャンローラ 1 1 1を回転させることにより、 キャンローラ 1 1 1の 外周面上に、 樹脂薄膜形成装置 1 1 2による樹脂薄膜と、 金属薄膜形成 装置 1 14による金属薄膜とが交互積層された積層体を形成できる。

このとき、 一対のパターユング材料付与装置 1 30 a , 1 30 bを用 いて、 金属薄膜形成前に樹脂薄膜表面にパターニングオイルを所定形状 で付与しておくことにより、 任意形状にパターユングされた金属薄膜を 形成できる。

パターユング材料付与装置 1 3 0 aとパターニング材料付与装置 1 3 0 bの基本構成は同一である。 図 9A, 図 9 Bにパターユング材料付与 (ノズル） 1 3 0 a， 1 3 0 bの概略構成を示す。 図 9 Aはキャン ローラ 1 1 1側から見た正面図、 図 9 Bは図 9 Aの B— B線での断面図 である。 図 9 A中、 矢印 1 1 1 bはキャンローラ 1 1 1の外周面の移動 方向を示す。

パターニング材料付与装置 1 30 a， 1 30 bは、 液体状態のパター ユング材料 （オイル） 1 37を保持する貯蔵槽 1 34と、 気化したパタ 一ユング材料を保持するキヤビティ 1 33とを有する。 貯蔵槽 1 34と キヤビティ 1 3 3とは連結路 1 35で接続されている。 キャンローラ 1 1 1側に面する対向面 1 32には、 キヤビティ 1 33と接続した複数 （ 図 9A， 図 9 Bでは 5つ） の微細孔 1 3 1が形成されている。 複数の微 細孔 1 3 1は、 キャンローラ 1 1 1の移動方向 1 1 1 bと略平行に所定 距離を隔てて等間隔に配置されている。 パターニング材料付与装置 1 3 0 a , 1 30 bはパターユング材料 （オイル） 1 3 7の気化温度以上に 加熱されており、 貯蔵槽 1 34内のパターユング材料 1 37は気化して 、 キヤビティ 1 33に移動し、 微細孔 1 3 1からキャンローラ 1 1 1の 外周面に向けて放出される。 放出されたパターニング材料はキャンロー ラ 1 1 1の外周面上で液化して、 パターユング材料の液膜が形成される 図 8に示した本実施形態の製造装置では、 一対のパターニング材料付 与装置 1 30 a , 1 30 bを、 それぞれキャンローラ 1 1 1の回転軸方 向と略平行 （キャンローラ 1 1 1の外周面の移動方向 1 1 1 bと略直角 方向） に往復移動させる。 そして、 パターニング材料付与装置 1 30 a によってキャンローラ 1 1 1の外周面上に形成された複数本のパター二 ング材料のストライプと、 パターユング材料付与装置 1 30 bによって キャンローラ 1 1 1の外周面上に形成された複数本のパターニング材料 のストライプとを交差させる。

図 1 0は、 一対のパターユング材料付与装置 1 30 a， 1 30 bによ つてキャンローラ 1 1 1の外周面上に形成されたパターユング材料のス トライプパターンの一例の展開図である。 矢印 1 l i bはキャンローラ 1 1 1の外周面の移動方向を示す。 実線 1 3 8 aは、 パターユング材料 付与装置 1 3 0 aによってキャンローラ 1 1 1の外周面上に形成された 5本のパターユング材料のストライプを示し、 点線 1 3 8 bは、 パター ユング材料付与装置 1 3 0 bによってキャンローラ 1 1 1の外周面上に 形成された 5本のパターユング材料のストライプを示す。 図示したよう に、 一対のパターユング材料付与装置 1 3 0 a， 1 3 0 bを、 それぞれ キャンローラ 1 1 1の回転軸方向と略平行に所定速度で同期させながら 往復移動さることで、 キャンローラ 1 1 1の外周面上にパターニング材 料の格子状の付与パターンを形成することができる。 特に、 パターニン グ材料付与装置 1 3 0 a， 1 3 0 bの移動速度をキャンローラ 1 1 1の 外周面の移動速度と略同一とすると、 各パターニング材料付与装置 1 3 0 a , 1 3 0 bによって形成されるストライプと移動方向 1 1 1 bとが なす角度を略 4 5度とすることができる。 その結果、 ストライプ 1 3 8 a , 1 3 8 bが略直交する格子状の付与パターンを得ることができる。 その後、 金属薄膜形成装置 1 1 4で金属薄膜を形成すると、 パター二 ング材料が付与された部分には金属薄膜は形成されないから、 格子状に パターエングされた矩形状の金属薄膜を形成することができる。

更に、 キャンローラ 1 1 1が 1回転した後に形成される格子状パター ンの形成位置が前回の格子状パターンの形成位置と同一位置とならない ように、 好ましくはストライプ 1 3 8 a， 1 3 8 bのいずれかと平行に 所定量だけシフトした位置に形成されるようにパターユング材料付与装 置 1 3 0 a， 1 3 0 bの移動を制御する。 加えて、 更に 1回転した後に 形成される格子状パターンの形成位置は、 前回の形成位置とは同様に一 致しないが、 前々回の形成位置とは一致するように、 パターニング材料 付与装置 1 3 0 a , 1 3 0 bの移動を制御する。 このよ うにすることで 、 格子状マージン部パターンが所定量だけずれた 2通りの金属薄膜を樹 脂薄膜を介して交互に積層することができる。 更に、 樹脂薄膜を挟む金 属薄膜は、 所定の対向部分を有するように、 パターン位置をずらしてお く。 該対向部分はコンデンサの静電容量形成領域を形成する。

レーザ加工装置 1 2 5は、 キャンローラ 1 1 1の外周面に向けてレー ザ光を照射する。 レーザ加工装置 1 2 5は図示しない走査装置を備えて おり、 キャンローラ 1 1 1の回転軸方向及び 又は外周面の走行方向の 任意の位置に、 キャンローラ 1 1 1の外周面の略法線方向に、 レーザ光 を照射することができる。 本実施形態では、 キャンローラ 1 1 1の外周 面上に樹脂薄膜と金属薄膜との交互積層体を形成した後、 キャンローラ

1 1 1を回転させながら、 その回転と同期させてレーザ光を所定位置に 照射する。 レーザ加工装置 1 2 5からのレーザ光は樹脂薄膜及び金属薄 膜の双方を加熱 ·溶融 （一部は更に蒸発） させて除去することができる 。 従って、 積層体を積層方向に貫通する貫通孔を形成できる。 樹脂薄膜 及び金属薄膜の双方を加工できるレーザ光源としては、 樹脂薄膜材料及 ぴ金属薄膜材料とこれらの厚み等にもよるが、 例えば、 C O ₂レーザ、 Y A Gレーザ、 エキシマレーザ、 グリーンレーザ等を用いることができ る。

プラズマ照射装置 1 2 7は、 レーザ加工装置 1 2 5の下流側に、 キヤ ンローラ 1 1 1の外周面に向けて設置される。 プラズマとしては、 酸素 プラズマ、 アルゴンプラズマ、 窒素プラズマなどが使用できるが、 レー ザ加工面の清浄化速度の点からは酸素プラズマが好ましい。

以下に、 図 8に示した装置を用いた交互積層工程について説明する。 真空槽 1 1 5の内部は真空ポンプ 1 1 6により例えば 2 X 1 0— ² P a程度に減圧される。 キャンローラ 1 1 1の外周面は好ましくは一 2 0〜4 0 °C、 特に好ま しくは一 1 0 〜 1 0 °Cに冷却される。 回転速度は自由に設定できるが、 1 5〜：！ O O r p m程度、 周速度は好ましくは 1 0 〜 3 0 0 m/m i n である。

樹脂薄膜形成装置 1 1 2は、 樹脂薄膜材料を加熱気化又は霧化させて キャンローラ 1 1 1の外周面に向けて放出する。 樹脂薄膜材料はキャン ローラ 1 1 1の外周面上で冷却され液膜を形成する。

樹脂薄膜材料としては、 このように堆積して薄膜を形成できるもので あれば特に限定されず、 得られる積層体の用途に応じて適宜選択できる 力 s、 反応性モノマー樹脂であるのが好ましい。 例えば、 アタリ レート樹 脂またはビュル樹脂を主成分とするものが好ましく、 具体的には、 多官 能 （メタ） アタリ レートモノマー、 多官能ビュルエーテルモノマーが好 ましく、 中でも、 シクロペンタジェンジメタノールジアタリレート、 シ ク口へキサンジメタノールジビュルエーテルモノマー等若しくはこれら の炭化水素基を置換したモノマーが電気特性、 耐熱性、 安定性等の点で 好ましい。 ここで、 「主成分」 とは、 上記の成分が樹脂薄膜材料中に 9 0重量％以上含有されることを言う。

堆積した樹脂薄膜材料は、 必要に応じて樹脂硬化装置 1 1 8により所 望の硬化度に硬化処理してもよい。 硬化処理としては、 樹脂薄膜材料を 重合及び/又は架橋する処理が例示できる。 樹脂硬化装置としては、 例 えば電子線照射装置、 紫外線照射装置、 又は熱硬化装置等を用いること ができる。 硬化処理の程度は、 製造する積層体の要求特性により適宜変 更すれば良いが、 例えば硬化度が 5 0 〜 9 5 %、 更には 5 0 〜 7 5 %に なるまで硬化処理するのが好ましい。 なお、 本発明の硬化度は、 赤外分 光光度計で C = 0基の吸光度と C 二 C基 （ 1 6 0 0 c m— ¹ ) の比をと り、 各々のモノマーと硬化物の比の値をとり、 減少分吸光度を 1から引 いたものと定義する。

形成された樹脂薄膜は、 必要に応じて表面処理装置 1 1 9により表面 処理される。 例えば、 酸素雰囲気下で放電処理又は紫外線照射処理等を 行って、 樹脂薄膜表面を活性化させて金属薄膜との接着性を向上させる ことができる。

次いで、 一対のパターユング材料付与装置 1 3 0 a， 1 3 0 bにより 、 樹脂薄膜上にパターユング材料を図 1 0に示したような格子状パター ンに付与する。 パターユング材料を薄く形成した後に、 金属薄膜を蒸着 などによつて形成すると、 パターニング材料上には金属薄膜が形成され ず、 マージン部が形成される。 このようにして所望のパターンを持つ金 属薄膜を形成することが出来る。

使用するパターニング材料としては、 エステル系オイル、 グリコール 系オイル、 フッ素系オイル及び炭化水素系オイルよりなる群から選ばれ た少なくとも一種のオイルであることが好ましい。 更に好ましくは、 ェ ステル系オイル、 グリコール系オイル、 フッ素系オイルであり、 特に、 フッ素系オイルが好ましい。 上記以外のパターニング材料を使用すると 、 積層表面の荒れ、 樹脂薄膜や金属薄膜のピンホール、 金属薄膜の形成 境界部分の不安定化等の問題を生じることがある。

パターユング材料を付与した後、 金属薄膜形成装置 1 1 4により金属 薄膜を積層する。 金属薄膜の積層方法としては、 蒸着、 スパッタリング 、 イオンプレーティング等周知の真空プロセス手段が適用できるが、 本 発明では蒸着、 特に電子ビーム蒸着が耐湿性の優れた膜が生産性良く得 られる点で好ましい。 金属薄膜の材料としては、 アルミニウム、 銅、 亜 鉛、 ニッケル、 鉄、 コバルト、 シリ コン、 ゲルマニウム若しくはその化 合物、 若しくはこれらの酸化物、 若しくはこれらの化合物の酸化物など が使用できる。 中でも、 アルミニウムが接着性と経済性の点で好ましい 。 なお、 金属薄膜には、 上記以外の他成分を含むものであっても構わな レ、。 また、 金属薄膜を一種とせず、 例えば A 1層と C u層の混入とする ことによって特性の補完がなされ、 使用条件によっては高性能化が図れ る場合もあり うる。 なお、 金属薄膜の形成を中断する場合は、 開口 1 2 1を遮蔽板 1 2 3で塞ぐ。

その後、 パターユング材料除去装置 1 1 7により余剰のパターニング 材料が除去される。 パターニング材料の大部分は金属薄膜の形成の際に 蒸発して消失してしまうが、 一部は金属薄膜の積層後も残存する。 残存 したパターユング材料は、 積層表面の荒れ、 樹脂薄膜や金属薄膜のピン ホール （積層抜け）、 金属薄膜の形成境界部分の不安定化等の問題を発 生させる。 パターユング材料の除去方法は特に制限はなく、 使用するパ ターニング材料等に応じて選択すればよいが、 例えば光照射や電熱ヒー タによる加熱除去、 プラズマ照射、 イオン照射、 電子照射による分解除 去などにより行なうことができる。

以上の製造装置 1 0 0によれば、 開口 1 2 1を開いた状態では、 周回 するキャンローラ 1 1 1の外周面上に、 樹脂薄膜形成装置 1 1 2による 樹脂薄膜と、 金属薄膜形成装置 1 1 4による金属薄膜とが交互に積層さ れた積層体が製造され、 また、 開口 1 2 1を遮蔽した状態では、 周回す るキャンローラ 1 1 0の外周面上に、 樹脂薄膜形成装置 1 1 2による樹 脂薄膜が連続して積層された積層体が製造される。

さらに、 上記のように、 キャンローラ 1 1 1の回転と同期させてパタ 一ユング材料付与装置 1 3 0 a , 1 3 0 bの往復移動を制御することに より、 金属薄膜の格子状マージン部パターンの位置を、 樹脂薄膜を介し て交互に 2通りに変化させることができる。

樹脂薄膜及び金属薄膜の積層を終了後、 キャンローラ 1 1 1の外周面 上に積層体を積層した状態で、 レーザ加工装置 1 2 5を用いて積層体に 貫通孔を形成する。 具体的には、 キャンローラ 1 1 1を回転させながら

、 その回転と同期させてレーザ光を走査して、 所定位置にレーザ光を照 射する。

貫通孔の形成後、 プラズマ照射装置 1 2 7で貫通孔内壁面にプラズマ を照射するのが好ましい。 貫通孔内壁面をプラズマ処理することにより 、 内壁面に露出した樹脂薄膜材料が除去されて、 金属薄膜の露出量が増 加する。 この結果、 後に貫通穴内に導電性材料を充填した際に、 導電性 材料と金属薄膜との電気的接続の信頼性を向上させることができる。 図 1 1に、 キャンローラ 1 1 1の外周面上に形成された積層体の展開 平面図を示す。 図 1 1において矢印 1 1 1 bはキャンローラ 1 1 1の外 周面の移動方向を示す。

略格子状にパターニングされた金属薄膜 3 1 aと金属薄膜 3 1 bとが 樹脂薄膜を介して交互に積層されている。 金属薄膜 3 1 aの略格子状の マージン部パターンと金属薄膜 3 1 bの略格子状のマージン部パターン とはほぼ同一であり、 両パターンは、 金属薄膜 3 1 aと金属薄膜 3 1 b とが積層方向に所定の重なり部分を有するように、 ずらして形成される 。 金属薄膜 3 1 aと金属薄膜 3 1 bとの重なり部分がコンデンサとして 使用する場合の静電容量形成領域を形成する。 · 積層方向の貫通孔 3 3 aは、 金属薄膜 3 1 aを貫通し、 金属薄膜 3 1 bは貫通しない位置に形成される。 また、 積層方向の貫通孔 3 3 bは、 金属薄膜 3 1 bを貫通し、 金属薄膜 3 1 aは貫通しない位置に形成され る。

積層体をキャンローラ 1 1 1から剥離して、 平板プレスした後、 貫通 孔 3 3 a , 3 3 bに導電性材料 （例えば、 金属粒子を含有する周知の導 電性樹脂） を充填して積層体母素子を得る。

次に、 切断分離工程を行なう。 金属薄膜 3 1 a , 3 1 bが形成されて いないマージン部に沿って、 即ち切断面 7 l a , 7 l bで積層方向に切 断する。 これにより、 実施の形態 A— 1 (図 1 A〜図 1 E ) に示したよ うな積層体を得ることができる。

以上のように、 本実施の形態によれば、 切断面 7 1 a， 7 l bが金属 薄膜 3 1 a， 3 1 bの形成領域を含まない。 即ち、 金属薄膜 3 1 a， 3 1 bを切断しないので、 金属薄膜を切断する際に生じるバリや切りくず が発生しない。 また、 金属薄膜を切断しないので切断力が小さくてすみ 、 また、 切断時に積層体の変形や金属薄膜の破断が生じにくい。 また、 切断面に金属薄膜が露出しないので、 外装を施さなくても金属薄膜の腐 食が発生しにくい。

また、 貫通孔 3 3 a， 3 3 bの形成はレーザ加工装置 1 2 5を用いて 行なうので、 加工時に金属薄膜や樹脂薄膜に機械的外力が付与されない 。 従って、 積層体の変形や金属薄膜の破断が生じることもない。

なお、 上記のようにして得た積層体の外表面に必要に応じて外装や着 色を施すことはもちろん可能である。

上記において、 交互積層工程の最初の段階及び最後の段階に、 開口 1 2 1を閉じて樹脂薄膜のみを連続して積層した所定厚さの保護層を形成 してもよレ、。

上記において、 切断面 7 1 aに代えて、 切断面 7 1 aと平行で、 貫通 孔 3 3 a及び貫通孔 3 3 bのそれぞれの略中心を通る面を切断面とする ことで、 実施の形態 A— 4 (図 5 A〜図 5 E ) に示した積層体を得るこ とができる。 この場合、 該切断面で金属薄膜 3 1 a， 3 l bを切断する ことになるが、 切断面内に切り欠き部 5 3 a , 5 3 bやマージン部を含 むので実際の金属薄膜 3 l a , 3 1 bの切断面積は減少する。 また、 他 方の切断面 7 1 bでは金属薄膜 3 1 a， 3 1 bを切断することはない。 従って、 従来のコンデンサの製造方法における分離切断工程と比較すれ ば、 金属薄膜の切断面積を少なくすることができる。 よって、 金属薄膜 を切断する際に生じるパリや切りくずの発生を少なくすることができる 。 また、 切断力を小さくでき、 また、 切断時に積層体の変形や金属薄膜 の破断が生じにくレ、。 また、 切り欠き部 5 3 a , 5 3 bの形成面以外の 周囲面に金属薄膜が露出しないので、 金属薄膜の腐食が発生しにくレ、。

さらに、 実施の形態 A— 3 (図 4 A) に示したアレイコンデンサ （コ ンデンサ要素 3 6を実施の形態 A— 1のコンデンサとした実施形態） を 得るには以下のようにすればよい。 即ち、 上記において、 金属薄膜 3 1 a , 3 1 bが形成されていないマージン部領域内の所定位置にも必要に 応じて貫通孔 （第 2の貫通孔） を形成し、 該第 2の貫通孔にも同様に導 電性材料を充填して、 貫通電極を形成する。 その後、 金属薄膜 3 1 a , 3 1 b及ぴ貫通電極を切断しないように、 マージン部領域で切断する。 この場合も、 金属薄膜 3 l a , 3 1 bを切断しないので、 金属薄膜を切 断する際に生じるバリや切りくずが発生しない。 また、 金属薄膜を切断 しないので切断力が小さくてすみ、 また、 切断時に積層体の変形や金属 薄膜の破断が生じにくい。 また、 切断面に金属薄膜が露出しないので、 外装を施さなくても金属薄膜の腐食が発生しにくレ、。

(実施の形態 B _ 2 )

本実施の形態は、 上記の実施の形態 B— 1と以下の点で相違する。 即 ち、 実施の形態 B— 1では、 交互積層工程の終了後に、 レーザ加工装置 1 2 5を用いてレーザ光を照射して積層体に貫通孔を形成したが、 本実 施の形態 B— 2では、 交互積層工程中にレーザ光を照射する。

具体的には、 キャンローラ 1 1 1が 1回転することにより新たに積層 された樹脂薄膜及び金属薄膜にレーザ加工装置 1 2 5を用いてレーザ光 を照射して所定位置の樹脂薄膜及び金属薄膜を除去する。 キャンローラ 1 1 1の回転に同期させてレーザ光を走査することで、 積層方向におけ るレーザ光の照射位置を一致させる。 これにより積層方向に連続する孔 を形成でき、 結果的に積層方向の貫通孔を形成することができる。 貫通 電極を形成する場合には、 樹脂薄膜の金属薄膜が形成されていない領域 にレーザ光を照射して、 貫通電極用の貫通孔 （第 2の貫通孔） を加工す ればよレ、。

本実施の形態においても、 プラズマ照射装置 1 2 7を用いて貫通孔内 壁面をプラズマ処理することが好ましい。 プラズマ処理は交互積層工程 中に随時行なうこともでき、 あるいは、 交互積層工程終了後に行なうこ ともできる。

本実施の形態では、 交互積層工程内の所定の時期にレーザ加工装置 1 2 5による穴加工を停止することにより、 非貫通孔を容易に形成するこ とができる。 例えば、 積層体の上層及ぴ Z又は下層に樹脂薄膜のみが連 続積層された保護層を形成する場合において、 上下のいずれかの保護層 部分には孔加工を行なわないことにして、 取り出し電極を上下面のいず れか一方のみに形成したコンデンサを得ることができる。

上記以外は実施の形態 B— 1と同様である。

(実施の形態 B— 3 )

本実施の形態は、 以下の点で実施の形態 B— 2と相違する。 即ち、 本 実施の形態 B— 3では、 レーザ加工装置 1 2 5として、 樹脂薄膜を除去 でき、 金属薄膜を除去できない特性を有するレーザ加工装置を使用する 。 このような特性を有するレーザ光源としては、 樹脂薄膜材料及び金属 薄膜材料にもよるが、 例えば、 C O ₂レーザなどの波長の比較的長いレ 一ザを用いることができる。

交互積層工程において、 金属薄膜形成装置 1 1 4により金属薄膜を、 次いで樹脂薄膜形成装置 1 1 2により樹脂薄膜を順に積層した後、 レー ザ加工装置 1 2 5を用いて所定位置にレーザ光を照射する。 レーザ加工 装置 1 2 5によるレーザ光は樹脂薄膜を除去し照射位置に樹脂薄膜を貫 通する貫通孔を形成する。 樹脂薄膜の下に金属薄膜がある場合、 レーザ パワーを所定の値以下に制御すればレーザ光は該金属薄膜に対しては何 ら作用しない。 その後、 樹脂薄膜に形成された貫通孔を含む領域に金属 薄膜を形成すると、 該貫通孔を介して樹脂薄膜の上下の金属薄膜が接続 される。

実施の形態 B— 1， B - 2と同様に、 キャンローラ 1 1 1が 1回転す るたびに金属薄膜の格子状マージン部パターン位置を変化させる。 樹脂 薄膜に形成する貫通孔の位置を、 一層毎に変化する金属薄膜の格子状パ ターン位置に対して適切に設定することにより、 1層おきの金属薄膜が 樹脂薄膜に形成された貫通孔で接続された積層体母素子が得られる。 この積層体母素子を実施の形態 B— 1 , B— 2と同様に図 1 1の切断 面 7 1 a， 7 l bで切断する。 これにより、 実施の形態 A _ 2 (図 3 A 〜図 3 E ) に示したような積層体を得ることができる。 また、 切断面 7 1 aに代えて、 切断面 7 1 aと平行で、 貫通孔 3 3 a及ぴ貫通孔 3 3 b のそれぞれの略中心を通る面を切断面とすることで、 実施の形態 A— 5 (図 7 A〜図 7 E ) に示した積層体を得ることができる。

本実施の形態では、 交互積層工程において、 樹脂薄膜に貫通孔を形成 後、 金属薄膜を形成することにより、 貫通孔内に金属薄膜材料が充填さ れる。 このため、 樹脂薄膜に形成した貫通孔を介して金属薄膜が順に接 続されていくから、 実施の形態 B— 1， B— 2のように貫通孔に導電性 材料を充填する'必要はない。 但し、 積層体母素子の上表層の樹脂薄膜に 孔が形成され、 その孔の底部に金属薄膜が露出している場合は、 該孔に 導電性材料を該金属薄膜と接続するように充填することが好ましい。 こ れにより、 充填した導電性材料を介することで電極取り出しを容易に行 なえる。 また、 交互積層工程において、 金属薄膜を形成しない領域にレーザ光 を照射して貫通孔 （第 2の貫通孔） を形成し、 該貫通孔を積層方向に連 続させる。 これにより、 金属薄膜を貫通しない貫通孔を有する積層体母 素子が得られる。 該貫通孔に実施の形態 B— 1， B— 2と同様に導電性 材料を充填し、 マージン部領域で切断すると、 実施の形態 A— 3に示し た貫通電極を備えたアレイコンデンサ （コンデンサ要素 3 6を実施の形 態 A— 2のコンデンサとした実施形態） を得ることができる。

本実施の形態においても、 交互積層工程中にプラズマ照射装置 1 2 7 を用いて貫通穴内壁面をプラズマ処理することが好ましい。

本実施の形態では、 実施の形態 B— 2と同様に、 交互積層工程内の所 定の時期にレーザ加工装置 1 2 5による穴加工を停止してもよい。 例え ば、 積層体の上層及び/又は下層に樹脂薄膜のみが連続積層された保護 層を形成する場合において、 上下のいずれかの保護層部分には孔加工を 行なわないことにして、 電極取り出し面を上下面のいずれか一方のみと したコンデンサを得ることができる。

'上記以外は実施の形態 B— 2と同様である。

(実施の形態 B— 4 )

本実施の形態 B— 4は、 金属薄膜のパターエングをレーザ光を用いた レーザパターユング法により行なう点で、 オイルパター-ング法により 行なう上記の実施の形態 B— 1〜B— 3と相違する。

図 1 2は、 本発明の実施の形態 B— 4にかかる積層体の製造方法を実 施するための製造装置の一例を示した概略断面図である。 図 8と同一の 構成要素には同一の符号を付して重複する説明を省略する。

本実施の形態では、 実施の形態 B— 1〜B— 3において金属薄膜のパ ターニングのために使用したパター-ング材料付与装置 1 3 0 a， 1 3 0 b及びパターユング材料除去装置 1 1 7 (図 8参照） の代わりに、 レ 一ザパターユング装置 1 4 0を使用する。 レーザパターユング装置 1 4 0は、 金属薄膜形成装置 1 1 4の下流側であって、 樹脂薄膜形成装置 1 1 2の上流側に設置される。

金属薄膜形成後、 レーザパターニング装置 1 4 0を用いて金属薄膜表 面にレーザ光を照射して、 照射箇所の金属薄膜を加熱 ·溶融 （一部は更 に蒸発） させて除去し、 マージン部を形成する。

レーザパターユング装置 1 4 0から発射されるレーザ光は、 レーザ加 ェ装置 1 2 5からのレーザ光と異なり、 金属薄膜に対してのみ作用し、 樹脂薄膜に対しては何ら作用しない特性を有する必要がある。 係る特性 をレーザ光源としては、 樹脂薄膜材料及び金属薄膜材料にもよるが、 例 えば、 Y A G (Yttrium Aluminum Garnet) レーザ、 グリーンレーザ 、 エキシマレーザなどの比較的波長の短いレーザ光が望ましい。 長波長 レーザ光は、 金属薄膜表面で反射してしまう。 また、 レーザ光源の出力 は、 除去しようとする金属薄膜の種類や厚さに応じて選択することがで さる。

レーザ光は、 所望するマージン部の形状パターンに応じて照射する。 マージン部の形状パターンによっては複数のレーザ光源を用いることも できる。 例えば、 金属薄膜を格子状マージン部を有するようにパター二 ングする場合には、 以下のようにすればよい。 第 1のレーザ光源からの 光をプリズムを用いてキャンローラ 1 1 1の回転軸と平行方向に複数に 分割してキャンローラ 1 1 1の外周面に向かって照射して、 キャンロー ラ 1 1 1の外周面の走行方向に連続する帯状のマージン部を複数本形成 する。 第 2のレーザ光源からの光を周知の方法で上記第 1のレーザ光源 による帯状のマージン部と交差するように走査する。

本実施の形態のように、 金属薄膜のパター-ングをレーザパターニン グ法で行なうと、 任意形状のパターニングを容易に作成することができ る。 また、 実施の形態 B— 1〜B— 3のオイルパターユング法では、 キ ヤンローラ 1 1 1の外周面の走行方向に対して斜めのマージン部が形成 されるが、 本実施の形態のレーザパターユング法ではキャンローラ 1 1 1の外周面の走行方向と平行方向及ぴ直角方向のマージン部を形成する ことができる。

キャンローラ 1 1 1の回転に伴って、 レーザパターユング装置 1 4 0 により格子状にパターエングされた金属薄膜上に、 樹脂薄膜形成装置 1 1 2により樹脂薄膜が積層され、 さらにその上に金属薄膜形成装置 1 1 4により金属薄膜が積層される。 その後、 再度レーザパターニング装置 1 4 0により表層の金属薄膜を格子状にパターユングするが、 このとき の格子状パターンの形成位置を前回の格子状パターンの形成位置に対し て所定量だけずらして形成する。 加えて、 更にキャンローラ 1 1 1が 1 回転して積層された金属薄膜に対して形成される格子状パターンの形成 位置を、 前回の格子状パターン形成位置に対して所定量だけずらし、 か つ前々回の格子状パターン形成位置と同一位置になるようにする。 この ようにすることで、 格子状パターン位置が所定量だけずれた 2通りの金 属薄膜を樹脂薄膜を介して交互に積層することができる。

このようにして、 キャンローラ 1 1 1の外表面上に図 1 1に示したの と同様の積層体を得ることができる。 但し、 本実施の形態では、 キャン ローラ 1 1 1の外周面の走行方向 1 1 1 bと格子状パターン方向との相 対的関係は図 1 1に示すものに限定されないことは上述の通りである。 上記以外は実施の形態 B—：！〜 B— 3のいずれかと同様にして、 実施 の形態 A— 1， A— 2， A— 4 , A— 5に示した積層体 （又はコンデン サ）、 あるいは実施の形態 A— 3に示したァレイコンデンサを得ること ができる。

(実施の形態 B— 5 ) 本実施の形態 B— 5は、 金属薄膜のパターニングをオイルパターニン グ法とレーザパターエング法とを併用して行なう点で、 オイルパター二 ング法により行なう上記の実施の形態 B— 1〜； B— 3と、 またレーザパ ターニング法により行なう実施の形態 B— 4と、 それぞれ相違する。 図 1 3は、 本発明の実施の形態 B— 5にかかる積層体の製造方法を実 施するための製造装置の一例を示した概略断面図である。 図 8、 図 1 2 と同一の構成要素には同一の符号を付して重複する説明を省略する。 本実施の形態では、 パターニング材料付与装置 1 4 2を、 樹脂薄膜形 成装置 1 1 2の下流側であって、 金属薄膜形成装置 1 1 4の上流側に設 置する。 パターユング材料付与装置 1 4 2は、 オイルパターエング法に より複数の帯状のマージン部を形成する。 また、 レーザパターニング装 置 1 4 0を、 金属薄膜形成装置 1 1 4の下流側であって、 樹脂薄膜形成 装置 1 1 2の上流側に設置する。 レーザパター-ング装置 1 4 0は、 パ ターニング材料付与装置 1 4 2による帯状のマージン部と交差するよう なマージン部をレーザパターユング法により形成する。

パターユング材料付与装置 1 4 2には、 キャンローラ 1 1 1の外周面 に向けて形成された微細孔が、 キャンローラ 1 1 1の外周面の走行方向 と直角方向に所定間隔を隔てて複数個配置されている。 パターニング材 料付与装置 1 4 2の内部で気化されたパターニング材料は該微細孔から 放出されてキャンローラ 1 1 1上に積層された樹脂薄膜上に付着して、 キャンローラ 1 1 1の外周面の走行方向に平行な複数の帯状の液膜を形 成する。

その後、 金属薄膜形成装置 1 1 4により金属薄膜を積層すると、 バタ 一二ング材料の液膜部分に対応する帯状のマージン部が形成される。 次いで、 レーザパターユング装置 1 4 0を用いて、 レーザ光を上記帯 状のマージン部と交差するように走査して金属薄膜に照射して、 マージ ン部を形成する。 これにより、 所望する格子状にパターユングされた金 属薄膜を形成することができる。

本実施の形態においても、 ある層の金属薄膜の格子状パターンの形成 位置を、 その下に樹脂薄膜を介して形成された金属薄膜の格子状パター ンの形成位置に対して所定量だけずらし、 かつ、 さらにその下に樹脂薄 膜を介して形成された金属薄膜の格子状パターンの形成位置と一致させ る。 即ち、 格子状パターン位置が所定量だけずれた 2通りの金属薄膜を 樹脂薄膜を介して交互に積層する。 これを実現するためには例えば以下 のようにすればよい。 第 1の方法として、 キャンローラ 1 1 1が 1回転 するとパターニング材料付与装置 1 4 2をキャンローラ 1 1 1の回転軸 方向に所定量だけ移動させ、 次の 1回転後にもとの位置に戻すという往 復運動を行なう。 あるいは、 第 2の方法としてキャンローラ 1 1 1が 1 回転するとレーザパターユング装置 1 4 0によるレーザ光の照射位置を その走査方向と直角方向に所定量だけずらし、 次の 1回転後にもとの位 置に戻すという動作を行なってもよい。

このようにして、 キャンローラ 1 1 1の外表面上に図 1 1に示したの と同様の積層体を得ることができる。 但し、 本実施の形態では、 金属薄 膜の格子状パターンの縦横いずれかのマージン部の方向はキャンローラ

1 1 1の外周面の走行方向 1 1 1 bと一致する。 なお、 パターニング材 料付与装置 1 4 2をキャンローラ 1 1 1の回転軸方向と平行な方向に移 動させることにより、 又はレーザパターニング装置 1 4 0によるレーザ 光の走査条件を調整することにより、 金属薄膜の格子状パターンのマー ジン部の方向を、 キャンローラ 1 1 1の外周面の走行方向 1 1 1 bと任 意の角度で交差させることもできる。 マージン部の方向の設定は、 設備 規模及び使用するレーザの走查速度などを考慮して決定される。

上記以外は実施の形態 B— 1〜B— 3のいずれかと同様にして、 実施 の形態 A— 1， A— 2 , A— 4， A— 5に示した積層体 （又はコンデン サ）、 あるいは実施の形態 A— 3に示したアレイコンデンサを得ること ができる。

(実施の形態 B— 6 )

本実施の形態 B— 6では、 実施の形態 B— 1〜B— 5で使用した円柱 状のキャンローラ 1 1 1に代えて正多角柱形状の支持体を用い、 これを 断続的に回転させて、 その外周に積層体を形成する。

図 1 4は、 本発明の実施の形態 B— 6にかかる積層体の製造方法を実 施するための製造装置の一例の主要構成要素を示した概略断面図である 。 図 1 4において、 図 8 , 1 2， 1 3と同一の構成要素には同一の符号 を付して重複する説明を省略する。

本実施の形態では、 正 8角柱形状の支持体 2 1 1の外周面に積層体を 形成する。 支持体 2 1 1は回転方向 2 1 1 aの向きに 4 5度ずつ断続的 に回転する。

金属薄膜のパターニングはパターユング材料付与装置 2 2 0 , 2 3 0 を用いてオイルパターニング法により行なう。

第 1のパターユング材料付与装置 2 2 0には、 微細孔 2 2 2が、 支持 体 2 1 1の外周面に向けて、 紙面垂直方向 （支持体 2 1 1の外周面の幅 方向） に所定ピッチで複数形成されている。 支持体 2 1 1の回転が停止 しているとき、 装置内で気化されたパターング材料を微細孔 2 2 2から 放出しながら、 パターユング材料付与装置 2 2 0は移動方向 2 2 4の方 向に移動する。 この結果、 支持体 2 1 1の外周面上には外周面の移動方 向と平行な複数の帯状のパターニング材料の液膜が形成される。

その後、 支持体 2 1 1が 4 5度回転することにより、 第 1のパター二 ング材料付与装置 2 2 0によりパターユング材料が付与された支持体 2 1 1の外周面は、 第 2のパターニング材料付与装置 2 3 0と対向する。 第 2のパターニング材料付与装置 2 3 0には、 微細孔 2 3 2が、 支持 体 2 1 1の外周面に向けて、 支持体 2 1 1の外周面の移動方向に所定ピ ツチで複数形成されている。 支持体 2 1 1の回転が停止しているとき、 装置内で気化されたパターング材料を微細孔 2 3 2から放出しながら、 パターニング材料付与装置 2 3 0は紙面と垂直方向 （支持体 2 1 1の外 周面の幅方向） に移動する。 この結果、 支持体 2 1 1の外周面上には支 持体の幅方向に複数の帯状のパターニング材料の液膜が形成される。 第 1及ぴ第 2のパターニング材料付与装置 2 2 0， 2 3 0により略格 子状にパターニング材料の液膜が形成された支持体 2 1 1の外周面は、 支持体 2 1 1がさらに 4 5度回転することにより、 金属薄膜形成装置 1 1 4と対向し、 略矩形状にパターニングされた金属薄膜が形成される。 その後、 金属薄膜が形成された面は樹脂薄膜形成装置 2 4 0と対向す る。 樹脂薄膜形成装置 2 4 0は、 傾斜した加熱板 2 4 3 a , 2 4 3 bを 有する。 液状の樹脂薄膜材料 2 4 1は供給管 2 4 2を通って加熱板 2 4 3 a上に滴下され、 加熱板 2 4 3 a， 2 4 3 b上を順に流動しながら蒸 発する。 なお、 蒸発しきれなかった樹脂薄膜材料はトレイ 2 4 4に回収 される。 蒸発した樹脂薄膜材料は遮蔽板 2 4 5 aと遮蔽板 2 4 5 b， 2 4 5 cとの間を通過して支持体 2 1 1の外周面に付着して樹脂薄膜を形 成する。

以上のように、 正 8角柱形状の支持体 2 1 1が回転方向 2 1 1 aの向 きに 4 5度おきに断続的に回転することにより、 支持体 2 1 1の外周面 上に、 矩形状にパターニングされた金属薄膜と樹脂薄膜との交互積層体 を形成することができる。

本実施の形態においても、 金属薄膜の格子状パターン位置が所定量だ けずれた 2通りの金属薄膜を樹脂薄膜を介して交互に積層することでコ ンデンサ用の積層体を得ることができる。 金属薄膜の格子状パターンを ずらすためには、 例えば第 1のパターユング材料付与装置 2 2 0又は第 2のパターユング材料付与装置 2 3 0を、 支持体 2 1 1が 1回転するた びにその移動方向と直角方向に所定量だけ移動させることで実現できる 図 1 4には図示していないが、 上記の装置は所定の真空度に維持され た真空装置に収納される。 また、 図 8， 1 2 , 1 3に示したように、 パ ターニング材料除去装置 1 1 7、 樹脂硬化装置 1 1 8、 表面処理装置 1 1 9、 遮蔽板 1 2 3、 プラズマ照射装置 1 2 7を、 支持体 2 1 1の外周 面に対向させて配置することができる。

積層体の形成後、 支持体 2 1 1の外周面上に積層体を積層した状態で 、 実施の形態 B— 1と同様にレーザ加工装置 1 2 5を用いて積層体の所 定位置に積層体全体を貫通する貫通孔を形成する。 あるいは、 交互積層 工程中に、 支持体 2 1 1の回転が停止するたぴに、 実施の形態 B— 2と 同様に、 レーザ加工装置 1 2 5を用いて新たに積層された所定位置の樹 脂薄膜及ぴ金属薄膜に貫通孔を形成する。 交互積層工程終了後、 積層体 を支持体 2 1 1から剥離して、 貫通孔に導電性材料を充填する。 その後 、 所定位置で切断することで、 実施の形態 A— 1 (図 1 A〜図 1 E )、 A— 4 (図 5 A〜図 5 E ) に示したような積層体、 実施の形態 A— 3 ( 図 4 A ) に示したアレイコンデンサ （コンデンサ要素 3 6を実施の形態 A— 1のコンデンサとした実施形態） を得ることができる。

また、 樹脂薄膜のみ除去加工できるレーザ加工装置 1 2 5を用いて、 交互積層工程中に、 支持体 2 1 1の回転が停止するたぴに、 実施の形態 B— 3と同様に、 新たに積層された所定位置の樹脂薄膜に貫通孔を形成 する。 その後、 積層体を支持体 2 1 1から剥離して所定位置で切断する ことで、 実施の形態 A— 2 (図 3 A〜図 3 E )、 A— 5 (図 7 A〜図 7 E ) に示した積層体を得ることができる。 また、 金属薄膜を形成しない 領域に貫通電極用の第 2の貫通孔を形成しこれに導電性材料を充填し、 切断することで、 実施の形態 A— 3に示したアレイコンデンサ （コンデ ンサ要素 3 6を実施の形態 A— 2のコンデンサとした実施形態） を得る ことができる。

図 1 4の例では、 金属薄膜の格子状パターユングを、 第 1及ぴ第 2の パターユング材料付与装置 2 2 0 , 2 3 0を用いたオイルパターニング 法により行なったが、 本発明はこれに限定されない。 例えば、 第 1及び 第 2のパターユング材料付与装置 2 2 0 , 2 3 0に代えて実施の形態 B 一 4に示したようなレーザパターニング装置を用いたレーザパターニン グ法で、 金属薄膜のパターニングを行なうことができる。 あるいは、 第 1及び第 2のパターニング材料付与装置 2 2 0， 2 3 0のうちのいずれ か一方をレーザパターユング装置に代えて、 実施の形態 B— 5と同様に オイルパターユング法とレーザパターニング法とを併用して、 金属薄膜 のパターユングを行なうこともできる。

また、 支持体 2 1 1は正 8角柱に限定されない。 正 6角柱、 正 1 0角 柱など、 他の形状であっても構わない。

以上のように、 本実施の形態によれば、 積層体が支持体 2 1 1の各外 周面上に平板状に形成されるから、 ロール状支持体を使用する場合に比 ベて支持体 2 1 1からの剥離後の平板プレス工程などを省略又は簡易化 することができる。 また、 この平板プレス工程での積層体の割れや金属 薄膜の破断等の発生を防止できるので、 歩留まりが向上する。

(実施の形態 B _ 7 )

本実施の形態 B— 7は、 支持体として所定サイズの平板状の支持体を 用いる。 係る支持体を複数個連続して搬送させながら、 その下面に樹脂 薄膜及び金属薄膜を形成する。

具体的には、 複数の支持体を巡回させる搬送経路を形成し、 その途中 に樹脂薄膜形成装置及び金属薄膜形成装置を配置する。 支持体が樹脂薄 膜形成装置及び金属薄膜形成装置の上を通過すると、 支持体の下面にそ れぞれ樹脂薄膜及び金属薄膜が形成される。

金属薄膜のパターニングをオイルパターニング法を用いて行なう場合 には、 支持体が樹脂薄膜形成装置上を通過後、 金属薄膜形成装置上に到 着する前にパターユング材料付与装置上を通過するように構成する。 ま た、 金属薄膜のパター-ングをレーザパターユング法を用いて行なう場 合には、 支持体が金属薄膜形成装置上を通過後、 樹脂薄膜形成装置上に 到着する前にレーザパターユング装置上を通過するように構成する。 また、 貫通孔を形成する場合は、 加工対象薄膜に応じて、 実施の形態 B— 1〜B— 6の配置に準じて、 レーザ加工装置を支持体の巡回経路内 に設置することができる。

その他、 パターニング材料除去装置、 樹脂硬化装置、 表面処理装置、 プラズマ処理装置などを必要に応じて実施の形態 B— 1〜B— 6の配置 に準じて、 支持体の巡回経路内に設置することができる。

以上のようにして、 支持体上にパターユングされた金属薄膜と樹脂薄 膜との交互積層体を得ることができる。 その後、 必要に応じて貫通孔に 導電性材料を充填した後、 切断することで、 実施の形態 A— 1 , A— 2 ， A— 4， A— 5の積層体あるいは実施の形態 A _ 3のァレイコンデン サを得ることができる。

本発明において、 金属薄膜のパターニング方法は上記の例に限定され ない。 例えば、 オイルパターニング法を採用する場合、 後述する実施の 形態 C一 2に記載のパターユング材料付与装置 5 4 0を用いることがで きる。

《実施例》

(実施例 I一 1 ) 実施の形態 B— 1 (図 8) に示した製造装置を用いて実施の形態 A— 1 (図 1 A〜図 1 E) に示した積層体及びチップコンデンサを製造した 例を説明する。

真空ポンプ 1 1 6により真空槽 1 1 5内を 2 X 1 0— ² P aとし、 ま た、 キャンローラ 1 1 1の外周面を 1 0でにまで冷却した。 キャンロー ラ 1 1 1の直径は 5 00 mm, 外周面の移動速度は 1 0 0 mZ分とした 樹脂薄膜材料としてジシク口ペンタジェンジメタノールジァクリレー トを用いた。 金属薄膜材料としてはアルミニウムを用い、 これを蒸着し て形成した。 パターユング材料としては、 フッ素系オイルを用いた。 積層に先立ち、 キャンローラ 1 1 1の外周面にフッ素系離型剤 （ダイ キン工業 （株） 製 "ダイフリー"） をスプレー塗布し、 その後不織布で 薄く延ばした。

まず最初に、 樹脂薄膜のみが連続積層された保護層を積層した。 上記 樹脂薄膜材料を気化して樹脂薄膜形成装置 1 1 2よりキャンローラ 1 1 1の外周面に堆積させた。 1層当たりの積層厚さは 0. 6 111である。 次いで樹脂硬化装置 1 1 8として紫外線硬化装置を用い、 上記により堆 積させた樹脂薄膜材料を重合し、 硬化度が 70 %になるまで硬化させた 。 この操作を、 キャンローラ 1 1 1を回転させることにより繰返し、 キ ヤンローラ 1 1 1の外周面に厚さ 1 5 mの保護層を形成した。 この間 、 開口 1 2 1は遮蔽板 1 2 3で遮蔽しておいた。

次に、 コンデンサとしての容量発生部分となる素子層を積層した。 上 記樹脂薄膜材料を用い、 1層当たりの積層厚さは 0. Ι μ ηιとした。 次 いで樹脂硬化装置 1 1 8により、 樹脂薄膜を硬化度が 7 0%になるまで 硬化させた。 その後、 表面処理装置 1 1 9により、 表面を酸素プラズマ 処理した。 次に、 パターユング材料付与装置 1 3 0 a， 1 30 bの微細 孔から上記パターニング材料の蒸気を放射させた。 パターニング材料付 与装置 1 30 a， 1 30 bをキャンローラ 1 1 1の外周面の移動速度と 略同一の速度で往復移動させて、 キャンローラ 1 1 1の外周面上の樹脂 薄膜表面にパターユング材料による格子状の液膜パターンを形成した。 次に、 金属薄膜形成装置 1 1 4からアルミニウムを金属蒸着させた。 積 層厚みは 30 nmとした。 その後、 パターユング材料除去装置 1 1 7を 用いて遠赤外線加熱とブラズマ放電処理を行ない、 残存したパターニン グ材料を除去した。

パターユング材料による格子状パターン位置は、 キャンローラ 1 ェ 1 が 1回転するたびに変化させて、 格子状パターン位置が異なる 2通りの 金属薄膜を樹脂薄膜を介して交互に積層した。

以上の操作を、 キャンローラ 1 1 1を回転させることにより約 300 0回繰り返し、 総厚さ 3 90 μ mの素子層を形成した。

その後、 開口 1 2 1を閉じて保護層を上記保護層の形成と同様にして 積層した。

保護層の形成終了後、 樹脂薄膜形成装置を停止させ、 キャンローラ 1 1 1を回転させながらレーザ加工装置 1 2 5を用いて所定箇所に積層体 全体を貫通する貫通孔を形成した。 レーザ加工装置 1 2 5として、 CO ₂レーザ （出力 20W) を用いた。 このとき、 プラズマ照射装置 1 2 7 により、 形成された貫通穴内を酸素プラズマ処理した。

次に、 積層体をキャンローラ 1 1 1から剥離して、 平板プレスし、 貫 通穴内に導電性樹脂を充填し、 積層体母素子を得た。

その後、 金属薄膜を切断しない位置 （マージン部） で切断して、 図 1 A〜図 1 Eに示すような積層体を得た。

得られた積層体の外形寸法は縦 0. 5mm、 幅 1. Omm、 厚さ （積 層方向高さ） 0. 4 2 mmであり、 貫通孔径は 0. 2 mmである。 また 、 コンデンサとして機能する金属薄膜の対向領域の面積は縦 0. 4mm X幅 0. 3 mmである。 一対の貫通孔内の導電性樹脂表面に電極端子を 形成してコンデンサとしての特性を評価したところ、 容量 40 n Fであ つた。

(実施例 I一 2) '

樹脂薄膜を挟む上下の金属薄膜の格子状パターンのずらし量を変える 以外は実施例 I一 1と同様にして積層体母素子を得た。 次いで、 実施例 I 一 1と切断面の位置を変更することにより、 実施の形態 A— 4 (図 5 A〜図 5 E) に示した積層体を得た。

得られた積層体の外形寸法は縦 0. 5mm、 幅 1. 0mm、 厚さ （積 層方向高さ） 0. 4 2mmであり、 半円形の切り欠き部の半径は 0. 1 mmである。 また、 コンデンサとして機能する金属薄膜の対向領域の面 積は縦 0. 4mmX幅 0. 6 5 mmである。 一対の切り欠き部内の導電 性樹脂表面に電極端子を形成してコンデンサとしての特性を評価したと ころ、 容量 8 7 n Fであった。 本実施例のコンデンサは、 実施例 I— 1 のコンデンサに比べて、 略同一外形寸法でありながら金属薄膜の対向領 域の面積を大きくでき、 その結果、 容量を大きくすることができた。

本第 I 発明において、 上記の実施例は一例に過ぎず、 本発明は 上記の実施例に限定されるものではない。 例えば、 積層体の積層 数は、 積層体の用途や要求される仕様 （例えば、 コンデンサに使 用される場合には、 要求される静電容量等） 等に応じて適宜決定 され、 上記の実施例に記載の 1層厚みと全体厚みとから算出され る積層数は一例に過ぎない。 しかしながら、 形成された積層体の 取り扱いの観点からは、 極端に薄い積層体は割れ等を生じやすい 。 本発明者らの検討によれば、 一般に、 積層体の厚みが 1 0 0 μ m以上であれば割れ等はほとんど生じないが、 2 0 μ m程度以下 であると取り扱いに細心の注意が必要であった。 従って、 1層の 樹脂薄膜と 1層の金属薄膜との厚み合計の上限を 1 /z .mとすると 、 樹脂薄膜の積層数が 2 0層以上であることが積層体の積層数に 関する現実的な下限値となる。 樹脂薄膜の積層数が 1 0 0層以上 であることがより好ましい。 一方、 積層数の上限値は、 下限値よ り も制限因子が少ない。 但し、 高密度実装回路基板上において、 部品高さが半導体チップよ り高い、' 厚さ 1 m m以上の電子部品は 少なく なつていることから、 1層の樹脂薄膜と 1層の金属薄膜と の厚み合計の下限を 0 . 1 / mとすると、 樹脂薄膜の積層数が 1 0 0 0 0層以下であることが積層体の積層数に関する上限値の目 安となる。

[第 II発明について]

本第 II発明の積層体の製造方法は、 支持体上に、 樹脂薄膜と略矩形状 に分割された金属薄膜とを含む積層体を形成することを特徴とする。 以下にその具体的方法を図面を用いて説明する。

(実施の形態 C _ l )

図 1 5は、 本発明の実施の形態 C一 1にかかる積層体の製造方法を実 施するための積層体の製造装置の一例を示した概略断面図である。

図 1 5において、 5 0 0は本実施の形態の積層体の製造装置、 5 1 5 は真空槽、 5 1 6は真空槽 5 1 5内部を所定の真空度に維持する真空ポ ンプ、 5 1 1は真空槽 5 1 5内に設置された、 図中の矢印 5 1 1 aの方 向に回転する円筒形状のキャンローラ、 5 1 2は樹脂薄膜形成装置、 5 1 3はパターニング材料付与装置、 5 1 4は金属薄膜形成装置 （金属材 料供給源）、 5 1 7はパダ一二ング材料除去装置、 5 1 8は樹脂硬化装 置、 5 1 9は表面処理装置、 5 2 0は金属薄膜形成領域を他の領域と区 別するための隔壁、 5 2 1は隔壁 5 2 0に設けられた開口、 5 2 3は必 要時以外に金属薄膜が形成されるのを防止するために、 移動方向 5 2 3 aの方向に移動して開口 5 2 1を開閉する遮蔽板、 5 3 0はキャンロー ラ 5 1 1の外周面に向けてレーザ光を照射するレーザ光照射装置、 5 3 1はレーザ光照射装置から発せられたレーザ光である。

矩形状に分割された金属薄膜の形成は、 パターニング材料付与装置 5 1 3と、 金属薄膜形成装置 5 1 4と、 レーザ光照射装置 5 3 0とを用い ることで実現できる。

パターユング材料付与装置 5 1 3は、 加熱し気化したパターニング材 料をキャンローラ 5 1 1に向けて開口させた微細孔から噴射して、 キヤ ンローラ 5 1 1上の樹脂薄膜表面に帯状に液膜状に付着させる。 パター ニング材料が付着した箇所には金属薄膜は形成されず、 第 1の非金属帯 (マージン部） となる。 微細孔のキャンローラ 5 1 1の回転軸方向の配 置 （間隔、 数） は形成しょうとする非金属帯の配置に応じて決定する。 また、 非金属帯の幅は、 微細孔の大きさや吐出量を変化させることで調 整できる。 このとき、 キャンローラ 5 1 1の回転と同期させてパター- ング材料付与装置 5 1 3をキャンローラ 5 1 1の回転軸と平行方向に移 動させることにより、 非金属帯の形成位置が異なる金属薄膜を形成する ことができる。

なお、 パターユング材料の付与の手段としては、 上記の他に、 リーバ ースコート、 ダイコート等の塗布により直接付与する方法があるが、 樹 脂薄膜表面に外力が付与されて、 樹脂薄膜やその下の金属薄膜の変形、 破断、 表面荒れなどが発生するのを防止するために、 非接触の付与手段 が好ましい。

使用するパターユング材料としては、 エステル系オイル、 グリコール 系オイル、 フッ素系オイル及び炭化水素系オイルよりなる群から選ばれ た少なく とも一種のオイルであることが好ましい。 更に好ましくは、 ェ ステル系オイル、 グリコール系オイル、 フッ素系オイルであり、 特に、 フッ素系オイルが好ましい。 上記以外のパターユング材料を使用すると 、 積層表面の荒れ、 樹脂薄膜や金属薄膜のピンホール、 金属薄膜の形成 境界部分の不安定化等の問題を生じることがある。

パターニング材料を付与した後、 金属薄膜形成装置 5 1 4により金属 薄膜が形成される。 金属薄膜の形成方法としては、 蒸着、 スパッタ リ ン グ、 イオンプレーティング等周知の真空プロセス手段が適用できるが、 本発明では蒸着、 特に電子ビーム蒸着が耐湿性の優れた膜が生産性良く 得られる点で好ましい。 金属薄膜の材料としては、 アルミニウム、 銅、 亜鉛、 ニッケル、 鉄、 コバルト、 シリ コン、 ゲルマニウム若しくはその 化合物、 若しくはこれらの酸化物、 若しくはこれらの化合物の酸化物な どが使用できる。 中でも、 アルミニウムが接着性と経済性の点で好まし レ、。 なお、 金属薄膜には、 上記以外の他成分を含むものであっても構わ ない。 また、 金属薄膜を一種とせず、 例えば A 1層と C u層の混入とす ることによつて特性の補完がなされ、 使用条件によっては高性能化が図 れる場合もあり うる。

金属薄膜の厚みは、 得られる積層体の用途により適宜決定すればよい 力 S、 電子部品用途に使用する場合は、 l O O n m以下、 更に 1 0〜5 0 n m、 特に 2 0〜4 0 n mであるのが好ましい。 また、 膜抵抗は、 上限 は 2 0 Ω /口以下、 さらに 1 5 Ω ロ以下、 特に 1 0 Ω /口以下である のが好ましく、 また下限は 1 Ω Ζ口以上、 さらに 2 Ω /口以上、 特に 3

Ω ロ以上であるのが好ましい。

パターユング材料付与装置 5 1 3によりキャンローラ 5 1 1の外周面 の移動方向に帯状にパターニング材料が付与されているので、 パター二 ング材料が付与された位置には金属薄膜が形成されず、 その部分が抜け た帯状の金属薄膜が形成される。

レーザ光照射装置 5 3 0は、 レーザ光を照射することにより形成され た金属薄膜を加熱蒸発して除去する。

使用するレーザ光は、 除去しようとする金属薄膜の材料に応じて選択 できるが、 Y A G (Yttrium Aluminum Garnet) レーザなどの比較的 波長の短いレーザ光が望ましい。 長波長レーザ光では、 金属薄膜表面で 反射してしまう。 また、 樹脂薄膜に照射すると、 樹脂薄膜が焼失してし まう。

レーザ光は、 その軌跡がパターユング材料付与装置 5 1 3によってキ ヤンローラ 5 1 1の外周面の移動方向と平行に形成された第 1の非金属 帯と略直角になるように走查させて照射する。 即ち、 金属薄膜はキャン ローラ 5 1 1の回転により移動しているから、 その移動方向に対して斜 めに走査しながら照射する。 金属薄膜の移動方向と走查方向のなす角度 は、 キャンローラ ₅ 1 1上に形成された最表層の金属薄膜の移動速度に 応じて決定する。

レーザ光の照射によつて形成された非金属帯は、 パターニング材料の 付与によって形成された非金属帯より、 絶縁特性がより確実で、 また、 境界部が明瞭な非金属帯が得られる。 また、 積層体に非接触で形成でき るので、 積層体に外力が付与されず、 樹脂薄膜や金属薄膜の変形、 破断 、 表面荒れなどを防止できる。

非金属帯の幅はレーザ光源の出力ゃ走查方法を調整することで変更で さる。

以上により、 パターユング材料付与装置 5 1 3によって形成された、 キャンローラ 5 1 1の外周面の移動方向と平行方向の第 1の非金属帯と 、 レーザ光照射装置 5 3 0によって形成された、 キャンローラ 5 1 1の 外周面の移動方向と略直角方向の第 2の非金属帯とによって、 金属薄膜 は略矩形状 （正方形又は長方形） に分割される。

次に、 図 1 5の製造装置の上記以外の構成について説明する。

真空槽 5 1 5の内部は真空ポンプ 5 1 6により所定の真空度に保たれ ている。 真空槽 5 1 5内の好ましい真空度は 0. 0 2 7 P a (2 X 1 0 _⁴T o r r ) 程度である。 また、 隔壁 5 2 0で仕切られた金属薄膜形 成装置 5 1 4を含む空間をこれ以外の空間よりわずかに低圧に維持して おくのが好ましい。 こうしておくことで、 金属薄膜形成装置 5 1 4から の金属蒸気流又は金属粒子流が、 金属薄膜形成装置 5 1 4を含む空間外 に不用意に漏れ出すのを防止することができる。

キャンローラ 5 1 1の外周面は、 平滑に、 好ましくは鏡面状に仕上げ られており、 好ましくは一 20〜40°C、 特に好ましくは一 1 0〜 1 0 °Cに冷却されている。 回転速度は自由に設定できるが、 1 5〜 1 00 r pm程度、 周速度は好ましくは 20〜 3000 0 m/m i nである。 樹脂薄膜形成装置 5 1 2は、 樹脂薄膜を形成する樹脂材料を蒸発気化 又は霧化させて、 キャンローラ 5 1 1表面に向けて放出する。 樹脂材料 は、 キャンローラ 5 1 1の外周面に付着して樹脂薄膜を形成する。 この ような方法によれば、 厚みが極めて薄く均一で、 ピンホール等の欠点の ない良好な樹脂薄膜が得られる。 樹脂材料としては、 このように蒸発気 化又は霧化した後、 堆積して薄膜を形成できるものであれば特に限定さ れず、 得られる積層体の用途に応じて適宜選択できるが、 反応性モノマ 一樹脂であるのが好ましい。 例えば、 電子部品材料用途に使用する場合 には、 ァクリレート樹脂またはビニル樹脂を主成分とするものが好まし く、 具体的には、 多官能 （メタ） アタリ レートモノマー、 多官能ビュル エーテルモノマーが好ましく、 中でも、 シクロペンタジェンジメタノー ルジアタリ レート、 シクロへキサンジメタノールジビュルエーテルモノ マー等若しくはこれらの炭化水素基を置換したモノマーが電気特性、 耐 熱性、 安定性等の点で好ましい。 樹脂材料を飛散させる手段としては、 ヒータ等の加熱手段、 超音波又はスプレー等による気化又は霧化させる 方法が用いられる。 特に、 ヒータ等の加熱手段により樹脂材料を蒸発気 化させる方法が、 形成される樹脂薄膜の厚み及びその均一性、 欠点の発 生防止、 装置の簡素化の観点から好ましい。

堆積した樹脂材料は、 必要に応じて樹脂硬化装置 5 1 8により所望の 硬化度に硬化処理してもよい。 硬化処理としては、 樹脂材料を重合及ぴ Z又は架橋する処理が例示できる。 樹脂硬化装置としては、 例えば電子 線照射装置、 紫外線照射装置、 又は熱硬化装置等を用いることができる 。 硬化処理の程度は、 製造する積層体の要求特性により適宜変更すれば 良いが、 例えばコンデンサなどの電子部品用の積層体を製造するのであ れば、 硬化度が 5 0〜 9 5 %、 更には 5 0〜 7 5 %になるまで硬化処理 するのが好ましい。 硬化度が上記範囲より小さいと、 後工程において外 力等が加わると容易に変形したり、 金属薄膜の破断又は短絡等を生じて しまう。 一方、 硬化度が上記範囲より大きいと、 後工程において外力等 が加わると割れるなどの問題が生じることがある。 なお、 本発明の硬化 度は、 赤外分光光度計で C = O基の吸光度と C = C基 （ 1 6 0 0 c in— つ の比をとり、 各々のモノマーと硬化物の比の値をとり、 減少分吸光 度を 1から引いたものと定義する。

本発明において、 樹脂薄膜の厚みは特に制限はないが、 l / m以下、 更に 0 . 7 / m以下、 特に 0 . 4 μ m以下であることが好ましい。 本発 明の方法によって得られる積層体の小型化 ·高性能化の要求に答えるた めには樹脂薄膜の厚みは薄い方が好ましい。 例えば、 本発明の製造方法 により得られた積層体をコンデンサに使用する場合、 誘電体層となる樹 脂薄膜は薄い方が、 コンデンサの静電容量はその厚みに反比例して大き くなる。 形成された樹脂薄膜は、 必要に応じて表面処理装置 5 1 9により表面 処理される。 例えば、 酸素雰囲気下で放電処理又は紫外線照射処理等を 行って、 樹脂薄膜表面を活性化させて金属薄膜との接着性を向上させる ことができる。

このようにして形成された樹脂薄膜上に、 上記の方法により金属薄膜 を形成する。 その後、 樹脂薄膜を積層する前に、 残存するパターユング 材料を除去することが好ましい。 残存したパターニング材料は、 積層表 面の荒れ、 樹脂薄膜や金属薄膜のピンホール （積層抜け）、 金属薄膜の 形成境界部分の不安定化等の問題を発生させる。 パターニング材料の除 去は、 パターユング材料除去装置 5 1 7により行う。 パターエング材料 の除去手段は特に制限はなく、 パターユング材料の種類に応じて適宜選 択すればよいが、 例えば加熱及び/又は分解により除去することができ る。 加熱して除去する方法としては、 例えば、 光照射や電熱ヒータによ る方法が例示できるが、 光照射による方法が装置が簡単であり、 かつ除 去性能も高い。 なお、 ここで光とは、 遠赤外線及び赤外線を含む。 一方 、 分解して除去する方法としては、 プラズマ照射、 イオン照射、 電子照 射などが使用できる。 このとき、 プラズマ照射は、 酸素プラズマ、 アル ゴンプラズマ、 窒素プラズマ等が使用できるが、 この中でも特に酸素'プ ラズマが好ましい。

パターユング材料除去装置 5 1 7とレーザ光照射装置 5 3 0との配置 は、 図 1 5のようにパターユング材料除去装置 5 1 7を上流側にしても 良く、 レーザ光照射装置 5 3 0を上流側にしても良い。

以上の装置によれば、 開口 5 2 1を開いた状態では、 周回するキャン ローラ 5 1 1の外周面上に、 樹脂薄膜形成装置 5 1 2による樹脂薄膜と 、 金属薄膜形成装置 5 1 4による金属薄膜とが交互に積層された積層体 が製造され、 また、 開口 5 2 1を閉じた状態では、 周回するキャンロー +ラ 5 1 1の外周面上に、 樹脂薄膜形成装置 5 1 2による樹脂薄膜が連続 して積層された積層体が製造される。

次に、 上記の装置を用いて図 1 6 A〜図 1 6 Dに示すような積層体母 素子 6 00を得た後、 図 1 7に示すようなチップコンデンサ 6 1 0を製 造する方法について説明する （図 1 6 A〜図 1 6 D， 図 1 7の詳細は後 述する）。

キャンローラ 5 1 1を回転させながら、 キャンローラ 5 1 1上に、 層 6 04 a、 層 6 0 3 a、 層 6 0 2、 層 6 0 3 b、 層 604 bの順に連続 積層する。

最初に層 604 aを積層する。 層 604 aは樹脂薄膜のみが違続積層 された層 （保護層） である。 保護層 6 04 aは、 コンデンサとしての容 量を発生することはないが、 容量発生部分である層 （素子層） 6 0 2が 熱負荷や外力により損傷を受けるのを防止するのに有効に機能する。 保護層 6 04 aを積層するときは、 開口 5 2 1を遮蔽板 5 2 3で遮蔽 した状態で、 キャンローラ 5 1 1を回転させ、 樹脂薄膜のみを所定数連 続積層する。

次に、 層 6 0 3 aを積層する。 層 6 0 3 aは、 樹脂薄膜と金属薄膜と が交互に積層された層 （補強層） である。 補強層 6 0 3 aは、 容量発生 部分である層 （素子層） 60 2が熱負荷や外力により損傷を受けるのを 防止するのに有効に機能する。 また、 外部電極と接続する金属薄膜を有 していることにより、 外部電極の付着強度の向上にも寄与する。

補強層 6 0 3 aの積層では、 パターユング材料付与装置 5 1 3からパ ターニング材料を樹脂薄膜表面に帯状に付与する。 また、 遮蔽板 5 2 3 を移動して開口 5 2 1を開き、 金属薄膜を積層する。 このとき金属薄膜 は、 帯状に付与されたパターユング材料によって第 1の非金属帯によつ て帯状に分割されて形成される。 次いで、 レーザ光照射装置 5 30から レーザ光を走査しながら照射して第 2の非金属帯を形成する。 このとき 、 レーザ光の走査軌跡が第 1の非金属帯に対して略直角方向になるよう に走査する。 この状態で、 所定回数キャンローラ 1 1を回転させること により、 略矩形状に分割された金属薄膜と樹脂薄膜とが交互に積層され た層 6 0 3 aが形成される。

次に、 層 6 0 2を積層する。 層 6 0 2は樹脂薄膜と金属薄膜とが交互 に積層され、 コンデンサとしての容量発生部分となる層 （素子層） であ る。

素子層 6 0 2の積層では、 キャンローラ 5 1 1が 1回転するごとに、 パターニング材料付与装置 5 1 3をローラ 5 1 1の回転軸方向に所定幅 だけ往復移動させる。 このようにすることで、 第 1の非金属帯の位置が 隣接する層ごとに異なる金属薄膜が形成される。 レーザ光照射装置 5 3 0によって第 2の非金属帯を形成する点は上記の補強層 6 0 3 aの積層 と同様である。

次に、 捕強層 6 0 3 bの積層を行なう。 パターニング材料付与装置 5 1 3を補強層 6 0 3 aの積層時と同じ位置に固定したまま、 補強層 6 0 3 aの積層時と同様の積層条件で所定数の積層を行なう。

最後に、 保護層 6 0 4 bの積層を行なう。 このとき、 遮蔽板 5 2 3を 移動して開口 5 2 1を遮蔽する。 また、 パターユング材料の付与及ぴレ —ザ光の照射を停止する。 この状態でキャンローラ 5 1 1を回転させて 、 樹脂薄膜のみを所定数連続積層する。

上記において、 レーザ光を照射して第 2の非金属帯を形成する場合は 、 レーザ光の走查をキャンローラ 5 1 1の回転と同期させることにより 、 第 2の非金属帯の積層方向の位置を積層体全体にわたって略一致させ るのが特に好ましい。 このような構成にしておくと、 第 2の非金属帯に 沿って積層体を積層方向に切断することにより、 金属薄膜を切断するこ とがなく、 また切断面に金属薄膜が露出することもない。

このようにして、 キャンローラ 5 1 1の外周面上に樹脂薄膜と略矩形 状に分割された金属薄膜とからなる円筒状の多層積層体を得る。 次いで 、 積層体を半径方向に切断して分割し、 キャンローラ 5 1 1から取り外 す。 このときの切断を、 第 2の非金属帯で行なう。 この部分には金属薄 膜が存在しないので、 切断が容易で金属薄膜のバリや切りくずも発生し ない。 また、 切断面に金属薄膜が露出することもない。

分割して取り外した積層体を平板プレスすることにより、 例えば図 1 6 A〜図 1 6 Dのような積層体母素子 6 0 0が得られる。 図 1 6 Aは積 層体母素子を切断面方向から見た正面図、 図 1 6 Bは平面図、 図 1 6 C は図 1 6 Aの I _ I線での矢印方向から見た断面図、 図 1 6 Dは図 1 6 Aの Π-ΙΙ線での矢印方向から見た断面図である。 図 1 6 A〜図 1 6 D において、 矢印 6 0 1はキャンローラ 5 1 1の外周面の走行方向と一致 する。 また、 6 0 5は上記の円筒状の積層体を分割した際の切断面、 6 0 6は金属薄膜、 6 0 7は樹脂薄膜、 6 0 8 aは第 1の非金属帯、 6 0 8 bは第 2の非金属帯である。 図 1 6 A〜図 1 6 Dは、 積層状態を理解 しやすいように模式的に示しており、 実際の積層数はこれより遙かに多 レ、。 また、 金属薄膜 6 0 6と樹脂薄膜 6 0 7の厚みや、 第 1、 第 2の非 金属帯 6 0 8 a , 6 0 8 bの幅等も実際のものとは異なり誇張して描い てある。

図 1 6 Aにおいて、 積層体母素子 6 0 0の下面がキャンローラ 5 1 1 側であり、 下から順に保護層 6 0 4 a、 補強層 6 0 3 a、 素子層 6 0 2 、 補強層 6 0 3 b、 保護層 6 0 4 bが上記の手順により積層されたこと を示している。 上記の通り、 層 6 0 4 a， 6 0 4 bは開口 5 2 1を閉じ て樹脂薄膜のみを連続して積層した層であり、 層 6 0 2及ぴ層 6 0 3 a , 6 0 3 bは、 開口 5 2 1を開いて金属薄膜と樹脂薄膜とを交互に積層 した層である。 また、 層 6 0 2は、 キャンローラ 9 1 1の回転と同期さ せて 1回転ごとに第 1の非金属帯 6 0 8 aの位置を変更して積層してあ る。

図 1 6 A〜図 1 6 Dからも明らかなように、 本実施の形態の積層体母 素子では切断面 60 5には金属薄膜 6 0 6が露出しない。 この結果、 次 の工程に移行するまでに、 切断面 6 0 5から金属薄膜 6 0 6が酸化ゃ鲭 等の腐蝕を生じることがない。

このようにして得た積層体母素子 6 00を切断面 6 0 9 aで切断する 。 切断面 60 9 aは第 1の非金属帯 6 0 8 aの略中央部を通る。 次いで 、 切断面 6 0 9 aに溶射等により外部電極を形成する。

次いで、 切断面 6 0 9 bに相当する位置で切断する。 切断面 6 0 9 b は第 2の非金属帯 6 0 8 bの略中央部を通る。 切断面 6 0 9 bには金属 薄膜が存在しないので、 切断が容易で金属薄膜のバリや切りくずも発生 しない。 また、 切断面に金属薄膜が露出することもない。 従って、 次の 工程に移行するまでに、 切断面 6 0 9 bから金属薄膜 6 0 6が酸化ゃ鲭 等の腐蝕を生じることがない。

その後、 必要に応じて外装コーティングを行ない図 1 7に示すような チップコンデンサ 6 1 0を多数得る。 図 1 7において、 6 1 1 a、 6 1 1 bは金属薄膜 60 6と電気的に接続して形成された外部電極である。 図.1 7に示したように、 本実施の形態で得られるチップコンデンサ 6 1 0は、 外部電極 6 1 1 a , 6 1 1 bが形成されていない対向する側面 (上記の切断面 60 9 b) には金属薄膜 6 0 6が露出しない。 従って、 切断面 6 0 9 bに特別の絶縁層等を形成しなくても、 外部電極 6 1 1 a ， 6 1 1 bにはんだ付を行なって直接回路基板に面実装することができ る。 従って、 実装工程が簡略化し、 回路基板全体の小型化にも貢献する (実施の形態 C一 2 )

図 1 8は、 本発明の実施の形態 C一 2にかかる積層体の製造方法を実 施するための積層体の製造装置の一例を示した概略断面図である。 図 1 8において、 図 1と同一の機能を有する要素には同一の符号を付して、 それらについての詳細な説明を省略する。

図 1 8の積層体の製造装置 5 0 0 ' が実施の形態 C _ 1で説明した図 1 5の製造装置 5 0 0と異なるのは、 図 1 5の製造装.置 5 0 0のパター ニング材料付与装置 5 1 3に代えてパターニング材料付与装置 5 4 0を 用い、 かつ、 図 1 5の製造装置 5 0 0のレーザ光照射装置 5 3 0を不要 とした点である。

本実施の形態のパターニング材料付与装置 5 4 0は、 液体状態のパタ 一ニング材料を液滴として微細孔から噴射する点で、 パターニング材料 を気化させて微細孔から噴射する実施の形態 C一 1のパターユング材料 付与装置 5 1 3と相違する。

図 1 9は、 パターニング材料付与装置 5 4 0のキャンローラ 5 1 1側 から見た正面図である。 パターニング材料付与装置 5 4 0は矢印 6 0 1 の方向がキャンローラ 5 1 1の外周面の走行方向に一致するように設置 される。 パターニング材料付与装置 5 4 0の正面には、 ノズルヘッド 5 4 1が矢印 6 0 1と直角をなすように配置されている。

図 2 0に図 1 9のノズルへッド 5 4 1を正面から見た部分拡大図を示 す。 図中、 矢印 6 0 1は図 1 9の矢印 6 0 1の方向と一致する。 ノズル ヘッド 5 4 1の表面には微細孔 5 4 2が配されている。 図 2 0の例では 、 3つの微細孔 5 4 2を矢印 6 0 1と略 4 5 ° の角度をなすように所定 間隔で配したものを 1組として、 これをノズルへッド内で所定間隔で所 定の数だけ配している。 そして、 これらの微細孔 5 4 2は、 これを矢印 6 0 1と垂直な面に投影させて見れば等間隔になるように配置されてい る。

図 2 1は、 図 2 0の III— III線での矢印方向から見た微細孔 5 4 2の 部分断面図である。

ベースプレート 5 4 3には、 微細孔 5 4 2の位置に相当する部分にシ リンダ 5 4 8が加工されており、 該シリンダ 5 4 8にピエゾ圧電素子 5

4 4及ぴピストンへッド 5 4 5が順に挿入されている。 ベースプレート

5 4 3の前面にはオリフィスプレート 5 4 6が配され、 両者の間に液体 状態のパターユング材料 5 4 7が充填されている。 微細孔 5 4 2の径は 適宜設計することができるが例えば 7 0 μ m程度である。

微細孔 5 4 2からの液体状態のパターニング材料の噴射は以下のよう にして行う。 圧電素子 5 4 4の圧電効果により、 圧電素子 5 4 4を収縮 させ、 ピス トンヘッド 5 4 5を図中左方向に後退させる。 これによりピ ストンへッド 5 4 5の前面が負圧になってパターニング材料 5 4 7がべ 一スプレー トのシリンダ 5 4 8内に吸い込まれる。 その後、 圧電素子を 元の状態に戻すことにより、 シリンダ 5 4 8に蓄えられたパターユング 材料が微細孔 5 4 2を通って放出される。 本方式ではパターユング材料 は液滴となって不連続に放出される。 従って、 1回の放出により、 パタ 一ユング材料は被付着面 （樹脂薄膜表面） にひとつのドットとして付着 する。 1回当たりのパターユング材料の放出量 （液滴の大きさ） 及ぴ間 隔を調整することにより、 パターユング材料を連続した液膜として付着 させることができる。

このよ うなパターユング材料付与装置 5 4 0によれば、 多数の微細孔 をそれぞれ独立して制御することが容易である。 従って、 実施の形態 C 一 1のパターニング材料付与装置 5 1 3のように、 帯状にパターユング 材料を付与することができるのはいうまでもなく、 碁盤目状 （格子状） に付与することもできる。 従って、 本実施の形態では、 パターニング材料付与装置 5 4 0によつ て、 キャンローラ 5 1 1の外周面の走行方向に帯状にパターニング材料 を付与するとともに、 それと直角方向にも所定間隔で帯状にパターユン グ材料を付与する。 この後、 金属薄膜形成装置 5 1 4により金属薄膜を 形成すれば、 碁盤目状に付与されたパターユング材料部分が非金属帯と なり、 金属薄膜は略矩形状に分割される。 この結果、 本実施の形態では 実施の形態 C _ 1のレーザ光照射装置 5 3 0が不要となる。

このとき、 キャンローラ 5 1 1の外周面の走行方向と略直角方向に帯 状に付与するパターユング材料の付着位置を、 キャンローラ 5 1 1の回 転と同期させることにより、 第 2の非金属帯の積層方向の位置を積層体 全体にわたって略一致させることが好ましいことは、 実施の形態 C一 1 と同様である。

また、 パターニング材料付与装置 5 4 0によれば、 実施の形態 C一 Γ における素子層 6 0 2の積層時のように、 パターユング材料付与装置 5 4 0をキャンローラ 5 1 1の回転軸方向に往復移動させなくても、 パタ 一ユング材料を吐出させる微細孔を変更することにより、 第 1の非金属 帯の位置を変更することができる。

さらに、 気化したパターユング材料を放出して被付着面上で液化させ る実施の形態 C一 1に比べて、 放出されたパターユング材料の指向性が 鋭く、 意図する通りに正確にパターユング材料を付着させることが容易 である。 しかも、 微細孔と被付着面との距離を大きくとることができる ため （例えば、 5 0 0 μ πι程度）、 装置の設計の自由度が高まる。

本実施の形態において好ましいパターニング材料は、 使用環境下での 粘度等を考慮して適宜選択すればよいが、 基本的には実施の形態 C一 1 で説明したパターニング材料がそのまま使用できる。

本実施の形態においても、 実施の形態 C一 1と同様にして、 図 1 7に 示すチップコンデンサを製造することが可能である。

第 1及び第 2の非金属帯の形成は上記の実施の形態 C一 1 , C一 2の 方法に限られない。 例えば、 連続する金属薄膜を形成後、 レーザ光の照 射により第 1及び第 2の非金属帯を形成しても良い。 あるいはキャン口 ーラの外周面の移動方向と略直角方向を長手方向とするスリット状の開 口と、 該スリツト状開口を開閉するシャッターとを有するパターユング 材料付与装置を設置して、 該スリッ ト状開口から気化したパターニング 材料を吐出して、 第 2の非金属帯形成用のパターニング材料を樹脂薄膜 表面上に付与しても良い。

上記の実施の形態 B_ 1〜B— 7， C- 1 , C一 2では、 支持体とし て円筒形状のキャンローラ等を例示したが、 本発明.はこれに限定されな い。 例えば、 2本又はそれ以上のロールの間を周回するベルト状の支持 体、 あるいは回転する円盤状支持体等であってもよい。

また、 積層の開始に先立って、 支持体面上に離型剤を付与しておく と 、 積層終了後に積層体を取り外す作業が容易になるので好ましい。 離型 剤としては、 例えばフッ素系離型剤 (例えば、 商品名 ： "ダイフリー"、 ダイキン工業 （株） 製） 等を使用できる。 離型剤の付与方法は、 スプレ 一噴霧法の他、 スパッタ法ゃ蒸着法など、 離型剤材料とプロセスの条件 等に適合するものを適宜選択すると良い。

《実施例》

(実施例 II一 1)

図 1 5に示した製造装置を用いて、 図 1 7に示す構成のチップコンデ ンサを製造した。 '

真空ポンプ 5 1 6により真空槽 5 1 5内を 0. 0 2 7 P a (2 X 1 0 — ⁴T o r r ) とし、 また、 キャンローラ 5 1 1の外周面を 5 °Cにまで 冷却した。 キャンローラ 5 1 1の直径は 500 mm、 外表面の移動速度 は 5 O mZ分とした。

積層に先立ち、 キャンローラ 5 1 1の外周面にフッ素系離型剤 （ダイ キン工業 （株） 製 "ダイフリー"） をスプレー塗布し、 その後不織布で 薄く延ばした。

まず最初に、 樹脂薄膜のみが連続積層された保護層 6 0 4 a部分を積 層した。 保護層 6 0 4 aの材料として、 ジシクロペンタジェンジメタノ ールジァクリレートを用い、 これを気化して樹脂薄膜形成装置 5 1 2よ りキャンローラ 5 1 1の外周面に堆積させた。 1層当たりの積層厚さは 0 . である。 次いで樹脂硬化装置 5 1 8として、 紫外線硬化装置 を用い、 上記により堆積させた樹脂薄膜材料を重合し、 硬化度が 7 0 % になるまで硬化させた。 この操作を、 キャンローラ 5 1 1を回転させる ことにより繰返し、 キャンローラ 5 1 1の外周面に厚さ 1 5 // mの保護 層 6 0 4 a部分を形成した。 この間、 開口 5 2 1は遮蔽板 5 2 3で遮蔽 しておいた。

次いで、 樹脂薄膜と金属薄膜とが交互に積層された補強層 6 0 3 a部 分を積層した。 補強層 6 0 3 aの樹脂薄膜材料は、 上記の保護層 6 0 4 aの材料と同じものを用いた。 樹脂薄膜 1層当たりの積層厚さは 0 . 6 ;z mである。 次いで樹脂硬化装置 5 1 8により樹脂薄膜の硬化度が 7 0 %になるまで硬化させた。 その後、 表面処理装置 5 1 9により、 表面を 酸素プラズマ処理した。 次に、 パターユング材料付与装置 5 1 3により 、 気化させたパターニング材料を微細孔から噴出させて、 樹脂薄膜表面 上に帯状に付着させた。 パターユング材料として、 フッ素系オイルを使 用した。 このパターニング材料の蒸気圧が 0 . 1 t o r rとなる温度は 1 0 0 °Cである。 オイルの平均分子量は 1 5 0 0である。 帯状のパター ニング材料の付着幅は 1 5 0 μ mとした。 次に、 遮蔽板 5 2 3を移動し て開口 5 2 1を開いた。 そして、 金属薄膜形成装置 5 1 4からアルミ二 ゥムを金属蒸着させた。 積層厚みは 3 0 0オングス トロームとした。 そ の後、 パターユング材料除去装置 5 1 7により、 遠赤外線ヒータによる 加熱及ぴプラズマ放電処理を行ない、 残存したパターニング材料を除去 した。 次いで、 レーザ光照射装置 5 3 0からレーザ光を照射して第 2の 非金属帯を形成した。 レーザ光として、 出力 2 0 Wの Y A Gレーザーを 用いた。 このとき、 レーザ光の走査軌跡がパターユング材料付与装置 5 1 3によって形成された第 1の非金属帯に対して略直角方向になるよう に走査した。 以上の操作を、 キャンローラ 5 1 1を回転させることによ り 5 0 0回繰り返し、 総厚さ 3 1 5 μ πιの層 6 0 3 a部分を形成した。 次に、 コンデンサとしての容量発生部分となる素子層 6 0 2部分を積 層した。 樹脂薄膜材料は、 上記と同じものを用い、 1層当たりの積層厚 さは 0 . 4 μ πιとした。 次いで樹脂硬化装置 5 1 8により、 樹脂薄膜を 硬化度が 7 0 %になるまで硬化させた。 その後、 表面処理装置 5 1 9に より、 表面を酸素プラズマ処理した。 次に、 パターユング材料付与装置 5 1 3により、 上記と同じパターユング材料を上記と同一幅に帯状に付 着させた。 次に、 金属薄膜形成装置 5 1 4からアルミニウムを金属蒸着 させた。 積層厚みは 3 0 0オングス トロームとした。 その後、 パター二 ング材料除去装置 5 1 7により、 残存したパターユング材料を除去した 。 次いで、 レーザ光照射装置 5 3 0からレーザ光を照射して第 2の非金 属帯を形成した。 このとき、 補強層 6 0 3 aの積層時と同様に、 レーザ 光の走査軌跡がパターニング材料付与装置 5 1 3によって形成された第 1の非金属帯に対して略直角方向になるように走査した。 以上の操作を 、 キャンローラ 5 1 1を回転させることにより約 2 0 0 0回繰り返し、 総厚さ 8 6 0 mの層 6 0 2部分を形成した。 なお、 この間、 パター二 ング材料付与装置 5 1 3を、 キャンローラ 5 1 1の回転に同期させて、 1回転するごとに回転軸方向に 1 0 0 0 m往復移動させた。 次に、 パターニング材料付与装置 5 1 3の移動を停止して、 厚さ 3 1 5 i mの補強層 6 0 3 b部分を形成した。 形成方法は上記の層 6 0 3 a 部分と全く同一とした。

最後に、 厚さ 1 5 μ mの保護層 6 04 b部分を形成した。 このとき、 遮蔽板 5 2 3を移動して開口 5 2 1を遮蔽した。 層 604 b部分の形成 方法は上記の層 604 a部分と全く同一とした。

以上において、 補強層 6 0 3 a、 6 0 3 b、 及ぴ素子層 6 0 2部分の 積層では、 レーザ光照射装置 5 30によるレーザ光のレーザ光の走査を キャンローラ 5 1 1の回転と同期させることにより、 第 2の非金属帯の 積層方向の位置を積層体全体にわたって略一致するようにした。

次いで、 キャンローラ 5 1 1の外周面上に形成された円筒状積層体を 、 第 2の非金属帯に沿って周方向に 8分割して取り外し、 加熱下でプレ スして図 1 6 A〜図 1 6 Dに示ずような平板状の積層体母素子 6 0 0を 得た。 このとき、 切断面 6 0 5には金属薄膜は一切露出していなかった 。 これを、 切断面 6 0 9 aで切断し、 切断面に黄銅を金属溶射して外部 電極を形成した。 更に、 金属溶射表面に熱硬化性フエノール樹脂中に銅 、 N i、 銀の合金等を分散させた導電性ペース トを塗布し、 加熱硬化さ せ、 更にその樹脂表面に溶融ハンダメツキを施した。 その後、 切断面 6 0 9 bに相当する箇所で切断した。 このとき、 切断面 6 0 9 bには金属 薄膜は一切露出していなかった。 その後、 シランカップリング剤溶液に 浸漬して外表面をコーティングし、 図 1 7に示すようなチップコンデン サを得た。

得られたチップコンデンサは、 積層方向厚み約 1. 5 mm、 奥行約 1 . 6 mm, 幅 （両外部電極間方向） 約 3. 2 mmであり、 小型ながら容 量は 0. 3 3 μ Ρであった。 耐電圧は 50 Vであった。 また、 直流印加 電圧 1 6 Vでの絶縁抵抗値は 2 X 1 0¹²Ωであり、 金属薄膜同士の短 絡、 金属薄膜の破断などは認められなかった。

素子層 6 0 2、 捕強層 6 0 3 a , 60 3 b、 及び保護層 6 04 a， 6 04 bの樹脂薄膜の硬化度は、 それぞれ 9 5%、 9 5%、 90%であつ た。

素子層 6 0 2、 及ぴ補強層 6 0 3 a， 6 0 3 bの金属薄膜の厚みは 3 00オングス トローム、 膜抵抗は 6 ΩΖ口であった。

また、 上記の積層体母素子 6 00の一部を分解したところ、 素子層 6 0 2部分の金属薄膜の第 1及び第 2の非金属帯の幅は順に 1 50 m、 50 μ m、 補強層 6 0 3 a， 6 0 3 b部分の金属薄膜の第 1及ぴ第 2の 非金属帯の幅は順に 1 50〃 m、 5 0 πιであった。

(比較例 II一 1 )

レーザ光照射装置 5 3 0によるレーザ光の照射を行なわなかった以外 は実施例 II— 1 と同様にして図 1 0に示すようなチップコンデンサを得 た。

得られたチップコンデンサは、 積層方向厚み約 1. 5 mm、 奥行約 1 . 6 mm、 幅 （両外部電極間方向） 約 3. 2 mmであり、 容量は 0. 3 5 // Fであった。 耐電圧は 5 0 Vであった。 また、 直流印加電圧 1 6 V での絶縁抵抗値は 5 X 1 0¹¹ Ωであった。

素子層 6 0 2、 補強層 6 0 3 a， 60 3 b、 及ぴ保護層 6 04 a , 6 04 bの樹脂薄膜の硬化度は、 それぞれ 9 5%、 9 5%、 9 0%であつ た。

素子層 6 0 2、 及び補強層 6 0 3 a , 6 0 3 bの金属薄膜の厚みは 3 00オングス トローム、 膜抵抗は 6 であった。

また、 積層体母素子の一部を分解したところ、 素子層部分の金属薄膜 の非金属帯の幅は 1 50 m、 補強層部分の金属薄膜の非金属帯の幅は 1 50 μ mであった。 実施例 II一 1が比較例 II一 1に比べて絶縁抵抗値が優れているのは切 断面に非金属帯が十分に形成されているためであると考えられる。

本第 II発明において、 上記の実施例は一例に過ぎず、 本発明は 上記の実施例に限定されるものではない。 例えば、 積層体の積層 数は、 積層体の用途や要求される仕様 （例えば、 コンデンサに使 用される場合には、 要求される静電容量等） 等に応じて適宜決定 され、 上記の実施例に記載の 1層厚みと全体厚みとから算出され る積層数は一例に過ぎない。 しかしながら、 形成された積層体の 取り扱いの観点からは、 極端に薄い積層体は割れ等を生じやすい 。 本発明者らの検討によれば、 一般に、 積層体の厚みが 1 0 0 μ m以上であれば割れ等はほとんど生じないが、 2 0 μ m程度以下 であると取り扱いに細心の注意が必要であった。 従って、 1層の 樹脂薄膜と 1層の金属薄膜との厚み合計の上限を 1 μ mとすると 、 樹脂薄膜の積層数が 2 0層以上であることが積層体の積層数に 関する現実的な下限値となる。 樹脂薄膜の積層数が 1 0 0層以上 であることがより好ましい。 一方、 積層数の上限値は、 下限値よ り も制限因子が少ない。 但し、 高密度実装回路基板上において、 部品高さが半導体チップよ り高い、 厚さ 1 m m以上の電子部品は 少なく なつていることから、 1層の樹脂薄膜と 1層の金属薄膜と の厚み合計の下限を 0 . Ι μ πιとすると、 樹脂薄膜の積層数が 1 0 0 0 0層以下であることが積層体の積層数に関する上限値の目 安となる。 以上に説明した実施の形態は、 いずれもあくまでも本発明の技術的内 容を明らかにする意図のものであって、 本発明はこのような具体例にの み限定して解釈されるものではなく、 その発明の精神と請求の範囲に記 載する範囲内でいろいろと変更して実施することができ、 本発明を広義 に解釈すべきである。

Claims

請 求 の 範 囲

1 . 複数の樹脂薄膜と複数の金属薄膜とが積層された積層体であって 前記金属薄膜の端部は前記積層体の外部に露出しておらず、

前記樹脂薄膜の少なくとも 1層は積層方向の貫通孔を有し、

前記貫通孔を介して上下の前記金属薄膜が電気的に接続され、 前記金属薄膜の少なくとも 1層は、 前記貫通孔を介して外部に電極取 り出しが可能であることを特徴とする積層体。

2 . 前記貫通孔に導電性物質が充填され、 前記導電性物質を介して上 下の前記金属薄膜が電気的に接続されている請求項 1に記載の積層体。

3 . 前記貫通孔を介して上下の前記金属薄膜が直接接続されている請 求項 1に記載の積層体。

4 . 複数の樹脂薄膜と複数の金属薄膜とが積層された積層体であって 、

前記樹脂薄膜の少なくとも 1層は周囲の一部に切り欠き部を有し、 前記切り欠き部を介して上下の前記金属薄膜が電気的に接続され、 前記金属薄膜の少なくとも 1層は、 前記切り欠き部を介して外部に電 極取り出しが可能であることを特徴とする積層体。

5 . 前記切り欠き部に導電性物質が充填され、 前記導電性物質を介し て上下の前記金属薄膜が電気的に接続されている請求項 4に記載の積層 体。

6 . 前記切り欠き部を介して上下の前記金属薄膜が直接接続されてい る請求項 4に記載の積層体。

7 . 前記樹脂薄膜が略矩形状であって、 前記樹脂薄膜の前記切り欠き 部が形成された辺以外の辺では前記金属薄膜が後退して形成されている 請求項 4に記載の積層体。

8 . 複数の樹脂薄膜と複数の金属薄膜とが積層された積層体を用いて なるコンデンサであって、

前記金属薄膜の端部は前記積層体の外部に露出しておらず、

前記樹脂薄膜の少なくとも 1層は積層方向の貫通孔を有し、

前記貫通孔を介して前記金属薄膜が 1層おきに同電位となるように電 気的に接続され、

同電位に接続された前記金属薄膜は、 前記貫通孔を介して外部に電極 取り出しが可能であることを特徴とするコンデンサ。

9 . 前記貫通孔に導電性物質が充填され、 前記導電性物質を介して前 記金属薄膜が電気的に接続されている請求項 8に記載のコンデンサ。

1 0 . 前記貫通孔を介して前記金属薄膜が直接接続されている請求項 8に記載のコンデンサ。

1 1 . 前記金属薄膜は同一面上に複数に分離して形成されており、 同 一面上に複数の静電容量形成領域が形成されている請求項 8に記載のコ ンデンサ。

1 2 . 前記金属薄膜とは絶縁された貫通電極を更に有する請求項 1 1 に記載のコンデンサ。

1 3 . 請求項 8〜 1 2のいずれかに記載のコンデンサをパッケージ内 に内蔵してなる半導体集積回路。

1 4 . 請求項 8〜 1 2のいずれかに記載のコンデンサを表面又は内部 に接合してなる多層配線基板。

1 5 . 複数の樹脂薄膜と複数の金属薄膜とが積層された積層体を用い てなるコンデンサであって、

前記樹脂薄膜の少なくとも 1層は周囲の一部に切り欠き部を有し、 前記切り欠き部を介して前記金属薄膜が 1層おきに同電位となるよう に電気的に接続され、

同電位に接続された前記金属薄膜は、 前記切り欠き部を介して外部に 電極取り出しが可能であることを特徴とするコンデンサ。

1 6 . 前記切り欠き部に導電性物質が充填され、 前記導電性物質を介 して前記金属薄膜が電気的に接続されている請求項 1 5に記載のコンデ ンサ。

1 7 . 前記切り欠き部を介して前記金属薄膜が直接接続されている請 求項 1 5に記載のコンデンサ。

1 8 . 前記樹脂薄膜が略矩形状であって、 前記樹脂薄膜の前記切り欠 き部が形成された辺以外の辺では前記金属薄膜が後退して形成されてい る請求項 1 5に記載のコンデンサ。

1 9 . 樹脂薄膜と金属薄膜とを交互に積層してなる積層体の製造方法 であって、

前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の形成領域内に、 前記樹脂薄膜の形成面 積より小さく形成するとともに、 前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を 1層形成するごとに変更して、 樹脂薄膜と金属薄膜とを交互に積層する 工程と、

前記樹脂薄膜と金属薄膜とを貫通する貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔に導電性材料を充填して、 前記金属薄膜の少なくとも一部 と前記導電性材料とを電気的に接続する工程と

を有することを特徴とする積層体の製造方法。

2 0 . さらに、 前記樹脂薄膜を貫通し、 前記金属薄膜を貫通しない第 2の貫通孔を形成する工程と、 前記第 2の貫通孔に導電性材料を充填す る工程とを有する請求項 1 9に記載の積層体の製造方法。

2 1 . 樹脂薄膜を形成する工程と、 金属薄膜を形成する工程と、 前記 樹脂薄膜及び金属薄膜を貫通する貫通孔を所定位置に形成する工程とを 一単位とし、 これを支持体上で繰り返し行なうことにより前記樹脂薄膜 と前記金属薄膜とを交互に積層する積層体の製造方法であって、

前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の形成領域内に、 前記樹脂薄膜の形成面 積より小さく形成するとともに、 前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を 1層形成するごとに変更し、 かつ、

前記貫通孔を積層方向に連続させて形成し、 前記連続した貫通孔に導 電性材料を充填して、 前記金属薄膜の少なくとも一部と前記導電性材料 とを電気的に接続することを特徴とする積層体の製造方法。

2 2 . さらに、 前記樹脂薄膜を貫通し、 前記金属薄膜を貫通しない第 2の貫通孔を形成する工程を有し、 前記第 2の貫通孔を積層方向に連続 させて形成し、 前記連続した第 2の貫通孔に導電性材料を充填する請求 項 2 1に記載の積層体の製造方法。

2 3 . 樹脂薄膜を形成する工程と、 前記樹脂薄膜に貫通孔を形成する 工程と、 前記樹脂薄膜上に金属薄膜を形成する工程とを一単位とし、 こ れを支持体上で繰り返し行なうことにより前記樹脂薄膜と前記金属薄膜 とを交互に積層する積層体の製造方法であって、

前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の形成領域内に、 前記樹脂薄膜の形成面 積より小さく形成するとともに、 前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を 1層形成するごとに変更し、 かつ、

前記金属薄膜を形成する領域内に前記貫通孔を形成することにより、 前記貫通孔を介して積層方向の複数の前記金属薄膜を電気的に接続する ことを特徴とする積層体の製造方法。

2 4 . 前記樹脂薄膜の形成後、 金属薄膜の形成前に、 前記樹脂薄膜の 金属薄膜を形成しない領域に第 2の貫通孔をさらに形成し、 前記第 2の 貫通孔を積層方向に連続させ、 前記連続した第 2の貫通孔に導電性材料 を充填する請求項 2 3に記載の積層体の製造方法。

2 5 . 前記金属薄膜を形成後、 レーザ光を略格子状に走査することに より前記金属薄膜の形成領域を制限する請求項 1 9、 2 1又は 2 3に記 載の積層体の製造方法。

2 6 . 前記樹脂薄膜を形成後、 樹脂薄膜表面にオイルを略格子状に付 与した後、 金属薄膜を形成することにより前記金属薄膜の形成領域を制 限する請求項 1 9、 2 1又は 2 3に記載の積層体の製造方法。

2 7 . 前記積層体の製造を一方向に移動する支持体上で行ない、 前記樹脂薄膜表面に対向して配列された微細孔を備えた少なくとも一 対のノズルを用い、 それぞれのノズルの前記微細孔が前記樹脂薄膜上に 描く軌跡が前記支持体の移動方向に対して略 4 5度となるように、 前記 各ノズルを前記支持体の移動方向と略直交する方向に往復移動させて、 前記オイルの付与を行なう請求項 2 6に記載の積層体の製造方法。

2 8 . 金属薄膜を樹脂薄膜の形成領域内に、 前記樹脂薄膜の形成面積 より小さく形成するとともに、 前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を 1 層形成するごとに変更して、 樹脂薄膜と金属薄膜とを交互に積層するェ 程と、

前記樹脂薄膜と金属薄膜とを貫通する貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔に導電性材料を充填して、 前記金属薄膜を 1層おきに電気 的に接続する工程と

を有することを特徴とするコンデンサの製造方法。

2 9 . 前記貫通孔を形成後、 前記導電性材料の充填前に前記貫通穴内 壁面をプラズマ処理する請求項 2 8に記載のコンデンサの製造方法。

3 0 . 樹脂薄膜を積層する工程と、 金属薄膜を形成する工程と、 前記 樹脂薄膜及ぴ金属薄膜を貫通する貫通孔を所定位置に形成する工程とを —単位とし、 これを支持体上で繰り返し行なうコンデンサの製造方法で あって、 前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の形成領域内に、 前記樹脂薄膜の形成面 積より小さく形成するとともに、 前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を

1層形成するごとに変更し、 かつ、

前記貫通孔を積層方向に連続させて形成し、 前記連続した貫通孔に導 電性材料を充填して、 前記金属薄膜を 1層おきに電気的に接続すること を特徴とするコンデンサの製造方法。

3 1 . 前記貫通孔の内壁面をプラズマ処理する請求項 3 0に記载のコ ンデンサの製造方法。

3 2 . 樹脂薄膜を形成する工程と、 前記樹脂薄膜に貫通孔を形成する 工程と、 前記樹脂薄膜上に金属薄膜を形成する工程とを一単位とし、 こ れを支持体上で繰り返し行なうコンデンサの製造方法であって、

前記金属薄膜を前記樹脂薄膜の形成領域内に、 前記樹脂薄膜の形成面 積より小さく形成するとともに、 前記金属薄膜の形成位置を金属薄膜を 1層形成するごとに変更し、 かつ、

前記金属薄膜を形成する領域内に前記貫通孔を形成することにより、 前記貫通孔を介して前記金属薄膜を 1層おきに電気的に接続することを 特徴とするコンデンサの製造方法。

3 3 . 前記樹脂薄膜に貫通孔を形成した後、 前記金属薄膜を形成する 前に、 前記貫通孔をプラズマ処理する請求項 3 2に記載のコンデンサの 製造方法。

3 4 . 巡回する支持体と、 前記支持体に対向して配置された金属薄膜 形成装置及び樹脂薄膜形成装置と、 これらを収納する真空槽とを有する 積層体の製造装置であって、

前記金属薄膜形成装置の下流側であって前記樹脂薄膜形成装置の上流 側に、 金属薄膜加工用のレーザパターニング装置を有することを特徴と する積層体の製造装置。

3 5 . 更に、 積層方向の孔を形成する孔加工用のレーザ加工装置を有 する請求項 3 4に記載の積層体の製造装置。

3 6 . 更に、 前記レーザ加工装置の下流側であって前記金属薄膜形成 装置の上流側にプラズマ照射装置を有する請求項 3 5に記載の積層体の

3 7 . 巡回する支持体と、 前記支持体に対向して配置された金属薄膜 形成装置及び樹脂薄膜形成装置と、 これらを収納する真空槽とを有する 積層体の製造装置であって、

更に、 積層方向の孔を形成する孔加工用のレーザ加工装置と、 前記樹脂薄膜形成装置の下流側であって前記金属薄膜形成装置の上流 側に、 樹脂薄膜上にオイルを付与するオイル付与装置とを有することを 特徴とする積層体の製造装置。

3 8 . 更に、 前記レーザ加工装置の下流側であって前記金属薄膜形成 装置の上流側にプラズマ照射装置を有する請求項 3 7に記載の積層体の 製造装置。

3 9 . 前記オイル付与装置は、 微細孔を配列したノズルを一対以上有 する請求項 3 7に記載の積層体の製造装置。

4 0 . 巡回する支持体と、 前記支持体に対向して配置された金属薄膜 形成装置及び樹脂薄膜形成装置と、 これらを収納する真空槽とを有する 積層体の製造装置であって、

前記樹脂薄膜形成装置の下流側であって前記金属薄膜形成装置の上流 側に、 樹脂薄膜上にオイルを付与するオイル付与装置を有し、

前記オイル付与装置は、 微細孔を配列したノズルを一対以上有するこ とを特徴とする積層体の製造装置。

4 1 . 対をなすそれぞれのノズルの前記微細孔が樹脂薄膜上に描く軌 跡が互いに交差する請求項 3 9又は 4 0に記載の積層体の製造装置。

4 2 . 対をなす前記ノズルのそれぞれが、 前記支持体の移動速度と略 等速で、 前記支持体の移動方向と略直交する方向に往復移動する請求項 3 9又は 4 0に記載の積層体の製造装置。

4 3 . 対をなすそれぞれの前記ノズルの前記微細孔が樹脂薄膜上に描 く軌跡と前記支持体の移動方向とがなす角が略 4 5度であり、 かつ、 そ れぞれのノズルの微細孔による軌跡が交差する請求項 3 9又は 4 0に記 載の積層体の製造装置。

4 4 . 巡回する支持体と、 前記支持体に対向して配置された金属薄膜 形成装置及び樹脂薄膜形成装置と、 これらを収納する真空槽とを有する 積層体の製造装置であって、

更に、 積層方向の孔を形成する孔加工用のレーザ加工装置と、 前記樹脂薄膜形成装置の下流側であって前記金属薄膜形成装置の上流 側に、 樹脂薄膜上にオイルを付与するオイル付与装置と、

前記金属薄膜形成装置の下流側であって前記樹脂薄膜形成装置の上流 側に、 金属薄膜加工用のレーザパターニング装置とを有することを特徴 とする積層体の製造装置。

4 5 . 更に、 前記レーザ加工装置の下流側であって前記金属薄膜形成 装置の上流側にプラズマ照射装置を有する請求項 4 4に記載の積層体の

4 6 . 樹脂薄膜を形成する工程と、 金属材料を真空プロセスにより堆 積させて金属薄膜を形成する工程とを有し、 これらを周回する支持体上 で行うことにより前記支持体上に樹脂薄膜と金属薄膜とを含む積層体を 製造する方法であって、 前記金属薄膜は、 前記支持体の移動方向に形成 された第 1の非金属帯と前記支持体の移動方向と略直角方向に形成され た第 2の非金属帯とにより略矩形状に分割されていることを特徴とする 積層体の製造方法。

4 7 . 第 1の非金属帯及び Z又は第 2の非金属帯が、 金属薄膜の形成 前に樹脂薄膜表面にパターニング材料を付着させることにより形成され る請求項 4 6に記載の積層体の製造方法。

4 8 . パターニング材料を樹脂薄膜表面に非接触で付着させる請求項 4 7に記載の積層体の製造方法。

4 9 . パターニング材料の付着を、 樹脂薄膜表面に対向して配置され たパターニング材料付与装置の微細孔から気化したパターユング材料を 放出して、 樹脂薄膜表面に付着させることにより行う請求項 4 7に記載 の積層体の製造方法。

5 0 . パターニング材料の付着を、 樹脂薄膜表面に対向して配置され たパターニング材料付与装置の微細孔から液体状態のパターニング材料 を放出して、 樹脂薄膜表面に付着させることにより行う請求項 4 7に記 載の積層体の製造方法。

5 1 . 金属薄膜を形成した後であって、 樹脂薄膜を形成する前に、 残 存するパターニング材料を除去する請求項 4 7に記載の積層体の製造方 法。

5 2 . パターユング材料がエステル系オイル、 グリコール系オイル、 フッ素系オイル及ぴ炭化水素系オイルよりなる群から選ばれた少なく と も一種のオイルである請求項 4 7に記載の積層体の製造方法。

5 3 . 第 1の非金属帯及び/又は第 2の非金属帯が、 金属薄膜の形成 後に金属薄膜を除去することにより形成される請求項 4 6に記載の積層 体の製造方法。 .

5 4 . 金属薄膜の除去が、 レーザ光を照射することに行われる請求項

5 3に記載の積層体の製造方法。

5 5 . 第 2の非金属帯の積層方向の位置がほぼ一致する請求項 4 6に 記載の積層体の製造方法。

5 6 . 支持体上に積層体を得た後、 第 1の非金属帯及び/又は第 2の 非金属帯の少なく とも一部に沿って積層方向に切断する請求項 4 6に記 載の積層体の製造方法。

5 7 . 支持体上に積層体を得た後、 切断面に金属薄膜が露出しないよ うに積層方向に切断する請求項 4 6に記載の積層体の製造方法。

5 8 . 支持体上に積層体を得た後、 切断面に金属薄膜が露出しないよ うに積層方向に行なう切断と、 前記切断と異なる方向であって、 切断面 に金属薄膜が露出するように積層方向に行なう切断との少なく とも 2通 りの切断を行なう請求項 4 6に記載の積層体の製造方法。

5 9 . 樹脂薄膜の積層を、 蒸発した樹脂材料を支持体表面に付着させ ることにより行う請求項 4 6に記載の積層体の製造方法。

6 0 . 樹脂材料が反応性モノマー樹脂である請求項 5 9に記載の積層 体の製造方法。

6 1 . 樹脂材料を付着させた後、 これを硬化処理する請求項 5 9に記 載の積層体の製造方法。

6 2 . 樹脂薄膜の積層後、 表面処理を行う請求項 4 6に記載の積層体 の製造方法。

6 3 . 樹脂薄膜を形成する工程と金属材料を真空プロセスにより堆積 させて金属薄膜を形成する工程とを周回する支持体上で行うことにより 、 前記支持体上に樹脂薄膜と金属薄膜とを含む積層体を製造した後、 前 記積層体を積層方向に切断し、 外部電極を形成して電子部品を製造する 方法であって、

支持体上に形成される前記金属薄膜は、 前記支持体の移動方向に形成 された第 1の非金属帯と前記支持体の移動方向と略直角方向に形成され た第 2の非金属帯とにより略矩形状に分割されており、

前記切断の少なく とも一部は前記非金属帯の少なくとも一部に沿って 行なうことを特徴とする電子部品の製造方法。

6 4 . 第 2の非金属帯の積層方向の位置がほぼ一致する請求項 6 3に 記載の電子部品の製造方法。

6 5 . 前記切断を方向が異なる少なく とも 2方向に行ない、 そのうち の 1方向の切断は切断面に金属薄膜が露出されるように行ない、 他の 1 方向の切断は切断面に金属薄膜が露出されないように行なう請求項 6 3 に記載の電子部品の製造方法。

6 6 . 金属薄膜が露出した切断面に外部電極を形成する請求項 6 5に 記載の電子部品の製造方法。

6 7 . 電子部品がコンデンサである請求項 6 3に記載の電子部品の製 造方法。

6 8 . 電子部品がチップコンデンサである請求項 6 3に記載の電子部 品の製造方法。

6 9 . 樹脂薄膜と金属薄膜とがそれぞれ 2層以上積層された積層体と 、 前記積層体の積層方向以外の方向の側面の一部に、 前記金属薄膜と電 気的に接続するように形成された電極とを有する電子部品であって、 前記積層体の電極が形成されていない側面には前記金属薄膜が露出し ていないことを特徴とする電子部品。

7 0 . 積層体が略直方体形状を有し、 積層体の積層方向以外の方向に 対向する 2組の対向面のうち、 一方の組の対向面には電極が形成されて おり、 他方の組の対向面には金属薄膜が露出していない請求項 6 9に記 載の電子部品。

7 1 . 樹脂薄膜と金属薄膜とがそれぞれ 2層以上積層された積層体を 積層方向に切断し、 切断面の一部に前記金属薄膜と電気的に接続するよ うに電極が形成された電子部品であって、

前記電極が形成されていない切断面には前記金属薄膜が露出していな いことを特徴とする電子部品。

7 2 . 電子部品がコンデンサである請求項 6 9又は 7 1に記載の電子 部 -。